JP2017049048A - 圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 - Google Patents

Abstract

【課題】機械的強度の低下を低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供する。
【解決手段】圧力センサー１は、ダイアフラム２４を有する基板２と、空洞部Ｓと、空洞部Ｓの周囲を囲む配線部４２１、４４１と、配線部４２１、４４１の間に配置された充填部４７と、を有している。また、配線部４２１は、基板２と接続される第１コンタクト部４２１ａを有し、配線部４４１は、配線部４２１と接続される第２コンタクト部４４１ａを有している。また、第２コンタクト部４４１ａは、第１コンタクト部４２１ａと接続される第１コンタクト片４４１ａ’と、第１コンタクト片４４１ａ’よりも空洞部Ｓと反対側で配線部４２１と接続される第２コンタクト片４４１ａ”と、を有し、これら第１、第２コンタクト片４４１ａ’、４４１ａ”の間に充填部４７が配置されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体に関するものである。

従来から、圧力センサーとして、特許文献１に記載の構成が知られている。特許文献１の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、基板上に配置された周囲構造体と、を有し、これらの間に圧力基準室が形成されている。また、圧力基準室の周囲には、製造時のエッチングに対する耐性を有するガードリング（第１、第２導電層および被覆層）が設けられている。

このような構成の圧力センサーでは、製造工程の途中までは圧力基準室（ガードリングの内側）が犠牲層で埋まっており、この犠牲層を被覆層の貫通孔を介して除去することで圧力基準室が形成される。

ここで、犠牲層の除去は、ウェットエッチングにより行うが、犠牲層をより確実に除去するために、長時間のウェットエッチングが必要となる。そのため、周囲構造体の圧力基準室以外の箇所にもエッチング液が滲み込んでしまい、犠牲層以外の箇所（除去しない箇所）が不本意に除去されるおそれがある。特に、ガードリングの周囲にエッチング液が滲み込み易く、これにより、ガードリングの一部が周囲構造体から剥がれてしまい、ガードリングの機械的強度が低下するおそれがある。このように、ガードリングの機械的強度が低下すると、圧力基準室が潰れ易くなり、圧力検知精度が低下する。

特開２０１４−３０８７８号公報

本発明の目的は、機械的強度の低下を低減することのできる圧力センサー、この圧力センサーを備えた信頼性の高い高度計、電子機器および移動体を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の圧力センサーは、ダイアフラムを有する基板と、
前記ダイアフラムの一方側に位置する圧力基準室と、
前記基板上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第１配線部と、
前記第１配線部上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第２配線部と、
前記第１配線部と前記第２配線部との間に配置された充填部と、を有し、
前記第１配線部は、前記基板と接続される第１コンタクト部を有し、
前記第２配線部は、前記第１配線部と接続される第２コンタクト部を有し、
前記第２コンタクト部は、前記第１配線部の前記第１コンタクト部と接続される第１コンタクト片と、前記第１コンタクト片よりも前記圧力基準室と反対側で前記第１配線部と接続される第２コンタクト片と、を有し、
前記充填部は、前記第１コンタクト片と前記第２コンタクト片との間に配置されていることを特徴とする。
これにより、機械的強度の低下を低減することのできる圧力センサーが得られる。

本発明の圧力センサーでは、前記第１配線部は、前記第１コンタクト部の周囲に配置される第１フランジ部を有し、
前記第２コンタクト片は、前記第１フランジ部と接続されることが好ましい。
これにより、第１コンタクト片および第２コンタクト片の設置スペースを容易に確保することができる。また、第１コンタクト部の大型化を低減することができる。

本発明の圧力センサーでは、前記圧力基準室を挟んで前記基板と対向配置されている被覆部を有し、
前記被覆部は、前記第２配線部から形成され、
前記第２配線部の前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分は、前記第１配線部と非接触であることが好ましい。
これにより、前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分に段差が生じ難くなる。

本発明の圧力センサーでは、前記第２配線部の縦断面視で、前記第２配線部の前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分は、３以下の屈曲部を有することが好ましい。
これにより、前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分に凹部が生じ難くなる。

