JP2016175192A - 平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置 - Google Patents
平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016175192A JP2016175192A JP2015055140A JP2015055140A JP2016175192A JP 2016175192 A JP2016175192 A JP 2016175192A JP 2015055140 A JP2015055140 A JP 2015055140A JP 2015055140 A JP2015055140 A JP 2015055140A JP 2016175192 A JP2016175192 A JP 2016175192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink film
- blanket
- film
- adhesion
- ink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】単一材料からなるインク膜用表面を有する第一および第二のブランケットを用いるパターン膜形成方法であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
同様に、特許文献1にある方法は一般的な平版印刷とは異なる工程を経て印刷を実施するものであるものの、親水部と撥水部を形成する具体的な方法に関する記載がなく、さらに当該文献の実施例では、水なし平版印刷用刷版を用いていることから、相応の凹凸を有する平刷版であることが推定され、また、その刷版の製造には相応のコストや簡易とは言えない工程が必要であることが認められる。
また、前記事項に加え、ブランケットのパターンデザインを容易に変更できることも同時に達成することが可能な、パターン膜形成技術を提供することを追加的な目的とする。
(イ)インク膜が形成された第一のブランケットに対して、第二のブランケットのインク膜用表面を相対的に押し当て引き離すことで、第一のブランケットの低付着性部位上に位置するインク膜のみを第二のブランケットのインク膜用表面に転写させ、残りのインク膜を第一ブランケットのインク膜用表面に残存させる工程、
(ウ)転写インク膜を有する第二のブランケットまたは残存インク膜を有する第一のブランケットに対して、被印刷体を相対的に押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写する工程、
を含むパターン膜形成方法であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成方法。
<2>(ア)第二のブランケットのインク膜用表面にインク膜を形成する工程、
(イ)インク膜が形成された第二のブランケットに対して、第二のブランケットのインク膜用表面の塗布界面付着力より受理界面付着力が高い高付着性部位と受理界面付着力が低い低付着性部位とからなるインク膜用表面を有する第一のブランケットの前記インク膜用表面を押し当て引き離すことで、第一のブランケットの高付着性部位上にのみインク膜を転写させ、残りのインク膜を第二のブランケットのインク膜用表面に残存させる工程、
(ウ)転写インク膜を有する第一のブランケットまたは残存インク膜を有する第二のブランケットに対して、被印刷体を押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写する工程、
を含むパターン膜形成方法であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成方法。
<3>第一ブランケットのインク膜用表面に高付着性部位と低付着性部位を形成する前記化学的または物理的処理は、レチクルを介したマスク露光法、開口部を有するマスクを用いたプラズマ処理、または、レーザーもしくは集光光束を直接走査することによる直接描画法を用いるものであることを特徴とする<1>または<2>に記載のパターン膜形成方法。
<4>前記化学的または物理的処理は、第一ブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面に未硬化の表面材料を塗布し、これを硬化して形成された新たなインク膜用表面に対し部分的に施されたものであることを特徴とする<1>〜<3>のいずれか1項に記載のパターン膜形成方法。
<5>第一のブランケットの前記インク膜用表面の単一材料は、光照射または温度昇降により疎水性および/または粘着性を変化させる機能性分子であり、高付着性部位パターンおよび/または低付着性部位パターンは、消去工程と書き込み工程を用いることで書き換えることが可能であることを特徴とする<1>または<2>に記載のパターン膜形成方法。
<6>第一および第二のブランケットのインク膜用表面材料が溶媒吸収性シリコーンゴムからなることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1項に記載のパターン膜形成方法。
