JP2017025165A - Composition for forming cured film, cured film, light-emitting display element, method for forming cured film and dispersion liquid - Google Patents

Composition for forming cured film, cured film, light-emitting display element, method for forming cured film and dispersion liquid Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a cured film that can suppress the reduction of a fluorescence quantum yield of a semiconductor quantum dot, to provide a cured film produced from the composition for forming a cured film, to provide a light-emitting display element using the cured film, to provide a method for forming a cured film by using the composition for forming a cured film and to provide a dispersion liquid suitable for the composition for forming a cured film.SOLUTION: The composition for forming a cured film contains a binder polymer, a polymerizable compound, a semiconductor quantum dot and a dispersant including an acidic functional group in which the dispersant has an acid value of not less than 5 mgKOH/g to not more than 150 mgKOH/g. The dispersant may include a carboxyl group, a sulfo group or a combination thereof as an acidic functional group. The dispersant may be a block copolymer having a first block composed of a first repeating unit and a second block composed of a second repeating unit having higher hydrophilicity than the first repeating unit.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、硬化膜形成用組成物、硬化膜、発光表示素子、硬化膜の形成方法及び分散液に関する。   The present invention relates to a cured film forming composition, a cured film, a light emitting display element, a method for forming a cured film, and a dispersion.

近年、硫化カドミウム(CdS)やテルル化カドミウム(CdTe)等の半導体をナノメートルサイズの大きさに形成して得られた半導体量子ドット(以下、「QD」ともいう)が注目を集めている。このようなQDは、ブロードな光吸収を示すとともにスペクトル幅の狭い蛍光を発するという特殊な光学特性を示すため、現在各種の応用が検討されている。例えば有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子等を用いたディスプレイに上述のQDが用いられるようになってきている(特開2014−174406号公報参照)。   In recent years, semiconductor quantum dots (hereinafter also referred to as “QD”) obtained by forming a semiconductor such as cadmium sulfide (CdS) or cadmium telluride (CdTe) in a nanometer size have attracted attention. Since such QD exhibits a broad optical absorption and a special optical characteristic of emitting fluorescence with a narrow spectral width, various applications are currently being studied. For example, the above-described QD has been used for displays using organic electroluminescence (EL) elements or the like (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-174406).

具体的には、青色発光有機EL素子と、この青色発光有機EL素子からの光により励起され緑色の蛍光を発する半導体量子ドット(以下、「G−QD」ともいう)と、青色発光有機EL素子からの光により励起され赤色の蛍光を発する半導体量子ドット(以下、「R−QD」ともいう)とを組み合わせたディスプレイが注目を集めている。このようなディスプレイにおいては、G−QDからの緑色の蛍光と、R−QDからの赤色の蛍光と、青色発光有機EL素子から放出された未変換の青色光とを組み合わせることにより、様々な色相の光を再現している。   Specifically, a blue light-emitting organic EL element, a semiconductor quantum dot (hereinafter also referred to as “G-QD”) that emits green fluorescence when excited by light from the blue light-emitting organic EL element, and a blue light-emitting organic EL element A display combined with a semiconductor quantum dot (hereinafter also referred to as “R-QD”) that emits red fluorescence when excited by light from the light attracts attention. In such a display, various hues are obtained by combining green fluorescence from G-QD, red fluorescence from R-QD, and unconverted blue light emitted from a blue light emitting organic EL element. The light is reproduced.

しかしながら、このようなQDは酸素や水分等により影響を受けやすい。例えばQDに酸素や水分等が付着することにより、QDの結晶構造がその表面付近において変化し、QDの蛍光量子収率が低下する場合がある。このようなQDを含むディスプレイ等においては、時間の経過とともにQDに酸素や水分等が付着することによって、青色発光有機EL素子からの青色光の強度に対して、G−QDからの緑色の蛍光の強度及びR−QDからの赤色の蛍光の強度が低下し、これによりディスプレイの色再現性が低下する場合がある。   However, such QD is easily affected by oxygen, moisture, and the like. For example, when oxygen, moisture, or the like adheres to the QD, the crystal structure of the QD may change near the surface, and the QD fluorescence quantum yield may decrease. In such a display including a QD, oxygen or moisture adheres to the QD over time, so that the green fluorescence from the G-QD is increased with respect to the intensity of blue light from the blue light emitting organic EL element. And the intensity of red fluorescence from the R-QD may be reduced, which may reduce the color reproducibility of the display.

特開2014−174406号公報JP 2014-174406 A

本発明は、上述の事情に基づいてなされたものであり、その目的は、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる硬化膜形成用組成物、当該硬化膜形成用組成物により得られる硬化膜、当該硬化膜を用いた発光表示素子、当該硬化膜形成用組成物を用いた硬化膜の形成方法、及び当該硬化膜形成用組成物に好適な分散液を提供することにある。   This invention is made | formed based on the above-mentioned situation, The objective is the cured film formation composition which can suppress the fall of the fluorescence quantum yield of QD, and the cured film obtained by the said composition for cured film formation Another object of the present invention is to provide a light emitting display element using the cured film, a method for forming a cured film using the cured film forming composition, and a dispersion suitable for the cured film forming composition.

上記課題を解決するためになされた発明は、バインダーポリマー(以下、「[A]バインダーポリマー」ともいう)、重合性化合物(以下、「[B]重合性化合物」ともいう)、半導体量子ドット(以下、「[C]QD」ともいう)及び酸性官能基を含む分散剤(以下、「[D]分散剤」ともいう)を含有し、[D]分散剤の酸価が5mgKOH/g以上150mgKOH/g以下の硬化膜形成用組成物である。   The invention made to solve the above problems includes a binder polymer (hereinafter also referred to as “[A] binder polymer”), a polymerizable compound (hereinafter also referred to as “[B] polymerizable compound”), a semiconductor quantum dot ( Hereinafter referred to as “[C] QD”) and a dispersant containing an acidic functional group (hereinafter also referred to as “[D] dispersant”), and the acid value of [D] dispersant is 5 mgKOH / g or more and 150 mgKOH. / G or less of the composition for forming a cured film.

また、本発明は、上述の硬化膜形成用組成物により得られる硬化膜、及び上述の硬化膜形成用組成物により形成される硬化膜を備える発光表示素子を含む。   Moreover, this invention includes a light emitting display element provided with the cured film obtained with the above-mentioned composition for cured film formation, and the cured film formed with the above-mentioned composition for cured film formation.

さらに、本発明は、上述の硬化膜形成用組成物により基板の一方の面側に塗膜を形成する工程、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、放射線照射後の上記塗膜を現像する工程、及び現像後の上記塗膜を加熱する工程を備える硬化膜の形成方法を含む。   Furthermore, the present invention provides a step of forming a coating film on one surface side of the substrate with the above-described cured film forming composition, a step of irradiating at least a part of the coating film, and the coating film after radiation irradiation. And a method for forming a cured film, which includes a step of developing the film and a step of heating the coated film after development.

また、上記課題を解決するためになされた別の発明は、半導体量子ドット、酸性官能基を含む分散剤、及び溶媒を含有し、上記分散剤の酸価が5mgKOH/g以上150mgKOH/g以下の分散液である。   Another invention made to solve the above-mentioned problems includes a semiconductor quantum dot, a dispersant containing an acidic functional group, and a solvent, and the acid value of the dispersant is 5 mgKOH / g or more and 150 mgKOH / g or less. It is a dispersion.

ここで、「酸性官能基」とは、水素イオンとして電離しうる水素原子を一個以上有する官能基をいい、例えばカルボキシ基、スルホ基、ヒドロキシ基、リン酸基等が挙げられる。また、「酸価」とは、分散剤1g中に含有される酸性官能基を中和するのに必要な水酸化カリウム(KOH)のmg数であり、JIS−K−0070(1992年)に準拠して求められる。   Here, the “acidic functional group” means a functional group having at least one hydrogen atom that can be ionized as a hydrogen ion, and examples thereof include a carboxy group, a sulfo group, a hydroxy group, and a phosphate group. Further, the “acid value” is the number of mg of potassium hydroxide (KOH) necessary for neutralizing the acidic functional group contained in 1 g of the dispersant, according to JIS-K-0070 (1992). Required in compliance.

本発明によれば、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる硬化膜形成用組成物、当該硬化膜形成用組成物により得られる硬化膜、当該硬化膜形成用組成物により形成される硬化膜を備える発光表示素子、当該硬化膜の形成方法及び当該硬化膜形成用組成物に好適な分散液を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cured film formation composition which can suppress the fall of the fluorescence quantum yield of QD, the cured film obtained by the said cured film formation composition, The cured film formed with the said composition for cured film formation The dispersion liquid suitable for the light emitting display element provided with this, the formation method of the said cured film, and the said composition for cured film formation can be provided.

図1は、本発明の一実施形態に係る発光表示素子を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a light-emitting display element according to an embodiment of the present invention.

<硬化膜形成用組成物>
当該硬化膜形成用組成物は、[A]バインダーポリマー、[B]重合性化合物、[C]QD及び[D]分散剤を含有し、[D]分散剤の酸価が5mgKOH/g以上150mgKOH/g以下の硬化膜形成用組成物である。また、当該硬化膜形成用組成物は、感放射線性化合物(以下、「[E]感放射線性化合物」ともいう)を含有していてもよく、また、溶媒(以下、「[F]溶媒」ともいう)を含有していてもよい。
<Composition for forming cured film>
The composition for forming a cured film contains [A] a binder polymer, [B] a polymerizable compound, [C] QD and a [D] dispersant, and the acid value of the [D] dispersant is 5 mgKOH / g or more and 150 mgKOH. / G or less of the composition for forming a cured film. The cured film-forming composition may contain a radiation-sensitive compound (hereinafter also referred to as “[E] radiation-sensitive compound”), and a solvent (hereinafter referred to as “[F] solvent”). May also be included).

当該硬化膜形成用組成物は、上記構成を有することにより、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる。当該硬化膜形成用組成物が上記構成を有することで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察される。すなわち、[D]分散剤が酸性官能基を介して[C]QDの表面に付着することにより、[C]QDの蛍光量子収率を低下させる原因となる酸素や水分等がその表面に付着することが抑制され、これにより、[C]QDの蛍光量子収率の低下を抑制できると考えられる。   By having the said structure, the said composition for cured film formation can suppress the fall of the fluorescence quantum yield of QD. The reason why the composition for forming a cured film has the above-described configuration has the above-mentioned effects is not necessarily clear, but is presumed as follows, for example. That is, when the [D] dispersant is attached to the surface of [C] QD via an acidic functional group, oxygen, moisture, etc. that cause a decrease in the fluorescence quantum yield of [C] QD are attached to the surface This is considered to suppress the decrease in the fluorescence quantum yield of [C] QD.

また、青色発光有機EL素子を用いたディスプレイにQDを適用する際、従来の硬化膜形成用組成物では、酸素や水分等がR−QDやG−QDの表面に付着することにより、青色発光有機EL素子から発せられた青色光の強度に対して、R−QDからの赤色蛍光の強度及びG−QDからの緑色蛍光の強度が低下し、色再現性が低下する場合がある。これに対し、当該硬化膜形成用組成物を用いた場合は、上述のように[D]分散剤がR−QDやG−QD等の[C]QDの表面に付着することにより、[C]QDの蛍光量子収率の低下を抑制でき、青色発光有機EL素子から発せられた青色光の強度に対して、[C]QDからの蛍光強度を維持でき、高い色再現性を維持することができると考えられる。   In addition, when QD is applied to a display using a blue light-emitting organic EL element, in the conventional cured film forming composition, oxygen or moisture adheres to the surface of R-QD or G-QD, thereby causing blue light emission. The intensity of red fluorescence from R-QD and the intensity of green fluorescence from G-QD may decrease with respect to the intensity of blue light emitted from the organic EL element, and color reproducibility may decrease. On the other hand, when the cured film forming composition is used, the [D] dispersant adheres to the surface of [C] QD such as R-QD or G-QD as described above. The reduction of QD fluorescence quantum yield can be suppressed, and the intensity of fluorescence from [C] QD can be maintained with respect to the intensity of blue light emitted from a blue light emitting organic EL device, and high color reproducibility can be maintained. It is thought that you can.

以下、当該硬化膜形成用組成物の各成分について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the composition for forming a cured film will be described in detail.

〔[A]バインダーポリマー〕
[A]バインダーポリマーは、特に限定されず、硬化膜の母材となり得れば如何なるものであってもよい。
[[A] Binder polymer]
[A] The binder polymer is not particularly limited, and any binder polymer may be used as long as it can be a base material of a cured film.

また、[A]バインダーポリマーとして、以下に例示するような[A’]アルカリ可溶性樹脂を用いることもできる。[A]バインダーポリマーとして、[A’]アルカリ可溶性樹脂を用いることにより、アルカリ現像液によるパターニングが可能となる。   Moreover, [A '] alkali-soluble resin which is illustrated below as a [A] binder polymer can also be used. [A] By using [A ′] alkali-soluble resin as the binder polymer, patterning with an alkali developer becomes possible.

〔[A’]アルカリ可溶性樹脂〕
[A’]アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ性溶液に可溶な樹脂である。[A’]アルカリ可溶性樹脂としては、カルボキシ基を含む不飽和化合物をモノマーとして用いてラジカル重合することにより得られるポリマー(以下、「[a]ポリマー」ともいう)、ポリイミド、ポリシロキサン、ノボラック樹脂、及びこれらの組み合わせが好ましい。以下、[a]ポリマー、ポリイミド、ポリシロキサン及びノボラック樹脂のそれぞれについて詳細に説明する。
[[A '] alkali-soluble resin]
[A ′] The alkali-soluble resin is a resin that is soluble in an alkaline solution. [A ′] As the alkali-soluble resin, a polymer obtained by radical polymerization using an unsaturated compound containing a carboxy group as a monomer (hereinafter, also referred to as “[a] polymer”), polyimide, polysiloxane, novolak resin , And combinations thereof are preferred. Hereinafter, each of [a] polymer, polyimide, polysiloxane, and novolak resin will be described in detail.

[[a]ポリマー]
[a]ポリマーは、カルボキシ基を含む構造単位を有する。また、感度向上のため、重合性基を含む構造単位を有していてもよい。重合性基を含む構造単位としては、エポキシ基を含む構造単位、(メタ)アクリロイル基を含む構造単位、及びビニル基を含む構造単位が好ましい。[a]ポリマーが上記特定の重合性基を含む構造単位を有することで、表面硬化性及び深部硬化性に優れる硬化膜形成用組成物とすることができる。
[[A] polymer]
[A] The polymer has a structural unit containing a carboxy group. Moreover, you may have a structural unit containing a polymeric group for a sensitivity improvement. The structural unit containing a polymerizable group is preferably a structural unit containing an epoxy group, a structural unit containing a (meth) acryloyl group, or a structural unit containing a vinyl group. [A] When the polymer has a structural unit containing the specific polymerizable group, a cured film forming composition having excellent surface curability and deep part curability can be obtained.

また、[a]ポリマーは、水酸基を含む構造単位、及びその他の構造単位を有していてもよい。   [A] The polymer may have a structural unit containing a hydroxyl group and other structural units.

上記カルボキシ基を含む構造単位は、例えば不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の無水物、多価カルボン酸のモノ〔(メタ)アクリロイルオキシアルキル〕エステル等のカルボン酸系不飽和化合物をモノマーとして用いて、適宜他のモノマーと共にラジカル重合することにより形成できる。   The structural unit containing the carboxy group includes, for example, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, anhydrides of unsaturated dicarboxylic acids, and mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids. Using a saturated compound as a monomer, it can be formed by radical polymerization with other monomers as appropriate.

上記不飽和モノカルボン酸としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等が挙げられる。   Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid.

上記不飽和ジカルボン酸としては、例えばマレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等が挙げられる。   Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and the like.

上記不飽和ジカルボン酸の無水物としては、例えば上記不飽和ジカルボン酸として例示した化合物の無水物等が挙げられる。   Examples of the anhydride of the unsaturated dicarboxylic acid include anhydrides of the compounds exemplified as the unsaturated dicarboxylic acid.

上記多価カルボン酸のモノ〔(メタ)アクリロイルオキシアルキル〕エステルとしては、例えばコハク酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕等が挙げられる。   Examples of the mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of the polyvalent carboxylic acid include succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and the like. It is done.

これらのカルボン酸系不飽和化合物のうち、重合性の観点から、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸及びコハク酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕が好ましい。   Among these carboxylic acid-based unsaturated compounds, acrylic acid, methacrylic acid, maleic anhydride and mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] succinate are preferable from the viewpoint of polymerizability.

これらのカルボン酸系不飽和化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   These carboxylic acid unsaturated compounds may be used alone or in combination of two or more.

[a]ポリマー中のカルボキシ基を含む構造単位の含有割合の下限としては、[a]ポリマーを構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、10モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、80モル%が好ましく、70モル%がより好ましく、60モル%がさらに好ましい。カルボキシ基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、アルカリ現像液への溶解性をより向上させることができる。   [A] As a minimum of the content rate of the structural unit containing the carboxy group in a polymer, 1 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a polymer, 5 mol% is more preferable, 10 mol% Is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 80 mol% is preferable, 70 mol% is more preferable, and 60 mol% is further more preferable. When the content ratio of the structural unit containing a carboxy group is within the above range, the solubility in an alkali developer can be further improved.

上記エポキシ基を含む構造単位は、例えばエポキシ基含有不飽和化合物をモノマーとして用いて、適宜他のモノマーと共にラジカル重合することにより形成できる。エポキシ基含有不飽和化合物としては、例えばオキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)等を含む不飽和化合物などが挙げられる。   The structural unit containing an epoxy group can be formed, for example, by radical polymerization with other monomers as appropriate using an epoxy group-containing unsaturated compound as a monomer. Examples of the epoxy group-containing unsaturated compound include unsaturated compounds containing an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3-epoxy structure), and the like.

上記オキシラニル基を有する不飽和化合物としては、例えばアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、アクリル酸3,4−エポキシブチル、メタクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等が挙げられる。   Examples of the unsaturated compound having an oxiranyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, and 6,7 acrylic acid. -Epoxyheptyl, methacrylic acid 6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether , P-vinylbenzyl glycidyl ether and the like.

上記オキセタニル基を有する不飽和化合物としては、例えば3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等のアクリル酸エステル;
3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2−ジフルオロオキセタン等のメタクリル酸エステルなどが挙げられる。
Examples of the unsaturated compound having an oxetanyl group include 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- ( Acryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane , Acrylic acid esters such as 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane;
3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2 -Methacrylic acid esters such as phenyl oxetane and 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2,2-difluorooxetane.

