JP2016531448A - レーザ点火システム - Google Patents
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Abstract
【課題】冒頭に述べた形式のレーザ点火システムを改良して、耐用年数が長く、安価で効果的であり、しかも点火しようとする空気/ガス混合気の着火およびプラズマ形成に関連して確実なものを提供することである。【解決手段】内燃機関のためのレーザ点火システム(1)であって、垂直エミッタ(2)とレーザ活性結晶とを有している形式のものにおいて、レーザ活性結晶が少なくとも領域的にイッテルビウムドーピングされており、イッテルビウムドーピングされた領域(5)が、200μm〜7000μmの長さ(12)、特に300μm〜5000μmの長さ(12)を有していることを特徴とする、レーザ点火システム(1)。【選択図】 図1
Description
本発明は、特に内燃機関のためのレーザ点火システムであって、垂直エミッタおよびレーザ活性結晶を有している形式のものに関する。
今日のレーザ点火適用例では、受動式のQスイッチ回路を有する、モノリシックに構成され、ネオジム(Nd)ドーピングされた固体レーザが、光線源としてしばしば用いられる。ポンプ光源として、ポンプ光を場合によっては光導体ファイバを介して横方向または長手方向に固体レーザ内にもたらす、エッジエミッタとも称呼される端面発光型半導体レーザ、または特許文献1に記載されているような、長手方向のポンプ光配置構成を有する、VCSELまたは垂直エミッタとも称呼される垂直発光型半導体レーザが用いられる。
ネオジムドーピングされた固体レーザの代わりに、イッテルビウム(Yb)ドーピングされた固体レーザを使用してもよい。イッテルビウムドーピングされた固定レーザのためのポンプ光源として、繊維結合されたエッジエミッタが使用される。
特許文献2(未公開)には、点火しようとする空気/ガス混合気の希薄性および燃焼安定性を考慮した良好な着火のためには、着火点におけるパルスエネルギだけが重要なのではなく、点火レーザ光線の形状も、点火しようとする空気/ガス混合気の着火およびプラズマ形成にとって決定的であると記載されている。点火レーザ光線の形状のための単位は光線品質M2である。イッテルビウムドーピングされた固体レーザの誘導放出時における断面積は、ネオジムドーピングされた固定レーザと比較して小さいことに基づいて、イッテルビウムドーピングされた固体レーザは、基本的に良好な光線品質M2を有している。
そこで本発明の課題は、冒頭に述べた形式のレーザ点火システムを改良して、耐用年数が長く、安価で効果的であり、しかも点火しようとする空気/ガス混合気の着火およびプラズマ形成に関連して確実なものを提供することである。
この課題は、本発明によれば、冒頭に述べた形式のレーザ点火システムにおいて、レーザ活性結晶が少なくとも領域的にイッテルビウムドーピングされており、この場合、前記イッテルビウムドーピングされた領域が、200μm〜7000μmの長さを有していることによって、解決される。
本発明に従って、イッテルビウムドーピングされた領域を有するレーザ活性結晶を垂直エミッタによってポンピングすることによって、高い効果および高い点火確実性を有するレーザ点火システムが得られる、という利点を有している。冒頭に述べたように、点火しようとする空気/ガス混合気の良好な着火および良好なプラズマ形成のためには、着火点におけるパルスエネルギだけではなく、点火レーザ光線の形状も重要である。ネオジムドーピングされたレーザ活性結晶よりも潜在的に改善された光線品質M2を有する、イッテルビウムドーピングされたレーザ活性結晶を、円形の強度分布プロファイルおよび特に良好な光線品質M2も有する垂直エミッタと組み合わせて使用することによって、点火しようとする空気/ガス混合気を確実に着火させる良好な集束性を有するレーザ点火システムが得られる。
さらに、垂直エミッタは非常に頑丈であり、従って中長期的な耐用年数を有していて、しかも安価である。また、イッテルビウムドーピングされたレーザ活性結晶の直径を、誘導放出のための僅かな断面積に基づいて、ネオジムドーピングされたレーザ活性結晶におけるよりも小さく選定することができ、レーザ活性結晶の製造コストを節約することができる。
エッジエミッタと比較して約1単位だけ小さい、垂直エミッタの輝度(=出力/(面*立体角))に基づいて、好適には、レーザ活性結晶の、イッテルビウムドーピングされた領域は、高いYbドーピングを有しており、それによって固体レーザは均一にポンピングされ得る。レーザ活性結晶のイッテルビウムドーピングされた領域は、例えば3at%よりも小さくない、特に7at%よりも小さくないYbドーピングを有している。好適な形式で、Ybドーピングは、30at%よりも大きくない、特に20at%よりも大きくない。この場合、ドーピング濃度は、ポンプ光の吸収長さが数100μm〜数mmだけ長く、ポンプ光のレイリー長さの約半分に相当する程度に、大きく選定される。ポンプ光のレイリー長さは、レーザ活性結晶のYbドーピングされた領域内で、例えば200μm〜10000μmの範囲内である。
