JP2016225443A - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、実装エリアを露出するためのキャビティを有するプリント配線板に関する。 The present invention relates to a printed wiring board having a cavity for exposing a mounting area.
特許文献1は、図2に電子部品内蔵基板を開示している。特許文献1の電子部品内蔵基板は、コアレス基板と樹脂層を有する。そして、樹脂層に半導体チップを収容するための貫通孔と貫通ビアが形成されている。 Patent Document 1 discloses an electronic component built-in substrate in FIG. The electronic component built-in substrate of Patent Document 1 includes a coreless substrate and a resin layer. A through hole and a through via for accommodating the semiconductor chip are formed in the resin layer.
特許文献1に開示されている電子部品内蔵基板は、コアレス基板と半導体チップを収容するための収容部を有する樹脂層で形成されている。そのため、電子部品内蔵基板の強度や剛性は低いと考えられる。リフロー等で電子部品内蔵基板が高温になると、反りが大きいと予想される。 The electronic component built-in substrate disclosed in Patent Document 1 is formed of a resin layer having a coreless substrate and a housing portion for housing a semiconductor chip. Therefore, it is considered that the strength and rigidity of the electronic component built-in substrate is low. When the electronic component built-in substrate becomes hot due to reflow or the like, the warpage is expected to be large.
ここで、芯材を備え剛性の高いコア基板に開口を設け、電子部品を収容することも考え得るが、ビルドアップ層形成後は開口を設ける加工が難しく、製造コストの嵩む原因となり得る。 Here, it is conceivable to provide an opening in a core substrate having a core material and having a high rigidity to accommodate an electronic component. However, after forming the build-up layer, it is difficult to process the opening, which may increase the manufacturing cost.
本発明のプリント配線板の製造方法は、第1面と該第1面と反対側の第2面とを有し、芯材を備えるコア基板を準備することと、前記コア基板の第1面に剥離層を設けることと、前記コア基板の前記第2面を樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、前記コア基板の第1面及び前記剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離することと、前記コア基板の前記第2面側から、前記剥離層を露出させるキャビティを形成することと、前記剥離層を除去すること、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes preparing a core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and including a core material; and a first surface of the core substrate. Providing a release layer, temporarily bonding the second surface of the core substrate toward the surface of the resin film, a resin insulating layer and a conductor layer on the first surface of the core substrate and the release layer, Forming a buildup layer formed by laminating, separating the core substrate from the resin film, and forming a cavity exposing the release layer from the second surface side of the core substrate; Removing the release layer.
実施形態のプリント配線板の製造方法では、芯材を備え剛性の高いコア基板を用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。また、コア基板の第1面に剥離層を設け、コア基板の第1面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成する。コア基板の第2面側から、剥離層を露出させるキャビティを形成する。予め剥離層が形成されているため、キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。 In the printed wiring board manufacturing method of the embodiment, since a core substrate having a core material and high rigidity is used, the warpage of the printed wiring board can be reduced. Also, a release layer is provided on the first surface of the core substrate, and a buildup layer formed by laminating a resin insulating layer and a conductor layer on the first surface and the release layer of the core substrate is formed. A cavity exposing the release layer is formed from the second surface side of the core substrate. Since the release layer is formed in advance, the formation of the cavity is easy, the productivity is high, and the production cost can be suppressed.
好適な実施形態では、コア基板の第1面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜を剥離層の形成位置の外周に形成する。金属膜に沿ってレーザを当てることで、キャビティを容易に形成できる。 In a preferred embodiment, a metal film serving as a stopper for forming a cavity is formed on the first surface of the core substrate on the outer periphery of the release layer forming position. By applying a laser along the metal film, the cavity can be easily formed.
好適な実施形態では、予めコア基板の第2面側からキャビティ形成用の切れ込みを形成する。そして、コア基板を前記樹脂フィルムから分離した後で前記切れ込みを第2面まで貫通させることで、コア基板の第2面側から剥離層を露出させるキャビティを形成する。キャビティを容易に形成できる。 In a preferred embodiment, a notch for forming a cavity is formed in advance from the second surface side of the core substrate. And after separating a core substrate from the said resin film, the cavity which exposes a peeling layer from the 2nd surface side of a core substrate is formed by penetrating the said notch to the 2nd surface. A cavity can be easily formed.