これらのエポキシ基含有不飽和化合物のうち、重合性の観点から、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシル及び3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタンが好ましい。   Among these epoxy group-containing unsaturated compounds, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferable from the viewpoint of polymerizability.

これらのエポキシ基含有不飽和化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   These epoxy group-containing unsaturated compounds may be used alone or in admixture of two or more.

[a]ポリマーがエポキシ基を含む構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、[a]ポリマーを構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、10モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、80モル%が好ましく、70モル%がより好ましく、60モル%がさらに好ましい。エポキシ基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる硬化膜を形成できる。   [A] When the polymer has a structural unit containing an epoxy group, the lower limit of the content ratio of the structural unit is preferably 1 mol%, preferably 5 mol% with respect to all structural units constituting the polymer. More preferred is 10 mol%. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 80 mol% is preferable, 70 mol% is more preferable, and 60 mol% is further more preferable. When the content ratio of the structural unit containing an epoxy group is in the above range, a cured film having higher hardness and superior solvent resistance can be formed.

上記(メタ)アクリロイル基を含む構造単位は、例えばエポキシ基を有するポリマーと(メタ)アクリル酸とを反応させる方法、カルボキシ基を有するポリマーとエポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステルとを反応させる方法、水酸基を有するポリマーとイソシアネート基を有する(メタ)アクリル酸エステルとを反応させる方法、酸無水物基を有するポリマーと(メタ)アクリル酸とを反応させる方法等により形成できる。これらの方法のうち、カルボキシ基を有するポリマーとエポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステルとを反応させる方法が好ましい。   The structural unit containing the (meth) acryloyl group is, for example, a method of reacting a polymer having an epoxy group with (meth) acrylic acid, a polymer having a carboxy group and a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group. It can be formed by a method, a method of reacting a polymer having a hydroxyl group with a (meth) acrylic acid ester having an isocyanate group, a method of reacting a polymer having an acid anhydride group and (meth) acrylic acid, or the like. Among these methods, a method in which a polymer having a carboxy group and a (meth) acrylic acid ester having an epoxy group are reacted is preferable.

上記エポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、アクリル酸3,4−エポキシブチル、メタクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸3,4−エポキシシクロへキシル等が挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid ester having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, and acrylic acid. Examples include 6,7-epoxyheptyl, 6,7-epoxyheptyl methacrylate, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, and the like.

これらのエポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステルのうち、反応性の観点から、メタクリル酸グリシジル及びメタクリル酸3,4−エポキシシクロヘキシルが好ましい。   Of these (meth) acrylic acid esters having an epoxy group, glycidyl methacrylate and 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate are preferred from the viewpoint of reactivity.

これらのエポキシ基を有する(メタ)アクリル酸エステルは、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   These (meth) acrylic acid esters having an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.

[a]ポリマーが(メタ)アクリロイル基を含む構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、[a]ポリマーを構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、10モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、80モル%が好ましく、70モル%がより好ましく、60モル%がさらに好ましい。(メタ)アクリロイル基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる硬化膜を形成できる。   [A] When the polymer has a structural unit containing a (meth) acryloyl group, the lower limit of the content ratio of the structural unit is preferably 1 mol% with respect to all the structural units constituting the polymer. Mole% is more preferable, and 10 mol% is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 80 mol% is preferable, 70 mol% is more preferable, and 60 mol% is further more preferable. When the content ratio of the structural unit containing a (meth) acryloyl group is within the above range, a cured film having higher hardness and better solvent resistance can be formed.

上記ビニル基を含む構造単位は、例えばカルボキシ基を有するポリマーと、エポキシ基及びビニル基を有する化合物とを反応させる方法により形成できる。   The structural unit containing a vinyl group can be formed, for example, by a method of reacting a polymer having a carboxy group with a compound having an epoxy group and a vinyl group.

上記エポキシ基及びビニル基を有する化合物としては、例えばビニルグリシジルエーテル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等が挙げられる。   Examples of the compound having an epoxy group and a vinyl group include vinyl glycidyl ether, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, and p-vinylbenzyl glycidyl ether.

これらのエポキシ基及びビニル基を有する化合物のうち、反応性の観点から、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル及びp−ビニルベンジルグリシジルエーテルが好ましい。   Of these compounds having an epoxy group and a vinyl group, o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether and p-vinyl benzyl glycidyl ether are preferable from the viewpoint of reactivity.

これらのエポキシ基及びビニル基を有する化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   These compounds having an epoxy group and a vinyl group may be used alone or in combination of two or more.

[a]ポリマーがビニル基を含む構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、[a]ポリマーを構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、10モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、80モル%が好ましく、70モル%がより好ましく、60モル%がさらに好ましい。ビニル基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる硬化膜を形成できる。   [A] When the polymer has a structural unit containing a vinyl group, the lower limit of the content ratio of the structural unit is preferably 1 mol%, preferably 5 mol% with respect to all structural units constituting the polymer. More preferred is 10 mol%. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 80 mol% is preferable, 70 mol% is more preferable, and 60 mol% is further more preferable. When the content ratio of the structural unit containing a vinyl group is within the above range, a cured film having higher hardness and excellent solvent resistance can be formed.

上記水酸基を含む構造単位は、例えば水酸基含有不飽和化合物をモノマーとして用いて、適宜他のモノマーと共にラジカル重合することにより形成できる。   The structural unit containing a hydroxyl group can be formed, for example, by radical polymerization with another monomer as appropriate using a hydroxyl group-containing unsaturated compound as a monomer.

上記水酸基含有不飽和化合物としては、例えばアルコール性水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル、フェノール性水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシスチレン等が挙げられる。   Examples of the hydroxyl group-containing unsaturated compound include (meth) acrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group, (meth) acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group, and hydroxystyrene.

上記アルコール性水酸基を有するアクリル酸エステルとしては、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、アクリル酸5−ヒドロキシペンチル、アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル等が挙げられる。   Examples of the acrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, and 6-hydroxyhexyl acrylate. .

上記アルコール性水酸基を有するメタクリル酸エステルとしては、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸3−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸4−ヒドロキシブチル、メタクリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸6−ヒドロキシヘキシル等が挙げられる。   Examples of the methacrylic acid ester having an alcoholic hydroxyl group include 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, and 6-hydroxyhexyl methacrylate. .

上記フェノール性水酸基を有するアクリル酸エステルとしては、アクリル酸2−ヒドロキシフェニル、アクリル酸4−ヒドロキシフェニル等が挙げられる。   Examples of the acrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group include 2-hydroxyphenyl acrylate and 4-hydroxyphenyl acrylate.

上記フェノール性水酸基を有するメタクリル酸エステルとしては、メタクリル酸2−ヒドロキシフェニル、メタクリル酸4−ヒドロキシフェニル等が挙げられる。   Examples of the methacrylic acid ester having a phenolic hydroxyl group include 2-hydroxyphenyl methacrylate and 4-hydroxyphenyl methacrylate.

上記ヒドロキシスチレンとしては、o−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン等が挙げられる。   Examples of the hydroxystyrene include o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, and α-methyl-p-hydroxystyrene.

これらの水酸基含有不飽和化合物のうち、重合性の観点から、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル及びα−メチル−p−ヒドロキシスチレンが好ましい。   Of these hydroxyl group-containing unsaturated compounds, 2-hydroxyethyl methacrylate and α-methyl-p-hydroxystyrene are preferred from the viewpoint of polymerizability.

これらの水酸基含有不飽和化合物は、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   These hydroxyl group-containing unsaturated compounds may be used alone or in combination of two or more.

[a]ポリマーが水酸基を含む構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、[a]ポリマーを構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、10モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、30モル%が好ましく、20モル%がより好ましい。水酸基を含む構造単位の含有割合が上記範囲である場合、アルカリ現像液への溶解性をより向上させることができる。   [A] When the polymer has a structural unit containing a hydroxyl group, the lower limit of the content ratio of the structural unit is preferably 1 mol%, more preferably 5 mol% with respect to all structural units constituting the polymer [a]. Preferably, 10 mol% is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 30 mol% is preferable and 20 mol% is more preferable. When the content rate of the structural unit containing a hydroxyl group is in the above range, the solubility in an alkali developer can be further improved.

上記その他の構造単位を与えるモノマーとしては、例えばメタクリル酸鎖状アルキルエステル、メタクリル酸環状アルキルエステル、アクリル酸鎖状アルキルエステル、アクリル酸環状アルキルエステル、メタクリル酸アリールエステル、アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格を有する不飽和化合物、その他の不飽和化合物等が挙げられる。   Examples of the monomer that gives other structural units include methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, acrylic acid chain alkyl ester, acrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, acrylic acid aryl ester, unsaturated Examples include dicarboxylic acid diesters, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated dienes, unsaturated compounds having a tetrahydrofuran skeleton, and other unsaturated compounds.

上記メタクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。   Examples of the methacrylic acid chain alkyl ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, and n methacrylate. -Lauryl, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate and the like.

上記メタクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えばメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボルニル等が挙げられる。 Examples of the methacrylic acid cyclic alkyl ester include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, and tricyclomethacrylate [5.2. 1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl, isobornyl methacrylate and the like.

上記アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。   Examples of the acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, and n-acrylate. -Lauryl, tridecyl acrylate, n-stearyl acrylate and the like.

上記アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えばアクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、アクリル酸イソボルニル等が挙げられる。 Examples of the acrylic acid cyclic alkyl ester include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, and tricyclo [5.2 acrylate]. 1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl, isobornyl acrylate, and the like.

上記メタクリル酸アリールエステルとしては、例えばメタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等が挙げられる。   Examples of the methacrylic acid aryl ester include phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

上記アクリル酸アリールエステルとしては、例えばアクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等が挙げられる。   Examples of the acrylic acid aryl ester include phenyl acrylate and benzyl acrylate.

上記不飽和ジカルボン酸ジエステルとしては、例えばマレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等が挙げられる。   Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

上記マレイミド化合物としては、例えばN−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド、N−(4−ヒドロキシベンジル)マレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等が挙げられる。   Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) maleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate. N-succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3-maleimidopropionate, N- (9-acridinyl) maleimide and the like.

上記不飽和芳香族化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン等が挙げられる。   Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, and p-methoxystyrene.

上記共役ジエンとしては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等が挙げられる。   Examples of the conjugated diene include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.

上記テトラヒドロフラン骨格を有する不飽和化合物としては、例えばメタクリル酸テトラヒドロフルフリル、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン等が挙げられる。   Examples of the unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl methacrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, and the like.

上記その他の不飽和化合物としては、例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニル等が挙げられる。   Examples of the other unsaturated compounds include acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, and vinyl acetate.

上記その他の構造単位を与えるモノマーのうち、重合性の観点から、スチレン、メタクリル酸メチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、p−メトキシスチレン、アクリル酸2−メチルシクロヘキシル、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、及びメタクリル酸テトラヒドロフルフリルが好ましい。 Among the monomers giving the other structural units, from the viewpoint of polymerizability, styrene, methyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, t-butyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, benzyl methacrylate, methacryl Acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, and tetrahydrofurfuryl methacrylate are preferred. .

上記その他の構造単位を与えるモノマーは、単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   The monomer which gives the said other structural unit may be used independently, and 2 or more types may be mixed and used for it.

[a]ポリマーがその他の構造単位を有する場合、この構造単位の含有割合の下限としては、[a]ポリマーを構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、5モル%がより好ましく、10モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、80モル%が好ましく、70モル%がより好ましい。上記含有割合が上記範囲内の場合、上述した効果を妨げることなく、例えば[a]ポリマーの分子量等を調整できる。   [A] When the polymer has other structural units, the lower limit of the content ratio of the structural units is preferably 1 mol%, more preferably 5 mol%, based on all structural units constituting the [a] polymer. 10 mol% is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 80 mol% is preferable and 70 mol% is more preferable. When the said content rate is in the said range, the molecular weight etc. of [a] polymer can be adjusted, for example, without preventing the effect mentioned above.

[a]ポリマーの重量平均分子量(Mw)の下限としては、1,000が好ましく、2,000がより好ましく、3,000がさらに好ましい。上記Mwの上限としては、30,000が好ましく、20,000がより好ましく、15,000がさらに好ましい。[a]ポリマーのMwを上記範囲とすることで、保存安定性及び感度をより向上させることができる。   [A] The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the polymer is preferably 1,000, more preferably 2,000, and still more preferably 3,000. The upper limit of the Mw is preferably 30,000, more preferably 20,000, and further preferably 15,000. [A] By making Mw of a polymer into the said range, storage stability and a sensitivity can be improved more.

また、上記Mwと、[a]ポリマーの数平均分子量(Mn)との比、すなわち分子量分布(Mw/Mn)の下限としては、通常1であり、1.2が好ましく、1.5がより好ましい。上記Mw/Mnの上限としては、5が好ましく、4がより好ましく、3がさらに好ましい。[a]ポリマーのMw/Mnを上記範囲とすることで、保存安定性及び感度をより向上させることができる。   The lower limit of the ratio of Mw to the number average molecular weight (Mn) of the polymer [a], that is, the molecular weight distribution (Mw / Mn), is usually 1, preferably 1.2, more preferably 1.5. preferable. The upper limit of Mw / Mn is preferably 5, more preferably 4, and even more preferably 3. [A] By setting the Mw / Mn of the polymer within the above range, the storage stability and sensitivity can be further improved.

なお、本明細書におけるMw及びMnは、下記の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した値である。
装置:例えば昭和電工社の「GPC−101」
カラム:例えば昭和電工社の「GPC−KF−801」、「GPC−KF−802」、「GPC−KF−803」及び「GPC−KF−804」を連結したもの
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
In addition, Mw and Mn in this specification are values measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.
Equipment: For example, “GPC-101” from Showa Denko
Column: For example, “GPC-KF-801”, “GPC-KF-802”, “GPC-KF-803”, and “GPC-KF-804” manufactured by Showa Denko KK Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ℃
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

([a]ポリマーの合成方法)
[a]ポリマーの合成方法は特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば溶媒中で重合開始剤の存在下、上述したモノマーを重合反応させることによって合成できる。
([A] Polymer synthesis method)
[A] The method for synthesizing the polymer is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, it can be synthesized by polymerizing the above-described monomers in a solvent in the presence of a polymerization initiator.

上記溶媒としては、例えばアルコール、グリコールエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、その他のエステル、ケトン等が挙げられる。   Examples of the solvent include alcohol, glycol ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol dialkyl ether, dipropylene glycol dialkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, propylene glycol monoalkyl. Examples include ether propionate, other esters, and ketones.

上記重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できる。ラジカル重合開始剤としては、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)等のアゾ化合物が挙げられる。   As said polymerization initiator, what is generally known as a radical polymerization initiator can be used. Examples of the radical polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4- And azo compounds such as methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile).

[ポリイミド]
上記ポリイミドとしては、構造単位中にカルボキシ基、フェノール性水酸基、スルホ基、チオール基、又はこれらの組み合わせを含むポリイミドが好ましい。構造単位中にこれらのアルカリ可溶性の基を含むことでアルカリ現像性(アルカリ可溶性)を備え、アルカリ現像時に露光部のスカム発生を抑えることができる。
[Polyimide]
As said polyimide, the polyimide which contains a carboxy group, a phenolic hydroxyl group, a sulfo group, a thiol group, or these combination in a structural unit is preferable. By containing these alkali-soluble groups in the structural unit, alkali developability (alkali solubility) is provided, and the occurrence of scum in the exposed portion can be suppressed during alkali development.

上記ポリイミドは、例えば酸成分とアミン成分とを縮合して得られる。酸成分としてはテトラカルボン酸二無水物が好ましく、アミン成分としてはジアミンが好ましい。   The polyimide is obtained, for example, by condensing an acid component and an amine component. The acid component is preferably tetracarboxylic dianhydride, and the amine component is preferably diamine.

ポリイミドの形成に用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン二無水物、9,9−ビス{4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン二無水物等が挙げられる。これらを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the tetracarboxylic dianhydride used for forming the polyimide include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride. 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenonetetra Carboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1-bis ( 3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2 , 3- Carboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxy) Phenyl) hexafluoropropane dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl) fluorene dianhydride, 9,9 -Bis {4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl} fluorene dianhydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

ポリイミドの形成に用いられるジアミンの例としては、例えば3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン等が挙げられる。これらを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of diamines used for forming polyimide include, for example, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′- Diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 3,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminodiphenylsulfide, 3,4 '-Diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene Etc. These may be used alone or in combination of two or more.

上記ポリイミドは、例えば公知の方法を用いてポリイミド前駆体を得た後、これを公知のイミド化反応法を用いてイミド化させる方法により合成することができる。ポリイミド前駆体の公知の合成法としては、例えば低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得た後、縮合剤の存在下でジアミンと反応させる方法等がある。   The polyimide can be synthesized, for example, by obtaining a polyimide precursor using a known method and then imidizing the polyimide precursor using a known imidization reaction method. Known synthesis methods for polyimide precursors include, for example, a method of reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine at low temperature, a diester obtained by tetracarboxylic dianhydride and alcohol, and then in the presence of a condensing agent. There is a method of reacting with diamine.

上記ポリイミドの重量平均分子量(Mw)の下限としては、1,000が好ましく、2,000がより好ましく、3,000がさらに好ましい。上記Mwの上限としては、30,000が好ましく、20,000がより好ましく、15,000がさらに好ましい。ポリイミドのMwを上記範囲とすることで、保存安定性及び感度をより向上させることができる。   The lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the polyimide is preferably 1,000, more preferably 2,000, and still more preferably 3,000. The upper limit of the Mw is preferably 30,000, more preferably 20,000, and further preferably 15,000. By setting the Mw of the polyimide within the above range, storage stability and sensitivity can be further improved.

