JP2016201897A - Power storage device and electrical power system - Google Patents

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Keisuke Mase
佳祐 眞瀬
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峻一 澤野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power storage device and electrical power system having the same, capable of quickly charging a power storage unit.SOLUTION: A power storage device 10 is configured so that electric power input from a battery 12 is supplied to a power storage unit 21 through a FET 20 and a resistor R1. A control circuit 25 turns off the FET 20 when an ambient temperature of the resistor R1 detected by a temperature detection circuit 24 is not less than an upper temperature and turns on the FET20 when the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is less than a lower temperature. The lower temperature is not more than the upper temperature.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される蓄電装置、及び、該蓄電装置を備える電源システムに関する。   The present invention relates to a power storage device in which input power is supplied to a battery via a switch and a resistor, and a power supply system including the power storage device.

車両に搭載される電源システムとして、バッテリから供給された電力を蓄える蓄電装置を備え、蓄電装置が蓄えた電力が負荷に供給される電源システムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の電源システムでは、蓄電装置は蓄電器、例えばキャパシタを有し、バッテリから供給された電力が蓄電器に蓄えられ、蓄電器に蓄えられた電力が負荷に供給される。   As a power supply system mounted on a vehicle, a power supply system that includes a power storage device that stores power supplied from a battery and that supplies power stored in the power storage device to a load has been proposed (for example, see Patent Document 1). In the power supply system described in Patent Document 1, the power storage device includes a power storage device, for example, a capacitor, and the power supplied from the battery is stored in the power storage device, and the power stored in the power storage device is supplied to the load.

以上のように構成された特許文献１に記載の電源システムでは、例えば、バッテリの接続が外れた場合であっても、蓄電器に電力が蓄えられているため、蓄電器に蓄えられた電力を用いて負荷を作動させることができる。   In the power supply system described in Patent Document 1 configured as described above, for example, even when the battery is disconnected, the power is stored in the capacitor, so the power stored in the capacitor is used. The load can be activated.

特開２００８−５６６２号公報JP 2008-5562 A

バッテリから供給された電力を蓄える従来の蓄電装置として、バッテリから、スイッチ及び抵抗を介して蓄電器に電力を供給する蓄電装置がある。この蓄電装置では、蓄電器の端子電圧値が所定の電圧値未満である場合にスイッチをオンにして蓄電器を充電し、蓄電器の端子電圧値が所定の電圧値以上である場合にスイッチをオフにして蓄電器の充電を停止する。このような蓄電装置では、スイッチのオン及びオフの切替えを高速に繰り返すことがないため、スイッチングノイズが抑制される。   As a conventional power storage device that stores power supplied from a battery, there is a power storage device that supplies power from a battery to a capacitor via a switch and a resistor. In this power storage device, when the terminal voltage value of the capacitor is less than the predetermined voltage value, the switch is turned on to charge the capacitor, and when the terminal voltage value of the capacitor is equal to or higher than the predetermined voltage value, the switch is turned off. Stop charging the battery. In such a power storage device, switching on and off of the switch is not repeated at high speed, so that switching noise is suppressed.

しかしながら、スイッチ及び抵抗を介して蓄電器に電力を供給する蓄電装置では、蓄電器が充電されている場合、抵抗に電流が流れ、抵抗は発熱する。抵抗の周辺温度が一定温度以上となった場合、抵抗の周辺に配置された電子機器の温度が上昇し、この電子機器が誤った動作を行う虞がある。   However, in a power storage device that supplies power to a capacitor via a switch and a resistor, when the capacitor is charged, a current flows through the resistor and the resistor generates heat. When the ambient temperature of the resistor becomes equal to or higher than a certain temperature, the temperature of the electronic device arranged around the resistor rises, and there is a risk that this electronic device will malfunction.

電子機器の誤動作を防止するためには、単位時間当たりの抵抗での発熱量を抑制し、蓄電器が充電している間に抵抗の周辺温度が一定温度以上となることを防止する必要がある。単位時間当たりの抵抗での発熱量は、抵抗に流れる電流値が大きい程多い。このため、蓄電装置では、抵抗値が大きい抵抗が用いられている。これにより、蓄電器を充電する場合において、抵抗に流れる電流値は小さく、単位時間当たりの抵抗での発熱量は少ない。従って、蓄電器が充電している間に抵抗の周辺温度が一定温度以上となることはない。   In order to prevent malfunction of the electronic device, it is necessary to suppress the amount of heat generated by the resistance per unit time and to prevent the ambient temperature of the resistor from exceeding a certain temperature while the capacitor is being charged. The amount of heat generated by the resistance per unit time increases as the current value flowing through the resistance increases. For this reason, a resistor having a large resistance value is used in the power storage device. Thereby, when charging the capacitor, the value of the current flowing through the resistor is small, and the amount of heat generated by the resistor per unit time is small. Therefore, the ambient temperature of the resistor does not exceed a certain temperature while the capacitor is being charged.

しかし、スイッチ及び抵抗を介して蓄電器に電力を供給する蓄電装置を備える電源システムでは、蓄電器に蓄えられた電力が負荷に供給される。このため、蓄電器に一定量以上の電力が蓄えられなければ、負荷を作動させることができない。抵抗に流れる電流値は小さい場合、蓄電器を素早く充電することができないため、蓄電器の充電を開始してから短時間で負荷を作動させることができないという問題がある。   However, in a power supply system including a power storage device that supplies power to a capacitor via a switch and a resistor, the power stored in the capacitor is supplied to a load. For this reason, the load cannot be operated unless a certain amount of electric power is stored in the capacitor. When the value of the current flowing through the resistor is small, the capacitor cannot be charged quickly, and there is a problem that the load cannot be operated in a short time after charging of the capacitor is started.

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、素早く蓄電器を充電することが可能な蓄電装置、及び、該蓄電装置を備える電源システムを提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a power storage device capable of quickly charging a power storage device and a power supply system including the power storage device.

本発明に係る蓄電装置は、入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される蓄電装置において、前記抵抗の周辺温度を検出する温度検出回路と、該温度検出回路が検出した前記周辺温度が第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以下の第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにするスイッチ制御部とを備えることを特徴とする。   The power storage device according to the present invention includes a temperature detection circuit that detects an ambient temperature of the resistor in the power storage device in which input electric power is supplied to the capacitor through a switch and a resistor, and the periphery detected by the temperature detection circuit A switch control unit that turns off the switch when the temperature is equal to or higher than the first temperature, and turns on the switch when the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is lower than the second temperature that is equal to or lower than the first temperature. It is characterized by providing.

本発明にあっては、温度検出回路は抵抗の周辺温度を検出する。温度検出回路が検出した周辺温度が第２温度未満である場合、スイッチはオンとなり、外部から入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される。温度検出回路が検出した周辺温度が第１温度以上である場合、スイッチはオフとなり、蓄電器への電力の供給が停止する。抵抗の周辺温度が第２温度未満となった場合、再び、スイッチがオンとなり、蓄電器へ電力が供給される。第２温度は第１温度以下である。   In the present invention, the temperature detection circuit detects the ambient temperature of the resistor. When the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is lower than the second temperature, the switch is turned on, and electric power input from the outside is supplied to the battery via the switch and the resistor. When the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is equal to or higher than the first temperature, the switch is turned off and the supply of power to the battery is stopped. When the ambient temperature of the resistor becomes lower than the second temperature, the switch is turned on again, and power is supplied to the capacitor. The second temperature is equal to or lower than the first temperature.

抵抗の周辺温度が第１温度未満となるように、スイッチのオン及びオフが制御されるため、抵抗の抵抗値は小さくてもよい。抵抗の抵抗値が小さい場合、大きな電流が蓄電器に流れるため、蓄電器が素早く充電される。   Since the on / off of the switch is controlled so that the ambient temperature of the resistor is lower than the first temperature, the resistance value of the resistor may be small. When the resistance value of the resistor is small, a large current flows through the capacitor, so that the capacitor is quickly charged.

本発明に係る蓄電装置は、前記蓄電器の端子電圧を変圧し、変圧した電圧を出力する変圧回路を備え、前記温度検出回路は、抵抗値が前記周辺温度に応じて異なる第１抵抗回路と、第２抵抗回路とを有し、前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路は前記変圧回路が出力した電圧を分圧し、前記スイッチ制御部は、前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路が分圧した分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、該分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにすることを特徴とする。   The power storage device according to the present invention includes a transformer circuit that transforms a terminal voltage of the capacitor and outputs the transformed voltage, and the temperature detection circuit includes a first resistance circuit having a resistance value that differs according to the ambient temperature; A second resistance circuit, wherein the first resistance circuit and the second resistance circuit divide the voltage output from the transformer circuit, and the switch control unit is configured to divide the voltage by the first resistance circuit and the second resistance circuit. The switch is turned off when the ambient temperature indicated by the divided voltage value is equal to or higher than the first temperature, and the switch is turned on when the ambient temperature indicated by the divided voltage value is less than the second temperature. It is characterized by.

本発明にあっては、変圧回路は、蓄電器の端子電圧を変圧し、変圧した電圧を出力する。温度検出回路の第１抵抗回路及び第２抵抗回路は変圧回路が出力した電圧を分圧する。第１抵抗回路の抵抗値は抵抗の周辺温度に応じて異なるため、第１抵抗回路及び第２抵抗回路が分圧した分圧電圧値は、抵抗の周辺温度に応じて異なる。分圧電圧値が示す周辺温度が第１温度以上である場合にスイッチをオフにし、分圧電圧値が示す周辺温度が第２温度未満である場合にスイッチをオンにする。   In the present invention, the transformer circuit transforms the terminal voltage of the capacitor and outputs the transformed voltage. The first resistance circuit and the second resistance circuit of the temperature detection circuit divide the voltage output from the transformer circuit. Since the resistance value of the first resistor circuit varies depending on the ambient temperature of the resistor, the divided voltage value divided by the first resistor circuit and the second resistor circuit varies depending on the ambient temperature of the resistor. The switch is turned off when the ambient temperature indicated by the divided voltage value is equal to or higher than the first temperature, and the switch is turned on when the ambient temperature indicated by the divided voltage value is lower than the second temperature.

例えば、変圧回路が出力した電圧が負荷に出力されるように構成されている場合、温度検出回路は、変圧回路が負荷に出力する電圧を用いて抵抗の周辺温度を検出することが可能となる。   For example, when the voltage output from the transformer circuit is output to the load, the temperature detection circuit can detect the ambient temperature of the resistor using the voltage output from the transformer circuit to the load. .

本発明に係る蓄電装置は、前記蓄電器の端子電圧値を検出する電圧検出回路を更に備え、前記スイッチ制御部は、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以上であるか、又は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上である場合に前記スイッチをオフにすることを特徴とする。   The power storage device according to the present invention further includes a voltage detection circuit that detects a terminal voltage value of the battery, wherein the switch control unit detects whether the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is equal to or higher than the first temperature, Alternatively, the switch is turned off when a terminal voltage value detected by the voltage detection circuit is equal to or higher than a voltage threshold value.

本発明にあっては、抵抗の周辺温度が第１温度以上になるか、又は、蓄電器の端子電圧値が電圧閾値以上となった場合にスイッチはオフとなる。このため、抵抗周辺の温度が第１温度未満に保持されると共に、蓄電器の端子電圧値が電圧閾値未満に保持される。   In the present invention, the switch is turned off when the ambient temperature of the resistor becomes equal to or higher than the first temperature, or when the terminal voltage value of the capacitor becomes equal to or higher than the voltage threshold. For this reason, the temperature around the resistor is kept below the first temperature, and the terminal voltage value of the capacitor is kept below the voltage threshold.

本発明に係る蓄電装置は、前記スイッチ制御部は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上となった場合、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度に無関係に、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が前記電圧閾値未満の第２の電圧閾値未満となるまで、前記スイッチのオフを維持することを特徴とする。   In the power storage device according to the present invention, the switch control unit detects the voltage detection regardless of the ambient temperature detected by the temperature detection circuit when a terminal voltage value detected by the voltage detection circuit is equal to or higher than a voltage threshold. The switch is kept off until the terminal voltage value detected by the circuit is less than a second voltage threshold value less than the voltage threshold value.

本発明にあっては、蓄電器の端子電圧値が電圧閾値以上となった後、たとえ温度検出回路が検出した周辺温度が第２温度未満であっても、蓄電器の端子電圧値が第２の電圧閾値以上である限り、スイッチがオンとなることはない。第２の電圧閾値は電圧閾値未満であるので、スイッチのオン及びオフが頻繁に切替わることはなく、スイッチングノイズが小さい。   In the present invention, after the terminal voltage value of the capacitor becomes equal to or higher than the voltage threshold, even if the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is lower than the second temperature, the terminal voltage value of the capacitor is the second voltage. As long as it is above the threshold, the switch will not be turned on. Since the second voltage threshold is less than the voltage threshold, the switch is not frequently turned on and off, and the switching noise is small.

