JP2017034200A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer.
IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたシリコンウェーハ、サファイアウェーハ等のウェーハは、加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割されたデバイスチップは、携帯電話、パソコン等の各種電子機器に広く利用されている。 A wafer such as a silicon wafer or a sapphire wafer in which a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. are partitioned by a dividing line and formed on the surface is divided into individual device chips by a processing apparatus. Widely used in various electronic devices such as mobile phones and personal computers.
ウェーハの分割には、ダイシングソーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイヤモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウェーハへと切り込ませることでウェーハを切削し、個々のデバイスチップへと分割する。 A dicing method using a cutting device called a dicing saw is widely used for dividing the wafer. In the dicing method, a wafer is cut by cutting a wafer into a wafer while rotating a cutting blade having a thickness of about 30 μm by solidifying abrasive grains such as diamond with a metal or a resin at a high speed of about 30000 rpm. Divide into chips.
一方、近年では、レーザービームを用いてウェーハを個々のデバイスチップに分割する方法が開発され、実用化されている。特にウェーハの内部に集光するようにレーザービームをウェーハに照射して、ウェーハの内部に改質層を形成し、外力を付与して改質層を破断起点としてウェーハをデバイスチップに分割する方法では、加工屑の発生もなく、従来一般的に用いられてきた切削ブレードによるダイシングに比較し、カットラインの狭小化や無水加工等のメリットがある。 On the other hand, in recent years, a method of dividing a wafer into individual device chips using a laser beam has been developed and put into practical use. In particular, a method in which a wafer is irradiated with a laser beam so as to be focused inside the wafer, a modified layer is formed inside the wafer, an external force is applied, and the wafer is divided into device chips using the modified layer as a rupture starting point. Then, there is no generation of machining waste, and there are merits such as narrowing of the cut line and anhydrous machining as compared with dicing by a cutting blade that has been generally used conventionally.
また、レーザービームの照射によるダイシング方法では、プロジェクションウェーハに代表されるようなストリート(分割予定ライン)が非連続的な構成のウェーハを加工できるというメリットがある(例えば、特開2010−123723号公報参照)。分割予定ラインが非連続的なウェーハの加工では、分割予定ラインの設定に従ってレーザービームの出力をON/OFFして加工する。 In addition, the dicing method by laser beam irradiation has an advantage that a wafer having a structure in which streets (division lines to be divided) represented by a projection wafer are discontinuous can be processed (for example, JP 2010-123723 A). reference). In the processing of a wafer in which the division lines are discontinuous, the laser beam output is turned ON / OFF according to the setting of the division lines.
しかしながら、第1の方向に伸長する分割予定ラインに第2の方向に伸長する分割予定ラインが突き当たる交点付近では、既に形成された改質層に他方の分割予定ラインを加工するレーザービームの一部が照射されて、レーザービームの反射や散乱が発生し、デバイス領域に光が漏れ、この光によりデバイスを破損してしまう恐れがある。 However, in the vicinity of the intersection where the planned division line extending in the second direction hits the planned division line extending in the first direction, a part of the laser beam that processes the other division planned line in the modified layer already formed May cause reflection or scattering of the laser beam, and light leaks into the device region, which may damage the device.
そこで、交点にかかる手前側でレーザービームの出力を低減又は停止して、交点付近に非加工部を残すという加工方法が上記特許文献2で提案されている。しかし、この加工方法では、非加工部に改質層がないため、ウェーハをデバイスチップに分割した際、チップの斜め割れが発生する恐れがあるという問題がある。 Therefore, a processing method is proposed in Patent Document 2 in which the output of the laser beam is reduced or stopped on the near side of the intersection and a non-processed portion is left in the vicinity of the intersection. However, in this processing method, since there is no modified layer in the non-processed portion, there is a problem that when the wafer is divided into device chips, oblique cracking of the chips may occur.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、少なくとも一方の分割予定ラインが非連続に形成されたウェーハをレーザー加工する際に、一方の分割予定ラインの端部が他方の分割予定ラインに突き当たる交点付近で既に形成された改質層にレーザービームが照射されることを抑制し、改質層でのレーザービームの反射又は散乱を防止し、デバイスの破損を防止可能なウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to perform laser processing on a wafer on which at least one of the planned division lines is discontinuously formed. Suppresses the laser beam from being applied to the modified layer already formed near the intersection where the end hits the other split line, prevents reflection or scattering of the laser beam at the modified layer, and damages the device It is an object of the present invention to provide a wafer processing method capable of preventing the above.
