JP2016507120A - タッチパネル装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
タッチパネル精度を改善するための装置及び方法が提供される。キャリブレーションサンプリングコントローラ(830)が、タッチエミュレートスタイラスをタッチパネル(815)に関連して既知のX−Y座標位置に位置決めしスタイラスを押下げるようにX−Y座標位置決め装置に指令する。タッチサンプリングモジュール(835)が、サンプルを受け取り、タッチパネルノードに関連付けられる信号振幅に対応するキャリブレーションサンプル値をストアする。各ノードはタッチパネルロー/コラム交差地点に関連付けられるX−Y座標位置に対応する。信号振幅は押下げられたスタイラスのX−Y座標位置へのノードの物理的近接に対応する。タッチパネル特性モデラー(210)が、ノードキャリブレーションサンプル値を受け取り、タッチパネルにわたるタッチエミュレートスタイラスの経路の関数としてノードキャリブレーションサンプル値の特性モデルを生成する。
Description
本明細書に記載される構造及び方法は、タッチパネルに関連し、タッチパネルの端部における精度を高めることを含む。
タッチパネルは、タッチパネルを組み込むデバイスのユーザーがそのサブ領域に触れたとき、タッチパネルにより実装される全体的なタッチ感知エリアの特定のサブ領域を識別するために用いられる入力デバイスである。タッチパネルは典型的に、モノリシックなタッチセンシティブディスプレイ入力/出力デバイスをつくるために、発光ダイオード(LED)スクリーン、液晶ディスプレイ(LCD)スクリーン、陰極線管(CRT)スクリーンなどの情報提示スクリーンに載せて取り付けられる。
タッチパネルは、種々の技術を用いて人のタッチを検出するように設計され得る。典型的な容量性タッチパネルは、透明基板上に製造される一連の薄い導電性パターンを有し得、透明絶縁性層がこの導電性パターン層を覆う。一連の薄い導電性パターンの各々がキャパシタの1つのプレートを形成し、透明絶縁性層はキャパシタ絶縁体を形成する。透明絶縁性層と接触する人の指も、導体であり、タッチされたエリアの辺りの1つ又は複数の励起された導電性パターンを囲む静電界を歪める。この電界歪みは静電容量の変化として読み出される。
導体を励起及び感知するロー及びコラムのグリッドが、一般に、本明細書においてX−Yノードと称するロー/コラム交差地点のX−Yパターンを形成する。典型的なタッチパネル実装において、例えば、容量性タッチパネルが導電性パターンの単一ローを励起し得、そして一方、一度に1コラム、各コラムに関連付けられる静電容量の大きさを測定し得る。その後、タッチパネルは、全タッチパネルスキャンがパネル上の各X−Yノードに対して静電容量値を収集するまで、導電性パターンの次のローを励起し得、そして一方、各コラムの静電容量を測定し得る。
本明細書に開示する装置及び方法は、タッチパネル表面にわたる既知のX−Y座標位置において生成されるタッチ事象のシーケンスに応答して、タッチパネルからキャリブレーションサンプル値のセットを受け取る。キャリブレーションサンプル値のセットはその後、タッチパネルにわたる線形距離に関連付けられるX−Y次元に曲線当てはめされる。その結果の曲線、又は曲線のファミリは、パネルの特定の位置における線形距離の関数としたタッチパネル応答の特性であり、タッチパネル応答のタッチパネル特性モデルを表す。
「タッチ事象」という用語は、本開示の目的のため、サンプリング時間における、人の指、タッチエミュレートスタイラス、ロボット制御されたタッチエミュレートスタイラスなどによりタッチパネル表面の地点又は一部における接触押下(contact depression)或いは押下されている状態、を意味する。タッチ事象が、接触地点における及び/又はその周りにおけるタッチ近接に関連付けられる、静電容量又は他の物理的パラメータを変化させる。
ランタイムにおいて、構造及び方法は、ランタイムタッチパネル事象に関連付けられるランタイムサンプル値のセットを受け取る。本明細書において用いられるように「ランタイム」は、タッチパネルをキャリブレート又は特徴付ける時間の後であり、キャリブレーション事象以外のタッチパネル事象の位置を判定することに関連付けられる、時間を意味する。ランタイムサンプル値は、どのタッチパネルロー、コラム、又は他の線形経路がランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられるかを判定するために、評価され、互いと比較される。
最も強く関連するロー、コラム、又は他の線形経路上へのタッチ事象の座標位置の投影(projection)が判定される。ロー、コラム、又は線形経路に関連付けられるノード(最大の大きさの「経路ノード」)に対応する最大ランタイムサンプル値の大きさは、タッチパネル特性モデルに代入される。その後、このモデルは、最大の大きさの経路ノードと、2番目に大きい経路に関連するランタイムサンプル値に向かう方向の経路に沿ったタッチ事象座標値の投影点(point-of-projection)との間の距離について求められる。しかし、最大の大きさの経路ノードが周辺X−Yノードである場合、2番目に大きい経路に関連するランタイムサンプル値は小さい。この後者の場合において、投影点は、タッチパネルの端部に向かって外方である。
これらの方法及び構造は、タッチパネル事象に最も強く関連付けられるX−Yノードにより境界が定められるエリアを単に識別することに比して、タッチパネル事象の位置をより正確に判定し得る。また、タッチパネルの周囲における概ね利用不能なタッチパネルエリアに関連付けられる場所が判定され得、このような周辺エリアが利用可能となる。
