JP2017041339A

JP2017041339A - Organic el display device and method of manufacturing the same

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Publication number: JP2017041339A
Application number: JP2015161697A
Authority: JP
Inventors: 水村　通伸; Michinobu Mizumura; 通伸水村; 裕也藤森; Yuya Fujimori
Original assignee: V Technology Co Ltd
Current assignee: V Technology Co Ltd
Priority date: 2015-08-19
Filing date: 2015-08-19
Publication date: 2017-02-23

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device in which damage and degradation of an organic EL layer are suppressed, without increase in a burden of equipment investment.SOLUTION: An organic EL display device 1 includes a substrate 2, a driving circuit part 3 formed on the substrate, a connecting electrode 4A placed on the driving circuit part, an organic EL layer 5 placed on the connecting electrode, and a transparent electrode layer 6 placed on the organic EL layer, with the driving circuit part and the connecting electrode being electrically connected through a mechanical connection part 8.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）表示装置に関し、さらに詳しくは、所謂トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) display device, and more particularly to a so-called top emission type organic EL display device and a method for manufacturing the same.

有機ＥＬ表示装置は、基板面に沿って複数の有機ＥＬ素子が画素として配置されて構成されている。有機ＥＬ素子は、有機物からなる発光層（以下、有機ＥＬ層という）が陽極と陰極とで挟まれた積層構造である。有機ＥＬ素子の集合体としての有機ＥＬ表示装置の駆動方式は、パッシブマトリクス駆動とアクティブマトリクス駆動がある。アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が形成された基板に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）や容量などを含むＴＦＴ回路を備えている。 An organic EL display device is configured by arranging a plurality of organic EL elements as pixels along a substrate surface. An organic EL element has a laminated structure in which a light emitting layer made of an organic material (hereinafter referred to as an organic EL layer) is sandwiched between an anode and a cathode. As a driving method of an organic EL display device as an aggregate of organic EL elements, there are passive matrix driving and active matrix driving. 2. Description of the Related Art An active matrix driving organic EL display device includes a TFT circuit including a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) and a capacitor on a substrate on which an organic EL element is formed.

アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬ表示装置の光取り出し方式としては、ボトムエミッション型とトップエミッション型の２種類が知られている。ボトムエミッション型としては、基板上に形成したＴＦＴ回路の上に有機ＥＬ素子を配置し、基板を通して光を取り出す方式がある。このボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、光が通過する経路にＴＦＴ回路が存在するため、光の取り出し効率が低下するという問題がある。 Two types of light extraction methods for an active matrix driving organic EL display device, a bottom emission type and a top emission type, are known. As the bottom emission type, there is a system in which an organic EL element is arranged on a TFT circuit formed on a substrate and light is extracted through the substrate. This bottom emission type organic EL display device has a problem that the light extraction efficiency is lowered because the TFT circuit exists in the path through which the light passes.

上記の問題を考慮して、図１５に示すようなボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００の構造が提案されている。この有機ＥＬ表示装置１００は、基板１０１の上に、順次、透明電極層１０２、有機ＥＬ層１０３、金属電極層１０４、ＴＦＴ回路１０５を積み上げる構造である。しかし、この構造の有機ＥＬ表示装置１００では、金属電極層１０４の上に、ＴＦＴを含むＴＦＴ回路を作製するために、ウェットプロセス、ドライプロセスなどの多くの加工処理を施すことが困難である。 Considering the above problem, a structure of a bottom emission type organic EL display device 100 as shown in FIG. 15 has been proposed. The organic EL display device 100 has a structure in which a transparent electrode layer 102, an organic EL layer 103, a metal electrode layer 104, and a TFT circuit 105 are sequentially stacked on a substrate 101. However, in the organic EL display device 100 having this structure, it is difficult to perform many processing processes such as a wet process and a dry process in order to manufacture a TFT circuit including a TFT on the metal electrode layer 104.

一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置としては、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。図１６は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置２００を簡略化した図である。図１６に示すように、この有機ＥＬ表示装置２００は、基板２０１上に、順次、ＴＦＴ回路２０２、金属電極層２０３、有機ＥＬ層２０４、透明電極層２０５が積み上げられて形成されている。一般に、透明電極層２０５としては、スパッタ法を用いて成膜される酸化インジウム錫（ＩＴＯ；indium tin oxide）などの透明電極材料が用いられている。このトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、基板とは反対側の面から光を取り出すようになっている。この有機ＥＬ表示装置では、光が通過する経路にＴＦＴ回路２０２が存在せず、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置に比較して光の取り出し効率が高い。 On the other hand, as a top emission type organic EL display device, for example, one described in Patent Document 1 is known. FIG. 16 is a simplified view of the top emission type organic EL display device 200. As shown in FIG. 16, the organic EL display device 200 is formed by sequentially stacking a TFT circuit 202, a metal electrode layer 203, an organic EL layer 204, and a transparent electrode layer 205 on a substrate 201. Generally, as the transparent electrode layer 205, a transparent electrode material such as indium tin oxide (ITO) formed by sputtering is used. In this top emission type organic EL display device, light is extracted from the surface opposite to the substrate. In this organic EL display device, the TFT circuit 202 does not exist in the path through which light passes, and the light extraction efficiency is higher than that of the bottom emission type organic EL display device.

特開２０１５−６５１６２号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-65162

しかしながら、上記のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置２００では、製造工程において有機ＥＬ層２０４へ損傷を与えることが問題となる。すなわち、有機ＥＬ層２０４上に透明電極層２０５を形成する場合、スパッタ粒子、スパッタガスなどから生じる負イオンなどにより、下地である有機ＥＬ層２０４が損傷される。また、透明電極層２０５を成膜するときに、有機ＥＬ層２０４の損傷を考慮すると成膜に必要な酸素ガスの供給などに制限を受ける。さらに、有機ＥＬ層２０４の損傷を回避するため、対向ターゲット式スパッタ法などの損傷を与えることの少ない成膜方法を選択した場合、技術的な困難性が増し、設備投資の負荷が増大するという課題がある。 However, in the top emission type organic EL display device 200 described above, there is a problem that the organic EL layer 204 is damaged in the manufacturing process. That is, when the transparent electrode layer 205 is formed on the organic EL layer 204, the underlying organic EL layer 204 is damaged by negative ions generated from sputtered particles, sputtering gas, and the like. Further, when the transparent electrode layer 205 is formed, considering the damage of the organic EL layer 204, the supply of oxygen gas necessary for the film formation is limited. Furthermore, in order to avoid damage to the organic EL layer 204, when a film forming method that does not cause damage such as an opposed target sputtering method is selected, technical difficulty increases, and the burden of capital investment increases. There are challenges.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、設備投資の負荷を増大させることなく、有機ＥＬ層の損傷および劣化を抑制した有機ＥＬ表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides an organic EL display device in which damage and deterioration of an organic EL layer are suppressed without increasing the capital investment load, and a manufacturing method thereof. With the goal.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の態様は、基板と、この基板上に形成され駆動用回路部と、この駆動用回路部の上に配置された接続用電極と、この接続用電極の上に配置された有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層の上に配置された透明電極層と、を備え、上記駆動用回路部と上記接続用電極とが機械的接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an aspect of the organic EL display device according to the present invention includes a substrate, a driving circuit unit formed on the substrate, and a driving circuit unit disposed on the driving circuit unit. A connection electrode, an organic EL layer disposed on the connection electrode, and a transparent electrode layer disposed on the organic EL layer, the driving circuit section and the connection electrode Are electrically connected via a mechanical connection.

上記有機ＥＬ表示装置の態様としては、駆動用回路部が、基板から離れる方向へ向けて突出した接触用突部を備え、接触用突部と接続用電極とが機械的接続部を構成し、透明電極層は、基板から接続用電極へ向けた方向で、接触用突部を投影させたときに、この接触用突部に重ならないように部分的に欠いて形成された除去部を有することが好ましい。 As an aspect of the organic EL display device, the drive circuit portion includes a contact protrusion that protrudes in a direction away from the substrate, and the contact protrusion and the connection electrode constitute a mechanical connection portion. The transparent electrode layer has a removal portion formed so as to be partially absent so as not to overlap the contact protrusion when the contact protrusion is projected in the direction from the substrate to the connection electrode. Is preferred.

上記態様としては、接続用電極は画素領域毎に互いに分離され、かつそれぞれの前記画素領域に駆動用回路部が設けられ、この駆動用回路部は、上記有機ＥＬ層に駆動電圧を印加可能な駆動用薄膜トランジスタを備え、この駆動用薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極のうちのいずれか一方が、上記接触用突部に接続されている構成としてもよい。 In the above aspect, the connection electrodes are separated from each other for each pixel region, and a drive circuit unit is provided in each pixel region, and the drive circuit unit can apply a drive voltage to the organic EL layer. A driving thin film transistor may be provided, and one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor may be connected to the contact protrusion.

上記態様としては、接続用電極はカソードであり、透明電極層はアノードであり、上記駆動用薄膜トランジスタは、チャネル層がアモルファスシリコンでなり、かつｎ型のチャネルを形成し、上記ドレイン電極が上記接続用電極に電気的に接続されている構成としてもよい。 In the above aspect, the connecting electrode is a cathode, the transparent electrode layer is an anode, the driving thin film transistor has a channel layer made of amorphous silicon, forms an n-type channel, and the drain electrode has the connection. It is good also as a structure electrically connected to the electrode for operation.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の態様は、第１基板側を製造する第１基板側製造工程と、発光光が通過する透明電極層を備える第２基板側を製造する第２基板側製造工程と、基板貼り合わせ工程と、を備え、上記第１基板側製造工程は、上記第１基板上に、駆動用回路部を形成する駆動用回路部形成工程を備え、第２基板側製造工程は、第２基板上に透明電極層を形成する透明電極層形成工程と、この透明電極層の上に有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、この有機ＥＬ層の上に接続用電極層を形成する接続用電極層形成工程と、を備え、上記基板貼り合わせ工程は、上記第１基板側と上記第２基板側とを貼り合わせて、上記駆動用回路部と上記接続用電極層とを機械的に接触させて電気的に接続させることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an aspect of a method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention includes a first substrate side manufacturing process for manufacturing a first substrate side, and a transparent through which emitted light passes. A second substrate side manufacturing step for manufacturing a second substrate side including an electrode layer; and a substrate bonding step, wherein the first substrate side manufacturing step forms a driving circuit portion on the first substrate. The second substrate side manufacturing process includes a transparent electrode layer forming process for forming a transparent electrode layer on the second substrate, and an organic for forming an organic EL layer on the transparent electrode layer. An EL layer forming step and a connecting electrode layer forming step of forming a connecting electrode layer on the organic EL layer, wherein the substrate bonding step includes the first substrate side, the second substrate side, Are bonded together to mechanically connect the drive circuit portion and the connection electrode layer. It is tactile characterized thereby electrically connected.

