JP2017053014A - Electroless plating pretreatment agent, conductive pattern forming substrate, and production method thereof - Google Patents

Electroless plating pretreatment agent, conductive pattern forming substrate, and production method thereof Download PDF

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聡 永谷
Satoshi Nagatani
聡 永谷
英明 水嵜
Hideaki Mizusaki
英明 水嵜
直人 高根
Naoto Takane
直人 高根
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroless plating pretreatment agent, a conductive pattern forming substrate, and a production method thereof.SOLUTION: In a production method of a conductive pattern forming substrate, pattern formation is performed by photolithography on an insulating substrate of plastic or glass, and its structure is coated with sol comprising a tetravalent tin compound as electroless plating pretreatment liquid, then, a resist on the substrate is removed, and a pattern comprising the electroless plating pretreatment agent is produced, thereafter, electroless plating pretreatment is performed, to thereby form the conductive pattern.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、フォトリソグラフィとその後のめっき法を用いた導電性パターン形成基板とその製造方法に関する。   The present invention relates to a conductive pattern forming substrate using photolithography and a subsequent plating method and a manufacturing method thereof.

プリント配線板など導電性パターン形成基板の製造方法は、絶縁性の基材に銅箔もしくは銅めっきにより銅薄膜を作製した後、フォトリソグラフィによって感光・現像を行うことで配線パターンを作図し、その後導電性パターンを形成している。   The method of manufacturing a conductive pattern forming substrate such as a printed wiring board is to create a copper thin film by copper foil or copper plating on an insulating base material, and then sensitize and develop by photolithography, and then draw a wiring pattern. A conductive pattern is formed.

また、導電性パターンを利用した透明導電膜や電磁波シールドといった材料への展開もされている。これらはガラスにスパッタリング等で薄膜の金属パターンを作製し、メッシュピッチの幅を制御することで透明導電膜や電磁波シールドとして応用するものである。   In addition, development has been made on materials such as transparent conductive films and electromagnetic wave shields using conductive patterns. These are applied as a transparent conductive film or an electromagnetic wave shield by producing a thin metal pattern on glass by sputtering or the like and controlling the width of the mesh pitch.

プリント配線板の導電性パターン製造方法としては、多くは「サブトラクト法」と呼ばれる工法が用いられている。これは、フォトリソグラフィによりエッチングレジストを形成し、露出した銅膜を塩化第二鉄などの溶液を用いて除去し、その後残りのレジストを剥離して導電性パターンを得る方法である。この方法ではパターン配線の線幅/間隔(以下、L/Sと記する)は、30/30(μm)程度まで可能とされており、最も一般的なプリント配線板の製造法である。   As a method for producing a conductive pattern of a printed wiring board, a method called “subtract method” is often used. In this method, an etching resist is formed by photolithography, the exposed copper film is removed using a solution such as ferric chloride, and then the remaining resist is peeled to obtain a conductive pattern. In this method, the line width / interval of pattern wiring (hereinafter referred to as L / S) can be up to about 30/30 (μm), which is the most common method for manufacturing a printed wiring board.

一方、ICパッケージ基板などでは、さらに微細な配線が使用されており、これらは「セミアディティブ法」と呼ばれる工法が用いられている。これは、基材にスパッタ法や無電解銅めっきで薄い銅膜からなるシード層を作製し、フォトリソグラフィでめっきレジストを形成し、パターンめっきを行った後、レジスト剥離と未めっき部シード層のエッチングを行って導電性パターンを形成するものである。   On the other hand, IC package substrates and the like use finer wiring, and a method called “semi-additive method” is used for these. This is because a seed layer made of a thin copper film is formed on a substrate by sputtering or electroless copper plating, a plating resist is formed by photolithography, pattern plating is performed, and then the resist is peeled off and the unplated portion seed layer is formed. Etching is performed to form a conductive pattern.

セミアディティブ法は、サブトラクト法に比べ回路形成に必要なエッチング処理量が少ないため、回路部損失が少なく、より微細な回路形成が可能である。セミアディティブ法を用いれば、L/Sは5/5(μm)程度まで可能とされている。   The semi-additive method requires a smaller amount of etching processing than the subtract method, and therefore requires less circuit portion loss and can form a finer circuit. If the semi-additive method is used, L / S can be up to about 5/5 (μm).

