JP2016157752A - Substrate for flexible wiring board and flexible wiring board - Google Patents

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雅司 野口
富雄 島村
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富雄 島村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a flexible wiring board excellent in folding endurance, and also to provide a flexible wiring board that is produced using the substrate for a flexible wiring board and has good folding endurance.SOLUTION: A substrate 6 for a flexible wiring board comprises a laminate film including a substrate metal layer 2 and a copper layer 5 provided on a surface of the substrate metal layer, without providing an adhesive on a surface of a resin film substrate 1. In the substrate for a flexible wiring board, a rapture stress (force per unit cross section) of the laminate film is 280-360 MPa.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線を構成する銅層の一部を銅電気めっき法で析出させ、耐折れ性を改良したフレキシブル配線板に関する。   The present invention relates to a flexible wiring board in which a part of a copper layer constituting a wiring is deposited by a copper electroplating method and the folding resistance is improved.

フレキシブル配線板は、その屈曲性を活かしてハードディスクの読み書きヘッドやプリンターヘッドなど電子機器の屈折ないし屈曲を要する部分や、液晶ディスプレイのドライバICを実装したICパッケージの屈折配線などに広く用いられている。
特に、液晶ディスプレイのICパッケージでは、液晶ディスプレイの表面側(画像が表示される側)の端部から液晶ディスプレイの裏面側に屈曲されて装着されている。
Flexible wiring boards are widely used for parts that require bending or bending of electronic devices such as hard disk read / write heads and printer heads, and refractive wiring of IC packages mounted with driver ICs for liquid crystal displays. .
In particular, in an IC package of a liquid crystal display, the liquid crystal display is bent and attached from the end on the front surface side (side on which an image is displayed) to the back surface side of the liquid crystal display.

係るフレキシブル配線板の製造には、銅層と樹脂層を積層したフレキシブル配線用基板(銅張積層板:Flexible Copper Clad Lamination:FCCLとも称す。)を、サブトラクティブ法やセミアディティブ法を用いて配線加工する方法が用いられている。   For the manufacture of such flexible wiring boards, flexible wiring boards (also referred to as flexible copper clad lamination: FCCL) in which a copper layer and a resin layer are laminated are wired using a subtractive method or a semi-additive method. A processing method is used.

このサブトラクティブ法とは、フレキシブル配線用基板の銅層を化学エッチング処理して不要部分を除去する方法である。
即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線として残したい部分の表面にレジストを設け、銅に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、銅層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
This subtractive method is a method of removing unnecessary portions by chemically etching the copper layer of the flexible wiring board.
That is, a resist is provided on the surface of the copper layer of the flexible wiring board to be left as the conductor wiring, and unnecessary portions of the copper layer are selectively removed through chemical etching treatment and water washing with an etching solution corresponding to copper. Thus, the conductor wiring is formed.

一方、セミアディティブ法とは、銅張積層板の下地金属層及び極薄銅層の上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーにより、レジスト層をパターニングし、配線を形成したい箇所のレジスト層を除去して得られる極薄銅層が露出した開口した部分に銅めっきを施し、配線を形成する。その配線の形成後、レジスト除去を行い、極薄銅層および下地金属層を化学エッチング処理して極薄銅層および下地金属層部分を除去する方法である。
即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線を形成したい部分の表面にレジストを形成せず、電気銅めっき法で銅を析出させ、極薄銅層および下地金属層に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、極薄銅層および下地金属層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
On the other hand, the semi-additive method is to form a resist layer on the base metal layer and ultrathin copper layer of the copper clad laminate, pattern the resist layer by photolithography, and remove the resist layer where the wiring is to be formed. Then, copper plating is applied to the open portion where the ultrathin copper layer obtained is exposed to form a wiring. After the wiring is formed, the resist is removed, and the ultrathin copper layer and the base metal layer are chemically etched to remove the ultrathin copper layer and the base metal layer portion.
That is, without forming a resist on the surface of the copper layer of the flexible wiring board where conductor wiring is to be formed, copper is deposited by electrolytic copper plating, and an etching solution corresponding to the ultrathin copper layer and the underlying metal layer is used. Through the chemical etching process and washing with water, unnecessary portions of the ultrathin copper layer and the base metal layer are selectively removed to form a conductor wiring.

