JP2016200633A - Patterning method of both surfaces of glass substrate - Google Patents

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長敏 折口
Nagatoshi Origuchi
長敏 折口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and reliably form the same pattern on both surfaces of a glass substrate by a photolithographic process.SOLUTION: A patterning method of both surfaces of a glass substrate is provided for forming the same pattern on both surfaces of a glass substrate 1 by a photolithographic process. After transparent conductive oxide layers 5, 6 and resist layers 4, 7 are successively formed on both surfaces 1a, 1b of a glass substrate 1, the resist layers 4, 7 on one surface 1a side and the other surface 1b side of the glass substrate 1, respectively, are simultaneously exposed by irradiating the glass substrate with ultraviolet rays 3 through a mask 2 on only the one surface 1a side of the glass substrate 1.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ガラス基板両面に同一のパターンを形成するための製造技術に関する。   The present invention relates to a manufacturing technique for forming the same pattern on both surfaces of a glass substrate.

液晶ディスプレイや、タッチパネルなどの種々の電子機器には、透明電極などの所定のパターンが両面に形成されたガラス基板が組み込まれている。ガラス基板にパターニングする方法としては、パターン精度や量産性を考慮し、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。   Various electronic devices such as a liquid crystal display and a touch panel incorporate a glass substrate on which a predetermined pattern such as a transparent electrode is formed on both sides. As a method of patterning on a glass substrate, a photolithography method is often used in consideration of pattern accuracy and mass productivity.

そして、電子機器によっては、ガラス基板の両面に同一のパターン(面対称なパターン)を形成することが必要となる場合がある。   And depending on an electronic device, it may be necessary to form the same pattern (a plane symmetrical pattern) on both surfaces of a glass substrate.

ガラス基板の両面に同一のパターンをフォトリソグラフィ法により形成する方法としては、例えば、特許文献1の従来技術の欄に記載された方法が挙げられる。すなわち、同文献には、フォトリソグラフィ法を用いて、ガラス基板の第1の面のパターニングと、第2の面のパターニングとを別々に行う方法が開示されている。   As a method of forming the same pattern on both surfaces of the glass substrate by photolithography, for example, a method described in the column of the prior art in Patent Document 1 can be cited. That is, this document discloses a method of separately performing patterning of the first surface and patterning of the second surface of the glass substrate using a photolithography method.

上記方法では、まず初めに、ガラス基板の両面に薄膜(一方が金属薄膜、他方が透明導電膜)を形成し、ガラス基板の第1の面側の薄膜上にレジストを塗布する。次に、レジスト上にマスクを重ねて露光する。その後、露光したレジストの感光部を現像液で除去する。そして、ガラス基板の第2の面側の薄膜に保護膜を塗布した後、エッチングにより、ガラス基板の第1の面側において、除去した感光部から露出した薄膜を除去する。このようにして、ガラス基板の第1の面において、薄膜からなる所定のパターンを形成する。そして、ガラス基板の第2の面の薄膜についても、第1の面と同様の工程を繰り返し、薄膜からなる所定のパターンを形成する。   In the above method, first, a thin film (one is a metal thin film and the other is a transparent conductive film) is formed on both surfaces of a glass substrate, and a resist is applied on the thin film on the first surface side of the glass substrate. Next, a mask is overlaid on the resist and exposed. Thereafter, the exposed photosensitive portion of the resist is removed with a developer. And after apply | coating a protective film to the thin film of the 2nd surface side of a glass substrate, the thin film exposed from the removed photosensitive part in the 1st surface side of a glass substrate is removed by an etching. In this manner, a predetermined pattern made of a thin film is formed on the first surface of the glass substrate. And also about the thin film of the 2nd surface of a glass substrate, the process similar to a 1st surface is repeated and the predetermined pattern which consists of a thin film is formed.

特公平6−36467号公報Japanese Examined Patent Publication No. 6-36467

しかしながら、特許文献1に開示のパターニング方法の場合、ガラス基板の第2の面に重ねるマスクの位置が、ガラス基板の第1の面に重ねたマスクの位置に対してずれるおそれがある。この場合、ガラス基板の両面に形成されるパターンの位置がずれるという問題がある。   However, in the case of the patterning method disclosed in Patent Document 1, the position of the mask superimposed on the second surface of the glass substrate may be shifted from the position of the mask superimposed on the first surface of the glass substrate. In this case, there is a problem that the positions of the patterns formed on both surfaces of the glass substrate are shifted.

一方、マスクの位置ずれをなくすためには、マスクの位置合わせ作業に時間と熟練を要する。したがって、ガラス基板の両面におけるマスクの位置ずれを簡単になくすことはできず、上記のパターン不良の問題は少なからず生じ得る。   On the other hand, in order to eliminate misalignment of the mask, time and skill are required for the mask alignment operation. Therefore, it is not possible to easily eliminate the mask misalignment on both surfaces of the glass substrate, and the above-described problem of pattern defects may occur.

なお、特許文献1には、フォトリソグラフィ法に代えて、レーザ光によって、ガラス基板の両面に形成された薄膜を同時にパターニングすることも開示されているが、パターン精度や量産性を考慮した場合に、実用化が難しいと考えられる。したがって、フォトリソグラフィ法によって、上記の問題を解決することが望まれる。   In addition, Patent Document 1 discloses that a thin film formed on both surfaces of a glass substrate is simultaneously patterned by laser light instead of photolithography, but in consideration of pattern accuracy and mass productivity. It is considered difficult to put into practical use. Therefore, it is desired to solve the above problem by photolithography.

以上の実情に鑑み、本発明は、フィトリソグラフィ法により、ガラス基板の両面に同一のパターンを簡単且つ確実に形成することを課題とする。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to easily and surely form the same pattern on both surfaces of a glass substrate by a phytolithography method.