これらの材料は、今後電子部品への小型化や材料の高機能化に伴い、さらなる微細な配線が求められていくことが予想される。   These materials are expected to require further fine wiring as the electronic components are miniaturized and the functions of the materials are increased.

これらの問題に対して、金属ナノ粒子を含有するインクを用い、スクリーン印刷やインクジェット方式などで導電性パターンを形成するような方法が注目されている。(参考文献1)   In order to solve these problems, a method of forming a conductive pattern by screen printing or an ink jet method using ink containing metal nanoparticles has attracted attention. (Reference 1)

金属ナノ粒子を使用したパターン形成方法においては、パターニングした金属を固着するため後工程として200〜300℃の熱処理が必要であり、この方法では高温に弱い材料には適用できないことや、焼成条件を厳密に管理しなければいけないなどの問題点がある。また、焼成処理を行わない場合、電気抵抗の低い導電性パターンを得ることが困難である。   In the pattern formation method using metal nanoparticles, a heat treatment at 200 to 300 ° C. is necessary as a post-process to fix the patterned metal. There are problems such as having to manage strictly. Moreover, when the baking process is not performed, it is difficult to obtain a conductive pattern with low electrical resistance.

インクジェット方式においては、プリントに必要な吐出以外に、インクヘッドのノズル洗浄のためのクリーニングが必要であり、その際使用される大量のインクは捨てインクとなる。そのため、微細配線の作製については期待できるものの、その量産性にはまだ多くの課題が残されている。   In the ink jet system, in addition to the ejection necessary for printing, cleaning for nozzle cleaning of the ink head is necessary, and a large amount of ink used at that time is discarded. For this reason, although production of fine wiring can be expected, many problems still remain in the mass productivity.

微細回路の量産に有利であるセミアディティブ工法の中でも、シード層のエッチングはその狭ピッチ回路を形成するうえで非常な重要な工程の一つであり、エッチング不十分であれば、隣接配線との短絡の問題があり、またエッチング過剰であれば、回路部へのエッチング浸食による線幅の縮小化に伴う高抵抗化、過剰浸食による断線などの恐れがある。   Among the semi-additive method that is advantageous for mass production of microcircuits, the etching of the seed layer is one of the very important processes for forming the narrow pitch circuit. There is a problem of short circuit, and if the etching is excessive, there is a risk that the resistance increases due to the reduction in the line width due to etching erosion to the circuit portion, and the disconnection occurs due to excessive erosion.

さらに微細なパターンを作製する手法として「フルアディティブ法」があるが、この工法についても極薄銅箔のエッチング工程は必要であり同様の問題点は残されている。   Furthermore, there is a “full additive method” as a method for producing a fine pattern, but this method also requires an etching process for an ultrathin copper foil, and the same problem remains.

その他の製造法として「スパッタリング法」や「化学蒸着法」を利用する方法があるが、この手法は専用の装置が高価であることや、大面積材料への適用が困難な点が問題となっている。   Other manufacturing methods include “sputtering method” and “chemical vapor deposition method”, but this method has a problem that a dedicated apparatus is expensive and it is difficult to apply to a large area material. ing.

表面技術、vol.61,No.12Surface technology, vol.61, No.12

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、従来のセミアディティブ工法での工程を応用した、シード層のエッチング工程を必要としない工法による微細な導電性パターン形成基板の製造方法とその材料を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a method of manufacturing a fine conductive pattern forming substrate by a method that does not require an etching process of a seed layer, applying a process of a conventional semi-additive method, and its The purpose is to provide material.

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、以下の方法により上記課題を解決するに至った。
本発明は以下の通りである。
As a result of intensive studies in order to solve the above problems, the present inventor has solved the above problems by the following method.
The present invention is as follows.

本課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、絶縁性の基材と、その絶縁性基材上に形成された導電層において、基材と導電層の間には中間層としてスズ化合物からなる膜が形成されていることを特徴とする導電性パターン形成基板である。   In order to solve this problem, the invention according to claim 1 is an insulating base material and a conductive layer formed on the insulating base material, and an intermediate layer is provided between the base material and the conductive layer. A conductive pattern forming substrate, wherein a film made of a tin compound is formed.