[第1実施形態]
図1(A)は第1実施形態のプリント配線板10を示す。第1実施形態のプリント配線板10は、第1面Sと第1面と反対側の第2面Fとを有する第1回路基板130と第3面Vと第3面と反対側の第4面Wとを有する第2回路基板155を有する。
[First embodiment]
FIG. 1A shows a printed
図1(A)に示されている第2回路基板155は、交互に積層されている導体層58F、158Fと樹脂絶縁層50F、150Fとから成るビルドアップ層55Fで形成されている。第2回路基板155は第1回路基板130の第2面F上に積層されている。第2回路基板の第3面Vと第1回路基板の第2面Fは接している。
第2回路基板の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子で形成されている。さらに、樹脂絶縁層50F、150Fはガラスクロス等の補強部材を含んでも良い。樹脂絶縁層50F、150Fが補強部材を含むことで第2回路基板のクラックが抑制される。
各樹脂絶縁層はビア導体用の開口68F、168Fを有し、各開口は第4面W側から第3面V側に向かってテーパーしている。
各樹脂絶縁層の開口68F、168Fにビア導体60F、160Fが形成されている。各ビア導体の側壁は第4面W側から第3面V側に向かってテーパーしている。ビア導体により隣接する導体層が接続されている。
第2回路基板155は第3面Vの略中央部分に図1(B)に示される実装エリアSMFを有する。図1(B)のX1−X1断面が図1(A)に対応する。実装エリアは第1回路基板の開口26により露出されている。実装エリア上にICチップ等の電子部品が実装される。
The
The resin insulating layer of the second circuit board is made of resin and inorganic particles. Further, the
Each resin insulation layer has
Via
The
図1(A)に示されている第1回路基板130はコア基板30を有する。コア基板は、樹脂と芯材(補強部材)を含む絶縁基板20zと第1導体層34Sと第2導体層34Fとスルーホール導体36で形成されている。絶縁基板は第1面Sと第1面Sと反対側の第2面Fを有する。絶縁基板の第1面とコア基板の第1面は同じ面であり、絶縁基板の第2面とコア基板の第2面は同じ面である。絶縁基板は、さらに、無機粒子を含んでも良い。第1導体層34Sは第1面上に形成されていて、第2導体層34Fは第2面上に形成されている。第1導体層と第2導体層はスルーホール導体で接続されている。第1回路基板は、さらに、第2回路基板の実装エリアSMFを露出するための開口26を有している。図1(A)では、プリント配線板が第1導体層上に導体層を有していない。その場合、第1導体層は最上の導体層である。
A
図1(A)に示されるように、第1回路基板130の第2面Fと第2導体層34F上に第1の樹脂絶縁層50Fが形成されている。第1の樹脂絶縁層50Fに樹脂絶縁層50Fを貫通するビア導体60F(60FI、60FO)用の開口68F(68FI、68FO)が形成されている。
第1の樹脂絶縁層50F上に第2回路基板内の導体層58Fが形成されている。
ビア導体60F用の開口68Fにビア導体60Fが形成されている。ビア導体60Fは、導体層(第2回路基板内の導体層)58Fと第2導体層34Fを接続している接続用ビア導体60FOと電子部品を実装するための実装用ビア導体60FIを有する。接続用ビア導体60FOは第1回路基板内のスルーホール導体のランド36Lに直接接続されることが好ましい。ランド36Lはスルーホール導体を覆っている導体とスルーホール導体の周りの導体で形成されていて、第2導体層34Fに含まれる。
実装用ビア導体は実装エリアSMF内に形成されている。実装用ビア導体60FIは、第1の樹脂絶縁層50Fのビア導体用の開口68FI内に形成されている。実装用ビア導体60FIのボトム(C4パッド)73SIは開口68FIにより露出される。また、C4パッド73SIは、第1回路基板の開口26により露出される。実装用ビア導体のボトム(C4パッド)は、開口26と開口68FIにより露出される。
接続用ビア導体60FOは、第1の樹脂絶縁層50Fの開口68FO内に形成されている。接続用ビア導体60FOのボトム60FBはスルーホール導体のランド36Lに直接接続している。
As shown in FIG. 1A, a first
A
A via
The mounting via conductor is formed in the mounting area SMF. The mounting via conductor 60FI is formed in the opening 68FI for the via conductor of the first
