JP2016205717A - Heating dryer - Google Patents

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JP2016205717A
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健史 濱川
Kenji Hamakawa
健史 濱川
奥田　大輔
Daisuke Okuda
大輔 奥田
貫志 岡本
Kanji Okamoto
貫志 岡本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating dryer capable of preventing sublimate adhering to the inner wall of a chamber from being mixed into a coating film, and also suppressing the frequency of cleaning work of the chamber.SOLUTION: A heating dryer includes a chamber storing a substrate, a heater configured to a coating film formed on a substrate, and an exhaust unit configured to exhaust the chamber; and while exhaust the chamber, heats the coating film on the substrate installed in the chamber to dry the film. On an opposite wall opposite to the installed substrate, a porous part forming an air layer on the surface of the wall is provided in a region opposite to at least the whole surface of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、チャンバ内に載置された基板を加熱させることにより、基板上に形成された塗布膜を乾燥させる加熱乾燥装置に関するものである。   The present invention relates to a heating / drying apparatus for drying a coating film formed on a substrate by heating the substrate placed in a chamber.

液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成された後、加熱乾燥装置により塗布膜が乾燥されることにより生産される。   A flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display uses a substrate coated with a resist solution (referred to as a coated substrate). This coated substrate is produced by forming a coating film by uniformly applying a resist solution on the substrate by a coating apparatus and then drying the coating film by a heat drying apparatus.

加熱乾燥装置は、例えば図４に示すように、基板Ｗを収容するチャンバ部１００と、基板Ｗを加熱するヒータ部１０１と、チャンバ部１００内を排気する排気部１０２とを有しており、チャンバ部１００内を排気しつつ、基板Ｗをチャンバ部１００内に一定時間保持することにより基板Ｗ上に形成された塗布膜Ｃを加熱し乾燥させる。すなわち、ヒータ部１０１により塗布膜Ｃが加熱されると塗布膜Ｃの溶媒が蒸発し、蒸発した溶媒は排気部１０２から排気される。この状態で一定時間維持することにより、塗布膜Ｃから溶媒が除去され、塗布膜Ｃを乾燥させることができる（例えば下記特許文献１参照）。   For example, as illustrated in FIG. 4, the heating and drying apparatus includes a chamber unit 100 that houses the substrate W, a heater unit 101 that heats the substrate W, and an exhaust unit 102 that exhausts the inside of the chamber unit 100. While the chamber 100 is evacuated, the coating film C formed on the substrate W is heated and dried by holding the substrate W in the chamber 100 for a certain period of time. That is, when the coating film C is heated by the heater unit 101, the solvent of the coating film C evaporates, and the evaporated solvent is exhausted from the exhaust unit 102. By maintaining in this state for a certain time, the solvent is removed from the coating film C, and the coating film C can be dried (see, for example, Patent Document 1 below).

特開２００５−０６１６４５号公報JP 2005-061645 A

しかし、上記の加熱乾燥装置では、基板Ｗ上の塗布膜Ｃに異物が混入する虞があった。すなわち、塗布膜Ｃを加熱させるとチャンバ部１００内には蒸発した溶媒の他、塗布膜Ｃを構成する樹脂の繊維等（これらを昇華物等という）が浮遊しており、この昇華物等がチャンバ部１００の内壁に付着する。付着した昇華物等は、チャンバ部１００のメンテナンス時に洗浄作業により除去されるが、洗浄作業が行われる前に、チャンバ部１００の開閉機構を動作させた時等に落下する虞があり、仮に固化した昇華物等が落下した場合には、この昇華物等が塗布膜Ｃに異物として混入してしまうという問題があった。   However, in the above-described heating and drying apparatus, there is a possibility that foreign matters are mixed into the coating film C on the substrate W. That is, when the coating film C is heated, not only the evaporated solvent but also the resin fibers constituting the coating film C (which are referred to as sublimates) are floating in the chamber portion 100. It adheres to the inner wall of the chamber part 100. The attached sublimated materials are removed by a cleaning operation during the maintenance of the chamber unit 100. However, before the cleaning operation is performed, there is a possibility that the sublimates may fall when the opening / closing mechanism of the chamber unit 100 is operated. When the sublimated material etc. dropped, there is a problem that the sublimated material or the like enters the coating film C as a foreign substance.