<7>インク膜用表面を有する第一と第二のブランケットを具備し、第一のブランケットのインク膜用表面は、第二のブランケットのインク膜用表面の受理界面付着力より塗布界面付着力が高い高付着性部位と塗布界面付着力が低い低付着性部位とからなり、インク膜用表面に形成されたインク膜を有する第一のブランケットに対し第二のブランケットのインク膜用表面を相対的に押し当て引き離すことにより、低付着性部位上のインク膜を第二のブランケットのインク膜用表面に転写し、残りのインク膜を第一のブランケットのインク膜用表面に残存させ、転写インク膜を有する第二のブランケットまたは残存インク膜を有する第一のブランケットに対し被印刷体を相対的に押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写するよう構成されたパターン膜形成装置であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成装置。
<8>インク膜用表面を有する第一と第二のブランケットを具備し、第一のブランケットのインク膜用表面は、第二のブランケットのインク膜用表面の塗布界面付着力より受理界面付着力が高い高付着性部位と受理界面付着力が低い低付着性部位とからなり、インク膜用表面に形成されたインク膜を有する第二のブランケットに対し第一のブランケットのインク膜用表面を相対的に押し当て引き離すことにより、第一のブランケットの高付着性部位上にのみインク膜を転写し、残りのインク膜を第二のブランケットのインク膜用表面に残存させ、転写インク膜を有する第一のブランケットまたは残存インク膜を有する第二のブランケットに対し被印刷体を相対的に押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写するよう構成されたパターン膜形成装置であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成装置。
<9>前記化学的または物理的処理は、第一ブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面に未硬化の表面材料を塗布し、これを硬化して形成された新たなインク膜用表面に対し部分的に施されたものであることを特徴とする<7>または<8>に記載のパターン膜形成装置。
<10>第一のブランケットの前記インク膜用表面の単一材料は、光照射または温度昇降により疎水性および/または粘着性を変化させる機能性分子であり、高付着性部位パターンおよび/または低付着性部位パターンは、消去工程と書き込み工程を用いることで書き換えることが可能であることを特徴とする<7>または<8>に記載のパターン膜形成装置。
<11>第一および第二のブランケットの前記インク膜用表面が高分子の単一材料からなることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1項に記載のパターン膜形成方法。
<12>第二のブランケットの前記インク膜用表面が高分子の単一材料からなることを特徴とする<5>に記載のパターン膜形成方法。
<13>前記高分子が、ポリウレタン、ポリイソブチレン、ポリサルファイド、スチレン-ブタジエン系共重合体、ニトリルゴム、フッ素樹脂、シリコーンゴムから選択されるものである<11>または<12>に記載のパターン膜形成方法。
<14>第一および第二のブランケットは、それらの全体が溶媒吸収性シリコーンゴムの単一材料からなることを特徴とする<6>に記載のパターン膜形成方法。
<15>前記光照射または温度昇降により疎水性および/または粘着性を変化させる機能性分子が、光異性化分子または温度応答性分子である<5>に記載のパターン膜形成方法。
<16>第一および第二のブランケットの前記インク膜用表面が高分子の単一材料からなることを特徴とする<7>〜<9>のいずれか1項に記載のパターン膜形成装置。
<17>第二のブランケットの前記インク膜用表面が高分子の単一材料からなることを特徴とする<10>に記載のパターン膜形成装置。
<18>前記高分子が、ポリウレタン、ポリイソブチレン、ポリサルファイド、スチレン-ブタジエン系共重合体、ニトリルゴム、フッ素樹脂、シリコーンゴムから選択されるものである<16>または<17>に記載のパターン膜形成装置。
<19>前記高分子が溶媒吸収性シリコーンゴムである<16>〜<18>のいずれか1項に記載のパターン膜形成装置。
<20>前記光照射または温度昇降により疎水性および/または粘着性を変化させる機能性分子が、光異性化分子または温度応答性ポリマーである<10>に記載のパターン膜形成装置。
本発明のパターン膜形成方法やパターン膜形成装置は、インク膜用表面を有する第一と第二のブランケット、一方のブランケットのインク膜用表面にインク膜を形成するインク膜形成手段、インク、被印刷体を用いて実施されるものである。
第一のブランケットのインク膜用表面は、後に説明するように、高付着性部位と低付着性部位からなるものであり、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位との段差が100nm以下のものである。
(ア)インク膜用表面の材料がシリコーンゴム等の高分子である場合
(1−1)部分的に高付着性部位を形成する手法:
酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、コロナ放電処理、オゾン処理、紫外線処理のいずれかを必要な部分のみに行う。上記の全ての処理に対してメタルマスク等の開口部を有するマスクを介する方法、紫外線処理に関しては、フォトマスクを介した部分露光法、またはレーザーまたは集光光束を直接走査することによる直接描画法を用いることができる。