請求項2に記載の発明は、基材上へフォトリソグラフィによるパターン形成を行い、その構造物に無電解めっき前処理剤をコートし、レジスト除去後に無電解めっき処理により導電性パターンを形成することを特徴とする導電性パターン形成基板の製造方法である。   The invention according to claim 2 forms a pattern by photolithography on a substrate, coats the structure with an electroless plating pretreatment agent, and forms a conductive pattern by electroless plating after removing the resist. This is a method for producing a conductive pattern-formed substrate.

請求項3に記載の発明は、無電解めっき前処理剤が4価のスズ化合物からなるゾルである請求項2に記載の導電性パターン形成基板の製造方法である。   Invention of Claim 3 is a manufacturing method of the electroconductive pattern formation board | substrate of Claim 2 whose electroless-plating pretreatment agent is sol which consists of a tetravalent tin compound.

請求項4に記載の発明は、無電解めっき前処理剤が4価のスズ化合物とパラジウム錯体イオンか銀錯体イオンの一方もしくは両方の混合ゾルである請求項2に記載の導電性パターン形成基板の製造方法である。   The invention according to claim 4 is the conductive pattern forming substrate according to claim 2, wherein the pretreatment agent for electroless plating is a mixed sol of a tetravalent tin compound and one or both of a palladium complex ion and a silver complex ion. It is a manufacturing method.

請求項5に記載の発明は、無電解めっき前処理剤コート後、パラジウム錯体イオンか銀錯体イオンの一方もしくは両方の水溶液に浸漬する請求項3に記載の導電性パターン形成基板の製造方法である。   Invention of Claim 5 is a manufacturing method of the electroconductive pattern formation board | substrate of Claim 3 immersed in the aqueous solution of one or both of palladium complex ion or silver complex ion after electroless-plating pretreatment agent coating. .

請求項6に記載の発明は、無電解めっきする直前に還元処理を行う請求項2から5のいずれかに記載の導電性パターン基板の製造方法である。
The invention according to claim 6 is the method for producing a conductive pattern substrate according to any one of claims 2 to 5, wherein the reduction treatment is performed immediately before the electroless plating.

本発明の導電性パターン形成基板とその製造方法においては、従来法で行っているシード層のエッチングを必要としないため、回路部損失が少なく、より微細な回路形成が可能である。   In the conductive pattern forming substrate and the manufacturing method thereof according to the present invention, the etching of the seed layer, which is performed by the conventional method, is not required, so that the circuit portion loss is small and a finer circuit can be formed.

また、本発明のめっき前処理剤は、主溶媒が水で実施できる。さらに、中性領域での実施も可能なため他の設備やレジストへのアタック性がほとんどない。さらに液は数ヶ月にわたって安定しており、ポットライフが長く経済的である。また、作製されるゲル被膜は有機溶媒や耐酸性に強く安定性の高い被膜が作製可能である。   The plating pretreatment agent of the present invention can be carried out with water as the main solvent. Furthermore, since it can be carried out in a neutral region, there is almost no attack on other equipment and resist. Furthermore, the liquid is stable for several months, and the pot life is long and economical. Moreover, the gel film produced can produce a highly stable film that is strong against organic solvents and acid resistance.

さらに、本発明の導電性パターン形成基板の製造方法では、スパッタリング等の設備を必要としないので、設備投資への費用が抑えられるとともに、大面積への材料への適用が可能になる。   Furthermore, since the manufacturing method of the electroconductive pattern formation board | substrate of this invention does not require facilities, such as sputtering, while being able to hold down the expense to capital investment, the application to the material to a large area is attained.

図1は実施例1により作製した金属パターンの写真である。FIG. 1 is a photograph of a metal pattern produced according to Example 1. 図2は実施例2により作製した金属パターンの写真である。FIG. 2 is a photograph of a metal pattern produced according to Example 2. 図3は実施例3により作製した金属パターンの写真である。FIG. 3 is a photograph of the metal pattern produced in Example 3.

