JP2017049101A

JP2017049101A - Radiation detection device, and radiation detection system

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Publication number: JP2017049101A
Application number: JP2015172260A
Authority: JP
Inventors: 知昭市村; Tomoaki Ichimura; 尚志郎猿田; Hisashiro Saruta; 慶人佐々木; Yasuto Sasaki
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2015-09-01
Filing date: 2015-09-01
Publication date: 2017-03-09

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation detection device capable of reducing noises on images due to static electricity residual on the surface of an adhesive layer and a radiation detection system.SOLUTION: The radiation detection device includes: a substrate (107) having a photoelectric conversion part (113) that converts light into charge; a scintillator layer (105) formed on the substrate for converting radiation into light; and a first adhesive layer (403) formed on the scintillator layer. The first adhesive layer has conductivity.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。 The present invention relates to a radiation detection apparatus and a radiation detection system.

近年、大面積ガラス上にアレイ状に形成された光電変換素子の表面に、放射線を照射することによって発光するシンチレータ層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。このデジタル放射線検出装置は、主に複数のフォトセンサ及びスイッチング素子等の素子が２次元状に配置されている光検出器（以下センサ基板という）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を形成している。このように、画像情報を有する放射線をシンチレータ層などの波長変換体により光電変換素子が感知可能な波長の光に変換し、変換された光を光電変換素子により電気信号に変換してデジタル画像情報を取得するものは、間接変換方式の放射線検出装置と呼ばれている。 In recent years, digital radiation detection apparatuses in which a scintillator layer that emits light when irradiated with radiation is laminated on the surface of photoelectric conversion elements formed in an array on a large area glass have been commercialized. This digital radiation detection apparatus is a light that can detect radiation with a photoelectric conversion element on a photodetector (hereinafter referred to as a sensor substrate) in which elements such as a plurality of photosensors and switching elements are two-dimensionally arranged. A scintillator layer is formed for conversion. In this way, radiation having image information is converted into light having a wavelength that can be sensed by the photoelectric conversion element by a wavelength converter such as a scintillator layer, and the converted light is converted into an electric signal by the photoelectric conversion element to obtain digital image information. Is obtained as an indirect conversion radiation detector.

通常、シンチレータ層は、被検体を透過した放射線を光電変換素子の感度特性に見合った波長の光に変換するシンチレータ層、及びシンチレータ層からの発光を効率的にセンサ基板側へ誘導するための反射層を備える。また、シンチレータ層上部には、センサ基板及びシンチレータ層を外部環境から保護する目的でアルミニウム等の薄膜フィルムを用いた保護層が設けられる。 In general, the scintillator layer is a scintillator layer that converts radiation that has passed through the subject into light having a wavelength that matches the sensitivity characteristics of the photoelectric conversion element, and a reflection that efficiently guides light emitted from the scintillator layer to the sensor substrate side. With layers. In addition, a protective layer using a thin film such as aluminum is provided on the scintillator layer for the purpose of protecting the sensor substrate and the scintillator layer from the external environment.

特許文献１には、保護層の外側、又は保護層の外側と蛍光体側に帯電防止フィルムを用いる方法が開示されている。特許文献１によると、保護層の構成中に帯電防止フィルムを含ませることにより、プロセス時、又は製品使用時に発生する静電気による帯電を防ぐことができ、安定した画像品質を保証することが可能である。 Patent Document 1 discloses a method of using an antistatic film on the outside of the protective layer or on the outside of the protective layer and the phosphor side. According to Patent Document 1, by including an antistatic film in the structure of the protective layer, it is possible to prevent static charge generated during the process or use of the product, and to assure stable image quality. is there.

特開２０１３−２１７９０４号公報JP 2013-217904 A

特許文献１では、光電変換素子を含む固体検出器上に形成された波長変換層の上部に接合剤層を介して光反射層を有する指示体の貼り合わせを行っている。しかし、特許文献１では、接合剤層と第２の剥離フィルムとを剥離する際の剥離帯電が発生し、接合剤表面に残留した静電気に対する対策がなされておらず、静電気の影響により、画像にアーチファクトのノイズが発生する課題がある。 In patent document 1, the indicator which has a light reflection layer is bonded to the upper part of the wavelength conversion layer formed on the solid-state detector containing a photoelectric conversion element through a bonding agent layer. However, in Patent Document 1, peeling electrification occurs when the bonding agent layer and the second peeling film are peeled off, and no countermeasure is taken against static electricity remaining on the bonding agent surface. There is a problem that artifact noise occurs.

本発明の目的は、粘着層の表面に残留した静電気による画像のノイズを低減することができる放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することである。 The objective of this invention is providing the radiation detection apparatus and radiation detection system which can reduce the noise of the image by the static electricity which remained on the surface of the adhesion layer.

本発明の放射線検出装置は、光を電荷に変換する光電変換部を有する基板と、前記基板の上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の上に形成されている第１の粘着層とを有し、前記第１の粘着層は、導電性を有することを特徴とする。 The radiation detection apparatus of the present invention includes a substrate having a photoelectric conversion unit that converts light into electric charge, a scintillator layer that is formed on the substrate and converts radiation into light, and is formed on the scintillator layer. A first adhesive layer, wherein the first adhesive layer has conductivity.

本発明によれば、第１の粘着層の静電気を除去し、静電気による局所的な暗電流の増加を低減し、画像のノイズを低減することができる。 According to the present invention, static electricity of the first adhesive layer can be removed, a local dark current increase due to static electricity can be reduced, and image noise can be reduced.

放射線検出装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a radiation detection apparatus. 他の放射線検出装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of another radiation detection apparatus. 複合フィルムの構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structural example of a composite film. 吸着台での離型フィルムの帯電を説明する図である。It is a figure explaining electrification of a release film in an adsorption stand. 転写台での複合フィルム貼り合わせ方法を説明する図である。It is a figure explaining the composite film bonding method in a transfer stand. レイアウトパターンを示す図である。It is a figure which shows a layout pattern. 他のレイアウトパターンを示す図である。It is a figure which shows another layout pattern. 他のレイアウトパターンを示す図である。It is a figure which shows another layout pattern. 他のレイアウトパターンを示す図である。It is a figure which shows another layout pattern. 検出システムの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of a detection system.

