JP2016225443A - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents

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武馬 足立
輝幸 石原
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輝幸 石原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a printed wiring board which achieves high productivity.SOLUTION: In a manufacturing method of a printed wiring board according to an embodiment, a peeling layer 40 is provided on a first surface F of a core substrate 30 and then a build-up layer 55F, which is formed by laminating a resin insulation layer and a conductor layer, is formed on the first surface of the core substrate and the peeling layer. A cavity 26 which exposes a copper foil 48 is formed from a second surface side of the core substrate. The manufacturing method enables easy formation of the cavity, achieves high productivity, and reduces the production cost.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、実装エリアを露出するためのキャビティを有するプリント配線板に関する。 The present invention relates to a printed wiring board having a cavity for exposing a mounting area.

特許文献1は、図2に電子部品内蔵基板を開示している。特許文献1の電子部品内蔵基板は、コアレス基板と樹脂層を有する。そして、樹脂層に半導体チップを収容するための貫通孔と貫通ビアが形成されている。 Patent Document 1 discloses an electronic component built-in substrate in FIG. The electronic component built-in substrate of Patent Document 1 includes a coreless substrate and a resin layer. A through hole and a through via for accommodating the semiconductor chip are formed in the resin layer.

特開2007−123524号JP 2007-123524 A

特許文献1に開示されている電子部品内蔵基板は、コアレス基板と半導体チップを収容するための収容部を有する樹脂層で形成されている。そのため、電子部品内蔵基板の強度や剛性は低いと考えられる。リフロー等で電子部品内蔵基板が高温になると、反りが大きいと予想される。 The electronic component built-in substrate disclosed in Patent Document 1 is formed of a resin layer having a coreless substrate and a housing portion for housing a semiconductor chip. Therefore, it is considered that the strength and rigidity of the electronic component built-in substrate is low. When the electronic component built-in substrate becomes hot due to reflow or the like, the warpage is expected to be large.

ここで、芯材を備え剛性の高いコア基板に開口を設け、電子部品を収容することも考え得るが、ビルドアップ層形成後は開口を設ける加工が難しく、製造コストの嵩む原因となり得る。 Here, it is conceivable to provide an opening in a core substrate having a core material and having a high rigidity to accommodate an electronic component. However, after forming the build-up layer, it is difficult to process the opening, which may increase the manufacturing cost.

本発明のプリント配線板の製造方法は、第1面と該第1面と反対側の第2面とを有し、芯材を備えるコア基板を準備することと、前記コア基板の第1面に剥離層を設けることと、前記コア基板の前記第2面を樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、前記コア基板の第1面及び前記剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離することと、前記コア基板の前記第2面側から、前記剥離層を露出させるキャビティを形成することと、前記剥離層を除去すること、を含む。 The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention includes preparing a core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and including a core material; and a first surface of the core substrate. Providing a release layer, temporarily bonding the second surface of the core substrate toward the surface of the resin film, a resin insulating layer and a conductor layer on the first surface of the core substrate and the release layer, Forming a buildup layer formed by laminating, separating the core substrate from the resin film, and forming a cavity exposing the release layer from the second surface side of the core substrate; Removing the release layer.

実施形態のプリント配線板の製造方法では、芯材を備え剛性の高いコア基板を用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。また、コア基板の第1面に剥離層を設け、コア基板の第1面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成する。コア基板の第2面側から、剥離層を露出させるキャビティを形成する。予め剥離層が形成されているため、キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。 In the printed wiring board manufacturing method of the embodiment, since a core substrate having a core material and high rigidity is used, the warpage of the printed wiring board can be reduced. Also, a release layer is provided on the first surface of the core substrate, and a buildup layer formed by laminating a resin insulating layer and a conductor layer on the first surface and the release layer of the core substrate is formed. A cavity exposing the release layer is formed from the second surface side of the core substrate. Since the release layer is formed in advance, the formation of the cavity is easy, the productivity is high, and the production cost can be suppressed.

好適な実施形態では、コア基板の第1面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜を剥離層の形成位置の外周に形成する。金属膜に沿ってレーザを当てることで、キャビティを容易に形成できる。 In a preferred embodiment, a metal film serving as a stopper for forming a cavity is formed on the first surface of the core substrate on the outer periphery of the release layer forming position. By applying a laser along the metal film, the cavity can be easily formed.

好適な実施形態では、予めコア基板の第2面側からキャビティ形成用の切れ込みを形成する。そして、コア基板を前記樹脂フィルムから分離した後で前記切れ込みを第2面まで貫通させることで、コア基板の第2面側から剥離層を露出させるキャビティを形成する。キャビティを容易に形成できる。 In a preferred embodiment, a notch for forming a cavity is formed in advance from the second surface side of the core substrate. And after separating a core substrate from the said resin film, the cavity which exposes a peeling layer from the 2nd surface side of a core substrate is formed by penetrating the said notch to the 2nd surface. A cavity can be easily formed.

図1(A)は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図1(B)は第1回路基板と第1回路基板の開口から露出する実装エリアを示す平面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view of a printed wiring board according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view showing a first circuit board and a mounting area exposed from the opening of the first circuit board. . 実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。Sectional drawing of the application example of the printed wiring board which concerns on embodiment. 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第1実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 1st Embodiment. 第2実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment. 第2実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of 2nd Embodiment.

[第1実施形態]
図1(A)は第1実施形態のプリント配線板10を示す。第1実施形態のプリント配線板10は、第1面Sと第1面と反対側の第2面Fとを有する第1回路基板130と第3面Vと第3面と反対側の第4面Wとを有する第2回路基板155を有する。
[First embodiment]
FIG. 1A shows a printed wiring board 10 of the first embodiment. The printed wiring board 10 of the first embodiment includes a first circuit board 130 having a first surface S and a second surface F opposite to the first surface, a third surface V, and a fourth surface opposite to the third surface. A second circuit board 155 having a surface W;

