JP2017036373A - Insulation film - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an insulation film that is excellent in winding property and insulation breakdown voltage, and is low in film long-sized direction (MD) thermal shrinkage.SOLUTION: An insulation film is characterized in: having a styrenic polymer having a syndiotactic structure as a main constituent component; containing inactive fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less by 2.0 mass% or less; and when subjected to a heating treatment at 150°C for 30 minutes in a state of no tension, the thermal shrinkage in the film long-sized direction and the short-sized direction is 2% or less, respectively.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、絶縁フィルムに関する。さらに詳しくは、電気的特性及び耐熱性が良好で、特に高い絶縁破壊電圧を有する絶縁フィルムに関する。   The present invention relates to an insulating film. More specifically, the present invention relates to an insulating film having good electrical characteristics and heat resistance and having a particularly high breakdown voltage.

シンジオタクチックポリスチレン系樹脂組成物からなる延伸フィルムは、耐熱性、耐薬品性、耐熱水性、誘電特性、電気絶縁性等に優れたフィルムであり、様々な用途への適用が期待されている。特に、誘電特性に優れ、高い電気絶縁性と耐熱性を有するためにコンデンサーの絶縁体として用いられている。例えば特許文献1〜4には、コンデンサー用シンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルムが提唱されている。   A stretched film made of a syndiotactic polystyrene resin composition is a film excellent in heat resistance, chemical resistance, hot water resistance, dielectric properties, electrical insulation, and the like, and is expected to be applied to various applications. In particular, it is used as an insulator for capacitors because of its excellent dielectric properties and high electrical insulation and heat resistance. For example, Patent Documents 1 to 4 propose syndiotactic polystyrene biaxially stretched films for capacitors.

しかしながら、特許文献1〜4に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムは、コンデンサーの絶縁体として使用され得るものであるが、例えば、近年のハイブリッドカーに搭載されるコンデンサーのようなより高性能なコンデンサーにおいては、絶縁破壊電圧等の電気的特性及び耐熱性により優れたフィルムが要求されている。
また、コンデンサーの静電容量を向上する、あるいはコンデンサーを小型化する目的において、絶縁体となるフィルムのさらなる薄膜化が要求されているが、一般的には薄膜化に伴い取り扱い性が低下してしまう。そこで、薄膜化したとしても、フィルム製造工程における生産性を低下させず、また近年要求されているコンデンサーの製造速度に適応できるように、取り扱い性により優れたフィルムが要求されている。
However, although the syndiotactic polystyrene film disclosed in Patent Documents 1 to 4 can be used as an insulator of a capacitor, for example, it has higher performance than a capacitor mounted on a recent hybrid car. In such a capacitor, a film excellent in electrical characteristics such as breakdown voltage and heat resistance is required.
In addition, in order to improve the capacitance of the capacitor or to reduce the size of the capacitor, it is required to further reduce the film thickness as an insulator. End up. Therefore, even if the film thickness is reduced, there is a demand for a film that is superior in handling properties so that productivity in the film manufacturing process is not lowered and it can be adapted to the capacitor manufacturing speed required in recent years.

かかる課題に対して、特許文献5は特定の不活性微粒子と酸化防止剤を含み、特定の屈折率を有するシンジオタクチックポリスチレン系フィルムを開示する。しかしながら、特許文献5に開示されているシンジオタクチックポリスチレン系フィルムは、フィルムの縦方向(MD)の熱収縮率が高いという問題点があった。   In response to this problem, Patent Document 5 discloses a syndiotactic polystyrene film containing a specific inert fine particle and an antioxidant and having a specific refractive index. However, the syndiotactic polystyrene film disclosed in Patent Document 5 has a problem in that the thermal shrinkage in the machine direction (MD) of the film is high.

特開平3−124750号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-124750 特開平6−80793号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-80793 特開平7−156263号公報JP 7-156263 A 特開平8−283496号公報JP-A-8-28396 特開2013−241626号公報JP 2013-241626 A

本発明の目的は、巻取り性と絶縁破壊電圧に優れ、フィルムの長尺方向(縦方向、MD)の熱収縮率が低い絶縁フィルムを提供することである。   An object of the present invention is to provide an insulating film that is excellent in winding property and dielectric breakdown voltage and has a low heat shrinkage rate in the longitudinal direction (longitudinal direction, MD) of the film.

本発明によれば、以下の絶縁フィルムが提供される。
1.シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とし、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下である不活性微粒子を2.0質量%以下含み、
無張力の状態で150℃、30分の加熱処理を行った場合に、フィルムの長尺方向と短尺方向の熱収縮率がそれぞれ2%以下となることを特徴とする絶縁フィルム。
2.シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とし、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下である不活性微粒子を2.0質量%以下含むスチレン系重合体含有組成物を、同時二軸延伸することにより製造した絶縁フィルム。
According to the present invention, the following insulating films are provided.
1. A styrene polymer having a syndiotactic structure as a main constituent component, containing 2.0% by mass or less of inert fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less,
An insulating film characterized in that, when heat treatment is performed at 150 ° C. for 30 minutes in a tensionless state, the thermal shrinkage rate in the long direction and the short direction of the film is 2% or less, respectively.
2. A styrenic polymer-containing composition containing 2.0% by mass or less of inert fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less, comprising a styrene polymer having a syndiotactic structure as a main constituent, An insulating film produced by biaxial stretching.

本発明によれば、巻取り性と絶縁破壊電圧に優れ、フィルムの長尺方向(縦方向、MD)の熱収縮率が低い絶縁フィルムが提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is excellent in winding property and a dielectric breakdown voltage, and can provide the insulating film with the low heat shrinkage rate of the longitudinal direction (longitudinal direction, MD) of a film.

本発明の第1の絶縁フィルムは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とし、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下である不活性微粒子を2.0質量%以下含み、無張力の状態で150℃、30分の加熱処理を行った場合に、フィルムの長尺方向と短尺方向の熱収縮率がそれぞれ2%以下となる絶縁フィルムである。
本発明の第2の絶縁フィルムは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とし、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下である不活性微粒子を2.0質量%以下含むスチレン系重合体含有組成物を同時二軸延伸することにより製造した絶縁フィルムである。
The first insulating film of the present invention comprises a syndiotactic styrene polymer as a main component, and contains 2.0% by mass or less of inert fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less. When the heat treatment is performed at 150 ° C. for 30 minutes in a tensionless state, the heat shrinkage rate in the long direction and the short direction of the film is 2% or less, respectively.
The second insulating film of the present invention comprises a styrene polymer having a syndiotactic structure as a main constituent, and contains 2.0% by mass or less of inert fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less. An insulating film produced by simultaneously biaxially stretching a styrene polymer-containing composition.

本発明の第1の絶縁フィルムは、本発明の第2の絶縁フィルムのスチレン系重合体含有組成物を同時二軸延伸して得られるフィルムである。従って、フィルムの長尺方向は、縦方向、MD、MD方向、及び機械軸方向のそれぞれに対応し、短尺方向は、横方向、TD、TD方向、及び機械軸方向と厚み方向とに垂直な方向のそれぞれに対応する。
以下、本発明の第1の絶縁フィルム及び本発明の第2の絶縁フィルムの両方をまとめて「本発明の絶縁フィルム」と言う。
The first insulating film of the present invention is a film obtained by simultaneously biaxially stretching the styrene polymer-containing composition of the second insulating film of the present invention. Therefore, the longitudinal direction of the film corresponds to each of the longitudinal direction, MD, MD direction, and the machine axis direction, and the short direction is perpendicular to the transverse direction, TD, TD direction, the machine axis direction, and the thickness direction. Corresponds to each of the directions.
Hereinafter, both the first insulating film of the present invention and the second insulating film of the present invention are collectively referred to as “the insulating film of the present invention”.

コンデンサーの絶縁体として用いられるフィルムは、フィルム厚みが薄い方がコンデンサーの静電容量が高くなり好ましいことが一般的によく知られている。しかしながら、実際にフィルム厚みを薄く(薄膜化)してゆくと、フィルムにしわが入りやすくなる、フィルムが破断しやすくなる等の取り扱い性が低下する問題があった。また、薄膜化していくと、添加した粒子が脱落しやすくなる、さらに添加粒子の脱落により絶縁破壊電圧が低くなる問題があった。本発明の絶縁フィルムでは、特定の不活性微粒子を配合したシンジオタクチックポリスチレン系二軸延伸フィルムにおいて、延伸方法を同時二軸延伸とすることで、薄膜化した場合であっても優れた巻取り性及び絶縁破壊電圧を示すことができ、フィルムの縦方向(MD)の熱収縮率を低く抑えることができる。
以下、本発明の絶縁フィルムを製造する組成物の各成分、フィルムの製造方法、及びフィルムの特性について説明する。尚、絶縁フィルムを構成する成分とその量は、組成物と対応する。
It is generally well known that a film used as an insulator of a capacitor is preferable to have a thinner film thickness because the capacitance of the capacitor is higher. However, when the film thickness is actually thinned (thinned), there is a problem that handling properties such as wrinkling of the film easily occurs and the film easily breaks. In addition, as the film is made thinner, the added particles easily fall off, and the dielectric breakdown voltage is lowered due to the dropping of the added particles. In the insulating film of the present invention, in a syndiotactic polystyrene biaxially stretched film containing specific inert fine particles, excellent winding even when the film is thinned by simultaneous biaxial stretching as the stretching method. And the dielectric breakdown voltage can be exhibited, and the thermal shrinkage rate in the machine direction (MD) of the film can be kept low.
Hereafter, each component of the composition which manufactures the insulating film of this invention, the manufacturing method of a film, and the characteristic of a film are demonstrated. In addition, the component and its quantity which comprise an insulating film respond | correspond with a composition.

<スチレン系重合体>
本発明の絶縁フィルムを製造する組成物が含むスチレン系重合体は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体であり、すなわち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対して、側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものである。
一般にタクティシティーは、同位体炭素による核磁気共鳴法(13C−NMR法)により定量され、連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダイアッド、3個の場合はトリアッド、5個の場合はペンタッド等によって示すことができる。
<Styrene polymer>
The styrenic polymer contained in the composition for producing the insulating film of the present invention is a styrenic polymer having a syndiotactic structure, that is, phenyl that is a side chain with respect to the main chain formed from carbon-carbon bonds. It has a three-dimensional structure in which groups and substituted phenyl groups are alternately positioned in opposite directions.
In general, tacticity is quantified by nuclear magnetic resonance (13C-NMR) with isotope carbon, and the abundance ratio of a plurality of consecutive structural units, for example, dyad for two, triad for three, In the case of a piece, it can be indicated by a pentad or the like.

本発明において、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体とは、ラセミダイアッド(r)で例えば75%以上、好ましくは85%以上、あるいはラセミペンタッド(rrrr)で例えば30%以上、好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ(アルキルスチレン)、ポリ(アリールスチレン)、ポリ(アルキレンスチレン)、ポリ(ハロゲン化スチレン)、ポリ(アルコキシスチレン)、ポリ(ビニル安息香酸エステル)、あるいはこれらのベンゼン環の一部が水素化された重合体やこれらの混合物、又はこれらの構造単位を含む共重合体をいう。また、本発明のスチレン系重合体には、ポリ(ビニルナフタレン)及びポリ(アセナフチレン)が含まれる。   In the present invention, the styrenic polymer having a syndiotactic structure is, for example, 75% or more, preferably 85% or more, or 30% or more, preferably 50%, of racemic pentad (rrrr) in racemic diad (r). % Polystyrene having a syndiotacticity of at least, poly (alkyl styrene), poly (aryl styrene), poly (alkylene styrene), poly (halogenated styrene), poly (alkoxy styrene), poly (vinyl benzoate), Or the polymer in which some of these benzene rings were hydrogenated, these mixtures, or the copolymer containing these structural units is said. The styrenic polymer of the present invention includes poly (vinyl naphthalene) and poly (acenaphthylene).

上記ポリ(アルキルスチレン)としては、ポリ(メチルスチレン)、ポリ(エチルスチレン)、ポリ(プロピルスチレン)、ポリ(ブチルスチレン)等が挙げられる。
上記ポリ(アリールスチレン)としては、ポリ(フェニルスチレン)等が挙げられる。
上記ポリ(アルキレンスチレン)としては、ポリ(ビニルスチレン)等が挙げられる。
上記ポリ(ハロゲン化スチレン)としては、ポリ(クロロスチレン)、ポリ(ブロモスチレン)、ポリ(フロオロスチレン)等が挙げられる。
上記ポリ(アルコキシスチレン)としては、ポリ(メトキシスチレン)、ポリ(エトキシスチレン)等が挙げられる。
特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ(p−メチルスチレン)、ポリ(m−メチルスチレン)、ポリ(p−ターシャリーブチルスチレン)、ポリ(p−クロロスチレン)、ポリ(m−クロロスチレン)、ポリ(p−フルオロスチレン)、及びスチレンとp−メチルスチレンとの共重合体が挙げられる。
Examples of the poly (alkylstyrene) include poly (methylstyrene), poly (ethylstyrene), poly (propylstyrene), poly (butylstyrene), and the like.
Examples of the poly (aryl styrene) include poly (phenyl styrene).
Examples of the poly (alkylene styrene) include poly (vinyl styrene).
Examples of the poly (halogenated styrene) include poly (chlorostyrene), poly (bromostyrene), poly (fluorostyrene) and the like.
Examples of the poly (alkoxystyrene) include poly (methoxystyrene) and poly (ethoxystyrene).
Particularly preferred styrenic polymers include polystyrene, poly (p-methylstyrene), poly (m-methylstyrene), poly (p-tertiarybutylstyrene), poly (p-chlorostyrene), poly (m-chloro). Styrene), poly (p-fluorostyrene), and copolymers of styrene and p-methylstyrene.

スチレン系重合体に共重合成分を含有させて共重合体として使用する場合において、そのコモノマーとしては、上述スチレン系重合体のモノマーのほか、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオレフィンモノマー;ブタジエン、イソプレン等のジエンモノマー;環状ジエンモノマー;及びメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノマー等が挙げられる。   In the case of using a copolymer component containing a copolymer component in a styrene polymer, the comonomer includes olefin monomers such as ethylene, propylene, butene, hexene and octene in addition to the above-mentioned styrene polymer monomer; Examples include diene monomers such as butadiene and isoprene; cyclic diene monomers; and polar vinyl monomers such as methyl methacrylate, maleic anhydride, and acrylonitrile.

シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の重量平均分子量は、好ましくは1.0×10以上3.0×10以下であり、さらに好ましくは5.0×10以上1.5×10以下であり、特に好ましくは1.1×10以上8.0×10以下である。
シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の重量平均分子量を1.0×10以上とすることで、強伸度特性に優れ、耐熱性がより向上したフィルムを得ることができる。また、重量平均分子量が3.0×10以下とすることで、延伸張力が好適な範囲となり、製膜時等において破断等が発生しにくくなる。
The weight average molecular weight of the styrenic polymer having a syndiotactic structure is preferably 1.0 × 10 4 or more and 3.0 × 10 6 or less, more preferably 5.0 × 10 4 or more and 1.5 × 10 6. Or less, particularly preferably 1.1 × 10 5 or more and 8.0 × 10 5 or less.
By setting the weight average molecular weight of the styrenic polymer having a syndiotactic structure to 1.0 × 10 4 or more, it is possible to obtain a film having excellent high elongation properties and further improved heat resistance. Further, when the weight average molecular weight is 3.0 × 10 6 or less, the stretching tension is in a suitable range, and breakage or the like hardly occurs during film formation.

本発明において、絶縁フィルムを製造する組成物は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とするが、ここで「主たる構成成分」とは組成物に含まれる全成分のうち最も多く含まれる(質量%において)成分であることを意味する。好ましくは50質量%以上、より好ましくは80質量%以上含む。   In the present invention, the composition for producing an insulating film has a syndiotactic styrene polymer as a main constituent component. Here, the “main constituent component” is the largest of all components contained in the composition. It means that it is a component (in mass%). Preferably it is 50 mass% or more, More preferably, it contains 80 mass% or more.

このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体は公知の方法で製造でき、例えば特開昭62−187708号公報に開示されている。具体的には、不活性炭化水素溶媒中又は溶媒の不存在下において、チタン化合物及び水と有機アルミニウム化合物、特にトリアルキルアルミニウムとの縮合生成物を触媒として、スチレン系単量体(上記スチレン系重合体に対応する単量体)を重合することにより製造することができる。また、ポリ(ハロゲン化アルキルスチレン)については、特開平1−146912号公報に、水素化重合体は特開平1−178505号公報にそれぞれ開示されている。   Such a styrenic polymer having a syndiotactic structure can be produced by a known method, and is disclosed, for example, in JP-A-62-187708. Specifically, in an inert hydrocarbon solvent or in the absence of a solvent, a styrene monomer (the above styrenic monomer) is prepared by using a titanium compound and a condensation product of water and an organoaluminum compound, particularly trialkylaluminum, as a catalyst. It can be produced by polymerizing a monomer corresponding to the polymer. Poly (halogenated alkylstyrene) is disclosed in JP-A-1-146912, and hydrogenated polymer is disclosed in JP-A-1-178505.

<不活性微粒子>
本発明の絶縁フィルムを製造する組成物は、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下の不活性微粒子を含む。
不活性微粒子の平均粒径を上記数値範囲とすることによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、フィルムのエアー抜け性を良好なものとすることができ、巻取り性に優れた絶縁フィルムを得ることができる。
不活性微粒子の平均粒径が小さすぎる場合は、十分なエアー抜け性が得られなくなる傾向にあり、得られるフィルムの巻取り性に劣るものとなる。他方、大きすぎる場合は、得られるフィルム中のボイドの大きさが増大する傾向にあり、絶縁破壊電圧が低くなる。このような観点から、不活性微粒子の平均粒径は、好ましくは0.25μm以上2.0μm以下、さら好ましくは0.4μm以上1.6μm以下、特に好ましくは0.8μm以上1.2μm以下である。
<Inert fine particles>
The composition for producing the insulating film of the present invention contains inert fine particles having an average particle diameter of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less.
By setting the average particle size of the inert fine particles within the above numerical range, the air can be easily removed while maintaining a high dielectric breakdown voltage, and an insulating film excellent in winding property is obtained. be able to.
If the average particle size of the inert fine particles is too small, sufficient air repellency tends not to be obtained, resulting in poor rollability of the resulting film. On the other hand, when it is too large, the size of voids in the obtained film tends to increase, and the dielectric breakdown voltage becomes low. From such a viewpoint, the average particle diameter of the inert fine particles is preferably 0.25 μm to 2.0 μm, more preferably 0.4 μm to 1.6 μm, and particularly preferably 0.8 μm to 1.2 μm. is there.

不活性微粒子は、好ましくはその粒径の相対標準偏差が0.5以下である。粒径の相対標準偏差を上記数値範囲とすることによって、フィルム表面の突起の高さが均一となり、巻取り性に優れた絶縁フィルムを得ることができる。また、粗大粒子や粗大突起が少なくなり、絶縁破壊電圧に優れた絶縁フィルムを得ることができる。このような観点から、不活性微粒子の粒径の相対標準偏差は、より好ましくは0.4以下、さらに好ましくは0.3以下、特に好ましくは0.2以下である。   The inert fine particles preferably have a relative standard deviation of the particle size of 0.5 or less. By setting the relative standard deviation of the particle diameter within the above numerical range, the height of the protrusion on the film surface becomes uniform, and an insulating film excellent in winding property can be obtained. Further, coarse particles and coarse protrusions are reduced, and an insulating film having an excellent dielectric breakdown voltage can be obtained. From such a viewpoint, the relative standard deviation of the particle diameter of the inert fine particles is more preferably 0.4 or less, still more preferably 0.3 or less, and particularly preferably 0.2 or less.

不活性微粒子は、粒径比が1.0以上1.3以下の球状粒子であることが好ましい。粒径比は、さらに好ましくは1.0以上1.2以下、特に好ましくは1.0以上1.1以下である。粒径比が上記数値範囲にあると、巻取り性の向上効果及び絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができる。   The inert fine particles are preferably spherical particles having a particle size ratio of 1.0 to 1.3. The particle size ratio is more preferably 1.0 or more and 1.2 or less, and particularly preferably 1.0 or more and 1.1 or less. When the particle size ratio is in the above numerical range, it is possible to further increase the winding effect and the dielectric breakdown voltage.

本発明の絶縁フィルムの製造に用いる組成物において、不活性微粒子の含有量は、2.0質量%以下である。同様に、絶縁フィルム中の不活性微粒子の含有量は、2.0質量%以下である。
不活性微粒子を上記数値範囲の量含有することによって、高い絶縁破壊電圧を保ったまま、得られるフィルムの取り扱い性を良好なものとすることができる。多すぎる場合は、得られるフィルムの表面が粗くなりすぎる傾向にあり、それによってフィルム表面の耐削れ性が悪化する傾向にあり、絶縁破壊電圧に劣るものとなる。また、特にコンデンサー用途においては、スペースファクターが増大する傾向にある。
このような観点から、不活性微粒子の組成物中の含有量は、好ましくは0.05質量%以上1.8質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以上1.5質量%以下、特に好ましくは0.2質量%以上1.0質量%以下である。
絶縁フィルム製造に用いる組成物は、溶媒といった加熱によって消えてしまう成分を通常含まないため、組成物中の不活性微粒子の含有率は、そのまま絶縁フィルム中の不活性微粒子の含有率となる。
In the composition used for producing the insulating film of the present invention, the content of the inert fine particles is 2.0% by mass or less. Similarly, the content of inert fine particles in the insulating film is 2.0% by mass or less.
By containing the inert fine particles in an amount in the above numerical range, the handleability of the resulting film can be improved while maintaining a high dielectric breakdown voltage. When the amount is too large, the surface of the obtained film tends to be too rough, and thus the abrasion resistance of the film surface tends to be deteriorated, resulting in inferior dielectric breakdown voltage. In particular, in a capacitor application, the space factor tends to increase.
From such a viewpoint, the content of the inert fine particles in the composition is preferably 0.05% by mass or more and 1.8% by mass or less, more preferably 0.1% by mass or more and 1.5% by mass or less, particularly Preferably they are 0.2 mass% or more and 1.0 mass% or less.
Since the composition used for manufacturing the insulating film usually does not contain a component that disappears by heating, such as a solvent, the content of the inert fine particles in the composition is the content of the inert fine particles in the insulating film as it is.

不活性微粒子は、有機系微粒子であってもよいし、無機系微粒子であってもよい。
有機系微粒子としては、例えばポリスチレン樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、スチレン−アクリル樹脂粒子、ジビニルベンゼン−アクリル樹脂粒子、ポリエステル樹脂粒子、ポリイミド樹脂粒子、メラミン樹脂粒子等の高分子樹脂粒子;Li、Na、及びKの安息香酸塩;Ca、Ba、Zn、及びMnのテレフタル酸塩が挙げられる。これらの中でも、滑り性及び耐削れ性に優れるという観点から、シリコーン樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。
このような高分子樹脂粒子は、球状高分子樹脂粒子であることが好ましく、滑り性及び耐削れ性により優れるという観点から、球状シリコーン樹脂粒子、球状ポリスチレン樹脂粒子が特に好ましい。
The inert fine particles may be organic fine particles or inorganic fine particles.
Examples of the organic fine particles include polymer resin particles such as polystyrene resin particles, silicone resin particles, acrylic resin particles, styrene-acrylic resin particles, divinylbenzene-acrylic resin particles, polyester resin particles, polyimide resin particles, and melamine resin particles; Examples include benzoates of Li, Na, and K; terephthalates of Ca, Ba, Zn, and Mn. Among these, silicone resin particles and polystyrene resin particles are particularly preferable from the viewpoint of excellent slipperiness and abrasion resistance.
Such polymer resin particles are preferably spherical polymer resin particles, and spherical silicone resin particles and spherical polystyrene resin particles are particularly preferable from the viewpoint of superior slipperiness and abrasion resistance.

無機系微粒子としては、(1)二酸化ケイ素(水和物、ケイ砂、石英等を含む);(2)各種結晶形態のアルミナ;(3)SiO成分を30質量%以上含有するケイ酸塩(例えば非晶質もしくは結晶質の粘土鉱物、アルミノシリケート(焼成物や水和物を含む)、温石綿、ジルコン、フライアッシュ等);(4)Mg、Zn、Zr、及びTiの酸化物;(5)Ca、及びBaの硫酸塩;(6)Li、Ba、及びCaのリン酸塩(1水素塩や2水素塩を含む);(7)Mg、Ca、Ba、Zn、Cd、Pb、Sr、Mn、Fe、Co、及びNiのチタン酸塩;(8)Ba、及びPbのクロム酸塩;(9)炭素(例えばカーボンブラック、グラファイト等);(10)ガラス(例えばガラス粉、ガラスビーズ等);(11)Ca、及びMgの炭酸塩;(12)ホタル石;(13)スピネル型酸化物等が挙げられる。これらのうち、滑り性及び耐削れ性に優れるという観点から、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。
このような無機系微粒子は、球状無機微粒子であることが好ましく、滑り性及び耐削れ性により優れるという観点から、球状シリカ粒子が特に好ましい。
Examples of the inorganic fine particles include (1) silicon dioxide (including hydrate, silica sand, quartz, etc.); (2) alumina in various crystal forms; (3) silicate containing 30% by mass or more of SiO 2 component. (For example, amorphous or crystalline clay minerals, aluminosilicates (including calcined products and hydrates), warm asbestos, zircon, fly ash, etc.); (4) oxides of Mg, Zn, Zr, and Ti; (5) Sulfates of Ca and Ba; (6) Phosphates of Li, Ba, and Ca (including monohydrogen and dihydrogen salts); (7) Mg, Ca, Ba, Zn, Cd, Pb , Sr, Mn, Fe, Co, and Ni titanates; (8) Ba and Pb chromates; (9) Carbon (eg, carbon black, graphite, etc.); (10) Glass (eg, glass powder, (11) Charcoal of Ca and Mg) Acid salts; (12) fluorite; (13) spinel oxides and the like. Of these, calcium carbonate particles and silica particles are preferable, and silica particles are particularly preferable from the viewpoint of excellent slipperiness and abrasion resistance.
Such inorganic fine particles are preferably spherical inorganic fine particles, and spherical silica particles are particularly preferable from the viewpoint of being superior in terms of slipperiness and abrasion resistance.

<酸化防止剤>
本発明の絶縁フィルムを製造する組成物は、酸化防止剤を含んでもよい。
絶縁フィルムが酸化防止剤を含むことにより、電気的特性を高いものとすることができる。
かかる酸化防止剤としては、生成したラジカルを捕捉して酸化を防止する一次酸化防止剤、あるいは生成したパーオキサイドを分解して酸化を防止する二次酸化防止剤のいずれであってもよく、一次酸化防止剤としてはフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤があげられ、二次酸化防止剤としてはリン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤があげられる
<Antioxidant>
The composition for producing the insulating film of the present invention may contain an antioxidant.
When the insulating film contains an antioxidant, the electrical characteristics can be improved.
Such an antioxidant may be either a primary antioxidant that captures the generated radicals to prevent oxidation, or a secondary antioxidant that decomposes the generated peroxides to prevent oxidation. Antioxidants include phenolic antioxidants and amine-based antioxidants, and secondary antioxidants include phosphorus-based antioxidants and sulfur-based antioxidants.