（第１の実施形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施形態による放射線検出装置１１の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の放射線検出装置１１の線Ｘ−Ｘに沿った断面図であり、図６は図１（Ａ）及び（Ｂ）の放射線検出装置１１のレイアウトパターンを示す図である。放射線検出装置１１は、センサ基板１０７と、回路基板１１１と、回路基板１１２と、フレキシブルプリント基板１１０とを有する。センサ基板１０７は、フレキシブルプリント基板１１０を介して、信号を読み出すための回路基板１１１と、放射線検出装置１１を駆動するための回路基板１１２に接続される。放射線検出装置１１は、入射した放射線を光に変換するためのシンチレータ層（蛍光体層）１０５と、その光を検出するためのセンサ基板１０７とを有する。シンチレータ層１０５は、センサ基板１０７の上に形成されている。センサ基板１０７は、光を電荷に変換する光電変換部１１３を有する。光電変換部１１３は、光を電荷に変換する光電変換素子と薄膜トランジスタ（スイッチング素子）とを含む画素を行列状に複数有し、複数の画素信号を生成する。光電変換部１１３により生成された画素信号は、回路基板１１２から入力された駆動信号に従って、回路基板１１１に出力される。 (First embodiment)
FIG. 1A is a top view of the radiation detection apparatus 11 according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-section along the line XX of the radiation detection apparatus 11 of FIG. FIG. 6 is a diagram showing a layout pattern of the radiation detection apparatus 11 of FIGS. 1 (A) and 1 (B). The radiation detection apparatus 11 includes a sensor board 107, a circuit board 111, a circuit board 112, and a flexible printed board 110. The sensor board 107 is connected to a circuit board 111 for reading signals and a circuit board 112 for driving the radiation detection apparatus 11 via the flexible printed board 110. The radiation detection device 11 includes a scintillator layer (phosphor layer) 105 for converting incident radiation into light, and a sensor substrate 107 for detecting the light. The scintillator layer 105 is formed on the sensor substrate 107. The sensor substrate 107 includes a photoelectric conversion unit 113 that converts light into electric charges. The photoelectric conversion unit 113 includes a plurality of pixels including a photoelectric conversion element that converts light into an electric charge and a thin film transistor (switching element) in a matrix, and generates a plurality of pixel signals. The pixel signal generated by the photoelectric conversion unit 113 is output to the circuit board 111 in accordance with the drive signal input from the circuit board 112.

次に、シンチレータ層１０５について説明する。シンチレータ層１０５は、放射線を可視光に変換する。シンチレータ層１０５としては、ハロゲン化アルカリ系の材料からなるもの、又は金属酸硫化物の母体に、発光中心としてテルビウムやユーロピウムといった３価の希土類を微量ドープした粉末蛍光体の堆積層を用いることが可能である。ハロゲン化アルカリを主成分とする材料としては、例えばＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌ等が用いられる。金属酸硫化物粉末蛍光体としては、例えばＧｄ₂Ｏ₂ＳにＴｂをドープした粉末蛍光体（ＧＯＳ）等を塗布・乾燥によりシンチレータ層１０５を形成することができる。 Next, the scintillator layer 105 will be described. The scintillator layer 105 converts radiation into visible light. As the scintillator layer 105, a layer made of an alkali halide material or a powder phosphor deposited layer in which a metal oxysulfide matrix is doped with a small amount of a trivalent rare earth such as terbium or europium as an emission center is used. Is possible. As a material mainly containing an alkali halide, for example, CsI: Tl, CsI: Na, CsBr: Tl, NaI: Tl, LiI: Eu, KI: Tl, or the like is used. As the metal oxysulfide powder phosphor, for example, a powder phosphor (GOS) doped with Tb in Gd ₂ O ₂ S or the like can be used to form the scintillator layer 105 by coating and drying.

次に、センサ基板１０７について説明する。センサ基板１０７は、ガラス基板上に光電変換素子及びＴＦＴを２次元アレイ状に複数配置した光電変換部１１３を有する。また、センサ基板１０７は、シリコーン基板上に光電変換素子を２次元アレイ状に複数配置した光電変換部１１３を形成したＣＭＯＳセンサやＣＣＤセンサを用いてもよい。ガラス基板上に光電変換素子を形成する場合、光電変換素子の構成は特に限定されず、ＭＩＳ型センサ又はＰＩＮ型センサ等を用いることができる。複数の光電変換素子は、それぞれ、光を電荷に変換することにより、画素信号を生成する。 Next, the sensor substrate 107 will be described. The sensor substrate 107 includes a photoelectric conversion unit 113 in which a plurality of photoelectric conversion elements and TFTs are arranged in a two-dimensional array on a glass substrate. The sensor substrate 107 may be a CMOS sensor or a CCD sensor in which a photoelectric conversion unit 113 in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged in a two-dimensional array on a silicone substrate is formed. When forming a photoelectric conversion element on a glass substrate, the structure of a photoelectric conversion element is not specifically limited, A MIS type sensor, a PIN type sensor, etc. can be used. Each of the plurality of photoelectric conversion elements generates a pixel signal by converting light into electric charge.

次に、複合フィルム４０３について説明する。複合フィルム４０３は、シンチレータ層１０５を保護する目的とシンチレータ層１０５の発光を反射させる目的と電磁シールドを目的とし、シンチレータ層１０５の上に設けられる。 Next, the composite film 403 will be described. The composite film 403 is provided on the scintillator layer 105 for the purpose of protecting the scintillator layer 105, the purpose of reflecting the light emitted from the scintillator layer 105, and the purpose of electromagnetic shielding.

図３は、複合フィルム４０３の構成例を示す断面図である。複合フィルム４０３は、樹脂フィルム上に金属薄膜を形成した保護層３０１と、第２の粘着層３０２と、反射層３０３と、第１の粘着層３０４とを有する。保護シート付きフィルム４０４は、この複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４を保護する目的で、複合フィルム４０３に離型フィルム３０５を貼り合わせたものである。 FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the composite film 403. The composite film 403 includes a protective layer 301 in which a metal thin film is formed on a resin film, a second adhesive layer 302, a reflective layer 303, and a first adhesive layer 304. The film with a protective sheet 404 is obtained by bonding a release film 305 to the composite film 403 for the purpose of protecting the first adhesive layer 304 of the composite film 403.

