JP2016539397A - 保守可能な不揮発性メモリモジュールを有効化するサーバプラットフォームアーキテクチャのための方法および装置 - Google Patents

Abstract

コンピュータシステム内のメモリコンポーネントの保守を容易化できるサーバアーキテクチャを実装する、複数のシステムおよび方法である。当該複数のシステムおよび方法は、システムメモリおよび大量ストレージ、並びにファームウェアメモリのために使用され得る複数の不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を含む不揮発性メモリ／ストレージモジュールを採用する。それぞれのＮＶＭ／ストレージモジュールは、コンピュータシステムの前面または背面装填ベイに収容され得る。当該複数のシステムおよび方法はさらに、シングル、デュアル、またはクアッドソケットプロセッサを採用し得、そこでは各プロセッサは、１または複数のメモリおよび／または入／出力（Ｉ／Ｏ）チャネルによって、前面または背面装填ベイに配置された、複数のＮＶＭ／ストレージモジュールのうちの少なくともいくつかに通信可能に連結される。コンピュータシステムの前面または背面装填ベイに収容され得るＮＶＭ／ストレージモジュールを採用することによって、当該複数のシステムおよび方法は、従来のサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステムでこれまで実現不可能であったメモリコンポーネントの保守性を提供する。

Description

本明細書に記載の複数の実施形態は概して、サーバアーキテクチャに関し、より具体的には不揮発性メモリコンポーネントの保守を容易化するよう構成されたサーバアーキテクチャを実装するシステムおよび方法に関する。

従来のサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステムは通常、筐体、筐体に搭載されたマザーボード、および筐体に搭載された１または複数の前面装填ベイを含む。マザーボードは、１または複数のプロセッサをそれぞれ収容するための、そこに連結された１または複数のプロセッサソケット、並びに１または複数のメザニン若しくはライザボードをそれぞれ収容するための、１または複数のドーターボードコネクタを有し得る。そのようなコンピュータシステムにおいて、前面装填ベイは通常、磁気媒体（例えば、ハードディスクドライブ）、光媒体（例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）ドライブ）等を含み得る大容量ストレージデバイスを収容するよう構成されている。そのような大容量ストレージデバイスは、業界標準のフォームファクタに準拠してよく、また「ホットスワップ可能」に構成されてよく、これは、当該大容量ストレージデバイスはコンピュータシステムをパワーダウンすることなく、それぞれの前面装填ベイから除去され、およびそこへ設置され得ることを意味する。メザニンまたはライザボードは通常、１または複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）のような１または複数のメモリモジュールを含むよう構成されており、それらの複数の部分は、システムメモリ並びにキャッシュメモリとして割り当てられてよい。

従来のサーバアーキテクチャを実装するそのようなコンピュータシステムにおいては、１または複数の故障したＤＩＭＭまたは他のメモリコンポーネントのようなメザニン若しくはライザボード上の１または複数の故障したコンポーネントを保守するためには、コンピュータシステムをパワーダウンし、筐体を開いて、故障したメモリコンポーネントにアクセスし、および／または置換することが一般に必要である。しかしながら、コンピュータシステム内のメモリコンポーネントのそのような保守は、たとえまれであったとしても、時間がかかり、複雑で高価であることが実証可能である。

本明細書に組み込まれ、その一部を構成する添付図面は、本明細書に記載の１または複数の実施形態を示し、詳細な説明と共にこれらの実施形態について説明する。

従来のサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステムの上部平面図である。 本願に従う、例示的なサーバアーキテクチャを実装する例示的なコンピュータシステムの上部平面図である。 業界標準のフォームファクタに準拠する例示的な不揮発性メモリ／ストレージモジュールの斜視図であり、１または複数のそのような不揮発性メモリ／ストレージモジュールが図２のコンピュータシステム内に含まれている。 図３ａの不揮発性メモリ／ストレージモジュール内に含まれる例示的な複数のメモリコンポーネントのブロック図である。 図２のコンピュータシステムの第１の代替的な実施形態の上部平面図である。 図２のコンピュータシステムの第２の代替的な実施形態の上部平面図である。 図５ａの第２の代替的な実施形態に含まれる例示的なメモリモジュールの平面図である。 図２のコンピュータシステム内のメモリを保守する例示的な方法を示すフロー図である。 図２のコンピュータシステムに含まれる複数の機能コンポーネントのブロック図である。

コンピュータシステム内のメモリコンポーネントの保守およびデュアルポーティングを容易化し得る、サーバアーキテクチャを実装するシステムおよび方法が開示されている。当該開示された複数のシステムおよび方法は、業界標準のフォームファクタに準拠し得る不揮発性メモリ／ストレージモジュールを採用し、永続メモリ、システムメモリ、および大容量ストレージ、並びにファームウェアメモリに使用され得る不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を含む。複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールはそれぞれ、コンピュータシステムの前面および／または背面装填ベイに収容されるよう構成され、さらにコンピュータシステムをパワーダウンすることなく、当該不揮発性メモリ／ストレージモジュールが複数の前面／背面装填ベイからそれぞれ除去およびそこへ設置され得るように、「ホットスワップ可能」であるよう構成される。当該開示された複数のシステムおよび方法はさらに、シングル、デュアル、またはクアッドソケットプロセッサを採用し得、そこでは各プロセッサは、１または複数のメモリおよび／または入／出力（Ｉ／Ｏ）チャネルによって、前面および／または背面装填ベイに配置された、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの少なくともいくつかに通信可能に連結される。コンピュータシステムの前面および／または背面装填ベイに収容され得るホットスワップ可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールを採用することによって、当該開示された複数のシステムおよび方法は、従来のサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステムでこれまで実現不可能であったメモリコンポーネントの保守性を提供し得る。

さらに、不揮発性メモリ／ストレージモジュールを含むメモリサブシステムは、永続性の特性を有するので、そのような不揮発性メモリ／ストレージモジュールの保守は、それらのＮＶＭモジュール上に格納されたデータを取得する潜在的必要性によって、より重要になる。対照的に、揮発性メモリモジュールの保守は、そのような揮発性メモリモジュール上に格納されたデータは、それらのモジュールが故障した場合、事実上失われるので、一般に重要性がより低くなっている。このため、揮発性メモリモジュールを含むメモリサブシステム（例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのメザニン若しくはライザボード）は従来、非常に少ない保守または非常に多い保守のいずれかを受けており、それはコンピュータシステムをパワーダウンすること、および故障した揮発性メモリモジュールにアクセスすべく、筐体を開くことを伴い得る。データを永続的に格納可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールを保守する重要性は、ホットスワッピングおよびデュアルポーティング機能を提供するもののような、容易に保守可能なサーバアーキテクチャおよびトポロジに対するニーズを増加させている。

