JP2016189449A - 受動デバイスのインダクタンス比の調整 - Google Patents
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Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 232
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F19/00—Fixed transformers or mutual inductances of the signal type
- H01F19/04—Transformers or mutual inductances suitable for handling frequencies considerably beyond the audio range
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/30—Fastening or clamping coils, windings, or parts thereof together; Fastening or mounting coils or windings on core, casing, or other support
- H01F27/306—Fastening or mounting coils or windings on core, casing or other support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/045—Trimming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2819—Planar transformers with printed windings, e.g. surrounded by two cores and to be mounted on printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/10—Inductors
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Multimedia (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】受動デバイスのインダクタンス比の調整を提供する。【解決手段】二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を含むデバイスを含む装置であって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整されている、装置。横方向に結合されたレイアウトにおいて二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を含む基板上のインピーダンス整合されたトランス・デバイスを形成する段階を含む方法であって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整される、方法。【選択図】図1
Description
集積回路デバイス。
トランスおよびコイルのような受動誘導素子は一般に、ダウンスケールする集積回路(IC)技術とともにスケールするものではない。電波周波(RF: radio frequency)相補的金属酸化物半導体(CMOS)セルラーおよび接続性トランシーバにおいては、トランスはインピーダンス整合〔マッチング〕用途のための鍵となる要素である。トランス・レイアウト・デザインは、指定された周波数およびインダクタンス比を満たすために、簡単に1平方ミリメートルを超える面積を占めることがある。
低コストのCMOSプロセスは一般に、インダクタおよびトランス・デバイスのために使用可能な二つのトップの、一般に厚い金属レベルを有する。二レベルの金属再配線層をもつパッケージ内のコイルが、インダクタおよびトランス用途のために活用されることもある。
トランス・デザインは一般に、最大限のエネルギー転送のために、一次巻き線と二次巻き線との間の高い結合係数(k)を必要とする、結合因子kは0(結合なし)から1(高い結合)までの間の値をもつことができる。一般に、高い結合因子のためにシリコン・チップまたはパッケージ技術において好適な二つの型のトランスがある。二つの隣り合う金属層(すなわち、チップの最後および最後から二番目の金属層)における横結合トランスおよび縦結合トランスである。これらの技術のデザイン規則、トランスの面積、金属間の(たとえば、トップ金属1とトップ金属2の間の)分離の距離および金属の接続性からは、しばしば、チップ上またはパッケージ上での高い結合(7より大きな結合因子)のために、横結合トランスのデザインが有利である。
二金属の横結合トランスにおける問題は、一次巻き線と二次巻き線との間の要求されるインダクタンス比への調整(tuning)である。たとえば、横結合トランスでは、3:1より高いインダクタンス比を得ることは一般には可能ではない。
相互に巻き合わされ(interwound)、二つの金属層において磁気的に接続された一次巻き線および二次巻き線を含む、チップまたはパッケージ上のトランスのような受動デバイスを含む装置が記述される。一次巻き線および二次巻き線の一方のインダクタンスは、一次巻き線と二次巻き線との間のある目標インダクタンス比を得るよう調整される。一次巻き線および二次巻き線の前記一方のインダクタンスを、目標の一次対二次インダクタンス比のために調整するために、二レベルの金属スタックにおけるデバイス・レイアウトを構築する方法も記述される。