ところで、フレキシブル配線用基板(FCCL)は、3層フレキシブル配線用基板FCCL板(以下、3層FCCLと称す。)と2層フレキシブル配線用基板FCCL板(2層FCCLと称す。)に分類することができる。
3層FCCLは、電解銅箔や圧延銅箔をベース(絶縁層)の樹脂フィルムに接着した構造(銅箔/接着剤層/樹脂フィルム)となっている。一方、2層FCCLは、銅層若しくは銅箔と樹脂フィルム基材とが積層された構造(銅層若しくは銅箔/樹脂フィルム)となっている。
By the way, the flexible wiring board (FCCL) is classified into a three-layer flexible wiring board FCCL board (hereinafter referred to as three-layer FCCL) and a two-layer flexible wiring board FCCL board (referred to as two-layer FCCL). Can do.
The three-layer FCCL has a structure (copper foil / adhesive layer / resin film) in which an electrolytic copper foil or a rolled copper foil is bonded to a base (insulating layer) resin film. On the other hand, the two-layer FCCL has a structure (copper layer or copper foil / resin film) in which a copper layer or copper foil and a resin film substrate are laminated.

また、上記2層FCCLには大別して3種のものがある。
即ち、樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成したFCCL(通称メタライジング基板)、銅箔に樹脂フィルムのワニスを塗って絶縁層を形成したFCCL(通称キャスト基板)、及び銅箔に樹脂フィルムをラミネートしたFCCL(通称ラミネート基板)である。
The two-layer FCCL is roughly divided into three types.
That is, FCCL (commonly known as a metalizing substrate) formed by sequentially plating a base metal layer and a copper layer on the surface of a resin film, FCCL (commonly referred to as a cast substrate) in which an insulating layer is formed by applying a resin film varnish to a copper foil, And FCCL (commonly referred to as a laminate substrate) in which a resin film is laminated on a copper foil.

その中でメタライジング基板、即ち樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成したFCCLは、銅層の薄膜化が可能で、且つポリイミドフィルムと銅層界面の平滑性が高いため、キャスト基板やラミネート基板あるいは3層FCCLと比較して、配線のファインパターン化に適している。
例えば、メタライジング基板の銅層は、乾式めっき法及び電気めっき法により層厚を自由に制御できるのに対し、キャスト基板やラミネート基板あるいは3層FCCLは使用する銅箔によって、その厚みなどは制約されてしまう。
Among them, FCCL, which is formed by sequentially plating a base metal layer and a copper layer on the surface of a metalizing substrate, that is, a resin film, can reduce the thickness of the copper layer and has high smoothness at the interface between the polyimide film and the copper layer. Therefore, it is suitable for forming a fine wiring pattern as compared with a cast substrate, a laminate substrate, or a three-layer FCCL.
For example, the thickness of the copper layer of the metalizing board can be freely controlled by dry plating and electroplating, whereas the thickness of the cast board, laminate board or three-layer FCCL is limited by the copper foil used. Will be.

また、フレキシブル配線板の配線に用いられる銅箔については、例えば、銅箔に熱処理を施す方法(特許文献1参照)や、圧延加工を行う方法(特許文献2参照)により、耐折れ性の向上が図られている。
しかし、これらの方法は、3層FCCLの圧延銅箔や電解銅箔、2層FCCLのうちのキャスト基板とラミネート基板に用いられる銅箔自体の処理に関するものである。
Moreover, about copper foil used for the wiring of a flexible wiring board, for example, the method of performing heat processing to a copper foil (refer patent document 1), or the method of performing a rolling process (refer patent document 2) improves folding resistance. Is planned.
However, these methods relate to the processing of the copper foil itself used for the cast substrate and the laminate substrate of the three-layer FCCL rolled copper foil and the electrolytic copper foil and the two-layer FCCL.