本発明に係る蓄電装置は、前記第２温度は前記第１温度未満であることを特徴とする。   The power storage device according to the present invention is characterized in that the second temperature is lower than the first temperature.

本発明にあっては、第２温度は第１温度未満であるため、スイッチのオン及びオフが頻繁に切替わることはなく、スイッチングノイズが小さい。   In the present invention, since the second temperature is lower than the first temperature, the switch is not frequently turned on and off, and the switching noise is small.

本発明に係る電源システムは、前述した蓄電装置と、前記電力を前記蓄電器に供給する第２の蓄電器と、前記蓄電器が蓄えた電力が供給される負荷とを備えることを特徴とする。   A power supply system according to the present invention includes the power storage device described above, a second power storage device that supplies the power to the power storage device, and a load that is supplied with the power stored in the power storage device.

本発明にあっては、蓄電装置の蓄電器には、第２の蓄電器によって電力が供給され、負荷には蓄電器が蓄えた電力が供給される。   In the present invention, electric power is supplied to the electric storage device of the electric storage device by the second electric storage device, and electric power stored in the electric storage device is supplied to the load.

本発明によれば、素早く蓄電器を充電することができる。   According to the present invention, the battery can be quickly charged.

実施の形態１における電源システムの回路図である。1 is a circuit diagram of a power supply system in Embodiment 1. FIG. 制御回路の回路図である。It is a circuit diagram of a control circuit. 蓄電装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。5 is a timing chart for explaining the operation of the power storage device. 実施の形態２における電源システムの回路図である。6 is a circuit diagram of a power supply system according to Embodiment 2. FIG. マイコンの要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of a microcomputer. 制御部が実行するスイッチ制御処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the switch control process which a control part performs. 制御部が実行するスイッチ制御処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the switch control process which a control part performs. 蓄電装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。5 is a timing chart for explaining the operation of the power storage device.

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源システム１の回路図である。電源システム１は、車両に好適に搭載されており、蓄電装置１０、イグニッションスイッチ１１、バッテリ１２及び負荷１３を備える。蓄電装置１０の一端はイグニッションスイッチ１１の一端に接続されており、イグニッションスイッチ１１の他端はバッテリ１２の正極に接続されている。蓄電装置１０の他端は負荷１３の一端に接続されている。バッテリ１２の負極と、負荷１３の他端とは接地されている。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings illustrating embodiments thereof.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a circuit diagram of a power supply system 1 according to the first embodiment. The power supply system 1 is suitably mounted on a vehicle, and includes a power storage device 10, an ignition switch 11, a battery 12, and a load 13. One end of the power storage device 10 is connected to one end of the ignition switch 11, and the other end of the ignition switch 11 is connected to the positive electrode of the battery 12. The other end of the power storage device 10 is connected to one end of the load 13. The negative electrode of the battery 12 and the other end of the load 13 are grounded.

イグニッションスイッチ１１がオンである場合、蓄電装置１０には、バッテリ１２から電力が供給され、蓄電装置１０は充電される。イグニッションスイッチ１１がオフである場合、バッテリ１２から蓄電装置１０に電力が供給されることはない。蓄電装置１０は、バッテリ１２から蓄えた電力を負荷１３に供給する。   When the ignition switch 11 is on, power is supplied to the power storage device 10 from the battery 12, and the power storage device 10 is charged. When the ignition switch 11 is off, power is not supplied from the battery 12 to the power storage device 10. The power storage device 10 supplies the power stored from the battery 12 to the load 13.

負荷１３は、車載機器、例えば、車両のドアのロック及びアンロックを行うドアロックモータである。負荷１３は、蓄電装置１０から供給された電力によって作動する。   The load 13 is an in-vehicle device, for example, a door lock motor that locks and unlocks the door of the vehicle. The load 13 is operated by electric power supplied from the power storage device 10.

蓄電装置１０は、Ｐチャネル型のＦＥＴ(Field Effect Transistor)２０、蓄電器２１、変圧回路２２、電圧検出回路２３、温度検出回路２４、制御回路２５、ダイオードＤ１、及び、３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を有する。ＦＥＴ２０のソースはイグニッションスイッチ１１の一端に接続されており、ＦＥＴ２０のドレインは抵抗Ｒ１の一端に接続されている。抵抗Ｒ１の他端は、蓄電器２１、変圧回路２２及び電圧検出回路２３に接続されている。蓄電器２１及び電圧検出回路２３夫々は接地されている。変圧回路２２は、更に、ダイオードＤ１のアノードに接続されている。ダイオードＤ１のカソードは負荷１３の一端に接続されている。   The power storage device 10 includes a P-channel FET (Field Effect Transistor) 20, a capacitor 21, a transformer circuit 22, a voltage detection circuit 23, a temperature detection circuit 24, a control circuit 25, a diode D1, and three resistors R1, R2, and so on. R3. The source of the FET 20 is connected to one end of the ignition switch 11, and the drain of the FET 20 is connected to one end of the resistor R1. The other end of the resistor R1 is connected to the battery 21, the transformer circuit 22, and the voltage detection circuit 23. Each of the battery 21 and the voltage detection circuit 23 is grounded. The transformer circuit 22 is further connected to the anode of the diode D1. The cathode of the diode D1 is connected to one end of the load 13.

変圧回路２２及びダイオードＤ１の接続ノードは、温度検出回路２４に接続されている。温度検出回路２４も接地されている。ＦＥＴ２０のソースには、更に抵抗Ｒ２の一端が接続されている。ＦＥＴ２０のゲートには、抵抗Ｒ２の他端と、抵抗Ｒ３の一端とが接続されている。制御回路２５は、ＦＥＴ２０のソースと、電圧検出回路２３と、温度検出回路２４と、抵抗Ｒ３の他端とに各別に接続されている。   A connection node between the transformer circuit 22 and the diode D1 is connected to the temperature detection circuit 24. The temperature detection circuit 24 is also grounded. One end of a resistor R2 is further connected to the source of the FET 20. The other end of the resistor R2 and one end of the resistor R3 are connected to the gate of the FET 20. The control circuit 25 is individually connected to the source of the FET 20, the voltage detection circuit 23, the temperature detection circuit 24, and the other end of the resistor R3.

ＦＥＴ２０はスイッチとして機能する。ＦＥＴ２０について、ソースの電位を基準としたゲートの電圧値が第１基準電圧値未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能となる。このとき、ＦＥＴ２０はオンである。ＦＥＴ２０について、ソースの電位を基準としたゲートの電圧値が第１基準電圧値以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。このとき、ＦＥＴ２０はオフである。第１基準電圧値はゼロボルト未満である。即ち、ＦＥＴ２０のソース及びゲートの電圧値がゼロボルトである場合、ＦＥＴ２０はオフである。
ＦＥＴ２０におけるゲートの電圧値は制御回路２５によって調整される。従って、ＦＥＴ２０は制御回路２５によってオン又はオフにされる。 The FET 20 functions as a switch. In the FET 20, when the gate voltage value with respect to the source potential is less than the first reference voltage value, a current can flow between the drain and the source. At this time, the FET 20 is on. In the FET 20, when the gate voltage value with respect to the source potential is equal to or higher than the first reference voltage value, no current flows between the drain and the source. At this time, the FET 20 is off. The first reference voltage value is less than zero volts. That is, when the voltage value of the source and gate of the FET 20 is zero volts, the FET 20 is off.
The voltage value of the gate of the FET 20 is adjusted by the control circuit 25. Accordingly, the FET 20 is turned on or off by the control circuit 25.

イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、ＦＥＴ２０がオンであるとき、バッテリ１２から入力された電力がＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に供給される。これにより、蓄電器２１は充電される。   When the ignition switch 11 is on and the FET 20 is on, the power input from the battery 12 is supplied to the battery 21 via the FET 20 and the resistor R1. Thereby, the battery 21 is charged.

蓄電器２１は３つのキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３を有する。３つのキャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３はこの順に直列に接続されている。蓄電器２１の一端は、キャパシタＣ１の一端であり、抵抗Ｒ１の他端に接続されている。蓄電器２１の他端は、キャパシタＣ３の一端であり、接地されている。   The battery 21 has three capacitors C1, C2, and C3. The three capacitors C1, C2, and C3 are connected in series in this order. One end of the capacitor 21 is one end of the capacitor C1, and is connected to the other end of the resistor R1. The other end of the capacitor 21 is one end of the capacitor C3 and is grounded.

バッテリ１２は、ＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して、電力を蓄電器２１に供給する。蓄電器２１は、バッテリ１２から供給された電力を蓄える。抵抗Ｒ１は、所謂、制限抵抗である。蓄電器２１の端子電圧値、即ち、キャパシタＣ１の一端における電圧値は、蓄電器２１に蓄えられている電力量が多い程高い。   The battery 12 supplies power to the battery 21 via the FET 20 and the resistor R1. The battery 21 stores the power supplied from the battery 12. The resistor R1 is a so-called limiting resistor. The terminal voltage value of the capacitor 21, that is, the voltage value at one end of the capacitor C1, is higher as the amount of power stored in the capacitor 21 is larger.

変圧回路２２は、蓄電器２１の端子電圧値が、予め設定されている下限電圧値未満である場合、動作を停止している。変圧回路２２は、蓄電器２１の端子電圧値が下限電圧値以上である場合、変圧回路２２は、蓄電器２１の端子電圧を一定の電圧に変圧し、変圧した電圧を、ダイオードＤ１を介して負荷１３に出力する。これにより、負荷１３には、蓄電器２１が蓄えた電力が供給される。変圧回路２２は、変圧した電圧を温度検出回路２４に出力する。これにより、一定の電圧が温度検出回路２４に印加される。   The transformer circuit 22 stops operating when the terminal voltage value of the capacitor 21 is less than a preset lower limit voltage value. When the terminal voltage value of the capacitor 21 is equal to or higher than the lower limit voltage value, the transformer circuit 22 transforms the terminal voltage of the capacitor 21 to a constant voltage, and converts the transformed voltage to the load 13 via the diode D1. Output to. As a result, the power stored in the battery 21 is supplied to the load 13. The transformer circuit 22 outputs the transformed voltage to the temperature detection circuit 24. As a result, a constant voltage is applied to the temperature detection circuit 24.

電圧検出回路２３は２つの抵抗Ｒ４，Ｒ５を有する。抵抗Ｒ４の一端は、蓄電器２１の一端に接続されている。抵抗Ｒ４の他端は抵抗Ｒ５の一端に接続されている。抵抗Ｒ５の他端は接地されている。抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続ノードは制御回路２５に接続されている。抵抗Ｒ４，Ｒ５は蓄電器２１の端子電圧を分圧する。抵抗Ｒ４，Ｒ５の分圧によって得られた電圧値Ｖｃは制御回路２５に出力される。抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続ノードから制御回路２５に出力される電圧値Ｖｃは、蓄電器２１の端子電圧値の第１定数分の１、例えば２分の１である。
蓄電器２１の端子電圧値の第１定数分の１である電圧値を出力することは、蓄電器２１の端子電圧値を検出することに相当する。 The voltage detection circuit 23 has two resistors R4 and R5. One end of the resistor R4 is connected to one end of the battery 21. The other end of the resistor R4 is connected to one end of the resistor R5. The other end of the resistor R5 is grounded. The connection node of the resistors R4 and R5 is connected to the control circuit 25. The resistors R4 and R5 divide the terminal voltage of the battery 21. The voltage value Vc obtained by dividing the resistances R4 and R5 is output to the control circuit 25. The voltage value Vc output from the connection node of the resistors R4 and R5 to the control circuit 25 is one-first constant, for example, half of the terminal voltage value of the battery 21.
Outputting a voltage value that is one-first constant of the terminal voltage value of the capacitor 21 corresponds to detecting the terminal voltage value of the capacitor 21.

温度検出回路２４は、サーミスタ３０と、３つの抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８を有する。サーミスタ３０及び抵抗Ｒ６夫々の一端は、変圧回路２２及びダイオードＤ１の接続ノードに接続されている。サーミスタ３０の他端は抵抗Ｒ７の一端に接続されている。抵抗Ｒ６，Ｒ７夫々の他端は、制御回路２５と、抵抗Ｒ８の一端とに接続されている。抵抗Ｒ８の他端は接地されている。   The temperature detection circuit 24 includes a thermistor 30 and three resistors R6, R7, and R8. One end of each of the thermistor 30 and the resistor R6 is connected to a connection node of the transformer circuit 22 and the diode D1. The other end of the thermistor 30 is connected to one end of the resistor R7. The other ends of the resistors R6 and R7 are connected to the control circuit 25 and one end of the resistor R8. The other end of the resistor R8 is grounded.