上記製造方法の態様としては、駆動用回路形成工程が、駆動用回路部に、第１基板から離れる方向へ突出する接触用突部を形成する工程を含み、透明電極層形成工程が、貼り合わせ工程の際に接触用突部が透明電極層に干渉しないように、この透明電極層を部分的に欠くように形成する工程を含み、基板貼り合わせ工程では、接続用電極層と接触用突部とを機械的に接触させて電気的に接続させる工程を含むことが好ましい。 As an aspect of the manufacturing method, the driving circuit forming step includes a step of forming a contact protrusion protruding in the direction away from the first substrate on the driving circuit portion, and the transparent electrode layer forming step is bonded Including a step of forming the transparent electrode layer so as to partially lack so that the contact protrusion does not interfere with the transparent electrode layer during the process. In the substrate bonding step, the connection electrode layer and the contact protrusion It is preferable to include a step of mechanically contacting and electrically connecting each other.

上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層を画素領域毎に分離して形成することが好ましい。 As an aspect of the manufacturing method, the connection electrode layer is preferably formed separately for each pixel region.

上記製造方法の態様としては、接続用電極層形成工程は、上記接続用電極層をレーザ照射することにより、画素領域毎に該接続用電極層を分離して形成する工程を含むようにしてもよい。 As an aspect of the manufacturing method, the connection electrode layer forming step may include a step of forming the connection electrode layer separately for each pixel region by irradiating the connection electrode layer with a laser.

上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層形成工程では、上記第２基板上に、互いに隣接する画素領域の境界に段差を形成し、その後、順次、上記透明電極層、上記有機ＥＬ層、上記接続用電極層を成膜して、上記段差により上記接続用電極層が画素領域毎に分断されるように形成してもよい。 As an aspect of the manufacturing method, in the connection electrode layer forming step, a step is formed on the boundary between adjacent pixel regions on the second substrate, and then the transparent electrode layer and the organic EL layer are sequentially formed. Alternatively, the connection electrode layer may be formed so that the connection electrode layer is divided into pixel regions by the step.

上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層形成工程は、上記接続用電極層の成膜に際して、上記有機ＥＬ層の上に画素領域毎にこの接続用電極層が分離して形成されるように格子状の成膜用マスクを配置してもよい。 As an aspect of the manufacturing method, in the connection electrode layer forming step, when the connection electrode layer is formed, the connection electrode layer is separately formed on the organic EL layer for each pixel region. In this way, a lattice-form film formation mask may be arranged.

上記製造方法の態様としては、上記第１基板側製造工程は、上記第１基板側に、上記基板貼り合わせ工程で上記接続用電極層を画素領域毎に剪断して分離する突堤部を形成する工程を含む構成としてもよい。 As an aspect of the manufacturing method, in the first substrate side manufacturing step, a jetty portion that shears and separates the connection electrode layer for each pixel region in the substrate bonding step is formed on the first substrate side. It is good also as a structure including a process.

上記製造方法の態様としては、上記駆動用回路部形成工程は、上記有機ＥＬ層へ電圧を印加可能な駆動用薄膜トランジスタを形成する工程を含み、上記基板貼り合わせ工程では、上記駆動用薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極のうちのいずれか一方と、上記接続用電極層と、が電気的に接続するように貼り合わせるようにしてもよい。 As an aspect of the manufacturing method, the driving circuit portion forming step includes a step of forming a driving thin film transistor capable of applying a voltage to the organic EL layer, and the substrate bonding step includes a source of the driving thin film transistor. Either one of the electrode and the drain electrode may be bonded to the connection electrode layer so as to be electrically connected.

上記製造方法の態様としては、上記接続用電極層をカソード材料で形成し、上記透明電極層をアノード材料で形成し、上記駆動用薄膜トランジスタを、ｎ型のチャネルを形成するチャネル層をアモルファスシリコンで形成し、上記ドレイン電極を上記接続用電極層に電気的に接続させるようにしてもよい。 As an aspect of the manufacturing method, the connection electrode layer is formed of a cathode material, the transparent electrode layer is formed of an anode material, the driving thin film transistor is formed of an amorphous silicon as a channel layer for forming an n-type channel. And the drain electrode may be electrically connected to the connection electrode layer.

本発明に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法によれば、光の取り出し効率の高いトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造が簡単になる。本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、有機ＥＬ層の劣化を抑制できる。また、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、透明電極層の成膜の際に、有機ＥＬ層の耐久性に起因するプロセス制限を受けることを回避することができ、設備投資の負荷の増大を防止できる。 According to the organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, it is easy to manufacture a top emission type organic EL display device with high light extraction efficiency. According to the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention, deterioration of the organic EL layer can be suppressed. Moreover, according to the manufacturing method of the organic EL display device according to the present invention, it is possible to avoid the process restriction due to the durability of the organic EL layer when forming the transparent electrode layer, and to make capital investment An increase in the load can be prevented.

図１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の概略を示す断面説明図である。FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view showing an outline of an organic EL display device according to the present invention. 図２Ａは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１基板側製造工程の概略を示す工程断面説明図である。FIG. 2A is a process cross-sectional explanatory diagram illustrating an outline of a first substrate-side manufacturing process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention. 図２Ｂは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１基板側製造工程の概略を示し、第１基板に駆動用回路部を形成する駆動用回路部形成工程を示す工程断面説明図である。FIG. 2B is a process cross-sectional explanatory diagram showing an outline of a first substrate side manufacturing process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention, and showing a driving circuit section forming process for forming a driving circuit section on the first substrate. It is. 図３Ａは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示す工程断面説明図である。FIG. 3A is a process cross-sectional explanatory diagram illustrating an outline of a second substrate side manufacturing process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention. 図３Ｂは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示し、第２基板に透明電極層を形成する透明電極形成工程を示す工程断面説明図である。FIG. 3B is a process cross-sectional explanatory diagram illustrating an outline of a second substrate side manufacturing process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention and illustrating a transparent electrode forming process for forming a transparent electrode layer on the second substrate. 図３Ｃは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示し、有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程を示す工程断面説明図である。FIG. 3C is a process cross-sectional explanatory diagram illustrating an outline of a second substrate side manufacturing process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention and illustrating an organic EL layer forming process for forming an organic EL layer. 図３Ｄは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程の概略を示し、接続用電極層を形成する接続用電極層形成工程を示す工程断面説明図である。FIG. 3D is a process cross-sectional explanatory diagram showing an outline of a second substrate side manufacturing process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention and showing a connecting electrode layer forming process for forming a connecting electrode layer. 図４Ａは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における基板貼り合わせ工程の概略を示す工程断面説明図である。FIG. 4A is a process cross-sectional explanatory diagram illustrating an outline of a substrate bonding process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention. 図４Ｂは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法により製造された有機ＥＬ表示装置の断面説明図である。FIG. 4B is a cross-sectional explanatory view of an organic EL display device manufactured by the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention. 図５は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の１画素領域分を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing one pixel region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. 図６は、図５のVI−VI線で切断した状態を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a state cut along line VI-VI in FIG. 図７は、本発明の第１実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す工程断面図である。FIG. 7 is a process cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. 図８Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動用トランジスタと有機ＥＬ素子の関係を示す等価回路図である。FIG. 8A is an equivalent circuit diagram showing a relationship between a driving transistor and an organic EL element of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. 図８Ｂは、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の駆動用トランジスタと有機ＥＬ素子との関係を示す等価回路図である。FIG. 8B is an equivalent circuit diagram illustrating a relationship between a driving transistor and an organic EL element of an organic EL display device according to a comparative example. 図９は、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極の分離工程を示す工程断面図である。FIG. 9 is a process cross-sectional view illustrating a connection electrode separation process in the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. 図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面説明図である。FIG. 10 is a cross-sectional explanatory view of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. 図１１Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。FIG. 11A is a process sectional view showing a second substrate-side manufacturing process in the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. 図１１Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。FIG. 11B is a process cross-sectional view illustrating the second substrate-side manufacturing process in the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the invention. 図１１Ｃは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。FIG. 11C is a process sectional view showing a second substrate-side manufacturing process in the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention. 図１１Ｄは、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２基板側製造工程を示す工程断面図である。FIG. 11D is a process cross-sectional view illustrating the second substrate-side manufacturing process in the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the invention. 図１２Ａは、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における貼り合わせ工程を示す工程断面図である。FIG. 12A is a process cross-sectional view illustrating a bonding process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention. 図１２Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面説明図である。FIG. 12B is an explanatory cross-sectional view of an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention. 図１３Ａは、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における貼り合わせ工程を示す工程断面図である。FIG. 13A is a process cross-sectional view illustrating a bonding process in the method for manufacturing an organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention. 図１３Ｂは、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。FIG. 13B is a cross-sectional view of an organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention. 図１４Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極層の分離する工程を示す工程断面図である。FIG. 14A is a process cross-sectional view illustrating the process of separating the connection electrode layer in the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention. 図１４Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極層の分離する工程を示す工程断面図である。FIG. 14B is a process cross-sectional view illustrating the process of separating the connection electrode layer in the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention. 図１４Ｃは、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における接続用電極層の分離する工程を示す工程断面図である。FIG. 14C is a process cross-sectional view illustrating a process of separating the connection electrode layer in the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention. 図１５は、従来のボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を示す断面図説明図である。FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a conventional bottom emission type organic EL display device. 図１６は、従来のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を示す断面図説明図である。FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a conventional top emission type organic EL display device.

