JP2017002353A - Substrate treatment apparatus, and production method of semiconductor device - Google Patents

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奥野 正則
Masanori Okuno
正則 奥野
三井 裕之
Hiroyuki Mitsui
裕之 三井
智美 山崎
Tomomi Yamazaki
智美 山崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of reducing a wafer loss caused by valve interlock generation in the middle of recipe execution, which is caused by erroneous setting of a process recipe of an operator.SOLUTION: A substrate treatment apparatus includes an operation part having a storage part for storing a parameter showing a content of valve interlock check (valve check pattern) determined beforehand, and a parameter showing a set content of each valve set upon creation of a recipe for treating the substrate, and having a display part capable of displaying the content of each parameter on an operation screen. The operation part is constituted so that a button for collating the content of each parameter can be displayed on the operation screen.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は半導体装置を製造する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.

半導体装置の製造方法の1工程である基板処理工程に於いては、処理炉内にシリコンウエハ、ガラス基板等の基板を装入し、処理炉を密閉し、基板を加熱しつつ処理ガスを導入して、薄膜の生成、不純物の拡散、アニール、エッチング等の基板処理が行われ、基板処理が完了すると、処理炉内が不活性ガス等によりガスパージされる。その後、処理炉を開放して処理済みの基板を取出す等がされていた。   In a substrate processing step, which is one step of a semiconductor device manufacturing method, a silicon wafer, a glass substrate, or the like is placed in a processing furnace, the processing furnace is sealed, and a processing gas is introduced while heating the substrate. Then, substrate processing such as thin film formation, impurity diffusion, annealing, and etching is performed. When the substrate processing is completed, the inside of the processing furnace is purged with an inert gas or the like. Thereafter, the processing furnace was opened and the processed substrate was taken out.

前記処理ガスはキャリアガスと共に供給され、処理炉がガスパージされる場合、処理ガスの供給停止、排気装置による処理炉内の排気、続いて処理炉内にパージガスの供給等が実行され、処理ガスの給排、キャリアガスの給排、パージガスの給排はそれぞれの管路に設けられたバルブの開閉によって行われる。バルブの開閉及び開閉のタイミングは基板処理内容が設定されたレシピに従って決定されている。   When the processing gas is supplied together with the carrier gas and the processing furnace is purged, the processing gas supply is stopped, the exhaust in the processing furnace is exhausted, and then the purge gas is supplied into the processing furnace. Supply / discharge, supply / discharge of carrier gas, and supply / discharge of purge gas are performed by opening and closing valves provided in the respective pipe lines. The opening / closing timing of the valve and the opening / closing timing are determined in accordance with a recipe in which the substrate processing content is set.

半導体製造装置の成膜プロセス装置では、温度、圧力、ガス流量、ガスバルブなどを時系列に記述したプロセスレシピを操作員が作成しレシピを実行するが、レシピ実行時間が数時間にも及ぶ場合がある。その際、レシピ実行プログラムでは、可燃性ガス、支燃性ガスの組合せにより爆発などの事故が発生しないように、レシピのバルブ操作指示が要求される度にバルブの組み合わせをチェックし、危険と判断した場合は、バルブ開指示を拒否しバルブインターロックを発生させる。
しかしながら、例えば、プロセス処理条件の確認など何度もレシピを変更しながら、実験する場合、記述ミスなどによりバルブインターロックが発生してしまうと。処理用ウエハを無駄にしてしまう場合がある。また、長時間のレシピで数時間も経過してから、バルブインターロックが発生した場合には作業効率が低下してしまうことになる。

一般的に、基板の処理内容(処理温度、ガス種、ガス流量、処理圧力等の制御パラメータ)を設定したレシピは、基板処理装置の制御装置に予め設定入力され、バルブの開閉は通常レシピに従って、前記制御装置がバルブの開閉を制御している。
In film forming process equipment of semiconductor manufacturing equipment, an operator creates a process recipe that describes temperature, pressure, gas flow rate, gas valve, etc. in time series, and executes the recipe. However, the recipe execution time may be several hours. is there. At that time, the recipe execution program checks the valve combination every time a recipe valve operation instruction is requested so that an accident such as an explosion does not occur due to the combination of flammable gas and flammable gas, and determines that it is dangerous. If this happens, the valve opening instruction is rejected and valve interlock is generated.
However, for example, when an experiment is performed while changing the recipe many times, such as confirmation of process processing conditions, a valve interlock may occur due to a description mistake or the like. The processing wafer may be wasted. In addition, when valve interlock occurs after several hours have passed in a long-time recipe, the work efficiency is reduced.

In general, a recipe in which the processing contents of a substrate (control parameters such as processing temperature, gas type, gas flow rate, processing pressure, etc.) are set and inputted in advance to the control device of the substrate processing apparatus, and the opening and closing of the valve is in accordance with the normal recipe The control device controls the opening and closing of the valve.

基板処理内容によっては、操作してはいけないバルブ(操作禁止バルブ)があり、操作禁止バルブについては安全の為、ハード的にバルブの開閉状態を拘束するか若しくはプロセス毎に詳細な条件を設け、コントローラソフトに開閉操作の禁止処理を組込んでいる。   Depending on the substrate processing contents, there are valves that should not be operated (operation prohibited valves). For safety reasons, the valve opening / closing state is restricted by hardware, or detailed conditions are set for each process. The controller software incorporates the open / close operation prohibition process.

特開2007−243119号公報JP 2007-243119 A

本発明の目的は、斯かる実情に鑑み、操作員のプロセスレシピ設定誤りによるレシピ実行途中のバルブインターロック発生によるウエハの損失、或いは作業効率の低下を防止することができる技術を提供することにある。   In view of such circumstances, an object of the present invention is to provide a technique capable of preventing a wafer loss or a reduction in work efficiency due to a valve interlock occurring during the execution of a recipe due to an operator's process recipe setting error. is there.

本発明の一態様によれば、
予め決められたバルブインターロックチェックの内容(バルブチェックパターン)を示すパラメータと、基板を処理するためのレシピを作成時に設定された各バルブの設定内容を示すパラメータとを記憶する記憶部と、各パラメータの内容を操作画面に表示可能な表示部と、を有する操作部を備え、
前記操作部は、前記各パラメータの内容を照合させるためのボタンを前記操作画面に表示可能に構成されている基板処理装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
A storage unit for storing a parameter indicating a predetermined valve interlock check content (valve check pattern) and a parameter indicating a setting content of each valve set when a recipe for processing a substrate is created; A display unit capable of displaying the contents of the parameter on the operation screen,
The operation unit is provided with a substrate processing apparatus configured to be able to display a button for collating the contents of the parameters on the operation screen.

本発明によれば、操作員のプロセスレシピ設定誤りによるレシピ実行途中のバルブインターロック発生によるウエハの損失、或いは作業効率の低下を防止することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to prevent a wafer loss or a reduction in work efficiency due to the occurrence of a valve interlock during the execution of a recipe due to an operator process recipe setting error.