上記フェノール系酸化防止剤の具体例としては、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、2−t−ブチル−4−メトキシフェノール、3−t−ブチル−4−メトキシフェノール、2,6−ジ−t−ブチル−4−〔4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミノ〕フェノール、n−オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート等のモノフェノール系酸化防止剤;2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、N,N’−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕ヒドラジン、N、N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオンアミド]、3,9−ビス〔1,1−ジメチル−2−〔β−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ〕エチル〕2,4,8,10−テトラオキサスピロ〔5.5〕ウンデカン等のビスフェノール系酸化防止剤;1,1,3−トリス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、ペンタエリスリトールテトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、ビス〔3,3’−ビス−(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド〕グリコールエステル、1,3,5−トリス(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンジル)−sec−トリアジン−2,4,6−(1H,3H,5H)トリオン、d−α−トコフェノール等の高分子型フェノール系酸化防止剤を挙げることができる。
上記アミン系酸化防止剤の具体例としては、アルキル置換ジフェニルアミン等を挙げることができる。
Specific examples of the phenolic antioxidant include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,6-di-t-butyl-4-ethylphenol, 2-t-butyl-4- Methoxyphenol, 3-tert-butyl-4-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4- [4,6-bis (octylthio) -1,3,5-triazin-2-ylamino] phenol, monophenol antioxidants such as n-octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate; 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2′-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-thiobis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-butylidenebis (3-methyl- 6-t-butylphenol), N, N′-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl] hydrazine, N, N′-hexane-1,6-diylbis [3 -(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamide], 3,9-bis [1,1-dimethyl-2- [β- (3-t-butyl-4-hydroxy-5] -Methylphenyl) propionyloxy] ethyl] 2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane and other bisphenol antioxidants; 1,1,3-tris (2-methyl-4-hydroxy- 5-tert-butylphenyl) butane, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, pentaerythritol tetrakis [3- ( 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], bis [3,3′-bis- (4′-hydroxy-3′-tert-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, 1, 3,5-tris (3 ′, 5′-di-t-butyl-4′-hydroxybenzyl) -sec-triazine-2,4,6- (1H, 3H, 5H) trione, d-α-tocophenol And polymer type phenolic antioxidants such as
Specific examples of the amine-based antioxidant include alkyl-substituted diphenylamine.

上記リン系酸化防止剤の具体例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、4,4’−ブチリデン−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェニルジトリデシル)ホスファイト、オクタデシルホスファイト、トリス(ノニルフェニル)ホスファイト、ジイソデシルペンタエリスリトールジホスファイト、9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド、10−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイド、10−デシロキシ−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ホスファイト、2,2’−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)オクチルホスファイト等を挙げることができる。   Specific examples of the phosphorus antioxidant include triphenyl phosphite, diphenylisodecyl phosphite, phenyl diisodecyl phosphite, 4,4′-butylidene-bis (3-methyl-6-tert-butylphenylditridecyl). Phosphite, octadecyl phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, diisodecyl pentaerythritol diphosphite, 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, 10- (3,5-di -T-butyl-4-hydroxybenzyl) -9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, 10-decyloxy-9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene Tris (2,4-di-t-butylphenol Phosphite, cyclic neopentanetetraylbis (2,4-di-t-butylphenyl) phosphite, cyclic neopentanetetraylbis (2,6-di-t-butyl-4-methylphenyl) Examples thereof include phosphite and 2,2′-methylenebis (4,6-di-t-butylphenyl) octyl phosphite.

上記硫黄系酸化防止剤の具体例としては、ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス(3−ラウリルチオプロピオネート)、2−メルカプトベンズイミダゾール等を挙げることができる。   Specific examples of the sulfur-based antioxidant include dilauryl-3,3′-thiodipropionate, dimyristyl-3,3′-thiodipropionate, distearyl-3,3′-thiodipropionate, penta Examples include erythritol tetrakis (3-lauryl thiopropionate) and 2-mercaptobenzimidazole.

これら酸化防止剤のうち、耐腐食性により優れ、絶縁破壊電圧の向上効果をより高めることができるという観点から、一次酸化防止剤が好ましく、フェノール系酸化防止剤が特に好ましい。
尚、酸化防止剤は、1種類を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。酸化防止剤を2種類以上を併用する場合は、2種類以上の一次酸化防止剤を用いる態様でもよいし、2種類以上の二次酸化防止剤を用いる態様でもよいし、1種類以上の一次酸化防止剤と1種類以上の二次酸化防止剤を併用してもよい。例えば、一次酸化防止剤と二次酸化防止剤との2種類の酸化防止剤を併用することによって、一次酸化及び二次酸化の両方の酸化を防止することが期待できる。本発明においては、中でも一次酸化防止剤を単独で用いる態様、あるいは2種類以上の一次酸化防止剤を用いる態様が、絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができるという観点から好ましく、特にフェノール系酸化防止剤を単独で用いる態様、あるいは2種類以上のフェノール系酸化防止剤を用いる態様が好ましい。
Of these antioxidants, primary antioxidants are preferred, and phenolic antioxidants are particularly preferred from the viewpoint that they are more excellent in corrosion resistance and can further improve the dielectric breakdown voltage.
In addition, an antioxidant may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. When two or more kinds of antioxidants are used in combination, an aspect using two or more kinds of primary antioxidants may be used, an aspect using two or more kinds of secondary antioxidants may be used, and one or more kinds of primary oxidations may be used. An inhibitor and one or more secondary antioxidants may be used in combination. For example, it can be expected that both primary oxidation and secondary oxidation are prevented by using two types of antioxidants, a primary antioxidant and a secondary antioxidant, in combination. In the present invention, an embodiment in which a primary antioxidant is used alone or an embodiment in which two or more kinds of primary antioxidants are used is preferable from the viewpoint that the effect of improving the dielectric breakdown voltage can be further increased. An embodiment using a single antioxidant or an embodiment using two or more phenolic antioxidants is preferred.

酸化防止剤は、その熱分解温度が250℃以上であることが好ましい。熱分解温度が低すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤自体が熱分解してしまい、工程を汚染してしまう、ポリマーが黄色く着色してしまう等の問題が生じやすくなる傾向にあり好ましくない。このような観点から、酸化防止剤の熱分解温度は、より好ましくは280℃以上、さらに好ましくは300℃以上、特に好ましくは320℃以上である。
酸化防止剤は、熱分解しにくい方が好ましく、熱分解温度は高い方が好ましいが、現実的には、その上限は500℃以下程度である。
The antioxidant preferably has a thermal decomposition temperature of 250 ° C. or higher. If the thermal decomposition temperature is too low, the antioxidant itself is thermally decomposed at the time of melt extrusion, which tends to cause problems such as contamination of the process and yellowing of the polymer. From such a viewpoint, the thermal decomposition temperature of the antioxidant is more preferably 280 ° C. or higher, further preferably 300 ° C. or higher, and particularly preferably 320 ° C. or higher.
The antioxidant is preferably less susceptible to thermal decomposition and preferably has a higher thermal decomposition temperature, but in reality, the upper limit is about 500 ° C. or less.

酸化防止剤の融点は、90℃以上であることが好ましい。融点が低すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤がポリマーより早く融解してしまい、押出機のスクリュー供給部分においてポリマーがスリップしてしまう傾向にある。それによって、ポリマーの供給が不安定となり、フィルムの厚み斑が悪くなる等の問題が生じるおそれがある。このような観点から、酸化防止剤の融点の下限は、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは150℃以上、特に好ましくは200℃以上である。一方、酸化防止剤の融点が高すぎる場合は、溶融押出時に酸化防止剤が融解しにくくなり、ポリマー内での分散が悪くなってしまう傾向にある。それにより、酸化防止剤の添加効果が局所的にしか発現しない等の問題が生じるおそれがある。このような観点から、酸化防止剤の融点の上限は、好ましくは300℃以下、より好ましくは250℃以下、さらに好ましくは220℃以下、特に好ましくは170℃以下である。   The melting point of the antioxidant is preferably 90 ° C. or higher. If the melting point is too low, the antioxidant melts faster than the polymer during melt extrusion, and the polymer tends to slip at the screw supply portion of the extruder. As a result, the supply of the polymer becomes unstable, and there is a possibility that problems such as deterioration in thickness unevenness of the film may occur. From such a viewpoint, the lower limit of the melting point of the antioxidant is more preferably 120 ° C. or higher, further preferably 150 ° C. or higher, and particularly preferably 200 ° C. or higher. On the other hand, when the melting point of the antioxidant is too high, the antioxidant becomes difficult to melt during melt extrusion, and the dispersion in the polymer tends to be poor. Thereby, there is a possibility that problems such as the effect of adding the antioxidant appear only locally. From such a viewpoint, the upper limit of the melting point of the antioxidant is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, still more preferably 220 ° C. or lower, and particularly preferably 170 ° C. or lower.

酸化防止剤としては、市販品をそのまま用いることができる。市販品としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕(BASF社製:商品名IRGANOX1010)、N,N’−ビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕ヒドラジン(BASF社製:商品名IRGANOX1024)、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオンアミド〕(BASF社製:商品名IRGANOX1098)等が好ましく例示される。   As the antioxidant, a commercially available product can be used as it is. Examples of commercially available products include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (BASF, trade name: IRGANOX 1010), N, N′-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl] hydrazine (manufactured by BASF: trade name IRGANOX1024), N, N′-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di -T-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamide] (manufactured by BASF: trade name IRGANOX 1098) and the like are preferred.

本発明の絶縁フィルムは、酸化防止剤を、絶縁フィルムを製造する組成物の質量を基準として好ましくは0.1質量%以上8質量%以下含有する。酸化防止剤の含有量を当該範囲とすることによって、絶縁破壊電圧を向上させることができる。
酸化防止剤の含有量の下限は、0.2質量%以上が好ましく、0.5質量%以上がさらに好ましく、1質量%以上が特に好ましい。酸化防止剤の含有量の上限は、7質量%以下が好ましく、5質量%以下がさらに好ましく、3質量%以下が特に好ましい。
The insulating film of the present invention preferably contains an antioxidant in an amount of 0.1% by mass or more and 8% by mass or less based on the mass of the composition for producing the insulating film. By setting the content of the antioxidant within the range, the dielectric breakdown voltage can be improved.
The lower limit of the content of the antioxidant is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and particularly preferably 1% by mass or more. The upper limit of the content of the antioxidant is preferably 7% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 3% by mass or less.

<ポリフェニレンエーテル系樹脂>
本発明の絶縁フィルムを製造する組成物は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体以外に、成形性、力学物性、表面性等を改良するために、ポリフェニレンエーテル系樹脂を含んでもよい。
当該ポリフェニレンエーテル系樹脂としては、下記式で表わされるポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド等の芳香族ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド等を好ましく例示することができる。特に非晶性ポリマーが好ましい。これら樹脂成分のうちポリフェニレンエーテルが特に好ましい。
<Polyphenylene ether resin>
The composition for producing the insulating film of the present invention may contain a polyphenylene ether resin in order to improve moldability, mechanical properties, surface properties and the like in addition to the syndiotactic styrene polymer.
Preferred examples of the polyphenylene ether resin include aromatic polyethers such as polyphenylene ether and polyetherimide represented by the following formula, polycarbonate, polyacrylate, polysulfone, polyethersulfone, and polyimide. An amorphous polymer is particularly preferable. Of these resin components, polyphenylene ether is particularly preferred.

絶縁フィルムを製造する組成物におけるポリフェニレンエーテル系樹脂は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体100質量部に対して5質量部以上48質量部以下配合することが好ましく、8質量部以上が好ましく、11質量部以上がさらに好ましく、20質量部以上が特に好ましい。また、ポリフェニレンエーテル系樹脂の配合量が多い場合は、シンジオタクチック構造のスチレン重合体の結晶性が低下しやすくなる傾向にあり、フィルムの耐熱性の向上効果が低くなる傾向にある。このような観点から、ポリフェニレンエーテル系樹脂の含有量の上限は、45質量部以下が好ましく、40質量部以下がさらに好ましく、35質量部以下が特に好ましい。   The polyphenylene ether resin in the composition for producing the insulating film is preferably blended in an amount of 5 parts by weight to 48 parts by weight, preferably 8 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the syndiotactic styrene polymer. 11 parts by mass or more is more preferable, and 20 parts by mass or more is particularly preferable. Moreover, when there are many compounding quantities of polyphenylene ether-type resin, it exists in the tendency for the crystallinity of the styrene polymer of a syndiotactic structure to fall easily, and it exists in the tendency for the heat resistance improvement effect of a film to become low. From such a viewpoint, the upper limit of the content of the polyphenylene ether resin is preferably 45 parts by mass or less, more preferably 40 parts by mass or less, and particularly preferably 35 parts by mass or less.

<その他樹脂成分>
絶縁フィルムの絶縁破壊電圧を高める等のために、絶縁フィルムを製造する組成物は、上述したシンジオタクチック構造のスチレン系重合体及びポリフェニレンエーテル系樹脂以外にその他樹脂成分を含んでもよい。その他樹脂成分には、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に相溶する樹脂成分と、相溶しない樹脂成分とがある。
尚、絶縁フィルムを製造する組成物は、通常、溶媒は含まない。
<Other resin components>
In order to increase the dielectric breakdown voltage of the insulating film, the composition for producing the insulating film may contain other resin components in addition to the above-mentioned syndiotactic styrene polymer and polyphenylene ether resin. Other resin components include a resin component that is compatible with a syndiotactic styrenic polymer and an incompatible resin component.
In addition, the composition which manufactures an insulating film normally does not contain a solvent.

シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に相溶するその他樹脂成分としては、例えばアタクチック構造のスチレン系重合体、アイソタクチック構造のスチレン系重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体等が挙げられる。これら樹脂成分は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶しやすく、延伸用予備成形体を作製するときの結晶化の制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制御が容易で、かつ力学物性に優れたフィルムを得ることができるためその他樹脂成分として好ましく挙げられる。このうち、アタクチック構造及び/又はアイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と同様のモノマーからなるものが好ましい。
これら相溶性樹脂成分の配合割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体100質量部に対して、好ましくは40質量部以下、さらに好ましくは20質量部以下、特に好ましくは10質量部以下とすればよい。相溶性樹脂成分の配合割合が40質量部を超えると、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の長所である耐熱性の向上効果が低くなってしまう。
Examples of other resin components that are compatible with the syndiotactic styrene polymer include atactic styrene polymers, isotactic styrene polymers, and styrene-maleic anhydride copolymers. . These resin components are easily compatible with styrene polymers with a syndiotactic structure, and are effective in controlling crystallization when producing a preform for stretching, improving the stretchability thereafter, and controlling stretching conditions. Can be easily obtained, and a film having excellent mechanical properties can be obtained. Among these, when a styrenic polymer having an atactic structure and / or an isotactic structure is contained, a styrene polymer having a syndiotactic structure is preferably used.
The blending ratio of these compatible resin components is preferably 40 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, and particularly preferably 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the syndiotactic styrene polymer. That's fine. When the blending ratio of the compatible resin component exceeds 40 parts by mass, the effect of improving the heat resistance, which is an advantage of the styrene polymer having a syndiotactic structure, is lowered.

シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に相溶しないその他樹脂成分としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)樹脂等のポリエステル;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテン等のポリオレフィン;ナイロン6やナイロン6,6等のポリアミド、テフロン(登録商標)等のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等の少なくとも1種からなる樹脂を好ましく例示することができる。このうち、絶縁破壊電圧をより高くすることができるという観点から、ポリエステルが好ましく、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂がさらに好ましい。中でも、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂が特に好ましい。
非相溶性樹脂成分は、少量配合する場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島状に分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面の滑り性を改良するのに有効である。
非相溶性樹脂成分の配合割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体100質量部に対して、好ましくは30質量部以下、さらに好ましくは20質量部以下、特に好ましくは10質量部以下である。また、製品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂成分を配合することが好ましい。
Other resin components that are incompatible with the syndiotactic styrenic polymer include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) resin, polyethylene naphthalate (PEN) resin, polybutylene terephthalate (PBT) resin; polyethylene, polypropylene, polybutene Polyolefins such as polypentene, polyamides such as nylon 6 and nylon 6,6, halogenated vinyl polymers such as Teflon (registered trademark), acrylic polymers such as polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, etc. The resin which becomes can be illustrated preferably. Among these, from the viewpoint that the dielectric breakdown voltage can be further increased, polyester is preferable, and polyethylene terephthalate (PET) resin and polyethylene naphthalate (PEN) resin are more preferable. Among these, polyethylene terephthalate (PET) resin is particularly preferable.
When a small amount of the incompatible resin component is blended, it can be dispersed in an island shape in a styrenic polymer having a syndiotactic structure to give a moderate gloss after stretching or to improve the surface slipperiness. It is effective for.
The blending ratio of the incompatible resin component is preferably 30 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, and particularly preferably 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the styrene polymer having a syndiotactic structure. . Moreover, when the temperature used as a product is high, it is preferable to mix | blend the incompatible resin component with comparatively heat resistance.

さらに、本発明の目的を阻害しない範囲で、帯電防止剤、着色剤、耐候剤等の公知の添加剤を加えることができる。
添加剤の配合量は、スチレン系重合体100質量部に対して10質量部以下が好ましい。10質量部を越えると、延伸時に破断を起こしやすくなり、生産安定性が不良となるので好ましくない。
例えば添加剤として帯電防止剤を配合することで、耐熱性を高めることができる。
Furthermore, known additives such as antistatic agents, colorants, weathering agents and the like can be added as long as the object of the present invention is not impaired.
As for the compounding quantity of an additive, 10 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of styrene-type polymers. If it exceeds 10 parts by mass, it tends to cause breakage during stretching, resulting in poor production stability.
For example, heat resistance can be improved by blending an antistatic agent as an additive.

<絶縁フィルムの製造方法>
本発明の絶縁フィルムは、上述したスチレン系重合体含有組成物を同時二軸延伸したフィルムであり、スチレン系重合体含有組成物を用いて未延伸シートを作製し、当該未延伸シートを同時二軸延伸することにより製造できる。
<Insulating film manufacturing method>
The insulating film of the present invention is a film obtained by simultaneously biaxially stretching the above-described styrenic polymer-containing composition. An unstretched sheet is produced using the styrene-based polymer-containing composition, and the unstretched sheet is simultaneously It can be manufactured by axial stretching.

未延伸シートは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体に不活性微粒子及び酸化防止剤等の任意成分を所定量配合した樹脂組成物を加熱溶融し、シート状に押し出してから冷却固化することにより作製できる。ここで加熱溶融温度は、樹脂組成物の融点(Tm、単位:℃)以上(Tm+70℃)以下の温度が好ましい。
得られた未延伸シートの固有粘度は、0.35〜0.9dl/gの範囲であることが好ましい。
The unstretched sheet is obtained by heating and melting a resin composition containing a predetermined amount of inert fine particles and an antioxidant and the like in a syndiotactic styrene polymer, and extruding it into a sheet, followed by cooling and solidifying. Can be made. Here, the heating and melting temperature is preferably a melting point (Tm, unit: ° C) or more and (Tm + 70 ° C) or less of the resin composition.
The intrinsic viscosity of the obtained unstretched sheet is preferably in the range of 0.35 to 0.9 dl / g.

未延伸シートの同時二軸延伸とは、未延伸シートを長尺方向(機械軸方向)及び短尺方向(機械軸方向に対して垂直な方向)に同時に延伸することである。
当該同時二軸延伸は、延伸温度を樹脂組成物のガラス転移点温度(Tg、単位:℃)−10℃)以上(Tg+70℃)以下の温度に設定し、延伸倍率を例えば2.7倍以上4.8倍以下、好ましくは2.9倍以上4.4倍以下、さらに好ましくは3.1倍以上4.0倍以下で、長尺方向及び短尺方向それぞれに延伸することで実施できる。
同時二軸延伸における延伸速度の下限は、好ましくは500%/分以上、より好ましくは1000%/分以上、さらに好ましくは2000%/分以上、特に好ましくは4000%/分以上である。また、延伸速度の上限は、好ましくは30000%/分以下、より好ましくは15000%/分以下、さらに好ましくは9000%/分以下、特に好ましくは6000%/分以下である。
The simultaneous biaxial stretching of the unstretched sheet is to simultaneously stretch the unstretched sheet in the long direction (machine axis direction) and the short direction (direction perpendicular to the machine axis direction).
In the simultaneous biaxial stretching, the stretching temperature is set to a glass transition temperature (Tg, unit: ° C.)-10 ° C.) or higher and (Tg + 70 ° C.) lower than the resin composition, and the draw ratio is, for example, 2.7 times or higher. 4.8 times or less, preferably 2.9 times or more and 4.4 times or less, more preferably 3.1 times or more and 4.0 times or less, and can be carried out by stretching in each of the long direction and the short direction.
The lower limit of the stretching speed in the simultaneous biaxial stretching is preferably 500% / min or more, more preferably 1000% / min or more, further preferably 2000% / min or more, and particularly preferably 4000% / min or more. The upper limit of the stretching speed is preferably 30000% / min or less, more preferably 15000% / min or less, further preferably 9000% / min or less, and particularly preferably 6000% / min or less.

上記同時二軸延伸において、延伸温度を一定とするのではなく、延伸が進むに従い、延伸温度を複数段階で昇温し、第1段階の延伸温度と最終段階の延伸温度とで温度差をつけると好ましい。
温度差の下限は、最終段階の温度が第1段階の温度より4℃以上高いと好ましく、7℃以上高いとより好ましく、12℃以上高いとさらに好ましく、15℃以上高いと特に好ましい。また、温度差の上限は、49℃以下が好ましく、39℃以下がより好ましく、29℃以下がさらに好ましく、20℃以下が特に好ましい。温度差が大きすぎる場合は、フィルム破断が生じやすくなる。また、延伸後のフィルムの厚み斑が悪くなる傾向にある。このように、第1段階と最終段階の温度差を当該数値範囲とすることで、フィルム厚みの薄いフィルムの製膜において、従来困難であった高い延伸倍率を達成することができ、これによって厚み斑が良好なフィルムを得ることができる。
In the above-mentioned simultaneous biaxial stretching, the stretching temperature is not made constant, but the stretching temperature is raised in multiple stages as the stretching progresses, and a temperature difference is created between the first stage stretching temperature and the final stage stretching temperature. And preferred.
The lower limit of the temperature difference is preferably 4 ° C. or higher, more preferably 7 ° C. or higher, more preferably 12 ° C. or higher, and particularly preferably 15 ° C. or higher. The upper limit of the temperature difference is preferably 49 ° C. or less, more preferably 39 ° C. or less, further preferably 29 ° C. or less, and particularly preferably 20 ° C. or less. If the temperature difference is too large, film breakage tends to occur. Moreover, it exists in the tendency for the uneven thickness of the film after extending | stretching to worsen. Thus, by setting the temperature difference between the first stage and the final stage in the numerical range, it is possible to achieve a high draw ratio, which has been difficult in the past, in the production of a film with a thin film thickness. A film with good spots can be obtained.

同時二軸延伸したフィルムを、(Tg+70℃)〜Tmの温度範囲で熱固定するとよい。熱固定の温度は、例えば200℃以上260℃以下であり、好ましくは220℃以上250℃以下であり、さらに好ましくは230℃以上240℃以下である。熱固定温度が高すぎる場合は、特にフィルム厚みの薄いフィルムを製造する際に、フィルム破断が生じやすくなり、また厚み斑が悪化してしまうおそれがある。
上記熱固定の後に必要に応じて熱固定温度より20℃〜90℃低い温度下で、3秒〜60秒、1%〜10%弛緩処理をすると、寸法安定性が良くすることができる。
The simultaneously biaxially stretched film may be heat-set in a temperature range of (Tg + 70 ° C.) to Tm. The heat setting temperature is, for example, 200 ° C. or higher and 260 ° C. or lower, preferably 220 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, and more preferably 230 ° C. or higher and 240 ° C. or lower. When the heat setting temperature is too high, particularly when a film having a thin film thickness is produced, film breakage tends to occur, and the thickness unevenness may be deteriorated.
Dimensional stability can be improved by performing relaxation treatment for 3 seconds to 60 seconds and 1% to 10% at a temperature lower than the heat setting temperature by 20 ° C. to 90 ° C. as necessary after the heat setting.

同時二軸延伸を実施する装置は、漸増ピッチスクリュ式、リニアモータ式、リンク式、個別クリップ駆動式のいずれも用いることができる。   As the apparatus for carrying out the simultaneous biaxial stretching, any of an incremental pitch screw type, a linear motor type, a link type, and an individual clip driving type can be used.

<絶縁フィルムの特性>
本発明の絶縁フィルムは、フィルム厚みが0.4μm以上6.5μm未満であることが好ましい。さらに好ましくは0.4μm以上6.0μm未満であり、特に好ましくは0.5μm以上3.5μm未満である。絶縁フィルムの厚みを当該数値範囲とすることによって、静電容量の高いコンデンサーを得ることができる。
<Characteristics of insulating film>
The insulating film of the present invention preferably has a film thickness of 0.4 μm or more and less than 6.5 μm. More preferably, it is 0.4 μm or more and less than 6.0 μm, and particularly preferably 0.5 μm or more and less than 3.5 μm. By setting the thickness of the insulating film within the numerical range, a capacitor having a high capacitance can be obtained.

本発明の絶縁フィルムは、その少なくとも片面の中心線平均表面粗さRaが7nm以上89nm以下であることが好ましい。
絶縁フィルムの少なくとも片面の中心線平均表面粗さRaを当該数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。また、耐ブロッキング性が向上し、ロールの外観を良好なものとすることができる。中心線平均表面粗さRaが低すぎる場合は、滑り性が低くなりすぎる傾向にあり、巻取り性の向上効果が低くなる。他方、高すぎる場合は、滑り性が高くなりすぎる傾向にあり、巻取り時に端面ズレを起こしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなる。このような観点から、中心線平均表面粗さRaの下限は、好ましくは11nm以上、さらに好ましくは21nm以上、特に好ましくは31nm以上である。また、中心線平均表面粗さRaの上限は、より好ましくは79nm以下、さらに好ましくは69nm以下、特に好ましくは59nm以下である。
The insulating film of the present invention preferably has a center line average surface roughness Ra of at least one surface of 7 nm or more and 89 nm or less.
By making the center line average surface roughness Ra of at least one surface of the insulating film within the numerical range, the effect of improving the winding property can be enhanced. Moreover, blocking resistance improves and the external appearance of a roll can be made favorable. When the center line average surface roughness Ra is too low, the slipping property tends to be too low, and the effect of improving the winding property is lowered. On the other hand, if it is too high, the slipping property tends to be too high, and the effect of improving the winding property, such as end face misalignment at the time of winding, becomes low. From such a viewpoint, the lower limit of the center line average surface roughness Ra is preferably 11 nm or more, more preferably 21 nm or more, and particularly preferably 31 nm or more. The upper limit of the center line average surface roughness Ra is more preferably 79 nm or less, still more preferably 69 nm or less, and particularly preferably 59 nm or less.

本発明の絶縁フィルムは、その少なくとも片面の10点平均粗さRzが200nm以上3000nm以下であることが好ましい。
絶縁フィルムの10点平均粗さRzを当該数値範囲とすることによって、巻取り性の向上効果を高くすることができる。10点平均粗さRzが低すぎる場合は、ロールとして巻き上げる際にエアー抜け性が低くなる傾向にあり、フィルムが横滑りしやすくなる等巻取り性の向上効果が低くなるおそれがある。特に、フィルム厚みが薄い場合は、フィルムの腰が無くなるため、エアー抜け性がさらに低くなる傾向にあり、巻取り性の向上効果がさらに低くなる。他方、10点平均粗さRzが高すぎる場合は、粗大突起が多くなる傾向にあり、絶縁破壊電圧の向上効果が低くなるおそれがある。このような観点から、10点平均粗さRzの下限は、より好ましくは600nm以上、さらに好ましくは1000nm以上、特に好ましくは1250nm以上である。また、10点平均粗さRzの上限は、より好ましくは2600nm以下、さらに好ましくは2250nm以下、特に好ましくは1950nm以下である。
The insulating film of the present invention preferably has a 10-point average roughness Rz of at least one side of 200 nm to 3000 nm.
By making 10-point average roughness Rz of an insulating film into the said numerical range, the improvement effect of winding property can be made high. When the 10-point average roughness Rz is too low, the air release property tends to be low when the film is wound up as a roll, and the effect of improving the winding property such as the film being liable to skid may be reduced. In particular, when the film thickness is thin, the film loses its elasticity, so that the air release property tends to be further lowered, and the effect of improving the winding property is further reduced. On the other hand, when the 10-point average roughness Rz is too high, the number of coarse protrusions tends to increase, and the effect of improving the dielectric breakdown voltage may be reduced. From such a viewpoint, the lower limit of the 10-point average roughness Rz is more preferably 600 nm or more, further preferably 1000 nm or more, and particularly preferably 1250 nm or more. Further, the upper limit of the 10-point average roughness Rz is more preferably 2600 nm or less, further preferably 2250 nm or less, and particularly preferably 1950 nm or less.

