JP2016212222A - 光学デバイス駆動装置及び光学デバイス駆動システム - Google Patents

Abstract

【課題】駆動対象である光学デバイスの特性に応じて電圧出力を調整することができる光学デバイス駆動装置を提供する。
【解決手段】光学デバイス駆動装置１は、光学デバイス７を駆動させる駆動回路２と、光学デバイス７から出力された電流又は電圧を検出し、検出電圧として出力する検出部６と、検出部６から出力された検出電圧に応じて、駆動回路２の電圧出力を制御する制御部５と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、光学デバイスを駆動させる光学デバイス駆動装置及び光学デバイス駆動システムに関する。

光学的な状態を変化させることができる光学デバイスが提案されている。この種の光学デバイスの一つとして、液晶デバイスが知られている。液晶デバイスを、例えば窓材として用いることにより、窓からの入射光の透過又は散乱を切り替えることができる。液晶デバイスの駆動方法として、交流電圧を印加する方法が知られている。液晶デバイスは、容量成分を主体とする回路構成を有するため、液晶デバイスに印加される電圧が変化する際に、液晶デバイスを充電するために要する電力などが無効電力として消費される。光学デバイスにおいて消費される無効電力を抑制するための技術として、光学デバイス駆動装置に、光学デバイスに充電された電荷を回収し、当該電荷を再び光学デバイスに供給する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。

特開平８−１３７４３２号公報

特許文献１に記載された技術を用いることにより、特定の容量成分を有する光学デバイスを駆動させる際に発生する無効電力を抑制することができる光学デバイス駆動装置を設計することは可能である。しかしながら、例えば、光学デバイスを窓材として用いる場合、光学デバイスの寸法は、窓によって異なる。ここで、光学デバイスの容量成分は、その寸法によって変化するため、光学デバイスに充電された電荷を効率的に回収するためには、光学デバイスの寸法、すなわち、容量成分に応じて光学デバイス駆動装置の回路を構成する素子のパラメータを最適化する必要がある。また、光学デバイス駆動装置の回路を構成する素子のパラメータには、個体差があるため、必ずしも設計どおりに無効電力を抑制できない。

そこで、本発明は、駆動対象である光学デバイスの特性に応じて電圧出力を調整することができる光学デバイス駆動装置及び光学デバイス駆動システムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る光学デバイス駆動装置の一態様は、光学デバイスに電圧を出力することによって駆動させる駆動回路と、光学デバイスから出力された電流又は電圧を検出し、検出電圧として出力する検出部と、検出部から出力された検出電圧に応じて、駆動回路の電圧出力を制御する制御部と、を備える。

本発明によれば、駆動対象である光学デバイスの特性に応じて電圧出力を調整することができる光学デバイス駆動装置及び光学デバイス駆動システムを提供することができる。

図１は、実施の形態１に係る光学デバイス駆動システムの概略回路図である。 図２は、実施の形態１に係る光学デバイスの概略断面図である。 図３は、実施の形態１に係る光学デバイス駆動装置の動作を示すタイミングチャートである。 図４Ａは、実施の形態１に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち上がり時における波形の一例を示すグラフである。 図４Ｂは、実施の形態１に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち上がり時における波形の一例を示すグラフである。 図４Ｃは、実施の形態１に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち上がり時における波形の一例を示すグラフである。 図５Ａは、実施の形態１に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち下がり時における波形の一例を示すグラフである。 図５Ｂは、実施の形態１に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち下がり時における波形の一例を示すグラフである。 図６は、実施の形態２に係る光学デバイスを備える複層ガラスを示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺等は必ずしも一致しない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

（実施の形態１）
［構成］
まず、実施の形態１に係る光学デバイス駆動装置及びそれを用いた光学デバイス駆動システムの構成について、図１及び図２を用いて説明する。

図１は、本実施の形態に係る光学デバイス駆動システム１０の概略回路図である。

図１に示されるように、光学デバイス駆動システム１０は、光学デバイス７と、光学デバイス７を駆動させる光学デバイス駆動装置１と、を備えるシステムである。

光学デバイス駆動装置１は、光学デバイス７を駆動させる装置であり、駆動回路２、制御部５及び検出部６を備える。

駆動回路２は、光学デバイス７を駆動させる回路である。具体的には、駆動回路２は、光学デバイス７に、高電圧及び低電圧を交互に周期的に印加する。本実施の形態では、駆動回路２は、１００Ｈｚから１ｋＨｚ程度の周波数で高電圧及び低電圧を交互に印加する。駆動回路２は、電力回収部３、主回路部４及びインダクタ１８を備える。

電力回収部３は、光学デバイス７に充電された電荷を回収し、回収した電荷を再び光学デバイス７に出力する回路部である。図１に示されるように、電力回収部３は、第一スイッチング素子１１、第二スイッチング素子１２、コンデンサ１５、ダイオード１６及び１７を備える。

コンデンサ１５は、光学デバイス７から回収された電荷を蓄える容量素子である。コンデンサ１５の一方の電極はノードＮ１に接続されており、他方の電極は接地されている。コンデンサ１５の容量は、光学デバイス７に充電された電荷を回収するために十分な容量である必要がある。一方、コンデンサ１５の容量が大きいほど、電荷の回収に時間がかかるため、コンデンサ１５の容量が必要以上に大きくない方がよい。本実施の形態ではコンデンサ１５の容量は、０．１μＦ〜１μＦ程度である。

第一スイッチング素子１１は、コンデンサ１５の一方の電極に接続され、かつ、光学デバイス７に第一電位を出力するスイッチング素子である。より具体的には、コンデンサ１５のノードＮ１に接続された電極の電位が比較的低い状態（すなわち、充電された電荷が少ない状態）にあるタイミングで、第一スイッチング素子１１はオンされる。これにより、第一スイッチング素子１１は、接地電位又は接地電位に近い電位である第一電位を光学デバイス７に出力する。本実施の形態では、光学デバイス７から光学デバイス駆動装置１に出力される電位（Ｖｏｕｔ）が第一電位より高い時に、第一スイッチング素子１１をオンすることにより、光学デバイス７に蓄えられた電荷をコンデンサ１５が回収できる。