(1−2)部分的に低付着性部位を形成する手法:
疎水性シランカップリング剤処理、フッ素プラズマ処理のいずれかを必要な部分のみに行う。上記の全ての処理に対してメタルマスク等の開口部を有するマスクを介する方法または露光および現像によってパターン形成したフォトレジストからなるマスクを用いることができる。また疎水性シランカップリング剤処理においてはシランカップリング処理の前に(1−1)に述べた方法によりシランカップリング剤と反応する官能基を生成させてもよい。
(2−1)全面的に高付着性とする手法:
(1−1)に示す方法を、マスクを用いずに行う。
(2−2)全面的に低付着性とする手法:
(1−2)に示す方法を、マスクを用いずに行う。
(1−1)部分的に高付着性部位を形成する手法:
アゾベンゼン誘導体やスピロピラン誘導体に代表される光異性化材料をブランケット基材表面に化学反応により固定化し、必要な部分に紫外線を照射することにより、照射された該分子の異性化を誘起する方法。上記の全ての処理に対してメタルマスク等の開口部を有するマスクを介する方法、紫外線処理に関しては、フォトマスクを介した部分露光法、またはレーザーまたは集光光束を直接走査することによる直接描画法を用いることができる。
(1−2)部分的に低付着性部位を形成する手法:
アゾベンゼン誘導体やスピロピラン誘導体のいずれかをブランケット基材表面に化学反応により固定化し、必要な部分に可視光を照射することにより、照射された該分子の異性化を誘起する方法。上記の全ての処理に対してメタルマスク等の開口部を有するマスクを介する方法、フォトマスクを介した部分露光法、またはレーザーまたは集光光束を直接走査することによる直接描画法を用いることができる。
(2−1)全面的に高付着性とする手法:
(1−1)に示す方法を、マスクを用いずに行う。
(2−2)全面的に低付着性とする手法:
(1−2)に示す方法を、マスクを用いずに行う。
(1−1)部分的に高付着性部位を形成する手法:
ポリ(N-イソプロピル アクリルアミド)などの温度応答性ポリマーを表面にブランケット基材化学反応により固定化し、例えば30℃以下に局所冷却することによって該分子の水和を誘起することによる方法。
(1−2)部分的に低付着性部位を形成する手法:
ポリ(N-イソプロピル アクリルアミド)などの温度応答性ポリマーをブランケット基材表面に化学反応により固定化し、例えば40℃以上に局所加熱することによって該分子の脱水和を誘起することによる方法。
(2−1)全面的に高付着性とする手法:
(1−1)に示す方法を、全面冷却によって行う。
(2−2)全面的に低付着性とする手法:
(1−2)に示す方法を、全面加熱によって行う。
ブランケットは、その全体がインク膜用表面材料としての前記高分子で形成されていても良いが、インク膜用表面部以外を別の材料により形成することもできる。ブランケットのインク膜用表面部以外の材料としては、限定されず、各種樹脂、金属、合金、セラミックス、または、それらの積層物などを用いることができる。
ブランケットのインク膜用表面材料として前述のような機能性分子を用いる際のブランケットの基材としては、該基材表面に機能性分子を共有結合等の化学結合により固定化できるものであれば良い。
ブランケットのインク膜用表面材料としての高分子は、上記要件に加えて、インク膜の半乾燥状態を実現できるような溶媒吸収性樹脂であればより好ましい。
第一のブランケットの未処理のインク膜用表面とその上に塗布されたインク膜間の付着力を塗布界面1L、
第一のブランケットの高付着化処理を施したインク膜用表面とその上に塗布されたインク膜間の付着力を塗布界面1H、
第二のブランケットのインク膜用表面上で半乾燥化したインク膜を受理するときの、第一のブランケットの未処理のインク膜用表面とインク膜間の付着力を受理界面1L、
第二のブランケットのインク膜用表面上で半乾燥化したインク膜を受理するときの、第一のブランケットの高付着化処理を施したインク膜用表面とインク膜間の付着力を受理界面1H、
第二のブランケットのインク膜用表面とその上に塗布されたインク膜間の付着力を塗布界面2、
第一のブランケット上で半乾燥化したインク膜を受理するときの第二のブランケットのインク膜用表面とインク膜間の付着力を受理界面2、
ブランケットのインク膜用表面からインク膜を受理するときの被印刷体とインク膜間の付着力を印刷界面、
とすると、
塗布界面1L<受理界面2<印刷界面<塗布界面1H、
塗布界面1L<受理界面2<塗布界面1H<印刷界面、
受理界面1L<塗布界面2<印刷界面<受理界面1H、
受理界面1L<塗布界面2<受理界面1H<印刷界面
のいずれかの大小関係を実現することにより本発明によるパターン形成ができる。
第一のブランケットのインク膜用表面は、上述のとおり、高付着性部位と低付着性部位とに形成するため、部分的に化学的または物理的処理が施されるが、その処理は、高付着性部位と低付着性部位とにほとんど段差を形成しないものであるので、該段差は100nm以下(好ましくは80nm以下、より好ましくは60nm以下)とすることができる。そのように段差が小さいので、良好な転写が可能であるとともに、インク膜用表面の潜像パターンの消去や書き換えも容易である。
(材料)
