JP2016520853A - フォトニック結晶 - Google Patents
フォトニック結晶 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016520853A JP2016520853A JP2016504584A JP2016504584A JP2016520853A JP 2016520853 A JP2016520853 A JP 2016520853A JP 2016504584 A JP2016504584 A JP 2016504584A JP 2016504584 A JP2016504584 A JP 2016504584A JP 2016520853 A JP2016520853 A JP 2016520853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimensional
- component
- photonic crystal
- group
- dielectric component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L25/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
- C08L25/04—Homopolymers or copolymers of styrene
- C08L25/06—Polystyrene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
- C08G65/002—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from unsaturated compounds
- C08G65/005—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from unsaturated compounds containing halogens
- C08G65/007—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from unsaturated compounds containing halogens containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
- C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
- C08L27/18—Homopolymers or copolymers or tetrafluoroethene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L37/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a heterocyclic ring containing oxygen; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D171/00—Coating compositions based on polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D171/02—Polyalkylene oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/54—Organic compounds
- C30B29/58—Macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/002—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials
- G02B1/005—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of materials engineered to provide properties not available in nature, e.g. metamaterials made of photonic crystals or photonic band gap materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/14—Polymer mixtures characterised by other features containing polymeric additives characterised by shape
- C08L2205/18—Spheres
Abstract
少なくともフッ素化ポリマーを含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶が開示される。2次元又は3次元のフォトニック結晶は、含浸オパール構造又は逆オパール構造を有する。【選択図】 なし
Description
本出願は、2013年3月26日に出願された欧州出願第13161078.4号に対する優先権を主張し、この出願の全内容は、すべての目的のために参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、2次元又は3次元のフォトニック結晶、及び、2次元又は3次元のフォトニック結晶の製造方法に関する。より詳しくは、本発明はフッ素化ポリマーを含む2次元又は3次元のフォトニック結晶に関する。
人工フォトニック結晶は、その潜在的な技術用途のため、光学分野において大きな関心を集めてきた(例えばLOPEZ,C. Materials Aspects of Photonic Crystals. Advanced Materials. 2003,vol.15,no.20,p.1679−1704参照)。フォトニック結晶は、光学フィルター、鋭角曲げ導波路、超低閾値レーザー、太陽電池、光リミッタ/スイッチ、カラーディスプレイ、スペクトル同調誘電体ミラー、クロマチック圧力センサー、及びセンサーデバイスを含む様々な用途での使用が期待されており、また広く研究されてきた。
国際公開第00/21905A号パンフレット(ALLIED SIGNAL INC[US])には、様々な用途に使用される、3次元構造の3次元周期配列を製造するための方法が開示されている。具体的には、この方法には、
(a)材料A(材料Aは少なくとも300℃まで機械的及び熱的に安定である)の球状体を、3次元周期性を有し、球状体間に空隙を有する第1の構造に結晶化させることと、
(b)この第1の構造を処理して材料Aの球状体間にくびれを形成することと、
(c)前記第1の構造に材料Bを含浸させてA−B複合体構造を形成することと、
(d)前記A−B複合体構造から材料Aを除去して材料Bを含む第2の構造を形成することと、
が含まれる。
(a)材料A(材料Aは少なくとも300℃まで機械的及び熱的に安定である)の球状体を、3次元周期性を有し、球状体間に空隙を有する第1の構造に結晶化させることと、
(b)この第1の構造を処理して材料Aの球状体間にくびれを形成することと、
(c)前記第1の構造に材料Bを含浸させてA−B複合体構造を形成することと、
(d)前記A−B複合体構造から材料Aを除去して材料Bを含む第2の構造を形成することと、
が含まれる。
材料Bとしては、この文献ではブロックコポリマー、好ましくは、「ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(プロピレンオキシド)、ポリ(ジメチルシロキサン)、又はポリエチレンオキシドのいずれかの結合を含むジブロック及びトリブロックのポリマー」が例示されている(22ページ、12〜14行目)。
したがって、この文献では、材料Aの複合体構造を製造すること、この構造に材料Bを含浸させること、及び、その後構造Aを取り除いて材料Bのみからなる構造を得ること、が教示されている。
光学用途目的のため、この文献では屈折率が1.35よりも大きい一連の含浸材料が列挙されている。
米国特許出願公開第2003185532号明細書(HOSOMI KAZUHIKO ET AL.)には、2次元構造中で周期構造的に配列した2つ以上の材料(2つの材料のうちの少なくとも1つはフッ化ポリイミドなどのポリマーである)を含む光機能性素子が開示されている。この文献では、更に、少なくとも1種のポリマーの温度を変えることによってフォトニック結晶の屈折率を制御することも教示されている。
米国特許出願公開第2007269178号明細書(ASAHI GLASS CO LTD[JP])には、フッ化アモルファスポリマーで作られた光導波路が開示されている。導波路はフォトニック結晶構造を有していてもよく、ポリマーは含フッ素環構造を有するモノマーとテトラフルオロエチレンとの共重合によって製造することができる。好ましい実施形態の記述では、ポリマー溶液をキャスト型に流し入れてプレートを得た後、プレートに穴開け加工を行って穴を開けることにより、光導波路を製造できることが説明されている。
米国特許出願公開第2011250453号明細書(BASF SE[DE])には、フォトニック結晶製造のためのポリマー粒子の使用、及び、ポリマーの水性ポリマー分散液を適切な支持体と接触させた後に水を留去して取り除くことによる結晶の製造方法が開示されている。
今回、良好な光学特性を有する2次元又は3次元のフォトニック結晶が、特定のフッ素化ポリマーを用いて簡便に製造できることが見出された。具体的には、国際公開第00/21905A号パンフレット(ALLIED SIGNAL INC[US])に開示されている光学用途用のポリマーよりも低い屈折率を有する特定のフッ素化ポリマーを含浸材料として使用することによって、光学特性が向上し、結晶の製造工程が室温においても工業スケールで行うのにより便利になることが見出された。
本発明の1つの態様では、少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含み屈折率がn1である少なくとも1つの第1の誘電体成分と、n1とは異なる屈折率n2を有する少なくとも1つの第2の成分とを含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶が提供される。
本発明の有利な態様では、屈折率がn2である成分を含む複数の最密充填された単分散球状体が、屈折率がn1である第1の誘電体成分を含むマトリックス中に含まれる、いわゆるオパール構造を有する3次元フォトニック結晶が提供される。
本発明の別の態様では、複数の最密充填された単分散の球状の空気空隙が、フッ素化ポリマーを含む第1の誘電体成分を含むマトリックス中に含まれる、いわゆる逆オパール構造を有する3次元フォトニック結晶が提供される。
本発明の別の態様では、2次元又は3次元のフォトニック結晶の製造方法が提供される。
本発明の更に別の態様では、本発明の2次元又は3次元のフォトニック結晶を含むデバイスが提供される。
本発明の第1の目的は、少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含み屈折率がn1である少なくとも1つの第1の誘電体成分と、n1とは異なる屈折率n2を有する少なくとも1つの第2の成分とを含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶である。