本発明の絶縁フィルムの熱収縮率は、150℃×30分、無張力の条件下で、長尺方向(機械軸方向)および短尺方向(機械軸方向と厚み方向とに垂直な方向)においてそれぞれ2.0%以下である。
熱収縮率が上記数値範囲にあると、コンデンサーの加工時(蒸着など)において生じるブロッキングを抑制することができ、品質に優れたコンデンサーを得やすくなる。一方、熱収縮率が大きくなりすぎると、コンデンサーの加工時(蒸着など)にブロッキングを起こし易くなり、良品が得られ難くなる傾向にある。このような観点から、150℃×30分の熱収縮率は、縦方向及び横方向ともに1.0%以下がより好ましく、0.5%以下がさらに好ましく、0%が特に好ましい。
上記のような熱収縮率を達成するためには、延伸方法を同時二軸延伸とする。加えて、熱固定温度を後述の範囲とすることがより好ましい。熱固定温度を高くすると、熱収縮率は低くなる傾向にある。また、熱固定時やその後の工程において熱弛緩処理を施すことによって、より効果的に上記熱収縮率の数値範囲を達成することができる。
The heat shrinkage rate of the insulating film of the present invention is 150 ° C. × 30 minutes under no tension, in the long direction (machine axis direction) and in the short direction (direction perpendicular to the machine axis direction and the thickness direction), respectively. 2.0% or less.
When the thermal shrinkage is in the above numerical range, blocking that occurs during the processing of the capacitor (e.g., vapor deposition) can be suppressed, and a capacitor having excellent quality can be easily obtained. On the other hand, if the thermal shrinkage rate becomes too large, blocking tends to occur during the processing of the capacitor (e.g., vapor deposition), and it tends to be difficult to obtain a good product. From such a viewpoint, the heat shrinkage rate at 150 ° C. × 30 minutes is more preferably 1.0% or less in both the vertical and horizontal directions, further preferably 0.5% or less, and particularly preferably 0%.
In order to achieve the above heat shrinkage rate, the stretching method is simultaneous biaxial stretching. In addition, it is more preferable to set the heat setting temperature within the range described below. When the heat setting temperature is increased, the heat shrinkage rate tends to decrease. Moreover, the numerical range of the said heat shrinkage rate can be achieved more effectively by performing a heat relaxation process at the time of heat setting or a subsequent process.

本発明の絶縁フィルムは、120℃における絶縁破壊電圧(BDV)が320V/μm以上であることが好ましい。絶縁破壊電圧が上記数値範囲にあるということは、高温においても優れた絶縁破壊電圧を有するということを表わす。かかる絶縁破壊電圧は、より好ましくは400V/μm以上、さらに好ましくは420V/μm以上である。   The insulating film of the present invention preferably has a dielectric breakdown voltage (BDV) at 120 ° C. of 320 V / μm or more. The fact that the dielectric breakdown voltage is in the above numerical range means that the dielectric breakdown voltage is excellent even at a high temperature. The breakdown voltage is more preferably 400 V / μm or more, and further preferably 420 V / μm or more.

本発明の絶縁フィルムは、組成物に含まれるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体を80質量%以上含む場合において、同時二軸延伸フィルムの厚み方向の屈折率が1.5800以上1.6550以下であることが好ましい。厚み方向の屈折率を上記数値範囲とすることによって、より絶縁破壊電圧を高くすることができる。また、フィルム製造工程におけるフィルム破断の頻度が低下し、生産性を向上しやすくなる。このような観点から、厚み方向の屈折率は、好ましくは1.620以下、さらに好ましくは1.615以下、特に好ましくは1.610以下である。他方、厚み方向の屈折率が低すぎる場合は、絶縁破壊電圧が低くなる傾向にある。
また、本発明の絶縁フィルムは、コンデンサーの製造工程におけるフィルム破断の頻度が増加し、コンデンサーの生産性が低下しやすくなる。さらに、フィルムの厚み斑が悪くなる傾向にあり、品質の安定したコンデンサーを得にくくなる。このような観点から、厚み方向の屈折率は、好ましくは1.590以上、さらに好ましくは1.595以上、特に好ましくは1.600以上である。
上記絶縁フィルムの厚み方向の屈折率は、ナトリウムD線(589nm)を光源としたアッベ屈折計を用い、例えば23℃65%RHの条件で測定することができる。
When the insulating film of the present invention contains 80% by mass or more of a syndiotactic styrene polymer contained in the composition, the refractive index in the thickness direction of the simultaneously biaxially stretched film is 1.5800 or more and 1.6550 or less. It is preferable that By setting the refractive index in the thickness direction within the above numerical range, the dielectric breakdown voltage can be further increased. In addition, the frequency of film breakage in the film manufacturing process is reduced, and productivity is easily improved. From such a viewpoint, the refractive index in the thickness direction is preferably 1.620 or less, more preferably 1.615 or less, and particularly preferably 1.610 or less. On the other hand, when the refractive index in the thickness direction is too low, the dielectric breakdown voltage tends to be low.
Further, the insulating film of the present invention increases the frequency of film breakage in the capacitor manufacturing process, and the productivity of the capacitor tends to decrease. Furthermore, the thickness unevenness of the film tends to deteriorate, and it becomes difficult to obtain a capacitor with stable quality. From such a viewpoint, the refractive index in the thickness direction is preferably 1.590 or more, more preferably 1.595 or more, and particularly preferably 1.600 or more.
The refractive index in the thickness direction of the insulating film can be measured, for example, at 23 ° C. and 65% RH using an Abbe refractometer using sodium D-line (589 nm) as a light source.

本発明の絶縁フィルムは、フィルムの短尺方向(横方向、TD方向)の湿度膨張係数αhが0.1×10−6〜13×10−6/%RHの範囲にあることが好ましい。さらに好ましいαhは、0.5×10−6〜11×10−6/%RH、特に好ましくは、0.5×10−6〜10×10−6/%RHの範囲である。
αhを下限よりも小さくするには、製膜性が低下することがある。一方上限を超えると、湿度変化によってフィルムが伸びてしまい、フィルムコンデンサーに用いた時に自動車のエンジンルームといった高湿度の環境が要求される用途でコンデンサー特性が十分でないことがある。
The insulating film of the present invention preferably has a humidity expansion coefficient αh in the short direction (lateral direction, TD direction) of the film in the range of 0.1 × 10 −6 to 13 × 10 −6 /% RH. More preferable αh is in the range of 0.5 × 10 −6 to 11 × 10 −6 /% RH, and particularly preferably in the range of 0.5 × 10 −6 to 10 × 10 −6 /% RH.
In order to make αh smaller than the lower limit, the film forming property may be lowered. On the other hand, when the upper limit is exceeded, the film stretches due to a change in humidity, and when used in a film capacitor, the capacitor characteristics may not be sufficient in applications where a high humidity environment is required, such as an automobile engine room.

上記絶縁フィルムのフィルムのTD方向の湿度膨張係数αhは、下記式より算出できる。
αt={(L60−L40)/(L40×△T)}+0.5×10−6
40:40℃のときのサンプル長(mm)
60:60℃のときのサンプル長(mm)
△T:20(=60−40)℃
0.5×10−6:石英ガラスの温度膨張係数
The humidity expansion coefficient αh in the TD direction of the insulating film can be calculated from the following equation.
αt = {(L 60 −L 40 ) / (L 40 × ΔT)} + 0.5 × 10 −6
L 40 : Sample length at 40 ° C. (mm)
L 60 : sample length at 60 ° C. (mm)
ΔT: 20 (= 60-40) ° C.
0.5 × 10 −6 : Temperature expansion coefficient of quartz glass

本発明の絶縁フィルムは、フィルムのTD方向の温度膨張係数αtが−10×10−6〜+15×10−6/℃の範囲にあることが好ましい。好ましいαtは、−8×10−6〜+10×10−6/℃、特に−5×10−6〜+5×10−6/℃の範囲である。
αtが、下限よりも小さいと収縮してしまい、一方上限を超えると、温度変化によってフィルムが伸びてしまい、フィルムコンデンサーに用いた時に自動車のエンジンルームといった高温の環境が要求される用途でコンデンサー特性が十分でないことがある。
The insulating film of the present invention preferably has a temperature expansion coefficient αt in the TD direction in the range of −10 × 10 −6 to + 15 × 10 −6 / ° C. Preferred αt is in the range of −8 × 10 −6 to + 10 × 10 −6 / ° C., particularly −5 × 10 −6 to + 5 × 10 −6 / ° C.
When αt is smaller than the lower limit, the film shrinks, while when it exceeds the upper limit, the film expands due to temperature change. When used as a film capacitor, capacitor characteristics are required for applications that require a high-temperature environment such as an automobile engine room. May not be enough.

上記絶縁フィルムのフィルムの幅方向の温度膨張係数αtは、下記式より算出できる。
αh=(L70−L30)/(L30×△H)
30:30%RHのときのサンプル長(mm)
70:70%RHのときのサンプル長(mm)
△H:40(=70−30)%RH
The temperature expansion coefficient αt in the width direction of the insulating film can be calculated from the following equation.
αh = (L 70 −L 30 ) / (L 30 × ΔH)
Sample length (mm) when L 30 is 30% RH
Sample length when L 70 is 70% RH (mm)
ΔH: 40 (= 70-30)% RH

本発明の絶縁フィルムは、フィルムのMD方向およびTD方向のヤング率がともに5GPa以上であることが好ましい。どちらか一方でもヤング率が下限よりも小さいと、フィルムコンデンサーに用いたときの力学的特性が充分でないことがあり、また温湿度変化で変形してしまうことがある。
また、MD方向とTD方向のヤング率の和は、高々22GPaであることが好ましい。MD方向のヤング率とTD方向のヤング率の和が、上限を超えると、フィルム製膜時、延伸倍率が過度に高くなり、フィルム破断が多発し、製品歩留りが著しく悪くなることがある。好ましいMD方向とTD方向のヤング率の和の上限は、20GPa以下、さらに18GPa以下である。
The insulating film of the present invention preferably has a Young's modulus in the MD and TD directions of 5 GPa or more. If either of them has a Young's modulus smaller than the lower limit, the mechanical properties when used in a film capacitor may not be sufficient, and deformation may occur due to changes in temperature and humidity.
The sum of the Young's modulus in the MD direction and the TD direction is preferably at most 22 GPa. When the sum of the Young's modulus in the MD direction and the Young's modulus in the TD direction exceeds the upper limit, the draw ratio becomes excessively high during film formation, the film breaks frequently, and the product yield may be remarkably deteriorated. A preferable upper limit of the sum of Young's modulus in the MD direction and the TD direction is 20 GPa or less, and further 18 GPa or less.

絶縁フィルムのヤング率は、フィルムを試料幅10mm、長さ15cmに切り、チャック間100mmにして引張速度10mm/min、チャート速度500mm/minでインストロンタイプの万能引張試験装にて引張り、得られる荷重−伸び曲線の立上り部の接線より算出できる。   The Young's modulus of the insulating film is obtained by cutting the film into a sample width of 10 mm and a length of 15 cm, pulling it with an Instron type universal tensile tester at a tensile speed of 10 mm / min and a chart speed of 500 mm / min with a chuck spacing of 100 mm. It can be calculated from the tangent of the rising part of the load-elongation curve.

本発明の絶縁フィルムは、フィルムの面方向における最小値の屈折率(Nx)と、該Nxの屈折率を示す方向に直交する方向の屈折率(Ny)との差の絶対値(△n)が、0.025以下が好ましい。△Nが0.25以下であることで、フィルムの面方向における物性がバランスし、収縮斑による細かい皺や平面性の悪化などを抑制でき、また耐熱性もより向上させることができる。これらの観点から、ΔNは、0.020以下がより好ましく、0.018以下がさらに好ましく、0.015以下が特に好ましい。   The insulating film of the present invention has the absolute value (Δn) of the difference between the minimum refractive index (Nx) in the plane direction of the film and the refractive index (Ny) perpendicular to the direction indicating the refractive index of Nx. However, 0.025 or less is preferable. When ΔN is 0.25 or less, physical properties in the surface direction of the film are balanced, fine wrinkles due to shrinkage spots, deterioration of flatness, and the like can be suppressed, and heat resistance can be further improved. From these viewpoints, ΔN is more preferably 0.020 or less, further preferably 0.018 or less, and particularly preferably 0.015 or less.

本発明の絶縁フィルムは、動的粘弾性測定により周波数10Hzで測定した120℃における貯蔵弾性率(E’)が600MPa以上であることが好ましい。120℃における貯蔵弾性率(E’)が上記数値範囲にあると、高温環境下におけるフィルムの機械特性に優れる。120℃における貯蔵弾性率が低すぎる場合は、高温で使用される際に機械特性(破断強度や破断伸度など)が低下する傾向にある。このような観点から、120℃における貯蔵弾性率は、650MPa以上がより好ましく、700MPa以上がさらに好ましく、750MPa以上が特に好ましい。
また、本発明の絶縁フィルムは、動的粘弾性測定により周波数10Hzで測定した150℃における貯蔵弾性率(E’)が370MPa以上であることが好ましい。150℃における貯蔵弾性率(E’)が高い程、耐熱性に優れるといえる。これらの観点から、150℃における貯蔵弾性率(E’)は400MPa以上がより好ましく、430MPa以上がさらに好ましく、460MPa以上が特に好ましい。
The insulating film of the present invention preferably has a storage elastic modulus (E ′) at 120 ° C. measured at a frequency of 10 Hz by dynamic viscoelasticity measurement of 600 MPa or more. When the storage elastic modulus (E ′) at 120 ° C. is in the above numerical range, the mechanical properties of the film under a high temperature environment are excellent. When the storage elastic modulus at 120 ° C. is too low, mechanical properties (breaking strength, breaking elongation, etc.) tend to decrease when used at high temperatures. From such a viewpoint, the storage elastic modulus at 120 ° C. is more preferably 650 MPa or more, further preferably 700 MPa or more, and particularly preferably 750 MPa or more.
The insulating film of the present invention preferably has a storage elastic modulus (E ′) at 150 ° C. measured at a frequency of 10 Hz by dynamic viscoelasticity measurement of 370 MPa or more. It can be said that the higher the storage elastic modulus (E ′) at 150 ° C., the better the heat resistance. From these viewpoints, the storage elastic modulus (E ′) at 150 ° C. is more preferably 400 MPa or more, further preferably 430 MPa or more, and particularly preferably 460 MPa or more.