上記課題を解決するために創案された本発明は、フォトリソグラフィ法によりガラス基板の両面に同一のパターンを形成するガラス基板両面のパターニング方法であって、(1)ガラス基板の両面に、パターニングされる透明導電酸化物層を形成する工程と、(2)ガラス基板の両面に、レジスト層を形成する工程と、(3)ガラス基板、透明導電酸化物層及びレジスト層を透過可能な光を、ガラス基板の片面側のみからマスクを介して照射し、ガラス基板の両面のレジスト層を同時に露光する工程とを、(1)から(3)の順で含むことを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a patterning method on both sides of a glass substrate that forms the same pattern on both sides of the glass substrate by photolithography, and (1) patterned on both sides of the glass substrate. A step of forming a transparent conductive oxide layer, (2) a step of forming a resist layer on both surfaces of the glass substrate, and (3) light that can be transmitted through the glass substrate, the transparent conductive oxide layer, and the resist layer. And (1) to (3) in the order of irradiating through a mask only from one side of the glass substrate and simultaneously exposing the resist layers on both sides of the glass substrate.

このような構成によれば、ガラス基板の片面側のみにマスクを配置した状態で、ガラス基板の両面のレジスト層の露光を同時に行うことができる。この際、ガラス基板の片面側に配置されたマスクを用いて、ガラス基板の両面のレジスト層が露光されるため、それぞれのレジスト層には同一の感光部が形成される。したがって、このように形成された感光部に基づいて、現像やエッチングなどの各種処理を行えば、ガラス基板の両面に透明導電酸化物からなる同一のパターンを簡単且つ確実に形成することができる。   According to such a configuration, the resist layers on both sides of the glass substrate can be exposed simultaneously with the mask disposed only on one side of the glass substrate. At this time, since the resist layers on both sides of the glass substrate are exposed using a mask arranged on one side of the glass substrate, the same photosensitive portion is formed on each resist layer. Therefore, if various processes such as development and etching are performed based on the photosensitive portion thus formed, the same pattern made of the transparent conductive oxide can be easily and reliably formed on both surfaces of the glass substrate.

上記の構成において、レジスト層を露光する工程の後に、(1)ガラス基板の両面のレジスト層の一部を現像液で除去する工程と、(2)ガラス基板の両面で、レジスト層の除去部から露出した透明導電酸化物層をエッチング液で除去する工程と、(3)ガラス基板の両面のレジスト層の残部をレジスト剥離液で除去する工程とを、(1)から(3)の順で更に含むことが好ましい。   In the above configuration, after the step of exposing the resist layer, (1) a step of removing a part of the resist layer on both surfaces of the glass substrate with a developer, and (2) a resist layer removing portion on both surfaces of the glass substrate. A step of removing the transparent conductive oxide layer exposed from the substrate with an etching solution, and (3) a step of removing the remainder of the resist layer on both surfaces of the glass substrate with the resist stripping solution in the order of (1) to (3). Furthermore, it is preferable to include.

このようにすれば、ガラス基板の両面に対して、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を同時に進めていくことができる。そのため、ガラス基板の一方の面に対して、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を行った後に、ガラス基板の他方の面に対して、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を行う場合に比べて、作業時間を大幅に短縮することができる。   If it does in this way, each process of image development, an etching, and resist peeling can be advanced simultaneously with respect to both surfaces of a glass substrate. Therefore, compared with the case where development, etching, and resist removal are performed on one surface of the glass substrate, and then development, etching, and resist removal are performed on the other surface of the glass substrate. Therefore, the working time can be greatly reduced.

この場合、ガラス基板は、現像液、エッチング液およびレジスト剥離液のそれぞれに浸漬されることが好ましい。   In this case, the glass substrate is preferably immersed in each of the developer, the etching solution, and the resist stripping solution.

このようにすれば、ガラス基板の両面に対して、現像液、エッチング液及びレジスト剥離液の各液を同時に接触させるのが簡単になる。   If it does in this way, it will become easy to make each liquid of a developing solution, an etching liquid, and a resist stripping solution contact simultaneously on both surfaces of a glass substrate.

上記の構成において、透明導電酸化物層を形成する工程、レジスト層を形成する工程およびレジスト層を露光する工程のうち、少なくとも一つの工程において、ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、ガラス基板を処理してもよい。   In the above structure, in at least one of the step of forming the transparent conductive oxide layer, the step of forming the resist layer, and the step of exposing the resist layer, the glass substrate is placed on the supporting glass, The substrate may be processed.

このようにすれば、ガラス基板が支持ガラスによってしっかりと支持されるため、ガラス基板が薄い場合であっても、ガラス基板の取り扱いが容易になる。   In this way, since the glass substrate is firmly supported by the supporting glass, handling of the glass substrate is facilitated even when the glass substrate is thin.

この場合、レジスト層を形成する工程が、(1)ガラス基板の第1の面を上にして、ガラス基板を支持ガラスに載置する工程と、(2)ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、第1の面にレジストを塗布する工程と、(3)ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、第1の面のレジストを加熱する工程と、(4)ガラス基板と支持ガラスを分離する工程と、(5)ガラス基板の第2の面を上にして、ガラス基板を支持ガラスに載置する工程と、(6)ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、第2の面にレジストを塗布する工程と、(7)ガラス基板と支持ガラスを分離する工程と、(8)第2の面のレジストを加熱する工程とを、(1)〜(8)の順で含んでいることが好ましい。   In this case, the step of forming the resist layer includes (1) a step of placing the glass substrate on the supporting glass with the first surface of the glass substrate facing up, and (2) placing the glass substrate on the supporting glass. A step of applying a resist on the first surface in a state; (3) a step of heating the resist on the first surface while the glass substrate is placed on the supporting glass; and (4) a glass substrate and supporting glass. And (5) a step of placing the glass substrate on the supporting glass with the second surface of the glass substrate facing up, and (6) a second state in which the glass substrate is placed on the supporting glass. (7) A step of applying a resist on the surface, (7) a step of separating the glass substrate and the supporting glass, and (8) a step of heating the resist on the second surface in the order of (1) to (8). It is preferable to include.

