JP2017005265A - Semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device using a lead frame for an LED, which has high reflectivity on light of a short wavelength (wavelength of 460 nm or less) and prevents reflectivity around wavelength of 350 nm of a spectral reflectivity curve from decreasing in a peaked shape.SOLUTION: A semiconductor device 10A comprises: a lead frame 1A having a base material 2 and a silver plating layer 3 provided at least on a mounting area MA of the base material 2, for mounting an LED element 12; the LED element 12 which has an emission wavelength peak at 330-400 nm and which is mounted on the mounting area MA; and an encapsulation part 13 for encapsulating the LED element 12. Silver crystal grains each having a cross sectional area of 1 μmor more occupy 70% or more of an entire area of a predetermined cross section in a thickness direction of the silver plating layer 3, and in a spectral reflectivity curve of the silver plating layer 3, reflectivity around the wavelength of 350 nm is prevented from decreasing in a peaked shape.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）用リードフレームを用いた半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device using an LED (light emitting diode) lead frame.

近年、ＬＥＤ素子を基板上に実装した半導体装置（ＬＥＤパッケージ）が、表示装置のバックライト、各種電気機器や電子機器の表示灯、車載照明、一般照明等に用いられている。かかるＬＥＤパッケージは、一般に、銅基板等の放熱性基板上に電気絶縁層を介して電極を形成し、この電極上にＬＥＤ素子を実装してボンディングした後、透光性樹脂で当該ＬＥＤ素子を埋設するようにして封止した構造を有する。   2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices (LED packages) in which LED elements are mounted on a substrate are used for backlights for display devices, display lamps for various electrical and electronic devices, in-vehicle lighting, general lighting, and the like. Such an LED package is generally formed by forming an electrode on a heat-dissipating substrate such as a copper substrate via an electrical insulating layer, mounting the LED element on the electrode, bonding, and then bonding the LED element with a translucent resin. It has a structure sealed so as to be buried.

このような構造を有するＬＥＤパッケージとして、例えば、Ｃｕ配線層が形成されたＣｕ基板にＣｕ配線層側からプレス加工を施すことで所定の凹部（リフレクタ部）を形成し、当該凹部内（素子搭載部）にＬＥＤ素子を実装した後にエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂で封止してなるものが知られている（特許文献１参照）。かかる半導体装置は、ＬＥＤ素子から発せられた光を効率的に取り出すために、Ｃｕ配線層上に設けられた、反射層としての役割を果たす銀めっき層を備えている。   As an LED package having such a structure, for example, a predetermined recess (reflector portion) is formed by pressing a Cu substrate on which a Cu wiring layer is formed from the Cu wiring layer side, and the inside of the recess (element mounting) (Part 1) is known in which an LED element is mounted and then sealed with a translucent resin such as an epoxy resin or a silicone resin (see Patent Document 1). Such a semiconductor device includes a silver plating layer provided on the Cu wiring layer and serving as a reflective layer in order to efficiently extract light emitted from the LED element.

また、近年、紫外領域の発光波長（４００ｎｍ以下）を有するＬＥＤ素子が開発され、当該ＬＥＤ素子を用いたＬＥＤパッケージが、例えば、フォトレジストとして用いられる紫外線硬化性樹脂を光反応により硬化させるための照射光源として注目されている。
この光反応は、紫外線硬化性樹脂組成物中に含まれる光重合開始剤のような光反応性分子に照射された紫外領域の光のエネルギーが当該光反応性分子に吸収され、分子内での化学反応により引き起こされる。したがって、紫外領域の発光波長を有するＬＥＤ素子を用いたＬＥＤパッケージを上記照射光源として用いるためには、当該分子内での化学反応を引き起こすのに必要なエネルギーを有する紫外領域の光が、当該ＬＥＤパッケージから取り出されなければならない。 In recent years, an LED element having an emission wavelength in the ultraviolet region (400 nm or less) has been developed, and an LED package using the LED element is, for example, for curing an ultraviolet curable resin used as a photoresist by a photoreaction. It is attracting attention as an irradiation light source.
In this photoreaction, energy of ultraviolet light irradiated to a photoreactive molecule such as a photopolymerization initiator contained in the ultraviolet curable resin composition is absorbed by the photoreactive molecule, Caused by a chemical reaction. Therefore, in order to use an LED package using an LED element having an emission wavelength in the ultraviolet region as the irradiation light source, light in the ultraviolet region having energy necessary to cause a chemical reaction in the molecule is emitted from the LED. Must be removed from the package.

しかしながら、従来のＬＥＤパッケージにおいて反射層として用いられている銀めっき層は、可視光領域の光の反射性能に優れるものの、紫外領域の光を吸収しやすいために当該紫外領域の光の反射性能に劣り、当該ＬＥＤパッケージから紫外領域の光を効果的に取り出すことができないという問題がある。   However, although the silver plating layer used as a reflection layer in the conventional LED package is excellent in the light reflection performance in the visible light region, it is easy to absorb the light in the ultraviolet region, so that the light reflection performance in the ultraviolet region is improved. Inferior, there is a problem that light in the ultraviolet region cannot be effectively extracted from the LED package.

このような問題を解決すべく、従来、基材に電気銀めっき処理を施すことにより形成される、反射層としての機能を果たす銀膜を有し、当該銀膜における最表面の結晶粒径が０．５〜３０μｍであるＬＥＤ実装用基板が提案されている（特許文献２参照）。   In order to solve such problems, conventionally, a silver film having a function as a reflective layer, which is formed by subjecting a base material to electro silver plating, has a crystal grain size on the outermost surface of the silver film. An LED mounting substrate having a thickness of 0.5 to 30 μm has been proposed (see Patent Document 2).

特開２００６−２４５０３２号公報JP 2006-245032 A 特開２００８−１６６７４号公報JP 2008-16664 A

一般に、銀めっき層は、その分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下するため、ピーク発光波長が３５０ｎｍ付近のＬＥＤ素子を用いてなるＬＥＤパッケージにおいては、銀めっき層により反射した光の波長分布が二つに分かれてしまう。一方、上記光反応性分子における分子内での化学反応を引き起こし得る紫外光の波長、すなわち光反応性分子における紫外光の吸収波長は、光反応性分子に特有であり、反応に寄与し得ない波長の紫外光はすべて熱エネルギーとなって消費されてしまう。そのため、照射光源から発せられる紫外光の波長の分散を少なくし、上記吸収波長の紫外光を可能な限り効率的に取り出すことのできるＬＥＤパッケージが所望されている。   In general, since the reflectance of a silver plating layer in the spectral reflectance curve near a wavelength of 350 nm decreases in a peak shape, an LED package using an LED element having a peak emission wavelength of around 350 nm is reflected by the silver plating layer. The wavelength distribution of the light is divided into two. On the other hand, the wavelength of ultraviolet light that can cause an intramolecular chemical reaction in the photoreactive molecule, that is, the absorption wavelength of ultraviolet light in the photoreactive molecule is unique to the photoreactive molecule and cannot contribute to the reaction. All ultraviolet light with a wavelength is consumed as thermal energy. Therefore, there is a demand for an LED package that can reduce the dispersion of the wavelength of ultraviolet light emitted from the irradiation light source and extract the ultraviolet light having the absorption wavelength as efficiently as possible.

しかしながら、上記特許文献２に開示されたＬＥＤ実装用基板によれば、可視光領域のうちの短波長領域（波長４００〜５００ｎｍ）における銀膜の反射率は向上されているものの、その分光反射率曲線における、紫外領域である波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下するため、ピーク発光波長が３５０ｎｍ付近のＬＥＤ素子を用いた場合に、銀膜により反射した光の波長分布が３５０ｎｍ前後の二つに分かれてしまい、所望とするエネルギー（波長）を有する光を取り出すのが困難であるという問題がある。   However, according to the LED mounting substrate disclosed in Patent Document 2, although the reflectance of the silver film in the short wavelength region (wavelength 400 to 500 nm) in the visible light region is improved, the spectral reflectance thereof is improved. In the curve, the reflectance near the wavelength of 350 nm, which is the ultraviolet region, decreases in a peak shape. Therefore, when an LED element having a peak emission wavelength of around 350 nm is used, the wavelength distribution of the light reflected by the silver film is about 350 nm. There is a problem that it is difficult to extract light having a desired energy (wavelength).

上記のような問題に鑑みて、本発明は、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないＬＥＤ用リードフレームを用いた半導体装置を提供することを目的とする。   In view of the problems as described above, the present invention provides a lead frame for an LED that has a high reflectance of light having a short wavelength (wavelength of 460 nm or less) and does not have a peak decrease in reflectance near a wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve. An object of the present invention is to provide a semiconductor device using this.

上記課題を解決するために、本発明は、基材及び前記基材におけるＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域上に少なくとも設けられてなる銀めっき層を有するリードフレームと、前記搭載領域上に搭載されてなる、３３０〜４００ｎｍに発光波長のピークを有するＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を封止する封止部とを備え、前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面の全面積の７０％以上が、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子で占められており、前記銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないことを特徴とする半導体装置を提供する（発明１）。 In order to solve the above problems, the present invention provides a lead frame having a silver plating layer provided at least on a substrate and a mounting region for mounting an LED element on the substrate, and mounted on the mounting region. An LED element having an emission wavelength peak at 330 to 400 nm, and a sealing portion for sealing the LED element, and 70% or more of the total area of a predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer Is provided with silver crystal particles having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more, and the reflectance in the vicinity of a wavelength of 350 nm is not reduced in a peak shape in the spectral reflectance curve of the silver plating layer. (Invention 1)

なお、本発明において「銀めっき層の厚さ方向所定の断面」とは、基材の搭載領域上の銀めっき層の厚さ方向における切断面のうち、ＳＥＭを用いて観察可能な領域であって、例えば、銀めっき層の厚さ方向及び面方向における長さが１０μｍ×２０μｍの切断面である。また、本発明において「銀の結晶粒子の断面積」とは、銀めっき層の厚さ方向における所定の断面に現れる銀の結晶粒子切断面の面積を意味し、当該断面積は、例えばＳＥＭを用いて当該切断面を観察し、ＥＢＳＰ検出器を用いて結晶方位を判別し、結晶粒像を撮影し、粒径分布を算出する方法により測定することができる。   In the present invention, the “predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer” refers to an area that can be observed using the SEM in the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer on the substrate mounting area. For example, the length of the silver plating layer in the thickness direction and the surface direction is a cut surface of 10 μm × 20 μm. Further, in the present invention, “cross-sectional area of silver crystal particles” means an area of a silver crystal particle cut surface appearing in a predetermined cross-section in the thickness direction of the silver plating layer, and the cross-sectional area is, for example, SEM. It can be measured by a method in which the cut surface is observed, the crystal orientation is discriminated using an EBSP detector, a crystal grain image is taken, and the particle size distribution is calculated.

また、本発明において「波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない」とは、銀めっき層の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において、短波長側から長波長側へ進むに従い増加する反射率が低下し始める極大点における反射率と、当該極大点よりも長波長側において反射率が再び増加し始める極小点における反射率との差分が、１％未満、好ましくは当該分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において極大点及び極小点が存在しないことを意味するものとする。   In the present invention, “the reflectance near the wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape” means that the wavelength increases from 330 to 380 nm in the spectral reflectance curve of the silver plating layer as the wavelength increases from the short wavelength side to the long wavelength side. The difference between the reflectance at the maximum point at which the reflectance starts to decrease and the reflectance at the minimum point at which the reflectance starts increasing again on the longer wavelength side than the maximum point is less than 1%, preferably the spectral reflectance It means that there are no local maximum point and local minimum point in the wavelength range of 330 to 380 nm of the curve.

上記発明（発明１）においては、前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面において、当該銀めっき層の厚さの二乗以上の断面積を有する前記銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するのが好ましい（発明２）。   In the said invention (invention 1), in the predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer, at least one silver crystal particle having a cross-sectional area equal to or larger than the square of the thickness of the silver plating layer is present. Preferred (Invention 2).

上記発明（発明１，２）においては、前記搭載領域の周囲を囲むリフレクタ領域に設けられてなる樹脂リフレクタをさらに備え、前記樹脂リフレクタは、波長４６０ｎｍ以下の光の透過率が高い樹脂と、前記樹脂中に分散され、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高い顔料とにより構成されているのが好ましい（発明３）。   In the above inventions (Inventions 1 and 2), further comprising a resin reflector provided in a reflector region surrounding the mounting region, the resin reflector includes a resin having a high light transmittance of a wavelength of 460 nm or less; It is preferably composed of a pigment dispersed in a resin and having a high reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less (Invention 3).

上記発明（発明１〜３）においては、前記リードフレームは、前記搭載領域上の銀めっき層の一部が露出するように前記銀めっき層を被覆してなる、前記銀よりも耐食性の高い、銀以外の金属を含有する被覆層をさらに有するのが好ましい（発明４）。   In the said invention (invention 1-3), the said lead frame coats the said silver plating layer so that a part of silver plating layer on the said mounting area | region is exposed, and is higher in corrosion resistance than the said silver, It is preferable to further have a coating layer containing a metal other than silver (Invention 4).

上記発明（発明４）においては、前記被覆層の厚さが、５〜５０ｎｍであるのが好ましく（発明５）、前記被覆層に含まれる前記金属が、インジウム、パラジウム、ロジウム及びスズ、並びにそれらのうちの少なくとも１種を含む合金からなる群より選択される少なくとも１種であるのが好ましい（発明６）。   In the said invention (invention 4), it is preferable that the thickness of the said coating layer is 5-50 nm (invention 5), and the said metal contained in the said coating layer is indium, palladium, rhodium, tin, and those Of these, at least one selected from the group consisting of alloys containing at least one of them is preferred (Invention 6).

上記発明（発明１〜６）においては、前記封止部は、前記ＬＥＤ素子の発光により励起される蛍光体を含み、前記半導体装置は、波長４００〜７００ｎｍの光を発するのが好ましい（発明７）。   In the said invention (invention 1-6), the said sealing part contains the fluorescent substance excited by light emission of the said LED element, and it is preferable that the said semiconductor device emits light with a wavelength of 400-700 nm (invention 7). ).

本発明によれば、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないＬＥＤ用リードフレームを用いた半導体装置を提供することができる。   According to the present invention, there is provided a semiconductor device using a lead frame for an LED that has a high reflectance of light having a short wavelength (wavelength of 460 nm or less) and that does not drop in a peak in the spectral reflectance curve near a wavelength of 350 nm. can do.

図１は、本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an LED lead frame according to a first embodiment of the present invention. 図２は、本発明の第１の実施形態における基材の表面（ＬＥＤ素子搭載面）側を示す部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view showing the surface (LED element mounting surface) side of the base material in the first embodiment of the present invention. 図３は、本発明の第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームにおいて、銀めっき層の分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないことの意義を説明するためのグラフである。FIG. 3 explains the significance of the fact that in the LED lead frames according to the first and second embodiments of the present invention, the reflectance near the wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve of the silver plating layer does not decrease in a peak shape. It is a graph for. 図４は、本発明の第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the LED package according to the first embodiment of the present invention. 図５は、本発明の第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージの製造工程を示す工程フロー図である。FIG. 5 is a process flow diagram showing the manufacturing process of the LED package in the first embodiment of the present invention. 図６は、本発明の第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを示す部分断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing an LED lead frame according to the second embodiment of the present invention. 図７は、本発明の第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an LED package according to the second embodiment of the present invention. 図８は、本発明の第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの製造工程を示す工程フロー図である。FIG. 8 is a process flow diagram showing the manufacturing process of the LED package in the second embodiment of the present invention. 図９は、本発明の第１及び第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの変形例（その１）を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a modification (No. 1) of the LED package in the first and second embodiments of the present invention. 図１０は、本発明の第１及び第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの変形例（その２）を示す断面図である。FIG. 10: is sectional drawing which shows the modification (the 2) of the LED package in the 1st and 2nd embodiment of this invention. 図１１は、本発明の第１及び第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの変形例（その３）を示す断面図である。FIG. 11: is sectional drawing which shows the modification (the 3) of the LED package in the 1st and 2nd embodiment of this invention. 図１２は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（その１）を示す部分断面図である。FIG. 12 is a partial cross-sectional view showing an LED lead frame (No. 1) according to another embodiment of the present invention. 図１３は、図１２に示すＬＥＤ用リードフレームを用いて作製されるＬＥＤパッケージを示す断面図である。FIG. 13 is a sectional view showing an LED package manufactured using the LED lead frame shown in FIG. 図１４は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（その２）を示す部分断面図である。FIG. 14 is a partial cross-sectional view showing an LED lead frame (No. 2) according to another embodiment of the present invention. 図１５は、図１４に示すＬＥＤ用リードフレームを用いて作製されるＬＥＤパッケージを示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing an LED package manufactured using the LED lead frame shown in FIG. 図１６は、本発明の他の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（その３）を示す部分断面図である。FIG. 16 is a partial cross-sectional view showing an LED lead frame (part 3) according to another embodiment of the present invention. 図１７は、図１６に示すＬＥＤ用リードフレームを用いて作製されるＬＥＤパッケージモジュールを示す部分断面図である。FIG. 17 is a partial cross-sectional view showing an LED package module manufactured using the LED lead frame shown in FIG. 図１８は、図１７に示すＬＥＤパッケージモジュールから作製されるＬＥＤパッケージを示す断面図である。18 is a cross-sectional view showing an LED package manufactured from the LED package module shown in FIG.

本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
〔第１の実施形態〕
［ＬＥＤ用リードフレーム］
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを示す部分切断端面図であり、図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態における基材の表面（ＬＥＤ素子搭載面）側を示す部分平面図であり、図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態における基材の裏面側を示す部分平面図である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
[LED lead frame]
FIG. 1 is a partially cut end view showing an LED lead frame according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2A is a surface of a substrate (LED element) according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 (B) is a partial plan view showing the back side of the base material in the first embodiment of the present invention.

図１及び図２に示すように、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、ＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域ＭＡ（図２（Ａ）において、一点鎖線にて囲まれる各領域）を有する平板状の基材２と、当該基材２の全面（表面及び裏面）に設けられてなる銀めっき層３とを備える。   As shown in FIGS. 1 and 2, the LED lead frame 1A according to the first embodiment includes a mounting area MA for mounting an LED element (in FIG. 2A, each area surrounded by an alternate long and short dash line). ) And a silver plating layer 3 provided on the entire surface (front surface and back surface) of the substrate 2.

基材２としては、従来公知のリードフレーム用基材を用いることができ、例えば、銅、銅合金、４２合金（ニッケル４１％の鉄合金）等の金属基材（導電性基材）；セラミックス、ガラス等の電気絶縁性基材表面に導電性材料層を設けてなる複合基材等を用いることができる。これらのうち、基材２の放熱性の観点から、金属基材（導電性基材）を用いるのが好ましい。   As the base material 2, a conventionally known lead frame base material can be used, for example, a metal base material (conductive base material) such as copper, copper alloy, 42 alloy (nickel 41% iron alloy); ceramics A composite substrate or the like obtained by providing a conductive material layer on the surface of an electrically insulating substrate such as glass can be used. Among these, it is preferable to use a metal substrate (conductive substrate) from the viewpoint of heat dissipation of the substrate 2.

ＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域ＭＡは、基材２上に少なくとも１つ設けられていればよいが、複数の搭載領域ＭＡがマトリックス状（複数行×複数列）に所定のピッチで設けられていてもよい。なお、第１の実施形態においては、複数の搭載領域ＭＡがマトリックス状に配列されてなる基材２を例に挙げて説明する。   At least one mounting area MA for mounting the LED elements may be provided on the substrate 2, but a plurality of mounting areas MA are provided in a matrix (a plurality of rows × a plurality of columns) at a predetermined pitch. It may be. In the first embodiment, a description will be given by taking as an example a base material 2 in which a plurality of mounting areas MA are arranged in a matrix.

搭載領域ＭＡは、基材２上のリフレクタ領域ＲＡ（図２において二点鎖線にて囲まれる領域であって搭載領域ＭＡを除く領域）にリフレクタを設けた際に基材２の表面（銀めっき層３）が露出する略長円形状又は略方形状の領域である。   The mounting area MA is the surface of the base material 2 (silver plating) when the reflector is provided in the reflector area RA on the base material 2 (the area surrounded by the two-dot chain line in FIG. 2 and excluding the mounting area MA). It is a substantially oval or substantially rectangular area where layer 3) is exposed.

基材２上における搭載領域ＭＡの数は、特に限定されるものではなく、基材２の大きさ、ＬＥＤ素子の大きさ、各搭載領域ＭＡのピッチ等に応じて適宜設定することができる。また、各搭載領域ＭＡのピッチは、ＬＥＤ素子の大きさ等に応じて適宜設定することができ、例えば、２〜１０ｍｍ程度である。ここで、搭載領域ＭＡのピッチとは、縦方向又は横方向に隣接する２つの搭載領域ＭＡの各中心点間の距離を意味する。   The number of mounting areas MA on the base material 2 is not particularly limited, and can be appropriately set according to the size of the base material 2, the size of the LED elements, the pitch of each mounting area MA, and the like. Moreover, the pitch of each mounting area MA can be appropriately set according to the size of the LED element and the like, and is, for example, about 2 to 10 mm. Here, the pitch of the mounting area MA means a distance between the center points of two mounting areas MA adjacent in the vertical direction or the horizontal direction.

基材２の大きさは、搭載領域ＭＡに実装されるＬＥＤ素子の大きさや、搭載領域ＭＡのピッチ等に応じて適宜設計され得る。また、基材２の厚みは、例えば、０．０５〜０．５ｍｍ程度に設定され得る。   The size of the base material 2 can be appropriately designed according to the size of the LED elements mounted in the mounting area MA, the pitch of the mounting area MA, and the like. Moreover, the thickness of the base material 2 can be set to about 0.05-0.5 mm, for example.

基材２には、各搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する貫通スリット７が形成されており、各搭載領域ＭＡは、貫通スリット７を介して第１搭載領域ＭＡ１と第１搭載領域ＭＡ１よりも小面積の第２搭載領域ＭＡ２とに分割されている。これにより、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、搭載領域ＭＡが大面積の第１リード部２１及び小面積の第２リード部２２に分割され、第１リード部２１及び第２リード部２２を電気的に独立したものとすることができる（図４参照）。なお、貫通スリット７の短手方向の幅（開口幅）Ｗ１は、特に限定されるものではないが、例えば、５０〜６００μｍの範囲で適宜設定され得る。   The substrate 2 is formed with through slits 7 that vertically (or cross) each mounting area MA. Each mounting area MA is formed by the first mounting area MA1 and the first mounting area MA1 via the through slit 7. Is also divided into a second mounting area MA2 having a small area. Thereby, in the LED package 10A obtained using the LED lead frame 1A according to the first embodiment, the mounting region MA is divided into the first lead portion 21 having a large area and the second lead portion 22 having a small area, The first lead portion 21 and the second lead portion 22 can be electrically independent (see FIG. 4). Note that the width (opening width) W1 in the short direction of the through slit 7 is not particularly limited, and may be set as appropriate within a range of 50 to 600 μm, for example.

第１搭載領域ＭＡ１及び第２搭載領域ＭＡ２に相当する基材２における部分（搭載部）は、厚肉部２ａと、厚肉部２ａの周縁に連続し、裏面側から切り欠かれてなる薄肉部２ｂとを有する。厚肉部２ａの下面は、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いて得られるＬＥＤパッケージにおいて外部に露出するため、当該ＬＥＤパッケージにおける基板等と接続するための外部端子としての役割を果たすこととなる。   The portions (mounting portions) in the base material 2 corresponding to the first mounting region MA1 and the second mounting region MA2 are continuous with the thick portion 2a and the periphery of the thick portion 2a, and are thinned by being cut out from the back side. Part 2b. Since the lower surface of the thick portion 2a is exposed to the outside in the LED package obtained using the LED lead frame 1A, the lower surface of the thick portion 2a serves as an external terminal for connecting to a substrate or the like in the LED package.

当該搭載部の周縁部が薄肉部２ｂにより構成されていることで、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、第１リード部２１及び第２リード部２２と樹脂リフレクタ１１を形成するための樹脂とが係合し、第１リード部２１及び第２リード部２２がＬＥＤパッケージ１０Ａから抜け落ちるのを防止することができる。   In the LED package 10A obtained by using the LED lead frame 1A according to the first embodiment, the first lead portion 21 and the second lead portion are formed by the peripheral portion of the mounting portion being constituted by the thin portion 2b. It is possible to prevent the first lead portion 21 and the second lead portion 22 from falling off the LED package 10 </ b> A due to the engagement between the resin 22 and the resin for forming the resin reflector 11.

薄肉部２ｂの幅Ｗ２は、１０〜６００μｍであるのが好ましく、特に５０〜３００μｍであるのが好ましい。薄肉部２ｂの幅Ｗ２が１０μｍ未満であると、樹脂との係合作用を十分に得ることができなくなるおそれがあり、６００μｍを超えると、厚肉部２ａの下面（ＬＥＤパッケージにおいて外部に露出する面）の面積が小さくなってしまい、ＬＥＤパッケージと基板等との接続不良が生じやすくなるおそれがある。   The width W2 of the thin portion 2b is preferably 10 to 600 μm, and particularly preferably 50 to 300 μm. If the width W2 of the thin portion 2b is less than 10 μm, it may not be possible to obtain a sufficient engagement with the resin. If the width W2 exceeds 600 μm, the lower surface of the thick portion 2a (exposed to the outside in the LED package). Surface area) is reduced, and there is a risk of poor connection between the LED package and the substrate.

薄肉部２ｂの厚さは、厚肉部２ａよりも薄い厚さであり、好ましくは厚肉部２ａの厚さの略半分の厚さであり、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２の厚さにもよるが、通常０．０２５〜０．２５ｍｍ程度である。   The thickness of the thin part 2b is thinner than the thick part 2a, preferably about half the thickness of the thick part 2a, and the thickness of the substrate 2 of the LED lead frame 1A. Although it depends, it is usually about 0.025 to 0.25 mm.

第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、マトリックス状に配列された複数の搭載領域ＭＡを支持する枠部２ｃと、枠部２ｃと搭載領域ＭＡとを連結する第１連結部２ｄと、各搭載領域ＭＡを相互に連結する第２連結部２ｅとを有する。   The LED lead frame 1A according to the first embodiment includes a frame portion 2c that supports a plurality of mounting areas MA arranged in a matrix, and a first connecting portion 2d that connects the frame section 2c and the mounting area MA. And a second connecting part 2e for connecting the mounting areas MA to each other.

第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの幅Ｗ３は、５０〜３００μｍであるのが好ましく、８０〜１５０μｍであるのがより好ましい。第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅが、マトリックス状に配列された複数の搭載領域ＭＡを枠部２ｃにより支持するためのものであるにもかかわらず、当該幅Ｗ３が５０μｍ未満であると複数の搭載領域ＭＡを枠部２ｃにより支持し得る程度の強度が得られなくなるおそれがある。また、第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅは、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いてＬＥＤパッケージを製造する過程においてダイシングされるものであるため、当該幅Ｗ３が３００μｍを超えると、ダイシングブレードにかかる負荷が増大するおそれがあるとともに、製造されるＬＥＤパッケージにおいて側面から銀めっき層３とは反射率の異なる異種材料（基材２の構成材料、例えば、銅等）が露出する面積が増大し、ＬＥＤパッケージにおける反射性能に影響を与えるおそれがある。   The width W3 of the first connecting part 2d and the second connecting part 2e is preferably 50 to 300 μm, and more preferably 80 to 150 μm. Although the first connecting part 2d and the second connecting part 2e are for supporting the plurality of mounting areas MA arranged in a matrix by the frame part 2c, the width W3 is less than 50 μm. There is a possibility that a strength sufficient to support the plurality of mounting areas MA by the frame portion 2c cannot be obtained. Further, since the first connecting portion 2d and the second connecting portion 2e are diced in the process of manufacturing the LED package using the LED lead frame 1A, if the width W3 exceeds 300 μm, the dicing blade There is a possibility that such a load may increase, and in the manufactured LED package, an area where a dissimilar material (a constituent material of the base material 2, such as copper) having a reflectance different from that of the silver plating layer 3 is exposed from the side surface is increased. There is a risk of affecting the reflection performance of the LED package.

さらに、ダイシングされる金属量を減少させてダイシングブレードにかかる負荷をより低減させることを目的として、第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの厚さは、薄肉部２ｂと略同一に構成されている。   Furthermore, for the purpose of reducing the load applied to the dicing blade by reducing the amount of metal to be diced, the thickness of the first connecting portion 2d and the second connecting portion 2e is configured to be substantially the same as that of the thin portion 2b. ing.

さらにまた、第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの長さは、１００〜６００μｍであるのが好ましく、２００〜４００μｍであるのがより好ましい。当該長さが１００μｍ未満であると、ダイシング時における制御（ダイシングラインへのダイシングブレードの位置合わせ等）が困難となるおそれがあり、６００μｍを超えると複数の搭載領域ＭＡを枠部２ｃにより支持し得る程度の強度が得られなくなるおそれがある。   Furthermore, the length of the first connecting portion 2d and the second connecting portion 2e is preferably 100 to 600 μm, and more preferably 200 to 400 μm. If the length is less than 100 μm, control during dicing (positioning of the dicing blade to the dicing line, etc.) may be difficult. If the length exceeds 600 μm, a plurality of mounting areas MA are supported by the frame 2c. There is a possibility that the strength of the obtained level cannot be obtained.

銀めっき層３は、少なくとも搭載領域ＭＡ上においては、基材２の搭載領域ＭＡに実装されたＬＥＤ素子からの発光を反射する役割を果たす層である。かかる銀めっき層３は、所定の組成を有する銀めっき液を用いて基材２上に電気めっき法等により所定のめっき条件下で銀めっきされた後、所定の温度で加熱されてなるものであって、当該銀めっき層３の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものである。分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下する場合の例を図３に示すが、銀めっき層３の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍにおいて、短波長側から長波長側に進むに従い増加する反射率が低下し始める極大点Ｘ１における反射率Ｙ１と、当該極大点Ｘ１よりも長波長側において反射率が再び増加し始める極小点Ｘ２における反射率Ｙ２との差分（Ｙ１−Ｙ２）が１％以上である場合、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下するものとする。したがって、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいては、銀めっき層３の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２が存在していたとしても、反射率の差分（Ｙ１−Ｙ２）が１％未満であり、好ましくは極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２が存在しない。   The silver plating layer 3 is a layer that plays a role of reflecting light emitted from the LED elements mounted on the mounting area MA of the substrate 2 at least on the mounting area MA. The silver plating layer 3 is formed by silver plating on a base material 2 by a plating method or the like using a silver plating solution having a predetermined composition and then heating at a predetermined temperature. In the spectral reflectance curve of the silver plating layer 3, the reflectance near the wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape. FIG. 3 shows an example in which the reflectance near the wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve decreases in a peak shape. From the short wavelength side to the long wavelength side in the wavelength 330 to 380 nm of the spectral reflectance curve of the silver plating layer 3. The difference between the reflectance Y1 at the maximum point X1 at which the increasing reflectance starts to decrease and the reflectance Y2 at the minimum point X2 at which the reflectance starts increasing again on the longer wavelength side of the maximum point X1 (Y1- When Y2) is 1% or more, the reflectance near a wavelength of 350 nm is assumed to decrease in a peak shape. Therefore, in the LED lead frame 1A according to the first embodiment, even if the local maximum point X1 and the local minimum point X2 exist in the wavelength range of 330 to 380 nm of the spectral reflectance curve of the silver plating layer 3, reflection is performed. The difference in rate (Y1-Y2) is less than 1%, and preferably there is no local maximum point X1 and local minimum point X2.

このようにして基材２上に形成されてなる銀めっき層３は、その厚さ方向における所定の断面の全面積のうちの７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上１００％未満が、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子で占められる。銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面の全面積における、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の占める割合が上記範囲であれば、銀めっき層３における銀の結晶粒界が効果的に低減されているため、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を向上させることができるとともに、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものとすることができる。また、銀により構成される銀めっき層を有するＬＥＤ用リードフレームに発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子を搭載して得られるＬＥＤパッケージにおいては、当該ＬＥＤ素子（の発光層）のバンドギャップが大きいことで、駆動電圧が高くなり、それにより銀めっき層３を構成する銀がイオン化されやすく、銀イオンによるイオンマイグレーションが生じるおそれがある。その結果として、ＬＥＤパッケージ１０Ａにおける反射率が低下したり、第１及び第２リード２１，２２間が電気的に接続されてしまったりするおそれがある。この銀のイオン化は、銀の結晶粒界において生じると考えられる。そのため、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいては、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒子のサイズが大きいことで、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子を搭載したとしても、銀イオンによるイオンマイグレーションが生じるのを抑制することができる。 Thus, the silver plating layer 3 formed on the base material 2 is 70% or more, preferably 80% or more, more preferably 85% or more 100% of the total area of the predetermined cross section in the thickness direction. % Is occupied by silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more. If the proportion of silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more in the total area of a predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer 3 is within the above range, the silver crystal grain boundaries in the silver plating layer 3 are effective. Therefore, the reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less can be improved, and the reflectance in the vicinity of the wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve cannot be reduced in a peak shape. Further, in an LED package obtained by mounting an LED element having an emission wavelength of 460 nm or less on an LED lead frame having a silver plating layer made of silver, the band gap of the LED element (the light emitting layer) is large. The driving voltage is increased, whereby the silver constituting the silver plating layer 3 is easily ionized, and ion migration due to silver ions may occur. As a result, the reflectance of the LED package 10A may be reduced, or the first and second leads 21 and 22 may be electrically connected. This silver ionization is considered to occur at the grain boundary of silver. Therefore, in the LED lead frame 1A according to the first embodiment, even if an LED element having an emission wavelength of 460 nm or less is mounted due to the large size of silver crystal particles constituting the silver plating layer 3, silver ions It is possible to suppress the occurrence of ion migration due to.

また、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面において、銀めっき層３の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するのが好ましい。このような銀めっき層３であれば、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を向上させることができるとともに、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものとすることができる。   In addition, in a predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer 3, it is preferable that at least one silver crystal particle having a cross-sectional area equal to or larger than the square of the thickness of the silver plating layer 3 exists. With such a silver plating layer 3, the reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less can be improved, and the reflectance near the wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve cannot be reduced in a peak shape. .

なお、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面とは、基材２の搭載領域ＭＡ中から任意に選択された一の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３の厚さ方向における切断面のうち、ＳＥＭを用いて観察可能な領域であって、例えば、銀めっき層３の厚さ方向及び面方向における長さが１０μｍ×２０μｍの断面である。   In addition, the predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer 3 is a cut surface in the thickness direction of the silver plating layer 3 on one mounting area MA arbitrarily selected from the mounting area MA of the base material 2. Among these, it is a region that can be observed using the SEM, and is, for example, a cross section having a length of 10 μm × 20 μm in the thickness direction and the surface direction of the silver plating layer 3.

また、銀めっき層３の所定の断面の全面積における断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の占める面積割合は、一の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３の任意の複数箇所（例えば３箇所）を切断し、当該切断面における当該面積割合の算術平均値として算出され得る。 In addition, the area ratio of silver crystal particles having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more in the total area of the predetermined cross section of the silver plating layer 3 is an arbitrary plurality of locations (for example, 3 locations) of the silver plating layer 3 on one mounting region MA. ) And may be calculated as an arithmetic average value of the area ratio in the cut surface.

さらに、銀の結晶粒子の断面積とは、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面（ＳＥＭにより観察可能な領域）に現れる銀の結晶粒子切断面の面積を意味し、当該断面積は、例えばＳＥＭを用いて当該切断面を観察し、ＥＢＳＰ検出器を用いて結晶方位を判別し、結晶粒像を撮影し、粒径分布を算出する方法により測定することができる。   Furthermore, the cross-sectional area of the silver crystal particles means the area of the silver crystal particle cut surface that appears in a predetermined cross-section (region observable by SEM) in the thickness direction of the silver plating layer 3, and the cross-sectional area is For example, it can be measured by a method of observing the cut surface using an SEM, discriminating crystal orientation using an EBSP detector, photographing a crystal grain image, and calculating a grain size distribution.

このような構成を有する銀めっき層３の厚さは、特に限定されるものではないが、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍ、特に好ましくは２〜４μｍに設定され得る。   Although the thickness of the silver plating layer 3 which has such a structure is not specifically limited, Preferably it is 1-10 micrometers, More preferably, it is 1-5 micrometers, Most preferably, it can be set to 2-4 micrometers.

銀めっき層３は、貫通スリット７により二分される各搭載領域ＭＡにおける第１搭載領域ＭＡ１上に設けられてなる第１銀めっき層３１と、第２搭載領域ＭＡ２上に設けられてなる第２銀めっき層３２とを含む。   The silver plating layer 3 includes a first silver plating layer 31 provided on the first mounting area MA1 in each mounting area MA divided by the through slit 7, and a second provided on the second mounting area MA2. A silver plating layer 32.

第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、基材２と銀めっき層３との間に、基材２と銀めっき層３との密着性を向上させる下地めっき層（図示せず）を備えていてもよい。このような下地めっき層としては、例えば、無電解めっき、電気めっきにより形成した銅めっき層、ニッケルめっき層等が挙げられる。かかる下地めっき層の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍに適宜設定され得る。   The LED lead frame 1A according to the first embodiment is a base plating layer (not shown) that improves the adhesion between the base material 2 and the silver plating layer 3 between the base material 2 and the silver plating layer 3. May be provided. Examples of such a base plating layer include a copper plating layer and a nickel plating layer formed by electroless plating and electroplating. The thickness of the base plating layer can be appropriately set to 10 to 1000 nm, for example.

なお、図１に示すように、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、各搭載領域ＭＡを囲むリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を備えていないものであるが、図５（Ｂ）に示すような樹脂リフレクタ１１を備えるものであってもよい。また、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいては、図１に示すように、各搭載領域ＭＡの周辺部を取り囲む溝部５がリフレクタ領域ＲＡ内に設けられており、これにより、基材２と樹脂リフレクタ１１との密着性を向上させることができる。   As shown in FIG. 1, the LED lead frame 1A according to the first embodiment is not provided with the resin reflector 11 in the reflector region RA surrounding each mounting region MA, but FIG. The resin reflector 11 as shown in FIG. Further, in the LED lead frame 1A according to the first embodiment, as shown in FIG. 1, a groove portion 5 surrounding the peripheral portion of each mounting region MA is provided in the reflector region RA. The adhesion between the material 2 and the resin reflector 11 can be improved.