本発明の基板処理装置の基板処理装置の制御系と群管理装置の構成例を示す概略ブロック図である。It is a schematic block diagram which shows the structural example of the control system and group management apparatus of the substrate processing apparatus of the substrate processing apparatus of this invention. 本発明が実施される基板処理装置の概略斜視図である。1 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus in which the present invention is implemented. 該基板処理装置の概略側面図である。It is a schematic side view of this substrate processing apparatus. 本発明における、プロセスレシピの構成と制御について説明する図である。It is a figure explaining the structure and control of a process recipe in this invention. 本発明における、プロセスレシピバルブ設定編集画面例を示す図である。該制御装置に用いられる使用禁止バルブ設定テーブルの一例を示す図である 。It is a figure which shows the example of a process recipe valve setting edit screen in this invention. It is a figure which shows an example of the use prohibition valve | bulb setting table used for this control apparatus. 本発明における、操作制御コントローラによる基板処理装置の制御を説明する図である。It is a figure explaining control of the substrate processing apparatus by the operation control controller in this invention. 本発明における、バルブチェックフロー例を説明する図である。It is a figure explaining the example of a valve check flow in the present invention. 本発明における、バルブチェックプログラムフロー例を説明する図である。It is a figure explaining the example of a valve check program flow in the present invention. バルブチェックプログラムで用いられる(a)プロセスレシピバルブ設定テーブル、(b)バルブ状態保存領域テーブル、(c)バルブインターロックパラメータの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of (a) process recipe valve setting table, (b) valve state preservation | save area | region table, and (c) valve interlock parameter used by a valve check program.

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

先ず本発明に係る基板処理装置について説明する。   First, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described.

尚、基板処理装置は、半導体装置(IC)の製造工程の1つである基板処理工程を実施する。又、以下の説明では、基板処理装置の一例として縦型炉を具備して基板に酸化処理、CVD成膜処理、拡散処理、アニール処理等を行う縦型の基板処理装置について説明する。   The substrate processing apparatus performs a substrate processing process which is one of the manufacturing processes of a semiconductor device (IC). In the following description, a vertical substrate processing apparatus that includes a vertical furnace as an example of a substrate processing apparatus and performs oxidation processing, CVD film formation processing, diffusion processing, annealing processing, etc. on the substrate will be described.

(第1実施形態)
以下、図面を参照して、本発明の第1実施形態に係る基板処理システムの構成、及び基板処理装置と群管理装置の構成について説明する。図1は、基板処理装置の制御系と群管理装置の構成例を示し、図2は、第1実施形態に係る基板処理装置の概略斜視図を示し、図3は、該基板処理装置の概略側面図である。
図1に示されるように、第1実施形態に係る基板処理システムは、基板処理装置100と、群管理装置30と、基板処理装置100と群管理装置30とを接続する工場内LAN等のネットワーク60とを備える。1台の群管理装置30に対して複数、例えば数十台の基板処理装置100が接続される。
(First embodiment)
Hereinafter, a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment of the present invention and a configuration of a substrate processing apparatus and a group management apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration example of a control system and a group management apparatus of a substrate processing apparatus, FIG. 2 shows a schematic perspective view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, and FIG. 3 shows an outline of the substrate processing apparatus. It is a side view.
As shown in FIG. 1, the substrate processing system according to the first embodiment includes a substrate processing apparatus 100, a group management apparatus 30, a network such as a factory LAN that connects the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 30. 60. A plurality, for example, several tens of substrate processing apparatuses 100 are connected to one group management apparatus 30.

基板処理装置100で生成され発生した処理温度や処理室内圧力等の各種装置データは、当該基板処理装置100に記憶されるとともに、ネットワーク60を介して所定の周期で、上位装置である群管理装置30へ送信される。 群管理装置30では、複数の基板処理装置100から受信した装置データを、自身のデータベースでもある記憶部32に保存して、例えば、故障発生時の故障解析等に役立つようにしている。このように、群管理装置30は、記憶装置ともいえる。 Various apparatus data such as a processing temperature and a processing chamber pressure generated and generated in the substrate processing apparatus 100 are stored in the substrate processing apparatus 100, and at a predetermined cycle via the network 60, a group management apparatus that is a host apparatus. 30. The group management apparatus 30 stores apparatus data received from a plurality of substrate processing apparatuses 100 in a storage unit 32 that is also its own database so as to be useful for, for example, failure analysis when a failure occurs. Thus, the group management device 30 can also be said to be a storage device.

まず、上位の管理装置としての群管理装置について、図1を用いて説明する。図1に示すように、群管理装置30は、制御部31と、記憶部32と、操作表示部33と、通信部34とを備える。操作表示部33は、オペレータの指示を受け付ける操作部と、操作画面や各種データ等を表示する表示部とを備える。制御部31には、群管理装置30を構成する上記操作表示部33等の各構成部が電気的に接続され、これらの各構成部は、制御部31により制御される。主制御部31は、ハードウエア構成としては、CPU(Central Processing Unit)と制御部31の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、CPUは、この動作プログラムに従って動作する。通信部34は、ネットワーク60を介して、複数の基板処理装置100との間で各種データの送受信を行う。   First, a group management apparatus as an upper management apparatus will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the group management device 30 includes a control unit 31, a storage unit 32, an operation display unit 33, and a communication unit 34. The operation display unit 33 includes an operation unit that receives an instruction from the operator, and a display unit that displays an operation screen, various data, and the like. The control unit 31 is electrically connected to the respective components such as the operation display unit 33 constituting the group management apparatus 30, and these components are controlled by the control unit 31. The main control unit 31 includes a CPU (Central Processing Unit) and a memory for storing an operation program of the control unit 31 as a hardware configuration, and the CPU operates according to the operation program. The communication unit 34 transmits / receives various data to / from the plurality of substrate processing apparatuses 100 via the network 60.

記憶部32は、ネットワーク60を介して複数の基板処理装置100から受信した各基板処理装置100の各種装置データを記憶し保存しており、不揮発性記憶装置であるハードディスクや半導体メモリ等から構成される。また、記憶部32は、基板処理装置100で使用されるデータ種別ごとの報告周期や、初期パラメータ格納テーブル、障害種別対応データ種別定義テーブル等を記憶している。群管理装置30は、基板処理装置100の電源が投入されるなど基板処理装置100が初期状態から立ち上がったときに、該データ種別ごとの報告周期を基板処理装置100へ送信する。   The storage unit 32 stores and stores various device data of each substrate processing apparatus 100 received from the plurality of substrate processing apparatuses 100 via the network 60, and is configured from a hard disk or a semiconductor memory that is a nonvolatile storage device. The In addition, the storage unit 32 stores a reporting cycle for each data type used in the substrate processing apparatus 100, an initial parameter storage table, a failure type corresponding data type definition table, and the like. The group management apparatus 30 transmits a report cycle for each data type to the substrate processing apparatus 100 when the substrate processing apparatus 100 starts up from the initial state, such as when the power of the substrate processing apparatus 100 is turned on.

記憶部32内に蓄積記憶された処理炉202の温度やガス流量や圧力データなどの装置データは、必要に応じ例えば、高度なアプリケーション機能を有する解析アプリケーション装置(不図示)へ転送され、統計解析や多変量解析など、基板処理装置100を監視するためのデータ処理に用いられる。解析アプリケーション装置は、ネットワーク60に接続されたパーソナルコンピュータ等で構成することができる。   Device data such as the temperature, gas flow rate, and pressure data of the processing furnace 202 accumulated and stored in the storage unit 32 is transferred to an analysis application device (not shown) having an advanced application function as necessary, for example, and statistical analysis is performed. And data processing for monitoring the substrate processing apparatus 100 such as multivariate analysis. The analysis application device can be configured by a personal computer or the like connected to the network 60.

次に、基板処理装置100の全体構成を、図2、図3を用いて説明する。本実施形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC:Integrated Circuit)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD(Chemical Vapor Deposition)処理などを行うバッチ式縦型半導体製造装置(以下、単に処理装置ともいう)を適用した場合について述べる。   Next, the overall configuration of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, as an example, the substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs a processing step in a manufacturing method of a semiconductor device (IC: Integrated Circuit). In the following description, a case where a batch type vertical semiconductor manufacturing apparatus (hereinafter also simply referred to as a processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD (Chemical Vapor Deposition) processing, or the like is applied to the substrate as the substrate processing apparatus will be described. .