ここで、ガラス基板にレジストを塗布した後に加熱(プリベーク)すると、ガラス基板にレジストが密着し、強固なレジスト層が形成される。そのため、プリベークが行われるのが通例である。また、ガラス基板が薄い場合には、各工程で、支持ガラスの上にガラス基板を載置した状態でガラス基板を取り扱うことが好ましい。しかしながら、レジスト層が形成されたガラス基板の第1の面を支持ガラスと接触させた状態で、第2の面にレジストが塗布されたガラス基板を加熱(プリベーク)すると、第1の面と支持ガラスがレジスト層によって接着し、分離できなくなるおそれがある。そこで、上記の構成のように、2回目のプリベーク時(上記の(8)の工程)には、ガラス基板と支持ガラスを分離して、第2の面のレジストを加熱することが好ましい。このようにすれば、ガラス基板が支持ガラスと接着するという不具合を回避することができる。   Here, when the resist is applied to the glass substrate and then heated (prebaked), the resist adheres to the glass substrate and a strong resist layer is formed. Therefore, prebaking is usually performed. Moreover, when a glass substrate is thin, it is preferable to handle a glass substrate in the state which mounted the glass substrate on support glass at each process. However, when the glass substrate with the resist coated on the second surface is heated (prebaked) in a state where the first surface of the glass substrate on which the resist layer is formed is in contact with the supporting glass, the first surface and the supporting surface are supported. There is a possibility that the glass adheres to the resist layer and cannot be separated. Therefore, as in the above configuration, it is preferable to separate the glass substrate and the supporting glass and heat the resist on the second surface during the second pre-bake (step (8) above). If it does in this way, the malfunction that a glass substrate adheres to support glass can be avoided.

この場合、第2の面のレジストを加熱する工程は、ガラス基板を立てた状態で行うことが好ましい。   In this case, the step of heating the resist on the second surface is preferably performed with the glass substrate standing.

このようにすれば、ガラス基板の第1の面と第2の面が他部材と接触する範囲を最小限に抑えた状態で加熱することができる。すなわち、第1の面や第2の面のレジスト層を介してガラス基板が他部材と接着するのを容易に防止することができる。   If it does in this way, it can heat in the state which suppressed the range which the 1st surface and 2nd surface of a glass substrate contact with another member to the minimum. That is, it is possible to easily prevent the glass substrate from adhering to another member via the resist layer on the first surface or the second surface.

以上のように本発明によれば、フィトリソグラフィ法により、ガラス基板の両面に同一のパターンを簡単且つ確実に形成することができる。   As described above, according to the present invention, the same pattern can be easily and reliably formed on both surfaces of a glass substrate by phytolithography.

本発明の第1の実施形態に係るガラス基板両面のパターニング方法のフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of the patterning method of both surfaces of the glass substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 第1の実施形態のパターニング方法に含まれる露光工程を示す図である。It is a figure which shows the exposure process included in the patterning method of 1st Embodiment. 第1の実施形態のパターニング方法に含まれる現像工程を示す図である。It is a figure which shows the image development process included in the patterning method of 1st Embodiment. 第1の実施形態のパターニング方法に含まれるエッチング工程を示す図である。It is a figure which shows the etching process included in the patterning method of 1st Embodiment. 第1の実施形態のパターニング方法に含まれるレジスト層剥離工程を示す図である。It is a figure which shows the resist layer peeling process included in the patterning method of 1st Embodiment. 本発明の第2の実施形態に係るガラス基板両面のパターニング方法に含まれるレジスト層形成工程のフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of the resist layer formation process included in the patterning method of both surfaces of the glass substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 第2の実施形態のパターニング方法に含まれる第1のプリベークを示す図である。It is a figure which shows the 1st prebaking included in the patterning method of 2nd Embodiment. 第2の実施形態のパターニング方法に含まれる第2のプリベークを示す図である。It is a figure which shows the 2nd prebaking included in the patterning method of 2nd Embodiment.

以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

<第1の実施形態>
図1に示すように、本発明の第1の実施形態に係るガラス基板両面のパターニング方法は、ガラス基板の両面にパターニング対象の電極層を形成する電極層形成工程S1と、ガラス基板の両面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程S2と、ガラス基板の両面のレジスト層を露光する露光工程S3と、ガラス基板の両面のレジスト層の感光部を現像液で溶解除去する現像工程S4と、ガラス基板の両面で除去された感光部(除去部)から露出した電極層をエッチング液で溶解除去するエッチング工程S5と、ガラス基板の両面のレジスト層の非感光部(残部)をレジスト剥離液で除去するレジスト層剥離工程S6と、ガラス基板を洗浄する洗浄工程S7とを、この順で含んでいる。以下、各工程について順に説明する。
<First Embodiment>
As shown in FIG. 1, the method for patterning both surfaces of a glass substrate according to the first embodiment of the present invention includes an electrode layer forming step S1 for forming electrode layers to be patterned on both surfaces of the glass substrate, and both surfaces of the glass substrate. A resist layer forming step S2 for forming a resist layer, an exposure step S3 for exposing the resist layers on both sides of the glass substrate, a developing step S4 for dissolving and removing the photosensitive portions of the resist layers on both sides of the glass substrate with a developer, and glass Etching step S5, in which the electrode layer exposed from the photosensitive part (removed part) removed on both sides of the substrate is removed with an etching solution, and the non-photosensitive part (remaining part) of the resist layer on both sides of the glass substrate is removed with a resist stripping solution. The resist layer peeling step S6 to be performed and the cleaning step S7 for cleaning the glass substrate are included in this order. Hereinafter, each process is demonstrated in order.

(1)電極層形成工程
電極層形成工程S1では、ガラス基板の第1の面に電極層としての透明導電酸化物層を形成した後に、ガラス基板の第2の面に電極層としての透明導電酸化物層を形成する。なお、ガラス基板の第1の面と第2の面に、透明導電酸化物層を同時に形成してもよい。
(1) Electrode layer formation process In electrode layer formation process S1, after forming the transparent conductive oxide layer as an electrode layer in the 1st surface of a glass substrate, the transparent conductivity as an electrode layer in the 2nd surface of a glass substrate. An oxide layer is formed. In addition, you may form a transparent conductive oxide layer simultaneously in the 1st surface and 2nd surface of a glass substrate.