図1(A)に示されている第2回路基板155は、交互に積層されている導体層58F、158Fと樹脂絶縁層50F、150Fとから成るビルドアップ層55Fで形成されている。第2回路基板155は第1回路基板130の第2面F上に積層されている。第2回路基板の第3面Vと第1回路基板の第2面Fは接している。
第2回路基板の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子で形成されている。さらに、樹脂絶縁層50F、150Fはガラスクロス等の補強部材を含んでも良い。樹脂絶縁層50F、150Fが補強部材を含むことで第2回路基板のクラックが抑制される。
各樹脂絶縁層はビア導体用の開口68F、168Fを有し、各開口は第4面W側から第3面V側に向かってテーパーしている。
各樹脂絶縁層の開口68F、168Fにビア導体60F、160Fが形成されている。各ビア導体の側壁は第4面W側から第3面V側に向かってテーパーしている。ビア導体により隣接する導体層が接続されている。
第2回路基板155は第3面Vの略中央部分に図1(B)に示される実装エリアSMFを有する。図1(B)のX1−X1断面が図1(A)に対応する。実装エリアは第1回路基板の開口26により露出されている。実装エリア上にICチップ等の電子部品が実装される。
The second circuit board 155 shown in FIG. 1A is formed of a buildup layer 55F composed of conductor layers 58F and 158F and resin insulating layers 50F and 150F that are alternately stacked. The second circuit board 155 is stacked on the second surface F of the first circuit board 130. The third surface V of the second circuit board is in contact with the second surface F of the first circuit board.
The resin insulating layer of the second circuit board is made of resin and inorganic particles. Further, the resin insulating layers 50F and 150F may include a reinforcing member such as a glass cloth. Since the resin insulating layers 50F and 150F include the reinforcing member, cracks in the second circuit board are suppressed.
Each resin insulation layer has openings 68F and 168F for via conductors, and each opening is tapered from the fourth surface W side to the third surface V side.
Via conductors 60F and 160F are formed in the openings 68F and 168F of the respective resin insulation layers. The side wall of each via conductor is tapered from the fourth surface W side toward the third surface V side. Adjacent conductor layers are connected by via conductors.
The second circuit board 155 has a mounting area SMF shown in FIG. An X1-X1 cross section in FIG. 1B corresponds to FIG. The mounting area is exposed through the opening 26 of the first circuit board. An electronic component such as an IC chip is mounted on the mounting area.

図1(A)に示されている第1回路基板130はコア基板30を有する。コア基板は、樹脂と芯材(補強部材)を含む絶縁基板20zと第1導体層34Sと第2導体層34Fとスルーホール導体36で形成されている。絶縁基板は第1面Sと第1面Sと反対側の第2面Fを有する。絶縁基板の第1面とコア基板の第1面は同じ面であり、絶縁基板の第2面とコア基板の第2面は同じ面である。絶縁基板は、さらに、無機粒子を含んでも良い。第1導体層34Sは第1面上に形成されていて、第2導体層34Fは第2面上に形成されている。第1導体層と第2導体層はスルーホール導体で接続されている。第1回路基板は、さらに、第2回路基板の実装エリアSMFを露出するための開口26を有している。図1(A)では、プリント配線板が第1導体層上に導体層を有していない。その場合、第1導体層は最上の導体層である。 A first circuit board 130 shown in FIG. 1A has a core board 30. The core substrate is formed of an insulating substrate 20z including a resin and a core material (reinforcing member), a first conductor layer 34S, a second conductor layer 34F, and a through-hole conductor 36. The insulating substrate has a first surface S and a second surface F opposite to the first surface S. The first surface of the insulating substrate and the first surface of the core substrate are the same surface, and the second surface of the insulating substrate and the second surface of the core substrate are the same surface. The insulating substrate may further contain inorganic particles. The first conductor layer 34S is formed on the first surface, and the second conductor layer 34F is formed on the second surface. The first conductor layer and the second conductor layer are connected by a through-hole conductor. The first circuit board further has an opening 26 for exposing the mounting area SMF of the second circuit board. In FIG. 1A, the printed wiring board does not have a conductor layer on the first conductor layer. In that case, the first conductor layer is the uppermost conductor layer.

図1(A)に示されるように、第1回路基板130の第2面Fと第2導体層34F上に第1の樹脂絶縁層50Fが形成されている。第1の樹脂絶縁層50Fに樹脂絶縁層50Fを貫通するビア導体60F(60FI、60FO)用の開口68F(68FI、68FO)が形成されている。
第1の樹脂絶縁層50F上に第2回路基板内の導体層58Fが形成されている。
ビア導体60F用の開口68Fにビア導体60Fが形成されている。ビア導体60Fは、導体層(第2回路基板内の導体層)58Fと第2導体層34Fを接続している接続用ビア導体60FOと電子部品を実装するための実装用ビア導体60FIを有する。接続用ビア導体60FOは第1回路基板内のスルーホール導体のランド36Lに直接接続されることが好ましい。ランド36Lはスルーホール導体を覆っている導体とスルーホール導体の周りの導体で形成されていて、第2導体層34Fに含まれる。
実装用ビア導体は実装エリアSMF内に形成されている。実装用ビア導体60FIは、第1の樹脂絶縁層50Fのビア導体用の開口68FI内に形成されている。実装用ビア導体60FIのボトム(C4パッド)73SIは開口68FIにより露出される。また、C4パッド73SIは、第1回路基板の開口26により露出される。実装用ビア導体のボトム(C4パッド)は、開口26と開口68FIにより露出される。
接続用ビア導体60FOは、第1の樹脂絶縁層50Fの開口68FO内に形成されている。接続用ビア導体60FOのボトム60FBはスルーホール導体のランド36Lに直接接続している。
As shown in FIG. 1A, a first resin insulating layer 50F is formed on the second surface F of the first circuit board 130 and the second conductor layer 34F. Openings 68F (68FI, 68FO) for via conductors 60F (60FI, 60FO) penetrating the resin insulating layer 50F are formed in the first resin insulating layer 50F.
A conductor layer 58F in the second circuit board is formed on the first resin insulation layer 50F.
A via conductor 60F is formed in the opening 68F for the via conductor 60F. The via conductor 60F includes a connection via conductor 60FO connecting the conductor layer (conductor layer in the second circuit board) 58F and the second conductor layer 34F, and a mounting via conductor 60FI for mounting electronic components. The connecting via conductor 60FO is preferably connected directly to the land 36L of the through-hole conductor in the first circuit board. The land 36L is formed of a conductor covering the through-hole conductor and a conductor around the through-hole conductor, and is included in the second conductor layer 34F.
The mounting via conductor is formed in the mounting area SMF. The mounting via conductor 60FI is formed in the opening 68FI for the via conductor of the first resin insulating layer 50F. The bottom (C4 pad) 73SI of the mounting via conductor 60FI is exposed through the opening 68FI. The C4 pad 73SI is exposed through the opening 26 of the first circuit board. The bottom (C4 pad) of the mounting via conductor is exposed through the opening 26 and the opening 68FI.
The connection via conductor 60FO is formed in the opening 68FO of the first resin insulation layer 50F. The bottom 60FB of the connection via conductor 60FO is directly connected to the land 36L of the through-hole conductor.

図1(A)に示されるように、樹脂絶縁層(第1の樹脂絶縁層)50Fを貫通する実装用ビア導体60FIのボトムは露出していて、第1パッド(C4パッド)73SIとして機能する。第1パッドは第2回路基板の実装エリアに形成されている。第1パッド73SI上に電子部品と接続するための半田バンプ76SI(図2(A)参照)を形成することができる。 As shown in FIG. 1A, the bottom of the mounting via conductor 60FI that penetrates the resin insulating layer (first resin insulating layer) 50F is exposed and functions as the first pad (C4 pad) 73SI. . The first pad is formed in the mounting area of the second circuit board. Solder bumps 76SI (see FIG. 2A) for connecting to electronic components can be formed on the first pads 73SI.