なお、銅箔の耐折れ性評価は、「JIS C−5016−1994」等や「ASTM D2176」で規格されるMIT耐屈折度試験(Folding Endurance Test)が工業的に使用されている。
この試験では、試験片に形成した回路パターンが断線するまでの屈折回数をもって評価し、この屈折回数が大きいほど耐折れ性が良いとされている。
In addition, the MIT refraction resistance test (Folding Endurance Test) standardized by “JIS C-5016-1994” or “ASTM D2176” is used industrially for the evaluation of the folding resistance of the copper foil.
In this test, evaluation is performed based on the number of refractions until the circuit pattern formed on the test piece breaks, and the greater the number of refractions, the better the folding resistance.

特開平8−283886号公報JP-A-8-283886 特開平6−269807号公報JP-A-6-269807

本発明が対象とするフレキシブル配線板は、樹脂フィルム基板の少なくとも片面に接着剤を介せずに形成した下地金属層と銅薄膜層と銅電気めっき層からなる積層膜である金属層を順次形成したメタライジング基板を用いているため、先行技術文献に開示されるような銅めっき層のみの熱処理や圧延加工を施して耐折れ性を向上させることは困難であり、メタライジング基板自体の耐折れ性を向上させた、耐折れ性に優れたメタライジング基板の製造が望まれていた。
このような状況に鑑み、本発明は、耐折れ性に優れたフレキシブル配線用基板を提供すると共に、そのフレキシブル配線用基板を用いた良好な耐折れ性を有するフレキシブル配線板を提供するものである。
The flexible wiring board targeted by the present invention sequentially forms a metal layer that is a laminated film composed of a base metal layer, a copper thin film layer, and a copper electroplating layer formed on at least one surface of a resin film substrate without using an adhesive. Therefore, it is difficult to improve the folding resistance by subjecting only the copper plating layer to heat treatment or rolling as disclosed in the prior art document, and the metalizing substrate itself is not bent. Therefore, it has been desired to produce a metalizing substrate with improved crease resistance and excellent folding resistance.
In view of such circumstances, the present invention provides a flexible wiring board having excellent folding resistance and a flexible wiring board having good folding resistance using the flexible wiring board. .

本発明の第1の発明は、樹脂フィルム基板の表面に接着剤を介することなく下地金属層と前記下地金属層の表面に設ける銅層で構成される積層膜からなるフレキシブル配線用基板において、その積層膜の破断応力(単位断面積あたりの力)が280MPa〜360MPaであることを特徴とするフレキシブル配線用基板である。   1st invention of this invention is the board | substrate for flexible wiring which consists of a laminated film which consists of a copper layer provided in the surface of a resin film board | substrate on the surface of a base metal layer and the said base metal layer without using an adhesive agent, A flexible wiring substrate, wherein the laminated film has a breaking stress (force per unit cross-sectional area) of 280 MPa to 360 MPa.

本発明の第2の発明は、第1の発明における積層膜の伸び率が、5%以上であることを特徴とするフレキシブル配線用基板である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a flexible wiring board characterized in that the elongation percentage of the laminated film in the first aspect is 5% or more.

本発明の第3の発明は、第1及び第2の発明における銅層が、下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜された銅薄膜層と、その銅薄膜層の表面に湿式めっき法で成膜された銅めっき層からなることを特徴とするフレキシブル配線用基板である。   The third invention of the present invention is a copper thin film layer in which the copper layer in the first and second inventions is formed on the surface of the underlying metal layer by a dry plating method, and a wet plating method on the surface of the copper thin film layer. A substrate for flexible wiring, comprising a copper plating layer formed in (1).

本発明の第4の発明は、第1から第3の発明における銅めっき層の膜厚が、6μm〜12μmであることを特徴とするフレキシブル配線用基板である。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the flexible wiring board according to any one of the first to third aspects, wherein the copper plating layer has a thickness of 6 μm to 12 μm.

本発明の第5の発明は、第1から第4の発明における下地金属層の膜厚が、3〜50nmであることを特徴とするフレキシブル配線用基板である。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the flexible wiring board according to any one of the first to fourth aspects, wherein the base metal layer has a thickness of 3 to 50 nm.