サーミスタ３０は抵抗Ｒ１の周辺に配置されている。サーミスタ３０の抵抗値は、サーミスタ３０の温度、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程小さい。サーミスタ３０と２つの抵抗Ｒ６，Ｒ７とは第１抵抗回路として機能する。サーミスタ３０の抵抗値は抵抗Ｒ１の周辺温度に応じて異なり、かつ、抵抗Ｒ６，Ｒ７夫々の抵抗値が一定であるため、第１抵抗回路の抵抗値も抵抗Ｒ１の周辺温度に応じて異なる。具体的には、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、第１抵抗回路の抵抗値は小さい。抵抗Ｒ８は第２抵抗回路として機能する。第２抵抗回路の抵抗値は、抵抗Ｒ８の抵抗値であり、一定である。   The thermistor 30 is arranged around the resistor R1. The resistance value of the thermistor 30 is smaller as the temperature of the thermistor 30, that is, the ambient temperature of the resistor R <b> 1 is higher. The thermistor 30 and the two resistors R6 and R7 function as a first resistance circuit. The resistance value of the thermistor 30 differs depending on the ambient temperature of the resistor R1, and since the resistance values of the resistors R6 and R7 are constant, the resistance value of the first resistance circuit also varies depending on the ambient temperature of the resistor R1. Specifically, the higher the ambient temperature of the resistor R1, the smaller the resistance value of the first resistor circuit. The resistor R8 functions as a second resistance circuit. The resistance value of the second resistance circuit is the resistance value of the resistor R8 and is constant.

温度検出回路２４では、第１抵抗回路及び第２抵抗回路は、変圧回路２２から出力された一定の電圧を分圧する。第１抵抗回路及び第２抵抗回路の分圧によって得られた電圧値Ｖａは、制御回路２５に出力される。電圧値Ｖａは分圧電圧値に相当する。
第１抵抗回路及び第２抵抗回路の接続ノードから制御回路２５に出力される電圧値Ｖａは、第１抵抗回路及び第２抵抗回路夫々の抵抗値の比によって決定される。第１抵抗回路の抵抗値と比較して第２抵抗回路の抵抗値が大きい程、電圧値Ｖａは高く、第１抵抗回路の抵抗値と比較して第２抵抗回路の抵抗値が小さい場合、電圧値Ｖａは低い。 In the temperature detection circuit 24, the first resistance circuit and the second resistance circuit divide the constant voltage output from the transformer circuit 22. The voltage value Va obtained by the voltage division of the first resistance circuit and the second resistance circuit is output to the control circuit 25. The voltage value Va corresponds to a divided voltage value.
The voltage value Va output from the connection node of the first resistance circuit and the second resistance circuit to the control circuit 25 is determined by the ratio of the resistance values of the first resistance circuit and the second resistance circuit. When the resistance value of the second resistance circuit is larger than the resistance value of the first resistance circuit, the voltage value Va is higher, and when the resistance value of the second resistance circuit is smaller than the resistance value of the first resistance circuit, The voltage value Va is low.

従って、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い場合、第１抵抗回路の抵抗値が小さいため、電圧値Ｖａは高い。また、抵抗Ｒ１の周辺温度が低い場合、第１抵抗回路の抵抗値が大きいため、電圧値Ｖａは低い。
抵抗Ｒ１の周辺温度に応じて異なる電圧値Ｖａを出力することは、抵抗の周辺温度を検出することに相当する。 Therefore, when the ambient temperature of the resistor R1 is high, the voltage value Va is high because the resistance value of the first resistor circuit is small. When the ambient temperature of the resistor R1 is low, the voltage value Va is low because the resistance value of the first resistor circuit is large.
Outputting a different voltage value Va according to the ambient temperature of the resistor R1 corresponds to detecting the ambient temperature of the resistor.

以上のように、温度検出回路２４は、変圧回路２２が負荷１３に出力する電圧を用いて抵抗Ｒ１の周辺温度を検出することができる。   As described above, the temperature detection circuit 24 can detect the ambient temperature of the resistor R1 using the voltage output from the transformer circuit 22 to the load 13.

制御回路２５は、ＦＥＴ２０のソースにおける電圧値と、電圧検出回路２３から入力される電圧値Ｖｃと、温度検出回路２４から入力される電圧値Ｖａとに基づいて、ＦＥＴ２０のゲートにおける電圧値を調整し、ＦＥＴ２０をオン又はオフにする。   The control circuit 25 adjusts the voltage value at the gate of the FET 20 based on the voltage value at the source of the FET 20, the voltage value Vc input from the voltage detection circuit 23, and the voltage value Va input from the temperature detection circuit 24. Then, the FET 20 is turned on or off.

図２は制御回路２５の回路図である。制御回路２５は、Ｎチャネル型のＦＥＴ４０、２つのコンパレータ４１，４２、２つのダイオードＤ２，Ｄ３及び２つの抵抗Ｒ９，Ｒ１０を有する。ＦＥＴ４０のドレインは抵抗Ｒ３の他端に接続されており、ＦＥＴ４０のソースは接地されている。ＦＥＴ４０のゲートは、ダイオードＤ２，Ｄ３夫々のアノードと、抵抗Ｒ９，Ｒ１０夫々の一端とに接続されている。抵抗Ｒ９の他端はＦＥＴ２０のソースに接続されている。抵抗Ｒ１０の他端は接地されている。   FIG. 2 is a circuit diagram of the control circuit 25. The control circuit 25 includes an N-channel FET 40, two comparators 41 and 42, two diodes D2 and D3, and two resistors R9 and R10. The drain of the FET 40 is connected to the other end of the resistor R3, and the source of the FET 40 is grounded. The gate of the FET 40 is connected to the anode of each of the diodes D2 and D3 and one end of each of the resistors R9 and R10. The other end of the resistor R9 is connected to the source of the FET 20. The other end of the resistor R10 is grounded.

ダイオードＤ２のカソードはコンパレータ４１の出力端子に接続されている。コンパレータ４１のプラス端子には、一定の電圧値Ｖｒ１が入力されている。コンパレータ４１のマイナス端子には、電圧検出回路２３から電圧値Ｖｃが入力されている。
ダイオードＤ３のカソードはコンパレータ４２の出力端子に接続されている。コンパレータ４２のプラス端子には、一定の電圧値Ｖｒ２が入力されている。コンパレータ４２のマイナス端子には、温度検出回路２４から電圧値Ｖａが入力されている。
２つのコンパレータ４１，４２夫々は接地されている。 The cathode of the diode D2 is connected to the output terminal of the comparator 41. A constant voltage value Vr <b> 1 is input to the plus terminal of the comparator 41. The voltage value Vc is input from the voltage detection circuit 23 to the negative terminal of the comparator 41.
The cathode of the diode D3 is connected to the output terminal of the comparator 42. A constant voltage value Vr <b> 2 is input to the plus terminal of the comparator 42. The voltage value Va is input from the temperature detection circuit 24 to the negative terminal of the comparator 42.
Each of the two comparators 41 and 42 is grounded.

ＦＥＴ４０もスイッチとして機能する。ＦＥＴ４０について、接地電位を基準としたゲートの電圧値が第２基準電圧値以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能である。このとき、ＦＥＴ４０はオンである。ＦＥＴ４０について、接地電位を基準としたゲートの電圧値が第２基準電圧値未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。このときＦＥＴ４０はオフである。   The FET 40 also functions as a switch. With respect to the FET 40, when the gate voltage value with respect to the ground potential is equal to or higher than the second reference voltage value, a current can flow between the drain and the source. At this time, the FET 40 is on. For the FET 40, when the gate voltage value with respect to the ground potential is less than the second reference voltage value, no current flows between the drain and the source. At this time, the FET 40 is off.

コンパレータ４１，４２夫々は、所謂シュミット回路であり、ヒステリシス特性を有する。
コンパレータ４１に関して、電圧値Ｖｃが、電圧値Ｖｒ１に一定の電圧値ΔＶ１を加えた電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となった場合、出力端子、即ち、ダイオードＤ２のカソードが接地される。電圧値Ｖｃが、電圧値Ｖｒ１から電圧値ΔＶ１を引いた電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）未満となった場合、コンパレータ４１の出力端子は開放される。電圧値ΔＶ１は正の値である。 Each of the comparators 41 and 42 is a so-called Schmitt circuit and has a hysteresis characteristic.
Regarding the comparator 41, when the voltage value Vc becomes equal to or higher than the voltage value (Vr1 + ΔV1) obtained by adding the constant voltage value ΔV1 to the voltage value Vr1, the output terminal, that is, the cathode of the diode D2 is grounded. When the voltage value Vc becomes less than the voltage value (Vr1−ΔV1) obtained by subtracting the voltage value ΔV1 from the voltage value Vr1, the output terminal of the comparator 41 is opened. The voltage value ΔV1 is a positive value.

コンパレータ４２に関して、電圧値Ｖａが、電圧値Ｖｒ２に一定の電圧値ΔＶ２を加えた電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）以上となった場合、出力端子、即ち、ダイオードＤ３のカソードが接地される。電圧値Ｖａが、電圧値Ｖｒ２から電圧値ΔＶ２を引いた電圧値（Ｖｒ２−ΔＶ２）未満となった場合、コンパレータ４２の出力端子は開放される。電圧値ΔＶ２は正の値である。   Regarding the comparator 42, when the voltage value Va becomes equal to or higher than the voltage value (Vr2 + ΔV2) obtained by adding the constant voltage value ΔV2 to the voltage value Vr2, the output terminal, that is, the cathode of the diode D3 is grounded. When the voltage value Va becomes less than the voltage value (Vr2−ΔV2) obtained by subtracting the voltage value ΔV2 from the voltage value Vr2, the output terminal of the comparator 42 is opened. The voltage value ΔV2 is a positive value.

イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、コンパレータ４１，４２夫々が出力端子を開放しているとき、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧する。抵抗Ｒ９，Ｒ１０の分圧によって得られた電圧値は、バッテリ１２の出力電圧値Ｖｂの第２定数分の１、例えば２分の１であり、ＦＥＴ４０のゲートに出力される。バッテリ１２の出力電圧値Ｖｂの第２定数分の１は第２基準電圧値以上である。このため、抵抗Ｒ９，Ｒ１０がバッテリ１２の出力電圧を分圧している間、ＦＥＴ４０はオンである。   When the ignition switch 11 is on, the resistors R9 and R10 divide the output voltage of the battery 12 when the comparators 41 and 42 open the output terminals. The voltage value obtained by dividing the resistances R9 and R10 is a second constant, for example, a half of the output voltage value Vb of the battery 12, and is output to the gate of the FET 40. One second constant of the output voltage value Vb of the battery 12 is greater than or equal to the second reference voltage value. For this reason, the FET 40 is ON while the resistors R9 and R10 divide the output voltage of the battery 12.

イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、コンパレータ４１，４２の少なくとも一方が出力端子を接地しているとき、電流は、バッテリ１２の正極から、抵抗Ｒ９を介して、ダイオードＤ２，Ｄ３の少なくとも一方に流れる。このとき、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値は、ダイオードＤ２，Ｄ３のいずれか一方の順方向電圧値であり、例えば、０．７ボルトである。第２基準電圧値は、ダイオードＤ２，Ｄ３のいずれの順方向電圧値よりも高い。このため、イグニッションスイッチ１１がオンである場合において、コンパレータ４１，４２の少なくとも一方が出力端子を接地しているとき、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値は第２基準電圧値未満であり、ＦＥＴ４０はオフである。   When the ignition switch 11 is on, when at least one of the comparators 41 and 42 has the output terminal grounded, the current flows from the positive electrode of the battery 12 to at least one of the diodes D2 and D3 via the resistor R9. Flowing. At this time, the voltage value of the gate of the FET 40 with respect to the ground potential is the forward voltage value of one of the diodes D2 and D3, for example, 0.7 volts. The second reference voltage value is higher than any forward voltage value of the diodes D2 and D3. For this reason, when the ignition switch 11 is on and at least one of the comparators 41 and 42 has the output terminal grounded, the voltage value of the gate of the FET 40 with respect to the ground potential is less than the second reference voltage value. Yes, FET 40 is off.

イグニッションスイッチ１１がオフである場合、ダイオードＤ１，Ｄ２及び抵抗Ｒ９，Ｒ１０のいずれにも電流が流れないため、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値はゼロボルトである。第２基準電圧値はゼロボルトよりも高い。このため、イグニッションスイッチ１１がオフである場合、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値は第２基準電圧値未満であり、ＦＥＴ４０はオフである。   When the ignition switch 11 is off, no current flows through any of the diodes D1 and D2 and the resistors R9 and R10. Therefore, the voltage value of the gate of the FET 40 with respect to the ground potential is zero volts. The second reference voltage value is higher than zero volts. For this reason, when the ignition switch 11 is OFF, the voltage value of the gate of the FET 40 with respect to the ground potential is less than the second reference voltage value, and the FET 40 is OFF.