第１の粘着層３０４は、シンチレータ層１０５の上に形成される。反射層３０３は、第１の粘着層３０４の上に形成される。第２の粘着層３０２は、反射層３０３の上に形成される。保護層３０１は、第２の粘着層３０２の上に形成される。 The first adhesive layer 304 is formed on the scintillator layer 105. The reflective layer 303 is formed on the first adhesive layer 304. The second adhesive layer 302 is formed on the reflective layer 303. The protective layer 301 is formed on the second adhesive layer 302.

保護層３０１は、樹脂フィルム層及び金属層を有する。樹脂フィルム層としては、例えばＰＥＴやＰＥＮ、ポリイミド、パリレン、ポリ塩化ビニリデン、ＰＣＴＦＥ、ナイロン等の一般的な樹脂フィルムを用いることができる。金属層としては、樹脂フィルム上にアルミニウムや銅、銀、金等の金属薄膜を蒸着等の手法により形成したもの、又は粘着層を介して上記金属箔を貼り合わせることにより形成したものを用いることができる。金属層の目的は、放射線検出装置１１の内部、又は外部からの電磁ノイズを遮蔽することである。また、貼り合わせ性の観点から、樹脂フィルムは１０００μｍ以下、金属層は５００μｍ以下であることが好ましい。 The protective layer 301 has a resin film layer and a metal layer. As the resin film layer, for example, a general resin film such as PET, PEN, polyimide, parylene, polyvinylidene chloride, PCTFE, or nylon can be used. As a metal layer, use what formed the metal thin films, such as aluminum, copper, silver, gold, etc. on the resin film by means of vapor deposition, etc., or what formed by pasting together the above-mentioned metal foil via an adhesion layer Can do. The purpose of the metal layer is to shield electromagnetic noise from inside or outside the radiation detection apparatus 11. From the viewpoint of bonding properties, the resin film is preferably 1000 μm or less, and the metal layer is preferably 500 μm or less.

反射層３０３は、シンチレータ層１０５から発せられ、センサ基板１０７と反対側に進行する光を反射し、効率的にセンサ基板１０７へ送り届けることを目的とする。反射層３０３は、Ａｌ₂Ｏ₃やＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂等の白色の金属酸化物粒子を樹脂中に分散させたものを用いることが好ましく、例えば、東レ社製ルミラーＥ２０等を用いることができる。また、反射層３０３は、導電性を有していてもよく、ＰＥＴ中に金属フィラーや導電性樹脂（ポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等）を混ぜ込んだものを使用してもよい。反射層３０３は、反射率が８０％以上であり、表面抵抗率が１．０×１０¹²Ω／□以下であることが好ましい。 The reflective layer 303 is intended to reflect light that is emitted from the scintillator layer 105 and travels to the opposite side of the sensor substrate 107 and efficiently delivers the light to the sensor substrate 107. The reflective layer 303 is preferably formed by dispersing white metal oxide particles such as Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , and SiO ₂ in a resin. For example, Lumirror E20 manufactured by Toray Industries, Inc. can be used. . Further, the reflective layer 303 may have conductivity, and a material obtained by mixing a metal filler or a conductive resin (polyacetylene, polythiophene, polypyrrole, or the like) into PET may be used. The reflective layer 303 preferably has a reflectance of 80% or more and a surface resistivity of 1.0 × 10 ¹² Ω / □ or less.

第２の粘着層３０２は、保護層３０１と反射層３０３とを貼り合わせるために配置されている。第２の粘着層３０２に用いられる粘着剤は、必ずしも導電性を有している必要はない。第２の粘着層３０２としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂からなる常温で接着性を有する粘着シートを用いることができる。また、第２の粘着層３０２として、加熱により接着性を有するホットメルト樹脂を用いることができる。また、第２の粘着層３０２に導電性を持たせるために金属フィラーや導電性樹脂、炭素粉末（カーボンブラック等）を混ぜ込むことができる。金属フィラーとしては、アルミニウムやニッケル等の一般的な金属粉末を用いることができ、導電性樹脂としてはポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等を使用することができる。 The second adhesive layer 302 is disposed to bond the protective layer 301 and the reflective layer 303 together. The pressure-sensitive adhesive used for the second pressure-sensitive adhesive layer 302 does not necessarily have conductivity. As the second pressure-sensitive adhesive layer 302, a pressure-sensitive adhesive sheet made of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a urethane resin, a polyimide resin, a polyester resin, or a polyolefin resin is used at room temperature. it can. Further, as the second adhesive layer 302, a hot-melt resin having adhesiveness by heating can be used. In addition, a metal filler, a conductive resin, or carbon powder (carbon black or the like) can be mixed to make the second adhesive layer 302 conductive. Common metal powders such as aluminum and nickel can be used as the metal filler, and polyacetylene, polythiophene, polypyrrole, and the like can be used as the conductive resin.