第1実施形態のプリント配線板では、ビア導体用の開口は樹脂絶縁層の下面から樹脂絶縁層の上面に向かってテーパーしている。そのため、パッドのサイズをさらに小さくすることができる。第1パッドのピッチをさらに小さくすることができる。プリント配線板のサイズが小さくなる。高機能な電子部品をプリント配線板に実装することができる。 In the printed wiring board of the first embodiment, the via conductor opening tapers from the lower surface of the resin insulating layer toward the upper surface of the resin insulating layer. Therefore, the pad size can be further reduced. The pitch of the first pad can be further reduced. The size of the printed wiring board is reduced. High-performance electronic components can be mounted on a printed wiring board.

図1(A)に示されるように、第1の樹脂絶縁層50Fと導体層58F上に第2の樹脂絶縁層150Fが形成されている。第2の樹脂絶縁層150Fに樹脂絶縁層150Fを貫通する第2のビア導体160F用の開口168Fが形成されている。
第2の樹脂絶縁層150F上に第2回路基板内の第2の導体層158Fが形成されている。
第2のビア導体160F用の開口168Fに第2のビア導体160Fが形成されている。第2のビア導体160Fは、導体層(第2回路基板内の第2の導体層)158Fと導体層58Fを接続している。
As shown in FIG. 1A, a second resin insulation layer 150F is formed on the first resin insulation layer 50F and the conductor layer 58F. An opening 168F for the second via conductor 160F that penetrates the resin insulating layer 150F is formed in the second resin insulating layer 150F.
A second conductor layer 158F in the second circuit board is formed on the second resin insulation layer 150F.
A second via conductor 160F is formed in the opening 168F for the second via conductor 160F. The second via conductor 160F connects the conductor layer (second conductor layer in the second circuit board) 158F and the conductor layer 58F.

プリント配線板は第2回路基板の樹脂絶縁層(最下の樹脂絶縁層)150Fと導体層(最下の導体層)158F上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fを有することができる。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fに導体層(最下の導体層)158Fを露出する開口71Fが形成されている。開口71Fにより露出される導体層158Fはマザーボードと接続するパッド73Fとして機能する。
パッド73F上に保護膜72を形成することができる。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pd/AuやOSP(Organic Solderability Preservative)膜で形成される。
実装用ビア導体60FIのボトム(C4パッド)上に保護膜を形成することができる。
The printed wiring board can have a solder resist layer 70F on the buildup layer on the resin insulating layer (lowermost resin insulating layer) 150F and the conductor layer (lowermost conductor layer) 158F of the second circuit board. An opening 71F that exposes the conductor layer (lowermost conductor layer) 158F is formed in the solder resist layer 70F on the buildup layer. The conductor layer 158F exposed through the opening 71F functions as a pad 73F connected to the motherboard.
A protective film 72 can be formed on the pad 73F. The protective film is a film for preventing the pad from being oxidized. The protective film is formed of, for example, Ni / Au, Ni / Pd / Au, Pd / Au, or OSP (Organic Solderability Preservative) film.
A protective film can be formed on the bottom (C4 pad) of the mounting via conductor 60FI.

図3(B)に示されるように貫通孔28は、絶縁基板20zの第1面Sに第1開口28SOを有する第1開口部28Sと第2面Fに第2開口28FOを有する第2開口部28Fで形成されている。第1開口部28Sは第1面から第2面に向かってテーパーしていることが好ましい。第2開口部28Fは第2面から第1面に向かってテーパーしていることが好ましい。このような形状を有する貫通孔28内にスルーホール導体36が形成されている。図1(A)に示されているスルーホール導体36は例えば、US7786390に開示されている方法で製造されてもよい。 As shown in FIG. 3B, the through hole 28 has a first opening 28S having a first opening 28SO on the first surface S of the insulating substrate 20z and a second opening having a second opening 28FO on the second surface F. A portion 28F is formed. The first opening 28S is preferably tapered from the first surface toward the second surface. The second opening 28F is preferably tapered from the second surface toward the first surface. A through-hole conductor 36 is formed in the through hole 28 having such a shape. The through-hole conductor 36 shown in FIG. 1 (A) may be manufactured by the method disclosed in US77786390, for example.

絶縁基板20zは補強部材と樹脂で形成されている。絶縁基板20zは、さらに、無機粒子を含んでも良い。補強部材の例はガラス繊維やガラスクロスやアラミド繊維である。無機粒子の例はシリカやアルミナである。 The insulating substrate 20z is formed of a reinforcing member and resin. The insulating substrate 20z may further contain inorganic particles. Examples of the reinforcing member are glass fiber, glass cloth, and aramid fiber. Examples of inorganic particles are silica and alumina.

プリント配線板は、第1回路基板130の第1面Sと第1導体層34S上にソルダーレジスト層70Sを有することができる。上側のソルダーレジスト層70Sに第1導体層34Sを露出する開口71Sが形成されている。開口71Sにより露出される第1導体層34Sは第2のパッケージ基板230を搭載するためのパッド(第2パッド)73Sとして機能する。第2パッド上に保護膜72を形成することができる。第2のパッケージ基板230は図2(B)に示されている。 The printed wiring board may have a solder resist layer 70S on the first surface S of the first circuit board 130 and the first conductor layer 34S. An opening 71S that exposes the first conductor layer 34S is formed in the upper solder resist layer 70S. The first conductor layer 34S exposed through the opening 71S functions as a pad (second pad) 73S for mounting the second package substrate 230. A protective film 72 can be formed on the second pad. The second package substrate 230 is shown in FIG.

図2(A)は、第1実施形態のプリント配線板10の第1応用例120を示す。第1応用例120は、パッケージ基板(第1のパッケージ基板)である。
パッケージ基板120では、第1回路基板130の開口26内にICチップなどの電子部品90が収容されている。ICチップ90は、開口26から露出するC4パッド73SIに半田バンプ76SIにより実装される。
FIG. 2A shows a first application example 120 of the printed wiring board 10 of the first embodiment. The first application example 120 is a package substrate (first package substrate).
In the package substrate 120, an electronic component 90 such as an IC chip is accommodated in the opening 26 of the first circuit substrate 130. The IC chip 90 is mounted on the C4 pad 73SI exposed from the opening 26 by solder bumps 76SI.