ＦＥＴ４０がオンである場合、前述したように、イグニッションスイッチ１１はオンであるため、バッテリ１２の正極から、電流が、抵抗Ｒ２，Ｒ３及びＦＥＴ４０の順に流れる。このとき、抵抗Ｒ２によって電圧降下が生じ、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値は第１基準電圧値未満であり、ＦＥＴ２０はオンである。
以上のように、ＦＥＴ４０がオンである場合、ＦＥＴ２０もオンである。 When the FET 40 is on, as described above, since the ignition switch 11 is on, current flows from the positive electrode of the battery 12 in the order of the resistors R2 and R3 and the FET 40. At this time, a voltage drop is caused by the resistor R2, the voltage value of the gate of the FET 20 with respect to the potential of the source of the FET 20 is less than the first reference voltage value, and the FET 20 is on.
As described above, when the FET 40 is on, the FET 20 is also on.

ＦＥＴ４０がオフである場合、抵抗Ｒ２に電流が流れることはないため、ＦＥＴ２０のソース及びゲート夫々の電位は同じであり、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値はゼロボルトである。前述したように、第１基準電圧値はゼロボルト未満であるため、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値がゼロボルトである場合、この電圧値は第１基準電圧値以上であり、ＦＥＴ２０はオフである。
以上のように、ＦＥＴ４０がオフである場合、ＦＥＴ２０もオフである。 When the FET 40 is off, no current flows through the resistor R2, so the potential of the source and the gate of the FET 20 is the same, and the voltage value of the gate of the FET 20 with respect to the potential of the source of the FET 20 is zero volts. . As described above, since the first reference voltage value is less than zero volts, when the voltage value of the gate of the FET 20 with reference to the potential of the source of the FET 20 is zero volts, the voltage value is equal to or higher than the first reference voltage value. FET 20 is off.
As described above, when the FET 40 is off, the FET 20 is also off.

図３は蓄電装置１０の動作を説明するためのタイミングチャートである。図３には、ＦＥＴ４０，２０夫々のオン及びオフの推移と、電圧値Ｖｃ，Ｖａ夫々の推移とが示されている。   FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the power storage device 10. FIG. 3 shows ON and OFF transitions of the FETs 40 and 20 and transitions of the voltage values Vc and Va, respectively.

以下では、端子電圧値がゼロボルトであって変圧回路２２の下限電圧値未満である蓄電器２１の充電を説明する。
蓄電器２１の充電の説明を簡単にするため、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）である場合における蓄電器２１の端子電圧値を上側閾値と記載し、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）である場合における蓄電器２１の端子電圧値を下側閾値と記載する。また、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度を上側温度と記載し、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２−ΔＶ２）である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度を下側温度と記載する。電圧値ΔＶ１は正の値であるため、下側閾値は上側閾値未満である。電圧値ΔＶ２も正の値であるため、下側温度は上側温度未満である。 Hereinafter, charging of the battery 21 having a terminal voltage value of zero volts and less than the lower limit voltage value of the transformer circuit 22 will be described.
In order to simplify the description of the charging of the battery 21, the terminal voltage value of the battery 21 when the voltage value Vc is the voltage value (Vr1 + ΔV1) is described as the upper threshold, and the voltage value Vc is the voltage value (Vr1−ΔV1). The terminal voltage value of the battery 21 in a certain case is described as a lower threshold value. Further, the ambient temperature of the resistor R1 when the voltage value Va is the voltage value (Vr2 + ΔV2) is described as the upper temperature, and the ambient temperature of the resistor R1 when the voltage value Va is the voltage value (Vr2−ΔV2) is the lower side. It is written as temperature. Since the voltage value ΔV1 is a positive value, the lower threshold value is less than the upper threshold value. Since the voltage value ΔV2 is also a positive value, the lower temperature is lower than the upper temperature.

イグニッションスイッチ１１がオフである場合、前述したように、ＦＥＴ４０がオフであるため、ＦＥＴ２０がオフであり、抵抗Ｒ１に電流が流れることはない。ＦＥＴ２０がオフである場合、ＦＥＴ２０のドレインにおける電圧値Ｖｄは、蓄電器２１の端子電圧値に一致し、電圧値Ｖｃと同様に推移する。   When the ignition switch 11 is off, as described above, since the FET 40 is off, the FET 20 is off and no current flows through the resistor R1. When the FET 20 is off, the voltage value Vd at the drain of the FET 20 matches the terminal voltage value of the capacitor 21 and changes in the same manner as the voltage value Vc.

イグニッションスイッチ１１がオンとなった時点において、蓄電器２１の端子電圧値が下限電圧値未満であるため、変圧回路２２は作動していない。このため、電圧値Ｖａは、ゼロボルトであり、電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）未満である。更に、イグニッションスイッチ１１がオンとなった時点では、電圧値Ｖｃもゼロボルトであり、電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）よりも低い。従って、コンパレータ４１，４２夫々は出力端子を開放している。   At the time when the ignition switch 11 is turned on, since the terminal voltage value of the battery 21 is less than the lower limit voltage value, the transformer circuit 22 is not operating. For this reason, the voltage value Va is zero volts, which is less than the voltage value (Vr2 + ΔV2). Furthermore, when the ignition switch 11 is turned on, the voltage value Vc is also zero volts, which is lower than the voltage value (Vr1 + ΔV1). Therefore, each of the comparators 41 and 42 opens the output terminal.

以上のことから、イグニッションスイッチ１１がオンとなった時点では、コンパレータ４１，４２夫々は出力端子を開放しているので、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧し、ＦＥＴ４０，２０が順次オンとなる。ＦＥＴ２０がオンになった場合、電流がバッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れ、電圧値Ｖｄがバッテリ１２の出力電圧値Ｖｂに上昇し、蓄電器２１が充電される。蓄電器２１に蓄えている電力量が増加するにつれて、蓄電器２１の端子電圧値が上昇し、電圧値Ｖｃも上昇する。   From the above, when the ignition switch 11 is turned on, each of the comparators 41 and 42 opens the output terminal, so that the resistors R9 and R10 divide the output voltage of the battery 12, and the FETs 40 and 20 sequentially. Turn on. When the FET 20 is turned on, current flows from the positive electrode of the battery 12 to the battery 21 via the FET 20 and the resistor R1, the voltage value Vd rises to the output voltage value Vb of the battery 12, and the battery 21 is charged. As the amount of power stored in the capacitor 21 increases, the terminal voltage value of the capacitor 21 increases and the voltage value Vc also increases.

また、電流がバッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れている場合、抵抗Ｒ１が発熱する。これにより、抵抗Ｒ１の周辺温度が上昇し、サーミスタ３０の抵抗値が低下する。   When current flows from the positive electrode of the battery 12 to the battery 21 via the FET 20 and the resistor R1, the resistor R1 generates heat. As a result, the ambient temperature of the resistor R1 increases, and the resistance value of the thermistor 30 decreases.

蓄電器２１の充電によって、蓄電器２１の端子電圧値が下限電圧値以上となった場合、変圧回路２２が作動し、変圧回路２２は一定の電圧を温度検出回路２４に出力する。これにより、電圧値Ｖａがゼロボルトを超える。電圧値Ｖａは、前述したように、サーミスタ３０の抵抗値が小さい程、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、高い。   When the terminal voltage value of the capacitor 21 becomes equal to or greater than the lower limit voltage value due to the charging of the capacitor 21, the transformer circuit 22 operates, and the transformer circuit 22 outputs a constant voltage to the temperature detection circuit 24. As a result, the voltage value Va exceeds zero volts. As described above, the voltage value Va is higher as the resistance value of the thermistor 30 is smaller, that is, as the ambient temperature of the resistor R1 is higher.

電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）未満である場合において、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）未満である間、ＦＥＴ２０はオンであり、電圧値Ｖｄはバッテリ１２の出力電圧値Ｖｂである。このため、蓄電器２１は充電され、電圧値Ｖｃは上昇する。バッテリ１２の出力電圧値Ｖｂは上側閾値を超えている。   When the voltage value Vc is less than the voltage value (Vr1 + ΔV1), the FET 20 is on and the voltage value Vd is the output voltage value Vb of the battery 12 while the voltage value Va is less than the voltage value (Vr2 + ΔV2). For this reason, the battery 21 is charged, and the voltage value Vc increases. The output voltage value Vb of the battery 12 exceeds the upper threshold value.

蓄電器２１が充電されている間、抵抗Ｒ１に電流が流れるため、抵抗Ｒ１の周辺温度が上昇し、電圧値Ｖａも上昇する。電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２＋ΔＶ２）以上となった場合、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上となった場合、コンパレータ４２は出力端子を接地する。これにより、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値がダイオードＤ３の順方向電圧値となって、ＦＥＴ４０，２０が順次オフとなる。ＦＥＴ２０のオフにより、バッテリ１２から蓄電器２１への電力の供給が停止する。
以上のように、制御回路２５は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周囲温度、即ち、電圧値Ｖａが示す抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合、ＦＥＴ２０をオフにする。上側温度は第１温度に相当する。 Since the current flows through the resistor R1 while the battery 21 is being charged, the ambient temperature of the resistor R1 rises and the voltage value Va also rises. When the voltage value Va becomes equal to or higher than the voltage value (Vr2 + ΔV2), that is, when the ambient temperature of the resistor R1 becomes equal to or higher than the upper temperature, the comparator 42 grounds the output terminal. As a result, the voltage value of the gate of the FET 40 with respect to the ground potential becomes the forward voltage value of the diode D3, and the FETs 40 and 20 are sequentially turned off. The supply of electric power from the battery 12 to the battery 21 is stopped by turning off the FET 20.
As described above, the control circuit 25 turns off the FET 20 when the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24, that is, the ambient temperature of the resistor R1 indicated by the voltage value Va is equal to or higher than the upper temperature. The upper temperature corresponds to the first temperature.

ＦＥＴ２０がオフである場合において、負荷１３が作動していないとき、蓄電器２１が放出する電力量は少ないため、蓄電器２１の端子電圧値は略一定である。更に、ＦＥＴ２０がオフである場合、電流がバッテリ１２から抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１へ流れないため、抵抗Ｒ１は発熱せず、抵抗Ｒ１の周辺温度は低下する。抵抗Ｒ１の周辺温度が低下した場合、サーミスタ３０の抵抗値が上昇するため、電圧値Ｖａは低下する。   When the FET 20 is off, when the load 13 is not operating, the amount of power released by the capacitor 21 is small, so the terminal voltage value of the capacitor 21 is substantially constant. Furthermore, when the FET 20 is off, no current flows from the battery 12 to the battery 21 via the resistor R1, so the resistor R1 does not generate heat and the ambient temperature of the resistor R1 decreases. When the ambient temperature of the resistor R1 decreases, the resistance value of the thermistor 30 increases, and the voltage value Va decreases.

電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）未満である場合において、電圧値Ｖａが電圧値（Ｖｒ２−ΔＶ２）未満となったとき、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満となったとき、コンパレータ４２は出力端子を再び開放する。このとき、コンパレータ４１の出力端子は開放されているため、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧し、ＦＥＴ４０，２０は順次オンとなる。ＦＥＴ２０のオンにより、バッテリ１２からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して、再び、蓄電器２１に電力が供給され、蓄電器２１が充電される。   When the voltage value Vc is less than the voltage value (Vr1 + ΔV1), when the voltage value Va becomes less than the voltage value (Vr2−ΔV2), that is, when the ambient temperature of the resistor R1 becomes less than the lower temperature, the comparator 42 opens the output terminal again. At this time, since the output terminal of the comparator 41 is open, the resistors R9 and R10 divide the output voltage of the battery 12, and the FETs 40 and 20 are sequentially turned on. When the FET 20 is turned on, power is again supplied from the battery 12 to the battery 21 via the FET 20 and the resistor R1, and the battery 21 is charged.

以上のように、制御回路２５は、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）未満である場合において、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度、即ち、電圧値Ｖａが示す抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満であるときにＦＥＴ２０をオンにする。下側温度は第２温度に相当し、制御回路２５はスイッチ制御部として機能する。
前述したように、下側温度は上側温度未満であるため、ＦＥＴ２０，４０のオン及びオフが頻繁に切替わることはなく、ＦＥＴ２０，４０から発生するスイッチングノイズは小さい。 As described above, when the voltage value Vc is less than the voltage value (Vr1 + ΔV1), the control circuit 25 detects the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24, that is, the ambient temperature of the resistor R1 indicated by the voltage value Va. FET 20 is turned on when is below the lower temperature. The lower temperature corresponds to the second temperature, and the control circuit 25 functions as a switch control unit.
As described above, since the lower temperature is lower than the upper temperature, the FETs 20 and 40 are not frequently turned on and off, and the switching noise generated from the FETs 20 and 40 is small.