第１の粘着層３０４は、複合シート４０３とシンチレータ層１０５とを貼り合わせるために配置されている。第１の粘着層３０４に用いられる粘着剤は、導電性を有している必要がある。第１の粘着層３０４としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂からなる常温で接着性を有する粘着シートを用いることができる。また、第１の粘着層３０４として、加熱により接着性を有するホットメルト樹脂を用いることができる。第１の粘着層３０４に導電性を持たせるために、金属フィラーや導電性樹脂、炭素粉末（カーボンブラック等）を混ぜ込むことができる。金属フィラーとしては、アルミニウムやニッケル等の一般的な金属粉末を用いることができ、導電性樹脂としてはポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等を用いることができる。また、第１の粘着層３０４は、シンチレータ層１０５により変換された光に対して透明であり導電性を有することが望ましく、特に波長５００〜６００ｎｍの領域において光透過率が５０％以上である。第１の粘着層３０４の表面抵抗率は、１．０×１０¹²Ω／□以下であることが好ましい。 The first adhesive layer 304 is disposed to bond the composite sheet 403 and the scintillator layer 105 together. The pressure-sensitive adhesive used for the first pressure-sensitive adhesive layer 304 needs to have conductivity. As the first pressure-sensitive adhesive layer 304, a pressure-sensitive adhesive sheet made of an epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, a urethane resin, a polyimide resin, a polyester resin, or a polyolefin resin is used at room temperature. it can. Further, as the first pressure-sensitive adhesive layer 304, a hot-melt resin having adhesiveness by heating can be used. In order to make the first adhesive layer 304 conductive, a metal filler, a conductive resin, or carbon powder (carbon black or the like) can be mixed. As the metal filler, general metal powder such as aluminum or nickel can be used, and as the conductive resin, polyacetylene, polythiophene, polypyrrole, or the like can be used. The first adhesive layer 304 is preferably transparent and conductive with respect to the light converted by the scintillator layer 105, and has a light transmittance of 50% or more particularly in a wavelength region of 500 to 600 nm. The surface resistivity of the first adhesive layer 304 is preferably 1.0 × 10 ¹² Ω / □ or less.

保護シート付きフィルム４０４は、複合フィルム４０３と剥離フィルム３０５を貼り合わせたものである。剥離フィルム３０５は、ＰＥＴやナイロン等の一般的な樹脂フィルムに離型剤（シリコーン系でもフッ素系でも非シリコーン系でもよい）を塗布したフィルムを用いることができる。 The film 404 with a protective sheet is obtained by bonding the composite film 403 and the release film 305 together. As the release film 305, a film obtained by applying a release agent (which may be silicone-based, fluorine-based, or non-silicone-based) to a general resin film such as PET or nylon can be used.

図４は、保護シート付きフィルム４０４の剥離帯電を示す図である。保護シート付きフィルム４０４は、取り扱い上の問題から、まず位置を合わせた上でラミネータ装置の吸着台４０１に吸着させ、この後に離型フィルム３０５を剥離する。この離型フィルム３０５を剥離する際に大きな剥離帯電が発生し、第１の粘着層３０４の表面に正の電荷が帯電し、正の帯電は第１の粘着層３０４の表面に偏在してしまう。ここで、吸着台４０１は、転写台への移動や精度といった点から通常ＳＵＳを用いるため、導電性であり装置を通じて接地されている。吸着台４０１が導電性で接地されている場合、静電誘導現象が発生し、剥離帯電により発生した静電気が見かけ上は打ち消されるため帯電が±０Ｖになり、除電ブロワ４０２等による除電は困難である。上記の理由により、複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は正に帯電しており、この状態でセンサ基板１０７上に転写、接着されることになる。 FIG. 4 is a diagram illustrating the peeling electrification of the film 404 with the protective sheet. Due to handling problems, the protective sheet-equipped film 404 is first positioned and then adsorbed on the adsorption table 401 of the laminator device, and then the release film 305 is peeled off. When the release film 305 is peeled off, a large peeling charge is generated, a positive charge is charged on the surface of the first adhesive layer 304, and the positive charge is unevenly distributed on the surface of the first adhesive layer 304. . Here, since the suction table 401 normally uses SUS in terms of movement to the transfer table and accuracy, it is conductive and grounded through the apparatus. When the suction table 401 is electrically conductive and grounded, an electrostatic induction phenomenon occurs, and the static electricity generated by the peeling charge is apparently canceled, so that the charge becomes ± 0 V, and it is difficult to remove electricity by the electricity removal blower 402 or the like. is there. For the above reason, the first adhesive layer 304 of the composite film 403 is positively charged, and is transferred and adhered onto the sensor substrate 107 in this state.

次に、図５に示すように、吸着台４０１は、転写台上に設置されているシンチレータ層１０５の形成されたセンサ基板１０７上に移動される。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４をセンサ基板１０７の端部に接触させた後、転写ロール５０１を移動回転させることにより、複合フィルム４０３をセンサ基板１０７に転写する。この際、複合フィルム４０３は吸着台４０１と接触することによる静電誘導現象により帯電していないように見えていたが、本来、複合フィルム４０３は正に帯電しており、吸着台４０１と引き離されると、静電誘導により見えていなかった静電気が発現する。この状態で、シンチレータ層１０５が形成されたセンサ基板１０７上に静電気を有する複合フィルム４０３が貼り合わせられる。図１（Ａ）及び（Ｂ）の定電位電極１１６がない場合、複合フィルム４０３の静電気の影響で、センサ基板１０７の容量変化が引き起こされ、画像にアーチファクトのノイズが発生してしまう。本実施形態では、定電位電極１１６を設けることにより、複合フィルム４０３の静電気を除去し、アーチファクトのノイズを防止する。以下、その詳細を説明する。 Next, as shown in FIG. 5, the suction table 401 is moved onto the sensor substrate 107 on which the scintillator layer 105 formed on the transfer table is formed. After the first adhesive layer 304 of the composite film 403 is brought into contact with the end of the sensor substrate 107, the composite film 403 is transferred to the sensor substrate 107 by moving and rotating the transfer roll 501. At this time, the composite film 403 seemed to be uncharged due to electrostatic induction due to contact with the suction table 401, but originally the composite film 403 is positively charged and is separated from the suction table 401. Then, static electricity that was not visible due to electrostatic induction appears. In this state, a composite film 403 having static electricity is bonded onto the sensor substrate 107 on which the scintillator layer 105 is formed. When the constant potential electrode 116 of FIGS. 1A and 1B is not provided, the capacitance of the sensor substrate 107 is changed due to the static electricity of the composite film 403, and artifact noise is generated in the image. In this embodiment, by providing the constant potential electrode 116, static electricity of the composite film 403 is removed, and artifact noise is prevented. Details will be described below.