[ポリシロキサン]
上記ポリシロキサンとしては、加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物が挙げられる。ここで、「加水分解性シラン化合物」とは、加水分解してシラノール基を生成することができる基又はシロキサン縮合物を形成することができる基を含む化合物を指す。また、加水分解性シラン化合物の加水分解反応においては、生成されるポリシロキサン中に、一部の加水分解性基が未加水分解の状態で残っていてもよい。ここで、「加水分解性基」とは、上述した加水分解してシラノール基を生成することができる基又はシロキサン縮合物を形成することができる基を指す。また、当該硬化膜形成用組成物中において、一部の加水分解性シラン化合物は、その分子中の一部又は全部の加水分解性基が未加水分解の状態で、かつ他の加水分解性シラン化合物と縮合せずにモノマーの状態で残っていてもよい。なお、「加水分解縮合物」は加水分解されたシラン化合物のシラノール基同士が縮合した縮合物を意味する。
[Polysiloxane]
As said polysiloxane, the hydrolysis-condensation product of a hydrolysable silane compound is mentioned. Here, the “hydrolyzable silane compound” refers to a compound containing a group that can be hydrolyzed to form a silanol group or a group that can form a siloxane condensate. Further, in the hydrolysis reaction of the hydrolyzable silane compound, some hydrolyzable groups may remain in an unhydrolyzed state in the produced polysiloxane. Here, the “hydrolyzable group” refers to a group capable of forming a silanol group by hydrolysis as described above or a group capable of forming a siloxane condensate. In addition, in the cured film forming composition, some hydrolyzable silane compounds may have a part or all of the hydrolyzable groups in the molecule in an unhydrolyzed state and other hydrolyzable silanes. It may remain in the monomer state without condensing with the compound. The “hydrolysis condensate” means a condensate obtained by condensing silanol groups of a hydrolyzed silane compound.

上記加水分解縮合物としては、ラジカル反応性官能基を含む加水分解縮合物が好ましい。この場合、加水分解縮合物をラジカル重合により硬化させることができ、膜の硬化収縮を最小限に抑えることが可能である。ラジカル反応性官能基としては、例えばビニル基、α−メチルビニル基、(メタ)アクリロイル基、スチリル基等の不飽和有機基が挙げられる。このうち、硬化反応が円滑に進むことから、(メタ)アクリロイル基が好ましい。   The hydrolysis condensate is preferably a hydrolysis condensate containing a radical reactive functional group. In this case, the hydrolysis condensate can be cured by radical polymerization, and the curing shrinkage of the film can be minimized. Examples of the radical reactive functional group include unsaturated organic groups such as a vinyl group, an α-methylvinyl group, a (meth) acryloyl group, and a styryl group. Among these, a (meth) acryloyl group is preferable because the curing reaction proceeds smoothly.

上記加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物の中でも、下記式(S−1)で示される加水分解性シラン化合物(以下、「(s1)化合物」ともいう)と、下記式(S−2)で示される加水分解性シラン化合物(以下、「(s2)化合物」ともいう)とを含む加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物が好ましい。   Among the hydrolyzed condensates of the hydrolyzable silane compound, a hydrolyzable silane compound represented by the following formula (S-1) (hereinafter also referred to as “(s1) compound”) and the following formula (S-2) A hydrolyzable condensate of a hydrolyzable silane compound including the hydrolyzable silane compound (hereinafter also referred to as “(s2) compound”) is preferable.

Figure 2017025165
Figure 2017025165

上記式(S−1)中、R11は炭素数1〜6のアルキル基である。R12はラジカル反応性官能基を含む有機基である。pは1〜3の整数である。但し、複数のR11及びR12を含む場合、複数のR11及びR12は同一であっても異なっていてもよい。 In the above formula (S-1), R 11 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 12 is an organic group containing a radical reactive functional group. p is an integer of 1 to 3. However, when a plurality of R 11 and R 12 are included, the plurality of R 11 and R 12 may be the same or different.

Figure 2017025165
Figure 2017025165

上記式(S−2)中、R13は炭素数1〜6のアルキル基である。R14は水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のフッ素化アルキル基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、エポキシ基、アミノ基又はイソシアネート基である。nは0〜20の整数である。qは0〜3の整数である。但し、複数のR13及びR14を含む場合、複数のR13及びR14は同一であっても異なっていてもよい。 In the above formula (S-2), R 13 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 14 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, an epoxy group, an amino group, or an isocyanate group. n is an integer of 0-20. q is an integer of 0-3. However, when a plurality of R 13 and R 14 are included, the plurality of R 13 and R 14 may be the same or different.

((s1)化合物)
(s1)化合物は、上記式(S−1)で示される加水分解性シラン化合物である。
((S1) compound)
(S1) The compound is a hydrolyzable silane compound represented by the above formula (S-1).

上記R11で表される炭素数1〜6のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、ブチル基等が挙げられる。これらのうち、R11がメチル基及びエチル基である場合は、(s1)化合物の加水分解が容易であるため好ましい。上記pとしては、加水分解縮合反応が円滑に進むことから1及び2が好ましく、1がより好ましい。 The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 11, a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, i- propyl group, a butyl group. Among these, it is preferable that R 11 is a methyl group or an ethyl group because the (s1) compound is easily hydrolyzed. As said p, 1 and 2 are preferable and 1 is more preferable since a hydrolysis-condensation reaction advances smoothly.

上記R12で表されるラジカル反応性官能基を含む有機基としては、例えば上述のラジカル反応性官能基により1個以上の水素原子が置換された炭化水素基等が挙げられる。この炭化水素基としては、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜12のアラルキル基等が挙げられる。また、R12で表される有機基はヘテロ原子を有していてもよい。そのような有機基としては、例えばエーテル基、エステル基、スルフィド基等のヘテロ原子含有基を含む有機基が挙げられる。 Examples of the organic group containing a radical reactive functional group represented by R 12 include a hydrocarbon group in which one or more hydrogen atoms are substituted with the above-described radical reactive functional group. Examples of the hydrocarbon group include linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, aryl groups having 6 to 12 carbon atoms, aralkyl groups having 7 to 12 carbon atoms, and the like. The organic group represented by R 12 may have a hetero atom. Examples of such an organic group include organic groups containing heteroatom-containing groups such as ether groups, ester groups, and sulfide groups.

pが1の場合における(s1)化合物としては、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラン、o−スチリルトリメトキシシラン、o−スチリルトリエトキシシラン、m−スチリルトリメトキシシラン、m−スチリルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、p−スチリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、メタクリロイルオキシトリメトキシシラン、メタクリロイルオキシトリエトキシシラン、メタクリロイルオキシトリプロポキシシラン、アクリロイルオキシトリメトキシシラン、アクリロイルオキシトリエトキシシラン、アクリロイルオキシトリプロポキシシラン、2−メタクリロイルオキシエチルトリメトキシシラン、2−メタクリロイルオキシエチルトリエトキシシラン、2−メタクリロイルオキシエチルトリプロポキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリプロポキシシラン、2−アクリロイルオキシエチルトリメトキシシラン、2−アクリロイルオキシエチルトリエトキシシラン、2−アクリロイルオキシエチルトリプロポキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリプロポキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロブチルトリメトキシシラン、3−(トリメトキシシリル)プロピル無水コハク酸等のトリアルコキシシラン化合物などが挙げられる。   Examples of the compound (s1) when p is 1 include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltripropoxysilane, o-styryltrimethoxysilane, o-styryltriethoxysilane, m-styryltrimethoxysilane, m-styryltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, p-styryltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, methacryloyloxytrimethoxysilane, methacryloyloxytriethoxysilane, methacryloyloxytripropoxysilane, acryloyl Oxytrimethoxysilane, acryloyloxytriethoxysilane, acryloyloxytripropoxysilane, 2-methacryloyloxyethyltrimethoxysilane, 2- Tacryloyloxyethyltriethoxysilane, 2-methacryloyloxyethyltripropoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltripropoxysilane, 2-acryloyloxyethyltri Methoxysilane, 2-acryloyloxyethyltriethoxysilane, 2-acryloyloxyethyltripropoxysilane, 3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloyloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloyloxypropyltripropoxysilane, 3- Methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltriethoxysilane, 3-meta Examples include trialkoxysilane compounds such as liloyloxypropyltripropoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluorobutyltrimethoxysilane, and 3- (trimethoxysilyl) propyl succinic anhydride. .

pが2の場合における(s1)化合物としては、例えばビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメトキシシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、アリルメチルジエトキシシラン、フェニルトリフルオロプロピルジメトキシシラン等のジアルコキシシラン化合物などが挙げられる。   Examples of the compound (s1) when p is 2 include vinylmethyldimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, vinylphenyldimethoxysilane, vinylphenyldiethoxysilane, allylmethyldimethoxysilane, allylmethyldiethoxysilane, and phenyltrifluoro. And dialkoxysilane compounds such as propyldimethoxysilane.

pが3の場合における(s1)化合物としては、例えばアリルジメチルメトキシシラン、アリルジメチルエトキシシラン、ジビニルメチルメトキシシラン、ジビニルメチルエトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルジメチルメトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルジメチルメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルジフェニルメトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルジフェニルメトキシシラン、3,3’−ジメタクリロイルオキシプロピルジメトキシシラン、3,3’−ジアクリロイルオキシプロピルジメトキシシラン、3,3’,3’’−トリメタクリロイルオキシプロピルメトキシシラン、3,3’,3’’−トリアクリロイルオキシプロピルメトキシシラン、ジメチルトリフルオロプロピルメトキシシラン等のモノアルコキシシラン化合物などが挙げられる。   Examples of the compound (s1) when p is 3 include allyldimethylmethoxysilane, allyldimethylethoxysilane, divinylmethylmethoxysilane, divinylmethylethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyldimethylmethoxysilane, and 3-acryloyloxypropyldimethylmethoxy. Silane, 3-methacryloyloxypropyldiphenylmethoxysilane, 3-acryloyloxypropyldiphenylmethoxysilane, 3,3′-dimethacryloyloxypropyldimethoxysilane, 3,3′-diacryloyloxypropyldimethoxysilane, 3,3 ′, 3 '' -Trimethacryloyloxypropylmethoxysilane, 3,3 ', 3' '-triacryloyloxypropylmethoxysilane, dimethyltrifluoropropyl Monoalkoxysilane compounds such Tokishishiran the like.

これらの(s1)化合物のうち、硬化膜の耐擦傷性等を高いレベルで達成できるとともに縮合反応性が高くなることから、ビニルトリメトキシシラン、p−スチリルトリエトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、及び3−(トリメトキシシリル)プロピル無水コハク酸が好ましい。   Among these (s1) compounds, the scratch resistance of the cured film can be achieved at a high level and the condensation reactivity is increased. Therefore, vinyltrimethoxysilane, p-styryltriethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethyl. Methoxysilane, 3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloyloxypropyltriethoxysilane, and 3- (trimethoxysilyl) propyl succinic anhydride are preferred.

((s2)化合物)
(s2)化合物は、上記式(S−2)で示される加水分解性シラン化合物である。
((S2) compound)
(S2) The compound is a hydrolyzable silane compound represented by the above formula (S-2).

上記R13で表される炭素数1〜6のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、ブチル基等が挙げられる。これらのうち、R13がメチル基及びエチル基である場合は、(s2)化合物の加水分解が容易であるため好ましい。上記のqとしては、加水分解縮合反応が円滑に進むことから1及び2が好ましく、1がより好ましい。 The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which is represented by the above R 13, for example, methyl, ethyl, n- propyl, i- propyl, and butyl. Among these, it is preferable that R 13 is a methyl group or an ethyl group because the (s2) compound is easily hydrolyzed. The above q is preferably 1 or 2 and more preferably 1 because the hydrolysis and condensation reaction proceeds smoothly.

上記R14で表される炭素数1〜20のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、3−メチルブチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、2,2−ジメチルプロピル基、n−ヘキシル基、4−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル基、3,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメチルブチル基、n−ヘプチル基、5−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、1−メチルヘキシル基、4,4−ジメチルペンチル基、3,4−ジメチルペンチル基、2,4−ジメチルペンチル基、1,4−ジメチルペンチル基、3,3−ジメチルペンチル基、2,3−ジメチルペンチル基、1,3−ジメチルペンチル基、2,2−ジメチルペンチル基、1,2−ジメチルペンチル基、1,1−ジメチルペンチル基、2,3,3−トリメチルブチル基、1,3,3−トリメチルブチル基、1,2,3−トリメチルブチル基、n−オクチル基、6−メチルヘプチル基、5−メチルヘプチル基、4−メチルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、1−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、n−ノナニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘプタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基等が挙げられる。中でも、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がより好ましい。 Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 14 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, n-pentyl group, 3-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, 2,2-dimethylpropyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1 -Dimethylbutyl group, n-heptyl group, 5-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 2-methylhexyl group, 1-methylhexyl group, 4,4-di- Methylpentyl group, 3,4-dimethylpentyl group, 2,4-dimethylpentyl group, 1,4-dimethylpentyl group, 3,3-dimethylpentyl group, 2,3-dimethylpentyl group, 1,3-dimethylpentyl group Group, 2,2-dimethylpentyl group, 1,2-dimethylpentyl group, 1,1-dimethylpentyl group, 2,3,3-trimethylbutyl group, 1,3,3-trimethylbutyl group, 1,2, 3-trimethylbutyl group, n-octyl group, 6-methylheptyl group, 5-methylheptyl group, 4-methylheptyl group, 3-methylheptyl group, 2-methylheptyl group, 1-methylheptyl group, 2-ethylhexyl Group, n-nonanyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-heptadecyl group, n-hex Decyl group, n- heptadecyl group, n- octadecyl, n- nonadecyl group and the like. Especially, a C1-C10 alkyl group is preferable and a C1-C3 alkyl group is more preferable.

qが0の場合における(s2)化合物としては、例えば4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、すなわち、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン等が挙げられる。   As the compound (s2) when q is 0, for example, a silane compound substituted with four hydrolyzable groups, that is, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra -I-propoxysilane etc. are mentioned.

qが1の場合における(s2)化合物としては、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、例えばメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−i−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−i−プロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ナフチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、アミノトリメトキシシラン、アミノトリエトキシシラン、2−(3,4―エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシ、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアノプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアノプロピルトリエトキシシラン、o−トリルトリメトキシシラン、m−トリルトリメトキシシラン、p−トリルトリメトキシシラン等が挙げられる。   In the case where q is 1, the (s2) compound is a silane compound substituted with one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups, such as methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri- i-propoxysilane, methyltributoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-i-propoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, naphthyltrimethoxysilane, phenyltriethoxy Silane, naphthyltriethoxysilane, aminotrimethoxysilane, aminotriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxy, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-isocyanopropyltrimethoxy Silane, 3-isocyanoacetate triethoxysilane, o- tolyl trimethoxysilane, m- tolyl trimethoxysilane, p- tolyl trimethoxysilane, and the like.

qが2の場合における(s2)化合物としては、2個の非加水分解性基と2個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、例えばジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジトリルジメトキシシラン、ジブチルジメトキシシラン等が挙げられる。   In the case where q is 2, the (s2) compound is a silane compound substituted with two non-hydrolyzable groups and two hydrolyzable groups, such as dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, ditolyldimethoxysilane. And dibutyldimethoxysilane.

qが3の場合における(s2)化合物としては、3個の非加水分解性基と1個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物、例えばトリメチルメトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリトリルメトキシシラン、トリブチルメトキシシラン等が挙げられる。   In the case where q is 3, the (s2) compound includes a silane compound substituted with three non-hydrolyzable groups and one hydrolyzable group, such as trimethylmethoxysilane, triphenylmethoxysilane, and tolylmethoxyl. Silane, tributylmethoxysilane, etc. are mentioned.

これらの(s2)化合物のうち、4個の加水分解性基で置換されたシラン化合物、及び1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物が好ましく、1個の非加水分解性基と3個の加水分解性基とで置換されたシラン化合物がより好ましい。特に好ましい加水分解性シラン化合物としては、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−i−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、トリルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ナフチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びγ−イソシアネートプロピルトリメトキシシランが挙げられる。このような加水分解性シラン化合物は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Of these (s2) compounds, silane compounds substituted with four hydrolyzable groups and silane compounds substituted with one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups are preferred, More preferred are silane compounds substituted with one non-hydrolyzable group and three hydrolyzable groups. Particularly preferred hydrolyzable silane compounds include tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltributoxysilane, phenyltrimethoxysilane, tolyltrimethoxysilane, and ethyltrimethoxysilane. , Ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltributoxysilane, butyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, naphthyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, and γ-isocyanatopropyl A trimethoxysilane is mentioned. Such hydrolyzable silane compounds may be used alone or in combination of two or more.

(s1)化合物の使用量の下限としては、(s1)化合物及び(s2)化合物の合計モル数に対して5モル%が好ましい。(s1)化合物が5モル%未満の場合、得られる硬化膜の耐擦傷性等が低下する傾向がある。   (S1) As a minimum of the usage-amount of a compound, 5 mol% is preferable with respect to the total mole number of a (s1) compound and a (s2) compound. When the (s1) compound is less than 5 mol%, the scratch resistance and the like of the resulting cured film tend to be reduced.

((s1)化合物及び(s2)化合物の加水分解縮合)
上述の(s1)化合物と(s2)化合物とを加水分解縮合させる方法は、(s1)化合物及び(s2)化合物の少なくとも一部を加水分解して、加水分解性基をシラノール基に変換し、縮合反応を起こさせるものである限り特に限定されるものではなく、従来公知の方法を採用できる。
(Hydrolytic condensation of (s1) compound and (s2) compound)
The method of hydrolyzing and condensing the compound (s1) and the compound (s2) described above includes hydrolyzing at least a part of the compound (s1) and the compound (s2) to convert the hydrolyzable group into a silanol group, The method is not particularly limited as long as it causes a condensation reaction, and a conventionally known method can be employed.

加水分解縮合反応に使用する水としては、逆浸透膜処理、イオン交換処理、蒸留等の方法により精製された水が挙げられる。このような精製水を用いることによって、副反応を抑制し、加水分解の反応性を向上させることができる。上記(s1)化合物及び(s2)化合物の加水分解性基の合計量1モルに対する水の使用量の下限としては、0.1モルが好ましく、0.3モルがより好ましく、0.5モルがさらに好ましい。また、上記水の使用量の上限としては、3モルが好ましく、2モルがより好ましく、1.5モルがさらに好ましい。このような範囲の量の水を用いることによって、加水分解縮合の反応速度を最適化することができる。   Examples of water used for the hydrolysis-condensation reaction include water purified by a method such as reverse osmosis membrane treatment, ion exchange treatment, and distillation. By using such purified water, side reactions can be suppressed and the reactivity of hydrolysis can be improved. As a minimum of the usage-amount of water with respect to 1 mol total amount of the hydrolysable group of the said (s1) compound and (s2) compound, 0.1 mol is preferable, 0.3 mol is more preferable, 0.5 mol is Further preferred. Moreover, as an upper limit of the usage-amount of the said water, 3 mol is preferable, 2 mol is more preferable, and 1.5 mol is further more preferable. By using such an amount of water, the reaction rate of hydrolysis condensation can be optimized.