導電性インクとして主溶媒であるエタノールに銀ナノ粒子が分散した顔料インク(DIC会社製ナノ銀インク)を用いた。ブランケットとして付着性の異なる3種類の信越化学製シリコーンゴム(常温硬化または加熱硬化させたもので、以後、シリコーンゴムA、シリコーンゴムB、シリコーンゴムCと呼ぶ)を用いた。これらのシリコーンゴムと該顔料インク間の付着力を剥離速度100mm/min、剥離角度45度で測定した結果を表1に示す。未処理のブランケットに対し、エキシマランプを具備したオーク製作所製VUS-3150を光源とし、酸素濃度1%未満の窒素雰囲気下において20秒間光照射することによりUV処理を行った。
なお、表1における「塗布界面」と「受理界面」の定義はそれぞれ以下の通りである。塗布界面は、ブランケットのインク膜用表面と、その上に塗布され、半乾燥化したインク膜との界面をさす。受理界面は、ブランケットのインク膜用表面に塗布され、半乾燥化したインク膜と、その表面に対向して当接させた第二のブランケットのインク膜用表面との界面をさす。ここで、塗布界面や受理界面は、ブランケットのインク膜用表面全面である必要はなく、インク膜用表面の一部でも良いが、前記付着力の測定では、インク膜用表面全面を対象として行った。そして、「UV処理」における「なし」と「あり」とは、塗布界面や受理界面が「全くUV露光されなかった場合」と「全面的にUV露光された場合」とをそれぞれ意味する。塗布界面の付着力は、ブランケット塗布界面上の半乾燥化インク膜を完全転写可能なポリイミドフィルムを用いて剥離することで測定した。受理界面の付着力は、塗布界面における付着力がもっとも低いシリコーンゴムBからなるブランケット上にインクを塗布し、その上で半乾燥化したインク膜に対して、各種シリコーンゴム材料からなる第二のブランケットの受理界面と当接し転写させたインク膜を完全転写可能なポリイミドフィルムを用いて該受理界面から剥離することで測定した。
なお、「半乾燥化したインク膜」とは、インク組成物のうち速乾性溶媒の全部または大部分(当初速乾性溶媒量の90重量%以上、好ましくは95重量%以上)が失われ、インク膜の成分が主として遅乾性溶媒とインク含有固形分のみからなる状態のものを意味する。
(高付着性付与)
シリコーンゴムAからなる第一のブランケット1のインク膜用表面に対して、エキシマランプを具備したオーク製作所製VUS-3150を光源とし、酸素濃度1%未満の窒素雰囲気下において、クロム製フォトマスク2を介して20秒間光照射することにより部分露光を行い、露光部の高付着性部位4と非露光部の低付着性部位を形成した。
(印刷)
まず、ガラス製スリットコータを用いて、シリコーンゴムAからなる第一のブランケット11のインク膜用表面(高付着性部位と低付着性部位の表面粗さRa=5nm程度、両部位の段差が45nm未満)にナノ銀インク13を一様塗布した〔図2(b)〕。その後、一定時間待機し速乾性溶媒の消失を待った後に、シリコーンゴムBからなる第二のブランケット14のインク膜用表面と当該インク膜を当接させ〔図2(c)〕、引き離すことで、第二のブランケットのインク膜用表面に低付着性部位のインク膜を転写した〔図2(d)〕。つぎに、当該の第二のブランケットをガラス板15に当接させ、引き離すことでインク膜を被印刷体のガラス板に転写し〔図2(e)〕、印刷を完了した〔図2(f)〕。また第一のブランケットをガラス板に当接させることで、第一のブランケット表面の高付着性部位に残存したインク膜をガラス板に転写した〔図2(g)〕。最後にオーブン中で加熱焼成することでガラス表面上のインク膜を硬化させた。
引き続き、表面に高付着性部位32と低付着性部位を有するシリコーンゴムAからなるブランケット31〔図4(b)〕のインク膜用表面に対して、スピンコータを用いて未硬化のシリコーンゴムA33を回転数1000rpm、30秒の条件で塗布し、これを150℃30分熱硬化させた〔図4(c)〕。このときの硬化後の膜厚は約100μmであった。このように処理して低付着性表面を回復したブランケットに対して、エキシマランプを具備したオーク製作所製VUS-3150を光源とし、酸素濃度1%未満の窒素雰囲気下において、クロム製フォトマスクを介して20秒間光照射することにより部分露光を行い、塗布前とは異なるパターンの高付着性部位34と低付着性部位を形成した〔図4(d)、高付着性部位と低付着性部位の表面粗さRa=5nm程度、両部位の段差が45nm未満〕。その後、上記と同様な方法で印刷を試した。
(高付着性付与)
シリコーンゴムAからなる第一のブランケット21のインク膜用表面に対して、実施例1と同様な方法で部分露光を行い、露光部の高付着性部位22と非露光部の低付着性部位を形成した(高付着性部位と低付着性部位の段差が45nm未満)〔図3(a)〕。
(印刷)
まず、ガラス製スリットコータを用いて、シリコーンゴムCからなる第二のブランケット24のインク膜用表面(表面粗さRa=5nm程度)にナノ銀インク23を一様塗布した〔図3(b)〕。その後、一定時間待機し速乾性溶媒の消失を待った後に、シリコーンゴムAからなる第一のブランケット21のインク膜用表面と当該インク膜を当接させ〔図3(c)〕、引き離すことで、第一のブランケットの高付着性部位にインク膜を転写した〔図3(d)〕。つぎに、当該の第二のブランケットをガラス板に当接させ、引き離すことで第二のブランケットに残存したインク膜を被印刷体のガラス板25に転写し〔図3(e)〕、印刷を完了した〔図3(f)〕。また第一のブランケットをガラス板に当接させ、引き離すことで、第一のブランケット表面の高付着性部位に転写したインク膜をガラス板に転写した〔図3(g)〕。最後にオーブン中で加熱焼成することでガラス表面上のインク膜を硬化させた。