また、上記洗浄作業は煩わしく、洗浄作業中は、加熱乾燥装置を稼働させることができないため、頻繁に洗浄作業を行うことができないという問題もあった。   In addition, the cleaning operation is troublesome, and the heating / drying apparatus cannot be operated during the cleaning operation, so that there is a problem that the cleaning operation cannot be performed frequently.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、チャンバ部の内壁に付着した昇華物等が塗布膜に混入するのを抑え、チャンバ部の洗浄作業の頻度を抑えることができる加熱乾燥装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and is capable of suppressing sublimation and the like adhering to the inner wall of the chamber part from being mixed into the coating film and reducing the frequency of the cleaning operation of the chamber part. The object is to provide a drying device.

上記課題を解決するために本発明の加熱乾燥装置は、基板を収容するチャンバ部と、基板上に形成された塗布膜を加熱するヒータ部と、チャンバ部内を排気する排気部と、を備え、チャンバ部内を排気させつつ、チャンバ部内に載置された基板上の塗布膜を加熱して乾燥させる加熱乾燥装置であって、載置された基板と対向する対向壁には、少なくとも基板全面と対向する領域において、その表面に空気層を形成する多孔質部が設けられていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a heating and drying apparatus according to the present invention includes a chamber unit that accommodates a substrate, a heater unit that heats a coating film formed on the substrate, and an exhaust unit that exhausts the inside of the chamber unit. A heating / drying apparatus that heats and dries a coating film on a substrate placed in the chamber while evacuating the chamber, and is opposed to at least the entire surface of the substrate on a facing wall facing the placed substrate. In the region to be formed, a porous portion that forms an air layer is provided on the surface thereof.

上記加熱乾燥装置によれば、チャンバ部内における基板と対向する対向壁に多孔質部が設けられており、この多孔質部の表面に空気層が形成されているため、対向壁に昇華物等が付着するのを回避することができる。すなわち、基板全面と対向する対向壁には、多孔質部材により空気層が形成されているため、チャンバ部内に浮遊する昇華物等が多孔質部（対向壁）に付着するのを抑えることができる。その結果、基板と対向する対向壁には、昇華物等の付着が抑えられるため、チャンバ部の開閉機構が動作した場合であっても落下する昇華物等を皆無にすることができ、昇華物等が塗布膜に異物として混入するのを抑えることができる。したがって、チャンバ部の内壁に付着した昇華物等が基板上の塗布膜に落下するのを抑えることができるため、従来必要であったチャンバ部の内壁の洗浄作業の頻度を抑えることができ、加熱乾燥装置の稼働率を向上させることができる。   According to the heating and drying apparatus, the porous portion is provided on the facing wall facing the substrate in the chamber portion, and an air layer is formed on the surface of the porous portion. Adhesion can be avoided. That is, since an air layer is formed by a porous member on the opposing wall that faces the entire surface of the substrate, it is possible to suppress the sublimate or the like floating in the chamber part from adhering to the porous part (opposing wall). . As a result, since adhesion of sublimation etc. is suppressed on the opposing wall facing the substrate, sublimation etc. that fall can be eliminated even when the opening / closing mechanism of the chamber is operated. And the like can be prevented from entering the coating film as foreign matter. Therefore, it is possible to suppress the sublimated material and the like adhering to the inner wall of the chamber part from falling on the coating film on the substrate, so that it is possible to suppress the frequency of cleaning the inner wall of the chamber part, which has been conventionally required, The operating rate of the drying apparatus can be improved.

具体的な態様における前記多孔質部は、載置された基板と対向するチャンバ部の天壁部に設けられている構成にすることができる。   The porous portion in a specific aspect can be configured to be provided on the top wall portion of the chamber portion facing the placed substrate.

さらに別の具体的な態様におけるチャンバ部内には、載置された基板に対向する天板が設けられており、前記多孔質部は、前記天板に設けられている構成にすることができる。   Furthermore, in the chamber part in another specific aspect, the top plate which opposes the mounted board | substrate is provided, and the said porous part can be set as the structure provided in the said top plate.

いずれの態様においても、基板全面と対向する領域に多孔質部を設けることにより、昇華物等の付着を防止して、昇華物等が塗布膜に落下するのを抑えることができる。   In any embodiment, by providing a porous portion in a region facing the entire surface of the substrate, it is possible to prevent adhesion of sublimated materials and the like, and to prevent the sublimated materials and the like from falling on the coating film.

本発明の加熱乾燥装置によれば、チャンバ部の内壁に付着した昇華物等が塗布膜に混入するのを抑え、チャンバ部の洗浄作業の頻度を抑えることができる。   According to the heating and drying apparatus of the present invention, it is possible to suppress the sublimate and the like adhering to the inner wall of the chamber part from being mixed into the coating film, and to reduce the frequency of the cleaning operation of the chamber part.