第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおいて、リフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１が形成されている場合、当該樹脂リフレクタ１１は、波長４６０ｎｍ以下の光の透過率が高い（透過率８５％以上、好ましくは９０％以上）樹脂により構成されているのが好ましく、特に光（紫外光等）により劣化しやすい芳香族を有しない樹脂により構成されているのが好ましい。   In the LED lead frame 1A according to the first embodiment, when the resin reflector 11 is formed in the reflector region RA, the resin reflector 11 has a high transmittance of light having a wavelength of 460 nm or less (a transmittance of 85% or more). (Preferably 90% or more) is preferably composed of a resin, and particularly preferably composed of a resin that does not have an aromatic that is easily deteriorated by light (such as ultraviolet light).

上記のような樹脂としては、例えば、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）等のオレフィン系熱可塑性樹脂；ポリノルボルネン、ゼオネックス（日本ゼオン社製）、ゼオノア（日本ゼオン社製）等のシクロオレフィン系熱可塑性樹脂：シリコーン樹脂、脂環式エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられ、これらのうち、ＰＭＰを用いるのが特に好ましい。樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂が吸湿性官能基（例えば、アミノ基、カルボキシル基等）を有すると、当該樹脂が吸湿し、それにより銀めっき層３を構成する銀がイオン化されやすくなり、当該銀イオンによるイオンマイグレーションが生じるおそれがあるが、樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂として吸湿性官能基を有しないＰＭＰを用いることで、上記のような問題が生じるのを防止することができる。   Examples of the resin include olefin-based thermoplastic resins such as polymethylpentene (PMP); cycloolefin-based thermoplastic resins such as polynorbornene, ZEONEX (manufactured by ZEON Corporation), and ZEONOR (manufactured by ZEON Corporation). : Thermosetting resins such as silicone resins and alicyclic epoxy resins, and the like. Among these, it is particularly preferable to use PMP. When the resin constituting the resin reflector 11 has a hygroscopic functional group (for example, an amino group, a carboxyl group, etc.), the resin absorbs moisture, whereby the silver constituting the silver plating layer 3 is easily ionized. Although ion migration due to ions may occur, the use of PMP having no hygroscopic functional group as the resin constituting the resin reflector 11 can prevent the above problems from occurring.

また、上記樹脂中には、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率の高い（反射率８５％以上、好ましくは９０％以上）顔料が分散されているのが好ましい。このような顔料としては、例えば、硫酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等からなるものが挙げられる。   Further, it is preferable that a pigment having a high reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less (a reflectance of 85% or more, preferably 90% or more) is dispersed in the resin. Examples of such pigments include those made of magnesium sulfate, magnesium carbonate, boron nitride, magnesium oxide, aluminum oxide, and the like.

［ＬＥＤ用リードフレームの製造方法］
上述したような構成を有する第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａは、以下のようにして製造することができる。 [LED lead frame manufacturing method]
The LED lead frame 1A according to the first embodiment having the above-described configuration can be manufactured as follows.

（基材形成工程）
まず、銅基板等の基板に所望のエッチングレジスト膜を形成し、基板両面をエッチングして、複数の搭載領域ＭＡ（第１搭載領域ＭＡ１，第２搭載領域ＭＡ２）、枠部２ｃ、枠部２ｃと搭載領域ＭＡとを連結する第１連結部２ｄ、各搭載領域ＭＡを相互に連結する第２連結部２ｅ、並びに各搭載領域ＭＡを第１搭載領域ＭＡ１及び第２搭載領域ＭＡ２に分割する貫通スリット７が設けられてなる基材２を形成する。なお、基板の裏面側における薄肉部２ｂ、第１連結部２ｄ並びに第２連結部２ｅに相当する部位にエッチングレジスト膜を設けることなく上記のようにエッチングすることで、これらの部位は基板の裏面側からハーフエッチングされ、他の部分の略半分の厚さに構成される。 (Base material forming process)
First, a desired etching resist film is formed on a substrate such as a copper substrate, and both surfaces of the substrate are etched to form a plurality of mounting areas MA (first mounting area MA1, second mounting area MA2), a frame portion 2c, and a frame portion 2c. A first connecting portion 2d that connects the mounting area MA, a second connecting portion 2e that connects the mounting areas MA to each other, and a penetration that divides each mounting area MA into a first mounting area MA1 and a second mounting area MA2. The base material 2 provided with the slits 7 is formed. In addition, by etching as described above without providing an etching resist film in the portions corresponding to the thin-walled portion 2b, the first connecting portion 2d, and the second connecting portion 2e on the back surface side of the substrate, these portions are formed on the back surface of the substrate. It is half-etched from the side, and is formed to have a thickness approximately half that of the other part.

基板をエッチングするためのエッチング液は、基板の材質により適宜選択され得るものであり、例えば、銅基板を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。また、エッチング方法としては、スプレー方式、浸漬方式等、従来公知のエッチング方法を適宜選択すればよい。   The etching solution for etching the substrate can be appropriately selected depending on the material of the substrate. For example, when using a copper substrate, an aqueous ferric chloride solution can be used as the etching solution. As an etching method, a conventionally known etching method such as a spray method or a dipping method may be appropriately selected.

（銀薄膜形成工程）
次に、上述のようにして形成された基材２を銀めっき用のシアン浴に浸漬させて、基材２を給電層として、電気めっき法により基材２の全面に銀めっきし、銀薄膜を形成する。このようにして形成される銀薄膜の厚さは、例えば、１〜１０μｍであるのが好ましく、１〜５μｍであるのがより好ましい。 (Silver thin film formation process)
Next, the base material 2 formed as described above is immersed in a cyan bath for silver plating, and the whole surface of the base material 2 is silver-plated by an electroplating method using the base material 2 as a power feeding layer. Form. The thickness of the silver thin film thus formed is, for example, preferably 1 to 10 μm, and more preferably 1 to 5 μm.

上記シアン浴は、セレノシアン酸カリウム、酸化セレン等のセレン系光沢剤を含む浴であればよく、シアン塩を好ましくは５０ｇ／Ｌ以上、特に好ましくは８０ｇ／Ｌ以上含有する高シアン浴である。このような組成を有するシアン浴を用いて電気めっき法により形成された銀薄膜を、後述の加熱工程により加熱することで、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない銀めっき層３を形成することができる。   The cyan bath may be a bath containing a selenium brightener such as potassium selenocyanate and selenium oxide, and is a high cyan bath containing cyan salt preferably at least 50 g / L, particularly preferably at least 80 g / L. A silver thin film formed by electroplating using a cyan bath having such a composition is heated by a heating process described later, so that the reflectance of light with a short wavelength (wavelength of 460 nm or less) is high and spectral reflection is achieved. In the rate curve, it is possible to form the silver plating layer 3 in which the reflectance near the wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape.

なお、銀薄膜下に下地めっき層を設ける場合、銀薄膜形成工程を行う前に、基材２の表面に下地めっき層（銅めっき層やニッケルめっき層等）を形成する下地めっき層形成工程を行うことができる。   In addition, when providing a base plating layer under a silver thin film, before performing a silver thin film formation process, the base plating layer formation process which forms a base plating layer (a copper plating layer, a nickel plating layer, etc.) on the surface of the base material 2 is performed. It can be carried out.

（加熱工程）
続いて、銀薄膜を有する基材２を加熱する。上記めっき条件下で形成された銀薄膜を有する基材２を加熱することにより、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを得ることができる。 (Heating process)
Then, the base material 2 which has a silver thin film is heated. By heating the base material 2 having a silver thin film formed under the above plating conditions, the LED lead frame 1A according to the first embodiment can be obtained.

基材２を加熱する際の加熱温度は、基材２上の銀薄膜を構成する銀の結晶粒子を再結晶化させることによって当該結晶粒子のサイズを増大させ得る温度、すなわち加熱後の銀薄膜の厚さ方向における所定の断面の全面積のうちの、好ましくは７０％以上、より好ましくは８５％以上１００％未満が断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子で占められるような加熱温度であり、加熱後の銀薄膜において、当該銀薄膜の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するような加熱温度であるのが特に好ましい。かかる温度で加熱することにより、銀の結晶粒界の少ない銀めっき層３を形成することができる。具体的には、２００〜５００℃で加熱するのが好ましく、３００〜４５０℃で加熱するのがより好ましい。 The heating temperature at the time of heating the base material 2 is a temperature at which the size of the crystal particles can be increased by recrystallizing silver crystal particles constituting the silver thin film on the base material 2, that is, the silver thin film after heating. The heating temperature is such that preferably 70% or more, more preferably 85% or more and less than 100% of the total area of the predetermined cross section in the thickness direction is occupied by silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more. It is particularly preferable that the heating temperature is such that at least one silver crystal particle having a cross-sectional area equal to or larger than the square of the thickness of the silver thin film exists in the silver thin film after heating. By heating at such a temperature, the silver plating layer 3 with few silver crystal grain boundaries can be formed. Specifically, heating at 200 to 500 ° C. is preferable, and heating at 300 to 450 ° C. is more preferable.

また、基材２の加熱時間は、１〜１０分間であるのが好ましく、２〜５分間であるのがより好ましい。基材２の加熱時間が１分未満であると、銀薄膜を構成する銀の結晶粒子のサイズを効果的に増大させることができないおそれがあり、１０分を超えても、それ以上銀の結晶粒子のサイズを増大させ、結晶粒界を少なくすることが困難である。   Moreover, it is preferable that the heating time of the base material 2 is 1 to 10 minutes, and it is more preferable that it is 2 to 5 minutes. If the heating time of the substrate 2 is less than 1 minute, the size of the silver crystal particles constituting the silver thin film may not be effectively increased. It is difficult to increase the size of the grains and reduce the grain boundaries.

上記基材２の加熱は、窒素等の不活性ガス雰囲気下にて行うのが好ましい。不活性ガス雰囲気下にて基材２を加熱することで、加熱中における銀の腐食（酸化）をより抑制することができる。   The substrate 2 is preferably heated in an inert gas atmosphere such as nitrogen. By heating the substrate 2 under an inert gas atmosphere, corrosion (oxidation) of silver during heating can be further suppressed.

（樹脂リフレクタ形成工程）
なお、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａの製造方法においては、上述の加熱工程後、搭載領域ＭＡを囲むリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する樹脂リフレクタ形成工程をさらに有していてもよいし（図５（Ｂ）参照）、当該樹脂リフレクタ形成工程を有していなくてもよい。かかる樹脂リフレクタ形成工程を有する場合、後述するＬＥＤパッケージの製造方法（図５参照）において、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａのリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタを形成する工程（図５（Ｂ）参照）を省略することができる。 (Resin reflector forming process)
The LED lead frame manufacturing method 1A according to the first embodiment further includes a resin reflector forming step of forming the resin reflector 11 in the reflector region RA surrounding the mounting region MA after the heating step described above. (Refer to Drawing 5 (B)), and it does not need to have the resin reflector formation process concerned. In the case of including such a resin reflector forming step, the step of forming the resin reflector (see FIG. 5B) in the reflector region RA of the LED lead frame 1A is omitted in the LED package manufacturing method (see FIG. 5) described later. be able to.

［半導体装置（ＬＥＤパッケージ）］
続いて、上述したような構成を有するＬＥＤ用リードフレーム１Ａを用いた半導体装置（ＬＥＤパッケージ）について説明する。図４は、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す切断端面図である。 [Semiconductor device (LED package)]
Next, a semiconductor device (LED package) using the LED lead frame 1A having the above-described configuration will be described. FIG. 4 is a cut end view showing the LED package according to the first embodiment.

図４に示すように、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａは、上述した第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２のリフレクタ領域ＲＡに、搭載領域ＭＡを取り囲むように、かつ搭載領域ＭＡを露出させるようにして設けられてなる樹脂リフレクタ１１と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａの基材２の搭載領域ＭＡに実装されてなるＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２を封止するために、樹脂リフレクタ１１により囲まれた空間内に封止樹脂が充填されてなる封止部１３とを備える。なお、基材２の貫通スリット７には、樹脂リフレクタ１１と同一の樹脂材料が充填されている。   As shown in FIG. 4, the LED package 10A according to the first embodiment includes a base material 2 of the LED lead frame 1A according to the first embodiment and a reflector region of the base material 2 of the LED lead frame 1A. An LED element mounted on the mounting area MA of the base member 2 of the LED lead frame 1A and the resin reflector 11 provided so as to surround the mounting area MA and to expose the mounting area MA. 12 and a sealing portion 13 in which a sealing resin is filled in a space surrounded by the resin reflector 11 in order to seal the LED element 12. The through slit 7 of the substrate 2 is filled with the same resin material as that of the resin reflector 11.

第１の実施形態において、基材２の搭載領域ＭＡは、貫通スリット７を介して第１リード部２１と第２リード部２２とに分割され、かつ貫通スリット７には樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂材料と同一の樹脂材料が充填されている。これにより、第１リード部２１と第２リード部２２とは、それぞれ電気的に独立したものとなっている。   In the first embodiment, the mounting area MA of the base material 2 is divided into a first lead portion 21 and a second lead portion 22 through the through slit 7, and the resin reflector 11 is configured in the through slit 7. The same resin material as the resin material is filled. Thereby, the first lead portion 21 and the second lead portion 22 are electrically independent from each other.

ＬＥＤ素子１２は、その一の端子（図示せず）が基材２における大面積の第１リード部２１に接続され、他の端子が小面積の第２リード部２２にボンディングワイヤ１４により接続されることで、搭載領域ＭＡに実装されている。   The LED element 12 has one terminal (not shown) connected to the first lead portion 21 having a large area on the base material 2 and the other terminal connected to the second lead portion 22 having a small area by a bonding wire 14. Thus, it is mounted in the mounting area MA.

ＬＥＤ素子１２の発光波長は、４６０ｎｍ以下であり、好ましくは、３３０〜４６０ｎｍであり、特に好ましくは３４０〜３８０ｎｍである。第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける銀めっき層３は、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が向上されてなるものであり、特に分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものであるため、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａによれば、ＬＥＤ素子１２から発せられた光を効率的に取り出すことができるとともに、特に発光波長３４０〜３８０ｎｍのＬＥＤ素子１２を用いたときには、取り出される光の波長分布が２つに分かれることなく、より効率的に光を取り出すことができる。   The emission wavelength of the LED element 12 is 460 nm or less, preferably 330 to 460 nm, particularly preferably 340 to 380 nm. The silver plating layer 3 in the LED lead frame 1A according to the first embodiment has an improved reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less, and particularly has a peak reflectance near a wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve. Therefore, according to the LED package 10A in the first embodiment, the light emitted from the LED element 12 can be efficiently extracted, and in particular, the LED element 12 having an emission wavelength of 340 to 380 nm. When is used, the wavelength distribution of the extracted light can be extracted more efficiently without being divided into two.

基材２の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３は、貫通スリット７により二分されてなる第１リード部２１及び第２リード部２２のそれぞれの表面に形成されてなる第１銀めっき層３１と第２銀めっき層３２とからなる。   The silver plating layer 3 on the mounting region MA of the base material 2 includes a first silver plating layer 31 formed on each surface of the first lead portion 21 and the second lead portion 22 that are divided into two by the through slit 7. It consists of a second silver plating layer 32.

封止部１３を構成する封止樹脂としては、一般にＬＥＤパッケージにおけるＬＥＤ素子の封止に用いられる透光性樹脂を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂や、それらの透光性樹脂に、シリカ、アルミナ等の拡散材料の１種又は２種以上が含有されてなるもの等が挙げられるが、かかる透光性樹脂として、シリコーン樹脂を用いるのが好ましい。ＬＥＤパッケージ１０Ａの封止部１３を構成する封止樹脂は、ＬＥＤパッケージ１０Ａのリフローはんだ付けの際の加熱により熱に暴露されたり、ＬＥＤ素子１２から発せられる強い光に暴露されたりする。この点において、シリコーン樹脂は、他の透光性樹脂（エポキシ樹脂等）に比して熱や光による変色等の透光性の劣化等を生じ難い樹脂材料であるため好ましい。   As the sealing resin constituting the sealing portion 13, a translucent resin generally used for sealing an LED element in an LED package can be used, for example, a translucent resin such as an epoxy resin or a silicone resin, Examples of these translucent resins include those containing one or more diffusing materials such as silica and alumina. It is preferable to use a silicone resin as the translucent resin. The sealing resin constituting the sealing portion 13 of the LED package 10A is exposed to heat due to heating during reflow soldering of the LED package 10A, or exposed to strong light emitted from the LED element 12. In this respect, the silicone resin is preferable because it is a resin material that hardly causes deterioration of translucency such as discoloration due to heat or light as compared with other translucent resins (epoxy resin or the like).

第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａは、封止部１３を構成する封止樹脂中に、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され得る蛍光体を含み、それにより波長４００〜７００ｎｍの光を発することのできる装置であってもよい。第１の実施形態における銀めっき層３は、可視光領域（４００〜７００ｎｍ）における反射率も高いため、発光波長の短い（４６０ｎｍ以下）ＬＥＤ素子１２を用い、蛍光体により波長が変換された光を発するＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、効率的に光を取り出すことができる。特に、可視光よりも短い波長（３３０ｎｍ〜４００ｎｍ）にピークを有するＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され可視光（４００〜７００ｎｍ）に変換可能な蛍光体とを用いることで、ＬＥＤパッケージ１０Ａから取り出される白色光の演色性を高めた場合の効率を良くすることができる。   LED package 10A in 1st Embodiment contains the fluorescent substance which can be excited by the light emission from LED element 12 in sealing resin which comprises the sealing part 13, and emits light with a wavelength of 400-700 nm by it. It may be a device capable of performing. Since the silver plating layer 3 in the first embodiment also has high reflectance in the visible light region (400 to 700 nm), the light whose wavelength is converted by the phosphor using the LED element 12 having a short emission wavelength (460 nm or less). In the LED package 10A that emits light, light can be extracted efficiently. In particular, by using the LED element 12 having a peak at a wavelength shorter than visible light (330 nm to 400 nm) and a phosphor that is excited by light emission from the LED element 12 and can be converted into visible light (400 to 700 nm), The efficiency when the color rendering property of white light taken out from the LED package 10A is improved can be improved.

第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａは、下記のようにして製造することができる。図５は、第１の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ａの製造方法を示す工程フロー図である。   The LED package 10A in the first embodiment can be manufactured as follows. FIG. 5 is a process flow diagram illustrating a method for manufacturing the LED package 10A according to the first embodiment.

まず、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａを準備し（図５（Ａ））、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａのリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する（図５（Ｂ））。なお、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａが、樹脂リフレクタ１１を備えるものである場合、樹脂リフレクタ１１を形成する工程（図５（Ｂ）に示す工程）を省略することができる。   First, the LED lead frame 1A according to the first embodiment is prepared (FIG. 5A), and the resin reflector 11 is formed in the reflector region RA of the LED lead frame 1A (FIG. 5B). When the LED lead frame 1A includes the resin reflector 11, the step of forming the resin reflector 11 (step shown in FIG. 5B) can be omitted.