以上のように、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となるまで、即ち、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となるまで、ＦＥＴ２０のオン及びオフの切替えを繰り返し、蓄電器２１を充電する。
蓄電装置１０では、制御回路２５は、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度未満となるように、ＦＥＴ２０のオン及びオフを制御するため、抵抗Ｒ１の抵抗値は小さくてもよい。抵抗Ｒ１の抵抗値が小さい場合、大きな電流が、バッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れるので、制御回路２５は、蓄電器２１を素早く充電することができる。従って、イグニッションスイッチ１１がオンとなって蓄電器２１の充電を開始してから、短時間で負荷１３を作動させることができる。 As described above, until the voltage value Vc becomes equal to or higher than the voltage value (Vr1 + ΔV1), that is, until the terminal voltage value of the capacitor 21 becomes equal to or higher than the upper threshold, the FET 20 is repeatedly switched on and off to charge the capacitor 21. .
In the power storage device 10, the control circuit 25 controls the on / off of the FET 20 so that the ambient temperature of the resistor R1 is lower than the upper temperature, so that the resistance value of the resistor R1 may be small. When the resistance value of the resistor R1 is small, a large current flows from the positive electrode of the battery 12 to the capacitor 21 via the FET 20 and the resistor R1, so that the control circuit 25 can charge the capacitor 21 quickly. Therefore, after the ignition switch 11 is turned on and charging of the battery 21 is started, the load 13 can be operated in a short time.

電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となった場合、コンパレータ４１は出力端子を接地する。これにより、接地電位を基準としたＦＥＴ４０のゲートの電圧値はダイオードＤ２の順方向電圧値となり、ＦＥＴ４０，２０は順次オフとなる。この後、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）未満となるまで、ＦＥＴ２０，４０のオフが維持される。   When the voltage value Vc becomes equal to or higher than the voltage value (Vr1 + ΔV1), the comparator 41 grounds the output terminal. As a result, the voltage value of the gate of the FET 40 with respect to the ground potential becomes the forward voltage value of the diode D2, and the FETs 40 and 20 are sequentially turned off. Thereafter, the FETs 20 and 40 are kept off until the voltage value Vc becomes less than the voltage value (Vr1−ΔV1).

電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１）以上となってＦＥＴ４０がオフに維持された後に負荷１３が作動した場合、蓄電器２１は放電し、蓄電器２１の端子電圧値、即ち、電圧値Ｖｃは低下する。
なお、負荷１３が作動されない場合であっても、蓄電器２１の端子電圧値は自然放電によって徐々に低下する。 When the load 13 is operated after the voltage value Vc becomes equal to or higher than the voltage value (Vr1 + ΔV1) and the FET 40 is kept off, the capacitor 21 is discharged, and the terminal voltage value of the capacitor 21, that is, the voltage value Vc decreases.
Even when the load 13 is not operated, the terminal voltage value of the battery 21 gradually decreases due to spontaneous discharge.

その後、蓄電器２１の端子電圧値が下限閾値未満となって、電圧値Ｖｃが電圧値（Ｖｒ１−ΔＶ１）未満となった場合、コンパレータ４１は出力端子を再び開放し、ＦＥＴ４０のオフの維持が解除される。このとき、コンパレータ４２の出力端子は開放されているため、抵抗Ｒ９，Ｒ１０はバッテリ１２の出力電圧を分圧し、ＦＥＴ４０，２０は順次オンとなる。ＦＥＴ２０のオンにより、バッテリ１２からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して、再び、蓄電器２１に電力が供給され、蓄電器２１が充電される。   Thereafter, when the terminal voltage value of the capacitor 21 becomes less than the lower limit threshold value and the voltage value Vc becomes less than the voltage value (Vr1-ΔV1), the comparator 41 opens the output terminal again, and the FET 40 is no longer maintained off. Is done. At this time, since the output terminal of the comparator 42 is open, the resistors R9 and R10 divide the output voltage of the battery 12, and the FETs 40 and 20 are sequentially turned on. When the FET 20 is turned on, power is again supplied from the battery 12 to the battery 21 via the FET 20 and the resistor R1, and the battery 21 is charged.

以上のように、制御回路２５は、温度検出回路２４が検出した周囲温度が上側温度以上であるか、又は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値、即ち、電圧値Ｖｃが示す蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上である場合、ＦＥＴ２０をオフにする。
このため、抵抗Ｒ１周辺の温度が上側温度未満に保持されると共に、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値未満に保持される。 As described above, the control circuit 25 indicates that the ambient temperature detected by the temperature detection circuit 24 is equal to or higher than the upper temperature, or the terminal voltage value of the battery 21 detected by the voltage detection circuit 23, that is, the voltage value Vc. When the terminal voltage value of the capacitor 21 is equal to or higher than the upper threshold value, the FET 20 is turned off.
For this reason, the temperature around the resistor R1 is held below the upper temperature, and the terminal voltage value of the capacitor 21 is held below the upper threshold.

また、制御回路２５は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度に無関係に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまで、ＦＥＴ２０のオフを維持する。
下側閾値は上側閾値未満であるため、ＦＥＴ２０，４０のオン及びオフが切替わる頻度が更に少なく、ＦＥＴ２０，４０から発生するスイッチングノイズは更に小さい。上側閾値は電圧閾値に相当し、下側閾値は第２の電圧閾値に相当する。 In addition, when the terminal voltage value of the battery 21 detected by the voltage detection circuit 23 is equal to or higher than the upper threshold value, the control circuit 25 determines whether the voltage detection circuit 23 is independent of the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24. The FET 20 is kept off until the detected terminal voltage value of the capacitor 21 becomes less than the lower threshold value.
Since the lower threshold value is less than the upper threshold value, the frequency at which the FETs 20 and 40 are turned on and off is further reduced, and the switching noise generated from the FETs 20 and 40 is even smaller. The upper threshold corresponds to a voltage threshold, and the lower threshold corresponds to a second voltage threshold.

（実施の形態２）
実施の形態１では、電圧値Ｖａ，Ｖｃに基づいてＦＥＴ２０をオン又はオフにする構成は、制御回路２５によって実現されている。しかしながら、電圧値Ｖａ，Ｖｃに基づいてＦＥＴ２０をオン又はオフにする構成はマイクロコンピュータ（以下では、マイコンと記載）によって実現されてもよい。 (Embodiment 2)
In the first embodiment, the control circuit 25 realizes the configuration for turning the FET 20 on or off based on the voltage values Va and Vc. However, the configuration in which the FET 20 is turned on or off based on the voltage values Va and Vc may be realized by a microcomputer (hereinafter referred to as a microcomputer).

以下では、実施の形態２について実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については実施の形態１と同様であるため、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。   In the following, the differences between the second embodiment and the first embodiment will be described. Since the other configuration except the configuration to be described later is the same as that of the first embodiment, the same reference numerals are given and detailed description thereof is omitted.

図４は実施の形態２における電源システム５の回路図である。電源システム５は、実施の形態１における電源システム１と同様に、車両に好適に搭載されている。電源システム５は、イグニッションスイッチ１１、バッテリ１２、負荷１３及び蓄電装置５０を備える。これらは実施の形態１と同様に接続されている。従って、蓄電装置５０の一端はイグニッションスイッチ１１の一端に接続されており、イグニッションスイッチ１１の他端はバッテリ１２の正極に接続されている。蓄電装置５０の他端は負荷１３の一端に接続されている。バッテリ１２の負極と、負荷１３の他端とは接地されている。蓄電装置５０は、実施の形態１における蓄電装置１０と同様に作用する。   FIG. 4 is a circuit diagram of the power supply system 5 in the second embodiment. The power supply system 5 is suitably mounted on the vehicle, similar to the power supply system 1 in the first embodiment. The power supply system 5 includes an ignition switch 11, a battery 12, a load 13, and a power storage device 50. These are connected in the same manner as in the first embodiment. Therefore, one end of the power storage device 50 is connected to one end of the ignition switch 11, and the other end of the ignition switch 11 is connected to the positive electrode of the battery 12. The other end of the power storage device 50 is connected to one end of the load 13. The negative electrode of the battery 12 and the other end of the load 13 are grounded. Power storage device 50 operates in the same manner as power storage device 10 in the first embodiment.

蓄電装置５０は、蓄電装置１０と同様に、ＦＥＴ２０、蓄電器２１、変圧回路２２、電圧検出回路２３、温度検出回路２４、ダイオードＤ１、及び、３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を有する。蓄電装置５０は、更に、レギュレータ６０及びマイコン６１を有する。   Similar to the power storage device 10, the power storage device 50 includes an FET 20, a capacitor 21, a transformer circuit 22, a voltage detection circuit 23, a temperature detection circuit 24, a diode D1, and three resistors R1, R2, and R3. The power storage device 50 further includes a regulator 60 and a microcomputer 61.

ＦＥＴ２０、蓄電器２１、変圧回路２２、電圧検出回路２３、ダイオードＤ１、及び、３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は実施の形態１と同様に接続されている。レギュレータ６０の一端は、ＦＥＴ２０のソースに接続されている。レギュレータ６０の他端は、温度検出回路２４のサーミスタ３０及び抵抗Ｒ６の接続ノードと、マイコン６１とに接続されている。マイコン６１は、実施の形態１における制御回路２５と同様に、電圧検出回路２３、温度検出回路２４及び抵抗Ｒ３に接続されている。   The FET 20, the capacitor 21, the transformer circuit 22, the voltage detection circuit 23, the diode D1, and the three resistors R1, R2, and R3 are connected in the same manner as in the first embodiment. One end of the regulator 60 is connected to the source of the FET 20. The other end of the regulator 60 is connected to the connection node of the thermistor 30 and the resistor R 6 of the temperature detection circuit 24 and the microcomputer 61. The microcomputer 61 is connected to the voltage detection circuit 23, the temperature detection circuit 24, and the resistor R3, similarly to the control circuit 25 in the first embodiment.

レギュレータ６０は、イグニッションスイッチ１１がオンである場合、バッテリ１２の出力電圧、例えば１２ボルトを一定の電圧、例えば５ボルトに調整し、調整した電圧を温度検出回路２４及びマイコン６１に出力する。   When the ignition switch 11 is on, the regulator 60 adjusts the output voltage of the battery 12, for example, 12 volts to a constant voltage, for example, 5 volts, and outputs the adjusted voltage to the temperature detection circuit 24 and the microcomputer 61.

温度検出回路２４では、実施の形態１と同様に、サーミスタ３０及び抵抗Ｒ６，Ｒ７は第１抵抗回路として機能し、抵抗Ｒ８は第２抵抗回路として機能する。第１抵抗回路及び第２抵抗回路は、レギュレータ６０から出力された一定の電圧を分圧する。これにより、実施の形態１と同様の電圧値Ｖａがマイコン６１に出力される。   In the temperature detection circuit 24, the thermistor 30 and the resistors R6 and R7 function as a first resistance circuit, and the resistor R8 functions as a second resistance circuit, as in the first embodiment. The first resistance circuit and the second resistance circuit divide the constant voltage output from the regulator 60. As a result, the same voltage value Va as in the first embodiment is output to the microcomputer 61.

電圧検出回路２３においても、実施の形態１と同様に、抵抗Ｒ４，Ｒ５は蓄電器２１の端子電圧を分圧する。これにより、実施の形態１と同様の電圧値Ｖｃがマイコン６１に出力される。
電圧検出回路２３及び温度検出回路２４夫々から出力される電圧値Ｖｃ及び電圧値Ｖａはアナログ値である。 Also in the voltage detection circuit 23, the resistors R4 and R5 divide the terminal voltage of the capacitor 21 as in the first embodiment. As a result, the same voltage value Vc as in the first embodiment is output to the microcomputer 61.
The voltage value Vc and the voltage value Va output from the voltage detection circuit 23 and the temperature detection circuit 24 are analog values.

レギュレータ６０からマイコン６１に一定の電圧が印加された場合、マイコン６１に電力が供給され、マイコン６１は起動する。マイコン６１は、電圧検出回路２３及び温度検出回路２４から入力される電圧値Ｖｃ及び電圧値Ｖａに基づいて、ＦＥＴ２０のゲートにおける電圧値を調整し、ＦＥＴ２０をオン又はオフにする。   When a constant voltage is applied from the regulator 60 to the microcomputer 61, power is supplied to the microcomputer 61 and the microcomputer 61 is activated. The microcomputer 61 adjusts the voltage value at the gate of the FET 20 based on the voltage value Vc and the voltage value Va input from the voltage detection circuit 23 and the temperature detection circuit 24, and turns the FET 20 on or off.