図１は、従来のサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステム１００を示す。図１に図示の通り、コンピュータシステム１００は、筐体１０２、筐体１０２に搭載されたマザーボード１０４、および筐体１０２に搭載された複数の前面装填ベイ１１０．１、１１０．２、１１０．３、１１０．４を含む。マザーボード１０４は、複数の中央処理装置（ＣＰＵ）（本明細書で「プロセッサ」とも呼ばれる）１０６．１、１０６．２をそれぞれ収容するための、マザーボード１０４に連結された複数のプロセッサソケット、および複数のメザニンボード、ライザボード、または任意の他の好適なプリント回路基板（ＰＣＢ）のような、補助ボードの複数の群１０８．１、１０８．２、１０８．３をそれぞれ収容するためのドーターボードソケットの複数の群を有する。マザーボード１０４はマザーボードに連結された複数の入／出力（Ｉ／Ｏ）およびレガシコンポーネント１１２をさらに有し、コンピュータシステム１００は筐体１０２に搭載された電源供給ユニット（ＰＳＵ）１１４をさらに含む。

前面装填ベイ１１０．１、１１０．２、１１０．３、１１０．４の各々は、前面装填ベイ１１０．１に収容された大容量ストレージデバイス１１１のような、複数の大容量ストレージデバイスを収容するよう構成されている。前面装填ベイ１１０．１、１１０．２、１１０．３、１１０．４にそれぞれ収容された当該複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス１１１）は、磁気媒体（例えば、ハードディスクドライブ）、光媒体（例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）ドライブ）等を含み得る。さらに、当該複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス１１１）は、業界標準のフォームファクタに準拠してよく、また「ホットスワップ可能」に構成されてよく、これは当該複数の大容量ストレージデバイスが、コンピュータシステム１１０をパワーダウンすることなく、それぞれ前面装填ベイ１１０．１〜１１０．４から除去およびそこへ設置され得ることを意味する。

当該補助ボードの群１０８．１、１０８．２、１０８．３はそれぞれ、補助ボードの群１０８．１に含まれるメモリモジュール１０９のような複数のメモリモジュールを含むよう構成される。当該複数のメモリモジュール（例えば、メモリモジュール１０９）はそれぞれ、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのダブルデータレート（ＤＤＲ）ＤＩＭＭのような、１または複数のデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）を含み得、それらの複数の部分は、システムメモリおよびキャッシュメモリとして割り当てられてよい。当該複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュール（例えば、メモリモジュール１０９）は、ＤＤＲメモリチャネル１１６．１、１１６．２、１１６．３、１１６．４のような複数のメモリまたはＩ／Ｏチャネルによって、プロセッサ１０６．１、１０６．２にそれぞれ通信可能に連結される。

具体的には、補助ボードの群１０８．１に含まれる複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネル１１６．１によりプロセッサ１０６．１に通信可能に連結され、補助ボードの群１０８．２に含まれる複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネル１１６．２によりプロセッサ１０６．１に通信可能に連結される。さらに、補助ボードの群１０８．２に含まれる複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネル１１６．３によりプロセッサ１０６．２に通信可能に連結され、補助ボードの群１０８．３に含まれる複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネル１１６．４によりプロセッサ１０６．２に通信可能に連結される。従来のサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステム１００（図１を参照）においては、コンピュータシステム１００をパワーダウンし、筐体１０２を開き、補助ボードの複数の群１０８．１、１０８．２、１０８．３に含まれる複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールのような複数の故障したメモリコンポーネントにアクセスし、および／または置換することが一般に必要である。コンピュータシステム１００内の複数のメモリコンポーネントのそのような保守は、たとえまれであっても、時間がかかり、複雑で高価であることが実証可能である。

図２は、本願に従う、例示的なサーバアーキテクチャを実装する例示的なコンピュータシステム２００の例示の実施形態を示す。図２に図示の通り、コンピュータシステム２００は、筐体２０２、筐体２０２に搭載されたマザーボード２０４、および筐体２０２に搭載された複数の前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４を含む。マザーボード２０４は、複数のＣＰＵ（複数のプロセッサ）２０６．１、２０６．２、２０６．３、２０６．４をそれぞれ収容するためのマザーボード２０４に連結された複数のプロセッサソケットを有する。マザーボード２０４は、マザーボードに連結された複数の入／出力（Ｉ／Ｏ）およびレガシコンポーネント２１２．１、２１２．２をさらに含み得る。例えば、当該複数の入出力およびレガシコンポーネント２１２．１、２１２．２は、複数のｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｄｒｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ＩＤＥ）コンポーネント、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）コンポーネント、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）コンポーネント、オーディオコンポーネント等を含み得る。コンピュータシステム２００は、筐体２０２に搭載された複数の電源供給ユニット（ＰＳＵ）２１４．１、２１４．２をさらに含み得る。

コンピュータシステム２００（図２を参照）において、前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４の各々は、前面装填ベイ２１０．１内に収容された不揮発性メモリ／ストレージモジュール２１１のような複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを収容するよう構成されている。前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４にそれぞれ収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール２１１）は、所望および／または要求により、永続メモリ、システムメモリ、および大容量ストレージ、並びにファームウェアメモリに使用され得る不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を含み得る。例えば、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールにそれぞれ含まれる不揮発性メモリは、メモリセルごとにシングルビットを使用するＮＡＮＤ若しくはＮＯＲフラッシュメモリ、セルごとに２ビットを持つＮＡＮＤフラッシュメモリのようなマルチレベルセル（ＭＬＣ）メモリ、ポリマーメモリ、相変化メモリ（ＰＣＭ）、ナノワイヤベースの電荷トラップメモリ、強誘電体トランジスタランダムアクセスメモリ（ＦｅＴＲＡＭ）、３次元クロスポイントメモリ、メモリ抵抗（メモリスタ）技術を使用する不揮発性メモリ、ｏｖｏｎｉｃ ｕｎｉｆｉｅｄ ｍｅｍｏｒｙ、カルコゲニドランダムアクセスメモリ（ＣＲＡＭ）、バイトアドレス指定可能な永続ランダムアクセスメモリ（ＢＰＲＡＭ）、磁気抵抗型ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、プログラマブルメタライゼーションセル（ＰＭＣ）メモリ、抵抗型ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ（登録商標））、強磁性体メモリ、スピントランスファートルクランダムアクセスメモリメモリ（ＳＰＲＡＭ）、スピントンネリングＲＡＭ（ＳＴＲＡＭ）、誘電体メモリ、または任意の他の好適なＮＶＭ技術に基づく任意の他の好適な不揮発性メモリを含み得る。