ある実施形態では、デバイスは、トランスである受動デバイスである。ある代表例では、電波周波(RF)トランシーバ回路は、2.5ナノヘンリー(nH)のオーダーの一次インダクタンスおよび0.7nHのオーダーの二次インダクタンスとともに2ギガヘルツ(GHz)の動作周波数での高い結合係数(たとえば0.7より大きい)をもつインピーダンス整合トランスを必要とする。下記のトランス・デバイス・レイアウトは、この代表例を満たすよう調整されたデバイスを例解する。
図1は、チップの隣り合う金属層において代表的に形成されるRFトランシーバ回路のためのインピーダンス整合トランス・デバイスのトランスのある実施形態を示している。図1は、チップ105が接続されているパッケージ基板102を含むパッケージの一部の側面図を示している。チップ105はたとえば、RFベースバンド・ダイである。パッケージ基板102には、メモリ・チップのような二次チップ106も接続されている。図示した実施形態では、チップ105および二次チップ106はスタッキングされた配置に配置されている。別の実施形態では、それらのチップは隣り合わせの配置でパッケージ10内にアセンブルされてもよい。図1は、トランス・デバイス100を含むチップ105のデバイス側の一部の拡大された上面図も示している。この実施形態では、トランス・デバイス100は、一次巻き線110Aおよび一次巻き線110Bならびに二次巻き線120Aおよび二次巻き線120Bを含む。これらの一次巻き線および二次巻き線は、横結合レイアウトにおいてチップまたはパッケージの二つの金属層において相互に巻き合わされ、磁気的に結合されている。これらの巻き線は、各巻き線が伝導金属層の幅wおよび隣り合う巻き線間のある離間をもつ四角形の渦巻き線(たとえば正方形または長方形の渦巻き)になるよう相互に巻き合わされている。ある実施形態では、これらの巻き線は、銅材料のような伝導性材料から、たとえばチップまたはパッケージの上の二つの金属層におけるパターン形成および堆積(たとえばシーディング(seeding)および電気めっき(electroplating))技法といった通常の技法によって形成される。各巻き線は、ある側面では、その巻き線と(見られたときの)隣接する外側の巻き線との間の間隔によって定義される周寸法を含む。最も内側以外のすべての巻き線について、その巻き線と隣接する外側の巻き線との間の間隔dは、四角形の渦巻き線の四辺のそれぞれの側で同じまたはほぼ同じである。この実施形態において記述されるように、最も内側の巻き線(二次巻き線)は、該巻き線と隣接する外側の巻き線との間の間隔によって定義される周寸法であって、一つの側での間隔Dが、該巻き線の残りの他の側での間隔dと異なるような周寸法を含む。該巻き線の一つの側の間隔Dは、他の三つの側の間隔dより有意に大きい。このように、トランス・デバイス100の最も内側の巻き線は、間隔がすべての側で一定であるとした場合にスケーリングのために許容可能である利用可能な面積よりも、縮小される(小さくスケーリングされる)。図示した実施形態では、巻き線の一つの側での間隔Dは、隣接する巻き線の上側または上方に関する。別の実施形態では、間隔Dは隣接する巻き線の下側または低い側に関するものであってもよく、あるいは隣接する巻き線の左または右側に関するものであってもよい。
ある実施形態では、トランス・デバイス100によって費やされる面積は、239×239μm2のオーダーである。ある実施形態では、トランス・デバイスは1.975GHzの周波数;二次インダクタンス(Lsecondary=6.967E-10);および一次インダクタンス(Lprimary=2.647E-0)をもつ。図2は、インダクタンス差(inductance differential)を示している。見て取れるように、相互巻き(二次巻き線)の周を縮小することによって、インダクタンスは、2.5nH付近の一次インダクタンス;0.7nHのオーダーの二次インダクタンスおよび2GHzの動作周波数の目標に一致するようスケーリングされる。比較のために、最も内側の巻き線が四角形の巻き線の四つの側のそれぞれにおいて同様の間隔によって定義される周寸法をもっていたとした場合、トランス・デバイスの面積は同様(239×239μm2)で;周波数は2.037GHzとなり;二次インダクタンスは1.078E-9となり;一次インダクタンスは2.645E-9となる。そのような場合、二次インダクタンスが1nHなので、所望されるインダクタンス比(0.7:2.5のオーダーのLsecondary:Lprimary)は得ることができない。
図3は、トランス・デバイスの巻き線のスケーリングのもう一つの実施形態を示している。この実施形態では、スケーリングされたトランス・デバイスにおける追加的な面積増加はなく、一次巻き線または二次巻き線のいずれかのインダクタンスを調整することにおいて柔軟性がある。ある実施形態では、基板205はチップまたはダイ(たとえばRFベースバンド・ダイ)であり、一つまたは複数のメモリ・チップをも含むパッケージ基板に接続される。デバイス100と同様に、デバイス200は、ある実施形態では、一次巻き線210Aおよび一次巻き線210Bならびに二次巻き線220Aおよび二次巻き線220Bを含むインピーダンス整合トランス・デバイスであり、これらの巻き線は、横結合レイアウトにおいて、相互に巻き合わされ、基板の諸金属層中に磁気的に結合される。このデバイスは、当技術分野において知られているようにして、一次巻き線および二次巻き線の四角形の渦巻き線になるよう相互に巻き合わされる。巻き線の上側または上方が記号Tで表わされる。この実施形態では、各巻き線は、その巻き線と隣接する外側の巻き線との間の間隔dによって定義される周寸法であって、間隔dは各四角形の渦巻き線のそれぞれの側において同じである周寸法を有する。巻き線のそれぞれの側における間隔dが、最も内側の巻き線と最も内側の巻き線の外側の巻き線に関して図示されている。この実施形態では、最も内側の巻き線は二次巻き線である。一次および二次巻き線に加えて、デバイス200は、たとえば伝導性材料のシャント(shunt)・トレース230を含む。ある実施形態では、シャント・トレース230は最も内側の巻き線の二つの向かい合う辺の間に接続される。シャント・トレース230を加えることによって、デバイスの面積を増加させることなく、四角形の渦巻き線内で、追加的なインダクタンスがデバイス中に導入される。図示したようなシャント・トレース230は、最も内側の巻き線と並列であり、インダクタンスを低下させるよう動作可能である。シャント・トレース230はたとえば、デバイス200の一次巻き線および二次巻き線の金属材料と同様の金属材料である。一般に、シャント・トレース230の巻き線の上部Tからの距離が大きいほど、二次インダクタンスは低くなる。シャント・トレース230の構成は基本的には、並列な二つのインダクタの並列構成におけるインダクタンスである。