図3に示されているように、本実施形態の処理装置100は、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納するウエハキャリアとしてポッド110を使用し、筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口112が、筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ113によって開閉される。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、ロードポート114が設置されており、ロードポート114は、ポッド110を載置する。ポッド110は、ロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出される。   As shown in FIG. 3, the processing apparatus 100 of this embodiment uses a pod 110 as a wafer carrier for storing a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like, and includes a casing 111. A pod loading / unloading port 112 is opened on the front wall 111a of the casing 111 so as to communicate with the inside and outside of the casing 111. The pod loading / unloading port 112 is opened and closed by a front shutter 113. A load port 114 is installed on the front front side of the pod loading / unloading port 112, and the pod 110 is placed on the load port 114. The pod 110 is loaded onto the load port 114 by an in-process conveyance device (not shown), and also unloaded from the load port 114.

筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転棚105が設置されており、回転棚105は、支柱116を中心に回転し、棚板117に複数個のポッド110を保管する。
図3に示すように、筐体111内におけるロードポート114と回転棚105との間には、ポッド搬送装置118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ118aと、水平搬送機構としてのポッド搬送機構118bとで構成されており、ロードポート114、回転棚105、ポッドオープナ121との間で、ポッド110を搬送する。
A rotating shelf 105 is installed at an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. The rotating shelf 105 rotates around a support column 116 and stores a plurality of pods 110 on a shelf plate 117. .
As shown in FIG. 3, a pod transfer device 118 is installed between the load port 114 and the rotating shelf 105 in the housing 111. The pod transfer device 118 includes a pod elevator 118 a that can move up and down while holding the pod 110, and a pod transfer mechanism 118 b as a horizontal transfer mechanism. Between the load port 114, the rotating shelf 105, and the pod opener 121 Then, the pod 110 is conveyed.

図3に示すように、筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口120が1対、垂直方向に上下2段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には1対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構123、123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉する。載置台122は、基板を移載する際に基板収容器が載置される移載棚である。   As shown in FIG. 3, a sub-housing 119 is constructed over the rear end at a lower portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. On the front wall 119a of the sub housing 119, a pair of wafer loading / unloading ports 120 for loading / unloading the wafer 200 into / from the sub housing 119 are arranged in two vertical rows in the vertical direction. A pair of pod openers 121 and 121 are installed at the wafer loading / unloading ports 120 and 120 at the upper and lower stages, respectively. The pod opener 121 includes mounting bases 122 and 122 for mounting the pod 110 and cap attaching / detaching mechanisms 123 and 123 for attaching and detaching caps (lid bodies) of the pod 110. The pod opener 121 opens and closes the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 mounted on the mounting table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123. The mounting table 122 is a transfer shelf on which a substrate container is mounted when a substrate is transferred.

図3に示すように、サブ筐体119は、ポッド搬送装置118や回転棚105の設置空間の雰囲気と隔絶された移載室124を構成している。移載室124の前側領域には、ウエハ移載機構125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200をツイーザ125cに載置して水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置125a、およびウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ125bとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびウエハ移載装置125aの連続動作により、ボート217に対して、ウエハ200を装填および脱装する。   As shown in FIG. 3, the sub-housing 119 constitutes a transfer chamber 124 that is isolated from the atmosphere of the installation space of the pod transfer device 118 and the rotating shelf 105. A wafer transfer mechanism 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124. The wafer transfer mechanism 125 includes a wafer transfer device 125a that can place the wafer 200 on the tweezer 125c and can rotate or move in the horizontal direction, and a wafer transfer device elevator 125b for moving the wafer transfer device 125a up and down. It consists of The wafers 200 are loaded and unloaded from the boat 217 by the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a.

図2に示されているように、移載室124内には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう、供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されている。
図3に示すように、ボート217の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202は、内部に基板処理室(不図示)を備え、該基板処理室の周囲には、基板処理室内を加熱するヒータ(不図示)を備える。処理炉202の下端部は、炉口ゲートバルブ147により開閉される。
As shown in FIG. 2, a clean unit 134 composed of a supply fan and a dustproof filter is installed in the transfer chamber 124 so as to supply a clean atmosphere or clean air 133 that is an inert gas. Has been.
As shown in FIG. 3, a processing furnace 202 is provided above the boat 217. The processing furnace 202 includes a substrate processing chamber (not shown) inside, and a heater (not shown) that heats the substrate processing chamber around the substrate processing chamber. The lower end portion of the processing furnace 202 is opened and closed by a furnace port gate valve 147.

図2に示されているように、ボート217を昇降させるためのボートエレベータ115が設置されている。ボートエレベータ115に連結されたアーム128には、シールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。 ボート217は、複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。   As shown in FIG. 2, a boat elevator 115 for raising and lowering the boat 217 is installed. A seal cap 219 is horizontally installed on the arm 128 connected to the boat elevator 115, and the seal cap 219 is configured to support the boat 217 vertically and to close the lower end portion of the processing furnace 202. ing. The boat 217 includes a plurality of holding members, and horizontally holds a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 with their centers aligned and vertically aligned. It is configured as follows.

次に、本実施形態の処理装置の動作について説明する。図2、図3に示されているように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ポッド搬入搬出口112から搬入される。搬入されたポッド110は、回転棚105の指定された棚板117へ、ポッド搬送装置118によって、自動的に搬送されて受け渡される。   Next, the operation of the processing apparatus of this embodiment will be described. As shown in FIGS. 2 and 3, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113 and loaded from the pod loading / unloading port 112. The loaded pod 110 is automatically conveyed and delivered to the designated shelf plate 117 of the rotary shelf 105 by the pod conveying device 118.

ポッド110は回転棚105で一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは、ロードポート114から直接、ポッドオープナ121に搬送されて、載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120は、キャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。   After the pod 110 is temporarily stored on the rotating shelf 105, the pod 110 is transferred from the shelf 117 to one pod opener 121 and transferred to the mounting table 122, or directly from the load port 114 to the pod opener 121. It is transported and transferred to the mounting table 122. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and clean air 133 is circulated and filled in the transfer chamber 124.

図3に示すように、載置台122に載置されたポッド110は、そのキャップが、キャップ着脱機構123によって取り外され、ポッド110のウエハ出し入れ口が開放される。また、ウエハ200は、ポッド110からウエハ移載装置125aによってピックアップされ、ボート217へ移載されて装填される。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ110をボート217に装填する。   As shown in FIG. 3, the cap of the pod 110 mounted on the mounting table 122 is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and the wafer loading / unloading port of the pod 110 is opened. The wafer 200 is picked up from the pod 110 by the wafer transfer device 125a, transferred to the boat 217, and loaded. The wafer transfer device 125 a that has transferred the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 110 into the boat 217.

この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載装置125aによるウエハ200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121には、回転棚105ないしロードポート114から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。   During the loading operation of the wafer 200 to the boat 217 by the wafer transfer device 125a in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 has the rotating shelf 105 or the load port 114. The other pod 110 is transported by the pod transport device 118, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 proceeds simultaneously.

予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される。続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されて、シールキャップ219に支持されたボート217が、処理炉202内の基板処理室へ搬入されて行く。   When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end portion of the processing furnace 202 is opened by the furnace port gate valve 147. Subsequently, the seal cap 219 is raised by the boat elevator 115, and the boat 217 supported by the seal cap 219 is carried into the substrate processing chamber in the processing furnace 202.