本発明の圧力センサーでは、前記第２配線部の縦断面視で、前記第２配線部の前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分の前記圧力基準室と反対側の面は、連続した面で構成されていることが好ましい。
これにより、前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分に段差が生じ難くなる。

本発明の圧力センサーでは、前記充填部は、前記第１配線部と前記第２配線部とで覆われていることが好ましい。
これにより、第１配線部および第２配線部の機械的強度をより高めることができる。

本発明の高度計は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い高度計が得られる。

本発明の電子機器は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

本発明の移動体は、本発明の圧力センサーを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い移動体が得られる。

本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。 図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。 図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。 図１に示す圧力センサーの部分拡大断面図である。 図１に示す圧力センサーの変形例を示す部分拡大断面図である。 図１に示す圧力センサーの変形例を示す部分拡大断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。 図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。 本発明の高度計の一例を示す斜視図である。 本発明の電子機器の一例を示す正面図である。 本発明の移動体の一例を示す斜視図である。

以下、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーについて説明する。

図１は、本発明の第１実施形態に係る圧力センサーの断面図である。図２は、図１に示す圧力センサーが有する圧力センサー部を示す平面図である。図３は、図２に示す圧力センサー部を含むブリッジ回路を示す図である。図４は、図１に示す圧力センサーの部分拡大断面図である。図５および図６は、それぞれ、図１に示す圧力センサーの変形例を示す部分拡大断面図である。図７ないし図１２は、ぞれぞれ、図１に示す圧力センサーの製造方法を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。

図１に示す圧力センサー１は、基板２と、圧力センサー部３と、周囲構造体４と、空洞部Ｓと、を有する。以下、これら各部について順に説明する。

［基板］
基板２は、Ｓｉ（シリコン）基板である半導体基板２１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）で構成された第１絶縁膜２２と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で構成された第２絶縁膜２３と、をこの順に積層することで構成されている。ただし、半導体基板２１としては、Ｓｉ基板に限定されず、例えば、ＳＯＩ基板（Ｓｉ層、ＳｉＯ_２層、Ｓｉ層がこの順で積層している基板）を用いることもできる。また、第１絶縁膜２２や第２絶縁膜２３についても、エッチング耐性と絶縁性とを発揮することができれば、材料は特に限定されない。また、第１絶縁膜２２や第２絶縁膜２３は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。

また、半導体基板２１には、周囲の部分よりも薄肉であり、受圧によって撓み変形するダイアフラム２４が設けられている。このダイアフラム２４は、半導体基板２１の下面に開放する有底の凹部２５を設けることで凹部２５の底部に形成され、ダイアフラム２４の下面（凹部２５の底面）が受圧面２４１となっている。

このような半導体基板２１上およびその上方には圧力センサー部３と電気的に接続された図示しない半導体回路（回路）が作り込まれている。この半導体回路には、必要に応じて形成されたＭＯＳトランジスタ等の能動素子、キャパシタ、インダクタ、抵抗、ダイオードおよび配線等の回路要素が含まれている。ただし、このような半導体回路は、省略してもよい。

［圧力センサー部］
圧力センサー部３は、図２に示すように、ダイアフラム２４に設けられている４つのピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４を有する。また、ピエゾ抵抗素子３１〜３４は、配線等を介して、互いに電気的に接続され、図３に示すブリッジ回路３０（ホイートストンブリッジ回路）を構成して半導体回路と接続されている。

ブリッジ回路３０には駆動電圧ＡＶＤＣを供給する駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、ブリッジ回路３０は、ダイアフラム２４の撓みに基づくピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４の抵抗値変化に応じた信号（電圧）を出力する。なお、ピエゾ抵抗素子３１、３２、３３、３４は、それぞれ、例えば、半導体基板２１にリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。また、これらピエゾ抵抗素子３１〜３４を接続する配線は、例えば、半導体基板２１に、ピエゾ抵抗素子３１〜３４よりも高濃度でリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散または注入）することで構成されている。