第一スイッチング素子１１は、制御部５によってオン及びオフ制御できるスイッチング素子であればよい。本実施の形態では、第一スイッチング素子１１は、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。第一スイッチング素子１１のソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、ノードＮ１、及び、ダイオード１６のカソードに接続される。第一スイッチング素子１１のゲート電極には、制御部５から制御信号が入力される。

第二スイッチング素子１２は、コンデンサ１５の一方の電極に接続され、かつ、光学デバイス７に第一電位より高い第二電位を出力するスイッチング素子である。より具体的には、コンデンサ１５のノードＮ１と接続された電極の電位が比較的高い状態（すなわち、充電された電荷が多い状態）にあるタイミングで、第二スイッチング素子１２はオンされる。これにより、第二スイッチング素子１２は、第一電位より高い電位である第二電位を光学デバイス７に出力する。本実施の形態では、光学デバイス７から光学デバイス駆動装置１に出力される電位（Ｖｏｕｔ）が第二電位より低い時に、第二スイッチング素子１２をオンすることにより、コンデンサ１５に蓄えられた電荷を光学デバイス７に出力することができる。

第二スイッチング素子１２は、制御部５によってオン及びオフ制御できるスイッチング素子であればよい。本実施の形態では、第一スイッチング素子１１は、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。第二スイッチング素子１２のソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、ダイオード１６のカソード、及び、ノードＮ１に接続される。第二スイッチング素子１２のゲート電極には、制御部５から制御信号が入力される。

ダイオード１６は、第一スイッチング素子１１に流れる電流の向きを規制する整流素子である。ダイオード１６のカソード及びアノードは、それぞれ、第一スイッチング素子１１のドレイン電極、及び、ノードＮ２に接続される。

ダイオード１７は、第二スイッチング素子１２に流れる電流の向きを規制する整流素子である。ダイオード１７のカソード及びアノードは、それぞれ、ノードＮ２、及び、第二スイッチング素子１２のソース電極に接続される。

主回路部４は、光学デバイス７を駆動させるための高電位及び低電位を出力する回路部である。主回路部４は、第三スイッチング素子１３及び第四スイッチング素子１４を備える。

第三スイッチング素子１３は、光学デバイス７に第三電位を出力するスイッチング素子である。本実施の形態では、第三スイッチング素子１３は、電源に接続され、オンされた時に電源の出力電位である第三電位ＶＤＤを光学デバイス７に出力する。

第三スイッチング素子１３は、制御部５によってオン及びオフ制御できるスイッチング素子であればよい。本実施の形態では、第三スイッチング素子１３は、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。第三スイッチング素子１３のソース電極及びドレイン電極は、それぞれ、ノードＮ３、及び、電源に接続される。第三スイッチング素子１３のゲート電極には、制御部５から制御信号が入力される。

第四スイッチング素子１４は、光学デバイス７に第三電位より低い第四電位を出力するスイッチング素子である。本実施の形態では、第四スイッチング素子１４は、オンされた時に接地電位である第四電位を光学デバイス７に出力する。

第四スイッチング素子１４は、制御部５によってオン及びオフ制御できるスイッチング素子であればよい。本実施の形態では、第四スイッチング素子１４は、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴである。第四スイッチング素子１４のソース電極は接地され、ドレイン電極はノードＮ３に接続される。第四スイッチング素子１４のゲート電極には、制御部５から制御信号が入力される。

インダクタ１８は、電力回収部３と主回路部４との間に接続され、かつ、光学デバイス７及びコンデンサ１５とともに共振回路を構成する素子である。インダクタ１８は、光学デバイス７から光学デバイス駆動装置１に出力される電圧Ｖｏｕｔの波形の立ち上がり又は立ち下り時における波形の周波数成分、及び、光学デバイスの容量成分に基づいて定められたインダクタンス値を有する。すなわち、インダクタ１８、光学デバイス７及びコンデンサ１５から構成される回路が、上記電圧波形の立ち上がり又は立ち下り変化時における波形の周波数成分において共振条件を満たすように、インダクタ１８のインダクタンス値が定められる。これにより、光学デバイス７において、回路の共振周期の半分の時間で充電又は放電が完了する。インダクタ１８は、インダクタンス値が固定されたインダクタであってもよいし、インダクタンス値可変型のインダクタであってもよい。

検出部６は、光学デバイス７から出力された電流又は電圧を検出し、検出電圧として出力する処理部である。検出部６は、光学デバイス７から出力される電圧Ｖｏｕｔを検出し、電圧値を変換して制御部５に出力する。本実施の形態では、電圧Ｖｏｕｔは最大５０Ｖ程度にまで達する。検出部６は、この電圧Ｖｏｕｔを、制御部５においてＡＤ変換するために適した電圧である最大５Ｖ程度の検出電圧に変換し、当該検出電圧を制御部５に出力する。

制御部５は、検出部６から出力された検出電圧に応じて、駆動回路２の電圧出力を制御する処理部である。本実施の形態では、制御部５は、検出部６から出力された検出電圧をＡＤ変換することによってデジタル信号を得る。このデジタル信号に基づいて、検出電圧の波形を取得し、当該波形に基づいて駆動回路２の各スイッチング素子を制御する。制御部５の動作の詳細については後述する。

光学デバイス７は、光学デバイス駆動装置１によって駆動されるデバイスである。本実施の形態では、光学デバイス７は、容量成分を有する。以下、光学デバイス７について図面を用いて説明する。

図２は、本実施の形態に係る光学デバイス７の概略断面図である。具体的には、図２の（ａ）は、光学デバイス７の層構造を模式的に示している。また、図２の（ｂ）は、（ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面を示している。

図２に示されるように、光学デバイス７は、第一基板５０と、第二基板５１と、第一電極２０と、第二電極２１と、光学調整層３０と、シール材４０とを備える。また、図２の（ｂ）に示されるように、光学デバイス７は、パネル状に形成される。

光学デバイス７は、第一電極２０及び第二電極２１間に印加される電力に応じて、光透過状態及び光散乱状態の二つの光学状態を切り替えることができる。

具体的には、光学デバイス７は、光透過状態の場合、入射する光（例えば、可視光）を透過させる。例えば、光学デバイス７は、透明状態を実現することができる。

また、光学デバイス７は、光散乱状態の場合に、入射する光（例えば、可視光）を散乱させる。具体的には、光学デバイス７は、光散乱状態の場合に、光学調整層３０内の屈折率差によって、可視光の一部を透過し、かつ、可視光の一部を散乱させる。以下、図２に示される光学デバイス７の各構成要素について詳細に説明する。