本発明の第6の発明は、第1から第5の発明における下地金属層が、ニッケル、クロム又はこれらの合金であることを特徴とするフレキシブル配線用基板である。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the flexible wiring substrate, wherein the underlying metal layer in the first to fifth aspects is nickel, chromium or an alloy thereof.

本発明の第7の発明は、樹脂フィルム基板の表面に接着剤を介することなく下地金属層と、その下地金属層の表面に設けられる銅層で構成される積層膜からなる幅50μm以下の配線が設けられるフレキシブル配線板であって、積層膜の破断応力が280MPa〜360MPaであることを特徴とするフレキシブル配線板である。   A seventh invention of the present invention is a wiring having a width of 50 μm or less comprising a laminated film composed of a base metal layer and a copper layer provided on the surface of the base metal layer without an adhesive on the surface of the resin film substrate The flexible wiring board is characterized in that the breaking stress of the laminated film is 280 MPa to 360 MPa.

本発明の第8の発明は、第7の発明における銅層が、その下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜された銅薄膜層と前記銅薄膜層の表面に湿式めっき法で製膜された銅めっき層からなることを特徴とするフレキシブル配線板である。   According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a copper thin film layer in which the copper layer in the seventh aspect is formed on the surface of the underlying metal layer by a dry plating method and the surface of the copper thin film layer by a wet plating method. It is a flexible wiring board characterized by comprising a copper plating layer.

本発明の第9の発明は、第7及び第8の発明における下地金属層の膜厚が、3〜50nmであることを特徴とするフレキシブル配線板である。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the flexible wiring board according to the seventh and eighth aspects, wherein the base metal layer has a thickness of 3 to 50 nm.

本発明の第10の発明は、第7から第9の発明における配線の表面に錫めっきが施されていることを特徴とするフレキシブル配線板である。   A tenth aspect of the present invention is a flexible wiring board, wherein the surface of the wiring according to the seventh to ninth aspects is tin-plated.

本発明によれば、配線幅が50μm以下でも「JIS C−5016−1994」に準拠した耐折れ性試験による改善された、耐折れ性に優れるフレキシブル配線板を提供することができる。
特に、本発明に係るフレキシブル配線板は、耐折れ性に優れているので、従来品に比べ、より小さな曲率半径で屈曲させることができ、且つ、その場合でも屈曲部で断線することが少ない。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if wiring width is 50 micrometers or less, the flexible wiring board excellent in the folding resistance improved by the bending resistance test based on "JISC-5016-1994" can be provided.
In particular, since the flexible wiring board according to the present invention has excellent folding resistance, it can be bent with a smaller radius of curvature than conventional products, and even in that case, it is less likely to break at the bent portion.

そして本発明に係るフレキシブル配線板を、液晶ディスプレイのドライバICパッケージに用いた場合には、小さな曲率半径で屈曲可能なことから、液晶ディスプレイの周囲に、屈曲させて使用されるICパッケージの液晶ディスプレイからの迫り出しを小さくできるので、液晶ディスプレイの筐体を小さくする意匠的効果も有する。   When the flexible wiring board according to the present invention is used for a driver IC package of a liquid crystal display, it can be bent with a small radius of curvature, so that the liquid crystal display of an IC package used by being bent around the liquid crystal display. Since the protrusion from the screen can be reduced, it has a design effect of reducing the housing of the liquid crystal display.

本発明で用いるメタラインジング法で作製した2層フレキシブル配線用基板の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the board | substrate for 2 layers flexible wiring produced with the metalining method used by this invention. 本発明の2層フレキシブル配線用基板の下地金属層および銅薄膜層を成膜するロール・ツー・ロールスパッタリング装置を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the roll-to-roll sputtering apparatus which forms the base metal layer and copper thin film layer of the board | substrate for two-layer flexible wiring of this invention. 本発明の2層フレキシブル配線用基板の製造における電気めっきを行うロール・ツー・ロール方式の連続めっき装置を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the continuous plating apparatus of the roll-to-roll system which performs electroplating in manufacture of the board | substrate for 2 layer flexible wiring of this invention. 本発明におけるPR電流の時間と電流密度を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the time and current density of PR current in this invention.