［空洞部］
空洞部Ｓは、図１に示すように、基板２と周囲構造体４とに囲まることで画成されている。このような空洞部Ｓは、密閉された空間であり、圧力センサー１が検出する圧力の基準値となる圧力基準室として機能する。また、空洞部Ｓは、ダイアフラム２４の受圧面２４１とは反対側に位置し、ダイアフラム２４と重なるように配置されている。ここで、空洞部Ｓは、真空状態（例えば、１０Ｐａ以下程度）であることが好ましい。これにより、圧力センサー１を、真空を基準として圧力を検出する所謂「絶対圧センサー」として用いることができる。これにより、利便性の高い圧力センサー１となる。ただし、空洞部Ｓは、一定の圧力に保たれていれば、真空状態でなくてもよい。

［周囲構造体］
基板２と共に空洞部Ｓを画成する周囲構造体４は、図１に示すように、層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置された配線層４２と、配線層４２および層間絶縁膜４１上に配置された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に配置された配線層４４と、配線層４４および層間絶縁膜４３上に配置された表面保護膜４５と、配線層４４および表面保護膜４５上に配置された封止層４６と、を有する。

なお、後述する圧力センサー１の製造方法でも説明するが、圧力センサー１の製造工程の途中までは、空洞部Ｓは、層間絶縁膜４１、４３からなる犠牲層で埋まっている（図９参照）。そして、この犠牲層をウェットエッチング等で除去することで空洞部Ｓが形成される。以下、この工程を「リリースエッチング工程」とも言う。

配線層４２は、空洞部Ｓを囲んで配置された枠状の配線部（第１配線部）４２１と、前記半導体回路の配線を構成する回路用配線部４２２と、を有する。同様に、配線層４４は、空洞部Ｓを囲んで配置された枠状の配線部（第２配線部）４４１と、前記半導体回路の配線を構成する回路用配線部４４２と、を有する。前記半導体回路は、回路用配線部４２２、４４２によって周囲構造体４の上面に引き出され、回路用配線部４４２の一部が外部接続用の接続端子４４２’となって表面保護膜４５から露出している。

図４は、配線部４２１、４４１を詳細に示す拡大図である。同図に示すように、配線部４２１は、層間絶縁膜４１を貫通して設けられ、基板２と接続された凹状の第１コンタクト部４２１ａと、層間絶縁膜４１上に設けられ、第１コンタクト部４２１ａの周囲に配置された第１フランジ部４２１ｂと、を有する。また、第１フランジ部４２１ｂは、第１コンタクト部４２１ａよりも空洞部Ｓ側に位置する内側部４２１ｂ’と、空洞部Ｓと反対側に位置する外側部４２１ｂ”と、を有する。

一方、配線部４４１は、層間絶縁膜４３を貫通して設けられ、配線部４２１と接続された第２コンタクト部４４１ａと、層間絶縁膜４３上に設けられ、第１コンタクト部４２１ａの周囲に配置された第２フランジ部４４１ｂと、を有する。また、第２コンタクト部４４１ａは、配線部４２１の第１コンタクト部４２１ａ上に位置し、第１コンタクト部４２１ａと接続された凹状の第１コンタクト片４４１ａ’と、配線部４２１の外側部４２１ｂ”上に位置し、外側部４２１ｂ”と接続された凹状の第２コンタクト片４４１ａ”と、を有する。

また、配線部４２１、４４１に囲まれた領域Ｓ１（第１コンタクト片４４１ａ’と第２コンタクト片４４１ａ”との間）には、図４に示すように、充填部４７が配置されている。この充填部４７は、配線部４２１、４４１を補強する補強材として機能する。また、充填部４７は、層間絶縁膜４３の一部で構成されている。これにより、充填部４７と層間絶縁膜４３とを一括で形成することができるため、圧力センサー１の製造が容易となると共に、圧力センサー１の装置構成が簡単となる。