次いで、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける、ＬＥＤパッケージ１０Ａの第１リード部２１に相当する位置（厚肉部２ａ）にＬＥＤ素子１２の一の端子（図示せず）を接続し（図５（Ｃ））、第２リード部２２に相当する位置（厚肉部２ａ）にＬＥＤ素子１２の他の端子をボンディングワイヤ１４により接続する（図５（Ｄ））。   Next, one terminal (not shown) of the LED element 12 is connected to a position (thick part 2a) corresponding to the first lead part 21 of the LED package 10A in the LED lead frame 1A (FIG. 5C )), The other terminal of the LED element 12 is connected to the position corresponding to the second lead portion 22 (thick portion 2a) by the bonding wire 14 (FIG. 5D).

そして、ＬＥＤ素子１２を搭載した搭載領域ＭＡ上の樹脂リフレクタ１１により囲まれる空間内に封止樹脂を充填し、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止する封止部１３を形成する（図５（Ｅ））。その後、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個片化されたＬＥＤパッケージ１０Ａを得ることができる（図５（Ｆ））。   Then, a sealing resin is filled in a space surrounded by the resin reflector 11 on the mounting area MA on which the LED element 12 is mounted, and a sealing portion 13 for sealing the LED element 12 and the bonding wire 14 is formed (FIG. 5). (E)). Thereafter, dicing along a dicing line can obtain an individual LED package 10A (FIG. 5F).

上述したＬＥＤパッケージ１０Ａによれば、当該ＬＥＤパッケージ１０Ａの製造に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ａの銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高く、かつ当該銀めっき層３の分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないため、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２から発せられる光を効率的に取り出すことができる。   According to the LED package 10A described above, the reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less is reduced due to the small number of silver crystal grain boundaries constituting the silver plating layer 3 of the LED lead frame 1A used for manufacturing the LED package 10A. Since the reflectance in the spectral reflectance curve of the silver plating layer 3 is high and the reflectance near the wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape, light emitted from the LED element 12 having an emission wavelength of 460 nm or less can be efficiently extracted.

しかも、上述したＬＥＤパッケージ１０Ａによれば、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難く、駆動電圧の高い、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。特に、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａのように、基材２の全面に銀めっき層３が形成されているとイオンマイグレーションが生じやすくなるが、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難いため、ＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて発光波長４６０ｎｍ以下の高駆動電圧のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。   In addition, according to the LED package 10A described above, the use of the LED element 12 having a light emission wavelength of 460 nm or less that has a high driving voltage because the silver crystal grain boundary constituting the silver plating layer 3 is small and the silver is difficult to ionize. However, an effect that ion migration hardly occurs can be achieved. In particular, when the silver plating layer 3 is formed on the entire surface of the substrate 2 as in the LED lead frame 1A according to the first embodiment, ion migration is likely to occur, but the silver constituting the silver plating layer 3 Since the silver does not easily ionize due to the small number of crystal grain boundaries, even if the LED element 12 having a high driving voltage with a light emission wavelength of 460 nm or less is used in the LED package 10A, an effect that ion migration hardly occurs can be achieved.

〔第２の実施形態〕
第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂは、図６に示すように、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａの銀めっき層３上に、当該銀めっき層３の一部を露出させるようにして設けられてなる被覆層４を備える以外は、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａと同様の構成を有するものである。そのため、第１の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａと同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。 [Second Embodiment]
As shown in FIG. 6, the LED lead frame 1B according to the second embodiment has a part of the silver plating layer 3 on the silver plating layer 3 of the LED lead frame 1A according to the first embodiment. It has the same configuration as the LED lead frame 1A according to the first embodiment, except that the coating layer 4 is provided so as to be exposed. Therefore, the same components as those of the LED lead frame 1A according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいて、銀めっき層３の一部を露出させるようにして当該銀めっき層３上に設けられてなる被覆層４は、銀めっき層３を構成する銀とは異なる金属材料からなる層である。当該金属材料は、銀よりも腐食性ガス（硫化水素等）に対する耐性の高いものであり、好ましくは硫化よりも酸化されやすいものである。また、当該金属材料は、可能な限り反射率の高いものであるのが好ましく、その酸化物が反射率の高いものであるか、又は少なくとも紫外光領域（波長４００ｎｍ以下、好ましくは３４０〜３８０ｎｍ）若しくは可視光領域（波長４００〜７８０ｎｍ）において透明（好ましくは透過率８５％以上、より好ましくは透過率９０％以上）のものであるのが好ましい。このような金属材料としては、例えば、ニッケル、金、パラジウム、インジウム、ロジウム及びスズ、並びにそれらのうちの少なくとも１種を含む合金からなる群より選択される少なくとも１種を用いることができる。なお、第２の実施形態における被覆層４は、微細な隙間から銀めっき層３を露出させるように銀めっき層３上に設けられてなるが、図６の断面図上において当該微細な隙間を表すことが極めて困難であるため、銀めっき層３の全面が被覆層４で被覆されているかのように表している（図７及び図８においても同様である）。   In the LED lead frame 1B according to the second embodiment, the coating layer 4 formed on the silver plating layer 3 so as to expose a part of the silver plating layer 3 constitutes the silver plating layer 3. It is a layer made of a metal material different from silver. The metal material is more resistant to corrosive gases (such as hydrogen sulfide) than silver, and is preferably more easily oxidized than sulfide. In addition, the metal material preferably has a reflectivity as high as possible, and the oxide thereof has a high reflectivity, or at least in the ultraviolet region (wavelength of 400 nm or less, preferably 340 to 380 nm). Alternatively, it is preferably transparent (preferably having a transmittance of 85% or more, more preferably having a transmittance of 90% or more) in the visible light region (wavelength 400 to 780 nm). As such a metal material, for example, at least one selected from the group consisting of nickel, gold, palladium, indium, rhodium and tin, and an alloy containing at least one of them can be used. In addition, the coating layer 4 in the second embodiment is provided on the silver plating layer 3 so as to expose the silver plating layer 3 from the fine gap, but the fine gap is not shown in the cross-sectional view of FIG. Since it is extremely difficult to represent, the entire surface of the silver plating layer 3 is represented as if it is covered with the coating layer 4 (the same applies to FIGS. 7 and 8).

被覆層４は、銀めっき層３の一部を露出させるように、かつ銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界の少なくとも一部を被覆するようにして設けられているのが好ましい。被覆層４を構成する金属材料は、銀めっき層３を構成する銀よりも波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が低いものであるため、銀めっき層３の全面を被覆層４により被覆してしまうと、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を向上させることが困難となるが、銀めっき層３の一部を露出させ、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界の少なくとも一部を被覆していることで、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率を実用困難な程度にまで低下させることがない。   The covering layer 4 is preferably provided so as to expose a part of the silver plating layer 3 and to cover at least a part of the silver crystal grain boundary constituting the silver plating layer 3. Since the metal material constituting the coating layer 4 has a lower reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less than the silver constituting the silver plating layer 3, the entire surface of the silver plating layer 3 is covered with the coating layer 4. Although it becomes difficult to improve the reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less, a part of the silver plating layer 3 is exposed and at least a part of the silver crystal grain boundary constituting the silver plating layer 3 is covered. Therefore, the reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less is not lowered to a practically difficult level.

しかも、銀めっき層３の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないため（図３参照）、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて製造されるＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて、発光波長３４０〜３８０ｎｍのＬＥＤ素子１２を用いたときに、当該ＬＥＤパッケージ１０Ｂから取り出される光の波長分布が２つに分かれることがなく、より効率的に光を取り出すことができる。   Moreover, in the spectral reflectance curve of the silver plating layer 3, the reflectance near the wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape (see FIG. 3), so that it is manufactured using the LED lead frame 1 </ b> B according to the second embodiment. In the LED package 10B, when the LED element 12 having an emission wavelength of 340 to 380 nm is used, the wavelength distribution of light extracted from the LED package 10B is not divided into two, and light can be extracted more efficiently. .

なお、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて製造されるＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて、後述するように封止部を構成する封止樹脂としてシリコーン樹脂等のガスバリア性の低い樹脂を用いた場合、当該封止樹脂を通じて腐食性ガス（例えば、酸素、硫化水素等）が銀めっき層３に接触すると、当該腐食性ガスにより銀めっき層３が腐食するおそれがある。   In the LED package 10B manufactured using the LED lead frame 1B according to the second embodiment, a resin having a low gas barrier property such as a silicone resin is used as a sealing resin constituting the sealing portion as described later. In such a case, when corrosive gas (for example, oxygen, hydrogen sulfide, etc.) comes into contact with the silver plating layer 3 through the sealing resin, the silver plating layer 3 may be corroded by the corrosive gas.

ここで、腐食性ガスによる銀の腐食は、主に、銀の結晶粒界において生じると考えられる。そのため、当該結晶粒界を選択的に被覆するようにして被覆層４を設けることにより、腐食性ガスによる銀の腐食を効果的に抑制することができるものと考えられる。しかしながら、断面積１μｍ2未満の銀の結晶粒子が、銀めっき層３の所定の断面の全面積のうちの３０％を超えて占めている場合、所望とする反射率を得るために銀めっき層３の一部を露出させるようにして被覆層４を形成しても、当該結晶粒界を被覆層４により十分に被覆することができず、腐食性ガスによる腐食の抑制が困難となってしまうし、腐食性ガスによる腐食を抑制し得る程度に当該結晶粒界を被覆層４により十分に被覆すると、所望とする反射率を得ることが困難となってしまう。一方、断面積１μｍ2未満の銀の結晶粒子が、銀めっき層３の所定の断面の全面積のうちの３０％以下であることで、銀めっき層３上に所望とする反射率が得られる程度の被覆層４が設けられているだけであっても、銀めっき層３を構成する銀の腐食性ガス（例えば、硫化水素等）による腐食を抑制することができ、結果として所望とする反射率をも得ることができる。 Here, the corrosion of silver by corrosive gas is considered to occur mainly at the crystal grain boundaries of silver. Therefore, it is considered that the corrosion of silver by the corrosive gas can be effectively suppressed by providing the coating layer 4 so as to selectively cover the crystal grain boundaries. However, when silver crystal particles having a cross-sectional area of less than 1 μm 2 occupy more than 30% of the total area of the predetermined cross-section of the silver-plated layer 3, the silver-plated layer is used to obtain a desired reflectance. Even if the coating layer 4 is formed so as to expose a part of 3, the crystal grain boundary cannot be sufficiently covered with the coating layer 4, and it becomes difficult to suppress corrosion due to corrosive gas. However, if the crystal grain boundary is sufficiently covered with the coating layer 4 to such an extent that corrosion due to corrosive gas can be suppressed, it becomes difficult to obtain a desired reflectance. On the other hand, when the silver crystal particles having a cross-sectional area of less than 1 μm 2 are 30% or less of the total area of the predetermined cross section of the silver plating layer 3, a desired reflectance is obtained on the silver plating layer 3. Even if only a coating layer 4 of a certain degree is provided, corrosion caused by a corrosive gas (for example, hydrogen sulfide) of silver constituting the silver plating layer 3 can be suppressed, and as a result, desired reflection Rate can also be obtained.

さらには、銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面において、銀めっき層３の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するのが好ましい。銀めっき層３の厚さ方向における所定の断面において、そのような断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在していれば、銀めっき層３の結晶粒界が効果的に低減され、結晶粒界が被覆層４により十分に被覆されているため、腐食性ガスによる銀の腐食を効果的に抑制することができる。   Furthermore, it is preferable that at least one silver crystal particle having a cross-sectional area equal to or larger than the square of the thickness of the silver plating layer 3 exists in a predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer 3. In a predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer 3, if there is at least one silver crystal particle having such a cross-sectional area, the crystal grain boundary of the silver plating layer 3 is effectively reduced, Since the crystal grain boundary is sufficiently covered by the coating layer 4, the corrosion of silver by the corrosive gas can be effectively suppressed.

また、第２の実施形態における基材２として銅を含む基材（銅基板、銅合金基板等）を用いた場合、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて製造されるＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて、経時的に基材２に含まれる銅が銀めっき層３上面に向かって移動する、いわゆるパイルアップ現象が生じることがある。このときに、基材２に含まれる銅が銀めっき層３における銀の結晶粒界を通じて移動し、酸素と結合して生成された酸化銅が銀めっき層３の表面に露出すると、ＬＥＤパッケージにおける反射率が低下してしまう。しかしながら、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１によれば、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界の少なくとも一部を被覆するようにして被覆層４が設けられていることで、基材２側から移動する銅が銀めっき層３の表面まで到達するのを抑制することができ、また、銀めっき層３の表面側から銀の結晶粒界に沿って酸素が入り込み難いため、銅と酸素との結合により酸化銅が生成されるのを抑制することができ、結果としてＬＥＤパッケージにおける反射率の低下を抑制することができる。   Moreover, when the base material (a copper substrate, a copper alloy substrate, etc.) containing copper is used as the base material 2 in the second embodiment, the LED manufactured using the LED lead frame 1B according to the second embodiment In the package 10B, a so-called pile-up phenomenon may occur in which copper contained in the base material 2 moves toward the upper surface of the silver plating layer 3 over time. At this time, when the copper contained in the base material 2 moves through the silver crystal grain boundaries in the silver plating layer 3 and the copper oxide generated by combining with oxygen is exposed on the surface of the silver plating layer 3, The reflectivity is reduced. However, according to the LED lead frame 1 according to the second embodiment, the covering layer 4 is provided so as to cover at least a part of the silver crystal grain boundaries constituting the silver plating layer 3. The copper moving from the substrate 2 side can be prevented from reaching the surface of the silver plating layer 3, and oxygen hardly enters along the silver crystal grain boundary from the surface side of the silver plating layer 3. Further, it is possible to suppress the generation of copper oxide due to the bond between copper and oxygen, and as a result, it is possible to suppress a decrease in reflectance in the LED package.

被覆層４の厚さは、５〜５０ｎｍであるのが好ましく、１０〜３０ｎｍであるのがより好ましい。被覆層４の厚さが上記範囲内であれば、腐食性ガス（硫化水素等）による銀めっき層３の腐食を抑制することができる。なお、第２の実施形態において被覆層４の厚さとは、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの銀めっき層３の露出面を含む平面と被覆層４の最上面を含む平面との基材２に対する垂直方向における間隔を意味するものとする。また、かかる被覆層４の厚さは、集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置や蛍光Ｘ線測定装置等を用いて測定することができる。   The thickness of the coating layer 4 is preferably 5 to 50 nm, and more preferably 10 to 30 nm. If the thickness of the coating layer 4 is within the above range, corrosion of the silver plating layer 3 by corrosive gas (hydrogen sulfide or the like) can be suppressed. In the second embodiment, the thickness of the coating layer 4 refers to a plane including the exposed surface of the silver plating layer 3 and a plane including the uppermost surface of the coating layer 4 of the LED lead frame 1B according to the second embodiment. The interval in the direction perpendicular to the substrate 2 is meant. Further, the thickness of the coating layer 4 can be measured using a focused ion beam (FIB) apparatus, a fluorescent X-ray measurement apparatus, or the like.

なお、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂは、基材２と銀めっき層３との間に、基材２と銀めっき層３との密着性を向上させる下地めっき層（図示せず）を備えていてもよい。このような下地めっき層としては、例えば、無電解めっき、電気めっきにより形成した銅めっき層、ニッケルめっき層等が挙げられる。かかる下地めっき層の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍに適宜設定され得る。   The LED lead frame 1 </ b> B according to the second embodiment is a base plating layer (not shown) that improves the adhesion between the base material 2 and the silver plating layer 3 between the base material 2 and the silver plating layer 3. May be provided. Examples of such a base plating layer include a copper plating layer and a nickel plating layer formed by electroless plating and electroplating. The thickness of the base plating layer can be appropriately set to 10 to 1000 nm, for example.

下地めっき層としてニッケルめっき層を形成し、そのニッケルめっき層の直上に銀めっき層３を形成しようとすると、当該銀めっき層３が剥離しやすくなるおそれがある。その一方で、銀めっき層３との密着性を考慮して、ニッケルめっき層上に銅ストライクめっき層を形成したり、さらに銅ストライクめっき層上に銀ストライクめっき層を形成したりすると、かかるＬＥＤ用リードフレームから得られるＬＥＤパッケージにおいて、経時的に当該銅ストライクめっき層から銀めっき層３の表面に向かっての銅のパイルアップ現象が生じてしまい、反射率が低下してしまうおそれがある。また、ニッケルめっき層は、基材２からの銅のパイルアップを抑止する効果があるものの、当該ニッケルめっき層の厚さが薄い（１０〜２００ｎｍ程度）と、パイルアップの抑止効果が不十分であり、基材２から銅が銀めっき層３表面に向かって移動してしまう。しかしながら、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂによれば、被覆層４が銀めっき層３における銀の結晶粒界を被覆するようにして設けられていることで、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂから得られたＬＥＤパッケージにおいて、ニッケルめっき層上に銅ストライクめっき層が形成されている場合や、ニッケルめっき層の厚さが薄い場合であっても、銀めっき層３の下方（基材２、銅ストライクめっき層）から移動してきた銅が銀めっき層３の表面にまで移動するのを、すなわち銅のパイルアップを防止することができるとともに、銀めっき層３上の酸素が銀めっき層３内に入り込むのを防止することができる。その結果として銅と酸素とが結合するのを抑制することができ、ＬＥＤパッケージにおける反射率の低下を抑制することができる。   If a nickel plating layer is formed as the base plating layer and the silver plating layer 3 is formed directly on the nickel plating layer, the silver plating layer 3 may be easily peeled off. On the other hand, if the copper strike plating layer is formed on the nickel plating layer or the silver strike plating layer is further formed on the copper strike plating layer in consideration of the adhesiveness with the silver plating layer 3, this LED In the LED package obtained from the lead frame for copper, the copper pile-up phenomenon from the copper strike plating layer toward the surface of the silver plating layer 3 may occur over time, and the reflectivity may decrease. Moreover, although the nickel plating layer has an effect of suppressing copper pile-up from the base material 2, when the thickness of the nickel plating layer is thin (about 10 to 200 nm), the effect of suppressing pile-up is insufficient. Yes, copper moves from the substrate 2 toward the surface of the silver plating layer 3. However, according to the LED lead frame 1B according to the second embodiment, the coating layer 4 is provided so as to cover the silver crystal grain boundary in the silver plating layer 3, so that the LED lead frame is provided. In the LED package obtained from 1B, even if the copper strike plating layer is formed on the nickel plating layer or the nickel plating layer is thin, the lower part of the silver plating layer 3 (base material 2 , The copper that has moved from the copper strike plating layer) to the surface of the silver plating layer 3, that is, copper pile-up can be prevented, and oxygen on the silver plating layer 3 can be Intrusion can be prevented. As a result, it is possible to suppress bonding between copper and oxygen, and it is possible to suppress a decrease in reflectance in the LED package.

［ＬＥＤ用リードフレームの製造方法］
上述したような構成を有する第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂは、以下のようにして製造することができる。 [LED lead frame manufacturing method]
The LED lead frame 1B according to the second embodiment having the above-described configuration can be manufactured as follows.