本発明に係るフレキシブル配線用基板およびフレキシブル配線板の積層膜の破断応力(単位断面積あたりの力)は280MPa〜360MPaであることが必要である。
ここで、積層膜の破断応力は、フレキシブル配線用基板から取り出される積層膜のみで測定される破断応力で、耐折れ性の視点からすれば、積層膜の欠陥に起因する破断応力の低下の無い健全な積層膜では、積層膜の破断応力が低ければ低い方が望ましく、その破断時の伸び率も大きい方が望ましいが、現実的に得られるフレキシブル配線用基板では破断応力は280MPaを超え、また破断応力が360MPaを超える積層膜では、膜自体が脆くなり耐折れ性が劣る問題が生じる。
そこで、積層膜のより望ましい破断応力は、280MPa〜320MPaの範囲で、さらにフレキシブル配線板の製造工程において、加えられるSnめっき工程等の熱処理を伴う工程が施されない状態にあるフレキシブル配線用基板の積層膜の伸び率は5%以上であることが望ましい。なお、Snめっき工程などの熱処理を受けるフレキシブル配線板の積層膜の場合には、若干の伸び率の低下を生じるが、使用するフレキシブル配線用基板の積層膜の伸び率が5%以上であるのなら耐折れ性を劣化させない。
The breaking stress (force per unit cross-sectional area) of the laminated film of the flexible wiring board and the flexible wiring board according to the present invention needs to be 280 MPa to 360 MPa.
Here, the breaking stress of the laminated film is a breaking stress measured only by the laminated film taken out from the flexible wiring board, and from the viewpoint of fold resistance, there is no decrease in breaking stress due to defects in the laminated film. In the case of a sound laminated film, the lower the breaking stress of the laminated film, the lower is desirable, and the higher the elongation at break is desirable. However, in a practically obtained flexible wiring board, the breaking stress exceeds 280 MPa, In a laminated film having a breaking stress exceeding 360 MPa, the film itself becomes brittle and the problem of poor folding resistance arises.
Therefore, the more desirable breaking stress of the laminated film is in the range of 280 MPa to 320 MPa, and further in the production process of the flexible wiring board, the lamination of the flexible wiring board in a state where a process involving a heat treatment such as an added Sn plating process is not performed. The elongation percentage of the film is desirably 5% or more. In the case of a laminated film of a flexible wiring board that is subjected to a heat treatment such as a Sn plating process, the elongation rate is slightly lowered, but the elongation percentage of the laminated film of the flexible wiring substrate to be used is 5% or more. If this is the case, it will not degrade the folding resistance.

本発明に係るフレキシブル配線板は、2層フレキシブル配線用基板をサブトラクティブ法、又はセミアディティブ法で配線加工して得られる。この2層フレキシブル配線用基板の積層膜の破断応力が280MPa〜360MPaの範囲にあれば、2層フレキシブル配線用基板の製造方法は問わない。
以下、2層フレキシブル配線用基板の積層膜である銅層の破断応力が280MPa〜360MPaの製造方法の一例で本発明を説明する。
The flexible wiring board according to the present invention is obtained by wiring a two-layer flexible wiring board by a subtractive method or a semi-additive method. If the breaking stress of the laminated film of the two-layer flexible wiring substrate is in the range of 280 MPa to 360 MPa, the method for manufacturing the two-layer flexible wiring substrate is not limited.
Hereinafter, the present invention will be described by way of an example of a manufacturing method in which the breaking stress of the copper layer that is the laminated film of the two-layer flexible wiring board is 280 MPa to 360 MPa.

