JP2017045379A - メモリ装置およびメモリ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、メモリ装置は、電源遮断のイベントに応答して、揮発性メモリのデータを第1の不揮発性メモリにセーブする。電源の回復後に、メモリ装置は、ホストシステムによって実行される複数のプログラムの識別子と前記複数のプログラムによって使用されている前記揮発性メモリの複数の領域それぞれのアドレス情報との対応関係を示す管理情報と、ホストシステムから受信される第1プログラムの識別子とに基づいて、前記第1プログラムによって電源遮断前に使用されていた前記揮発性メモリの領域のデータがセーブされている前記第1の不揮発性メモリの領域を識別し、前記識別された前記揮発性メモリの領域に格納されているデータを前記揮発性メモリの前記第1領域に復元する。
【選択図】図1
Description
まず、図1を参照して、一実施形態に係るメモリ装置の構成を説明する。
さらに、揮発性メモリのデータのリカバリが必要な時、メモリ装置200は、不揮発性メモリから揮発性メモリのデータを復元(リストア)することができる。
Claims (14)
- 揮発性メモリと、
第1の不揮発性メモリと、
ホストシステムによって実行される複数のプログラムの識別子と前記複数のプログラムによって使用されている前記揮発性メモリの複数の領域それぞれのアドレス情報との対応関係を示す管理情報を格納する第2の不揮発性メモリと、
電源遮断のイベントに応答して、前記揮発性メモリのデータを前記第1の不揮発性メモリにセーブするコントローラであって、
電源の回復後に、前記複数のプログラムの内の第1プログラムの識別子と、前記ホストシステムによって前記第1プログラムに新たに割り当てられた前記揮発性メモリの第1領域を示すアドレス情報とを、前記ホストシステムから受信し、
前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報に基づいて、前記第1プログラムによって電源遮断前に使用されていた前記揮発性メモリの領域のデータがセーブされている前記第1の不揮発性メモリの領域を識別し、
前記識別された前記揮発性メモリの領域に格納されているデータを、前記揮発性メモリの前記第1領域に復元するコントローラとを具備するメモリ装置。 - 前記コントローラは、前記揮発性メモリの全データを前記第1の不揮発性メモリにセーブする請求項1記載のメモリ装置。
- 前記コントローラは、前記管理情報から、前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報を検索し、前記検索されたアドレス情報に基づいて、前記第1プログラムによって電源遮断前に使用されていた前記揮発性メモリの領域のデータがセーブされている前記第1の不揮発性メモリの領域を識別する請求項1記載のメモリ装置。
- 前記コントローラは、前記識別された前記揮発性メモリの領域に格納されているデータが復元された後、前記管理情報を更新して、前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報を、前記第1領域を示すアドレス情報に変更する請求項1記載のメモリ装置。
- 前記メモリ装置は、前記ホストシステムのメモリソケットに挿入可能なデュアル・インライン・メモリモジュール(DIMM)である請求項1記載のメモリ装置。
- 揮発性メモリと、
第1の不揮発性メモリと、
バックアップされるべき一つ以上のプログラムの識別子と、前記一つ以上のプログラムによって使用されている前記揮発性メモリの一つ以上の領域それぞれのアドレス情報と、前記一つ以上のプログラムの状態をセーブするための前記第1の不揮発性メモリの一つ以上のセーブ領域それぞれのアドレス情報との対応関係を示す管理情報を格納する第2の不揮発性メモリと、
電源遮断のイベントに応答して、前記管理情報に基づき、前記揮発性メモリの一つ以上の領域のデータを前記一つ以上のセーブ領域にセーブするコントローラであって、
電源の回復後に、前記一つ以上のプログラムの内の第1プログラムの識別子と、ホストシステムによって前記第1プログラムに新たに割り当てられた前記揮発性メモリの第1領域を示すアドレス情報とを、前記ホストシステムから受信し、
前記第1プログラムの識別子と前記管理情報とに基づいて、前記第1プログラムによって電源遮断前に使用されていた前記揮発性メモリの領域のデータがセーブされている前記第1の不揮発性メモリの第1セーブ領域を識別し、
前記識別された第1セーブ領域に格納されているデータを、前記揮発性メモリの前記第1領域に復元するコントローラとを具備するメモリ装置。 - 前記コントローラは、前記管理情報から、前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応するセーブ領域のアドレス情報を検索し、前記検索されたアドレス情報を、前記第1セーブ領域のアドレス情報として識別する請求項6記載のメモリ装置。
- 前記コントローラは、前記第1セーブ領域に格納されているデータが復元された後、前記管理情報を更新して、前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報を、前記第1領域を示すアドレス情報に変更する請求項6記載のメモリ装置。
- 前記コントローラは、
前記第1セーブ領域に格納されているデータが復元された後の電源遮断のイベントに応答して、前記第1領域のデータを、前記第1セーブ領域とは異なる前記第1の不揮発性メモリの第2セーブ領域にセーブし、
電源の回復後に、前記第1プログラムのプログラム識別子と、前記第1プログラムの旧世代の状態または前記第1プログラムの新世代の状態のいずれかを指定する履歴識別子と、前記ホストシステムによって前記第1プログラムに新たに割り当てられた前記揮発性メモリの領域を示すアドレス情報とが前記ホストシステムから受信された場合、前記履歴識別子によって指定された世代に基づいて、前記第1セーブ領域に格納されているデータまたは前記第2セーブ領域に格納されているデータのいずれかを、前記受信されたアドレス情報によって指定される前記揮発性メモリの領域に復元する請求項6記載のメモリ装置。 - 前記メモリ装置は、前記ホストシステムのメモリソケットに挿入可能なデュアル・インライン・メモリモジュール(DIMM)である請求項6記載のメモリ装置。
- 揮発性メモリと、第1の不揮発性メモリと、第2の不揮発性メモリとを備えるメモリ装置を制御するメモリ制御方法であって、
ホストシステムによって実行される複数のプログラムの識別子と前記複数のプログラムによって使用されている前記揮発性メモリの複数の領域それぞれのアドレス情報との対応関係を示す管理情報を前記第2の不揮発性メモリに格納することと、
電源遮断のイベントに応答して、前記揮発性メモリのデータを前記第1の不揮発性メモリにセーブすることと、