本発明によると、第1の方向に形成された複数の第1分割予定ラインと該第1の方向と交差する第2の方向に形成された複数の第2分割予定ラインとで区画された各領域にデバイスが形成され、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインのうち少なくとも該第2分割予定ラインが非連続に形成されているウェーハに対し、ウェーハの内部に該第1及び第2分割予定ラインに沿った改質層を形成するウェーハの加工方法であって、該第1分割予定ラインに沿ってウェーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの内部に集光して照射し、ウェーハの内部に該第1分割予定ラインに沿った第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、延在方向の端部が該第1分割予定ラインに突き当たる該第2分割予定ラインに沿って、ウェーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの内部に集光して照射し、ウェーハの内部に該第2分割予定ラインに沿った第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、を備え、該第2改質層形成ステップでウェーハに照射される該レーザービームのスポット形状は、該第2分割予定ラインと平行方向の長さが該第1分割予定ラインと平行方向の長さより短く整形されていることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。 According to the present invention, each divided by a plurality of first division planned lines formed in the first direction and a plurality of second division planned lines formed in the second direction intersecting the first direction. A device is formed in a region, and at least the second scheduled division line and the second scheduled division line at least the second scheduled division line are formed discontinuously, the first and first A wafer processing method for forming a modified layer along a line to be divided into two, and condensing a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer along the first line to be divided into the wafer. Irradiating and forming a first modified layer forming step for forming a first modified layer along the first division planned line inside the wafer, and the first end of the extending direction abuts against the first division planned line Along the split line Formation of a second modified layer for condensing and irradiating the inside of the wafer with a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer, thereby forming a second modified layer along the second scheduled division line inside the wafer A spot shape of the laser beam irradiated on the wafer in the second modified layer forming step, the length in a direction parallel to the second planned division line is parallel to the first planned division line There is provided a method of processing a wafer characterized in that the wafer is shaped shorter than the length of the wafer.
好ましくは、該第2改質層形成ステップにおいて、該レーザービームは集光前に通過するスリットによって該第2分割予定ラインの伸長方向の両端部を遮断して整形される。或いは、該第2改質層形成ステップにおいて、該レーザービームは該第1分割予定ラインの伸長方向に長軸を有する楕円形に整形される。 Preferably, in the second modified layer forming step, the laser beam is shaped by blocking both ends in the extending direction of the second scheduled division line by slits that pass before focusing. Alternatively, in the second modified layer forming step, the laser beam is shaped into an ellipse having a major axis in the extension direction of the first planned division line.
好ましくは、該第2改質層形成ステップでは、該レーザービームの走査方向から見て、該第1分割予定ラインと該第2分割予定ラインとの交点の手前で、該レーザービームのエネルギーが低減される。 Preferably, in the second modified layer forming step, the energy of the laser beam is reduced just before the intersection of the first scheduled division line and the second scheduled division line when viewed from the scanning direction of the laser beam. Is done.