以下に、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の寸法や寸法の比率や形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。 Hereinafter, details of the organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the dimensions, ratios and shapes of the members are different from actual ones. In addition, the drawings include portions having different dimensional relationships, ratios, and shapes.

［有機ＥＬ表示装置の概略構成］
ここで、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法の詳細な説明に先駆けて、有機ＥＬ表示装置および製造方法の概略を説明する。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、第１基板２の上に、順次、駆動用回路部３と、接続用電極４Ａと、有機ＥＬ層５と、透明電極層６と、第２基板７が配置されて概略構成されている。この有機ＥＬ表示装置１は、第２基板７側から太い矢印で示すように発光光を出射させる、所謂トップエミッション型の表示装置である。特に、この有機ＥＬ表示装置１は、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが機械的接続部８を介して電気的に接続されている。なお、表示装置の構成としては、第２基板７を省略してもよい。 [Schematic configuration of organic EL display device]
Here, prior to detailed description of the organic EL display device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, an outline of the organic EL display device and the manufacturing method will be described. As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes a driving circuit unit 3, a connection electrode 4 A, an organic EL layer 5, a transparent electrode layer 6, Two substrates 7 are arranged and schematically configured. The organic EL display device 1 is a so-called top emission type display device that emits emitted light as indicated by a thick arrow from the second substrate 7 side. In particular, in the organic EL display device 1, the drive circuit unit 3 and the connection electrode 4 A are electrically connected via the mechanical connection unit 8. Note that the second substrate 7 may be omitted as a configuration of the display device.

機械的接続部８は、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが所定の圧力で機械的に接触した状態を維持している。この機械的接続部８としては、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが直接的に接触した状態でもよいし、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとの間に導電性部材を介在した状態であってもよい。この導電性部材としては、異方導電性接着剤、異方導電性シートなどを用いることができる。 The mechanical connection portion 8 maintains a state in which the driving circuit portion 3 and the connection electrode 4A are in mechanical contact with each other with a predetermined pressure. The mechanical connection portion 8 may be in a state where the drive circuit portion 3 and the connection electrode 4A are in direct contact, or a conductive member is interposed between the drive circuit portion 3 and the connection electrode 4A. It may be in the state. As the conductive member, an anisotropic conductive adhesive, an anisotropic conductive sheet, or the like can be used.

本発明において機械的接続とは、押圧、係合、嵌め合いなどに伴う圧力を介して互いに電気的な接続が行われる接続または接触を意味する。機械的接続によって形成された機械的接続部８は、化学結合を形成していない。すなわち、機械的接続部８では、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが化学的に結合していない。また、駆動用回路部３と導電性部材と接続用電極４Ａの間に導電性部材を介在させた場合は、駆動用回路部３と導電性部材と接続用電極４Ａとが相互に化学的に結合していない。 In the present invention, the mechanical connection means a connection or a contact in which electrical connection is made to each other through a pressure accompanying pressing, engagement, fitting or the like. The mechanical connection portion 8 formed by the mechanical connection does not form a chemical bond. That is, in the mechanical connection portion 8, the drive circuit portion 3 and the connection electrode 4A are not chemically bonded. In addition, when a conductive member is interposed between the drive circuit unit 3, the conductive member, and the connection electrode 4A, the drive circuit unit 3, the conductive member, and the connection electrode 4A are chemically coupled to each other. Not connected.

化学結合とは、分子（金属）の内部構造を構成する化学結合（分子内結合）と、分子（原子）集団を構成する化学結合と、がある。分子（金属）の内部構造を構成する化学結合（分子内結合）としては、共有結合、配位結合、金属−金属間結合などがある。分子（原子）集団を構成する化学結合としては、イオン結合、金属結合、水素結合などがある。 The chemical bond includes a chemical bond (intramolecular bond) constituting an internal structure of a molecule (metal) and a chemical bond constituting a molecule (atom) group. Examples of chemical bonds (intramolecular bonds) constituting the internal structure of molecules (metals) include covalent bonds, coordinate bonds, and metal-metal bonds. Examples of chemical bonds constituting a molecule (atom) group include ionic bonds, metal bonds, and hydrogen bonds.

駆動用回路部３および接続用電極４Ａは、低抵抗な導電性材料で形成される。このため、駆動用回路部３と接続用電極４Ａとが接触する機械的接続部８は、十分に低い接続抵抗の電気的接続部となる。 The drive circuit unit 3 and the connection electrode 4A are formed of a low-resistance conductive material. For this reason, the mechanical connection portion 8 where the drive circuit portion 3 and the connection electrode 4A are in contact with each other is an electrical connection portion having a sufficiently low connection resistance.

［有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略］
次に、図２Ａ〜図４Ｂを用いて、有機ＥＬ表示装置の製造方法の概略を説明する。この製造方法は、第１基板側を製造する第１基板側製造工程と、発光光が通過する透明電極層を備える第２基板側を製造する第２基板側製造工程と、基板貼り合わせ工程と、を備える。 [Outline of Manufacturing Method of Organic EL Display Device]
Next, an outline of a method for manufacturing an organic EL display device will be described with reference to FIGS. 2A to 4B. The manufacturing method includes a first substrate side manufacturing step for manufacturing the first substrate side, a second substrate side manufacturing step for manufacturing a second substrate side including a transparent electrode layer through which emitted light passes, and a substrate bonding step, .

（第１基板側製造工程）
まず、第１基板側製造工程について説明する。図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１基板側製造工程では、第１基板２を用意し、この第１基板２上に駆動用回路部３を形成する駆動用回路部形成工程を行う。駆動用回路部形成工程では、周知の成膜技術、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術などの加工技術を用いる。このような第１基板側製造工程により、駆動用回路部３を備えた第１基板側を製造する。 (First substrate side manufacturing process)
First, the first substrate side manufacturing process will be described. As shown in FIGS. 2A and 2B, in the first substrate side manufacturing process, a first substrate 2 is prepared, and a driving circuit section forming process for forming a driving circuit section 3 on the first substrate 2 is performed. In the driving circuit portion forming step, a well-known film forming technique, photolithography technique, etching technique or other processing technique is used. By such a first substrate side manufacturing process, the first substrate side including the driving circuit unit 3 is manufactured.

（第２基板側製造工程）
図３Ａ〜図３Ｄを用いて第２基板側製造工程について説明する。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第２基板側製造工程では、第２基板７を用意し、透明電極層形成工程を行う。図３Ｂに示すように、第２基板７上に、透明電極層６をスパッタリング法、真空蒸着法などを用いて形成する。 (Second substrate side manufacturing process)
A 2nd board | substrate side manufacturing process is demonstrated using FIG. 3A-FIG. 3D. As shown in FIGS. 3A and 3B, in the second substrate side manufacturing process, a second substrate 7 is prepared and a transparent electrode layer forming process is performed. As shown in FIG. 3B, the transparent electrode layer 6 is formed on the second substrate 7 by using a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like.

次に、図３Ｃに示すように、有機ＥＬ層形成工程を行って、透明電極層６上に有機ＥＬ層５を形成する。次に、図３Ｄに示すように、接続用電極層形成工程を行って、有機ＥＬ層５の上に接続用電極層４を形成する。このような第２基板側製造工程により、透明電極層６、有機ＥＬ層５、接続用電極層４を備えた第２基板側を製造する。後述するように、接続用電極層４は、画素領域毎に互いに分離させて接続用電極４Ａとする。 Next, as shown in FIG. 3C, an organic EL layer forming step is performed to form the organic EL layer 5 on the transparent electrode layer 6. Next, as shown in FIG. 3D, a connection electrode layer forming step is performed to form the connection electrode layer 4 on the organic EL layer 5. By such a second substrate side manufacturing process, the second substrate side including the transparent electrode layer 6, the organic EL layer 5, and the connection electrode layer 4 is manufactured. As will be described later, the connection electrode layer 4 is separated from each other for each pixel region to form a connection electrode 4A.

（基板貼り合わせ工程）
次に、図４Ａおよび図４Ｂを用いて基板貼り合わせ工程について説明する。まず、図４Ａに示すように、第１基板側の駆動用回路部３と、第２基板側の接続用電極層４とを対向させ、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせる。このとき、駆動用回路部３と接続用電極層４とを機械的に接触させて電気的に接続可能となるように位置決めすると共に、貼り合わせた状態を保持するように両基板側を固定する。このようにして、図４Ｂに示すような、有機ＥＬ表示装置１が製造できる。なお、図４Ｂにおいては、機械的接続部８の記載を省略する。 (Board bonding process)
Next, the substrate bonding step will be described with reference to FIGS. 4A and 4B. First, as shown in FIG. 4A, the driving circuit unit 3 on the first substrate side and the connection electrode layer 4 on the second substrate side are opposed to each other, and the first substrate side and the second substrate side are bonded together. At this time, the driving circuit portion 3 and the connecting electrode layer 4 are mechanically brought into contact with each other and positioned so that they can be electrically connected, and both the substrate sides are fixed so as to maintain the bonded state. . In this way, the organic EL display device 1 as shown in FIG. 4B can be manufactured. In addition, in FIG. 4B, description of the mechanical connection part 8 is abbreviate | omitted.

［第１の実施の形態］
（有機ＥＬ表示装置の構成）
次に、図５および図６を用いて、本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０について詳細に説明する。図５は有機ＥＬ表示装置１０の１画素領域分を示す平面図、図６は図５のVI−VI線に沿って切断した断面図である。図５および図６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０では、画素領域毎に有機ＥＬ素子１０Ａが構成されている。 [First Embodiment]
(Configuration of organic EL display device)
Next, the organic EL display device 10 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 5 is a plan view showing one pixel region of the organic EL display device 10, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI of FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, in the organic EL display device 10, an organic EL element 10 A is configured for each pixel region.