図1は、本発明の種々の例示の図示に従ったタッチパネル100の概略図である。例示のタッチパネル100は、R1〜R10で表わす10個のロー、及びC1〜C6で表わす6個のコラムを含む。例示のタッチパネル100は、容量性技術を用い、基板上に製造され、透明絶縁性オーバーレイで覆われる、ダイヤモンド形状のフォイルパターン(例えば、ダイヤモンドパターン118)のコラムを含む。この特定の例示のタッチパネル100において、特定のコラムに関連付けられるダイヤモンドフォイルパターンが電気的に接続される。これに対し、特定のローに沿ったフォイルパターンは互いから隔離される。本明細書における構造及び方法は、容量性及びその他の技術に適用可能であり、こういった技術には、抵抗性タッチパネル、光エミッタ及び検出器を用いるタッチパネル、音響パルスエミッタ及びレシーバを用いるタッチパネルなどが含まれることに留意されたい。これらの構造及び方法は、10個のロー×6つのコラム以外のロー及びコラムマトリックス、及びダイヤモンド以外のセンサパターン形状を含むタッチパネルにも適用し得る。
例示のタッチパネル100は、継続的に又はタッチ事象を感知する際に、スキャンされ得る。タッチ事象は概して、タッチ125の地点から外に拡がるタッチパネルのエリアにわたる静電容量の変化をさせ得ることに留意されたい。しかし、静電容量の変化の大きさは、タッチ125の地点から離れる距離の関数として低減する。そのため、例えば、同心円130により境界が定められるエリア内のタッチの大きさは、同心円133により境界が定められるエリア内の大きさより大きくなり得る。タッチの継続時間が2つ又はそれ以上のパネルスキャン期間まで及ぶとき、拡張されたタッチ事象が起こり得る。
ロー/コラムの交差地点(例えば、ロー6とコラム5の交差地点140)は、本明細書において「X−Yノード」とも称する。パネルスキャンを実施するため、各ノードにおいて、そのノードに対して予め判定された基線キャリブレーション静電容量に比した、サンプル時間における静電容量の逸脱の大きさが測定される。この大きさはその後、デジタル化され、X−Yノード毎に1個の、60個のデータサンプル値のセットとしてストアされる。例示のタッチパネル100に関連付けられるドライバ回路要素が、選択されたローに駆動信号を印加し、その適用可能なノードにおける静電容量の逸脱をそのノードに共通のコラム感知信号の大きさとして測定する。しかし、本開示に関連付けられる構造及び方法は、その他のパネルスキャンマトリックス、方法、及び手法に等しく適用可能である。
そのため、概して、単一パネルスキャンに含まれる60個のデータサンプル値のセットが、タッチ事象の位置を囲むノードにおいて測定された基線静電容量値における乱れを反映し得る。これは、タッチ125の地点を囲み、複数の周りのX−Yノードに放射状に広がる、同心円で図示される。従来技術の方法は、タッチ事象の位置を、最大信号ノードによって境界が定められるエリア(例えば、ノード162、164、166、及び168により境界が定められるエリア160)に隔てる。その結果、周辺エリア169において起こるタッチ事象は、エリア169がタッチパネルエリアの外のX−Yノードにより境界が定められていない場合、認識されない可能性がある。
本明細書における装置及び方法は、特性モデルをつくるために、タッチパネルにわたる既知の場所においてつくられたタッチ事象に対応する時間に測定されたタッチサンプル値のセットを曲線当てはめすることによってタッチパネル応答を特徴付ける。各サンプル値は、タッチ事象の時間にX−Yノードにおいて測定されたタッチ信号振幅の大きに対応する。各X−Yノードに1個の、60個のサンプル値の1つ又は複数のセットが、各パネルスキャン時間にストアされる。タッチ事象場所は、サンプルの付加的なセットがストアされるにつれてキャリブレーション経路(例えば、キャリブレーション経路170)に沿って変えられる。サンプルの複数のセットは、キャリブレーション経路170に対応する特性モデルをつくるために曲線当てはめされる。
ランタイムにおいて、タッチ位置(例えば、タッチ位置173)におけるタッチ事象に関連付けられる最強信号タッチの大きさのノードサンプル値が、そのタッチ事象に最も強く関連付けられる経路(例えば、経路170)を判定するために比較される。例えば、ノード166に関連付けられる信号がノード164に関連付けられる信号より強く、ノード168に関連付けられる信号がノード162に関連付けられる信号より強い場合、経路170が場所173におけるタッチ事象に最も強く関連付けられると判定され得る。
その後、最も強く関連する経路170に沿ったノードサンプル値が互いと比較される。タッチ事象位置173の投影171が、経路170に沿った2つの最強信号ノード166及び168間にある地点172において経路170を交差する。その後、距離投影ロジックが、(例えば、この例ではノード166に対応する)最強信号ノードサンプル値を特性モデルに代入する。パネル内部ノードから、距離投影ロジックは、最強信号経路ノード166から2番目に強い信号経路ノード168に向かう座標距離175を判定する。座標距離175は、最も強く関連する経路170に沿ったタッチ位置173の座標に対応する。
しかし、最大の大きさの経路ノードがパネル周辺エリア169におけるX−Yノードである場合、2番目に大きい経路に関連するランタイムサンプル値は小さい。この後者の場合において、投影点及びそのため距離175は、タッチパネルの端部に向かって外方に延びる。幾つかの方法及び構造が、エリア160内のタッチ事象の位置173を判定するためにX−Y次元両方において同様のオペレーションを実施し得る。本明細書における装置及び方法は、以前は利用不能であったパネル周辺エリア169内のタッチ事象位置を判定し得る。座標距離175を判定するための距離投影ロジックのオペレーションをこれ以降に更に詳細に説明する。