（基材形成工程）
まず、銅基板等の基板に所望のエッチングレジスト膜を形成し、基板両面をエッチングして、複数の搭載領域ＭＡ（第１搭載領域ＭＡ１，第２搭載領域ＭＡ２）、枠部２ｃ、枠部２ｃと搭載領域ＭＡとを連結する第１連結部２ｄ、各搭載領域ＭＡを相互に連結する第２連結部２ｅ、並びに各搭載領域ＭＡを第１搭載領域ＭＡ１及び第２搭載領域ＭＡ２に分割する貫通スリット７が設けられてなる基材２を形成する。なお、基板の裏面側における薄肉部２ｂ、第１連結部２ｄ並びに第２連結部２ｅに相当する部位にエッチングレジスト膜を設けることなく上記のようにエッチングすることで、これらの部位は基板の裏面側からハーフエッチングされ、他の部分の略半分の厚さに構成される。 (Base material forming process)
First, a desired etching resist film is formed on a substrate such as a copper substrate, and both surfaces of the substrate are etched to form a plurality of mounting areas MA (first mounting area MA1, second mounting area MA2), a frame portion 2c, and a frame portion 2c. A first connecting portion 2d that connects the mounting area MA, a second connecting portion 2e that connects the mounting areas MA to each other, and a penetration that divides each mounting area MA into a first mounting area MA1 and a second mounting area MA2. The base material 2 provided with the slits 7 is formed. In addition, by etching as described above without providing an etching resist film in the portions corresponding to the thin-walled portion 2b, the first connecting portion 2d, and the second connecting portion 2e on the back surface side of the substrate, these portions are formed on the back surface of the substrate. It is half-etched from the side, and is formed to have a thickness approximately half that of the other part.

基板をエッチングするためのエッチング液は、基板の材質により適宜選択され得るものであり、例えば、銅基板を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。また、エッチング方法としては、スプレー方式、浸漬方式等、従来公知のエッチング方法を適宜選択すればよい。   The etching solution for etching the substrate can be appropriately selected depending on the material of the substrate. For example, when using a copper substrate, an aqueous ferric chloride solution can be used as the etching solution. As an etching method, a conventionally known etching method such as a spray method or a dipping method may be appropriately selected.

（銀薄膜形成工程）
次に、上述のようにして形成された基材２を銀めっき用のシアン浴に浸漬させて、基材２を給電層として、電気めっき法により基材２の全面に銀めっきし、銀薄膜を形成する。このようにして形成される銀薄膜の厚さは、例えば、１〜１０μｍであるのが好ましく、１〜５μｍであるのがより好ましい。 (Silver thin film formation process)
Next, the base material 2 formed as described above is immersed in a cyan bath for silver plating, and the whole surface of the base material 2 is silver-plated by an electroplating method using the base material 2 as a power feeding layer. Form. The thickness of the silver thin film thus formed is, for example, preferably 1 to 10 μm, and more preferably 1 to 5 μm.

上記シアン浴は、セレノシアン酸カリウム、酸化セレン等のセレン系光沢剤を含む浴であればよく、シアン塩を好ましくは５０ｇ／Ｌ以上、特に好ましくは８０ｇ／Ｌ以上含有する高シアン浴である。このような組成を有するシアン浴を用いて電気めっき法により形成された銀薄膜を、後述の加熱工程により加熱することで、短波長（波長４６０ｎｍ以下）の光の反射率が高く、かつ分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない銀めっき層３を形成することができる。   The cyan bath may be a bath containing a selenium brightener such as potassium selenocyanate and selenium oxide, and is a high cyan bath containing cyan salt preferably at least 50 g / L, particularly preferably at least 80 g / L. A silver thin film formed by electroplating using a cyan bath having such a composition is heated by a heating process described later, so that the reflectance of light with a short wavelength (wavelength of 460 nm or less) is high and spectral reflection is achieved. The silver plating layer 3 in which the reflectance near the wavelength of 350 nm in the rate curve does not decrease in a peak shape can be formed.

なお、銀薄膜下に下地めっき層を設ける場合、銀薄膜形成工程を行う前に、基材２の表面に下地めっき層（銅めっき層やニッケルめっき層等）を形成する下地めっき層形成工程を行うことができる。   In addition, when providing a base plating layer under a silver thin film, before performing a silver thin film formation process, the base plating layer formation process which forms a base plating layer (a copper plating layer, a nickel plating layer, etc.) on the surface of the base material 2 is performed. It can be carried out.

（加熱工程）
続いて、銀薄膜を有する基材２を加熱する。基材２を加熱する際の加熱温度は、基材２上の銀薄膜を構成する銀の結晶粒子を再結晶化させることによって当該結晶粒子のサイズを増大させ得る温度、すなわち加熱後の銀薄膜の厚さ方向における所定の断面の全面積のうちの、好ましくは７０％以上、より好ましくは８５％以上１００％未満が断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子で占められるような加熱温度であり、加熱後の銀薄膜において、当該銀薄膜の厚さの二乗以上の断面積を有する銀の結晶粒子が少なくとも１個存在するような加熱温度であるのが特に好ましい。かかる温度で加熱することにより、銀の結晶粒界の少ない銀めっき層３を形成することができる。具体的には、２００〜５００℃で加熱するのが好ましく、３００〜４５０℃で加熱するのがより好ましい。 (Heating process)
Then, the base material 2 which has a silver thin film is heated. The heating temperature at the time of heating the base material 2 is a temperature at which the size of the crystal particles can be increased by recrystallizing silver crystal particles constituting the silver thin film on the base material 2, that is, the silver thin film after heating. The heating temperature is such that preferably 70% or more, more preferably 85% or more and less than 100% of the total area of the predetermined cross section in the thickness direction is occupied by silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more. It is particularly preferable that the heating temperature is such that at least one silver crystal particle having a cross-sectional area equal to or larger than the square of the thickness of the silver thin film exists in the silver thin film after heating. By heating at such a temperature, the silver plating layer 3 with few silver crystal grain boundaries can be formed. Specifically, heating at 200 to 500 ° C. is preferable, and heating at 300 to 450 ° C. is more preferable.

また、基材２の加熱時間は、１〜１０分間であるのが好ましく、２〜５分間であるのがより好ましい。基材２の加熱時間が１分未満であると、銀薄膜を構成する銀の結晶粒子のサイズを効果的に増大させることができないおそれがあり、１０分を超えても、それ以上銀の結晶粒子のサイズを増大させ、結晶粒界を少なくすることが困難である。   Moreover, it is preferable that the heating time of the base material 2 is 1 to 10 minutes, and it is more preferable that it is 2 to 5 minutes. If the heating time of the substrate 2 is less than 1 minute, the size of the silver crystal particles constituting the silver thin film may not be effectively increased. It is difficult to increase the size of the grains and reduce the grain boundaries.

上記基材２の加熱は、窒素等の不活性ガス雰囲気下にて行うのが好ましい。不活性ガス雰囲気下にて基材２を加熱することで、加熱中における銀の腐食（酸化）をより抑制することができる。   The substrate 2 is preferably heated in an inert gas atmosphere such as nitrogen. By heating the substrate 2 under an inert gas atmosphere, corrosion (oxidation) of silver during heating can be further suppressed.

（被覆層形成工程）
上述の加熱工程により基材２の全面に銀めっき層３が形成された後、所定の膜厚で銀めっき層３上に所定の金属材料（銀よりも腐食性ガス（例えば、酸素、硫化水素等）に対する耐性に優れた金属（例えば、ニッケル、金、パラジウム、インジウム、ロジウム、スズのうちのいずれか、又はそれらを含む合金等））を電気めっき法等によりめっきすることで、被覆層４を形成する。このように所定の膜厚での所定の金属材料の電気めっき法等により被覆層４を形成することで、銀めっき層３の一部が露出するようにして被覆層４を形成することができ、これにより、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを得ることができる。 (Coating layer forming process)
After the silver plating layer 3 is formed on the entire surface of the substrate 2 by the heating process described above, a predetermined metal material (corrosive gas (eg, oxygen, hydrogen sulfide) rather than silver is formed on the silver plating layer 3 with a predetermined film thickness. Etc.) by plating a metal (for example, any one of nickel, gold, palladium, indium, rhodium, tin, or an alloy containing them) by an electroplating method or the like, so that the coating layer 4 Form. Thus, by forming the coating layer 4 by electroplating a predetermined metal material with a predetermined film thickness, the coating layer 4 can be formed so that a part of the silver plating layer 3 is exposed. Thus, the LED lead frame 1B according to the second embodiment can be obtained.

このとき、好ましくは膜厚５〜５０ｎｍ、特に好ましくは膜厚１０〜３０ｎｍの被覆層４を形成するようにして、所定の金属材料をめっきする。被覆層４の膜厚が５ｎｍ未満であると、銀めっき層３を構成する銀の腐食を効果的に抑制し得る程度の被覆層４を形成するのが困難となるおそれがあり、５０ｎｍを超えると、銀めっき層３を構成する銀の腐食を効果的に抑制し得る程度の被覆層４を形成することができるものの、銀めっき層３における銀の結晶粒界以外の部分にも被覆層４が形成されてしまい、かかるＬＥＤ用リードフレームを用いて得られるＬＥＤパッケージの製造初期における反射率が低下してしまうおそれがある。   At this time, a predetermined metal material is plated so as to form the coating layer 4 having a film thickness of preferably 5 to 50 nm, particularly preferably 10 to 30 nm. If the film thickness of the coating layer 4 is less than 5 nm, it may be difficult to form the coating layer 4 to the extent that the corrosion of the silver constituting the silver plating layer 3 can be effectively suppressed, and exceeds 50 nm. Although the coating layer 4 can be formed to such an extent that the corrosion of the silver constituting the silver plating layer 3 can be effectively suppressed, the coating layer 4 is also applied to portions other than the silver crystal grain boundaries in the silver plating layer 3. May be formed, and the reflectance in the initial manufacturing stage of the LED package obtained using such an LED lead frame may be reduced.

上記範囲内の膜厚を有する被覆層４を形成することで、銀の結晶粒界に選択的に被覆層４が形成されることになる。特に、電気めっき法により被覆層４を形成することで、銀の結晶粒界の部分が、それ以外の部分に比べて電流密度が高くなり、当該結晶粒界に選択的に被覆層４が形成されやすくなる。そして、前述したように、加熱された銀めっき層３においては、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少なくなっているため、銀めっき層３の一部が露出するようにして被覆層４が形成されたとしても、銀の結晶粒界はほとんど露出しないことになる。その結果、腐食性ガス等による銀めっき層３の腐食を効果的に抑制することができるとともに、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いて、銀めっき層３を構成する銀の反射率に応じた良好な反射率を有するＬＥＤパッケージを得ることができる。   By forming the coating layer 4 having a film thickness within the above range, the coating layer 4 is selectively formed at the silver crystal grain boundaries. In particular, by forming the coating layer 4 by electroplating, the silver crystal grain boundary portion has a higher current density than the other portions, and the coating layer 4 is selectively formed at the crystal grain boundary. It becomes easy to be done. And as mentioned above, in the heated silver plating layer 3, since the silver crystal grain boundary which comprises the silver plating layer 3 has decreased, it coat | covers so that a part of silver plating layer 3 may be exposed Even if the layer 4 is formed, silver crystal grain boundaries are hardly exposed. As a result, corrosion of the silver plating layer 3 due to corrosive gas or the like can be effectively suppressed, and the LED lead frame 1B can be used to improve the reflectivity of the silver constituting the silver plating layer 3 LED package having a good reflectance can be obtained.

また、上記加熱工程により銀めっき層３における銀の結晶粒子のサイズを増大させて結晶粒界を少なくし、上記被覆層形成工程により当該銀めっき層３における結晶粒界に選択的に被覆層４が形成されることで、得られるＬＥＤ用リードフレーム１を用いて製造されるＬＥＤパッケージにおいて、銀めっき層３の下方（基材２、下地めっき層としての銅ストライクめっき層）側から表面に向かって移動してきた銅が、当該銀めっき層３の表面にまで移動してくるのを防止することができるとともに、銀めっき層３上の酸素が結晶粒界を通じて銀めっき層３内に入り込むのを防止することができる。その結果として銅と酸素とが結合するのを抑制することができ、ＬＥＤパッケージにおける反射率の低下を抑制することができる。   Further, the size of silver crystal grains in the silver plating layer 3 is increased by the heating step to reduce crystal grain boundaries, and the coating layer 4 is selectively applied to the crystal grain boundaries in the silver plating layer 3 by the coating layer forming step. In the LED package manufactured by using the obtained LED lead frame 1, the surface of the silver package 3 (from the lower side of the base plate 2 and the copper strike plating layer as the base plating layer) is directed to the surface. The copper that has moved in this manner can be prevented from moving to the surface of the silver plating layer 3 and oxygen on the silver plating layer 3 can enter the silver plating layer 3 through the grain boundaries. Can be prevented. As a result, it is possible to suppress bonding between copper and oxygen, and it is possible to suppress a decrease in reflectance in the LED package.

（樹脂リフレクタ形成工程）
なお、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの製造方法においては、上述の被覆層形成工程後、搭載領域ＭＡを囲むリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する樹脂リフレクタ形成工程をさらに有していてもよいし（図８（Ｂ）参照）、当該樹脂リフレクタ形成工程を有していなくてもよい。かかる樹脂リフレクタ形成工程を有する場合、後述するＬＥＤパッケージの製造方法（図８参照）において、ＬＥＤ用リードフレーム１のリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタを形成する工程（図８（Ｂ）参照）を省略することができる。 (Resin reflector forming process)
Note that the LED lead frame manufacturing method 1B according to the second embodiment further includes a resin reflector forming step of forming the resin reflector 11 in the reflector region RA surrounding the mounting region MA after the coating layer forming step. (Refer to FIG. 8 (B)), and the resin reflector forming step may not be included. When the resin reflector forming step is included, the step of forming the resin reflector (see FIG. 8B) in the reflector region RA of the LED lead frame 1 is omitted in the LED package manufacturing method described later (see FIG. 8). be able to.

［半導体装置（ＬＥＤパッケージ）］
続いて、上述したような構成を有する第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを用いたＬＥＤパッケージについて説明する。図７は、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージを示す断面図である。 [Semiconductor device (LED package)]
Next, an LED package using the LED lead frame 1B according to the second embodiment having the above-described configuration will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an LED package according to the second embodiment.

図７に示すように、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂは、上述した第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの基材２と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの基材２のリフレクタ領域ＲＡに、搭載領域ＭＡを取り囲むように、かつ搭載領域ＭＡを露出させるようにして設けられてなる樹脂リフレクタ１１と、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの基材２の搭載領域ＭＡに実装されてなるＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２を封止するために、樹脂リフレクタ１１により囲まれた空間内に封止樹脂が充填されてなる封止部１３とを備える。なお、基材２の貫通スリット７には、樹脂リフレクタ１１と同一の樹脂材料が充填されている。   As shown in FIG. 7, the LED package 10B according to the second embodiment includes a base material 2 of the LED lead frame 1B according to the second embodiment and a reflector region of the base material 2 of the LED lead frame 1B. An LED element mounted on the mounting area MA of the base material 2 of the LED lead frame 1B and the resin reflector 11 provided so as to surround the mounting area MA and expose the mounting area MA. 12 and a sealing portion 13 in which a sealing resin is filled in a space surrounded by the resin reflector 11 in order to seal the LED element 12. The through slit 7 of the substrate 2 is filled with the same resin material as that of the resin reflector 11.

第２の実施形態において、基材２の搭載領域ＭＡは、貫通スリット７を介して第１リード部２１と第２リード部２２とに分割され、かつ貫通スリット７には樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂材料と同一の樹脂材料が充填されている。これにより、第１リード部２１と第２リード部２２とは、それぞれ電気的に独立したものとなっている。   In the second embodiment, the mounting area MA of the base material 2 is divided into a first lead portion 21 and a second lead portion 22 through the through slit 7, and the resin reflector 11 is configured in the through slit 7. The same resin material as the resin material is filled. Thereby, the first lead portion 21 and the second lead portion 22 are electrically independent from each other.

ＬＥＤ素子１２は、その一の端子（図示せず）が基材２における大面積の第１リード部２１に接続され、他の端子が小面積の第２リード部２２にボンディングワイヤ１４により接続されることで、搭載領域ＭＡに実装されている。   The LED element 12 has one terminal (not shown) connected to the first lead portion 21 having a large area on the base material 2 and the other terminal connected to the second lead portion 22 having a small area by a bonding wire 14. Thus, it is mounted in the mounting area MA.

ＬＥＤ素子１２の発光波長は、４６０ｎｍ以下であり、好ましくは、３３０〜４６０ｎｍであり、特に好ましくは３４０〜３８０ｎｍである。第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおける銀めっき層３は、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が向上されてなるものであり、特に分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないものであるため、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂによれば、ＬＥＤ素子１２から発せられた光を効率的に取り出すことができるとともに、特に発光波長３４０〜３８０ｎｍのＬＥＤ素子１２を用いたときには、取り出される光の波長分布が２つに分かれることなく、より効率的に光を取り出すことができる。   The emission wavelength of the LED element 12 is 460 nm or less, preferably 330 to 460 nm, particularly preferably 340 to 380 nm. The silver plating layer 3 in the LED lead frame 1B according to the second embodiment has an improved reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less, and particularly has a peak reflectance near a wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve. Therefore, according to the LED package 10B in the second embodiment, the light emitted from the LED element 12 can be efficiently extracted, and in particular, the LED element 12 having an emission wavelength of 340 to 380 nm. When is used, the wavelength distribution of the extracted light can be extracted more efficiently without being divided into two.

基材２の搭載領域ＭＡ上の銀めっき層３は、貫通スリット７により二分されてなる第１リード部２１及び第２リード部２２のそれぞれの表面に形成されてなる第１銀めっき層３１と第２銀めっき層３２とからなる。   The silver plating layer 3 on the mounting region MA of the base material 2 includes a first silver plating layer 31 formed on each surface of the first lead portion 21 and the second lead portion 22 that are divided into two by the through slit 7. It consists of a second silver plating layer 32.

封止部１３を構成する封止樹脂としては、一般にＬＥＤパッケージにおけるＬＥＤ素子の封止に用いられる透光性樹脂を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂や、それらの透光性樹脂に、シリカ、アルミナ等の拡散材料の１種又は２種以上が含有されてなるもの等が挙げられるが、かかる透光性樹脂として、シリコーン樹脂を用いるのが好ましい。ＬＥＤパッケージ１０Ｂの封止部１３を構成する封止樹脂は、ＬＥＤパッケージ１０Ｂのリフローはんだ付けの際の加熱により熱に暴露されたり、ＬＥＤ素子１２から発せられる強い光に暴露されたりする。この点において、シリコーン樹脂は、他の透光性樹脂（エポキシ樹脂等）に比して熱や光による変色等の透光性の劣化等を生じ難い樹脂材料であるため好ましい。   As the sealing resin constituting the sealing portion 13, a translucent resin generally used for sealing an LED element in an LED package can be used, for example, a translucent resin such as an epoxy resin or a silicone resin, Examples of these translucent resins include those containing one or more diffusing materials such as silica and alumina. It is preferable to use a silicone resin as the translucent resin. The sealing resin constituting the sealing portion 13 of the LED package 10B is exposed to heat by heating during reflow soldering of the LED package 10B or exposed to strong light emitted from the LED element 12. In this respect, the silicone resin is preferable because it is a resin material that hardly causes deterioration of translucency such as discoloration due to heat or light as compared with other translucent resins (epoxy resin or the like).