レーザ活性結晶のYbドーピングされた領域の長さは、ポンプ光のレイリー長さおよび吸収長さに適合される。レイリー長さは、レーザ光線の断面積の大きさがビーム縮径部から出発して2倍になる、光軸に沿った間隔である。
以下では第1の領域とも称呼されているYbドーピングされた領域は、200μmよりも短くなく、特に300μmよりも短くない。好適な形式で、第1の領域は、7000μmよりも長くなく、特に5000μmよりも長くない。好適には、第1の領域の長さは、イッテルビウムのドーピング濃度、およびポンプ光のレイリー長さおよび吸収長さに適合されるので、一方では、すべてのポンプ光若しくは68%よりも少なくないポンプ光が第1の領域内で吸収され、他方では第1の領域は必要以上に長くないので、材料が浪費されることはない。母体結晶として、第1の領域のためにYAG結晶またはLuAG結晶が使用されてよい。
好適な実施形態によれば、レーザ活性結晶は、5mmよりも小さくない全長を有している。好適な形式で、レーザ活性結晶は50mmよりも長くない。特に、レーザ活性結晶の全長は、10mm〜40mmの範囲内、特に15mm〜30mmの範囲内にあってよい。
レーザ活性結晶は、1実施態様によれば、Ybドーピングされた第1の領域の隣に少なくとも1つの第2の領域を有している。特にレーザ活性結晶は3つの領域を有していてよい。好適な形式で、レーザ活性結晶は、その複数の領域が全体的にまたは少なくとも部分的にモノリスとして構成されている。つまりこれら複数の領域は、例えばオプティカルコンタクトまたはボンディングによって素材結合式に互いに結合されている。
レーザ活性結晶の第2の領域は、1実施態様では、実質的にドーピングされておらず、この場合、実質的に、レーザ活性結晶の第2の領域が意図的にドーピングされておらず、製造に基づく通常の不純物だけを有している、ということである。レーザ活性結晶内のドーピングされた領域とドーピングされていない領域との組み合わせによって、レーザ活性結晶のロバスト性およびひいては全レーザ点火システムのロバスト性が高められる。何故ならば、Ybドーピングされた領域とは異なり、ドーピングされていない領域内では、ポンプ光のさらなる吸収は行われないからである。
1実施態様では、レーザ活性結晶の第3の領域は、クロム(Cr4+)またはバナジウム(V3+)ドーピングを有している。母体結晶として、例えばYAG結晶またはLuAG結晶が使用される。第3の領域は、1実施態様では、受動式のQスイッチ回路の機能を有している。このために、可飽和吸収体が使用され、この可飽和吸収体は、飽和強度に達して初めて切り換わり、つまり入射するレーザ光線を透過するか、若しくはレーザパルスを放射する。可飽和吸収体は、入射するレーザ光線を吸収し、この場合、吸収係数は、強度、初期吸収および飽和強度に依存している。初期吸収およびひいては初期透過は、吸収濃度、つまり例えば母体結晶内のCr4+ドーピング若しくはV3+ドーピングの濃度に依存している。受動式のQスイッチ回路若しくは可飽和吸収体の初期透過は、30%よりも小さくなく、および/または98%よりも大きくない。増幅度(Gain:ゲイン)が共振器内の損失よりも大きければ、高レーザレベル内で反転分布が発生し、固体レーザがレーザパルスを放射する。数μsの所定の緩和時間後に、可飽和吸収体は、共振器内で誘導されたレーザ光線を再び強く吸収する。
第3の領域のV3+ドーピングは、受動式のQスイッチ回路の最初に励起された状態における吸収横断面が僅かであることによって、僅かな誘導放出が吸収され、ひいては、より高い総合効率が得られる、という利点を有している。
第3の領域の長さは、50μmよりも大きく、特に100μmよりも大きいので、熱レンズは、受動式のQスイッチ回路内での誘導放出の吸収によって、それほど強く形成されることはない。
基本的に、GGG母体結晶および/またはGSGG母体結晶は、レーザ活性結晶として、単独で、またはYAG母体結晶および/またはLuAG母体結晶との組み合わせで用いることができ、この場合、YAG結晶および/またはLuAG結晶は母体結晶として、他の2つの結晶よりも有利である。
好適な形式で、少なくとも2つの領域のために同じ母体結晶が使用される。3つのすべての領域に同じ母体結晶を使用すれば、異なる母体結晶間の接続箇所が存在しない、という特別な利点が得られる。少なくとも2つの異なる母体結晶を使用した場合、YAG結晶とLuAG結晶の組み合わせが有利である。何故ならば、2つの結晶は良好に接続(ボンディング)され得るからである。
垂直エミッタは、好適な形式で、935nm〜945nmの波長を有するポンプ光、または択一的に965nm〜985nmの範囲内の波長を放射することができる。