第一基板５０及び第二基板５１は、透光性を有し、可視光の少なくとも一部を透過させる。具体的には、第一基板５０及び第二基板５１は、透明（光透過率が充分に高い）な平板である。

本実施の形態では、図２に示すように、第一基板５０及び第二基板５１は、端部がずれて配置されている。端部は、シール材４０に囲まれていない外側の部分であって、例えば、第一電極２０及び第二電極２１の各々への給電部に相当する。第一基板５０及び第二基板５１がずれて配置されていることで、例えば、給電部への配線の接続を容易に行うことができる。

第一基板５０及び第二基板５１は、例えば、同じ材料から形成される。第一基板５０及び第二基板５１としては、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、高屈折率ガラスなどのガラス基板、又は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などの樹脂基板を利用することができる。ガラス基板は、透明性及び防湿性に優れているという利点がある。樹脂基板は、破壊時の飛散が少ないという利点がある。また、第一基板５０及び第二基板５１としては、可撓性を有するフレキシブル基板を用いてもよい。フレキシブル基板は、例えば、樹脂基板又は薄膜ガラスなどから形成される。

第一電極２０及び第二電極２１は、透光性を有し、可視光の少なくとも一部を透過させる。具体的には、第一電極２０及び第二電極２１は、透明な平板状の導電膜である。第一電極２０及び第二電極２１間に所定の電圧が印加された場合に、光学調整層３０の光学特性が変化する。

第一電極２０及び第二電極２１は、図２に示すように、互いに対面して配置されている。具体的には、第一電極２０は、第一基板５０上に形成され、第二電極２１は、第二基板５１上に形成されている。例えば、第一電極２０及び第二電極２１はそれぞれ、スパッタリング法、蒸着法などによって第一基板５０上及び第二基板５１上に導電膜を形成し、形成した導電膜をパターニングすることで形成される。このとき、第一電極２０及び第二電極２１はそれぞれ、透光性を有するアンダーコート層を介して、第一基板５０上及び第二基板５１上に形成されてもよい。

第一電極２０は、第一基板５０の端部に、具体的には、シール材４０の外側に設けられた給電部と電気的に接続されている。例えば、給電部は、第一電極２０の一部であり、シール材４０の外側に延設された部分である。第二電極２１についても同様である。

第一電極２０及び第二電極２１は、例えば、同じ材料から形成される。第一電極２０及び第二電極２１としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）などの透明金属酸化物を用いることができる。

また、第一電極２０及び第二電極２１はそれぞれ、第一基板５０及び第二基板５１との可視光帯域における屈折率の差が所定の値より小さい材料から形成される。例えば、第一電極２０と第一基板５０との屈折率の差は、０．２以下であり、好ましくは、０．１以下である。これにより、第一電極２０と第一基板５０との界面での光の反射及び屈折を抑制し、光を効果的に透過させることができる。第二電極２１と第二基板５１とについても、同様である。また、第一電極２０及び第二電極２１は、互いに異なる材料から形成されてもよく、この場合、第一電極２０及び第二電極２１の屈折率の差も、所定の値より小さい材料を用いることが好ましい。

光学調整層３０は、第一電極２０と第二電極２１との間に設けられている。図２に示すように、光学調整層３０は、第一相３１と、第二相３２とを有する。本実施の形態では、光学調整層３０は、ゲルである。

光学調整層３０は、第一電極２０及び第二電極２１間に印加される電圧に応じて、光反射状態、光透過状態及び光散乱状態が切り替えられる。具体的には、光学調整層３０は、以下の（１）及び（２）のように、第一相３１及び第二相３２が変化することで、二つの光学状態を実現する。

（１）光透過（透明）：第一相３１の屈折率と第二相３２の屈折率とが略同じ場合
（２）光散乱：第一相３１の屈折率と第二相３２の屈折率とが異なる場合

本実施の形態では、第一電極２０及び第二電極２１間に電圧を印加する場合に上記光透過状態が実現され、電圧を印加しない場合に、上記光散乱状態が実現される。

以下、第一相３１及び第二相３２の詳細について説明する。

第一相３１は、高分子材料からなる相である。第一相３１に含まれる高分子材料としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、メルカプトエステル、セルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ（４−ビニルピリジン）（Ｐ４ＶＰ）、ポリ（ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＤＭＡＥＭＡ）、エポキシ、又は、変性シリコーン、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などのシリコーン樹脂などを用いることができる。

第一相３１の厚さ（すなわち、光学調整層３０の厚さ）は、例えば、５μｍ以上１ｍｍ以下、好ましくは、１０μｍ以上５００μｍ以下である。これにより、透過率の低下の抑制、及び、材料コストの削減を実現することができる。また、充分な反射率を実現することができる。

第二相３２は、第一相３１中に分散されている。つまり、第二相３２は、分散相に相当し、第一相３１は、分散媒に相当する。第二相３２は、可視光帯域の屈折率を変更可能な屈折率可変材料を含んでいる。

具体的には、屈折率可変材料は、液晶である。液晶としては、例えば、ネマティック液晶、コレステリック液晶、強誘電性液晶を用いることができるが、特に限定されない。液晶では、電界の変化によって分子配向が変わることで、屈折率が変更される。

本実施の形態では、第二相３２に含まれる液晶が、第一相３１に含まれる高分子材料中に分散されている。すなわち、光学調整層３０は、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）に相当する。なお、光学調整層３０は、ポリマーネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）でもよい。

このとき、第二相３２の比誘電率は、第一相３１の比誘電率と異なっていてもよい。これにより、第二相３２が第一相３１に溶解し混合するのを抑制することができる。例えば、第一相３１の比誘電率は、３０以上、好ましくは、４０以上である場合に、第二相３２の比誘電率は、２０以下、好ましくは、１５以下であればよい。これにより、第一相３１と第二相３２とを相分離することができる。