「フォトニック結晶」という表現は、本明細書においては、異なる屈折率を有する材料同士が周期配列をとる光学構造のことをいう、従来の意味で使用される。フォトニック結晶は、一般的にはその屈折率に空間周期性のある材料として定義される。
フォトニック結晶は、電磁波の伝搬や、自然放出/誘導放出及び関連現象などの放射再結合プロセスに影響を与える周期的誘電体ナノ構造から構成される。フォトニック結晶は、高屈折率と低屈折率の規則的な繰り返し領域を有する。光子はその波長によって、この構造を伝搬したり伝搬しなかったりする。伝搬が許容される波長はモードとして知られ、許容モードの群はバンドを形成する。許容されない波長のバンドはフォトニック「ストップバンド」と呼ばれる。
2次元フォトニック結晶では、屈折率の周期的変化は2つの方向に沿って、典型的には2つの直行軸に沿って生じる。
3次元フォトニック結晶では、屈折率の周期的変化は3つの方向に沿って、典型的には3つの直行軸に沿って生じる。
本発明のフォトニック結晶は、異なる屈折率n1及びn2を有する少なくとも2つの成分を含む。
第1の誘電体成分
第1の誘電体成分は、少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含む。
第1の誘電体成分は、少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含む。
少なくとも1種のフッ素化ポリマーは、通常少なくとも1.200、より典型的には少なくとも1.250のバルク屈折率nFPを特徴とする。フッ素化ポリマーは、通常1.440を超えない、より典型的には、1.400を超えないバルク屈折率nFPを有する。好ましい実施形態によれば、バルク屈折率nFPは1.350を超えず、好ましくは1.250〜1.350の範囲である。「バルク屈折率」という表現は、本明細書において、フッ素化ポリマーからなる試料の屈折率のことをいうために使用される。
典型的には、第1の誘電体成分は、少なくとも50重量%、好ましくは少なくとも60重量%、より好ましくは75重量%、更に好ましくは85重量%の少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含む。有利には、第1の誘電体成分は、90重量%より多い、更には95重量%より多い、少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含む。第1の誘電体成分は、少なくとも1種のフッ素化ポリマーからなっていてもよい。
第1の誘電体成分には追加的な成分を存在させることもできる。第1の誘電体成分のための可能な追加的成分としては、粘度調整剤、溶媒、乳化剤、有機又は無機の蛍光発色団、りん光材料、化学発光材料、非線形光学材料、電荷輸送ドーパント、ケミカルレセプターなどが挙げられる。
第1の誘電体成分のフッ素化ポリマーについて言及する際の「少なくとも1種」という表現は、1種又は2種以上のフッ素化ポリマーが存在していてもよいことを示す。好ましくは、第1の誘電体成分には1種のフッ素化ポリマーのみ含まれる。
第1の誘電体成分が1種のフッ素化ポリマーからなる場合、屈折率n1はフッ素化ポリマーのバルク屈折率nFPと一致するであろう。
第1の誘電体成分に2種以上のフッ素化ポリマーが含まれる場合、あるいは追加的成分が含まれる場合、第1の誘電体成分の有効屈折率n1は、GHER,R.J.,et al.Optical properties of nanostructured optical materials.Chem.Mater.1996,vol.8,p.1807−1819に記載のように、適切な有効媒体近似に従って計算することができる。
第1の誘電体成分は、適切な光学特性を有している限り、いずれの種類のフッ素化ポリマーを含んでいてもよい。「フッ素化ポリマー」という表現は、本明細書においてはフッ素原子を有する繰り返し単位を含むあらゆるポリマーのことをいうために使用される。
第1の誘電体成分中で使用するために好適なフッ素化ポリマーの第1の分類は、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーからなる群から選択されるものである。
ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーは、当該技術分野で公知である。これらは、例えば欧州特許出願公開第803557A号明細書(SOLVAY SOLEXIS SPA)(1997年10月29日)、欧州特許出願公開第1256591A号明細書(SOLVAY SOLEXIS SPA)(2002年11月13日)、欧州特許出願公開第645406A号明細書(DU PONT DE NEMOURS)(1995年3月29日)、及び欧州特許出願公開第303298A号明細書(ASAHI GLASS COMPANY)(1989年2月15日)の中に記載されている。
ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーの非限定的な例は、
−式(I)のフルオロジオキソール
(式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択される)、
−式(II)のフルオロジオキソラン
(式中、R5及びR6は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択される)、及び
−式(III)の環化重合可能なモノマー
CR7R8=CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14=CR15R16 (III)
(式中、各R7〜R16は互いに独立に、−F及びC1〜C3のフルオロアルキルから選択され、aは0又は1であり、bは0又は1である。ただし、aが1の場合はbは0である。)、
からなる群から選択される少なくとも1種のフッ素化モノマー由来の繰り返し単位を含むものである。
−式(I)のフルオロジオキソール
(式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択される)、
−式(II)のフルオロジオキソラン
(式中、R5及びR6は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択される)、及び
−式(III)の環化重合可能なモノマー
CR7R8=CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14=CR15R16 (III)
(式中、各R7〜R16は互いに独立に、−F及びC1〜C3のフルオロアルキルから選択され、aは0又は1であり、bは0又は1である。ただし、aが1の場合はbは0である。)、
からなる群から選択される少なくとも1種のフッ素化モノマー由来の繰り返し単位を含むものである。
好ましくは、第1の誘電体成分に好適な、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーは、
−テトラフルオロエチレンと上で定義した式(I)のフルオロジオキソールとのコポリマー(式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択され、好ましくは式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、C1〜C3のパーフルオロフルオロアルキル(例えば−CF3、−C2F5、−C3F7など)、及び任意選択的に1つの酸素原子を含んでいてもよいC1〜C3のパーフルオロアルコキシ(例えば−OCF3、−OC2F5、−OC3F7、−OCF2CF2OCF3など)からなる群から選択され、より好ましくは式中、R1=R2=−Fであり、R3=R4はC1〜C3のパーフルオロアルキルであり、好ましくは R3=R4=−CF3であるか、式中、R1=R3=R4=−Fであり、R2は例えば−OCF3、−OC2F5、−OC3F7などのC1〜C3のパーフルオロアルコキシである)、及び
−上で定義した式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むポリマー(式中、各R7〜R16は互いに独立に、−F、及びC1〜C3のフルオロアルキルから選択され、aは0又は1であり、bは0又は1である。ただし、aが1の場合はbは0である。好ましくは、式(III)において、各R7〜R16は−Fである。より好ましくは、式(III)において、各R7〜R16は−Fであり、a=1であり、b=0である。)、
からなる群から選択されるものである。
−テトラフルオロエチレンと上で定義した式(I)のフルオロジオキソールとのコポリマー(式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択され、好ましくは式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、C1〜C3のパーフルオロフルオロアルキル(例えば−CF3、−C2F5、−C3F7など)、及び任意選択的に1つの酸素原子を含んでいてもよいC1〜C3のパーフルオロアルコキシ(例えば−OCF3、−OC2F5、−OC3F7、−OCF2CF2OCF3など)からなる群から選択され、より好ましくは式中、R1=R2=−Fであり、R3=R4はC1〜C3のパーフルオロアルキルであり、好ましくは R3=R4=−CF3であるか、式中、R1=R3=R4=−Fであり、R2は例えば−OCF3、−OC2F5、−OC3F7などのC1〜C3のパーフルオロアルコキシである)、及び
−上で定義した式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むポリマー(式中、各R7〜R16は互いに独立に、−F、及びC1〜C3のフルオロアルキルから選択され、aは0又は1であり、bは0又は1である。ただし、aが1の場合はbは0である。好ましくは、式(III)において、各R7〜R16は−Fである。より好ましくは、式(III)において、各R7〜R16は−Fであり、a=1であり、b=0である。)、
からなる群から選択されるものである。
より好ましくは、第1の誘電体成分のための、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーは、
−テトラフルオロエチレンと上で定義した式(I)のフルオロジオキソールとのコポリマー(式中、R1=R3=R4=−F及びR2=−OCF3であるか、R1=R2=−F及びR3=R4=−CF3である)、及び
−上で定義した式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むポリマー(式中、各R7〜R16は−Fであり、a=1及びb=0である)、
からなる群から選択されるものである。
−テトラフルオロエチレンと上で定義した式(I)のフルオロジオキソールとのコポリマー(式中、R1=R3=R4=−F及びR2=−OCF3であるか、R1=R2=−F及びR3=R4=−CF3である)、及び
−上で定義した式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むポリマー(式中、各R7〜R16は−Fであり、a=1及びb=0である)、
からなる群から選択されるものである。