ある実施形態では、シャント・トレース230は、ある巻き線の寸法と同様の寸法(幅、厚さ)をもつ。たとえば銅材料のシャント・トレース230は、通常のパターン形成および堆積(たとえばシーディングおよびそれに続く電気めっき)技法によって、最も内側の巻き線を形成する時点で、導入されうる。
図4は、デバイス200の巻き線のインダクタンス差を示している。このデバイスの属性は、1.975GHzの周波数;二次インダクタンスLsecondary=6.967E-10;および一次インダクタンスLprimary=2.647E-9である。図のように、このデバイスは、2.5nH付近の一次インダクタンスおよび0.7nHの二次インダクタンスならびに2GHzの動作周波数において0.7より大きな結合係数という目的を満たす。最も内側の巻き線に並列にインダクタンスを生成するよう最も内側の巻き線の向かい合う辺の間に配置されたシャント・トレース230が、インダクタンスを調整する柔軟性を提供する。P1、P2のほうのシャント線の位置決めは、インダクタンスを低下させる傾向がある。ある代替的な実施形態(図3において破線で示される)では、シャント・トレースは、最も内側の巻き線ではなく、最も外側の巻き線上に置かれてもよい。
図5は、ある実装に基づくコンピューティング・デバイス300を示している。コンピューティング・デバイス300はボード302を収容している。ボード302は、プロセッサ304および少なくとも一つの通信チップ306を含むがそれに限られないいくつかのコンポーネントを含んでいてもよい。プロセッサ304が物理的および電気的にボード302に結合される。いくつかの実装では、少なくとも一つの通信チップ306もボード302に物理的および電気的に結合される。さらなる実装では、通信チップ306はプロセッサ304の一部である。
その用途に依存して、コンピューティング・デバイス300は、ボード302に物理的および電気的に結合されていてもいなくてもよい他のコンポーネントを含んでいてもよい。これらの他のコンポーネントは、揮発性メモリ(たとえばDRAM)、不揮発性メモリ(たとえばROM)、フラッシュ・メモリ、グラフィック・プロセッサ、デジタル信号プロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーン・ディスプレイ、タッチスクリーン・コントローラ、バッテリー、オーディオ・コーデック、ビデオ・コーデック、電力増幅器、全地球測位システム(GPS)デバイス、コンパス、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、カメラおよび大容量記憶装置(ハードディスク・ドライブ、コンパクトディスク(CD)、デジタル多用途ディスク(DVD)など)を含むがそれに限られない。
通信チップ306は、コンピューティング・デバイス300へのおよびコンピューティング・デバイス300からのデータの転送のための無線通信を可能にする。用語「無線」およびその派生形は、非固体媒体を通じて変調された電磁放射の使用を通じてデータを通信しうる、回路、デバイス、システム、方法、技法、通信チャネルなどを記述するために使用されうる。この用語は、関連するデバイスがいかなる線も含んでいないことを含意するものではない。いくつかの実施形態では含んでいないこともあるが。通信チップ306は、Wi-Fi(IEEE802.11ファミリー)、WiMAX(IEEE802.16ファミリー)、IEEE802.20、ロングタームエボリューション(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM(登録商標)、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、ブルートゥース、それらの派生物ならびに3G、4G、5Gそれ以上のように示される他の任意の無線プロトコルを含むがそれに限られない、いくつもの無線規格またはプロトコルのうちの任意のものを実装してもよい。コンピューティング・デバイス300は、複数の通信チップ306を含んでいてもよい。たとえば、第一の通信チップ306は、Wi-Fiおよびブルートゥースのようなより短いレンジの無線通信の専用であってもよく、第二の通信チップ306はGPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DOその他のようなより長いレンジの無線通信の専用であってもよい。
コンピューティング・デバイス300のプロセッサ304は、プロセッサ304内にパッケージングされた集積回路ダイを含む。いくつかの実装では、プロセッサの集積回路ダイは、上記の諸実装に基づいて形成されたインピーダンス整合されたトランスのような一つまたは複数のデバイスを含む。用語「プロセッサ」は、レジスタおよび/またはメモリからの電子データを処理してその電子データを、レジスタおよび/またはメモリに記憶されうる他の電子データに変換する任意のデバイスまたはデバイスの一部を指しうる。
通信チップ306も、通信チップ306内にパッケージングされた集積回路ダイを含んでいてもよい。別の実装によれば、通信チップの集積回路ダイは、上記の諸実装に基づいて形成されたインピーダンス整合されたトランスのような一つまたは複数のデバイスを含む。