The connection via conductor 60FO is formed in the opening 68FO of the first
図1(A)に示されるように、樹脂絶縁層(第1の樹脂絶縁層)50Fを貫通する実装用ビア導体60FIのボトムは露出していて、第1パッド(C4パッド)73SIとして機能する。第1パッドは第2回路基板の実装エリアに形成されている。第1パッド73SI上に電子部品と接続するための半田バンプ76SI(図2(A)参照)を形成することができる。 As shown in FIG. 1A, the bottom of the mounting via conductor 60FI that penetrates the resin insulating layer (first resin insulating layer) 50F is exposed and functions as the first pad (C4 pad) 73SI. . The first pad is formed in the mounting area of the second circuit board. Solder bumps 76SI (see FIG. 2A) for connecting to electronic components can be formed on the first pads 73SI.
第1実施形態のプリント配線板では、ビア導体用の開口は樹脂絶縁層の下面から樹脂絶縁層の上面に向かってテーパーしている。そのため、パッドのサイズをさらに小さくすることができる。第1パッドのピッチをさらに小さくすることができる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高機能な電子部品をプリント配線板に実装することができる。 In the printed wiring board of the first embodiment, the via conductor opening tapers from the lower surface of the resin insulating layer toward the upper surface of the resin insulating layer. Therefore, the pad size can be further reduced. The pitch of the first pad can be further reduced. The size of the printed wiring board is reduced. High-performance electronic components can be mounted on a printed wiring board.
図1(A)に示されるように、第1の樹脂絶縁層50Fと導体層58F上に第2の樹脂絶縁層150Fが形成されている。第2の樹脂絶縁層150Fに樹脂絶縁層150Fを貫通する第2のビア導体160F用の開口168Fが形成されている。
第2の樹脂絶縁層150F上に第2回路基板内の第2の導体層158Fが形成されている。
第2のビア導体160F用の開口168Fに第2のビア導体160Fが形成されている。第2のビア導体160Fは、導体層(第2回路基板内の第2の導体層)158Fと導体層58Fを接続している。
As shown in FIG. 1A, a second
A
A second via
プリント配線板は第2回路基板の樹脂絶縁層(最下の樹脂絶縁層)150Fと導体層(最下の導体層)158F上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fを有することができる。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fに導体層(最下の導体層)158Fを露出する開口71Fが形成されている。開口71Fにより露出される導体層158Fはマザーボードと接続するパッド73Fとして機能する。
パッド73F上に保護膜72を形成することができる。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pd/AuやOSP(Organic Solderability Preservative)膜で形成される。
実装用ビア導体60FIのボトム(C4パッド)上に保護膜を形成することができる。
The printed wiring board can have a solder resist
A
A protective film can be formed on the bottom (C4 pad) of the mounting via conductor 60FI.