更に好ましくは、第1の誘電体成分のための、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーは、
−テトラフルオロエチレンと上で定義した式(I)のフルオロジオキソールとのアモルファスコポリマー(式中、R1=R3=R4=−F及びR2=−OCF3であるか、式中、R1=R2=−F及び R3=R4=−CF3 である)、及び
−上で定義した式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むアモルファスポリマー(式中、各R7〜R16は−Fであり、a=1及びb=0である)、
からなる群から選択されるものである。
−テトラフルオロエチレンと上で定義した式(I)のフルオロジオキソールとのアモルファスコポリマー(式中、R1=R3=R4=−F及びR2=−OCF3であるか、式中、R1=R2=−F及び R3=R4=−CF3 である)、及び
−上で定義した式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むアモルファスポリマー(式中、各R7〜R16は−Fであり、a=1及びb=0である)、
からなる群から選択されるものである。
用語「アモルファス」は、本明細書においては結晶性がない材料のことをいうために使用される。本発明の目的のためには、アモルファス材料は、ASTM D3418−08に従う示差走査熱量測定(DSC)によって決定される5J/g未満の融解熱によって特徴づけられる材料であることが意図される。
本発明のフォトニック結晶に好適な、式(I)のフルオロジオキソール由来の繰り返し単位を含むアモルファスフッ素化ポリマーは、商品名HYFLON(登録商標)AD(Solvay Specialty Polymers Italy SpA)、及びTEFLON(登録商標)AF(Du Pont)として市販されており、式(III)の環化重合可能なモノマー由来の繰り返し単位を含むアモルファスポリマーは、商品名CYTOP(登録商標)(Asahi Glass Company)として市販されている。
式(I)のフルオロジオキソール由来又は式(III)のモノマー由来の繰り返し単位を含むアモルファスフッ素化ポリマーは、典型的には1.298〜1.334のバルク屈折率nFP、すなわち好ましい範囲1.250〜1.350の範囲内の屈折率を有している。
第1の誘電体成分中での使用に好適な第2の分類のフッ素化ポリマーは、フルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーからなる群から選択されるものである。
特に、フルオロポリエーテル鎖を有する好適なエラストマーの非限定的な例は、フルオロポリオキシアルキレン鎖(Rf)及び少なくとも2つの不飽和部位を有する少なくとも1種の官能性フルオロポリエーテル化合物と、少なくとも1種の光開始剤と、を含む組成物のUV硬化によって得られるエラストマーが開示されている、国際公開第2010/094661号パンフレット(SOLVAY SOLEXIS SPA)(2010年8月26日)中で見ることができる。
官能性フルオロポリエーテル化合物は、式(IV)の化合物の中から選択することができる:
T1−J−Rf−J’−T2(IV)
(式中、
Rfは、一般式:−(CF2)k−CFZ−O−(kは0〜3の整数であり、Zはフッ素原子又は任意選択的に1つ以上の酸素原子を有していてもよいC1〜C5のパーフルオロアルキル基である)の繰り返し単位を有するフルオロポリオキシアルキレン鎖を表し、好ましくはRfは、式:−(CF2O)p(CF2CF2O)q(CFYO)r(CF2CFYO)s−(CF2(CF2)zCF2O)t−
(ここで、Yは任意選択的に1つ以上の酸素原子を有していてもよいC1〜C5のパーフルオロアルキル基であり、zは1又は2であり、p、q、r、s、tは≧0の整数である)を満たし、より好ましくは鎖Rfは式:−(CF2O)p’(CF2CF2O)q’−(ここで、p’及びq’は≧0の整数であり、前記鎖Rfは典型的には1000より大きく3500よりも小さい平均分子量を有する)であり、
J及びJ’は、互いに同じ又は異なり、独立に結合又は二価の架橋基であり、
T1及びT2は、互いに同じ又は異なり、
(A) −O−CO−CRH=CH2、
(B) −O−CO−NH−CO−CRH=CH2、
(C) −O−CO−RA−CRH=CH2
(RHはH又はC1〜C6のアルキル基であり、RAは
(j) −NH−RB−O−CO−及び
(jj) −NH−RB−NHCOO−RB−OCO−からなる群から選択され、
RBはC1〜C10の脂肪族基、C5〜C14の脂環式基、C6〜C14の芳香族若しくはアルキル芳香族基からなる群から選択される二価の基である)からなる群から選択される)。
T1−J−Rf−J’−T2(IV)
(式中、
Rfは、一般式:−(CF2)k−CFZ−O−(kは0〜3の整数であり、Zはフッ素原子又は任意選択的に1つ以上の酸素原子を有していてもよいC1〜C5のパーフルオロアルキル基である)の繰り返し単位を有するフルオロポリオキシアルキレン鎖を表し、好ましくはRfは、式:−(CF2O)p(CF2CF2O)q(CFYO)r(CF2CFYO)s−(CF2(CF2)zCF2O)t−
(ここで、Yは任意選択的に1つ以上の酸素原子を有していてもよいC1〜C5のパーフルオロアルキル基であり、zは1又は2であり、p、q、r、s、tは≧0の整数である)を満たし、より好ましくは鎖Rfは式:−(CF2O)p’(CF2CF2O)q’−(ここで、p’及びq’は≧0の整数であり、前記鎖Rfは典型的には1000より大きく3500よりも小さい平均分子量を有する)であり、
J及びJ’は、互いに同じ又は異なり、独立に結合又は二価の架橋基であり、
T1及びT2は、互いに同じ又は異なり、
(A) −O−CO−CRH=CH2、
(B) −O−CO−NH−CO−CRH=CH2、
(C) −O−CO−RA−CRH=CH2
(RHはH又はC1〜C6のアルキル基であり、RAは
(j) −NH−RB−O−CO−及び
(jj) −NH−RB−NHCOO−RB−OCO−からなる群から選択され、
RBはC1〜C10の脂肪族基、C5〜C14の脂環式基、C6〜C14の芳香族若しくはアルキル芳香族基からなる群から選択される二価の基である)からなる群から選択される)。
式(IV)において、鎖Rfは好ましくは1000〜3000、より好ましくは1100〜3000、更に好ましくは1100〜2500の平均分子量を有する。したがって、上で詳述したような対応する好ましい構造では、p、q、r、s、t、p’及びq’はこれらの分子量の要件を満たすように選択される整数を表すことが理解される。
好適な式(IV)の化合物の非限定的な例は、
(式(i)〜(iv)中、p’及びq’は鎖Rfの平均分子量が好ましくは1000〜3500の間に含まれるように選択される)
からなる群から選択されるものである。
(式(i)〜(iv)中、p’及びq’は鎖Rfの平均分子量が好ましくは1000〜3500の間に含まれるように選択される)
からなる群から選択されるものである。
UV硬化によるエラストマー系ポリマーの調製に好適な組成物は、Solvay Specialty Polymers Italy SpAから、商品名Fluorolink(登録商標)として市販されている(例えばFluorolink(登録商標)MD500 PFPE)。
好ましい実施形態によれば、式(IV)の官能性フルオロポリエーテル化合物のUV硬化によって得ることのできるエラストマー系ポリマーは、1.250〜1.350のバルク屈折率nFPを有するものである。
第1の誘電体成分中で使用するための第3の分類の好適なフッ素化ポリマーは、フルオロエラストマーからなる群から選択されるものである。典型的なフルオロエラストマーはアモルファスポリマーであり、室温未満の、ほとんどの場合0℃未満のガラス転移温度(Tg)を有する。
好適なフルオロエラストマーは、有利には、フッ化ビニリデン由来の、及び/又はテトラフルオロエチレン由来の繰り返し単位を含む。
好ましくは、本発明のフォトニック結晶中の第1の誘電体成分として使用されるフルオロエラストマーは、フッ化ビニリデン由来の、及び/又はテトラフルオロエチレン由来の繰り返し単位と、少なくとも1種の他のフッ素化モノマーとからなる。特に、好適なフッ素化モノマーは、
−式CF2=CFOR17(式中、R17はC1〜C6のフルオロアルキル、例えば−CF3、−C2F5、−C3F7である)のフルオロアルキルビニルエーテル、
−式CFX=CX1OR18(式中、X及びX1は互いに独立に、−H及び−Fから選択され、R18は1つ以上のエーテル基を有するC1〜C12のパーフルオロオキシアルキル、例えばパーフルオロ−2−プロポキシ−プロピルである)のフルオロ−オキシアルキルビニルエーテル、特には一般式:CFX=CX1OCF2OR19(式中、R19は C2〜C6の直鎖又は分岐のフルオロアルキル、C5〜C6の環状フルオロアルキル、1〜3個の酸素原子を有するC2〜C6の直鎖又は分岐のフルオロオキシアルキルから選択される)の化合物であり、好ましくは以下:CF2=CFOCF2OCF2CF3、CF2=CFOCF2OCF2CF2OCF3、CF2=CFOCF2OCF3から選択される、フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル、
から選択される。
−式CF2=CFOR17(式中、R17はC1〜C6のフルオロアルキル、例えば−CF3、−C2F5、−C3F7である)のフルオロアルキルビニルエーテル、
−式CFX=CX1OR18(式中、X及びX1は互いに独立に、−H及び−Fから選択され、R18は1つ以上のエーテル基を有するC1〜C12のパーフルオロオキシアルキル、例えばパーフルオロ−2−プロポキシ−プロピルである)のフルオロ−オキシアルキルビニルエーテル、特には一般式:CFX=CX1OCF2OR19(式中、R19は C2〜C6の直鎖又は分岐のフルオロアルキル、C5〜C6の環状フルオロアルキル、1〜3個の酸素原子を有するC2〜C6の直鎖又は分岐のフルオロオキシアルキルから選択される)の化合物であり、好ましくは以下:CF2=CFOCF2OCF2CF3、CF2=CFOCF2OCF2CF2OCF3、CF2=CFOCF2OCF3から選択される、フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル、
から選択される。
フルオロエラストマーは、任意選択的に水素原子、塩素及び/又は臭素及び/又はヨウ素を含んでいてもよいC3〜C8のフルオロオレフィン由来の繰り返し単位、C2〜C8の非フッ素化オレフィン、好ましくはエチレン及び/又はプロピレン由来の繰り返し単位を任意選択的に含むことができる。
第1の誘電体成分中で使用するための好適なフルオロエラストマーは、例えば米国特許第5585449号明細書(AUSIMONT SPA)(1996年12月17日)、米国特許第5264509号明細書(AUSIMONT SPA)(1993年11月23日)、欧州特許出願公開第683149A号明細書(AUSIMONT SPA)(1996年11月22日)、又は欧州特許出願公開第1626068A号明細書(SOLVAY SOLEXIS SPA)(2006年2月15日)中に記載されているものである。
フルオロエラストマーは、米国特許第5585449号明細書(AUSIMONT SPA)(1993年12月17日)に記載されているようなビス−オレフィン由来の繰り返し単位を、任意選択的に0.01〜1.00mol%含むことができる。