透明導電酸化物層を形成する方法としては、スパッタリング、蒸着、塗布、スピンコート、スプレー法などが利用される。透明導電酸化物層は、例えば、ITOやAZOなどから構成される。   As a method for forming the transparent conductive oxide layer, sputtering, vapor deposition, coating, spin coating, spraying, or the like is used. The transparent conductive oxide layer is made of, for example, ITO or AZO.

ここで、ガラス基板は、厚みが0.04〜3mmであることが好ましい。また、本実施形態では、後述する露光工程S3で用いる紫外線の透過率を高めるために、ガラス基板において、ガラス組成中の鉄成分の含有量が制限されている。例えば、ガラス組成中の鉄成分は、好ましくは1000ppm以下であり、更に好ましくは500ppm以下であり、最も好ましくは400ppm以下である。   Here, the glass substrate preferably has a thickness of 0.04 to 3 mm. Moreover, in this embodiment, in order to raise the transmittance | permeability of the ultraviolet-ray used by exposure process S3 mentioned later, content of the iron component in a glass composition is restrict | limited in a glass substrate. For example, the iron component in the glass composition is preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and most preferably 400 ppm or less.

(2)レジスト層形成工程
レジスト層形成工程S2では、ガラス基板の第1の面を上にした状態で、第1の面にレジストを塗布し、その後、第1の面のレジストを加熱する(第1のプリベーク)。次に、ガラス基板を反転して、ガラス基板の第2の面を上にした状態で、第2の面にレジストを塗布した後、第2の面のレジストを加熱する(第2のプリベーク)。このようなプリベークにより、レジストがガラス基板の表面に密着し、強固なレジスト層が形成される。プリベーク時の加熱温度は、例えば、70〜150℃である。
(2) Resist layer forming step In the resist layer forming step S2, a resist is applied to the first surface with the first surface of the glass substrate facing up, and then the resist on the first surface is heated ( First pre-bake). Next, the glass substrate is turned over, and the resist on the second surface is applied with the second surface of the glass substrate facing up, and then the resist on the second surface is heated (second prebaking). . By such pre-baking, the resist adheres to the surface of the glass substrate, and a strong resist layer is formed. The heating temperature at the time of prebaking is, for example, 70 to 150 ° C.

レジストとしては、例えば、東京応化工業製の液状フォトレジストなどが挙げられる。第1の面と第2の面に塗布するレジストは、異種であってもよいが、本実施形態では同種とする。なお、レジストの塗布は、例えばスピンコートによって行う。レジストは、塗布タイプの代わりに、ドライフィルムレジストを用いてもよい。   Examples of the resist include a liquid photoresist manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. The resist applied to the first surface and the second surface may be different, but in this embodiment, the resist is the same. Note that the resist is applied by, for example, spin coating. As the resist, a dry film resist may be used instead of the coating type.

(3)露光工程
露光工程S3では、ガラス基板、透明導電酸化物層及びレジスト層を透過可能な紫外線を用いる。ここで、この実施形態では、ガラス基板の紫外線の透過率が20%以上であれば、紫外線は「ガラス基板を透過可能な光」とする。透過率は、露光工程S3で使用される紫外線の波長の値とする。ガラス基板の紫外線の透過率は、好ましくは30%以上であり、更に好ましくは50%以上であり、最も好ましくは75%以上である。一方、この実施形態では、レジスト層及び透明導電酸化物層の紫外線の透過率が10%以上であれば、紫外線は「レジスト層及び透明導電酸化物層を透過可能な光」とする。透過率は、露光工程S3で使用される紫外線の波長の値とする。レジスト層や透明導電酸化物層の紫外線の透過率は、20%以上であることが好ましい。
(3) Exposure process In exposure process S3, the ultraviolet-ray which can permeate | transmit a glass substrate, a transparent conductive oxide layer, and a resist layer is used. Here, in this embodiment, if the transmittance of ultraviolet rays of the glass substrate is 20% or more, the ultraviolet rays are “light that can be transmitted through the glass substrate”. The transmittance is a value of the wavelength of ultraviolet rays used in the exposure step S3. The ultraviolet transmittance of the glass substrate is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and most preferably 75% or more. On the other hand, in this embodiment, if the ultraviolet transmittance of the resist layer and the transparent conductive oxide layer is 10% or more, the ultraviolet light is “light that can be transmitted through the resist layer and the transparent conductive oxide layer”. The transmittance is a value of the wavelength of ultraviolet rays used in the exposure step S3. The ultraviolet transmittance of the resist layer and the transparent conductive oxide layer is preferably 20% or more.