さらなる実装では、コンピューティング・デバイス300内に収容される別のコンポーネントが、上記の諸実装に基づいて形成されたインピーダンス整合されたトランスのような一つまたは複数のデバイスを含む集積回路ダイを含んでいてもよい。
さまざまな実装において、コンピューティング・デバイス300はラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末(PDA)、ウルトラモバイルPC、携帯電話、デスクトップ・コンピュータ、サーバー、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、娯楽制御ユニット、デジタル・カメラ、携帯音楽プレーヤーまたはデジタル・ビデオ・レコーダーであってもよい。さらなる実装では、コンピューティング・デバイス300はデータを処理する他のいかなる電子装置であってもよい。
実施例1は、二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を有するデバイスを含む装置であって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整されている、装置である。
実施例2では、実施例1の装置における前記デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、前記トランスの最も内側の巻き線は、該最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きの少なくとも一つの側で異なっている間隔によって定義される周寸法を有する。
実施例3では、実施例2の装置における前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む。
実施例4では、実施例2の装置における前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの少なくとも一つの側において前記渦巻きの他の残りの側よりも大きい。
実施例5では、実施例4の装置における前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの他の残りの側では同様である。
実施例6では、実施例1の装置における前記デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、一連の各巻き線は、該巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きのそれぞれの側で同様である間隔によって定義される周寸法を有し、さらに、ある巻き線の二つの向かい合う側の間に結合されたシャント・トレースを有する。
実施例7では、実施例6の装置において前記シャント・トレースが結合される巻き線が、最も内側の巻き線である。
実施例8では、実施例7の装置における前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む。
実施例9は、(1)横結合されたレイアウトにおいて二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を含むインピーダンス整合トランス・デバイスを含むダイであって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整されている、ダイと、(2)メモリ・チップとを含むパッケージを含む装置である。
実施例10では、実施例9の装置における前記トランス・デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、前記トランスの最も内側の巻き線は、該最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きの少なくとも一つの側で異なっている間隔によって定義される周寸法を含む。
実施例11では、実施例10の装置における前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む。
実施例12では、実施例10の装置における前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの少なくとも一つの側において前記渦巻きの他の側よりも大きい。
実施例13では、実施例12の装置における前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの前記他の側では同様である。
実施例14では、実施例9の装置における前記トランス・デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、一連の各巻き線は、該巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きのそれぞれの側で同様である間隔によって定義される周寸法を含み、さらに、ある巻き線の二つの向かい合う側の間にシャント・トレースを含む。
実施例15では、実施例14の装置において前記シャント・トレースが結合される巻き線が最も内側の巻き線である。
実施例16では、実施例15の装置における前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む。
実施例17は、横方向に結合されたレイアウトにおいて二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を含む基板上のインピーダンス整合されたトランス・デバイスを形成する段階を含む方法であって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整される、方法である。
実施例18では、実施例17の方法における前記トランス・デバイスを形成する段階が、前記一次巻き線および前記二次巻き線を四角形の渦巻きになるよう巻き合わせることを含み、前記トランスの最も内側の巻き線は、該最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きの少なくとも一つの側で異なっている間隔によって定義される周寸法を有するようにする。