図3(B)に示されるように貫通孔28は、絶縁基板20zの第1面Sに第1開口28SOを有する第1開口部28Sと第2面Fに第2開口28FOを有する第2開口部28Fで形成されている。第1開口部28Sは第1面から第2面に向かってテーパーしていることが好ましい。第2開口部28Fは第2面から第1面に向かってテーパーしていることが好ましい。このような形状を有する貫通孔28内にスルーホール導体36が形成されている。図1(A)に示されているスルーホール導体36は例えば、US7786390に開示されている方法で製造されてもよい。
As shown in FIG. 3B, the through
絶縁基板20zは補強部材と樹脂で形成されている。絶縁基板20zは、さらに、無機粒子を含んでも良い。補強部材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。無機粒子の例はシリカやアルミナである。
The insulating
プリント配線板は、第1回路基板130の第1面Sと第1導体層34S上にソルダーレジスト層70Sを有することができる。上側のソルダーレジスト層70Sに第1導体層34Sを露出する開口71Sが形成されている。開口71Sにより露出される第1導体層34Sは第2のパッケージ基板230を搭載するためのパッド(第2パッド)73Sとして機能する。第2パッド上に保護膜72を形成することができる。第2のパッケージ基板230は図2(B)に示されている。
The printed wiring board may have a solder resist
図2(A)は、第1実施形態のプリント配線板10の第1応用例120を示す。第1応用例120は、パッケージ基板(第1のパッケージ基板)である。
パッケージ基板120では、第1回路基板130の開口26内にICチップなどの電子部品90が収容されている。ICチップ90は、開口26から露出するC4パッド73SIに半田バンプ76SIにより実装される。
FIG. 2A shows a first application example 120 of the printed
In the
図2(B)は、第1実施形態のプリント配線板10の第2応用例(POP基板)200を示す。第2応用例では、第1のパッケージ基板120に接続体76SOを介して第2のパッケージ基板230が搭載されている。第2のパッケージ基板230は上基板210と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品190を有する。接続体76SOは、上側のソルダーレジスト層70Sの開口71Sにより露出される第2導体層(第2パッド)73S上に形成されている。図2(B)では、接続体76SOは、半田バンプ76SOである。半田バンプ以外の接続体の例はめっきポストやピンなどの金属ポスト(図示せず)である。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
第1のパッケージ基板120のキャビティ26内にICチップを封止するモールド樹脂102が形成されている。上基板210上に電子部品190を封止するモールド樹脂202が形成されている。
FIG. 2B shows a second application example (POP substrate) 200 of the printed
A
第1回路基板は、絶縁基板20zの第1面と第1導体層上に交互に積層されている樹脂絶縁層と導体層を有することができる。その場合、樹脂絶縁層と導体層上に上側のソルダーレジスト層70Sが形成される。その場合、上側のソルダーレジスト層70Sの直下の導体層が最上の導体層である。
The first circuit board can have a resin insulating layer and a conductor layer alternately stacked on the first surface of the insulating
プリント配線板10は、ビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fの開口71Fから露出されるパッド73Fに、マザーボードと接続するための半田バンプ76Fを有しても良い。
The printed
実施形態のプリント配線板では、絶縁基板20zに電子部品収容用の開口26が形成される。もし、第1回路基板の両面に第2回路基板が形成されると、第1回路基板を中心に対称な構造が得られる。そのため、接点CMに働くストレスは小さい。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、第2回路基板が第1回路基板の第2面上のみに形成されている。そのため、ストレスの集中を避けるため、実施形態のプリント配線板に凹部55Ffを形成することができる。凹部55Ffは第1回路基板130と第2回路基板155の間に形成されている空間であって、開口26に繋がっている。凹部の上面は第1回路基板の第2面である。凹部の下面は第2回路基板の第3面である。凹部の側壁55fwは第1回路基板と接している第1の樹脂絶縁層50Fの側面である。凹部55Ffの側壁55fwは開口26により露出される絶縁基板20zの側壁26Wより後退している。凹部55Ffにより、高い剛性を有する第1回路基板130のコーナー部26Eが、第2回路基板に接しない。熱収縮に起因する応力がコーナー部26Eに集中しても、コーナー部から第2回路基板にストレスが至らない。第2回路基板にクラックが発生し難い。凹部55Ffを有するプリント配線板の信頼性が低下しない。第1実施形態のプリント配線板では、開口26から露出する第2回路基板の第3面Vは第1回路基板の第2面から凹んでもよい。その場合、開口26から露出する面(実装エリア)SMFは第1回路基板の第2面より下に位置している。凹部55Ffの下面(凹部内の第1の樹脂絶縁層50Fの上面)は開口26から露出する面(実装エリア)SMFに繋がっている。