ローディング後は、基板処理室内でウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ115によりボート217が引き出され、その後は、概上述の逆の手順で、ウエハ200およびポッド110は筐体111の外部へ払出される。   After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the substrate processing chamber. After the processing, the boat 217 is pulled out by the boat elevator 115, and thereafter, the wafer 200 and the pod 110 are discharged to the outside of the casing 111 in the reverse procedure described above.

次に、基板処理装置100の制御系の構成について、図1を用いて説明する。 図1に示されるように、基板処理装置100の主制御部11には、主記憶部12、搬送制御部13、温度制御部14、ガス制御部15、PLC(Programmable Logic Controller)ユニット16、通信部17、オペレータの指示を受け付ける操作部(不図示)、操作画面や各種データ等を表示する表示部(不図示)等が電気的に接続されている。通信部17は、ネットワーク60を介して、群管理装置30との間で各種データの送受信を行う。   Next, the configuration of the control system of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the main control unit 11 of the substrate processing apparatus 100 includes a main storage unit 12, a transfer control unit 13, a temperature control unit 14, a gas control unit 15, a PLC (Programmable Logic Controller) unit 16, a communication. The unit 17, an operation unit (not shown) that receives an instruction from the operator, a display unit (not shown) that displays an operation screen, various data, and the like are electrically connected. The communication unit 17 transmits and receives various data to and from the group management device 30 via the network 60.

搬送制御部13は、ポッド搬送装置118やウエハ移載機構125やボートエレベータ115等の位置を制御するもので、搬送制御部13には、フォトセンサー21やポッドセンサー22が電気的に接続され、これらのセンサーから、例えば、ウエハ200を収容するポッド110の有無や位置等のデータを受信し、主制御部11に送信する。また、搬送制御部13は、主制御部11から、例えばポッド110の搬送指示を受信し、指示された場所や位置にポッド110を搬送する。     The transfer control unit 13 controls the positions of the pod transfer device 118, the wafer transfer mechanism 125, the boat elevator 115, and the like. The transfer control unit 13 is electrically connected to the photo sensor 21 and the pod sensor 22, From these sensors, for example, data such as the presence / absence and position of the pod 110 containing the wafer 200 is received and transmitted to the main control unit 11. Further, the transport control unit 13 receives, for example, a transport instruction for the pod 110 from the main control unit 11 and transports the pod 110 to the instructed location or position.

温度制御部14は、処理炉202を加熱するヒータの温度を制御するもので、処理炉202内の温度を計測する温度センサー23から温度データを受信し、主制御部11に送信する。また、温度制御部14は、主制御部11から、例えば処理炉202内の温度を上昇させるヒータの加熱温度指示を受信し、指示された温度になるようヒータを加熱する。   The temperature control unit 14 controls the temperature of the heater that heats the processing furnace 202, receives temperature data from the temperature sensor 23 that measures the temperature in the processing furnace 202, and transmits the temperature data to the main control unit 11. Further, the temperature control unit 14 receives, for example, a heater heating temperature instruction for increasing the temperature in the processing furnace 202 from the main control unit 11, and heats the heater to the instructed temperature.

ガス制御部15は、例えば、PLCユニット16を介し、バルブI/O24やインタロックI/O25から受信したデータを主制御部11へ送信し、また、主制御部11から受信したデータをバルブI/O24やインタロックI/O25へ送信する。具体的には、例えば、処理炉202内へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管に設けられたMFC(マスフローコントローラ:流量制御装置)からガスの流量データを受信し、主制御部11に送信する。また、主制御部11から、例えば、処理ガス供給配管に設けられた開閉バルブや処理炉202内からガスを排気する処理ガス排気配管に設けられた圧力調整バルブやポンプ等へのバルブ開閉指示やポンプ駆動指示等のガス制御指示を受信し、該指示に従いガス制御を行う。 PLCユニット16は、バルブI/O24やインタロックI/O25から受信したデータを主制御部11へ送信し、また、主制御部11から受信したデータをバルブI/O24やインタロックI/O25へ送信することもある。   For example, the gas control unit 15 transmits the data received from the valve I / O 24 and the interlock I / O 25 to the main control unit 11 via the PLC unit 16, and the data received from the main control unit 11 is the valve I / O24 and interlock I / O25. Specifically, for example, gas flow rate data is received from an MFC (mass flow controller: flow rate control device) provided in a processing gas supply pipe for supplying a processing gas into the processing furnace 202 and transmitted to the main control unit 11. . Further, from the main control unit 11, for example, a valve opening / closing instruction to an opening / closing valve provided in the processing gas supply pipe or a pressure adjusting valve provided in a processing gas exhaust pipe for exhausting gas from the processing furnace 202, a pump, etc. A gas control instruction such as a pump drive instruction is received, and gas control is performed according to the instruction. The PLC unit 16 transmits the data received from the valve I / O 24 and the interlock I / O 25 to the main control unit 11, and the data received from the main control unit 11 to the valve I / O 24 and the interlock I / O 25. May be sent.

主記憶部12は、基板処理装置100の基板処理シーケンスである処理レシピを記憶しており、不揮発性記憶装置であるハードディスクや半導体メモリ等から構成される。また、主記憶部12は、更新データ格納テーブル、データ更新情報格納テーブル、報告周期切換え設定テーブル等を記憶する。   The main storage unit 12 stores a processing recipe that is a substrate processing sequence of the substrate processing apparatus 100, and includes a hard disk or a semiconductor memory that is a nonvolatile storage device. The main storage unit 12 stores an update data storage table, a data update information storage table, a report cycle switching setting table, and the like.

主制御部11は、ハードウエア構成としては、CPU (Central Processing Unit)と主制御部11の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、CPUは、この動作プログラムに従って、主記憶部12に記憶した処理レシピを読み出して実行するように動作する。また、搬送制御部13、温度制御部14、ガス制御部15等の副制御部も、それぞれ、CPUと各制御部の動作プログラム等を格納するメモリを備えており、各CPUは、それぞれの動作プログラムに従って動作する。 The main control unit 11 includes a CPU (Central Processing Unit) and a memory for storing an operation program of the main control unit 11 as a hardware configuration, and the CPU stores in the main storage unit 12 according to the operation program. The processing recipe is read and executed. In addition, the sub-control units such as the transfer control unit 13, the temperature control unit 14, and the gas control unit 15 are each provided with a CPU and a memory for storing an operation program of each control unit. Operates according to the program.

主制御部11は、搬送制御部13等の各副制御部やPLCユニット16等の各構成部から、温度センサーの示す温度やアクチュエータの位置などの各モニタデータを収集し、これらのモニタデータを用いて、処理炉202の温度や圧力等のパラメータが、予め設定された目標値となるように各構成部を制御する制御部である。ポッドセンサー22や温度センサー23等の状態は、各副制御部からのアナログ信号やRS−232CやDeviceNetなどのデジタル信号により、主制御部11へ送信される。主制御部11は、各構成部からのモニタデータを収集すると、該収集したデータ(収集データ)に該収集データの検出時刻であるタイムスタンプを刻印し、主記憶部12へ格納し保存し、また、所定の周期で群管理装置30へ送信し報告する。   The main control unit 11 collects each monitor data such as the temperature indicated by the temperature sensor and the position of the actuator from each sub-control unit such as the transport control unit 13 and each component unit such as the PLC unit 16, and these monitor data are collected. It is a control unit that controls each component so that parameters such as the temperature and pressure of the processing furnace 202 become preset target values. The states of the pod sensor 22 and the temperature sensor 23 are transmitted to the main control unit 11 by an analog signal from each sub control unit or a digital signal such as RS-232C or DeviceNet. When the main control unit 11 collects the monitor data from each component unit, the main control unit 11 stamps the collected data (collected data) with a time stamp that is the detection time of the collected data, and stores and saves it in the main storage unit 12. Moreover, it transmits to the group management apparatus 30 and reports it with a predetermined period.