配線層４４は、さらに、空洞部Ｓの内外を連通する複数の細孔（貫通孔）４４４を備えた被覆層（被覆部）４４３を有する。被覆層４４３は、配線部４４１から延出して設けられ、空洞部Ｓを挟んでダイアフラム２４と対向配置されている。複数の細孔４４４は、前述したリリースエッチング工程の際に、空洞部Ｓにエッチング液を侵入させるリリースエッチング用の孔である。このような被覆層４４３上には封止層（封止部）４６が配置されており、この封止層４６によって細孔４４４が封止されている。なお、封止層４６による細孔４４４の封止は、リリースエッチング工程を終え、空洞部Ｓ内を所定の雰囲気にした状態で行われる。

表面保護膜４５は、周囲構造体４を水分、ゴミ、傷などから保護する機能を有する。このような表面保護膜は、被覆層４４３の細孔４４４を塞がないように、層間絶縁膜４３および配線層４４上に配置されている。

このような周囲構造体４のうち、層間絶縁膜４１、４３および充填部４７としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）等の絶縁膜を用いることができる。また、配線層４２、４４としては、例えば、アルミニウム膜等の金属膜を用いることができる。また、封止層４６としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ等の金属膜を用いることができる。また、表面保護膜４５としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド膜、エポキシ樹脂膜などを用いることができる。

以上、周囲構造体４について説明した。このような周囲構造体４によれば、次のような効果を発揮することができる。

前述したように、配線部４４１の第２コンタクト部４４１ａが、第１コンタクト片４４１ａ’および第２コンタクト片４４１ａ”を有し、さらに、第１、第２コンタクト片４４１ａ’、４４１ａ”の間に充填部４７が配置されているため、配線部４２１、４４１の機械的強度を高めることができる。そのため、空洞部Ｓが潰れ難くなり、圧力検知精度の低下を低減することができる。

特に、本実施形態では、充填部４７は、その全域が配線部４２１、４４１によって液密的に覆われている。そのため、前述したリリースエッチング工程の際にエッチング液と触れることがなく、エッチングによるダメージを受けることがない。したがって、上述した効果をより確実に発揮することができる。

また、前述したように、第１コンタクト片４４１ａ’が第１コンタクト部４２１ａと接続されており、第２コンタクト片４４１ａ”が第１フランジ部４２１ｂ（外側部４２１ｂ”）と接続されているため、これら第１、第２コンタクト片４４１ａ’、４４１ａ”を十分に離間させて配置することができる。そのため、充填部４７を比較的大きくすることができ、その分、充填部４７の補強効果を高めることができる。そのため、当該部分の機械的強度をより高めることができる。

また、前述したように、配線部４４１の第２コンタクト部４４１ａは、第１コンタクト部４２１ａと接続された第１コンタクト片４４１ａ’と、第１フランジ部４２１ｂの外側部４２１ｂ”と接続された第２コンタクト片４４１ａ”と、を有している。言い換えれば、第２コンタクト部４４１ａは、図５に示すような、第１フランジ部４２１ｂの内側部４２１ｂ’に接続されたコンタクト片Ｘを有しておらず、被覆層４４３と第１コンタクト片４４１ａ’との間の部分は、配線部４２１と接触していない（非接触である）。コンタクト片Ｘが接続された内側部４２１ｂ’は、空洞部Ｓに臨んでおり、下方から支えられていないため、変形し易い。そのため、仮に、コンタクト片Ｘを有すると、コンタクト片Ｘを介して内側部４２１ｂ’に応力が加わり易くなり、空洞部Ｓが変形し易くなる。その結果、圧力センサー１の圧力検知精度が低下するおそれがある。これに対して、本実施形態ではコンタクト片Ｘを有さないため、空洞部Ｓの変形がより生じ難く、圧力検知精度の低下をより低減することができる。

