JP2016508950A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 以下の表に示されるＸ線回折パターンをか焼された形態で有する結晶性コバルトアルミノホスフェートモレキュラーシーブ。
   
2. 以下の表に示されるＸ線回折パターンを合成されたままの形態で有する結晶性コバルトアルミノホスフェートモレキュラーシーブ。
   
3. 以下の実験式で表される組成を無水ベースで有する請求項２に記載のモレキュラーシーブ。
   ｐＱ：ａＦ：（Ｃｏ_ｘＡｌ_ｙＰ_ｚ）Ｏ_２
   （式中、
   （ａ）ｐは（Ｃｏ_ｘＡｌ_ｙＰ_ｚ）Ｏ_２の１モル当たりの１，３−ジイソプロピルイミダゾリウムカチオン（Ｑ）のモル数であり、ｐは０．００１から１までの値を有し、
   （ｂ）ａは（Ｃｏ_ｘＡｌ_ｙＰ_ｚ）Ｏ_２の１モル当たりのフッ化物イオン（Ｆ）のモル数であり、ａは０から１までの値を有し、
   （ｃ）ｘ、ｙ、及びｚは四面体としてそれぞれＣｏ、Ａｌ、及びＰのモル分画を表し、
   （ｄ）ｘ、ｙ、及びｚは各々０より大きい値であり、ｘ、ｙ、及びｚの合計は１である。）
4. ｘが０．０１から０．５まで、ｙが０．２５から０．７まで、ｚが０．２５から０．７までである、請求項３に記載のモレキュラーシーブ。
5. 結晶化条件下で（１）少なくとも１つのコバルト源、（２）少なくとも１つのアルミニウム源、（３）少なくとも１つのリン源、（４）フッ化物イオン、及び（５）１，３−ジイソプロピルイミダゾリウムイオン性液体を接触させることを含み、前記モレキュラーシーブが、モル比で以下のものを含む反応混合物から調製される、請求項２記載の結晶性コバルトアルミノホスフェートモレキュラーシーブの調製方法。
   
   （式中、Ｑは１，３−ジイソプロピルイミダゾリウムカチオンである。）
6. 前記モレキュラーシーブがモル比で以下のものを含む反応混合物から調製される、請求項５に記載の方法：
   
   （式中、Ｑは１，３−ジイソプロピルイミダゾリウムカチオンである。）
7. 前記結晶化条件が１５０℃から２００℃までの温度を含む、請求項５に記載の方法。
8. 前記１，３−ジイソプロピルイミダゾリウムイオン性液体が１，３−ジイソプロピルイミダゾリウムブロミドである、請求項５に記載の方法。
9. 反応混合物からイオン性液体を回収することをさらに含む、請求項５に記載の方法。