次に、本発明の基板処理におけるプロセスレシピの構成について、図4を参照して説明する。   Next, the configuration of the process recipe in the substrate processing of the present invention will be described with reference to FIG.

図4中、401は、Step1のプロセスレシピ作成時の画面構成例であり、402は、Step2のプロセスレシピ作成時の画面構成例、40Nは、StepNのプロセスレシピ作成時の画面構成例を示している。
このように、プロセスレシピは、複数のStep(或いはEvent)に分割されている。各Stepの制御設定時間ごとに各デバイスに対して、設定値を出力し指示する。
Step1の例では、Step時間は30m0s、設定圧力は100Pa、ガス流量は、Nが50slm、NHが10sccm、温度設定は、300℃である。バルブ設定については、図5を用いて説明する。
In FIG. 4, 401 is a screen configuration example when creating a Step 1 process recipe, 402 is a screen configuration example when creating a Step 2 process recipe, and 40N is a screen configuration example when creating a Step N process recipe. Yes.
Thus, the process recipe is divided into a plurality of Steps (or Events). A set value is output and instructed to each device at each step control setting time.
In the example of Step 1, the Step time is 30 m0 s, the set pressure is 100 Pa, the gas flow rate is 50 slm for N 2 , 10 sccm for NH 3 , and the temperature setting is 300 ° C. The valve setting will be described with reference to FIG.

図5に示す例では、Step1での各バルブの設定が示されている。この例では、バルブ1、3、4が黒塗りされているためClose、バルブ32、5、6がOpenと設定されていることを示している設定画面である。このように各Step毎に、すべてのバルブに対してOpen、Closeの設定を行う。   In the example shown in FIG. 5, the setting of each valve at Step 1 is shown. In this example, since the valves 1, 3, and 4 are painted black, the setting screen indicates that “Close” and the valves 32, 5, and 6 are set to “Open”. As described above, Open and Close are set for all the valves at each Step.

図6において、601は、レシピの編集、レシピ実行指示などを制御する操作制御コントローラである。この操作制御コントローラ601は、図1における群管理装置30に相当するものである。操作制御コントローラ601と基板処理装置100は、ネットワーク60を介して接続されている。602は、プロセス制御コントローラ:プロセスレシピの実行制御、及びモニタ監視であり、図1における、主制御部11の一部として備えられている。603は、バルブ制御コントローラであり、(1) Digital I/O604からのバルブ開閉状態を受信し保持する。更に(2)プロセス制御コントローラのデータを受信する。(3)予め組込まれたインターロックパターンと(1)(2)の内容を照合し、OKならば出力、NGならばインターロックとしてDigital I/O 604への出力を拒否する。このバルブ制御コントローラ603は、図1における、ガス制御部15に、Digital I/O 604は、バルブI/O 24相当するものである。   In FIG. 6, reference numeral 601 denotes an operation control controller that controls recipe editing, recipe execution instructions, and the like. The operation control controller 601 corresponds to the group management apparatus 30 in FIG. The operation controller 601 and the substrate processing apparatus 100 are connected via the network 60. Reference numeral 602 denotes a process control controller: process recipe execution control and monitor monitoring, and is provided as a part of the main control unit 11 in FIG. A valve control controller 603 receives (1) the valve open / close state from the digital I / O 604 and holds it. Further, (2) receiving data of the process control controller. (3) The contents of (1) and (2) are collated with the interlock pattern incorporated in advance, and if it is OK, the output to Digital I / O 604 is rejected as an output if it is NG. The valve controller 603 corresponds to the gas controller 15 in FIG. 1, and the Digital I / O 604 corresponds to the valve I / O 24.

操作員は操作制御コントローラ601からプロセスレシピを作成する。
図6の例の場合、操作員により、操作制御コントローラ601で作成されたプロセスレシピは、実行指示されるとプロセスレシピをプロセス制御コントローラ602に転送する。プロセス制御コントローラ602は、プロセスレシピの記述に従い、設定時間ごとに温度、圧力、ガス流量、バルブの開閉等をそれぞれのコントローラに対して出力(0−5V、1/0値など)を指示する。その中で、バルブ開閉についてはバルブ制御コントローラ603にバルブ設定パターンデータ(バルブ毎のOpen/Close)を送信する。バルブ制御コントローラ603では、この時、保持している現在のバルブ開閉状態と指示されたバルブパターンを照合し、インターロックの開閉パターンとなるか否かをチェックし、OKならば、Digital I/O 604を介してバルブ開閉信号を出力する。NG(バルブインターロック)ならば、Digital I/O 604に対して出力を行わない。
インターロック開閉パターンは予めバルブ制御コントローラ603にソフトウエアプログラムとして論理が組み込まれている。または、ソフトウエアプログラムではなく、ハードワイヤード論値として組み込まれている場合もある。
尚、本例では、バルブ制御コントローラ603でバルブインターロックチェックを実施しているが、PMCなどの上位コントローラで実施してもよい。
An operator creates a process recipe from the operation control controller 601.
In the case of the example in FIG. 6, the process recipe created by the operation control controller 601 by the operator is transferred to the process control controller 602 when instructed to execute. In accordance with the description of the process recipe, the process control controller 602 instructs the respective controllers to output (0-5V, 1/0 value, etc.), such as temperature, pressure, gas flow rate, valve opening / closing, etc. for each set time. Among these, for valve opening / closing, valve setting pattern data (Open / Close for each valve) is transmitted to the valve controller 603. At this time, the valve controller 603 collates the current valve opening / closing state being held with the instructed valve pattern to check whether or not the interlock opening / closing pattern is obtained, and if OK, the digital I / O A valve opening / closing signal is output via 604. If it is NG (valve interlock), the digital I / O 604 is not output.
The interlock opening / closing pattern is preliminarily incorporated with a logic as a software program in the valve controller 603. Or it may be incorporated as a hard-wired theory value instead of a software program.
In this example, the valve interlock check is performed by the valve controller 603, but may be performed by a host controller such as PMC.

図7により、バルブチェックの例を説明する。
バルブインターロックは装置のガス配管が異なれば当然チェック内容が異なる。本実施形態では、バルブ制御コントローラ603に組込まれているインターロックのチェック論値データが上位コントローラにアップロードできない場合、つまりレシピ編集を実施できる上位コントローラでバルブインターロックチェックを実施出来ない場合を想定したチェックフローとなる。
An example of the valve check will be described with reference to FIG.
The check contents of the valve interlock are naturally different if the gas piping of the device is different. In the present embodiment, it is assumed that the interlock check value data incorporated in the valve controller 603 cannot be uploaded to the host controller, that is, the valve interlock check cannot be performed by the host controller that can perform recipe editing. Check flow.

