JP2017075992A - Photoresist stripper - Google Patents
Photoresist stripper Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017075992A JP2017075992A JP2015202110A JP2015202110A JP2017075992A JP 2017075992 A JP2017075992 A JP 2017075992A JP 2015202110 A JP2015202110 A JP 2015202110A JP 2015202110 A JP2015202110 A JP 2015202110A JP 2017075992 A JP2017075992 A JP 2017075992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- copper
- substrate
- weight
- stripping solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明はフォトレジスト剥離液に関する。 The present invention relates to a photoresist stripper.
半導体基板等は微細な配線を施した電極構造を有しており、その製造工程でフォトレジストが使用されている。電極構造は、例えば、基板上に形成されたアルミニウム等の導電性金属層やＳｉＯ２膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、これに露光、現像の処理を施してフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとして導電性金属層や絶縁膜等をエッチング処理したり、めっき処理により金属パターンを形成したりすることで微細配線を形成した後、不要となったフォトレジストを剥離液で除去して製造される。これらフォトレジスト剥離液には、金属配線材料を腐食しないことが求められる。金属配線材料の材質としては、近年、アルミニウムより抵抗率が低い銅が注目されている。 A semiconductor substrate or the like has an electrode structure with fine wiring, and a photoresist is used in the manufacturing process. For example, the electrode structure is formed by applying a photoresist on a conductive metal layer such as aluminum formed on a substrate or an insulating film such as a SiO 2 film, and then exposing and developing it to form a photoresist pattern. Then, using this photoresist pattern as a mask, the conductive metal layer, insulating film, etc. are etched, or the metal pattern is formed by plating. It is manufactured by removing with a liquid. These photoresist stripping solutions are required not to corrode metal wiring materials. In recent years, copper having a lower resistivity than aluminum has attracted attention as a material for the metal wiring material.
このような剥離液として、特許文献１には、有機アミンと水、及び必要に応じて水溶性有機溶媒を含有するレジスト剥離用組成物に、さらにマルトール、コウジ酸といった特定の化合物を含有させることで、レジスト残渣を効果的に除去し、かつ金属配線材料に対する防食性にも優れることが開示されている。また、特許文献２には、レジスト剥離剤とともに、銅又は銅合金の防食剤としてシトシン及び／又はクレアチニンを含有するフォトレジスト剥離剤組成物が開示されており、更に、このようなフォトレジスト剥離剤組成物としては、アルカノールアミン、水溶性有機溶剤、及び水を含有するとともに、銅又は銅合金の防食剤としてシトシン及び／又はクレアチニンを含有するものが好ましい旨が記載されている。 As such a stripping solution, Patent Document 1 further contains a specific compound such as maltol and kojic acid in a resist stripping composition containing an organic amine, water, and, if necessary, a water-soluble organic solvent. Thus, it is disclosed that the resist residue can be effectively removed and the corrosion resistance against the metal wiring material is excellent. Patent Document 2 discloses a photoresist remover composition containing cytosine and / or creatinine as an anticorrosive agent for copper or a copper alloy together with a resist remover. Further, such a photoresist remover is disclosed. It is described that the composition preferably contains an alkanolamine, a water-soluble organic solvent, and water, and also contains cytosine and / or creatinine as a corrosion inhibitor for copper or a copper alloy.
一方で、めっき処理により金属パターンを形成するめっき法において、マスクに使用されるフォトレジストとしては、めっき耐性に優れるネガ型フォトレジストが好ましい。しかしながら、ネガ型フォトレジストはその性質上、硬化後パターンの剥離が困難であるといった問題がある。そのため、ネガ型フォトレジストの除去に使用されるフォトレジスト剥離液には高いレジスト剥離性が要求される。そこで、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドのような強アルカリ性物質を含有するフォトレジスト剥離液が好ましく用いられるが、このフォトレジスト剥離液はレジスト剥離性に優れる一方、金属腐食性が大きいという欠点がある。更に、昨今では、半導体の高集積化に伴い、金属配線は多層化の流れになっており、使用するフォトレジスト剥離液には、複数金属を腐食させないことが要求される等、レジスト剥離性と防食性との両立が難しい傾向にある。 On the other hand, in a plating method in which a metal pattern is formed by plating, a negative photoresist having excellent plating resistance is preferable as the photoresist used for the mask. However, the negative photoresist has a problem that it is difficult to peel off the pattern after curing due to its properties. Therefore, a high resist stripping property is required for the photoresist stripping solution used for removing the negative photoresist. Accordingly, a photoresist stripping solution containing a strong alkaline substance such as tetraalkylammonium hydroxide is preferably used, but this photoresist stripping solution is excellent in resist stripping property but has a drawback of high metal corrosiveness. Furthermore, with the recent high integration of semiconductors, metal wiring has become a multi-layered flow, and the photoresist stripping solution used is required not to corrode multiple metals. Coexistence with anticorrosion tends to be difficult.
本発明は、高いレジスト剥離性を有すると共に、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れたフォトレジスト剥離液を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a photoresist stripping solution having high resist stripping properties and excellent anticorrosion properties against a plurality of metals (especially copper or a copper alloy and tin or a tin alloy).
本発明者は、鋭意検討の結果、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウムを含有する組成物において、マルトールとクレアチニンとを併用することにより、高いレジスト剥離性を有すると共に、それぞれを単独で用いた場合と比較して両者の相乗効果がみられ、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性が顕著に向上することを見出し、本発明を完成した。 As a result of intensive studies, the inventor used a composition containing dimethyl sulfoxide and quaternary ammonium hydroxide in combination with maltol and creatinine, thereby having high resist releasability and using each alone. The synergistic effect of both was seen compared with the case, and it discovered that the corrosion resistance with respect to multiple metals (especially copper or copper alloy, and tin or tin alloy) improved notably, and completed this invention.
即ち、本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むことを特徴とする。 That is, the photoresist stripping solution of the present invention is characterized by containing dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, maltol and creatinine.
本発明のフォトレジスト剥離液は、マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１であることが好ましい。 In the photoresist stripping solution of the present invention, the total content of maltol and creatinine is preferably 0.6% by weight or less, and the content weight ratio of maltol and creatinine is preferably 3: 1 to 1: 1.