実施例19では、実施例17の方法における前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む。
実施例20では、実施例19の方法における前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの一つの側において前記渦巻きの残りの他の側よりも大きく、前記渦巻きの前記残りの他の側では同様である。
実施例21では、実施例17の方法における前記トランス・デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされ、一連の各巻き線は、該巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きのそれぞれの側で同様である間隔によって定義される周寸法を有し、トランス・デバイスを形成する段階が、ある巻き線の二つの向かい合う側の間にシャント・トレースを形成する段階を含む。
実施例22では、実施例21の方法における前記シャント・トレースが最も内側の巻き線の向かい合う辺の間に形成される。
実施例23では、実施例22の方法における前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む。
例解される実装の上記の記述は、要約書において記述されるものも含め、網羅的であったり本願発明を開示される厳密な形に限定したりすることは意図されていない。本発明の個別的な実装および例が本稿では例解目的のために記述されているが、さまざまな等価な修正が本願の範囲内で可能である。当業者はこのことを認識するであろう。
上記の詳細な説明に照らして、これらの修正が本発明に対してなされることができる。付属の請求項において使われる用語は、本発明を明細書および請求項において開示されている特定的な実装に限定するものと解釈されるべきではない。むしろ、本願の範囲は、完全に付属の請求項によって決定されるものである。請求項は、クレーム解釈の確立されたドクトリンに従って解釈されるものである。
Claims (24)
- 二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を有するデバイスを有する装置であって、
前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整されている、
装置。 - 前記デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、前記トランスの最も内側の巻き線は、該最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きの少なくとも一つの側で異なっている間隔によって定義される周寸法を有する、請求項1記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む、請求項2記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの少なくとも一つの側において前記渦巻きの他の側よりも大きい、請求項2記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの前記他の側では同様である、請求項4記載の装置。
- 前記デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、一連の各巻き線は、該巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きのそれぞれの側で同様である間隔によって定義される周寸法を有し、さらに、ある巻き線の二つの向かい合う側の間に結合されたシャント・トレースを有する、請求項1記載の装置。
- 前記シャント・トレースが結合される巻き線が最も内側の巻き線である、請求項6記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む、請求項7記載の装置。
- (1)横結合されたレイアウトにおいて二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を有するトランス・デバイスを有するダイであって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整されている、ダイと、(2)メモリ・チップとを有するパッケージを有する装置。
- 前記トランス・デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、前記トランスの最も内側の巻き線は、該最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きの少なくとも一つの側で異なっている間隔によって定義される周寸法を有する、請求項9記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む、請求項10記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの少なくとも一つの側において前記渦巻きの他の側よりも大きい、請求項10記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの前記他の側では同様である、請求項12記載の装置。
- 前記トランス・デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされており、一連の各巻き線は、該巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きのそれぞれの側で同様である間隔によって定義される周寸法を有し、さらに、ある巻き線の二つの向かい合う側の間にシャント・トレースを有する、請求項9記載の装置。