1実施態様では、レーザ点火システムは共振器を有しており、この共振器は少なくとも2つの共振器ミラーを有している。共振器ミラーは例えば、端面側の前若しくは後ろに、つまりレーザ活性結晶の、ポンプ光源に対面する側およびポンプ光源とは反対側に配置されており、例えばコーティングの形でレーザ活性結晶の端面側に直接配置されている。
その他の好適な実施態様は、従属請求項の対象である。本発明のその他の特徴、適用の可能性および利点は、図面に示された本発明の実施例の、以下の説明に記載されている。
図1は、本発明によるレーザ点火システム1の概略図を示す。このレーザ点火システム1は、ポンプ光源2と固体レーザ3とを有している。ポンプ光源2の電流供給のための所属の電気配線、並びに当業者にとって例えばヨーロッパ特許公開第1519038号明細書により公知であるレーザ点火プラグとしてのレーザ点火システム1の構造的な形態の詳細は図示されていない。追加的に、レーザ光線11またはポンプ光10を光学的に伝達するための手段が設けられている。さらに、ポンプ光源2および/または固体レーザ3および/または別の構成要素を冷却するための、特に冷却液のための熱的な管路が設けられていてよい。同様に、レーザ点火システム1を内燃機関に取り付けるための考えられ得る手段は図示されていない。さらに、例えばポンプ光源2および固体レーザ3を1つのハウジング内に一緒に配置した構成、および/または放射されたレーザ光線11を内燃機関の燃焼室内に光学的に結像させるための少なくとも1つの手段、および/またはレーザ点火システム1および光学的に結像させるための手段を燃焼室から分離する燃焼室窓は図示されていない。
この実施例では、固体レーザ4のためのポンプ光源2として垂直エミッタが使用される。この垂直エミッタは、940nmの波長または970nmから980nmまでの範囲内の波長を有するポンプ光10を放射する。この場合、波長のデータは、レーザ技術において一般的な不確実性を含んでいると理解されるべきである。ポンプ光10は、ポンプ光レンズ4によって固体レーザ3に集束される。ポンプ光レンズ4は、使用されたポンプ光波長のための反射防止のコーティングを有している。
この実施例に図示された固体レーザ3は、レーザ活性結晶より成っており、このレーザ活性結晶は、異なってドーピングされた3つの領域5,6,7、つまり部分的にドーピングされた領域および部分的にドーピングされていない領域、並びに2つの共振器ミラー8,9を有している。モノリシックに構成されたレーザ活性結晶は、第1の領域5内でイッテルビウムによりドーピングされている。第2の領域6は実質的にドーピングされていないが、このことは実質的に、母体結晶が意図的にドーピングされておらず、製造に基づく通常の不純物だけを有している、ということを意味する。第3の領域7は、Cr4+またはV3+によりドーピングされている。
母体結晶の結晶として、一般的にYAG結晶が使用される。それに代わって、択一的な実施例においてはLuAG結晶も母体結晶として使用されてよい。
第1の領域5は、YAG結晶またはLuAG結晶内に3at%〜30at%のイッテルビウムドーピングを有している。この場合、第1の領域5の長さ12は、200μm〜7000μmの範囲内にある。
第2の領域6は、4mm〜49mmの範囲内の長さを有している。
第3の領域7は受動式のQスイッチ回路として用いられる。受動式のQスイッチ回路の初期透過は30%よりも小さくない。好適な形式で、初期透過は98%よりも大きくない。
第3の領域7の長さ13は、50μmよりも大きく、特に100μmより大きい。択一的な実施例においては、第3の領域7の長さ13は、150μmより大きくなくてもよい。
共振器ミラー8,9を除いたレーザ活性結晶3の全長14は、5mm〜50mmの範囲内にある。
第1の共振器ミラー8は、コーティングの形状で、レーザ活性結晶の、ポンプ光源2に対面する端面側に位置している。第1の共振器ミラー8は、ポンプ光源2の波長に関して高透過性であり、また固定レーザ3の波長に関して高反射性である。
第2の共振器ミラー9は、やはりコーティングとして、レーザ活性結晶の、ポンプ光源2とは反対側の端面側に位置している。第2の共振器ミラー9は、ポンプ光源2の波長に関して高反射性であり、固体レーザ3のレーザ波長に関して部分反射性である。第2の共振器ミラー9の反射率は8%〜90%の範囲内にある。
択一的な実施形態によれば、レーザ活性結晶の、ポンプ光源に対面する側に1つの共振器ミラー8だけが設けられている。第2の共振器ミラー9は省かれているので、レーザ結晶の、ポンプ光源2とは反対側と空気との間の境界面の外側では、それ以上の反射は行われない。その結果、改善されたロバスト性および単純化された構造を有するレーザ点火システム1が得られる。例えばYAG結晶(n=1.82)と空気(n=1)との境界面における反射率は約8%である。
1 レーザ点火システム
2 ポンプ光源、垂直エミッタ
3 固体レーザ
