JP2017022151A - Multilayer wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

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Shinya Suzuki
慎也 鈴木
拓弥 鳥居
Takuya Torii
拓弥 鳥居
真宏 井上
Masahiro Inoue
真宏 井上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer wiring board capable of improving reliability by reducing damage to a conductor layer due to a laser and making ruggedness unlikely to be generated on a surface of the conductor layer.SOLUTION: A multilayer wiring board 10 is structured by alternately laminating resin insulation layers 21 and 22 and a conductor layer 30. The resin insulation layers 21 and 22 include the first resin insulation layer 21 and the second resin insulation layer 22, and the conductor layer 30 consists of a first conductor part 31 and a second conductor part 32. A via conductor 26 is present right under the first conductor part 31 but the via conductor 26 is not present right under the second conductor part 32. A recess 33 is formed in the first resin insulation layer 21, and the recess 33 is filled with a conductor 34 that forms a part of the second conductor part 32. The second conductor part 32 becomes thicker than the first conductor part 31. A via conductor 27 formed in the second resin insulation layer 22 is present right above the second conductor part 32.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有し、複数の導体層の間が、樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される多層配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention has a structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated, and a multilayer wiring board in which a plurality of conductor layers are connected by via conductors formed in the resin insulation layer, and It relates to the manufacturing method.

近年、電気機器、電子機器の小型化に伴い、これらの機器に搭載される多層配線基板にも小型化が要求されている。多層配線基板が小型化されると、配線の微細化や高密度化が図られるため、これに伴って、ビア導体の直径(及び、ビア導体用のビア孔の内径)も小さくなる傾向にある。ところが、ビア孔の内径が小さくなると、従来のCOレーザを用いたビア孔の形成が困難になるため、COレーザよりも短波長の紫外線レーザを用いて、ビア孔を形成することが提案されている。紫外線レーザは、COレーザよりもエネルギー密度が高いため、導体部分への吸収率が高いという特徴がある。 In recent years, with the miniaturization of electrical equipment and electronic equipment, miniaturization of multilayer wiring boards mounted on these equipment is also required. When the multilayer wiring board is miniaturized, the wiring is miniaturized and the density is increased. Accordingly, the diameter of the via conductor (and the inner diameter of the via hole for the via conductor) tends to be reduced. . However, if the inner diameter of the via hole is reduced, it becomes difficult to form a via hole using a conventional CO 2 laser. Therefore, it is proposed to form a via hole using an ultraviolet laser having a shorter wavelength than the CO 2 laser. Has been. Since the ultraviolet laser has a higher energy density than the CO 2 laser, it has a feature that the absorption rate into the conductor portion is high.

しかしながら、紫外線レーザを用いる場合には、以下の問題が生じる可能性がある。例えば、ビア孔を形成する樹脂絶縁層と下側に隣接する樹脂絶縁層との間に導体層が形成され、導体層の直下にビア導体が存在する場合には、導体層の直下にビア導体が存在しない場合よりも導体部分の体積が大きく、熱容量が大きい。このため、導体部分によって紫外線レーザのエネルギーを確実に吸収することができる。一方、導体層の直下にビア導体が存在しない場合には、熱容量が小さいため、紫外線レーザのエネルギーを確実に吸収できない可能性がある。この場合、導体層へのダメージが大きくなり、導体層を貫通してしまうおそれがある。   However, when using an ultraviolet laser, the following problems may occur. For example, when a conductor layer is formed between a resin insulation layer that forms a via hole and a resin insulation layer adjacent to the lower side, and a via conductor exists immediately below the conductor layer, a via conductor is located directly below the conductor layer. The volume of the conductor portion is larger and the heat capacity is larger than when no is present. For this reason, the energy of the ultraviolet laser can be reliably absorbed by the conductor portion. On the other hand, when there is no via conductor directly under the conductor layer, the heat capacity is small, so that there is a possibility that the energy of the ultraviolet laser cannot be absorbed reliably. In this case, the damage to the conductor layer is increased and the conductor layer may be penetrated.

この問題を解決するために、導体層(配線層12)の表面(上面)に、導体層へのレーザの吸収を防止するためのレーザ遮断層(導電層15)を形成する技術が従来提案されている(例えば、特許文献1参照)。このようにすれば、導体層へのダメージを軽減することができるため、歩留まりが高くなり、信頼性が向上する。   In order to solve this problem, a technique for forming a laser blocking layer (conductive layer 15) for preventing laser absorption in the conductor layer on the surface (upper surface) of the conductor layer (wiring layer 12) has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1). In this way, damage to the conductor layer can be reduced, so that the yield is increased and the reliability is improved.

特開2005−5499号公報(図7等)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-5499 (FIG. 7 etc.)

ところが、特許文献1に記載の従来技術では、導体層の表面上にレーザ遮断層が形成されるため、導体層とレーザ遮断層とからなる導体部分の表面に凹凸が生じやすい。その結果、製造される多層配線基板の寸法安定性が低下するため、信頼性が低下するおそれがある。   However, in the conventional technique described in Patent Document 1, since the laser blocking layer is formed on the surface of the conductor layer, the surface of the conductor portion composed of the conductor layer and the laser blocking layer is likely to be uneven. As a result, the dimensional stability of the manufactured multilayer wiring board is lowered, and the reliability may be lowered.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザによる導体層のダメージを軽減し、かつ導体層の表面に凹凸が生じにくくなることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to reduce the damage of the conductor layer due to the laser and to improve the reliability by making the surface of the conductor layer less likely to be uneven. An object of the present invention is to provide a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するための手段(手段1)としては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有し、前記複数の導体層の間が、前記樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される多層配線基板であって、前記複数の樹脂絶縁層は、第1樹脂絶縁層と、前記第1樹脂絶縁層上に積層されるとともに前記第1樹脂絶縁層に隣接する第2樹脂絶縁層とを有し、前記第1樹脂絶縁層と前記第2樹脂絶縁層との間に形成される前記導体層は、第1導体部及び第2導体部からなり、前記第1導体部の直下に、前記第1樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在する一方、前記第2導体部の直下には、前記第1樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在しておらず、前記第1樹脂絶縁層の表面において前記第2導体部が配置される領域に凹み部が形成され、前記凹み部が、前記第2導体部の一部を構成する導体によって埋められており、前記第2導体部の厚さが、前記第1導体部の厚さよりも厚くなっており、前記第2導体部の直上に、前記第2樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在することを特徴とする多層配線基板がある。   Means for solving the above problems (Means 1) has a structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated, and the gap between the plurality of conductor layers is the resin insulation layer. A multilayer wiring board connected by the formed via conductor, wherein the plurality of resin insulation layers are laminated on the first resin insulation layer and the first resin insulation layer. An adjacent second resin insulation layer, and the conductor layer formed between the first resin insulation layer and the second resin insulation layer comprises a first conductor portion and a second conductor portion, The via conductor formed in the first resin insulating layer is present immediately below the first conductor portion, while the via conductor formed in the first resin insulating layer is directly below the second conductor portion. Does not exist, and the second conductor portion is disposed on the surface of the first resin insulation layer. A recessed portion is formed in a region, and the recessed portion is filled with a conductor constituting a part of the second conductor portion, and the thickness of the second conductor portion is larger than the thickness of the first conductor portion. There is a multilayer wiring board characterized in that the via conductor formed in the second resin insulating layer exists immediately above the second conductor portion.