図2は、本発明の種々の例示の図示に従った、タッチパネル特性曲線のファミリ及びタッチパネル特性モデラー210のブロック図とグラフ200である。タッチパネル特性モデラー210は、タッチパネルローなどの単一経路に沿った一連のタッチ事象をつくることによって、タッチパネル特性曲線のファミリをつくる。1つの例を挙げるため、タッチパネル特性モデラー210は、タッチエミュレートスタイラスを選択されたローの端部に置くこと、及び、そのローの反対の端部へスタイラスをゆっくり動かすことにより、一連のタッチ事象をつくり得る。単一パネルスキャンオペレーション(例えば、数ミリ秒毎に実行される)の間、タッチパネル特性モデラー210は、各X−Yノードにおけるタッチ信号振幅に対応するサンプル値を収集する。そのため、タッチパネル特性モデラー210は、図1の例示のタッチパネル100における単一パネルスキャンオペレーションの間各ノードからの1個の、60個のサンプル値を収集し得る。タッチパネル特性モデラー210は、スタイラスがロー又は他の経路に沿って動くにつれてサンプル値のこのようなセットを収集及びストアし続け得る。
グラフ200の特性曲線のファミリは6つの曲線で構成され、1つの曲線が、「C1」〜「C6」で表わす横軸コラムにより示されるように、各タッチパネルコラムに対してタッチパネル特性モデラー210により収集されたサンプル値で構成される。例えば、曲線220は、コラムC3からタッチパネル特性モデラー210により収集されたサンプルデータから描かれる。横軸はまた、距離インデックス、即ち、パネル左端に対応するゼロの距離、及びパネル右端に対応する距離120、で示される。グラフ200の縦軸は、100の最大値に正規化されたタッチ信号大きさを表す。
タッチパネル特性モデラー210の例示のオペレーションは、次のように進み得る。モデラー210は、スタイラスをパネル左端230に置き、スタイラスを押下され、スタイラスを右に動かし始める。位置234に対応する特定のパネルスキャンオペレーション時に、特性モデラー210は、コラムC1に対応するコラムセンサからタッチ大きさ信号サンプル値238(例えば、約98のサンプル大きさ)をストアする。
また、タッチフィールドが図1のタッチ点(point-of-touch)125から外方に広がるので、特性モデラー210は、コラムC2に対応するコラムセンサからのサンプル値242(例えば、約10のサンプル大きさ)も測定及び記録する。特性モデラー210はまた、位置234に対応するパネルスキャンオペレーションの間、コラムC3〜C6からサンプル値を収集するが、これらのコラムは、これらのサンプル値の大きさが図示した例におけるノイズ閾値を下回る程度にタッチ点から遠く離れている。特性モデラー210は、特徴付けられたローにわたってスタイラスを動かし続け、一方で、各パネルスキャンオペレーションの間60個のデータサンプルのセットを収集する。種々の実装が、上述のように、種々のパネルスキャン手法を用い得る。特徴付けられた特定のロー以外のローに対応するサンプル値が、コラムサンプリング時間の間、或いは、特徴付けられたローに関連付けられる6つのコラムサンプルのセットをストアした後、収集され得る。
そのため、タッチパネル特性モデラー210は、タッチパネルにわたる既知の位置においてタッチパネルキャリブレーション事象のシーケンスをつくり、各タッチパネルキャリブレーション事象に対しタッチパネルにわたるノードからタッチ大きさデータを収集し、そのデータからタッチパネルの数学的特徴付けを形成する。図2は、特性モデラー210によりつくられる、図1のタッチパネル100の例示の数学的特徴付けの一部を図示する。図示されるパネル特徴付けの部分は、ノードの単一ローの特徴付けに対応する。例示のロー特徴付けは、6つの曲線250、255、220、257、260、及び265で構成される。完全なパネル特徴付けが、各ローに対する6つの曲線の同様のセットで、又は、図1の例示のタッチパネル100全体の総計60個の曲線で構成され得る。
本明細書に記載される幾つかの装置及び方法が、上述のように、ストアされたキャリブレーションサンプル値に対して曲線当てはめオペレーションを実施することによりタッチパネル特徴付けを得ることができる。1つ又は複数のn次多項式モデルを生成するために、既知の、一般化された曲線当てはめ手法が用いられ得る。このような手法には、「最小二乗法」、「総最小二乗」、非線形回帰などが含まれ得る。代替として、キャリブレーションサンプル値は、タッチパネル応答を概して表すために既知の形状を有する曲線の特定のファミリに合わせられ得る。このような曲線ファミリの結果、指数的特徴付け、放物線特徴付け、線形特徴付けなどになり得る。
ランタイムにおいて、本明細書における構造及び方法は、ランタイムタッチパネル事象に関連付けられるランタイムサンプル値のセットを受け取る。ランタイムサンプル値は、どのタッチパネルロー、コラム、又はその他の線形経路(例えば、R8に対応する図1の経路170)がランタイムタッチ事象に最も強く関連付けられるかを判定するために比較される。その後、ランタイムタッチ事象に最も強く関連付けられる経路ノードを判定するために、最も強く関連する線形経路170に沿ったノードに関連付けられるサンプル値が互いに比較される。例えば、約84の大きさの最強経路ノード信号280が、C5曲線260に対応する経路ノードから感知される、と想定する。更に、約52の大きさの2番目に強い経路ノード信号285が、C4曲線257に対応する経路ノードから感知される、と想定する。