(露光)
シリコーンゴムAからなる第一のブランケット11のインク膜用表面に対して、実施例1と同様な方法で部分露光を行い、露光部の高付着性部位12と非露光部の低付着性部位を形成した〔図2(a)〕。
(印刷)
まず、ガラス製スリットコータを用いて、シリコーンゴムAからなる第一のブランケット11のインク膜用表面(高付着性部位と低付着性部位の表面粗さRa=5nm程度、両部位の段差が45nm未満)にナノ銀インク13を一様塗布した〔図2(b)〕。その後、一定時間待機し速乾性溶媒の消失を待った後に、シリコーンゴムCからなる第二のブランケット14と当該インク膜を当接させ、引き離すことで、第二のブランケットへのインク膜の転写を試みた。〔図2(c)〕。
(露光)
シリコーンゴムBからなる第一のブランケット21のインク膜用表面に対して、実施例1と同様な方法で部分露光を行い、露光部の高付着性部位12と非露光部の低付着性部位を形成した(高付着性部位と低付着性部位の段差が45nm未満)〔図3(a)〕。
(印刷)
まず、ガラス製スリットコータを用いて、シリコーンゴムCからなる第二のブランケット24のインク膜用表面(表面粗さRa=5nm程度)にナノ銀インク23を一様塗布した〔図3(b)〕。その後、一定時間待機し速乾性溶媒の消失を待った後に、シリコーンゴムBからなる第一のブランケットと当該インク膜を当接させ、引き離すことで、第一のブランケットにインク膜への転写を試みた〔図3(c)〕。
触針式段差計(小坂製作所製Surfcorder ET4000L)を用いて、加熱焼成を行った当該インク膜パターンの膜厚を測定した。ラインパターン幅20μmと10μmの断面形状について、本発明の実施例1のうち〔図2(e)〕の方法で行った結果を図5、〔図2(g)〕の方法で行った結果を図6に示す。図5および図6より、本発明によって、膜厚がパターンサイズによらずほぼ一定であり、かつ断面形状が矩形であるインク膜のパターニングが可能となることが示された。なお、図5と図6に示す結果はそれぞれ独立に行ったため、膜厚は一致していない。比較例1の場合は、第一のブランケットの露光部、非露光部に関わらず、全ての部位において、第二のブランケットにインク膜が転写してしまった。
表1より、実施例1においては、シリコーンゴムAからなる第一のブランケットのUV非露光部の塗布界面の付着力が1.6N/m、UV露光部の塗布界面の付着力が4.2N/m、シリコーンゴムBからなる第二のブランケットの受理界面の付着力が1.7N/mであり、[0037]で示した付着力の大小関係が満たされていることがわかる。
一方、比較例1においては、シリコーンゴムCからなる第二のブランケットの受理界面の付着力が6.9N/mであり、シリコーンゴムAからなる第一のブランケットのUV露光部の塗布界面の付着力よりも大きく、その結果、露光部、非露光部に関わらず第二のブランケットのすべての部位においてインク膜が転写してしまったと考えられる。
パターンの平均膜厚をhav、パターンの最大膜厚をhmax、としたとき、hav/hmaxを断面矩形度sと定義する。断面矩形度sは完全に四角形のときに最大値1をとり、sの値が下がるほど断面の矩形性が低下し、例えば、断面が半円形状である場合、sはπ/4≒0.785である。
本発明の実施例1について、各ラインパターン幅に対して形成されたパターンの最大膜厚hmaxと断面矩形度sは表2に示す通り0.8以上であった。
さらに実施例1において、低付着性表面の回復処理を行ったあとに行った印刷実験では、新しい層を有する第一のブランケットから第二のブランケットに全てインク膜が転写された。これより、光照射によって回復処理前に潜像された付着性の異なる部位が新しい層により上書きされたことがわかる。さらに、回復処理を施された第一のブランケットに対してクロム製フォトマスクを介して20秒間光照射した後、印刷実験を行ったところ、クロム製フォトマスクのパターンに対応したインク膜パターンが良好に転写できた。
触針式段差計(小坂製作所製Surfcorder ET4000L)を用いて、加熱焼成を行った当該インク膜パターンの膜厚を測定した。ラインパターン幅10μmと20μmの断面形状について、本発明の実施例2のうち〔図3(e)〕の方法で行った結果を図7、〔図3(g)〕の方法で行った結果を図8に示す。図7および図8より、本発明によって、膜厚がパターンサイズによらずほぼ一定であり、かつ断面形状が矩形であるインク膜のパターニングが可能となることが示された。比較例2の場合は、第一のブランケットの露光部、非露光部に関わらず、全ての部位において、第二のブランケットにインク膜が転写しなかった。
表1より、実施例2においては、シリコーンゴムAからなる第一のブランケットのUV非露光部の受理界面の付着力が3.3N/m、UV露光部の受理界面の付着力が6.2N/m、シリコーンゴムCからなる第二のブランケットの塗布界面の付着力が3.7N/mであり、[0037]で示した付着力の大小関係が満たされていることがわかる。