(1)2層フレキシブル配線用基板
まず、本発明のフレキシブル配線板に用いる2層フレキシブル配線用基板について説明する。
本発明に係る2層フレキシブル配線用基板は、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層と銅層が逐次的に積層された積層膜を採るメタライジング基板で、その銅層は銅薄膜層と銅電気めっき層により構成されている。
(1) Two-layer flexible wiring board First, a two-layer flexible wiring board used in the flexible wiring board of the present invention will be described.
The substrate for two-layer flexible wiring according to the present invention is a metalizing substrate that takes a laminated film in which a base metal layer and a copper layer are sequentially laminated on at least one surface of a polyimide film without using an adhesive, and the copper layer is It is comprised by the copper thin film layer and the copper electroplating layer.

図1は、メタラインジング法で作製された2層フレキシブル配線用基板6の断面を示した模式図である。
樹脂フィルム基板1にポリイミドフィルムを用い、そのポリイミドフィルムの少なくとも一方の面には、ポリイミドフィルム側から下地金属層2、銅薄膜層3、銅電気めっき層4の順に成膜、積層されている。銅層5が銅薄膜層3と銅電気めっき層4から構成されている。さらに、下地金属層2、銅層5の順の積層構造から、積層膜7は構成されている。
FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of a substrate 6 for a two-layer flexible wiring manufactured by a metalining method.
A polyimide film is used for the resin film substrate 1, and the base metal layer 2, the copper thin film layer 3, and the copper electroplating layer 4 are sequentially formed and laminated on at least one surface of the polyimide film from the polyimide film side. The copper layer 5 is composed of a copper thin film layer 3 and a copper electroplating layer 4. Furthermore, the laminated film 7 is composed of a laminated structure in the order of the base metal layer 2 and the copper layer 5.

使用する樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルムのほかに、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、液晶ポリマーフィルムなどを用いることができる。
特に、機械的強度や耐熱性や電気絶縁性の観点から、ポリイミドフィルムが特に好ましい。
さらに、フィルムの厚みが12.5〜75μmの上記樹脂フィルム基板が好ましく使用することができる。
As the resin film substrate to be used, in addition to the polyimide film, a polyamide film, a polyester film, a polytetrafluoroethylene film, a polyphenylene sulfide film, a polyethylene naphthalate film, a liquid crystal polymer film, or the like can be used.
In particular, a polyimide film is particularly preferable from the viewpoint of mechanical strength, heat resistance, and electrical insulation.
Furthermore, the said resin film board | substrate whose film thickness is 12.5-75 micrometers can be used preferably.

下地金属層2は、樹脂フィルム基板と銅などの金属層との密着性や耐熱性などの信頼性を確保するものである。従って、下地金属層の材質は、ニッケル、クロム又はこれらの合金の中から選ばれる何れか1種とするが、密着強度や配線作製時のエッチングのしやすさを考慮すると、ニッケル・クロム合金が適している。   The base metal layer 2 ensures reliability such as adhesion and heat resistance between the resin film substrate and a metal layer such as copper. Accordingly, the material of the base metal layer is any one selected from nickel, chromium, or an alloy thereof, but considering the adhesion strength and the ease of etching during wiring production, the nickel-chromium alloy is Is suitable.

そのニッケル・クロム合金の組成は、クロム15重量%以上、22重量%以下が望ましく、耐食性や耐マイグレーション性の向上が望める。
このうち20重量%クロムのニッケル・クロム合金は、ニクロム合金として流通し、マグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲットとして容易に入手可能である。また、ニッケルを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加しても良い。
The composition of the nickel-chromium alloy is desirably 15% by weight or more and 22% by weight or less of chromium, and an improvement in corrosion resistance and migration resistance can be expected.
Of these, nickel / chromium alloy of 20% by weight chromium is distributed as a nichrome alloy and is easily available as a sputtering target for the magnetron sputtering method. Further, chromium, vanadium, titanium, molybdenum, cobalt, or the like may be added to the alloy containing nickel.

さらに、クロム濃度の異なる複数のニッケル・クロム合金の薄膜を積層して、ニッケル・クロム合金の濃度勾配を設けた下地金属層を構成しても良い。   Furthermore, a plurality of nickel-chromium alloy thin films having different chromium concentrations may be laminated to form a base metal layer having a nickel-chromium alloy concentration gradient.