好適なフルオロエラストマーの特筆すべき非限定的な例は、例えばフッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロペンとテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとのコポリマー;フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロペンと任意選択的なテトラフルオロエチレンとのコポリマー;フッ化ビニリデンとパーフルオロアルキルビニルエーテルと任意選択的なテトラフルオロエチレンとのコポリマー;フッ化ビニリデンと、C2〜C8非フッ素化オレフィンと、ヘキサフルオロプロピレンと、及び/又はパーフルオロアルキルビニルエーテルと、テトラフルオロエチレンとのコポリマー;フッ化ビニリデンとフルオロメトキシビニルエーテルとを含み、任意選択的にパーフルオロアルキルビニルエーテルとテトラフルオロエチレンとを含むコポリマー;
テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとのコポリマー;である。
テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとのコポリマー;である。
好ましくは、第1の誘電体成分のためのフルオロエラストマーは、フッ化ビニリデン(55〜85mol%)と、ヘキサフルオロプロペン(15〜45mol%)と、任意選択的なテトラフルオロエチレン(0〜30mol%)とのコポリマー;フッ化ビニリデン(50〜80mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル(5〜50mol%)と、任意選択的なテトラフルオロエチレン(0〜20mol%)とのコポリマー;フッ化ビニリデン(20〜30mol%)と、C2〜C8非フッ素化オレフィン(10〜30mol%)と、ヘキサフルオロプロピレンと、及び/又はパーフルオロアルキルビニルエーテル(18〜27mol%)と、テトラフルオロエチレン(10〜30mol%)とのコポリマー;フッ化ビニリデン(50〜80mol%)とフルオロメトキシビニルエーテル(20〜50mol%)とを含み、任意選択的にテトラフルオロエチレン(0〜20mol%)を含むコポリマー;
テトラフルオロエチレン(50〜80mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル(20〜50mol%)とのコポリマー;
テトラフルオロエチレン(50〜80mol%)と、パーフルオロメトキシビニルエーテル(20〜50mol%)とのコポリマー;テトラフルオロエチレン(45〜65mol%)と、C2〜C8非フッ素化オレフィン(10〜40mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル又はフッ化ビニリデン(0〜40mol%)とのコポリマー;テトラフルオロエチレン(33〜75mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル(15〜45mol%)と、フッ化ビニリデン(10〜22mol%)とのコポリマー;からなる群から選択されるものである。
テトラフルオロエチレン(50〜80mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル(20〜50mol%)とのコポリマー;
テトラフルオロエチレン(50〜80mol%)と、パーフルオロメトキシビニルエーテル(20〜50mol%)とのコポリマー;テトラフルオロエチレン(45〜65mol%)と、C2〜C8非フッ素化オレフィン(10〜40mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル又はフッ化ビニリデン(0〜40mol%)とのコポリマー;テトラフルオロエチレン(33〜75mol%)と、パーフルオロアルキルビニルエーテル(15〜45mol%)と、フッ化ビニリデン(10〜22mol%)とのコポリマー;からなる群から選択されるものである。
上述したフルオロエラストマーのバルク屈折率nFPは、典型的には1.320〜1.400である。
本発明のフォトニック結晶に好適なフルオロエラストマーは、商品名TECNOFLON(登録商標)(Solvay Specialty Polymers Italy SpA)、TECNOFLON(登録商標)PFR(Solvay Specialty Polymers Italy SpA)、VITON(登録商標)(Du Pont)、KALREZ(登録商標)(Du Pont)、DAIEL(登録商標)(Daikin)、FLUOREL(登録商標)(Dyneon,3M)として市販されている。
第1の誘電体成分中で使用するための第4の分類の好適なフッ素化ポリマーは、フルオロシリコーンゴム(FVMQ)からなる群から選択されるものであり、例えば、PIERCE,O.R.,et al.Fluorosilicone rubber.Industrial and Engineering Chemistry Research. 1960,vol.52,p.783−784.and in CORNELIUS,D.J.,et al.The unique properties of silicone and fluorosilicone elastomers.Polym.& Eng.Science.1985,vol.25,p.467−473に記載されているものである。
フルオロシリコーンゴムは、典型的には下記式(V)の繰り返し単位
−(Si(CH3)(RF)−O−)− (V)
(式中、RFはC1〜C6のフルオロアルキルであり、典型的には−CH2CH2CF3である)を含む。
−(Si(CH3)(RF)−O−)− (V)
(式中、RFはC1〜C6のフルオロアルキルであり、典型的には−CH2CH2CF3である)を含む。
本発明のフォトニック結晶に好適なフルオロシリコーンゴムは、商品名Silastic(登録商標)(Dow Corning)、FQE(登録商標)/FSE(登録商標)(Momentive Performance Materials)、FE(登録商標)(Shin−Etsu)、ELASTOSIL(登録商標)FLR(Wacker)として市販されている。
第1の誘電体成分のためのフッ素化ポリマーは、好ましくはポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーと、上で定義したようなフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーとからなる群から選択される。より好ましくは、前記フッ素化ポリマーはバルク屈折率nFPが1.350を超えないもの、好ましくは1.250〜1.350の範囲であるものから選択される。このようなフッ素化ポリマーを選択することで、光学特性(例えばバンドギャップスペクトルの位置及びそのバンド幅)を特定のニーズにあわせて調整することができ、かつ工業スケールで室温で簡便に製造することができるフォトニック結晶を得られることが実際に確認された。
第2の成分
フッ素化ポリマーを含む第1の誘電体成分に加えて、本発明のフォトニック結晶は少なくとも1つの第2の成分を含む。第2の成分は、第1の誘電体成分の屈折率n1とは異なる屈折率n2を有することによって特徴づけられる。
フッ素化ポリマーを含む第1の誘電体成分に加えて、本発明のフォトニック結晶は少なくとも1つの第2の成分を含む。第2の成分は、第1の誘電体成分の屈折率n1とは異なる屈折率n2を有することによって特徴づけられる。
第2の成分の性質に制限はない。
典型的には、第1の誘電体成分の屈折率n1と第2の成分の屈折率n2との間の差は、絶対値で少なくとも0.001単位であり、好ましくは少なくとも0.005単位である。
本発明のフォトニック結晶の第1の好ましい実施形態では、第2の成分は誘電体であり、以降「第2の誘電体成分」という。
前記第1の実施形態の第1の態様では、第2の誘電体成分は、n1よりも大きい屈折率n2を有する。屈折率n2は、n1よりも少なくとも0.001単位大きく、好ましくはn1よりも少なくとも0.005単位大きい。通常、n1とn2の差の絶対値が大きいほど、フォトニック結晶のフォトニックストップバンドの幅も大きくなる。したがって、差|n2−n1|の上限は、フォトニック結晶の最終用途によって決められるであろう。
第2の誘電体成分は有機物であっても無機物であってもよい。第2の誘電体成分のための好適な有機材料の中でも、
高分子材料、特には第1の誘電体成分の屈折率n1
よりも少なくとも0.001単位大きい屈折率n2を有する高分子材料を挙げることができる。
高分子材料、特には第1の誘電体成分の屈折率n1
よりも少なくとも0.001単位大きい屈折率n2を有する高分子材料を挙げることができる。
好適な高分子材料の非限定的な例は、例えばポリ(メチルメタクリレート)(nPMMA=1.494)、ポリカーボネート(nPC=1.590)、ポリスチレン(nPS=1.597)、ポリ(スチレン−co−アクリロニトリル)(nSAN=1.572)、ポリ(ビニルカルバゾール)(nPVK=1.683)、セルロースアセテート(nCA=1.477)である。
本発明の第1の実施形態の有利な態様では、第2の誘電体成分はポリ(メチルメタクリレート)、ポリカーボネート、ポリスチレン、セルロースアセテート、及びポリ(ビニルカルバゾール)からなる群から選択される有機材料である。
第2の誘電体成分は無機物であってもよい。好適な無機材料の非限定的な例は、例えばシリカ(nSiO2=1.458)、チタニア(nTiO2=2.460)、ハフニア(nHfO2=1.888)、シリコン(nSi=3.497)及びゲルマニウム(nGe=4.545)である。
本発明の第1の実施形態の第2の態様では、第2の誘電体成分はn1より小さい屈折率n2を有する。屈折率n2は、典型的にはn1よりも少なくとも0.001単位小さく、好ましくはn1よりも少なくとも0.005単位小さい。屈折率n2は1以上である。
第1の実施形態のこの第2の形態の第2の誘電体成分は、典型的には空気である。この第2の態様の第2の誘電体成分は、あるいはエアロゲルや多孔質ポリマー構造などの、屈折率が低く高度に多孔質の材料とすることもできる。
本発明のフォトニック結晶の第2の実施形態では、第2の成分は金属、又は、金属を含む上で定義したような誘電体である。n1とは異なる屈折率n2を有する限り、いずれの金属もこの第2の実施形態のフォトニック結晶に好適に用いることができる。
フォトニック結晶
本発明のフォトニック結晶は、2次元構造又は3次元構造中で周期的に配列した、少なくとも第1の誘電体成分と、第2の成分とを含む。好ましくは、本発明のフォトニック結晶は、2次元構造又は3次元構造中で周期的に配列した、少なくとも第1の誘電体成分と、第2の誘電体成分とを含む。
本発明のフォトニック結晶は、2次元構造又は3次元構造中で周期的に配列した、少なくとも第1の誘電体成分と、第2の成分とを含む。好ましくは、本発明のフォトニック結晶は、2次元構造又は3次元構造中で周期的に配列した、少なくとも第1の誘電体成分と、第2の誘電体成分とを含む。
その配列が少なくとも2つの方向における少なくとも1つのフォトニックストップバンドの存在によって特徴づけられる結晶格子を作る限り、第1と第2の成分の周期配列のタイプに制限はない。