In the printed wiring board of the embodiment, an
第1回路基板130を構成する絶縁基板20zは芯材に樹脂を含浸させたプリプレグを積層して成る。芯材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂である。ビルドアップ層55Fを構成する樹脂絶縁層50F、150Fは、芯材を含有せず、無機フィラーを含有する樹脂から成る。樹脂の例は、エポキシ樹脂やBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂を主としてなる樹脂である。無機フィラーとしては、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。更に、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられる。
The insulating
第1実施形態のプリント配線板は、芯材を備え剛性の高い絶縁基板20zを用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。
Since the printed wiring board of the first embodiment includes the core material and uses the highly rigid
[第1実施形態のプリント配線板の製造方法]
第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が図3〜図7に示される。
出発基板としての両面銅張積層板が準備される。出発基板は、絶縁基板20zと絶縁基板20zの両面に積層されている銅箔22S、22Fで形成されている(図3(A))。絶縁基板は、補強部材と樹脂と無機粒子を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂である。
絶縁基板は第1面Sと第1面と反対側の第2面Fを有する。絶縁基板の第1面Sに積層されている銅箔22Sは第1銅箔であり、絶縁基板の第2面Fに積層されている銅箔22Fは第2銅箔である。
[Method for Manufacturing Printed Wiring Board of First Embodiment]
The manufacturing method of the printed
A double-sided copper-clad laminate as a starting substrate is prepared. The starting substrate is formed of copper foils 22S and 22F laminated on both surfaces of the insulating
The insulating substrate has a first surface S and a second surface F opposite to the first surface. The
出発基板の第1銅箔22SにCO2レーザが照射される。絶縁基板20zの第1面S側に第1開口部28Sが形成される。更に、第2銅箔22FにCO2レーザが照射される。第1開口部28Sに繋がる第2開口部28Fが第2面F側に形成される。第1開口部の側壁と第2開口部の側壁の交点に接続部28Mが形成される。第1開口部の軸線LL1と第2開口部の軸線LL2が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔28が形成される(図3(B))。第1開口部は第1面Sから第2面Fに向かってテーパーしている。第2開口部は第2面Fから第1面Sに向かってテーパーしている。第1開口部は第1面に第1開口28SOを有し、第2開口部は第2面に第2開口28FOを有する。
The
第1銅箔と第2銅箔、貫通孔28の側壁上に無電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜上にめっきレジスト膜を形成し、その後電解めっきで貫通孔28内にスルーホール導体36及びパターンを形成する。めっきレジスト膜を剥離する。めっきレジスト膜下の無電解めっき膜及び銅箔22F、22Sをエッチング液で除去する。これにより、絶縁基板の第1面に第1導体層34Sが形成される。絶縁基板の第2面に第2導体層34Fが形成される。第2導体層34Fは開口26を形成するためのダミーパターン34FIを含む。貫通孔28に第1導体層と第2導体層を接続するスルーホール導体36が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接続部28Mに最も細い部分を有する。貫通孔28を有する絶縁基板と貫通孔28に形成されているスルーホール導体36と絶縁基板の第1面上に形成されている第1導体層34Sと絶縁基板の第2面上に形成されている第2導体層34Fとを有する中間体300が得られる(図3(C))。
An electroless plating film is formed on the side walls of the first copper foil, the second copper foil, and the through