バルブチェックパターンは納入顧客用に仕様書として作成され提出されるのが一般的であるため、本例では、この仕様書を活用し、操作制御コントローラ601でレシピと照合可能なパラメータに変換する(S701)。
S701で作成したパラメータを装置の操作制御コントローラ601にインストールする(S702)。インストール方法については、様々な方法があるが、最終的に操作制御コントローラ601内の記憶媒体(記憶部32)の所定領域に保持されればよい。
操作員が装置・操作部で作成したプロセスレシピを実行する前に、操作制御コントローラ601内の操作制御表示部33に表示された「Valve Check」ボタン605を押下し、操作制御コントローラ601内に格納されたプログラムにてプロセスレシピをチェック(照合)する(S703)。チェック(S704)の結果、OK(Yes)であれば、プロセスレシピ実行可(S705)とし、Noであれば、実行不可(S706)とする。
Since the valve check pattern is generally created and submitted as a specification for a customer, in this example, this specification is used and converted into a parameter that can be verified with a recipe by the operation controller 601 ( S701).
The parameter created in S701 is installed in the operation control controller 601 of the apparatus (S702). There are various installation methods. However, the installation method may be finally held in a predetermined area of the storage medium (storage unit 32) in the operation control controller 601.
Before the operator executes the process recipe created by the apparatus / operation unit, the operator presses the “Valve Check” button 605 displayed on the operation control display unit 33 in the operation control controller 601 and stores it in the operation control controller 601. The process recipe is checked (verified) with the program thus executed (S703). If the result of the check (S704) is OK (Yes), the process recipe can be executed (S705), and if it is No, the execution is not possible (S706).

図8及び図9(a)(b)(c)により、バルブチェックプログラムのフローを説明する。
操作制御コントローラ601内の操作表示部33に表示されたValve checkボタン605の押下により、バルブチェックを開始(S101)する。StepNのN=0とし、保存領域をクリアとする(S102)。StepNのNを+1として、Step1とする(S103)。Valve(バルブ)No.XのXを0とする(S104)。Step1のValve設定をプロセスレシピバルブ設定テーブル(図9(a))より読み出す(S105)。Valve No.0に+1する(S106)。Valve No.1のパラメータ条件(バルブインターロックパラメータ(図9(c))は、バルブ状態保存領域(図9(b))の状態(開閉)と同じかチェックする(S107)。Yesであれば、Valve Noが最大値かチェックして、Valve Noが最大値になるまで繰り返す(S108)。Valve Noが最大値となったら、Step Noが最大値になるまでS103以降を繰り返す(S109)。Step Noが最大値となったら、OK処理(S110)として、バルブチェックを完了する。
S107において、Valve No.Xのパラメータ条件(バルブインターロックパラメータ)は、バルブ状態保存領域の状態(開閉)と異なるのであれば、NG処理(S111)として、ここで、対象となるレシピは実行できないものとして、バルブチェックを完了とする。
The flow of the valve check program will be described with reference to FIGS. 8 and 9A, 9B, and 9C.
The valve check is started by pressing the Valve check button 605 displayed on the operation display unit 33 in the operation controller 601 (S101). Step N is set to N = 0, and the storage area is cleared (S102). N of StepN is set to +1 and is set to Step1 (S103). Valve (valve) No. X of X is set to 0 (S104). The Valve setting of Step 1 is read from the process recipe valve setting table (FIG. 9A) (S105). Valve No. +1 is added to 0 (S106). Valve No. It is checked whether the parameter condition 1 (valve interlock parameter (FIG. 9C) is the same as the state (opening / closing) of the valve state storage region (FIG. 9B) (S107). Is repeated until the Valve No reaches the maximum value (S108), and when the Valve No reaches the maximum value, Steps S103 and after are repeated until the Step No reaches the maximum value (S109). If the value is reached, the valve check is completed as OK processing (S110).
In S107, Valve No. If the parameter condition of X (valve interlock parameter) is different from the state (open / close) of the valve state storage area, the NG process (S111) is performed. Completed.

バルブチェックのチェック結果を操作制御コントローラ601に設けられた表示部33に出力する。NGの場合、操作員が修正し易いようにNGとなった該当Step、該当バルブ番号等を表示する。操作員は修正したのち、再度バルブチェックを実施することになる。
尚、プロセスレシピにはバルブインターロックチェックOK/NGを記憶する領域を設け、OKとなっていないプロセスレシピは実行を拒否することができる。顧客(のホストコンピュータ)からプロセスレシピがダウンロードされてくる場合があるが、その際にも本チェックを実施し、OK/NG結果を顧客(のホストコンピュータ)に返信した後、OK/NGの情報をレシピの記憶領域に書込み操作制御コントローラ601内の記憶部32に保存する。これにより、顧客がバルブ設定がOKとなるように修正し装置にダウンロードしてこなかった場合にも設定誤りのレシピが実行されることはない。
The check result of the valve check is output to the display unit 33 provided in the operation control controller 601. In the case of NG, the corresponding Step, the corresponding valve number, and the like that are NG are displayed so that the operator can easily correct. After the operator corrects, the valve check will be performed again.
The process recipe is provided with an area for storing the valve interlock check OK / NG, and the process recipe that is not OK can be rejected. The process recipe may be downloaded from the customer (host computer), but this check is also performed at that time, and after OK / NG results are returned to the customer (host computer), the OK / NG information is returned. Is stored in the storage unit 32 in the write operation control controller 601 in the storage area of the recipe. Thereby, even when the customer corrects the valve setting to be OK and does not download it to the apparatus, a recipe with a setting error is not executed.

前記操作表示部33よりStep1を開始する指令が入力されると、バルブ設定が呼込まれると共に前記記憶部32から基板処理に対応するプロセスレシピバルブ設定テーブルが呼込まれ、又バルブの使用禁止状態を判定するバルブチェックプログラムが展開される。Step1に設定されたバルブの設定条件に基づき設定要求が為され、前記バルブチェックプログラムにより設定要求と前記プロセスレシピバルブ設定テーブルの設定状態とが比較される。   When a command to start Step 1 is input from the operation display unit 33, the valve setting is called, and the process recipe valve setting table corresponding to the substrate processing is called from the storage unit 32, and the valve is prohibited from being used. A valve check program for determining A setting request is made based on the setting condition of the valve set in Step 1, and the setting request is compared with the setting state of the process recipe valve setting table by the valve check program.

Step1におけるバルブ設定内容と前記プロセスレシピバルブ設定テーブルの設定内容との整合がとれていない場合は、NGとしてアラームが発せられる。該プロセスレシピバルブ設定テーブルの設定内容と整合していない場合として、例えばStep1を実行するのにStep2用のバルブ設定がされた場合等である。アラームは、前記操作表示部33にStep1のバルブ設定が誤りである旨のメッセージが表示される、警告灯が点滅される、ブザーが鳴らされる等である。
更に実行時にマニュアル操作等で誤ったバルブを開閉した場合も前記プロセスレシピバルブ設定テーブルの設定内容と整合していないとしてアラームが発生される。
If the valve setting contents in Step 1 and the setting contents of the process recipe valve setting table are not consistent, an alarm is issued as NG. As a case where the setting contents of the process recipe valve setting table are not consistent with each other, for example, when Step 1 is executed, the valve for Step 2 is set. The alarm is such that a message indicating that the valve setting of Step 1 is incorrect is displayed on the operation display unit 33, a warning light is flashed, a buzzer is sounded, or the like.
Further, when an incorrect valve is opened and closed by manual operation or the like at the time of execution, an alarm is generated because it is not consistent with the setting contents of the process recipe valve setting table.

又、アラームが発せられると同時に基板処理の指令がキャンセルされる。このことで、作業者は、基板処理を実行する場合の設定に誤りがあったことを知ることができ、更に基板処理がキャンセルされることで、不良処理の発生等が防止できる。   In addition, the substrate processing command is canceled at the same time that an alarm is issued. As a result, the operator can know that there is an error in the setting for executing the substrate processing, and the substrate processing is canceled, so that the occurrence of defective processing can be prevented.