本発明の第1の実施形態では、フォトニック結晶は2次元フォトニック結晶である。すなわち屈折率の周期変化は2つの方向に沿って生じ、屈折率は第3の方向に沿って均一である。
好適な2次元フォトニック結晶構造の非限定的な例は、ほぼ無限長の誘電体円柱の正方格子によって与えられる。円柱の間隔の特定の値では、結晶はxy平面上にフォトニックバンドギャップを有することができる。このギャップ内では、入射光は反射される。誘電体円柱が第1の誘電体成分からなり、第2の成分(例えば空気)が円柱間の空間を満たしていてもよい。
あるいは、円柱が第2の成分からなり、フルオロポリマーを含む第1の誘電体成分が円柱間の空間を満たしていてもよい。
2次元フォトニック結晶の更なる非限定的な例は、xy平面上に規則的に配列している単分散球状体の1つの単層によって与えられる。有利には、球状体が第2の成分からなり、隣接する球状体によって画定される隙間を第1の誘電体成分が満たしていてもよい。
本発明の第2の実施形態では、フォトニック結晶は3次元フォトニック結晶である。すなわち、屈折率の周期変化は3つの方向に沿って生じる。
本発明の3次元フォトニック結晶は、いわゆるオパール構造、すなわち複数の単分散球状体が3次元結晶構造中に規則的に配列している構造、を有していてもよい。複数の単分散球状体は、結晶構造中で最密充填されている。
結晶構造は、典型的には六方最密充填又は面心立方格子であり、好ましくは面心立方格子である。
フォトニック結晶を使用することができるスペクトル領域は、公知の物理的関係によって、構成材料の屈折率及び単分散球状体の直径から決定される。例えば、ストップバンドが電磁スペクトルの可視〜近赤外領域に位置するフォトニック結晶を得るためには、50nmから、好ましくは100nmから、1000nmまで、より典型的には800nmまでの直径の単分散球状体を使用することができる。
本発明では、200〜700nmの直径を有する単分散球状体で有利な結果が得られた。
用語「単分散」は、本明細書においては、球状体の平均径が5%を超えない、好ましくは3%を超えない標準偏差を有することを示すために使用される。
3次元結晶構造中で配列している複数の単分散球状体は、3つの直交方向で、隣接する球状体の間に複数の隙間を画定する。通常、前記隙間は連続的に接触しており、単分散球状体を埋める連続的なマトリックスを形成する。用語「隙間」及び「マトリックス」は、以降フォトニック結晶中の複数の球状体によって画定される複数の隙間の総体積を示すために使用される。
3次元結晶構造中の隙間は、単分散球状体の屈折率とは異なる屈折率を有する材料で満たされる。
本発明の第1の好ましい実施形態では、フォトニック結晶は、隙間を画定する3次元結晶構造中に規則的に配列した、第2の誘電体成分から作られる、好ましくは第2の誘電体成分から作られる、複数の単分散球状体を含み、第1の誘電体成分が隙間を満たしている。
第2の成分は、上で定義したように、第1の誘電体成分の屈折率n1よりも大きいあるいは小さい屈折率n2を有していてもよい。好ましくは、第2の成分は第2の誘電体成分である。
この実施形態の第1の態様では、第2の誘電体成分は第1の誘電体成分の屈折率n1よりも大きい屈折率n2を有する。第2の誘電体成分は有機物であっても無機物であってもよい。
有利には、第1の誘電体成分は1.200〜1.440、好ましくは1.250〜1.400の間に含まれるバルク屈折率nFPを有する1種のフルオロポリマーを含んでいてもよい。その場合、第2の誘電体成分は、簡便には、ポリ(メチルメタクリレート)、セルロースアセテート、ポリカーボネート、ポリスチレン、及びポリ(ビニルカルバゾール)からなる有機高分子材料の群から選択される。第2の誘電体成分に好適な無機材料は、シリカ、ゲルマニウム、チタニア、及びハフニアからなる群から選択することができる。
好ましくは、第1の誘電体成分は、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマー、フルオロポリエーテル鎖を有するエラストマー、フルオロエラストマー、及びフルオロシリコーンゴムからなる群から選択される。
より好ましくは、第1の誘電体成分は、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマーと、上で詳述したようなフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーとからなる群から選択される。
本発明の有利な態様では、フォトニック結晶は、テトラフルオロエチレン由来及び式(I)のフルオロジオキソール由来の繰り返し単位を含むアモルファスフッ素化ポリマーと上で詳述したようなフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーとからなる群から選択される第1の誘電体成分、及び、ポリ(メチルメタクリレート)とポリスチレンとシリカとからなる群から選択される第2の誘電体成分を含む。
より好ましくは、第1の誘電体成分はフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーであり、第2の誘電体成分はポリ(メチルメタクリレート)、ポリスチレン、及びシリカからなる群から選択される。
有利には、本発明のフォトニック結晶は、隙間を画定する3次元結晶構造中で規則的に配列した、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリスチレン、又はシリカからなる複数の単分散球状体を含み、上で詳述したようなフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーが隙間を満たしている。隙間の中の、フルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーは、好都合には1.300〜1.350の屈折率nFPを有する。
3次元結晶構造中に規則的に配列した平均径300nmのポリスチレンからなる複数の単分散球状体を含み、フルオロポリエーテル鎖を有し屈折率nFPが1.300〜1.350であるエラストマー(Solvay Specialty Polymers Italy SpAから商品名FLUOROLINK(登録商標) PFPE MD500として販売)を隙間に含むフォトニック結晶は、720nm前後のフォトニックストップバンドを有することが見出された。
3次元結晶構造中に規則的に配列した平均径300nmのポリスチレンからなる複数の単分散球状体を含み、テトラフルオロエチレンと上で定義したような式(I)のフルオロジオキソール(式中、R1=R3=R4=−Fであり、R2=−OCF3)と由来の繰り返し単位を有し屈折率nFPが1.300〜1.334であるアモルファスフッ素化ポリマー(Solvay Specialty Polymers Italy SpAから商品名HYFLON(登録商標)AD60として販売)を隙間に含むフォトニック結晶は、690nm前後のフォトニックストップバンドを有することが見出された。
第二第2の誘電体成分が第1の誘電体成分の屈折率n1よりも小さい屈折率n2を有する場合、第2の誘電体成分は典型的には空気である。この実施形態では、3次元フォトニック結晶は、いわゆる「逆オパール構造」を有する。すなわち、3次元フォトニック結晶は、第1の誘電体成分を含むマトリックス中に埋め込まれた、3次元構造中に規則的に配列している複数の単分散球状空隙を含んでいる。第1の誘電体成分は、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するアモルファスフッ素化ポリマーと、上で定義したフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーとからなる群から選択することができる。
本発明の別の実施形態では、フォトニック結晶は、隙間を画定する3次元結晶構造中に規則的に配列した、第1の誘電体成分から作られる複数の単分散球状体を含み、第2の成分が隙間を満たしている。フォトニック結晶の第1の実施形態に与えられる定義及び選択は、この別の実施形態に等しく適用される。
本発明の2次元又は3次元のフォトニック結晶は、2次元又は3次元の周期構造中に第1の誘電体成分と第2の成分とを配列させ、フォトニックストップバンドを得ることによって製造することができる。
本発明の2次元又は3次元のフォトニック結晶は、
−第1の誘電体成分、又は第2の成分、又はこれらの前駆体を、隙間を画定する周期的な2次元又は3次元構造に配列させる工程と、
−2次元又は3次元の周期構造に第2の成分又は第1の誘電体成分又はこれらの前駆体を含浸させ、隙間を満たす工程と、
を含み、2次元又は3次元の周期構造が第1の誘電体成分から作られる場合、隙間は第2の成分で満たされ、逆もまた同様である方法によって簡便に製造することができる。
−第1の誘電体成分、又は第2の成分、又はこれらの前駆体を、隙間を画定する周期的な2次元又は3次元構造に配列させる工程と、
−2次元又は3次元の周期構造に第2の成分又は第1の誘電体成分又はこれらの前駆体を含浸させ、隙間を満たす工程と、
を含み、2次元又は3次元の周期構造が第1の誘電体成分から作られる場合、隙間は第2の成分で満たされ、逆もまた同様である方法によって簡便に製造することができる。
本発明のある実施形態では、
−2次元又は3次元の結晶構造中に規則的に配列した、第1の誘電体成分又は第2の成分から作られる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、
−結晶構造に第2の成分又は第1の誘電体成分又はこれらの前駆体を含浸させ、前記単分散球状体間の隙間を満たす工程と、
を含み、単分散球状体が第1の誘電体成分から作られる場合、隙間は第2の成分で満たされ、逆もまた同様である、2次元又は3次元のフォトニック結晶の製造方法が提供される。
−2次元又は3次元の結晶構造中に規則的に配列した、第1の誘電体成分又は第2の成分から作られる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、
−結晶構造に第2の成分又は第1の誘電体成分又はこれらの前駆体を含浸させ、前記単分散球状体間の隙間を満たす工程と、
を含み、単分散球状体が第1の誘電体成分から作られる場合、隙間は第2の成分で満たされ、逆もまた同様である、2次元又は3次元のフォトニック結晶の製造方法が提供される。
この実施形態の好ましい態様では、この方法は3次元フォトニック結晶の製造のために使用される。
単分散球状体を含む3次元結晶構造の製造には、当該技術分野で公知の方法を用いることができる。好適な方法の非限定的な例は、例えば沈降(単分散粒状体のコロイド分散液を静置)、スピンコーティング、垂直蒸着、又は薄膜製造のためのLangmuir−Blodgett法である。
特に有利な方法では、単分散球状体は好適な溶媒を用いたコロイド分散液中に入れられ、基板をコーティングするために使用される。コーティング法は、基板上に規則正しい単分散球状体の層を形成するために、液体のメニスカスでの毛細管力を利用する。単分散球状体の沈降を防ぐために、加熱によるコロイド分散液の対流が用いられる。この方法では、分散液が加熱されつつ、基板がコロイド分散液からゆっくり取り出される。基板がコロイド分散液のメニスカスを通って引き出されるにつれ、単分散球状体が高度に整列した3次元結晶構造の状態で基板上に付着する。
基板は、典型的には適切な光学特性を有する材料の中から選択される。