本実施形態における加熱乾燥装置のチャンバ部の開状態を示す概略図である。It is the schematic which shows the open state of the chamber part of the heat drying apparatus in this embodiment. 上記加熱乾燥装置のチャンバの閉状態を示す概略図である。It is the schematic which shows the closed state of the chamber of the said heating-drying apparatus. 他の実施形態における加熱乾燥装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the heat drying apparatus in other embodiment. 従来の加熱乾燥装置を示す図であるIt is a figure which shows the conventional heat drying apparatus.

本発明の加熱乾燥装置に係る実施の形態を図面を用いて説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments according to the heat drying apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.

ここで、図１は、本実施形態における加熱乾燥装置のチャンバ部の開状態を示す概略図、図２は、加熱乾燥装置のチャンバ部の閉状態を示す概略図である。   Here, FIG. 1 is a schematic view showing the open state of the chamber portion of the heat drying apparatus in the present embodiment, and FIG. 2 is a schematic view showing the closed state of the chamber portion of the heat drying apparatus.

図１、図２に示すように、加熱乾燥装置１は、基板Ｗ上に形成された塗布膜Ｃを乾燥させるものである。具体的には、加熱乾燥装置１は、液晶、有機ＥＬ、太陽電池等で用いられる薄膜、すなわち、液晶ディスプレイ製造工程における反射防止膜、レジスト膜等に用いられ、スリットコータやインクジェット等の塗布装置により基板Ｗ上に液状の塗布材料が塗布されることにより形成された塗布膜Ｃを乾燥させるものである。   As shown in FIGS. 1 and 2, the heat drying apparatus 1 dries a coating film C formed on a substrate W. Specifically, the heat drying apparatus 1 is used for a thin film used in a liquid crystal, an organic EL, a solar cell or the like, that is, an antireflection film, a resist film, or the like in a liquid crystal display manufacturing process, and a coating apparatus such as a slit coater or an inkjet. Thus, the coating film C formed by applying a liquid coating material on the substrate W is dried.

この加熱乾燥装置１は、基板Ｗを収容するチャンバ部２を有しており、チャンバ部２内に基板Ｗを収容しチャンバ部２内を加熱されることにより基板Ｗ上の塗布膜Ｃを乾燥させる。   The heating / drying apparatus 1 has a chamber unit 2 that accommodates a substrate W. The substrate W is accommodated in the chamber unit 2, and the coating film C on the substrate W is dried by heating the chamber unit 2. Let

加熱乾燥装置１のチャンバ部２は、基板載置部２０と開閉動作可能なチャンバ蓋部１０とを備えており、チャンバ蓋部１０が基板載置部２０に対して閉状態になることにより基板Ｗを収容する収容部３０（図２参照。チャンバ部２内ともいう）が形成される。   The chamber unit 2 of the heating and drying apparatus 1 includes a substrate platform 20 and a chamber lid 10 that can be opened and closed. When the chamber lid 10 is closed with respect to the substrate platform 20, the substrate is placed. An accommodating portion 30 (see FIG. 2; also referred to as the inside of the chamber portion 2) for accommodating W is formed.

基板載置部２０は、基板Ｗよりも表面積の大きい平板状に形成されており、この表面に塗布膜Ｃが形成された基板Ｗが載置される。具体的には、基板載置部２０には、基板Ｗを昇降動作させる基板昇降機構が設けられており、この基板昇降機構により基板Ｗが供給された姿勢を維持したまま載置される。本実施形態では、基板載置部２０の基板Ｗが載置される載置面２１には、基板Ｗを載置する領域に複数のピン孔２２が形成されており、このピン孔２２にはＺ軸方向に昇降動作可能なリフトピン４０が埋設されている。そして、このリフトピン４０には駆動装置４１が接続されており、この駆動装置４１を駆動させることによりリフトピン４０が載置面２１から所定高さ位置（上昇位置）まで突出するようになっている。これにより、基板Ｗを載置面２１に載置する際には、リフトピン４０を上昇位置まで上昇させた状態で、供給された基板Ｗをリフトピン４０の先端部分で保持し、その状態からリフトピン４０を下降させることにより載置面２１に基板Ｗを載置できるようになっている。   The substrate platform 20 is formed in a flat plate shape having a larger surface area than the substrate W, and the substrate W on which the coating film C is formed is placed. Specifically, the substrate platform 20 is provided with a substrate elevating mechanism that moves the substrate W up and down, and is placed while maintaining the posture in which the substrate W is supplied by the substrate elevating mechanism. In the present embodiment, a plurality of pin holes 22 are formed in a region on which the substrate W is placed on the placement surface 21 on which the substrate W of the substrate placement unit 20 is placed. A lift pin 40 that can be moved up and down in the Z-axis direction is embedded. A driving device 41 is connected to the lift pin 40, and the driving device 41 is driven so that the lift pin 40 protrudes from the placement surface 21 to a predetermined height position (upward position). As a result, when the substrate W is placed on the placement surface 21, the supplied substrate W is held at the tip of the lift pin 40 with the lift pin 40 raised to the raised position, and the lift pin 40 is lifted from this state. Is lowered so that the substrate W can be placed on the placement surface 21.