図５はマイコン６１の要部構成を示すブロック図である。マイコン６１は、入力部７０，７１、Ａ(Analog)／Ｄ(digital)変換部７２，７３、出力部７４、記憶部７５及び制御部７６を有する。Ａ／Ｄ変換部７２，７３、出力部７４、記憶部７５及び制御部７６はバス７７に接続されている。Ａ／Ｄ変換部７２，７３夫々には、バス７７の他に、入力部７０，７１が接続されている。入力部７０は、更に、温度検出回路２４の抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８の接続ノードに接続されている。入力部７１は、更に、電圧検出回路２３の抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続ノードに接続されている。出力部７４は、一端がＦＥＴ２０のゲートに接続されている抵抗Ｒ３の他端に接続されている。出力部７４は更に接地されている。   FIG. 5 is a block diagram showing a main configuration of the microcomputer 61. The microcomputer 61 includes input units 70 and 71, A (Analog) / D (digital) conversion units 72 and 73, an output unit 74, a storage unit 75, and a control unit 76. The A / D conversion units 72 and 73, the output unit 74, the storage unit 75, and the control unit 76 are connected to the bus 77. In addition to the bus 77, input units 70 and 71 are connected to the A / D conversion units 72 and 73, respectively. The input unit 70 is further connected to a connection node of the resistors R6, R7, and R8 of the temperature detection circuit 24. The input unit 71 is further connected to a connection node of the resistors R4 and R5 of the voltage detection circuit 23. One end of the output unit 74 is connected to the other end of the resistor R3 connected to the gate of the FET 20. The output unit 74 is further grounded.

入力部７０には、温度検出回路２４からアナログの電圧値Ｖａが入力される。入力部７０は、入力された電圧値ＶａをＡ／Ｄ変換部７２に出力する。Ａ／Ｄ変換部７２は、入力部７０から入力されたアナログの電圧値Ｖａをデジタルの電圧値Ｖａに変換する。Ａ／Ｄ変換部７２が変換したデジタルの電圧値Ｖａは、制御部７６によって、Ａ／Ｄ変換部７２から取得される。   An analog voltage value Va is input from the temperature detection circuit 24 to the input unit 70. The input unit 70 outputs the input voltage value Va to the A / D conversion unit 72. The A / D converter 72 converts the analog voltage value Va input from the input unit 70 into a digital voltage value Va. The digital voltage value Va converted by the A / D conversion unit 72 is acquired from the A / D conversion unit 72 by the control unit 76.

同様に、入力部７１には、電圧検出回路２３からアナログの電圧値Ｖｃが入力される。入力部７１は、入力された電圧値ＶｃをＡ／Ｄ変換部７３に出力する。Ａ／Ｄ変換部７３は、入力部７１から入力されたアナログの電圧値Ｖｃをデジタルの電圧値Ｖｃに変換する。Ａ／Ｄ変換部７３が変換したデジタルの電圧値Ｖｃは、制御部７６によって、Ａ／Ｄ変換部７３から取得される。   Similarly, an analog voltage value Vc is input from the voltage detection circuit 23 to the input unit 71. The input unit 71 outputs the input voltage value Vc to the A / D conversion unit 73. The A / D converter 73 converts the analog voltage value Vc input from the input unit 71 into a digital voltage value Vc. The digital voltage value Vc converted by the A / D conversion unit 73 is acquired from the A / D conversion unit 73 by the control unit 76.

出力部７４は、制御部７６の指示に従って、抵抗Ｒ３の他端の開放及び接地を行う。マイコン６１がバッテリ１２からレギュレータ６０を介して給電されている場合において、制御部７６は出力部７４に抵抗Ｒ３の他端の開放及び接地を指示する。従って、出力部７４は、イグニッションスイッチ１１がオンである状態で抵抗Ｒ３の他端の開放及び接地を行う。   The output unit 74 opens and grounds the other end of the resistor R3 in accordance with an instruction from the control unit 76. When the microcomputer 61 is supplied with power from the battery 12 via the regulator 60, the control unit 76 instructs the output unit 74 to open and ground the other end of the resistor R3. Therefore, the output unit 74 opens and grounds the other end of the resistor R3 in a state where the ignition switch 11 is on.

出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を開放している場合、抵抗Ｒ２に電流が流れることはないため、ＦＥＴ２０のソース及びゲート夫々の電位は同じであり、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値はゼロボルトである。実施の形態１で述べたように、第１基準電圧値はゼロボルト未満であるため、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値がゼロボルトである場合、この電圧値は第１基準電圧値以上であり、ＦＥＴ２０はオフである。   When the output unit 74 opens the other end of the resistor R3, no current flows through the resistor R2. Therefore, the potentials of the source and gate of the FET 20 are the same, and the FET 20 with reference to the potential of the source of the FET 20 is used. The gate voltage value is zero volts. As described in the first embodiment, since the first reference voltage value is less than zero volts, when the voltage value of the gate of the FET 20 with reference to the potential of the source of the FET 20 is zero volts, the voltage value is the first reference voltage value. More than the voltage value, FET20 is off.

出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を接地した場合、バッテリ１２の正極から、電流が、抵抗Ｒ２，Ｒ３及び出力部７４の順に流れる。このとき、抵抗Ｒ２によって電圧降下が生じ、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値は第１基準電圧値未満であり、ＦＥＴ２０はオンである。
イグニッションスイッチ１１がオフである場合、抵抗Ｒ２に電流が流れることはないため、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値はゼロボルトである。このとき、ＦＥＴ２０のソースの電位を基準としたＦＥＴ２０のゲートの電圧値は第１基準電圧値以上であり、ＦＥＴ２０はオフである。 When the output unit 74 grounds the other end of the resistor R3, current flows from the positive electrode of the battery 12 in the order of the resistors R2 and R3 and the output unit 74. At this time, a voltage drop is caused by the resistor R2, the voltage value of the gate of the FET 20 with respect to the potential of the source of the FET 20 is less than the first reference voltage value, and the FET 20 is on.
When the ignition switch 11 is off, no current flows through the resistor R2, and therefore the voltage value of the gate of the FET 20 with reference to the potential of the source of the FET 20 is zero volts. At this time, the voltage value of the gate of the FET 20 based on the potential of the source of the FET 20 is equal to or higher than the first reference voltage value, and the FET 20 is off.

記憶部７５は、不揮発性のメモリであり、記憶部７５には制御プログラムが記憶されている。制御部７６は、図示しないＣＰＵを有し、記憶部７５に記憶されている制御プログラムを実行することによって、ＦＥＴ２０をオン又はオフにするスイッチ制御処理を実行する。
記憶部７５には、ＦＥＴ２０のオン及びオフの制御に用いられるフラグの値が記憶されている。フラグの値はゼロ又は１である。記憶部７５に記憶してあるフラグの値の読出し及び設定は制御部７６によって行われる。 The storage unit 75 is a non-volatile memory, and the storage unit 75 stores a control program. The control unit 76 includes a CPU (not shown), and executes a switch control process for turning on or off the FET 20 by executing a control program stored in the storage unit 75.
The storage unit 75 stores flag values used to control the on / off of the FET 20. The value of the flag is zero or one. Reading and setting of the flag value stored in the storage unit 75 is performed by the control unit 76.

図６及び図７は、制御部７６が実行するスイッチ制御処理の手順を示すフローチャートである。制御部７６は、イグニッションスイッチ１１がオンとなってマイコン６１がレギュレータ６０から給電されている間、スイッチ制御処理を周期的に実行する。イグニッションスイッチ１１がオフとなってマイコン６１への給電が停止した場合に制御部７６は動作を停止する。マイコン６１が起動した後に最初に実行するスイッチ制御処理ではフラグの値はゼロに設定されている。   6 and 7 are flowcharts showing a procedure of switch control processing executed by the control unit 76. The control unit 76 periodically executes switch control processing while the ignition switch 11 is turned on and the microcomputer 61 is supplied with power from the regulator 60. When the ignition switch 11 is turned off and the power supply to the microcomputer 61 is stopped, the control unit 76 stops its operation. In the switch control process executed first after the microcomputer 61 is activated, the flag value is set to zero.

まず、制御部７６は、ＦＥＴ２０がオンであるか否かを判定する（ステップＳ１）。制御部７６は、出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を接地している場合にＦＥＴ２０がオンであると判定し、出力部７４が抵抗Ｒ３の他端を開放している場合にＦＥＴ２０がオフであると判定する。   First, the control unit 76 determines whether or not the FET 20 is on (step S1). The control unit 76 determines that the FET 20 is on when the output unit 74 grounds the other end of the resistor R3, and the FET 20 is off when the output unit 74 opens the other end of the resistor R3. Judge that there is.

制御部７６は、ＦＥＴ２０がオンであると判定した場合（Ｓ１：ＹＥＳ）、Ａ／Ｄ変換部７２から電圧値Ｖａを取得し（ステップＳ２）、取得した電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上であるか否かを判定する（ステップＳ３）。閾値Ｖｕ２は、一定値であり、記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度である。   When determining that the FET 20 is on (S1: YES), the control unit 76 acquires the voltage value Va from the A / D conversion unit 72 (step S2), and whether the acquired voltage value Va is equal to or greater than the threshold value Vu2. It is determined whether or not (step S3). The threshold value Vu2 is a constant value and is stored in the storage unit 75 in advance. In the second embodiment, the ambient temperature of the resistor R1 when the voltage value Va is the threshold value Vu2 is the upper temperature.

ステップＳ３は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上であるか否かを判定する処理に相当する。電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は上側温度以上であり、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は上側温度未満である。   Step S3 corresponds to a process of determining whether or not the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is equal to or higher than the upper temperature. When the voltage value Va is equal to or higher than the threshold value Vu2, the ambient temperature of the resistor R1 is equal to or higher than the upper temperature, and when the voltage value Va is lower than the threshold value Vu2, the ambient temperature of the resistor R1 is lower than the upper temperature.

制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満であると判定した場合（Ｓ３：ＮＯ）、Ａ／Ｄ変換部７３から電圧値Ｖｃを取得し（ステップＳ４）、取得した電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上であるか否かを判定する（ステップＳ５）。閾値Ｖｕ１は、一定値であり、記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１である場合における蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値である。   When determining that the voltage value Va is less than the threshold value Vu2 (S3: NO), the control unit 76 acquires the voltage value Vc from the A / D conversion unit 73 (step S4), and the acquired voltage value Vc is the threshold value Vu1. It is determined whether or not this is the case (step S5). The threshold value Vu1 is a constant value and is stored in advance in the storage unit 75. In the second embodiment, the terminal voltage value of battery 21 when voltage value Vc is threshold value Vu1 is the upper threshold value.

ステップＳ５は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上であるか否かを判定する処理に相当する。電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上である場合、蓄電器２１の端子電圧値は上側閾値以上であり、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１未満である場合、蓄電器２１の端子電圧値は上側閾値未満である。   Step S5 corresponds to a process of determining whether or not the terminal voltage value of the battery 21 detected by the voltage detection circuit 23 is equal to or higher than the upper threshold value. When the voltage value Vc is greater than or equal to the threshold value Vu1, the terminal voltage value of the capacitor 21 is greater than or equal to the upper threshold value, and when the voltage value Vc is less than the threshold value Vu1, the terminal voltage value of the capacitor 21 is less than the upper threshold value.

制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１未満であると判定した場合（Ｓ５：ＮＯ）、スイッチ制御処理を終了する。その後、制御部７６は、次の周期が到来した場合、スイッチ制御処理を再開する。
従って、制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１未満である場合において、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満である間、ＦＥＴ２０をオンにする。 When it is determined that the voltage value Vc is less than the threshold value Vu1 (S5: NO), the control unit 76 ends the switch control process. Thereafter, the control unit 76 resumes the switch control process when the next cycle arrives.
Therefore, when the voltage value Vc is less than the threshold value Vu1, the control unit 76 turns on the FET 20 while the voltage value Va is less than the threshold value Vu2.

制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上であると判定した場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、フラグの値を１に設定する（ステップＳ６）。制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上であると判定した場合（Ｓ３：ＹＥＳ）、又は、ステップＳ６を実行した後、出力部７４に抵抗Ｒ３の他端を開放させることによって、ＦＥＴ２０をオフにする（ステップＳ７）。   When determining that the voltage value Vc is equal to or higher than the threshold value Vu1 (S5: YES), the control unit 76 sets the flag value to 1 (step S6). When it is determined that the voltage value Va is equal to or higher than the threshold value Vu2 (S3: YES), or after executing Step S6, the control unit 76 causes the output unit 74 to open the other end of the resistor R3 to open the FET 20. Turn off (step S7).

