JP2016528389A - カプセル化されたマグネトロン - Google Patents
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Abstract
Description
平板マグネトロンシステムは、典型的には、ターゲット上に配置された回転式マグネトロンと、プラズマを形成するためのターゲットと基板との間のDCバイアスおよび/またはターゲットと基板との間の空間内へ結合されたRF源とを使用する。マグネトロンは、ターゲットのスパッタリング表面付近に磁力線を提供する磁石アセンブリである。ターゲットとプラズマ領域との間の負のバイアス電圧は、イオンをターゲットの方へ加速させて、ターゲットからターゲット材料を取り除く。マグネトロンからの磁界は、ターゲット材料から移動した2次電子を含む自由電子をターゲット付近に閉じ込めて、スパッタリングされた材料と自由電子によるイオン化衝突を最大にする。マグネトロンは、典型的には、1つまたは複数の磁石を含み、これらの磁石は、ターゲットの裏側、すなわちスパッタリングされていない表面の周りを回転して、ターゲットの表面の周りに磁界を均一に分散させ、その結果、ターゲット材料のスパッタリングをより均一にする。
PVDプロセスで使用されるプラズマは、ターゲットを加熱することがある。マグネトロンおよび/またはターゲットが指定のプロセス温度を超えて加熱された場合、この高温で、ターゲット上のスパッタリング速度またはスパッタリングの均一性が変化し、マグネトロンおよびターゲットの耐用寿命が短くなることによって、プロセスの性能が変わることがある。従来、ターゲットは、マグネトロン空胴内に収納された脱イオン水などの冷却流体に裏側を露出させることによって冷却される。マグネトロンは、マグネトロン空胴内に配置されており、磁石および支持構造は、熱および冷却によって腐食されることがある。加えて、マグネトロンの取扱いは、その開放的な構造に伴って問題となる可能性があり、落下によりハードウェアが磁石の内部構造内に詰まり、除去するのが困難になるため、ハードウェアの取扱い上の問題を招く可能性がある。
一実施形態では、マグネトロンが開示される。マグネトロンは、それぞれ第1の端部および第2の端部を有する複数の磁石と、磁石の第1の端部に結合された第1の磁極片と、磁石の第2の端部に結合された第2の磁極片と、複数の磁石を覆うカプセル化材料とを含む。
別の実施形態では、マグネトロンが開示される。マグネトロンは、複数の磁石を含み、複数の磁石はそれぞれ、第1の端部および第2の端部を有する。マグネトロンは、バッキング板をさらに含み、バッキング板は、磁石の第1の端部に結合される。マグネトロンは、第1の磁極片をさらに含み、第1の磁極片は、磁石の第2の端部に結合される。マグネトロンは、複数の磁石を覆う第1のカプセル化材料をさらに含む。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得ることができ、実施形態の一部を添付の図面に示す。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は、典型的な実施形態のみを示し、したがって本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
本明細書に記載の実施形態は、概して、熱および水に耐える材料によってカプセル化されたマグネトロンを提供する。図1は、一実施形態によるPVDチャンバ10の横断面図である。チャンバ10は、セラミック絶縁体14によってスパッタリングターゲット16に密閉された真空チャンバ本体12を含み、ターゲット16の少なくとも前面は、ウエハクランプ22によってヒータペデスタル電極20上に保持されたウエハ18上にスパッタ堆積されるべき材料、通常は金属から構成される。ウエハクランプ22の代わりに、カバーリングもしくは静電チャックをペデスタル20内へ組み込むことができ、またはウエハを定位置に保持しないでペデスタル20上に配置することができる。ターゲット材料は、アルミニウム、銅、チタン、タンタル、コバルト、ニッケル、モリブデン、10質量%未満の合金元素を含有するこれらの金属の合金、またはDCスパッタリングに適用できる他の金属および金属合金とすることができる。他方では、RFスパッタリングを使用して、誘電体ターゲットから材料をスパッタリングすることができる。
第1のガス源34が、アルゴンなどのスパッタリング作用ガスを、質量流量コントローラ36を通ってチャンバ本体12へ供給する。たとえば窒化チタンまたは窒化タンタルの反応性金属窒化物スパッタリングでは、別の質量流量コントローラ40を通って別のガス源38からチャンバ内へ窒素がさらに供給される。別法として、酸素を供給して、Al2O3などの酸化物を生じさせることもできる。これらのガスは、チャンバ本体12内の様々な位置から入れることができる。たとえば、チャンバ本体12の底部付近に位置する1つまたは複数の入り口パイプが、シールド24の裏面でガスを供給する。ガスは、シールド24の底部の開孔を通って、またはカバーリング22とシールド24およびペデスタル電極20との間に形成された間隙42を通って貫入する。広いポンピングポートを通ってチャンバ本体12に接続された真空ポンピングシステム44が、チャンバ本体12の内部を低圧で維持する。コンピュータベースのコントローラ48が、電源26、28および質量流量コントローラ36、40を含むリアクタを制御する。
バッキング板56には磁石などの位置フラグ106を固定することができ、マグネトロン50の上には磁気ホールセンサなどの位置センサ108を配置して、回転する磁石52、54が位置センサ108の下を通るかどうかによって、コントローラ48がマグネトロン50の現在の径方向位置を判定することを可能にすることができる。
Claims (15)
- それぞれ第1の端部および第2の端部を有する複数の磁石と、
前記磁石の前記第1の端部に結合された第1の磁極片と、
前記磁石の前記第2の端部に結合された第2の磁極片と、
前記複数の磁石を覆う第1のカプセル化材料と
を備えるマグネトロン。 - 前記第1のカプセル化材料が、前記第1の磁極片に結合される、請求項1に記載のマグネトロン。
- 前記第1のカプセル化材料が、エポキシ、ウレタン、およびゴムの少なくとも1つから選択される、請求項1に記載のマグネトロン。
- 前記第2の磁極片が、前記第1の磁極片によって取り囲まれる、請求項1に記載のマグネトロン。
- 前記第1の磁極片と第2の磁極片との間に間隙が形成され、前記間隙を第2のカプセル化材料が覆っている、請求項4に記載のマグネトロン。
- 前記第2のカプセル化材料上に配置された複数の突条をさらに備える、請求項5に記載のマグネトロン。
- それぞれ第1の端部および第2の端部を有する複数の磁石と、
前記磁石の前記第1の端部に結合されたバッキング板と、
前記磁石の前記第2の端部に結合された第1の磁極片と、
前記複数の磁石を覆う第1のカプセル化材料と
を備えるマグネトロン。 - 前記第1のカプセル化材料が、エポキシ、ウレタン、およびゴムの少なくとも1つから選択される、請求項7に記載のマグネトロン。
- 前記第1の磁極片によって取り囲まれた第2の磁極片をさらに備える、請求項7に記載のマグネトロン。
- 前記第1の磁極片と前記第2の磁極片との間の間隙を覆う第2のカプセル化材料をさらに備える、請求項9に記載のマグネトロン。
- 前記第2のカプセル化材料上に配置された複数の突条をさらに備える、請求項10に記載のマグネトロン。
- バッキング板と、
第1の磁極片と、
第2の磁極片と、
前記バッキング板と前記第1の磁極片との間に配置された複数の磁石と、
前記複数の磁石を覆う第1のカプセル化材料と
