JP2016213404A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016213404A JP2016213404A JP2015098118A JP2015098118A JP2016213404A JP 2016213404 A JP2016213404 A JP 2016213404A JP 2015098118 A JP2015098118 A JP 2015098118A JP 2015098118 A JP2015098118 A JP 2015098118A JP 2016213404 A JP2016213404 A JP 2016213404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- nitride film
- plasma etching
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
CH3Fガスと酸素を含有するガスの混合ガスを用いて前記窒素を含有する膜または前記シリコンと炭素を含有する膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法とする。
表1に示すCHF3ガスとSF6ガスからなる混合ガスを用いてエッチングする従来条件(従来例)において,シリコン窒化膜及びチタンナイトライド膜をそれぞれエッチングして,チタンナイトライド膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を検討した。検討結果を表1,および図2に示す。
一方,条件1(比較例)では,従来条件のCHF3ガスとSF6ガスからなる混合ガスに代えてCH3Fガスを用いた。CH3Fガスのガス流量は30ccmとした。このときのシリコン窒化膜のエッチング速度は負の値を示しており,シリコン窒化膜上に堆積物が形成されていることがわかる(表1,図2)。また,チタンナイトライド膜のエッチングレートが負の値を示しており,チタンナイトライド膜上に堆積物が形成されていることがわかる。
次に,条件2(実施例)に示すようにCH3Fガスに更にCO2ガスを10ccmの流量で加えた場合,シリコン窒化膜のエッチングレートは正の値を示しておりシリコン窒化膜のエッチングレートが進行していることがわかる(表1,図2)。一方,チタンナイトライド膜のエッチングレートは負の値を示している。このため,条件2では,チタンナイトライド膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比は無限大となる。
条件3(実施例)では,CH3Fガスはそのままとし,CO2ガス流量を20ccmとした。その結果,シリコン窒化膜のエッチングレートがCO2ガス流量10ccmの結果と比較して増加した(表1,図2)。しかし,チタンナイトライド膜のエッチングレートは負の値のままである。このため,条件3においても,チタンナイトライド膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比は無限大となる。
条件4(実施例)では,CH3Fガスはそのままとし,CO2ガス流量を30ccmとした。その結果,シリコン窒化膜のエッチングレートが条件2(CO2ガス流量:20ccm)の場合と比較して増加した(表1,図2)。一方,チタンナイトライド膜のエッチングレートが負の値のままである。このため,条件4においても,チタンナイトライド膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比は無限大となる。
Claims (9)
- チタンを含有する膜に対して窒素を含有する膜またはシリコンと炭素を含有する膜を選択的にプラズマエッチングするプラズマ処理方法において,
CH3Fガスと酸素を含有するガスの混合ガスを用いて前記窒素を含有する膜または前記シリコンと炭素を含有する膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において,
前記混合ガスは,さらに不活性ガスを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1または2に記載のプラズマエッチング方法において,
前記酸素を含有するガスは,O2ガス,CO2ガス,SO2ガスの中の少なくとも一つであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1乃至3の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において,
前記CH3Fガスと酸素を含有するガスの流量は同じであることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において,
前記チタンを含有する膜は,チタンナイトライド膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1乃至5の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において,
前記窒素を含有する膜は,シリコン窒化膜,窒化シリコン酸化膜,或いは窒化炭化シリコン酸化膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1乃至6の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において,
前記シリコンと炭素を含有する膜は,シリコン炭化膜,或いは炭化シリコン酸化膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1乃至7の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において,
前記チタンを含有する膜は,前記窒素を含有する膜またはシリコンと炭素を含有する膜をエッチングするときのマスクとして用いられることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1乃至8の何れか一項に記載のプラズマエッチング方法において,
前記窒素を含有する膜またはシリコンと炭素を含有する膜はシリコン酸化膜の上に形成されており,前記チタンを含有する膜は前記窒素を含有する膜またはシリコンと炭素を含有する膜の上に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015098118A JP2016213404A (ja) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015098118A JP2016213404A (ja) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016213404A true JP2016213404A (ja) | 2016-12-15 |
JP2016213404A5 JP2016213404A5 (ja) | 2018-01-18 |
Family
ID=57550081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015098118A Pending JP2016213404A (ja) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016213404A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150679A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Nanya Sci & Technol Co Ltd | コンタクトホールの形成方法 |
JP2007194284A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体 |
WO2011018857A1 (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012114463A (ja) * | 2012-03-06 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
JP2014216331A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング方法 |
-
2015
- 2015-05-13 JP JP2015098118A patent/JP2016213404A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005150679A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Nanya Sci & Technol Co Ltd | コンタクトホールの形成方法 |
JP2007194284A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体 |
WO2011018857A1 (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2012114463A (ja) * | 2012-03-06 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
JP2014216331A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5932599B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
KR102342711B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
CN108878285B (zh) | 蚀刻方法 | |
WO2002023609A1 (fr) | Procede de gravure de silicium a vitesse elevee | |
JP2014501027A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5819154B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
KR20150031227A (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP4504684B2 (ja) | エッチング方法 | |
KR20230129345A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 에칭 방법 | |
JP2017112293A (ja) | 溝を有するシリコンカーバイド基板の製造方法 | |
JP2015050362A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7110034B2 (ja) | エッチングする方法及びプラズマ処理装置 | |
EP2148361A1 (en) | Dry etching apparatus and dry etching method | |
JP4387801B2 (ja) | 半導体ウェーハの乾式蝕刻方法 | |
TWI759348B (zh) | 被處理體之處理方法 | |
KR101310850B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법 | |
JP2016213404A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2004006575A (ja) | エッチング方法 | |
WO2015170676A1 (ja) | プラズマエッチング処理方法 | |
JP2003282540A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JPH11354494A (ja) | エッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190305 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190806 |