また、第二相３２の比重は、第一相３１の比重と略同じでもよい。これにより、第一相３１及び第二相３２のいずれかが沈降するのを抑制することができる。また、第二相３２の屈折率の可変域に、第一相３１の屈折率が含まれていてもよい。これにより、第一相３１の屈折率と第二相３２の屈折率とを同じにすることができ、外観上、光学調整層３０を透明にすることができる。

シール材４０は、光学調整層３０を第一電極２０と第二電極２１との間に保持するために、第一基板５０と第二基板５１とを接着する部材である。シール材４０は、光学調整層３０の周に沿って、所定形状に形成される。

シール材４０としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、又は、シリコーン樹脂などの光硬化性、熱硬化性又は二液硬化性の接着性樹脂を用いることができる。あるいは、シール材４０としては、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性の接着性樹脂などを用いてもよい。

［動作概要］
続いて、本実施の形態に係る光学デバイス駆動装置１の動作の概要について図面を用いて説明する。

図３は、本実施の形態に係る光学デバイス駆動装置１の動作を示すタイミングチャートである。図３には、光学デバイス７から光学デバイス駆動装置１に出力される電圧Ｖｏｕｔの波形と、第一スイッチング素子１１、第二スイッチング素子１２、第三スイッチング素子１３及び第四スイッチング素子１４の状態Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３及びＳ１４の波形とが示されている。以下、本タイミングチャートの各タイミングにおける光学デバイス駆動装置１の動作を説明する。

図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ１まで、第一スイッチング素子１１、第二スイッチング素子１２及び第三スイッチング素子１３はオフされており、第四スイッチング素子１４はオンされている。すなわち、時刻ｔ１までは、光学デバイス７には、光学デバイス駆動装置１から接地電位が出力されている。ここで、時刻ｔ１までに、コンデンサ１５は、充電されていると仮定する。なお、コンデンサ１５が充電される動作については後述する。

続いて、時刻ｔ１において、第二スイッチング素子１２がオンされ、第四スイッチング素子１４がオフされる。これにより、光学デバイス７とコンデンサ１５とが、インダクタ１８及びダイオード１７及び第二スイッチング素子１２を介して接続される。ここで、光学デバイス７は、時刻ｔ１まで接地電位に維持されていたため、充電されていない状態である。また、コンデンサ１５は充電された状態であり、コンデンサ１５が接続されたノードＮ１は、接地電位より高電位である第二電位に維持されている。したがって、時刻ｔ１において、ダイオード１７のアノードがカソードより高電位となるため、ダイオード１７が導通状態となる。つまり、第二スイッチング素子１２は、ダイオード１７及びインダクタ１８を介して光学デバイス７に第二電位を出力する。これにより、コンデンサ１５に蓄えられた電荷が、第二スイッチング素子１２、ダイオード１７及びインダクタ１８を経由して、光学デバイス７に移動する。言い換えると、コンデンサ１５から光学デバイス７に電流が流れ、光学デバイス７が充電される。

続いて、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間において、コンデンサ１５から光学デバイス７に電流が流れる。これに伴い、光学デバイス７に電荷が蓄えられるため、徐々に電圧Ｖｏｕｔが上昇する。ここで、この期間における電圧Ｖｏｕｔが、光学デバイス７、並びに、駆動回路２のコンデンサ１５及びインダクタ１８で構成される回路の共振波形を形成するように、駆動回路２の電圧出力の出力タイミングが調整される。本実施の形態では、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間隔を調整することにより、駆動回路２の電圧出力の出力タイミング、すなわち、各スイッチング素子の動作タイミングが調整される。

続いて、時刻ｔ２において、第二スイッチング素子１２はオフされ、第三スイッチング素子１３がオンされる。第二スイッチング素子１２がオフされることにより、コンデンサ１５と光学デバイス７との電気的接続が断絶される。また、第三スイッチング素子１３がオンされることにより、電源の出力電位である第三電位ＶＤＤを光学デバイス７に出力する。本実施の形態では、時刻ｔ２までに、光学デバイス７が充電されることにより、時刻ｔ２において、電圧Ｖｏｕｔがほぼ第三電位ＶＤＤに等しくなるように、各スイッチング素子が制御される。これにより、第三スイッチング素子１３に接続された電源から、光学デバイス７へ流れる電流量が抑制されるため、電源における消費電力を抑制できる。さらに、上述したように、時刻ｔ１から時刻ｔ２まで、電圧Ｖｏｕｔが共振波形を形成するように上昇するため、ステップ状に上昇する場合より、電磁ノイズの発生を抑制することができる。

続いて、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間において、電圧Ｖｏｕｔがほぼ第三電位ＶＤＤに維持される。

続いて、時刻ｔ３において、第三スイッチング素子１３がオフされ、第一スイッチング素子１１がオンされる。第三スイッチング素子１３がオフされることにより、第三スイッチング素子１３からの第三電位ＶＤＤの出力は停止される。また、第一スイッチング素子１１がオンされることにより、光学デバイス７とコンデンサ１５とが、インダクタ１８及びダイオード１６及び第一スイッチング素子１１を介して接続される。ここで、光学デバイス７は、時刻ｔ３まで第三電位ＶＤＤに維持されていたため、充電されている状態である。また、コンデンサ１５はほぼすべての電荷を放電した状態であり、コンデンサ１５が接続されたノードＮ１は、接地電位又はほぼ接地電位である第一電位に維持されている。したがって、時刻ｔ３において、第一スイッチング素子１１からダイオード１６のカソードに第一電位が出力され、ダイオード１６のアノードがカソードより高電位となるため、ダイオード１６が導通状態となる。つまり、第一スイッチング素子１１は、ダイオード１６及びインダクタ１８を介して光学デバイス７に第一電位を出力する。これにより、光学デバイス７に蓄えられた電荷が、インダクタ１８、ダイオード１６及び第一スイッチング素子１１を経由して、コンデンサ１５に移動する。言い換えると、光学デバイス７からコンデンサ１５に電流が流れることにより、コンデンサ１５が充電される。

続いて、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間において、光学デバイス７からコンデンサ１５に電流が流れる。これに伴い、光学デバイス７に蓄えられていた電荷が減少するため、徐々に電圧Ｖｏｕｔが低下する。ここで、この期間における電圧Ｖｏｕｔが、光学デバイス７、並びに、駆動回路２のコンデンサ１５及びインダクタ１８で構成される回路の共振波形を形成するように、駆動回路２の電圧出力の出力タイミングが調整される。本実施の形態では、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間隔を調整することにより、駆動回路２の電圧出力の出力タイミング、すなわち、各スイッチング素子の動作タイミングが調整される。

