JP2016212076A - 硬x線光電子分光装置 - Google Patents
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】硬X線光電子分光装置はX線源アナライザー試料マニピュレーター分析チャンバー及び真空排気系を備え、3次元空間において板状にされた試料が試料マニュピレーターによってZ軸の周りに回転自在に配置され、X線源は、ターゲットにおいて発生されたX線を回折反射させて単色化し特性X線だけを取り出す。ターゲットおよび試料とともにローランド円上に配置され前記ローランド円は試料表面と直交する配置をとり、試料は反射面によって回析反射したX線が試料の表面上で焦点位置に置かれるようにされ、かつ該試料表面に斜入射してその結果前記X線のスポットがY軸にほぼ平行に細長く線状に伸び前記アナライザーの入り口に設けられたスリットの開口が前記試料表面上X線スポットの細長く伸びた方向に平行にされる。
【選択図】図6
Description
物質にエネルギーの高い光を照射すると電子が放出される。この現象は「光電子放出」と呼ばれ、アインシュタインが光の粒子性によってそのメカニズムを説明してノーベル賞を受賞している。図1に、固体中の電子のエネルギー状態を模式的に示す。簡潔のために、原子が横に2個結合しているように描かれている。図1において符号Anで示した丸は、固体中の原子核(正電荷を持つ)を表す。図1の縦軸はエネルギーを表す。各原子核は正電荷を持つので、負電荷をもつ電子を束縛する。いわば太陽の周りに惑星が回っているように電子がとらわれて、原子核の周りを、半径の異なる軌道で回っていると考えることができる。半径の小さな軌道の電子は原子核に強く束縛されていて、したがってエネルギー的には深い位置にある。
前記X線源(3)は、
電子を加速して収束する電子銃(3b)と、該収束電子銃(3b)によって加速され収束された電子が照射され、X線を発生するためのターゲット(7)と、
前記ターゲット(7)において発生されたX線を回折反射させて単色化し、特性X線だけを取り出すために、X−Y平面内ではX線回折のブラッグ(Bragg)条件を満足すると同時に、試料(5)上への集光収差を最小にするために、ターゲット(7)の電子線照射位置−分光結晶(9)の中心−試料(5)の中心がローランド円(後述する図9参照)上に配置された分光結晶アセンブリー(9)において、前記X線源(3)から試料(5)へのX線入射方向をY軸にとり、該分光結晶(9)がX−Y平面内ではロ−ランド円の2倍の半径を持つ円、望ましくは上記タ−ゲット(7)上の電子線照射位置と試料(5)の中心が分光結晶(9)の中心において、上記ローランド円(後述する図9参照)と接する楕円の2つの焦点の各々の上に位置し、Z軸方向には上記タ−ゲット(7)上の電子線照射位置と試料(5)の中心を結ぶ直線の周りに上記ロ−ランド円(後述する図9参照)に接する上記円もしくは楕円を回転して得られるトロイダル面を持った分光結晶アセンブリー(9)と、
これらを取り付けるための真空槽(14)を含み、
前記X線源(3)の回折反射による単色化のために使われる分光結晶アセンブリー(9)は、分光されたX線束が最小収差で試料(5)の表面上に集光するための条件を満たすため、前記ターゲット(7)および前記試料(5)とともにローランド円(後述する図9参照)上に配置され、
前記ローランド円(後述する図9参照)は試料(5)の表面と直交する配置をとり、
前記試料(5)は、前記反射面によって回析反射したX線が前記試料(5)の表面上で焦点を結ぶように置かれるようにされ、かつほぼX軸に垂直に、したがってY軸にほぼ平行におかれた該試料(5)の表面にY軸方向から斜入射して、その結果前記X線のスポットが試料(5)の表面上で(斜入射角だけずれて)ほぼY軸に平行に細長く線状に伸び、
前記アナライザー(6)の光軸をX軸に平行に、かつ入り口に設けられたスリット(6S)の開口が、前記X線の細長く伸びた方向に平行に配置される
ことを特徴とするものである。
そして、図6を参照すると、X線源(3)、アナライザー(6)、試料マニピュレーター(2)、分析チャンバー(14)及び真空排気系を備え、XYZ直交座標軸系により定義される3次元空間において、板状にされた試料(1)が前記試料マニピュレーター(2)によってZ軸の周りに回転自在に配置されている。本発明においてX線源とはタ−ゲット(7)、電子銃(3b)、分光結晶(9)および真空槽(14)を含む概念である。