詳細には、露光工程S3では、図2に示すように、ガラス基板1の第1の面1aの上方にマスク2を配置する。マスク2は、紫外線3を遮断する遮断層2aを、紫外線3を透過するガラス基板2b上に所定のパターンで形成したものである。マスク2の遮断層2a側を、ガラス基板1の第1の面1aに対向させた状態で、マスク2を介して、ガラス基板1の第1の面1a側から紫外線3を照射する。照射された紫外線3の一部は、まず、マスク2の遮断層2aが形成されてない部分を透過し、ガラス基板1の第1の面1aに形成されたレジスト層4に照射される。その後、照射された紫外線3の一部は、第1の面1a側のレジスト層4、透明導電酸化物層5を順に透過して、ガラス基板1に至る。更に、照射された紫外線3の一部は、ガラス基板1、第2の面1b側の透明導電酸化物層6を順に透過して、第2の面1b側のレジスト層7に至る。これにより、第1の面1a側のレジスト層4と、第2の面1b側のレジスト層7が、同時に露光され、それぞれのレジスト層4,7の一部に感光部(図中でクロスハッチングを付した部分)4a,7aが形成される。そして、これら感光部4a,7aは、第1の面1aの上方に配置されたマスク2を透過した紫外線3によって同時に形成されるので、実質的に位置ずれのない同一のパターン形状となる。したがって、この感光部4a,7aに基づいて、後述するように、透明導電酸化物層5,6を加工すれば、ガラス基板1の両面に同一の電極パターンを簡単且つ確実に形成することができる。   Specifically, in the exposure step S3, the mask 2 is disposed above the first surface 1a of the glass substrate 1 as shown in FIG. In the mask 2, a blocking layer 2 a that blocks the ultraviolet light 3 is formed on a glass substrate 2 b that transmits the ultraviolet light 3 in a predetermined pattern. The ultraviolet ray 3 is irradiated from the first surface 1 a side of the glass substrate 1 through the mask 2 in a state where the blocking layer 2 a side of the mask 2 is opposed to the first surface 1 a of the glass substrate 1. Part of the irradiated ultraviolet rays 3 first passes through the portion of the mask 2 where the blocking layer 2a is not formed, and is irradiated onto the resist layer 4 formed on the first surface 1a of the glass substrate 1. Thereafter, a part of the irradiated ultraviolet rays 3 sequentially passes through the resist layer 4 and the transparent conductive oxide layer 5 on the first surface 1 a side and reaches the glass substrate 1. Further, a part of the irradiated ultraviolet rays 3 sequentially passes through the glass substrate 1 and the transparent conductive oxide layer 6 on the second surface 1b side, and reaches the resist layer 7 on the second surface 1b side. As a result, the resist layer 4 on the first surface 1a side and the resist layer 7 on the second surface 1b side are exposed simultaneously, and a photosensitive portion (cross-hatched in the figure) is formed on a part of each of the resist layers 4 and 7. 4a and 7a are formed. Since the photosensitive portions 4a and 7a are simultaneously formed by the ultraviolet rays 3 transmitted through the mask 2 disposed above the first surface 1a, they have the same pattern shape with substantially no displacement. Therefore, if the transparent conductive oxide layers 5 and 6 are processed based on the photosensitive portions 4a and 7a as described later, the same electrode pattern can be easily and reliably formed on both surfaces of the glass substrate 1. .

ここで、好ましい紫外線の照射条件の一例を以下に示す。
・紫外線の波長:i線(波長365nm)、h線(波長405nm)又はg線(波長436nm)
・紫外線の照射エネルギー:200〜400mJ
・紫外線の照射時間:6〜12秒
Here, an example of preferable ultraviolet irradiation conditions is shown below.
UV wavelength: i-line (wavelength 365 nm), h-line (wavelength 405 nm) or g-line (wavelength 436 nm)
-UV irradiation energy: 200-400mJ
-UV irradiation time: 6-12 seconds

なお、図示例のように、ガラス基板1とマスク2は接触していてもよいが、ガラス基板1とマスク2が接触しないようにすることが好ましい。この場合、ガラス基板1とマスク2との間隔が一定となるように、露光すべき領域の範囲外(例えば、ガラス基板1の周縁部)において、ガラス基板1とマスク2との間にスペーサを配置することが好ましい。また、第2の面1b側のレジスト層7を透過した紫外線3が反射して戻り光を形成しないように、レジスト層7の下方に紫外線吸収板(図示せず)を配置することが好ましい。   Although the glass substrate 1 and the mask 2 may be in contact with each other as in the illustrated example, it is preferable that the glass substrate 1 and the mask 2 are not in contact with each other. In this case, a spacer is provided between the glass substrate 1 and the mask 2 outside the range of the region to be exposed (for example, the peripheral edge of the glass substrate 1) so that the distance between the glass substrate 1 and the mask 2 is constant. It is preferable to arrange. Further, it is preferable to arrange an ultraviolet absorbing plate (not shown) below the resist layer 7 so that the ultraviolet light 3 transmitted through the resist layer 7 on the second surface 1b side is reflected and does not form return light.

(4)現像工程
現像工程S4では、図3に示すように、ガラス基板1を現像液8に浸漬し、第1の面1aのレジスト層4の感光部4a(図2を参照)と、第2の面1bのレジスト層7の感光部7a(図2を参照)を同時に溶解除去する。これにより、レジスト層4,7のうち、露光されていない非感光部4b,7bだけが残る。現像液8としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液や水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。
(4) Development Step In the development step S4, as shown in FIG. 3, the glass substrate 1 is immersed in the developer 8, and the photosensitive portion 4a (see FIG. 2) of the resist layer 4 on the first surface 1a is The photosensitive portion 7a (see FIG. 2) of the resist layer 7 on the second surface 1b is simultaneously dissolved and removed. As a result, of the resist layers 4 and 7, only the non-exposed portions 4b and 7b that are not exposed remain. Examples of the developer 8 include an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution and an aqueous potassium hydroxide solution.

(5)エッチング工程
エッチング工程S5では、まず、ガラス基板をエッチング液に浸漬する前に、ガラス基板を加熱する(ポストベーク)。これにより、ガラス基板とレジスト層を密着させ、エッチング液が、ガラス基板とレジスト層の間に入り込むのを抑制することができる。ポストベーク時の加熱温度は、例えば、100〜200℃である。
(5) Etching Step In the etching step S5, first, the glass substrate is heated (post-bake) before the glass substrate is immersed in the etching solution. Thereby, a glass substrate and a resist layer are stuck, and it can suppress that an etching liquid penetrates between a glass substrate and a resist layer. The heating temperature during post-baking is, for example, 100 to 200 ° C.

次に、図4に示すように、ガラス基板1をエッチング液9に浸漬し、第1の面1aの透明導電酸化物層5と第2の面1bの透明導電酸化物層6のうち、レジスト層4,7の非感光部4b,7bで覆われていない露出部分(図2の感光部4a,7aに対応する部分)を溶解除去する。   Next, as shown in FIG. 4, the glass substrate 1 is immersed in an etching solution 9, and a resist is selected from the transparent conductive oxide layer 5 on the first surface 1a and the transparent conductive oxide layer 6 on the second surface 1b. The exposed portions of the layers 4 and 7 that are not covered with the non-photosensitive portions 4b and 7b (the portions corresponding to the photosensitive portions 4a and 7a in FIG. 2) are dissolved and removed.