続いて、時刻ｔ４において、第一スイッチング素子１１がオフされ、第四スイッチング素子１４がオンされる。第一スイッチング素子１１がオフされることにより、コンデンサ１５と光学デバイス７との電気的接続が断絶される。また、第四スイッチング素子１４がオンされることにより、第四スイッチング素子１４は、接地電位である第四電位を光学デバイス７に出力する。本実施の形態では、時刻ｔ４までに、光学デバイス７からコンデンサ１５への電荷の移動がほぼ完了させる。すなわち、時刻ｔ４において、電圧Ｖｏｕｔがほぼゼロに等しくなるように、各スイッチング素子が制御される。これにより、光学デバイス７に蓄積された電荷のほぼ全てが、コンデンサ１５によって回収されるため、無効電力が抑制される。さらに、上述したように、時刻ｔ３から時刻ｔ４まで、電圧Ｖｏｕｔが共振波形を形成するように低下するため、ステップ状に低下する場合より、電磁ノイズの発生を抑制することができる。

続いて、時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間において、電圧Ｖｏｕｔがほぼゼロに維持される。

時刻ｔ５以降においては、上述した時刻ｔ１以降の動作と同様の動作を繰り返す。

［電圧出力タイミング調整］
続いて、光学デバイス駆動装置１において、図３に示されたようなタイミングチャートでの動作を実現するための、電圧出力タイミング調整動作について、図面を用いて説明する。まず、電圧Ｖｏｕｔの立ち上がり時における電圧出力タイミング調整動作について説明する。

図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、それぞれ、本実施の形態に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち上がり時における波形の一例を示すグラフである。図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃのグラフにおいて、縦軸は、電圧Ｖｏｕｔの電圧ＶＤＤに対する割合を示す。図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、制御部５による、各スイッチング素子のタイミング調整が必要な場合の立ち上がり波形の一例を示す。一方、図４Ｃは、制御部５による各スイッチング素子のタイミング調整後の立ち上がり波形を示す。図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃに示される波形は、制御部５において、検出電圧をＡＤ変換することによって得られる。当該波形に基づいて、制御部５は各スイッチング素子の制御を行う。

図４Ａに示される例では、時刻ｔ１１において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ１における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。また、時刻ｔ１２において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ２における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。

図４Ａに示される例では、電圧Ｖｏｕｔが電圧ＶＤＤの７０％程度まで到達した時刻ｔ１２において、第二スイッチング素子１２がオフされ、第三スイッチング素子１３がオンされる。この場合、図４Ａに示されるように、時刻ｔ１２から、電圧Ｖｏｕｔが上ピーク（すなわち、電圧ＶＤＤ）に到達する時刻ｔ１３までの期間において、第三スイッチング素子１３が第三電位ＶＤＤを出力するため、急激に電圧Ｖｏｕｔが上昇する。これにより、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３において、電源から光学デバイス７に電流が流れるため、図３に示される波形の場合より、電源における電力消費が大きくなる。また、電圧Ｖｏｕｔが急激に上昇するため、電磁ノイズの発生量が図３に示される例より大きくなる。

以下、制御部５において図４Ａに示される波形が検出された場合に、制御部５が行う電圧出力タイミングの調整動作について説明する。図４Ａに示されるグラフの時刻ｔ１１において、コンデンサ１５が十分に充電されていると仮定する。この場合、図４Ａに示される例では、コンデンサ１５に蓄えられた電荷の７０％程度が光学デバイス７に移動した時点において、第二スイッチング素子１２がオフされたと考えられる。そのため、図４Ａに示される波形が制御部５において検出された場合に、制御部５は、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間を長くするように制御する。すなわち、第二スイッチング素子１２のオン時間が長くなるように制御する。これにより、時刻ｔ１１においてコンデンサ１５に蓄えられている電荷をできるだけ多く光学デバイス７に移動させる。本実施の形態では、第四スイッチング素子１４がオフされ、第二スイッチング素子１２がオンされるタイミング（図４Ａの時刻ｔ１１に対応）がより早くなるように、制御部５が各スイッチング素子の制御タイミングを調整する。この場合の調整量は、図４Ａの時刻ｔ１２から、波形の上ピークに到達するタイミング（図４Ａの時刻ｔ１３に対応）までの時間Δｔがゼロに近づくようにフィードバック制御される。なお、制御部５は、検出電圧の波形から上ピークに到達するタイミングである第一タイミング（図４Ａでは時刻ｔ１３）を検出する。この第一タイミングである時刻ｔ１３と、各スイッチング素子を制御するタイミングである時刻ｔ１２とから、時間Δｔを検出する。本実施の形態では、このようにして検出された時間Δｔに応じて第二スイッチング素子１２のオン時間を調整する。

図４Ｂに示される例は、図４Ａに示される例と同様に、時刻ｔ２１において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ１における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。また時刻ｔ２２において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ２における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。図４Ｂに示される例では、図４Ａに示される例と同様に、電圧Ｖｏｕｔが電圧ＶＤＤのほぼ７０％まで到達した時刻ｔ２２において、第二スイッチング素子１２がオフされ、第三スイッチング素子１３がオンされる。一方、図４Ｂに示される例では、図４Ａに示される例と異なり、時刻ｔ２２以降に電圧Ｖｏｕｔが一端電圧ＶＤＤより大きい値となる点において、図４Ａの例と異なる。このような場合には、電圧Ｖｏｕｔが電圧ＶＤＤに収束する時刻を上ピークに到達する時刻ｔ２３とする。図４Ｂに示される例でも、図４Ａに示される例と同様に、第四スイッチング素子１４がオフされ、第二スイッチング素子１２がオンされるタイミング（図４Ｂの時刻ｔ２１に対応）がより早くなるように、制御部５が各スイッチング素子の制御タイミングを調整する。この場合の調整量は、図４Ｂの時刻ｔ２２から時刻ｔ２３までの時間Δｔがゼロに近づくようにフィードバック制御される。なお、制御部５は、検出電圧の波形から上ピークに到達するタイミングである第一タイミング（図４Ｂでは時刻ｔ２３）を検出する。この第一タイミングである時刻ｔ２３と、各スイッチング素子を制御するタイミングである時刻ｔ２２とから、時間Δｔを検出する。本実施の形態では、このようにして検出された時間Δｔに応じて第二スイッチング素子１２のオン時間を調整する。