従って、手段1に記載の発明によると、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層との間に形成される導体層において、第1樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在しない第2導体部が、第1樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在する第1導体部よりも厚くなっている。つまり、直下にビア導体が存在しないために導体部分の体積が小さくなる第2導体部においても、第2導体部を厚くすることによって導体部分の体積を大きくしているため、必要な熱容量を確保することができる。その結果、レーザのエネルギーを第2導体部によって確実に吸収できるため、レーザによる第2導体部のダメージを軽減することができる。また、ダメージを受けたとしても、第2導体部が厚く形成されるために、レーザによる第2導体部の貫通を防止できる。しかも、第1樹脂絶縁層の表面に凹み部を形成し、第2導体部の一部を構成する導体で凹み部を埋めることによって第2導体部を厚くしているため、第2導体部を厚くしたとしても第2導体部の表面に凹凸が生じにくくなる。以上のことから、歩留まりが高くなり、多層配線基板の信頼性が向上する。なお、「第1導体部の厚さ」とは、第1樹脂絶縁層の表面と平行かつ同じ高さに規定した仮想平面から測定した厚さのことをいう。   Therefore, according to the invention described in means 1, in the conductor layer formed between the first resin insulation layer and the second resin insulation layer, the via conductor formed in the first resin insulation layer does not exist immediately below. The two conductor portions are thicker than the first conductor portion in which the via conductor formed in the first resin insulating layer exists immediately below. That is, even in the second conductor portion where the volume of the conductor portion is reduced because there is no via conductor immediately below, the volume of the conductor portion is increased by increasing the thickness of the second conductor portion, so the necessary heat capacity is secured. can do. As a result, the energy of the laser can be reliably absorbed by the second conductor portion, so that damage to the second conductor portion due to the laser can be reduced. Moreover, even if damaged, since the second conductor portion is formed thick, penetration of the second conductor portion by the laser can be prevented. In addition, since the second conductor portion is thickened by forming a recess portion on the surface of the first resin insulating layer and filling the recess portion with a conductor constituting a part of the second conductor portion, the second conductor portion is Even if the thickness is increased, the surface of the second conductor portion is less likely to be uneven. From the above, the yield is increased and the reliability of the multilayer wiring board is improved. The “thickness of the first conductor portion” means a thickness measured from a virtual plane that is parallel to the surface of the first resin insulating layer and defined at the same height.

上記多層配線基板は、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有している。例えば、複数の樹脂絶縁層は、第1樹脂絶縁層と、第1樹脂絶縁層上に積層されるとともに第1樹脂絶縁層に隣接する第2樹脂絶縁層とを有する。樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成する高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。   The multilayer wiring board has a structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately stacked. For example, the plurality of resin insulation layers include a first resin insulation layer and a second resin insulation layer laminated on the first resin insulation layer and adjacent to the first resin insulation layer. The resin insulation layer can be appropriately selected in consideration of insulation, heat resistance, moisture resistance, and the like. Preferred examples of the polymer material forming the resin insulation layer include thermosetting resins such as epoxy resin, phenol resin, urethane resin, silicone resin, and polyimide resin, and heat such as polycarbonate resin, acrylic resin, polyacetal resin, and polypropylene resin. Examples thereof include a plastic resin.

また、導体層は、導電性を有する金属材料などによって形成することが可能である。例えば、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層との間に形成される導体層は、第1導体部及び第2導体部からなる。導体層を構成する金属材料としては、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、導体層は、導電性が高く安価な銅からなることがよい。また、導体層は、めっきによって形成されることがよい。このようにすれば、複数の導体層を高精度かつ均一な寸法に形成することができる。仮に、導体層を例えば金属ペーストの印刷によって形成すると、導体層を高精度かつ均一な寸法に形成することが困難になるため、個々の導体層の高さにバラツキが生じるおそれがある。   The conductor layer can be formed of a conductive metal material or the like. For example, the conductor layer formed between the first resin insulation layer and the second resin insulation layer includes a first conductor portion and a second conductor portion. Examples of the metal material constituting the conductor layer include copper, silver, iron, cobalt, nickel, and the like. In particular, the conductor layer is preferably made of copper having high conductivity and low cost. The conductor layer is preferably formed by plating. In this way, a plurality of conductor layers can be formed with high accuracy and uniform dimensions. If the conductor layer is formed, for example, by printing a metal paste, it becomes difficult to form the conductor layer with high accuracy and uniform dimensions, and thus there is a possibility that the height of each conductor layer may vary.

さらに、複数の導体層の間は、樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される。ビア導体は、導電性を有する金属材料などによって形成することが可能である。ビア導体を構成する金属材料としては、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、ビア導体は、導電性が高く安価な銅からなることがよい。また、ビア導体は、めっきによって形成されることがよい。このようにすれば、ビア導体を簡単かつ低コストで形成することができる。しかし、ビア導体は、金属ペーストを印刷することによって形成されていてもよい。   Further, the plurality of conductor layers are connected by via conductors formed in the resin insulating layer. The via conductor can be formed of a conductive metal material or the like. Examples of the metal material constituting the via conductor include copper, silver, iron, cobalt, nickel, and the like. In particular, the via conductor is preferably made of copper having high conductivity and low cost. Further, the via conductor is preferably formed by plating. In this way, the via conductor can be formed easily and at low cost. However, the via conductor may be formed by printing a metal paste.

また、第1樹脂絶縁層の表面において第2導体部が配置される領域には凹み部が形成される。凹み部の深さは特に限定される訳ではないが、例えば、0.1μm以上であって、第1樹脂絶縁層の厚さの1/2以下であることがよい。仮に、凹み部の深さが0.1μm未満になると、凹み部に一部が充填される第2導体部が薄くなりすぎるため、第2導体部に対するレーザの貫通を防止できなくなる。一方、凹み部の深さが第1樹脂絶縁層の厚さの1/2よりも大きくなると、凹み部が第1樹脂絶縁層を貫通してしまい、凹み部に一部が形成される第2導体部が、第1樹脂絶縁層とその下層側に隣接する樹脂絶縁層との間に形成された導体層に接触する可能性がある。   Moreover, a recessed part is formed in the area | region where the 2nd conductor part is arrange | positioned in the surface of the 1st resin insulation layer. The depth of the dent is not particularly limited, but is preferably, for example, 0.1 μm or more and ½ or less of the thickness of the first resin insulating layer. If the depth of the dent portion is less than 0.1 μm, the second conductor portion partially filled in the dent portion becomes too thin, so that it is impossible to prevent laser penetration into the second conductor portion. On the other hand, when the depth of the dent becomes larger than ½ of the thickness of the first resin insulation layer, the dent penetrates the first resin insulation layer, and a second part is formed in the dent. There is a possibility that the conductor portion contacts a conductor layer formed between the first resin insulating layer and the resin insulating layer adjacent to the lower layer side.

なお、ビア導体の形成材料と第2導体部の一部を構成する導体の形成材料とが同じ種類の材料からなることがよい。このようにすれば、第2導体部の一部の形成に際してビア導体とは別の材料を準備しなくても済む。よって、多層配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、多層配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。   Note that the via conductor forming material and the conductor forming material constituting a part of the second conductor portion may be made of the same type of material. In this way, it is not necessary to prepare a material different from the via conductor when forming a part of the second conductor portion. Therefore, since the material necessary for manufacturing the multilayer wiring board is reduced, the cost of the multilayer wiring board can be reduced.

上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては、上記手段1に記載の多層配線基板を製造する方法であって、前記第1樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第1樹脂絶縁層を貫通するビア孔を形成するビア孔形成工程と、前記ビア孔形成工程後、前記ビア孔内に前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と、前記第1樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第1樹脂絶縁層の表面において前記第2導体部が配置される領域に凹み部を形成する凹み部形成工程と、前記第1樹脂絶縁層の表面上に前記第1導体部及び前記第2導体部を形成する導体層形成工程とを含み、前記導体層形成工程が終了した時点で、前記凹み部に前記第2導体部の一部を構成する導体が形成されることにより、前記第2導体部が前記第1導体部よりも厚くなることを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。   Another means (means 2) for solving the above-described problem is a method of manufacturing the multilayer wiring board according to the means 1, wherein the first resin insulating layer is subjected to laser processing, and the first A via hole forming step of forming a via hole penetrating through one resin insulating layer, a via conductor forming step of forming the via conductor in the via hole after the via hole forming step, and the first resin insulating layer Laser processing to form a recess in a region where the second conductor is disposed on the surface of the first resin insulation layer, and the first resin insulation layer on the surface of the first resin insulation layer. A conductor layer forming step for forming a conductor portion and the second conductor portion, and when the conductor layer forming step is completed, a conductor constituting a part of the second conductor portion is formed in the recessed portion. Thus, the second conductor portion is more than the first conductor portion. There are a method of manufacturing the multilayer wiring board characterized by comprising thick.