本発明のウェーハの加工方法によると、第2改質層形成ステップで照射されるレーザービームのスポットを第2改質層の伸長方向の両端を遮断するように整形することで、第2分割予定ラインの端部が第1分割予定ラインに突き当たる交点手前側を加工する際に、既に形成されている第1改質層にレーザービームの一部が照射されることを防止することができ、第1改質層でレーザービームが反射又は散乱して、デバイスを破損することを防止することができる。 According to the wafer processing method of the present invention, the laser beam spot irradiated in the second modified layer forming step is shaped so as to block both ends in the extending direction of the second modified layer, thereby dividing the second division schedule. When processing the front side of the intersection where the end of the line hits the first division planned line, it is possible to prevent the first modified layer that has already been formed from being irradiated with a part of the laser beam. It is possible to prevent the laser beam from being reflected or scattered by one modified layer and damaging the device.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、レーザー加工装置のチャックテーブル10にウェーハユニット12が保持された状態の斜視図が示されている。ウェーハユニット12は、外周部が環状フレームFに貼着された粘着テープであるダイシングテープTに、半導体ウェーハ(以下、単にウェーハと略称することがある)11の表面11aを貼着して構成されている。図1に示す状態では、ウェーハ11の裏面11bが上方に露出している。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a state in which a
ウェーハ11の表面11aには、第1の方向に連続的に形成された複数の第1分割予定ライン13aと第1分割予定ライン13aと直交する方向に非連続に形成された複数の第2分割予定ライン13bが形成されており、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bとで区画された領域にLSI等のデバイス15が形成されている。
On the
尚、本発明のウェーハの加工方法で加工対象となるウェーハ11は、半導体ウェーハに限定されるものではなく、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bとで区画された領域にLED、LD等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハ等のウェーハも含むものである。
Incidentally, the
本実施形態のウェーハの加工方法では、まず図1に示すように、レーザー加工装置のチャックテーブル10でウェーハユニット12のウェーハ11をダイシングテープTを介して吸引保持する保持ステップを実施する。尚、特に図示していないが、ウェーハユニット12の環状フレームFは図示を省略したクランプでクランプして固定される。
In the wafer processing method of this embodiment, first, as shown in FIG. 1, a holding step is performed in which the
このようにチャックテーブル10に保持されたウェーハ11に対し、ウェーハ11に対して透過性を有する波長のレーザービームLBを集光器14によりウェーハ内部に集光して照射し、第1分割予定ライン13a又は第2分割予定ライン13bに沿ったウェーハ内部に第1改質層又は第2改質層を形成する。
The
図2を参照すると、レーザービーム発生ユニット16のブロック図が示されており、レーザービーム発生ユニット16は、波長1064nmのパルスレーザーを発振するYAGレーザー発振器又はYVO4レーザー発振器等のレーザー発振器18と、繰り返し周波数設定手段20と、パルス幅調整手段22と、レーザー発振器18から発振されたパルスレーザービームのパワーを調整するパワー調整手段24とを含んでいる。
Referring to FIG. 2, a block diagram of the laser
レーザービーム発生ユニット16のパワー調整手段24で所定パワーに調整されたレーザービームLBは、図1に示す集光器14によりウェーハ11の内部に集光されて照射される。
The laser beam LB adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 24 of the laser
特に図示しないが、本発明のウェーハの加工方法では、まずチャックテーブル10に吸引保持されたウェーハ11をレーザー加工装置の図示しない撮像ユニットの直下に位置付けて、撮像ユニットによりウェーハ11を撮像して、第1分割予定ライン13aを集光器14とX軸方向に整列させるアライメントを実施する。
Although not particularly shown, in the wafer processing method of the present invention, first, the
次いで、チャックテーブル10を90°回転してから、第1分割予定ライン13aと直交する方向に伸長する第2分割予定ライン13bについても同様なアライメントを実施し、アライメントのデータをレーザー加工装置のコントローラのRAMに格納する。
Next, after the chuck table 10 is rotated by 90 °, the same alignment is performed on the second scheduled
レーザー加工装置の撮像ユニットは通常赤外線カメラを備えているため、この赤外線カメラによりウェーハ11の裏面11b側からウェーハ11を透かして表面11aに形成された第1及び第2分割予定ライン13a,13bを検出することができる。
Since the imaging unit of the laser processing apparatus normally includes an infrared camera, the infrared camera captures the first and second scheduled
アライメント実施後、第1分割予定ライン13aに沿ってウェーハ11の内部に第1改質層17を形成する第1改質層形成ステップを実施する。この第1改質層形成ステップでは、図3に示すように、ウェーハに対して透過性を有する波長(例えば1064nm)の集光点を集光器14によりウェーハ11の内部に位置付けて、ウェーハ11の裏面11b側から第1分割予定ライン13aに照射し、チャックテーブル10を矢印X1方向に加工送りすることにより、ウェーハ11の内部に第1分割予定ライン13aに沿った第1改質層17を形成する。
After the alignment, a first modified layer forming step for forming the first modified