加水分解縮合反応に使用する溶媒は特に限定されるものではないが、例えばアルコール系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒等が挙げられる。なお、溶媒は、単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。   The solvent used for the hydrolysis condensation reaction is not particularly limited, and examples thereof include alcohol solvents, ester solvents, ether solvents, and ketone solvents. In addition, a solvent may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブチルアルコール、t−ブチルアルコール、1−ヘキサノール、1−オクタノール、1−ノナノール、1−ドデカノール、ジアセトンアルコール等のアルキルアルコール;
ベンジルアルコール等の芳香族アルコールなどが挙げられる。
Examples of alcohol solvents include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, t-butyl alcohol, 1-hexanol, 1-octanol, 1-nonanol, 1-dodecanol, diacetone alcohol, and the like. Alkyl alcohols of
And aromatic alcohols such as benzyl alcohol.

エーテル系溶媒としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル;
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル;
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル;
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル;
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルなどが挙げられる。
Examples of ether solvents include ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether;
Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether;
Diethylene glycol monoalkyl ethers such as diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;
Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;
Examples include dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and dipropylene glycol monobutyl ether.

エステル系溶媒としては、例えば
酢酸エチル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等のカルボン酸エステル;
プロピレングリコールジアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒などが挙げられる。
Examples of the ester solvent include carboxylic acid esters such as ethyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, amyl acetate, ethyl lactate, methyl 3-methoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate;
Polyhydric alcohol carboxylate solvents such as propylene glycol diacetate;
Examples thereof include polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate.

ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。   Examples of the ketone solvent include acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, diisobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, and cycloheptanone.

これらの中でも、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン及びシクロヘキサノンが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノエチルエーテルがより好ましい。   Among these, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl 3-methoxypropionate, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone are preferred, and diethylene glycol dimethyl ether. Diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether are more preferred.

加水分解縮合反応させる際には触媒を添加してもよい。触媒としては、例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ポリリン酸等の無機酸;蟻酸、シュウ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、(無水)マレイン酸、酒石酸、乳酸、クエン酸等の有機酸;酸性イオン交換樹脂;アンモニア水、トリエチルアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基触媒などを挙げることができる。   A catalyst may be added in the hydrolysis condensation reaction. Examples of the catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, and polyphosphoric acid; formic acid, oxalic acid, acetic acid, trifluoroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid, (anhydrous) maleic acid, tartaric acid, lactic acid, citric acid, and the like Organic acid; acidic ion exchange resin; base catalysts such as aqueous ammonia, triethylamine, tetramethylammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, and the like.

触媒を添加する場合、触媒の使用量の下限としては、加水分解性シラン化合物の加水分解性基の合計1モルに対して0.00001モルが好ましく、0.0001モルがより好ましい。また、触媒の使用量の上限としては、加水分解性シラン化合物の加水分解性基の合計1モルに対して0.2モルが好ましく、0.1モルがより好ましい。触媒の使用量を上記範囲とすることにより、加水分解縮合反応を効果的に促進させることができる。なお、触媒は、最初から反応系内に投入しておいても、所定温度となった際に投入しても、段階的に投入しても、連続的に投入してもよい。   When adding a catalyst, as a minimum of the usage-amount of a catalyst, 0.00001 mol is preferable with respect to a total of 1 mol of the hydrolysable group of a hydrolysable silane compound, and 0.0001 mol is more preferable. Moreover, as an upper limit of the usage-amount of a catalyst, 0.2 mol is preferable with respect to a total of 1 mol of the hydrolysable group of a hydrolysable silane compound, and 0.1 mol is more preferable. By making the usage-amount of a catalyst into the said range, a hydrolysis condensation reaction can be accelerated | stimulated effectively. The catalyst may be charged into the reaction system from the beginning, or may be charged when the temperature reaches a predetermined temperature, or may be charged stepwise or continuously.

上記ポリシロキサンの重量平均分子量(Mw)の下限としては、500が好ましく、1,000がより好ましい。また、上記Mwの上限としては、10,000が好ましく、5,000がより好ましい。上記Mwを上記下限以上とすることで、当該硬化膜形成用組成物の成膜性を向上させることができる。一方、上記Mwを上記上限以下とすることにより、感度の低下を抑制できる。   As a minimum of the weight average molecular weight (Mw) of the said polysiloxane, 500 are preferable and 1,000 are more preferable. Moreover, as an upper limit of said Mw, 10,000 are preferable and 5,000 are more preferable. By setting the Mw to the above lower limit or more, the film formability of the cured film forming composition can be improved. On the other hand, a decrease in sensitivity can be suppressed by setting the Mw to the upper limit or less.

[ノボラック樹脂]
上記ノボラック樹脂は、公知の方法を用いてフェノール類をホルムアルデヒド等のアルデヒド類により重縮合することによって得ることができる。
[Novolac resin]
The novolak resin can be obtained by polycondensing phenols with aldehydes such as formaldehyde using a known method.

ノボラック樹脂を得るために用いられるフェノール類としては、例えばフェノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−クレゾール、2,3−ジメチルフェノール、2,4−ジメチルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、2,6−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノール、3,5−ジメチルフェノール、2,3,4−トリメチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、2,4,5−トリメチルフェノール、メチレンビスフェノール、メチレンビスp−クレゾール、レゾルシン、カテコール、2−メチルレゾルシン、4−メチルレゾルシン、o−クロロフェノール、m−クロロフェノール、p−クロロフェノール、2,3−ジクロロフェノール、m−メトキシフェノール、p−メトキシフェノール、p−ブトキシフェノール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、2,3−ジエチルフェノール、2,5−ジエチルフェノール、p−イソプロピルフェノール、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。これらを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the phenols used for obtaining the novolak resin include phenol, p-cresol, m-cresol, o-cresol, 2,3-dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 2 , 6-dimethylphenol, 3,4-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 2,3,4-trimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, 2,4 , 5-trimethylphenol, methylene bisphenol, methylene bis p-cresol, resorcin, catechol, 2-methyl resorcin, 4-methyl resorcin, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol, 2,3-dichlorophenol, m-methoxyphenol, -Methoxyphenol, p-butoxyphenol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, 2,3-diethylphenol, 2,5-diethylphenol, p-isopropylphenol, α-naphthol, β-naphthol Etc. These may be used alone or in combination of two or more.

また、ノボラック樹脂を得るために用いられるアルデヒド類としては、ホルムアルデヒドの他、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、クロロアセトアルデヒド等が挙げられる。これらを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   In addition to formaldehyde, aldehydes used to obtain a novolak resin include paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, chloroacetaldehyde, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

上記ノボラック樹脂の重量平均分子量(Mw)の下限としては、2,000が好ましく、3,000がより好ましい。また、上記Mwの上限としては、50,000が好ましく、40,000がより好ましい。上記Mwを上記下限以上とすることで、当該硬化膜形成用組成物の成膜性を向上させることができる。一方、上記Mwを上記上限以下とすることにより、感度の低下を抑制できる。   As a minimum of the weight average molecular weight (Mw) of the said novolak resin, 2,000 are preferable and 3,000 are more preferable. Further, the upper limit of the Mw is preferably 50,000, and more preferably 40,000. By setting the Mw to the above lower limit or more, the film formability of the cured film forming composition can be improved. On the other hand, a decrease in sensitivity can be suppressed by setting the Mw to the upper limit or less.

当該硬化膜形成用組成物中の[A]バインダーポリマーの含有量の下限としては、1質量%が好ましく、5質量%がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましい。[A]バインダーポリマーの含有量を上記下限以上とすることにより、感度をより高めつつ、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる硬化膜を形成できる。一方、上記含有量を上記上限以下とすることにより、保存安定性をより向上させることができる。   As a minimum of content of [A] binder polymer in the composition for cured film formation, 1 mass% is preferred and 5 mass% is more preferred. Moreover, as an upper limit of the said content, 50 mass% is preferable and 40 mass% is more preferable. [A] By making content of a binder polymer more than the said minimum, the cured film which is higher in hardness and excellent in solvent resistance can be formed, improving a sensitivity more. On the other hand, storage stability can be improved more by making the said content below into the said upper limit.

〔[B]重合性化合物〕
[B]重合性化合物は、放射線照射や加熱等により重合する化合物であれば特に限定されないが、感度向上の観点から(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、ビニル基又はこれらの組み合わせを有する化合物が好ましく、分子中に2つ以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物がより好ましい。
[[B] polymerizable compound]
[B] The polymerizable compound is not particularly limited as long as it is a compound that is polymerized by irradiation or heating, but a compound having a (meth) acryloyl group, an epoxy group, a vinyl group, or a combination thereof is preferable from the viewpoint of improving sensitivity. A compound having two or more (meth) acryloyl groups in the molecule is more preferable.

分子中に2つ以上の(メタ)アクリロイル基を有する[B]重合性化合物としては、例えばジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,3−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,9−ノナンジオールジメタクリレート、1,10−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート、トリペンタエリスリトールオクタアクリレート、テトラペンタエリスリトールノナアクリレート、テトラペンタエリスリトールデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタメタクリレート、トリペンタエリスリトールオクタメタクリレート、テトラペンタエリスリトールノナメタクリレート、テトラペンタエリスリトールデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−メタクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−メタクリロイルオキシエトキシ)−3−メチルフェニル]フルオレン、(2−アクリロイルオキシプロポキシ)−3−メチルフェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)−3、5−ジメチルフェニル]フルオレン、9,9−ビス[4−(2−メタクリロイルオキシエトキシ)−3、5−ジメチルフェニル]フルオレン等が挙げられる。   Examples of the [B] polymerizable compound having two or more (meth) acryloyl groups in the molecule include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, Tetraethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, neopentyl Glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate 1,6-hexanediol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate , Pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tripentaerythritol heptaacrylate, tripentaerythritol octaacrylate, tetrapentaerythritol nonaacrylate, tetrapentaerythritol decaacrylate, pentapentaerythritol undecaacrylate, penta Pentaerythritol Decaacrylate, tripentaerythritol heptamethacrylate, tripentaerythritol octamethacrylate, tetrapentaerythritol nonamethacrylate, tetrapentaerythritol decamethacrylate, pentapentaerythritol undecamethacrylate, pentapentaerythritol dodecamethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, ethoxylation Bisphenol A diacrylate, 9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-methacryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4 -(2-Methacryloyloxyethoxy) -3-methylphenyl] fluorene, (2-acryloyloxypropoxy) -3 -Methylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) -3, 5-dimethylphenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-methacryloyloxyethoxy) -3,5 -Dimethylphenyl] fluorene and the like.

中でも、感度向上の観点から、3つ以上の(メタ)アクリロイル基を有する重合性化合物が好ましく、4つ以上の(メタ)アクリロイル基を有する重合性化合物がより好ましく、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート及びトリペンタエリスリトールオクタアクリレートがさらに好ましい。   Among these, from the viewpoint of improving sensitivity, a polymerizable compound having three or more (meth) acryloyl groups is preferable, and a polymerizable compound having four or more (meth) acryloyl groups is more preferable, pentaerythritol tetraacrylate, dipenta More preferred are erythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tripentaerythritol heptaacrylate and tripentaerythritol octaacrylate.

[A]バインダーポリマー100質量部に対する[B]重合性化合物の含有量の下限としては、1質量部が好ましく、10質量部がより好ましく、20質量部がさらに好ましい。また、上記含有量の上限としては、200質量部が好ましく、150質量部がより好ましく、120質量部がさらに好ましい。上記含有量を上記範囲内とすることにより、保存安定性及び感度をより高めつつ、硬度がより高く、耐溶剤性により優れる硬化膜を形成できる。   [A] The lower limit of the content of the polymerizable compound [B] with respect to 100 parts by mass of the binder polymer is preferably 1 part by mass, more preferably 10 parts by mass, and still more preferably 20 parts by mass. Moreover, as an upper limit of the said content, 200 mass parts is preferable, 150 mass parts is more preferable, and 120 mass parts is further more preferable. By setting the content within the above range, it is possible to form a cured film having higher hardness and higher solvent resistance while further improving storage stability and sensitivity.

〔[C]QD〕
[C]QDとしては特に限定されないが、CdやPbを構成元素とせず、例えばIn(インジウム)やSi(珪素)等を構成元素として構成された安全な材料からなる半導体量子ドットが好ましい。
[[C] QD]
[C] QD is not particularly limited, but a semiconductor quantum dot made of a safe material composed of In (indium), Si (silicon), or the like without using Cd or Pb as a constituent element is preferable.

[C]QDを構成する材料としては、2族元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素、16族元素の元素及びこれらの組み合わせを含む化合物等が挙げられる。   [C] The material constituting the QD includes a group 2 element, a group 11 element, a group 12 element, a group 13 element, a group 14 element, a group 15 element, a group 16 element element, and a compound containing a combination thereof. It is done.

上記元素としては、例えばBe(ベリリウム)、Mg(マグネシウム),Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)、Cu(銅)、Ag(銀)、金(Au)、亜鉛(Zn)、B(ホウ素)、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)、Tl(タリウム)、C(炭素)、Si(珪素)、Ge(ゲルマニウム)、Sn(錫)、N(窒素)、P(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)、O(酸素)、S(硫黄)、Se(セレン)、Te(テルル)、Po(ポロニウム)等が挙げられる。   Examples of the element include Be (beryllium), Mg (magnesium), Ca (calcium), Sr (strontium), Ba (barium), Cu (copper), Ag (silver), gold (Au), and zinc (Zn). , B (boron), Al (aluminum), Ga (gallium), In (indium), Tl (thallium), C (carbon), Si (silicon), Ge (germanium), Sn (tin), N (nitrogen) , P (phosphorus), As (arsenic), Sb (antimony), Bi (bismuth), O (oxygen), S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), Po (polonium), and the like.

また、[C]QDが、500nm以上600nm以下の緑色光の波長領域に蛍光極大を有する化合物(A)、及び/又は600nm以上700nm以下の赤色光の波長領域に蛍光極大を有する化合物(B)を含むことが好ましい。   In addition, [C] QD has a compound (A) having a fluorescence maximum in a green light wavelength region of 500 nm to 600 nm and / or a compound (B) having a fluorescence maximum in a red light wavelength region of 600 nm to 700 nm. It is preferable to contain.

[C]QDが上記蛍光発光特性を有する化合物(A)及び/又は化合物(B)を含むことで、可視光を用いて画像の表示を行う発光表示素子の発光層用の硬化膜形成用組成物に当該硬化膜形成用組成物を適用できる。   [C] A composition for forming a cured film for a light-emitting layer of a light-emitting display element that displays an image using visible light, when QD includes the compound (A) and / or the compound (B) having the above-described fluorescence emission characteristics The cured film forming composition can be applied to a product.

また、[C]QDは、1種の化合物からなる均質構造型であってもよいし、2種以上の化合物からなるコアシェル構造型であってもよい。   [C] QD may be a homogenous structure type composed of one compound or a core-shell structure type composed of two or more compounds.

コアシェル構造型の[C]QDは、1つの種類の化合物でコア構造を形成し、別の種類の化合物でコア構造を被覆して構成される。例えばバンドギャップのより大きい半導体を用いてコアの半導体を被覆することにより、光励起によって生成された励起子(電子−正孔対)がコア内に閉じ込められる。その結果、[C]QD表面での無輻射遷移の確率が減少し、蛍光量子収率が向上する。   The core-shell structure type [C] QD is formed by forming a core structure with one type of compound and coating the core structure with another type of compound. For example, by covering the core semiconductor with a semiconductor having a larger band gap, excitons (electron-hole pairs) generated by photoexcitation are confined in the core. As a result, the probability of non-radiative transition on the [C] QD surface is reduced and the fluorescence quantum yield is improved.

[C]QDとしては、Inを構成元素として含む化合物からなる半導体量子ドットが好ましく、コアシェル構造型半導体量子ドットであるInP/ZnS、InP/ZnSe、CuInS/ZnS及び(ZnS/AgInS)固溶体/ZnS、並びに均質構造型半導体量子ドットであるAgInS及びZnドープAgInSがより好ましく、InP/ZnSがさらに好ましい。なお、上記InP/ZnSは、InPをコアとし、ZnSをシェルとする半導体量子ドットである。その他のコアシェル構造型半導体量子ドットも同様である。 [C] As QD, semiconductor quantum dots made of a compound containing In as a constituent element are preferable, and InP / ZnS, InP / ZnSe, CuInS 2 / ZnS, and (ZnS / AgInS 2 ) solid solutions that are core-shell structure type semiconductor quantum dots / ZnS and homogeneous structure type semiconductor quantum dots AgInS 2 and Zn-doped AgInS 2 are more preferable, and InP / ZnS is more preferable. The InP / ZnS is a semiconductor quantum dot having InP as a core and ZnS as a shell. The same applies to other core-shell structure type semiconductor quantum dots.

[C]QDの平均粒径の下限としては、0.5nmが好ましく、1.0nmがより好ましい。また、上記平均粒径の上限としては、20nmが好ましく、10nmがより好ましい。平均粒径が上記下限未満である場合は、[C]QDの蛍光特性が不安定になる場合がある。一方、[C]QDの平均粒径が上記上限を超える場合は、量子閉じ込め効果が得られない場合があり、所望の蛍光特性が得られなくなるおそれがある。ここで、平均粒径とは、分散液中の[C]QDの粒度分布の体積中心径D50で表される平均粒径を指す。   [C] The lower limit of the average particle diameter of QD is preferably 0.5 nm, and more preferably 1.0 nm. Moreover, as an upper limit of the said average particle diameter, 20 nm is preferable and 10 nm is more preferable. When the average particle size is less than the above lower limit, the fluorescence characteristics of [C] QD may become unstable. On the other hand, when the average particle size of [C] QD exceeds the above upper limit, the quantum confinement effect may not be obtained, and the desired fluorescence characteristics may not be obtained. Here, the average particle diameter refers to the average particle diameter represented by the volume center diameter D50 of the particle size distribution of [C] QD in the dispersion.

なお、[C]QDの蛍光の波長領域は、[C]QDの構成材料や平均粒径を適宜選択することにより制御できる。   In addition, the wavelength region of the fluorescence of [C] QD can be controlled by appropriately selecting the constituent material and average particle diameter of [C] QD.