電源の回復後に、前記複数のプログラムの内の第1プログラムの識別子と、前記ホストシステムによって前記第1プログラムに新たに割り当てられた前記揮発性メモリの第1領域を示すアドレス情報とを、前記ホストシステムから受信することと、
前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報に基づいて、前記第1プログラムによって電源遮断前に使用されていた前記揮発性メモリの領域のデータがセーブされている前記第1の不揮発性メモリの領域を識別することと、
前記識別された前記揮発性メモリの領域に格納されているデータを、前記揮発性メモリの前記第1領域に復元することとを具備するメモリ制御方法。 - 前記識別することは、前記管理情報から、前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報を検索することと、前記検索されたアドレス情報に基づいて、前記第1プログラムによって電源遮断前に使用されていた前記揮発性メモリの領域のデータがセーブされている前記第1の不揮発性メモリの領域を識別することとを含む請求項11記載のメモリ制御方法。
- 前記識別された前記揮発性メモリの領域に格納されているデータが復元された後、前記管理情報を更新して、前記第1プログラムの識別子と同じ識別子を有するプログラムに対応する前記揮発性メモリの領域のアドレス情報を、前記第1領域を示すアドレス情報に変更することをさらに具備する請求項11記載のメモリ制御方法。
- 前記メモリ装置は、前記ホストシステムのメモリソケットに挿入可能なデュアル・インライン・メモリモジュール(DIMM)である請求項11記載のメモリ制御方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015169090A JP6479608B2 (ja) | 2015-08-28 | 2015-08-28 | メモリ装置およびメモリ制御方法 |
US14/936,356 US9946610B2 (en) | 2015-08-28 | 2015-11-09 | Memory device and method for saving and restoring data using nonvolatile memory |
CN201510922945.3A CN106484571B (zh) | 2015-08-28 | 2015-12-14 | 存储装置和存储控制方法 |
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018156131A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 情報処理装置、ストレージデバイスおよび情報処理システム |
JP2018190412A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ハイブリッドメモリにおける書き込み及びフラッシュ支援のためのメモリモジュール及びその動作方法 |
WO2019138624A1 (ja) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | メモリコントローラおよびメモリモジュール |
JP2019133623A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 廣達電脳股▲ふん▼有限公司 | メモリモジュール内のデータを保全するコンピュータシステムおよびそれを用いたコンピュータ実装方法 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016068994A1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Combined backup power |
US11257527B2 (en) | 2015-05-06 | 2022-02-22 | SK Hynix Inc. | Memory module with battery and electronic system having the memory module |
KR20160131171A (ko) * | 2015-05-06 | 2016-11-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 배터리를 포함하는 메모리 모듈 |
US10031677B1 (en) | 2015-10-14 | 2018-07-24 | Rambus Inc. | High-throughput low-latency hybrid memory module |
US9891864B2 (en) * | 2016-01-19 | 2018-02-13 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory module architecture to support memory error correction |
US10474550B2 (en) | 2017-05-03 | 2019-11-12 | Vmware, Inc. | High availability for persistent memory |
US10496443B2 (en) * | 2017-05-03 | 2019-12-03 | Vmware, Inc. | OS/hypervisor-based persistent memory |
US10585754B2 (en) | 2017-08-15 | 2020-03-10 | International Business Machines Corporation | Memory security protocol |
JP2019057071A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および当該半導体装置において用いられるプログラム |
KR102353859B1 (ko) * | 2017-11-01 | 2022-01-19 | 삼성전자주식회사 | 컴퓨팅 장치 및 비휘발성 듀얼 인라인 메모리 모듈 |
US10762137B1 (en) | 2017-11-15 | 2020-09-01 | Amazon Technologies, Inc. | Page table search engine |
US10754789B1 (en) * | 2017-11-15 | 2020-08-25 | Amazon Technologies, Inc. | Address translation for storage class memory in a system that includes virtual machines |