図６に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、基板としての第１基板１１の上に、順次、複数の駆動用回路部１２と、複数の接続用電極１３と、有機ＥＬ層１４と、透明電極層１５と、光透過性を有する第２基板１６と、を備えている。駆動用回路部１２と接続用電極１３とは、機械的接続部１７で電気的に接続されている。この有機ＥＬ表示装置１０は、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせることによって構成されている。 As shown in FIG. 6, the organic EL display device 10 includes a plurality of drive circuit units 12, a plurality of connection electrodes 13, an organic EL layer 14, and a first substrate 11 as a substrate. A transparent electrode layer 15 and a second substrate 16 having optical transparency are provided. The drive circuit unit 12 and the connection electrode 13 are electrically connected by a mechanical connection unit 17. The organic EL display device 10 is configured by bonding a first substrate side and a second substrate side.

この有機ＥＬ表示装置１０では、第１基板側と第２基板側とが一体となるように、第１基板側と第２基板側とを図示しないクランプ部材で保持することが好ましい。また、駆動用回路部１２と、接続用電極１３との接合面においては、少なくとも機械的接続部１７が、接合されている状態が保持されていればよい。そこで、駆動用回路部１２と、接続用電極１３との接合面における機械的接続部１７以外の領域では、接着剤を用いて、第１基板側と第２基板側とを接着する構成としてもよい。さらに、第１基板側と第２基板側との間に、異方導電性接着剤もしくは異方導電性シートを介在させて、機械的接続部１７が電気的に接続され、かつ第１基板側と第２基板側とが固定されるようにしてもよい。 In the organic EL display device 10, it is preferable to hold the first substrate side and the second substrate side with a clamp member (not shown) so that the first substrate side and the second substrate side are integrated. Further, it is only necessary that at least the mechanical connection portion 17 be held in the bonding surface between the driving circuit portion 12 and the connection electrode 13. Therefore, in the region other than the mechanical connection portion 17 on the joint surface between the drive circuit portion 12 and the connection electrode 13, an adhesive may be used to bond the first substrate side and the second substrate side. Good. Further, the mechanical connection portion 17 is electrically connected with an anisotropic conductive adhesive or an anisotropic conductive sheet interposed between the first substrate side and the second substrate side, and the first substrate side. And the second substrate side may be fixed.

第１基板１１の材料は、電気絶縁性を有するものが好ましく、光透過性または遮光性のいずれかを有するものであってもよい。加えて、第１基板１１は、その上にスイッチング素子としてのＴＦＴを含む駆動用回路部１２を、高温プロセスを用いて作製する都合上、耐熱性を備えることが好ましい。 The material of the first substrate 11 is preferably one having electrical insulation, and may be either light transmissive or light shielding. In addition, it is preferable that the first substrate 11 has heat resistance for the convenience of manufacturing the driving circuit unit 12 including the TFT as a switching element thereon using a high temperature process.

本実施の形態においては、ＴＦＴとして、後述するようにチャネル層がアモルファスシリコンでなるアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）ＴＦＴを用いる。ａ−ＳｉＴＦＴの加工に要するプロセス温度は、チャネル層がポリシリコンでなるポリシリコンＴＦＴ（ｐ−ＳｉＴＦＴ）の加工に要するプロセス温度よりも大幅に低い。このため、本実施の形態では、第１基板１１の材料選択の幅が広い。なお、ａ−ＳｉＴＦＴは、ｐ型ＴＦＴが製作不可であるため、本実施の形態で用いるａ−ＳｉＴＦＴは、その導電型がｎ型のＴＦＴである。 In this embodiment, an amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) TFT whose channel layer is made of amorphous silicon is used as the TFT as will be described later. The process temperature required for processing the a-Si TFT is significantly lower than the process temperature required for processing a polysilicon TFT (p-Si TFT) whose channel layer is made of polysilicon. For this reason, in this Embodiment, the breadth of the material selection of the 1st board | substrate 11 is wide. Since an a-Si TFT cannot be manufactured as a p-type TFT, the a-Si TFT used in this embodiment is an n-type TFT.

（第１基板側の構成）
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の駆動用回路部１２の構成について説明する。駆動用回路部１２の製造は、第１基板側製造工程で行われる。なお、この駆動用回路部１２の回路構成は一例であり、各種の回路構成を採用することが可能である。 (Configuration on the first substrate side)
Next, the configuration of the drive circuit unit 12 of the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described. The drive circuit unit 12 is manufactured in the first substrate side manufacturing process. The circuit configuration of the drive circuit unit 12 is an example, and various circuit configurations can be employed.

駆動用回路部１２は、画素領域毎にそれぞれ形成され、複数の画素領域の集合体である表示領域の全体に亘って所望の配線レイアウトをなすように互いに接続されている。図５および図６に示すように、駆動用回路部１２は、第１基板１１上に、互いに平行をなすよう等間隔で配置された複数の走査線１８、これらの走査線１８と直交するように配置された複数の信号線１９、電源線２０、容量２１、選択用トランジスタＱ１、駆動用トランジスタＱ２などを備える。特に、この有機ＥＬ表示装置１０は、駆動用回路部１２の駆動用トランジスタＱ２における後述するドレイン電極３１に、接触用突部２２を備えている。図６に示すように、接触用突部２２の先端部は、接続用電極１３に対して、機械的に接触した状態で電気的に接続された機械的接続部１７を構成している。 The drive circuit unit 12 is formed for each pixel region, and is connected to each other so as to form a desired wiring layout over the entire display region that is an aggregate of a plurality of pixel regions. As shown in FIGS. 5 and 6, the driving circuit unit 12 includes a plurality of scanning lines 18 arranged at equal intervals on the first substrate 11 so as to be parallel to each other, and orthogonal to these scanning lines 18. Are provided with a plurality of signal lines 19, a power line 20, a capacitor 21, a selection transistor Q1, a driving transistor Q2, and the like. In particular, the organic EL display device 10 includes a contact protrusion 22 on a drain electrode 31 described later in the drive transistor Q2 of the drive circuit section 12. As shown in FIG. 6, the tip end portion of the contact protrusion 22 constitutes a mechanical connection portion 17 that is electrically connected to the connection electrode 13 in a mechanical contact state.

図５および図６に示すように、選択用トランジスタＱ１は、第１基板１１上に形成されたゲート電極２３と、ゲート電極２３などを覆うように形成されたゲート絶縁膜２４と、ａ−Ｓｉでなる半導体層２５と、ソース電極２６と、ドレイン電極２７と、を備える。駆動用トランジスタＱ２は、ゲート電極２８と、ゲート絶縁膜２４と、ａ−Ｓｉでなる半導体層２９と、ソース電極３０と、ドレイン電極３１と、を備える。 As shown in FIGS. 5 and 6, the selection transistor Q1 includes a gate electrode 23 formed on the first substrate 11, a gate insulating film 24 formed to cover the gate electrode 23, and the like, and a-Si. A semiconductor layer 25, a source electrode 26, and a drain electrode 27. The driving transistor Q2 includes a gate electrode 28, a gate insulating film 24, a semiconductor layer 29 made of a-Si, a source electrode 30, and a drain electrode 31.

図６に示すように、選択用トランジスタＱ１および駆動用トランジスタＱ２は、平坦化絶縁膜３２で覆われている。接触用突部２２の先端部は、平坦化絶縁膜３２の表面に露出するように設定されている。なお、接触用突部２２を接続用電極１３に確実に接触させる観点からは、図６に示すように、接触用突部２２の先端部が平坦化絶縁膜３２の表面から僅かに突出するように形成されていることが好ましい。 As shown in FIG. 6, the selection transistor Q1 and the driving transistor Q2 are covered with a planarization insulating film 32. The tip of the contact protrusion 22 is set so as to be exposed on the surface of the planarization insulating film 32. Note that, from the viewpoint of surely bringing the contact protrusion 22 into contact with the connection electrode 13, the tip of the contact protrusion 22 slightly protrudes from the surface of the planarization insulating film 32 as shown in FIG. 6. It is preferable to be formed.

（第２基板側の構成）
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の第２基板側の構成について説明する。第２基板側は、第２基板側製造工程を施して製造される。第２基板側製造工程では、第２基板１６の上に、順次、透明電極層１５、有機ＥＬ層１４、複数の接続用電極１３が形成されている。有機ＥＬ表示装置１０の複数の有機ＥＬ素子１０Ａは、接続用電極１３と透明電極層１５とで有機ＥＬ層１４を挟んでなる構造である。すなわち、接続用電極１３は、分離領域毎に分離されているため、それぞれの有機ＥＬ素子１０Ａが１つの画素領域として区画されている。 (Configuration on the second substrate side)
Next, the configuration on the second substrate side of the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described. The second substrate side is manufactured by performing a second substrate side manufacturing process. In the second substrate side manufacturing process, the transparent electrode layer 15, the organic EL layer 14, and the plurality of connection electrodes 13 are sequentially formed on the second substrate 16. The plurality of organic EL elements 10 A of the organic EL display device 10 has a structure in which the organic EL layer 14 is sandwiched between the connection electrode 13 and the transparent electrode layer 15. That is, since the connection electrode 13 is separated for each separation region, each organic EL element 10A is partitioned as one pixel region.

第２基板１６としては、例えば、透明なガラス基板を用いる。透明電極層１５は、アノードを構成する。アノード材料としては、ＩＴＯ（indium tin oxide）を用いる。この透明電極層１５は、第２基板１６の表示領域全体に、ＩＴＯを、例えばマグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法により形成する。なお、透明電極層１５の成膜方法としては、この他に、ＣＶＤ法、イオンプレーティング、反応性蒸着、ゾルゲル法などを用いることが可能である。 For example, a transparent glass substrate is used as the second substrate 16. The transparent electrode layer 15 constitutes an anode. As the anode material, ITO (indium tin oxide) is used. The transparent electrode layer 15 is formed of ITO on the entire display region of the second substrate 16 by a sputtering method such as magnetron sputtering. In addition, as a film forming method of the transparent electrode layer 15, CVD method, ion plating, reactive vapor deposition, sol-gel method, or the like can be used.

有機ＥＬ層１４としては、周知の有機ＥＬ材料を用いることができる。この有機ＥＬ層１４は、単層構造以外に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などを備える複数の層構造としてもよい。 As the organic EL layer 14, a well-known organic EL material can be used. The organic EL layer 14 may have a multiple layer structure including an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, and the like in addition to a single layer structure.

