JP2016212151A - 光変調器の駆動電圧設定方法及び駆動電圧を設定した光変調器 - Google Patents
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Abstract
Description
Vup=Vb+ΔV (7)
Vdn=Vb−ΔV (8)
となる。ここで、Vbがバイアス電圧、ΔVが変調振幅電圧を示す。
前記バイアス電圧を一定値変動させ、前記光電力の損失差を求めるステップを繰り返して前記損失差が最小になるバイアス電圧の値を導出することを特徴とする。
図4は、本発明の1実施形態にかかるIQ光変調器の構成を示す上面図である。図4のIQ光変調器400は、InP系化合物半導体からなる光導波路を用いたIQ光変調器であり、2つの子MZIをアーム導波路として有する親MZIとして構成される。具体的には、IQ光変調器400は、入力導波路401と、入力導波路401に入力が接続された1×2MMI402と、1×2MMI402の出力にそれぞれ光導波路403及び404を介して接続された子MZI410及び420とを備える。また、IQ光変調器400は、子MZI410及び420のそれぞれの出力に光導波路405及び406を介して入力が接続された2×2MMI407と、2×2MMI407の出力に接続された出力導波路408および409とを備える。2つの子MZIは、一方がIチャネル用MZI410であり、他方がQチャネル用MZI420である。
図5は、図1のIQ光変調器400のA−A´部分における光導波路の断面図を示す。光導波路のA−A´部分は、位相変調電極による電界印加領域である。IQ光変調器400は、反絶縁性(SI)−InP基板501上に、n型InP下部クラッド層502、ノンドープInPクラッド層503、多重量子井戸層(MQWコア層)504、ノンドープInPクラッド層505、p型InAlAs層506、n型InP上部クラッド層507を積層したものである。導波構造は、コアの両脇をエッチングにより除去したハイメサ構造であり、ハイメサ構造の表面には保護膜としてのSiO2膜511を堆積している。さらに、SiO2膜511を覆うように、BCB512が形成され、ハイメサ構造の保護および表面の平坦化を行っている。光導波層となるMQWコア層504へ電界を印加するため、SiO2膜511およびBCB512はハイメサの上部の一部が除去されている。また、n−InPクラッド層502の上部には接地電極509及び510が設けられている。
次に、InP系化合物半導体からなるIQ光変調器の動作原理を説明する。入力導波路401から入射した光信号は、1×2MMI402により2分岐される。分岐された一方の光信号は導波路403を介してIチャネル用MZI410に入射され、MMI411により分岐される。分岐された他方の光信号は導波路404を介してQチャネル用MZI420に入射され、MMI421により分岐される。MMI411により2分岐された光信号は、アーム導波路412及び413に入射される。MMI421により2分岐された光信号は、アーム導波路422及び423に入射される。
本発明の目的である、変調振幅電圧の振幅の変動に対して光電力の損失変動を小さくするIQ光変調器の駆動電圧設定法について説明する。MZIの光電力Ioutは、式(20)の通り近似的に記述できる。式(20)は、第一項のSinの項と、第二項のバイアス電圧に伴った光電力の損失に関する項がある。光電力Ioutは、変調振幅電圧を固定して損失が最小となるようにバイアス電圧を決定したとしても、光電力の損失を最小とすることができない。
図8は、本発明の1実施例における、変調振幅電圧(ΔV)の振幅を基準値から一定範囲だけ変化させた場合の光電力の損失差のバイアス電圧(Vb)依存性を示す図である。図9は、図8において損失差が最小のときのバイアス電圧(Vb)における変調振幅電圧(ΔV)の光電力(Iout)依存性を示す図である。
(保護膜の限定)
本実施形態において、例えば図5のように、半導体に密着する保護膜としてSiO2膜511を用いた。ただし、本実施形態においては、SiO2膜に限らず、SiN膜やSiON膜といった他の絶縁膜であっても、水分の浸入を防ぐといったバリア性の向上が期待できれば保護膜として使用可能である。また、保護幕の膜厚が1μm以下であれば導波路層へ加える応力はわずかである。その場合は、ハイメサ構造内部にかかる応力はBCB512からの応力が主となるが、図5のように導波路上面のBCB512を除去すると、応力緩和の効果が得られる。また、保護膜を、SiO2膜ではなく光導波路と同種の材料である反絶縁性のInP膜を側面に再成長させたものを用いても、このInP保護膜による応力はわずかであるため同様な効果が期待できる。
本実施形態の非電界印加領域の光導波層より上部の半導体層には、p型InAlAs層506およびn型InPクラッド層507を含む。これらの層に導波光のモードフィールドが分布すると、光吸収となり損失増加要因となる。そこで、これらのn型もしくはp型ドープされた半導体層を除去し、SI型InP層を導波層の上部に再成長を行うことにより低損失な光導波路が可能となる。本実施形態においても、電界印加領域以外は前述のSI型InP層を上部クラッドに用いてもよい。