電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上となったため、即ち、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上となったために、制御部７６がＦＥＴ２０をオフにした場合、フラグの値はゼロである。電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上となったため、即ち、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となったために、制御部７６がＦＥＴ２０をオフにした場合、フラグの値は１である。このように、フラグの値は、制御部７６がＦＥＴ２０をオフにした原因を示している。   When the control unit 76 turns off the FET 20 because the voltage value Va is equal to or higher than the threshold value Vu2, that is, the ambient temperature of the resistor R1 is equal to or higher than the upper temperature, the flag value is zero. If the control unit 76 turns off the FET 20 because the voltage value Vc is equal to or greater than the threshold value Vu1, that is, the terminal voltage value of the battery 21 is equal to or greater than the upper threshold value, the flag value is 1. As described above, the value of the flag indicates the reason why the control unit 76 turns off the FET 20.

制御部７６は、ステップＳ７を実行した後、スイッチ制御処理を終了する。その後、制御部７６は、次の周期が到来した場合、スイッチ制御処理を再開する。   After executing Step S7, the control unit 76 ends the switch control process. Thereafter, the control unit 76 resumes the switch control process when the next cycle arrives.

制御部７６は、ＦＥＴ２０がオンではない、即ち、ＦＥＴ２０がオフであると判定した場合（Ｓ１：ＮＯ）、フラグの値が１であるか否かを判定する（ステップＳ８）。制御部７６は、フラグの値が１ではない、即ち、フラグの値がゼロであると判定した場合（Ｓ８：ＮＯ）、Ａ／Ｄ変換部７２から電圧値Ｖａを取得し（ステップＳ９）、取得した電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２未満であるか否かを判定する（ステップＳ１０）。閾値Ｖｂ２は閾値Ｖｕ２未満であって一定値である。閾値Ｖｂ２は記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２である場合における抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度である。閾値Ｖｂ２は閾値Ｖｕ２未満であるので、下側温度も上側温度未満である。   When it is determined that the FET 20 is not on, that is, the FET 20 is off (S1: NO), the control unit 76 determines whether or not the flag value is 1 (step S8). When it is determined that the flag value is not 1, that is, the flag value is zero (S8: NO), the control unit 76 acquires the voltage value Va from the A / D conversion unit 72 (step S9). It is determined whether or not the acquired voltage value Va is less than the threshold value Vb2 (step S10). The threshold value Vb2 is less than the threshold value Vu2 and is a constant value. The threshold value Vb2 is stored in the storage unit 75 in advance. In the second embodiment, the ambient temperature of the resistor R1 when the voltage value Va is the threshold value Vb2 is the lower temperature. Since the threshold value Vb2 is less than the threshold value Vu2, the lower temperature is also lower than the upper temperature.

ステップＳ１０は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満であるか否かを判定する処理に相当する。電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２未満である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は下側温度未満であり、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２以上である場合、抵抗Ｒ１の周辺温度は下側温度以上である。   Step S10 corresponds to a process of determining whether or not the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is lower than the lower temperature. When the voltage value Va is less than the threshold value Vb2, the ambient temperature of the resistor R1 is less than the lower temperature, and when the voltage value Va is greater than or equal to the threshold value Vb2, the ambient temperature of the resistor R1 is greater than or equal to the lower temperature.

制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２未満であると判定した場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、出力部７４に抵抗Ｒ３の他端を接地させることによって、ＦＥＴ２０をオンにする（ステップＳ１１）。制御部７６は、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ２以上であると判定した場合（Ｓ１０：ＮＯ）、又は、ステップＳ１１を実行した後、スイッチ制御処理を終了する。その後、制御部７６は、次の周期が到来した場合、スイッチ制御処理を再開する。   When it is determined that the voltage value Va is less than the threshold value Vb2 (S10: YES), the control unit 76 turns on the FET 20 by grounding the other end of the resistor R3 to the output unit 74 (step S11). When it is determined that the voltage value Va is equal to or higher than the threshold value Vb2 (S10: NO), or after executing step S11, the control unit 76 ends the switch control process. Thereafter, the control unit 76 resumes the switch control process when the next cycle arrives.

以上のように、制御部７６は、フラグの値が１となるまで、即ち、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となるまで、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合にＦＥＴ２０をオフにし、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が下側温度未満である場合にＦＥＴをオンにする。また、制御部７６は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上である場合だけではなく、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上である場合も、ＦＥＴ２０をオフにする。   As described above, the controller 76 determines that the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is the upper temperature until the value of the flag becomes 1, that is, until the terminal voltage value of the battery 21 becomes equal to or higher than the upper threshold. When the above is true, the FET 20 is turned off, and when the temperature around the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is lower than the lower temperature, the FET is turned on. Further, the control unit 76 not only when the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is equal to or higher than the upper temperature, but also when the terminal voltage value of the capacitor 21 detected by the voltage detection circuit 23 is equal to or higher than the upper threshold. Also, the FET 20 is turned off.

制御部７６は、フラグの値が１であると判定した場合（Ｓ８：ＹＥＳ）、Ａ／Ｄ変換部７３から電圧値Ｖｃを取得し（ステップＳ１２）、取得した電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。閾値Ｖｂ１は閾値Ｖｕ１未満であって一定値である。閾値Ｖｂ１は記憶部７５に予め記憶されている。実施の形態２においては、電圧値Ｖａが閾値Ｖｂ１である場合における蓄電器２１の端子電圧値は下側閾値である。閾値Ｖｂ１は閾値Ｖｕ１未満であるので、下側閾値も上側閾値未満である。   When determining that the value of the flag is 1 (S8: YES), the control unit 76 acquires the voltage value Vc from the A / D conversion unit 73 (step S12), and the acquired voltage value Vc is less than the threshold value Vb1. It is determined whether or not there is (step S13). The threshold value Vb1 is less than the threshold value Vu1 and is a constant value. The threshold value Vb1 is stored in the storage unit 75 in advance. In the second embodiment, the terminal voltage value of the battery 21 when the voltage value Va is the threshold value Vb1 is the lower threshold value. Since the threshold value Vb1 is less than the threshold value Vu1, the lower threshold value is also less than the upper threshold value.

制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満であると判定した場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）、フラグの値をゼロに設定する（ステップＳ１４）。その後、制御部７６は、ステップＳ１１を実行し、スイッチ制御処理を終了する。制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１以上であると判定した場合（Ｓ１３：ＮＯ）、スイッチ制御処理を終了する。制御部７６は、スイッチ制御処理を終了した後において、次の周期が搭載した場合、スイッチ制御処理を再開する。   When it is determined that the voltage value Vc is less than the threshold value Vb1 (S13: YES), the control unit 76 sets the flag value to zero (step S14). Then, the control part 76 performs step S11, and complete | finishes switch control processing. When it is determined that the voltage value Vc is equal to or higher than the threshold value Vb1 (S13: NO), the control unit 76 ends the switch control process. When the next period is mounted after the switch control process is completed, the control unit 76 resumes the switch control process.

以上のように、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となってＦＥＴ２０をオフにした場合、フラグの値が１に設定される。その後、制御部７６は、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度に無関係に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまで、ＦＥＴ２０のオフを維持する。   As described above, when the terminal voltage value of the battery 21 detected by the voltage detection circuit 23 is equal to or higher than the upper threshold value and the FET 20 is turned off, the flag value is set to 1. Thereafter, the control unit 76 keeps the FET 20 off until the terminal voltage value of the capacitor 21 detected by the voltage detection circuit 23 becomes less than the lower threshold regardless of the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24. To do.

図８は蓄電装置５０の動作を説明するためのタイミングチャートである。図８には、図３と同様に、端子電圧値がゼロボルトである蓄電器２１を充電する蓄電装置５０の動作の一例が示されている。図８には、ＦＥＴ２０のオン及びオフの推移と、電圧値Ｖｃ，Ｖａ夫々の推移とが示されている。これらは実施の形態１と略同じである。実施の形態１における電圧値（Ｖｒ１＋ΔＶ１），（Ｖｒ１−ΔＶ１），（Ｖｒ２＋ΔＶ２），（Ｖｒ２−ΔＶ２）夫々は、実施の形態２では、閾値Ｖｕ１，Ｖｂ１，Ｖｕ２，Ｖｂ２に対応する。   FIG. 8 is a timing chart for explaining the operation of the power storage device 50. FIG. 8 shows an example of the operation of the power storage device 50 that charges the battery 21 whose terminal voltage value is zero volts, as in FIG. 3. FIG. 8 shows the transition of the FET 20 on and off and the transition of the voltage values Vc and Va. These are substantially the same as those in the first embodiment. The voltage values (Vr1 + ΔV1), (Vr1−ΔV1), (Vr2 + ΔV2), and (Vr2−ΔV2) in the first embodiment correspond to the threshold values Vu1, Vb1, Vu2, and Vb2 in the second embodiment.

イグニッションスイッチ１１がオフである場合、前述したように、ＦＥＴ２０はオフである。ＦＥＴ２０がオフである場合、電圧値Ｖｄは、蓄電器２１の端子電圧値と同じであり、電圧値Ｖｃと同様に推移する。また、レギュレータ６０が作動していないため、電圧値Ｖａはゼロボルトである。イグニッションスイッチ１１がオンとなった場合、レギュレータ６０は、一定の電圧を温度検出回路２４に出力する。これにより、電圧値Ｖａがゼロボルトを超える。   When the ignition switch 11 is off, the FET 20 is off as described above. When the FET 20 is off, the voltage value Vd is the same as the terminal voltage value of the battery 21 and changes in the same manner as the voltage value Vc. Further, since the regulator 60 is not operated, the voltage value Va is zero volts. When the ignition switch 11 is turned on, the regulator 60 outputs a constant voltage to the temperature detection circuit 24. As a result, the voltage value Va exceeds zero volts.

蓄電装置５０では、図８に示すように、制御部７６は、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上となるまで、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２以上である場合にＦＥＴ２０をオフにし、電圧値Ｖａが閾値Ｖｕ２未満である場合にＦＥＴ２０をオンにする。ＦＥＴ２０がオンである場合、電圧値Ｖｄはバッテリ１２の出力電圧値Ｖｂであり、蓄電器２１が充電され、抵抗Ｒ１の周辺温度が上昇する。ＦＥＴ２０がオフである場合、蓄電器２１は充電されず、抵抗Ｒ１の周辺温度は低下する。   In the power storage device 50, as illustrated in FIG. 8, the control unit 76 turns off the FET 20 when the voltage value Va is equal to or higher than the threshold value Vu2 until the voltage value Vc becomes equal to or higher than the threshold value Vu1, and the voltage value Va is equal to the threshold value Vu2. If it is less, the FET 20 is turned on. When the FET 20 is on, the voltage value Vd is the output voltage value Vb of the battery 12, the capacitor 21 is charged, and the ambient temperature of the resistor R1 rises. When the FET 20 is off, the capacitor 21 is not charged, and the ambient temperature of the resistor R1 decreases.

閾値Ｖｂ２は閾値Ｖｂ１未満である、即ち、下側温度は上側温度未満であるため、制御部７６はＦＥＴ２０のオン及びオフを頻繁に切り替えることはなく、ＦＥＴ２０から発生するスイッチングノイズは小さい。   Since the threshold value Vb2 is less than the threshold value Vb1, that is, the lower temperature is lower than the upper temperature, the controller 76 does not frequently switch the FET 20 on and off, and the switching noise generated from the FET 20 is small.

また、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｕ１以上となった場合、制御部７６は、ＦＥＴ２０をオフにし、電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満となるまで、電圧値Ｖａに無関係に、ＦＥＴ２０のオフを維持する。負荷１３の作動又は蓄電器２１の自然放電等によって、蓄電器２１の端子電圧値が低下して電圧値Ｖｃが閾値Ｖｂ１未満となった場合、制御部７６はＦＥＴ２０をオンにする。図８には、負荷１３の作動によって蓄電器２１の端子電圧値が低下する例が示されている。   When the voltage value Vc is equal to or higher than the threshold value Vu1, the control unit 76 turns off the FET 20, and maintains the FET 20 off regardless of the voltage value Va until the voltage value Vc becomes less than the threshold value Vb1. When the terminal voltage value of the capacitor 21 decreases due to the operation of the load 13 or the natural discharge of the capacitor 21, and the voltage value Vc becomes less than the threshold value Vb1, the control unit 76 turns on the FET 20. FIG. 8 shows an example in which the terminal voltage value of the battery 21 decreases due to the operation of the load 13.