規則正しい3次元結晶構造が形成された後、単分散球状体によって生成した隙間への他の誘電体成分の含浸は、誘電体成分あるいはその前駆体を含む液体組成物のパーコレーションやコーティング(ディップコーティング、スピンコーティング)などの従来の方法を用いて行うことができる。
含浸工程の後、乾燥工程や、研磨のような追加的な仕上げ工程などを行ってもよい。
3次元結晶構造の隙間に含浸される誘電体成分としてアモルファスポリマーを使用することは、一般的に、これらのポリマーが好適な溶媒に溶解した溶液を得られるという利点をもたらす。
この観点からは、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するアモルファスフッ素化ポリマー又はフルオロエラストマーは、含フッ素溶媒又は極性非プロトン性溶媒に容易に溶解して低粘度の溶液を生成することから、単分散球状体間の隙間を満たす第1の誘電体成分としてこれらのポリマーを使用することが有利である。
フォトニック結晶の製造において第1の誘電体成分としてフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーあるいはフルオロシリコーンゴムを使用し、単分散球状体間の隙間をフッ素化ポリマーが満たすことは、製造の観点からは特に有利である。実際、このタイプのフォトニック結晶の製造においては、単分散球状体の3次元構造を含浸する工程は、エラストマー又はゴムの前駆体組成物を使用して行うことができる。有利には、フルオロポリオキシアルキレン鎖及び少なくとも2つの不飽和部位を有する少なくとも1種の官能性フルオロポリエーテル化合物と、上で定義したような少なくとも1種の光開始剤とを含む前駆体組成物を使用することができる。これらの組成物は通常室温で液体であり、低粘度であることから、結晶構造の隙間に組成物を含浸し易くする。更に、これらは溶媒を全く含まないことから、乾燥による溶媒の除去を必要としない。3次元結晶構造の含浸が完了した後、UV照射によって組成物の硬化を容易に行うことができ、それによって結晶構造中でエラストマーが形成される。
したがって、本発明の特定の態様では、方法は
−2次元又は3次元の結晶構造中で規則的に配列した第2の成分から作られる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、
−結晶構造に第1の誘電体成分の前駆体を含浸させ、前記単分散球状体間の隙間を満たす工程であって、前記前駆体がフルオロポリオキシアルキレン鎖及び少なくとも2つの不飽和部位を有する少なくとも1種の官能性フルオロポリエーテル化合物と、少なくとも1種の光開始剤とを含む工程と、
−UV照射によって前駆体を硬化して、隙間を満たす、フルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーを得る工程と、
を含む。
−2次元又は3次元の結晶構造中で規則的に配列した第2の成分から作られる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、
−結晶構造に第1の誘電体成分の前駆体を含浸させ、前記単分散球状体間の隙間を満たす工程であって、前記前駆体がフルオロポリオキシアルキレン鎖及び少なくとも2つの不飽和部位を有する少なくとも1種の官能性フルオロポリエーテル化合物と、少なくとも1種の光開始剤とを含む工程と、
−UV照射によって前駆体を硬化して、隙間を満たす、フルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーを得る工程と、
を含む。
官能性フルオロポリエーテル化合物は、上で定義した式(IV)の化合物の中から選択される。
フッ素化ポリマーを含むマトリックス中に複数の単分散球状空隙を含む、「逆オパール」構造を有するフォトニック結晶は、上述の方法に従って得られる対応するフォトニック結晶から、単分散球状体を除去することによって製造することができる。したがって、本発明は、
−2次元又は3次元の結晶構造中で規則的に配列した第2の誘電体からなる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、
−結晶構造に第1の誘電体成分又はその前駆体を含浸させ、前記単分散球状体間の隙間を満たす工程と、
−複数の単分散球状体を取り除く工程と、
を含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶、好ましくは3次元フォトニック結晶の製造方法を更に含む。
−2次元又は3次元の結晶構造中で規則的に配列した第2の誘電体からなる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、
−結晶構造に第1の誘電体成分又はその前駆体を含浸させ、前記単分散球状体間の隙間を満たす工程と、
−複数の単分散球状体を取り除く工程と、
を含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶、好ましくは3次元フォトニック結晶の製造方法を更に含む。
「逆オパール」フォトニック結晶の製造のための鋳型として使用される単分散球状体を作成するために使用される材料は、フッ素化ポリマーを含む第1の誘電体成分の屈折率と異なる屈折率を有する必要は必ずしもないことが理解される。むしろ、材料は、結晶からの球状体の除去ができるだけ簡単になるように選択されるであろう。
シリカで作られた単分散球状体はHF溶液を用いたエッチングによって簡単に除去できることから、典型的にはこれらが使用される。あるいは、高分子材料から作られた単分散球状体を使用してもよい。これらは、適切な溶媒への溶解によって除去することができる。
本発明のフォトニック結晶は、様々なデバイス中で好適に使用することができる。光学フィルター、導波路、レーザー、太陽電池、センサー及びバイオセンサーデバイス、クロマチック刺激応答性デバイスを挙げることができる。
第1の誘電体成分及び第2の成分について定義した全ての選択は、本発明のフォトニック結晶及びその製造方法に対して、並びに本発明のフォトニック結晶を含むデバイスに対して等しく適用できることが理解される。
本発明はこれから、以下の実施例に関連してより詳細に説明されるが、その目的は単に例証的なものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
参照によって本明細書に組み込まれる何れかの特許、特許出願および刊行物の開示が、用語が不明確になる範囲まで本願の記載と矛盾する場合、本記載が優先される。
単分散球状体を含む3次元結晶構造製造のための基本手順
直径260nm、300nm、340nm、426nm又は520nmのポリスチレン単分散球状体(nPS=1.597)(Thermo Scientificから販売)又は、直径290nm又は340nmのシリカ単分散球状体(STOBER,A.,et al.Controlled Growth of Monodisperse Silica Spheres in the Micron Size Range.Journal of Colloid and Interface Science.1968, vol.26,p.62−69に開示されている手順に従って製造)を、脱イオン水中に分散させた。分散液(濃度:0.3〜50mg/ml)を用いて、垂直蒸着技術により3次元秩序構造を成長させた。BF53 Binder恒温器内部、45°+/−1°で、ガラス基板上に成長させた。結晶構造は、基板と垂直方向な、単分散球状体の面心立方格子の[111]方向の平坦領域から構成されていた。
直径260nm、300nm、340nm、426nm又は520nmのポリスチレン単分散球状体(nPS=1.597)(Thermo Scientificから販売)又は、直径290nm又は340nmのシリカ単分散球状体(STOBER,A.,et al.Controlled Growth of Monodisperse Silica Spheres in the Micron Size Range.Journal of Colloid and Interface Science.1968, vol.26,p.62−69に開示されている手順に従って製造)を、脱イオン水中に分散させた。分散液(濃度:0.3〜50mg/ml)を用いて、垂直蒸着技術により3次元秩序構造を成長させた。BF53 Binder恒温器内部、45°+/−1°で、ガラス基板上に成長させた。結晶構造は、基板と垂直方向な、単分散球状体の面心立方格子の[111]方向の平坦領域から構成されていた。
実施例1−第1の誘電体成分としてフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーを含み、第2の誘電体成分としてポリスチレンを含む、3次元フォトニック結晶
上で述べた基本手順に従って製造した、ポリスチレン単分散球状体を含む3次元結晶構造の隙間を、式(IV)(ii)の官能性フルオロポリエーテル化合物を含む、市販の商品名FLUOROLINK(登録商標)MD500(Solvay Specialty Polymers Italy SpA)と、光開始剤とを含む液体組成物を用いたディップコーティングにより含浸させた。フルオロポリエーテル化合物の硬化を、窒素フロー下、最大中心254nmの波長での2分間の結晶へのUV照射によって行い、フルオロポリエーテル鎖を有する、屈折率nFP=1.312の硬化エラストマーを得た。
上で述べた基本手順に従って製造した、ポリスチレン単分散球状体を含む3次元結晶構造の隙間を、式(IV)(ii)の官能性フルオロポリエーテル化合物を含む、市販の商品名FLUOROLINK(登録商標)MD500(Solvay Specialty Polymers Italy SpA)と、光開始剤とを含む液体組成物を用いたディップコーティングにより含浸させた。フルオロポリエーテル化合物の硬化を、窒素フロー下、最大中心254nmの波長での2分間の結晶へのUV照射によって行い、フルオロポリエーテル鎖を有する、屈折率nFP=1.312の硬化エラストマーを得た。
透過(T)スペクトル及び反射(R)スペクトルは、Avaspec−2048小型分光器(Avantes、スペクトル範囲230〜1100nm、スペクトル分解能約1.4nm)を用いて記録した。重水素/タングステン−ハロゲン複合光源からの光は、適切なコリメータへと光ファイバーによって導かれ、Glenn−Thompson偏光子(Halbo Optics)を使用して直線偏光された。回転ゴニオメータに載せられた試料上のスポットは、0.5〜5mmの範囲の可変直径を有している。透過光は集められ、別の光ファイバーで分光器へ運ばれた。垂直入射反射率は、Y反射プローブバンドルファイバーによって、6つの異なるスポット(直径2mm)で測定した。
図1及び図2は、Fluorolink(登録商標)MD500 PFPEで含浸した300nm及び426nmのポリスチレンオパールで得られた反射スペクトルである。300nmのオパールでは、ストップバンドは含浸で675nmから723nmへシフトした。426nmのオパールでも、ストップバンドが967nmから1032nm へシフトし、同じ効果が認められた。反射強度の減少のみならず、バンド幅の減少も認められた。直径340nmと520nmのポリスチレン微小球についても同様の結果が得られ、このことから、使用する微小球の直径とは無関係に含浸工程が起こることが明確に示された。