また、基板載置部２０には、加熱装置であるヒータ部５１が設けられている。このヒータ部５１は、シート状に形成されており、基板載置部２０に載置面２１と平行になる状態で埋め込まれて設けられている。本実施形態では、ヒータ部５１として例えばマイカヒータが設けられており、ヒータ部５１を作動させることにより、基板載置部２０の全面が加熱され基板Ｗ上に形成された塗布膜Ｃが加熱される。   In addition, the substrate placement unit 20 is provided with a heater unit 51 that is a heating device. The heater unit 51 is formed in a sheet shape and is embedded in the substrate mounting unit 20 so as to be parallel to the mounting surface 21. In the present embodiment, for example, a mica heater is provided as the heater unit 51. By operating the heater unit 51, the entire surface of the substrate mounting unit 20 is heated and the coating film C formed on the substrate W is heated. .

チャンバ蓋部１０は、載置面２１に載置された基板Ｗを覆う形状を有しており、載置面２１と対向する天壁部１１と、この天壁部１１の端部における縁辺部１１ａから載置面２１側に突出する側壁部１２とを有している。   The chamber lid portion 10 has a shape that covers the substrate W placed on the placement surface 21, and the top wall portion 11 that faces the placement surface 21, and the edge portion at the end of the top wall portion 11. And a side wall portion 12 projecting from the surface 11a to the placement surface 21 side.

前記天壁部１１は、平板形状であって矩形状に形成されている。この天壁部１１は一定の厚みで形成されており、載置面２１に対向する面（基板載置部側表面１１ｂ）は、載置面２１に対してほぼ平行であって平坦に形成されている。すなわち、載置面２１に載置された基板Ｗに対してほぼ平行をなすように形成されている。   The top wall portion 11 has a flat plate shape and is formed in a rectangular shape. The top wall portion 11 is formed with a constant thickness, and the surface (substrate mounting portion side surface 11b) facing the mounting surface 21 is substantially parallel to the mounting surface 21 and is formed flat. ing. That is, it is formed so as to be substantially parallel to the substrate W placed on the placement surface 21.

側壁部１２は、天壁部１１の４つの縁辺部１１ａそれぞれから載置面２１側に延びて形成されている。すなわち、側壁部１２は、天壁部１１から垂直をなして縁辺部１１ａ全周から突出して形成されており、載置面２１に載置された基板Ｗを囲むように形成されている。   The side wall portion 12 is formed to extend from each of the four edge portions 11a of the top wall portion 11 to the placement surface 21 side. That is, the side wall portion 12 is formed so as to be perpendicular to the top wall portion 11 and protrude from the entire periphery of the edge portion 11a, and is formed so as to surround the substrate W placed on the placement surface 21.

また、このチャンバ蓋部１０は、昇降動作するように構成されている。すなわち、チャンバ蓋部１０には駆動装置７が設けられており、この駆動装置７を駆動させることにより、チャンバ蓋部１０が基板載置部２０の載置面２１に対して接離可能になっている。そして、側壁部１２の底面１２ａは、載置面２１とほぼ平行をなすように形成されており、底面１２ａにはシール部材１３が設けられている。このシール部材１３は、底面１２ａ全周に亘って設けられており、シール部材１３が載置面２１に当接すると、チャンバ蓋部１０と載置面２１とによって、密封空間（収容部３０）が形成される。すなわち、駆動装置４１を駆動させてチャンバ蓋部１０を下降させると、側壁部１２の底面１２ａとシール材１３とが密着することにより、収容部３０とその外部がシール材１３により遮断され、基板Ｗをチャンバ部２内に密封できるようになっている。   Further, the chamber lid 10 is configured to move up and down. That is, the chamber lid 10 is provided with a driving device 7, and by driving the driving device 7, the chamber lid 10 can be brought into contact with and separated from the mounting surface 21 of the substrate platform 20. ing. The bottom surface 12a of the side wall portion 12 is formed so as to be substantially parallel to the placement surface 21, and a seal member 13 is provided on the bottom surface 12a. The seal member 13 is provided over the entire circumference of the bottom surface 12 a, and when the seal member 13 abuts on the placement surface 21, a sealed space (accommodating portion 30) is formed by the chamber lid portion 10 and the placement surface 21. Is formed. That is, when the driving device 41 is driven to lower the chamber lid portion 10, the bottom surface 12 a of the side wall portion 12 and the sealing material 13 are brought into close contact with each other, whereby the housing portion 30 and the outside thereof are blocked by the sealing material 13. W can be sealed in the chamber portion 2.