図2(B)は、第1実施形態のプリント配線板10の第2応用例(POP基板)200を示す。第2応用例では、第1のパッケージ基板120に接続体76SOを介して第2のパッケージ基板230が搭載されている。第2のパッケージ基板230は上基板210と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品190を有する。接続体76SOは、上側のソルダーレジスト層70Sの開口71Sにより露出される第2導体層(第2パッド)73S上に形成されている。図2(B)では、接続体76SOは、半田バンプ76SOである。半田バンプ以外の接続体の例はめっきポストやピンなどの金属ポスト(図示せず)である。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
第1のパッケージ基板120のキャビティ26内にICチップを封止するモールド樹脂102が形成されている。上基板210上に電子部品190を封止するモールド樹脂202が形成されている。
FIG. 2B shows a second application example (POP substrate) 200 of the printed wiring board 10 of the first embodiment. In the second application example, the second package substrate 230 is mounted on the first package substrate 120 via the connecting body 76SO. The second package substrate 230 includes an upper substrate 210 and an electronic component 190 such as a memory mounted on the upper substrate. The connecting body 76SO is formed on the second conductor layer (second pad) 73S exposed through the opening 71S of the upper solder resist layer 70S. In FIG. 2B, the connecting body 76SO is a solder bump 76SO. An example of the connection body other than the solder bump is a metal post (not shown) such as a plating post or a pin. The shape of the plating posts and pins is a cylinder. A right circular cylinder is preferable.
A mold resin 102 for sealing the IC chip is formed in the cavity 26 of the first package substrate 120. A mold resin 202 for sealing the electronic component 190 is formed on the upper substrate 210.

第1回路基板は、絶縁基板20zの第1面と第1導体層上に交互に積層されている樹脂絶縁層と導体層を有することができる。その場合、樹脂絶縁層と導体層上に上側のソルダーレジスト層70Sが形成される。その場合、上側のソルダーレジスト層70Sの直下の導体層が最上の導体層である。 The first circuit board can have a resin insulating layer and a conductor layer alternately stacked on the first surface of the insulating substrate 20z and the first conductor layer. In that case, the upper solder resist layer 70S is formed on the resin insulating layer and the conductor layer. In that case, the conductor layer directly below the upper solder resist layer 70S is the uppermost conductor layer.

プリント配線板10は、ビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fの開口71Fから露出されるパッド73Fに、マザーボードと接続するための半田バンプ76Fを有しても良い。 The printed wiring board 10 may have solder bumps 76F for connecting to the mother board on the pads 73F exposed from the openings 71F of the solder resist layer 70F on the buildup layer.

実施形態のプリント配線板では、絶縁基板20zに電子部品収容用の開口26が形成される。もし、第1回路基板の両面に第2回路基板が形成されると、第1回路基板を中心に対称な構造が得られる。そのため、接点CMに働くストレスは小さい。しかしながら、実施形態のプリント配線板では、第2回路基板が第1回路基板の第2面上のみに形成されている。そのため、ストレスの集中を避けるため、実施形態のプリント配線板に凹部55Ffを形成することができる。凹部55Ffは第1回路基板130と第2回路基板155の間に形成されている空間であって、開口26に繋がっている。凹部の上面は第1回路基板の第2面である。凹部の下面は第2回路基板の第3面である。凹部の側壁55fwは第1回路基板と接している第1の樹脂絶縁層50Fの側面である。凹部55Ffの側壁55fwは開口26により露出される絶縁基板20zの側壁26Wより後退している。凹部55Ffにより、高い剛性を有する第1回路基板130のコーナー部26Eが、第2回路基板に接しない。熱収縮に起因する応力がコーナー部26Eに集中しても、コーナー部から第2回路基板にストレスが至らない。第2回路基板にクラックが発生し難い。凹部55Ffを有するプリント配線板の信頼性が低下しない。第1実施形態のプリント配線板では、開口26から露出する第2回路基板の第3面Vは第1回路基板の第2面から凹んでもよい。その場合、開口26から露出する面(実装エリア)SMFは第1回路基板の第2面より下に位置している。凹部55Ffの下面(凹部内の第1の樹脂絶縁層50Fの上面)は開口26から露出する面(実装エリア)SMFに繋がっている。 In the printed wiring board of the embodiment, an opening 26 for accommodating electronic components is formed in the insulating substrate 20z. If the second circuit board is formed on both surfaces of the first circuit board, a symmetrical structure is obtained with the first circuit board as the center. Therefore, the stress acting on the contact CM is small. However, in the printed wiring board of the embodiment, the second circuit board is formed only on the second surface of the first circuit board. Therefore, in order to avoid stress concentration, the recess 55Ff can be formed in the printed wiring board of the embodiment. The recess 55Ff is a space formed between the first circuit board 130 and the second circuit board 155 and is connected to the opening 26. The upper surface of the recess is the second surface of the first circuit board. The lower surface of the recess is the third surface of the second circuit board. The side wall 55fw of the recess is a side surface of the first resin insulating layer 50F in contact with the first circuit board. The side wall 55fw of the recess 55Ff is set back from the side wall 26W of the insulating substrate 20z exposed by the opening 26. Due to the recess 55Ff, the corner portion 26E of the first circuit board 130 having high rigidity does not contact the second circuit board. Even if the stress caused by the thermal contraction is concentrated on the corner portion 26E, the stress does not reach the second circuit board from the corner portion. Cracks are unlikely to occur in the second circuit board. The reliability of the printed wiring board having the recess 55Ff does not deteriorate. In the printed wiring board of the first embodiment, the third surface V of the second circuit board exposed from the opening 26 may be recessed from the second surface of the first circuit board. In that case, the surface (mounting area) SMF exposed from the opening 26 is located below the second surface of the first circuit board. The lower surface of the recess 55Ff (the upper surface of the first resin insulating layer 50F in the recess) is connected to the surface (mounting area) SMF exposed from the opening 26.

第1回路基板130を構成する絶縁基板20zは芯材に樹脂を含浸させたプリプレグを積層して成る。芯材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂である。ビルドアップ層55Fを構成する樹脂絶縁層50F、150Fは、芯材を含有せず、無機フィラーを含有する樹脂から成る。樹脂の例は、エポキシ樹脂やBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂を主としてなる樹脂である。無機フィラーとしては、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。更に、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられる。 The insulating substrate 20z constituting the first circuit board 130 is formed by laminating a prepreg in which a core material is impregnated with a resin. Examples of the core material are glass cloth, glass fiber, and aramid fiber. Examples of the resin are an epoxy resin and a BT (bismaleimide triazine) resin. The resin insulating layers 50F and 150F constituting the buildup layer 55F do not contain a core material but are made of a resin containing an inorganic filler. Examples of the resin are resins mainly composed of an epoxy resin or a BT (bismaleimide triazine) resin. Examples of the inorganic filler include particles composed of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds, and silicon compounds. Further, silica, alumina, dolomite and the like can be mentioned.

第1実施形態のプリント配線板は、芯材を備え剛性の高い絶縁基板20zを用いるため、プリント配線板の反りを小さくすることができる。 Since the printed wiring board of the first embodiment includes the core material and uses the highly rigid insulating substrate 20z, the warp of the printed wiring board can be reduced.