第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂは、封止部１３を構成する封止樹脂中に、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され得る蛍光体を含み、それにより波長４００〜７００ｎｍの光を発することのできる装置であってもよい。第２の実施形態における銀めっき層３は、可視光領域（４００〜７００ｎｍ）における反射率も高いため、発光波長の短い（４６０ｎｍ以下）ＬＥＤ素子１２を用い、蛍光体により波長が変換された光を発するＬＥＤパッケージ１０Ａにおいて、効率的に光を取り出すことができる。特に、可視光よりも短い波長（３３０ｎｍ〜４００ｎｍ）にピークを有するＬＥＤ素子１２と、ＬＥＤ素子１２からの発光により励起され可視光（４００〜７００ｎｍ）に変換可能な蛍光体とを用いることで、ＬＥＤパッケージ１０Ｂから取り出される白色光の演色性を高めた場合の効率を良くすることができる。   LED package 10B in 2nd Embodiment contains the fluorescent substance which can be excited by light emission from LED element 12 in sealing resin which comprises the sealing part 13, and emits light with a wavelength of 400-700 nm by it. It may be a device capable of performing. Since the silver plating layer 3 in the second embodiment also has a high reflectance in the visible light region (400 to 700 nm), the light whose wavelength is converted by the phosphor using the LED element 12 having a short emission wavelength (460 nm or less). In the LED package 10A that emits light, light can be extracted efficiently. In particular, by using the LED element 12 having a peak at a wavelength shorter than visible light (330 nm to 400 nm) and a phosphor that is excited by light emission from the LED element 12 and can be converted into visible light (400 to 700 nm), Efficiency can be improved when the color rendering of white light extracted from the LED package 10B is enhanced.

上述のような構成を有する第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージ１０Ｂは、下記のようにして製造することができる。図８は、第２の実施形態におけるＬＥＤパッケージの製造方法を示す工程フロー図である。   The LED package 10B according to the second embodiment having the above-described configuration can be manufactured as follows. FIG. 8 is a process flow diagram illustrating a method for manufacturing an LED package according to the second embodiment.

まず、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを準備し（図８（Ａ））、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂのリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタ１１を形成する（図８（Ｂ））。なお、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂが、樹脂リフレクタ１１を備えるものである場合、樹脂リフレクタ１１を形成する工程（図８（Ｂ）に示す工程）を省略することができる。   First, the LED lead frame 1B according to the second embodiment is prepared (FIG. 8A), and the resin reflector 11 is formed in the reflector region RA of the LED lead frame 1B (FIG. 8B). When the LED lead frame 1B includes the resin reflector 11, the step of forming the resin reflector 11 (step shown in FIG. 8B) can be omitted.

次いで、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおける、ＬＥＤパッケージ１０Ｂの第１リード部２１に相当する位置（肉厚部２ａ）にＬＥＤ素子１２の一の端子（図示せず）を接続し（図８（Ｃ））、第２リード部２２に相当する位置（肉厚部２ａ）にＬＥＤ素子１２の他の端子をボンディングワイヤ１４により接続する（図８（Ｄ））。   Next, one terminal (not shown) of the LED element 12 is connected to a position (thick portion 2a) corresponding to the first lead portion 21 of the LED package 10B in the LED lead frame 1B (FIG. 8C )), The other terminal of the LED element 12 is connected to the position corresponding to the second lead portion 22 (thick portion 2a) by the bonding wire 14 (FIG. 8D).

そして、ＬＥＤ素子１２を搭載した搭載領域ＭＡ上の樹脂リフレクタ１１により囲まれる空間内に封止樹脂を充填し、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止する封止部１３を形成する（図８（Ｅ））。その後、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個片化されたＬＥＤパッケージ１０Ｂを得ることができる（図８（Ｆ））。   Then, a sealing resin is filled in a space surrounded by the resin reflector 11 on the mounting area MA on which the LED element 12 is mounted, and a sealing portion 13 for sealing the LED element 12 and the bonding wire 14 is formed (FIG. 8). (E)). After that, dicing along a dicing line can obtain an individual LED package 10B (FIG. 8F).

上述したＬＥＤパッケージ１０Ｂの製造方法によれば、本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいて銅のパイルアップが抑止されていることで、上記ＬＥＤパッケージ１０Ｂの製造過程におけるＬＥＤ素子１２を銀めっき層３上に搭載するにあたりペーストボンディングする際には、ペースト材のはじきやブリードアウトが防止され、はんだ接合する際には、はんだ濡れ性が悪化することなく、良好な状態に維持されるという効果が奏される。また、ＬＥＤ素子１２を銀めっき層３上に搭載するに当たりワイヤーボンディング又はフリップチップ接合する際には、銀めっき層３表面に接合反応を阻害する銅や酸化銅が存在しないため、確実に接合することができるという効果が奏される。   According to the manufacturing method of the LED package 10B described above, the copper lead-up is suppressed in the LED lead frame 1B according to this embodiment, so that the LED element 12 in the manufacturing process of the LED package 10B is replaced with a silver plating layer. 3 When the paste bonding is carried out, the paste material is prevented from being repelled or bleed out, and when soldered, the solder wettability is not deteriorated and is maintained in a good state. Played. Further, when the LED element 12 is mounted on the silver plating layer 3, when wire bonding or flip chip bonding is performed, since there is no copper or copper oxide that hinders the bonding reaction on the surface of the silver plating layer 3, bonding is performed reliably. The effect that it can be performed is produced.

上述した構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｂによれば、当該ＬＥＤパッケージ１０Ｂの製造に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂの銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高く、かつ当該銀めっき層３の分光反射率曲線において波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないため、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２から発せられる光を効率的に取り出すことができる。   According to the LED package 10B having the above-described configuration, the number of silver crystal grain boundaries constituting the silver plating layer 3 of the LED lead frame 1B used in the manufacture of the LED package 10B is small. Since the reflectance is high and the reflectance in the vicinity of the wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape in the spectral reflectance curve of the silver plating layer 3, light emitted from the LED element 12 having an emission wavelength of 460 nm or less can be efficiently extracted. it can.

しかも、上述したＬＥＤパッケージ１０Ｂによれば、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難く、駆動電圧の高い、発光波長４６０ｎｍ以下のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。特に、第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ｂのように、基材２の全面に銀めっき層３が形成されているとイオンマイグレーションが生じやすくなるが、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が少ないことで、当該銀がイオン化し難いため、ＬＥＤパッケージ１０Ｂにおいて発光波長４６０ｎｍ以下の高駆動電圧のＬＥＤ素子１２を用いても、イオンマイグレーションが生じ難いとの効果も奏し得る。   Moreover, according to the LED package 10B described above, the use of the LED element 12 having a light emission wavelength of 460 nm or less with high driving voltage because the silver crystal grain boundary constituting the silver plating layer 3 is small and the silver is difficult to ionize. However, an effect that ion migration hardly occurs can be achieved. In particular, when the silver plating layer 3 is formed on the entire surface of the base material 2 as in the LED lead frame 1B according to the second embodiment, ion migration tends to occur, but the silver constituting the silver plating layer 3 Since the silver does not easily ionize due to the small number of crystal grain boundaries, even if the LED element 12 having a high driving voltage with a light emission wavelength of 460 nm or less is used in the LED package 10B, an effect that ion migration hardly occurs can be achieved.

さらには、銀めっき層３を構成する銀の結晶粒界が、被覆層４により選択的に被覆されていることで、腐食性ガス等による銀めっき層３の腐食が効果的に抑制されるとともに、銀めっき層３の下方（基材２、下地めっき層等）からの銅のパイルアップ現象による反射率の低下も抑制されるとの効果も奏し得る。   Furthermore, since the silver crystal grain boundaries constituting the silver plating layer 3 are selectively covered with the coating layer 4, corrosion of the silver plating layer 3 due to corrosive gas or the like is effectively suppressed. Moreover, the effect that the fall of the reflectance by the pile-up phenomenon of copper from the downward direction (base material 2, a base plating layer, etc.) of the silver plating layer 3 is also suppressed can be show | played.

さらにまた、銀めっき層３の反射率向上を目的として銀の結晶サイズを増大させて結晶粒界を少なくすると、封止部１３を構成する封止樹脂とＬＥＤ用リードフレーム１Ｂ（銀めっき層３）との密着性が低下するが、当該結晶粒界を被覆する被覆層４がインジウムからなるものである場合、封止樹脂中の水酸基、カルボキシル基等とインジウム（酸化インジウム）とが化学的に結合するため、封止樹脂とＬＥＤ用リードフレーム１Ｂ（銀めっき層３）との密着性を向上させることができる。   Furthermore, when the crystal grain size of silver is increased for the purpose of improving the reflectance of the silver plating layer 3 to reduce the crystal grain boundary, the sealing resin constituting the sealing portion 13 and the LED lead frame 1B (the silver plating layer 3). However, when the coating layer 4 covering the crystal grain boundary is made of indium, the hydroxyl group, carboxyl group, etc. in the sealing resin and indium (indium oxide) are chemically Since it couple | bonds together, the adhesiveness of sealing resin and LED lead frame 1B (silver plating layer 3) can be improved.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいて、基材２の全面に銀めっき層３が設けられているが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、基材２の搭載領域ＭＡ上に少なくとも銀めっき層３が設けられている限り、基材２の全面に銀めっき層３が設けられていなくてもよい。この場合において、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを製造するにあたっては、例えば、銀薄膜を形成する前に、基材２の表面に各搭載領域ＭＡに相当する所定形状の開口部を有する絶縁性レジスト層を設けるとともに、貫通スリット７内部及び基材２の裏面に絶縁性レジスト層を設け、絶縁性レジスト層の開口部に露出している基材２の表面に銀をめっきし、銀薄膜を形成すればよい。   In the LED lead frames 1A and 1B according to the first and second embodiments, the silver plating layer 3 is provided on the entire surface of the substrate 2, but the present invention is not limited to such an embodiment. As long as at least the silver plating layer 3 is provided on the mounting area MA of the base material 2, the silver plating layer 3 may not be provided on the entire surface of the base material 2. In this case, when manufacturing the LED lead frames 1A and 1B, for example, before forming the silver thin film, an insulating resist having openings of a predetermined shape corresponding to the mounting areas MA on the surface of the base 2 In addition to providing a layer, an insulating resist layer is provided inside the through slit 7 and on the back surface of the base material 2, and silver is plated on the surface of the base material 2 exposed at the opening of the insulating resist layer to form a silver thin film. do it.

第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいて、ダイシングラインが個片化される１つのＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂに一のＬＥＤ素子１２（搭載領域ＭＡ）が含まれるように設定されているが、これに限定されるものではなく、１つのＬＥＤパッケージ１０に複数個（例えば、４個）のＬＥＤ素子１２（搭載領域ＭＡ）が含まれるように設定されていてもよい。   In the LED lead frames 1A and 1B according to the first and second embodiments, one LED element 12 (mounting area MA) is included in one LED package 10A and 10B in which dicing lines are separated. However, the present invention is not limited to this, and the LED package 10 may be set to include a plurality of (for example, four) LED elements 12 (mounting area MA).

第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいて、搭載領域ＭＡは、基材２の縦方向（又は横方向）に並列する搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する貫通スリット７により、大面積の第１リード部２１及び小面積の第２リード部２２に分割されているが、これに限定されるものではなく、例えば、基材２の縦方向（又は横方向）に並列する搭載領域ＭＡの略中央を縦断（又は横断）する貫通スリット７により、略同一面積の第１リード部２１及び第２リード部２２に分割されていてもよい。この場合において、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂは、図９に示すように、第１リード部２１及び第２リード部２２を跨ぐようにして、ＬＥＤ素子１２の一方の端子部１２ａが第１リード部２１に接続され、他方の端子部１２ｂが第２リード部２２に接続された構成とすることができる。なお、図９に示すＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおいては、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図９において、被覆層４の図示を省略している。   In the LED lead frames 1 </ b> A and 1 </ b> B according to the first and second embodiments, the mounting area MA is a through-slit that vertically cuts (or crosses) the mounting area MA parallel to the base material 2 in the vertical direction (or horizontal direction). 7 is divided into a first lead portion 21 having a large area and a second lead portion 22 having a small area. However, the present invention is not limited to this, and for example, in the longitudinal direction (or lateral direction) of the substrate 2. The first lead portion 21 and the second lead portion 22 having substantially the same area may be divided by a through slit 7 that vertically cuts (or crosses) substantially the center of the mounting area MA in parallel. In this case, the LED packages 10A and 10B obtained by using the LED lead frames 1A and 1B are arranged so as to straddle the first lead portion 21 and the second lead portion 22 as shown in FIG. One terminal portion 12 a of 12 may be connected to the first lead portion 21, and the other terminal portion 12 b may be connected to the second lead portion 22. In addition, although LED package 10A, 10B shown in FIG. 9 may be provided with the coating layer 4 if desired, illustration of the coating layer 4 is abbreviate | omitted in FIG.

また、図１０に示すように、搭載領域ＭＡは、基材２の縦方向（又は横方向）に並列する搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する、２つの平行する貫通スリット７，７により、第１〜第３リード部２１〜２３に分割されていてもよい。この場合において、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを用いて得られるＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂは、搭載領域ＭＡの中央（２つの貫通スリット７，７の間）に位置する第３リード部２３にＬＥＤ素子１２が実装され、ＬＥＤ素子１２の一方の端子部１２ａが第１リード部２１に接続され、他方の端子部１２ｂが第２リード部２２に接続された構成とすることができる。なお、図１０に示すＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおいても、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１０において、被覆層４の図示を省略している。   Further, as shown in FIG. 10, the mounting area MA is constituted by two parallel through slits 7 and 7 that longitudinally (or cross) the mounting area MA parallel to the vertical direction (or the horizontal direction) of the base material 2. The first to third lead portions 21 to 23 may be divided. In this case, the LED packages 10A and 10B obtained by using the LED lead frames 1A and 1B are connected to the third lead portion 23 located in the center of the mounting area MA (between the two through slits 7 and 7). The element 12 is mounted, one terminal portion 12 a of the LED element 12 is connected to the first lead portion 21, and the other terminal portion 12 b is connected to the second lead portion 22. In addition, although LED package 10A, 10B shown in FIG. 10 may also be provided with the coating layer 4 if desired, illustration of the coating layer 4 is abbreviate | omitted in FIG.

さらに、第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂにおいては、ダイシングラインに沿って複数の貫通孔が第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅ上に形成されていてもよい。このような構成を有するＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂであれば、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂを用いてＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂを製造する過程において、ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂをダイシングして個片化する際におけるダイシングすべき金属量をさらに低減することができ、ダイシングブレードにかかる負荷をさらに低減することができる。また、上金型及び下金型を用いて基材２をクランプし、金型のキャビティ内に樹脂を流し込んで硬化させることでリフレクタ領域ＲＡに樹脂リフレクタを形成するときに、当該貫通孔を介してリフレクタ領域ＲＡに位置するキャビティのすべてに樹脂を行き渡らせることがより容易になる。   Further, in the LED lead frames 1A and 1B according to the first and second embodiments, a plurality of through holes may be formed on the first connecting portion 2d and the second connecting portion 2e along the dicing line. Good. With the LED lead frames 1A and 1B having such a configuration, the LED lead frames 1A and 1B are diced in the process of manufacturing the LED packages 10A and 10B using the LED lead frames 1A and 1B. It is possible to further reduce the amount of metal to be diced when separating into pieces, and to further reduce the load on the dicing blade. Further, when the resin reflector is formed in the reflector region RA by clamping the base material 2 using the upper mold and the lower mold, and pouring the resin into the mold cavity to be cured, the through-holes are interposed. Thus, it becomes easier to spread the resin over all the cavities located in the reflector region RA.

さらにまた、第１及び第２の実施形態において、ＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂは、搭載領域ＭＡを取り囲み、かつ搭載領域ＭＡを露出させる樹脂リフレクタ１１を有するが、図１１に示すように、上記ＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂの基材２と、一の端子（図示せず）がＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂの基材２における大面積の第１リード部２１に接続され、他の端子が小面積の第２リード部２２にボンディングワイヤ１４により接続されることで、搭載領域ＭＡに実装されてなるＬＥＤ素子１２と、基材２及びＬＥＤ素子１２を被覆する封止樹脂により構成される封止部１３とを備え、樹脂リフレクタ１１を有しないものであってもよい。当該ＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂの製造に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂの基材２は、搭載領域ＭＡと枠部２ｃとを又は隣接する搭載領域ＭＡ，ＭＡ同士を連結し、裏面側から切り欠けられてなる第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅ、並びに縦方向（又は横方向）に並列する複数の搭載領域ＭＡを縦断（又は横断）する貫通スリット７を備えるものであるが、このＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおける第１連結部２ｄ及び第２連結部２ｅの裏面側、並びに貫通スリット７には、第１及び第２の実施形態において樹脂リフレクタ１１を構成する樹脂材料として用いたものが充填されていればよい。なお、図１１に示すＬＥＤパッケージ１０Ａ，１０Ｂにおいても、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１１において、被覆層４の図示を省略している。   Furthermore, in the first and second embodiments, the LED packages 10A and 10B include the resin reflector 11 that surrounds the mounting area MA and exposes the mounting area MA. As shown in FIG. The base material 2 of the lead frames 1A and 1B and one terminal (not shown) are connected to the first lead portion 21 having a large area in the base material 2 of the LED lead frames 1A and 1B, and the other terminals have a small area. The sealing portion constituted by the LED element 12 mounted on the mounting area MA by being connected to the second lead portion 22 by the bonding wire 14 and the sealing resin that covers the base material 2 and the LED element 12 13 and the resin reflector 11 may not be provided. The base material 2 of the LED lead frames 1A and 1B used for manufacturing the LED packages 10A and 10B connects the mounting area MA and the frame portion 2c or adjacent mounting areas MA and MA, and cuts them from the back surface side. The first connecting portion 2d and the second connecting portion 2e that are chipped, and a through slit 7 that vertically cuts (or crosses) a plurality of mounting regions MA that are arranged in parallel in the vertical direction (or horizontal direction). What was used as the resin material which comprises the resin reflector 11 in 1st and 2nd embodiment in the back surface side of the 1st connection part 2d in LED package 10A, 10B, and the 2nd connection part 2e, and the penetration slit 7 is used. It only needs to be filled. In addition, although LED package 10A, 10B shown in FIG. 11 may also be provided with the coating layer 4 if desired, illustration of the coating layer 4 is abbreviate | omitted in FIG.

上述した第１及び第２の実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１Ａ，１Ｂは、基材２と、基材２の搭載領域ＭＡ上に設けられた銀めっき層３とを備えるとともに、銀めっき層３の一部を露出させるようにして当該銀めっき層３上に設けられた被覆層４を所望により備えるものであるが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。   The LED lead frames 1A and 1B according to the first and second embodiments described above include the base material 2 and the silver plating layer 3 provided on the mounting area MA of the base material 2, and the silver plating layer. 3 is optionally provided with a coating layer 4 provided on the silver plating layer 3 so that a part of the silver plating layer 3 is exposed, but the present invention is not limited to such an embodiment.