好ましくは、集光器14を上方に段階的に移動して、ウェーハ11の内部に第1分割予定ライン13aに沿った複数層の第1改質層17、例えば3層の第1改質層17を形成する。
Preferably, the
改質層17は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域を言い、溶融再固化層として形成される。この第1改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。
The modified
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :500mm/s
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 pulse laser Wavelength: 1064 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Pulse output: 10μJ
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 500 mm / s
第1改質層形成ステップを実施した後、延在方向(伸長方向)の端部が第1分割予定ライン13aに突き当たる第2分割予定ライン13bに沿って、ウェーハ11に対して透過性を有する波長(例えば1064nm)のレーザービームをウェーハ11の内部に集光して照射し、ウェーハ11の内部に第2分割予定ライン13bに沿った第2改質層19を形成する第2改質層形成ステップを実施する。
After performing the first modified layer forming step, the end portion in the extending direction (extension direction) is permeable to the
この第2改質層形成ステップでは、第1改質層形成ステップ終了後に、チャックテーブル10を90°回転した後、図4に示すように、ウェーハ11の裏面11b側からレーザービームLBの集光点を第2分割予定ライン13bに対応するウェーハ11の内部に位置付けて照射し、チャックテーブル10を矢印X1方向に加工送りすることにより、ウェーハ11の内部に第2分割予定ライン13bに沿った第2改質層19を形成する。本実施形態では、集光器10を上方に段階的に移動することにより、ウェーハ11の内部に3層の第2改質層19を形成している。
In this second modified layer forming step, after completion of the first modified layer forming step, the chuck table 10 is rotated by 90 °, and then the laser beam LB is focused from the
本発明のウェーハの加工方法は、この第2改質層形成ステップに特徴を有している。まず第1の特徴は、第2改質層形成ステップを実施する際、第2分割予定ライン13bと平行方向のビームスポットの長さを第1分割予定ライン13aと平行方向のビームスポットの長さよりも短くなるように整形したレーザービームLBをウェーハ11に照射することである。
The wafer processing method of the present invention is characterized by this second modified layer forming step. First, the first feature is that when the second modified layer forming step is performed, the length of the beam spot parallel to the second scheduled
レーザービームLBのスポットの整形方法の第1実施形態を図7を参照して説明する。第1実施形態のスポット整形方法では、レーザービーム発生ユニット16と集光器14との間に横に長いスリット28を有するマスク26を配設する。
A first embodiment of the method of shaping the spot of the laser beam LB will be described with reference to FIG. In the spot shaping method of the first embodiment, a
レーザービーム発生ユニット16から出射されたレーザービームLBのスポット形状は符号34で示すように円形をしているが、スリット28を通過後のレーザービームLBのスポット形状は、スポット34の上端部及び下端部がマスク26で遮断されて符号36で示す形状に整形される。
The spot shape of the laser beam LB emitted from the laser
スポット36を有するレーザービームLBは、集光器14のミラー36で反射された後集光レンズ32によりチャックテーブル10に保持されたウェーハ11の内部に集光される。
The laser beam LB having the
ウェーハ11に照射される際のレーザービームLBのスポット形状は、図5(B)に示すように、第2分割予定ライン13bと平行方向の長さが第1分割予定ライン13aと平行方向の長さより短く整形されたスポット36となる。換言すると、スポット36の形状は、第2分割予定ライン13bと平行方向の幅が第1分割予定ライン13aと平行方向の幅より狭く整形されている。
As shown in FIG. 5B, the spot shape of the laser beam LB when irradiating the
図5(A)に示すように、延在方向(伸長方向)の端部が第1分割予定ライン13aに突き当たる第2分割予定ライン13bに沿って第2改質層19を形成する際に、第2改質層19の端部では集光器14から出射されるレーザービームLBの照射を停止して第1改質層17の手前で第2改質層19の形成を中止する。
As shown in FIG. 5A, when the second modified
この際、ウェーハ11に照射されるレーザービームLBが上述したようなスポット形状を有するためレーザービームLBの一部が既に形成されている第1改質層17に照射されることが防止され、第1改質層17でレーザービームLBが反射又は散乱し、デバイス15を損傷するのを防止することができる。
At this time, since the laser beam LB irradiated to the
尚、レーザービームの照射の中止は、例えば、レーザービーム発生ユニット16と集光器14との間に図示しない音響光学素子(AOD:Acousto−Optic Deflector)を挿入し、このAODに選択的に電圧を印加して、レーザービームLBの光路を集光器14からそらすことにより達成することができる。
The laser beam irradiation is stopped by, for example, inserting an unillustrated acousto-optic element (AOD: Acoustic-Optic Defector) between the laser
第2改質層形成ステップで照射されるレーザービームLBの修正方法の第2実施形態を図8を参照して説明する。この第2実施形態では、シリンドリカルレンズユニット38を内蔵した集光器14Aを使用する。
A second embodiment of a method for correcting the laser beam LB irradiated in the second modified layer forming step will be described with reference to FIG. In the second embodiment, a