本開示の目的として、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール２１１）にそれぞれ含まれる不揮発性メモリ（ＮＶＭ）は、以下の複数の特性のうちの少なくともいくつかまたはそれより多くのものを有し得る。（１）ＮＶＭは、電力が除去された場合であっても、そのデータ内容を維持できる。 （２）ＮＶＭはランダムにアドレス指定可能である。 （３）ＮＶＭは、低レベルの粒度（例えば、バイトレベルの粒度）で、書き込み可能および消去可能である。（４）ＮＶＭは、システムメモリとして使用可能であり、システムメモリアドレス空間のすべてまたは一部を割り当て可能である。（５）ＮＶＭは、永続メモリ、大容量ストレージとして、および任意にはファームウェアメモリとして使用可能である。（６）ＮＶＭは、トランザクションプロトコル（すなわち、トランザクション識別子をサポートするプロトコル）を使用してバス経由で少なくとも１つのプロセッサに連結されることが可能であり、異なる複数のトランザクションを区別し、その結果、そのようなトランザクションはアウトオブオーダで完了され得、不揮発性メモリのシステムメモリとしての動作をサポートするのに十分小さなレベルの粒度でのアクセスを可能にする（例えば、６４または１２８バイトのキャッシュラインサイズを使用して）。例えば、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールはそれぞれ、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、または任意の他の好適な永続データストレージ媒体として構成され得る。さらに、それぞれの不揮発性メモリ／ストレージモジュールをプロセッサに連結するバスは、それを経由してトランザクションプロトコルが実行され得るダブルデータレート（ＤＤＲ）メモリバスであってよい。そのようなバスは、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（ＰＣＩｅ）バス、または好適なトランザクションペイロードサイズでトランザクションプロトコルを利用する任意の他の好適なバスであってよい。

前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４にそれぞれ収容された不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール２１１）は、複数のメモリチャネル（例えば、複数のＤＤＲメモリチャネル）および／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続によって、プロセッサ２０６．１、２０６．２、２０６．３、２０６．４にそれぞれ通信可能に連結される。具体的には、前面装填ベイ２１０．１に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネルおよび／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続２１６．１により、プロセッサ２０６．１に通信可能に連結され、前面装填ベイ２１０．２に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネルおよび／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続２１６．２により、プロセッサ２０６．２に通信可能に連結され、前面装填ベイ２１０．３に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネルおよび／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続２１６．３により、プロセッサ２０６．３に通信可能に連結され、および前面装填ベイ２１０．４に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネルおよび／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続２１６．４により、プロセッサ２０６．４に通信可能に連結される。

図３ａは、コンピュータシステム２００（図２を参照）のそれぞれの前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４のうちの選択された１つに収容され得る、例示的な不揮発性メモリ／ストレージモジュール３００を示す。例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール３００は、業界標準の２．５インチのフォームファクタ、または任意の他の好適なフォームファクタに準拠するよう構成されてよく、およびホットスワップ可能にさらに構成されてよく、それは不揮発性メモリ／ストレージモジュール３００が、コンピュータシステム２００をパワーダウンすることなく、選択された前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、または２１０．４から除去およびそこに設置され得ることを意味する。図３ａに図示の通り、不揮発性メモリ／ストレージモジュール３００は、ＮＶＭコントローラ３０２および不揮発性メモリ／ストレージサブシステム３０４を搭載し得る。

図３ｂは、不揮発性メモリ／ストレージモジュール３００に組み込まれたＮＶＭコントローラ３０２および不揮発性メモリ／ストレージサブシステム３０４を示す。図３ｂに図示の通り、不揮発性メモリ／ストレージサブシステム３０４は、複数のＮＶＭデバイス３０４.１、３０４．２、３０４．ｎを含むことができ、それらの各々は、ＮＶＭコントローラ３０２に通信可能に連結される。ＮＶＭコントローラ３０２は、それぞれのＮＶＭデバイス３０４．１〜３０４．ｎのうちの１または複数との間のデータ読み取り、またはデータ書き込みのために、プロセッサ（例えば、プロセッサ２０６．１、２０６．２、２０６．３、または２０６．４）によって発行されたデータ読み取り／書き込みリクエストを処理するよう動作可能である。本明細書に記載の通り、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールに含まれる不揮発性メモリ（例えば、ＮＶＭデバイス３０４．１、３０４．２、３０４．ｎに具現化されるような）は、所望および／または要求により、永続メモリ、システムメモリ、および大容量ストレージ、並びにファームウェアメモリに使用され得る。一実施形態において、不揮発性メモリ／ストレージサブシステム３０４内のＮＶＭデバイス３０４．１〜３０４．ｎは、ＮＶＭコントローラ３０２の制御下、システムメモリとしての使用と、大容量ストレージとしての使用との間で動的に共有され得、それによりコンピュータシステム２００内のメモリ／ストレージ階層を平坦化する。

図４は、図２のコンピュータシステムの代替的な実施形態である、コンピュータシステム４００を示す。図４に図示の通り、コンピュータシステム４００は、筐体４０２、筐体４０２に搭載されたマザーボード４０４、および筐体４０２に搭載された複数の前面装填ベイ４１０．１、４１０．２、４１０．３、４１０．４を含む。マザーボード４０４は、複数のＣＰＵ（複数のプロセッサ）４０６．１、４０６．２をそれぞれ収容するための、マザーボードに連結された複数のプロセッサソケット、および補助ボードの群４０８をそれぞれ収容するためのドーターボードソケットの群を有する。マザーボード４０４は、マザーボードに連結された入／出力（Ｉ／Ｏ）およびレガシコンポーネント４１２をさらに有し得、またコンピュータシステム４００は、筐体４０２に搭載された電源供給ユニット（ＰＳＵ）４１４をさらに含み得る。

複数の補助ボード４０８はそれぞれ、メモリモジュール４０９のような複数のメモリモジュールを含むよう構成される。コンピュータシステム１００（図１を参照）に関し本明細書に記載した通り、複数のメモリモジュール（例えば、メモリモジュール４０９）はそれぞれ、ＤＲＡＭベースのＤＤＲ ＤＩＭＭのような１または複数のＤＩＭＭを含み得る。複数の補助ボード４０８に連結された複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュール（例えば、メモリモジュール４０９）は、第１の複数のメモリまたは入／出力チャネル（例えば、複数のＤＤＲチャネル４１６．１）によって、プロセッサ４０６．１に通信可能に連結され、複数のＤＤＲチャネル４１６．２のような第２の複数のメモリまたは入／出力チャネルによって、プロセッサ４０６．２に通信可能に連結される。