本実施例では、例えば図5のようにn−p−i―n構造を有するIQ光変調器400において効果を確認した。しかし、これに限らずたとえば、非特許文献4に示されるようなp−i−n構造を有する光変調器であっても、ハイメサ構造を覆う有機系材料の熱膨張係数がハイメサ構造を構成する半導体に比べ十分大きい場合には、同様な効果得られることを付記する。また、その際、P型の上部クラッド層を除去し、ノンドープInP層を導波層の上部に再成長を行うことにより低損失な光導波路が可能となる。そこで、電界印加領域以外は前述のノンドープInP層を上部クラッドに用いたものでもよい。
IQ光変調器において、実際には位相変調電極に印加される変調振幅電圧は時間的に高速に変動する。その際、高速変調時の損失は平均化され、本実施形態における損失とは異なる値となる。しかし、それらは比例関係にあるため、同様な探索方法で最適電圧を見つけることができる。
101、103、104、105、106、108、109、401、403、404、405、406、408、409 導波路
102、111、121、402、411、421 1×2MMI
107、407 2×2MMI
110、410 Iチャネル用MZI
112、113、121、123、412、413、421、423 アーム導波路
114、124、414、424 2×1MMI
115、116、125、126、415、416、425、426 位相変調電極
117、118、127、128、417、418、427、428 位相調整電極
120、420 Qチャネル用MZI
131、132、431、432 π/2位相調整電極
501、601 SI−InP基板
502、602 n−InPクラッド層
503、505、603、605 ノンドープInPクラッド層
504、604 多重量子井戸層
506、606 p型InAlAs層
507、607 n型InPクラッド層
508 変調電極
509、510 設置電極
511、611 SiO2膜
512、612 BCB
Claims (6)
- 基板上の半導体をコアにもつ2本のアーム導波路と、
前記2本のアーム導波路のそれぞれの上面に形成された位相変調電極であって、それぞれには、同じ値のバイアス電圧と、互いに逆相となる交流成分とを持つ変調振幅電圧とが合成された変調電圧が印加される位相変調電極と
を備える光変調器における駆動電圧設定方法であって、
前記変調振幅電圧の振幅を基準の値に設定するステップと、
前記基準の値に所望の値を増加させた値及び減少させた値における光電力の損失差を求めるステップと、
前記バイアス電圧を変動させながらさらに前記損失差を求め、前記損失差が最小になるバイアス電圧の値を導出するステップと、
前記位相変調電極に印加する前記バイアス電圧を、前記損失差が最小になるバイアス電圧の値に設定するステップと
を備えることを特徴とする光変調器の駆動電圧設定方法。 - 前記変調振幅電圧の振幅を前記基準の値に設定するステップは、
前記基準の値における光電力の損失が最小となるように、前記バイアス電圧を仮決めするステップを備え、
前記光電力の損失差を求めるステップは、
前記仮決めしたバイアス電圧において、前記基準の値を所望の値だけ増加させて光電力の損失を算出するステップと、
前記仮決めしたバイアス電圧において、前記基準の値から所望の値だけ減少させて光電力の損失を算出するステップと、
前記基準の値を所望の値だけ増加させて算出した光電力の損失と、前記基準の値から所望の値だけ減少させて算出した光電力の損失との差の絶対値を求めて前記光電力の損失差とするステップと
を備え、
前記損失差が最小になるバイアス電圧の値を導出するステップは、前記バイアス電圧を一定値変動させ、前記光電力の損失差を求めるステップを繰り返すことを含むことを特徴とする請求項1に記載の光変調器の駆動電圧設定方法。 - 前記光変調器は、前記2本のアーム導波路のそれぞれの上面に形成された位相調整電極であって、電圧無印加時に損失が最小となるように、いずれか一方に直流電圧が印加される位相調整電極をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の光変調器の駆動電圧設定方法。
- 基板上の半導体をコアにもつ2本のアーム導波路と、
前記2本のアーム導波路のそれぞれの上面に形成された位相変調電極であって、それぞれには、同じ値のバイアス電圧と、互いに逆相となる交流成分とを持つ変調振幅電圧とが合成された変調電圧が印加される位相変調電極と
を備え、前記バイアス電圧は、前記変調振幅電圧の振幅の基準の値に所望の値を増加させた値と減少させた値とにおける光電力の損失差が最小になるように設定されていることを特徴とする光変調器。 - 前記基準の値における損失が最小となるように、前記バイアス電圧を仮決めして前記基準の値を求め、
前記仮決めしたバイアス電圧において、前記基準の値を所望の値だけ増加させて光電力の損失を算出し、前記仮決めしたバイアス電圧において、前記基準の値から所望の値だけ減少させて光電力の損失を算出し、前記基準の値を所望の値だけ増加させて算出した光電力の損失と、前記基準の値から所望の値だけ減少させて算出した光電力の損失との差の絶対値を求めて損失差とし、
前記バイアス電圧を一定値変動させ、前記光電力の損失差を求めるステップを繰り返して前記損失差が最小になるバイアス電圧の値を導出する
ことを特徴とする請求項4に記載の光変調器。 - 前記2本のアーム導波路のそれぞれの上面に形成された位相調整電極であって、電圧無印加時に損失が最小となるように、いずれか一方に直流電圧が印加される位相調整電極をさらに備えることを特徴とする請求項4又は5に記載の光変調器。
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