距離投影モジュール270は、最大経路ノードサンプル値の大きさ(例えば、この例では85)をタッチパネル特性モデル(例えば、曲線260)に代入し、距離について求める。結果の距離(例えば、図1及び図2の距離175)は、最も強く関連するノード(例えば、図1のノード166)と、2番目に強く関連する経路ノード(例えば、図1のノード168)に向かう経路170上へのタッチ事象場所の投影点との間の座標距離である。
しかし、最大の大きさの経路ノードがパネル周辺エリアにおけるX−Yノードである場合、2番目に大きい経路に関連するランタイムサンプル値は小さい。例えば、図1の周辺エリア169内にあるタッチ投影位置234の場合、C1において感知される信号238は大きい。しかし、C2において感知される2番目に大きい信号242は非常に小さい。パネルの周辺エリアにおいて起こるこのようなタッチ事象の場合、投影点及びそのため距離175が、パネルの端部に向かって外方に延びる。本明細書における装置及び方法はそのため、以前は利用不能であったパネル周辺エリア169内のタッチ事象位置を判定し得る。
図3は、本発明の種々の例示の図示に従った、指数的タッチパネル特性曲線312及びタッチパネル特性モデラー210のブロック図とグラフ300である。特性モデラー210は、幾つかの事例において、キャリブレーションサンプル値を、下記のような指数的形状の特性曲線の一般形態に合わせ得る。
ここで、Z=タッチ大きさサンプル値、M=最大タッチ大きさサンプル値、x=タッチ事象距離、u=平均タッチ事象距離、及びv=タッチ距離変動である。
ここで、Z=タッチ大きさサンプル値、M=最大タッチ大きさサンプル値、x=タッチ事象距離、u=平均タッチ事象距離、及びv=タッチ距離変動である。
特性モデラー210のいくつかの変形が、キャリブレーションサンプル値を指数的特性曲線312の一般形態に合わせるために曲線当てはめオペレーションを実施し得る。曲線当てはめオペレーションは、パラメータM、u、及びvの値が、例えば、M=100、u=0、及びv=0.5となるように決定し得る。後者の値は、図3に示すような軸での曲線312となり得る。
ランタイムにおいて、距離投影モジュール270は、最も強く関連する経路に関連付けられる最大タッチ大きさサンプル値を、次のように代数的に再アレンジされた指数的特性モデルに代入する。
図1及び図2の距離175などのタッチ事象距離値は変数xで表される。
図1及び図2の距離175などのタッチ事象距離値は変数xで表される。
図4は、本発明の種々の例示の図示に従った、放物線タッチパネル特性曲線412及びタッチパネル特性モデラー210のブロック図とグラフ400である。特性モデラー210は、幾つかの事例において、キャリブレーションサンプル値をy=ax2+bx+cという一般形態の放物線形状の特性曲線に合わせ得る。ここで、a、b、及びcは、放物線特性曲線412の形状に関連付けられるパラメータである。
特性モデラー210のいくつかの変形が、キャリブレーションサンプル値を放物線特性曲線412の一般形態に合わせるために曲線当てはめオペレーションを実施し得る。例えば、特性モデラー210によって実施される曲線当てはめオペレーションが、パラメータa、b、及びcの値がa=−0.2、b=0、c=100となるように決定すると想定する。後者の値は、図4に示すような軸での曲線412となり得る。
ランタイムにおいて、距離投影モジュール270は、最も強く関連する経路に関連付けられる最大タッチ大きさサンプル値を、次のように代数的に再アレンジされた放物線特性モデルに代入する。
図1の距離175などのタッチ事象距離値は変数xで表される。
図1の距離175などのタッチ事象距離値は変数xで表される。
図5は、本発明の種々の例示の図示に従った、線形タッチパネル特性曲線512及びタッチパネル特性モデラー210のブロック図とグラフ500である。特性モデラー210は、幾つかの事例において、キャリブレーションサンプル値を一般形態y=mx+bの線形形状の特性曲線に合わせ得る。ここで、mは線形特性曲線の辺の傾きであり、bはx=0でy切片である。
特性モデラー210のいくつかの変形が、キャリブレーションサンプル値を線形特性曲線512の一般形態に合わせるために曲線当てはめオペレーションを実施し得る。例えば、特性モデラー210によって実施される曲線当てはめオペレーションが、パラメータm及びbの値が、m=+/−5.0、b=100となるように決定すると想定する。後者の値は、図5に示すような軸での特性曲線412となり得る。
ランタイムにおいて、距離投影モジュール270は、最も強く関連する経路に関連付けられる最大タッチ大きさサンプル値を、次のように代数的に再アレンジされた線形特性モデルに代入する。
図1の距離175などのタッチ事象距離値は変数xで表される。
図1の距離175などのタッチ事象距離値は変数xで表される。
図6は、種々の例示のアクティビティに従ってタッチパネル特性モデルをつくる方法600のフローチャートである。方法600は、サンプリング装置をタッチパネルの既知のキャリブレーションサンプリング位置へ移動するブロック610で開始する。方法600はまた、ブロック615において、タッチパネル上の経路に沿った既知の場所において一連のタッチ事象をつくり始めるために、既知のキャリブレーションサンプリング位置においてタッチパネルを押下げることを含み得る。この経路は特定のロー又はコラムに対応し得る。