接続用電極１３としては、例えばＭｇ：Ｉｎ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ：Ａｇなどの金属電極材料で形成されている。この接続用電極１３は、カソードである。 The connection electrode 13 is made of a metal electrode material such as Mg: In, Al, Ag, or Mg: Ag. The connection electrode 13 is a cathode.

上述の電極材料および有機ＥＬ材料は、有機ＥＬ素子１０Ａを構成する各層の界面、界面を構成する材料の仕事関数やイオン化ポテンシャルを考慮して決定することは云うまでもない。 Needless to say, the electrode material and the organic EL material described above are determined in consideration of the interface of each layer constituting the organic EL element 10A, the work function of the material constituting the interface, and the ionization potential.

図６に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、透明電極層１５に除去部１５Ａが形成されている。この除去部１５Ａは、透明電極層１５において、接触用突部２２の突出方向に対向する領域を部分的に欠くように形成されている。換言すると、除去部１５Ａは、第１基板１１から接続用電極１３へ向けた方向で、接触用突部２２を投影させたときに、この接触用突部２２に重ならないように透明電極層１５を部分的に欠いて形成されている。図５に示すように、この有機ＥＬ表示装置１０では、除去部１５Ａが接触用突部２２の輪郭よりも大きな矩形の穴形状に形成されている。 As shown in FIG. 6, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, a removal portion 15 A is formed in the transparent electrode layer 15. The removal portion 15A is formed in the transparent electrode layer 15 so as to partially lack a region facing the protruding direction of the contact protrusion 22. In other words, the removal portion 15A has the transparent electrode layer 15 so as not to overlap the contact protrusion 22 when the contact protrusion 22 is projected in the direction from the first substrate 11 toward the connection electrode 13. Is partially lacking. As shown in FIG. 5, in this organic EL display device 10, the removal portion 15 A is formed in a rectangular hole shape larger than the outline of the contact projection 22.

除去部１５Ａを形成したことにより、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせたときに、接触用突部２２が透明電極層１５と接触して短絡することを防止できる。したがって、有機ＥＬ表示装置１０における各有機ＥＬ素子１０Ａを、確実に発光駆動させることができる。このため、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、製造歩留まりを向上することができる。なお、本実施の形態では、接続用電極１３の電極面の中間部で、接触用突部２２が接触するように設定したが、接触用突部２２が接続用電極１３に対して接触する位置は特に限定されるものではない。 By forming the removal portion 15A, it is possible to prevent the contact protrusions 22 from coming into contact with the transparent electrode layer 15 and short-circuiting when the first substrate side and the second substrate side are bonded together. Therefore, each organic EL element 10A in the organic EL display device 10 can be driven to emit light reliably. For this reason, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the manufacturing yield can be improved. In the present embodiment, the contact protrusion 22 is set in contact with the intermediate portion of the electrode surface of the connection electrode 13. However, the position where the contact protrusion 22 contacts the connection electrode 13. Is not particularly limited.

（第１基板側製造工程）
次に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について詳細に説明する。まず、図６および図７を用いて第１基板側製造工程について説明する。第１基板側製造工程では、まず、例えば、ガラス基板でなる第１基板１１を用意する。次に、第１基板１１上に、例えば、アルミニウム膜を成膜した後、フォトリソグラフィー技術などを用いてパターニングを行い、信号線１９、電源線２０、ゲート電極２３，２８などをパターン形成する。 (First substrate side manufacturing process)
Next, a method for manufacturing the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be described in detail. First, a 1st board | substrate side manufacturing process is demonstrated using FIG. 6 and FIG. In the first substrate side manufacturing process, first, for example, a first substrate 11 made of a glass substrate is prepared. Next, for example, after an aluminum film is formed on the first substrate 11, patterning is performed using a photolithography technique or the like to pattern the signal line 19, the power supply line 20, the gate electrodes 23 and 28, and the like.

次に、例えば、窒化シリコンなどの材料でなるゲート絶縁膜２４を第１基板１１の表示領域の全面に亘って形成する。その後、ゲート絶縁膜２４上に、例えば、プラズマＣＶＤ技術を用いてａ−Ｓｉ膜を堆積させる。次に、このａ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングして、選択用トランジスタＱ１ならびに駆動用トランジスタＱ２のチャネル層となる半導体層２５，２９をパターン形成する。 Next, for example, a gate insulating film 24 made of a material such as silicon nitride is formed over the entire display region of the first substrate 11. Thereafter, an a-Si film is deposited on the gate insulating film 24 by using, for example, a plasma CVD technique. Next, the a-Si film is patterned by using a photolithography technique and an etching technique to pattern semiconductor layers 25 and 29 which become channel layers of the selection transistor Q1 and the driving transistor Q2.

次に、ゲート絶縁膜２４および半導体層２５，２９を覆うように、例えば、アルミニウム膜を成膜し、周知のパターニングを行って、選択用トランジスタＱ１のソース電極２６およびドレイン電極２７、駆動用トランジスタＱ２のソース電極３０およびドレイン電極３１などをパターン形成する。 Next, for example, an aluminum film is formed so as to cover the gate insulating film 24 and the semiconductor layers 25 and 29, and well-known patterning is performed, so that the source electrode 26 and the drain electrode 27 of the selection transistor Q1, the driving transistor The source electrode 30 and the drain electrode 31 of Q2 are patterned.

その後、ゲート絶縁膜２４、選択用トランジスタＱ１、および駆動用トランジスタＱ２を覆うように、平坦化絶縁膜３２を形成する。そして、ドレイン電極３１に接続する接触用突部２２を形成する部分にドレイン電極３１が露呈するようなスルーホール（図示省略する）を形成する。次に、そのスルーホール内に、例えば、アルミニウムをプラグ状に埋め込んだ接触用突部２２を形成する。以上の工程を経て、駆動用回路部１２が形成される。なお、本実施の形態では、接触用突部２２の先端部が平坦化絶縁膜３２の表面から僅かに突出するように形成する。このようにして、第１基板側製造工程に含まれる駆動用回路部形成工程が終了する。 Thereafter, a planarization insulating film 32 is formed so as to cover the gate insulating film 24, the selection transistor Q1, and the driving transistor Q2. Then, a through hole (not shown) that exposes the drain electrode 31 is formed in a portion where the contact protrusion 22 connected to the drain electrode 31 is formed. Next, for example, contact protrusions 22 in which aluminum is plugged are formed in the through holes. The drive circuit unit 12 is formed through the above steps. In the present embodiment, the tip of the contact protrusion 22 is formed so as to slightly protrude from the surface of the planarization insulating film 32. In this way, the driving circuit portion forming process included in the first substrate side manufacturing process is completed.

（第２基板側製造工程）
次に、図６および図７を用いて第２基板側製造工程について説明する。まず、第２基板１６としてガラス基板を用意する。次に、透明電極層形成工程を行う。すなわち、第２基板１６の上に、ＩＴＯでなる透明電極層１５をマグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法もしくは真空蒸着法などを用いて形成する。本実施の形態では、この透明電極層１５に、除去部１５Ａをパターン形成する工程を有する。すなわち、透明電極層１５の上に、除去部１５Ａを形成すべき領域が露呈するようにレジストをパターン形成し、このレジストをマスクとして透明電極層１５を部分的にウェットエッチングする。 (Second substrate side manufacturing process)
Next, the second substrate side manufacturing process will be described with reference to FIGS. First, a glass substrate is prepared as the second substrate 16. Next, a transparent electrode layer forming step is performed. That is, the transparent electrode layer 15 made of ITO is formed on the second substrate 16 by using a sputtering method such as magnetron sputtering or a vacuum deposition method. In the present embodiment, the transparent electrode layer 15 has a step of patterning the removal portion 15A. That is, a resist is patterned on the transparent electrode layer 15 so that the region where the removed portion 15A is to be formed is exposed, and the transparent electrode layer 15 is partially wet etched using this resist as a mask.

その後、第２基板１６および透明電極層１５の上に有機ＥＬ層１４を形成する。この有機ＥＬ層１４の形成方法は、塗布法、蒸着法、印刷法などの各種の手法にて形成可能である。次に、有機ＥＬ層１４の上に接続用電極層として、例えば、アルミニウム膜を成膜する。次に、この接続用電極層を画素領域毎に分離させて接続用電極１３を形成する。図９に示すように、本実施の形態では、接続用電極層を、例えば、ＹＡＧレーザや、グリーンレーザ、ＵＶレーザなどの各種のレーザビームＬＢを用いて切断・分離して接続用電極１３を形成することができる。 Thereafter, the organic EL layer 14 is formed on the second substrate 16 and the transparent electrode layer 15. The organic EL layer 14 can be formed by various methods such as a coating method, a vapor deposition method, and a printing method. Next, for example, an aluminum film is formed on the organic EL layer 14 as a connection electrode layer. Next, the connection electrode 13 is formed by separating the connection electrode layer for each pixel region. As shown in FIG. 9, in this embodiment, the connection electrode layer is cut and separated using various laser beams LB such as a YAG laser, a green laser, and a UV laser to form the connection electrode 13. Can be formed.

（基板貼り合わせ工程）
次に、図７を用いて基板貼り合わせ工程について説明する。まず、図７に示すように、第１基板側の駆動用回路部１２と、第２基板側の接続用電極１３とを対向させ、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせる。このとき、駆動用回路部１２側の接触用突部２２と接続用電極１３とを接触させる位置とが対向するように位置決めする。特に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、接触用突部２２と、透明電極層１５の除去部１５Ａが対向するように位置合わせする。その後、貼り合わせた状態を保持するように両基板側を固定する。このようにして、図６に示すような、有機ＥＬ表示装置１０の製造が終了する。 (Board bonding process)
Next, the substrate bonding process will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 7, the driving circuit section 12 on the first substrate side and the connection electrode 13 on the second substrate side are opposed to each other, and the first substrate side and the second substrate side are bonded together. At this time, the positioning is performed so that the contact protrusions 22 on the drive circuit portion 12 side and the positions where the connection electrodes 13 are brought into contact with each other face each other. In particular, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the alignment is performed so that the contact protrusion 22 and the removal portion 15A of the transparent electrode layer 15 face each other. Thereafter, both substrate sides are fixed so as to hold the bonded state. In this way, the manufacture of the organic EL display device 10 as shown in FIG. 6 is completed.