[第1実施形態のプリント配線板の製造方法]
第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が図3〜図7に示される。
出発基板としての両面銅張積層板が準備される。出発基板は、絶縁基板20zと絶縁基板20zの両面に積層されている銅箔22S、22Fで形成されている(図3(A))。絶縁基板は、補強部材と樹脂と無機粒子を含む。補強部材の例は、ガラスクロスやガラス繊維やアラミド繊維である。樹脂の例は、エポキシ樹脂やBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂である。
絶縁基板は第1面Sと第1面と反対側の第2面Fを有する。絶縁基板の第1面Sに積層されている銅箔22Sは第1銅箔であり、絶縁基板の第2面Fに積層されている銅箔22Fは第2銅箔である。
[Method for Manufacturing Printed Wiring Board of First Embodiment]
The manufacturing method of the printed wiring board 10 of 1st Embodiment is shown by FIGS.
A double-sided copper-clad laminate as a starting substrate is prepared. The starting substrate is formed of copper foils 22S and 22F laminated on both surfaces of the insulating substrate 20z and the insulating substrate 20z (FIG. 3A). The insulating substrate includes a reinforcing member, a resin, and inorganic particles. Examples of the reinforcing member are glass cloth, glass fiber, and aramid fiber. Examples of the resin are an epoxy resin and a BT (bismaleimide triazine) resin.
The insulating substrate has a first surface S and a second surface F opposite to the first surface. The copper foil 22S laminated on the first surface S of the insulating substrate is a first copper foil, and the copper foil 22F laminated on the second surface F of the insulating substrate is a second copper foil.

出発基板の第1銅箔22SにCO2レーザが照射される。絶縁基板20zの第1面S側に第1開口部28Sが形成される。更に、第2銅箔22FにCO2レーザが照射される。第1開口部28Sに繋がる第2開口部28Fが第2面F側に形成される。第1開口部の側壁と第2開口部の側壁の交点に接続部28Mが形成される。第1開口部の軸線LL1と第2開口部の軸線LL2が一致するようにレーザが照射される。スルーホール導体用の貫通孔28が形成される(図3(B))。第1開口部は第1面Sから第2面Fに向かってテーパーしている。第2開口部は第2面Fから第1面Sに向かってテーパーしている。第1開口部は第1面に第1開口28SOを有し、第2開口部は第2面に第2開口28FOを有する。 The first copper foil 22S of the starting substrate is irradiated with a CO2 laser. A first opening 28S is formed on the first surface S side of the insulating substrate 20z. Further, the second copper foil 22F is irradiated with a CO2 laser. A second opening 28F connected to the first opening 28S is formed on the second surface F side. A connecting portion 28M is formed at the intersection of the side wall of the first opening and the side wall of the second opening. The laser is irradiated so that the axis LL1 of the first opening coincides with the axis LL2 of the second opening. A through hole 28 for the through hole conductor is formed (FIG. 3B). The first opening is tapered from the first surface S toward the second surface F. The second opening is tapered from the second surface F toward the first surface S. The first opening has a first opening 28SO on the first surface, and the second opening has a second opening 28FO on the second surface.

第1銅箔と第2銅箔、貫通孔28の側壁上に無電解めっき膜が形成される。無電解めっき膜上にめっきレジスト膜を形成し、その後電解めっきで貫通孔28内にスルーホール導体36及びパターンを形成する。めっきレジスト膜を剥離する。めっきレジスト膜下の無電解めっき膜及び銅箔22F、22Sをエッチング液で除去する。これにより、絶縁基板の第1面に第1導体層34Sが形成される。絶縁基板の第2面に第2導体層34Fが形成される。第2導体層34Fは開口26を形成するためのダミーパターン34FIを含む。貫通孔28に第1導体層と第2導体層を接続するスルーホール導体36が形成される。スルーホール導体は貫通孔の接続部28Mに最も細い部分を有する。貫通孔28を有する絶縁基板と貫通孔28に形成されているスルーホール導体36と絶縁基板の第1面上に形成されている第1導体層34Sと絶縁基板の第2面上に形成されている第2導体層34Fとを有する中間体300が得られる(図3(C))。 An electroless plating film is formed on the side walls of the first copper foil, the second copper foil, and the through hole 28. A plating resist film is formed on the electroless plating film, and then a through-hole conductor 36 and a pattern are formed in the through hole 28 by electrolytic plating. Strip the plating resist film. The electroless plating film below the plating resist film and the copper foils 22F and 22S are removed with an etching solution. Thereby, the first conductor layer 34S is formed on the first surface of the insulating substrate. A second conductor layer 34F is formed on the second surface of the insulating substrate. The second conductor layer 34F includes a dummy pattern 34FI for forming the opening 26. A through-hole conductor 36 that connects the first conductor layer and the second conductor layer is formed in the through hole 28. The through-hole conductor has the thinnest portion in the through hole connecting portion 28M. An insulating substrate having a through hole 28, a through hole conductor 36 formed in the through hole 28, a first conductor layer 34S formed on the first surface of the insulating substrate, and a second surface of the insulating substrate. The intermediate body 300 having the second conductor layer 34F is obtained (FIG. 3C).

図1(C)に中間体300の平面図が示されている。図1(C)は、第2導体層側から中間体を観察することで得られる平面図である。図1(C)に第2導体層と第2導体層から露出する絶縁基板20zの第2面Fが示されている。絶縁基板の第2面の略中央に本発明の金属膜の一例であるダミーパターン34FIが形成されている。ダミーパターン34FIは絶縁基板20zの第2面の所定の領域を覆っている。ダミーパターン34FIは、方形枠状のベタパターンである。ダミーパターンの周りにスルーホール導体36のランド36Lが示されている。図1(D)に、開口26とダミーパターン34FIの位置関係や両者のサイズが示されている。ダミーパターン34FIの外周は実線で示されていて、開口26の外周は点線で示されている。点線は、ダミーパターン上に形成される開口26の外周を示している。図1(D)に示されるように、ダミーパターン34FIの外周は開口26より外側に位置し、ダミーパターン34FIの内周は開口26より内側に位置している。 A plan view of the intermediate body 300 is shown in FIG. FIG. 1C is a plan view obtained by observing the intermediate from the second conductor layer side. FIG. 1C shows the second conductor layer and the second surface F of the insulating substrate 20z exposed from the second conductor layer. A dummy pattern 34FI, which is an example of the metal film of the present invention, is formed at substantially the center of the second surface of the insulating substrate. The dummy pattern 34FI covers a predetermined region on the second surface of the insulating substrate 20z. The dummy pattern 34FI is a rectangular frame-shaped solid pattern. A land 36L of the through-hole conductor 36 is shown around the dummy pattern. FIG. 1D shows the positional relationship between the opening 26 and the dummy pattern 34FI and the size of both. The outer periphery of the dummy pattern 34FI is indicated by a solid line, and the outer periphery of the opening 26 is indicated by a dotted line. The dotted line indicates the outer periphery of the opening 26 formed on the dummy pattern. As shown in FIG. 1D, the outer periphery of the dummy pattern 34FI is located outside the opening 26, and the inner periphery of the dummy pattern 34FI is located inside the opening 26.