次に、複合フィルム４０３を定電位ノード（例えば接地ノード）に接続する方法を説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）及び図６に示すように、定電位電極１１６は、センサ基板１０７に設けられる。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は、導電性を有し、センサ基板１０７上に配置した定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、フレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。これにより、第１の粘着層３０４は、定電位ノードに電気的に接続される。この構造にすることにより、複合フィルム４０３とセンサ基板１０７とを貼り合わせる際に複合フィルム４０３の表面に残留していた静電気を、導電性を有する第１の粘着層３０４を介して定電位電極１１６に接続されている定電位ノードに逃がすことができる。また、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。 Next, a method for connecting the composite film 403 to a constant potential node (for example, a ground node) will be described. As shown in FIGS. 1A and 1B and FIG. 6, the constant potential electrode 116 is provided on the sensor substrate 107. The first adhesive layer 304 of the composite film 403 has conductivity and is connected to the constant potential electrode 116 disposed on the sensor substrate 107. The constant potential electrode 116 is connected to the flexible printed board 110. The flexible printed circuit board 110 is connected to a constant potential node disposed on the circuit board 111 or 112. Thereby, the first adhesive layer 304 is electrically connected to the constant potential node. With this structure, the static electricity remaining on the surface of the composite film 403 when the composite film 403 and the sensor substrate 107 are bonded to each other is transferred to the constant potential electrode 116 via the first adhesive layer 304 having conductivity. Can be released to a constant potential node connected to. In addition, it is possible to prevent noise caused by static electricity.

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態は、第１の実施形態による放射線検出装置１１の具体例を示す。シンチレータ層（蛍光体層）１０５は、蛍光体として硫酸化ガドリニウム（ＧＯＳ）粒子を、バインダー剤としてポリビニルブチラールを用い、センサ基板１０７上にスクリーン印刷により塗布を行った。 (Second Embodiment)
The second embodiment of the present invention shows a specific example of the radiation detection apparatus 11 according to the first embodiment. The scintillator layer (phosphor layer) 105 was applied on the sensor substrate 107 by screen printing using gadolinium sulfate (GOS) particles as a phosphor and polyvinyl butyral as a binder.

次に、図３の複合フィルム４０３について説明する。保護層３０１として、ＰＥＴフィルム５０μｍ上にウレタン系接着剤を介してＡｌ箔を貼り合わせたものを使用した。第２の粘着層３０２として、厚さ２５μｍのリンテック社製アクリル系粘着剤を使用した。反射層３０３として、東レ社製ＰＥＴフィルムＥ２０（厚さ１８８μｍ）を使用した。第１の粘着層３０４として、厚さ２５μｍのタニムラ株式会社製ＭＫ−ＡＰＴ粘着シート（１．０×１０⁹Ω／□）を使用した。また、複合フィルム４０３を保護するための離型フィルム３０５として、シリコーン系離型剤を塗布した厚さ７５μｍのＰＥＴフィルムを使用し、保護シート付きフィルム４０４を形成した。 Next, the composite film 403 in FIG. 3 will be described. As the protective layer 301, a PET film having a thickness of 50 μm bonded with an Al foil through a urethane adhesive was used. As the second adhesive layer 302, an acrylic adhesive having a thickness of 25 μm manufactured by Lintec Corporation was used. As the reflective layer 303, Toray's PET film E20 (thickness: 188 μm) was used. As the first adhesive layer 304, an MK-APT adhesive sheet (1.0 × 10 ⁹ Ω / □) made by Tanimura Co., Ltd. having a thickness of 25 μm was used. Further, as the release film 305 for protecting the composite film 403, a 75 μm-thick PET film coated with a silicone release agent was used to form a film 404 with a protective sheet.

次に、図４に示すように、保護シート付きフィルム４０４をラミネータの吸着台４０１に吸着させ、離型フィルム３０５を剥離した。この際、剥離フィルム３０５は、負に帯電し、複合フィルム４０３（第１の粘着層３０４）は正に帯電するが、静電誘導により、複合フィルム４０３は帯電していないように見えるため、除電ブロワ４０２により完全に除電することはできない。 Next, as shown in FIG. 4, the film 404 with a protective sheet was adsorbed on an adsorption table 401 of a laminator, and the release film 305 was peeled off. At this time, the release film 305 is negatively charged and the composite film 403 (first adhesive layer 304) is positively charged. However, since the composite film 403 appears to be uncharged by electrostatic induction, The blower 402 cannot completely eliminate the charge.

次に、図５に示すように、シンチレータ層１０５を形成したセンサ基板１０７上に複合フィルム４０３の貼り合わせを行う。センサ基板１０７として、０．７ｍｍの厚さのガラス上にＰＩＮ型センサ（光電変換素子）を形成した。 Next, as shown in FIG. 5, the composite film 403 is bonded onto the sensor substrate 107 on which the scintillator layer 105 is formed. As the sensor substrate 107, a PIN type sensor (photoelectric conversion element) was formed on glass having a thickness of 0.7 mm.

この際、複合フィルム４０３（第１の粘着層３０４）を定電位電極１１６に接続する。これにより、複合フィルム４０３とセンサ基板１０７とを貼り合わせる際に複合フィルム４０３の表面に残留していた静電気を、導電性を有する第１の粘着層３０４を介して定電位電極１１６に接続されている定電位ノードに逃がすことができる。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。 At this time, the composite film 403 (first adhesive layer 304) is connected to the constant potential electrode 116. As a result, the static electricity remaining on the surface of the composite film 403 when the composite film 403 and the sensor substrate 107 are bonded together is connected to the constant potential electrode 116 via the first adhesive layer 304 having conductivity. It is possible to escape to a certain constant potential node. As a result, artifact noise due to static electricity can be prevented.

（第３の実施形態）
図１（Ｃ）は本発明の第３の実施形態による放射線検出装置１１の構成例を示す断面図であり、図７は図１（Ｃ）の放射線検出装置１１のレイアウトパターンを示す図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。本実施形態は、第１の実施形態に対して、導電層１１４及び基板保護層１０１を追加したものである。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。 (Third embodiment)
FIG. 1C is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the radiation detection apparatus 11 according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a diagram illustrating a layout pattern of the radiation detection apparatus 11 of FIG. . FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. In the present embodiment, a conductive layer 114 and a substrate protective layer 101 are added to the first embodiment. Hereinafter, the points of the present embodiment different from the first embodiment will be described.