コンピュータシステム４００（図４を参照）において、前面装填ベイ４１０．１、４１０．４の各々は、前面装填ベイ４１０．１内に収容された不揮発性メモリ／ストレージモジュール４１１のような複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを収容するよう構成されている。コンピュータシステム２００（図２を参照）に関し本明細書に記載した通り、それぞれの前面装填ベイ４１０．１、４１０．４に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール４１１）は、所望および／または要求により、永続メモリ、システムメモリ、および大容量ストレージ、並びにファームウェアメモリに使用され得る不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を含むことができ、そのようなＮＶＭは、任意の好適なＮＶＭ技術を使用して実装可能である。さらに、複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス４１１）は、業界標準のフォームファクタに準拠してよく、ホットスワップ可能に構成されてよい。

前面装填ベイ４１０．２、４１０．３の各々は、前面装填ベイ４１０．２に収容された大容量ストレージデバイス４１３のような、複数の大容量ストレージデバイスを収容するよう構成されている。前面装填ベイ４１０．２、４１０．３にそれぞれ収容された複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス４１３）は、磁気媒体（例えば、ハードディスクドライブ）、光媒体（例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）ドライブ）等を含み得る。さらに、複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス４１３）は、業界標準のフォームファクタに準拠してよく、ホットスワップ可能に構成されてよい。

前面装填ベイ４１０．１、４１０．４にそれぞれ収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール４１１）は、複数のメモリチャネル（例えば、複数のＤＤＲメモリチャネル）および／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続によって、プロセッサ４０６．１、４０６．２にそれぞれ通信可能に連結される。具体的に、前面装填ベイ４１０．１に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネルおよび／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続４１７．１によってプロセッサ４０６．１に通信可能に連結され、前面装填ベイ４１０．４に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のＤＤＲメモリチャネルおよび／またはＩ／Ｏ若しくはファブリック相互接続４１７．２によって、プロセッサ４０６．２に通信可能に連結される。複数の補助ボード４０８上の複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールを、前面装填ベイ４１０．１、４１０．４内に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールから物理的に分離することによって、永続データを保持する複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールの保守性は、向上される。

図５ａは、図２のコンピュータシステムのさらなる代替的な実施形態である、コンピュータシステム５００を示す。図５ａに図示の通り、コンピュータシステム５００は、筐体５０２、筐体５０２に搭載されたマザーボード５０４、および筐体５０２に搭載された複数の前面装填ベイ５１０．１、５１０．２、５１０．３、５１０．４を含む。マザーボード５０４は、複数のＣＰＵ（複数のプロセッサ）５０６．１、５０６．２をそれぞれ収容するための、マザーボードに連結された複数のプロセッサソケット、および補助ボードの複数の群５０８．１、５０８．２、５０８．３をそれぞれ収容するためのドーターボードソケットの複数の群を有する。マザーボード５０４は、マザーボードに連結された入／出力（Ｉ／Ｏ）およびレガシコンポーネント５１２をさらに有し得、コンピュータシステム５００は、筐体５０２に搭載された電源供給ユニット（ＰＳＵ）５１４をさらに含み得る。

補助ボードの複数の群５０８．１、５０８．２、５０８．３はそれぞれ、補助ボードの群５０８．１に含まれるメモリモジュール５０９のような複数のメモリモジュールを含むよう構成される。例えば、複数のメモリモジュール（例えば、メモリモジュール５０９）はそれぞれ、複数のＤＲＡＭベースのＤＤＲ ＤＩＭＭのような１または複数のＤＩＭＭを含んでよい。補助ボードの群５０８．１に連結された複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュール（例えば、メモリモジュール５０９）は、第１の複数のメモリまたは入／出力チャネル（例えば、複数のＤＤＲチャネル５１６．１）によって、プロセッサ５０６．１に通信可能に連結され、補助ボードの群５０８．２に連結された複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、第２の複数のメモリまたは入／出力チャネル（例えば、複数のＤＤＲチャネル５１６．２）によって、プロセッサ５０６．１に通信可能に連結される。さらに、補助ボードの群５０８．２に連結された複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、第３の複数のメモリまたは入／出力チャネル（例えば、複数のＤＤＲチャネル５１６．３）によって、プロセッサ５０６．２に通信可能に連結され、補助ボードの群５０８．３に連結された複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュールは、第４の複数のメモリまたは入／出力チャネル（複数のＤＤＲチャネル５１６．４）によって、プロセッサ５０６．２に通信可能に連結される。

コンピュータシステム５００（図５ａを参照）において、前面装填ベイ５１０．３は、不揮発性メモリ／ストレージモジュール５１１のような複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを収容するよう構成されている。例えば、前面装填ベイ５１０．３に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール５１１）は、所望および／または要求により、永続メモリ、システムメモリ、および大容量ストレージ、並びにファームウェアメモリに使用され得る不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を含むことができ、そのようなＮＶＭは、任意の好適なＮＶＭ技術を使用して実装可能である。さらに、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール５１１）は、業界標準のフォームファクタに準拠してよく、ホットスワップ可能に構成されてよい。

前面装填ベイ５１０．１、５１０．２、５１０．４の各々は、前面装填ベイ５１０．１に収容された大容量ストレージデバイス５１３のような、複数の大容量ストレージデバイスを収容するよう構成されている。前面装填ベイ５１０．１、５１０．２、５１０．４にそれぞれ収容された複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス５１３）は、磁気媒体（例えば、ハードディスクドライブ）、光媒体（例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）ドライブ）等を含み得る。さらに、複数の大容量ストレージデバイス（例えば、大容量ストレージデバイス５１３）は、業界標準のフォームファクタに準拠してよく、ホットスワップ可能に構成されてよい。