US10810133B1 (en) * | 2017-11-15 | 2020-10-20 | Amazon Technologies, Inc. | Address translation and address translation memory for storage class memory |
US10838637B2 (en) | 2018-02-08 | 2020-11-17 | Micron Technology, Inc. | Status management in storage backed memory package |
US10831393B2 (en) * | 2018-02-08 | 2020-11-10 | Micron Technology, Inc. | Partial save of memory |
JP6907976B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2021-07-21 | オムロン株式会社 | コントローラ及びデータ保存方法 |
US10839862B2 (en) | 2018-04-25 | 2020-11-17 | Micron Technology, Inc. | Cross point array memory in a non-volatile dual in-line memory module |
US10956323B2 (en) * | 2018-05-10 | 2021-03-23 | Intel Corporation | NVDIMM emulation using a host memory buffer |
JP6563086B1 (ja) * | 2018-06-28 | 2019-08-21 | 三菱電機株式会社 | 車載電子制御装置 |
US11112997B2 (en) | 2018-08-21 | 2021-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device and operating method thereof |
US11163718B2 (en) * | 2018-10-30 | 2021-11-02 | Dell Products L.P. | Memory log retrieval and provisioning system |
JP6708762B1 (ja) | 2019-01-29 | 2020-06-10 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
US11042374B2 (en) | 2019-05-02 | 2021-06-22 | International Business Machines Corporation | Non-volatile dual in-line memory module storage |
WO2021128217A1 (zh) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 华为技术有限公司 | 一种数据查找系统及数据查找方法 |
EP3852505B1 (en) | 2020-01-17 | 2023-12-06 | Aptiv Technologies Limited | Electronic control unit |
EP3866013A1 (en) | 2020-02-11 | 2021-08-18 | Aptiv Technologies Limited | Data logging system for collecting and storing input data |
EP3872639A1 (en) * | 2020-02-28 | 2021-09-01 | Aptiv Technologies Limited | Data logging device |
CN114168401B (zh) * | 2021-10-26 | 2023-08-18 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种日志记录方法、装置及电子设备 |
US20230305922A1 (en) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Smart Modular Technologies, Inc. | Serial attached non-volatile memory |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006164002A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Fanuc Ltd | 数値制御装置 |
JP2010152514A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | メモリシステム |
US20110197018A1 (en) * | 2008-10-06 | 2011-08-11 | Sam Hyuk Noh | Method and system for perpetual computing using non-volatile random access memory |
US20130227201A1 (en) * | 2010-12-13 | 2013-08-29 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, System, and Method for Accessing Auto-Commit Memory |
JP2013235358A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 記憶装置 |
US20140325116A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Amazon Technologies, Inc. | Selectively persisting application program data from system memory to non-volatile data storage |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000222290A (ja) | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バックアップメモリ装置とそのメモリ方法 |
US7006318B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Removable media storage system with memory for storing operational data |
JP4661369B2 (ja) | 2005-05-31 | 2011-03-30 | Tdk株式会社 | メモリコントローラ |