導電層１１４は、センサ基板１０７の光電変換部１１３を覆うように、センサ基板１０７の上に形成される。基板保護層１０１は、導電層１１４及びシンチレータ層１０５の間に形成される。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は、センサ基板１０７上に配置された導電層１１４に接続される。導電層１１４は、定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、フレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。第１の粘着層３０４の少なくとも一部が、導電層１１４又は定電位電極１１６に接続されていればよい。基板保護層１０１は、センサ基板１０７の表面や導電層１１４をシンチレータ層１０５から保護する目的で設けられる。なお、基板保護層１０１は、図８のように、削除してもよい。 The conductive layer 114 is formed on the sensor substrate 107 so as to cover the photoelectric conversion unit 113 of the sensor substrate 107. The substrate protective layer 101 is formed between the conductive layer 114 and the scintillator layer 105. The first adhesive layer 304 of the composite film 403 is connected to the conductive layer 114 disposed on the sensor substrate 107. The conductive layer 114 is connected to the constant potential electrode 116. The constant potential electrode 116 is connected to the flexible printed board 110. The flexible printed circuit board 110 is connected to a constant potential node disposed on the circuit board 111 or 112. It is sufficient that at least a part of the first adhesive layer 304 is connected to the conductive layer 114 or the constant potential electrode 116. The substrate protective layer 101 is provided for the purpose of protecting the surface of the sensor substrate 107 and the conductive layer 114 from the scintillator layer 105. The substrate protective layer 101 may be deleted as shown in FIG.

導電層１１４は、光電変換部１１３上に配置されるので、シンチレータ層１０５により変換された光に対して透明であり導電性を有することが好ましい。例えば、導電層１１４は、波長５００〜６００ｎｍの領域において光透過率が５０％以上であり、表面抵抗率が１．０×１０¹²Ω／□以下であることが好ましい。この場合、シンチレータ層１０５による光を効率的に受光するために、導電層１１４の厚さは１μｍ以下であることが好ましい。例えば、導電層１１４は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＺｎＯ（酸化亜鉛）や酸化インジウム等の無機物やポリアセチレンやポリチオフェン、ポリピロール等の導電性を有する有機物が好ましい。導電層１１４の作成方法としては、真空蒸着やＣＶＤ等の真空チャンバー中で成膜する方法と、スクリーン印刷やスリットコート等の塗布により成膜する方法とのいずれでもよい。なお、図７では、導電層１１４は、複合フィルム４０３の外側にはみ出しているが、複合フィルム４０３に被覆されていてもよい。 Since the conductive layer 114 is disposed on the photoelectric conversion portion 113, it is preferable that the conductive layer 114 is transparent to the light converted by the scintillator layer 105 and has conductivity. For example, the conductive layer 114 preferably has a light transmittance of 50% or more in a wavelength region of 500 to 600 nm and a surface resistivity of 1.0 × 10 ¹² Ω / □ or less. In this case, in order to efficiently receive light from the scintillator layer 105, the thickness of the conductive layer 114 is preferably 1 μm or less. For example, the conductive layer 114 is preferably an inorganic substance such as ITO (indium tin oxide), ZnO (zinc oxide), or indium oxide, or an organic substance having conductivity such as polyacetylene, polythiophene, or polypyrrole. As a method for forming the conductive layer 114, either a method of forming a film in a vacuum chamber such as vacuum deposition or CVD, or a method of forming a film by application such as screen printing or slit coating may be used. In FIG. 7, the conductive layer 114 protrudes outside the composite film 403, but may be covered with the composite film 403.

次に、複合フィルム４０３と定電位ノードとの接続について説明する。複合フィルム４０３の第１の粘着層３０４は、導電層１１４に接続される。導電層１１４は、定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、ＡＣＦ（異方導電フィルム）を介してフレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、ＡＣＦを介して回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。これにより、複合フィルム４０３は、定電位ノードに接続される。なお、第１の粘着層３０４による粘着のみでは十分な耐久性を得ることができない場合には、金属製のネジを用いて、複合フィルム４０３を接着させてもよい。 Next, connection between the composite film 403 and the constant potential node will be described. The first adhesive layer 304 of the composite film 403 is connected to the conductive layer 114. The conductive layer 114 is connected to the constant potential electrode 116. The constant potential electrode 116 is connected to the flexible printed circuit board 110 via an ACF (anisotropic conductive film). The flexible printed circuit board 110 is connected to a constant potential node disposed on the circuit board 111 or 112 via the ACF. Thereby, the composite film 403 is connected to the constant potential node. Note that in the case where sufficient durability cannot be obtained only by the adhesion by the first adhesive layer 304, the composite film 403 may be bonded using a metal screw.

これにより、複合フィルム４０３とセンサ基板１０７とを貼り合わせる際に複合フィルム４０３の表面に残留していた静電気を、導電性を有する第１の粘着層３０４を介して定電位ノードに逃がすことができる。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。 Thereby, the static electricity remaining on the surface of the composite film 403 when the composite film 403 and the sensor substrate 107 are bonded together can be released to the constant potential node through the first adhesive layer 304 having conductivity. . As a result, artifact noise due to static electricity can be prevented.

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態は、第３の実施形態による放射線検出装置１１の具体例を示す。本実施形態は、第３の実施形態と同様に、複合フィルム４０３（第１の粘着層３０４）の表面に帯電した静電気を、導電層１１４を介して定電位電極１１６に接続された定電位ノードに逃がすことができる。以下、本実施形態が第２の実施形態と異なる点を説明する。 (Fourth embodiment)
The fourth embodiment of the present invention shows a specific example of the radiation detection apparatus 11 according to the third embodiment. In the present embodiment, as in the third embodiment, a constant potential node in which static electricity charged on the surface of the composite film 403 (first adhesive layer 304) is connected to the constant potential electrode 116 through the conductive layer 114. Can escape. Hereinafter, the points of the present embodiment different from the second embodiment will be described.