本発明の絶縁フィルムは、動的粘弾性測定により振動周波数10Hzで測定した損失弾性率(E’’)のピーク温度が120℃以上150℃以下であることが好ましい。損失弾性率(E’’)のピーク温度が適度に高いということは、絶縁フィルムを加熱した際に、分子運動が活発になり始める温度が適度に高いということである。そのため、フィルムとしての耐熱性が高くなる傾向にある。このような観点から、損失弾性率(E’’)のピーク温度は、125℃以上がより好ましく、130℃以上がさらに好ましく、135℃以上が特に好ましい。一方、損失弾性率(E’’)のピーク温度が高すぎるということは、分子運動が活発になり難いということも併せ持っており、延伸時の延伸応力が高くなるためか、二軸延伸製膜時に破断が起き易くなる。このような観点からは、損失弾性率(E’’)のピーク温度は、145℃以下がより好ましく、140℃以下がさらに好ましい。   The insulating film of the present invention preferably has a peak temperature of loss elastic modulus (E ″) measured at a vibration frequency of 10 Hz by dynamic viscoelasticity measurement of 120 ° C. or more and 150 ° C. or less. The peak temperature of the loss elastic modulus (E ″) being moderately high means that the temperature at which molecular motion begins to become active when the insulating film is heated is moderately high. Therefore, the heat resistance as a film tends to increase. From such a viewpoint, the peak temperature of the loss elastic modulus (E ″) is more preferably 125 ° C. or higher, further preferably 130 ° C. or higher, and particularly preferably 135 ° C. or higher. On the other hand, the fact that the peak temperature of the loss elastic modulus (E ″) is too high has the combined effect that the molecular motion is less active, and the stretching stress during stretching becomes high. Sometimes breaks easily occur. From such a viewpoint, the peak temperature of the loss elastic modulus (E ″) is more preferably 145 ° C. or less, and further preferably 140 ° C. or less.

本発明の絶縁フィルムは、120℃、周波数1kHzにおける誘電正接(tanδ)が0.0015以下であることが好ましい。120℃における誘電正接(tanδ)が大きい場合は、該フィルムが高温(例えば120℃)で長時間使用される場合、自己発熱してしまい、損傷が生じ易くなる傾向にある。このような観点から、120℃における誘電正接(tanδ)は、0.0012以下がより好ましく、0.0009以下がさらに好ましく、0.0006以下が特に好ましい。
誘電正接は、JIS C 2151に従って作製したサンプルを用いて誘電体損即的を用いることにより算出できる。
The insulating film of the present invention preferably has a dielectric loss tangent (tan δ) of 0.0015 or less at 120 ° C. and a frequency of 1 kHz. When the dielectric loss tangent (tan δ) at 120 ° C. is large, when the film is used at a high temperature (for example, 120 ° C.) for a long time, it tends to self-heat and tends to be damaged. From such a viewpoint, the dielectric loss tangent (tan δ) at 120 ° C. is more preferably 0.0012 or less, further preferably 0.0009 or less, and particularly preferably 0.0006 or less.
The dielectric loss tangent can be calculated by using dielectric loss imperfection using a sample prepared according to JIS C 2151.

本発明の絶縁フィルムは、フィルムの屈折率による面配向係数(ΔP)が−0.027以下である。なお、本発明の絶縁フィルムでは、面配向係数が負の値になればなるほど、フィルム面方向に分子鎖が配向された方向になり、驚くべきことに面配向係数(ΔP)を上限以下にしていくことで、後述のせん断応力で見た耐熱性を向上させることができる。このような観点から、面配向係数の上限は、−0.029以下が好ましく、−0.030以下がより好ましく、−0.032以下がさらに好ましく、−0.033以下が特に好ましい。
一方、面配向係数(ΔP)の下限は特に制限されないが、フィルム製造工程、特に延伸工程におけるフィルム破断の頻度が増加する傾向にあり、フィルムの生産性が低下しやすくなる。このような観点から、面配向係数(ΔP)の下限は、好ましくは−0.045以上であり、−0.040以上がより好ましく、−0.039以上がさらに好ましく、−0.038以上が特に好ましい。
In the insulating film of the present invention, the plane orientation coefficient (ΔP) based on the refractive index of the film is −0.027 or less. In the insulating film of the present invention, the more negative the plane orientation coefficient, the more the molecular chain is oriented in the film plane direction. Surprisingly, the plane orientation coefficient (ΔP) is not more than the upper limit. By going, the heat resistance seen by the below-mentioned shear stress can be improved. From such a viewpoint, the upper limit of the plane orientation coefficient is preferably −0.029 or less, more preferably −0.030 or less, still more preferably −0.032 or less, and particularly preferably −0.033 or less.
On the other hand, the lower limit of the plane orientation coefficient (ΔP) is not particularly limited, but the frequency of film breakage in the film production process, particularly in the stretching process tends to increase, and the productivity of the film tends to decrease. From such a viewpoint, the lower limit of the plane orientation coefficient (ΔP) is preferably −0.045 or more, more preferably −0.040 or more, further preferably −0.039 or more, and −0.038 or more. Particularly preferred.

絶縁フィルムの面配向係数ΔPは、ΔP=(Nx+Ny)/2−Nzにより計算できる。ここでNxは、面方向の最小の屈折率であり、それと直交する方向の屈折率を(Ny)とし、さらに、厚み方向の屈折率(Nz)とする。   The plane orientation coefficient ΔP of the insulating film can be calculated by ΔP = (Nx + Ny) / 2−Nz. Here, Nx is the minimum refractive index in the surface direction, the refractive index in the direction orthogonal to the refractive index is (Ny), and the refractive index (Nz) in the thickness direction.

<塗布層>
本発明の絶縁性フィルムは、その少なくとも片面に、表面の水接触角が85°以上、120°以下である塗布層を有することが好ましい。このような塗布層を有することにより、絶縁破壊電圧を高くすることができる。絶縁フィルムと電極の間に薄層の塗布層が存在することで、電荷集中を緩和でき、絶縁破壊電圧が向上するものと考えられる。また、さらに絶縁フィルムよりも表面エネルギーの小さい薄層である塗布層が存在すると、放電が発生しても、絶縁フィルムから塗布層が剥離し、誘電体である絶縁フィルムの破壊を防ぎ、結果的に絶縁破壊電圧が向上するものと考えられる。すなわち、本発明においては、塗布層表面の水接触角が上記数値範囲にあると、電圧印加して放電起こると同時に塗布層がフィルムから剥離し、かかる剥離した塗布層のみが破壊され、フィルムは破壊されず、結果的に絶縁破壊電圧が向上すると考えられる。
<Coating layer>
The insulating film of the present invention preferably has a coating layer having a water contact angle of 85 ° or more and 120 ° or less on at least one surface thereof. By having such a coating layer, the dielectric breakdown voltage can be increased. It is considered that the presence of a thin coating layer between the insulating film and the electrode can alleviate charge concentration and improve the dielectric breakdown voltage. In addition, if there is a coating layer that is a thin layer with a surface energy smaller than that of the insulating film, even if a discharge occurs, the coating layer peels off from the insulating film, preventing the dielectric insulating film from being destroyed, and as a result It is considered that the dielectric breakdown voltage is improved. That is, in the present invention, when the water contact angle on the surface of the coating layer is in the above numerical range, the coating layer peels off from the film at the same time as voltage is applied and discharge occurs, and only the peeled coating layer is destroyed, It is considered that the breakdown voltage is improved as a result without being broken.

塗布層の水接触角が低すぎると、放電が起こっても塗布層がフィルムから剥離し難く、剥離が不完全であるため塗布層の絶縁破壊に誘引されてフィルムの絶縁破壊が発生してしまい、塗布層による絶縁破壊電圧の向上効果が得られない。また、塗布層の水接触角が上記範囲にあることで、滑り性に優れて巻取性を向上させることができ、また、後述のせん断応力などで見た耐熱性を向上させることもできる。   If the water contact angle of the coating layer is too low, the coating layer is difficult to peel off from the film even if a discharge occurs, and since the peeling is incomplete, the dielectric breakdown of the coating layer is induced and the dielectric breakdown of the film occurs. The effect of improving the breakdown voltage due to the coating layer cannot be obtained. Moreover, when the water contact angle of the coating layer is in the above range, it is possible to improve the slipping property and improve the winding property, and it is also possible to improve the heat resistance as seen by shear stress described later.

このような観点から、塗布層表面の水接触角は、86°以上が好ましく、88°以上がより好ましく、90°以上がさらに好ましく、95°以上が特に好ましい。他方、水接触角が高いと塗布層が絶縁フィルムから剥離しやすくなる傾向にあるため、放電が発生しても、容易に剥離した塗布層のみが破壊され、絶縁フィルムが絶縁破壊され難くなる。しかし、塗布層表面の水接触角が高くなりすぎると、コンデンサーとする際にその上に形成する金属層との接着性が低くなり、特に水接触角が120°を越えると金属層との接着性に劣り、コンデンサーとしての機能を発揮し難くなる傾向にある。このような観点から、塗布層表面の水接触角は、120°以下であることが必要であり、115°以下が好ましく、110°以下がより好ましく、105°以下がさらに好ましい。   From such a viewpoint, the water contact angle on the surface of the coating layer is preferably 86 ° or more, more preferably 88 ° or more, still more preferably 90 ° or more, and particularly preferably 95 ° or more. On the other hand, when the water contact angle is high, the coating layer tends to be peeled off from the insulating film. Therefore, even when a discharge occurs, only the peeled coating layer is easily broken and the insulating film is hardly broken down. However, if the water contact angle on the surface of the coating layer becomes too high, the adhesiveness with the metal layer formed on the capacitor becomes low, and particularly when the water contact angle exceeds 120 °, the adhesion with the metal layer is reduced. It tends to be inferior in performance and difficult to function as a capacitor. From such a viewpoint, the water contact angle on the surface of the coating layer needs to be 120 ° or less, preferably 115 ° or less, more preferably 110 ° or less, and further preferably 105 ° or less.

上記のような表面水接触角の値を達成するには、例えばワックス成分、シリコーン成分、フッ素成分等の、塗布層を形成後にその表面エネルギーを小さくすることができる成分を塗布層に含有すればよい。また、これらの含有量や、塗布層の厚みを調整することによっても、塗布層表面における水接触角は調整することができる。好ましくは、後述する成分を、後述する含有量で含有する態様である。尚、ワックス成分、シリコーン成分、フッ素成分の中では、ワックス成分とシリコーン成分が特に好ましい。   In order to achieve the value of the surface water contact angle as described above, for example, a component that can reduce the surface energy after forming the coating layer, such as a wax component, a silicone component, or a fluorine component, is contained in the coating layer. Good. Moreover, the water contact angle in the coating layer surface can also be adjusted by adjusting these content and the thickness of a coating layer. Preferably, it is an embodiment in which the components described later are contained in the content described later. Of the wax component, silicone component, and fluorine component, the wax component and silicone component are particularly preferred.

塗布層は、上述した表面の水接触角が達成されれば特にその種類は限定されないが、ワックス成分、シリコーン成分、及びフッ素成分からなる群より選ばれる少なくとも1種を、塗布層の質量に対して、41質量%以上、94質量%以下含有することが好ましい。
ここで係る含有量は、塗布層中におけるワックス成分、シリコーン成分、及びフッ素成分の合計の含有量を示す。塗布層がこれら成分の少なくとも1種を上記含有量で含有することにより、塗布層の表面エネルギーを、フィルムの表面エネルギーよりも小さくすることが容易になり、上記の塗布層表面における水接触角の数値範囲をより容易に達成できるようになる。含有量が少なすぎる場合は、水接触角が高くなり難い傾向にある。このような観点から、上記成分の含有量は、51質量%以上がさらに好ましく、65質量%以上が特に好ましい。他方、含有量は、多いと接触角が高くなる傾向にあるため、塗布層の剥離という観点からは好ましい傾向にあるが、多すぎる場合は、均一な塗布層を形成することが困難となり、例えば塗布抜け等の塗布層の欠陥が生じやすくなったり、塗布層がフィルムから剥離しやすくなったりして、これらにより絶縁破壊電圧の向上効果が低くなる。
また、コンデンサーを製造する際において、塗布層の離型性が高すぎて金属層が剥離しやすくなり、巻回などのコンデンサーへの加工時に容易に金属層が脱離してしまい、コンデンサーとして不良品が生じることがある。このような観点から、含有量は、90質量%以下がさらに好ましく、85質量%以下が特に好ましい。
The type of the coating layer is not particularly limited as long as the above-described water contact angle on the surface is achieved, but at least one selected from the group consisting of a wax component, a silicone component, and a fluorine component is used with respect to the mass of the coating layer. And it is preferable to contain 41 to 94 mass%.
The content here refers to the total content of the wax component, the silicone component, and the fluorine component in the coating layer. When the coating layer contains at least one of these components in the above content, the surface energy of the coating layer can be easily made smaller than the surface energy of the film, and the water contact angle on the surface of the coating layer can be reduced. The numerical range can be achieved more easily. When the content is too small, the water contact angle tends to be difficult to increase. From such a viewpoint, the content of the above components is more preferably 51% by mass or more, and particularly preferably 65% by mass or more. On the other hand, if the content is large, the contact angle tends to increase, so that it tends to be preferable from the viewpoint of peeling of the coating layer, but if it is too much, it becomes difficult to form a uniform coating layer, for example, Defects in the coating layer such as missing coating are likely to occur, or the coating layer is easily peeled off from the film, and these improve the dielectric breakdown voltage improvement effect.
In addition, when manufacturing a capacitor, the releasability of the coating layer is too high and the metal layer easily peels off, and the metal layer is easily detached during processing into a capacitor such as winding, resulting in a defective capacitor. May occur. From such a viewpoint, the content is more preferably 90% by mass or less, and particularly preferably 85% by mass or less.