中間体300の第2面Fであって、枠状のダミーパターン34FI内に剥離層40及び銅箔48が設けられる。剥離層40は、ポリイミドフィルム42の両面に離型膜44、44が積層されて成る(図3(D))。 On the second surface F of the intermediate body 300, the peeling layer 40 and the copper foil 48 are provided in the frame-like dummy pattern 34FI. The release layer 40 is formed by laminating release films 44 and 44 on both sides of a polyimide film 42 (FIG. 3D).

仮接着用樹脂フィルム80の両面に、中間体300の第1面S側が仮接着用樹脂フィルム80表面へ向くよう中間体300が仮接着される(図4(A))。仮接着用樹脂フィルム80は、ポリプロピレン層82の両面にポリイミド層84が積層されて成る。 The intermediate body 300 is temporarily bonded to both surfaces of the temporary bonding resin film 80 so that the first surface S side of the intermediate body 300 faces the surface of the temporary bonding resin film 80 (FIG. 4A). The temporary adhesion resin film 80 is formed by laminating a polyimide layer 84 on both sides of a polypropylene layer 82.

中間体の第2面Fに樹脂絶縁層(第1の樹脂絶縁層)50Fが形成され、第2中間体400が完成する(図4(B))。上側のソルダーレジスト層70Sと第1の樹脂絶縁層50Fとは熱硬化タイプである。樹脂絶縁層50Fはエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。 A resin insulation layer (first resin insulation layer) 50F is formed on the second surface F of the intermediate body, and the second intermediate body 400 is completed (FIG. 4B). The upper solder resist layer 70S and the first resin insulating layer 50F are of a thermosetting type. The resin insulating layer 50F includes a resin such as epoxy and inorganic particles such as silica.

次に、第1の樹脂絶縁層50Fに、第2導体層34Fに至るビア導体用の開口68F(68FI、68FO)が形成される(図4(C))。ビア導体用の開口68Fは銅箔48に至る開口68FIとダミーパターン以外の第2導体層に至る開口68FOを有する。開口68FIは、実装用ビア導体を形成するための開口である。開口68FOは接続用ビア導体を形成するための開口である。開口68FOは、例えば、スルーホール導体のランド36Lに至る。スルーホール導体のランドはスルーホール導体の直上に形成されている導体とスルーホール導体の周りに形成されている導体で形成される。 Next, via conductor openings 68F (68FI, 68FO) reaching the second conductor layer 34F are formed in the first resin insulation layer 50F (FIG. 4C). The via conductor opening 68F has an opening 68FI reaching the copper foil 48 and an opening 68FO reaching the second conductor layer other than the dummy pattern. The opening 68FI is an opening for forming a mounting via conductor. The opening 68FO is an opening for forming a connection via conductor. The opening 68FO reaches, for example, a land 36L of a through-hole conductor. The land of the through-hole conductor is formed by a conductor formed immediately above the through-hole conductor and a conductor formed around the through-hole conductor.

セミアディティブ法で第1の樹脂絶縁層50F上に導体層58Fが形成される。同時に、開口68Fにビア導体60Fが形成される(図5(A))。開口68FOにスルーホール導体に繋がるビア導体(接続用ビア導体)60FOが形成される。開口68FIにC4パッドを形成するビア導体(実装用ビア導体)60FIが形成される。ビア導体60Fはボトムを有する。接続用ビア導体のボトムはスルーホール導体のランド36Lに接している。
実装用ビア導体のボトムは銅箔48上に形成される。実装用ビア導体のボトムは銅箔48に接している。
The conductor layer 58F is formed on the first resin insulation layer 50F by a semi-additive method. At the same time, a via conductor 60F is formed in the opening 68F (FIG. 5A). A via conductor (connection via conductor) 60FO connected to the through-hole conductor is formed in the opening 68FO. A via conductor (mounting via conductor) 60FI for forming a C4 pad is formed in the opening 68FI. The via conductor 60F has a bottom. The bottom of the connection via conductor is in contact with the land 36L of the through-hole conductor.
The bottom of the mounting via conductor is formed on the copper foil 48. The bottom of the mounting via conductor is in contact with the copper foil 48.

開口68FIから露出する銅箔48上に金属膜を形成することができる。金属膜がC4パッドとして機能する。金属膜は銅以外の金属で形成されていて、金属膜はC4パッド(第1パッド)の酸化を防止する。金属膜の例は金、パラジウム、錫である。金属膜とC4パッド間にニッケルを形成することができる。 A metal film can be formed on the copper foil 48 exposed from the opening 68FI. The metal film functions as a C4 pad. The metal film is formed of a metal other than copper, and the metal film prevents oxidation of the C4 pad (first pad). Examples of metal films are gold, palladium, and tin. Nickel can be formed between the metal film and the C4 pad.

第1の樹脂絶縁層50Fと導体層58F上に第2の樹脂絶縁層150Fが加熱プレスで形成される。第2の樹脂絶縁層150Fに第2ビア導体用の開口168Fが形成される。第2の樹脂絶縁層150Fは熱硬化タイプである。
第2の樹脂絶縁層150F上に導体層158Fが形成される。同時に、第2ビア導体用の開口に第2のビア導体160Fが形成される。導体層158Fやビア導体160Fはセミアディティブ法で形成される。
A second resin insulation layer 150F is formed on the first resin insulation layer 50F and the conductor layer 58F by a hot press. An opening 168F for the second via conductor is formed in the second resin insulation layer 150F. The second resin insulation layer 150F is a thermosetting type.
Conductive layer (158F) is formed on second resin insulation layer (150F). At the same time, the second via conductor 160F is formed in the opening for the second via conductor. The conductor layer 158F and the via conductor 160F are formed by a semi-additive method.

第2の樹脂絶縁層150Fと導体層158F上にビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fが形成される(図5(B))。ビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fは熱硬化タイプである。 A solder resist layer 70F on the build-up layer is formed on the second resin insulating layer 150F and the conductor layer 158F (FIG. 5B). The solder resist layer 70F on the buildup layer is a thermosetting type.

仮接着用樹脂フィルム80から剥離され、個別の第3中間体500に分けられる(図6(A))。絶縁基板20zの第1面S側に第1面S上に絶縁基板上のソルダーレジスト層70Sが形成される(図6(B))。 It peels from the resin film 80 for temporary adhesion, and is divided | segmented into the separate 3rd intermediate body 500 (FIG. 6 (A)). A solder resist layer 70S on the insulating substrate is formed on the first surface S on the first surface S side of the insulating substrate 20z (FIG. 6B).

図1(D)を参照して上述された枠型のダミーパターン34FIに至るスリット88がソルダーレジスト層70S及び絶縁基板20zを貫通するようレーザで形成される(図6(C)。 The slit 88 reaching the frame-shaped dummy pattern 34FI described above with reference to FIG. 1D is formed by laser so as to penetrate the solder resist layer 70S and the insulating substrate 20z (FIG. 6C).