エッチング液としては、例えば、フッ酸水溶液、硝酸水溶液、塩酸水溶液、塩化第二鉄水溶液、シュウ酸水溶液およびこれらの混合溶液などが挙げられる。なお、エッチングの方法としては、エッチング液に浸漬する方法以外にも、ブラシ・刷毛・ローラ・スプレーなどでエッチング液を部分的に塗布してエッチングしたり、フッ素含有化合物(例えば、4フッ化炭素)などのプラズマ中でエッチング(ドライエッチング)したりする方法を採用してもよい。   Examples of the etching solution include a hydrofluoric acid aqueous solution, a nitric acid aqueous solution, a hydrochloric acid aqueous solution, a ferric chloride aqueous solution, an oxalic acid aqueous solution, and a mixed solution thereof. As an etching method, in addition to the method of immersing in an etching solution, etching is performed by partially applying the etching solution with a brush, brush, roller, spray, or the like, or a fluorine-containing compound (for example, carbon tetrafluoride). Or a method of etching (dry etching) in plasma.

(6)レジスト層剥離工程
レジスト層剥離工程S6では、図5に示すように、ガラス基板1をレジスト剥離液10に浸漬し、第1の面1aのレジスト層4の非感光部4b(図4を参照)と、第2の面のレジスト層7の非感光部7b(図4を参照)とを同時に除去し、パターニングされた透明導電酸化物層5,6を露出させる。
(6) Resist layer peeling process In resist layer peeling process S6, as shown in FIG. 5, the glass substrate 1 is immersed in the resist peeling liquid 10, and the non-photosensitive part 4b (FIG. 4) of the resist layer 4 of the 1st surface 1a. And the non-photosensitive portion 7b (see FIG. 4) of the resist layer 7 on the second surface are simultaneously removed to expose the patterned transparent conductive oxide layers 5 and 6.

レジスト剥離液としては、例えば、水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。   Examples of the resist stripping solution include an aqueous potassium hydroxide solution.

(7)洗浄工程
そして、最後に、洗浄工程S7において、ガラス基板を洗浄することで、透明導電酸化物からなる同一の電極パターンが両面に形成されたガラス基板が完成する。
(7) Cleaning Step Finally, in the cleaning step S7, the glass substrate is cleaned to complete a glass substrate having the same electrode pattern made of a transparent conductive oxide formed on both sides.

なお、現像工程S4やエッチング工程S5の後に、ガラス基板を洗浄する洗浄工程を追加してもよい。   A cleaning process for cleaning the glass substrate may be added after the development process S4 and the etching process S5.

<第2の実施形態>
本発明の第2の実施形態に係るパターニング方法が、第1の実施形態に係るパターニング方法と異なる点は、レジスト層形成工程S2及び露光工程S3工程において、ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で処理を行うところにある。特に、ガラス基板の厚みが薄い場合(例えば、厚みが500μm以下)に有効である。なお、後述する図6〜図8において、ガラス基板の両面に形成された透明導電酸化物層の図示は省略している。
<Second Embodiment>
The patterning method according to the second embodiment of the present invention is different from the patterning method according to the first embodiment in that the glass substrate is placed on a supporting glass in the resist layer forming step S2 and the exposure step S3. There is a place to process. This is particularly effective when the glass substrate is thin (for example, the thickness is 500 μm or less). In addition, in FIGS. 6-8 mentioned later, illustration of the transparent conductive oxide layer formed in both surfaces of the glass substrate is abbreviate | omitted.

詳細には、図6に示すように、レジスト層形成工程S2において、まず、第1の面1aを上にしたガラス基板1を支持ガラス11の上に載置した状態で、第1の面1aにレジスト層4を形成する(S21)。この状態のまま、第1の面1aのレジスト層4を加熱し、第1のプリベークを行う(S22)。第1のプリベークの後、ガラス基板1と支持ガラス11を分離する(S23)。分離したガラス基板1を反転させ、第2の面1bを上にしたガラス基板1を、支持ガラス11の上に再び載置する(S24)。この状態のまま、第2の面1bにレジスト層7を形成する(S25)。その後、ガラス基板1と支持ガラス11を再び分離する(S26)。分離したガラス基板1の第2の面1bのレジスト層7を加熱し、第2のプリベークを行う(S27)。このようにすれば、ガラス基板1の両面にレジスト層が形成された状態となる第2のプリベーク時には、ガラス基板1と支持ガラス11が分離されている。そのため、第2のプリベーク時の加熱に伴って、ガラス基板1と支持ガラス11が、レジスト層4,7によって接着するという事態を回避することができる。   Specifically, as shown in FIG. 6, in the resist layer forming step S <b> 2, first, the first surface 1 a is placed in a state where the glass substrate 1 with the first surface 1 a is placed on the support glass 11. A resist layer 4 is formed on the substrate (S21). In this state, the resist layer 4 on the first surface 1a is heated to perform first prebake (S22). After the first pre-bake, the glass substrate 1 and the support glass 11 are separated (S23). The separated glass substrate 1 is inverted, and the glass substrate 1 with the second surface 1b facing up is placed again on the support glass 11 (S24). In this state, the resist layer 7 is formed on the second surface 1b (S25). Thereafter, the glass substrate 1 and the supporting glass 11 are separated again (S26). The resist layer 7 on the second surface 1b of the separated glass substrate 1 is heated and second prebaking is performed (S27). If it does in this way, the glass substrate 1 and the support glass 11 will be isolate | separated at the time of the 2nd prebaking which will be in the state by which the resist layer was formed in both surfaces of the glass substrate 1. FIG. Therefore, it is possible to avoid a situation in which the glass substrate 1 and the support glass 11 are bonded to each other by the resist layers 4 and 7 along with the heating during the second pre-bake.