シリンドリカルレンズユニット38は上下方向に移動可能に配設されており、シリンドリカルレンズユニット38通過後のレーザービームのスポット形状は、符号40で示すようにY軸方向に長い楕円形状に整形される。このように楕円形のビームスポット40を有するレーザービームをウェーハ11に照射して第2改質層形成ステップを実施しても、上述した第1実施形態のビームスポット36を有するレーザービームと同様な効果を達成することができる。
The
特に図示しないが、第2改質層19も第1改質層17と同様に、ウェーハ11の内部に複数層(例えば3層)形成するのが好ましい。第2改質層形成ステップでのレーザー加工条件は、上述した第1改質層形成ステップでの加工条件と同様である。
Although not particularly illustrated, it is preferable that the second modified
次に、図6を参照して、従来方法の問題点について説明する。従来の第2改質層形成ステップでは、円形のスポット34を有するレーザービームを用いて第2改質層形成ステップを実施していた。
Next, problems of the conventional method will be described with reference to FIG. In the conventional second modified layer forming step, the second modified layer forming step is performed using a laser beam having a
この場合、集光器14から照射されるレーザービームLBの一部が既に形成されている第1改質層17に照射され、第1改質層17でレーザービームが反射又は散乱し、図6(B)に示すように、ウェーハ11の表面11aに形成されているデバイス15に照射されてデバイス15を破損する恐れがあるという問題があった。本発明はレーザービームLBのスポット形状を上述したように整形することにより、この問題を解決したものである。
In this case, a part of the laser beam LB irradiated from the
尚、従来の第2改質層形成ステップで、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bとの交点にかかるある程度手前でレーザービームLBの出力を停止又は低減して、交点付近の比較的長い領域に非加工部を残すことによりレーザービームLBが第1改質層17に遮られないようにして、デバイス15の損傷を防止するという考えもあるが、この場合は、非加工部に第2改質層19が形成されていないため、ウェーハ11をデバイスチップに分割する際分割しにくいか、或いは分割されたデバイスチップが斜めに割れてしまうという問題があるので、このような対策をとることは望ましくない。
In the conventional second modified layer forming step, the output of the laser beam LB is stopped or reduced to some extent before the intersection of the first division planned
第2改質層形成ステップの第2の特徴は、第2分割予定ライン13bが第1分割予定ライン13aに突き当たる交点の手前側で、照射されるレーザービームのエネルギーを低減することである。
The second feature of the second modified layer forming step is that the energy of the irradiated laser beam is reduced on the front side of the intersection where the second scheduled
このように制御することにより、レーザービームのスポット形状を上述したように整形した場合でも、万が一レーザービームLBの一部が既に形成されている第1改質層17に照射されてしまう際に、第1改質層17により反射又は散乱されるエネルギーが小さいので、デバイス15へのダメージを低減することができる。
By controlling in this way, even when the spot shape of the laser beam is shaped as described above, in the unlikely event that a part of the laser beam LB is already irradiated to the first modified
この第2改質層形成ステップで照射されるレーザービームのエネルギーを低減するように制御するのは、第2分割予定ライン13bの端部が第1分割予定ライン13aに突き当たる交点の手前のみでよく、第2分割予定ライン13bが第1分割予定ライン13aと交差する地点では、レーザービームLBのエネルギーを低減する必要がない。
The control to reduce the energy of the laser beam irradiated in the second modified layer forming step only needs to be before the intersection where the end of the second scheduled
上述した実施形態のウェーハの加工方法では、第2改質層形成ステップで照射されるレーザービームのスポット形状の上述したように整形した例について説明したが、第1分割予定ライン13aに沿って第1改質層17を形成する場合にも、上述したように整形したレーザービームを照射するようにしてもよい。
In the wafer processing method according to the above-described embodiment, the example of shaping the spot shape of the laser beam irradiated in the second modified layer forming step as described above has been described. Even when the first modified
11 半導体ウェーハ
12 ウェーハユニット
13a 第1分割予定ライン
13b 第2分割予定ライン
14 集光器
15 デバイス
16 レーザービーム発生ユニット
17 第1改質層
19 第2改質層
26 マスク
28 スリット
38 シリンドリカルレンズユニット
DESCRIPTION OF
Claims (4)
該第1分割予定ラインに沿ってウェーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの内部に集光して照射し、ウェーハの内部に該第1分割予定ラインに沿った第1改質層を形成する第1改質層形成ステップと、
延在方向の端部が該第1分割予定ラインに突き当たる該第2分割予定ラインに沿って、ウェーハに対し透過性を有する波長のレーザービームをウェーハの内部に集光して照射し、ウェーハの内部に該第2分割予定ラインに沿った第2改質層を形成する第2改質層形成ステップと、を備え、