（作用および効果）
以上、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０およびその製造方法について説明した。次に、この第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０およびその製造方法における作用、効果について説明する。 (Function and effect)
The organic EL display device 10 according to the first embodiment and the manufacturing method thereof have been described above. Next, functions and effects of the organic EL display device 10 according to the first embodiment and the manufacturing method thereof will be described.

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、有機ＥＬ層１４で発生した発光光が駆動用回路部１２を通過せずに、第２基板１６側から出射されると共に、接続用電極１３側へ向かう発光光は接続用電極１３で反射されて第２基板１６側から出射される。このように有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型となるため、光の取り出し効率が高い。 In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the emitted light generated in the organic EL layer 14 is emitted from the second substrate 16 side without passing through the driving circuit unit 12 and also connected to the connection electrode 13. The emitted light traveling toward is reflected by the connection electrode 13 and emitted from the second substrate 16 side. Thus, since the organic EL display device 10 is a top emission type, the light extraction efficiency is high.

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、透明電極層１５に除去部１５Ａを形成して、接触用突部２２と透明電極層１５とが短絡しないようにしている。このため、有機ＥＬ表示装置１０を構成する複数の有機ＥＬ素子１０Ａを確実に発光させることができる。このように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０およびその製造方法によれば、発光を行わない不良画素が発生することを防止でき、有機ＥＬ表示装置１０の製造歩留まりを高めることができる。 In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the removal portion 15A is formed in the transparent electrode layer 15 so that the contact protrusion 22 and the transparent electrode layer 15 are not short-circuited. For this reason, the plurality of organic EL elements 10A constituting the organic EL display device 10 can reliably emit light. Thus, according to the organic EL display device 10 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, it is possible to prevent defective pixels that do not emit light and to increase the manufacturing yield of the organic EL display device 10. .

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、駆動用回路部１２と接続用電極１３とが機械的接続部１７で電気的に接続されている。特に、本実施の形態では、駆動用回路部１２における駆動用トランジスタＱ２のドレイン電極３１に接触用突部２２を形成し、この接触用突部２２の先端部が機械的接続部１７を構成している。接続用電極１３と接触用突部２２の構成材料が低抵抗な導電性金属同士であるため、接続抵抗の小さい電気的な接続が可能である。 In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the drive circuit unit 12 and the connection electrode 13 are electrically connected by the mechanical connection unit 17. In particular, in the present embodiment, the contact protrusion 22 is formed on the drain electrode 31 of the drive transistor Q2 in the drive circuit section 12, and the tip of the contact protrusion 22 forms the mechanical connection section 17. ing. Since the constituent materials of the connection electrode 13 and the contact projection 22 are low resistance conductive metals, electrical connection with a low connection resistance is possible.

特に、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、接触用突部２２が平坦化絶縁膜３２の表面から僅かに突出するように設定したため、貼り合わせ工程において接触用突部２２が接続用電極１３に所定の圧力で当接するとともに、接続用電極１３に食い込むことで確実な電気的な接続が可能となる。 In particular, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the contact protrusions 22 are set so as to slightly protrude from the surface of the planarization insulating film 32. Therefore, the contact protrusions 22 are used for connection in the bonding process. A reliable electrical connection is possible by contacting the electrode 13 with a predetermined pressure and biting into the connection electrode 13.

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、接続用電極１３が画素領域毎に分離され、かつそれぞれの画素領域に駆動用回路部１２が設けられている。なお、駆動用回路部１２は、選択用トランジスタＱ１、駆動用トランジスタＱ２や、これらに接続される配線などでなる。そして、接続用電極１３はカソード、透明電極層１５はアノードである。機械的接続部１７は、接触用突部２２と接続用電極１３（カソード）とを電気的に接続している。そして、駆動用トランジスタＱ２は、チャネル層がａ−Ｓｉでなり、ｎ型のチャネルを形成する、ｎ型ａ−ＳｉＴＦＴである。 In the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the connection electrode 13 is separated for each pixel region, and the driving circuit unit 12 is provided in each pixel region. The driving circuit unit 12 includes a selection transistor Q1, a driving transistor Q2, and wirings connected thereto. The connection electrode 13 is a cathode and the transparent electrode layer 15 is an anode. The mechanical connection portion 17 electrically connects the contact protrusion 22 and the connection electrode 13 (cathode). The driving transistor Q2 is an n-type a-Si TFT having a channel layer made of a-Si and forming an n-type channel.

したがって、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１０では、接続用電極１３（カソード）と駆動用トランジスタＱ２のドレイン電極３１が接続する構成であり、駆動用トランジスタＱ２としてｎ型ａ−ＳｉＴＦＴを用いたことにより、図８Ａに示すような定電流接続を採用できる。図８Ａ中、符号４１はデータ電源、符号４２はゲート電源、符号４３はソース電源を示す。 Therefore, in the organic EL display device 10 of the present embodiment, the connection electrode 13 (cathode) is connected to the drain electrode 31 of the driving transistor Q2, and an n-type a-Si TFT is used as the driving transistor Q2. Thus, a constant current connection as shown in FIG. 8A can be adopted. In FIG. 8A, reference numeral 41 denotes a data power supply, reference numeral 42 denotes a gate power supply, and reference numeral 43 denotes a source power supply.

ここで、図８Ａおよび図８Ｂを用いて、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と、従来の有機ＥＬ表示装置と、の駆動用トランジスタＱ２の回路構成とを比較する。従来の積層構造の有機ＥＬ表示装置では、駆動用回路部１２の上に有機ＥＬ素子１０Ａを積み上げてトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、温度などのプロセス条件の規制から、金属電極層（アノード）、有機ＥＬ層、透明電極層（カソード）の順に積み上げることになる。従来のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、駆動用回路部１２の駆動用トランジスタ（ｎ型ａ−ＳｉＴＦＴ）Ｑ２のソース電極をすぐ上に位置する金属電極層（アノード）に接続することになる。 Here, using FIG. 8A and FIG. 8B, the circuit configuration of the driving transistor Q2 of the organic EL display device 10 according to the present embodiment and the conventional organic EL display device is compared. In the conventional organic EL display device having a laminated structure, when an organic EL element 10A is stacked on the driving circuit unit 12 to produce a top emission type organic EL display device, the metal electrode is used because of restrictions on process conditions such as temperature. A layer (anode), an organic EL layer, and a transparent electrode layer (cathode) are stacked in this order. In the conventional top emission type organic EL display device, the source electrode of the driving transistor (n-type a-Si TFT) Q2 of the driving circuit unit 12 is connected to the metal electrode layer (anode) located immediately above. .

このような従来構造の有機ＥＬ表示装置では、図８Ｂの等価回路図で示すように、ｎ型ａ−ＳｉＴＦＴと有機ＥＬ素子１０Ａのアノードとの接続（カレント・フォロワ接続）となる。この場合、駆動用トランジスタＱ２のゲート電圧（Ｖ_Ｇ）でドレイン電流が制御されるため、有機ＥＬ素子１０Ａに流れる電流値（Ｉ_OLED）は回路抵抗変動の影響を受ける。このため、このような従来の有機ＥＬ表示装置では、電流変動に起因する輝度むらが発生する。 In the organic EL display device having such a conventional structure, as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 8B, the n-type a-Si TFT and the anode of the organic EL element 10A are connected (current follower connection). In this case, since the drain current is controlled by the gate voltage (V _G ) of the driving transistor Q2, the current value (I _OLED ) flowing through the organic EL element 10A is affected by circuit resistance fluctuations. For this reason, in such a conventional organic EL display device, luminance unevenness due to current fluctuation occurs.

一方、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、ドレイン電極３１が接触用突部２２を介してカソードである接続用電極１３に接続されている。図８Ａの等価回路図に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０（有機ＥＬ素子１０Ａ）では、駆動用トランジスタＱ２のゲート電圧でドレイン電流が制御できる。このため、有機ＥＬ素子１０Ａに流れる電流値（Ｉ_OLED）は回路抵抗に依らず、ゲート電圧で精度良く制御できる。したがって、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、電流変動に起因する輝度むらの発生を抑制でき、大幅に表示性能を向上できる。 On the other hand, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the drain electrode 31 is connected to the connection electrode 13 which is a cathode through the contact protrusion 22. As shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 8A, in the organic EL display device 10 (organic EL element 10A) according to the present embodiment, the drain current can be controlled by the gate voltage of the driving transistor Q2. Therefore, the current value (I _OLED ) flowing through the organic EL element 10A can be accurately controlled by the gate voltage without depending on the circuit resistance. Therefore, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of luminance unevenness due to current fluctuations and to greatly improve the display performance.

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０の製造方法では、第２基板１６に対して、高温のプロセスとなるスパッタ法にてＩＴＯなどでなる透明電極層１５を形成した後に、有機ＥＬ層１４を形成する。このため、この製造方法では、有機ＥＬ層１４が、高温のスパッタ粒子、スパッタガスなどから生じる負イオンなどで損傷されることがない。通常、透明電極層１５を形成する際には、有機ＥＬ層１４に損傷を与える酸素ガスを用いる。しかし、本実施の形態に係る製造方法では、透明電極層１５の形成時には有機ＥＬ層１４が未だ形成されておらず、酸素ガスの供給などの使用条件が制限を受けることがない。このように、有機ＥＬ層１４の劣化を抑制することにより、発光性能の優れた有機ＥＬ表示装置１０を実現することができる。 In the method of manufacturing the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the organic EL layer 14 is formed on the second substrate 16 after the transparent electrode layer 15 made of ITO or the like is formed by a sputtering method that is a high-temperature process. Form. For this reason, in this manufacturing method, the organic EL layer 14 is not damaged by negative ions generated from high-temperature sputtered particles, sputtered gas, or the like. Usually, when the transparent electrode layer 15 is formed, oxygen gas that damages the organic EL layer 14 is used. However, in the manufacturing method according to the present embodiment, the organic EL layer 14 is not yet formed when the transparent electrode layer 15 is formed, and usage conditions such as supply of oxygen gas are not limited. In this way, by suppressing the deterioration of the organic EL layer 14, the organic EL display device 10 having excellent light emission performance can be realized.