最後に、より高いフォトンエネルギーでは、すなわち、300nmと426nmの微小球について、それぞれで400nm未満及び500nm前後では、追加的な光学モードが観察されることが示された。オパール構造の品質と強い相関があるこれらのモード(ファン−ホーヴェ特異点とも呼ばれる)は、含浸でシフトするようであり、このことから、含浸工程がオパール構造の規則性に影響を与えないことが示された。同様な結果はシリカベースのオパールについても得られ、このことから、含浸工程は無機物ベースのフォトニック結晶でも起こることが示された。
直径300nmのポリスチレン単分散球状体を使用して得られた結晶は、含浸後、675nmから723nmへのストップバンドのシフトを示し、単分散球状体によって作られた隙間をフッ素化ポリマーが満たしたことが確認された。このフォトニック結晶のSEM(走査型電子顕微鏡)像から、高品質に含浸されたことが示された。
同様に、直径426nmのポリスチレン単分散球状体を含む3次元結晶のストップバンドは、967nmから1032nmへとシフトした。
実施例2−第1の誘電体成分としてテトラフルオロエチレン/2,2,4−トリフルオロ−5−トリフルオロメトキシ−1,3−ジオキソール共重合体を含み、第2の誘電体成分としてポリスチレンを含む、3次元フォトニック結晶
上で述べた基本手順に従って製造した、ポリスチレン単分散球状体(直径300nm)を含む3次元結晶構造中の隙間を、パーフルオロポリエーテル溶媒(Solvay Specialty Polymers Italy SpAのGalden(登録商標)PFPE)中に、テトラフルオロエチレン/2,2,4−トリフルオロ−5−トリフルオロメトキシ−1,3−ジオキソール共重合体(Solvay Specialty Polymers Italy SpAから、HYFLON(登録商標)AD60として販売)(nFP=1.313)を溶解させた10重量%の溶液を使用して、ディップコーティングにより含浸させた。
上で述べた基本手順に従って製造した、ポリスチレン単分散球状体(直径300nm)を含む3次元結晶構造中の隙間を、パーフルオロポリエーテル溶媒(Solvay Specialty Polymers Italy SpAのGalden(登録商標)PFPE)中に、テトラフルオロエチレン/2,2,4−トリフルオロ−5−トリフルオロメトキシ−1,3−ジオキソール共重合体(Solvay Specialty Polymers Italy SpAから、HYFLON(登録商標)AD60として販売)(nFP=1.313)を溶解させた10重量%の溶液を使用して、ディップコーティングにより含浸させた。
溶媒は室温でのエバポレーションにより除去した。
得られた結晶は、含浸後674nmから712nmへのストップバンドのシフトを示し、このことから、フッ素化ポリマーが単分散球状体によって生成した隙間を満たしたことが確認された。
実施例3−第1の誘電体成分としてフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーを含み、第2の誘電体成分として空気を含む、3次元フォトニック結晶
実施例1に従って製造した3次元フォトニック結晶をトルエンで処理し、ポリスチレン球状体を溶解することで「逆オパール」構造を有するフォトニック結晶を得た。
実施例1に従って製造した3次元フォトニック結晶をトルエンで処理し、ポリスチレン球状体を溶解することで「逆オパール」構造を有するフォトニック結晶を得た。
Claims (15)
- 少なくとも1種のフッ素化ポリマーを含み屈折率がn1である少なくとも1つの第1の誘電体成分と、n1とは異なる屈折率n2を有する少なくとも1つの第2の成分とを含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶であって、
前記第1の誘電体成分は、ポリマー主鎖中に脂環式構造を有するフッ素化ポリマー及びフルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーからなる群から選択され、
前記結晶が、
隙間を画定する2次元又は3次元の結晶構造中に規則的に配列した、前記第2の成分から作られる複数の単分散球状体であって、前記第1の誘電体成分が前記隙間を満たしている単分散球状体、を含むか、
又は
隙間を画定する2次元又は3次元の結晶構造中に規則的に配列した、前記第1の誘電体成分から作られる複数の単分散球状体であって、前記第2の成分が前記隙間を満たしている単分散球状体、を含む、
結晶。 - 前記第2の成分がn1よりも大きい屈折率n2を有する、請求項1に記載のフォトニック結晶。
- 前記第2の成分が、
ポリ(メチルメタクリレート)、ポリカーボネート、ポリスチレン、セルロースアセテート、及びポリ(ビニルカルバゾール)からなる群から選択される高分子材料、及び
シリカ、チタニア、ハフニア、シリコン、及びゲルマニウムからなる群から選択される無機材料、
からなる群から選択される誘電体である、請求項1又は2に記載のフォトニック結晶。 - 前記第2の成分がn1よりも小さい屈折率n2を有する、請求項1に記載のフォトニック結晶。
- 前記第2の成分が空気である、請求項4に記載のフォトニック結晶。
- 前記第2の成分が金属、又は、金属を含む請求項3に記載の誘電体である、請求項1に記載のフォトニック結晶。
- 前記フッ素化ポリマーが、1.250〜1.350の範囲のバルク屈折率nFPを有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトニック結晶。
- 前記ポリマー主鎖中に脂環式構造を有する前記フッ素化ポリマーが、以下の群、すなわち、
式(I)のフルオロジオキソール
(式中、R1、R2、R3及びR4は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択される)、
式(II)のフルオロジオキソラン
(式中、R5及びR6は互いに同じ又は異なり、独立に−F、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルキル、任意選択的に1つ以上の酸素原子を含んでいてもよいC1〜C6のフルオロアルコキシからなる群から選択される)、及び
式(III)の環化重合可能なモノマー
CR7R8=CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14=CR15R16 (III)
(式中、各R7〜R16は互いに独立に、−F及びC1〜C3のフルオロアルキルから選択され、aは0又は1であり、bは0又は1であり、ただし、aが1の場合はbは0である)、
からなる群から選択される少なくとも1種のフッ素化モノマー由来の繰り返し単位を含むものである、請求項1〜7のいずれか1項に記載のフォトニック結晶。 - 前記フッ素化ポリマーが、テトラフルオロエチレンと、請求項8に記載の式(I)のフルオロジオキソール(式中、R1=R3=R4=−F及びR2=−OCF3であるか、R1=R2=−F及びR3=R4=−CF3である)とのコポリマーである、請求項8に記載のフォトニック結晶。
- 前記フルオロポリエーテル鎖を有するエラストマーが、フルオロポリオキシアルキレン鎖(Rf)及び少なくとも2つの不飽和部位を有する少なくとも1種の官能性フルオロポリエーテル化合物と、少なくとも1種の光開始剤とを含む組成物のUV硬化によって得られるものである、請求項1〜7のいずれか1項に記載のフォトニック結晶。
- 前記官能性フルオロポリエーテル化合物が、式(IV)
T1−J−Rf−J’−T2(IV)
(式中、
Rfは、一般式−(CF2)k−CFZ−O−
の繰り返し単位を含むフルオロポリオキシアルキレン鎖を表し、ここで、kは0〜3の整数であり、Zはフッ素原子及び任意選択的に1つ以上の酸素原子を有していてもよいC1〜C5のパーフルオロアルキル基から選択され、
J及びJ’は、互いに同じ又は異なり、独立に結合又は二価の架橋基であり、
T1及びT2は、互いに同じ又は異なり、
(A) −O−CO−CRH=CH2、
(B) −O−CO−NH−CO−CRH=CH2、
(C) −O−CO−RA−CRH=CH2、
からなる群から選択され、RHはH又はC1〜C6アルキル基であり、RAは
(j) −NH−RB−O−CO−
(jj) −NH−RB−NHCOO−RB−OCO−
からなる群から選択され、
RBはC1〜C10の脂肪族基、C5〜C14の脂環式基、C6〜C14の芳香族基又はアルキル芳香族基、からなる群から選択される二価の基である)
の化合物からなる群から選択される、請求項10に記載のフォトニック結晶。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の2次元又は3次元のフォトニック結晶を製造する方法であって、2次元又は3次元の結晶構造中に規則的に配列した、前記第1の誘電体成分又は前記第2の成分から作られる複数の単分散球状体を準備する工程であって、前記複数の単分散球状体が隙間を画定する工程と、前記結晶構造に前記第2の成分又は前記第1の誘電体成分又はこれらの前駆体を含浸させて前記単分散球状体間の前記隙間を満たす工程とを含む方法において、前記単分散球状体が第1の誘電体成分から作られる場合、フォトニックストップバンドを得るために前記隙間は前記第2の成分で満たされ、逆もまた同様である、方法。
- 前記単分散球状体が前記第2の成分から作られる場合、前記複数の単分散球状体を除去する工程を更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記2次元又は3次元の周期的又は結晶性の構造が前記第1の誘電体成分の前駆体で含浸され、前記前駆体はフルオロポリオキシアルキレン鎖及び少なくとも2つの不飽和部位を有する少なくとも1種の官能性フルオロポリエーテル化合物と、少なくとも1種の光開始剤とを含む、請求項12又は13に記載の方法であって、
前記方法は、UV照射によって前記前駆体を硬化して、前記単分散球状体間の前記隙間を満たす、フルオロポリマー鎖を有するエラストマーを得る工程を更に含む、方法。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の2次元又は3次元のフォトニック結晶を含む、デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13161078.4 | 2013-03-26 | ||
EP13161078 | 2013-03-26 | ||
PCT/EP2014/055590 WO2014154557A1 (en) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | Photonic crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016520853A true JP2016520853A (ja) | 2016-07-14 |
Family
ID=47997136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016504584A Withdrawn JP2016520853A (ja) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | フォトニック結晶 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160053101A1 (ja) |