本発明では、フォトリソグラフィにより回路パターンを作図した基材上に、めっき前処理剤であるスズ化合物のゾルを全面コーティングしゲル化させた後、レジストを剥離する。その際、レジスト上にコーティングされているゲルも同時に取り除かれるため、基材上にはゲルの回路パターンのみが残る。このゲルを中間層とし、ゲルパターン部に無電解めっきによる導電層を形成させることで導電性パターン形成基板を製造する方法である。   In the present invention, a tin compound sol, which is a pretreatment agent for plating, is coated on the entire surface of a substrate on which a circuit pattern has been formed by photolithography, and then the resist is peeled off. At that time, since the gel coated on the resist is also removed at the same time, only the circuit pattern of the gel remains on the substrate. This is a method for producing a conductive pattern forming substrate by using this gel as an intermediate layer and forming a conductive layer by electroless plating on the gel pattern portion.

フォトリソグラフィに使用するレジストの種類は特に限定されるものではないが、有機溶媒に樹脂成分を溶解させたポジ型、ネガ型を問わず使用でき、さらにドライフィルムなどの非液体レジストについても使用できる。   The type of resist used for photolithography is not particularly limited, but it can be used regardless of positive type or negative type in which a resin component is dissolved in an organic solvent, and can also be used for non-liquid resists such as dry films. .

レジスト剥離は主に有機溶媒を用いるが、アルカリ系の水溶液など、レジストを剥離可能な溶媒であれば限定されるものではない。例えば、ケトン類、アルコール類、アミン類等が使用できる。さらに、酸素プラズマ等の非溶液レジスト剥離プロセスについても適用可能である。   For the resist stripping, an organic solvent is mainly used, but the resist is not limited as long as it is a solvent capable of stripping the resist such as an alkaline aqueous solution. For example, ketones, alcohols, amines and the like can be used. Further, it can be applied to a non-solution resist stripping process such as oxygen plasma.

無電解めっき前処理剤のコーティング方法はスピンコート、ディップコート、スプレー法など公知の方法が適用可能である。   As a coating method of the electroless plating pretreatment agent, known methods such as spin coating, dip coating, and spraying can be applied.

無電解めっき前処理剤であるゾルは酸化スズやスズ酸といった4価のスズ化合物が主成分として水中に分散している液と考えられ、この溶液から作製されるゲルが、その後の銀錯体イオン水溶液やパラジウム錯体イオン水溶液(以下活性化処理液と記す)による活性化処理によって銀錯体イオンもしくはパラジウム錯体イオンを吸着させる作用をもたらすことで無電解めっきを可能にしている。   The sol, which is a pretreatment agent for electroless plating, is considered to be a liquid in which tetravalent tin compounds such as tin oxide and stannic acid are dispersed in water as a main component. Electroless plating is enabled by bringing about an action of adsorbing silver complex ions or palladium complex ions by an activation treatment with an aqueous solution or an aqueous solution of palladium complex ions (hereinafter referred to as an activation treatment solution).

活性化処理は、レジスト剥離前後のどの時点で行ってもよい。   The activation process may be performed at any time before and after resist stripping.

銀錯体イオンもしくはパラジウム錯体イオンをあらかじめ混合した混合ゾルをめっき前処理剤として用いることで、活性化処理を省略し無電解めっきを行い、導電性パターンを形成することも可能である。   By using a mixed sol in which silver complex ions or palladium complex ions are mixed in advance as a plating pretreatment agent, it is possible to omit the activation treatment and perform electroless plating to form a conductive pattern.

本発明で使用するめっき前処理剤は、主成分に4価のスズ化合物のゾルを用いたものである。ゾルの原料であるスズ塩は、特に限定されるものではないが、例えば、塩化第一スズ、塩化第二スズ、酢酸スズ、臭化スズ、シュウ酸スズ、硝酸スズ、硫酸スズなどが挙げられる。   The plating pretreatment agent used in the present invention uses a sol of a tetravalent tin compound as a main component. The tin salt that is the raw material of the sol is not particularly limited, and examples thereof include stannous chloride, stannic chloride, tin acetate, tin bromide, tin oxalate, tin nitrate, and tin sulfate. .