導電層１１４として、ＩＴＯを使用した。ＩＴＯの成膜方法は、光電変換部１１３と定電位電極１１６とを含む領域をマスクしたセンサ基板１０７を準備し、ＣＶＤを用いて所定の領域にＩＴＯ膜を形成した。 ITO was used as the conductive layer 114. As a method for forming the ITO, a sensor substrate 107 masking a region including the photoelectric conversion unit 113 and the constant potential electrode 116 was prepared, and an ITO film was formed in a predetermined region using CVD.

また、シンチレータ層１０５として、ＣｓＩを使用した。そのため、図７に示すように、センサ基板１０７の保護のため、基板保護層１０１で光電変換部１１３全面を被覆し、かつ複合フィルム４０３よりも狭い領域に、かつ定電位電極１１６に接さない領域に基板保護層１０１を配置した。基板保護層１０１として、高い耐熱性を有するポリイミド樹脂を使用した。 In addition, CsI was used as the scintillator layer 105. Therefore, as shown in FIG. 7, in order to protect the sensor substrate 107, the entire surface of the photoelectric conversion unit 113 is covered with the substrate protective layer 101 and is not in contact with the constant potential electrode 116 in a region narrower than the composite film 403. The substrate protective layer 101 is disposed in the region. A polyimide resin having high heat resistance was used as the substrate protective layer 101.

図１（Ｃ）及び図７において、光電変換部１１３の点ＡＡでの断面は、下から順に、光電変換部１１３−導電層１１４−基板保護層１０１−シンチレータ層１０５−複合フィルム４０３の順に積層されている。複合フィルム４０３は、導電層１１４に接続されており、複合フィルム４０３の静電気は定電位電極１１６を介して定電位ノードに放出される。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。 In FIG. 1C and FIG. 7, the cross section at the point AA of the photoelectric conversion unit 113 is laminated in order of the photoelectric conversion unit 113 -the conductive layer 114 -the substrate protective layer 101 -the scintillator layer 105 -the composite film 403 from the bottom. Has been. The composite film 403 is connected to the conductive layer 114, and static electricity of the composite film 403 is released to the constant potential node through the constant potential electrode 116. As a result, artifact noise due to static electricity can be prevented.

（第５の実施形態）
図１（Ｄ）は本発明の第５の実施形態による放射線検出装置１１の構成例を示す断面図であり、図９は図１（Ｄ）の放射線検出装置１１のレイアウトパターンを示す図である。図１（Ｄ）は、図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。本実施形態は、第２の実施形態に対して、導電層１１４を追加したものである。 (Fifth embodiment)
FIG. 1D is a cross-sectional view showing a configuration example of the radiation detection apparatus 11 according to the fifth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing a layout pattern of the radiation detection apparatus 11 of FIG. . FIG. 1D is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. In this embodiment, a conductive layer 114 is added to the second embodiment.

導電層１１４は、第３の実施形態（図１（Ｃ））に対して、位置が異なる。導電層１１４は、シンチレータ層１０５の境界部付近にのみ形成され、光電変換部１１３上には形成されない。この場合、導電層１１４は、シンチレータ層１０５により変換された光を透過する必要がないため、必ずしも透明である必要はない。導電層１１４は、環境保全や製造コストに鑑みると、インジウムのような高価なレアメタルの使用を抑えることができ、例えば導電性の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属を使用することが可能であり、厚さも任意である。 The position of the conductive layer 114 is different from that of the third embodiment (FIG. 1C). The conductive layer 114 is formed only near the boundary of the scintillator layer 105 and is not formed on the photoelectric conversion unit 113. In this case, the conductive layer 114 is not necessarily transparent because it is not necessary to transmit the light converted by the scintillator layer 105. The conductive layer 114 can suppress the use of expensive rare metals such as indium in view of environmental protection and manufacturing costs, and can use, for example, highly conductive metals such as Al, Cu, Au, and Ag. The thickness is also arbitrary.

光電変換部１１３上には、導電層１１４が形成されず、シンチレータ層１０５が形成される。そのため、図１（Ｃ）の保護層１０１が不要である。第３の実施形態と同様に、シンチレータ層１０５の第１の粘着層３０４は、導電層１１４に接続される。導電層１１４は、定電位電極１１６に接続される。定電位電極１１６は、フレキシブルプリント基板１１０に接続される。フレキシブルプリント基板１１０は、回路基板１１１又は１１２に配置された定電位ノードに接続される。 On the photoelectric conversion unit 113, the conductive layer 114 is not formed, and the scintillator layer 105 is formed. Therefore, the protective layer 101 in FIG. 1C is unnecessary. Similar to the third embodiment, the first adhesive layer 304 of the scintillator layer 105 is connected to the conductive layer 114. The conductive layer 114 is connected to the constant potential electrode 116. The constant potential electrode 116 is connected to the flexible printed board 110. The flexible printed circuit board 110 is connected to a constant potential node disposed on the circuit board 111 or 112.

複合フィルム４０３は、定電位ノードに接続されるので、複合フィルム４０３の静電気は定電位ノードに放出される。その結果、静電気起因のアーチファクトのノイズを防止することができる。 Since the composite film 403 is connected to the constant potential node, static electricity of the composite film 403 is discharged to the constant potential node. As a result, artifact noise due to static electricity can be prevented.

（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態は、第５の実施形態による放射線検出装置１１の具体例を示す。以下、本実施形態が第４の実施形態と異なる点を説明する。導電層１１４として、Ａｌを使用した。本実施形態では、導電層１１４として、ＩＴＯの様な高価な透明材料を用いる必要がなく、また、自由度の高い場所に定電位電極１１６を配置することができる。 (Sixth embodiment)
The sixth embodiment of the present invention shows a specific example of the radiation detection apparatus 11 according to the fifth embodiment. Hereinafter, differences of this embodiment from the fourth embodiment will be described. As the conductive layer 114, Al was used. In this embodiment, it is not necessary to use an expensive transparent material such as ITO as the conductive layer 114, and the constant potential electrode 116 can be disposed at a place with a high degree of freedom.