従って、手段2に記載の発明によると、導体層形成工程が終了した時点で凹み部に第2導体部の一部を構成する導体が形成されることにより、第1樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在しない第2導体部が、第1樹脂絶縁層に形成されたビア導体が直下に存在する第1導体部よりも厚くなる。つまり、直下にビア導体が存在しないために導体部分の体積が小さくなる第2導体部においても、第2導体部が厚くなることによって導体部分の体積が大きくなるため、必要な熱容量を確保することができる。その結果、レーザのエネルギーを第2導体部によって確実に吸収できるため、レーザによる第2導体部のダメージを軽減することができる。また、ダメージを受けたとしても、第2導体部が厚く形成されるために、レーザによる第2導体部の貫通を防止できる。しかも、凹み部形成工程において、第1樹脂絶縁層の表面に凹み部を形成し、導体層形成工程が終了した時点で、第2導体部の一部を構成する導体で凹み部が埋まることによって第2導体部が厚くなる。このため、第2導体部を厚くしたとしても第2導体部の表面に凹凸が生じにくくなる。以上のことから、歩留まりが高くなり、多層配線基板の信頼性が向上する。   Therefore, according to the invention described in the means 2, when the conductor layer forming step is completed, the conductor constituting a part of the second conductor portion is formed in the recessed portion, thereby forming the first resin insulating layer. The second conductor portion in which the via conductor does not exist immediately below is thicker than the first conductor portion in which the via conductor formed in the first resin insulation layer exists immediately below. In other words, even in the second conductor portion where the volume of the conductor portion is reduced because there is no via conductor directly below, the volume of the conductor portion is increased by increasing the thickness of the second conductor portion, so that the necessary heat capacity is ensured. Can do. As a result, the energy of the laser can be reliably absorbed by the second conductor portion, so that damage to the second conductor portion due to the laser can be reduced. Moreover, even if damaged, since the second conductor portion is formed thick, penetration of the second conductor portion by the laser can be prevented. Moreover, in the step of forming the recess, the recess is formed on the surface of the first resin insulating layer, and when the conductor layer forming step is completed, the recess is filled with the conductor constituting a part of the second conductor portion. The second conductor portion becomes thick. For this reason, even if the thickness of the second conductor portion is increased, unevenness is less likely to occur on the surface of the second conductor portion. From the above, the yield is increased and the reliability of the multilayer wiring board is improved.

以下、手段2の多層配線基板の製造方法について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the multilayer wiring board of the means 2 will be described.

まず、ビア孔形成工程を行い、第1樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、第1樹脂絶縁層を貫通するビア孔を形成する。ここで、ビア孔の形成に用いられるレーザとしては、UV−YAGレーザ、エキシマレーザまたはCOレーザなどが挙げられるが、ビア孔形成工程では、紫外線レーザを用いたレーザ加工を施すことにより、ビア孔を形成することがよい。このようにすれば、ビア孔が小径であったとしても、短波長の紫外線レーザを用いることにより、ビア孔を確実に形成することができる。 First, a via hole forming step is performed, laser processing is performed on the first resin insulating layer, and a via hole penetrating the first resin insulating layer is formed. Here, examples of the laser used for forming the via hole include a UV-YAG laser, an excimer laser, and a CO 2 laser. In the via hole forming step, laser processing using an ultraviolet laser is performed to perform via processing. It is preferable to form a hole. In this way, even if the via hole has a small diameter, the via hole can be reliably formed by using a short wavelength ultraviolet laser.

ビア孔形成工程後のビア導体形成工程では、ビア孔内にビア導体を形成する。また、凹み部形成工程では、第1樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、第1樹脂絶縁層の表面において第2導体部が形成される領域に凹み部を形成する。ここで、凹み部の形成に用いられるレーザとしては、COレーザ、UV−YAGレーザ、エキシマレーザなどが挙げられるが、加工面積や生産性を考慮すると、COレーザを選択することが好適である。 In the via conductor forming step after the via hole forming step, a via conductor is formed in the via hole. In the recess forming step, laser processing is performed on the first resin insulating layer to form a recess in a region where the second conductor portion is formed on the surface of the first resin insulating layer. Here, examples of the laser used for forming the recess include a CO 2 laser, a UV-YAG laser, and an excimer laser. However, in consideration of a processing area and productivity, it is preferable to select a CO 2 laser. is there.

なお、ビア孔形成工程と凹み部形成工程とを同時に行ってもよい。このようにすれば、製造工程数を削減できるため、製造コストを低く抑えることができる。また、ビア導体形成工程では、ビア導体の形成と同時に、凹み部内に第2導体部の一部を構成する導体を形成することがよい。このようにしても、製造工程数を削減できるため、製造コストを低く抑えることができる。   In addition, you may perform a via hole formation process and a recessed part formation process simultaneously. In this way, since the number of manufacturing steps can be reduced, the manufacturing cost can be kept low. In the via conductor forming step, it is preferable to form a conductor that constitutes a part of the second conductor portion in the recessed portion simultaneously with the formation of the via conductor. Even if it does in this way, since the number of manufacturing processes can be reduced, manufacturing cost can be held down low.

続く導体層形成工程では、第1樹脂絶縁層の表面上に第1導体部及び第2導体部を形成する。以上のプロセスを経て、多層配線基板が製造される。   In the subsequent conductor layer forming step, the first conductor portion and the second conductor portion are formed on the surface of the first resin insulation layer. A multilayer wiring board is manufactured through the above processes.

本実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing a multilayer wiring board in the present embodiment. 多層配線基板の要部を示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the principal part of a multilayer wiring board. ビア孔形成工程及び凹み部形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a via hole formation process and a recessed part formation process. ビア導体形成工程及び導体層形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a via conductor formation process and a conductor layer formation process. 第2樹脂絶縁層にビア孔を形成する工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the process of forming a via hole in the 2nd resin insulation layer. 他の実施形態における多層配線基板を示す要部断面図。The principal part sectional view showing the multilayer wiring board in other embodiments. 他の実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the multilayer wiring board in other embodiment.

以下、本発明の多層配線基板10を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, an embodiment embodying the multilayer wiring board 10 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1に示されるように、本実施形態の多層配線基板10は、ICチップ搭載用の配線基板である。多層配線基板10は、コア基板11と、コア基板11の主面12上に形成されるビルドアップ層20とからなる。   As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board 10 of this embodiment is a wiring board for mounting an IC chip. The multilayer wiring substrate 10 includes a core substrate 11 and a buildup layer 20 formed on the main surface 12 of the core substrate 11.

本実施形態のコア基板11は、主面12及び裏面13を有し、縦400mm×横400mm×厚さ400μmの略矩形板状をなしている。コア基板11は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなり、平面方向(XY方向)における熱膨張係数が0〜20ppm/℃程度(具体的には10ppm/℃)となっている。なお、コア基板11の熱膨張係数は、0℃〜ガラス転移温度(Tg)間の測定値の平均値をいう。   The core substrate 11 of the present embodiment has a main surface 12 and a back surface 13 and has a substantially rectangular plate shape of 400 mm long × 400 mm wide × 400 μm thick. The core substrate 11 is made of a thermosetting resin (epoxy resin), and has a thermal expansion coefficient of about 0 to 20 ppm / ° C. (specifically, 10 ppm / ° C.) in the plane direction (XY direction). In addition, the thermal expansion coefficient of the core board | substrate 11 says the average value of the measured value between 0 degreeC-glass transition temperature (Tg).

また、コア基板11には、主面12及び裏面13を貫通する複数の貫通孔14が格子状に形成されている。そして、かかる貫通孔14内には、銅からなる導体柱15が設けられている。さらに、コア基板11の主面12には、厚さ15μmの銅からなる主面側導体層16が形成され、コア基板11の裏面13には、同じく厚さ15μmの銅からなる裏面側導体層17が形成されている。各導体層16,17は、導体柱15に電気的に接続されている。   The core substrate 11 has a plurality of through holes 14 penetrating the main surface 12 and the back surface 13 in a lattice shape. A conductor column 15 made of copper is provided in the through hole 14. Further, a main surface side conductor layer 16 made of copper having a thickness of 15 μm is formed on the main surface 12 of the core substrate 11, and a back surface side conductor layer made of copper having a thickness of 15 μm is formed on the back surface 13 of the core substrate 11. 17 is formed. Each of the conductor layers 16 and 17 is electrically connected to the conductor column 15.