EP (1) | EP2978881A1 (ja) |
JP (1) | JP2016520853A (ja) |
CN (1) | CN105102692A (ja) |
AR (1) | AR095740A1 (ja) |
WO (1) | WO2014154557A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016087439A1 (en) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | Solvay Specialty Polymers Italy S.P.A. | One-dimensional planar photonic crystals including fluoropolymer compositions and corresponding fabrication methods |
KR101807208B1 (ko) * | 2015-08-18 | 2017-12-08 | 주식회사 엘지화학 | 저굴절층 및 이를 포함하는 반사 방지 필름 |
KR101754355B1 (ko) * | 2015-12-09 | 2017-07-06 | 한국화학연구원 | 색변환 광결정 구조체 및 이를 이용한 색변환 광결정 센서 |
CN106994343B (zh) * | 2017-04-21 | 2019-09-06 | 淮北师范大学 | Au/ZnO三维反蛋白石异质结构光催化剂及其原位制备方法和应用 |
WO2020185929A1 (en) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | Basf Coatings Gmbh | Structural colorants with carbon |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6261469B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-07-17 | Honeywell International Inc. | Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales |
JP2003295143A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Hitachi Ltd | 光機能素子及びその製造方法 |
US6939605B2 (en) * | 2003-05-19 | 2005-09-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Multi-layer coating |
CN100351652C (zh) * | 2003-06-05 | 2007-11-28 | 株式会社村田制作所 | 三维周期构造体以及其制备方法 |
US7440671B2 (en) * | 2006-05-19 | 2008-10-21 | Asahi Glass Company, Limited | Optical waveguide |
CN101021591B (zh) * | 2007-04-06 | 2010-08-25 | 北京交通大学 | 一种侧漏型光子晶体光纤及其制备方法 |
ES2482092T3 (es) * | 2007-08-24 | 2014-08-01 | Basf Se | Cristales fotónicos a partir de partículas poliméricas con interacción interparticular |
EP2221664A1 (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-25 | Solvay Solexis S.p.A. | Nanolithography process |
US9354354B2 (en) * | 2013-01-04 | 2016-05-31 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Loose packed phoxonic crystals and methods of formation |
-
2014
- 2014-03-20 CN CN201480018436.1A patent/CN105102692A/zh active Pending
- 2014-03-20 WO PCT/EP2014/055590 patent/WO2014154557A1/en active Application Filing
- 2014-03-20 EP EP14713421.7A patent/EP2978881A1/en not_active Withdrawn
- 2014-03-20 US US14/779,459 patent/US20160053101A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-20 JP JP2016504584A patent/JP2016520853A/ja not_active Withdrawn
- 2014-03-26 AR ARP140101357A patent/AR095740A1/es unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AR095740A1 (es) | 2015-11-04 |
WO2014154557A1 (en) | 2014-10-02 |
EP2978881A1 (en) | 2016-02-03 |
CN105102692A (zh) | 2015-11-25 |
US20160053101A1 (en) | 2016-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016520853A (ja) | フォトニック結晶 | |
Arsenault et al. | Towards the synthetic all-optical computer: science fiction or reality? | |
Hrudey et al. | Highly ordered organic Alq3 chiral luminescent thin films fabricated by glancing‐angle deposition | |
EP0963565B1 (en) | New coating materials for liquid lightguides | |
CN1646613A (zh) | 应用于光学的聚合物纳米复合材料 | |
JP6983778B2 (ja) | フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンのコポリマー及びフッ素化エラストマーを含むフルオロポリマー組成物 | |
US20180148603A1 (en) | Antireflection film, optical member, and method of producing optical member | |
Simoes Gamboa et al. | Nanoscale Pattern Formation in Langmuir− Blodgett Films of a Semifluorinated Alkane and a Polystyrene− Poly (Ethylene Oxide) Diblock Copolymer | |
Ye et al. | Subwavelength structures for high power laser antireflection application on fused silica by one-step reactive ion etching | |
Wu et al. | Growth mechanism of one-step self-masking reactive-ion-etching (RIE) broadband antireflective and superhydrophilic structures induced by metal nanodots on fused silica | |
KR101616164B1 (ko) | 개질 실리카막의 제조 방법, 도공액 및 개질 실리카막 | |
JP2013217977A (ja) | 反射防止膜及び光学素子 | |
Park et al. | Colloidal Photonic Crystal with Graded Refractive‐Index Distribution | |
US20070037943A1 (en) | Novel perfluoroalkyl vinyl ether compound, process for preparing copolymer by using the compound, and optical plastic materials comprising copolymer prepared by the process | |
US10921491B2 (en) | Method of making a surface with improved mechanical and optical properties | |
JP2007334306A (ja) | 光導波路 | |
US20030229189A1 (en) | Nanoporous random glassy polymers | |
WO2016087439A1 (en) | One-dimensional planar photonic crystals including fluoropolymer compositions and corresponding fabrication methods | |
WO2023136244A1 (ja) | フッ素樹脂の精製方法、精製されたフッ素樹脂の製造方法、フッ素樹脂、光学材料、電子材料及びプラスチック光ファイバ | |
WO2003085432A2 (en) | Endface preparation method for polymer optical waveguides on polymer substrates | |
JPH0466905A (ja) | 光ファイバ | |
JP2010126623A (ja) | 分散樹脂組成物、硬化性組成物及び懸濁粒子デバイス用フィルム | |
JP2006195262A (ja) | 光導波路部品の製造方法および光導波路部品 | |
Chen | Antireflection nanostructures at material interfaces for enhancement of optical properties | |
Guo et al. | Fabrication of 3D colloidal photonic crystals in cavity of optical fiber end face |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170220 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20171010 |