また、配線部４４１が前述したコンタクト片Ｘを有していないため、配線部４４１の縦断面視で、配線部４４１の被覆層４４３と第１コンタクト片４４１ａ’との間の部分４４１０に凹みが形成されない。言い換えると、部分４４１０の上面（空洞部Ｓと反対側の面）が連続した面で構成されている。このような構成とすることで、空洞部Ｓ付近での応力集中を低減することができ、空洞部Ｓの変形をより効果的に低減することができる。なお、本実施形態のように、部分４４１０が連続した面で構成されている場合の他、図６に示すように、部分４４１０が３つ以下（図示の構成では３つ）の屈曲部４４１１を有する構成となっていてもよい。このような構成によっても凹みが形成され難く、本実施形態と同様の効果を発揮することができる。

このように、空洞部Ｓ付近に凹みが形成されないことにより、配線部４４１上に成膜される表面保護膜４５および封止層４６のステップカバレッジ（段差被覆性）の悪化を低減することができる。そのため、空洞部Ｓ付近において、より均質（厚みが一定）な表面保護膜４５および封止層４６を形成することができ、特に、空洞部Ｓの気密性をより確実に維持することができる。

なお、本実施形態の効果を説明するために図５の構成を比較対象としたが、圧力センサー１では、第１、第２コンタクト片４４１ａ’、４４１ａ”を有していればよく、コンタクト片Ｘの有無は問わない。すなわち、図５に示すように、コンタクト片（第３コンタクト片）Ｘを有していてもよい。

次に、圧力センサー１の製造方法について簡単に説明する。
まず、図７に示すように、シリコン基板である半導体基板２１を用意し、半導体基板２１に圧力センサー部３を形成する。次に、図８に示すように、半導体基板２１上に第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３を成膜する。

次に、図９に示すように、半導体基板２１上に、層間絶縁膜４１、配線層４２、層間絶縁膜４３および配線層４４、表面保護膜４５を順に形成する。次に、図１０に示すように、図示しないレジストマスクで表面保護膜４５を保護した上で、ウェットエッチングによって、細孔４４４を介して犠牲層（配線部４２１、４４１で囲まれた層間絶縁膜４１、４３）を除去して、空洞部Ｓを形成する。

次に、図１１に示すように、空洞部Ｓを真空状態とし、封止層４６で空洞部Ｓを封止する。次に、図１２に示すように、半導体基板２１の下面に、ウェットエッチングによって凹部２５を形成してダイアフラム２４を形成する。以上により、圧力センサー１が得られる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る高度計について説明する。

図１３は、本発明の高度計の一例を示す斜視図である。
図１３に示すように、高度計２００は、腕時計のように、手首に装着することができる。また、高度計２００の内部には、圧力センサー１が搭載されており、表示部２０１に現在地の海抜からの高度、または、現在地の気圧等を表示することができる。なお、この表示部２０１には、現在時刻、使用者の心拍数、天候等、様々な情報を表示することができる。このような高度計２００は、圧力センサー１を備えているため、高い信頼性を発揮することができる。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電子機器について説明する。

図１４は、本発明の電子機器の一例を示す正面図である。
本実施形態の電子機器は、圧力センサー１を備えたナビゲーションシステム３００である。図１４に示すように、ナビゲーションシステム３００は、図示しない地図情報と、ＧＰＳ（全地球測位システム…Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）からの位置情報取得手段と、ジャイロセンサーおよび加速度センサーと車速データとによる自立航法手段と、圧力センサー１と、所定の位置情報または進路情報を表示する表示部３０１とを備えている。

このナビゲーションシステムによれば、取得した位置情報に加えて高度情報を取得することができる。例えば、一般道路と位置情報上は略同一の位置を示す高架道路を走行する場合、高度情報を持たない場合には、一般道路を走行しているのか高架道路を走行しているのかナビゲーションシステムでは判断できず、優先情報として一般道路の情報を使用者に提供してしまっていた。

そこで、ナビゲーションシステム３００に圧力センサー１を搭載し、高度情報を圧力センサー１によって取得することで、一般道路から高架道路へ進入することによる高度変化を検出することができ、高架道路の走行状態におけるナビゲーション情報を使用者に提供することができる。

なお、本発明の圧力センサーを備える電子機器は、上記のナビゲーションシステムに限定されず、例えば、パーソナルコンピューター、携帯電話、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレーター等に適用することができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る移動体について説明する。