図1に示されるように、ビルドアップ層20は、厚さ10μmのエポキシ樹脂からなる2層の樹脂絶縁層21,22と、銅からなる1層の導体層30とを交互に積層した構造を有している。樹脂絶縁層21,22の熱膨張係数は10〜40ppm/℃程度(具体的には17ppm/℃程度)であり、導体層30の熱膨張係数は17ppm/℃である。なお、熱膨張係数は、25℃〜150℃間の測定値の平均値をいう。本実施形態では、各樹脂絶縁層21,22のうち、第1層の樹脂絶縁層21が第1樹脂絶縁層(第1樹脂絶縁層21)となり、第2層の樹脂絶縁層22が第2樹脂絶縁層(第2樹脂絶縁層22)となっている。第2樹脂絶縁層22は、第1樹脂絶縁層21上に積層されるとともに第1樹脂絶縁層21に隣接している。   As shown in FIG. 1, the build-up layer 20 has a structure in which two resin insulating layers 21 and 22 made of an epoxy resin having a thickness of 10 μm and one conductor layer 30 made of copper are alternately laminated. Have. The thermal expansion coefficients of the resin insulating layers 21 and 22 are about 10 to 40 ppm / ° C. (specifically, about 17 ppm / ° C.), and the thermal expansion coefficient of the conductor layer 30 is 17 ppm / ° C. In addition, a thermal expansion coefficient says the average value of the measured value between 25 degreeC-150 degreeC. In the present embodiment, of the resin insulation layers 21 and 22, the first resin insulation layer 21 is the first resin insulation layer (first resin insulation layer 21), and the second resin insulation layer 22 is the second resin insulation layer 21. This is a resin insulating layer (second resin insulating layer 22). The second resin insulation layer 22 is laminated on the first resin insulation layer 21 and is adjacent to the first resin insulation layer 21.

図1,図2に示されるように、各樹脂絶縁層21,22には、それぞれビア孔24,25及びフィルドビア導体26,27が設けられている。各ビア孔24,25は、各樹脂絶縁層21,22に対してレーザ加工を施すことにより形成される。各フィルドビア導体26,27は、銅からなり、ビア孔24,25内に設けられている。また、第1樹脂絶縁層21に形成されたフィルドビア導体26は、導体層30と主面側導体層16との間を互いに電気的に接続しており、第2樹脂絶縁層22に形成されたフィルドビア導体27は、導体層30と後述する端子パッド41との間を互いに電気的に接続している。なお、ビア孔24,25及びフィルドビア導体26,27は、円錐台形状をなし、いずれも同一方向(図1,図2では上方向)に拡径した形状をなしている。そして、各ビア孔24,25及びフィルドビア導体26,27は、最大径(図1,図2では上端における径)が30μm、最小径(図1,図2では下端における径)が25μmとなっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the resin insulating layers 21 and 22 are provided with via holes 24 and 25 and filled via conductors 26 and 27, respectively. The via holes 24 and 25 are formed by applying laser processing to the resin insulating layers 21 and 22. Each filled via conductor 26, 27 is made of copper and is provided in the via holes 24, 25. The filled via conductor 26 formed in the first resin insulating layer 21 electrically connects the conductor layer 30 and the main surface side conductor layer 16 to each other, and is formed in the second resin insulating layer 22. The filled via conductor 27 electrically connects the conductor layer 30 and a terminal pad 41 described later. The via holes 24 and 25 and the filled via conductors 26 and 27 have a truncated cone shape, both of which have a diameter expanded in the same direction (upward in FIGS. 1 and 2). The via holes 24 and 25 and the filled via conductors 26 and 27 have a maximum diameter (diameter at the upper end in FIGS. 1 and 2) of 30 μm and a minimum diameter (diameter at the lower end in FIGS. 1 and 2) of 25 μm. Yes.

また、図1,図2に示されるように、導体層30は、第1樹脂絶縁層21と第2樹脂絶縁層22との間に形成され、第1導体部31及び第2導体部32からなっている。第1導体部31は、第1樹脂絶縁層21に形成されたフィルドビア導体26が直下に存在するとともに、第2樹脂絶縁層22に形成されたフィルドビア導体27が直上に存在する導体層30である。第1導体部31は、外径60μm、厚さ10μm以下(本実施形態では8μm)の円板状をなしている。即ち、第1導体部31の外径は、フィルドビア導体26の最大径(30μm)よりも大きくなっている。一方、第2導体部32は、フィルドビア導体26が直下に存在しないものの、フィルドビア導体27が直上に存在する導体層30である。第2導体部32において第1樹脂絶縁層21の表面上に位置する部分は、外径60μm、厚さ10μm以下(本実施形態では8μm)の円板状をなしている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the conductor layer 30 is formed between the first resin insulating layer 21 and the second resin insulating layer 22, and is formed from the first conductor portion 31 and the second conductor portion 32. It has become. The first conductor portion 31 is a conductor layer 30 in which the filled via conductor 26 formed in the first resin insulating layer 21 exists immediately below and the filled via conductor 27 formed in the second resin insulating layer 22 exists immediately above. . The first conductor portion 31 has a disk shape with an outer diameter of 60 μm and a thickness of 10 μm or less (8 μm in this embodiment). That is, the outer diameter of the first conductor portion 31 is larger than the maximum diameter (30 μm) of the filled via conductor 26. On the other hand, the second conductor portion 32 is the conductor layer 30 in which the filled via conductor 27 exists immediately above, although the filled via conductor 26 does not exist immediately below. A portion of the second conductor portion 32 located on the surface of the first resin insulating layer 21 has a disk shape with an outer diameter of 60 μm and a thickness of 10 μm or less (8 μm in this embodiment).

さらに、第1樹脂絶縁層21の表面において第2導体部32が配置される領域には、凹み部33が形成されている。凹み部33は、平面視円形状をなし、開口端側(図1では上側)に向かって拡径した形状をなしている。なお、凹み部33の深さは、0.1μm以上であって、第1樹脂絶縁層21の厚さ(10μm)の1/2以下であり、本実施形態では3μmに設定されている。また、凹み部33の最大径(図1では上端における内径)は、フィルドビア導体26,27(またはビア孔24,25)の最大径(30μm)以上であり、本実施形態では40μmに設定されている。なお、凹み部33の最大径は、フィルドビア導体26,27の最大径以上であれば特に問題はない。しかし、最大径が大きすぎると、凹み部33の加工時間が長くなる可能性があるため、凹み部33の最大径は、例えば、(フィルドビア導体26,27の最大径)+(凹み部33の寸法公差)程度に設定されることがよい。   Further, a recess 33 is formed in a region where the second conductor portion 32 is disposed on the surface of the first resin insulating layer 21. The recessed portion 33 has a circular shape in plan view, and has a shape that is enlarged in diameter toward the opening end side (upper side in FIG. 1). The depth of the recessed portion 33 is 0.1 μm or more and is ½ or less of the thickness (10 μm) of the first resin insulating layer 21 and is set to 3 μm in this embodiment. The maximum diameter of the recess 33 (inner diameter at the upper end in FIG. 1) is equal to or larger than the maximum diameter (30 μm) of the filled via conductors 26 and 27 (or via holes 24 and 25), and is set to 40 μm in this embodiment. Yes. There is no particular problem as long as the maximum diameter of the recessed portion 33 is equal to or larger than the maximum diameter of the filled via conductors 26 and 27. However, if the maximum diameter is too large, the processing time of the recessed portion 33 may become longer. Therefore, the maximum diameter of the recessed portion 33 is, for example, (maximum diameter of the filled via conductors 26 and 27) + (recessed portion 33). It is preferable to set it to a dimension tolerance).