一実施形態において、前面装填ベイ５１０．３に収容された複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール５１１）は、補助ボードの群５０８．２に含まれるメモリモジュールの１または複数を介してプロセッサ５０６．１、５０６．２に通信可能に連結可能である。図５ｂは、例示的なメモリモジュール５５０を示し、それは、前面装填ベイ５１０．３内の不揮発性メモリ／ストレージモジュール５１１（または他の不揮発性メモリ／ストレージモジュール）をそれぞれのプロセッサ５０６．１、５０６．２に通信可能に連結するために、補助ボードの群５０８．２内の複数の補助ボードのうちの１つに位置され（またはそれぞれの補助ボードに接続された別のプリント回路基板（ＰＣＢ）上に位置され）てよい。図５ｂに図示の通り、メモリモジュール５５０は、複数のメモリコンポーネント５５２．１、５５２．２およびコントローラ５５４を含み得る。例えば、メモリコンポーネント５５２．１、５５２．２はそれぞれ、揮発性メモリ（例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、または任意の他の好適な揮発性メモリ）、または不揮発性メモリ（例えば、強誘電体ランダムアクセスメモリ（ＦＲＡＭ（登録商標））、または任意の他の好適な不揮発性メモリ）として構成されてよい。一実施形態において、メモリモジュール５５０は、ＤＲＡＭベースのＤＤＲ ＤＩＭＭとして構成されてよい。さらなる一実施形態において、それぞれのメモリコンポーネント５５２．１、５５２．２は、永続メモリおよび／または大容量ストレージに使用され得る不揮発性メモリ（ＮＶＭ）を含む、複数の不揮発性メモリ／ストレージデバイスとして構成されてよい。別の実施形態において、それぞれのメモリコンポーネント５５２．１、５５２．２は、メモリモジュール５５０から省略されてよく、その場合、メモリモジュール５５０は、いわゆる「ダミーＤＩＭＭ」として構成されてよい。メモリモジュール５５０は、マザーボード５０４に連結された１または複数のドーターボードソケットに収容されるよう構成された複数のコンタクト５５６、およびコントローラ５５４に連結され、Ｉ／Ｏ、ファブリック、光、ケーブル、または任意の他の好適な高帯域幅相互接続５６０（図５ａ、５ｂを参照）を実装するよう構成されたコネクタ５５８をさらに含む。例えば、高帯域幅相互接続５６０は、（１）前面装填ベイ５１０．３内の不揮発性メモリ／ストレージモジュール５１１（または他の不揮発性メモリ／ストレージモジュール）、（２）別の筐体上のメモリ、および／または（３）メモリモジュール５５０のような別のメモリモジュールに通信可能に接続されてよい。

コントローラ５５４に連結されたコネクタ５５８、およびマザーボード５０４上のドーターボードソケットに収容可能な複数のコンタクト５５６を提供することによって、マルチポート機能（例えば、デュアルポート機能）が、メモリモジュール５５０に追加され得、それによりマザーボード５０４上のそれぞれのプロセッサソケットから、前面装填ベイ５１０．３、別の筐体上のメモリ、および／またはメモリモジュール５５０のような別のメモリモジュールへの複数の接続が確立されることを可能にする。１または複数の高帯域幅相互接続５６２、５６４をそれぞれ、１または複数のボード外若しくは筐体外のメモリ拡張ベイに提供するために、メモリモジュール５５０（図５ｂを参照）のような１または複数のメモリモジュールが、補助ボードの複数の群５０８．１、５０８．３内の複数の補助ボードのうちの１または複数上に位置されてもよいことに留意されたい。

コンピュータシステム内のメモリを保守する例示的な方法が、図２および図６を参照して以下に記載される。ブロック６０２（図６を参照）に示される通り、１または複数のプロセッサ２０６．１、２０６．２、２０６．３、２０６．４および１または複数の前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４を含むコンピュータシステム２００（図２を参照）のようなコンピュータシステムが提供され、各前面装填ベイは、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを収容する。ブロック６０４に示される通り、複数のメモリチャネルが、前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４内の複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを、プロセッサ２０６．１、２０６．２、２０６．３、２０６．４にそれぞれ通信可能に連結するために提供される。ブロック６０６に示される通り、それぞれの前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４内の複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障したか否かに関する決定がなされる。それぞれの前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４内の複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障した場合、ブロック６０８に示される通り、故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュール内に格納されたデータは、機能しているメモリ／ストレージモジュールまたはアレイに移行され、当該移行されたデータにアクセスするための複数のアドレスがそれに応じて再マッピングされる。そのようなデータ移行およびアドレスの再マッピングは、１または複数のデータミラーを使用してデータを複製すること、すなわちデータ冗長によって、少なくとも部分的に回避され得ることに留意されたい。ブロック６１０に示される通り、故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、それぞれの前面装填ベイから除去される。ブロック６１２に示される通り、動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールが、故障したモジュールの代わりに、それぞれの前面装填ベイに設置される。

図７は、特許請求された発明の装置および方法を実装するよう構成され得る、例示的なコンピュータシステム７００を示す。図７に図示の通り、コンピュータシステム７００は、少なくとも1つのメモリチャネル７１５によって、少なくとも1つのメモリ７０４および少なくとも１つの不揮発性メモリ／ストレージモジュール７１９に、通信可能に連結されたホストプロセッサ７０２を含み得る。不揮発性メモリ／ストレージモジュール７１９は、ＮＶＭコントローラ７２０および少なくとも１つのＮＶＭデバイス７１２を含み得る。コンピュータシステム７００はさらに、キーボード７１６およびディスプレイ７１８を含み得、各々はシステムバス７１４に通信可能に連結される。ＮＶＭコントローラ７２０は、ＮＶＭデバイス７１２内に格納可能な永続データにアクセスするよう動作可能である。ホストプロセッサ７０２は、ＮＶＭコントローラ７２０の複数の動作を制御するための１または複数の処理を含む、コンピュータシステム７００内の様々な処理を実行するために、メモリ７０４または任意の他の好適なストレージ媒体のような、少なくとも１つの非一時的ストレージ媒体上に格納された複数の命令を実行するよう動作可能である。メモリ７０４は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）または任意の他の好適な揮発性メモリとして実装されてよい、揮発性メモリ７１０のような１または複数のメモリコンポーネントを含み得る。メモリ７０４はまた、ホストプロセッサ７０２によって実行可能なオペレーティングシステム７０６、並びにオペレーティングシステム７０６によって実行されてよい１または複数のアプリケーション７０８を格納するよう構成され得る。複数のアプリケーション７０８のうちの１つによって生成されるリクエストに応答して、ホストプロセッサ７０２は、揮発性メモリ７１０に対し、所望のデータ書き込み／読み取り操作、および／またはＮＶＭコントローラ７２０を介してＮＶＭデバイス７１２に対し、所望の書き込み／読み取り操作を実行すべくオペレーティングシステム７０６を実行し得る。

図７はコンピュータシステム７００の例示的な実施形態を示しており、コンピュータシステム７００の他の複数の実施形態は、図７に示された複数の装置コンポーネントより、多数の装置コンポーネントまたは少数の装置コンポーネントを含んでよいことに留意されたい。さらに、複数の装置コンポーネントは図７に示されたのとは異なるように配置されてよい。また、コンピュータシステム７００の他の複数の実施形態に含まれる様々な装置コンポーネントにより実行される複数の機能は、本明細書に記載されたものとは異なるように複数のそれぞれのコンポーネント間で分散されてよい。