また、チャンバ蓋部１０には、排気部６０が設けられている。この排気部６０は、収容部３０（チャンバ部２内）を排気するものであり、排気配管６１とバルブ６２とを有している。排気配管６１は、真空ポンプと連通して接続されており、真空ポンプを作動させることにより収容部３０内が排気される。また、バルブ６２は、開閉動作することにより、収容部３０と排気配管６１とを連結及び遮断することができる。すなわち、バルブ６２を開状態にすることにより、収容部３０と排気配管６１とが連通され収容部３０が排気される。また、バルブ６２を閉状態にすることにより、収容部３０と排気配管６１とが遮断され、収容部３０を密封状態に維持することができる。   In addition, the chamber lid portion 10 is provided with an exhaust portion 60. The exhaust part 60 exhausts the accommodating part 30 (inside the chamber part 2), and has an exhaust pipe 61 and a valve 62. The exhaust pipe 61 is connected in communication with a vacuum pump, and the inside of the accommodating portion 30 is exhausted by operating the vacuum pump. Further, the valve 62 can open and close, thereby connecting and blocking the accommodating portion 30 and the exhaust pipe 61. That is, by opening the valve 62, the accommodating portion 30 and the exhaust pipe 61 are communicated with each other and the accommodating portion 30 is exhausted. Further, by closing the valve 62, the accommodating portion 30 and the exhaust pipe 61 are blocked, and the accommodating portion 30 can be maintained in a sealed state.

また、チャンバ蓋部１０には、天板９５が設けられている。天板９５は、基板Ｗの表面全体に対する隙間を均一にするためのものである。天板９５は基板Ｗ全体よりも大きい面積を有した平板形状に形成されており、チャンバ蓋部１０の基板載置部側表面１１ｂに取り付けられている。天板９５は、その表面が基板Ｗに対向するように設けられており、チャンバ蓋部１０が下降してチャンバ部２が形成された状態では、天板９５と基板Ｗの表面との間に、基板Ｗの表面全体に亘って均一な隙間が形成される。この天板９５により、乾燥ムラの発生を抑えることができる。すなわち、排気部６０は、その中心が天板９５の中心と対向する位置に配置されているため、排気部６０に吸引力を発生させると、天板９５と基板Ｗとの隙間には、天板９５の端部に向かう一定の弱い流れが均等に形成される。すなわち、ヒータ部５１を加熱することにより塗布膜Ｃから蒸発した溶媒等は、天板９５と基板Ｗとの隙間を滞留することなく天板９５の端部に向かってスムーズに流れて排気部６０から排出されるため、天板９５がなく発生した溶媒が流速変化を伴いながら基板Ｗ上を流れる場合に比べて、塗布膜Ｃに乾燥ムラが発生するのを抑えることができる。   The chamber lid 10 is provided with a top plate 95. The top plate 95 is for making the gap with respect to the entire surface of the substrate W uniform. The top plate 95 is formed in a flat plate shape having a larger area than the entire substrate W, and is attached to the substrate placement portion side surface 11 b of the chamber lid portion 10. The top plate 95 is provided so that the surface thereof faces the substrate W. When the chamber lid portion 10 is lowered and the chamber portion 2 is formed, the top plate 95 is interposed between the top plate 95 and the surface of the substrate W. A uniform gap is formed over the entire surface of the substrate W. The top plate 95 can suppress the occurrence of drying unevenness. That is, since the exhaust part 60 is arranged at a position where the center of the exhaust part 60 faces the center of the top plate 95, when the suction force is generated in the exhaust part 60, the top part of the top plate 95 and the substrate W have a space in the top. A constant weak flow toward the end of the plate 95 is evenly formed. That is, the solvent or the like evaporated from the coating film C by heating the heater unit 51 smoothly flows toward the end of the top plate 95 without staying in the gap between the top plate 95 and the substrate W, and the exhaust unit 60. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of drying unevenness in the coating film C as compared with the case where the generated solvent without the top plate 95 flows on the substrate W with a change in flow rate.