［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法について、図１０および図１１Ａ〜図１１Ｄを用いて説明する。図１０は、有機ＥＬ表示装置４０を簡略化した構造を示す断面図である。図１１Ａ〜図１１Ｄは、接続用電極１３の分離工程について示す工程断面図である。なお、本実施の形態の説明において、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の構成部材には、同一または類似の符号を付して、詳細な説明を省略する。 [Second Embodiment]
Hereinafter, an organic EL display device and a manufacturing method thereof according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11A to 11D. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a simplified structure of the organic EL display device 40. 11A to 11D are process cross-sectional views illustrating the process of separating the connection electrode 13. In the description of the present embodiment, the same or similar reference numerals are given to the same components as those of the organic EL display device 10 according to the first embodiment, and the detailed description is omitted.

この有機ＥＬ表示装置４０の製造方法は、接続用電極層形成工程が、第２基板１６上に、互いに隣接する画素領域の境界に段差３３Ａを形成し、その後、順次、透明電極層１５、有機ＥＬ層１４、接続用電極（接続用電極層）１３を成膜して、段差３３Ａにより接続用電極１３が画素領域毎に分断されるように形成する。 In the method of manufacturing the organic EL display device 40, the connection electrode layer forming step forms a step 33A on the boundary between adjacent pixel regions on the second substrate 16, and then sequentially forms the transparent electrode layer 15 and the organic layer. The EL layer 14 and the connection electrode (connection electrode layer) 13 are formed so that the connection electrode 13 is divided for each pixel region by the step 33A.

（第１基板側製造工程）
図１０を用いて第１基板側製造工程について説明する。図１０に示すように、第１基板１１の上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術などを用いて、ゲート電極２８、ゲート絶縁膜２４、半導体層２５、ソース電極３０、ドレイン電極３１などを形成する。その後、平坦化絶縁膜３２を形成した後、後述する第２基板側の凹凸に応じるように、平坦化絶縁膜３２の表面に凹凸構造を、異方性エッチング技術を用いて形成する。次で、ドレイン電極３１の上に位置する平坦化絶縁膜３２にスルーホール（図示省略する）を形成する。さらに、そのスルーホール内にプラグ状に金属を埋め込んで接触用突部２２Ａ、２２Ｂを形成する。なお、平坦化絶縁膜３２の凹凸の加工は、対向する第２基板１６側の凹凸と確実に嵌り合うように、嵌め込みマージンが設定されている。 (First substrate side manufacturing process)
The first substrate side manufacturing process will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 10, a gate electrode 28, a gate insulating film 24, a semiconductor layer 25, a source electrode 30, and a drain are formed on the first substrate 11 using a well-known film forming technique, photolithography technique, etching technique, or the like. The electrode 31 and the like are formed. Then, after the planarization insulating film 32 is formed, a concavo-convex structure is formed on the surface of the planarization insulating film 32 by using an anisotropic etching technique so as to correspond to the concavo-convex on the second substrate side described later. Next, a through hole (not shown) is formed in the planarization insulating film 32 located on the drain electrode 31. Further, the contact protrusions 22A and 22B are formed by embedding a metal in a plug shape in the through hole. The unevenness of the planarization insulating film 32 is set with an insertion margin so that the unevenness on the opposite second substrate 16 side is surely fitted.

（第２基板側製造工程）
図１１Ａ〜図１１Ｄを用いて、第２基板側製造工程について説明する。図１１Ａに示すように、第２基板１６の上に、透明材料でなる段差部材３３をパターン形成する。この段差部材３３は、互いに隣接する画素領域同士の一方に配置されるように形成する。なお、一般的な画素配列の場合、１つの画素領域には、それを取り囲む４つの画素領域が存在するため、それぞれの画素領域同士の境界に段差が形成されるようにする。具体的には、高さの異なる段差部材３３を形成することにより、隣接する画素領域同士の境界に段差３３Ａを形成できる。 (Second substrate side manufacturing process)
The second substrate side manufacturing process will be described with reference to FIGS. 11A to 11D. As shown in FIG. 11A, a step member 33 made of a transparent material is pattern-formed on the second substrate 16. The step member 33 is formed so as to be arranged in one of the adjacent pixel regions. In the case of a general pixel arrangement, since one pixel region has four pixel regions surrounding it, a step is formed at the boundary between the pixel regions. Specifically, by forming the step members 33 having different heights, the step 33A can be formed at the boundary between adjacent pixel regions.

次に、図１１Ｂに示すように、第２基板１６および段差部材３３の上に、透明電極層１５を全面に亘って形成する。このとき、透明電極層１５の厚さ寸法は、段差部材３３を乗り越えた場合に、画素領域同士の境界の段差３３Ａで分断されない程度の厚さに設定する。その後、図１１Ｃに示すように、透明電極層１５の上に有機ＥＬ層１４を形成する。この場合も、段差３３Ａで有機ＥＬ層１４が分断されないような厚さに設定する。次いで、図１１Ｄに示すように、有機ＥＬ層１４の上に接続用電極材料で成膜を行うことにより、段差３３Ａで画素領域毎に分断された接続用電極１３を形成できる。なお、接続用電極１３同士が分離するようにするためには、接続用電極１３の膜厚寸法を小さくすることや、成膜条件を制御してもよい。 Next, as shown in FIG. 11B, the transparent electrode layer 15 is formed over the entire surface of the second substrate 16 and the step member 33. At this time, the thickness dimension of the transparent electrode layer 15 is set so as not to be divided by the step 33 A at the boundary between the pixel regions when the step member 33 is overcome. Thereafter, as shown in FIG. 11C, the organic EL layer 14 is formed on the transparent electrode layer 15. Also in this case, the thickness is set such that the organic EL layer 14 is not divided by the step 33A. Next, as shown in FIG. 11D, by forming a film with the connection electrode material on the organic EL layer 14, the connection electrode 13 divided for each pixel region by the step 33A can be formed. In order to separate the connecting electrodes 13 from each other, the thickness of the connecting electrode 13 may be reduced, or the film forming conditions may be controlled.

このように製造された第２基板側と、上記工程で作製された第１基板側と、を貼り合わせることにより、図１０に示すような有機ＥＬ表示装置４０の製造が終了する。なお、この実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４０における透明電極層１５には、除去部１５Ａを形成していないが、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様に除去部１５Ａを形成してもよい。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置４０は、上記の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の効果を有する。 The manufacture of the organic EL display device 40 as shown in FIG. 10 is completed by bonding the second substrate side manufactured in this way and the first substrate side manufactured in the above process. In addition, although the removal part 15A is not formed in the transparent electrode layer 15 in the organic EL display device 40 according to this embodiment, the removal part is similar to the organic EL display device 10 according to the first embodiment. 15A may be formed. The organic EL display device 40 according to the present embodiment has the same effect as the organic EL display device 10 according to the first embodiment.

［第３の実施の形態］
図１２Ａおよび図１２Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を示す。以下、本実施の形態の特徴部分を説明し、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の部分には、同一の符号を付して説明を省略する。 [Third Embodiment]
12A and 12B show an organic EL display device and a method for manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention. Hereinafter, the characteristic part of the present embodiment will be described, and the same parts as those of the organic EL display device 10 according to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置５０の製造方法では、第１基板側製造工程において、第１基板側に、突堤部（バンク）３４を形成する工程を含む。この突堤部３４は、基板貼り合わせ工程で接続用電極（接続用電極層）１３を画素領域毎に剪断して分離する。この突堤部３４の平坦化絶縁膜３２からの突出高さは、接続用電極１３の膜厚寸法よりも長くなるように設定されている。このため、図１２Ａに示すように、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせたときに、図１２Ｂに示すように、突堤部３４が接続用電極１３を画素領域毎に剪断して分離させるようになっている。 In the manufacturing method of the organic EL display device 50 according to the present embodiment, the first substrate side manufacturing step includes a step of forming a bank portion 34 on the first substrate side. The jetty portion 34 shears and separates the connection electrode (connection electrode layer) 13 for each pixel region in the substrate bonding step. The protruding height of the jetty portion 34 from the planarization insulating film 32 is set to be longer than the film thickness dimension of the connection electrode 13. Therefore, as shown in FIG. 12A, when the first substrate side and the second substrate side are bonded together, as shown in FIG. 12B, the jetty portion 34 shears the connection electrode 13 for each pixel region. It is supposed to be separated.

本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置５０の製造方法では、予め接続用電極層１３を分離して形成する必要がなく、工程数の増加を抑えることができる。また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置５０の他の構成は、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様であり、作用および効果も同様である。 In the manufacturing method of the organic EL display device 50 according to the present embodiment, it is not necessary to separate and form the connection electrode layer 13 in advance, and an increase in the number of steps can be suppressed. The other configuration of the organic EL display device 50 according to the present embodiment is the same as that of the organic EL display device 10 according to the first embodiment, and the operation and effect are also the same.

［第４の実施の形態］
図１３Ａおよび図１３Ｂは、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置６０およびその製造方法を示す。以下、本実施の形態の特徴部分を説明し、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様の部分には、同一の符号を付して説明を省略する。 [Fourth Embodiment]
13A and 13B show an organic EL display device 60 and a manufacturing method thereof according to the fourth embodiment of the present invention. Hereinafter, the characteristic part of the present embodiment will be described, and the same parts as those of the organic EL display device 10 according to the first embodiment will be denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

図１３Ａに示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置６０は、ドレイン電極３１自体が平坦化絶縁膜３２の表面から露出するように、予め、隆起する形状に形成している。この有機ＥＬ表示装置６０の製造方法においては、ドレイン電極３１が隆起してなる接触用突部３１Ａの下に、突出部３５を形成している。この突出部３５で嵩上げされることにより、ドレイン電極３１が隆起してなる接触用突部３１Ａを形成できる。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置６０における他の構成は、上記第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１０と同様であり、作用および効果も同様である。 As shown in FIG. 13A, the organic EL display device 60 according to the present embodiment is formed in advance so as to protrude so that the drain electrode 31 itself is exposed from the surface of the planarization insulating film 32. In the method of manufacturing the organic EL display device 60, the protruding portion 35 is formed under the contact protruding portion 31A in which the drain electrode 31 is raised. By raising the protrusion 35, the contact protrusion 31A in which the drain electrode 31 is raised can be formed. Other configurations of the organic EL display device 60 according to the present embodiment are the same as those of the organic EL display device 10 according to the first embodiment, and the operations and effects are also the same.