ここで、ガラス基板の合わせ面(支持ガラスと接触させる側の面)と、支持ガラスの合わせ面(ガラス基板と接触させる側の面)の表面粗さRaは、それぞれ2.0nm以下とされている。この実施形態では、ガラス基板の合わせ面は、第2の面に形成される透明導電酸化物層の表面および第1の面に形成されるレジスト層の表面となり、支持ガラスの合わせ面は、支持ガラスの表面(上面)となる。なお、Raの値としては、好ましくは1.0nm以下であり、より好ましくは0.5nm以下であり、最も好ましくは0.2nm以下である。このRaの値を小さくするほど、重ね合わされたガラス基板と支持ガラスとを強固に密着させることができる。   Here, the surface roughness Ra of the mating surface of the glass substrate (the surface on the side in contact with the support glass) and the mating surface of the support glass (the surface on the side in contact with the glass substrate) is 2.0 nm or less, respectively. Yes. In this embodiment, the mating surface of the glass substrate is the surface of the transparent conductive oxide layer formed on the second surface and the surface of the resist layer formed on the first surface, and the mating surface of the supporting glass is the supporting surface. It becomes the surface (upper surface) of the glass. The value of Ra is preferably 1.0 nm or less, more preferably 0.5 nm or less, and most preferably 0.2 nm or less. As the value of Ra is decreased, the laminated glass substrate and the supporting glass can be firmly adhered to each other.

また、支持ガラスの厚みは、ガラス基板の厚みよりも大きい方が好ましい。具体的には、支持ガラスの厚みは、例えば、0.4〜2.0mmである。さらに、支持ガラスの合わせ面の面積は、ガラス基板の合わせ面の面積よりも大きい方が好ましい。なお、支持ガラスの合わせ面の面積は、ガラス基板の合わせ面の面積と同じであってもよいし、ガラス基板の合わせ面の面積よりも小さくてもよい。   Further, the thickness of the supporting glass is preferably larger than the thickness of the glass substrate. Specifically, the thickness of the support glass is, for example, 0.4 to 2.0 mm. Furthermore, it is preferable that the area of the mating surface of the supporting glass is larger than the area of the mating surface of the glass substrate. In addition, the area of the mating surface of the support glass may be the same as the area of the mating surface of the glass substrate, or may be smaller than the area of the mating surface of the glass substrate.

本実施形態では、第1のプリベークと第2のプリベークを次のように行っている。すなわち、図7に示すように、第1のプリベークでは、支持ガラス11に載置されたガラス基板1をホットプレート12で加熱している。一方、図8に示すように、第2のプリベークでは、支持ガラス11から分離された複数枚のガラス基板1を、間隔を置いてバスケット13内に立てた状態で収容し、クリーンオーブン14内で加熱している。なお、バスケット13は、図示しないが、ガラス基板1の両側辺と下辺を保持する複数の保持溝を有している。各ガラス基板1は、両側辺と下辺が保持溝に嵌め込まれた状態で保持されている。なお、ガラス基板1の下辺を平面で保持し、両側辺のみを保持溝で保持してもよい。   In the present embodiment, the first pre-bake and the second pre-bake are performed as follows. That is, as shown in FIG. 7, in the first pre-bake, the glass substrate 1 placed on the support glass 11 is heated by the hot plate 12. On the other hand, as shown in FIG. 8, in the second pre-bake, a plurality of glass substrates 1 separated from the support glass 11 are accommodated while standing in a basket 13 with an interval between them, and in a clean oven 14. Heating. Although not shown, the basket 13 has a plurality of holding grooves that hold both sides and lower sides of the glass substrate 1. Each glass substrate 1 is held in a state in which both sides and lower sides are fitted in holding grooves. Note that the lower side of the glass substrate 1 may be held by a plane, and only both sides may be held by holding grooves.

第2のプリベークの後の露光工程S3では、上記のレジスト層形成工程S2と同様に、第1の面(又は第2の面)を上にしたガラス基板を支持ガラスの上に載置する。この状態で、第1の面(又は第2の面)の上方にマスクを配置し、露光を行う。露光後はガラス基板と支持ガラスを分離する。   In the exposure step S3 after the second pre-bake, the glass substrate with the first surface (or the second surface) is placed on the support glass, as in the resist layer forming step S2. In this state, a mask is disposed above the first surface (or the second surface) and exposure is performed. After the exposure, the glass substrate and the supporting glass are separated.

露光工程S3の後は、支持ガラスから分離したガラス基板に対して、第1の実施形態で説明したように、現像工程S4、エッチング工程S5、レジスト層剥離工程S6、洗浄工程S7の各工程を実行する。すなわち、支持ガラスから分離したガラス基板を、現像液、エッチング液、レジスト剥離液に順次浸漬し、透明導電酸化物からなる同一の電極パターンが両面に形成されたガラス基板を製造する。   After the exposure step S3, the steps of the development step S4, the etching step S5, the resist layer peeling step S6, and the cleaning step S7 are performed on the glass substrate separated from the supporting glass as described in the first embodiment. Run. That is, the glass substrate separated from the supporting glass is sequentially immersed in a developer, an etching solution, and a resist stripping solution to produce a glass substrate on which the same electrode pattern made of a transparent conductive oxide is formed on both sides.

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の形態で実施することができる。   In addition, this invention is not limited to said embodiment, It can implement with a various form.

上記の実施形態(第2の実施形態)では、レジスト層形成工程S2及び露光工程S3工程において、ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で処理する場合を説明したが、電極層形成工程S1において、ガラス基板を支持ガラスの上に載置した状態で処理を行ってもよい。すなわち、第1の面を上にしたガラス基板を支持ガラスの上に載置した状態で、第1の面に透明導電酸化物層を形成する。その後、ガラス基板と支持ガラスを分離して、第2の面を上にしたガラス基板を支持ガラスの上に再び載置し、この状態で、第2の面に透明導電酸化物層を形成する。   In the above-described embodiment (second embodiment), the case where processing is performed in a state where the glass substrate is placed on the supporting glass in the resist layer forming step S2 and the exposure step S3 has been described. However, in the electrode layer forming step S1 The treatment may be performed in a state where the glass substrate is placed on the supporting glass. That is, the transparent conductive oxide layer is formed on the first surface in a state where the glass substrate having the first surface is placed on the support glass. Thereafter, the glass substrate and the supporting glass are separated, and the glass substrate with the second surface facing up is placed again on the supporting glass, and in this state, a transparent conductive oxide layer is formed on the second surface. .