前記X線源(3)は、
真空容器(3a)に収められた、電子を加速して収束する電子銃(3b)と、該収束電子銃(3b)によって加速され収束された電子ビーム(101)が照射され、同じく真空容器(7a)に収められたX線を発生するめのタ−ゲット(7)と、
前記ターゲット(7)において発生されたX線束(103)を回折反射させて単色化し、特性X線束(105)だけを取り出すためにX−Y面内にはターゲット(7)の中心と試料(5)の中心を焦点とする楕円、Z軸方向にはターゲット(7)の中心と試料(5)の中心を結ぶ線の周りに回転させた球面になるように形成されたトロイダル表面を持った分光結晶アセンブリー(9)と、
これらを取り付けるための真空容器(10)を含み、
前記アナライザー(6)は
その光学軸(11)がX線の入射方向に直角(すなわち図6においてはX軸方向)に配置され、前記試料(5)は、前記分光結晶アセンブリー(9)の表面によって回析反射したX線束(105)が真空隔壁を兼ねたX線窓(13)を通して、X線の焦点位置に置かれた前記試料(5)の表面に数度の角度で斜入射して、その結果、前記X線の照射領域は試料(5)表面上でX軸に平行に細長く線状に伸びて、光電子発生領域となり、アナライザー(6)の入力部の電子レンズ(8)で拡大されて、前記アナライザー(6)の入り口に設けられたスリット(6S)の開口(107)の位置に細長い像を結び、上記アナライザー(6)のスリット(6S)の開口(107)はその位置に投影された上記細長い光電子像に平行に配置されていて、このスリット(6S)を通過した光電子が、アナライザー(6)の半球電極部(10)でエネルギー分析されて、光電子検出部に達して検出されることを特徴としている。
また、光電子信号強度の試料表面からの脱出角依存性から深さ方向分析を行うことが可能であるが、この手法を適用する場合には最適配置、すなわちX線の入射方向をY軸に、アナライザー(6)の光軸をX方向に固定し、アナライザー(6)の入り口スリット(6S)の開口がY軸方向に平行になるように配置し、試料をY軸から数度程度の角度で配置してX線が試料(5)の表面に斜入射するようにし、さらにZ軸に垂直で、試料(5)の表面に平行なY´軸を付け加え、アナライザー(6)の光軸に対して、試料(5)上でY軸に平行に伸びたX線照射領域の形状をほとんど変化させないで試料(5)をこのY´軸の周りに回転させ、アナライザー(6)の光電子捕集率の試料回転による低下を防いで、脱出角依存性の測定が可能となる。
しかし、本発明の第一の態様に係る硬X線光電子分光装置によれば、X線源と分析チャンバーとを分離された構成となっているため、これらの問題点がすべて解決される。硬X線光電子分光法は光イオン化断面積が従来の光電子分光法に比べて小さくなるため、実用的には光電子も捕捉効率をできるだけ高めることが必須である。本発明の第一の態様に係る硬X線光電子分光装置においては、X線源と分析チャンバーの真空の分離とともに、光電子補足効率の最大化を同時に満足させることが出来る。
図6は本発明の実施形態1に係る光電子分光装置の構成を示す説明図であり、図7は本実施形態に係る単色化X線源の原理と試料との位置関係を説明する説明図である。図6及び図7を参照すると、X線は電子線(101)を加速させてターゲット(7)に照射して発生させる。たとえばCrのターゲット(以下、単にCrターゲットという)の場合には典型的には20−30keVに加速した電子を100ミクロン程度に収束させて照射する。するとCrターゲットからは5.4keVにピークを持つCrKα線と、Kβ線などのそれよりは強度の弱い幾本かのエネルギーの異なる輝線発光、および電子がターゲット(7)にぶつかるときに減速する過程で放射される連続スペクトルを持った制動輻射X線とが重なったX線束(制動輻射X線などを含む単色化前のX線束)(103)が発生する。
上記の空間配置に対する条件を満足させる、別の実施形態を次に説明する。