(ワックス成分)
ワックス成分として、ポリオレフィン系ワックス、エステル系ワックスなどの合成ワックスが挙げられ、また、カルナバワックス、キャンデリラワックス、ライスワックス等の天然ワックスが挙げられる。
ポリオレフィン系ワックスとしては、ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックス等が挙げられる。また、エステル系ワックスとしては、例えば炭素数8個以上の脂肪族モノカルボン酸および多価アルコールからなるエステル系ワックス等が挙げられ、具体的には、ソルビタントリステアレート、ペンタエリスリットトリペヘネート、グリセリントリパルミテート、ポリオキシエチレンジステアレートが例示される。
これらワックスの中でも、ポリオレフィン系ワックスを用いることが、塗布層の接触角を満足しやすく好ましい。特に好ましくは、ポリエチレンワックスである。
また、塗布層中で良好な分散性を示し、それにより絶縁破壊電圧の向上効果を高くできるという観点から、ワックスは水溶性または水分散性のものが好ましい。
(Wax component)
Examples of the wax component include synthetic waxes such as polyolefin waxes and ester waxes, and natural waxes such as carnauba wax, candelilla wax and rice wax.
Examples of polyolefin waxes include polyethylene wax and polypropylene wax. Examples of ester waxes include ester waxes composed of aliphatic monocarboxylic acids having 8 or more carbon atoms and polyhydric alcohols, and specific examples thereof include sorbitan tristearate, pentaerythritol triplet. Nate, glycerin tripalmitate and polyoxyethylene distearate are exemplified.
Among these waxes, it is preferable to use a polyolefin wax because the contact angle of the coating layer is easily satisfied. Particularly preferred is polyethylene wax.
In addition, the wax is preferably water-soluble or water-dispersible from the viewpoint of exhibiting good dispersibility in the coating layer and thereby improving the dielectric breakdown voltage.

(シリコーン成分)
シリコーン成分としては、反応性基を有するシリコーン化合物から主に形成されてなるシリコーン組成物であることが好ましい。ここで「主に」とは、例えば、シリコーン成分中において70質量%以上、好ましくは80質量%以上、さらに好ましくは90質量%以上のことを示す。このような態様とすることにより、絶縁破壊電圧の向上効果を高くすることができる。
尚、反応性基を有しないシリコーン化合物は、シリコーン成分中に含んでいてもよいが、その含有量が多すぎる場合(例えば、シリコーン成分中において30質量%以上の場合)には、蒸着層の形成が難しくコンデンサーとしての評価ができなくなる。そのため、反応性基を有しないシリコーン化合物は、シリコーン成分中に、好ましくは20質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。
(Silicone component)
The silicone component is preferably a silicone composition mainly formed from a silicone compound having a reactive group. Here, “mainly” means, for example, 70% by mass or more, preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more in the silicone component. By setting it as such an aspect, the improvement effect of a dielectric breakdown voltage can be made high.
In addition, although the silicone compound which does not have a reactive group may be contained in a silicone component, when the content is too much (for example, in the case of 30 mass% or more in a silicone component), a vapor deposition layer It is difficult to form and cannot be evaluated as a capacitor. Therefore, the silicone compound having no reactive group is preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, in the silicone component.

シリコーン化合物としては、好ましくは、メチル基が他のアルキル基やフェニル基等に置換されていてもよいポリジメチルシロキサンを挙げることができ、これを用いることにより絶縁破壊電圧の向上効果をより高くすることができる。
シリコーン化合物の好ましい反応性基としては、水素基、ビニル基(アリル基等のビニルアルキル基を含む。)、水酸基等が挙げられる。
反応性基を有するシリコーン化合物としては、上述の反応性基のいずれかを有するポリジメチルシロキサンが特に好ましい。かかる反応性基を有するポリジメチルシロキサンにおいては、反応性基は、分子中に2個以上有しており、ケイ素原子に直接結合しているのが通常である。そして、塗布層を形成する際にかかる熱等によって、好ましくは白金やパラジウム等の触媒を利用して、水素基とビニル基において付加反応が生じ、または水素基と水酸基において縮合反応が生じ、硬化反応が生じ、架橋構造を形成し、シリコーン組成物となる。
Preferred examples of the silicone compound include polydimethylsiloxane in which the methyl group may be substituted with another alkyl group, phenyl group, or the like. By using this, the effect of improving the dielectric breakdown voltage is further increased. be able to.
Preferred reactive groups of the silicone compound include hydrogen groups, vinyl groups (including vinyl alkyl groups such as allyl groups), hydroxyl groups, and the like.
As the silicone compound having a reactive group, polydimethylsiloxane having any of the above-described reactive groups is particularly preferable. In the polydimethylsiloxane having such a reactive group, the reactive group has two or more reactive groups in the molecule and is usually directly bonded to a silicon atom. Then, due to heat applied at the time of forming the coating layer, preferably using a catalyst such as platinum or palladium, an addition reaction occurs in the hydrogen group and the vinyl group, or a condensation reaction occurs in the hydrogen group and the hydroxyl group, and curing is performed. Reaction occurs to form a crosslinked structure, resulting in a silicone composition.

シリコーン化合物は、種類の異なる反応性基を有するシリコーン化合物の混合体でもよい。かかるシリコーン化合物は分子量が1000〜500000であることが好ましい。1000未満であると塗膜凝集力が低下して塗布層の欠落が生じやすいことがあり、500000を超えると粘性が高くなりハンドリングしにくいことがある。
塗布層を形成するための塗液の取り扱い易さや、塗布層中で良好な分散性を示し、それにより絶縁破壊電圧の向上効果を高めるという観点から、シリコーン化合物、ポリジメチルシロキサンは、水溶性または水分散性であることが好ましい。
The silicone compound may be a mixture of silicone compounds having different types of reactive groups. Such a silicone compound preferably has a molecular weight of 1,000 to 500,000. If it is less than 1000, the cohesive force of the coating film may be reduced and the coating layer may be easily lost. If it exceeds 500,000, the viscosity becomes high and handling may be difficult.
From the viewpoint of easy handling of the coating liquid for forming the coating layer and good dispersibility in the coating layer, thereby enhancing the effect of improving the dielectric breakdown voltage, the silicone compound and polydimethylsiloxane are water-soluble or It is preferably water-dispersible.

また、シリコーン化合物は、シランカップリング剤を併用して用いられることが好ましい。かかるシランカップリング剤とは、ケイ素原子に直接結合した加水分解性基を有し、好ましくは反応性基を有するシラン化合物である。
上記反応性基を有するシラン化合物としては、ケイ素原子に直接結合した加水分解性基を有し、アミノ基を含む有機基、エポキシ基を含む有機基、カルボン酸基を含む有機基から選ばれる反応性基を1種以上含有するものを用いることが好ましい。加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基のごとくアルコキシ基やハロゲン基のように、加水分解と反応によりシラノール基を生成する有機基である。
The silicone compound is preferably used in combination with a silane coupling agent. Such a silane coupling agent is a silane compound having a hydrolyzable group directly bonded to a silicon atom, preferably having a reactive group.
The silane compound having the reactive group has a hydrolyzable group directly bonded to a silicon atom, and is a reaction selected from an organic group containing an amino group, an organic group containing an epoxy group, and an organic group containing a carboxylic acid group It is preferable to use one containing at least one type of functional group. The hydrolyzable group is an organic group that generates a silanol group by hydrolysis and reaction, such as an alkoxy group or a halogen group, such as a methoxy group or an ethoxy group.

例えば、シラン化合物の反応性基の具体例としては、アミノ基を含む有機基としては、3−アミノプロピル基、3−アミノ−2−メチル−プロピル基、2−アミノエチル基といった1級アミノアルキル基、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピル基、N−(2−アミノエチル)−2−アミノエチル基といった1級および2級アミノ基を有する有機基を例示することができる。エポキシ基を含む有機基としては、γ−グリシドキシプロピル基、β−グリシドキシエチル基、γ−グリシドキシ−β−メチル−プロピル基といったグリシドキシアルキル基、2−グリシドキシカルボニル−エチル基、2−グリシドキシカルボニル−プロピル基といったグリシドキシカルボニルアルキル基を例示することができる。加水分解によりシラノール基を生成する有機基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、2−エチルヘキシロキシ基といったアルコキシ基、β−メトキシエトキシ基、β−エトキシエトキシ基、ブトキシ−β−エトキシ基といったアルコキシ−β−エトキシ基、アセトキシ基、プロポキシ基等のアシロキシ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基といったN−アルキルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基といったN,N−ジアルキルアミノ基、イミダゾール基、ピロール基といった窒素を含有する複素環基を例示することができる。   For example, as a specific example of the reactive group of the silane compound, the organic group containing an amino group includes a primary aminoalkyl such as a 3-aminopropyl group, a 3-amino-2-methyl-propyl group, and a 2-aminoethyl group. Examples thereof include organic groups having primary and secondary amino groups such as a group, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyl group, and N- (2-aminoethyl) -2-aminoethyl group. Examples of the organic group containing an epoxy group include glycidoxyalkyl groups such as γ-glycidoxypropyl group, β-glycidoxyethyl group, γ-glycidoxy-β-methyl-propyl group, and 2-glycidoxycarbonyl-ethyl. And a glycidoxycarbonylalkyl group such as a 2-glycidoxycarbonyl-propyl group. Examples of organic groups that generate silanol groups by hydrolysis include alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, butoxy group, and 2-ethylhexyloxy group, β-methoxyethoxy group, β-ethoxyethoxy group, and butoxy-β-ethoxy group. Such as alkoxy-β-ethoxy group, acetoxy group, propoxy group and the like, N-alkylamino group such as methylamino group, ethylamino group and butylamino group, N, N-dialkylamino group such as dimethylamino group and diethylamino group And heterocyclic groups containing nitrogen such as imidazole group and pyrrole group.

好ましいシランカップリング剤としては、加水分解性基として3つのメトキシ基を有し、反応性基をしてγ−グリシドキシプロピル基を有するもの、加水分解性基として3つのエトキシ基が結合し、反応性基をしてγ−グリシドキシプロピル基を有するものが挙げられる。このようなシランカップリング剤添加することにより、シリコーン化合物薄膜の架橋密度を上げることができる。塗布膜剛性があがると放電によるフィルムへの破壊がさらに抑制でき絶縁破壊特性が向上する。   Preferred silane coupling agents include those having three methoxy groups as hydrolyzable groups, γ-glycidoxypropyl groups as reactive groups, and three ethoxy groups bonded as hydrolyzable groups. And those having a γ-glycidoxypropyl group as a reactive group. By adding such a silane coupling agent, the crosslinking density of the silicone compound thin film can be increased. When the coating film rigidity is increased, breakage of the film due to discharge can be further suppressed, and the dielectric breakdown characteristics are improved.

(フッ素成分)
フッ素成分としては、フルオロエチレン系モノマーを用いた重合体、フッ化アルキル(メタ)アクリレート系モノマーを用いた重合体などが挙げられる。
フルオロエチレン系モノマーを用いた(共)重合体として、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、ジフルオロエチレン、モノフルオロエチレン、ジフルオロジクロロエチレン等の(共)重合体が挙げられる。
(Fluorine component)
Examples of the fluorine component include a polymer using a fluoroethylene monomer and a polymer using a fluorinated alkyl (meth) acrylate monomer.
Examples of (co) polymers using fluoroethylene monomers include (co) polymers such as tetrafluoroethylene, trifluoroethylene, difluoroethylene, monofluoroethylene, and difluorodichloroethylene.

(その他の添加剤)
塗布層は、界面活性剤、架橋剤、滑剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。
界面活性剤は、フィルムへの、塗布層を形成するための塗液の濡れ性を高めたり、かかる塗液の安定性を向上させる目的で使用され、例えば、ポリオキシエチレン−脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、脂肪酸金属石鹸、アルキル硫酸塩、アルキルスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩等のアニオン型、ノニオン型界面活性剤を挙げることができる。界面活性剤は、塗布層の質量を基準として1〜60質量%含まれていることが好ましい。
(Other additives)
The coating layer may further contain additives such as a surfactant, a crosslinking agent, and a lubricant.
The surfactant is used for the purpose of increasing the wettability of the coating liquid for forming the coating layer on the film or improving the stability of the coating liquid. For example, polyoxyethylene-fatty acid ester, sorbitan fatty acid Examples include anionic and nonionic surfactants such as esters, glycerin fatty acid esters, fatty acid metal soaps, alkyl sulfates, alkyl sulfonates, and alkyl sulfosuccinates. It is preferable that 1-60 mass% of surfactant is contained on the basis of the mass of an application layer.

架橋剤を添加することにより、塗布層の凝集力を向上させることができ好ましい。
架橋剤として、エポキシ化合物、オキサゾリン化合物、メラミン化合物、イソシアネート化合物を例示することができ、その他のカップリング剤を用いることもできる。架橋剤の添加量は、塗布層の質量を基準として5〜30質量%であることが好ましい。
By adding a crosslinking agent, the cohesive force of the coating layer can be improved, which is preferable.
Examples of the crosslinking agent include epoxy compounds, oxazoline compounds, melamine compounds, and isocyanate compounds, and other coupling agents can also be used. It is preferable that the addition amount of a crosslinking agent is 5-30 mass% on the basis of the mass of an application layer.

塗布層には、絶縁性フィルムの取り扱い性をさらに向上させたり、フィルム同士のブロッキングを防止したりする等の目的で、塗布層を形成する成分に対して不活性な微粒子を添加することができる。かかる微粒子は、有機または無機の不活性微粒子が好ましく、例えば炭酸カルシウム、酸化カルシウム、酸化アルミニウム、カオリン、酸化珪素、酸化亜鉛、シリカ粒子、架橋アクリル樹脂粒子、架橋ポリスチレン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、架橋シリコーン樹脂粒子等を例示することができる。   For the purpose of further improving the handleability of the insulating film or preventing blocking between the films, fine particles inert to the components forming the coating layer can be added to the coating layer. . Such fine particles are preferably organic or inorganic inert fine particles, such as calcium carbonate, calcium oxide, aluminum oxide, kaolin, silicon oxide, zinc oxide, silica particles, crosslinked acrylic resin particles, crosslinked polystyrene resin particles, melamine resin particles, crosslinked particles. Examples thereof include silicone resin particles.