方法600は、X−Yノードキャリブレーションサンプル値の複数のセットを得るために、ロー又はコラム信号の1つ又は複数のセットをサンプリングするブロック620で続く。ノードキャリブレーションサンプル値は、経路に沿った一連のキャリブレーションタッチ事象に対応する時間に収集される。各X−Yノードキャリブレーションサンプル値は、経路に沿った(例えば、対応するロー又はコラムに沿った)位置に対応するキャリブレーションサンプリング時間における対応するロー又はコラムキャリブレーション信号の大きさを表す。
例えば、サンプリング装置がタッチパネルの両端の間のロー又はコラムに沿ってスウィープされるにつれて、ロー又はコラムデータサンプルのキャリブレーションセットが収集され得る。幾つかの場合において、方法600は、時間の増分毎にキャリブレーションサンプルの均等分布をつくるために実質的に一定のレートでロー又はコラムに沿ってスウィープし得る。
方法600は更に、ブロック625において、キャリブレーション位置の選択されたセットがサンプリングされたか否かを判定するためにチェックすることを含む。サンプリングされていない場合、方法600は、ブロック610において再び開始する更なるサンプリングを開始するため、ブロック630においてサンプリング位置インデックスをインクリメントすることを含む。キャリブレーション位置の選択されたセットが全てサンプリングされた場合、方法600は、キャリブレーション経路のタッチパネルキャリブレーションモデルを得るために、X−Yノードキャリブレーションサンプル値のセットを曲線当てはめするブロック635で続く。
図7は、種々の例示のアクティビティに従った、タッチ事象の位置を補間するためにタッチパネル特性モデルを用いる方法700のフローチャートである。方法700は、X−Yノードランタイムサンプル値のセットを得るために、ランタイムタッチパネル事象に関連付けられる、ロー感知信号のセット又はコラム感知信号のセットの少なくとも1つをサンプリングするブロック740で開始する。
方法700は、ブロック745において、ランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられる経路を、最大の大きさのX−Yノードランタイムサンプル値に関連付けられるロー又はコラムとして判定することを含む。方法700は更に、ブロック747において、最も強く関連するノードがパネル周辺モードであるか否かを判定することを含む。最も強く関連するノードがパネル周辺モードである場合、方法700は、ブロック748において、最も強く関連する経路上の最大信号X−Yノードからの投影点が、パネル端部に向かって外方の方向であると判定することを含む。最も強く関連するノードがパネル参照ノードではない場合、方法700は更に、ブロック750において、最も強く関連する経路上の最大信号X−Yノードからの投影点の方向を、2番目に大きいX−Yノードランタイムサンプル値に向かっていると判定することを含む。
方法700は更に、ブロック755において、最も強く関連する経路上の最大信号X−Yノードと、最も強く関連する経路上へのランタイムタッチ事象場所の投影点との間の距離を判定することを含む。この距離を計算するため、方法700は、最も強く関連する経路に関連付けられる最大の大きさのX−Yノードランタイムサンプル値の大きさをタッチパネルキャリブレーションモデルに代入すること、及びこの距離について求めることを含む。
図8は、本発明の種々の例示の図示に従った、タッチパネル特性モデル生成及び補間装置800のブロック図である。装置800は、キャリブレーションサンプリングコントローラ830を含む。コントローラは、X−Y座標位置決め装置820に、タッチパネル815に関連して既知のX−Y座標位置にタッチエミュレートスタイラスを位置決めするよう、及びスタイラスを押下するよう指令する。
装置800は更に、キャリブレーションサンプリングコントローラ830に通信可能に結合されるタッチサンプリングモジュール835を含む。タッチサンプリングモジュール835は、複数のキャリブレーションサンプル値を受け取り、ストアする。各キャリブレーションサンプル値は、タッチパネルノードに関連付けられる信号振幅に対応する。各ノードは、タッチパネルロー/コラム交差地点に関連付けられるX−Y座標位置に対応する。信号振幅は、押下されたスタイラスのX−Y座標位置へのノードの物理的近接に対応する。
装置800は更に、キャリブレーションサンプリングコントローラ830に通信可能に結合されるキャリブレーションサンプルバッファ840を含む。キャリブレーションサンプルバッファ840は、ロー又はコラムに沿ったスタイラスの動きに関連付けられる複数のキャリブレーションサンプル値をストアする。各キャリブレーションサンプル値は、ロー又はコラムに沿った位置に対応するキャリブレーションサンプリング時間のロー又はコラムキャリブレーション信号の大きさを表す。
装置800は更に、キャリブレーションサンプリングコントローラ840に通信可能に結合されるタッチパネル特性モデラー210を含む。タッチパネル特性モデラー210は、キャリブレーションサンプル値を受け取り、タッチパネルにわたるタッチエミュレートスタイラスの経路の関数として複数のノードキャリブレーションサンプル値の特性モデルを生成する。
ランタイムにおいて、タッチサンプリングモジュール835は、複数のランタイムサンプル値を受け取り、ストアする。各サンプル値は、ランタイムタッチ事象のX−Y座標位置へのノードの物理的近接の大きさとして信号振幅を表す。装置800は更に、タッチサンプリングモジュール835に結合されるランタイムバッファ850を含む。ランタイムバッファ850は、複数のランタイムサンプル値をストアする。