以上のように制御部５が各スイッチング素子の制御タイミング調整を行うことにより、図４Ｃに示されるような、波形を得ることができる。図４Ｃに示される例では、時刻ｔ３１において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ１における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。また、時刻ｔ３２において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ２における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。図４Ｃに示されるように、電圧Ｖｏｕｔが電圧ＶＤＤのほぼ１００％まで到達した時刻ｔ３２において、第二スイッチング素子１２がオフされ、第三スイッチング素子１３がオンされる。これにより、電源における消費電力及び電磁ノイズを抑制することができる。

次に、電圧Ｖｏｕｔの立ち下がり時における電圧出力タイミング調整動作について説明する。

図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、本実施の形態に係る電圧Ｖｏｕｔの立ち下がり時における波形の一例を示すグラフである。図５Ａ及び図５Ｂのグラフにおいて、縦軸は、電圧Ｖｏｕｔの電圧ＶＤＤに対する割合を示す。図５Ａは、制御部５による、各スイッチング素子のタイミング調整が必要な場合の立ち下がり波形の一例を示す。一方、図５Ｂは、制御部５による各スイッチング素子のタイミング調整後の立ち上がり波形を示す。図５Ａ及び図５Ｂに示される波形は、制御部５において、検出電圧をＡＤ変換することによって得られる。当該波形に基づいて、制御部５は各スイッチング素子の制御を行う。

図５Ａに示される例では、時刻ｔ４１において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ３における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。また、時刻ｔ４２において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ４における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。

図５Ａに示される例では、電圧Ｖｏｕｔが電圧ＶＤＤの３０％程度まで到達した時刻ｔ４２において、第一スイッチング素子１１がオフされ、第四スイッチング素子１４がオンされる。この場合、図５Ａに示されるように、時刻ｔ４２から、電圧Ｖｏｕｔが下ピーク（すなわち、電圧ゼロ）に到達する時刻ｔ４３までの期間において、第四スイッチング素子１４が第四電位（接地電位）を出力するため、急激に電圧Ｖｏｕｔが低下する。これにより、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３において、光学デバイス７からアースに電流が流れるため、図３に示される波形の場合より、電源の電力消費が大きくなる。また、電圧Ｖｏｕｔが急激に低下するため、電磁ノイズの発生量が図３に示される例より大きくなる。

以下、制御部５において図５Ａに示される波形が検出された場合に、制御部５が行う電圧出力タイミングの調整動作について説明する。図５Ａに示される例では、光学デバイス７に蓄えられた電荷の７０％程度が光学デバイス７に移動した時点（すなわち、光学デバイス７に３０％程度の電荷が残っている時点）において、第一スイッチング素子１１がオフされたと考えられる。そのため、図５Ａに示される波形が制御部５において検出された場合に、制御部５は、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間を長くするように制御する。すなわち、第一スイッチング素子１１のオン時間が長くなるように制御する。これにより、時刻ｔ４１において光学デバイス７に蓄えられている電荷をできるだけ多くコンデンサ１５に移動させる。本実施の形態では、第一スイッチング素子１１がオフされ、第四スイッチング素子１４がオンされるタイミング（図５Ａの時刻ｔ４２に対応）がより遅くなるように、制御部５が各スイッチング素子の制御タイミングを調整する。この場合の調整量は、図５Ａの時刻ｔ４２から波形の下ピーク（ゼロ）に到達するタイミング（図５Ａでは時刻ｔ４３）までの時間Δｔがゼロに近づくようにフィードバック制御される。なお、制御部５は、検出電圧の波形から下ピークに到達するタイミングである第二タイミングを検出する。この第二タイミングである時刻ｔ４３と、各スイッチング素子を制御するタイミングである時刻ｔ４２とから、時間Δｔを検出する。本実施の形態では、このようにして検出された時間Δｔに応じて第一スイッチング素子１１のオン時間を調整する。

以上のように制御部５が各スイッチング素子の制御タイミング調整を行うことにより、図５Ｂに示されるような、波形を得ることができる。図５Ｂに示される例では、時刻ｔ５１において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ３における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。また、時刻ｔ５２において、図３に示されるタイミングチャートの時刻ｔ４における制御部５の制御と同様に各スイッチング素子が制御される。図５Ｂに示されるように、電圧Ｖｏｕｔが波形の下ピークであるほぼゼロに到達した時刻ｔ５２において、第一スイッチング素子１１がオフされ、第四スイッチング素子１４がオンされる。これにより、電源による消費電力及び電磁ノイズを抑制することができる。

［効果など］
以上のように、本実施の形態に係る光学デバイス駆動装置１は、光学デバイス７を駆動させる駆動回路２と、光学デバイス７から出力された電圧を検出し、検出電圧として出力する検出部６と、検出部６から出力された検出電圧に応じて、駆動回路２の電圧出力を制御する制御部５と、を備える。

これにより、光学デバイス駆動装置１は、光学デバイス７の駆動時に光学デバイス７から出力される電圧に基づいて、光学デバイス駆動装置１の電圧出力を制御することができる。すなわち、駆動対象である光学デバイス７の容量成分などの特性に応じて電圧出力を調整することができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、制御部５は、駆動回路２の電圧出力を変化させる期間において、検出電圧が、光学デバイス７及び駆動回路２で構成される回路の共振波形を形成するように駆動回路２の電圧出力の出力タイミングを調整する。

これにより、光学デバイス７への電圧出力を変化させる際に、光学デバイス７及び駆動回路２で構成される回路において、共振が発生するため、光学デバイス７と駆動回路２との間で効率よく電力の授受を行うことができる。さらに、電圧出力の変化を緩やかにすることができるため、電磁ノイズの発生を抑制することができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、駆動回路２は、光学デバイス７に蓄えられた電力を回収する電力回収部３と、光学デバイス７を駆動させる電位を出力する主回路部４と、を備える。