又、Step1におけるバルブ設定内容と前記プロセスレシピバルブ設定テーブルの設定内容とが整合している場合は、使用禁止バルブの設定が行われ、更に前記記憶部32からシーケンスプログラム等基板処理を実行する為の基板処理プログラムが展開される。   Further, when the valve setting contents in Step 1 and the setting contents of the process recipe valve setting table are consistent, the use prohibition valve is set, and further, the substrate processing such as a sequence program is executed from the storage unit 32. The substrate processing program is developed.

尚、実行される基板処理でのバルブの使用、使用禁止は、設定入力されたStepのバルブの設定状態を前記バルブチェックプログラムが前記プロセスレシピバルブ設定テーブルによりチェックしているので、バルブの使用禁止は確実である。   Note that the use and prohibition of the valve in the substrate processing to be executed is prohibited because the valve check program checks the setting state of the valve of the step that has been input by the process recipe valve setting table. Is certain.

又、Step1〜N以外の、更に異なるStepを行う場合は、処理に対応するプロセスレシピバルブ設定テーブルを作成して追加すればよく、基板処理ソフトの変更、或はハードの設定変更等を必要としない。従って、汎用性に富んでおり、1つの基板処理装置で複数の処理や膜種に対応できる。   If a different step other than Steps 1 to N is to be performed, a process recipe valve setting table corresponding to the process may be created and added, and it is necessary to change the substrate processing software or hardware settings. do not do. Therefore, it is rich in versatility, and can handle a plurality of processes and film types with one substrate processing apparatus.

本発明の実施形態の説明において、前記群管理装置30は、操作表示部33、キーボード(図示せず)等を具備し、レシピの作成、設定入力、或は予め作成されたレシピの入力を行う。尚、前記操作表示部33をタッチパネルとし、キーボードは省略されてもよい。   In the description of the embodiment of the present invention, the group management device 30 includes an operation display unit 33, a keyboard (not shown), and the like, and creates a recipe, inputs a setting, or inputs a previously created recipe. . The operation display unit 33 may be a touch panel, and the keyboard may be omitted.

前記記憶部32はプログラム格納部、データ格納部を具備し、前記プログラム格納部にはプロセスを実行する為のプロセスプログラム、プロセスに対応するレシピを実行する為のレシピプログラム、バルブの使用禁止状態を判定する判定プログラム、シーケンスを実行する為のシーケンスプログラム等、基板処理をする為に必要な基板処理プログラムが格納され、前記データ格納部にはレシピ、使用禁止状態を設定した使用禁止バルブ設定テーブル、処理中の前記処理炉202の温度、圧力、ガス流量等のデータが記録される。   The storage unit 32 includes a program storage unit and a data storage unit. The program storage unit includes a process program for executing a process, a recipe program for executing a recipe corresponding to the process, and a valve use prohibition state. A determination processing program, a sequence program for executing a sequence, and the like, a substrate processing program necessary for substrate processing are stored, and the data storage unit includes a recipe, a use prohibition valve setting table in which a use prohibition state is set, Data such as the temperature, pressure, and gas flow rate of the processing furnace 202 during processing is recorded.

主制御部11は、外部記憶装置(例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、CDやDVD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリやメモリカード等の半導体メモリ)35に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。主記憶部12や外部記憶装置35は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、主記憶部12単体のみを含む場合、外部記憶装置35単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置35を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。 The main control unit 11 is connected to an external storage device 35 (for example, a magnetic tape, a magnetic disk such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD or DVD, a magneto-optical disk such as an MO, or a semiconductor memory such as a USB memory or a memory card). The stored program can be configured by installing it in a computer. The main storage unit 12 and the external storage device 35 are configured as computer-readable recording media. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium. When the term “recording medium” is used in this specification, it may include only the main storage unit 12 alone, may include only the external storage device 35 alone, or may include both. The program may be provided to the computer by using communication means such as the Internet or a dedicated line without using the external storage device 35.

尚、本発明は半導体装置の基板処理装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。成膜処理は、例えば、CVD、PVD、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。また、他の基板処理装置(露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置等)にも適用できることは言う迄もない。   The present invention can be applied not only to a substrate processing apparatus for a semiconductor device but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device. The film formation process includes, for example, a process for forming CVD, PVD, an oxide film, a nitride film, a process for forming a film containing metal, and the like. Needless to say, the present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses (exposure apparatus, lithography apparatus, coating apparatus, etc.).

(付記)
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.

(付記1)
本発明の一態様によれば、
予め決められたバルブインターロックチェックの内容(バルブチェックパターン)を示すパラメータと、基板を処理するためのレシピを作成時に設定された各バルブの設定内容を示すパラメータとを記憶する記憶部と、各パラメータの内容を操作画面に表示可能な表示部と、を有する操作部を備え、
前記操作部は、前記各パラメータの内容を照合させるためのボタンを前記操作画面に表示可能に構成されている基板処理装置が提供される。
(Appendix 1)
According to one aspect of the invention,
A storage unit for storing a parameter indicating a predetermined valve interlock check content (valve check pattern) and a parameter indicating a setting content of each valve set when a recipe for processing a substrate is created; A display unit capable of displaying the contents of the parameter on the operation screen,
The operation unit is provided with a substrate processing apparatus configured to be able to display a button for collating the contents of the parameters on the operation screen.

(付記2)
本発明の他の態様によれば、
基板を処理するためのレシピを作成する工程と、前記レシピを実行する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記レシピを作成する工程は、前記レシピを構成するステップ毎に所定のパラメータを設定する工程と、予め決められたバルブインターロックチェックの内容(バルブチェックパターン)を示すパラメータと、前記所定のパラメータ設定時に設定された各バルブの設定内容を示すパラメータとを照合する工程と、
各パラメータの照合した結果、整合が取れない部分を操作画面に明示する工程と、
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
(Appendix 2)
According to another aspect of the invention,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of creating a recipe for processing a substrate; and a step of executing the recipe,
The step of creating the recipe includes a step of setting a predetermined parameter for each step constituting the recipe, a parameter indicating a predetermined valve interlock check content (valve check pattern), and the predetermined parameter setting. A step of collating the parameters indicating the setting contents of each valve set at the time;
As a result of collating each parameter, the process of clearly showing the inconsistent part on the operation screen,
A method for manufacturing a semiconductor device is provided.

(付記3)
付記1に記載の基板処理装置であって、前記操作部は、前記各パラメータを照合した結果、前記パラメータの誤設定の部分を操作画面に明示させる基板処理装置が提供される。
(Appendix 3)
The substrate processing apparatus according to appendix 1, wherein the operation unit provides a substrate processing apparatus in which an erroneous setting portion of the parameter is clearly indicated on an operation screen as a result of collating each parameter.

(付記4)
付記1に記載の基板処理装置であって、前記操作部は、前記各パラメータを照合した結果、NG判定であれば、前記レシピは実行できないように構成されている基板処理装置が提供される。
(Appendix 4)
The substrate processing apparatus according to appendix 1, wherein the operation unit is configured such that the recipe cannot be executed if it is determined as NG as a result of comparing the parameters.

(付記5)
付記4に記載の基板処理装置であって、前記操作部は、前記NG判定の場合、前記パラメータの誤設定に該当するステップ若しくはバルブ番号を前記操作画面に表示する基板処理装置が提供される。
(Appendix 5)
The substrate processing apparatus according to appendix 4, wherein, in the case of the NG determination, the operation unit displays a step or valve number corresponding to an erroneous setting of the parameter on the operation screen.