該第2改質層形成ステップでウェーハに照射される該レーザービームのスポット形状は、該第2分割予定ラインと平行方向の長さが該第1分割予定ラインと平行方向の長さより短く整形されていることを特徴とするウェーハの加工方法。 A device is formed in each region defined by a plurality of first division lines formed in the first direction and a plurality of second division lines formed in the second direction intersecting the first direction. And, with respect to a wafer in which at least the second division planned line is formed discontinuously among the first division planned line and the second division planned line, the first and second division planned lines are formed inside the wafer. A wafer processing method for forming a modified layer along the surface,
A laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer along the first division line is condensed and irradiated inside the wafer, and the first modified layer along the first division line is irradiated inside the wafer. A first modified layer forming step of forming
A laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is focused and irradiated along the second division line where the end in the extending direction hits the first division line. A second modified layer forming step for forming a second modified layer along the second division planned line inside,
The spot shape of the laser beam irradiated to the wafer in the second modified layer forming step is shaped so that the length in the direction parallel to the second planned division line is shorter than the length in the direction parallel to the first planned division line. A wafer processing method characterized by the above.
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2020089920A (en) * | 2015-09-29 | 2020-06-11 | 株式会社東京精密 | Laser processing device and laser processing method |
US11833611B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device |
US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220909A (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Division method of wafer |
JP2010123797A (en) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing method for wafer |
JP2013219115A (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for dividing wafer |
JP2014033163A (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer splitting method |
JP2015050415A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | Optical device and processing method of the same |
JP2015156427A (en) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | アイシン精機株式会社 | Glass processed component, manufacturing method thereof, electronic device and manufacturing method thereof |
-
2015
- 2015-08-06 JP JP2015155692A patent/JP6494467B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220909A (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Division method of wafer |
JP2010123797A (en) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing method for wafer |
JP2013219115A (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for dividing wafer |
JP2014033163A (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer splitting method |
JP2015050415A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | Optical device and processing method of the same |
JP2015156427A (en) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | アイシン精機株式会社 | Glass processed component, manufacturing method thereof, electronic device and manufacturing method thereof |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020089920A (en) * | 2015-09-29 | 2020-06-11 | 株式会社東京精密 | Laser processing device and laser processing method |
US11833611B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device |
US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
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