JP2009157756A (ja) | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toshiba Corp | 情報処理装置およびデータ復旧方法 |
JP2010026674A (ja) | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
JP4491034B1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶デバイスを有する記憶装置 |
US8527693B2 (en) * | 2010-12-13 | 2013-09-03 | Fusion IO, Inc. | Apparatus, system, and method for auto-commit memory |
US9274899B2 (en) * | 2013-07-11 | 2016-03-01 | Red Hat, Inc. | Providing non-volatile memory for suspend-to-random access memory |
US9436563B2 (en) * | 2013-10-01 | 2016-09-06 | Globalfoundries Inc. | Memory system for mirroring data |
KR102190399B1 (ko) * | 2013-10-11 | 2020-12-11 | 삼성전자주식회사 | 신뢰성을 보장할 수 있는 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 및 상기 방법을 수행하는 메모리 시스템 |
-
2015
- 2015-08-28 JP JP2015169090A patent/JP6479608B2/ja active Active
- 2015-11-09 US US14/936,356 patent/US9946610B2/en active Active
- 2015-12-14 CN CN201510922945.3A patent/CN106484571B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006164002A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Fanuc Ltd | 数値制御装置 |
US20060150012A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-07-06 | Fanuc Ltd | Numerical controller |
US20110197018A1 (en) * | 2008-10-06 | 2011-08-11 | Sam Hyuk Noh | Method and system for perpetual computing using non-volatile random access memory |
JP2010152514A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | メモリシステム |
US20130227201A1 (en) * | 2010-12-13 | 2013-08-29 | Fusion-Io, Inc. | Apparatus, System, and Method for Accessing Auto-Commit Memory |
JP2013235358A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 記憶装置 |
US20140325116A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Amazon Technologies, Inc. | Selectively persisting application program data from system memory to non-volatile data storage |
WO2014179333A1 (en) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | Amazon Technologies, Inc. | Selective backup of program data to non-volatile memory |
JP2016517122A (ja) * | 2013-04-29 | 2016-06-09 | アマゾン・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | システムメモリから不揮発性データストレージに移行されるアプリケーションプログラムデータの選択的保持 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018156131A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 情報処理装置、ストレージデバイスおよび情報処理システム |
CN108628771A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | 东芝存储器株式会社 | 信息处理装置、存储设备以及信息处理系统 |
CN108628771B (zh) * | 2017-03-15 | 2022-07-05 | 铠侠股份有限公司 | 信息处理装置、存储设备以及信息处理系统 |
JP2018190412A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ハイブリッドメモリにおける書き込み及びフラッシュ支援のためのメモリモジュール及びその動作方法 |
JP7115899B2 (ja) | 2017-05-09 | 2022-08-09 | 三星電子株式会社 | ハイブリッドメモリにおける書き込み及びフラッシュ支援のためのメモリモジュール及びその動作方法 |
WO2019138624A1 (ja) * | 2018-01-12 | 2019-07-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | メモリコントローラおよびメモリモジュール |
JP2019133623A (ja) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | 廣達電脳股▲ふん▼有限公司 | メモリモジュール内のデータを保全するコンピュータシステムおよびそれを用いたコンピュータ実装方法 |
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