図1(C)に中間体300の平面図が示されている。図1(C)は、第2導体層側から中間体を観察することで得られる平面図である。図1(C)に第2導体層と第2導体層から露出する絶縁基板20zの第2面Fが示されている。絶縁基板の第2面の略中央に本発明の金属膜の一例であるダミーパターン34FIが形成されている。ダミーパターン34FIは絶縁基板20zの第2面の所定の領域を覆っている。ダミーパターン34FIは、方形枠状のベタパターンである。ダミーパターンの周りにスルーホール導体36のランド36Lが示されている。図1(D)に、開口26とダミーパターン34FIの位置関係や両者のサイズが示されている。ダミーパターン34FIの外周は実線で示されていて、開口26の外周は点線で示されている。点線は、ダミーパターン上に形成される開口26の外周を示している。図1(D)に示されるように、ダミーパターン34FIの外周は開口26より外側に位置し、ダミーパターン34FIの内周は開口26より内側に位置している。
A plan view of the
中間体300の第2面Fであって、枠状のダミーパターン34FI内に剥離層40及び銅箔48が設けられる。剥離層40は、ポリイミドフィルム42の両面に離型膜44、44が積層されて成る(図3(D))。
On the second surface F of the
仮接着用樹脂フィルム80の両面に、中間体300の第1面S側が仮接着用樹脂フィルム80表面へ向くよう中間体300が仮接着される(図4(A))。仮接着用樹脂フィルム80は、ポリプロピレン層82の両面にポリイミド層84が積層されて成る。
The
中間体の第2面Fに樹脂絶縁層(第1の樹脂絶縁層)50Fが形成され、第2中間体400が完成する(図4(B))。上側のソルダーレジスト層70Sと第1の樹脂絶縁層50Fとは熱硬化タイプである。樹脂絶縁層50Fはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。
A resin insulation layer (first resin insulation layer) 50F is formed on the second surface F of the intermediate body, and the second
次に、第1の樹脂絶縁層50Fに、第2導体層34Fに至るビア導体用の開口68F(68FI、68FO)が形成される(図4(C))。ビア導体用の開口68Fは銅箔48に至る開口68FIとダミーパターン以外の第2導体層に至る開口68FOを有する。開口68FIは、実装用ビア導体を形成するための開口である。開口68FOは接続用ビア導体を形成するための開口である。開口68FOは、例えば、スルーホール導体のランド36Lに至る。スルーホール導体のランドはスルーホール導体の直上に形成されている導体とスルーホール導体の周りに形成されている導体で形成される。
Next, via
セミアディティブ法で第1の樹脂絶縁層50F上に導体層58Fが形成される。同時に、開口68Fにビア導体60Fが形成される(図5(A))。開口68FOにスルーホール導体に繋がるビア導体(接続用ビア導体)60FOが形成される。開口68FIにC4パッドを形成するビア導体(実装用ビア導体)60FIが形成される。ビア導体60Fはボトムを有する。接続用ビア導体のボトムはスルーホール導体のランド36Lに接している。
実装用ビア導体のボトムは銅箔48上に形成される。実装用ビア導体のボトムは銅箔48に接している。
The
The bottom of the mounting via conductor is formed on the
開口68FIから露出する銅箔48上に金属膜を形成することができる。金属膜がC4パッドとして機能する。金属膜は銅以外の金属で形成されていて、金属膜はC4パッド(第1パッド)の酸化を防止する。金属膜の例は金、パラジウム、錫である。金属膜とC4パッド間にニッケルを形成することができる。
A metal film can be formed on the
第1の樹脂絶縁層50Fと導体層58F上に第2の樹脂絶縁層150Fが加熱プレスで形成される。第2の樹脂絶縁層150Fに第2ビア導体用の開口168Fが形成される。第2の樹脂絶縁層150Fは熱硬化タイプである。
第2の樹脂絶縁層150F上に導体層158Fが形成される。同時に、第2ビア導体用の開口に第2のビア導体160Fが形成される。導体層158Fやビア導体160Fはセミアディティブ法で形成される。
A second
Conductive layer (158F) is formed on second resin insulation layer (150F). At the same time, the second via
第2の樹脂絶縁層150Fと導体層158F上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fが形成される(図5(B))。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fは熱硬化タイプである。
A solder resist
仮接着用樹脂フィルム80から剥離され、個別の第3中間体500に分けられる(図6(A))。絶縁基板20zの第1面S側に第1面S上に絶縁基板上のソルダーレジスト層70Sが形成される(図6(B))。
It peels from the
図1(D)を参照して上述された枠型のダミーパターン34FIに至るスリット88がソルダーレジスト層70S及び絶縁基板20zを貫通するようレーザで形成される(図6(C)。
The
スリット88で分けられたソルダーレジスト層70S及び絶縁基板20zが、剥離層40と共に分離され、銅箔48が露出される(図7(A))。
The solder resist
開口26から露出する銅箔48及びダミーパターン34FIがエッチングで除去される。開口26によりC4パッドを形成するビア導体60FIのボトムが露出される(図7(B))。