塗布層の厚みは、乾燥後の厚みとして、好ましくは0.005〜0.5μm、より好ましくは0.005〜0.2μm、さらに好ましくは0.02〜0.1μmである。
塗布層の厚みを当該範囲とすることによって、剥離して絶縁破壊される際に、より大きな電圧のエネルギーを消失されることができ、絶縁破壊電圧の向上効果を高めることができる。塗布層の厚みが下限値に満たない場合は、絶縁破壊電圧の向上効果が十分に発現しないことがある。また、塗布層の厚みが上限値を超える程度に厚くしても、さらなる絶縁破壊電圧の向上効果が得られないことがある。
The thickness of the coating layer is preferably 0.005 to 0.5 μm, more preferably 0.005 to 0.2 μm, and still more preferably 0.02 to 0.1 μm as the thickness after drying.
By setting the thickness of the coating layer in the above range, when peeling and causing dielectric breakdown, larger voltage energy can be lost, and the effect of improving the dielectric breakdown voltage can be enhanced. When the thickness of the coating layer is less than the lower limit value, the effect of improving the dielectric breakdown voltage may not be sufficiently exhibited. Moreover, even if the thickness of the coating layer is increased to an extent that exceeds the upper limit value, a further effect of improving the dielectric breakdown voltage may not be obtained.

以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに詳しく説明する。但し、本発明は、下記実施例及び比較例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the present invention is not limited to the following examples and comparative examples.

実施例中の各種特性値は下記の方法で測定、評価した。
(1)微粒子の平均粒径
試料台上に、粉体を個々の粒子ができるだけ重ならないように散在させ、金スパッター装置によりこの表面に金薄膜蒸着層を厚み200〜300Åで形成した。当該蒸着層を走査型電子顕微鏡を用いて1万〜3万倍で観察し、少なくとも100個の微粒子についてその面積相当粒径(Di)を求めた。得られた数値を下記式にあてはめて、平均粒径を算出した。
Various characteristic values in the examples were measured and evaluated by the following methods.
(1) Average particle diameter of fine particles The powder was dispersed on the sample stage so that the individual particles would not overlap as much as possible, and a gold thin film deposition layer was formed on the surface with a thickness of 200 to 300 mm by a gold sputtering apparatus. The deposited layer was observed at 10,000 to 30,000 times using a scanning electron microscope, and the area equivalent particle diameter (Di) was determined for at least 100 fine particles. The obtained numerical value was applied to the following formula to calculate the average particle size.

(2)延伸性
フィルム製膜時、10,000mあたりの破断頻度について、以下の基準で評価した。
A: 10,000mの製膜あたり、破断回数は0回
B: 10,000mの製膜あたり、破断回数は1〜4回
C: 10,000mの製膜あたり、破断回数は5回以上
(2) Stretchability At the time of film formation, the breaking frequency per 10,000 m was evaluated according to the following criteria.
A: The number of breaks is 0 times per 10,000 m of film formation. B: The number of breaks is 1 to 4 times per 10,000 m film formation. C: The number of breaks is 5 times or more per 10,000 m film formation.

(3)ロール外観
フィルムを600mm幅、6000mのロール状に95m/分の速度で巻き取ったときに得られたロールの外観について、以下の基準で評価した。
A: ロール表面に凸状点がなく、良好
B: ロール表面に1個以上、5個未満の凸状点がある
C: ロール表面に5個以上、10個未満の凸状点がある
D: ロール表面に10個以上の凸状点がある
(3) Roll appearance The appearance of the roll obtained when the film was wound into a roll of 600 mm width and 6000 m at a speed of 95 m / min was evaluated according to the following criteria.
A: There are no convex points on the roll surface and good B: There are 1 or more and less than 5 convex points on the roll surface C: There are 5 or more and less than 10 convex points on the roll surface D: There are 10 or more convex points on the roll surface

(4)巻ずれ
フィルムを600mm幅、6000mのロール状に95m/分の速度で巻き取ったときに得られたロールの巻ずれについて、以下の基準で評価した。
A: ロール端面における端面ずれが0.5mm未満であり、良好
B: ロール端面における端面ずれが0.5mm以上1mm未満
C: ロール端面における端面ずれが1mm以上2mm未満
D: ロール端面における端面ずれが2mm以上
(4) Winding deviation Rolling deviation obtained when the film was wound into a roll of 600 mm width and 6000 m at a speed of 95 m / min was evaluated according to the following criteria.
A: End face deviation at the roll end face is less than 0.5 mm, Good B: End face deviation at the roll end face is from 0.5 mm to less than 1 mm C: End face deviation at the roll end face is from 1 mm to less than 2 mm D: End face deviation at the roll end face 2mm or more

(5)フィルムの表面粗さ(Ra)
表面粗さは共焦点レーザー顕微鏡を用いて中心線平均粗さRaを計測した。
(5) Film surface roughness (Ra)
For the surface roughness, the center line average roughness Ra was measured using a confocal laser microscope.

(6)熱収縮率
無張力の状態で150℃の雰囲気中30分におけるフィルムの長尺方向(MD)及び短尺方向(TD)の熱収縮率(単位:%)をそれぞれ求めた。
(6) Thermal contraction rate The thermal contraction rate (unit:%) of the long direction (MD) and short direction (TD) of the film in 30 minutes in the atmosphere of 150 degreeC in the state of no tension was each calculated | required.

(7)絶縁破壊電圧
JIS C 2151に示される方法に従って測定した。23℃相対湿度50%の雰囲気にて、直流耐電圧試験機を用い、上部電極は直径25mmの真鍮製円柱、下部電極は直径75mmのアルミ製円柱を使用し、100V/秒の昇圧速度で昇圧し、フィルムが破壊し短絡した時の電圧(単位:V)を読み取った。得られた電圧をフィルム厚み(単位:μm)で除して、絶縁破壊電圧(単位:V/μm)とした。
測定は41回実施し、大きい方の10個、小さい方の10個を除き、21個の中央値を絶縁破壊電圧の測定値とした。
100℃、120℃での測定は熱風オーブンに電極、サンプルをセットし、耐熱コードで電源に接続し、オーブン投入後1分で昇圧を開始して測定した。
(7) Dielectric breakdown voltage Measured according to the method shown in JIS C 2151. Using a DC withstand voltage tester in an atmosphere of 23 ° C. and 50% relative humidity, the upper electrode is a brass cylinder with a diameter of 25 mm, the lower electrode is an aluminum cylinder with a diameter of 75 mm, and the pressure is increased at a pressure increase rate of 100 V / second. The voltage (unit: V) when the film was broken and short-circuited was read. The obtained voltage was divided by the film thickness (unit: μm) to obtain a dielectric breakdown voltage (unit: V / μm).
The measurement was performed 41 times, and the median value of 21 was taken as the measured value of the dielectric breakdown voltage, except for the larger 10 and the smaller 10.
Measurements at 100 ° C. and 120 ° C. were performed by setting electrodes and samples in a hot air oven, connecting to a power source with a heat-resistant cord, and starting pressurization 1 minute after the oven was put in.

実施例1
300℃、1.2kg荷重で測定したMFRが9であるシンジオタクチックポリスチレン(出光興産株式会社製:商品名ザレック)99質量%に対して、酸化防止剤(BASF社製:商品名IRGANOX1010)を0.5質量%、アルミノシリケート粒子(水澤化学製:商品名AMT−08L(平均粒径0.8μm))を0.5質量%を配合し、樹脂混合物を得た。得られた混合物を35mmφの二軸混練機にて押出温度300℃で溶融混練し、ペレットを得た。当ペレットを75mmφの単軸押出機に供給し、300℃で溶融し、シート成形用ダイスリットから押出し、40℃に冷却されたキャスティングドラム上で冷却固化し、未延伸シートを得た。
この未延伸シートを同時二軸延伸機に導入し、延伸温度110℃、延伸速度5,000%/分にて、長尺方向(機械軸方向)と短尺方向(機械軸と垂直方向)にそれぞれ3.3倍に延伸した。その後、240℃で6秒間熱固定し、その際、縦・横方向にそれぞれ3%の弛緩処理を行い、厚み3μmの延伸フィルムを得て、ロール状に巻き取った。
得られた延伸フィルムの特性について評価した。結果を表1に示す。尚、本願実施例では樹脂混合物が溶媒等の加熱及び延伸によってなくなってしまう成分を含まないので、不活性微粒子の樹脂混合物における含有率と、得られるフィルム中の不活性微粒子の含有率は等しい値となる。
Example 1
With respect to 99% by mass of syndiotactic polystyrene (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd .: trade name Zalec) having an MFR of 9 measured at 300 ° C. and a 1.2 kg load, an antioxidant (made by BASF: trade name IRGANOX 1010) is used. 0.5% by mass of 0.5% by mass of aluminosilicate particles (manufactured by Mizusawa Chemical: trade name AMT-08L (average particle size 0.8 μm)) was blended to obtain a resin mixture. The obtained mixture was melt-kneaded at an extrusion temperature of 300 ° C. with a 35 mmφ biaxial kneader to obtain pellets. The pellets were supplied to a 75 mmφ single screw extruder, melted at 300 ° C., extruded from a sheet forming die slit, and cooled and solidified on a casting drum cooled to 40 ° C. to obtain an unstretched sheet.
This unstretched sheet is introduced into a simultaneous biaxial stretching machine, and stretched at 110 ° C. and stretched at 5,000% / min in the long direction (machine axis direction) and the short direction (machine axis and perpendicular direction), respectively. 3. Stretched 3 times. Thereafter, the film was heat-fixed at 240 ° C. for 6 seconds. At that time, 3% relaxation treatment was performed in each of the vertical and horizontal directions to obtain a stretched film having a thickness of 3 μm and wound into a roll.
The properties of the obtained stretched film were evaluated. The results are shown in Table 1. In the examples of the present application, since the resin mixture does not contain a component that disappears by heating and stretching such as a solvent, the content of the inert fine particles in the resin mixture is equal to the content of the inert fine particles in the obtained film. It becomes.

実施例2−5及び比較例1−2
表1に示す種類及び添加量で微粒子を用い、表1に示す延伸条件とした他は実施例1と同様にして延伸フィルムを製造し、その特性を評価した。結果を表1に示す。
尚、表1において、実施例2−5及び比較例1の微粒子は、実施例1と同じアルミノシリケート粒子(水澤化学製:商品名AMT−08L(平均粒径0.8μm))を用い、比較例2では微粒子としてアルミノシリケート粒子(水澤化学製:商品名AMT−50(平均粒径5.0μm))を用いた。
Example 2-5 and Comparative Example 1-2
A stretched film was produced in the same manner as in Example 1 except that fine particles were used in the types and addition amounts shown in Table 1 and the stretching conditions shown in Table 1 were used, and the characteristics were evaluated. The results are shown in Table 1.
In Table 1, the fine particles of Example 2-5 and Comparative Example 1 were compared using the same aluminosilicate particles (Mizusawa Chemical: trade name AMT-08L (average particle size 0.8 μm)) as in Example 1. In Example 2, aluminosilicate particles (manufactured by Mizusawa Chemical Co., Ltd., trade name: AMT-50 (average particle size: 5.0 μm)) were used as fine particles.

比較例3
実施例1と同様に未延伸シートを製造した。
得られた未延伸シートを110℃で長尺方向(機械軸方向)に3.3倍延伸し、続いてテンターに導いた後、短尺方向(機械軸方向と垂直な方向)に3.3倍延伸した。その際、短尺方向の延伸速度は5000%/分とした。また、短尺方向の延伸の温度は、120℃とした。その後240℃で9秒間熱固定及び3%弛緩処理をして、厚み3.0μmの絶縁フィルムを得てロール状に巻取った。
得られた延伸フィルムの特性について実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
Comparative Example 3
An unstretched sheet was produced in the same manner as in Example 1.
The obtained unstretched sheet was stretched 3.3 times in the long direction (machine axis direction) at 110 ° C., then led to the tenter, and then 3.3 times in the short direction (direction perpendicular to the machine axis direction). Stretched. At that time, the drawing speed in the short direction was set to 5000% / min. The stretching temperature in the short direction was 120 ° C. Thereafter, heat fixing and 3% relaxation treatment were performed at 240 ° C. for 9 seconds to obtain an insulating film having a thickness of 3.0 μm and wound into a roll.
The characteristics of the obtained stretched film were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

本発明の絶縁フィルムは、コンデンサーの絶縁体として好適に用いることができる。特に、ハイブリッドカー等に搭載される、比較的高温環境下に晒されるコンデンサーの絶縁体として好適に用いることができる。   The insulating film of the present invention can be suitably used as a capacitor insulator. In particular, it can be suitably used as an insulator for a capacitor mounted on a hybrid car or the like and exposed to a relatively high temperature environment.

Claims (2)

シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とし、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下である不活性微粒子を2.0質量%以下含み、
無張力の状態で150℃、30分の加熱処理を行った場合に、フィルムの長尺方向と短尺方向の熱収縮率がそれぞれ2%以下となることを特徴とする絶縁フィルム。
A styrene polymer having a syndiotactic structure as a main constituent component, containing 2.0% by mass or less of inert fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less,
An insulating film characterized in that, when heat treatment is performed at 150 ° C. for 30 minutes in a tensionless state, the thermal shrinkage rate in the long direction and the short direction of the film is 2% or less, respectively.
シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とし、平均粒径が0.2μm以上3.0μm以下である不活性微粒子を2.0質量%以下含むスチレン系重合体含有組成物を、同時二軸延伸することにより製造した絶縁フィルム。   A styrenic polymer-containing composition containing 2.0% by mass or less of inert fine particles having an average particle size of 0.2 μm or more and 3.0 μm or less, comprising a styrene polymer having a syndiotactic structure as a main constituent, An insulating film produced by biaxial stretching.
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