装置800は更に、ランタイムバッファ850に通信可能に結合されるピーク検出モジュール855を含む。ピーク検出モジュール855は、複数のサンプル値を比較し、選択された数の最大信号サンプル値を保持する。装置800は更に、ピーク検出モジュール855に通信可能に結合されるサンプルソートモジュール860を含む。サンプルソートモジュール860は、大きさに応じて最大信号X−Yノードサンプル値を配列する。
装置800は更に、タッチパネル特性モデラー210に通信可能に結合される距離投影モジュール270を含む。距離投影モジュール270は、ランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられる経路上の最大信号ノードに関連付けられるサンプル値を、タッチパネルキャリブレーションモデルに代入する。距離投影モジュール270はまた、最も強く関連する経路に沿った最大信号ノードと、最も強く関連する経路上へのランタイムタッチ事象の位置からの投影点との間の距離170について求める。最外の最大信号ノードでは、投影点は、最も近いパネル端部の方向に外方に延びると考えられる。内側の最大信号ノードの場合、投影点は、最も強く関連する経路にある2番目に大きい信号ノードに向かう方向に延びると考えられる。
本明細書に記載されるモジュール及び構成要素は、ハードウェア回路要素、光学的構成要素、シングル又はマルチプロセッサ回路、及び/又はメモリ回路を含み得る。本開示の主題は、装置800、方法600及び700の設計者が所望するように、及び特定の実装に適切なように、説明されたモジュール及び構成要素の組み合わせも含み得る。
本明細書に記載される装置及び方法は、タッチパネルを特徴づけること、及び、その結果の特徴付けモデルを、X−Yノードにより境界が定められるエリアだけでなくタッチパネルマージンにおけるエリア内のタッチ位置を補間するために用いること以外の用途に有用であり得る。方法600及び700及び装置800の例は、こういった構造や種々のシーケンスのフローの全般的な理解を提供することが意図される。これらは、こういった構造及びシーケンスを利用し得る装置及び方法の全ての要素及び特徴の完全な説明として機能することは意図されていない。
こういった種々の装置及び方法は、レセプタクル電力コンバータ、コンピュータにおいて用いられる電子回路要素、通信及び信号処理回路要素、シングルプロセッサ又はマルチプロセッサモジュール、単一又は複数の埋め込みプロセッサ、マルチコアプロセッサ、データスイッチ、及び、特に、多層のマルチチップモジュールを含む、特定用途向けモジュールに関連して用いるため半導体アナログ及びデジタル回路、に組み込まれ得る。このような装置及びシステムは更に、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ(例えば、ラップトップコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、タブレットコンピュータなど)、ワークステーション、ラジオ、ビデオプレーヤ、オーディオプレーヤ(例えば、MP3(Motion Picture Experts Group、Audio Layer 3)プレーヤ)、車両、医療デバイス(例えば、心臓モニタ、血圧モニタなど)、セットトップボックスなどの、種々の電子的システム内のサブ構成要素として含まれ得る。
装置及び方法が、タッチパネル表面にわたる線形経路に沿った既知のX−Y座標位置において生成されるキャリブレーションタッチ事象のシーケンスに応答して得られるキャリブレーションサンプル値のセットを処理する。キャリブレーションサンプル値のセットはその後、タッチパネルの又はその一部の特性モデルをつくるためにその経路に曲線当てはめされる。ランタイム信号が、タッチ事象の時間におけるパネルにわたるX−Yノードから得られる。1つ又は複数のランタイム信号値が、ランタイムタッチ事象に最も強く関連付けられるX−Yノードと、経路上へのタッチ事象場所の投影点との間の距離を判定するためにパネル特性モデルに代入され得る。
当業者であれば、本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び多くの他の実施例が可能であることが分かるであろう。
Claims (20)
- タッチパネル精度を改善するための装置であって、
タッチパネルに関連して既知のX−Y座標位置にタッチエミュレートスタイラスを位置決めするように、及び前記スタイラスを押下するように、X−Y座標位置決め装置に指令するためのキャリブレーションサンプリングコントローラ、
複数のキャリブレーションサンプル値を受信、サンプリング、及びストアするために前記キャリブレーションサンプリングコントローラに通信可能に結合されるタッチサンプリングモジュールであって、各キャリブレーションサンプル値が、タッチパネルノードに関連付けられる信号振幅に対応し、各ノードが、タッチパネルロー/コラム交差地点に関連付けられるX−Y座標位置に対応し、前記信号振幅が、前記押下さられたスタイラスの前記X−Y座標位置へのノードの物理的近接に対応する、前記タッチサンプリングモジュール、及び
前記複数のノードキャリブレーションサンプル値を受信するため、及び前記タッチパネルにわたる前記タッチエミュレートスタイラスの経路の関数として前記複数のノードキャリブレーションサンプル値の特性モデルを生成するために、前記キャリブレーションサンプリングコントローラに通信可能に結合されるタッチパネル特性モデラー、