スリット88で分けられたソルダーレジスト層70S及び絶縁基板20zが、剥離層40と共に分離され、銅箔48が露出される(図7(A))。 The solder resist layer 70S and the insulating substrate 20z separated by the slit 88 are separated together with the release layer 40, and the copper foil 48 is exposed (FIG. 7A).

開口26から露出する銅箔48及びダミーパターン34FIがエッチングで除去される。開口26によりC4パッドを形成するビア導体60FIのボトムが露出される(図7(B))。 The copper foil 48 and the dummy pattern 34FI exposed from the opening 26 are removed by etching. The bottom of the via conductor 60FI forming the C4 pad is exposed through the opening 26 (FIG. 7B).

実施形態では、ダミーパターン34FIのサイズが開口26のサイズより大きい。そして、第1回路基板130と第2回路基板155との間のダミーパターンが除去される。そのため、図7(C)に示されるように、実装エリアは第1回路基板の第2面から凹む。また、第1回路基板と第2回路基板との間に空間(凹部)55Ffが形成される。 In the embodiment, the size of the dummy pattern 34FI is larger than the size of the opening 26. Then, the dummy pattern between the first circuit board 130 and the second circuit board 155 is removed. Therefore, as shown in FIG. 7C, the mounting area is recessed from the second surface of the first circuit board. Further, a space (concave portion) 55Ff is formed between the first circuit board and the second circuit board.

レーザにより、上側のソルダーレジスト層70Sに、パッド73Sを露出する開口71Sが形成される。
下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fに、パッド73Fを露出する開口71Fがレーザにより形成される(図7(C))。
An opening 71S exposing the pad 73S is formed in the upper solder resist layer 70S by the laser.
An opening 71F exposing the pad 73F is formed in the solder resist layer 70F on the lower buildup layer by a laser (FIG. 7C).

パッド73F、73SとC4パッド73SI上に保護膜72が形成される(図1)。保護膜は、パッドの酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pd/AuやOSP(Organic Solderability Preservative)膜で形成される。C4パッド上の保護膜は描かれない。 A protective film 72 is formed on the pads 73F and 73S and the C4 pad 73SI (FIG. 1). The protective film is a film for preventing the pad from being oxidized. The protective film is formed of, for example, Ni / Au, Ni / Pd / Au, Pd / Au, or OSP (Organic Solderability Preservative) film. The protective film on the C4 pad is not drawn.

各パッド73F、73SI、73S上に半田バンプ76F、76SI、76SOが形成され得る。 Solder bumps 76F, 76SI, and 76SO may be formed on the pads 73F, 73SI, and 73S.

各樹脂絶縁層50F、150Fは上面と上面と反対側の下面を有する。各樹脂絶縁層の上面は第1回路基板130に近い面であり、各樹脂絶縁層の下面は下側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層70Fに近い面である。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体用の開口68F、168Fは下面から上面に向かってテーパーしている。ビア導体用の開口に形成されているビア導体60F、160Fの側壁も下面から上面に向かってテーパーしている。 Each of the resin insulating layers 50F and 150F has an upper surface and a lower surface opposite to the upper surface. The upper surface of each resin insulating layer is a surface close to the first circuit board 130, and the lower surface of each resin insulating layer is a surface close to the solder resist layer 70F on the lower buildup layer. The via conductor openings 68F and 168F formed in each resin insulating layer taper from the lower surface to the upper surface. The side walls of the via conductors 60F and 160F formed in the via conductor openings are also tapered from the lower surface to the upper surface.

各導体層58F、158Fやビア導体60F、160Fは、無電解銅めっき膜52と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜56で形成されている(図5(A)参照)。 Each of the conductor layers 58F and 158F and the via conductors 60F and 160F are formed of the electroless copper plating film 52 and the electrolytic copper plating film 56 on the electroless copper plating film (see FIG. 5A).

C4パッド73SI上の半田バンプ76SIを介してプリント配線板上にICチップ90が実装される。第1のパッケージ基板(第1応用例)が完成する(図2(A))。ICチップは開口内に収容されている。ICチップは開口26から外にでていない。半田バンプ76SOを介して第2のパッケージ基板230が第1のパッケージ基板120に搭載される(図2(B))。POP基板(第2応用例)200が完成する。 IC chip 90 is mounted on the printed wiring board via solder bumps 76SI on C4 pad 73SI. A first package substrate (first application example) is completed (FIG. 2A). The IC chip is accommodated in the opening. The IC chip does not protrude from the opening 26. The second package substrate 230 is mounted on the first package substrate 120 through the solder bumps 76SO (FIG. 2B). The POP substrate (second application example) 200 is completed.

開口68FIから露出する銅箔48上にシード層52と電解銅めっき膜56で形成される実装用ビア導体が形成される。銅箔48とシード層間に金属膜を形成することができる。銅箔48のみを除去することで、実装用ビア導体60FIのボトムが露出する。シード層で形成される実装用ビア導体のボトムと第1の樹脂絶縁層50Fの第3面は同じ平面上に位置する。金属膜で形成される実装用ビア導体のボトムと第1の樹脂絶縁層50Fの第3面が同一平面上に位置する。 A mounting via conductor formed of seed layer 52 and electrolytic copper plating film 56 is formed on copper foil 48 exposed from opening 68FI. A metal film can be formed between the copper foil 48 and the seed layer. By removing only the copper foil 48, the bottom of the mounting via conductor 60FI is exposed. The bottom of the mounting via conductor formed of the seed layer and the third surface of the first resin insulating layer 50F are located on the same plane. The bottom of the mounting via conductor formed of the metal film and the third surface of the first resin insulating layer 50F are located on the same plane.

第1実施形態では、コア基板30の第2面Fに剥離層40を設け、コア基板の第2面及び剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層55Fが形成される。コア基板の第2面側から、銅箔48を露出させるキャビティが形成される。予め剥離層が形成されているため、キャビティの形成が容易で、生産性が高く、生産コストを抑えることができる。 In the first embodiment, a release layer 40 is provided on the second surface F of the core substrate 30, and a buildup layer 55F formed by laminating a resin insulating layer and a conductor layer on the second surface of the core substrate and the release layer is formed. Is done. A cavity that exposes the copper foil 48 is formed from the second surface side of the core substrate. Since the release layer is formed in advance, the formation of the cavity is easy, the productivity is high, and the production cost can be suppressed.

第1な実施形態では、コア基板の第1面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜枠(ダミーパターン)34FIを剥離層40の形成位置の外周に形成する。金属膜に沿ってレーザを当てることで、キャビティを容易に形成できる。 In the first embodiment, a metal film frame (dummy pattern) 34FI serving as a stopper at the time of forming a cavity is formed on the first surface of the core substrate on the outer periphery of the position where the release layer 40 is formed. By applying a laser along the metal film, the cavity can be easily formed.