また、上記の実施形態(第2の実施形態)では、第2のプリベークの加熱時に、複数枚のガラス基板を立てた状態でバスケットに収容し、バッチ処理する場合を説明したが、ポストベークの加熱時や、現像液・エッチング液・レジスト剥離液の各液中に浸漬する時に、複数枚のガラス基板を立てた状態でバスケットに収容し、バッチ処理するようにしてもよい。   In the above-described embodiment (second embodiment), the case where a plurality of glass substrates are stood in a basket and batch-processed when the second pre-bake is heated has been described. When heating or immersing in each solution of developer, etching solution and resist stripping solution, a plurality of glass substrates may be stood in a basket and batch-processed.

また、上記の実施形態では、レジストとして、露光された部分が現像液により除去されるポジ型のものを用いる場合を説明したが、露光されていない部分が現像液により除去されるネガ型のものを用いてもよい。   Further, in the above embodiment, the case where a positive type resist in which the exposed portion is removed by the developer is used as the resist, but a negative type resist in which the unexposed portion is removed by the developer. May be used.

1 ガラス基板
2 マスク
3 紫外線
4,7 レジスト層
5,6 透明導電酸化物層
8 現像液
9 エッチング液
10 レジスト剥離液
11 支持ガラス
12 ホットプレート
13 バスケット
14 クリーンオーブン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Mask 3 Ultraviolet rays 4 and 7 Resist layers 5 and 6 Transparent conductive oxide layer 8 Developer 9 Etching solution 10 Resist stripping solution 11 Support glass 12 Hot plate 13 Basket 14 Clean oven

Claims (6)

フォトリソグラフィ法によりガラス基板の両面に同一のパターンを形成するガラス基板両面のパターニング方法であって、
前記ガラス基板の両面に、パターニングされる透明導電酸化物層を形成する工程と、
前記ガラス基板の両面に、レジスト層を形成する工程と、
前記ガラス基板、前記透明導電酸化物層及び前記レジスト層を透過可能な光を、前記ガラス基板の片面側のみからマスクを介して照射し、前記ガラス基板の両面の前記レジスト層を同時に露光する工程とを、この順で含むことを特徴とするガラス基板両面のパターニング方法。
A patterning method on both sides of a glass substrate that forms the same pattern on both sides of the glass substrate by photolithography,
Forming a transparent conductive oxide layer to be patterned on both surfaces of the glass substrate;
Forming a resist layer on both sides of the glass substrate;
A step of irradiating light that can pass through the glass substrate, the transparent conductive oxide layer, and the resist layer from only one side of the glass substrate through a mask, and simultaneously exposing the resist layers on both sides of the glass substrate. In this order, and a patterning method for both surfaces of the glass substrate.
前記レジスト層を露光する工程の後に、
前記ガラス基板の両面の前記レジスト層の一部を現像液で除去する工程と、
前記ガラス基板の両面で、前記レジスト層の除去部から露出した前記透明導電酸化物層をエッチング液で除去する工程と、
前記ガラス基板の両面の前記レジスト層の残部をレジスト剥離液で除去する工程とを、この順で更に含むことを特徴とする請求項1に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
After the step of exposing the resist layer,
Removing part of the resist layer on both sides of the glass substrate with a developer;
Removing the transparent conductive oxide layer exposed from the removed portion of the resist layer on both surfaces of the glass substrate with an etching solution;
The method for patterning both surfaces of a glass substrate according to claim 1, further comprising a step of removing the remainder of the resist layer on both surfaces of the glass substrate with a resist stripping solution in this order.
前記ガラス基板が、前記現像液、前記エッチング液および前記レジスト剥離液のそれぞれに浸漬されることを特徴とする請求項2に記載のガラス基板両面のパターニング方法。   The method for patterning both surfaces of a glass substrate according to claim 2, wherein the glass substrate is immersed in each of the developer, the etching solution, and the resist stripping solution. 前記透明導電酸化物層を形成する工程、前記レジスト層を形成する工程および前記レジスト層を露光する工程のうち、少なくとも一つの工程において、
前記ガラス基板を支持ガラスに載置した状態で、前記ガラス基板を処理することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
In at least one of the step of forming the transparent conductive oxide layer, the step of forming the resist layer, and the step of exposing the resist layer,
The said glass substrate is processed in the state which mounted the said glass substrate in support glass, The patterning method of the glass substrate both sides of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
前記レジスト層を形成する工程が、
前記ガラス基板の第1の面を上にして、前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置する工程と、
前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置した状態で、前記第1の面にレジストを塗布する工程と、
前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置した状態で、前記第1の面の前記レジストを加熱する工程と、
前記ガラス基板と前記支持ガラスを分離する工程と、
前記ガラス基板の第2の面を上にして、前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置する工程と、
前記ガラス基板を前記支持ガラスに載置した状態で、前記第2の面にレジストを塗布する工程と、
前記ガラス基板と前記支持ガラスを分離する工程と、
前記第2の面の前記レジストを加熱する工程とを、この順で含むことを特徴とする請求項4に記載のガラス基板両面のパターニング方法。
Forming the resist layer comprises:
Placing the glass substrate on the support glass with the first surface of the glass substrate facing up;
Applying the resist on the first surface in a state where the glass substrate is placed on the supporting glass;
Heating the resist on the first surface in a state where the glass substrate is placed on the supporting glass;
Separating the glass substrate and the supporting glass;
Placing the glass substrate on the support glass with the second surface of the glass substrate facing up;
Applying the resist on the second surface in a state where the glass substrate is placed on the supporting glass;
Separating the glass substrate and the supporting glass;
The method of patterning both surfaces of the glass substrate according to claim 4, further comprising the step of heating the resist on the second surface in this order.
前記第2の面の前記レジストを加熱する工程は、前記ガラス基板を立てた状態で行うことを特徴とする請求項5に記載のガラス基板両面のパターニング方法。   6. The method for patterning both surfaces of a glass substrate according to claim 5, wherein the step of heating the resist on the second surface is performed in a state where the glass substrate is erected.
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