一方、比較例2においては、シリコーンゴムCからなる第二のブランケットの塗布界面の付着力が3.7N/mであり、シリコーンゴムBからなる第一のブランケットのUV非露光部およびUV露光部の受理界面の付着力、1.7N/m、および2.6N/m、よりも大きく、その結果、露光部、非露光部に関わらず第二のブランケットに転写できなかったと考えられる。
本発明の実施例2について、各ラインパターン幅wに対して形成されたパターンの最大膜厚hmaxと断面矩形度sは表2に示す通り0.8以上であった。
2 フォトマスク
3 メタルマスク
4 表面処理により形成した高付着性部位
11 表面処理により付着性の異なる部位を潜像させた第一のブランケット
12 表面処理により形成した高付着性部位
13 インク(インク膜)
14 第二のブランケット
15 被印刷体(被転写体)
21 表面処理により付着性の異なる部位を潜像させた第一のブランケット
22 表面処理により形成した高付着性部位
23 インク(インク膜)
24 第二のブランケット
25 被印刷体(被転写体)
31 表面処理により付着性の異なる部位を潜像させた第一のブランケット
32 表面処理により形成した高付着性部位
33 第一のブランケット上に形成した、第一と同一材料からなる層
34 新たに形成した高付着性部位(パターンの書き換え)
Claims (10)
- (ア)第二のブランケットのインク膜用表面の受理界面付着力より塗布界面付着力が高い高付着性部位と塗布界面付着力が低い低付着性部位とからなるインク膜用表面を有する第一のブランケットの前記インク膜用表面にインク膜を形成する工程、
(イ)インク膜が形成された第一のブランケットに対して、第二のブランケットのインク膜用表面を相対的に押し当て引き離すことで、第一のブランケットの低付着性部位上に位置するインク膜のみを第二のブランケットのインク膜用表面に転写させ、残りのインク膜を第一ブランケットのインク膜用表面に残存させる工程、
(ウ)転写インク膜を有する第二のブランケットまたは残存インク膜を有する第一のブランケットに対して、被印刷体を相対的に押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写する工程、
を含むパターン膜形成方法であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成方法。 - (ア)第二のブランケットのインク膜用表面にインク膜を形成する工程、
(イ)インク膜が形成された第二のブランケットに対して、第二のブランケットのインク膜用表面の塗布界面付着力より受理界面付着力が高い高付着性部位と受理界面付着力が低い低付着性部位とからなるインク膜用表面を有する第一のブランケットの前記インク膜用表面を押し当て引き離すことで、第一のブランケットの高付着性部位上にのみインク膜を転写させ、残りのインク膜を第二のブランケットのインク膜用表面に残存させる工程、
(ウ)転写インク膜を有する第一のブランケットまたは残存インク膜を有する第二のブランケットに対して、被印刷体を押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写する工程、
を含むパターン膜形成方法であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成方法。 - 第一ブランケットのインク膜用表面に高付着性部位と低付着性部位を形成する前記化学的または物理的処理は、レチクルを介したマスク露光法、開口部を有するマスクを用いたプラズマ処理、または、レーザーもしくは集光光束を直接走査することによる直接描画法を用いるものであることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン膜形成方法。
- 前記化学的または物理的処理は、第一ブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面に未硬化の表面材料を塗布し、これを硬化して形成された新たなインク膜用表面に対し部分的に施されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン膜形成方法。
- 第一のブランケットの前記インク膜用表面の単一材料は、光照射または温度昇降により疎水性および/または粘着性を変化させる機能性分子であり、高付着性部位パターンおよび/または低付着性部位パターンは、消去工程と書き込み工程を用いることで書き換えることが可能であることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン膜形成方法。
- 第一および第二のブランケットのインク膜用表面材料が溶媒吸収性シリコーンゴムからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン膜形成方法。
- インク膜用表面を有する第一と第二のブランケットを具備し、第一のブランケットのインク膜用表面は、第二のブランケットのインク膜用表面の受理界面付着力より塗布界面付着力が高い高付着性部位と塗布界面付着力が低い低付着性部位とからなり、インク膜用表面に形成されたインク膜を有する第一のブランケットに対し第二のブランケットのインク膜用表面を相対的に押し当て引き離すことにより、低付着性部位上のインク膜を第二のブランケットのインク膜用表面に転写し、残りのインク膜を第一のブランケットのインク膜用表面に残存させ、転写インク膜を有する第二のブランケットまたは残存インク膜を有する第一のブランケットに対し被印刷体を相対的に押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写するよう構成されたパターン膜形成装置であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成装置。