The
実施形態では、ダミーパターン34FIのサイズが開口26のサイズより大きい。そして、第1回路基板130と第2回路基板155との間のダミーパターンが除去される。そのため、図7(C)に示されるように、実装エリアは第1回路基板の第2面から凹む。また、第1回路基板と第2回路基板との間に空間(凹部)55Ffが形成される。
In the embodiment, the size of the dummy pattern 34FI is larger than the size of the
レーザにより、上側のソルダーレジスト層70Sに、パッド73Sを露出する開口71Sが形成される。
下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fに、パッド73Fを露出する開口71Fがレーザにより形成される(図7(C))。
An
An
パッド73F、73SとC4パッド73SI上に保護膜72が形成される(図1)。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pd/AuやOSP(Organic Solderability Preservative)膜で形成される。C4パッド上の保護膜は描かれない。
A
各パッド73F、73SI、73S上に半田バンプ76F、76SI、76SOが形成され得る。
Solder bumps 76F, 76SI, and 76SO may be formed on the
各樹脂絶縁層50F、150Fは上面と上面と反対側の下面を有する。各樹脂絶縁層の上面は第1回路基板130に近い面であり、各樹脂絶縁層の下面は下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fに近い面である。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口68F、168Fは下面から上面に向かってテーパーしている。ビア導体用の開口に形成されているビア導体60F、160Fの側壁も下面から上面に向かってテーパーしている。
Each of the
各導体層58F、158Fやビア導体60F、160Fは、無電解銅めっき膜52と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜56で形成されている(図5(A)参照)。
Each of the conductor layers 58F and 158F and the via
C4パッド73SI上の半田バンプ76SIを介してプリント配線板上にICチップ90が実装される。第1のパッケージ基板(第1応用例)が完成する(図2(A))。ICチップは開口内に収容されている。ICチップは開口26から外にでていない。半田バンプ76SOを介して第2のパッケージ基板230が第1のパッケージ基板120に搭載される(図2(B))。POP基板(第2応用例)200が完成する。
開口68FIから露出する銅箔48上にシード層52と電解銅めっき膜56で形成される実装用ビア導体が形成される。銅箔48とシード層間に金属膜を形成することができる。銅箔48のみを除去することで、実装用ビア導体60FIのボトムが露出する。シード層で形成される実装用ビア導体のボトムと第1の樹脂絶縁層50Fの第3面は同じ平面上に位置する。金属膜で形成される実装用ビア導体のボトムと第1の樹脂絶縁層50Fの第3面が同一平面上に位置する。
A mounting via conductor formed of
第1実施形態では、コア基板30の第2面Fに剥離層40を設け、コア基板の第2面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層55Fが形成される。コア基板の第2面側から、銅箔48を露出させるキャビティが形成される。予め剥離層が形成されているため、キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。
In the first embodiment, a
第1な実施形態では、コア基板の第1面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜枠(ダミーパターン)34FIを剥離層40の形成位置の外周に形成する。金属膜に沿ってレーザを当てることで、キャビティを容易に形成できる。
In the first embodiment, a metal film frame (dummy pattern) 34FI serving as a stopper at the time of forming a cavity is formed on the first surface of the core substrate on the outer periphery of the position where the
[第2実施形態のプリント配線板の製造方法]
図8、図9に第2実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
第1実施形態と同様の工程を経て中間体300が得られる(図8(A))。絶縁基板20zの第1面S側からレーザで矩形状のスリット86が形成される(図8(B)。スリットは絶縁基板を貫通しないように形成される。
[Method for Manufacturing Printed Wiring Board of Second Embodiment]
8 and 9 show a method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment.