本発明のフォトレジスト剥離液は、さらに、アルキレンアミン及び／又はアルカノールアミンを含むことが好ましい。 The photoresist stripping solution of the present invention preferably further contains an alkyleneamine and / or an alkanolamine.
本発明のフォトレジスト剥離液は、水の含有量が１０重量％以下であり、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いられることが好ましい。 The photoresist stripping solution of the present invention has a water content of 10% by weight or less, and is preferably used for stripping a negative dry film resist.
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程、
（３）本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
The method for manufacturing a substrate having a multilayer metal pattern according to the present invention includes the following steps (1) to (3):
(1) forming a photoresist pattern on the substrate;
(2) forming a multilayer metal pattern using the photoresist pattern as a mask;
(3) The process of peeling a photoresist pattern from a board | substrate using the photoresist stripping solution of this invention.
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法において、工程（２）の多層金属は、銅又は銅合金層と錫又は錫合金層とを含むことが好ましい。 In the manufacturing method of the board | substrate which has a multilayer metal pattern of this invention, it is preferable that the multilayer metal of a process (2) contains a copper or copper alloy layer and a tin or tin alloy layer.
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法において、フォトレジストがネガ型ドライフィルムレジストであり、多層金属パターンはめっき処理により形成されることが好ましい。 In the method for producing a substrate having a multilayer metal pattern of the present invention, the photoresist is preferably a negative dry film resist, and the multilayer metal pattern is preferably formed by plating.
本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むため、高いレジスト剥離性を有すると共に、マルトールやクレアチニンを単独で用いた場合と比較して両者の相乗効果がみられ、複数金属（特に銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れる。 Since the photoresist stripping solution of the present invention contains dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, maltol and creatinine, it has high resist stripping properties and synergy between the two compared with the case where maltol and creatinine are used alone. An effect is seen and it is excellent in the corrosion resistance with respect to multiple metals (especially copper or a copper alloy, and tin or a tin alloy).
＜＜フォトレジスト剥離液＞＞
本発明は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール及びクレアチニンを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離液に関する。
<< Photoresist stripping solution >>
The present invention relates to a photoresist stripping solution containing dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, maltol and creatinine.
＜ジメチルスルホキシド＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、ジメチルスルホキシドの含有量は特に限定されないが、２０〜９０重量％であることが好ましく、３５〜８７重量％であることがより好ましい。ジメチルスルホキシドの含有量が２０重量％未満の場合や９０重量％を超える場合、レジスト剥離性が低下することがある。
<Dimethyl sulfoxide>
In the photoresist stripping solution of the present invention, the content of dimethyl sulfoxide is not particularly limited, but is preferably 20 to 90% by weight, and more preferably 35 to 87% by weight. When the content of dimethyl sulfoxide is less than 20% by weight or more than 90% by weight, the resist peelability may be lowered.
＜水酸化第四級アンモニウム＞
水酸化第四級アンモニウムとしては、例えば下記一般式（１）で表される化合物を用いることができる。
<Quaternary ammonium hydroxide>
As the quaternary ammonium hydroxide, for example, a compound represented by the following general formula (1) can be used.
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜３のアルキル基、又は、炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基を表し、同一であっても異なっていてもよい。 In General Formula (1), R 1 to R 4 represent an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a hydroxy-substituted alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and may be the same or different.
水酸化第四級アンモニウムとしては、特に限定されないが、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリプロピル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリメチル（１−ヒドロキシプロピル）アンモニウム等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。これらの中では、レジスト剥離性の観点から、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムが好ましい。また、分子量が最も小さく、単位重量当たりのモル濃度が高くなり、効果的に働くことから、水酸化テトラメチルアンモニウムがより好ましい。 Although it does not specifically limit as quaternary ammonium hydroxide, For example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide, trimethyl (2-hydroxyethyl) ) Ammonium, tripropyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, trimethyl (1-hydroxypropyl) ammonium hydroxide, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide are preferable from the viewpoint of resist strippability. Further, tetramethylammonium hydroxide is more preferred because it has the smallest molecular weight, increases the molar concentration per unit weight, and works effectively.
本発明のフォトレジスト剥離液において、水酸化第四級アンモニウムの含有量は特に限定されないが、２〜２０重量％であることが好ましく、３〜１５重量％であることがより好ましい。水酸化第四級アンモニウムの含有量が２重量％未満であると、レジスト剥離性が低下することがあり、２０重量％を超えると、金属腐食性が高くなることがある。 In the photoresist stripping solution of the present invention, the content of quaternary ammonium hydroxide is not particularly limited, but is preferably 2 to 20% by weight, and more preferably 3 to 15% by weight. When the content of the quaternary ammonium hydroxide is less than 2% by weight, the resist peelability may be lowered, and when it exceeds 20% by weight, the metal corrosiveness may be increased.
＜マルトール＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、マルトールの含有量は特に限定されないが、０．１〜０．５重量％であることが好ましく、０．２〜０．４重量％であることがより好ましい。マルトールの含有量が０．１重量％未満であると、錫−銀合金の防食性が不十分となることがあり、０．５重量％を超えると、銅の防食性が不十分となることがある。
<Maltor>
In the photoresist stripping solution of the present invention, the content of maltol is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 0.5% by weight, and more preferably 0.2 to 0.4% by weight. If the content of maltol is less than 0.1% by weight, the corrosion resistance of the tin-silver alloy may be insufficient, and if it exceeds 0.5% by weight, the corrosion resistance of copper may be insufficient. There is.
＜クレアチニン＞
本発明のフォトレジスト剥離液において、クレアチニンの含有量は特に限定されないが、０．０１〜１．０重量％であることが好ましく、０．１〜０．５重量％であることがより好ましい。クレアチニンの含有量が０．０１重量％未満であると、銅の防食性が不十分となることがあり、１．０重量％を超えると、銅と錫−銀合金の防食性が不十分となることがある。
<Creatinine>
In the photoresist stripping solution of the present invention, the content of creatinine is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 1.0% by weight, and more preferably 0.1 to 0.5% by weight. When the content of creatinine is less than 0.01% by weight, the corrosion resistance of copper may be insufficient, and when it exceeds 1.0% by weight, the corrosion resistance of copper and tin-silver alloy is insufficient. May be.