また、天板９５の基板載置部２０側には、多孔質部７０が設けられている。多孔質部７０は、その表面に空気層を形成するためのものである。多孔質部７０は、一定厚みの平板状の多孔質部材であって、矩形状に形成されいる。この多孔質部７０は、天板９５の基板載置部２０側に設けられている。図１，図２の例では、載置面２１上に載置された基板Ｗと対向する対向壁である天板９５の基板載置部２０側に設けられている。具体的には、この多孔質部７０は、天板９５の表面全体を覆うように設けられており、対向する基板Ｗよりも広い面積を有するように形成されている。そして、多孔質部７０にエアを供給すると、多孔質部７０の表面にエアが噴出されることにより表面全体に空気層を形成することができる。すなわち、基板Ｗ全面と対向する表面に一様な空気層が形成される。これにより、昇華物等の付着を抑えることができる。すなわち、ヒータ部５１を加熱して塗布膜Ｃが加熱されると、チャンバ部２内には、塗布膜Ｃの溶媒の他、塗布膜Ｃを構成する樹脂の繊維等（これらを昇華物等と称す）が浮遊する。この昇華物等は、再度塗布膜Ｃに付着するのを抑えるため排気部６０から排気されるが、基板Ｗと天板９５との距離が近いため昇華物等の中には天板９５に接近し付着するものもある。しかし、天板９５の表面に設けられた多孔質部７０の表面には、空気層が形成されているため、昇華物等はエアの存在により付着しにくくなり、多孔質部７０の表面に付着して固化することが抑えられる。すなわち、噴出されたエアが排気部６０からの吸引力により天板９５に沿って流れているため、多孔質部７０に接近した昇華物等は、このエアの流れと共に天板９５の端部側に流れ、最終的には排気部６０から排出される。これにより、昇華物等が基板Ｗと対向する対向壁（本実施形態では天板９５）に付着するのを抑えることができる。   Further, a porous portion 70 is provided on the top plate 95 on the substrate mounting portion 20 side. The porous part 70 is for forming an air layer on the surface thereof. The porous portion 70 is a flat plate-like porous member having a constant thickness, and is formed in a rectangular shape. The porous portion 70 is provided on the top plate 95 on the substrate mounting portion 20 side. In the example of FIG. 1 and FIG. 2, it is provided on the substrate mounting portion 20 side of the top plate 95 that is an opposing wall facing the substrate W placed on the placement surface 21. Specifically, the porous portion 70 is provided so as to cover the entire surface of the top plate 95 and is formed to have a larger area than the opposing substrate W. When air is supplied to the porous portion 70, air is ejected onto the surface of the porous portion 70, whereby an air layer can be formed on the entire surface. That is, a uniform air layer is formed on the surface facing the entire surface of the substrate W. Thereby, adhesion of a sublimate etc. can be suppressed. That is, when the heater 51 is heated and the coating film C is heated, the chamber part 2 contains not only the solvent of the coating film C but also the resin fibers constituting the coating film C, etc. ) Floats. The sublimated material is exhausted from the exhaust unit 60 in order to prevent the sublimated material from adhering to the coating film C again. However, since the distance between the substrate W and the top plate 95 is short, some sublimated materials are close to the top plate 95. Some stick to it. However, since an air layer is formed on the surface of the porous portion 70 provided on the surface of the top plate 95, sublimates and the like are less likely to adhere due to the presence of air, and adhere to the surface of the porous portion 70. And solidification is suppressed. That is, since the ejected air flows along the top plate 95 due to the suction force from the exhaust unit 60, the sublimate that has approached the porous portion 70 moves along the end of the top plate 95 together with the air flow. And finally discharged from the exhaust 60. Thereby, it can suppress that a sublimate etc. adhere to the opposing wall (this embodiment top plate 95) which opposes the board | substrate W. FIG.