これにより、光学デバイス７において蓄えられた電力を、駆動回路２の電力回収部３において回収することができるため、無効電力を抑制することができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、電力回収部３は、電荷を蓄えるコンデンサ１５、コンデンサ１５の一方の電極に接続され、かつ、光学デバイス７に第一電位を出力する第一スイッチング素子１１、及び、コンデンサ１５の当該一方の電極に接続され、かつ、光学デバイス７に第一電位より高い第二電位を出力する第二スイッチング素子１２を備え、主回路部４は、光学デバイス７に第三電位を出力する第三スイッチング素子１３、及び、光学デバイス７に第三電位より低い第四電位を出力する第四スイッチング素子１４を備え、駆動回路２は、電力回収部３と主回路部４とを接続し、かつ、光学デバイス７及びコンデンサ１５とともに共振回路を構成するインダクタ１８をさらに備える。

これにより、光学デバイス７、コンデンサ１５及びインダクタ１８によって共振回路を構成することができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、制御部５は、検出電圧の波形の立ち上がり時に、検出電圧が波形の上ピークに到達するタイミングである第一タイミングを検出し、かつ、制御部５は、第一タイミングに応じて第二スイッチング素子１２のオン時間を調整する。

これにより、第一タイミングと、各スイッチング素子の制御タイミングとに基づいて、検出電圧の波形の立ち上がり時における無効電力の発生量に対応する量を検出することができる。したがって、当該無効電力の発生量に対応する量をゼロに近づけるように第二スイッチング素子１２のオン時間を調整することによって、検出電圧の波形の立ち上がり時における無効電力を抑制することができる。また、これにより、電圧出力の変化を緩やかにすることができるため、電磁ノイズを抑制することができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、制御部５は、検出電圧の波形の立ち下がり時に、検出電圧が波形の下ピークに到達するタイミングである第二タイミングを検出し、かつ、第二タイミングに応じて第一スイッチング素子１１のオン時間を調整する。

これにより、第二タイミングと、各スイッチング素子の制御タイミングとに基づいて、検出電圧の波形の立ち下がり時における無効電力の発生量に対応する量を検出することができる。したがって、当該無効電力の発生量に対応する量をゼロに近づけるように第二スイッチング素子１２のオン時間を調整することによって、検出電圧の波形の立ち下がり時における無効電力を抑制することができる。また、これにより、電圧出力の変化を緩やかにすることができるため、電磁ノイズを抑制することができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、インダクタ１８は、検出電圧の立ち上がり又は立ち下り時における波形の周波数成分、及び、光学デバイス７の容量成分に基づいて定められたインダクタンス値を有する。

これにより、光学デバイス７への電圧出力を変化させる際に、光学デバイス７及び駆動回路２で構成される回路において、共振が発生するようにインダクタ１８のインダクタンスを定めることができる。

また、光学デバイス駆動装置１において、光学デバイス７は、液晶デバイスであってもよい。

また、光学デバイス駆動システム１０は、光学デバイス駆動装置１と光学デバイス７とを備える。

これにより、光学デバイス駆動装置１と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る光学デバイス駆動システムについて説明する。本実施の形態においては、上記実施の形態１に係る光学デバイス７を、建造物、車両などの窓に適用する例を示す。具体的には、一対のガラス板を備える複層ガラスの内部に光学デバイス７を配置することで、当該複層ガラスを窓として利用することができる。

図６は、本実施の形態に係る光学デバイス７を備える複層ガラス１００を示す断面図である。

本実施の形態に係る複層ガラス１００は、図６に示されるように、光学デバイス７と、一対のガラス板１１０及びガラス板１１１と、離間材１２０と、電極配線１３０及び電極配線１３１とを備える。また、一対のガラス板１１０及びガラス板１１１と離間材１２０とによって、内部空間１１２が形成されている。また、内部空間１１２には、例えば、乾燥空気又は不活性ガスが充填されている。

なお、不活性ガスは、他の物質に対する化学反応などの反応性の低いガスである。例えば、不活性ガスは、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）若しくはクリプトン（Ｋｒ）などの希ガス、又は、窒素（Ｎ_２）などである。なお、内部空間１１２は、大気圧より減圧されていてもよく、又は、大気圧に保たれていてもよい。

光学デバイス７は、内部空間１１２に配置されている。なお、内部空間１１２には、さらに、例えば、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などの発光デバイスなどが配置されてもよい。これにより、複層ガラス１００を、例えば照明、情報表示などの用途に利用可能な窓として利用することができる。

以下では、複層ガラス１００が備える構成要素の各々について、詳細に説明する。

ガラス板１１０及びガラス板１１１は、透光性を有し、可視光の少なくとも一部を透過させる。ガラス板１１０及びガラス板１１１は、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラスなどから形成される透明な平板である。ガラス板１１０及びガラス板１１１は、図６に示されるように、互いに対面して配置されている。具体的には、ガラス板１１０及びガラス板１１１は、互いの距離（内部空間１１２の厚さ）が略一定になるように、すなわち、平行に配置されている。ガラス板１１０とガラス板１１１との間の距離は、例えば１２ｍｍである。

また、ガラス板１１０及びガラス板１１１は、略同じ形状及び略同じ大きさを有し、平面視において互いに重なるように配置されている。なお、平面視とは、ガラス板１１０及びガラス板１１１の主面（面積が最大の面）を正面から見た場合を意味する。

離間材１２０は、一対のガラス板１１０及びガラス板１１１の周に沿って配置され、ガラス板１１０とガラス板１１１とを離間させる。具体的には、離間材１２０は、ガラス板１１０とガラス板１１１との間に配置されている。例えば、離間材１２０は、ガラス板１１０の周に沿った略矩形の枠体である。

離間材１２０は、例えば、スペーサと、接着剤とを備える。

スペーサは、ガラス板１１０とガラス板１１１との間を一定距離に保つ部材である。スペーサは、例えば、アルミニウム製の中空部材と、当該中空部材の内部に充填された粒状物質とを備える。中空部材は、例えば、略角筒状の枠体である。粒状物質としては、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの乾燥剤を用いることができる。これにより、内部空間１１２に水分が浸入するのを抑制することができる。

接着剤は、ガラス板１１０及びガラス板１１１の各々にスペーサを接着する。接着剤は、間に隙間が形成されないようにスペーサとガラス板１１０及びガラス板１１１とを接着する。例えば、接着剤は、スペーサを挟むようにガラス板１１０及びガラス板１１１を配置した後、スペーサとガラス板１１０及びガラス板１１１の各々との間に接着材料を注入し、硬化することで形成される。