An intermediate 300 is obtained through the same steps as those in the first embodiment (FIG. 8A). A
絶縁基板20zの第2面F上のスリット86の対応位置に剥離層40及び銅箔48が設けられ、中間体300が完成する。剥離層40は、ポリイミドフィルム42の両面に離型膜44、44が積層されて成る(図8(C))。
The
第1実施形態と同様に、仮接着用樹脂フィルムの両面に中間体300が仮接着され、ビルドアップ層55Fが形成された後、仮接着用樹脂フィルムから剥離される(図9(A))。
Similarly to the first embodiment, the
矩形形状のスリット86に対応する形状のトリムパンチャー85で絶縁基板20zに機械的が衝撃が加えられ(図9(B))、スリット86で分けられたソルダーレジスト層70S及び絶縁基板20zが、剥離層40と共に分離され、銅箔48が露出される(図9(C))。
A mechanical impact is applied to the insulating
開口26から露出する銅箔48がエッチングで除去される。開口26によりC4パッドを形成するビア導体60FIのボトムが露出される(図9(D))。以降の工程は第1実施形態と同様である。
The
第2実施形態では、予めコア基板30の第2面S側からキャビティ形成用の切れ込み(スリット)86が形成される。切れ目から衝撃が与えられ、コア基板30の第2面側から銅箔48を露出させるキャビティ26が形成される。キャビティを容易に形成できる。第2実施形態は、第1実施形態よりも製造が容易である利点がある。
In the second embodiment, a notch (slit) 86 for forming a cavity is formed in advance from the second surface S side of the
10 プリント配線板
26 開口
34FI ダミーパターン
36 スルーホール導体
40 剥離層
48 銅箔
50F 樹脂絶縁層
58F 導体層
60F ビア導体
80 仮接着用樹脂フィルム
90 ICチップ
130 第1回路基板
155 第2回路基板
DESCRIPTION OF
Claims (6)
第1面と該第1面と反対側の第2面とを有し、芯材を備えるコア基板を準備することと、
前記コア基板の第2面に剥離層を設けることと、
前記コア基板の前記第1面を樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、
前記コア基板の第2面及び前記剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、
前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離することと、
前記コア基板の前記第1面側から、前記剥離層を露出させるキャビティを形成することと、
前記剥離層を除去すること、を含む。 A method of manufacturing a printed wiring board,
Preparing a core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and comprising a core;
Providing a release layer on the second surface of the core substrate;
Temporarily adhering the first surface of the core substrate toward the surface of the resin film;
Forming a buildup layer formed by laminating a resin insulation layer and a conductor layer on the second surface of the core substrate and the release layer;
Separating the core substrate from the resin film;
Forming a cavity exposing the release layer from the first surface side of the core substrate;
Removing the release layer.
前記コア基板の第2面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜を前記剥離層の形成位置の外周に形成することと、
前記キャビティを形成することは、前記コア基板の前記第1面側から前記金属膜に至る切れ目をレーザで形成することと、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising:
Forming a metal film on the second surface of the core substrate as a stopper when forming a cavity on the outer periphery of the formation position of the release layer;
Forming the cavity includes forming a break from the first surface side of the core substrate to the metal film with a laser.
前記キャビティを形成することは、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離する前に前記コア基板の第1面側から第1面と第2面との間までの切れ込みを形成することと、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離した後で前記切れ込みを第2面まで貫通させることと、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising:
Forming the cavity includes forming a cut from the first surface side of the core substrate between the first surface and the second surface before separating the core substrate from the resin film; and Penetrating the notch to the second surface after separating the substrate from the resin film.
剥離層上に金属箔を積層することと、前記剥離膜を除去した後で前記キャビティから露出した前記金属箔を除去することと、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising:
Laminating a metal foil on the release layer; and removing the metal foil exposed from the cavity after removing the release film.
前記ビルドアップ層中の導体層と前記金属箔とを接続するビア導体を形成することと、前記ビア導体の底部を前記キャビティから露出させることで実装パッドを形成することと、を含む。 The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 4, further comprising:
Forming a via conductor connecting the conductor layer in the build-up layer and the metal foil, and forming a mounting pad by exposing a bottom portion of the via conductor from the cavity.
前記切れ込みを第2面まで貫通させることは、パンチング加工によりおこなわれる。 It is a manufacturing method of the printed wiring board of Claim 3, Comprising:
Penetrating the notch to the second surface is performed by punching.
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