そして、図1,図2に示されるように、凹み部33は、第2導体部32の一部を構成する導体34によって埋められている。導体34は、フィルドビア導体26,27の形成材料(銅)と同じ種類の材料からなる銅めっき層である。なお、導体34の厚さは、凹み部33の深さと等しく、かつ第2導体部32において第1樹脂絶縁層21の表面上に位置する部分の厚さ(8μm)よりも小さくなっており、本実施形態では3μmに設定されている。そして、第2導体部32の厚さは、第2導体部32において第1樹脂絶縁層21の表面上に位置する部分の厚さ(8μm)と導体34の厚さ(3μm)との和(11μm)であり、第1導体部31の厚さ(8μm)よりも厚くなっている。また、導体34の最大径は、凹み部33の最大径と等しく、かつ第2導体部32の最大径(60μm)よりも小さくなっており、本実施形態では40μmに設定されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the recessed portion 33 is filled with a conductor 34 constituting a part of the second conductor portion 32. The conductor 34 is a copper plating layer made of the same type of material as the material for forming the filled via conductors 26 and 27 (copper). The thickness of the conductor 34 is equal to the depth of the recessed portion 33 and is smaller than the thickness (8 μm) of the second conductor portion 32 located on the surface of the first resin insulating layer 21. In this embodiment, it is set to 3 μm. The thickness of the second conductor portion 32 is the sum of the thickness (8 μm) of the portion of the second conductor portion 32 located on the surface of the first resin insulation layer 21 and the thickness (3 μm) of the conductor 34 ( 11 μm), which is thicker than the thickness (8 μm) of the first conductor portion 31. Further, the maximum diameter of the conductor 34 is equal to the maximum diameter of the recessed portion 33 and smaller than the maximum diameter (60 μm) of the second conductor portion 32, and is set to 40 μm in this embodiment.

そして、図1に示されるように、第2樹脂絶縁層22の表面上には、フィルドビア導体27を介して導体層30に電気的に接続される厚さ15μmの端子パッド41(導体層)がアレイ状に配置されている。また、第2樹脂絶縁層22の表面は、エポキシ樹脂からなる厚さ30μm程度のソルダーレジスト層51によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト層51の所定箇所には、ソルダーレジスト層51を厚さ方向に貫通して端子パッド41を露出させる開口部52が形成されている。端子パッド41の表面上には、複数のはんだバンプ42が配設されている。そして、各はんだバンプ42は、ICチップの面接続端子に電気的に接続されている。本実施形態のICチップは、縦12.0mm×横12.0mm×厚さ0.9mmの矩形平板状をなし、熱膨張係数が3〜4ppm/℃程度(具体的には3.5ppm/℃程度)のシリコンからなる。   As shown in FIG. 1, a terminal pad 41 (conductor layer) having a thickness of 15 μm and electrically connected to the conductor layer 30 through the filled via conductor 27 is provided on the surface of the second resin insulating layer 22. Arranged in an array. The surface of the second resin insulation layer 22 is almost entirely covered with a solder resist layer 51 made of an epoxy resin and having a thickness of about 30 μm. In a predetermined portion of the solder resist layer 51, an opening 52 is formed through the solder resist layer 51 in the thickness direction to expose the terminal pad 41. A plurality of solder bumps 42 are disposed on the surface of the terminal pad 41. Each solder bump 42 is electrically connected to the surface connection terminal of the IC chip. The IC chip of this embodiment has a rectangular flat plate shape of 12.0 mm long × 12.0 mm wide × 0.9 mm thick, and has a thermal expansion coefficient of about 3 to 4 ppm / ° C. (specifically, 3.5 ppm / ° C. Grade) of silicon.

一方、図1に示されるように、コア基板11の裏面13上には、ビルドアップ層やソルダーレジスト層が形成されておらず、裏面側導体層17のみが形成されている。そして、裏面側導体層17の表面上には、図示しないマザーボード側との電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ(図示略)が配設されている。   On the other hand, as shown in FIG. 1, no buildup layer or solder resist layer is formed on the back surface 13 of the core substrate 11, and only the back-side conductor layer 17 is formed. A plurality of solder bumps (not shown) are provided on the surface of the back-side conductor layer 17 for electrical connection with a mother board (not shown).

次に、本実施形態の多層配線基板10の製造方法を説明する。   Next, the manufacturing method of the multilayer wiring board 10 of this embodiment is demonstrated.

まず、コア基板準備工程では、コア基板11の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。具体的に言うと、厚さ400μmの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板(図示略)を準備し、コア基板11の中間製品を得る。なお、コア基板11の中間製品とは、コア基板11となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。   First, in the core substrate preparation step, an intermediate product of the core substrate 11 is prepared by a conventionally known method and prepared in advance. Specifically, a copper-clad laminate (not shown) in which copper foil is pasted on both sides of a 400 μm thick base material is prepared, and an intermediate product of the core substrate 11 is obtained. The intermediate product of the core substrate 11 is a multi-piece core substrate having a structure in which a plurality of regions to be the core substrate 11 are arranged vertically and horizontally along the plane direction.

次に、コア基板11(銅張積層板)に対してドリル機を用いた孔あけ加工を行い、導体柱15を形成するための貫通孔14を所定位置にあらかじめ形成しておく。さらに、銅めっき等の周知の手法によって導体柱15を形成する。次に、主面12上に主面側導体層16を形成するとともに、裏面13上に裏面側導体層17を形成する。具体的には、主面側導体層16及び裏面側導体層17を、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などといった周知の手法によって形成する。   Next, the core substrate 11 (copper-clad laminate) is drilled using a drill machine, and through holes 14 for forming the conductor columns 15 are formed in advance at predetermined positions. Further, the conductor pillar 15 is formed by a known method such as copper plating. Next, the main surface side conductor layer 16 is formed on the main surface 12 and the back surface side conductor layer 17 is formed on the back surface 13. Specifically, the main surface side conductor layer 16 and the back surface side conductor layer 17 are formed by a known method such as a subtractive method or a semi-additive method.

次に、従来周知の手法に基づいて主面12の上にビルドアップ層20を形成する。具体的に言うと、まず、主面12上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着(貼付)することにより、第1樹脂絶縁層21を形成する(図3参照)。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。   Next, the buildup layer 20 is formed on the main surface 12 based on a conventionally known method. Specifically, first, a first resin insulating layer 21 is formed by applying (sticking) a thermosetting epoxy resin on the main surface 12 (see FIG. 3). Instead of depositing a thermosetting epoxy resin, a photosensitive epoxy resin, an insulating resin, or a liquid crystal polymer (LCP) may be deposited.

続くビア孔形成工程では、第1樹脂絶縁層21に対して紫外線レーザ(本実施形態では、波長355nmのUV−YAGレーザ)を用いたレーザ加工を行い、フィルドビア導体26が形成されるべき位置にビア孔24を形成する(図3参照)。具体的には、第1樹脂絶縁層21を貫通するビア孔24を形成し、主面側導体層16の表面を露出させる。   In the subsequent via hole forming step, the first resin insulating layer 21 is subjected to laser processing using an ultraviolet laser (in this embodiment, a UV-YAG laser having a wavelength of 355 nm), so that the filled via conductor 26 is to be formed. A via hole 24 is formed (see FIG. 3). Specifically, a via hole 24 penetrating the first resin insulating layer 21 is formed, and the surface of the main surface side conductor layer 16 is exposed.

また、ビア孔形成工程と同時に凹み部形成工程を行う。凹み部形成工程では、上記した紫外線レーザによるレーザ加工と同時に、第1樹脂絶縁層21に対して波長10.6μmまたは9.4μmのCOレーザを用いたレーザ加工を行い、第1樹脂絶縁層21の表面において第2導体部32が配置される領域に凹み部33を形成する(図3参照)。 Further, the recess forming step is performed simultaneously with the via hole forming step. In the step of forming the recess, simultaneously with the laser processing using the ultraviolet laser, the first resin insulating layer 21 is subjected to laser processing using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm or 9.4 μm. The recessed part 33 is formed in the area | region where the 2nd conductor part 32 is arrange | positioned in the surface of 21 (refer FIG. 3).

