JP2016179515A - 三次元構造体の貫通流路を研磨するための方法およびデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】砥粒および液体を含んで成る研磨流体が仕込まれた仕込み密閉容器から貫通流路に研磨流体を流して貫通流路の研磨処理を行う。特に、貫通流路へと研磨流体を流すためのガスが供給される仕込み密閉容器内において砥粒を液体中に分散させる分散処理を行う。
【選択図】図1
Description
三次元構造体の貫通流路を研磨するための方法であって、
砥粒および液体を含んで成る研磨流体が仕込まれた仕込み密閉容器から貫通流路に研磨流体を流して貫通流路の研磨処理を行い、
貫通流路へと研磨流体を流すために用いられるガスが供給される仕込み密閉容器内において砥粒を液体中に分散させる分散処理を行うことを特徴とする方法が提供される。
三次元構造体の貫通流路を研磨するためのデバイスであって、
砥粒および液体を含んで成る研磨流体を仕込むための仕込み密閉容器を有して成り、
仕込み密閉容器は、外部から仕込み密閉容器の内部へとガスを供給するための第1管、および、仕込み密閉容器の内部から貫通流路へと研磨流体を導くための第2管を備えており、
三次元構造体の貫通流路を研磨するためのデバイスは、仕込み密閉容器内において砥粒を液体中に分散させるための分散手段を更に有して成ることを特徴とするデバイスも提供される。
本発明の一実施形態に係るデバイスは、三次元構造体の貫通流路を研磨するためのデバイス1である(図1参照)。図1に示されるように、かかるデバイス1は、砥粒71と液体72とを含んで成る研磨流体7を仕込むための仕込み密閉容器2を有して成る。仕込み密閉容器2は、例えばステンレスなどの金属製であって、第1管6と第2管10とを備えている。第1管6は、仕込み密閉容器2の外部からその内部へとガス5を供給するための管であり、第2管10は、仕込み密閉容器2の内部から三次元構造体8の貫通流路9へと研磨流体を導くための管である。第1管6および第2管10は、それぞれ、例えば仕込み密閉容器2の上部25を介して仕込み密閉容器2の外部からその内部へと延在している。第1管6の上流側においては、その第1管6と接続されたガス供給ライン(図示せず)が設けられていることが好ましい。一方、第2管10の下流側においては、その第2管10と貫通流路9の流入口との間を接続する送液ライン14が設けられていることが好ましい。
砥粒分散手段として、本発明の一実施形態に係るデバイス1は、図2および図3に示すように仕込み密閉容器2に備えられた撹拌機19を有することが好ましい。撹拌機19は、図2に示すように、例えば撹拌制御部20およびそれに接続された撹拌翼21を有して成る。撹拌翼21は、仕込み密閉容器2内の研磨流体7のレベルよりも下方に位置付けられている。研磨流体7の攪拌処理のために撹拌翼21は回転運動に付されるが、その回転運動が撹拌制御部20によって制御される。このように仕込み密閉容器2に設けられた撹拌機19で研磨流体7の攪拌処理が行われることになり、砥粒71が液体72中に分散される。
本発明の一実施形態に係るデバイスは、好ましくは、砥粒分散手段として好適なガス供給管を有している。かかるガス供給管は、例えば仕込み密閉容器2の第1管6である。図4に示すように、砥粒分散手段として好適な第1管6は、そのガス供給口6aが仕込み密閉容器2内に仕込まれる研磨流体7のレベルよりも下方に位置付けられている。第1管6のガス供給口6aを介してガス5が供給されると、図示されるように研磨流体7に気泡24が発生するので、研磨流体7がバブリングされる。このようなバブリングによって仕込み密閉容器2内の研磨流体7には対流が引き起こされ、砥粒71が液体72中で分散される。
尚、本発明の一実施形態に係るデバイスは、検知機構を有していてよい。具体的には、図6に示すように、本発明の一実施形態に係るデバイスは、三次元構造体8の貫通流路9から流出した研磨流体の流体挙動を検知するための検知機構13を更に有していてよい。貫通流路9から流出する研磨流体の流体挙動を検知することによって、貫通流路9の研磨処理の停止または終了のタイミングを判定する。検知機構13は「研磨流体の流体挙動を検知する検知手段」および「検知手段が検知した流体挙動を表示する表示手段」から構成されていることが好ましい。図6に示すように、検知機構13の検知手段は、非接触式(13A1)であってよく、あるいは、接触式(13B1および13C1)であってもよい。あくまでも1つの例示にすぎないが、非接触式の検知手段は、超音波の伝播時間を利用した超音波式検知手段であってよい。一方、接触式の検知手段は、絞り前後の圧力差を検知する差圧式検知手段であってよい。また、検知機構13の表示手段は、図6に示すように、検知手段に対して直接的に設けられた手段(13B2)であってよく、あるいは、電気ケーブルなどを介して検知手段に間接的に接続された表示手段(13A2および13C2)であってもよい。
次に、貫通流路を備えた三次元構造体について説明する。かかる三次元構造体は、切削加工法を利用することによって得ることができる他、粉末焼結積層法を利用することによっても得ることができる。切削加工法では、基材となる部材にドリル加工等の機械的加工を施すことによって貫通流路を形成する。一方、粉末焼結積層法では、粉末層への光ビーム照射を通じて三次元構造体とその貫通流路とを並列的に形成する。粉末焼結積層法を用いると、比較的複雑な形状の貫通流路を備えた三次元構造体を製造できる。以下では、粉末焼結積層法による“造形”によって貫通流路が形成された三次元構造体(即ち、「三次元形状造形物」)を製造する方法について詳述する。
(i)粉末層の所定箇所に光ビームを照射し、かかる所定箇所の粉末を焼結または溶融固化させて固化層を形成する工程
(ii)得られた固化層の上に新たな粉末層を敷いて同様に光ビームを照射して更に固化層を形成する工程
本発明に係る方法は、三次元構造体の貫通流路を研磨する方法である。本発明に係る方法では、研磨流体が仕込まれた仕込み密閉容器から三次元構造体の貫通流路へと研磨流体を流して貫通流路の研磨処理を行う。特に、研磨流体を流すためのガスが供給される仕込み密閉容器内で砥粒を液体中に分散させる分散処理を行う。