(付記6)
付記4に記載の基板処理装置であって、前記操作部は、前記NG判定の場合、前記照合するためのボタンを押下できないように構成されている基板処理装置が提供される。
(Appendix 6)
The substrate processing apparatus according to appendix 4, wherein the operation unit is configured not to be able to press a button for collation in the case of the NG determination.

(付記7)
付記6に記載の基板処理装置であって、前記操作部は、前記NG判定の場合、NG判定の要因が解消されると、前記照合するためのボタンを押下可能に構成されている基板処理装置が提供される。
(Appendix 7)
The substrate processing apparatus according to appendix 6, wherein in the case of the NG determination, the operation unit is configured to be able to press the button for collation when a factor of the NG determination is eliminated. Is provided.

(付記8)
本発明の更に別の実施形態によれば、
予め決められたバルブインターロックチェックの内容(バルブチェックパターン)を示すパラメータと、基板を処理するためのレシピを作成時に設定された各バルブの設定内容を示すパラメータとを記憶する手順と、
各パラメータの内容を操作画面に表示する手順と、
前記各パラメータの内容を照合させるためのボタンを前記操作画面に表示する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム及び該プログラムを読取可能な記録媒体が提供される。
(Appendix 8)
According to yet another embodiment of the invention,
A procedure for storing a parameter indicating a predetermined valve interlock check content (valve check pattern) and a parameter indicating a setting content of each valve set when a recipe for processing a substrate is created;
The procedure for displaying the contents of each parameter on the operation screen;
A procedure for displaying a button for collating the contents of each parameter on the operation screen;
And a recording medium that can read the program.

(付記9)
付記2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記レシピを作成する工程は、前記パラメータの誤設定部分を修正する工程と、再度前記各パラメータを照合させる工程を更に有する。
(Appendix 9)
The method for manufacturing a semiconductor device according to attachment 2, wherein the step of creating the recipe further includes a step of correcting an erroneous setting part of the parameter and a step of collating the parameters again.

(付記10)
付記2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記レシピを作成する工程は、前記パラメータの誤設定部分を修正する工程と、再度前記各パラメータを照合させる工程を少なくとも繰り返す。
(Appendix 10)
The method of manufacturing a semiconductor device according to attachment 2, wherein the step of creating the recipe at least repeats a step of correcting an erroneous setting portion of the parameter and a step of collating the parameters again.

(付記11)
本発明の更に別の実施形態によれば、
予め決められたバルブインターロックチェックの内容を示すパラメータと、基板を処理するためのレシピを作成時に設定された所定のパラメータのうち、各バルブの設定内容を示すパラメータとを照合させるボタンを操作画面に備えた操作部と、前記パラメータ間の誤設定部分を前記操作画面に明示させる制御部と、を有する端末装置が提供される。
(Appendix 11)
According to yet another embodiment of the invention,
An operation screen for a button for comparing a parameter indicating a predetermined valve interlock check content with a parameter indicating a setting content of each valve among predetermined parameters set when a recipe for processing a substrate is created. There is provided a terminal device comprising: an operation unit provided in the control unit; and a control unit that causes an erroneous setting portion between the parameters to be clearly indicated on the operation screen.

(付記12)
付記11に記載の端末装置であって、前記操作部は、前記パラメータ間の誤設定部分を前記操作画面に色分け表示し、前記制御部は、前記パラメータ間の照合を停止させる。
(Appendix 12)
The terminal device according to attachment 11, wherein the operation unit displays an erroneous setting portion between the parameters by color on the operation screen, and the control unit stops collation between the parameters.

(付記13)
付記11に記載の端末装置であって、前記制御部は、前記各パラメータの照合結果に応じて、前記レシピの転送が可能に構成されている。
(Appendix 13)
The terminal device according to attachment 11, wherein the control unit is configured to be able to transfer the recipe according to a result of collating each parameter.

(付記14)
付記11に記載の端末装置であって、更に、基板を処理する基板処理装置と、を備え、
前記制御部は、前記操作画面上で前記バルブ開閉の設定を修正されて作成された前記レシピを前記基板処理装置に転送するように構成されている。
(Appendix 14)
The terminal device according to appendix 11, further comprising a substrate processing apparatus for processing a substrate,
The control unit is configured to transfer the recipe created by correcting the valve opening / closing setting on the operation screen to the substrate processing apparatus.

(付記15)
本発明の更に別の実施形態によれば、
予め決められたバルブインターロックチェックの内容を示すパラメータと、基板を処理するためのレシピを作成時に設定された所定のパラメータのうち、各バルブの設定内容を示すパラメータとを照合させるボタンを操作画面に備えた操作部と、前記パラメータ間の誤設定部分を前記操作画面に明示させる制御部と、を有する端末装置と、基板を処理する基板処理装置と、を備えた基板処理システムであって、
前記制御部は、前記操作画面上で前記バルブ開閉の設定を修正されて作成された前記レシピを前記基板処理装置にダウンロードするように構成されている基板処理システムが提供される。
(Appendix 15)
According to yet another embodiment of the invention,
An operation screen for a button for comparing a parameter indicating a predetermined valve interlock check content with a parameter indicating a setting content of each valve among predetermined parameters set when a recipe for processing a substrate is created. A substrate processing system comprising: a terminal device having an operation unit provided in the control unit; a terminal device having a control unit that clearly indicates an erroneous setting portion between the parameters on the operation screen; and a substrate processing apparatus that processes a substrate,
There is provided a substrate processing system in which the control unit is configured to download the recipe created by correcting the valve opening / closing setting on the operation screen to the substrate processing apparatus.

11 主制御部
30 群管理装置
32 記憶部
33 操作表示部
60 ネットワーク
100 基板処理装
601 操作制御コントローラ
602 プロセス制御コントローラ
603 バルブ制御コントローラ
604 Digital I/O
604 Valve Checkボタン

11 Main Control Unit 30 Group Management Device 32 Storage Unit 33 Operation Display Unit 60 Network 100 Substrate Processing Unit 601 Operation Control Controller 602 Process Control Controller 603 Valve Control Controller 604 Digital I / O
604 Valve Check button

Claims (2)

予め決められたバルブインターロックチェックの内容を示すパラメータと、基板を処理するためのレシピを作成時に設定された各バルブの設定内容を示すパラメータとを記憶する記憶部と、各パラメータの内容を操作画面に表示可能な表示部と、を有する操作部を備え、
前記操作部は、前記各パラメータの内容を照合させるためのボタンを前記操作画面に表示可能に構成されている基板処理装置。
A storage unit that stores parameters indicating the details of the valve interlock check determined in advance and parameters indicating the settings of each valve set when the recipe for processing the substrate is created, and operates the contents of each parameter An operation unit having a display unit that can be displayed on a screen;
The substrate processing apparatus, wherein the operation unit is configured to display a button for collating the contents of the parameters on the operation screen.
基板を処理するためのレシピを作成する工程と、前記レシピを実行する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記レシピを作成する工程は、前記レシピを構成するステップ毎に所定のパラメータを設定する工程と、予め決められたバルブインターロックチェックの内容を示すパラメータと、前記所定のパラメータ設定時に設定された各バルブの設定内容を示すパラメータとを照合する工程と、
各パラメータの照合した結果、整合が取れない部分を操作画面に明示する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。

A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of creating a recipe for processing a substrate; and a step of executing the recipe,
The step of creating the recipe includes a step of setting a predetermined parameter for each step constituting the recipe, a parameter indicating the content of a predetermined valve interlock check, and each of the parameters set when the predetermined parameter is set A step of checking a parameter indicating the setting content of the valve;
As a result of collating each parameter, the process of clearly showing the inconsistent part on the operation screen,
A method of manufacturing a semiconductor device including:

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