以上のように構成された蓄電装置５０では、制御部７６は、抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度未満となるように、ＦＥＴ２０のオン及びオフを制御するため、抵抗Ｒ１の抵抗値は小さくてもよい。抵抗Ｒ１の抵抗値が小さい場合、大きな電流が、バッテリ１２の正極からＦＥＴ２０及び抵抗Ｒ１を介して蓄電器２１に流れるので、制御部７６は、蓄電器２１を素早く充電することができる。従って、イグニッションスイッチ１１がオンとなって蓄電器２１の充電を開始してから、短時間で負荷１３を作動させることができる。   In the power storage device 50 configured as described above, the control unit 76 controls on and off of the FET 20 so that the ambient temperature of the resistor R1 is lower than the upper temperature, so that even if the resistance value of the resistor R1 is small. Good. When the resistance value of the resistor R1 is small, a large current flows from the positive electrode of the battery 12 to the capacitor 21 via the FET 20 and the resistor R1, so that the control unit 76 can quickly charge the capacitor 21. Therefore, after the ignition switch 11 is turned on and charging of the battery 21 is started, the load 13 can be operated in a short time.

また、制御部７６は、温度検出回路２４が検出した周囲温度が上側温度以上であるか、又は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値、即ち、電圧値Ｖｃが示す蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上である場合、ＦＥＴ２０をオフにする。
このため、抵抗Ｒ１周辺の温度が上側温度未満に保持されると共に、蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値未満に保持される。 Further, the control unit 76 determines whether the ambient temperature detected by the temperature detection circuit 24 is equal to or higher than the upper temperature, or the terminal voltage value of the capacitor 21 detected by the voltage detection circuit 23, that is, the voltage value Vc of the capacitor 21 indicated by the voltage value Vc. When the terminal voltage value is equal to or higher than the upper threshold value, the FET 20 is turned off.
For this reason, the temperature around the resistor R1 is held below the upper temperature, and the terminal voltage value of the capacitor 21 is held below the upper threshold.

更に、制御部７６は、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度に無関係に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまで、ＦＥＴ２０のオフを維持する。
下側閾値は上側閾値未満であるため、制御部７６がＦＥＴ２０のオン及びオフを切替える頻度が更に少なく、ＦＥＴ２０から発生するスイッチングノイズは更に小さい。 Further, when the voltage value of the terminal of the battery 21 detected by the voltage detection circuit 23 is equal to or higher than the upper threshold value, the control unit 76 determines whether the voltage detection circuit 23 is independent of the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24. The FET 20 is kept off until the detected terminal voltage value of the capacitor 21 becomes less than the lower threshold value.
Since the lower threshold is less than the upper threshold, the frequency at which the control unit 76 switches the FET 20 on and off is less frequent, and the switching noise generated from the FET 20 is even smaller.

なお、実施の形態１，２において、上側温度は下側温度と同じであってもよい。これは、実施の形態１では、コンパレータ４２がヒステリシス特性を有さずに電圧値ΔＶ２がゼロボルトであることを意味し、実施の形態２では、閾値Ｖｕ２が閾値Ｖｂ２と同じであることを意味する。この場合であっても、抵抗Ｒ１の抵抗値を小さくすることができ、蓄電器２１を素早く充電することができる。   In the first and second embodiments, the upper temperature may be the same as the lower temperature. This means that in the first embodiment, the comparator 42 does not have hysteresis characteristics and the voltage value ΔV2 is zero volts, and in the second embodiment, the threshold value Vu2 is the same as the threshold value Vb2. . Even in this case, the resistance value of the resistor R1 can be reduced, and the battery 21 can be charged quickly.

また、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が下側閾値未満となるまでＦＥＴ２０をオフに維持しなくてもよい。これは、実施の形態１では、コンパレータ４１がヒステリシス特性を有さずに電圧値ΔＶ１がゼロボルトであることを意味し、実施の形態２では、閾値Ｖｕ１が閾値Ｖｂ１と同じであることを意味する。   Further, when the terminal voltage value of the capacitor 21 detected by the voltage detection circuit 23 becomes equal to or higher than the upper threshold value, the FET 20 is turned off until the terminal voltage value of the capacitor 21 detected by the voltage detection circuit 23 becomes less than the lower threshold value. It does not have to be maintained. This means that in the first embodiment, the comparator 41 does not have hysteresis characteristics and the voltage value ΔV1 is zero volts, and in the second embodiment, the threshold value Vu1 is the same as the threshold value Vb1. .

この構成では、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値以上となった場合に、ＦＥＴ２０がオフとなる。更に、電圧検出回路２３が検出した蓄電器２１の端子電圧値が上側閾値未満である場合において、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度以上であるときにＦＥＴ２０をオフにし、温度検出回路２４が検出した抵抗Ｒ１の周辺温度が上側温度未満であるときにＦＥＴ２０をオンにする。   In this configuration, the FET 20 is turned off when the terminal voltage value of the battery 21 detected by the voltage detection circuit 23 is equal to or higher than the upper threshold value. Furthermore, when the terminal voltage value of the capacitor 21 detected by the voltage detection circuit 23 is less than the upper threshold value, the FET 20 is turned off when the ambient temperature of the resistor R1 detected by the temperature detection circuit 24 is equal to or higher than the upper temperature. When the ambient temperature of the resistor R1 detected by the detection circuit 24 is lower than the upper temperature, the FET 20 is turned on.

蓄電器２１は、３つのコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を直列に接続することによって構成されなくてもよく、少なくとも１つのコンデンサを有する構成であればよい。
また、負荷１３が下側閾値以上の電圧の印加によって作動する場合、変圧回路２２が用いられなくてもよい。この場合、実施の形態１では、実施の形態２におけるレギュレータ６０を有し、レギュレータ６０が一定の電圧を温度検出回路２４に出力する。実施の形態１において、変圧回路２２が用いられる場合においても、蓄電装置１０がレギュレータ６０を更に有し、変圧回路２２ではなく、レギュレータ６０が一定の電圧を温度検出回路２４に出力してもよい。 The capacitor 21 may not be configured by connecting the three capacitors C1, C2, and C3 in series, and may be configured to have at least one capacitor.
Moreover, when the load 13 operates by applying a voltage equal to or higher than the lower threshold, the transformer circuit 22 may not be used. In this case, the first embodiment includes the regulator 60 in the second embodiment, and the regulator 60 outputs a constant voltage to the temperature detection circuit 24. In the first embodiment, even when the transformer circuit 22 is used, the power storage device 10 may further include the regulator 60, and the regulator 60 may output a constant voltage to the temperature detection circuit 24 instead of the transformer circuit 22. .

実施の形態１，２において、温度検出回路２４の第１抵抗回路はサーミスタ３０を有する回路であればよく、例えば、サーミスタ３０のみによって構成されてもよい。更に、温度検出回路２４において、第１抵抗回路及び第２抵抗回路の配置が逆であってもよい。この場合、電圧値Ｖａは、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、低い。また、サーミスタ３０は、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、抵抗値が低い特性を有するサーミスタに限定されず、抵抗Ｒ１の周辺温度が高い程、抵抗値が高い特性を有するサーミスタであってもよい。   In the first and second embodiments, the first resistance circuit of the temperature detection circuit 24 may be a circuit having the thermistor 30, and may be configured by only the thermistor 30, for example. Further, in the temperature detection circuit 24, the arrangement of the first resistance circuit and the second resistance circuit may be reversed. In this case, the voltage value Va is lower as the ambient temperature of the resistor R1 is higher. Further, the thermistor 30 is not limited to a thermistor having a characteristic that the resistance value is low as the ambient temperature of the resistor R1 is high, and may be a thermistor having a characteristic that the resistance value is high as the ambient temperature of the resistor R1 is high. .

また、ＦＥＴ２０は、スイッチとして機能すればよいため、Ｐチャネル型のＦＥＴに限定されない。ＦＥＴ２０の代わりに、例えば、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタを用いてもよい。
同様に、実施の形態１において、ＦＥＴ４０も、スイッチとして機能すればよいため、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されない。ＦＥＴ４０の代わりに、例えば、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを用いてもよい。 The FET 20 is not limited to a P-channel FET because it only needs to function as a switch. Instead of the FET 20, for example, a PNP type bipolar transistor may be used.
Similarly, in the first embodiment, the FET 40 only needs to function as a switch, and thus is not limited to an N-channel FET. For example, an NPN bipolar transistor may be used instead of the FET 40.

開示された実施の形態１，２は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。   The disclosed first and second embodiments are examples in all respects and should not be considered as restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１ 電源システム
１０，５０ 蓄電装置
１２ バッテリ（第２の蓄電器）
１３ 負荷
２０ ＦＥＴ（スイッチ）
２１ 蓄電器
２２ 変圧回路
２３ 電圧検出回路
２４ 温度検出回路
２５ 制御回路（スイッチ制御部）
３０ サーミスタ（第１抵抗回路の一部）
７６ 制御部（スイッチ制御部）
Ｒ１ 抵抗
Ｒ６，Ｒ７ 抵抗（第１抵抗回路の他部）
Ｒ８ 抵抗（第２抵抗回路） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power supply system 10,50 Power storage apparatus 12 Battery (2nd power storage device)
13 Load 20 FET (Switch)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Capacitor 22 Transformer circuit 23 Voltage detection circuit 24 Temperature detection circuit 25 Control circuit (switch control part)
30 thermistor (part of the first resistance circuit)
76 Control unit (switch control unit)
R1 resistor R6, R7 resistor (other part of the first resistor circuit)
R8 resistor (second resistor circuit)

Claims (6)

入力された電力がスイッチ及び抵抗を介して蓄電器に供給される蓄電装置において、
前記抵抗の周辺温度を検出する温度検出回路と、
該温度検出回路が検出した前記周辺温度が第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以下の第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにするスイッチ制御部と
を備えることを特徴とする蓄電装置。 In a power storage device in which input power is supplied to a power storage device via a switch and a resistor,
A temperature detection circuit for detecting the ambient temperature of the resistor;
When the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is equal to or higher than the first temperature, the switch is turned off, and when the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is lower than the second temperature equal to or lower than the first temperature. A power storage device comprising: a switch control unit that turns on the switch. 前記蓄電器の端子電圧を変圧し、変圧した電圧を出力する変圧回路を備え、
前記温度検出回路は、
抵抗値が前記周辺温度に応じて異なる第１抵抗回路と、
第２抵抗回路と
を有し、
前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路は前記変圧回路が出力した電圧を分圧し、
前記スイッチ制御部は、前記第１抵抗回路及び第２抵抗回路が分圧した分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第１温度以上である場合に前記スイッチをオフにし、該分圧電圧値が示す前記周辺温度が前記第２温度未満である場合に前記スイッチをオンにすること
を特徴とする請求項１に記載の蓄電装置。 Transform the terminal voltage of the capacitor, comprising a transformer circuit that outputs the transformed voltage,
The temperature detection circuit includes:
A first resistance circuit having a resistance value different according to the ambient temperature;
A second resistance circuit;
The first resistor circuit and the second resistor circuit divide the voltage output from the transformer circuit,
The switch control unit turns off the switch when the ambient temperature indicated by the divided voltage value divided by the first resistor circuit and the second resistor circuit is equal to or higher than the first temperature, and the divided voltage value The power storage device according to claim 1, wherein the switch is turned on when the ambient temperature indicated by is lower than the second temperature. 前記蓄電器の端子電圧値を検出する電圧検出回路を更に備え、
前記スイッチ制御部は、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度が前記第１温度以上であるか、又は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上である場合に前記スイッチをオフにすること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蓄電装置。 A voltage detection circuit for detecting a terminal voltage value of the capacitor;
The switch control unit turns off the switch when the ambient temperature detected by the temperature detection circuit is equal to or higher than the first temperature, or when the terminal voltage value detected by the voltage detection circuit is equal to or higher than a voltage threshold. The power storage device according to claim 1 or 2, wherein: 前記スイッチ制御部は、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が電圧閾値以上となった場合、前記温度検出回路が検出した前記周辺温度に無関係に、前記電圧検出回路が検出した端子電圧値が前記電圧閾値未満の第２の電圧閾値未満となるまで、前記スイッチのオフを維持すること
を特徴とする請求項３に記載の蓄電装置。 When the terminal voltage value detected by the voltage detection circuit is equal to or higher than a voltage threshold, the switch control unit determines that the terminal voltage value detected by the voltage detection circuit is independent of the ambient temperature detected by the temperature detection circuit. The power storage device according to claim 3, wherein the switch is kept off until the second voltage threshold value is less than the second voltage threshold value. 前記第２温度は前記第１温度未満であること
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の蓄電装置。 The power storage device according to any one of claims 1 to 4, wherein the second temperature is lower than the first temperature. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の蓄電装置と、
前記電力を前記蓄電器に供給する第２の蓄電器と、
前記蓄電器が蓄えた電力が供給される負荷と
を備えることを特徴とする電源システム。 The power storage device according to any one of claims 1 to 5,
A second battery for supplying the power to the battery;
A power supply system comprising: a load to which electric power stored in the battery is supplied.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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