また混合ゾルや活性化処理液に使用する銀錯体イオンやパラジウム錯体イオンの原料としては、特に限定されるものではないが、塩化銀、硝酸銀、硫酸銀、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウムなどが挙げられる。また、錯体配位子はEDTA、ビピリジン、アンモニア、アセチルアセトン、グリシン、アルキルモノカルボン酸類、アルキルジカルボン酸類、ヒドロキシ酸類、ポリエチレンアミン類、アルキルアミン類、アルカノールアミン類、ヒダントイン類、チオ硫酸、メタンスルホン酸、フルオロ、クロロ、ブロモ、シアノ、アクアなどの配位子を使用できる。   In addition, the raw material of silver complex ion or palladium complex ion used in the mixed sol or activation treatment liquid is not particularly limited, but silver chloride, silver nitrate, silver sulfate, palladium chloride, palladium sulfate, palladium nitrate, etc. Can be mentioned. Complex ligands include EDTA, bipyridine, ammonia, acetylacetone, glycine, alkyl monocarboxylic acids, alkyldicarboxylic acids, hydroxy acids, polyethyleneamines, alkylamines, alkanolamines, hydantoins, thiosulfuric acid, methanesulfonic acid , Fluoro, chloro, bromo, cyano, aqua and other ligands can be used.

使用する溶媒は、主に水単独であるが、アルコールなどの水溶性有機溶媒も用いることができる。また水とこれらの有機溶媒を混合して使用することもできる。   The solvent used is mainly water alone, but a water-soluble organic solvent such as alcohol can also be used. Moreover, water and these organic solvents can also be mixed and used.

ゾル中のスズ濃度は0.0001〜5.0mol/Lが好ましく、0.001〜0.2mol/Lがさらに好ましい。混合ゾル中や活性化処理液中のパラジウム錯体イオンおよび銀錯体イオンの濃度は0.00001〜0.1mol/Lが好ましい。それ以外の範囲であると、凝集してしまいめっきが不均一になる恐れがある。   The tin concentration in the sol is preferably 0.0001 to 5.0 mol / L, more preferably 0.001 to 0.2 mol / L. The concentration of palladium complex ions and silver complex ions in the mixed sol or in the activation treatment liquid is preferably 0.00001 to 0.1 mol / L. If it is in the other range, the agglomeration may occur and plating may become non-uniform.

めっき前処理剤および活性化処理液のpHは2〜13の範囲が好ましく、3〜12の範囲がさらに好ましい。それ以外の範囲だと溶液に沈殿物を生じる恐れがある。   The pH of the plating pretreatment agent and the activation treatment liquid is preferably in the range of 2 to 13, and more preferably in the range of 3 to 12. Outside this range, there is a risk of precipitation in the solution.

めっき前処理剤の使用温度は室温で使用することが好ましい。   It is preferable to use the plating pretreatment agent at room temperature.

めっき前処理剤の粘度調整や基板への濡れ性の改善、エチレングリコール等の増粘剤、乾燥補助剤、湿潤分散剤、沈降防止剤、表面調整剤、界面活性剤を混合することもできる   Viscosity adjustment of plating pretreatment agent and improvement of wettability to substrate, thickener such as ethylene glycol, drying aid, wetting and dispersing agent, anti-settling agent, surface conditioner, surfactant can also be mixed

本発明によるめっき前処理剤は溶液プロセスであることから、スルホールビアに代表されるような複雑三次元形状に対しても適用可能である。   Since the plating pretreatment agent according to the present invention is a solution process, it can also be applied to complicated three-dimensional shapes represented by through-hole vias.

本発明によるめっき前処理剤コート後、無電解めっき工程までにゲル上のパラジウム錯体イオンもしくは銀錯体イオンを金属イオンに還元するための還元処理を行う必要がある。ただし、めっき浴中にパラジウム錯体イオンもしくは銀錯体イオンを還元させる還元剤が存在する場合はこの処理を省略することができる。   After the coating of the plating pretreatment agent according to the present invention, it is necessary to perform a reduction treatment for reducing the palladium complex ions or silver complex ions on the gel to metal ions before the electroless plating step. However, this treatment can be omitted when a reducing agent that reduces palladium complex ions or silver complex ions is present in the plating bath.