また、天板９５には、天板ヒータ部９５ａが設けられている。この天板ヒータ部９５ａは、天板９５の上面に設けられており、天板９５の温度を制御することができる。具体的には、天板ヒータ部９５ａは、面状ヒータであり、天板９５の上面をほぼ覆うように設けられている。そして、天板ヒータ部９５ａを作動させると天板９５全体及び多孔質部７０が加熱され、ヒータ部５１で温度制御される基板載置部２０と同じ温度になるように設定されている。これにより、天板９５に昇華物等が付着するのをさらに抑えることができる。すなわち、チャンバ部２内に浮遊している昇華物等は、多孔質部７０の空気層により付着が抑えられるが、仮に空気層を抜けて付着しようとした場合でも多孔質部７０が加熱されていることにより、昇華物等が多孔質部７０で冷却されて固化（付着）することを抑えることができる。すなわち、空気層を抜けた昇華物等があったとしても、多孔質部７０に付着することなく、時間と共に多孔質部７０の空気層の流れと共に排気部６０から排気される。このようにして、基板Ｗと対向する対向壁に昇華物等が付着するのを抑え、昇華物等が落下して基板Ｗ上の塗布膜Ｃに異物として混入するのを抑えることができる。   The top plate 95 is provided with a top plate heater 95a. The top heater 95a is provided on the top surface of the top 95 and can control the temperature of the top 95. Specifically, the top heater 95 a is a planar heater and is provided so as to substantially cover the top surface of the top 95. When the top heater 95a is operated, the entire top plate 95 and the porous part 70 are heated, and the temperature is set to be the same as that of the substrate mounting part 20 whose temperature is controlled by the heater 51. Thereby, it can further suppress that a sublimate etc. adhere to top plate 95. In other words, the sublimate floating in the chamber part 2 is prevented from adhering by the air layer of the porous part 70, but even if it is attempted to adhere through the air layer, the porous part 70 is heated. By being, it can suppress that a sublimate etc. are cooled by the porous part 70, and solidify (attach). That is, even if there is a sublimate or the like that has passed through the air layer, it does not adhere to the porous part 70 and is exhausted from the exhaust part 60 with the flow of the air layer in the porous part 70 over time. In this way, it is possible to prevent the sublimate from adhering to the facing wall facing the substrate W, and to prevent the sublimate from falling and entering the coating film C on the substrate W as a foreign substance.

このように、上記加熱乾燥装置によれば、チャンバ部２内における基板Ｗと対向する対向壁に多孔質部７０が設けられており、この多孔質部７０の表面に空気層が形成されているため、対向壁に昇華物等が付着するのを回避することができる。すなわち、基板Ｗ全面と対向する対向壁には、多孔質部材により空気層が形成されているため、チャンバ部２内に浮遊する昇華物等が多孔質部７０（対向壁）に付着するのを抑えることができる。その結果、基板Ｗと対向する対向壁には、昇華物等の付着が抑えられるため、チャンバ部２の開閉機構が動作した場合であっても落下する昇華物等を皆無にすることができ、昇華物等が塗布膜Ｃに異物として混入するのを抑えることができる。したがって、チャンバ部２の内壁に付着した昇華物等が基板Ｗ上の塗布膜Ｃに落下するのを抑えることができるため、従来必要であったチャンバ部２の内壁の洗浄作業の頻度を抑えることができ、加熱乾燥装置１の稼働率を向上させることができる。   Thus, according to the heating and drying apparatus, the porous portion 70 is provided on the facing wall facing the substrate W in the chamber portion 2, and an air layer is formed on the surface of the porous portion 70. Therefore, it is possible to avoid the sublimate and the like from adhering to the opposing wall. That is, since an air layer is formed by a porous member on the opposing wall facing the entire surface of the substrate W, sublimates floating in the chamber part 2 are attached to the porous part 70 (opposing wall). Can be suppressed. As a result, since the adhesion of sublimation etc. is suppressed on the opposing wall facing the substrate W, it is possible to eliminate any sublimation falling etc. even when the opening / closing mechanism of the chamber part 2 operates. It is possible to prevent the sublimate and the like from entering the coating film C as a foreign substance. Accordingly, it is possible to suppress the sublimate or the like adhering to the inner wall of the chamber portion 2 from falling on the coating film C on the substrate W, and thus the frequency of the cleaning operation of the inner wall of the chamber portion 2 that has been conventionally required can be suppressed. The operating rate of the heat drying apparatus 1 can be improved.

上記実施形態では、基板Ｗの対向壁が天板９５であるため、多孔質部７０が天板９５に設けられている例について説明したが、天板９５が存在しない場合は、基板Ｗの対向壁がチャンバ蓋部１０の天壁部１１であるため、天壁部１１に多孔質部７０が設けられるものであってもよい。具体的には、図３に示すように、天壁部１１の基板載置部側表面１１ｂに多孔質部７０が設けられている。この多孔質部７０は、上記実施形態と構成が共通であり、少なくとも基板Ｗ全面と対向する領域を含むように設けられている。これにより、多孔質部７０の表面に空気層が形成され、チャンバ部２内に浮遊する昇華物等が付着するのを抑えることができ、昇華物等が落下して基板Ｗ上の塗布膜Ｃに異物として混入するのを抑えることができる。   In the above-described embodiment, since the facing wall of the substrate W is the top plate 95, the example in which the porous portion 70 is provided on the top plate 95 has been described. However, when the top plate 95 does not exist, the facing of the substrate W is performed. Since the wall is the top wall portion 11 of the chamber lid portion 10, the top wall portion 11 may be provided with the porous portion 70. Specifically, as shown in FIG. 3, a porous portion 70 is provided on the substrate mounting portion side surface 11 b of the top wall portion 11. The porous portion 70 has the same configuration as that of the above embodiment, and is provided so as to include at least a region facing the entire surface of the substrate W. As a result, an air layer is formed on the surface of the porous portion 70, and it is possible to prevent the sublimate and the like floating in the chamber portion 2 from adhering, and the sublimate and the like fall to apply the coating film C on the substrate W. It is possible to suppress the contamination as a foreign matter.