例えば、図１２に示すように、基板２０と、基板２０上に設けられた一対のリード部とを備えるＬＥＤ用リードフレーム１Ｃであってもよい。かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｃにおいて、各リード部は、Ａｕ、Ｐｄ等からなる下地貴金属層４１ａ，４１ｂと、Ｃｕ、Ｎｉ等からなる基部４２ａ，４２ｂと、銀からなる銀めっき層３とがこの順で基板２０上に積層されており、一対のリード部は、基板２０上に所定の間隙をもって設けられている。これにより、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｃを用いて得られるＬＥＤパッケージ（図１３参照）において、一対のリード部を相互に電気的に独立されたものとなる。各リード部における下地貴金属層４１ａ，４１ｂは、ＬＥＤパッケージにおける外部端子面としての役割を果たすことになる。上記ＬＥＤ用リードフレーム１Ｃにおける基板２０は、ＬＥＤパッケージの製造過程において封止樹脂による封止後に除去されるものである。そのため、基板２０は、所定の溶媒に溶解させることで除去可能な金属材料（銅、銅合金等）からなる導電性基板であってもよいし、一対のリード部を形成する部位に、所定の溶媒に溶解させることで除去可能な金属層（銅、銅合金等）を少なくとも有する絶縁性基板であってもよい。なお、図１２に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｃは、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１２においては被覆層４の図示を省略している。   For example, as shown in FIG. 12, an LED lead frame 1 </ b> C including a substrate 20 and a pair of lead portions provided on the substrate 20 may be used. In this LED lead frame 1C, each lead part is composed of a base noble metal layer 41a, 41b made of Au, Pd, etc., a base part 42a, 42b made of Cu, Ni, etc., and a silver plating layer 3 made of silver in this order. The pair of lead portions are provided on the substrate 20 with a predetermined gap. Thus, in the LED package (see FIG. 13) obtained using the LED lead frame 1C, the pair of lead portions are electrically independent from each other. The base noble metal layers 41a and 41b in the lead portions serve as external terminal surfaces in the LED package. The substrate 20 in the LED lead frame 1C is removed after sealing with a sealing resin in the manufacturing process of the LED package. Therefore, the substrate 20 may be a conductive substrate made of a metal material (copper, copper alloy, or the like) that can be removed by dissolving in a predetermined solvent, or a predetermined region at a portion where the pair of lead portions are formed. An insulating substrate having at least a metal layer (copper, copper alloy, etc.) that can be removed by dissolving in a solvent may be used. The LED lead frame 1C shown in FIG. 12 may include a coating layer 4 if desired, but the coating layer 4 is not shown in FIG.

図１２に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｃを用いてＬＥＤパッケージを製造するには、まず、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｃの一対のリード部のうち、大面積のリード部にＬＥＤ素子１２を搭載し、ＬＥＤ素子１２の端子と小面積のリード部の銀めっき層３とをボンディングワイヤ１４により接続する。次に、封止樹脂からなる封止部１３により一対のリード部、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止し、ＬＥＤ素子１２ごとに個片化する。最後に、所定の溶媒を用いて基板２１を溶解除去する。これにより、図１３に示すような構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｃを製造することができる。   To manufacture an LED package using the LED lead frame 1C shown in FIG. 12, first, the LED element 12 is mounted on a large-area lead portion of the pair of lead portions of the LED lead frame 1C. The 12 terminals and the silver plating layer 3 of the lead portion having a small area are connected by a bonding wire 14. Next, the pair of lead portions, the LED element 12, and the bonding wire 14 are sealed by the sealing portion 13 made of a sealing resin, and are separated into pieces for each LED element 12. Finally, the substrate 21 is dissolved and removed using a predetermined solvent. Thereby, the LED package 10C having the configuration shown in FIG. 13 can be manufactured.

また、本発明に係るＬＥＤ用リードフレームとしては、例えば、図１４に示すように、搭載領域ＭＡに相当する部位が下方（ＬＥＤ素子の搭載面と反対側）に折曲されてなる凹部（リフレクタ部）を有する、金属材料（銅、銅合金等）からなる導電性基材２と、当該導電性基材２の少なくとも搭載領域ＭＡ上に設けられた銀めっき層３とを備えるＬＥＤ用リードフレーム１Ｄであってもよい。かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｄにおいては、導電性基材２の搭載領域ＭＡ内に形成された貫通スリット７により、搭載領域ＭＡが２つのリード部に分割され、各リード部が電気的に独立されたものとなっている。なお、図１４に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｄは、所望により被覆層４を備えていてもよいが、図１４においては被覆層４の図示を省略している。   Further, as the LED lead frame according to the present invention, for example, as shown in FIG. 14, a concave portion (reflector) formed by bending a portion corresponding to the mounting area MA downward (opposite the LED element mounting surface). LED lead frame comprising a conductive base material 2 made of a metal material (copper, copper alloy, etc.) and a silver plating layer 3 provided on at least the mounting area MA of the conductive base material 2. 1D may be sufficient. In the LED lead frame 1D, the mounting area MA is divided into two lead portions by the through slits 7 formed in the mounting area MA of the conductive base material 2, and each lead portion is electrically independent. It has become a thing. The LED lead frame 1D shown in FIG. 14 may include a coating layer 4 if desired, but the coating layer 4 is not shown in FIG.

図１４に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｄを用いてＬＥＤパッケージを製造するには、まず、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｄの２つのリード部のうち、大面積のリード部にＬＥＤ素子１２を搭載し、ＬＥＤ素子１２の端子と小面積のリード部の銀めっき層３とをボンディングワイヤ１４により接続する。次に、導電性基材２の樹脂封止領域ＳＡにシリコーン樹脂等の封止樹脂からなる封止部１３を形成して、銀めっき層３、ＬＥＤ素子１２及びボンディングワイヤ１４を封止し、封止部１３の両側面から所定の長さの導電性基材２を突出させるように、ＬＥＤ素子１２ごとに個片化する。最後に、封止部１３の両側面から突出している導電性基材２を、当該封止部１３の側面及び底面に沿って折り曲げ、当該導電性基材２の端部を封止部１３の底面側から当該封止部１３内に埋設させる。このようにして、図１５に示すような構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｄを製造することができる。   In order to manufacture an LED package using the LED lead frame 1D shown in FIG. 14, first, the LED element 12 is mounted on a large-area lead portion of the two lead portions of the LED lead frame 1D. The 12 terminals and the silver plating layer 3 of the lead portion having a small area are connected by a bonding wire 14. Next, a sealing portion 13 made of a sealing resin such as a silicone resin is formed in the resin sealing region SA of the conductive substrate 2, and the silver plating layer 3, the LED element 12, and the bonding wire 14 are sealed, Each LED element 12 is separated into pieces so that the conductive base material 2 having a predetermined length protrudes from both side surfaces of the sealing portion 13. Finally, the conductive base material 2 protruding from both side surfaces of the sealing portion 13 is bent along the side surface and the bottom surface of the sealing portion 13, and the end portion of the conductive base material 2 is folded on the sealing portion 13. The sealing part 13 is embedded from the bottom side. In this way, the LED package 10D having the configuration as shown in FIG. 15 can be manufactured.

さらに、本発明に係るＬＥＤ用リードフレームとしては、例えば、図１６に示すように、樹脂製基板、セラミックス製基板等の絶縁性基材２と、少なくとも一対のリード部とを備えるＬＥＤ用リードフレーム１Ｅであってもよい。かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｅにおいて、一対のリード部は、当該絶縁性基材２の一面（表面；ＬＥＤ素子が搭載される面）側及び他面（裏面）側のそれぞれに設けられたリード基部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂと、絶縁性基材２を貫通するようにして設けられ、表面側及び裏面側のリード基部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ間の電気的導通を図る導通部５３ａ，５３ｂと、他面（裏面）側のリード基部５２ａ，５２ｂ上に設けられた、Ａｕ、Ｐｄ等からなる貴金属層５４ａ，５４ｂと、一面（表面）側のリード基部５１ａ，５１ｂ上に設けられた銀めっき層３とを有する。貴金属層５４ａ，５４ｂは、当該ＬＥＤ用リードフレーム１Ｅを用いて製造されるＬＥＤパッケージにおける外部端子面としての機能を果たすことになる。なお、リード基部５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ及び導通部５３ａ，５３ｂは、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属材料により構成されるものである。   Furthermore, as an LED lead frame according to the present invention, for example, as shown in FIG. 16, an LED lead frame including an insulating base 2 such as a resin substrate or a ceramic substrate and at least a pair of lead portions. 1E may be sufficient. In the LED lead frame 1E, the pair of lead portions includes lead base portions 51a provided on one surface (front surface; surface on which the LED element is mounted) side and the other surface (back surface) side of the insulating base material 2, respectively. , 51b, 52a, 52b, and conductive portions 53a, 53b that are provided so as to penetrate the insulating base material 2 and provide electrical continuity between the lead base portions 51a, 51b, 52a, 52b on the front surface side and the back surface side, Further, noble metal layers 54a and 54b made of Au, Pd, etc. provided on the lead bases 52a and 52b on the other surface (back surface) side, and silver plating provided on the lead bases 51a and 51b on the one surface (front surface) side. Layer 3. The noble metal layers 54a and 54b serve as external terminal surfaces in an LED package manufactured using the LED lead frame 1E. The lead bases 51a, 51b, 52a, 52b and the conducting parts 53a, 53b are made of a metal material such as Cu or Ni.

図１６に示すＬＥＤ用リードフレーム１Ｅを用いてＬＥＤパッケージを製造するには、まず、一対のリード部の間隙を跨ぐようにして、ＬＥＤ素子１２の一方の端子１２ａを一方のリード部の銀めっき層３に、他方の端子１２ｂを他方のリード部の銀めっき層３に接続する。次に、ＬＥＤ素子１２、銀めっき層３、一面側のリード基部５１ａ，５１ｂ及び絶縁性基材２の一面を封止するように封止樹脂からなる封止部１３を形成する。これにより、図１７に示すような構成を有する、複数のＬＥＤパッケージが一体化されたＬＥＤパッケージモジュールを得ることができる。最後に、かかるＬＥＤパッケージモジュールをＬＥＤ素子１２ごとに個片化する。このようにして、図１８に示すような構成を有するＬＥＤパッケージ１０Ｅを製造することができる。   To manufacture an LED package using the LED lead frame 1E shown in FIG. 16, first, one terminal 12a of the LED element 12 is silver-plated on one lead portion so as to straddle the gap between the pair of lead portions. The other terminal 12b is connected to the layer 3 and the silver plating layer 3 of the other lead portion. Next, the LED element 12, the silver plating layer 3, the lead bases 51a and 51b on one surface side, and the sealing portion 13 made of a sealing resin are formed so as to seal one surface of the insulating substrate 2. Thereby, an LED package module having a configuration as shown in FIG. 17 and integrated with a plurality of LED packages can be obtained. Finally, the LED package module is separated into individual LED elements 12. In this way, the LED package 10E having the configuration shown in FIG. 18 can be manufactured.

第１及び第２の実施形態において、銀めっき層３は銀により構成されているものであるが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、銀めっき層３が、銀と、スズ、パラジウム、銅、金、インジウム、ロジウム、亜鉛等の他の金属とを含有する銀合金からなるものであってもよい。第２の実施形態において、銀めっき層３が銀合金からなるものである場合、被覆層４を構成する金属材料は、銀めっき層３を構成する銀合金よりも腐食性ガスに対する耐性の高いものである限り、当該銀めっき層３を構成する銀合金と同一金属種を含む合金であってもよい。例えば、銀めっき層３を構成する金属材料が銀インジウム合金である場合に、当該合金よりもインジウムの組成比が大きく、腐食性ガスに対する耐性の高い銀インジウム合金を、被覆層４を構成する金属材料として用いてもよい。   In the first and second embodiments, the silver plating layer 3 is made of silver. However, the present invention is not limited to such an embodiment. For example, the silver plating layer 3 is made of silver. And a silver alloy containing other metals such as tin, palladium, copper, gold, indium, rhodium, and zinc. In 2nd Embodiment, when the silver plating layer 3 consists of a silver alloy, the metal material which comprises the coating layer 4 has a higher tolerance with respect to corrosive gas than the silver alloy which comprises the silver plating layer 3 As long as it is, an alloy containing the same metal species as the silver alloy constituting the silver plating layer 3 may be used. For example, when the metal material constituting the silver plating layer 3 is a silver indium alloy, the metal constituting the coating layer 4 is made of a silver indium alloy having a higher indium composition ratio and higher resistance to corrosive gas than the alloy. It may be used as a material.

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example etc. are given and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited to the following Example etc. at all.

〔実施例１〕
厚み０．２ｍｍの銅板を準備し、厚肉部２ａ、薄肉部２ｂ、枠部２ｃ、第１及び第２連結部２ｄ，２ｅ、並びに貫通スリット７を有する、図２に示す形状の基材２をエッチングにより形成した。なお、当該基材２を形成するに際しては、縦方向に隣接する搭載領域ＭＡのピッチを３ｍｍとし、横方向に隣接する搭載領域ＭＡのピッチを４ｍｍとし、基材２上に１３行×１３列のマトリックス状に配列された搭載領域ＭＡを設けるようにした。 [Example 1]
A base plate 2 having the shape shown in FIG. 2, which is prepared by preparing a copper plate having a thickness of 0.2 mm and having a thick portion 2a, a thin portion 2b, a frame portion 2c, first and second connecting portions 2d and 2e, and a through slit 7. Was formed by etching. When forming the base material 2, the pitch of the mounting areas MA adjacent in the vertical direction is 3 mm, the pitch of the mounting areas MA adjacent in the horizontal direction is 4 mm, and 13 rows × 13 columns on the base material 2 The mounting areas MA arranged in a matrix are provided.

このようにして得られた基材２上に、電気めっき法により銀薄膜（厚み：３μｍ）を形成した。なお、銀薄膜を形成するための銀めっき浴としては、シアン化銀４２ｇ／Ｌ、シアン化カリウム９２ｇ／Ｌ及びセレン系光沢剤（セレノシアン酸カリウム）０．０００１ｇ／Ｌを含むものを用いた。次に、銀薄膜が形成された基材２を４００℃で２分間、リフロー炉（製品名：ＲＮ−ＣＳ，パナソニック社製）を用いて加熱し、各搭載領域ＭＡ上に銀めっき層を有するＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。   On the base material 2 thus obtained, a silver thin film (thickness: 3 μm) was formed by electroplating. In addition, as a silver plating bath for forming a silver thin film, what contained 42 g / L of silver cyanide, 92 g / L of potassium cyanide, and 0.0001 g / L of selenium brightener (potassium selenocyanate) was used. Next, the base material 2 on which the silver thin film is formed is heated at 400 ° C. for 2 minutes using a reflow furnace (product name: RN-CS, manufactured by Panasonic Corporation), and has a silver plating layer on each mounting region MA. An LED lead frame 1A was produced.

このようにして形成されたＬＥＤ用リードフレーム１Ａ中の複数の搭載領域ＭＡの中から、任意の一の搭載領域ＭＡを選択し、当該搭載領域ＭＡ上の銀めっき層を、任意に選択した３箇所において切断した。そして、当該３箇所の切断面を、ＳＥＭ（日本電子社製，製品名：ＪＳＭ−７００１Ｆ）を用いて観察し、ＥＢＳＰ検出器（ＴＳＬ社製，条件：傾斜７０度，加速電圧１５ｋＶ，印加電流１０ｎＡ，範囲２０μｍ×３μｍ）を用いて結晶方位を判別し、結晶粒像を撮影し、粒径分布を算出する方法により、当該銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合（３箇所の切断面における面積割合の算術平均値）及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積（３箇所の切断面のそれぞれにおける銀の結晶粒子の最大断面積の算術平均値）を算出した。結果を表１に示す。 One arbitrary mounting area MA is selected from the plurality of mounting areas MA in the LED lead frame 1A thus formed, and the silver plating layer on the mounting area MA is arbitrarily selected 3 Cut at points. Then, the three cut surfaces were observed using an SEM (manufactured by JEOL Ltd., product name: JSM-7001F), and an EBSP detector (TSL, condition: inclination 70 degrees, acceleration voltage 15 kV, applied current). 10 nA, a range of 20 μm × 3 μm) is used to determine the crystal orientation, take a crystal grain image, and measure the cross-sectional area of the silver crystal grains in the cross section of the silver plating layer by calculating the particle size distribution, Area ratio of silver crystal particles having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more (arithmetic average value of area ratios at three cut surfaces) and silver appearing on the cut surface in the total area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The maximum cross-sectional area of the crystal grains (the arithmetic average value of the maximum cross-sectional areas of the silver crystal grains in each of the three cut surfaces) was calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例２〕
実施例１のＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける銀めっき層上に、膜厚１０ｎｍのインジウムめっき層を形成し、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。実施例２のＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいては、銀薄膜が形成され、加熱された基材２を、塩化インジウムを含有するめっき浴（インジウム濃度：３ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させて電気めっき処理（電流密度：１５ｍＡ／ｄｍ2）を施し、水洗浄し、乾燥することによりインジウムめっき層を形成した。 [Example 2]
An indium plating layer having a thickness of 10 nm was formed on the silver plating layer in the LED lead frame 1A of Example 1 to produce an LED lead frame 1B. In the LED lead frame 1B of Example 2, a silver thin film was formed, and the heated substrate 2 was immersed in a plating bath containing indium chloride (indium concentration: 3 g / L) for 1 minute for electroplating treatment. (Current density: 15 mA / dm 2 ) was applied, washed with water, and dried to form an indium plating layer.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For such LED lead frame 1B, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross-section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the total area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例３〕
インジウムめっき層を形成する代わりにパラジウムめっき層を形成した以外は、実施例２と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。なお、実施例３のＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいては、銀薄膜が形成され、加熱された基材２を、ジクロロジアミンパラジウムを含有するめっき浴（パラジウム濃度：３ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させて電気めっき処理（電流密度：１５ｍＡ／ｄｍ2）を施し、水洗浄し、乾燥することによりパラジウムめっき層を形成した。 Example 3
An LED lead frame 1B was produced in the same manner as in Example 2 except that a palladium plating layer was formed instead of forming the indium plating layer. In addition, in the LED lead frame 1B of Example 3, the silver thin film was formed, and the heated base material 2 was immersed in a plating bath (palladium concentration: 3 g / L) containing dichlorodiamine palladium for 1 minute. An electroplating treatment (current density: 15 mA / dm 2 ) was performed, washed with water, and dried to form a palladium plating layer.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For such LED lead frame 1B, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross-section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the total area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例４〕
インジウムめっき層を形成する代わりにロジウムめっき層を形成した以外は、実施例２と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。なお、実施例４のＬＥＤ用リードフレーム１Ｂにおいては、銀薄膜が形成され、加熱された基材２を、硫酸ロジウムを含有するめっき浴（ロジウム濃度：３ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させて電気めっき処理（電流密度：１５ｍＡ／ｄｍ2）を施し、水洗浄し、乾燥することによりロジウムめっき層を形成した。 Example 4
An LED lead frame 1B was produced in the same manner as in Example 2 except that a rhodium plating layer was formed instead of the indium plating layer. In the LED lead frame 1B of Example 4, a silver thin film was formed, and the heated base material 2 was immersed in a plating bath (rhodium concentration: 3 g / L) containing rhodium sulfate for 1 minute for electricity. Plating treatment (current density: 15 mA / dm 2 ) was applied, washed with water, and dried to form a rhodium plating layer.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For such LED lead frame 1B, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross-section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the total area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例５〕
セレン系光沢剤として、セレノシアン酸カリウムの代わりに酸化セレンを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。 Example 5
An LED lead frame 1A was produced in the same manner as in Example 1 except that a silver thin film was formed using a silver plating bath containing selenium oxide instead of potassium selenocyanate as a selenium brightener.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ａについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For the LED lead frame 1A, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例６〕
実施例５のＬＥＤ用リードフレーム１Ａにおける銀めっき層上に、実施例２と同様にしてインジウムめっき層を形成し、ＬＥＤ用リードフレーム１Ｂを作製した。 Example 6
An indium plating layer was formed on the silver plating layer in the LED lead frame 1A of Example 5 in the same manner as in Example 2 to produce an LED lead frame 1B.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ｂについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For such LED lead frame 1B, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross-section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the total area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例７〕
セレン系光沢剤としてのセレノシアン酸カリウムの含有量を０．００１ｇ／Ｌに変更し、さらにリン酸カリウム５ｇ／Ｌを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。 Example 7
Example 1 except that the content of potassium selenocyanate as a selenium brightener was changed to 0.001 g / L and a silver thin film was formed using a silver plating bath containing 5 g / L of potassium phosphate. Similarly, an LED lead frame 1A was produced.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ａについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For the LED lead frame 1A, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔実施例８〕
セレン系光沢剤としての酸化セレンの含有量を０．００１ｇ／Ｌに変更した銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例５と同様にしてＬＥＤ用リードフレーム１Ａを作製した。 Example 8
An LED lead frame 1A was produced in the same manner as in Example 5 except that a silver thin film was formed using a silver plating bath in which the content of selenium oxide as a selenium brightener was changed to 0.001 g / L.