そして、ビア孔形成工程及び凹み部形成工程後に、ビア導体形成工程及び導体層形成工程を行う。ビア導体形成工程では、ビア孔24内にフィルドビア導体26を形成するとともに、凹み部33内に第2導体部32の一部を構成する導体34を形成する。導体層形成工程では、第1樹脂絶縁層21の表面上に第1導体部31及び第2導体部32を形成する。具体的には、第1樹脂絶縁層21の表面上、ビア孔24の内面及び凹み部33の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。その結果、ビア孔24内にフィルドビア導体26が形成されると同時に、凹み部33内に導体34が形成される(図4参照)。さらに、第1樹脂絶縁層21の表面上に第1導体部31及び第2導体部32が形成される(図4参照)。なお、導体層形成工程が終了した時点で、凹み部33に導体34が形成されることにより、第2導体部32が第1導体部31よりも厚くなる。   Then, after the via hole forming step and the recessed portion forming step, a via conductor forming step and a conductor layer forming step are performed. In the via conductor forming step, the filled via conductor 26 is formed in the via hole 24, and the conductor 34 constituting a part of the second conductor portion 32 is formed in the recessed portion 33. In the conductor layer forming step, the first conductor portion 31 and the second conductor portion 32 are formed on the surface of the first resin insulating layer 21. Specifically, after performing electroless copper plating on the inner surface of the via hole 24 and the inner surface of the recess 33 on the surface of the first resin insulating layer 21, an etching resist is formed, and then electrolytic copper plating is performed. Further, the etching resist is removed and soft etching is performed. As a result, the filled via conductor 26 is formed in the via hole 24 and, at the same time, the conductor 34 is formed in the recess 33 (see FIG. 4). Further, the first conductor portion 31 and the second conductor portion 32 are formed on the surface of the first resin insulating layer 21 (see FIG. 4). When the conductor layer forming step is completed, the second conductor portion 32 becomes thicker than the first conductor portion 31 by forming the conductor 34 in the recessed portion 33.

次に、第1樹脂絶縁層21上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着し、紫外線レーザ(本実施形態ではUV−YAGレーザ)を用いたレーザ加工を行うことにより、フィルドビア導体27が形成されるべき位置にビア孔25を有する第2樹脂絶縁層22を形成する(図5参照)。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔25の内部にフィルドビア導体27を形成する。これと同時に、第2樹脂絶縁層22上に端子パッド41を形成する。   Next, the filled via conductor 27 is formed by depositing a thermosetting epoxy resin on the first resin insulating layer 21 and performing laser processing using an ultraviolet laser (in this embodiment, a UV-YAG laser). A second resin insulation layer 22 having via holes 25 at the power positions is formed (see FIG. 5). Instead of depositing the thermosetting epoxy resin, a photosensitive epoxy resin, an insulating resin, or a liquid crystal polymer may be deposited. Next, electrolytic copper plating is performed according to a conventionally known method to form a filled via conductor 27 inside the via hole 25. At the same time, the terminal pads 41 are formed on the second resin insulation layer 22.

次に、第2樹脂絶縁層22上に感光性エポキシ樹脂を塗布することにより、ソルダーレジスト層51を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト層51に開口部52を形成する。さらに、端子パッド41上にはんだバンプ42を形成し、かつ、裏面側導体層17上にはんだバンプを形成する。なお、この状態のものは、多層配線基板10となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である多層配線基板10が多数個同時に得られる。   Next, the solder resist layer 51 is formed by applying a photosensitive epoxy resin on the second resin insulating layer 22. Next, exposure and development are performed in a state where a predetermined mask is arranged, and an opening 52 is formed in the solder resist layer 51. Further, solder bumps 42 are formed on the terminal pads 41, and solder bumps are formed on the back side conductor layer 17. In this state, it can be grasped that the product area to be the multilayer wiring board 10 is a multi-cavity wiring board in which a plurality of product regions are arranged vertically and horizontally along the plane direction. Further, when the multi-piece wiring board is divided, a large number of multilayer wiring boards 10 as individual products can be obtained simultaneously.

その後、多層配線基板10を構成するビルドアップ層20の表面にICチップを載置する。このとき、ICチップ側の面接続端子と各はんだバンプ42とを位置合わせする。そして、220℃〜240℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ42をリフローすることにより、各はんだバンプ42と面接続端子とを接合し、多層配線基板10側とICチップ側とを電気的に接続する。その結果、多層配線基板10にICチップが搭載される。   Thereafter, an IC chip is placed on the surface of the buildup layer 20 constituting the multilayer wiring board 10. At this time, the surface connection terminals on the IC chip side and the solder bumps 42 are aligned. Then, each solder bump 42 is reflowed by heating to a temperature of about 220 ° C. to 240 ° C., thereby joining each solder bump 42 and the surface connection terminal to electrically connect the multilayer wiring board 10 side and the IC chip side. Connect to. As a result, an IC chip is mounted on the multilayer wiring board 10.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の多層配線基板10では、第1樹脂絶縁層21と第2樹脂絶縁層22との間に形成される導体層30において、フィルドビア導体26が直下に存在しない第2導体部32が、フィルドビア導体26が直下に存在する第1導体部31よりも厚くなっている。つまり、直下にフィルドビア導体26が存在しないために導体部分の体積が小さくなる第2導体部32においても、第2導体部32を厚くすることによって導体部分の体積を大きくしているため、必要な熱容量を確保することができる。その結果、第2樹脂絶縁層22のビア孔25の形成に用いられるレーザのエネルギーを、第2導体部32によって確実に吸収できるため、レーザによる第2導体部32のダメージを軽減することができる。また、ダメージを受けたとしても、第2導体部32が厚く形成されるために、レーザによる第2導体部32の貫通を防止できる。しかも、第1樹脂絶縁層21の表面に凹み部33を形成し、第2導体部32の一部を構成する導体34で凹み部33を埋めることによって第2導体部32を厚くしているため、第2導体部32を厚くしたとしても第2導体部32の表面に凹凸が生じにくくなる。以上のことから、歩留まりが高くなり、多層配線基板10の信頼性が向上する。   (1) In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, in the conductor layer 30 formed between the first resin insulation layer 21 and the second resin insulation layer 22, the second conductor portion in which the filled via conductor 26 does not exist immediately below. 32 is thicker than the first conductor portion 31 in which the filled via conductor 26 exists immediately below. That is, the volume of the conductor portion is increased by increasing the thickness of the second conductor portion 32 even in the second conductor portion 32 in which the volume of the conductor portion is reduced because the filled via conductor 26 does not exist immediately below. A heat capacity can be secured. As a result, the energy of the laser used for forming the via hole 25 in the second resin insulating layer 22 can be reliably absorbed by the second conductor portion 32, and therefore damage to the second conductor portion 32 due to the laser can be reduced. . Even if damaged, since the second conductor portion 32 is formed thick, penetration of the second conductor portion 32 by the laser can be prevented. Moreover, the second conductor portion 32 is thickened by forming the recess portion 33 on the surface of the first resin insulating layer 21 and filling the recess portion 33 with the conductor 34 constituting a part of the second conductor portion 32. Even if the thickness of the second conductor portion 32 is increased, the surface of the second conductor portion 32 is less likely to be uneven. From the above, the yield is increased and the reliability of the multilayer wiring board 10 is improved.

(2)ところで、レーザによる第2導体部32のダメージを軽減する別の手法として、例えば、ビア孔25の形成に用いられるレーザのエネルギーを低下させたり、1つのビア孔25を形成する際におけるレーザの照射回数(レーザショット数)を増やしたりするなどして、少しずつ第2樹脂絶縁層22を掘削する方法が考えられる。しかし、エネルギーの低下やレーザショット数の増加は、加工時間の大幅な増加となる。また、熱の影響を小さくするために、レーザを連続照射(バースト加工)するのではなく、レーザを所定時間ごとに複数回照射(サイクル加工)する方法も考えられる。しかし、照射位置の移動が増えてしまうため、この場合も、加工時間の大幅な増加に繋がるおそれがある。   (2) By the way, as another method for reducing the damage of the second conductor portion 32 due to the laser, for example, when reducing the energy of the laser used for forming the via hole 25 or forming one via hole 25, A method of excavating the second resin insulating layer 22 little by little, for example, by increasing the number of times of laser irradiation (number of laser shots) can be considered. However, a decrease in energy and an increase in the number of laser shots greatly increase the processing time. In order to reduce the influence of heat, a method of irradiating a laser a plurality of times (cycle processing) at a predetermined time instead of continuously irradiating the laser (burst processing) is conceivable. However, since the movement of the irradiation position increases, in this case as well, there is a possibility that the processing time is significantly increased.