[C]QDの形状は特に限定されず、例えば球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。[C]QDの形状、分散状態等の情報については、透過型電子顕微鏡により得ることができる。   [C] The shape of the QD is not particularly limited, and may be, for example, a spherical shape, a rod shape, a disk shape, or other shapes. [C] Information on the shape, dispersion state, etc. of the QD can be obtained by a transmission electron microscope.

[C]QDを得る方法としては、例えば配位性有機溶媒中で有機金属化合物を熱分解する公知の方法を利用することができる。また、コアシェル構造型の[C]QDは、例えば反応により均質なコア構造を形成した後、反応系内にコア表面にシェルを形成するための前駆体を添加し、コア表面にシェルを形成した後、反応を停止させ、溶媒から分離することで得られる。[C]QDの平均粒径を制御する方法としては、例えば反応温度や反応時間等を調整する方法が挙げられる。なお、市販されているものを利用することも可能である。   [C] As a method for obtaining QD, for example, a known method of thermally decomposing an organometallic compound in a coordinating organic solvent can be used. [C] QD of the core-shell structure type, for example, formed a homogeneous core structure by reaction, and then added a precursor for forming a shell on the core surface in the reaction system to form a shell on the core surface. Thereafter, the reaction is stopped and separated from the solvent. [C] As a method for controlling the average particle diameter of QD, for example, a method of adjusting a reaction temperature, a reaction time and the like can be mentioned. A commercially available product can also be used.

また、コアシェル構造型半導体量子ドットであるInP/ZnSは、例えば半導体量子ドットに関する技術文献「Chemistry of Materials. 2015, 27, 4893−4898」に記載されている方法を参照して合成することもできる。   InP / ZnS, which is a core-shell structure type semiconductor quantum dot, can also be synthesized with reference to a method described in, for example, a technical document “Chemistry of Materials. 2015, 27, 4893-4898” relating to semiconductor quantum dots. .

当該硬化膜形成用組成物における[C]QDの含有量の下限としては、[A]バインダーポリマー100質量部に対して、1質量部が好ましく、10質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、[A]バインダーポリマー100質量部に対して、150質量部が好ましく、100質量部がより好ましい。[C]QDの含有量を上述の範囲とすることで、優れた蛍光特性を有する硬化膜(発光層)を形成することができる。   As a minimum of content of [C] QD in the said composition for cured film formation, 1 mass part is preferable with respect to 100 mass parts of [A] binder polymers, and 10 mass parts is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content, 150 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] binder polymer, and 100 mass parts is more preferable. [C] By setting the content of QD in the above range, a cured film (light emitting layer) having excellent fluorescence characteristics can be formed.

〔[D]分散剤〕
[D]分散剤は、上述したように[C]QDの表面に付着して、[C]QDの表面への酸素や水分等の付着を抑制し、[C]QDの蛍光量子収率の低下を抑制するものである。
[[D] Dispersant]
[D] Dispersant adheres to the surface of [C] QD as described above, suppresses adhesion of oxygen, moisture, etc. to the surface of [C] QD, and reduces the fluorescence quantum yield of [C] QD. It suppresses the decrease.

このような[D]分散剤としては、[C]QDの表面に付着する部位を有している限り特に限定されないが、第1繰り返し単位からなる第1ブロック(以下、ポリマーブロック(I)ともいう)と、第1繰り返し単位よりも親水性の高い第2繰り返し単位からなる第2ブロック(以下、ポリマーブロック(II)ともいう)とを少なくとも有するブロック共重合体(以下、単に「ブロック共重合体」ともいう)が例示される。[D]分散剤として上記ブロック共重合体を用いることで、親水性の高いポリマーブロック(II)と[C]QDとが相互作用するため、[D]分散剤が親水性の比較的低いポリマーブロック(I)を外側に向けて[C]QDに付着することになる。その結果、[C]QD同士が互いに離れようとすることで、[C]QDが硬化膜形成用組成物中において均一に分散される。これにより、当該硬化膜形成用組成物を用いて硬化膜を形成した場合、[C]QDが均一に分散されることから、その硬化膜の輝度バラツキを低減することができる。   Such a [D] dispersant is not particularly limited as long as it has a site that adheres to the surface of [C] QD. However, the first block consisting of the first repeating unit (hereinafter referred to as polymer block (I)) And a block copolymer (hereinafter simply referred to as “block copolymer”) having at least a second block (hereinafter also referred to as polymer block (II)) composed of a second repeating unit having a higher hydrophilicity than the first repeating unit. Also referred to as “union”). [D] By using the block copolymer as a dispersant, the highly hydrophilic polymer block (II) and [C] QD interact with each other, so that [D] the dispersant is a relatively low hydrophilic polymer. The block (I) is attached to the [C] QD with the outside facing outward. As a result, [C] QDs are uniformly dispersed in the composition for forming a cured film by causing [C] QDs to be separated from each other. Thereby, when a cured film is formed using the composition for forming a cured film, [C] QD is uniformly dispersed, so that the brightness variation of the cured film can be reduced.

[D]分散剤に含まれる酸性官能基としては、カルボキシ基、スルホ基、ヒドロキシ基、リン酸基等が挙げられる。これらの酸性官能基は、[C]QDへの吸着性が高いため、[C]QDの表面に酸素や水分等が付着することを効果的に抑制できる。[D]分散剤は、これらの酸性官能基を一種又は二種以上含んでいてもよい。上記酸性官能基としては、カルボキシ基、スルホ基及びこれらの組み合わせが好ましく、カルボキシ基がより好ましい。これらの特定の酸性官能基を用いることにより、放射線照射後に加熱する工程(以下、「ポストベーク」ともいう)を経ても、[C]QDの蛍光量子収率の低下を十分に抑制できる。なお、これらの酸性官能基は、当該硬化膜形成用組成物中において水素原子が金属原子等で置換されていてもよい。   [D] Examples of the acidic functional group contained in the dispersant include a carboxy group, a sulfo group, a hydroxy group, and a phosphate group. Since these acidic functional groups have high adsorptivity to [C] QD, it is possible to effectively suppress the attachment of oxygen, moisture, etc. to the surface of [C] QD. [D] The dispersant may contain one or more of these acidic functional groups. As said acidic functional group, a carboxy group, a sulfo group, and these combination are preferable, and a carboxy group is more preferable. By using these specific acidic functional groups, a decrease in the fluorescence quantum yield of [C] QD can be sufficiently suppressed even after a step of heating after irradiation (hereinafter also referred to as “post-bake”). In these acidic functional groups, hydrogen atoms may be substituted with metal atoms or the like in the composition for forming a cured film.

ポリマーブロック(I)は、第1繰り返し単位からなる第1ブロックからなり、疎水性を有しているものが好ましい。上記第1繰り返し単位の具体例としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−メチルプロパンメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、ペンチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、オクチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、テトラデシルメタクリレート、オクタデシルメタクリレート、ベへニルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、t−ブチルシクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、シクロデシルメタクリレート、シクロデシルメチルメタクリレート、トリシクロデシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、アリルメタクリレート、フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等に由来するものが挙げられる。   The polymer block (I) is preferably composed of the first block composed of the first repeating unit and having hydrophobicity. Specific examples of the first repeating unit include, for example, styrene, α-methylstyrene, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-methylpropane methacrylate, t-butyl methacrylate, pentyl methacrylate, hexyl methacrylate. , Octyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, nonyl methacrylate, decyl methacrylate, isodecyl methacrylate, lauryl methacrylate, tetradecyl methacrylate, octadecyl methacrylate, behenyl methacrylate, isostearyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, t-butylcyclohexyl methacrylate, isobornyl Methacrylate, trime Le cyclohexyl methacrylate, tricyclodecyl methacrylate, tricyclodecyl methacrylate, tricyclodecyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl methacrylate, naphthyl methacrylate, allyl methacrylate, phenyl maleimide, those derived from the cyclohexyl maleimide.

ポリマーブロック(II)は、上述の第1繰り返し単位よりも親水性の高い第2繰り返し単位からなる第2ブロックからなり、例えばこの第2ブロックが上述の酸性官能基を含むことにより親水性を示す。上記第2繰り返し単位の具体例としては、例えば(メタ)アクリル酸、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−(メタ)アクリロイルオキシエチルフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、p−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)エチル、メタクリル酸3−クロロ−2−(ホスホノオキシ)プロピル、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)プロピル、メタクリル酸2−(フェノキシホスホニルオキシ)エチル、アシッドホスホオキシポリオキシエチレングリコールモノメタクリレート、アシッドホスホオキシポリオキシプロピレングリコールモノメタクリレート、2−アクリロイルオキシエタンスルホン酸、2−メタクリロイルオキシエタンスルホン酸等に由来するものが挙げられる。   The polymer block (II) is composed of a second block composed of a second repeating unit having higher hydrophilicity than the above-mentioned first repeating unit. For example, the second block contains the above-mentioned acidic functional group and exhibits hydrophilicity. . Specific examples of the second repeating unit include, for example, (meth) acrylic acid, hydroxyethyl (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxyethyl succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylphthalic acid, and 2-methacryloyl. Oxyethylhexahydrophthalic acid, p-hydroxyphenyl (meth) acrylate, 2- (methacryloyloxy) ethyl phosphate, 3-chloro-2- (phosphonooxy) propyl methacrylate, 2- (methacryloyloxy) propyl phosphate, methacryl Acid 2- (phenoxyphosphonyloxy) ethyl, acid phosphooxypolyoxyethylene glycol monomethacrylate, acid phosphooxypolyoxypropylene glycol monomethacrylate, 2-acryloyloxyethanesulfonic acid, 2 Those derived from methacryloyloxy ethane sulfonic acid and the like.

上述のような、ポリマーブロック(I)とポリマーブロック(II)とから構成される[D]分散剤としては、例えばメタクリル酸/メチルメタクリレートブロック共重合体、メタクリル酸/エチルヘキシルメタクリレート共重合体、メタクリル酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、メタクリル酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、メタクリル酸/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/メチルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/エチルヘキシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)エチル/メチルメタクリレートブロック共重合体、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)エチル/エチルヘキシルメタクリレートブロック共重合体、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)エチル/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)エチル/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、リン酸2−(メタクリロイルオキシ)エチル/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエタンスルホン酸/メチルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエタンスルホン酸/エチルヘキシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエタンスルホン酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエタンスルホン酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエタンスルホン酸/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体等が挙げられる。   Examples of the [D] dispersant composed of the polymer block (I) and the polymer block (II) as described above include a methacrylic acid / methyl methacrylate block copolymer, a methacrylic acid / ethylhexyl methacrylate copolymer, and a methacrylic acid. Acid / benzyl methacrylate block copolymer, methacrylic acid / cyclohexyl methacrylate block copolymer, methacrylic acid / tricyclodecyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / methyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxy Ethyl succinic acid / ethyl hexyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / benzyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinate / Cyclohexyl methacrylate block copolymer, 2- (methacryloyloxy) ethyl phosphate / methyl methacrylate block copolymer, 2- (methacryloyloxy) ethyl phosphate / ethylhexyl methacrylate block copolymer, 2- (methacryloyloxy) phosphate Ethyl / benzyl methacrylate block copolymer, 2- (methacryloyloxy) ethyl phosphate / cyclohexyl methacrylate block copolymer, 2- (methacryloyloxy) ethyl phosphate / tricyclodecyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethane Sulfonic acid / methyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethanesulfonic acid / ethylhexyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyl o Shi ethanesulfonic acid / benzyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxy ethane sulfonic acid / cyclohexyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxy ethane sulfonic acid / tricyclodecylacrylate methacrylate block copolymer.

[C]QDの表面に酸素や水分等が付着することをより効果的に抑制する観点から、[D]分散剤としては、メタクリル酸/エチルヘキシルメタクリレート共重合体、メタクリル酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、メタクリル酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、メタクリル酸/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/エチルヘキシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、及び2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体が好ましく、メタクリル酸/ベンジルメタクリレート共重合体、メタクリル酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、メタクリル酸/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/シクロヘキシルメタクリレートブロック共重合体、及び2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体がより好ましい。   [C] From the viewpoint of more effectively suppressing the adhesion of oxygen, moisture, etc. to the surface of QD, [D] As the dispersant, methacrylic acid / ethylhexyl methacrylate copolymer, methacrylic acid / benzyl methacrylate block copolymer Copolymer, methacrylic acid / cyclohexyl methacrylate block copolymer, methacrylic acid / tricyclodecyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / ethylhexyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / benzyl methacrylate block Copolymers and 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / cyclohexyl methacrylate block copolymers are preferred, methacrylic acid / benzyl methacrylate copolymers, methacrylic acid / cyclohexyl Tacrylate block copolymer, methacrylic acid / tricyclodecyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / benzyl methacrylate block copolymer, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / cyclohexyl methacrylate block copolymer, and 2-Methacryloyloxyethyl succinic acid / tricyclodecyl methacrylate block copolymer is more preferred.

リン酸基を有する[D]分散剤としては、下記式(1)で示されるポリオキシエチレンアルキルリン酸エステルが好ましい。   The [D] dispersant having a phosphate group is preferably a polyoxyethylene alkyl phosphate ester represented by the following formula (1).

Figure 2017025165
Figure 2017025165

上記式(1)中、Rは、C2q+1−CHO−(CHCHO)q’−CHCHO−である。qは8〜10の整数である。q’は12〜16の整数である。kは1〜3の整数である。 In the above formula (1), R 3 is, C q H 2q + 1 -CH 2 O- (CH 2 CH 2 O) q '-CH 2 CH 2 is O-. q is an integer of 8-10. q 'is an integer of 12-16. k is an integer of 1 to 3.

[D]分散剤の酸価の下限としては、5mgKOH/gであり、7mgKOH/gが好ましく、10mgKOH/gがより好ましい。また、[D]分散剤の酸価の上限としては、150mgKOH/gであり、140mgKOH/gが好ましく、130mgKOH/gがより好ましい。分散剤の酸価を上記好ましい範囲とすることで、酸素や水分等の[C]QDへの付着をより抑制することができ、結果として[C]QDの蛍光量子収率の低下をより抑制することができる。   [D] The lower limit of the acid value of the dispersant is 5 mgKOH / g, preferably 7 mgKOH / g, and more preferably 10 mgKOH / g. [D] The upper limit of the acid value of the dispersant is 150 mgKOH / g, preferably 140 mgKOH / g, and more preferably 130 mgKOH / g. By making the acid value of the dispersant within the above-mentioned preferable range, it is possible to further suppress the adhesion of oxygen and moisture to [C] QD, and as a result, further suppress the decrease in the fluorescence quantum yield of [C] QD. can do.

[A]バインダーポリマー100質量部に対する[D]分散剤の含有量の下限としては、0.1質量部が好ましく、0.5質量部がより好ましく、1質量部がさらに好ましい。また、上記含有量の上限としては、20質量部が好ましく、15質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましい。上記含有量を上記範囲内とすることにより、酸素や水分等の[C]QDへの付着をより抑制することができ、結果として[C]QDの蛍光量子収率の低下をより抑制することができる。   [A] As a minimum of content of [D] dispersing agent to 100 mass parts of binder polymers, 0.1 mass part is preferred, 0.5 mass part is more preferred, and 1 mass part is still more preferred. Moreover, as an upper limit of the said content, 20 mass parts is preferable, 15 mass parts is more preferable, and 10 mass parts is further more preferable. By making the content within the above range, it is possible to further suppress the adhesion of oxygen and moisture to [C] QD, and as a result, further suppress the decrease in the fluorescence quantum yield of [C] QD. Can do.

〔[E]感放射線性化合物〕
当該硬化膜形成用組成物は、[E]感放射線性化合物をさらに含有してもよい。この場合、当該硬化膜形成用組成物に感放射線性を付与できる。[E]感放射線性化合物は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[[E] radiation sensitive compound]
The cured film forming composition may further contain [E] a radiation sensitive compound. In this case, radiation sensitivity can be imparted to the composition for forming a cured film. [E] A radiation sensitive compound may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

[E]感放射線性化合物としては、例えば感放射線性ラジカル重合開始剤、感放射線性酸発生剤、感放射線性塩基発生剤、これらの組み合わせ等が挙げられる。   [E] Examples of the radiation sensitive compound include a radiation sensitive radical polymerization initiator, a radiation sensitive acid generator, a radiation sensitive base generator, and combinations thereof.

上記感放射線性ラジカル重合開始剤は、例えば[B]重合性化合物としてラジカル重合性の化合物を用いる場合、当該硬化膜形成用組成物の放射線による硬化反応をより促進させることができる。   For example, when a radical polymerizable compound is used as the [B] polymerizable compound, the radiation sensitive radical polymerization initiator can further promote the curing reaction by radiation of the cured film forming composition.

上記感放射線性ラジカル重合開始剤としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等の放射線の露光により、[B]重合性化合物のラジカル重合反応を開始し得る活性種を発生することができる化合物等が挙げられる。   As the radiation-sensitive radical polymerization initiator, for example, active species capable of initiating radical polymerization reaction of the polymerizable compound [B] are generated by exposure to radiation such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, and X-ray. And the like.

上記感放射線性ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えばO−アシルオキシム化合物、α−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、アシルホスフィンオキシド化合物等が挙げられる。   Specific examples of the radiation-sensitive radical polymerization initiator include, for example, O-acyl oxime compounds, α-amino ketone compounds, α-hydroxy ketone compounds, acyl phosphine oxide compounds, and the like.

上記O−アシルオキシム化合物としては、例えば1−〔9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル〕−エタン−1−オンオキシム−O−アセタート、1−[9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル]−オクタン−1−オンオキシム−O−アセテート、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、1−[9−n−ブチル−6−(2−エチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾエート、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロピラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチル−5−テトラヒドロフラニルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、エタノン,1−[9−エチル−6−{2−メチル−4−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラニル)メトキシベンゾイル}−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチル−4−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)]、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)等が挙げられる。   Examples of the O-acyloxime compound include 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6-benzoyl-9. H. -Carbazol-3-yl] -octane-1-one oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-n-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), ethanone, 1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl) methoxy Benzoyl} -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone, 1- [9 -Ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime) and the like.

上記α−アミノケトン化合物としては、例えば2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタン−1−オン、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルベンジル)−1−(4−モルホリン−4−イル−フェニル)−ブタン−1−オン、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルホリノプロパン−1−オン等が挙げられる。   Examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- ( 4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one, and the like.

上記α−ヒドロキシケトン化合物としては、例えば1−フェニル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−i−プロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。   Examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one and 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one. 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone and the like.