上記の空間配置に対する条件を満足させる、さらに別の実施形態を次に説明する。実施形態1ではX線強度を大きくとるために、分光結晶の受け入れ角を大きくとる構造を採用しているが、それには空間的な制限がある。さらにX線強度を大きくするためには、ターゲットを励起する電子銃(3b)の出力を高くすることが考えられる。ところが、電子線のエネルギーの大部分はターゲット(7)の膜内で熱になるので、ターゲット(7)の冷却能力を超えて電子線の出力を上げるとターゲット(7)の膜を損傷してしまう。電子線のターゲット(7)上でのスポット(フットプリント(FP))サイズを大きくすると、発生した熱の密度は低減するのでターゲット(7)の損傷を防げるが、電子線のターゲット(7)上でのスポットサイズは、そのまま試料(5)上でのX線スポット(フットプリント(FP))のサイズとなるので光電子スペクトルのエネルギー分解能と空間分解能を劣化させる。また、試料上でのスポット(フットプリント(FP))サイズが大きくなると、アナライザー(6)の電子レンズ(8)によって拡大されてアナライザー(6)の入口スリット(6S)に投影される光電子像が、スリット(6S)の開口よりも大きくなってしまい、その結果、アナライザー(6)により検出される光電子信号強度が低下する。
3・・・・・・・・X線源
3a・・・・・・・真空容器
3b・・・・・・・電子銃(X線源の一要素)
5・・・・・・・・試料
6・・・・・・・・アナライザー
6S・・・・・・・スリット
7・・・・・・・・ターゲット(X線源の一要素)
7a・・・・・・・Cr薄膜からなる筒状体
7b・・・・・・・水路
8・・・・・・・・アナライザーの電子レンズ
9,9a,9b・・分光結晶アセンブリー(X線源の一要素)
10・・・・・・・半球分析器
11・・・・・・・アナライザーのX軸
12・・・・・・・隔壁
13・・・・・・・X線窓
14・・・・・・・分析チャンバー(真空槽)
14a・・・・・・分析チャンバー部
20・・・・・・・構造体
101・・・・・・電子ビーム
103・・・・・・単色化前のX線束(制動輻射X線などを含む)
105・・・・・・試料に侵入するX線
C・・・・・・・・ローランド円
FP・・・・・・・フットプリント
Claims (13)
- X線源、アナライザー、試料マニピュレーター、分析チャンバー及び真空排気系を備え、
XYZ座標軸系により定義される3次元空間において、板状にされた試料が前記試料マニュピレーターによってX軸の周りに回転自在に配置され、
前記X線源は、
電子を加速して収束する電子銃と、該電子銃によって加速され収束された電子が照射され、X線を発生するめのターゲットと、
前記ターゲットにおいて発生されたX線を回折反射させて単色化し、特性X線だけを取り出すために、X−Y平面内ではX線回折のブラッグ(Bragg)条件を満足すると同時に、試料上への集光収差を最小にするために、ターゲットの電子線照射位置−分光結晶の中心−試料中心がローランド円上に配置された分光結晶アセンブリーにおいて、望ましくは上記ターゲット上の電子線照射位置と試料中心が分光結晶の中心において、上記ローランド円と接する楕円の2つの焦点の各々の上に位置し、Z軸方向には上記ターゲット上の電子線照射位置と試料中心を結ぶ直線の周りに上記ローランド円に接する上記楕円を回転して得られるトロイダル面を持った分光結晶アセンブリーと、
これらを取り付けるための真空容器を含み、
前記X線源の回折反射による単色化のために使われる分光結晶アセンブリーは、分光されたX線束が最小収差で試料表面上に集光するための条件を満たすため、前記ターゲットおよび前記試料とともにローランド円上に配置され、
前記ローランド円は試料表面と直交する配置をとり、
前記アナライザーの軸はX線の入射方向に直角あるいはその周り±15度の範囲内に配置され、
前記試料は、前記反射面によって回析反射したX線が前記試料の表面上で焦点位置に置かれるようにされ、かつ該試料表面に斜入射して、その結果前記X線のスポットがX軸に平行に細長く線状に伸び、
前記アナライザーの入り口に設けられたスリットの開口が、前記X線の細長く伸びた方向に平行にされてなる
ことを特徴とする硬X線光電子分光装置。 - 前記ターゲットは、Crターゲットであることを特徴とする請求項1に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記分光結晶アセンブリーがLiF又はNaClのイオン結晶、Ge、Si又はGaASの半導体から成る群から選択される1種の結晶からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記分光結晶アセンブリーの反射面は、Ge422反射面またはLi222反射面であることを特徴とする請求項1に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記電子銃において電子が20−50keVに加速され、100μm或いはそれ以下に収束されることを特徴とする請求項1に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記分析チャンバーと前記X線源が一体化され、分析チャンバー部とX線源が同一の構造体に配され、当該分析チャンバー部と当該X線源の真空が隔壁によって仕切られ、該隔壁に設けられたX線窓を通してX線が分析チャンバーに導かれるように構成されてなることを特徴とする請求項1乃至5に記載の硬X線光電子分光装置。