開示された複数のシステムおよび方法に関する上記複数の例示的な実施形態について記載したが、他の複数の代替的な実施形態または変形がなされ得る。例えば、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュール（例えば、不揮発性メモリ／ストレージモジュール３００。図３ａを参照）は、業界標準の２．５インチのフォームファクタ、または任意の他の好適なフォームファクタに準拠するよう構成されてよいことが本明細書に記載された。一実施形態において、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、複数のｒｅｇｉｓｔｅｒｅｄ ｄｕａｌ ｉｎ−ｌｉｎｅ ｍｅｍｏｒｙ ｍｏｄｕｌｅ（ＲＤＩＭＭ）、ｓｍａｌｌ ｏｕｔｌｉｎｅ ｄｕａｌ ｉｎ−ｌｉｎｅ ｍｅｍｏｒｙ ｍｏｄｕｌｅ（ＳＯＤＩＭＭ）、ｌｏａｄ−ｒｅｄｕｃｅｄ ＤＩＭＭ（ＬＲＤＩＭＭ）、ｍｉｎｉ−ＤＩＭＭ、ｕｎｂｕｆｆｅｒｅｄ ＤＩＭＭ、または任意の他の好適なメモリモジュールとして構成されてよい。さらに、複数の前面装填ベイ（例えば、前面装填ベイ２１０．１、２１０．２、２１０．３、２１０．４）は、そのような複数のＲＤＩＭＭ、ＳＯＤＩＭＭ、ＬＲＤＩＭＭ、ｍｉｎｉ‐ＤＩＭＭ、ｕｎｂｕｆｆｅｒｅｄ ＤＩＭＭ等を収容するよう好適に構成されてよい。

マルチポート機能（例えば、デュアルポート機能）が、複数のＤＲＡＭベースのメモリモジュール（例えば、メモリモジュール５５０。図５ｂを参照）に追加され得、例えば、コンピュータシステムのマザーボード上の複数のプロセッサソケットから、複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを収容する１または複数の前面装填ベイへの複数の接続を確立することを可能にすることが本明細書にまた記載された。一実施形態において、コントローラ５５４（図５ｂを参照）のようなコントローラ、並びにコネクタ５５８（図５ｂを参照）のようなコネクタを、メモリモジュール５５０内の代わりに、プロセッサボード上に位置付けることによって、そのような複数のデュアル接続は、複数のプロセッサソケットから複数の前面装填ベイへと確立され得る。

以下の複数の例は、開示された複数のシステムおよび方法のさらなる例示の複数の実施形態に関する。例１は、コンピュータシステム内の複数の不揮発性メモリコンポーネントの保守を容易化するよう構成されたサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステムである。コンピュータシステムは、筐体と、筐体に搭載されたマザーボードと、筐体に搭載された１または複数のモジュールベイと、を含む。マザーボードは、１または複数のプロセッサを収容するよう構成されている。モジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容するよう構成されている。各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行するよう動作可能である。コンピュータシステムはさらに、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを１または複数のプロセッサにそれぞれ通信可能に連結するための１または複数の第１のメモリチャネルを含む。

例２において、例１の主題は任意に、複数の第１のメモリチャネルは、複数のダブルデータレート（ＤＤＲ）メモリチャネル、複数の入／出力（Ｉ／Ｏ）相互接続、および複数のファブリック相互接続のうちの１つを含む複数の特徴を含み得る。

例３において、例１または２のうちのいずれか１つの主題は任意に、不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、予め定められた業界標準のフォームファクタに準拠するよう構成された複数の特徴を含み得る。

例４において、例１から３のうちのいずれか１つの主題は任意に、不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、ホットスワップ可能であるよう構成されている複数の特徴を含み得る。

例５において、例１から４のうちのいずれか１つの主題は任意に、不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの少なくとも１つは、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）として構成されている複数の特徴を含み得る。

例６において、例１から５のうちのいずれか１つの主題は任意に、第１のメモリチャネルのうちの少なくとも１つは、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（ＰＣＩｅ）バスとして構成されている複数の特徴を含み得る。

例７において、例１の主題は任意に、マザーボードは、１または複数の補助ボードを収容するよう構成されており、補助ボードのうちの少なくとも１つは、１または複数のメモリモジュールを含むよう構成されている複数の特徴を含み得る。

例８において、例７の主題は任意に、メモリモジュールは、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのメモリモジュール、および複数のＤＲＡＭベースのダブルデータレート（ＤＤＲ）デュアルインラインメモリモジュールのうちの１つを含む複数の特徴を含み得る。

例９において、例７または８のうちのいずれか１つの主題は任意に、１または複数のメモリモジュールを１または複数のプロセッサにそれぞれ通信可能に連結するための１または複数の第２のメモリチャネルを含み得る。

例１０は、コンピュータシステム内の不揮発性メモリコンポーネントの保守を容易化するよう構成されたサーバアーキテクチャを実装するコンピュータシステムである。コンピュータシステムは、筐体と、筐体に搭載されたマザーボードと、筐体に搭載された１または複数のモジュールベイと、を含む。マザーボードは、１または複数のプロセッサおよび１または複数の補助ボードを収容するよう構成されている。補助ボードのうちの少なくとも１つは、１または複数のメモリモジュールを含むよう構成されている。モジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容するよう構成されている。各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行するよう動作可能である。上記コンピュータシステムはさらに、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを１または複数のメモリモジュールに通信可能に連結するための１または複数の第１のメモリチャネルと、１または複数のメモリモジュールを１または複数のプロセッサに通信可能に連結するための１または複数の第２のメモリチャネルと、を含む。

例１１において、例１０の主題は任意に、メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、第１のメモリチャネルのうちの少なくとも１つを経由して、不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの少なくとも１つにアクセスするよう動作可能なコントローラを含む複数の特徴を含み得る。

例１２において、例１０または１１のうちのいずれか１つの主題は任意に、メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、第２のメモリチャネルのうちの少なくとも１つを経由して、プロセッサのうちの少なくとも１つにアクセスするよう動作可能なコントローラを含む複数の特徴を含み得る。

例１３において、例１０から１２のうちのいずれか１つの主題は任意に、複数のメモリモジュールは、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのメモリモジュールおよび複数のＤＲＡＭベースのダブルデータレート（ＤＤＲ）デュアルインラインメモリモジュールのうちの１つを含む複数の特徴を含み得る。

例１４において、例１０から１３のうちのいずれか１つの主題は任意に、メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、マルチポートメモリモジュールである、複数の特徴を含み得る。