還元処理を行う還元剤は次亜リン酸、ヒドラジン、ホルマリン、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、アスコルビン酸、ヒドロキノン、ブドウ糖など公知の還元剤が使用可能である。   As the reducing agent for performing the reduction treatment, known reducing agents such as hypophosphorous acid, hydrazine, formalin, sodium borohydride, dimethylamine borane, ascorbic acid, hydroquinone and glucose can be used.

本発明のめっき前処理剤を使用できるめっきは、特に限定されるものではないが、例えば、ニッケル、銅、コバルト、スズ、金、銀などの無電解めっきが挙げられる。   The plating that can use the plating pretreatment agent of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include electroless plating of nickel, copper, cobalt, tin, gold, silver, and the like.

本発明の無電解めっき工程の後、電気めっき等を用いて適正な厚づけめっきを行ってもよい。   After the electroless plating process of the present invention, appropriate thick plating may be performed using electroplating or the like.

また、本発明を用いれば、絶縁性の透明基材に膜厚の薄い無電解めっき皮膜をパターン上に作製することで、透過率を確保したまま基材に導電性を付与させることもできる。   Moreover, if this invention is used, electroconductivity plating film | membrane with a thin film thickness may be produced on an insulating transparent base material on a pattern, and electroconductivity can also be provided to a base material, ensuring the transmittance | permeability.

本発明に適用可能な基材は、ガラス、セラミックス、プラスチックなど絶縁材料であるが、導電性材料にも適用可能である。
The base material applicable to the present invention is an insulating material such as glass, ceramics, and plastic, but can also be applied to a conductive material.

次に、本発明について実施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(無電解めっき前処理剤の作製)塩化第二スズ0.1mol/Lを蒸留水に溶解し、pHを6〜8へ調整した。生じた沈殿物を取り出し、洗浄後、蒸留水中に分散させ、スズ化合物のゾルを作製した。
(配線パターン作製)ガラス基板にレジスト(ローム・アンド・ハース製 S1818G)を塗布し、現像液(ローム・アンド・ハース製 MICROPOSIT MFCD−26 DEVELOPER)を用いたフォトリソグラフィにより配線パターンを作図した。その後、基板を上記ゾル中に浸漬、引上げて基板にゲルのコーティング被膜を作製させた。その後、アセトン、2−プロパノール中に基板を浸漬することでレジストを除去し、ゲルの配線パターンを作製させた。
(活性化処理工程)上記パターン形成したガラス基板を塩化パラジウムから作製したパラジウム錯体水溶液中に浸漬して基板表面にパラジウムイオンを吸着させた。
(無電解めっき処理工程)上記前処理を行ったガラス基板に無電解ニッケル−リンめっきを行った。得られた導電性パターンを図1に示す。ニッケルめっきからなるL/Sは約4/4(μm)の導電性パターンを作製した。
Next, although an example is given and the present invention is explained, the present invention is not limited to the following examples.
(Preparation of electroless plating pretreatment agent) 0.1 mol / L of stannic chloride was dissolved in distilled water, and the pH was adjusted to 6-8. The resulting precipitate was taken out, washed, and dispersed in distilled water to prepare a tin compound sol.
(Wiring pattern production) A resist (S1818G manufactured by Rohm and Haas) was applied to a glass substrate, and a wiring pattern was drawn by photolithography using a developer (MICROPOSIT MFCD-26 DEVELOPER manufactured by Rohm and Haas). Thereafter, the substrate was immersed in the sol and pulled up to form a gel coating film on the substrate. Then, the resist was removed by immersing the substrate in acetone and 2-propanol to prepare a gel wiring pattern.
(Activation treatment step) The above-formed glass substrate was immersed in an aqueous palladium complex solution prepared from palladium chloride to adsorb palladium ions on the substrate surface.
(Electroless plating treatment process) Electroless nickel-phosphorus plating was performed on the glass substrate subjected to the above pretreatment. The obtained conductive pattern is shown in FIG. A conductive pattern of about 4/4 (μm) of L / S made of nickel plating was produced.