- 前記シャント・トレースが結合される巻き線が最も内側の巻き線である、請求項14記載の装置。
- 前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む、請求項15記載の装置。
- 横方向に結合されたレイアウトにおいて二つの金属層において相互に巻き合わされており、磁気的に結合された一次巻き線および二次巻き線を有する基板上のインピーダンス整合されたトランス・デバイスを形成する段階を含む方法であって、前記一次巻き線および前記二次巻き線の一方のインダクタンスは、前記一次巻き線と前記二次巻き線との間のある目標インダクタンス比のために調整される、方法。
- 前記トランス・デバイスを形成する段階が、前記一次巻き線および前記二次巻き線を四角形の渦巻きになるよう巻き合わせることを含み、前記トランスの最も内側の巻き線は、該最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きの少なくとも一つの側で異なっている間隔によって定義される周寸法を有するようにする、請求項17記載の方法。
- 前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む、請求項17記載の方法。
- 前記最も内側の巻き線と隣接する巻き線との間の間隔が、前記渦巻きの一つの側において前記渦巻きの他の側よりも大きく、前記渦巻きの前記他の側では同様である、請求項19記載の方法。
- 前記トランス・デバイスが前記一次巻き線および前記二次巻き線の四角形の渦巻きになるよう巻き合わされ、一連の各巻き線は、該巻き線と隣接する巻き線との間の間隔であって前記渦巻きのそれぞれの側で同様である間隔によって定義される周寸法を有し、トランス・デバイスを形成する段階が、ある巻き線の二つの向かい合う側の間にシャント・トレースを形成する段階を含む、請求項17記載の方法。
- 前記シャント・トレースが最も内側の巻き線の向かい合う側の間に形成される、請求項21記載の方法。
- 前記最も内側の巻き線が二次巻き線を含む、請求項22記載の方法。
- 請求項17ないし23のうちいずれか一項記載の方法で製造された、インピーダンス整合されたトランス・デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/672,162 US20160284461A1 (en) | 2015-03-28 | 2015-03-28 | Tuning inductance ratio of a passive device |
US14/672,162 | 2015-03-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016189449A true JP2016189449A (ja) | 2016-11-04 |
Family
ID=55443172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015096163A Pending JP2016189449A (ja) | 2015-03-28 | 2015-05-11 | 受動デバイスのインダクタンス比の調整 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160284461A1 (ja) |
EP (1) | EP3076414B1 (ja) |
JP (1) | JP2016189449A (ja) |
KR (1) | KR101991551B1 (ja) |
CN (1) | CN106024328B (ja) |
TW (1) | TWI588851B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TWI456600B (zh) * | 2014-03-19 | 2014-10-11 | Realtek Semiconductor Corp | 積體變壓器 |
-
2015
- 2015-03-28 US US14/672,162 patent/US20160284461A1/en not_active Abandoned
- 2015-05-11 JP JP2015096163A patent/JP2016189449A/ja active Pending
- 2015-12-17 TW TW104142499A patent/TWI588851B/zh active
-
2016
- 2016-02-26 KR KR1020160023133A patent/KR101991551B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-26 EP EP16157755.6A patent/EP3076414B1/en active Active
- 2016-03-24 CN CN201610172908.XA patent/CN106024328B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201640534A (zh) | 2016-11-16 |
EP3076414A1 (en) | 2016-10-05 |
CN106024328B (zh) | 2019-01-08 |
US20160284461A1 (en) | 2016-09-29 |
KR101991551B1 (ko) | 2019-06-20 |
KR20160115709A (ko) | 2016-10-06 |
TWI588851B (zh) | 2017-06-21 |
CN106024328A (zh) | 2016-10-12 |
EP3076414B1 (en) | 2018-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170228 |