本発明のフォトレジスト剥離液において、マルトール及びクレアチニンの総含有量は特に限定されないが、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．６重量％以下であることが更に好ましい。マルトール及びクレアチニンの総含有量が１．０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。 In the photoresist stripping solution of the present invention, the total content of maltol and creatinine is not particularly limited, but is preferably 1.0% by weight or less, more preferably 0.7% by weight or less, and 0.6 More preferably, it is not more than% by weight. If the total content of maltol and creatinine exceeds 1.0% by weight, the resist peelability may be lowered.
本発明のフォトレジスト剥離液において、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率（重量比）は特に限定されないが、３：１〜１：３であることが好ましく、３：１〜１：１であることがより好ましい。マルトールの含有重量比率が１：３を超えると、錫−銀合金の防食性が不十分となることがあり、クレアチニンの含有重量比率が３：１未満であると、銅の防食性が不十分となることがある。 In the photoresist stripping solution of the present invention, the content weight ratio (weight ratio) of maltol and creatinine is not particularly limited, but preferably 3: 1 to 1: 3, and 3: 1 to 1: 1. Is more preferable. If the content weight ratio of maltol exceeds 1: 3, the corrosion resistance of the tin-silver alloy may be insufficient, and if the content ratio of creatinine is less than 3: 1, the corrosion resistance of copper is insufficient. It may become.
特に、スパッタリング等により形成された銅シード層のような、アモルファス状の金属又は金属合金層の防食の観点からは、マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１であることが好ましい。 In particular, from the viewpoint of anticorrosion of an amorphous metal or metal alloy layer such as a copper seed layer formed by sputtering or the like, the total content of maltol and creatinine is 0.6% by weight or less, and maltol and creatinine Is preferably 3: 1 to 1: 1.
＜任意成分＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、ジメチルスルホキシド、水酸化第四級アンモニウム、マルトール、クレアチニンに加えて、任意に他の成分を含有していても良い。他の成分としては、特に限定されないが、アミン、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテル、水、ジメチルスルホキシド以外の有機溶媒、界面活性剤（例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル）、消泡剤（例えばシリコーンオイル）等が挙げられる。
<Optional component>
The photoresist stripping solution of the present invention may optionally contain other components in addition to dimethyl sulfoxide, quaternary ammonium hydroxide, maltol and creatinine. Other components include, but are not limited to, amines, polyhydric alcohols and / or glycol ethers having a molecular weight of 100 or less, water, organic solvents other than dimethyl sulfoxide, surfactants (for example, alkylbenzene sulfonates, polyoxyethylene alkyls). Ether), an antifoaming agent (for example, silicone oil) and the like.
アミンとしては、特に限定されず公知のものが挙げられるが、フォトレジスト剥離液の経時安定性の観点から、アルカノールアミン、アルキレンアミンを用いることが好ましい。これらは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。 Although it does not specifically limit as an amine and a well-known thing is mentioned, It is preferable to use an alkanolamine and an alkyleneamine from a viewpoint of temporal stability of a photoresist stripping solution. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明のフォトレジスト剥離液がアミンを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１〜２５重量％であることが好ましく、２〜２０重量％であることがより好ましい。含有量が１重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。 When the photoresist stripping solution of the present invention contains an amine, the content is not particularly limited, but is preferably 1 to 25% by weight, and more preferably 2 to 20% by weight. When the content is less than 1% by weight, the stability over time may be lowered, and when it exceeds 25% by weight, the resist peelability may be lowered.
アルカノールアミンとしては、１級アルカノールアミンのみ、２級アルカノールアミンのみ、３級アルカノールアミンのみであってもよく、これらの任意の組み合わせ、例えば、１級アルカノールアミンと２級アルカノールアミンとの組み合わせ、１級アルカノールアミンと２級アルカノールアミンと３級アルカノールアミンとの組み合わせ、等であってもよい。これらのうち、１級アルカノールアミンのみ、２級アルカノールアミンのみ、又は、１級アルカノールアミンと２級アルカノールアミンとを含む組み合わせ、が好ましく、１級アルカノールアミンのみがより好ましい。アルカノールアミンは単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。 The alkanolamine may be a primary alkanolamine only, a secondary alkanolamine only, or a tertiary alkanolamine, and any combination thereof, for example, a combination of a primary alkanolamine and a secondary alkanolamine, 1 A combination of a secondary alkanolamine, a secondary alkanolamine, and a tertiary alkanolamine may be used. Of these, only primary alkanolamines, only secondary alkanolamines, or combinations containing primary alkanolamines and secondary alkanolamines are preferred, and only primary alkanolamines are more preferred. An alkanolamine may be used independently and may use 2 or more types together.
１級アルカノールアミンとしては、特に限定されず、例えば、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等が挙げられる。２級アルカノールアミンとしては、特に限定されず、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン等が挙げられる。３級アルカノールアミンとしては、特に限定されず、例えば、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン等が挙げられる。これらの中では、入手の容易さ及びレジスト剥離性と銅又は銅合金に対する防食性の兼備の点から、モノエタノールアミン、イソプロパノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールが好ましく、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールがより好ましく、モノエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノールがさらに好ましい。 The primary alkanolamine is not particularly limited, and examples thereof include monoethanolamine, isopropanolamine, and 3-amino-1-propanol. The secondary alkanolamine is not particularly limited, and examples thereof include diethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine and the like. The tertiary alkanolamine is not particularly limited. For example, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, triethanolamine, aminoethylethanolamine, N -Methyl-N, N-diethanolamine, N, N-dibutylethanolamine and the like. Among these, monoethanolamine, isopropanolamine, N-methylethanolamine, diethanolamine, and 3-amino-1-propanol are available from the viewpoints of easy availability, resist stripping properties, and anticorrosive properties against copper or copper alloys. Preferably, diethanolamine, N-methylethanolamine, and 3-amino-1-propanol are more preferable, and monoethanolamine and 3-amino-1-propanol are more preferable.