- X線源、アナライザー、試料マニピュレーター、分析チャンバー及び真空排気系を備え、
XYZ直交座標軸系により定義される3次元空間において、板状にされた試料が前記試料マニュピレーターによってZ軸の周りに回転自在に配置され、
前記X線源は、
電子を加速して収束する電子銃と、該電子銃によって加速され収束された電子が照射され、X線を発生するめのターゲットと、
前記ターゲットにおいて発生されたX線を回折反射させて単色化し、特性X線だけを取り出すために、X−Y平面内ではX線回折のブラッグ(Bragg)条件を満足すると同時に、試料上への集光収差を最小にするために、ターゲットの電子線照射位置−分光結晶の中心−試料中心がローランド円上に配置された分光結晶アセンブリーにおいて、該分光結晶がX−Y平面内ではローランド円の2倍の半径を持つ円、望ましくは上記ターゲット上の電子線照射位置と試料中心が分光結晶の中心において、上記ローランド円と接する楕円の2つの焦点の各々の上に位置し、Z軸方向には上記タ−ゲット上の電子線照射位置と試料中心を結ぶ直線の周りに上記ローランド円に接する上記円もしくは楕円を回転して得られるトロイダル面を持った分光結晶アセンブリーと、
これらを取り付けるための真空容器を含み、
前記X線源の回折反射による単色化のために使われる分光結晶アセンブリーは、分光されたX線束が最小収差で試料表面上に集光するための条件を満たすため、前記ターゲットおよび前記試料とともにローランド円上に配置され、
前記ローランド円は試料表面と直交する配置をとり、
前記アナライザーの光軸はX線の入射方向(Y軸方向)に直角(X軸方向)、あるいは、その周りに、X−Y平面内では±36度、X−Z平面内でX軸に方向から±49度程度、の範囲に配置し、
前記試料は、前記反射面によって回析反射したX線が前記試料の表面上で焦点位置に置かれるようにされ、かつ該試料表面に斜入射して、その結果前記X線のスポットがY軸にほぼ平行に(X軸にほぼ垂直に)細長く線状に伸び、
前記アナライザーの入り口に設けられたスリットの開口が、前記試料表面上X線スポットの細長く伸びた方向に平行にされてなる
ことを特徴とする硬X線光電子分光装置。 - 前記ターゲットは、Crターゲットであることを特徴とする請求項7に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記分光結晶アセンブリーがLiF又はNaClのイオン結晶、Ge、Si又はGaAsの半導体から成る群から選択される1種の結晶からなることを特徴とする請求項7又は8に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記分光結晶アセンブリーの反射面は、Ge422反射面またはLi222反射面であることを特徴とする請求項7に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記電子銃において電子が20−50keVに加速され、100μmあるいはそれ以下に収束されることを特徴とする請求項7に記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記分析チャンバーと前記X線源が一体化され、分析チャンバー部とX線源部が同一の構造体に配され、当該分析チャンバー部と当該X線源部の真空が隔壁によって仕切られ、該隔壁に設けられたX線窓を通してX線が分析チャンバーに導かれるように構成されてなることを特徴とする請求項7乃至11のいずれかに記載の硬X線光電子分光装置。
- 前記X線源において、前記電子銃によって照射するタッゲットは高速回転する水冷対陰極で、発生したX線をターゲット表面から高い角度でとりだしても光源サイズを小さく保てることを特徴とする請求項11に記載の硬X線光電子分光装置。
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