一方、本実施形態では、第2導体部32を厚くすることにより、レーザによる第2導体部32のダメージの軽減を図っている。よって、加工時間の増加に繋がるレーザの照射条件の変更を行わなくても済むため、多層配線基板10の製造効率低下を防止することができる。   On the other hand, in this embodiment, the thickness of the second conductor portion 32 is increased to reduce damage to the second conductor portion 32 due to the laser. Therefore, since it is not necessary to change the laser irradiation condition that leads to an increase in processing time, it is possible to prevent the manufacturing efficiency of the multilayer wiring board 10 from being lowered.

(3)本実施形態では、導体層30のうち、レーザが貫通しやすい部分である第2導体部32のみを厚く形成しておけば、他の部分(第1導体部31)を薄くすることができる。よって、導体層30の薄膜化、ひいては、多層配線基板10の小型化が可能となる。   (3) In the present embodiment, if only the second conductor portion 32 that is a portion through which the laser easily penetrates is formed thick in the conductor layer 30, the other portion (first conductor portion 31) is made thin. Can do. Therefore, it is possible to reduce the thickness of the conductor layer 30 and to reduce the size of the multilayer wiring board 10.

(4)本実施形態では、第2導体部32の一部を構成する導体34の形成材料が、第2導体部32において第1樹脂絶縁層21の表面上に位置する部分の形成材料、第1導体部31の形成材料、及び、フィルドビア導体26,27の形成材料等と同じ種類の材料(具体的には銅)からなっている。即ち、導体部31,32やフィルドビア導体26,27等の電気抵抗が等しくなるため、多層配線基板10の導体部分における電気特性の変化を防止することができる。   (4) In this embodiment, the forming material of the conductor 34 constituting a part of the second conductor portion 32 is the forming material of the portion located on the surface of the first resin insulating layer 21 in the second conductor portion 32, the first It is made of the same material (specifically, copper) as the material for forming the one conductor portion 31 and the material for forming the filled via conductors 26 and 27. That is, since the electric resistances of the conductor portions 31 and 32, the filled via conductors 26 and 27, and the like become equal, it is possible to prevent a change in electric characteristics in the conductor portion of the multilayer wiring board 10.

(5)本実施形態では、ビア孔24,25に加えて、凹み部33を形成しているため、工数の増加となる。しかし、比較的高速加工が可能なCOレーザを用いてレーザ加工を行うことにより、凹み部33を形成しているため、加工時間の大幅な増加を防止することができる。 (5) In this embodiment, since the recessed part 33 is formed in addition to the via holes 24 and 25, the number of man-hours is increased. However, since the recess 33 is formed by performing laser processing using a CO 2 laser capable of relatively high speed processing, a significant increase in processing time can be prevented.

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。   In addition, you may change this embodiment as follows.

・上記実施形態では、第2導体部32の直下に、第1樹脂絶縁層21に形成されたフィルドビア導体26が存在しておらず、第1樹脂絶縁層21の下層側に隣接するコア基板11に、導体柱15、主面側導体層16及び裏面側導体層17が存在していた。そして、第2導体部32の一部を構成する導体34によって埋められる凹み部33の深さが、第1樹脂絶縁層21の厚さの1/2以下となっていた。   In the above embodiment, the filled via conductor 26 formed in the first resin insulation layer 21 does not exist immediately below the second conductor portion 32 and is adjacent to the lower layer side of the first resin insulation layer 21. In addition, the conductor pillar 15, the main surface side conductor layer 16, and the back surface side conductor layer 17 were present. The depth of the recessed portion 33 filled with the conductor 34 constituting a part of the second conductor portion 32 is ½ or less of the thickness of the first resin insulating layer 21.

しかし、図6に示されるように、コア基板61から導体柱15、主面側導体層16及び裏面側導体層17を省略し、第2導体部62の一部を構成する導体63によって埋められる凹み部64の深さを、第1樹脂絶縁層65の厚さの1/2より大きくしてもよい。また、図7に示されるように、第1樹脂絶縁層71とコア基板72との間に樹脂絶縁層73を配置してもよい。そして、凹み部74の深さ(即ち、凹み部74を埋める導体75の厚さ)を第1樹脂絶縁層71の厚さよりも大きくし、凹み部74の底部が樹脂絶縁層73内に到達するようにしてもよい。   However, as shown in FIG. 6, the conductor pillar 15, the main surface side conductor layer 16, and the back surface side conductor layer 17 are omitted from the core substrate 61 and are filled with a conductor 63 that constitutes a part of the second conductor portion 62. The depth of the recess 64 may be larger than ½ of the thickness of the first resin insulation layer 65. In addition, as shown in FIG. 7, a resin insulating layer 73 may be disposed between the first resin insulating layer 71 and the core substrate 72. Then, the depth of the recess 74 (that is, the thickness of the conductor 75 filling the recess 74) is made larger than the thickness of the first resin insulation layer 71, and the bottom of the recess 74 reaches the resin insulation layer 73. You may do it.

・上記実施形態では、凹み部33を埋める導体34、即ち、第2導体部32の一部を構成する導体34の最大径が、第2導体部32の最大径よりも小さくなっていた。しかし、導体34の最大径を、第2導体部32の最大径と等しくしてもよいし、第2導体部32の最大径よりも大きくしてもよい。   In the above embodiment, the maximum diameter of the conductor 34 that fills the recessed portion 33, that is, the conductor 34 that constitutes a part of the second conductor portion 32, is smaller than the maximum diameter of the second conductor portion 32. However, the maximum diameter of the conductor 34 may be equal to the maximum diameter of the second conductor portion 32 or may be larger than the maximum diameter of the second conductor portion 32.

・上記実施形態では、ビア孔24,25の形成に用いられるレーザをUV−YAGレーザ(紫外線レーザ)とし、凹み部33の形成に用いられるレーザをCOレーザとしていた。即ち、上記実施形態では、ビア孔24,25の形成に用いられるレーザと凹み部33の形成に用いられるレーザとが、互いに異なる種類のレーザであった。しかし、ビア孔24,25の形成に用いられるレーザと凹み部33の形成に用いられるレーザとを同じ種類のレーザ(例えばUV−YAGレーザ)としてもよい。 In the above embodiment, the laser used for forming the via holes 24 and 25 is a UV-YAG laser (ultraviolet laser), and the laser used for forming the recess 33 is a CO 2 laser. That is, in the above embodiment, the laser used for forming the via holes 24 and 25 and the laser used for forming the recess 33 are different types of lasers. However, the laser used for forming the via holes 24 and 25 and the laser used for forming the recess 33 may be the same type of laser (for example, a UV-YAG laser).

・上記実施形態では、ビア孔形成工程と凹み部形成工程とを同時に行っていたが、ビア孔形成工程後に凹み部形成工程を行ってもよいし、凹み部形成工程後にビア孔形成工程を行ってもよい。   In the above embodiment, the via hole forming step and the recessed portion forming step are performed simultaneously. However, the recessed portion forming step may be performed after the via hole forming step, or the via hole forming step is performed after the recessed portion forming step. May be.

・上記実施形態のビア導体形成工程では、フィルドビア導体26の形成と同時に、凹み部33内に第2導体部32の一部を構成する導体34を形成していた。しかし、フィルドビア導体26の形成後に導体34を形成してもよいし、導体34の形成後にフィルドビア導体26を形成してもよい。また、ビア導体形成工程においてフィルドビア導体26のみを形成し、ビア導体形成工程後の導体層形成工程において、第1導体部31及び第2導体部32の形成と同時に、凹み部33内に導体34を形成してもよい。   In the via conductor forming process of the above embodiment, the conductor 34 constituting a part of the second conductor portion 32 is formed in the recessed portion 33 simultaneously with the formation of the filled via conductor 26. However, the conductor 34 may be formed after the filled via conductor 26 is formed, or the filled via conductor 26 may be formed after the conductor 34 is formed. Further, only the filled via conductor 26 is formed in the via conductor forming step, and in the conductor layer forming step after the via conductor forming step, the conductor 34 is formed in the recess 33 simultaneously with the formation of the first conductor portion 31 and the second conductor portion 32. May be formed.