を含む、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、各キャリブレーションサンプル値が、対応するロー又はコラムに沿った位置に対応するキャリブレーションサンプリング時間における対応するロー又はコラムキャリブレーション信号の大きさを表す、装置。
- 請求項1に記載の装置であって更に、ローに沿ったスタイラスの動きに関連付けられるコラムキャリブレーションサンプル値のセット、又はコラムに沿ったスタイラスの動きに関連付けられるローキャリブレーションサンプル値のセット、のうち少なくとも一つをストアするために前記キャリブレーションサンプリングコントローラに通信可能に結合されるキャリブレーションサンプルバッファを含む、装置。
- タッチパネル精度を改善するための装置であって、
複数のサンプル値を受信及びストアするためのタッチサンプリングモジュールであって、各サンプル値が、タッチパネルノードに関連付けられる信号振幅に対応し、各ノードが、タッチパネルロー/コラム交差地点に関連付けられるX−Y座標位置に対応し、前記信号振幅が、ランタイムタッチ事象のX−Y座標位置へのノードの物理的近接に対応する、前記タッチサンプリングモジュール、及び
前記ランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられる経路上の最大信号ノードに関連付けられるサンプル値をタッチパネルキャリブレーションモデルに代入するため、及び、前記最大信号ノードと、前記最も強く関連する経路上への前記ランタイムタッチ事象の位置からの投影点との間の距離を求めるために、前記タッチサンプリングモジュールに通信可能に結合される距離投影モジュール、
を含む、装置。 - 請求項4に記載の装置であって、
前記複数のサンプル値をストアするために前記タッチサンプリングモジュールに結合されるランタイムバッファ、
前記複数のサンプル値を比較するため及び選択された数の前記最大信号サンプル値を保持するために、前記ランタイムバッファに通信可能に結合されるピーク検出モジュール、及び
大きさに応じて前記最大信号X−Yノードサンプル値を配列するために前記ピーク検出モジュールに通信可能に結合されるサンプルソートモジュール、
を更に含む装置。 - 請求項4に記載の装置であって、ノードキャリブレーションサンプル値の上位セットを受信するため、及び前記タッチパネルにわたって移動するタッチエミュレートスタイラスの経路の関数として前記ノードキャリブレーションサンプル値の上位セットの特性モデルを生成するために、前記タッチサンプリングモジュールに通信可能に結合されるタッチパネル特性モデラーを更に含む、装置。
- 請求項6に記載の装置であって、各キャリブレーションサンプル値が、対応するロー又はコラムに沿った位置に対応するキャリブレーションサンプリング時間における対応するロー又はコラムキャリブレーション信号の大きさを表す、装置。
- タッチパネル精度を改善する方法であって、
タッチパネル上の経路に沿った既知の場所においてつくられる一連のキャリブレーションタッチ事象に対応する時間において、X−Yノードキャリブレーションサンプル値の複数のセットを得るために、ロー信号のセット又はコラム信号のセットの少なくとも1つをサンプリングすることであって、各X−Yノードキャリブレーションサンプル値が、対応するロー又はコラムに沿った位置に対応するキャリブレーションサンプリング時間における対応するロー又はコラムキャリブレーション信号の大きさを表すこと、
前記経路のタッチパネルキャリブレーションモデルを得るために、X−Yノードキャリブレーションサンプル値の前記セットを曲線当てはめすること、
X−Yノードランタイムサンプル値のセットを得るために、ランタイムタッチパネル事象に関連付けられるロー信号のセット又はコラム信号のセットの少なくとも1つをサンプリングすること、
ロー又はコラムの少なくとも1つを、ランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられる経路として判定すること、及び
前記最も強く関連する経路の最大信号X−Yノードと、前記最も強く関連する経路上へのランタイムタッチ事象場所の投影点との間の距離を、前記最も強く関連する経路に関連付けられる最大の大きさのX−Yノードランタイムサンプル値の大きさを前記タッチパネルキャリブレーションモデルに代入することにより、及び前記距離について求めることにより、判定すること、
を含む、方法。 - 請求項8に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、
前記ランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられる前記ロー又はコラムを、周りのロー又はコラムに関連付けられる他のX−Yノードランタイムサンプル値に比して最大の大きさのX−Yノードランタイムサンプル値に関連付けられるロー又はコラムと判定すること、
周辺X−Yノードに対し、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードからの前記投影点の方向を、パネル端部に向かっていると判定すること、及び
内方X−Yノードに対し、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードからの前記投影点の方向を、2番目に大きいX−Yノードランタイムサンプル値に向かっていると判定すること、
を更に含む、方法。 - 請求項8に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、前記タッチパネルを押すこと、及び、ロー又はコラムキャリブレーション信号の前記セットをつくるために前記タッチパネルの対向する端部間でロー又はコラムに沿ってスウィープすること、を更に含む、方法。