4 ポンプ光レンズ
5 第1の領域
6 第2の領域
7 第3の領域
8,9 共振器ミラー
10 ポンプ光
11 レーザ光線
12,13 長さ
14 全長
2 ポンプ光源、垂直エミッタ
3 固体レーザ
4 ポンプ光レンズ
5 第1の領域
6 第2の領域
7 第3の領域
8,9 共振器ミラー
10 ポンプ光
11 レーザ光線
12,13 長さ
14 全長
この実施例では、固体レーザ3のためのポンプ光源2として垂直エミッタが使用される。この垂直エミッタは、940nmの波長または970nmから980nmまでの範囲内の波長を有するポンプ光10を放射する。この場合、波長のデータは、レーザ技術において一般的な不確実性を含んでいると理解されるべきである。ポンプ光10は、ポンプ光レンズ4によって固体レーザ3に集束される。ポンプ光レンズ4は、使用されたポンプ光波長のための反射防止のコーティングを有している。
母体結晶として、一般的にYAG結晶が使用される。それに代わって、択一的な実施例においてはLuAG結晶も母体結晶として使用されてよい。
Claims (13)
- 特に内燃機関のためのレーザ点火システム(1)であって、垂直エミッタ(2)とレーザ活性結晶とを有している形式のものにおいて、
前記レーザ活性結晶が少なくとも領域的にイッテルビウムドーピングされており、この場合、前記イッテルビウムドーピングされた領域(5)が、200μm〜7000μmの長さ(12)、特に300μm〜5000μmの長さ(12)を有していることを特徴とする、レーザ点火システム(1)。 - 前記レーザ活性結晶が、5mm〜50mmの全長(14)を有していることを特徴とする、請求項1に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記レーザ活性結晶が、少なくとも領域的に、YAG母体結晶および/またはLuAG母体結晶および/またはGGG母体結晶および/またはGSGG母体結晶であることを特徴とする、請求項1または2に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記レーザ活性結晶が、少なくとも1つの別の領域、特に2つの別の領域を有していることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項に記載のレーザ点火システム(1)。
- 少なくとも2つの前記領域、特に3つの領域が、同じ母体結晶を有していることを特徴とする、請求項4に記載のレーザ点火システム(1)。
- 第2の領域(6)が実質的にドーピングされていないことを特徴とする、請求項4または5に記載のレーザ点火システム(1)。
- 第3の領域(7)が、クロム(Cr4+)またはバナジウム(V3+)によりドーピングされていることを特徴とする、請求項4、5または6に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記第3の領域(7)が、50μmよりも大きい、特に100μmより大きい長さ(13)を有していることを特徴とする、請求項7に記載のレーザ点火システム(1)。
- イッテルビウムによりドーピングされた領域(5)が、3at%〜30at%のイッテルビウムドーピングを有していることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記第3の領域(7)が、受動式のQスイッチ回路であって、レーザ活性材料内で発生した波長に関して30%よりも小さくない初期透過を有していることを特徴とする、請求項7または8に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記垂直エミッタ(2)が、935nm〜940nmおよび/または965nm〜985nmの範囲内の波長を放射できることを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記レーザ点火システム(1)が共振器を有しており、該共振器が少なくとも1つの共振器ミラー(8)、特に少なくとも2つの共振器ミラー(8,9)を有していることを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載のレーザ点火システム(1)。
- 前記レーザ点火システム(1)が、電気配線、光配線および/または熱的な管路、特に冷却液のための管路、および/または内燃機関に取り付けるための少なくとも1つの手段、および/または放射されたレーザ光線(11)を内燃機関の燃焼室内に光学的に結像させるための少なくとも1つの手段を備えたレーザ点火プラグとして構成されていることを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項に記載のレーザ点火システム(1)。
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