本発明のフォトレジスト剥離液がアルカノールアミンを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１〜２５重量％であることが好ましく、２〜２０重量％であることがより好ましい。アルカノールアミンの含有量が１重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。 When the photoresist stripping solution of the present invention contains an alkanolamine, the content is not particularly limited, but is preferably 1 to 25% by weight, and more preferably 2 to 20% by weight. When the content of alkanolamine is less than 1% by weight, the temporal stability may be lowered, and when it exceeds 25% by weight, the resist peelability may be lowered.
アルキレンアミンとしては、特に限定されず下記一般式（２）で表される化合物を用いることができ、具体的には、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、テトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ）、ペンタエチレンヘキサミン（ＰＥＨＡ）等の下記一般式（３）で表されるエチレンアミン、プロピレンジアミン等が挙げられる。これらの中では、二酸化炭素の吸収性の観点から、下記一般式（３）で表されるエチレンアミンが好ましく、ｎ＝２以上のポリエチレンアミンがより好ましく、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンがさらに好ましい。これらのアルキレンアミンは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。 The alkyleneamine is not particularly limited, and a compound represented by the following general formula (2) can be used. Specifically, ethylenediamine (EDA), diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), tetraethylene Examples include ethyleneamine and propylenediamine represented by the following general formula (3) such as pentamine (TEPA) and pentaethylenehexamine (PEHA). Among these, from the viewpoint of carbon dioxide absorbability, ethyleneamine represented by the following general formula (3) is preferable, polyethyleneamine having n = 2 or more is more preferable, and triethylenetetramine and tetraethylenepentamine are further included. preferable. These alkylene amines may be used alone or in combination of two or more.
（一般式（２）中、ｍ、ｎは１〜５の整数を表す。Ｒ５、Ｒ６は、互いにそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表す。Ｒ５、Ｒ６が複数ある場合は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。） (In General Formula (2), m and n represent an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. R 5 , When there are a plurality of R 6 s , they may be the same or different.)
（一般式（３）中、ｎは１〜５の整数を表す。） (In General Formula (3), n represents an integer of 1 to 5)
本発明のフォトレジスト剥離液がアルキレンアミンを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１〜２５重量％であることが好ましく、２〜２０重量％であることがより好ましい。アルキレンアミンの含有量が１重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。 When the photoresist stripping solution of the present invention contains an alkyleneamine, the content is not particularly limited, but is preferably 1 to 25% by weight, and more preferably 2 to 20% by weight. When the content of the alkylene amine is less than 1% by weight, the temporal stability may be lowered, and when it exceeds 25% by weight, the resist peelability may be lowered.
本発明のフォトレジスト剥離液は、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルを含有してもよい。多価アルコールとしては、特に限定されないが、例えば、トリエチレングリコール（ＴＥＧ）、グリセリン、ジエチレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、エチレングリコール等が挙げられる。分子量１００以下のグリコールエーテルとしては、特に限定されないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。これらの中では、水酸化第四級アンモニウムの溶解性を高める観点から、トリエチレングリコール、グリセリンを用いることが好ましい。これらの多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。 The photoresist stripping solution of the present invention may contain a polyhydric alcohol and / or a glycol ether having a molecular weight of 100 or less. Although it does not specifically limit as a polyhydric alcohol, For example, a triethylene glycol (TEG), glycerol, diethylene glycol, 1, 3- butanediol, 1, 4- butanediol, propylene glycol, ethylene glycol etc. are mentioned. Although it does not specifically limit as glycol ether of molecular weight 100 or less, For example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, etc. are mentioned. In these, it is preferable to use triethylene glycol and glycerin from a viewpoint of improving the solubility of quaternary ammonium hydroxide. These polyhydric alcohols and / or glycol ethers having a molecular weight of 100 or less may be used alone or in combination of two or more.
多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルのＳＰ値は、特に限定されないが、δＤ＝１５．８〜１７．６、δＰ＝９．０〜１５．５、かつ、δＨ＝１６．２〜３０．０であることが好ましく、δＤ＝１７．０〜１７．４、δＰ＝１０．２〜１４．２、かつ、δＨ＝２６．０〜２９．３であることがより好ましい。δＤ、δＰ、δＨの値が上記範囲を外れると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがある。なお、本明細書において、ＳＰ値とはハンセンの溶解パラメーターのことをいい、物質の溶解性を分散項δＤ、極性項δＰ、水素結合項δＨの３つのパラメーターで表現するものである。分散項δＤ、極性項δＰ、水素結合項δＨは、物質固有の物性値であり、例えば、「Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ Ｕｓｅｒ’ｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，ＨＳＰｉＰ ３ｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｖｅｒ．３．０．２０」に示されている。なお、水素結合項δＨは、前記文献に記載の値を使用することができるが、記載がない場合は、Ｙ−ＭＢ法と呼ばれるニューラルネットワーク法を用いた推算方法により水素結合項δＨを算出することができる。 The SP value of the polyhydric alcohol and / or glycol ether having a molecular weight of 100 or less is not particularly limited, but δD = 15.8 to 17.6, δP = 9.0 to 15.5, and δH = 16.2. 30.0 is preferable, δD = 17.0 to 17.4, δP = 10.2 to 14.2, and δH = 26.0 to 29.3 are more preferable. If the values of δD, δP, and δH are out of the above ranges, the solubility of quaternary ammonium hydroxide may decrease. In this specification, the SP value refers to Hansen's solubility parameter, and the solubility of a substance is expressed by three parameters: a dispersion term δD, a polar term δP, and a hydrogen bond term δH. The dispersion term δD, the polar term δP, and the hydrogen bond term δH are physical property values specific to the substance, and are shown, for example, in “Hansen Solubility Parameters: A User's Handbook, HSPiP 3rd Edition ver. 3.0.20”. Yes. As the hydrogen bond term δH, the value described in the above-mentioned document can be used, but when there is no description, the hydrogen bond term δH is calculated by an estimation method using a neural network method called Y-MB method. be able to.
本発明のフォトレジスト剥離液が多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルを含有する場合、その含有量は特に限定されないが、１．０〜２０．０重量％であることが好ましく、２．０〜１０．０重量％であることがより好ましい。多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルの含有量が１．０重量％未満であると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがあり、２０．０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。 When the photoresist stripper of the present invention contains a polyhydric alcohol and / or a glycol ether having a molecular weight of 100 or less, the content is not particularly limited, but is preferably 1.0 to 20.0% by weight. More preferably, it is 0.0-10.0 weight%. When the content of the polyhydric alcohol and / or glycol ether having a molecular weight of 100 or less is less than 1.0% by weight, the solubility of the quaternary ammonium hydroxide may decrease, and if it exceeds 20.0% by weight In some cases, the resist peelability may decrease.
本発明のフォトレジスト剥離液が水を含有する場合、その含有量は特に限定されないが、レジスト剥離性の観点からは、３０重量％以下であることが好ましく、ネガ型レジスト剥離性の観点からは、２０重量％以下であることが好ましい。特に、本発明のフォトレジスト剥離液をネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いる場合、水の含有量は１０重量％以下であることがより好ましく、３〜１０重量％であることがさらに好ましい。水の含有量が３重量％未満であると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがあり、１０重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。 When the photoresist stripping solution of the present invention contains water, the content is not particularly limited, but from the viewpoint of resist stripping, it is preferably 30% by weight or less, and from the viewpoint of negative resist stripping. 20% by weight or less is preferable. In particular, when the photoresist stripping solution of the present invention is used for stripping a negative dry film resist, the content of water is more preferably 10% by weight or less, and further preferably 3 to 10% by weight. When the water content is less than 3% by weight, the solubility of the quaternary ammonium hydroxide may be lowered, and when it exceeds 10% by weight, the resist peelability may be lowered.
アミン、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテル、並びに、水を除く他の任意成分の含有量は、その種類によるので一概に定めないが、例えば、０．００１〜５重量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜１重量％である。 The contents of amines, polyhydric alcohols and / or glycol ethers having a molecular weight of 100 or less, and other optional components other than water are not generally determined because of their types, but are preferably 0.001 to 5% by weight, for example. More preferably, it is 0.01 to 1% by weight.
本発明のフォトレジスト剥離液は、上述した各成分を常法により混合することで調製することができる。 The photoresist stripping solution of the present invention can be prepared by mixing the above-described components by a conventional method.
本発明のフォトレジスト剥離液は、半導体基板（素子）、プリント基板やＦＰＤ基板等の製造工程において、金属バンプや金属配線等の金属パターンの形成後に不要となったフォトレジストパターンを剥離するために用いられる。 The photoresist stripping solution of the present invention is used for stripping a photoresist pattern that is no longer necessary after forming a metal pattern such as a metal bump or a metal wiring in a manufacturing process of a semiconductor substrate (element), a printed circuit board, or an FPD substrate. Used.
本発明のフォトレジスト剥離液を用いて多層金属パターンを有する基板のフォトレジストを剥離すると、多層金属パターンが過度に腐食されて線幅がやせてしまうことを防止でき、形成された配線断面形状を損なうことなく、良好な多層金属パターンを形成することができる。また本発明のフォトレジスト剥離液は、特に、銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金の防食性に優れるため、表面にこれらの金属層を有する基板のフォトレジストを剥離する場合にも、これらの金属層を過度に腐食して基板表面の荒れが生じることを防止することができる。 When the photoresist of the substrate having a multilayer metal pattern is stripped using the photoresist stripping solution of the present invention, it is possible to prevent the multilayer metal pattern from being excessively corroded and thinning the line width. A good multilayer metal pattern can be formed without loss. The photoresist stripping solution of the present invention is particularly excellent in the corrosion resistance of copper or copper alloy, and tin or tin alloy. Therefore, even when stripping the photoresist of a substrate having these metal layers on the surface, It is possible to prevent the substrate surface from being roughened by excessively corroding the metal layer.
本発明のフォトレジスト剥離液は、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジストの剥離にも使用することができるが、高いフォトレジスト剥離性を有することから、ネガ型フォトレジストの剥離に好適に用いられる。 The photoresist stripping solution of the present invention can be used for stripping either positive type or negative type photoresists. However, since it has high photoresist stripping properties, it is suitably used for stripping negative photoresists. It is done.
＜＜多層金属パターンを有する基板の製造方法＞＞
本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法は、下記工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする：
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程、
（３）本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。
<< Method for Manufacturing Substrate Having Multilayer Metal Pattern >>
The method for manufacturing a substrate having a multilayer metal pattern according to the present invention includes the following steps (1) to (3):
(1) forming a photoresist pattern on the substrate;
(2) forming a multilayer metal pattern using the photoresist pattern as a mask;
(3) The process of peeling a photoresist pattern from a board | substrate using the photoresist stripping solution of this invention.
＜工程（１）＞
まず、基板上にフォトレジストパターンを形成する工程（１）について説明する。
基板の材質としては、特に限定されないが、例えば、シリコン、セラミックス、ガラス等が挙げられる。
工程（１）では、基板の表面にスパッタリング、めっき等により金属薄膜を形成した基板を用いることができる。この金属薄膜は、後述する金属シード層であってもよい。
この金属薄膜の表面にフォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光・現像を行うことで、基板上にフォトレジストパターンを形成する。ここで使用するフォトレジスト膜は、所望する金属パターンの寸法や、めっき液等の種類等に応じて選択されるが、めっき耐性に優れる点からは、ネガ型フォトレジストが好ましい。なお、ネガ型フォトレジストは液状とドライフィルムに大別され、微細パターン加工が求められる場合には液状が、厚膜加工が求められる場合にはドライフィルムが、それぞれ好適に使用される。
<Step (1)>
First, the step (1) of forming a photoresist pattern on the substrate will be described.
Although it does not specifically limit as a material of a board | substrate, For example, a silicon | silicone, ceramics, glass etc. are mentioned.
In the step (1), a substrate in which a metal thin film is formed on the surface of the substrate by sputtering, plating, or the like can be used. This metal thin film may be a metal seed layer to be described later.
A photoresist film is formed on the surface of the metal thin film, and exposure / development is performed through a mask to form a photoresist pattern on the substrate. The photoresist film used here is selected in accordance with the dimensions of the desired metal pattern, the type of plating solution, etc., but a negative photoresist is preferred from the viewpoint of excellent plating resistance. Negative photoresists are roughly classified into liquid and dry films, and liquid is preferably used when fine pattern processing is required, and dry film is preferably used when thick film processing is required.
フォトレジストパターンの膜厚は、特に限定されないが、１０〜１５０μｍであることが好ましい。膜厚が１０μｍ未満であると、所望の厚みの金属層を形成する事が困難となることがあり、１５０μｍを超えると、微細加工が困難となることがある。 Although the film thickness of a photoresist pattern is not specifically limited, It is preferable that it is 10-150 micrometers. If the film thickness is less than 10 μm, it may be difficult to form a metal layer having a desired thickness, and if it exceeds 150 μm, fine processing may be difficult.
＜工程（２）＞
次に、フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程（２）について説明する。多層金属パターンの形成方法としては、特に限定されないが、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチング処理するエッチング法や、フォトレジストパターンをマスクとしてめっき処理するめっき法等が挙げられる。本発明の多層金属パターンを有する基板の製造方法では、金属厚みを得る観点から、多層金属パターンがめっき処理により形成されることが好ましい。以下、めっき法について詳細に説明する。
<Step (2)>
Next, the step (2) of forming a multilayer metal pattern using the photoresist pattern as a mask will be described. A method for forming the multilayer metal pattern is not particularly limited, and examples thereof include an etching method in which an etching process is performed using a photoresist pattern as a mask, and a plating method in which a plating process is performed using a photoresist pattern as a mask. In the manufacturing method of the board | substrate which has a multilayer metal pattern of this invention, it is preferable that a multilayer metal pattern is formed by a plating process from a viewpoint of obtaining metal thickness. Hereinafter, the plating method will be described in detail.
めっき法では、工程（１）で形成されたフォトレジストパターンをマスクとしてめっき処理を行う。めっきは無電解めっき、電気めっきのいずれの方法で行ってもよい。めっきは一回に限らず、二回以上実施することもできるが、めっき法にて多層金属パターンを形成する場合は少なくとも二回実施する。めっきを二回以上実施する場合、例えば、銅又は銅合金を用いためっきと、銅又は銅合金以外の金属を用いためっきとを組み合わせても良い。銅又は銅合金以外の金属としては、特に限定されないが、錫又は錫合金、ニッケル又はニッケル合金等を挙げることができる。特に、本発明のフォトレジスト剥離液は、複数金属（特に、銅又は銅合金、及び、錫又は錫合金）に対する防食性に優れるため、銅又は銅合金めっきを少なくとも一回、錫又は錫合金めっきを少なくとも一回実施する態様であってもよい。なお、多層金属パターンの形成はめっき法のみに限ることはなく、例えば、銅又は銅合金めっきにて銅又は銅合金層を形成した後、めっき以外の手段（例えば、スパッタリング法）により錫又は錫合金層を形成し、多層金属パターンを形成することや、めっき以外の手段（例えば、スパッタリング法）により銅又は銅合金層を形成した後、錫又は錫合金めっきにより錫又は錫合金層を形成し、多層金属パターンを形成すること、等も可能である。 In the plating method, plating is performed using the photoresist pattern formed in step (1) as a mask. Plating may be performed by either electroless plating or electroplating. The plating is not limited to once, but can be performed twice or more. However, when the multilayer metal pattern is formed by a plating method, the plating is performed at least twice. When plating is performed twice or more, for example, plating using copper or a copper alloy and plating using a metal other than copper or a copper alloy may be combined. Although it does not specifically limit as metals other than copper or a copper alloy, Tin or a tin alloy, nickel or a nickel alloy etc. can be mentioned. In particular, since the photoresist stripping solution of the present invention is excellent in corrosion resistance against a plurality of metals (particularly copper or copper alloy and tin or tin alloy), copper or copper alloy plating is performed at least once and tin or tin alloy plating. It is also possible to perform at least once. The formation of the multilayer metal pattern is not limited to the plating method. For example, after forming a copper or copper alloy layer by copper or copper alloy plating, tin or tin is formed by means other than plating (for example, sputtering method). After forming an alloy layer, forming a multilayer metal pattern, or forming a copper or copper alloy layer by means other than plating (for example, sputtering), forming a tin or tin alloy layer by tin or tin alloy plating It is also possible to form a multilayer metal pattern.
工程（２）の多層金属は、導電性及びはんだ特性の観点から、銅又は銅合金層と錫又は錫合金層とを含むことが好ましい。 The multilayer metal in the step (2) preferably includes a copper or copper alloy layer and a tin or tin alloy layer from the viewpoint of conductivity and solder characteristics.
工程（２）において銅又は銅合金層パターンを形成する際、基板表面に金属薄膜として銅（合金）シード層を形成し、これにフォトレジストパターンをマスクとして銅めっきを施すことで、露出している銅（合金）シード層上に銅又は銅合金層パターンを形成することができる。更に、銅又は銅合金層パターン上に、必要に応じてその他金属層を介して、はんだとなる錫又は錫合金層を形成し、多層金属パターンを形成できる。 When forming a copper or copper alloy layer pattern in step (2), a copper (alloy) seed layer is formed on the substrate surface as a metal thin film, and this is exposed by performing copper plating using the photoresist pattern as a mask. A copper or copper alloy layer pattern can be formed on the copper (alloy) seed layer. Furthermore, a multilayer metal pattern can be formed by forming a tin or tin alloy layer serving as solder on the copper or copper alloy layer pattern via another metal layer as necessary.
＜工程（３）＞
次に、本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程（３）について説明する。本発明のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する方法としては、特に限定されないが、本発明のフォトレジスト剥離液に基板を浸漬する方法や、本発明のフォトレジスト剥離液を基板にシャワーやスプレー等で吹き付ける方法等が挙げられる。この際、ブラシ洗浄を併用することにより、レジスト剥離性を向上させることができる。また、本発明のフォトレジスト剥離液に基板を浸漬する方法では、必要に応じてフォトレジスト剥離液を攪拌したり、基板を振動してもよい。
<Step (3)>
Next, the step (3) of peeling the photoresist pattern from the substrate using the photoresist stripping solution of the present invention will be described. The method of peeling the photoresist pattern from the substrate using the photoresist stripper of the present invention is not particularly limited, but the method of immersing the substrate in the photoresist stripper of the present invention or the photoresist stripper of the present invention The method of spraying on a board | substrate with a shower, spray, etc. is mentioned. At this time, the resist peelability can be improved by using brush cleaning together. In the method of immersing the substrate in the photoresist stripping solution of the present invention, the photoresist stripping solution may be stirred or the substrate may be vibrated as necessary.
本発明のフォトレジスト剥離液の温度は特に限定されず、常温のほか、例えば３０〜８０℃に加熱して使用することができる。剥離に要する時間は、フォトレジストの変質度合い等によるが、一般には、例えば３０秒間〜１２０分間程度である。 The temperature of the photoresist stripping solution of the present invention is not particularly limited, and can be used by heating to, for example, 30 to 80 ° C. in addition to room temperature. The time required for peeling depends on the degree of alteration of the photoresist, but is generally about 30 seconds to 120 minutes, for example.
フォトレジストを剥離した後、好ましくは純水で、剥離したフォトレジストを含むフォトレジスト剥離液を洗浄除去し、フォトレジストを基板上から除去する。その後、エアブロー等で、基板上の液体を吹き飛ばし、基板を乾燥させる。 After stripping the photoresist, the photoresist stripping solution containing the stripped photoresist is preferably washed away with pure water, and the photoresist is removed from the substrate. Thereafter, the liquid on the substrate is blown off by air blow or the like, and the substrate is dried.
なお、金属薄膜としてスパッタリング等で金属シード層を設ける場合、湿式で形成されためっき層よりもアモルファス状であり、腐食しやすい傾向にあるため、工程（３）において、金属シード層に腐食が生じることがある。本発明では、マルトール及びクレアチニンの総含有量が０．６重量％以下であり、マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１であるフォトレジスト剥離液を使用することで、金属シード層に対する防食性も兼ね備えることができる。なお、金属シード層は、工程（３）の後、エッチング等により除去されることがある。 In addition, when providing a metal seed layer by sputtering etc. as a metal thin film, since it is amorphous and tends to corrode rather than the plating layer formed in the wet state, in the step (3), the metal seed layer is corroded. Sometimes. In the present invention, the total content of maltol and creatinine is 0.6% by weight or less, and by using a photoresist stripping solution in which the content weight ratio of maltol and creatinine is 3: 1 to 1: 1, It can also have anticorrosive properties for the seed layer. The metal seed layer may be removed by etching or the like after the step (3).
金属配線の多層態様としては、特に限定されないが、下層から順に、銅又は銅合金／下層とは異なる組成の銅又は銅合金の２層配線、銅又は銅合金／錫又は錫合金の２層配線、銅又は銅合金／ニッケル又はニッケル合金の２層配線、銅又は銅合金／ニッケル又はニッケル合金／錫又は錫合金の３層配線等が挙げられる。 Although it does not specifically limit as a multilayer aspect of metal wiring, In order from a lower layer, copper or copper alloy / two-layer wiring of copper or copper alloy of a composition different from a lower layer, copper or copper alloy / tin or tin alloy two-layer wiring , Copper or copper alloy / nickel or nickel alloy two-layer wiring, copper or copper alloy / nickel or nickel alloy / tin or tin alloy three-layer wiring, and the like.
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
（参考例１、２）
下記表１に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液について、後述する方法により、防食性を評価した。結果を表１に示す。
なお、表１中、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドを、ＴＭＡＨは水酸化テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを、ＴＥＴＡはトリエチレンテトラミンを、ＴＥＧはトリエチレングリコールをそれぞれ表す。
(Reference Examples 1 and 2)
Components were mixed at a weight ratio shown in Table 1 below to obtain a photoresist stripping solution. About the obtained photoresist stripping solution, corrosion resistance was evaluated by the method mentioned later. The results are shown in Table 1.
In Table 1, DMSO represents dimethyl sulfoxide, TMAH represents tetramethylammonium hydroxide, TETA represents triethylenetetramine, and TEG represents triethylene glycol.
（実施例１〜７）
下記表２に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液について、後述する方法により、レジスト剥離性、防食性及び経時安定性を評価した。結果を表２に示す。
(Examples 1-7)
Components were mixed at a weight ratio shown in Table 2 below to obtain a photoresist stripping solution. About the obtained photoresist stripping solution, the resist stripping property, anticorrosion property, and temporal stability were evaluated by the method mentioned later. The results are shown in Table 2.
（比較例１〜４）
下記表３に示す重量比で各成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。得られたフォトレジスト剥離液について、後述する方法により、レジスト剥離性、防食性及び経時安定性を評価した。結果を表３に示す。
(Comparative Examples 1-4)
Components were mixed at a weight ratio shown in Table 3 below to obtain a photoresist stripping solution. About the obtained photoresist stripping solution, the resist stripping property, anticorrosion property, and temporal stability were evaluated by the method mentioned later. The results are shown in Table 3.
（レジスト剥離性の評価方法）
Ｓｉ基板上にＴｉ膜及び銅シード層をそれぞれスパッタリングで形成した上に、フォトレジスト（ネガ型ドライフィルムレジスト：東京応化工業株式会社製、ＭＰ−１１２）を膜厚１２０μｍとなるようロールラミネートし、ＵＶ露光及び現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、電気めっきにて銅めっき層（膜厚５０μｍ）、無電解めっきにてＮｉめっき層（膜厚１μｍ）、電気めっきにて錫−銀合金めっき層（膜厚３０μｍ）を形成した基板を評価対象とした。６０℃に調整したフォトレジスト剥離液に基板を浸漬し、１００分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗及び空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いて基板を観察し、フォトレジストの剥離具合を確認した。
○：剥離残りなし
△：剥離残りが僅かにあり
×：剥離残りが多くあり
(Evaluation method of resist peelability)
After forming a Ti film and a copper seed layer on a Si substrate by sputtering, respectively, a photoresist (negative dry film resist: manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., MP-112) is roll-laminated to a film thickness of 120 μm, After photoresist patterning by UV exposure and development, copper plating layer (film thickness 50 μm) by electroplating, Ni plating layer (film thickness 1 μm) by electroless plating, tin-silver alloy plating by electroplating The substrate on which the layer (thickness 30 μm) was formed was evaluated. The substrate was immersed in a photoresist stripping solution adjusted to 60 ° C. and treated for 100 minutes. After the immersion treatment, the substrate was washed with water and air-dried. The substrate was observed using an electron microscope to confirm the peeling of the photoresist.
○: No peeling residue △: There is a little peeling residue ×: There is much peeling residue
（防食性の評価方法）
上記と同様の基板を評価対象とした。６０℃に調整したフォトレジスト剥離液に評価対象を浸漬し、１００分間処理をした。浸漬処理後、評価対象を水洗及び空気ブロー乾燥し、銅シード層、銅めっき層、錫−銀合金めっき層のそれぞれについて、残り具合を目視にて観察した。
◎：変化なし
○：層表面に若干の荒れがある
△：層表面に大きく荒れがある
×：層の線幅がやせている
(Anticorrosion evaluation method)
A substrate similar to the above was evaluated. The evaluation object was immersed in a photoresist stripping solution adjusted to 60 ° C. and treated for 100 minutes. After the immersion treatment, the evaluation object was washed with water and air blow dried, and the remaining condition of each of the copper seed layer, the copper plating layer, and the tin-silver alloy plating layer was visually observed.
◎: No change ○: Slight roughness on the layer surface △: Large roughness on the layer surface ×: Thin line width of the layer
（経時安定性の評価方法）
フォトレジスト剥離液を、空気雰囲気下、６０℃で３６時間静置し、経時変化させた。その後、上記と同様にしてレジスト剥離性の評価を行った。
(Evaluation method of stability over time)
The photoresist stripping solution was allowed to stand at 60 ° C. for 36 hours in an air atmosphere and changed over time. Thereafter, the resist peelability was evaluated in the same manner as described above.
Claims (7)
マルトールとクレアチニンとの含有重量比率が３：１〜１：１である、請求項１記載のフォトレジスト剥離液。 The total content of maltol and creatinine is 0.6 wt% or less,
The photoresist stripping solution according to claim 1, wherein the content weight ratio of maltol and creatinine is 3: 1 to 1: 1.
（１）基板上にフォトレジストパターンを形成する工程、
（２）フォトレジストパターンをマスクとして多層金属パターンを形成する工程、
（３）請求項１〜４のいずれか一項に記載のフォトレジスト剥離液を用いて基板からフォトレジストパターンを剥離する工程。 A method for producing a substrate having a multilayer metal pattern, comprising the following steps (1) to (3):
(1) forming a photoresist pattern on the substrate;
(2) forming a multilayer metal pattern using the photoresist pattern as a mask;
(3) The process of peeling a photoresist pattern from a board | substrate using the photoresist peeling liquid as described in any one of Claims 1-4.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015202110A JP2017075992A (en) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | Photoresist stripper |
| PCT/JP2016/080193 WO2017065154A1 (en) | 2015-10-13 | 2016-10-12 | Photoresist remover solution |
| TW105132972A TW201727400A (en) | 2015-10-13 | 2016-10-13 | Photoresist stripper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015202110A JP2017075992A (en) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | Photoresist stripper |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017075992A true JP2017075992A (en) | 2017-04-20 |
Family
ID=58517240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015202110A Pending JP2017075992A (en) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | Photoresist stripper |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017075992A (en) |
| TW (1) | TW201727400A (en) |
| WO (1) | WO2017065154A1 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070272282A1 (en) * | 2003-10-29 | 2007-11-29 | Nagase Chemtex Corporation | Composition for Removing Photoresist and Method for Removing Photoresist |
| US20070243773A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-10-18 | Phenis Michael T | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US8357646B2 (en) * | 2008-03-07 | 2013-01-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Stripper for dry film removal |
| WO2010119753A1 (en) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | ナガセケムテックス株式会社 | Photoresist remover composition and method for removing photoresist |
-
2015
- 2015-10-13 JP JP2015202110A patent/JP2017075992A/en active Pending
-
2016
- 2016-10-12 WO PCT/JP2016/080193 patent/WO2017065154A1/en active Application Filing
- 2016-10-13 TW TW105132972A patent/TW201727400A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017065154A1 (en) | 2017-04-20 |
| TW201727400A (en) | 2017-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5537126B2 (en) | Composition substrate for removing etching residue and use thereof | |
| TWI304525B (en) | ||
| JP4628209B2 (en) | Release agent composition | |
| JP4677030B2 (en) | Non-aqueous photoresist stripper that inhibits electrochemical corrosion | |
| JP2009102729A (en) | Aqueous stripping and cleaning composition | |
| JPWO2010119753A1 (en) | Photoresist stripper composition and photoresist stripping method | |
| TWI224816B (en) | Photoresist removing composition and process for producing semiconductor device | |
| JP2002357908A (en) | Photoresist removing solution | |
| JP7291704B2 (en) | cleaning method | |
| WO2002073319A1 (en) | Resist releasing composition | |
| TWI805541B (en) | Photoresist stripper | |
| JP2017075992A (en) | Photoresist stripper | |
| JP4474776B2 (en) | Resist stripper | |
| CN115280244A (en) | Method for cleaning substrate | |
| JP2015230333A (en) | Resist stripping agent and resist stripping method using the same | |
| JP4731406B2 (en) | Release agent composition | |
| JP2002351093A (en) | Composition for stripping resist | |
| JP4501256B2 (en) | Resist stripper | |
| JP7420664B2 (en) | Cleaning composition for removing resin masks | |
| TWI780920B (en) | Stripper composition for removing photoresist and stripping method of photoresist using the same | |
| JP2016170337A (en) | Photoresist stripping solution | |
| TW202231863A (en) | Cleaning agent composition for detaching resin mask | |
| JP2021165831A (en) | Photoresist stripping solution | |
| JP2023172703A (en) | Cleaning method | |
| JP2024049897A (en) | Cleaning Method |