実施例1と同様の処理法により表面改質させたポリイミド上に配線パターンを作図した。
(活性化処理工程)上記パターン形成したポリイミド基板を、硝酸銀を原料とした銀錯体水溶液中に浸漬して基板表面に銀イオンを吸着させた。
(無電解めっき処理工程)上記前処理を行ったポリイミド基板をジメチルアミンボラン水溶液に浸漬し、吸着した銀イオンの還元処理を行った。その後、無電解銅めっきを行った。得られためっき皮膜を図2に示す。銅めっきからなるL/Sは約4/4(μm)の導電性パターンを作製した。
A wiring pattern was drawn on the polyimide whose surface was modified by the same treatment method as in Example 1.
(Activation treatment step) The polyimide substrate formed with the pattern was immersed in an aqueous silver complex solution using silver nitrate as a raw material to adsorb silver ions on the surface of the substrate.
(Electroless plating process) The pretreated polyimide substrate was immersed in an aqueous dimethylamine borane solution to reduce the adsorbed silver ions. Thereafter, electroless copper plating was performed. The obtained plating film is shown in FIG. L / S made of copper plating produced a conductive pattern of about 4/4 (μm).

実施例1と同様の処理法によりガラス上に配線パターンを作図後、無電解ニッケル−リンめっきを行った。
得られためっき皮膜を図3に示す。ニッケル−リンめっきからなる配線幅約9μm、間隔約70μmの六角模様の導電性パターンを作製した。350nmから700nmの波長領域での膜の平均透過率は80%以上であった。
After drawing a wiring pattern on the glass by the same treatment method as in Example 1, electroless nickel-phosphorus plating was performed.
The obtained plating film is shown in FIG. A hexagonal conductive pattern having a wiring width of about 9 μm and an interval of about 70 μm made of nickel-phosphorous plating was produced. The average transmittance of the film in the wavelength region of 350 nm to 700 nm was 80% or more.

Claims (6)

絶縁性の基材と、その絶縁性基材上に形成された導電層において、基材と導電層の間には中間層としてスズ化合物からなる層が形成されていることを特徴とする導電性パターン形成基板。   An insulating substrate and a conductive layer formed on the insulating substrate, wherein a layer made of a tin compound is formed as an intermediate layer between the substrate and the conductive layer. Pattern forming substrate. 基材上へフォトリソグラフィによるパターン形成を行い、その構造物に無電解めっき前処理剤をコートし、レジスト除去後に無電解めっき処理により導電性パターンを形成することを特徴とする導電性パターン形成基板の製造方法。   Conductive pattern formation substrate characterized in that pattern formation by photolithography is performed on a base material, an electroless plating pretreatment agent is coated on the structure, and a conductive pattern is formed by electroless plating after removing the resist Manufacturing method. 無電解めっき前処理剤が4価のスズ化合物からなるゾルである請求項2に記載の導電性パターン形成基板の製造方法。   The method for producing a conductive pattern forming substrate according to claim 2, wherein the electroless plating pretreatment agent is a sol composed of a tetravalent tin compound. 無電解めっき前処理剤が4価のスズ化合物とパラジウム錯体イオンか銀錯体イオンの一方もしくは両方の混合ゾルである請求項2に記載の導電性パターン形成基板の製造方法。   The method for producing a conductive pattern-formed substrate according to claim 2, wherein the electroless plating pretreatment agent is a mixed sol of one or both of a tetravalent tin compound and a palladium complex ion or a silver complex ion. 無電解めっき前処理剤コート後、パラジウム錯体イオンか銀錯体イオンの一方もしくは両方の水溶液に浸漬する請求項3に記載の導電性パターン形成基板の製造方法。   The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of Claim 3 immersed in the aqueous solution of one or both of palladium complex ion or silver complex ion after electroless-plating pretreatment agent coating. 無電解めっき前処理剤コート後、還元処理を行った後無電解めっきを行う請求項2から5のいずれかに記載の導電性パターン形成基板の製造方法。   The method for producing a conductive pattern-formed substrate according to any one of claims 2 to 5, wherein the electroless plating is performed after the electroless plating pretreatment agent coating and then the reduction treatment.
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