- 請求項10に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、時間の増分毎にキャリブレーションサンプルの均等分布をつくるために実質的に一定レートで前記ロー又はコラムに沿ってスウィープすることを更に含む、方法。
- タッチパネル精度を改善する方法であって、
X−Yノードランタイムサンプル値を得るためにランタイムタッチパネル事象に関連付けられるロー信号のセット又はコラム信号のセットの少なくとも1つをサンプリングすること、
ロー又はコラムの少なくとも1つを、ランタイムタッチパネル事象に最も強く関連付けられる経路として判定すること、及び
前記最も強く関連する経路上の最大信号X−Yノードと、前記最も強く関連する経路上へのランタイムタッチ事象場所の投影点との間の距離を、前記最も強く関連する経路に関連付けられる最大の大きさのX−Yノードランタイムサンプル値の大きさを前記タッチパネルキャリブレーションモデルに代入すること及び前記距離について求めることにより、判定すること、
を含む、方法。 - 請求項12に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、サンプリングシーケンスの間前記タッチパネルから得た全てのX−Yノードサンプル値の最大の大きさのX−Yノードサンプルの値に対応するロー又はコラムを選択することを更に含む、方法。
- 請求項12に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、
周辺X−Yノードに対し、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードからの前記投影点の方向を、パネル端部に向かっていると判定すること、及び
内方X−Yノードに対し、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードからの前記投影点の方向を、2番目に大きいX−Yノードランタイムサンプル値に向かっていると判定すること、
を更に含む、方法。 - 請求項12に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、前記タッチパネルキャリブレーションモデルが、指数的モデル、放物線モデル、又は線形モデルの一つから選択されるモデルで構成される、方法。
- 請求項12に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、
正規化された最大候補ピーク値の、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードに対する比を判定することであって、前記最大信号X−Yノードサンプル値が、前記最大候補ピーク値に正規化されること、
前記比の自然対数を判定すること、及び
前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードと、前記最も強く関連する経路上への前記ランタイムタッチ事象場所の前記投影点との間の前記距離を判定するために、前記比の前記自然対数の平方根を計算すること、
を更に含む、方法。 - 請求項16に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、前記最大候補ピーク値を100に正規化することを更に含む、方法。
- 請求項12に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、
正規化された最大候補ピーク値と、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードとの間の数的差を判定することであって、前記最大信号X−Yノードサンプル値が、前記最大候補ピーク値に正規化されること、
前記数的差の、タッチパネル特性パラメータ値に対する比を判定することであって、前記タッチパネル特性パラメータ値が、タッチパネルロー又はコラム信号強度特性曲線の形状に近づくように選択されること、及び
前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードと、前記最も強く関連する経路上への前記ランタイムタッチ事象場所の前記投影点との間の距離を判定するために、前記比の平方根を計算すること、
を更に含む、方法。 - 請求項18に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、前記最大候補ピーク値を100に正規化することを更に含む、方法。
- 請求項12に記載のタッチパネル精度を改善する方法であって、
正規化された最大候補ピーク値と、前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードとの間の数的差の絶対値を判定することであって、前記最大信号X−Yノードサンプル値が、前記最大候補ピーク値に正規化されること、及び
前記最も強く関連する経路上の前記最大信号X−Yノードと、前記最も強く関連する経路上への前記ランタイムタッチ事象場所の前記投影点との間の前記距離を、タッチパネル特性パラメータ値に対する前記数的差の前記絶対値の比の正量又は負量と判定することであって、前記特性パラメータ値が、タッチパネルロー又はコラム信号強度特性曲線の形状に近づくように選択されること、
を更に含む、方法。
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