かかるＬＥＤ用リードフレーム１Ａについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For the LED lead frame 1A, the cross-sectional area of the silver crystal particles in the cross section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer The area ratio of silver crystal particles of 1 μm 2 or more and the maximum cross-sectional area of the silver crystal particles appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔比較例１〕
セレン系光沢剤を含有しない銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレームを作製した。 [Comparative Example 1]
A lead frame for LED was produced in the same manner as in Example 1 except that a silver thin film was formed using a silver plating bath containing no selenium brightener.

かかるＬＥＤ用リードフレームについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For this LED lead frame, the cross-sectional area of silver crystal particles in the cross section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer was 1 μm. The area ratio of two or more silver crystal grains and the maximum cross-sectional area of the silver crystal grains appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔比較例２〕
セレン系光沢剤としてのセレノシアン酸カリウムに代えて硫酸タリウム０．０００１ｇ／Ｌを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレームを作製した。 [Comparative Example 2]
An LED lead frame was produced in the same manner as in Example 1 except that a silver thin film was formed using a silver plating bath containing 0.0001 g / L thallium sulfate instead of potassium selenocyanate as a selenium brightener. .

かかるＬＥＤ用リードフレームについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For this LED lead frame, the cross-sectional area of silver crystal particles in the cross section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer was 1 μm. The area ratio of two or more silver crystal grains and the maximum cross-sectional area of the silver crystal grains appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

〔比較例３〕
セレン系光沢剤としてのセレノシアン酸カリウムに代えて硫酸タリウム０．０００１ｇ／Ｌ及びリン酸カリウム５ｇ／Ｌを含有する銀めっき浴を用いて銀薄膜を形成した以外は、実施例１と同様にしてＬＥＤ用リードフレームを作製した。 [Comparative Example 3]
Except for forming a silver thin film using a silver plating bath containing 0.0001 g / L of thallium sulfate and 5 g / L of potassium phosphate instead of potassium selenocyanate as a selenium brightener, the same procedure as in Example 1 was performed. An LED lead frame was produced.

かかるＬＥＤ用リードフレームについて、実施例１と同様にして銀めっき層の断面における銀の結晶粒子の断面積を測定し、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合及び当該切断面に現れる銀の結晶粒子の最大断面積を算出した。結果を表１に示す。 For this LED lead frame, the cross-sectional area of silver crystal particles in the cross section of the silver plating layer was measured in the same manner as in Example 1, and the cross-sectional area occupying the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer was 1 μm. The area ratio of two or more silver crystal grains and the maximum cross-sectional area of the silver crystal grains appearing on the cut surface were calculated. The results are shown in Table 1.

Figure 2017005265
Figure 2017005265

表１に示すように、セレン系光沢剤（セレノシアン酸カリウム、酸化セレン）を含有する銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層（実施例１〜８の銀めっき層）は、所定の断面の断面積における７０％以上が断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子により占められていることが判明した。このことから、セレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成した銀薄膜を加熱することにより、得られる銀めっき層における銀の結晶粒子サイズを効果的に増大させ、銀めっき層における銀の結晶粒界を効果的に低減させることができるものと考えられる。 As shown in Table 1, the silver plating layer (silver plating layer of Examples 1 to 8) formed using a silver plating bath containing a selenium brightener (potassium selenocyanate, selenium oxide) has a predetermined cross section. It was found that 70% or more of the cross-sectional area was occupied by silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more. From this, by heating the silver thin film formed using the silver plating bath containing the selenium brightener, the silver crystal grain size in the resulting silver plating layer is effectively increased, and the silver in the silver plating layer is effectively increased. It is considered that the crystal grain boundaries can be effectively reduced.

なお、表１からも明らかなように、実施例１〜４の銀めっき層は、いずれも銀めっき浴の組成及び銀めっき条件（電気めっき条件）等を同一として形成された銀薄膜を、同一条件で加熱して得られたものであるものの、銀めっき層の厚さ方向の切断面の全面積に占める、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子の面積割合に２０％程度の誤差が生じている。しかしながら、本実施例（実施例１〜８）の、セレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層においては、切断箇所を他の箇所に変更しても上記面積割合が７０％以上となっていた。すなわち、上記誤差は、銀めっき層の切断箇所の選択により生じ得るものであると考えられる。 As is clear from Table 1, the silver plating layers of Examples 1 to 4 are the same as the silver thin films formed with the same silver plating bath composition and silver plating conditions (electroplating conditions). Although obtained by heating under conditions, an error of about 20% occurs in the area ratio of silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more, which occupies the entire area of the cut surface in the thickness direction of the silver plating layer. ing. However, in this example (Examples 1 to 8), in the silver plating layer formed using the silver plating bath containing the selenium brightener, the above-mentioned area ratio is obtained even if the cut part is changed to another part. Was over 70%. That is, it is considered that the above error can be caused by selection of the cut portion of the silver plating layer.

一方、セレン系光沢剤を含有しない銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層（比較例１〜３）においても同様に、上記面積割合に誤差が生じ得るものの、当該銀めっき層の切断箇所を変更しても上記面積割合が７０％以上となることはなかった。   On the other hand, in the silver plating layer (Comparative Examples 1 to 3) formed using a silver plating bath that does not contain a selenium brightener, the above-mentioned area ratio may have an error. The area ratio did not become 70% or more even when changed.

そして、後述する試験例から明らかではあるが、セレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成された銀めっき層（実施例１〜８）においては、上記面積割合が７０％以上であることで、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないとの特異な効果を奏されるものと考えられる。   And, as is clear from the test examples described later, in the silver plating layers (Examples 1 to 8) formed using a silver plating bath containing a selenium brightener, the area ratio is 70% or more. Thus, it is considered that a unique effect is exhibited that the reflectance near the wavelength of 350 nm in the spectral reflectance curve does not decrease in a peak shape.

〔試験例１〕反射率評価試験
上述のようにして作製したＬＥＤ用リードフレーム（実施例１〜８，比較例１〜３）について、分光光度計（島津製作所社製，ＵＶ−２５５０，ＭＰＣ−２２００）を用いて、波長３００〜７８０ｎｍの範囲における反射率（％）を測定した。そして、各ＬＥＤ用リードフレーム（銀めっき層）の分光反射率曲線の波長３３０〜３８０ｎｍの範囲において、短波長側から増大する反射率が低下し始める極大点Ｘ１における反射率Ｙ１と、当該極大点Ｘ１よりも長波長側において反射率が再び増加し始める極小点Ｘ２における反射率Ｙ２との差分（Ｙ１−Ｙ２）を算出し、当該反射率の差分（Ｙ１−Ｙ２）に基づいて各銀めっき層の反射率を評価した（極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２、並びにそれらにおける反射率Ｙ１，Ｙ２については、図３を参照）。結果を表２に示す。 [Test Example 1] Reflectance Evaluation Test For the LED lead frames (Examples 1 to 8, Comparative Examples 1 to 3) produced as described above, a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, UV-2550, MPC- 2200), the reflectance (%) in the wavelength range of 300 to 780 nm was measured. And in the wavelength range of 330 to 380 nm of the spectral reflectance curve of each LED lead frame (silver plating layer), the reflectance Y1 at the maximum point X1 at which the reflectance increasing from the short wavelength side starts to decrease, and the maximum point The difference (Y1-Y2) from the reflectance Y2 at the minimum point X2 at which the reflectance starts increasing again on the longer wavelength side than X1 is calculated, and each silver plating layer is based on the reflectance difference (Y1-Y2) (Refer to FIG. 3 for the maximum points X1 and the minimum points X2 and the reflectivities Y1 and Y2 thereof). The results are shown in Table 2.

なお、反射率評価の指標は、下記の通りとした。
○：反射率（％）の差分（Ｙ１−Ｙ２）が１％未満又は極大点Ｘ１及び極小点Ｘ２が存在しない
△：反射率（％）の差分（Ｙ１−Ｙ２）が１〜５％
×：反射率（％）の差分（Ｙ１−Ｙ２）が５％超 In addition, the index of reflectance evaluation was as follows.
○: Difference (Y1−Y2) in reflectance (%) is less than 1% or the maximum point X1 and the minimum point X2 do not exist Δ: Difference (Y1−Y2) in reflectance (%) is 1 to 5%
X: Reflectance (%) difference (Y1-Y2) exceeds 5%

〔試験例２〕耐食性評価試験
上記ＬＥＤ用リードフレーム（実施例１〜８，比較例１〜３）を、０．２５質量％硫化アンモニウム水溶液（液温：２５℃）に５分間浸漬させた後、分光光度計（島津製作所社製，ＵＶ−２５５０，ＭＰＣ−２２００）を用いて、波長３５０ｎｍ及び４５０ｎｍのそれぞれの光を照射したときにおける反射率（％）を測定した（Ｕ−５）。 [Test Example 2] Corrosion resistance evaluation test After the LED lead frames (Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3) were immersed in a 0.25 mass% aqueous ammonium sulfide solution (liquid temperature: 25 ° C) for 5 minutes. Using a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, UV-2550, MPC-2200), the reflectance (%) when irradiated with light of wavelengths 350 nm and 450 nm was measured (U-5).

また、上記ＬＥＤ用リードフレーム（実施例１〜８，比較例１〜３）を、硫化水素濃度３ｐｐｍ、温度４０℃、湿度８０％の雰囲気中に１時間暴露した後、同様にして波長３５０ｎｍ及び４５０ｎｍのそれぞれの光を照射したときにおける反射率（％）を測定した（ガス１Ｈ）。   The LED lead frames (Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3) were exposed to an atmosphere having a hydrogen sulfide concentration of 3 ppm, a temperature of 40 ° C., and a humidity of 80% for 1 hour. The reflectance (%) when each light of 450 nm was irradiated was measured (gas 1H).

上記反射率の測定結果に基づいて耐食性（耐硫化性）を評価した。結果を表２に示す。なお、耐食性評価の指標は下記の通りとした。
○：耐食性評価試験前後における反射率（％）の差分（低下量）が１５％未満
△：上記反射率（％）の差分（低下量）が１５〜２０％（Ｕ−５（波長３５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が１５〜５０％（Ｕ−５（波長４５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が１５〜４０％（ガス１Ｈ（波長４５０ｎｍ））
×：上記反射率（％）の差分（低下量）が２０％超（Ｕ−５（波長３５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が５０％超（Ｕ−５（波長４５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が１５％以上（ガス１Ｈ（波長３５０ｎｍ））
上記反射率（％）の差分（低下量）が４０％超（ガス１Ｈ（波長４５０ｎｍ）） Corrosion resistance (sulfuration resistance) was evaluated based on the reflectance measurement results. The results are shown in Table 2. In addition, the index of corrosion resistance evaluation was as follows.
○: Difference (decrease amount) in reflectance (%) before and after the corrosion resistance evaluation test is less than 15% Δ: Difference (decrease amount) in reflectance (%) is 15 to 20% (U-5 (wavelength 350 nm))
The difference (decrease amount) in the reflectance (%) is 15 to 50% (U-5 (wavelength 450 nm)).
The difference (decrease amount) in reflectance (%) is 15 to 40% (gas 1H (wavelength 450 nm))
X: The difference (decrease amount) in the reflectance (%) exceeds 20% (U-5 (wavelength 350 nm)).
Difference (decrease amount) in reflectance (%) exceeds 50% (U-5 (wavelength 450 nm))
Difference (decrease amount) in reflectance (%) is 15% or more (gas 1H (wavelength 350 nm))
Difference (decrease amount) in reflectance (%) exceeds 40% (gas 1H (wavelength 450 nm))

Figure 2017005265
Figure 2017005265

表２に示すように、実施例１〜８のＬＥＤ用リードフレームにおいては、銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下していないことが確認された。一方、比較例１〜３のＬＥＤ用リードフレームにおいては、銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下していることが確認された。   As shown in Table 2, in the LED lead frames of Examples 1 to 8, it was confirmed that the reflectance near the wavelength of 350 nm did not decrease in a peak shape in the spectral reflectance curve of the silver plating layer. On the other hand, in the LED lead frames of Comparative Examples 1 to 3, it was confirmed that the reflectance near a wavelength of 350 nm was reduced in a peak shape in the spectral reflectance curve of the silver plating layer.

したがって、表１及び表２に示す結果から、実施例１〜８のようにセレン系光沢剤を含有する銀めっき浴を用いて形成した銀薄膜を加熱することで、分光反射率曲線における波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しない銀めっき層を形成し得ると考えられる。   Therefore, from the results shown in Tables 1 and 2, by heating the silver thin film formed using the silver plating bath containing the selenium brightener as in Examples 1 to 8, the wavelength in the spectral reflectance curve is 350 nm. It is considered that a silver plating layer in which the reflectance in the vicinity does not decrease in a peak shape can be formed.

また、表２に示すように、実施例２〜４及び実施例６のＬＥＤ用リードフレームにおいては、耐食性試験後の反射率の低下が顕著に抑制されていることが確認された。このことから、実施例２〜４及び実施例６のＬＥＤ用リードフレームのように、銀めっき層を形成した後に加熱し、銀めっき層の一部が露出するようにして被覆層（インジウムめっき層、パラジウムめっき層又はロジウムめっき層等）を形成することで、製造初期における反射率を向上させるとともに、硫化水素等の腐食性ガスに対する耐性をも向上させることができると考えられる。   Further, as shown in Table 2, it was confirmed that in the LED lead frames of Examples 2 to 4 and Example 6, a decrease in reflectance after the corrosion resistance test was remarkably suppressed. Therefore, as in the LED lead frames of Examples 2 to 4 and Example 6, the silver plating layer was formed and then heated, and the coating layer (indium plating layer was formed so that a part of the silver plating layer was exposed. , Palladium plating layer or rhodium plating layer), it is considered that the reflectance in the initial stage of production can be improved and the resistance to corrosive gases such as hydrogen sulfide can be improved.

本発明は、ＬＥＤ素子を利用する種々のＬＥＤパッケージの製造に有用である。   The present invention is useful for manufacturing various LED packages using LED elements.

１Ａ〜１Ｅ…ＬＥＤ用リードフレーム
２…基材
３…銀めっき層
３１…第１銀めっき層
３２…第２銀めっき層
４…被覆層
７…貫通スリット
１０Ａ〜１０Ｅ…ＬＥＤパッケージ（半導体装置）
１１…樹脂リフレクタ
１２…ＬＥＤ素子
１３…封止部
ＭＡ…搭載領域
ＲＡ…リフレクタ領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A-1E ... LED lead frame 2 ... Base material 3 ... Silver plating layer 31 ... 1st silver plating layer 32 ... 2nd silver plating layer 4 ... Covering layer 7 ... Through slit 10A-10E ... LED package (semiconductor device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Resin reflector 12 ... LED element 13 ... Sealing part MA ... Mounting area | region RA ... Reflector area | region

Claims (7)

基材及び前記基材におけるＬＥＤ素子を搭載するための搭載領域上に少なくとも設けられてなる銀めっき層を有するリードフレームと、
前記搭載領域上に搭載されてなる、３３０〜４００ｎｍに発光波長のピークを有するＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子を封止する封止部と
を備え、
前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面の全面積の７０％以上が、断面積１μｍ2以上の銀の結晶粒子で占められており、
前記銀めっき層の分光反射率曲線において、波長３５０ｎｍ付近の反射率がピーク状に低下しないことを特徴とする半導体装置。 A lead frame having a silver plating layer provided at least on a substrate and a mounting region for mounting the LED element in the substrate;
An LED element having a light emission wavelength peak at 330 to 400 nm, mounted on the mounting region;
A sealing portion for sealing the LED element,
70% or more of the total area of the predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer is occupied by silver crystal grains having a cross-sectional area of 1 μm 2 or more,
In the spectral reflectance curve of the silver plating layer, the reflectance in the vicinity of a wavelength of 350 nm does not decrease in a peak shape. 前記銀めっき層の厚さ方向所定の断面において、当該銀めっき層の厚さの二乗以上の断面積を有する前記銀の結晶粒子が少なくとも１個存在することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。   2. The crystal grain according to claim 1, wherein at least one silver crystal particle having a cross-sectional area equal to or larger than a square of the thickness of the silver plating layer is present in a predetermined cross section in the thickness direction of the silver plating layer. Semiconductor device. 前記搭載領域の周囲を囲むリフレクタ領域に設けられてなる樹脂リフレクタをさらに備え、
前記樹脂リフレクタは、波長４６０ｎｍ以下の光の透過率が高い樹脂と、前記樹脂中に分散され、波長４６０ｎｍ以下の光の反射率が高い顔料とにより構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 Further comprising a resin reflector provided in a reflector region surrounding the mounting region,
2. The resin reflector is composed of a resin having a high transmittance of light having a wavelength of 460 nm or less and a pigment dispersed in the resin and having a high reflectance of light having a wavelength of 460 nm or less. Or the semiconductor device of 2. 前記リードフレームは、前記搭載領域上の銀めっき層の一部が露出するように前記銀めっき層を被覆してなる、前記銀よりも耐食性の高い、銀以外の金属を含有する被覆層をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。   The lead frame further includes a coating layer containing a metal other than silver, which is higher in corrosion resistance than the silver and is coated with the silver plating layer so that a part of the silver plating layer on the mounting region is exposed. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided. 前記被覆層の厚さが、５〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 4, wherein the covering layer has a thickness of 5 to 50 nm. 前記被覆層に含まれる前記金属が、インジウム、パラジウム、ロジウム及びスズ、並びにそれらのうちの少なくとも１種を含む合金からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。   The metal contained in the coating layer is at least one selected from the group consisting of indium, palladium, rhodium and tin, and an alloy containing at least one of them. 5. The semiconductor device according to 5. 前記封止部は、前記ＬＥＤ素子の発光により励起される蛍光体を含み、
前記半導体装置は、波長４００〜７００ｎｍの光を発することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置。 The sealing portion includes a phosphor excited by light emission of the LED element,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device emits light having a wavelength of 400 to 700 nm.
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