- インク膜用表面を有する第一と第二のブランケットを具備し、第一のブランケットのインク膜用表面は、第二のブランケットのインク膜用表面の塗布界面付着力より受理界面付着力が高い高付着性部位と受理界面付着力が低い低付着性部位とからなり、インク膜用表面に形成されたインク膜を有する第二のブランケットに対し第一のブランケットのインク膜用表面を相対的に押し当て引き離すことにより、第一のブランケットの高付着性部位上にのみインク膜を転写し、残りのインク膜を第二のブランケットのインク膜用表面に残存させ、転写インク膜を有する第一のブランケットまたは残存インク膜を有する第二のブランケットに対し被印刷体を相対的に押し当て引き離すことでインク膜を被印刷体表面に転写するよう構成されたパターン膜形成装置であって、第一のブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面は、単一材料からなる表面に対し部分的に化学的または物理的処理を施すことにより形成され、高付着性部位と低付着性部位の段差が100nm以下のものであることを特徴とするパターン膜形成装置。
- 前記化学的または物理的処理は、第一ブランケットの高付着性部位と低付着性部位とからなるインク膜用表面に未硬化の表面材料を塗布し、これを硬化して形成された新たなインク膜用表面に対し部分的に施されたものであることを特徴とする請求項7または8に記載のパターン膜形成装置。
- 第一のブランケットの前記インク膜用表面の単一材料は、光照射または温度昇降により疎水性および/または粘着性を変化させる機能性分子であり、高付着性部位パターンおよび/または低付着性部位パターンは、消去工程と書き込み工程を用いることで書き換えることが可能であることを特徴とする請求項7または8に記載のパターン膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015055140A JP6411254B2 (ja) | 2015-03-18 | 2015-03-18 | 平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015055140A JP6411254B2 (ja) | 2015-03-18 | 2015-03-18 | 平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016175192A true JP2016175192A (ja) | 2016-10-06 |
JP6411254B2 JP6411254B2 (ja) | 2018-10-24 |
Family
ID=57070122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015055140A Active JP6411254B2 (ja) | 2015-03-18 | 2015-03-18 | 平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6411254B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110014720A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-16 | 柯尼卡美能达株式会社 | 油墨膜形成用原版、图案形成方法、图案膜形成方法、及图案膜形成装置 |
JP2019130698A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 平版並びに該平版を用いた印刷装置及び印刷方法 |
CN111186209A (zh) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 转印模具、图案化膜层的制备方法及其应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7406056B2 (ja) | 2019-12-02 | 2023-12-27 | 日本電子精機株式会社 | 印刷装置と印刷方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020146636A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-10 | Ellis Ernest W. | Reverse transfer imaging and methods of printing |
JP2010082946A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sharp Corp | 画像形成方法および画像パターン |
-
2015