（第７の実施形態）
図２（Ａ）は本発明の第７の実施形態による放射線検出装置１１の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の放射線検出装置１１の線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。本実施形態は、第１の実施形態（図１（Ａ）及び（Ｂ））に対して、定電位電極１１６を削除し、複合フィルム４０３に延長部４０５を追加したものである。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。 (Seventh embodiment)
FIG. 2A is a top view of the radiation detection apparatus 11 according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross section taken along line XX of the radiation detection apparatus 11 of FIG. FIG. In the present embodiment, the constant potential electrode 116 is deleted from the first embodiment (FIGS. 1A and 1B), and an extension portion 405 is added to the composite film 403. Hereinafter, the points of the present embodiment different from the first embodiment will be described.

延長部４０５は、複合フィルム４０３の一部が引き出された部位である。複合フィルム４０３の延長部４０５は、直接、回路基板１１１又は１１２の定電位ノードに接続される。具体的には、延長部４０５の導電性を有する第１の粘着層３０４は、直接、回路基板１１１又は１１２の定電位ノードに接続される。そのため、本実施形態は、導電層１１４や定電位層１１６を配置する必要がなく、半導体チップ１０７の製造コストを低減することができる。 The extension part 405 is a part from which a part of the composite film 403 is drawn. The extension 405 of the composite film 403 is directly connected to the constant potential node of the circuit board 111 or 112. Specifically, the first adhesive layer 304 having conductivity of the extension 405 is directly connected to the constant potential node of the circuit board 111 or 112. Therefore, in this embodiment, it is not necessary to arrange the conductive layer 114 and the constant potential layer 116, and the manufacturing cost of the semiconductor chip 107 can be reduced.

複合フィルム４０３の静電気は、延長部４０５の第１の粘着層３０４を通り、回路基板１１１の定電位ノードに放出される。本実施形態では、センサ基板１０７上に定電位電極１１６や導電層１１４を形成する必要がなくなるため、低コストで、効果的に静電気を除去することができる。 The static electricity of the composite film 403 passes through the first adhesive layer 304 of the extension 405 and is released to the constant potential node of the circuit board 111. In the present embodiment, it is not necessary to form the constant potential electrode 116 and the conductive layer 114 on the sensor substrate 107, so that static electricity can be effectively removed at low cost.

（第８の実施形態）
図１０は、本発明の第８の実施形態による放射線検出システムの構成例を示す図である。放射線検出システムは、放射線検出装置６０４０を有する。放射線検出装置６０４０は、第１〜第７の実施形態の放射線検出装置１１に対応する。Ｘ線チューブ６０５０は、放射線源であり、Ｘ線６０６０を発生する。Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、前述の放射線撮像装置１１に代表される放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータ層１０５は発光し、これを光電変換部１１３の光電変換素子で光電変換して、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され、信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され、コントロールルーム（制御室）の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。 (Eighth embodiment)
FIG. 10 is a diagram showing a configuration example of a radiation detection system according to the eighth embodiment of the present invention. The radiation detection system includes a radiation detection device 6040. The radiation detection device 6040 corresponds to the radiation detection device 11 of the first to seventh embodiments. The X-ray tube 6050 is a radiation source and generates X-rays 6060. X-rays 6060 generated by the X-ray tube 6050 pass through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and enter the radiation detection device 6040 typified by the radiation imaging device 11 described above. This incident X-ray includes information inside the body of the subject 6061. The scintillator layer 105 emits light in response to the incidence of X-rays, and this is photoelectrically converted by the photoelectric conversion element of the photoelectric conversion unit 113 to obtain electrical information. This information is converted into digital data, subjected to image processing by an image processor 6070 serving as a signal processing unit, and can be observed on a display 6080 serving as a display unit in a control room (control room).

また、この情報は、電話回線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどの表示手段となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。 Further, this information can be transferred to a remote place by transmission processing means such as a telephone line 6090 and can be displayed on a display 6081 serving as a display means such as a doctor room in another place or stored in a recording means such as an optical disk. A remote doctor can also make a diagnosis. This information can also be recorded on a film 6110 serving as a recording medium by a film processor 6100 serving as a recording means.

なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。 The above-described embodiments are merely examples of implementation in carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention should not be construed in a limited manner. That is, the present invention can be implemented in various forms without departing from the technical idea or the main features thereof.

１１放射線検出装置、１０５シンチレータ層、１０７センサ基板、１１３光電変換部、３０４第１の粘着層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Radiation detection apparatus, 105 scintillator layer, 107 sensor board | substrate, 113 photoelectric conversion part, 304 1st adhesion layer

Claims

A substrate having a photoelectric conversion unit for converting light into electric charge;
A scintillator layer formed on the substrate for converting radiation into light;
A first adhesive layer formed on the scintillator layer,
The radiation detecting apparatus, wherein the first adhesive layer has conductivity.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the first adhesive layer is electrically connected to a constant potential node.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the first adhesive layer has a surface resistivity of 1.0 × 10 ¹² Ω / □ or less.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the first adhesive layer has a light transmittance of 50% or more in a wavelength region of 500 to 600 nm.

Furthermore, it has a reflective layer currently formed on the said 1st adhesion layer, The radiation detection apparatus of any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.

The radiation detecting apparatus according to claim 5, further comprising a second adhesive layer formed on the reflective layer.

The radiation detection apparatus according to claim 6, further comprising a protective layer formed on the second adhesive layer.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the first adhesive layer is connected to an electrode of the substrate.

And a conductive layer formed on the substrate,
The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the first adhesive layer is connected to the conductive layer.

The radiation detecting apparatus according to claim 9, wherein the conductive layer is formed so as to cover a photoelectric conversion portion of the substrate.

The radiation detection apparatus according to claim 10, wherein the conductive layer has a light transmittance of 50% or more in a wavelength region of 500 to 600 nm.

The radiation detection apparatus according to claim 9, wherein a surface resistivity of the conductive layer is 1.0 × 10 ¹² Ω / □ or less.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the first adhesive layer is connected to a circuit board.

The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the photoelectric conversion unit includes a plurality of pixels including photoelectric conversion elements that convert light into electric charges in a matrix.

The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 14,
A radiation detection system comprising a radiation source for generating radiation.