図１５は、本発明の移動体の一例を示す斜視図である。
本実施形態の移動体は、圧力センサー１を備えた自動車４００である。図１５に示すように、自動車４００は、車体４０１と、４つの車輪４０２とを有しており、車体４０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪４０２を回転させるように構成されている。このような自動車４００には、ナビゲーションシステム３００（圧力センサー１）が内蔵されている。

以上、本発明の圧力センサー、高度計、電子機器および移動体を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。

また、前述した実施形態では、圧力センサー部としてピエゾ抵抗素子を用いたものについて説明したが、圧力センサーとしては、これに限定されず、例えば、フラップ型の振動子を用いた構成や、櫛歯電極等の他のＭＥＭＳ振動子や、水晶振動子等の振動素子を用いることもできる。

１…圧力センサー、２…基板、２１…半導体基板、２２…第１絶縁膜、２３…第２絶縁膜、２４…ダイアフラム、２４１…受圧面、２５…凹部、３…圧力センサー部、３０…ブリッジ回路、３１、３２、３３、３４…ピエゾ抵抗素子、４…周囲構造体、４１…層間絶縁膜、４２…配線層、４２１…配線部、４２１ａ…第１コンタクト部、４２１ｂ…第１フランジ部、４２１ｂ’…内側部、４２１ｂ”…外側部、４２２…回路用配線部、４３…層間絶縁膜、４４…配線層、４４１…配線部、４４１０…部分、４４１１…屈曲部、４４１ａ…第２コンタクト部、４４１ａ’…第１コンタクト片、４４１ａ”…第２コンタクト片、４４１ｂ…第２フランジ部、４４２’…接続端子、４４２…回路用配線部、４４３…被覆層、４４４…細孔、４５…表面保護膜、４６…封止層、４７…充填部、２００…高度計、２０１…表示部、３００…ナビゲーションシステム、３０１…表示部、４００…自動車、４０１…車体、４０２…車輪、Ｓ…空洞部、Ｓ１…領域、Ｘ…コンタクト片

Claims (9)

1. ダイアフラムを有する基板と、
   前記ダイアフラムの一方側に位置する圧力基準室と、
   前記基板上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第１配線部と、
   前記第１配線部上に配置され、前記基板の平面視で、前記圧力基準室の周囲の少なくとも一部を囲む第２配線部と、
   前記第１配線部と前記第２配線部との間に配置された充填部と、を有し、
   前記第１配線部は、前記基板と接続される第１コンタクト部を有し、
   前記第２配線部は、前記第１配線部と接続される第２コンタクト部を有し、
   前記第２コンタクト部は、前記第１配線部の前記第１コンタクト部と接続される第１コンタクト片と、前記第１コンタクト片よりも前記圧力基準室と反対側で前記第１配線部と接続される第２コンタクト片と、を有し、
   前記充填部は、前記第１コンタクト片と前記第２コンタクト片との間に配置されていることを特徴とする圧力センサー。
2. 前記第１配線部は、前記第１コンタクト部の周囲に配置される第１フランジ部を有し、
   前記第２コンタクト片は、前記第１フランジ部と接続される請求項１に記載の圧力センサー。
3. 前記圧力基準室を挟んで前記基板と対向配置されている被覆部を有し、
   前記被覆部は、前記第２配線部から形成され、
   前記第２配線部の前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分は、前記第１配線部と非接触である請求項１または２に記載の圧力センサー。
4. 前記第２配線部の縦断面視で、前記第２配線部の前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分は、３以下の屈曲部を有する請求項３に記載の圧力センサー。
5. 前記第２配線部の縦断面視で、前記第２配線部の前記被覆部と前記第１コンタクト片との間の部分の前記圧力基準室と反対側の面は、連続した面で構成されている請求項３に記載の圧力センサー。
6. 前記充填部は、前記第１配線部と前記第２配線部とで覆われている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の圧力センサー。
7. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする高度計。
8. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする電子機器。
9. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の圧力センサーを備えることを特徴とする移動体。

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