上記アシルホスフィンオキシド化合物としては、例えばジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。   Examples of the acylphosphine oxide compound include diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, and the like.

上記感放射線性ラジカル重合開始剤としては、放射線による硬化反応をより促進させる観点から、O−アシルオキシム化合物、α−アミノケトン化合物及びアシルホスフィンオキシド化合物が好ましく、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)、1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)]、2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルホリノプロパン−1−オン及びジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシドがより好ましい。   The radiation sensitive radical polymerization initiator is preferably an O-acyl oxime compound, an α-aminoketone compound and an acyl phosphine oxide compound from the viewpoint of further promoting the curing reaction by radiation. Etanone, 1- [9-ethyl-6 -(2-Methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime), 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], 2-methyl-1- (4-Methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one and diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide are more preferred.

上記感放射線性酸発生剤は、[A]バインダーポリマーとしてポリシロキサン等の酸により硬化反応が促進される化合物を用いる場合、当該硬化膜形成用組成物の放射線感度を高めることができる。感放射線性酸発生剤としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等の放射線の露光により酸を発生させる化合物などが挙げられる。   The radiation sensitive acid generator can increase the radiation sensitivity of the composition for forming a cured film when a compound whose curing reaction is accelerated by an acid such as polysiloxane is used as the [A] binder polymer. Examples of the radiation sensitive acid generator include compounds that generate an acid upon exposure to radiation such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, and X-ray.

上記感放射線性酸発生剤の具体例としては、例えばヨードニウム塩系感放射線性酸発生剤、スルホニウム塩系感放射線性酸発生剤、テトラヒドロチオフェニウム塩系感放射線性酸発生剤、イミドスルホネート系感放射線性酸発生剤、オキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤、キノンジアジド化合物等が挙げられる。   Specific examples of the radiation-sensitive acid generator include, for example, an iodonium salt-based radiation sensitive acid generator, a sulfonium salt-based radiation sensitive acid generator, a tetrahydrothiophenium salt-based radiation sensitive acid generator, and an imide sulfonate system. A radiation sensitive acid generator, an oxime sulfonate type radiation sensitive acid generator, a quinonediazide compound, etc. are mentioned.

上記ヨードニウム塩系感放射線性酸発生剤としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロn−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロn−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the iodonium salt-based radiation-sensitive acid generator include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium pyrenesulfonate, diphenyliodonium dodecylbenzenesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro n-butanesulfonate, and bis (4-t-butylphenyl) iodonium. Trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium dodecylbenzenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium naphthalenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate, bis (4- t-butylphenyl) iodonium nonafluoro n-butanesulfonate, diphenyliodonium hexafluoroantimony Over doors and the like.

上記スルホニウム塩系感放射線性酸発生剤としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、(ヒドロキシフェニル)ベンゼンメチルスルホニウムトルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネート、1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シアノ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シアノ−1−ナフチル−ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。   Examples of the sulfonium salt-based radiation-sensitive acid generator include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium naphthalenesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, and (hydroxyphenyl). Benzenemethylsulfonium toluenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-hydroxy Phenyl) benzylmethylsulfonium toluenesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethane Sulfonate, 4-methyl-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyl-diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldiethyl Sulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1- Borderless Le dimethyl sulfonium trifluoromethanesulfonate, and the like.

上記テトラヒドロチオフェニウム塩系感放射線性酸発生剤としては、例えば4−ヒドロキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシメトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシメトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(1−メトキシエトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−メトキシエトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−n−プロポキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−i−プロポキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−n−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−テトラヒドロフラニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ベンジルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。   Examples of the tetrahydrothiophenium salt-based radiation sensitive acid generator include 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, and 4-ethoxy. -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (1-methoxy Ethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothioff Nium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-propoxycarbonyloxy-1-naphthyl Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-i-propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-butoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-t- Butoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- ( -Tetrahydrofuranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydropyranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-benzyloxy-1-naphthyltetrahydrothiofe Examples thereof include nium trifluoromethanesulfonate, 1- (naphthylacetomethyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, and the like.

上記イミドスルホネート系感放射線性酸発生剤としては、例えばトリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エンジカルボキシイミド、スクシンイミドトリフルオロメチルスルホネート、フタルイミドトリフルオロメチルスルホネート、N−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホネート、N−ヒドロキシ−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボキシイミドプロパンスルホネート等が挙げられる。   Examples of the imide sulfonate-based radiation-sensitive acid generator include trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] hept-5-enedicarboximide, succinimide trifluoromethyl sulfonate, phthalimide trifluoromethyl sulfonate, and N-hydroxy. Naphthalimidomethanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximidepropanesulfonate, and the like can be given.

上記オキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤としては、例えば(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルホニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル等が挙げられる。   Examples of the oxime sulfonate-based radiation-sensitive acid generator include (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophene). -2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophene) 2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile, and the like.

上記キノンジアジド化合物としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ペンタヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ヘキサヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、(ポリヒドロキシフェニル)アルカンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル等が挙げられる。   Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinone diazide sulfonate of trihydroxybenzophenone, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonate of tetrahydroxybenzophenone, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonate of pentahydroxybenzophenone, hexa 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of hydroxybenzophenone, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of (polyhydroxyphenyl) alkane, and the like.

上記トリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。   Examples of the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester and 2,3,4-trihydroxybenzophenone. -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2 -Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester etc. are mentioned.

上記テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。   Examples of the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2, 3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzofe 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2-naphtho Examples thereof include quinonediazide-4-sulfonic acid ester and 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.

上記ペンタヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えば2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。   Examples of the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,3 , 4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like.

上記ヘキサヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えば2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。   Examples of the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone -1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and the like.

上記(ポリヒドロキシフェニル)アルカンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、トリ(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、トリ(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。   Examples of the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester of the above (polyhydroxyphenyl) alkane include, for example, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,4 -Dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane- 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide -5-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5 -Sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2- Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3, 4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2 5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3- Phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1, 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide— 5-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane -1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and the like. .

上記感放射線性酸発生剤としては、硬化反応をより促進させる観点から、オキシムスルホネート系感放射線性酸発生剤、及びキノンジアジド化合物が好ましく、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、及び1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルがより好ましい。   As the radiation-sensitive acid generator, from the viewpoint of further promoting the curing reaction, an oxime sulfonate-based radiation-sensitive acid generator and a quinonediazide compound are preferable, and (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) is preferable. )-(2-methylphenyl) acetonitrile and 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester are more preferred.

上記感放射線性塩基発生剤は、[A]バインダーポリマーとしてポリシロキサン等の塩基により硬化反応が促進される化合物を用いる場合、当該硬化膜形成用組成物の放射線感度をより高めることができる。感放射線性塩基発生剤としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等の放射線の露光により塩基を発生する化合物などが挙げられる。   When the compound whose curing reaction is accelerated by a base such as polysiloxane is used as the [A] binder polymer, the radiation sensitive base generator can further enhance the radiation sensitivity of the cured film forming composition. Examples of the radiation sensitive base generator include compounds that generate a base upon exposure to radiation such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, and X-ray.

感放射線性塩基発生剤の具体例としては、例えば
4−(メチルチオベンゾイル)−1−メチル−1−モルホリノエタン、(4−モルホリノベンゾイル)−1−ベンジル−1−ジメチルアミノプロパン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン、N−(2−ニトロベンジルオキシカルボニル)ピロリジン、1−(アントラキノン−2−イル)エチルイミダゾールカルボキシレート等の複素環基含有感放射線性塩基発生剤;
2−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、[[(2,6−ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、ビス[[(2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサン−1,6−ジアミン、トリフェニルメタノール、o−カルバモイルヒドロキシルアミド、o−カルバモイルオキシム、ヘキサアンミンコバルト(III)トリス(トリフェニルメチルボレート)、1,2−ジシクロヘキシル−4,4,5,5−テトラメチルビグアニジウムn−ブチルトリフェニルボラートなどが挙げられ、硬化反応をより促進させる観点から、1,2−ジシクロヘキシル−4,4,5,5−テトラメチルビグアニジウムn−ブチルトリフェニルボラートが好ましい。
Specific examples of the radiation sensitive base generator include, for example, 4- (methylthiobenzoyl) -1-methyl-1-morpholinoethane, (4-morpholinobenzoyl) -1-benzyl-1-dimethylaminopropane, 2-benzyl- Heterocyclic group-containing radiation sensitivity such as 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone, N- (2-nitrobenzyloxycarbonyl) pyrrolidine, 1- (anthraquinone-2-yl) ethylimidazolecarboxylate Base generator;
2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate, [[(2,6-dinitrobenzyl) oxy] carbonyl] cyclohexylamine, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl] hexane-1,6-diamine, triphenylmethanol, o -Carbamoylhydroxylamide, o-carbamoyloxime, hexaamminecobalt (III) tris (triphenylmethylborate), 1,2-dicyclohexyl-4,4,5,5-tetramethylbiguanidinium n-butyltriphenylborate From the viewpoint of further promoting the curing reaction, 1,2-dicyclohexyl-4,4,5,5-tetramethylbiguanidinium n-butyltriphenylborate is preferable.

当該硬化膜形成用組成物が[E]感放射線性化合物を含有する場合、[E]感放射線性化合物の含有量の下限としては、[A]バインダーポリマー100質量部に対して1質量部が好ましく、10質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、[A]バインダーポリマー100質量部に対して50質量部が好ましく、40質量部がより好ましい。上記含有量を上記範囲とすることにより、当該硬化膜形成用組成物の放射線感度をより高めることができる。   When the said cured film formation composition contains a [E] radiation sensitive compound, as a minimum of content of a [E] radiation sensitive compound, 1 mass part is with respect to 100 mass parts of [A] binder polymers. Preferably, 10 parts by mass is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content, 50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] binder polymers, and 40 mass parts is more preferable. By setting the content in the above range, the radiation sensitivity of the cured film forming composition can be further increased.

〔[F]溶媒〕
当該硬化膜形成用組成物は上記成分以外に[F]溶媒を含んでいてもよい。当該硬化膜形成用組成物が[F]溶媒を含むと、その塗布性が向上する。[F]溶媒としては、上記各成分を溶解又は分散させることができる限り特に限定されないが、例えば上述した[a]ポリマーやポリシロキサンを合成する際に使用する溶媒等が挙げられる。なお、[F]溶媒は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[[F] solvent]
The composition for forming a cured film may contain a [F] solvent in addition to the above components. When the composition for forming a cured film contains a [F] solvent, the coating property is improved. [F] The solvent is not particularly limited as long as the above-described components can be dissolved or dispersed, and examples thereof include a solvent used when the above-described [a] polymer or polysiloxane is synthesized. In addition, a [F] solvent may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

〔[G]その他の成分〕
当該硬化膜形成用組成物は、上述した成分以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、熱重合開始剤、保存安定剤、接着助剤等のその他の成分を含有してもよい。[G]その他の成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。当該硬化膜形成用組成物が[G]その他の成分を含有する場合、その含有量の上限としては[A]バインダーポリマー100質量部に対して10質量部が好ましく、1質量部がより好ましい。
[[G] Other ingredients]
In addition to the components described above, the cured film-forming composition may contain other components such as a thermal polymerization initiator, a storage stabilizer, and an adhesion aid as long as the effects of the present invention are not impaired. [G] Other components may be used alone or in combination of two or more. When the said composition for cured film formation contains [G] other components, as an upper limit of the content, 10 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] binder polymers, and 1 mass part is more preferable.

当該硬化膜形成用組成物は、適宜の方法により調製することが可能であるが、例えば[F]溶媒中で、[A]バインダーポリマー、[B]重合性化合物、[C]QD、[D]分散剤及び必要に応じて任意成分を混合することにより調製できる。調製する際、後述する当該分散液を配合することにより、[C]QD及び[D]分散剤を含有させることもできる。混合する際の組成物中の固形分の濃度の下限としては、5質量%が好ましく、10質量%がより好ましい。また、上記濃度の上限としては、80質量%が好ましく、70質量%がより好ましい。固形分の濃度を上記範囲とすることにより、塗布性を向上させることができる。なお、上記「固形分」とは、試料を175℃のホットプレートで1時間乾燥して揮発物質を除いた残分をいう。   The composition for forming a cured film can be prepared by an appropriate method. For example, in a [F] solvent, [A] a binder polymer, [B] a polymerizable compound, [C] QD, [D It can be prepared by mixing a dispersant and, if necessary, optional components. When preparing, [C] QD and a [D] dispersing agent can also be contained by mix | blending the said dispersion liquid mentioned later. As a minimum of the concentration of solid content in the composition at the time of mixing, 5 mass% is preferred and 10 mass% is more preferred. Moreover, as an upper limit of the said density | concentration, 80 mass% is preferable and 70 mass% is more preferable. By making the concentration of the solid content in the above range, the coating property can be improved. The “solid content” means a residue obtained by drying a sample on a hot plate at 175 ° C. for 1 hour to remove volatile substances.

<硬化膜>
当該硬化膜は、当該硬化膜形成用組成物により得られる。当該硬化膜は当該硬化膜形成用組成物により得られるため、QDの蛍光量子収率の低下が抑制され、例えば高い色再現性を有する硬化膜を提供することができる。当該硬化膜は、パターン化されていてもよいし、パターン化されていなくてもよいが、当該硬化膜がパターン化されていると、サブ画素として有用な発光層に適用することができる。当該硬化膜の形成方法は、特に限定されず、例えば放射線照射により硬化させる方法であっても、加熱により硬化させる方法であってもよいが、後述する放射線照射により硬化させる方法を適用することが好ましい。この方法によれば、パターン化された硬化膜(発光層)を形成することができる。
<Curing film>
The cured film is obtained from the cured film forming composition. Since the said cured film is obtained with the said composition for cured film formation, the fall of the fluorescence quantum yield of QD is suppressed and the cured film which has high color reproducibility, for example can be provided. The cured film may be patterned or unpatterned. However, when the cured film is patterned, the cured film can be applied to a light-emitting layer useful as a subpixel. The method for forming the cured film is not particularly limited, and for example, a method of curing by radiation irradiation or a method of curing by heating may be used, but a method of curing by radiation irradiation described later can be applied. preferable. According to this method, a patterned cured film (light emitting layer) can be formed.

当該硬化膜は、発光表示素子の発光層としての利用に適している。以下、当該発光表示素子の好適な実施形態について説明する。   The cured film is suitable for use as a light emitting layer of a light emitting display element. Hereinafter, preferred embodiments of the light-emitting display element will be described.

<発光表示素子>
図1は、一実施形態の発光表示素子100を模式的に示す断面図である。発光表示素子100は、第1基材12上に発光層13(13a、13b、13c)及びブラックマトリクス14を設けて構成された波長変換基板11と、波長変換基板11上に接着剤層15を介して貼り合わされた光源基板18とを有する。
<Light-emitting display element>
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a light emitting display element 100 according to an embodiment. The light emitting display element 100 includes a wavelength conversion substrate 11 configured by providing a light emitting layer 13 (13a, 13b, 13c) and a black matrix 14 on a first base material 12, and an adhesive layer 15 on the wavelength conversion substrate 11. And a light source substrate 18 bonded to each other.

第1基材12は、ガラス、石英、透明樹脂等により構成される。上記透明樹脂としては、例えば透明ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、環状オレフィン系樹脂等が挙げられる。   The first substrate 12 is made of glass, quartz, transparent resin, or the like. Examples of the transparent resin include transparent polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, and cyclic olefin resins.

波長変換基板11の発光層13は、上述した硬化膜形成用組成物を用い、パターニングして形成される。発光層13は、当該硬化膜形成用組成物を用いて形成しているため、QDの蛍光量子収率の低下を抑制することができ、例えば色再現性の高い発光層とすることができる。   The light emitting layer 13 of the wavelength conversion substrate 11 is formed by patterning using the cured film forming composition described above. Since the light emitting layer 13 is formed using the said composition for cured film formation, the fall of the fluorescence quantum yield of QD can be suppressed, for example, it can be set as a light emitting layer with high color reproducibility.

波長変換基板11は、発光層13のそれぞれが含有するQDにより、光源基板18の光源17からの励起光を波長変換し、所望とする波長の蛍光を発する。波長変換基板11では、第1発光層13aと第2発光層13bと第3発光層13cとが、それぞれ異なるQDを含んで構成され、異なる蛍光を発することができる。例えば波長変換基板11は、第1発光層13aが励起光を赤色の光に変換し、第2発光層13bが励起光を緑色の光に変換し、第3発光層13cが励起光を青色の光に変換するように構成することができる。   The wavelength conversion substrate 11 converts the wavelength of excitation light from the light source 17 of the light source substrate 18 by QD contained in each of the light emitting layers 13 and emits fluorescence having a desired wavelength. In the wavelength conversion substrate 11, the first light-emitting layer 13a, the second light-emitting layer 13b, and the third light-emitting layer 13c are configured to include different QDs, and can emit different fluorescence. For example, in the wavelength conversion substrate 11, the first light emitting layer 13a converts excitation light into red light, the second light emitting layer 13b converts excitation light into green light, and the third light emitting layer 13c converts the excitation light into blue light. It can be configured to convert to light.

その場合、各発光層13a、13b、13cは、それぞれが所望とする蛍光特性を有するように、含有するQDの選択がなされる。そのため、波長変換基板11の各発光層13a、13b、13cの形成においては、異なる発光特性のQDを含む、例えば3種の硬化膜形成用組成物が準備される。   In that case, the QDs to be contained are selected so that each of the light emitting layers 13a, 13b, and 13c has a desired fluorescence characteristic. Therefore, in the formation of each light emitting layer 13a, 13b, 13c of the wavelength conversion substrate 11, for example, three kinds of compositions for forming a cured film containing QDs having different light emission characteristics are prepared.

波長変換基板11の発光層13の平均厚さの下限としては、100nmが好ましく、1μmがより好ましい。また、上記平均厚さの上限としては、100μmが好ましい。上記平均厚さが上記下限未満であると、励起光を十分吸収することができず、光変換効率が低下するために発光表示素子の輝度が十分に確保できないといった問題が生じる可能性がある。   As a minimum of the average thickness of the light emitting layer 13 of the wavelength conversion board | substrate 11, 100 nm is preferable and 1 micrometer is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said average thickness, 100 micrometers is preferable. If the average thickness is less than the lower limit, excitation light cannot be sufficiently absorbed, and light conversion efficiency is lowered, so that there is a possibility that the luminance of the light emitting display element cannot be sufficiently secured.