［その他の実施の形態］
以上、実施の形態について説明したが、この実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。 [Other embodiments]
Although the embodiment has been described above, it should not be understood that the description and the drawings constituting a part of the disclosure of the embodiment limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、上記第１の実施の形態では、接続用電極層１３を画素領域毎に分離させるために、レーザビームの照射を行って分離、加工を行ったが、図１４Ａ〜図１４Ｃに示すように、格子状の成膜用マスクを用いて接続用電極１３を成膜してもよい。 For example, in the first embodiment, in order to separate the connection electrode layer 13 for each pixel region, laser beam irradiation is performed for separation and processing, but as shown in FIGS. 14A to 14C. Alternatively, the connection electrode 13 may be formed using a lattice-shaped film formation mask.

すなわち、図１４Ａに示すように、透明電極層１５上に有機ＥＬ層１４を形成した後、有機ＥＬ層１４の上に画素領域毎に接続用電極１３が分離して成膜されるように、格子状の成膜用マスクとしてのメタルマスク３６を配置する。その後、図１４Ｂに示すように、有機ＥＬ層１４およびメタルマスク３６の上から接続用電極材料で成膜を行う。その結果、図１４Ｂに示すように、互いに分離した接続用電極１３を形成できる。その後、図１４Ｃに示すように、メタルマスク３６を除去すればよい。なお、格子状の成膜用マスクとしては、メタルマスク３６に限定されない。 That is, as shown in FIG. 14A, after forming the organic EL layer 14 on the transparent electrode layer 15, the connection electrode 13 is formed on the organic EL layer 14 separately for each pixel region. A metal mask 36 is disposed as a lattice-shaped film formation mask. Thereafter, as shown in FIG. 14B, a film is formed from the connection electrode material on the organic EL layer 14 and the metal mask 36. As a result, as shown in FIG. 14B, the connection electrodes 13 separated from each other can be formed. Thereafter, as shown in FIG. 14C, the metal mask 36 may be removed. Note that the lattice-form deposition mask is not limited to the metal mask 36.

上記の各実施の形態においては、駆動用回路部１２にスイッチング素子として、ａ−ＳｉＴＦＴを用いたが、このａ−ＳｉＴＦＴでは、トップ・ゲート型（あるいは順スタガ型、コプレーナ型）、ボトム・ゲート型（逆スタガ型）のどちらの構造を採用してもよい。また、上記の各実施の形態では、ゲート、ソース、ドレインの3端子で構成されたＴＦＴを用いたが、２端子のスイッチング素子である、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）素子を用いることも本発明の適用範囲である。また、スイッチング素子として、ポリシリコンＴＦＴを用いても勿論よい。 In each of the above-described embodiments, an a-Si TFT is used as a switching element in the driving circuit unit 12, but in this a-Si TFT, a top gate type (or a forward stagger type or a coplanar type), a bottom gate is used. Either type (reverse stagger type) structure may be adopted. In each of the above embodiments, a TFT composed of three terminals of a gate, a source, and a drain is used. However, it is also possible to use a MIM (Metal Insulator Metal) element that is a two-terminal switching element. Scope of application. Of course, a polysilicon TFT may be used as the switching element.

上記の各実施の形態において、第２基板１６と透明電極層１５との間に、耐熱性を有する透明樹脂フィルムを介在させた構成としてもよい。そして、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせた後に、第２基板１６を剥離してもよい。 In each of the above embodiments, a transparent resin film having heat resistance may be interposed between the second substrate 16 and the transparent electrode layer 15. Then, after the first substrate side and the second substrate side are bonded together, the second substrate 16 may be peeled off.

上記の各実施の形態において、信号線１９、電源線２０、およびゲート絶縁膜２４と、第１基板１１との間に、耐熱性を有する透明樹脂フィルムを介在させた構成としてもよい。そして、第１基板側と第２基板側とを貼り合わせた後に、第１基板１１を剥離してもよい。 In each of the above embodiments, a transparent resin film having heat resistance may be interposed between the signal line 19, the power supply line 20, the gate insulating film 24, and the first substrate 11. Then, the first substrate 11 may be peeled after the first substrate side and the second substrate side are bonded together.

１有機ＥＬ表示装置
２第１基板
３駆動用回路部
４接続用電極層
４Ａ接続用電極
５有機ＥＬ層
６透明電極層
７第２基板
８機械的接続部
１０有機ＥＬ表示装置
１０Ａ有機ＥＬ素子
１１第１基板
１２駆動用回路部
１３接続用電極
１４有機ＥＬ層
１５透明電極層
１５Ａ除去部
１６第２基板
１７機械的接続部
２２接触用突部
２８ゲート電極
２９半導体層
３０ソース電極
３１ドレイン電極
３１Ａ接触用突部
３３段差部材
３３Ａ段差
３４突堤部
３５突出部
３６メタルマスク（成膜用マスク）
４０、５０、６０有機ＥＬ表示装置
Ｑ１選択用トランジスタ
Ｑ２駆動用トランジスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL display device 2 1st board | substrate 3 Drive circuit part 4 Connection electrode layer 4A Connection electrode 5 Organic EL layer 6 Transparent electrode layer 7 2nd board | substrate 8 Mechanical connection part 10 Organic EL display apparatus 10A Organic EL element 11 First substrate 12 Driving circuit portion 13 Connection electrode 14 Organic EL layer 15 Transparent electrode layer 15A Removal portion 16 Second substrate 17 Mechanical connection portion 22 Contact protrusion 28 Gate electrode 29 Semiconductor layer 30 Source electrode 31 Drain electrode 31A Contact projection 33 Step member 33A Step 34 Jetty portion 35 Projection portion 36 Metal mask (film formation mask)
40, 50, 60 Organic EL display device Q1 selection transistor Q2 drive transistor

Claims

A substrate,
A driving circuit unit formed on the substrate;
A connection electrode disposed on the drive circuit unit;
An organic EL layer disposed on the connection electrode;
A transparent electrode layer disposed on the organic EL layer;
With
The organic EL display device, wherein the drive circuit section and the connection electrode are electrically connected via a mechanical connection section.

The drive circuit portion includes a contact protrusion that protrudes in a direction away from the substrate,
The contact protrusion and the connection electrode constitute the mechanical connection portion,
The transparent electrode layer is a removal formed by partially lacking so as not to overlap the contact protrusion when the contact protrusion is projected in a direction from the substrate to the connection electrode. The organic EL display device according to claim 1, further comprising: a portion.

The connection electrodes are separated from each other for each pixel region, and the driving circuit unit is provided in each pixel region,
The driving circuit unit includes a driving thin film transistor capable of applying a driving voltage to the organic EL layer,
3. The organic EL display device according to claim 2, wherein one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor is connected to the contact protrusion.

The connection electrode is a cathode, and the transparent electrode layer is an anode;
4. The drive thin film transistor according to claim 3, wherein a channel layer is made of amorphous silicon, an n-type channel is formed, and the drain electrode is electrically connected to the connection electrode. Organic EL display device.

A first substrate side manufacturing step for manufacturing the first substrate side, a second substrate side manufacturing step for manufacturing a second substrate side including a transparent electrode layer through which emitted light passes, and a substrate bonding step,
The first substrate side manufacturing process includes:
A driving circuit portion forming step of forming a driving circuit portion on the first substrate;
The second substrate side manufacturing process includes:
A transparent electrode layer forming step for forming the transparent electrode layer on the second substrate; an organic EL layer forming step for forming an organic EL layer on the transparent electrode layer; and a connection electrode on the organic EL layer. A connecting electrode layer forming step of forming a layer,
The substrate bonding step includes
The organic EL display device, wherein the first substrate side and the second substrate side are bonded together, and the driving circuit portion and the connection electrode layer are mechanically contacted to be electrically connected. Manufacturing method.

The driving circuit forming step includes:
Forming a contact protrusion projecting in a direction away from the first substrate on the driving circuit section;
The transparent electrode layer forming step includes
Including a step of forming the transparent electrode layer so as to partially lack so that the contact protrusion does not interfere with the transparent electrode layer during the bonding step,
In the substrate bonding step,
The method for manufacturing an organic EL display device according to claim 5, further comprising a step of mechanically contacting and electrically connecting the connection electrode layer and the contact protrusion.

7. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 5, wherein the connection electrode layer is formed separately for each pixel region.

The said connection electrode layer formation process includes the process of isolate | separating and forming this connection electrode layer for every pixel area by irradiating the said connection electrode layer with a laser. A method for manufacturing an organic EL display device.

In the connecting electrode layer forming step, a step is formed on a boundary between adjacent pixel regions on the second substrate, and then the transparent electrode layer, the organic EL layer, and the connecting electrode layer are sequentially formed. 8. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 7, wherein the connection electrode layer is divided into pixel regions by the step.

In the connection electrode layer forming step, when the connection electrode layer is formed, the connection electrode layer is formed on the organic EL layer so that the connection electrode layer is formed separately for each pixel region. A method for manufacturing an organic EL display device according to claim 7, wherein a mask is disposed.

The first substrate side manufacturing step includes a step of forming a jetty on the first substrate side for shearing and separating the connection electrode layer for each pixel region in the substrate bonding step. The manufacturing method of the organic electroluminescence display of Claim 7.

The driving circuit unit forming step includes a step of forming a driving thin film transistor capable of applying a voltage to the organic EL layer,
In the substrate bonding step,
Any one of a source electrode and a drain electrode of the driving thin film transistor and the connection electrode layer are bonded to each other so as to be electrically connected. A method for producing an organic EL display device according to one item.

The connection electrode layer is formed of a cathode material, the transparent electrode layer is formed of an anode material,
13. The organic thin film transistor according to claim 12, wherein the driving thin film transistor is formed by forming a channel layer forming an n-type channel from amorphous silicon and electrically connecting the drain electrode to the connection electrode layer. Manufacturing method of EL display device.