を備えるマグネトロン。 - 前記第2の磁極片が、前記第1の磁極片によって取り囲まれ、前記第1の磁極片と前記第2の磁極片が共平面である、請求項12に記載のマグネトロン。
- 前記第1の磁極片と前記第2の磁極片との間の間隙を覆う第2のカプセル化材料をさらに備える、請求項13に記載のマグネトロン。
- 前記第2のカプセル化材料上に配置された複数の突条をさらに備える、請求項14に記載のマグネトロン。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021505770A (ja) * | 2017-12-11 | 2021-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 改善されたターゲット冷却構成を有するマグネトロン |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11462394B2 (en) * | 2018-09-28 | 2022-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Physical vapor deposition apparatus and method thereof |
US11488814B2 (en) * | 2018-10-29 | 2022-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Permeance magnetic assembly |
US11469080B1 (en) * | 2021-05-24 | 2022-10-11 | Applied Materials, Inc. | Magnetron assembly having coolant guide for enhanced target cooling |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5894199A (en) * | 1997-01-31 | 1999-04-13 | Litton Systems, Inc. | Tertiary field tuning of positive anode magnetron |
US6440282B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4042101A (en) * | 1975-11-04 | 1977-08-16 | Standard Conveyor Company | Accumulating conveyor |
US5320728A (en) * | 1990-03-30 | 1994-06-14 | Applied Materials, Inc. | Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity |
US5242566A (en) * | 1990-04-23 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter |
US6306265B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-10-23 | Applied Materials, Inc. | High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave |
US6228236B1 (en) | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Sputter magnetron having two rotation diameters |
US6663754B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-12-16 | Applied Materials, Inc. | Tubular magnet as center pole in unbalanced sputtering magnetron |
US7018515B2 (en) | 2004-03-24 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Selectable dual position magnetron |
US7686928B2 (en) | 2004-09-23 | 2010-03-30 | Applied Materials, Inc. | Pressure switched dual magnetron |
CN1944707A (zh) * | 2006-09-27 | 2007-04-11 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 磁控溅射镀膜机的永磁枪靶装置 |
US8557094B2 (en) * | 2006-10-05 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Sputtering chamber having auxiliary backside magnet to improve etch uniformity and magnetron producing sustained self sputtering of ruthenium and tantalum |
US7767064B2 (en) | 2006-10-27 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Position controlled dual magnetron |
CN201301339Y (zh) * | 2008-10-17 | 2009-09-02 | 湖南玉丰真空科学技术有限公司 | 一种高功率平面磁控溅射阴极 |
CN201309962Y (zh) * | 2008-11-10 | 2009-09-16 | 皇明太阳能集团有限公司 | 通过防护处理的磁控溅射圆柱靶 |
US8580094B2 (en) * | 2010-06-21 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Magnetron design for RF/DC physical vapor deposition |
-
2014
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5894199A (en) * | 1997-01-31 | 1999-04-13 | Litton Systems, Inc. | Tertiary field tuning of positive anode magnetron |
US6440282B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Sputtering reactor and method of using an unbalanced magnetron |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021505770A (ja) * | 2017-12-11 | 2021-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 改善されたターゲット冷却構成を有するマグネトロン |
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