第1基材12上の各発光層13の間には、ブラックマトリクス14が配置されている。ブラックマトリクス14は、公知の遮光性の材料を用い、公知の方法に従ってパターニングして形成することができる。なお、ブラックマトリクス14は、波長変換基板11において、必須の構成要素ではなく、波長変換基板11は、ブラックマトリクス14を設けない構成とすることも可能である。   A black matrix 14 is disposed between the light emitting layers 13 on the first substrate 12. The black matrix 14 can be formed by using a known light-shielding material and patterning it according to a known method. Note that the black matrix 14 is not an essential component in the wavelength conversion substrate 11, and the wavelength conversion substrate 11 may be configured without the black matrix 14.

接着剤層15は、後述する紫外光又は青色光を透過する公知の接着剤を用いて形成される。なお、接着剤層15は、図1に示すように、第1基材12上に各発光層13の全面を被覆するように設ける必要はなく、波長変換基板11の外縁のみに設けることも可能である。   The adhesive layer 15 is formed using a known adhesive that transmits ultraviolet light or blue light described later. As shown in FIG. 1, the adhesive layer 15 does not have to be provided on the first base 12 so as to cover the entire surface of each light emitting layer 13, and can be provided only on the outer edge of the wavelength conversion substrate 11. It is.

光源基板18は、第2基材16と、第2基材16の波長変換基板11側に配置された光源17とを備えている。光源17からはそれぞれ励起光として紫外光又は青色光が出射される。   The light source substrate 18 includes a second base material 16 and a light source 17 disposed on the wavelength conversion substrate 11 side of the second base material 16. From the light source 17, ultraviolet light or blue light is emitted as excitation light, respectively.

光源17(17a、17b、17c)としては、特に限定されるものではなく、公知の構造の紫外発光有機EL素子、青色発光有機EL素子等の使用が可能であり、公知の製造方法により作製することが可能である。ここで、紫外光としては、主発光ピークが360nm以上435nm以下であることが好ましく、青色光としては、主発光ピークが435nmを超えて480nm以下であることが好ましい。光源17は、それぞれの出射光が対向する発光層13を照射するように、指向性を有していることが好ましい。   The light source 17 (17a, 17b, 17c) is not particularly limited, and an ultraviolet light emitting organic EL element, a blue light emitting organic EL element, or the like having a known structure can be used, and is manufactured by a known manufacturing method. It is possible. Here, as the ultraviolet light, the main emission peak is preferably 360 nm or more and 435 nm or less, and as the blue light, the main emission peak is preferably more than 435 nm and not more than 480 nm. It is preferable that the light source 17 has directivity so that each emitted light irradiates the light emitting layer 13 which opposes.

発光表示素子100は、第1光源17aからの励起光を波長変換基板11の第1発光層13aのQDにより波長変換する。同様に、第2光源17bからの励起光を波長変換基板11の第2発光層13bのQDにより波長変換し、第3光源17cからの励起光を波長変換基板11の第3発光層13cのQDにより波長変換する。このようにして、各光源17からの励起光が、それぞれ所望とする波長の可視光に変換されて表示に用いられる。   The light emitting display element 100 converts the wavelength of the excitation light from the first light source 17a by the QD of the first light emitting layer 13a of the wavelength conversion substrate 11. Similarly, the excitation light from the second light source 17b is wavelength-converted by the QD of the second light-emitting layer 13b of the wavelength conversion substrate 11, and the excitation light from the third light source 17c is QD of the third light-emitting layer 13c of the wavelength conversion substrate 11. To convert the wavelength. In this way, the excitation light from each light source 17 is converted into visible light having a desired wavelength and used for display.

発光表示素子100においては、第1発光層13aの設けられた部分が、赤色表示を行うサブ画素を構成する。すなわち、波長変換基板11の第1発光層13aは、光源基板18の対向する第1光源17aからの励起光を赤色光に変換する。また、第2発光層13bの設けられた部分が、緑色表示を行うサブ画素を構成する。すなわち、第2発光層13bは、光源基板18の対向する第2光源17bからの励起光を緑色光に変換する。また、第3発光層13cの設けられた部分が、青色表示を行うサブ画素を構成する。例えば励起光として紫外光を用いる場合、第3発光層13cは、光源基板18の対向する第3光源17cからの紫外光を青色光に変換する。   In the light emitting display element 100, the portion where the first light emitting layer 13a is provided constitutes a sub-pixel that performs red display. That is, the first light emitting layer 13a of the wavelength conversion substrate 11 converts the excitation light from the first light source 17a facing the light source substrate 18 into red light. In addition, the portion where the second light emitting layer 13b is provided constitutes a sub-pixel that performs green display. That is, the second light emitting layer 13b converts the excitation light from the second light source 17b facing the light source substrate 18 into green light. Further, the portion where the third light emitting layer 13c is provided constitutes a sub-pixel that performs blue display. For example, when ultraviolet light is used as the excitation light, the third light emitting layer 13c converts the ultraviolet light from the third light source 17c facing the light source substrate 18 into blue light.

なお、発光表示素子100においては、第3光源17cからの励起光として青色光を用いることもできる。この場合、波長変換基板11は、第3発光層13cの代わりに樹脂中に光散乱粒子を分散して構成された光散乱層を用いることも可能である。こうすることで、励起光である青色光を波長変換することなく、そのままの波長特性で使用することができる。   In the light emitting display element 100, blue light can also be used as excitation light from the third light source 17c. In this case, the wavelength conversion substrate 11 may use a light scattering layer configured by dispersing light scattering particles in a resin instead of the third light emitting layer 13c. In this way, the blue light that is the excitation light can be used as it is without converting the wavelength.

発光表示素子100は、第1発光層13aを備えたサブ画素、第2発光層13bを備えたサブ画素及び第3発光層13cを備えたサブ画素の3種のサブ画素により、画像を構成する最小単位となる1つの画素を構成する。   The light-emitting display element 100 forms an image by three types of sub-pixels: a sub-pixel including the first light-emitting layer 13a, a sub-pixel including the second light-emitting layer 13b, and a sub-pixel including the third light-emitting layer 13c. One pixel as a minimum unit is formed.

以上の構成を有する発光表示素子100は、第1発光層13aを備えたサブ画素、第2発光層13bを備えたサブ画素及び第3発光層13cを備えたサブ画素毎に、赤色、緑色又は青色の光の発光が制御され、フルカラーの表示が行われる。   The light-emitting display element 100 having the above configuration includes red, green, or green for each sub-pixel including the first light-emitting layer 13a, sub-pixel including the second light-emitting layer 13b, and sub-pixel including the third light-emitting layer 13c. The emission of blue light is controlled, and full color display is performed.

なお、発光表示素子100においては、発光層13と第1基材12との間に、カラーフィルタを設けることが可能である。すなわち、第1発光層13aと第1基材12との間に赤色のカラーフィルタを設け、第2発光層13bと第1基材12との間に緑色のカラーフィルタを設け、第3発光層13cと第1基材12との間に青色のカラーフィルタを設けることができる。これにより、表示の色の純度を高めることができる。ここで、カラーフィルタとしては、液晶表示素子用等として公知のものを公知の方法で形成して用いることができる。   In the light emitting display element 100, a color filter can be provided between the light emitting layer 13 and the first substrate 12. That is, a red color filter is provided between the first light emitting layer 13a and the first base material 12, a green color filter is provided between the second light emitting layer 13b and the first base material 12, and the third light emitting layer is provided. A blue color filter can be provided between 13c and the first substrate 12. Thereby, the purity of the display color can be increased. Here, as a color filter, what is known for liquid crystal display elements etc. can be formed and used by a well-known method.

<硬化膜の形成方法>
当該硬化膜の形成方法は、基板の一方の面側に塗膜を形成する工程(以下、「塗膜形成工程」ともいう)、上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射(露光)する工程(以下、「放射線照射工程」ともいう)、放射線照射後の塗膜を現像する工程(以下、「塗膜現像工程」ともいう)、及び塗膜を加熱する工程(以下、「塗膜加熱工程」ともいう)を備え、感放射線性化合物を含有する当該硬化膜形成用組成物により上記塗膜を形成する。
<Method for forming cured film>
The method for forming the cured film includes a step of forming a coating film on one surface side of the substrate (hereinafter also referred to as “coating film forming step”), and a step of irradiating (exposing) radiation to at least a part of the coating film. (Hereinafter also referred to as “radiation irradiation step”), a step of developing the coating film after radiation irradiation (hereinafter also referred to as “coating layer development step”), and a step of heating the coating layer (hereinafter referred to as “coating layer heating step”). The said coating film is formed with the said composition for cured film formation containing a radiation sensitive compound.

当該硬化膜の形成方法によれば、上述した当該硬化膜形成用組成物を用いているため、QDの蛍光量子収率の低下が抑制された硬化膜を容易かつ確実に形成することができる。以下、各工程についてそれぞれ説明する。   According to the cured film forming method, since the cured film forming composition described above is used, it is possible to easily and reliably form a cured film in which a decrease in the fluorescence quantum yield of QD is suppressed. Hereinafter, each step will be described.

[塗膜形成工程]
塗膜形成工程では、例えば当該硬化膜形成用組成物を基板上に塗布することにより塗膜を形成する。当該硬化膜形成用組成物を塗布後、塗布面を加熱(プレベーク)することにより溶媒等を除去してもよい。
[Coating film forming process]
In the coating film forming process, for example, the coating film is formed by applying the composition for forming a cured film on a substrate. After applying the composition for forming a cured film, the solvent or the like may be removed by heating (pre-baking) the coating surface.

塗膜を形成する基板の材質としては、特に限定されるものではないが、例えばガラス、石英、シリコン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂の具体例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの付加重合体、環状オレフィンの開環重合体、その水素添加物等が挙げられる。また、これらの基板には、所望により、シランカップリング剤等による薬剤処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、真空蒸着等の前処理を施しておいてもよい。   The material of the substrate on which the coating film is formed is not particularly limited, and examples thereof include glass, quartz, silicon, and resin. Specific examples of the resin include, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin addition polymer, cyclic olefin ring-opening polymer, and hydrogenated product thereof. It is done. In addition, these substrates may be subjected to pretreatment such as chemical treatment with a silane coupling agent, plasma treatment, ion plating, sputtering, vacuum deposition, or the like, if desired.

当該硬化膜形成用組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法及びスリットダイ塗布法が好ましい。加熱(プレベーク)の条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、例えば70℃以上130℃以下の温度で1分以上10分以下の加熱時間とすればよい。   The coating method of the cured film forming composition is not particularly limited, and for example, a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or the like may be employed. it can. Among these coating methods, spin coating and slit die coating are preferable. The heating (pre-baking) conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, and the like.

[放射線照射工程]
放射線照射工程では、基板上に形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する。塗膜の一部にのみ放射線を照射する際には、例えば所望の形状のパターンを有するフォトマスクを介して放射線を照射してもよい。このフォトマスクを用いることにより、照射された放射線の一部がフォトマスクを通過し、その一部の放射線が塗膜に照射される。
[Radiation irradiation process]
In the radiation irradiation step, at least a part of the coating film formed on the substrate is irradiated with radiation. When irradiating only a part of the coating film with radiation, the radiation may be irradiated through a photomask having a pattern of a desired shape, for example. By using this photomask, part of the irradiated radiation passes through the photomask, and part of the radiation is irradiated onto the coating film.

照射に使用される放射線としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等が挙げられる。これらの放射線の中でも、波長が190nm以上450nm以下の範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。   Examples of radiation used for irradiation include visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, and X-rays. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation including ultraviolet light of 365 nm is more preferable.

放射線照射工程における積算照射量(露光量)の下限としては、100J/mが好ましく、200J/mがより好ましい。また、上記積算照射量の上限としては、2,000J/mが好ましく、1,000J/mがより好ましい。なお、本明細書において「積算照射量」とは、放射線の波長365nmにおける強度を照度計(例えばOAI Optical Associates Inc.社の「OAI model 356」)により測定した値の積算値をいう。 The lower limit of the integrated irradiation amount (exposure amount) in the radiation irradiation step is preferably 100 J / m 2 and more preferably 200 J / m 2 . Moreover, as an upper limit of the said integrated irradiation amount, 2,000 J / m < 2 > is preferable and 1,000 J / m < 2 > is more preferable. In this specification, the “integrated dose” refers to an integrated value of values obtained by measuring the intensity of radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (for example, “OAI model 356” manufactured by OAI Optical Associates Inc.).

[塗膜現像工程]
塗膜現像工程では、放射線照射後の塗膜を現像して不要な部分を除去する。
[Coating film development process]
In the coating film developing process, the coating film after irradiation is developed to remove unnecessary portions.

現像に使用される現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解した水溶液を使用することができる。上述のアルカリ性化合物の水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒を適当量添加して使用することもできる。   Examples of the developer used for development include at least one alkaline compound such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and the like. An aqueous solution in which is dissolved can be used. An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol can be added to the aqueous solution of the alkaline compound described above.

現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、スプレー法等が挙げられる。現像時間は、硬化膜形成用組成物の組成によって異なるが、その現像時間の下限としては、5秒が好ましく、10秒がより好ましい。また、現像時間の上限としては、300秒が好ましく、180秒がより好ましい。現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒以上90秒以下の時間で行った後、圧縮空気や圧縮窒素で乾燥させることにより、所望のパターンが得られる。   Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, and a spray method. The development time varies depending on the composition of the cured film forming composition, but the lower limit of the development time is preferably 5 seconds, and more preferably 10 seconds. Further, the upper limit of the development time is preferably 300 seconds, and more preferably 180 seconds. Following the development process, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then drying with compressed air or compressed nitrogen provides a desired pattern.

[塗膜加熱工程]
塗膜加熱工程では、塗膜を、ホットプレート、オーブン等の適当な加熱装置により加熱する(ポストベーク)。これにより基板上に硬化膜が形成される。
[Coating film heating process]
In the coating film heating step, the coating film is heated by a suitable heating device such as a hot plate or an oven (post-baking). Thereby, a cured film is formed on the substrate.

本工程の加熱温度の下限としては100℃が好ましい。また、上記加熱温度の上限としては250℃が好ましい。加熱をホットプレートで行う場合、加熱時間の下限としては、5分が好ましく、上限としては30分が好ましい。また、加熱をオーブン中で行う場合、加熱時間の下限としては10分が好ましく、上限としては180分が好ましい。   The lower limit of the heating temperature in this step is preferably 100 ° C. The upper limit of the heating temperature is preferably 250 ° C. When heating is performed with a hot plate, the lower limit of the heating time is preferably 5 minutes, and the upper limit is preferably 30 minutes. When heating is performed in an oven, the lower limit of the heating time is preferably 10 minutes, and the upper limit is preferably 180 minutes.

上述した発光表示素子100の発光層の形成に上記方法を適用する場合は、3種の硬化膜形成用組成物をそれぞれ用いて、上述した工程を含む発光層の形成方法を繰り返して、第1発光層13a、第2発光層13b及び第3発光層13cをそれぞれ形成すればよい。   When the above method is applied to the formation of the light emitting layer of the light emitting display element 100 described above, the method for forming the light emitting layer including the above steps is repeated using each of the three types of cured film forming compositions. The light emitting layer 13a, the second light emitting layer 13b, and the third light emitting layer 13c may be formed.

<分散液>
当該分散液は、QD、酸性官能基を含む分散剤、及び溶媒を含有し、上記分散剤の酸価が5mgKOH/g以上150mgKOH/g以下の分散液である。当該分散液は、上述した当該硬化膜形成用組成物を調製する際に、[C]QD及び[D]分散剤を配合する原料液として好適である。即ち、当該分散液に含有されるQD及び酸性官能基を含む分散剤は、それぞれ上述した当該硬化膜形成用組成物の[C]QD及び[D]分散剤と同様である。また、当該分散液に含有される溶媒は、上述した当該硬化膜形成用組成物の任意成分として説明した[F]溶媒と同様である。よって、当該分散液のQD、酸性官能基を含む分散剤、及び溶媒については、それぞれ当該硬化膜形成用組成物の[C]QD、[D]分散剤及び[F]溶媒として説明しているので、ここでは説明を省略する。なお、当該硬化膜形成用組成物は、当該分散液を用いずに、例えば[F]溶媒中に、[A]バインダーポリマー、[B]重合性化合物、[C]QD、[D]分散剤等を順次配合することによっても調製できる。
<Dispersion>
The dispersion contains QD, a dispersant containing an acidic functional group, and a solvent, and the dispersant has an acid value of 5 mgKOH / g or more and 150 mgKOH / g or less. The said dispersion liquid is suitable as a raw material liquid which mix | blends [C] QD and a [D] dispersing agent, when preparing the said composition for cured film formation mentioned above. That is, the dispersant containing QD and acidic functional group contained in the dispersion is the same as [C] QD and [D] dispersant of the cured film forming composition described above, respectively. The solvent contained in the dispersion is the same as the [F] solvent described as an optional component of the cured film-forming composition described above. Therefore, the QD of the dispersion, the dispersant containing an acidic functional group, and the solvent are described as [C] QD, [D] dispersant, and [F] solvent of the cured film forming composition, respectively. Therefore, explanation is omitted here. In addition, the said composition for cured film formation does not use the said dispersion liquid, for example, in [F] solvent, [A] binder polymer, [B] polymeric compound, [C] QD, [D] dispersing agent. Etc. can also be prepared by blending them sequentially.

当該分散液の固形分中のQDの含有量の下限としては、1質量%が好ましく、2質量%がより好ましく、3質量%がさらに好ましい。また、当該分散液の固形分中のQDの含有量の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい。上記含有量を上記範囲とすることにより、当該硬化膜形成用組成物の調製がより容易となる。   As a minimum of content of QD in solid content of the dispersion, 1 mass% is preferred, 2 mass% is more preferred, and 3 mass% is still more preferred. Further, the upper limit of the content of QD in the solid content of the dispersion is preferably 50% by mass, more preferably 40% by mass, and further preferably 30% by mass. By making the content within the above range, the preparation of the cured film forming composition becomes easier.

当該分散液の固形分中の酸性官能基を含む分散剤の含有量の下限としては、1質量%が好ましく、2質量%がより好ましく、3質量%がさらに好ましい。また、当該分散液の固形分中の酸性官能基を含む分散剤の含有量の上限としては、99質量%が好ましく、95質量%がより好ましく、90質量%がさらに好ましい。上記含有量を上記範囲とすることにより、当該硬化膜形成用組成物の調製がより容易となる。   As a minimum of content of a dispersing agent containing an acidic functional group in solid content of the dispersion, 1 mass% is preferred, 2 mass% is more preferred, and 3 mass% is still more preferred. Moreover, as an upper limit of content of the dispersing agent containing the acidic functional group in the solid content of the dispersion, 99% by mass is preferable, 95% by mass is more preferable, and 90% by mass is further preferable. By making the content within the above range, the preparation of the cured film forming composition becomes easier.