- 2015-03-18 JP JP2015055140A patent/JP6411254B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020146636A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-10 | Ellis Ernest W. | Reverse transfer imaging and methods of printing |
JP2010082946A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sharp Corp | 画像形成方法および画像パターン |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110014720A (zh) * | 2017-12-28 | 2019-07-16 | 柯尼卡美能达株式会社 | 油墨膜形成用原版、图案形成方法、图案膜形成方法、及图案膜形成装置 |
JP2019130698A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 平版並びに該平版を用いた印刷装置及び印刷方法 |
CN111186209A (zh) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 转印模具、图案化膜层的制备方法及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6411254B2 (ja) | 2018-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI644809B (zh) | 印刷版、印刷版之製造方法、功能性元件之製造方法及印刷裝置 | |
JP6411254B2 (ja) | 平刷版を用いたパターン膜形成方法、形成装置 | |
US20080092377A1 (en) | Patterned printing plates and processes for printing electrical elements | |
KR101529778B1 (ko) | 인쇄물 및 인쇄물의 제조방법 | |
JP5761320B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 | |
TW201220974A (en) | Stencils for high-throughput micron-scale etching of substrates and processes of making and using the same | |
JP4853078B2 (ja) | 印刷方法、電極パターンの形成方法及び薄膜トランジスタの形成方法 | |
JP2010080865A (ja) | マイクロコンタクトプリンティング(μCP)用スタンプの製造方法 | |
JPH07102732B2 (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
JPH05147359A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
JP2008251888A (ja) | パターン形成方法および電子素子の製造方法 | |
KR101367784B1 (ko) | 쿠션성을 가지는 그라비아판 및 그 제조방법 | |
JP5109446B2 (ja) | パターン形成方法および電子素子の製造方法 | |
JP2008194884A (ja) | 印刷平版およびその製造方法および印刷方法およびカラーフィルターの製造方法 | |
JP5428449B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版 | |
JP5458469B2 (ja) | 凸版反転オフセット印刷用凸版及びその製造方法、並びに印刷物の製造方法 | |
JP6655844B2 (ja) | 均一膜厚かつ矩形断面を有するパターン膜形成方法、形成装置 | |
KR101662892B1 (ko) | 오프셋 인쇄용 블랭킷 및 이를 이용하여 형성된 미세 패턴 | |
JP2019130698A (ja) | 平版並びに該平版を用いた印刷装置及び印刷方法 | |
JP2010076189A (ja) | 印刷版およびそれを用いた印刷方法 | |
JP2005169773A (ja) | 2層構造を有する凹版およびそれを用いたパターニング方法 | |
JP2010110953A (ja) | オフセット印刷用印刷版及びその製造方法 | |
US20100064920A1 (en) | Print board, method for manufacturing the same, and printing method using the same | |
Shibata et al. | Direct polymer-transfer lithography for high-throughput fabrication of Cu line patterns | |
JP2015189114A (ja) | 印刷用版および印刷用版の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6411254 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |