JP2017073503A - ステージ装置および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ステージ部の振動または揺動を抑制し、微細なパターンを描画することができるステージ装置および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】本実施形態によるステージ装置は、真空容器内に設けられ、対象物を搭載可能なステージ部と、第1方向へ延伸する第1シャフトであって、ステージ部に取り付けられた第1軸受けと該第1シャフトとの間の気体層によりステージ部を該第1方向に沿って移動可能とする第1シャフトと、第1方向と交差する第2方向へ延伸する第2シャフトであって、ステージ部に取り付けられた第2軸受けと該第2シャフトとの間の気体層によりステージ部を該第2方向に沿って移動可能とする第2シャフトと、ステージ部の側面を用いて、ステージ部の位置変動を検知する第1検知部と、ステージ部の底面を用いて、ステージ部の水平方向の位置を検知する第2検知部と、第1検知部で検知された位置変動と、第2検知部で検知された位置に基づき、ステージ部の位置を制御する制御部とを備える。
【選択図】図4
Description
本発明による実施形態は、ステージ装置および荷電粒子ビーム描画装置に関する。
半導体装置のパターンの微細化にともなって、リソグラフィ技術に用いられるマスク(レチクル)パターンも微細化されている。微細なパターンを有する高精度なマスクを製造するためには、高い解像度を有する荷電粒子ビーム描画装置が用いられる。
荷電粒子ビーム描画装置は、真空容器内においてマスクやブランクなどの対象物を支持するステージ部を移動させつつ、ステージ部上の対象物の所定位置に荷電粒子ビームを偏向して照射し、その対象物にパターンを描画する。
このような対象物を支持したステージ部を移動させるステージ装置の駆動には、通常リニアモータが用いられている。近年、ウェーハの露光装置などにおいて、機械的な摩擦を回避して、発塵、熱や外部からの振動の影響を抑えるために、非接触で駆動することが好ましく、電磁力駆動方式のリニアモータが開発されている。
上述したように、高精度のステージ駆動には、摩擦駆動ではなく非接触駆動を用いることが好ましいが、荷電粒子ビーム描画装置においては、磁場によりビーム軌道が影響を受けることから、電磁力駆動方式を用いることができない。そこで、エアーベアリングを用いることが検討されている。
エアーベアリングを用いたステージ装置により、磁場を用いることなく滑らかな移動が可能であるが、エアーを用いるため、より振動(または揺動)し易くなるという問題がある。ステージ部の振動(または揺動)は、微細なパターンの描画に悪影響を与える。
そこで、ステージ部の振動(または揺動)による対象物の位置変動を高精度に検出し、位置制御することが可能なステージ装置および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
本実施形態によるステージ装置は、真空容器内に設けられ、対象物を搭載可能なステージ部と、第1方向へ延伸する第1シャフトであって、ステージ部に取り付けられた第1軸受けと該第1シャフトとの間の気体層によりステージ部を該第1方向に沿って移動可能とする第1シャフトと、第1方向と交差する第2方向へ延伸する第2シャフトであって、ステージ部に取り付けられた第2軸受けと該第2シャフトとの間の気体層によりステージ部を該第2方向に沿って移動可能とする第2シャフトと、ステージ部の側面を用いて、ステージ部の位置変動を検知する第1検知部と、ステージ部の底面を用いて、ステージ部の水平方向の位置を検知する第2検知部と、第1検知部で検知された位置変動と、第2検知部で検知された位置に基づき、ステージ部の位置を制御する制御部とを備える。
本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置は、真空中で荷電粒子ビームを移動可能なステージ部上に搭載される対象物の所定位置に照射してパターンを描画する描画部と、描画部の制御を行う制御部と、第1方向へ延伸する第1シャフトであって、対象物を搭載可能なステージ部に取り付けられた第1軸受けと該第1シャフトとの間の気体層によりステージ部を該第1方向に沿って移動可能とする第1シャフトと、第1方向と交差する第2方向へ延伸する第2シャフトであって、ステージ部に取り付けられた第2軸受けと該第2シャフトとの間の気体層によりステージ部を該第2方向に沿って移動可能とする第2シャフトと、ステージ部の側面を用いて、ステージ部の位置変動を検知する第1検知部と、ステージ部の底面を用いて、ステージ部の水平方向の位置を検知する第2検知部と、を備え、
制御部は、第1検知部で検知された位置変動と、第2検知部で検知された位置に基づき、ステージ部の位置を制御する。
制御部は、第1検知部で検知された位置変動と、第2検知部で検知された位置に基づき、ステージ部の位置を制御する。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
図1は、本実施形態による荷電粒子ビーム描画装置1の構成の一例を示すブロック図である。荷電粒子ビーム描画装置1(以下、描画装置1ともいう)は、荷電粒子ビームによる描画を行う描画部2と、描画部2を制御する制御部3とを備えている。描画装置1は、荷電粒子ビームとして例えば電子ビームを用いた可変成形型の描画装置の一例である。なお、荷電粒子ビームは電子ビームに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームであってもよい。
描画部2は、描画対象となる対象物Wを収容する真空容器である描画チャンバ(描画室)2aと、描画チャンバ2aにつながる光学鏡筒2bとを有している。描画チャンバ2aは気密性(密閉性)を有しており、真空容器(減圧容器)として機能する。また、光学鏡筒2bは、描画チャンバ2aの上面に設けられており、光学系により電子ビームを成形及び偏向し、描画チャンバ2a内の対象物Wに対して照射する。このとき、描画チャンバ2a及び光学鏡筒2bの両方の内部は減圧されて真空状態(減圧状態)となっている。
描画チャンバ2a内には、マスクやブランクなどの対象物Wを支持するステージ部11と、ステージ部11を移動させるステージ移動機構12と、ステージ部11の位置を測定するステージ位置測定部13とがさらに設けられている。ステージ移動機構12は、水平面内で互いに直交するX軸方向とY軸方向(以下、単にX方向及びY方向という)にステージ部11を移動させる機構である。また、ステージ位置測定部13は、ステージ部11の下面に設けられた二次元スケール13aの目盛りを検出部であるエンコーダヘッド13bにより検出し、ステージ部11の位置を測定する測定部である。尚、図1では図示しないが、ステージ部11の振動(揺動)を検知するために、レーザ干渉計116、119が描画チャンバ2aの側壁部に設けられている。レーザ干渉計116、119については、図2を参照して後で説明する。
光学鏡筒2b内には、電子ビームBを出射する電子銃などの出射部21と、電子ビームBを集光する照明レンズ22と、ビーム成形用の第1成形アパーチャ23と、投影用の投影レンズ24と、ビーム成形用の成形偏向器25と、ビーム成形用の第2成形アパーチャ26と、対象物W上にビーム焦点を結ぶ対物レンズ27と、対象物Wに対するビームショット位置を制御するための副偏向器28及び主偏向器29とが配置されている。
制御部3は、描画データを記憶する描画データ記憶部3aと、描画データを処理してショットデータを生成するショットデータ生成部3bと、描画部2を制御する描画制御部3cとを備えている。なお、ショットデータ生成部3bや描画制御部3cは、電気回路などのハードウエアにより構成されてもよく、また、各機能を実行するプログラムなどのソフトウエアにより構成されてもよく、あるいは、それらの両方の組合せにより構成されてもよい。
描画データ記憶部3aは、対象物Wにパターンを描画するための描画データを記憶する記憶部である。描画データは、半導体集積回路の設計者などによって作成された設計データ(レイアウトデータ)が荷電粒子ビーム描画装置1用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から描画データ記憶部3aに入力されて保存されている。描画データ記憶部3aとしては、例えば、磁気ディスク装置や半導体ディスク装置(フラッシュメモリ)などを用いることが可能である。
ショットデータ生成部3bは、描画データにより規定される描画パターンをストライプ状(短冊状)の複数のストライプ領域に分割し、さらに、各ストライプ領域を行列状の多数のサブ領域に分割する。加えて、ショットデータ生成部3bは、各サブ領域内の図形の形状や大きさ、位置などを決定し、さらに、図形を一回のショットで描画不可能である場合には、描画可能な複数の部分領域に分割し、ショットデータを生成する。なお、ストライプ領域の短手方向(幅方向)の長さは電子ビームBを主偏向で偏向可能な長さに設定されている。
描画制御部3cは、前述の描画パターンを描画する際、ステージ移動機構12によりステージ部11をストライプ領域の長手方向に移動させつつ、電子ビームBを主偏向器29により各サブ領域に位置決めし、副偏向器28によりサブ領域の所定位置にショットして図形を描画する。その後、一つのストライプ領域の描画が完了すると、ステージ部11を幅方向にステップ移動させてから次のストライプ領域の描画を行い、これを繰り返して対象物Wの描画領域の全体に電子ビームBによる描画を行う(描画動作の一例)。なお、描画中には、ステージ部11が一方向に連続的に移動しているため、描画原点がステージ部11の移動に追従するように、主偏向器29によってサブ領域の描画原点をトラッキングさせている。また、描画制御部3cは、第1検知部としてのレーザ干渉計116、119で検知された位置変動と第2検知部としてのエンコーダヘッド13bで検知された位置とに基づき、ステージ部11の位置を制御する。
このように電子ビームBは、副偏向器28と主偏向器29によって偏向され、連続的に移動するステージ部11に追従しながら、その照射位置が決められる。ステージ部11の長手方向の移動を連続的に行うとともに、ステージ部11の移動に電子ビームBのショット位置を追従させることで、描画時間を短縮することができる。ただし、ステージ部11の長手方向の移動を連続して行っているが、これに限るものではなく、例えば、ステージ部11を停止させた状態で一つのサブ領域の描画を行い、次のサブ領域に移動するときは描画を行わないステップアンドリピート方式の描画方法を用いてもよい。
このような電子ビームBによる描画において、ステージ位置測定部13により測定されたステージ部11の位置情報は、ステージ部11の移動に関する制御(フィードバック制御)だけではなく、副偏向器28や主偏向器29などの制御、すなわち照射位置の制御(描画の制御)にも用いられる。このため、ステージ位置測定部13の測定精度は描画精度に大きく影響することになる。
次に、ステージ移動機構12、ステージ位置測定部13およびレーザ干渉計116、119について説明する。
図2および図3は、ステージ部11、ステージ移動機構12、ステージ位置測定部13およびレーザ干渉計116、119を含むステージ装置の構成の一例を示す平面図および側面図である。ステージ移動機構12は、ステージ部11をX方向に移動させるX方向移動機構12aと、X方向移動機構12aをY方向に移動させる一対のY方向移動機構12b、12cと、Y方向レーザ干渉計116と、X方向レーザ干渉計119とを備えている。
X方向移動機構12aは、ステージ部11を支持し、ステージ部11を第1方向としてのX方向に案内して移動させる機構である。また、一対のY方向移動機構12b及び12cは、Y方向移動機構12aを支持し、X方向移動機構12aをステージ部11と共に第2方向としてのY方向に案内して移動させる機構である。
X方向移動機構12aの第1シャフト121aは、第1方向としてのX方向に延伸しており、第1軸受け122aに挿入されている。第1シャフト121aと第1軸受け122aとの間には間隙が設けられ、その間隙には気体が供給される。これにより、第1シャフト121aと第1軸受け122aとの間に気体層が生成され、第1軸受け122aは第1シャフト121aに沿ってX方向に滑らかに移動することができる。このように、第1シャフト121aおよび第1軸受け122aは、X方向移動機構12aとして機能する。
ステージ部11の搭載部(図4(A)の200)は、第1軸受け122aに取り付けられており、第1軸受け122aとともに第1シャフト121aの延伸方向(X方向)に移動可能に構成されている。気体層の気圧は、ステージ部11(搭載部、第1軸受け122a)および対象物の重量により第1軸受け122aが第1シャフト121aに接触しないように調節される。このように、気体層は、エアーベアリング機構として機能する。気体層は、空気、不活性ガス等の層でよい。ステージ部11のより詳細な構成については、図4(A)および図4(B)を参照して後で説明する。
Y方向移動機構12bの第2シャフト121b、121cは、第1シャフト121aに対してほぼ直交する第2方向(Y方向)に延伸しており、それぞれ第2軸受け122b、122cに挿入されている。第2シャフト121b、121cは、それぞれ底板2a1に固定されている。第2シャフト121bと第2軸受け122bとの間および第2シャフト121cと第2軸受け122cとの間には間隙が設けられ、その間隙には気体が供給される。これにより、第2シャフト121bと第2軸受け122bとの間および第2シャフト121cと第2軸受け122cとの間に気体層が生成され、第2軸受け122b、122cは、それぞれ第2シャフト121b、121cに沿ってY方向に滑らかに移動することができる。第1シャフト121aの両端は、それぞれ第2軸受け122b、122cに取り付けられており、第1シャフト121aは、第2軸受け122b、122cとともに第2シャフト121b、121cの延伸方向(Y方向)に移動可能に構成されている。このように、第2軸受け122b、122cとともに第2シャフト121b、121cは、Y方向移動機構12bとして機能する。
第2シャフト121cと第2軸受け122cとの間の気体層の気圧は、ステージ部11、第1シャフト121a、第2軸受け122b、122cおよび対象物の重量により第2軸受け122b、122cが第2シャフト121b、121cに接触しないように調節される。このように、第2シャフト121cと第2軸受け122cとの間の気体層も、エアーベアリング機構として機能する。
このようなX方向移動機構12aおよびY方向移動機構12b、12cによって、ステージ部11はXY平面内を自在に移動することができる。尚、X方向とY方向は、便宜的に規定されたものであり、それらの方向は互いに入れ替えてもよい。
ステージ位置測定部13は、ステージ部11の底部に設けられた二次元スケール13aと、二次元スケール13aの目盛りを検出するエンコーダヘッド13bとを備えている。
二次元スケール13aは、ステージ部11の底部に設けられており、X方向及びY方向の格子状の目盛り(例えば、グレーティング)を有している。目盛りは、エンコーダヘッド13bにより検出可能に形成され、X方向及びY方向に等間隔に配置されている。二次元スケール13aは、少なくとも二方向(例えば、X方向及びY方向)に目盛りを有するスケールであればよく、任意の二次元スケールを用いることができる。
第2検知部としてのエンコーダヘッド13bは、二次元スケール13aに対してレーザ光を照射し、二次元スケール13aで反射したレーザ光を受光する反射型のレーザセンサである。エンコーダヘッド13bは、二次元スケール13aの目盛りをカウントすることによって測長を行い、ステージ部11の位置を検出することができる。エンコーダヘッド13bは、反射型のレーザセンサ以外にも、二次元スケール13aに対応させて、その目盛りを検出可能な任意のエンコーダヘッドでよい。
なお、エンコーダヘッド13bの個数は特に限定されない。例えば、エンコーダヘッド13bは、二個以上設けてもよい。
エンコーダヘッド13bは、描画チャンバ2aの底部にある蓋体31上に設けられている。蓋体31は、描画チャンバ2aの底板2a1に形成された貫通孔である開口部H1を塞ぐように、底板2a1の下面にOリングなどの密封部材(図示せず)を介して設けられ、ボルトなどの複数の固定部材32によって固定されている。なお、底板2a1の四隅には、それぞれ脚部2a2が設けられている。
蓋体31は、台座31a及び支持板31bにより構成されている。台座31aの上面にエンコーダヘッド13bが設けられている。台座31aが支持板31bの上面に固定されている。蓋体31は、台座31aの高さ調整によりエンコーダヘッド13bの高さ位置を決定し、エンコーダヘッド13bを二次元スケール13aの下方に位置付けて支持する支持体として機能する。
また、蓋体31は、各固定部材32の取り付けや取り外しにより着脱可能であり、開口部H1を開閉することが可能な構造になっている。蓋体31は、エンコーダヘッド13bの交換(例えば、故障や寿命による交換)などのメンテナンス時にメンテナンス作業者によってエンコーダヘッド13bごと取り外され、蓋体31上のエンコーダヘッド13bのメンテナンスが行われる。なお、エンコーダヘッド13bは、底板2a1に開口部を設けることなく直接取り付けられてもよい。
二次元スケール13aおよびエンコーダヘッド13bとともに、対象物W面高さにおけるステージ部11の位置、振動(揺動)を検知するために、第1検知部としてレーザ干渉計116、119が設けられている。レーザ干渉計116、119は、レーザ光によってステージ部11の振動(揺動)を検知可能にするために、ステージ部11の側面に設けられたミラーMy、Mxにレーザ光を照射する。
尚、ステージ部11の振動は、ステージ部11の揺動(例えば、ヨーイング、ピッチング、ローリング)を含むものとして、以下、まとめて、ステージ部11の振動等という。
X方向レーザ干渉計116は、描画チャンバ2aの側壁に設けられた干渉計チャンバ117内に設けられている。X方向レーザ干渉計116は、レーザ発生源125において生成されたレーザ光を、開口115を介してステージ部11の側面に設けられたミラーMxの対象物Wの表面と同じ水平位置に照射する。ミラーMxにおいて反射したレーザ光は、X方向レーザ干渉計116において干渉し、干渉したレーザ光はレシーバ127において受光される。描画装置1は、レーザ光の干渉縞に基づいて、所謂、アッベ誤差のないように、トラッキング制御のための対象物Wの表面における振動等によるステージ部11のX方向の描画位置変動を検知することができる。
同様に、Y方向レーザ干渉計119は、描画チャンバ2aの側壁に設けられた干渉計チャンバ120内に設けられている。Y方向レーザ干渉計119は、レーザ発生源126において生成されたレーザ光を、開口118を介してステージ部11の側面に設けられたミラーMyの対象物面と同じ水平位置に照射する。ミラーにおいて反射したレーザ光は、Y方向レーザ干渉計119において干渉し、干渉したレーザ光はレシーバ128において受光される。描画装置1は、レーザ光の干渉縞に基づいて、所謂、アッベ誤差のないように、トラッキング制御のための対象物W面における振動等によるステージ部11のY方向の描画位置変動を検知することができる。
図2において、干渉計チャンバ117、120は、開口115、118を介して描画チャンバ2aの内部と連通しているが、透明窓(図示せず)によって描画チャンバ2aの内部と分離されていてもよい。
描画チャンバ2aの側壁は、内部気圧が一定であっても、外部の気圧(大気圧)によって若干へこんだり、膨らんだりする場合がある。従って、ステージ部11とX方向レーザ干渉計116との距離およびステージ部11とY方向レーザ干渉計119との距離は、描画チャンバ2a内の気圧を一定としても、外部の大気圧の変化によって幾分変化する。よって、X方向レーザ干渉計116およびY方向レーザ干渉計119は、対象物W上の位置を測定することも可能ではあるが、ステージ部11の振動等による変位(XY方向の位置変動)を高精度に検知することができる。
このようにしてレーザ干渉計116、119により検知される位置変動に基づきビームとステージ間の相対位置ずれがほぼ0になるようにステージの動きにビームを追従させるトラッキング制御が行われる。このようなトラッキング制御により、レーザ干渉計119で計測されたサブ領域の描画開始からの対象物W面の変位は、主偏向制御にリアルタイムでフィードバックされる。このようにしてサブ領域はステージと同じ動きをし、ステージの動きを考慮せずにショットを位置決めすることができる。
一方、二次元スケール13aはステージ部11の下面に設けられ、かつ、エンコーダヘッド13bは、二次元スケールに対向して底板2a1(或いは開口部が設けられた底板2a1に取り付けられた蓋体31)に配置されている。従って、描画チャンバ2aの壁面(底面)が重力方向に若干移動しても、二次元スケール13aおよびエンコーダヘッド13bは、ステージ部11の水平面内における位置を正確に測定することができる。
即ち、本実施形態では、二次元スケール13aおよびエンコーダヘッド13bがステージ部11の位置を測定する役目を果たし、レーザ干渉計116、119が振動等による対象物W面におけるステージ部11の描画位置変動を検知する役目を果たす。これにより、本実施形態によるステージ装置は、ステージ部11の水平面内における位置を正確に測定し、かつ、対象物W面の描画位置変動を検知することができる。
次に、本実施形態によるステージ部11について説明する。
図4(A)および図4(B)は、ステージ部11の構成の一例を示す断面図である。図4(A)は、図2のA−A線に沿った断面(X方向に対して垂直方向の断面)を示す。図4(B)は、図2のB−B線に沿った断面(Y方向に対して垂直方向の断面)を示す。
上述したように、レーザ干渉計によりステージの振動等を検知し、これを補正してステージ位置を制御(トラッキング制御)することができるが、振動等が小さければ、より高精度の制御を行うことができる。
そのため、ステージ部11は、第1軸受け122aと、搭載部200と、カウンタウェイトCWと、二次元スケール13aとを備えている。搭載部200は、第1軸受け122a上に設けられ、対象物Wを搭載することができるように構成されている。
カウンタウェイトCWは、第1軸受け122aの下部(底面)に取り付けられている。カウンタウェイトCWは、ステージ部11の重心Gを低下させて、該重心Gの高さ位置が第1シャフト121aの上面と底面との間にあるように取り付けられている。即ち、カウンタウェイトCWは、重心Gが第1シャフト121aの内側に位置するように設けられる。
カウンタウェイトCWの重量や形状は、ステージ部11を構成する他の要素(搭載部200、第1軸受け122aおよび二次元スケール13a)の重量や位置に応じて決定される。例えば、重心Gは、図4(A)に示すように、第1シャフト121aの延伸方向(X方向)に対する垂直方向における第1シャフト121aの断面形状の内側(範囲Ra、Rb内)にある。勿論、対象物Wの重量が無視できない場合には、対象物Wの重量も考慮して、カウンタウェイトCWの重量や形状を決定すればよい。
好ましくは、重心Gの位置は、上記第1シャフト121aの断面形状の中心または重心にほぼ一致する。以下、上記第1シャフト121aの断面形状の中心または重心は、第1シャフト121aの中心軸または重心軸とも呼ぶ。第1シャフト121aの中心軸または重心軸は、第1シャフト121aの断面形状の中心または重心を通る直線であり、例えば、図4(A)に示す第1シャフト121aの断面において略四角形の2つの対角線の交点を通る直線上にある。
カウンタウェイトCWは、第1軸受け122aの底面に設けられ、カウンタウェイトCWの底面には二次元スケール13aが設けられている。即ち、カウンタウェイトCWは、第1軸受け122aと二次元スケール13aとの間に設けられている。これにより、カウンタウェイトCWは、エンコーダヘッド13bが二次元スケール13aからの反射レーザ光を受光することを妨げることなく、ステージ部11の重心Gを下方へ移動させることができる。
もし、カウンタウェイトCWが設けられていない場合、ステージ部11の重心Gは、第1シャフト121aの上方に位置する。従って、ステージ部11がX方向に移動する際に加減速すると、ステージ部11は、振動等し易くなる。例えば、図4(A)に示す矢印のようにステージ部11がローリングしたり、図4(B)に示す矢印のようにステージ部11がピッチングし易くなる。
これに対し、本実施形態のようにステージ部11の下部にカウンタウェイトCWが設けられることによって、ステージ部11の重心Gの高さ位置が第1シャフト121aの上面と底面との間に位置する。これにより、ステージ部11がX方向に加減速する際の振動等を抑え、また、ステージ部11が振動等しても、短時間でその振動等を減衰させることができる。
特に、ステージ部11の重心Gの高さ位置を第1シャフト121aの中心軸または重心軸の高さにほぼ一致させることによって、ステージ部11の振動等が最も抑制されかつ、減衰時間を短縮することができる。
図5は、カウンタウェイトCWによるステージ部11の振動抑制効果を示すグラフである。縦軸は、Y方向の振動等を示す。横軸は、時間を示す。図5のグラフによれば、カウンタウェイトCWの無いステージ部では、大きな振動が長時間継続している。一方、カウンタウェイトCWを設けた本実施形態によるステージ部11では、振動が短時間で減衰していることが分かる。このように短時間で振動等を減衰させることができるため、位置変動を低減し、より高精度の制御が可能となる。
また、カウンタウェイトCWを第1軸受け121aと二次元スケール13aとの間に設けることによって、二次元スケール13aの位置が下方へ下がる。これにより、図4(B)に示すように、二次元スケール13aの下面(スケール面)と第1シャフト121aの中心軸または重心軸との間の距離Da2が、レーザ干渉計116、119によるステージ部11の検出位置(対象物Wの位置)と第1シャフト121aの中心軸または重心軸との間の距離Da1に接近する。即ち、エンコーダヘッド13bによるレーザ光の照射位置と第1シャフト121aの中心軸または重心軸の距離Da2が、レーザ干渉計116、119によるレーザ光の照射位置と第1シャフト121aの中心軸または重心軸との高距離Da1に接近する。これにより、所謂、アッベ誤差が、レーザ干渉計116、119による検出結果とエンコーダヘッド13bによる検出結果との間で小さくなる。さらに、距離Da2を距離Da1にほぼ等しくすれば、レーザ干渉計116、119による検出結果とエンコーダヘッド13bによる検出結果とにおけるアッベ誤差が、ほぼ無くなるので、より高精度の位置制御が可能となる。
このように、本実施形態によれば、カウンタウェイトCWを設けることによって、ステージ部11の重心G位置を第1シャフト121aの中心軸または重心軸位置に接近させてステージ部11の振動等を抑制することができる。そのため、振動等による位置変動を低減することができる。尚且つ、レーザ干渉計116、119による測定位置およびエンコーダヘッド13bによる測定位置を第1シャフト121aからほぼ等しい距離にすることによって、レーザ干渉計116、119による測定結果とエンコーダヘッド13bによる測定結果とのアッベ誤差を抑制することができる。
カウンタウェイトCWの材質は、描画チャンバ2a内の減圧環境に悪影響を与えない限り任意でよい。従って、カウンタウェイトCWは、金属等で形成されてもよい。さらに、カウンタウェイトCWは、搭載部200と同じ材料および同じ形状でもよい。これにより、レーザ干渉計116、119による測定位置およびエンコーダヘッド13bによる測定位置を第1シャフト121aからほぼ等しい距離にすることが容易となる。即ち、カウンタウェイトCWを搭載部200と同じ材料および同じ形状にすることによって、距離Da1と距離Da2とを容易に接近させあるいは容易にほぼ等しくすることができる。
以上、ステージ部11がX方向に移動する際の重心Gについて説明した。しかし、本実施形態は、Y方向についても同様に適用することができる。この場合、Y方向に移動可能な構成は、ステージ部11、第1シャフト121aおよび第2軸受け122b、122cである。従って、X方向に移動可能なステージ部11の重心Gに代えて、ステージ部11、第1シャフト121aおよび第2軸受け122b、122cの重心を考慮する必要がある。即ち、この場合、ステージ部11、第1シャフト121aおよび第2軸受け122b、122cの重心の高さ位置が、第2シャフト121b、121cの上面と底面との間の範囲あるようにカウンタウェイトCWを調節する。これにより、ステージ部11がY方向に移動する場合についても本実施形態の効果を得ることができる。
さらに、ステージ部11、第1シャフト121aおよび第2軸受け122b、122cの重心が、第2シャフト121b、121cの延伸方向(Y方向)に対して垂直方向における第2シャフト121b、121cの断面形状の中心または重心の高さとほぼ同じ高さに位置することが好ましい。これにより、さらにステージ部11は、振動等し難くなり、かつ、短時間で振動等が減衰され得る。
尚、第1シャフト121aの中心軸または重心軸の高さ位置は、第2シャフト121b、121cの中心軸または重心軸の高さ位置と等しくすることが好ましい。これにより、ステージ部11の重心Gの高さ位置は、第1シャフト121aおよび第2シャフト121b、121cの両方の中心軸または重心軸の高さに接近させ、あるいは、ほぼ等しくすることができ、振動等やアッベ誤差を抑え高精度な制御が可能となる。
上記実施形態において、高さは、水平面に対して垂直方向(重力方向)の高さである。また、上記ステージ装置は、荷電粒子ビーム描画装置以外の真空装置(例えば、真空露光装置)のステージ部分にも適用可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
11・・・ステージ部、12・・・ステージ移動機構、2a1・・・底板、121a・・・第1シャフト、122a・・・第1軸受け、121b、121c・・・第2シャフト、122b、122c・・・第2軸受け、13a・・・二次元スケール、13b・・・エンコーダヘッド、116、119・・・レーザ干渉計
Claims (5)
- 真空容器内に設けられ、対象物を搭載可能なステージ部と、
第1方向へ延伸する第1シャフトであって、前記ステージ部に取り付けられた第1軸受けと該第1シャフトとの間の気体層により前記ステージ部を該第1方向に沿って移動可能とする第1シャフトと、
前記第1方向と交差する第2方向へ延伸する第2シャフトであって、前記ステージ部に取り付けられた第2軸受けと該第2シャフトとの間の気体層により前記ステージ部を該第2方向に沿って移動可能とする第2シャフトと、
前記ステージ部の側面を用いて、前記ステージ部の位置変動を検知する第1検知部と、
前記ステージ部の底面を用いて、前記ステージ部の水平方向の位置を検知する第2検知部と、
前記第1検知部で検知された位置変動と、前記第2検知部で検知された位置に基づき、前記ステージ部の位置を制御する制御部と、
を備えるステージ装置。 - 前記ステージ部は、
前記第1軸受け上に設けられ前記対象物を搭載可能な搭載部と、
前記第1軸受けの下に設けられたカウンタウェイトと、
を備える、請求項1に記載のステージ装置。 - 前記ステージ部の重心位置は、前記第1シャフト内である、請求項1または請求項2に記載のステージ装置。
- 前記第2検知部によるレーザ光の照射位置と前記第1シャフトの断面形状の中心または重心との距離は、前記第1検知部によるレーザ光の照射位置と前記第1シャフトの断面形状の中心または重心との距離とほぼ等しい、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のステージ装置。
- 真空中で荷電粒子ビームを移動可能なステージ部上に搭載される対象物の所定位置に照射してパターンを描画する描画部と、
前記描画部の制御を行う制御部と、
第1方向へ延伸する第1シャフトであって、対象物を搭載可能なステージ部に取り付けられた第1軸受けと該第1シャフトとの間の気体層により前記ステージ部を該第1方向に沿って移動可能とする第1シャフトと、
前記第1方向と交差する第2方向へ延伸する第2シャフトであって、前記ステージ部に取り付けられた第2軸受けと該第2シャフトとの間の気体層により前記ステージ部を該第2方向に沿って移動可能とする第2シャフトと、
前記ステージ部の側面を用いて、前記ステージ部の位置変動を検知する第1検知部と、
前記ステージ部の底面を用いて、前記ステージ部の水平方向の位置を検知する第2検知部と、
を備え、
前記制御部は、前記第1検知部で検知された位置変動と、前記第2検知部で検知された位置に基づき、前記ステージ部の位置を制御する、荷電粒子ビーム描画装置。
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