[第2実施形態のプリント配線板の製造方法]
図8、図9に第2実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
第1実施形態と同様の工程を経て中間体300が得られる(図8(A))。絶縁基板20zの第1面S側からレーザで矩形状のスリット86が形成される(図8(B)。スリットは絶縁基板を貫通しないように形成される。
[Method for Manufacturing Printed Wiring Board of Second Embodiment]
8 and 9 show a method for manufacturing a printed wiring board according to the second embodiment.
An intermediate 300 is obtained through the same steps as those in the first embodiment (FIG. 8A). A rectangular slit 86 is formed by a laser from the first surface S side of the insulating substrate 20z (FIG. 8B). The slit is formed so as not to penetrate the insulating substrate.

絶縁基板20zの第2面F上のスリット86の対応位置に剥離層40及び銅箔48が設けられ、中間体300が完成する。剥離層40は、ポリイミドフィルム42の両面に離型膜44、44が積層されて成る(図8(C))。 The peeling layer 40 and the copper foil 48 are provided at positions corresponding to the slits 86 on the second surface F of the insulating substrate 20z, and the intermediate body 300 is completed. The release layer 40 is formed by laminating release films 44 and 44 on both sides of a polyimide film 42 (FIG. 8C).

第1実施形態と同様に、仮接着用樹脂フィルムの両面に中間体300が仮接着され、ビルドアップ層55Fが形成された後、仮接着用樹脂フィルムから剥離される(図9(A))。 Similarly to the first embodiment, the intermediate body 300 is temporarily bonded to both surfaces of the temporary adhesion resin film to form the buildup layer 55F, and then peeled off from the temporary adhesion resin film (FIG. 9A). .

矩形形状のスリット86に対応する形状のトリムパンチャー85で絶縁基板20zに機械的が衝撃が加えられ(図9(B))、スリット86で分けられたソルダーレジスト層70S及び絶縁基板20zが、剥離層40と共に分離され、銅箔48が露出される(図9(C))。 A mechanical impact is applied to the insulating substrate 20z by the trim puncher 85 having a shape corresponding to the rectangular slit 86 (FIG. 9B), and the solder resist layer 70S and the insulating substrate 20z separated by the slit 86 are peeled off. Separated with the layer 40, the copper foil 48 is exposed (FIG. 9C).

開口26から露出する銅箔48がエッチングで除去される。開口26によりC4パッドを形成するビア導体60FIのボトムが露出される(図9(D))。以降の工程は第1実施形態と同様である。 The copper foil 48 exposed from the opening 26 is removed by etching. The bottom of the via conductor 60FI forming the C4 pad is exposed through the opening 26 (FIG. 9D). The subsequent steps are the same as in the first embodiment.

第2実施形態では、予めコア基板30の第2面S側からキャビティ形成用の切れ込み(スリット)86が形成される。切れ目から衝撃が与えられ、コア基板30の第2面側から銅箔48を露出させるキャビティ26が形成される。キャビティを容易に形成できる。第2実施形態は、第1実施形態よりも製造が容易である利点がある。 In the second embodiment, a notch (slit) 86 for forming a cavity is formed in advance from the second surface S side of the core substrate 30. An impact is applied from the cut, and the cavity 26 is formed to expose the copper foil 48 from the second surface side of the core substrate 30. A cavity can be easily formed. The second embodiment has an advantage that it is easier to manufacture than the first embodiment.

10 プリント配線板
26 開口
34FI ダミーパターン
36 スルーホール導体
40 剥離層
48 銅箔
50F 樹脂絶縁層
58F 導体層
60F ビア導体
80 仮接着用樹脂フィルム
90 ICチップ
130 第1回路基板
155 第2回路基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Printed wiring board 26 Opening 34FI Dummy pattern 36 Through-hole conductor 40 Peeling layer 48 Copper foil 50F Resin insulating layer 58F Conductor layer 60F Via conductor 80 Temporary adhesion resin film 90 IC chip 130 1st circuit board 155 2nd circuit board

Claims (6)

プリント配線板の製造方法であって、
第1面と該第1面と反対側の第2面とを有し、芯材を備えるコア基板を準備することと、
前記コア基板の第2面に剥離層を設けることと、
前記コア基板の前記第1面を樹脂フィルムの表面に向けて仮接着することと、
前記コア基板の第2面及び前記剥離層上に樹脂絶縁層と導体層とを積層して成るビルドアップ層を形成することと、
前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離することと、
前記コア基板の前記第1面側から、前記剥離層を露出させるキャビティを形成することと、
前記剥離層を除去すること、を含む。
A method of manufacturing a printed wiring board,
Preparing a core substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and comprising a core;
Providing a release layer on the second surface of the core substrate;
Temporarily adhering the first surface of the core substrate toward the surface of the resin film;
Forming a buildup layer formed by laminating a resin insulation layer and a conductor layer on the second surface of the core substrate and the release layer;
Separating the core substrate from the resin film;
Forming a cavity exposing the release layer from the first surface side of the core substrate;
Removing the release layer.
請求項1のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記コア基板の第2面上にキャビティ形成時のストッパーとなる金属膜を前記剥離層の形成位置の外周に形成することと、
前記キャビティを形成することは、前記コア基板の前記第1面側から前記金属膜に至る切れ目をレーザで形成することと、を含む。
The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising:
Forming a metal film on the second surface of the core substrate as a stopper when forming a cavity on the outer periphery of the formation position of the release layer;
Forming the cavity includes forming a break from the first surface side of the core substrate to the metal film with a laser.
請求項1のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記キャビティを形成することは、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離する前に前記コア基板の第1面側から第1面と第2面との間までの切れ込みを形成することと、前記コア基板を前記樹脂フィルムから分離した後で前記切れ込みを第2面まで貫通させることと、を含む。
The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising:
Forming the cavity includes forming a cut from the first surface side of the core substrate between the first surface and the second surface before separating the core substrate from the resin film; and Penetrating the notch to the second surface after separating the substrate from the resin film.
請求項1のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
剥離層上に金属箔を積層することと、前記剥離膜を除去した後で前記キャビティから露出した前記金属箔を除去することと、を含む。
The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, further comprising:
Laminating a metal foil on the release layer; and removing the metal foil exposed from the cavity after removing the release film.
請求項4のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
前記ビルドアップ層中の導体層と前記金属箔とを接続するビア導体を形成することと、前記ビア導体の底部を前記キャビティから露出させることで実装パッドを形成することと、を含む。
The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 4, further comprising:
Forming a via conductor connecting the conductor layer in the build-up layer and the metal foil, and forming a mounting pad by exposing a bottom portion of the via conductor from the cavity.
請求項3のプリント配線板の製造方法であって、
前記切れ込みを第2面まで貫通させることは、パンチング加工によりおこなわれる。
It is a manufacturing method of the printed wiring board of Claim 3, Comprising:
Penetrating the notch to the second surface is performed by punching.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20230009334A (en) * 2019-12-04 2023-01-17 주식회사 심텍 Manufacturing method of multi-layered printed circuit board of deep cavity structure
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