・上記実施形態の多層配線基板10は、2層の樹脂絶縁層21,22を積層することによって構成されていたが、3層以上の樹脂絶縁層を積層することによって構成されていてもよい。   -Although the multilayer wiring board 10 of the said embodiment was comprised by laminating | stacking the resin insulation layers 21 and 22 of two layers, you may be comprised by laminating | stacking three or more resin insulation layers.

・上記実施形態の多層配線基板10は、コア基板11の主面12のみにビルドアップ層20を有するビルドアップ多層配線基板であった。しかし、コア基板の主面及び裏面の両方にそれぞれビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板や、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板などを、本発明の多層配線基板として適用してもよい。   The multilayer wiring board 10 of the above embodiment is a buildup multilayer wiring board having the buildup layer 20 only on the main surface 12 of the core substrate 11. However, a build-up multilayer wiring board having build-up layers on both the main surface and the back surface of the core board, a coreless wiring board formed without including the core board, etc. are applied as the multilayer wiring board of the present invention. Also good.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)上記手段1において、前記凹み部の最大径は、前記ビア導体の最大径以上であることを特徴とする多層配線基板。   (1) In the above means 1, the multilayer wiring board is characterized in that the maximum diameter of the recess is equal to or larger than the maximum diameter of the via conductor.

(2)上記手段1において、前記第2導体部の一部を構成する導体の最大径は、前記第2導体部の最大径よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。   (2) The multilayer wiring board according to the above means 1, wherein the maximum diameter of the conductor constituting a part of the second conductor portion is smaller than the maximum diameter of the second conductor portion.

(3)上記手段1において、前記第2導体部の一部を構成する導体の厚さは、前記第2導体部の厚さよりも小さいことを特徴とする多層配線基板。   (3) In the above means 1, the multilayer wiring board characterized in that the thickness of the conductor constituting a part of the second conductor portion is smaller than the thickness of the second conductor portion.

(4)上記手段1において、前記第2導体部の一部を構成する導体は、めっき層であることを特徴とする多層配線基板。   (4) The multilayer wiring board according to the above means 1, wherein the conductor constituting a part of the second conductor portion is a plating layer.

(5)上記手段1において、前記ビア導体はフィルドビア導体であることを特徴とする多層配線基板。   (5) In the above means 1, the via conductor is a filled via conductor.

(6)上記手段2において、前記ビア導体形成工程では、前記ビア孔の内面に対するめっきを行うことにより、前記ビア導体を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。   (6) In the above means 2, in the via conductor forming step, the via conductor is formed by plating the inner surface of the via hole.

10…多層配線基板
16…導体層としての主面側導体層
21,65,71…樹脂絶縁層としての第1樹脂絶縁層
22…樹脂絶縁層としての第2樹脂絶縁層
24…ビア孔
26,27…ビア導体としてのフィルドビア導体
30…導体層
31…第1導体部
32,62…第2導体部
33,64,74…凹み部
34,63,75…第2導体部の一部を構成する導体
41…導体層としての端子パッド
73…樹脂絶縁層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Multilayer wiring board 16 ... Main surface side conductor layers 21, 65, 71 as conductor layers ... First resin insulation layer 22 as resin insulation layer ... Second resin insulation layer 24 as resin insulation layer ... Via hole 26, 27 ... Filled via conductor 30 as via conductor ... Conductor layer 31 ... First conductor portion 32, 62 ... Second conductor portion 33, 64, 74 ... Depression portion 34, 63, 75 ... Part of the second conductor portion. Conductor 41 ... Terminal pad 73 as a conductor layer ... Resin insulation layer

Claims (7)

複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した構造を有し、前記複数の導体層の間が、前記樹脂絶縁層に形成されたビア導体によって接続される多層配線基板であって、
前記複数の樹脂絶縁層は、第1樹脂絶縁層と、前記第1樹脂絶縁層上に積層されるとともに前記第1樹脂絶縁層に隣接する第2樹脂絶縁層とを有し、
前記第1樹脂絶縁層と前記第2樹脂絶縁層との間に形成される前記導体層は、第1導体部及び第2導体部からなり、
前記第1導体部の直下に、前記第1樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在する一方、前記第2導体部の直下には、前記第1樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在しておらず、
前記第1樹脂絶縁層の表面において前記第2導体部が配置される領域に凹み部が形成され、
前記凹み部が、前記第2導体部の一部を構成する導体によって埋められており、
前記第2導体部の厚さが、前記第1導体部の厚さよりも厚くなっており、
前記第2導体部の直上に、前記第2樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体が存在する
ことを特徴とする多層配線基板。
A multilayer wiring board having a structure in which a plurality of resin insulation layers and a plurality of conductor layers are alternately laminated, wherein the plurality of conductor layers are connected by via conductors formed in the resin insulation layer; ,
The plurality of resin insulation layers include a first resin insulation layer, and a second resin insulation layer laminated on the first resin insulation layer and adjacent to the first resin insulation layer,
The conductor layer formed between the first resin insulation layer and the second resin insulation layer comprises a first conductor portion and a second conductor portion,
The via conductor formed in the first resin insulating layer is present directly below the first conductor portion, while the via conductor formed in the first resin insulating layer is directly below the second conductor portion. Does not exist,
A recess is formed in a region where the second conductor portion is disposed on the surface of the first resin insulating layer,
The recessed portion is filled with a conductor constituting a part of the second conductor portion;
The thickness of the second conductor portion is thicker than the thickness of the first conductor portion,
The multilayer wiring board, wherein the via conductor formed in the second resin insulating layer exists immediately above the second conductor portion.
前記凹み部の深さは、0.1μm以上であって、前記第1樹脂絶縁層の厚さの1/2以下であることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a depth of the recessed portion is 0.1 μm or more and is ½ or less of a thickness of the first resin insulating layer. 前記ビア導体の形成材料と前記第2導体部の一部を構成する導体の形成材料とが同じ種類の材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板。   3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the via conductor forming material and the conductor forming material constituting a part of the second conductor portion are made of the same type of material. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板を製造する方法であって、
前記第1樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第1樹脂絶縁層を貫通するビア孔を形成するビア孔形成工程と、
前記ビア孔形成工程後、前記ビア孔内に前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記第1樹脂絶縁層に対してレーザ加工を行い、前記第1樹脂絶縁層の表面において前記第2導体部が配置される領域に凹み部を形成する凹み部形成工程と、
前記第1樹脂絶縁層の表面上に前記第1導体部及び前記第2導体部を形成する導体層形成工程と
を含み、
前記導体層形成工程が終了した時点で、前記凹み部に前記第2導体部の一部を構成する導体が形成されることにより、前記第2導体部が前記第1導体部よりも厚くなる
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
A method for producing the multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 3,
A via hole forming step of performing laser processing on the first resin insulating layer and forming a via hole penetrating the first resin insulating layer;
A via conductor forming step of forming the via conductor in the via hole after the via hole forming step;
A recess forming step of performing laser processing on the first resin insulating layer and forming a recess in a region where the second conductor portion is disposed on a surface of the first resin insulating layer;
A conductor layer forming step of forming the first conductor portion and the second conductor portion on the surface of the first resin insulation layer,
When the conductor layer forming step is completed, the second conductor portion becomes thicker than the first conductor portion by forming a conductor constituting a part of the second conductor portion in the recessed portion. A manufacturing method of a multilayer wiring board characterized by the above.
前記ビア孔形成工程と前記凹み部形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項4に記載の多層配線基板の製造方法。   5. The method of manufacturing a multilayer wiring board according to claim 4, wherein the via hole forming step and the recessed portion forming step are performed simultaneously. 前記ビア導体形成工程では、前記ビア導体の形成と同時に、前記凹み部内に前記第2導体部の一部を構成する導体を形成することを特徴とする請求項4または5に記載の多層配線基板の製造方法。   6. The multilayer wiring board according to claim 4, wherein, in the via conductor forming step, a conductor constituting a part of the second conductor portion is formed in the recessed portion simultaneously with the formation of the via conductor. Manufacturing method. 前記ビア孔形成工程では、紫外線レーザを用いたレーザ加工を施すことにより、前記ビア孔を形成することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。   7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 4, wherein in the via hole forming step, the via hole is formed by performing laser processing using an ultraviolet laser.
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