接着剤としては、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、又は、シリコーン樹脂などの光硬化性、熱硬化性又は二液硬化性の接着性樹脂を用いることができる。あるいは、接着剤としては、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性の接着性樹脂などを用いてもよい。

なお、離間材１２０は、粒状のスペーサを含有する接着剤でもよい。

電極配線１３０及び電極配線１３１は、光学デバイス７に電力を供給するための配線である。具体的には、電極配線１３０は、第一電極２０に電力を供給するための配線である。電極配線１３１は、第二電極２１に電力を供給するための配線である。例えば、電極配線１３０及び電極配線１３１は、それぞれ、光学デバイス駆動装置１及びアースに接続されて、周期的に変化する電圧を第一電極２０及び第二電極２１間に供給する。

電極配線１３０及び電極配線１３１は、例えば、図６に示されるように、離間材１２０を貫通するように設けられている。なお、同図では、電極配線１３０及び電極配線１３１は、離間材１２０の中央部分を貫通しているが、これに限らない。例えば、電極配線１３０及び電極配線１３１は、例えば、ガラス板１１０に沿って設けられ、離間材１２０とガラス板１１０との間を貫通してもよい。電極配線１３０及び電極配線１３１は、例えば、銀などの金属パターン、又は、リード線などである。

以上のように、本実施の形態に係る光学デバイス７を窓に利用することで、様々な利点が得られる。

例えば、光学デバイス７が光透過（透明）状態である場合、屋内の人物（住人など）は、屋外の様子、天気などの確認、及び、景観の鑑賞を行うことができる。このように、光学デバイス７は、いわゆる「窓」としての機能を実現することができる。

また、光学デバイス７が光散乱状態である場合、散乱の程度を調整することで調光を行うことができる。また、屋外から屋内を視認することができなくなるので、屋内に居る人のプライバシーを保護することができる。

（その他変形例等）
以上、本発明に係る光学デバイス駆動装置及び光学デバイス駆動システムについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。

例えば、上記実施の形態において、光学デバイス駆動装置１が駆動させる光学デバイス７として液晶デバイスを例示したが、光学デバイス７は、液晶デバイスに限定されない。容量成分を有する光学デバイスであればよい。例えば、光学デバイス７は、エレクトロクロミック材料を含むデバイスであってもよい。

また、上記実施の形態では、検出部６が電圧を検出する例を示したが、検出部６は、電流を検出してもよい。また、検出部６は、検出した電圧値を変換して制御部５に出力する構成を例示したが、検出部６は電圧値を必ずしも変換しなくてもよい。制御部５が検出部６から入力された検出電圧に基づいて、当該検出電圧の波形の上ピーク及び下ピークに到達するタイミングを検出できればよい。

なお、その他、上記の実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、又は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上記の実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。

１ 光学デバイス駆動装置
２ 駆動回路
３ 電力回収部
４ 主回路部
５ 制御部
６ 検出部
７ 光学デバイス
１０ 光学デバイス駆動システム
１１ 第一スイッチング素子
１２ 第二スイッチング素子
１３ 第三スイッチング素子
１４ 第四スイッチング素子
１５ コンデンサ
１８ インダクタ
１００ 複層ガラス

Claims (10)

1. 光学デバイスに電圧を出力することによって駆動させる駆動回路と、
   前記光学デバイスから出力された電流又は電圧を検出し、検出電圧として出力する検出部と、
   前記検出部から出力された前記検出電圧に応じて、前記駆動回路の電圧出力を制御する制御部と、を備える
   光学デバイス駆動装置。
2. 前記制御部は、前記駆動回路の電圧出力を変化させる期間において、前記検出電圧が、前記光学デバイス及び前記駆動回路で構成される回路の共振波形を形成するように前記駆動回路の電圧出力の出力タイミングを調整する
   請求項１に記載の光学デバイス駆動装置。
3. 前記駆動回路は、
   前記光学デバイスに蓄えられた電力を回収する電力回収部と、
   前記光学デバイスを駆動させる電位を出力する主回路部と、を備える
   請求項１又は２に記載の光学デバイス駆動装置。
4. 前記電力回収部は、電荷を蓄えるコンデンサ、前記コンデンサの一方の電極に接続され、かつ、前記光学デバイスに第一電位を出力する第一スイッチング素子、及び、前記コンデンサの前記一方の電極に接続され、かつ、前記光学デバイスに前記第一電位より高い第二電位を出力する第二スイッチング素子を備え、
   前記主回路部は、前記光学デバイスに第三電位を出力する第三スイッチング素子、及び、前記光学デバイスに前記第三電位より低い第四電位を出力する第四スイッチング素子を備え、
   前記駆動回路は、前記電力回収部と前記主回路部との間に接続され、かつ、前記光学デバイス及び前記コンデンサとともに共振回路を構成するインダクタをさらに備える
   請求項３に記載の光学デバイス駆動装置。
5. 前記制御部は、前記検出電圧の波形の立ち上がり時に、前記検出電圧が前記波形の上ピークに到達するタイミングである第一タイミングを検出し、かつ、前記第一タイミングに応じて前記第二スイッチング素子のオン時間を調整する
   請求項４に記載の光学デバイス駆動装置。
6. 前記制御部は、前記検出電圧の波形の立ち下がり時に、前記検出電圧が前記波形の下ピークに到達するタイミングである第二タイミングを検出し、かつ、前記第二タイミングに応じて前記第一スイッチング素子のオン時間を調整する
   請求項４に記載の光学デバイス駆動装置。
7. 前記インダクタは、前記検出電圧の立ち上がり又は立ち下り時における波形の周波数成分、及び、前記光学デバイスの容量成分に基づいて定められたインダクタンス値を有する
   請求項４に記載の光学デバイス駆動装置。
8. 前記光学デバイスは、液晶デバイスである
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学デバイス駆動装置。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の光学デバイス駆動装置と、
   前記光学デバイスと、を備える
   光学デバイス駆動システム。
10. 前記光学デバイスは、複層ガラスの内部に配置される
    請求項９に記載の光学デバイス駆動システム。

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