なお、基板Ｗとチャンバ蓋部１０との間に介在物が存在する場合は、その介在物が基板Ｗと対向する対向壁になるため、その介在物表面に多孔質部７０を設けることにより、昇華物等が付着するのを抑えることができる。   In addition, when an inclusion exists between the substrate W and the chamber lid portion 10, the inclusion becomes an opposing wall facing the substrate W. Therefore, by providing the porous portion 70 on the inclusion surface, It is possible to suppress the attachment of sublimates and the like.

また、図３における実施形態においても、多孔質部７０の裏面側に加熱装置を設けることにより、仮に空気層を抜けた昇華物等が多孔質部７０に接触した場合に、昇華物等が多孔質部７０で冷却されて多孔質部７０に付着するという問題を回避することができる。なお、加熱装置は、多孔質部７０の裏面に備えるものであってもよいし、チャンバ蓋部１０内に設けられるものであってもよい。   Also in the embodiment in FIG. 3, by providing a heating device on the back side of the porous portion 70, if the sublimate etc. that has passed through the air layer contacts the porous portion 70, the sublimate etc. is porous. The problem of being cooled by the mass portion 70 and adhering to the porous portion 70 can be avoided. The heating device may be provided on the back surface of the porous portion 70 or may be provided in the chamber lid portion 10.

また、上記実施形態では、基板載置部２０が固定されている例について説明したが、基板載置部２０が搬送路になっているものであってもよい。すなわち、エア浮上搬送路、超音波浮上搬送路上にチャンバ蓋部１０が設けられ、チャンバ蓋部１０を下降させることにより搬送路とチャンバ蓋部１０とによってチャンバ部２が形成される加熱乾燥装置であってもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the example in which the board | substrate mounting part 20 was fixed, the board | substrate mounting part 20 may become a conveyance path. That is, in the heating and drying apparatus in which the chamber lid 10 is provided on the air levitation conveyance path and the ultrasonic levitation conveyance path, and the chamber section 2 is formed by the conveyance path and the chamber lid 10 by lowering the chamber lid 10. There may be.

１ 加熱乾燥装置
２ チャンバ部
１０ チャンバ蓋部
１１ 天壁部
２０ 基板載置部
２１ 載置面
５１ ヒータ部
６０ 排気部
７０ 多孔質部
９５ 天板
Ｃ 塗布膜
Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heating and drying apparatus 2 Chamber part 10 Chamber cover part 11 Top wall part 20 Substrate mounting part 21 Mounting surface 51 Heater part 60 Exhaust part 70 Porous part 95 Top plate C Coating film W Substrate

Claims (3)

基板を収容するチャンバ部と、
基板上に形成された塗布膜を加熱するヒータ部と、
チャンバ部内を排気する排気部と、
を備え、チャンバ部内を排気させつつ、チャンバ部内に載置された基板上の塗布膜を加熱して乾燥させる加熱乾燥装置であって、
載置された基板と対向する対向壁には、少なくとも基板全面と対向する領域において、その表面に空気層を形成する多孔質部が設けられていることを特徴とする加熱乾燥装置。 A chamber for accommodating the substrate;
A heater for heating the coating film formed on the substrate;
An exhaust part for exhausting the inside of the chamber part;
A heating and drying device that heats and dries a coating film on a substrate placed in the chamber while exhausting the inside of the chamber,
A heating / drying apparatus, wherein a facing wall facing a placed substrate is provided with a porous portion that forms an air layer on the surface thereof at least in a region facing the entire surface of the substrate. 前記多孔質部は、載置された基板と対向するチャンバ部の天壁部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の加熱乾燥装置。   The heating / drying apparatus according to claim 1, wherein the porous portion is provided on a top wall portion of a chamber portion facing the placed substrate. チャンバ部内には、載置された基板に対向する天板が設けられており、前記多孔質部は、前記天板に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の加熱乾燥装置。   The heating and drying apparatus according to claim 1, wherein a top plate facing the placed substrate is provided in the chamber portion, and the porous portion is provided on the top plate.
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