分散処理としては、撹拌機を用いた処理を行ってよい。具体的には、仕込み密閉容器2内にて研磨流体7を撹拌機で攪拌することにより分散処理を行ってよい。撹拌機としては図2に示すような撹拌機19を用いてよい。上述したように、撹拌機19は、撹拌制御部20およびそれに接続された撹拌翼21を有して成り、撹拌翼21を回転運動させることによって、仕込み密閉容器2内で砥粒71を液体72中に分散させる。特に撹拌翼21の回転数を調整することによって、砥粒71が液体72の全体により行き渡る分散処理を行うことができる。
分散処理としては、バブリングによる処理を行ってもよい。具体的には、仕込み密閉容器内において研磨流体をバブリングすることで分散処理を行ってよい。
本発明に係る研磨方法では、砥粒材質の好適な選択によって、上記の如くの分散処理と同様の効果を得ることができる。
本発明に係る研磨方法は、回収密閉容器を用いて実施してもよい。具体的には、図7に示すように、貫通流路9から流出した研磨流体7を回収密閉容器3に回収してよい。つまり、貫通流路9を通るように仕込み密閉容器2から回収密閉容器3へと研磨流体7を流してよい。図示されるように、貫通流路9から流出した研磨流体7は、回収密閉容器3の第3管11を介して回収密閉容器3へと導かれることになる。
本発明に係る研磨方法では、研磨処理時に研磨流体の流体挙動を検知してよい。特に研磨処理の状態を把握するために、貫通流路9から流出した研磨流体の流体挙動を検知してよい(図6参照)。
本発明に係る研磨方法に際しては乾燥用ガスを使用してよい。具体的には、図9に示すように、研磨流体による研磨処理後において乾燥用ガス18を貫通流路9に流してよい。乾燥用ガス18を流すことによって、研磨処理後に貫通流路9に残存した研磨流体の液体が気化し易くなり、貫通流路9を好適に乾燥させることができる。
2 仕込み密閉容器
3 回収密閉容器
5 ガス
6 第1管
7 研磨流体
71 砥粒
72 液体
8 三次元構造体
9 貫通流路
10 第2管
11 第3管
12 第4管
13 検知機構
18 乾燥用ガス
19 撹拌機
Claims (15)
- 三次元構造体の貫通流路を研磨するための方法であって、
砥粒および液体を含んで成る研磨流体が仕込まれた仕込み密閉容器から前記貫通流路に該研磨流体を流して該貫通流路の研磨処理を行い、
前記貫通流路へと前記研磨流体を流すために用いられるガスが供給される前記仕込み密閉容器内において前記砥粒を前記液体中に分散させる分散処理を行うことを特徴とする、方法。 - 前記仕込み密閉容器内にて前記研磨流体を撹拌機で攪拌することによって前記分散処理を行うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記仕込み密閉容器内にて前記研磨流体をバブリングすることによって前記分散処理を行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記仕込み密閉容器内の前記研磨流体のレベルよりも下方位置から前記ガスを前記仕込み密閉容器内に供給して前記バブリングを行うことを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 前記液体に対する前記砥粒の密度比が1.5〜3.5となる前記研磨流体を用いることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記砥粒が、多孔質セラミック材および/または炭化ケイ素材を含んで成ることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- コンプレッサーおよび/またはガスボンベを用いて前記仕込み密閉容器内に前記ガスを供給することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記貫通流路から流出する前記研磨流体の流体挙動に基づいて、前記貫通流路の前記研磨処理の停止または終了のタイミングを判定することを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 前記研磨処理を行った後、前記貫通流路を乾燥させるために該貫通流路に乾燥用ガスを流すことを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記三次元構造体として、粉末焼結積層法によって製造された三次元形状造形物を用いることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 三次元構造体の貫通流路を研磨するためのデバイスであって、
砥粒および液体を含んで成る研磨流体を仕込むための仕込み密閉容器を有して成り、
前記仕込み密閉容器は、外部から該仕込み密閉容器の内部へとガスを供給するための第1管、および、該仕込み密閉容器の前記内部から前記貫通流路へと前記研磨流体を導くための第2管を備えており、
前記デバイスは、前記仕込み密閉容器内において前記砥粒を前記液体中に分散させるための分散手段を更に有して成ることを特徴とする、デバイス。 - 前記分散手段が、前記仕込み密閉容器に備えられた撹拌機であることを特徴とする、請求項11に記載のデバイス。
- 前記分散手段は、前記仕込み密閉容器内に仕込まれる前記研磨流体のレベルよりも下方に位置付けられたガス供給口を有する前記第1管であることを特徴とする、請求項11または12に記載のデバイス。
- 前記貫通流路から流出する前記研磨流体を回収するための回収密閉容器を更に有して成り、
前記回収密閉容器は、前記貫通流路から流出した前記研磨流体を前記回収密閉容器内に導くための第3管、および、該回収密閉容器内のガスを前記外部へと排気するための第4管を備えていることを特徴とする、請求項11〜13のいずれかに記載のデバイス。 - 前記貫通流路から流出する前記研磨流体の流体挙動を検知して、前記貫通流路の研磨処理の停止または終了のタイミングを判定する検知機構を更に有して成ることを特徴とする、請求項11〜14のいずれかに記載のデバイス。
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