当該分散液の固形分濃度の下限としては、1質量%が好ましく、3質量%がより好ましく、5質量%がさらに好ましい。また、当該分散液の固形分濃度の上限としては、80質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、60質量%がさらに好ましい。上記固形分濃度を上記範囲とすることにより、当該硬化膜形成用組成物の調製がより容易となる。   The lower limit of the solid content concentration of the dispersion is preferably 1% by mass, more preferably 3% by mass, and even more preferably 5% by mass. Moreover, as an upper limit of the solid content density | concentration of the said dispersion liquid, 80 mass% is preferable, 70 mass% is more preferable, and 60 mass% is further more preferable. By making the said solid content density | concentration into the said range, preparation of the said composition for cured film formation becomes easier.

当該分散液は、上記成分以外に保存安定剤、接着助剤等のその他の成分を含有してもよい。上記その他の成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。当該分散液が上記その他の成分を含有する場合、その含有量の上限としては10質量%程度である。   The dispersion may contain other components such as a storage stabilizer and an adhesion aid in addition to the above components. The other components may be used alone or in combination of two or more. When the said dispersion contains the said other component, as an upper limit of the content, it is about 10 mass%.

なお、当該分散液は、当該硬化膜形成用組成物の原料液としての用途に限定されるものではない。例えば当該分散液と熱可塑性樹脂とを混合した樹脂組成物を調製し、これを製膜することにより、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる発光フィルムを製造することもできる。また、当該分散液とアルカリや溶剤に可溶な樹脂と光硬化性化合物とを混合した樹脂組成物を調製し、これをパターニングすることにより、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる発光パターンを製造することもできる。また、当該分散液と熱硬化性組成物とを混合した樹脂組成物を調製し、これを青色発光ダイオードの封止部分にポッティングすることにより、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる白色発光ダイオードを製造することもできる。また当該分散液と熱又は光硬化性組成物とを混合した樹脂組成物を調製し、これをガラスキャピラリーに封じ込めて硬化させることにより、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる発光ガラスキャピラリーを製造することもできる。   In addition, the said dispersion liquid is not limited to the use as a raw material liquid of the said composition for cured film formation. For example, a light-emitting film that can suppress a decrease in the fluorescence quantum yield of QD can be produced by preparing a resin composition obtained by mixing the dispersion and a thermoplastic resin and forming the resin composition. Moreover, the light emission pattern which can suppress the fall of the fluorescence quantum yield of QD by preparing the resin composition which mixed the resin and photocurable compound which are soluble in the said dispersion liquid and an alkali or a solvent, and patterning this Can also be manufactured. Moreover, white light emission which can suppress the fall of the fluorescence quantum yield of QD is prepared by preparing the resin composition which mixed the said dispersion liquid and a thermosetting composition, and potting this to the sealing part of a blue light emitting diode. Diodes can also be manufactured. Also, a luminescent glass capillary capable of suppressing a decrease in QD fluorescence quantum yield is prepared by preparing a resin composition in which the dispersion and the heat or photocurable composition are mixed, encapsulating the resin composition in a glass capillary, and curing the resin composition. It can also be manufactured.

<他の実施形態>
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば上記好適な実施形態では、本発明の硬化膜形成用組成物を発光表示素子のサブ画素に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されず、液晶ディスプレイのバックライトユニット等にも適用することができる。例えばバックライトユニットの光源として青色発光ダイオードを用いる場合、上述したG−QD及びR−QDを含む本発明の硬化膜形成用組成物により得られた硬化膜と組み合わせることで、純度の高い白色光を再現できる。
<Other embodiments>
The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to these embodiments. For example, in the above preferred embodiment, an example in which the composition for forming a cured film of the present invention is applied to a sub-pixel of a light-emitting display element has been described. However, the present invention is not limited to this, and is applied to a backlight unit of a liquid crystal display. Can also be applied. For example, when a blue light emitting diode is used as a light source of a backlight unit, white light with high purity can be obtained by combining with the cured film obtained by the cured film forming composition of the present invention including G-QD and R-QD described above. Can be reproduced.

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

[重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)及び分子量分布(Mw/Mn)]
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりMw及びMnを測定した。また、分子量分布(Mw/Mn)は得られたMw及びMnより算出した。
[Weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution (Mw / Mn)]
Mw and Mn were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was calculated from the obtained Mw and Mn.

装置:昭和電工社の「GPC−101」
カラム:昭和電工社の「GPC−KF−801」、「GPC−KF−802」、「GPC−KF−803」及び「GPC−KF−804」を連結したもの
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
Equipment: “GPC-101” from Showa Denko
Column: Concatenated “GPC-KF-801”, “GPC-KF-802”, “GPC-KF-803” and “GPC-KF-804” from Showa Denko KK Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C.
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene

<バインダーポリマー([a]ポリマー)の合成>
[合成例1]ポリマー(A−1)の合成
冷却管と攪拌機を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150質量部を仕込んで窒素置換した。80℃に加熱して、同温度で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート50質量部、メタクリル酸10質量部、メタクリル酸シクロヘキシル30質量部、スチレン10質量部、コハク酸モノ(2−メタクリロイルオキシエチル)20質量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル3質量部、メタクリル酸2−エチルヘキシル15質量部、N−フェニルマレイミド12質量部及び2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)6質量部の混合溶液を2時間かけて滴下し、この温度を保持して1時間重合した。その後、反応溶液の温度を90℃に昇温させ、さらに1時間重合することにより、ポリマー(A−1)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液(固形分濃度:33質量%)を得た。得られたポリマー(A−1)は、Mw=10,800、Mn=5,900、Mw/Mn=1.83であった。
<Synthesis of binder polymer ([a] polymer)>
[Synthesis Example 1] Synthesis of Polymer (A-1) A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 150 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate and purged with nitrogen. Heat to 80 ° C., and at the same temperature, 50 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate, 10 parts by weight of methacrylic acid, 30 parts by weight of cyclohexyl methacrylate, 10 parts by weight of styrene, 20 parts by weight of mono (2-methacryloyloxyethyl) succinate Solution of 3 parts by weight, 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate, 15 parts by weight of 2-ethylhexyl methacrylate, 12 parts by weight of N-phenylmaleimide and 6 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) Was added dropwise over 2 hours, and polymerization was carried out for 1 hour while maintaining this temperature. Thereafter, the temperature of the reaction solution was raised to 90 ° C., and further polymerized for 1 hour to obtain a propylene glycol monomethyl ether acetate solution (solid content concentration: 33% by mass) of the polymer (A-1). The obtained polymer (A-1) was Mw = 10,800, Mn = 5,900, and Mw / Mn = 1.83.

<硬化膜形成用組成物の調製、硬化膜の形成、及び物性評価>
各硬化膜形成用組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。
<Preparation of composition for forming cured film, formation of cured film, and evaluation of physical properties>
Each component used for preparation of each composition for forming a cured film is shown below.

[[A]バインダーポリマー]
A−1:ポリマー(A−1)
[[A] Binder polymer]
A-1: Polymer (A-1)

[[B]重合性化合物]
B−1:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
[[B] polymerizable compound]
B-1: Dipentaerythritol hexaacrylate

[[C]QD]
C−1:コアシェル構造型半導体量子ドットであるInP/ZnS(平均粒径:4nm)
[[C] QD]
C-1: InP / ZnS (average particle diameter: 4 nm) which is a core-shell structure type semiconductor quantum dot

[[D]分散剤]
D−1:メタクリル酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体(酸価101mgKOH/g)
D−2:2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/ベンジルメタクリレートブロック共重合体(酸価53mgKOH/g)
D−3:2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸/トリシクロデシルメタクリレートブロック共重合体(酸価11mgKOH/g)
上記[D]分散剤は、いずれもカルボキシ基を含み、かつ比較的親水性が低いポリマーブロック(I)と、比較的親水性が高いポリマーブロック(II)とを有するブロック共重合体である。
[[D] Dispersant]
D-1: Methacrylic acid / benzyl methacrylate block copolymer (acid value 101 mgKOH / g)
D-2: 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / benzyl methacrylate block copolymer (acid value 53 mgKOH / g)
D-3: 2-methacryloyloxyethyl succinic acid / tricyclodecyl methacrylate block copolymer (acid value 11 mgKOH / g)
The above [D] dispersant is a block copolymer having a carboxy group and a polymer block (I) having a relatively low hydrophilicity and a polymer block (II) having a relatively high hydrophilicity.

[[E]感放射線性化合物]
E−1:ジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド(BASF社の「LUCIRIN TPO」)
E−2:2−メチル−1−(4−メチルチオフェニル)−2−モルホリノプロパン−1−オン(BASF社の「イルガキュア907」)
E−3:エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−アセチルオキシム)(BASF社の「イルガキュアOXE02」)
E−4:1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)−2−(O−ベンゾイルオキシム)](BASF社の「イルガキュアOXE01」)
[[E] Radiation sensitive compound]
E-1: Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide ("LUCIRIN TPO" from BASF)
E-2: 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one ("Irgacure 907" from BASF)
E-3: Ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9. H. -Carbazol-3-yl]-, 1- (O-acetyloxime) ("Irgacure OXE02" from BASF)
E-4: 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (“Irgacure OXE01” from BASF)

[[F]溶媒]
F−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
[[F] solvent]
F-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

[実施例1]
上記合成したポリマー(A−1)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液90質量部([A]バインダーポリマーとしての(A−1)30質量部、及び[F]溶媒としての(F−1)60質量部を含有)に、[B]重合性化合物としての(B−1)30質量部、[C]QDとしての(C−1)10質量部、[D]分散剤としての(D−1)2質量部、及び[E]感放射線性化合物としての(E−1)5質量部を加え、実施例1の硬化膜形成用組成物を調製した。
[Example 1]
90 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate solution of the synthesized polymer (A-1) (30 parts by mass of (A-1) as [A] binder polymer and 60 parts by mass of (F-1) as solvent [F]. (B-1) as a polymerizable compound (B-1) 30 parts by mass, [C] QD as (C-1) 10 parts by mass, [D] as a dispersant (D-1) 2 parts by mass and 5 parts by mass of (E-1) as a radiation sensitive compound [E] were added to prepare a composition for forming a cured film of Example 1.

[実施例2、実施例3及び比較例1]
各配合成分の種類及び配合量を下記表1に記載の通りとしたこと以外は、実施例1と同様にして各硬化膜形成用組成物を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
[Example 2, Example 3 and Comparative Example 1]
Each cured film forming composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the types and blending amounts of the blending components were as shown in Table 1 below. In Table 1, “-” indicates that the corresponding component was not used.

得られた各硬化膜形成用組成物について、下記の方法に従い評価した。評価結果を表1に示す。   About each obtained composition for cured film formation, it evaluated in accordance with the following method. The evaluation results are shown in Table 1.

[蛍光量子収率]
蛍光量子収率は、下記形成方法により得られた硬化膜について、絶対PL蛍光量子収率測定装置(浜松ホトニクス社の「C11347−01」)を用いて、25℃において測定した。また、別途、下記形成方法により得られた硬化膜をクリーンオーブンにて180℃×20分の加熱処理(ポストベーク)を行った後に、上記と同様の方法で蛍光量子収率を測定した。前者の蛍光量子収率を「未処理」とし、後者の蛍光量子収率を「熱処理後」として表1に示す。
[Fluorescence quantum yield]
The fluorescence quantum yield was measured at 25 ° C. using an absolute PL fluorescence quantum yield measurement apparatus (“C11347-01” from Hamamatsu Photonics) for a cured film obtained by the following formation method. Separately, the cured film obtained by the following forming method was subjected to a heat treatment (post-baking) at 180 ° C. for 20 minutes in a clean oven, and then the fluorescence quantum yield was measured by the same method as described above. Table 1 shows the former fluorescence quantum yield as “untreated” and the latter fluorescence quantum yield as “after heat treatment”.

(硬化膜の形成方法)
無アルカリガラス基板上に、各硬化膜形成用組成物をスピンナにより塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより塗膜を形成した。次に、得られた塗膜に、フォトマスクを介さずに、高圧水銀ランプを用いて365nm、405nm及び436nmの各波長を含む放射線を700J/mの積算照射量で照射することにより、平均厚さ5μmの硬化膜を形成した。
(Method for forming cured film)
After coating each composition for forming a cured film on an alkali-free glass substrate with a spinner, a coating film was formed by prebaking on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes. Next, the obtained coating film was irradiated with radiation including wavelengths of 365 nm, 405 nm, and 436 nm at a cumulative dose of 700 J / m 2 using a high-pressure mercury lamp without using a photomask. A cured film having a thickness of 5 μm was formed.

[蛍光量子収率の変化率]
蛍光量子収率の変化率は、上記未処理の蛍光量子収率をΦとし、上記熱処理後の蛍光量子収率をΦとして以下の式で算出した。この蛍光量子収率の変化率が小さいほど、ポストベーク後の[C]QDの蛍光量子収率の低下が抑制されていると評価できる。
蛍光量子収率の変化率(%)={(Φ−Φ)/Φ}×100
[Change rate of fluorescence quantum yield]
The rate of change of fluorescence quantum yield, fluorescence quantum yield of the untreated and [Phi 1, was calculated by the following formula fluorescence quantum yield after the heat treatment as [Phi 2. It can be evaluated that the decrease in the fluorescence quantum yield of [C] QD after post-baking is suppressed as the change rate of the fluorescence quantum yield is smaller.
Change rate of fluorescence quantum yield (%) = {(Φ 1 −Φ 2 ) / Φ 1 } × 100

Figure 2017025165
Figure 2017025165

表1の結果から明らかなように、実施例は、未処理及び熱処理後の蛍光量子収率、並びに蛍光量子収率の変化率がいずれも良好であった。これに対し、比較例1は、上記評価項目のいずれについても実施例に比べ劣っていた。   As is clear from the results in Table 1, in Examples, the fluorescence quantum yield after treatment and heat treatment, and the change rate of the fluorescence quantum yield were all good. On the other hand, Comparative Example 1 was inferior to Examples for any of the above evaluation items.

本発明によれば、QDの蛍光量子収率の低下を抑制できる硬化膜形成用組成物、当該硬化膜形成用組成物により得られる硬化膜、当該硬化膜形成用組成物により形成される硬化膜を備える発光表示素子、当該硬化膜の形成方法及び当該硬化膜形成用組成物に好適な分散液を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cured film formation composition which can suppress the fall of the fluorescence quantum yield of QD, the cured film obtained by the said cured film formation composition, The cured film formed with the said composition for cured film formation The dispersion liquid suitable for the light emitting display element provided with this, the formation method of the said cured film, and the said composition for cured film formation can be provided.

11 波長変換基板
12 第1基材
13 発光層
13a 第1発光層
13b 第2発光層
13c 第3発光層
14 ブラックマトリクス
15 接着剤層
16 第2基材
17 光源
17a 第1光源
17b 第2光源
17c 第3光源
18 光源基板
100 発光表示素子
11 wavelength conversion substrate 12 first base material 13 light emitting layer 13a first light emitting layer 13b second light emitting layer 13c third light emitting layer 14 black matrix 15 adhesive layer 16 second base material 17 light source 17a first light source 17b second light source 17c Third light source 18 Light source substrate 100 Light emitting display element

Claims (9)

バインダーポリマー、
重合性化合物、
半導体量子ドット、及び
酸性官能基を含む分散剤
を含有し、
上記分散剤の酸価が5mgKOH/g以上150mgKOH/g以下である硬化膜形成用組成物。
Binder polymer,
Polymerizable compounds,
Containing a semiconductor quantum dot and a dispersant containing an acidic functional group,
A composition for forming a cured film, wherein the acid value of the dispersant is from 5 mgKOH / g to 150 mgKOH / g.
上記分散剤が酸性官能基としてカルボキシ基、スルホ基又はこれらの組み合わせを含む請求項1に記載の硬化膜形成用組成物。   The composition for forming a cured film according to claim 1, wherein the dispersant contains a carboxy group, a sulfo group, or a combination thereof as an acidic functional group. 上記分散剤が、第1繰り返し単位からなる第1ブロックと、第1繰り返し単位よりも親水性の高い第2繰り返し単位からなる第2ブロックとを有するブロック共重合体である請求項1又は請求項2に記載の硬化膜形成用組成物。   The said dispersing agent is a block copolymer which has the 1st block which consists of a 1st repeating unit, and the 2nd block which consists of a 2nd repeating unit whose hydrophilicity is higher than a 1st repeating unit. 2. The composition for forming a cured film as described in 2. 上記バインダーポリマーとして、アルカリ可溶性樹脂を含有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載の硬化膜形成用組成物。   The composition for forming a cured film according to claim 1, wherein the binder polymer contains an alkali-soluble resin. 感放射線性化合物をさらに含有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の硬化膜形成用組成物。   The composition for forming a cured film according to any one of claims 1 to 4, further comprising a radiation-sensitive compound. 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の硬化膜形成用組成物により形成される硬化膜。   The cured film formed with the composition for cured film formation of any one of Claims 1-5. 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の硬化膜形成用組成物により形成される硬化膜を備える発光表示素子。   A light emitting display element provided with the cured film formed of the composition for cured film formation of any one of Claims 1-5. 基板の一方の面側に塗膜を形成する工程、
上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
放射線照射後の上記塗膜を現像する工程、及び
現像後の上記塗膜を加熱する工程
を備え、
上記塗膜を請求項5に記載の硬化膜形成用組成物により形成する硬化膜の形成方法。
Forming a coating film on one side of the substrate;
Irradiating at least a part of the coating film with radiation,
A step of developing the coating film after irradiation, and a step of heating the coating film after development,
The formation method of the cured film which forms the said coating film with the composition for cured film formation of Claim 5.
半導体量子ドット、
酸性官能基を含む分散剤、及び
溶媒
を含有し、
上記分散剤の酸価が5mgKOH/g以上150mgKOH/g以下である分散液。
Semiconductor quantum dots,
Containing a dispersant containing an acidic functional group, and a solvent,
A dispersion in which the acid value of the dispersant is 5 mgKOH / g or more and 150 mgKOH / g or less.
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