例１５において、例１４の主題は任意に、マルチポートメモリモジュールは上記コントローラと、上記コントローラに通信可能に連結された複数の揮発性または不揮発性メモリサブモジュールと、上記コントローラおよび上記複数の揮発性または不揮発性メモリサブモジュールを上記第１のメモリチャネルのうちの１または複数に通信可能に連結するよう動作可能な第１の相互接続と、上記コントローラおよび上記複数の揮発性または不揮発性メモリサブモジュールを上記第２のメモリチャネルのうちの１または複数に通信可能に連結するよう動作可能な第２の相互接続と、を含む複数の特徴を含み得る。

例１６において、例１０から１４のうちのいずれか１つの主題は任意に、メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、ダミーのデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）である、複数の特徴を含み得る。

例１７において、例１０の主題は任意に、不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、予め定められた業界標準のフォームファクタに準拠するよう構成されている複数の特徴を含み得る。

例１８において、例１０から１７のうちのいずれか１つの主題は任意に、不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、ホットスワップ可能であるように構成される複数の特徴を含み得る。

例１９は、コントローラと、上記コントローラに通信可能に連結された複数の揮発性または不揮発性メモリモジュールと、上記コントローラおよび上記複数の揮発性または不揮発性メモリモジュールを回路基板に通信可能に連結するよう動作可能な第１の相互接続と、上記コントローラおよび上記複数の揮発性または不揮発性メモリモジュールを１または複数のメモリチャネルに通信可能に連結するよう動作可能な第２の相互接続と、を含むマルチポートメモリモジュールである。

例２０は、システムバスと、メモリバスと、上記システムバスに通信可能に連結されたディスプレイと、を備え、例１９に記載の上記マルチポートメモリモジュールは、上記メモリバスに通信可能に連結されている、コンピュータシステムである。

例２１は、１または複数のプロセッサおよび１または複数のメモリモジュールベイを含む、コンピュータシステムを提供する段階と、上記メモリモジュールベイ内の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをプロセッサに通信可能に連結するための複数のメモリチャネルを提供する段階と、それぞれの上記メモリモジュールベイ内の上記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障しているかどうかを決定する段階と、それぞれの上記メモリモジュールベイ内の上記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障していると決定したら、上記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの上記メモリモジュールベイから除去する段階と、上記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールの代わりに、動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの上記メモリモジュールベイに設置する段階と、を備え、上記メモリモジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容し、各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行するよう動作可能である、コンピュータシステム内のメモリを保守する方法である。

例２２において、例２１の主題は任意に、上記動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールを永続メモリおよび大容量ストレージのうちの１または複数として使用する段階を含み得る。

例２３は、１または複数のプロセッサおよび１または複数のメモリモジュールベイを含む、コンピュータシステムを提供するための手段と、上記メモリモジュールベイ内の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをプロセッサに通信可能に連結するための複数のメモリチャネルを提供するための手段と、それぞれの上記メモリモジュールベイ内の上記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障しているかどうかを決定するための手段と、それぞれの上記メモリモジュールベイ内の上記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障していると決定したら、上記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの上記メモリモジュールベイから除去するための手段と、上記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールの代わりに、動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの上記メモリモジュールベイに設置するための手段と、を含み、上記メモリモジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容し、各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行するよう動作可能である、コンピュータシステム内のメモリを保守する方法である。

例２４において、例２３の主題は任意に、上記動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールを永続メモリおよび大容量ストレージのうちの１または複数として使用するための手段を含み得る。

本開示の主題の様々な実施形態の複数の例示が本明細書に記載されているが、当業者であれば、開示された本主題を実装する他の複数の方法が代替的に使用可能であることを理解するであろう。上記説明においては、開示された本主題の様々な態様が記載された。説明目的のため、開示された本主題の完全な理解を提供すべく、具体的な複数のシステム、装置、方法、および構成が記載された。しかしながら、本開示の利益を有する当業者であれば、本明細書に記載された具体的な詳細がなくても、当該主題は実施可能であることを理解するであろう。他の複数の例においては、開示された本主題を不明瞭にしないように、複数の周知の機能、コンポーネント、および／またはモジュールが省略、簡略化、または組み合わされた。

本明細書で採用される用語「動作可能」は、デバイス、システム、または装置が電源オン状態の場合、対応するデバイス、システム、装置等はその所望の機能を動作可能であるか、または動作するよう適合されていることを意味することに留意されたい。さらに、本開示の主題の様々な実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらのいくつかの組み合わせで実装されてよく、複数の命令、関数、プロシージャ、データ構造体、ロジック、アプリケーションプログラム、設計表現、および／またはシミュレーション、エミュレーション、および／または製造設計のためのフォーマットのような、機械によるアクセス時、その機械にタスクを実行させ、抽象データ型または低レベルハードウェアコンテキストを定義させ、または結果を生成させることをもたらすプログラムコードへの参照、またはとこれと併用して説明されてよい。

図面中に示される複数の技術は、格納されたコードおよび／またはデータを使用して実装され得、並びに／または汎用目的の複数のコンピュータ若しくはコンピューティングデバイスのような１または複数のコンピューティングデバイス上で実行され得ることにさらに留意されたい。そのような複数のコンピュータ若しくはコンピューティングデバイスは、機械可読ストレージ媒体（例えば、複数の磁気ディスク、光ディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリデバイス、相変化メモリ）、および機械可読通信媒体（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等のような電気信号、光信号、音信号、または他の形態の伝搬信号）のような機械可読媒体を使用して、コードおよび／またはデータを格納および通信（内部でおよび／またはネットワークを介して他の複数のコンピューティングデバイスと）する。

本明細書で採用されるいずれの要素、動作、または命令も、明示的にそのように記載されない限り、本願において重要または必須であると解釈されるべきではない。また、本明細書で採用される通り、「ａ」という冠詞は、１または複数の項目を含むよう意図される。１項目のみが意図される場合、用語「１つ」または同様の文言が採用される。さらに、「基づく」という文言は、別途明示的に記載されない限り、「少なくとも部分的に基づく」ことを意味することが意図される。

本発明は、本明細書で開示された複数の特定の実施形態に限定されず、本発明は、以下の特許請求の範囲に属するいずれかのおよびすべての特定の実施形態および均等物を含むことが意図されている。

Claims (24)

1. 筐体と、
   前記筐体に搭載されたマザーボードと、
   前記筐体に搭載された１または複数のモジュールベイと、を備え、
   前記マザーボードは、１または複数のプロセッサを収容し、
   前記モジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容し、各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行し、
   前記１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを前記１または複数のプロセッサにそれぞれ通信可能に連結するための１または複数の第１のメモリチャネルをさらに備える、サーバアーキテクチャを実装する、コンピュータシステム。
2. 前記第１のメモリチャネルは、複数のダブルデータレート（ＤＤＲ）メモリチャネル、複数の入／出力（Ｉ／Ｏ）相互接続、および複数のファブリック相互接続のうちの１つを含む、請求項１に記載のコンピュータシステム。
3. 前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、予め定められた業界標準のフォームファクタに準拠する、請求項１または２に記載のコンピュータシステム。
4. 前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、ホットスワップ可能である、請求項１または２に記載のシステム。
5. 前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの少なくとも１つは、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）である、請求項１に記載のコンピュータシステム。
6. 前記第１のメモリチャネルのうちの少なくとも１つは、ペリフェラルコンポーネントインターコネクトエクスプレス（ＰＣＩｅ）バスである、請求項１、２、および５のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。
7. 前記マザーボードは、１または複数の補助ボードを収容し、前記補助ボードのうちの少なくとも１つは、１または複数のメモリモジュールを含む、請求項１に記載のコンピュータシステム。
8. 前記メモリモジュールは、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのメモリモジュール、および複数のＤＲＡＭベースのダブルデータレート（ＤＤＲ）デュアルインラインメモリモジュールのうちの１つを含む、請求項７に記載のコンピュータシステム。
9. 前記１または複数のメモリモジュールを前記１または複数のプロセッサにそれぞれ通信可能に連結するための１または複数の第２のメモリチャネルをさらに備える、請求項１、７、および８のいずれか一項に記載のコンピュータシステム。
10. 筐体と、
    前記筐体に搭載されたマザーボードと、
    前記筐体に搭載された１または複数のモジュールベイと、を備え、
    前記マザーボードは、１または複数のプロセッサを収容し、
    前記マザーボードは、１または複数の補助ボードをさらに収容し、前記補助ボードのうちの少なくとも１つは、１または複数のメモリモジュールを含み、
    前記モジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容し、各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行し、
    前記１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールを前記１または複数のメモリモジュールに通信可能に連結するための１または複数の第１のメモリチャネルと、
    前記１または複数のメモリモジュールを前記１または複数のプロセッサに通信可能に連結するための１または複数の第２のメモリチャネルと、をさらに備える、サーバアーキテクチャを実装する、コンピュータシステム。
11. 前記メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、前記第１のメモリチャネルのうちの少なくとも１つを経由して、前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの少なくとも１つにアクセスするコントローラを含む、請求項１０に記載のコンピュータシステム。
12. 前記メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、前記第２のメモリチャネルのうちの少なくとも１つを経由して、前記プロセッサのうちの少なくとも１つにアクセスするコントローラを含む、請求項１０または１１に記載のコンピュータシステム。
13. 前記メモリモジュールは、複数のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）ベースのメモリモジュール、および複数のＤＲＡＭベースのダブルデータレート（ＤＤＲ）デュアルインラインメモリモジュールのうちの１つを含む、請求項１０または１１に記載のコンピュータシステム。
14. 前記メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、マルチポートメモリモジュールである、請求項１０または１１に記載のコンピュータシステム。
15. 前記マルチポートメモリモジュールは、
    コントローラと、
    前記コントローラに通信可能に連結された複数の揮発性または不揮発性メモリサブモジュールと、
    前記コントローラおよび前記複数の揮発性または不揮発性メモリサブモジュールを前記第１のメモリチャネルのうちの１または複数に通信可能に連結する第１の相互接続と、
    前記コントローラおよび前記複数の揮発性または不揮発性メモリサブモジュールを前記第２のメモリチャネルのうちの１または複数に通信可能に連結する第２の相互接続と、を含む、請求項１４に記載のコンピュータシステム。
16. 前記メモリモジュールのうちの少なくとも１つは、ダミーのデュアルインラインメモリモジュール（ＤＩＭＭ）である、請求項１０または１１に記載のコンピュータシステム。
17. 前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、予め定められた業界標準のフォームファクタに準拠する、請求項１０または１１に記載のコンピュータシステム。
18. 前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、ホットスワップ可能である、請求項１０または１１に記載のコンピュータシステム。
19. コントローラと、
    前記コントローラに通信可能に連結された複数の揮発性または不揮発性メモリモジュールと、
    前記コントローラおよび前記複数の揮発性または不揮発性メモリモジュールを回路基板に通信可能に連結する第１の相互接続と、
    前記コントローラおよび前記複数の揮発性または不揮発性メモリモジュールを１または複数のメモリチャネルに通信可能に連結する第２の相互接続と、を備える、マルチポートメモリモジュール。
20. システムバスと、
    メモリバスと、
    前記システムバスに通信可能に連結されたディスプレイと、を備え、
    請求項１９に記載の前記マルチポートメモリモジュールは、前記メモリバスに通信可能に連結されている、コンピュータシステム。
21. １または複数のプロセッサおよび１または複数のメモリモジュールベイを含む、コンピュータシステムを提供する段階であって、前記メモリモジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容し、各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行する、提供する段階と、
    前記メモリモジュールベイ内の前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールを前記プロセッサに通信可能に連結するための複数のメモリチャネルを提供する段階と、
    それぞれのメモリモジュールベイ内の前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障しているかどうかを決定する段階と、
    それぞれの前記メモリモジュールベイ内の前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障していると決定したら、前記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの前記メモリモジュールベイから除去する段階と、
    前記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールの代わりに、動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの前記メモリモジュールベイに設置する段階と、を備える、コンピュータシステム内のメモリを保守する方法。
22. 前記動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールを永続メモリおよび大容量ストレージのうちの１または複数として使用する段階をさらに備える、請求項２１に記載の方法。
23. １または複数のプロセッサおよび１または複数のメモリモジュールベイを含む、コンピュータシステムを提供するための手段であって、前記メモリモジュールベイのうちの１または複数は、１または複数の不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれ収容し、各不揮発性メモリ／ストレージモジュールは、永続メモリおよび大容量ストレージ動作を実行する、提供するための手段と、
    前記メモリモジュールベイ内の前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールを前記プロセッサに通信可能に連結するための複数のメモリチャネルを提供するための手段と、
    それぞれの前記メモリモジュールベイ内の前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障しているかどうかを決定するための手段と、
    それぞれの前記メモリモジュールベイ内の前記不揮発性メモリ／ストレージモジュールのうちの１つが故障していると決定したら、前記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの前記メモリモジュールベイから除去するための手段と、
    前記故障した不揮発性メモリ／ストレージモジュールの代わりに、動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールをそれぞれの前記メモリモジュールベイに設置するための手段と、を備える、コンピュータシステム内のメモリを保守する方法。
24. 前記動作可能な不揮発性メモリ／ストレージモジュールを永続メモリおよび大容量ストレージのうちの１または複数として使用するための手段をさらに備える、請求項２３に記載の方法。