下地金属層2の膜厚は、3nm〜50nmが望ましい。
下地金属層の膜厚が3nm未満では、ポリイミドフィルムと銅層の密着性を保てず、耐食性や耐マイグレーション性で劣る。一方、下地金属層の膜厚が50nmを越えると、サブトラクティブ法で配線加工する際に、下地金属層の十分な除去が困難な場合が生じる。その下地金属層の除去が不十分な場合は、配線間のマイグレーション等の不具合が懸念される。
The film thickness of the base metal layer 2 is desirably 3 nm to 50 nm.
When the film thickness of the underlying metal layer is less than 3 nm, the adhesion between the polyimide film and the copper layer cannot be maintained, and the corrosion resistance and migration resistance are poor. On the other hand, if the thickness of the base metal layer exceeds 50 nm, it may be difficult to sufficiently remove the base metal layer when wiring processing is performed by the subtractive method. If the removal of the underlying metal layer is insufficient, there is a concern about problems such as migration between wirings.

銅層の膜厚は、6μm〜13μmである。銅層は、下地金属層よりもはるかに厚く、積層膜の破断応力はほぼ銅層の破断応力である。
銅薄膜層3は、主に銅で構成され、その膜厚は、10nm〜1μmが望ましい。
銅薄膜層の膜厚が10nm未満では、銅薄膜層上に銅電気めっき層を電気めっき法で成膜する際の導電性が確保できず、電気めっきの際の外観不良に繋がる。銅薄膜層の膜厚が1μmを越えても2層フレキシブル配線用基板の品質上の問題は生じないが、生産性が劣る問題がある。
The film thickness of the copper layer is 6 μm to 13 μm. The copper layer is much thicker than the base metal layer, and the breaking stress of the laminated film is almost the breaking stress of the copper layer.
The copper thin film layer 3 is mainly composed of copper, and the film thickness is desirably 10 nm to 1 μm.
When the film thickness of the copper thin film layer is less than 10 nm, the conductivity when the copper electroplating layer is formed on the copper thin film layer by the electroplating method cannot be ensured, leading to an appearance defect during electroplating. Even if the film thickness of the copper thin film layer exceeds 1 μm, the quality problem of the two-layer flexible wiring board does not occur, but the productivity is inferior.

(2)下地金属層と銅薄膜層の成膜方法
下地金属層および銅薄膜層は、乾式めっき法で形成することが好ましい。
乾式めっき法には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法、真空蒸着法、CVD法等が挙げられるが、下地金属層の組成制御等の観点から、スパッタリング法が望ましい。
樹脂フィルム基板へのスパッタリング成膜には、公知のスパッタリング装置を用いて成膜すれば良く、長尺の樹脂フィルム基板の場合への成膜には、公知のロール・ツー・ロール方式スパッタリング装置で行うことができる。このロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いれば、長尺のポリイミドフィルムの表面に、下地金属層および銅薄膜層を連続して成膜することができる。
(2) Film formation method for base metal layer and copper thin film layer The base metal layer and the copper thin film layer are preferably formed by a dry plating method.
Examples of the dry plating method include a sputtering method, an ion plating method, a cluster ion beam method, a vacuum evaporation method, a CVD method, and the like. From the viewpoint of controlling the composition of the underlying metal layer, the sputtering method is preferable.
For the sputtering film formation on the resin film substrate, a known sputtering apparatus may be used. For the film formation for a long resin film substrate, a known roll-to-roll sputtering apparatus may be used. It can be carried out. If this roll-to-roll sputtering apparatus is used, a base metal layer and a copper thin film layer can be continuously formed on the surface of a long polyimide film.

図2は、使用するロール・ツー・ロールスパッタリング装置の一例である。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置10は、その構成部品のほとんどを収納した直方体状の筐体12を備えている。
筐体12は円筒状でも良く、その形状は問わないが、10−4Pa〜1Paの範囲に減圧された状態を保持できれば良い。
この筐体12内には、長尺の樹脂フィルム基板であるポリイミドフィルムFを、供給する巻出ロール13、キャンロール14、スパッタリングカソード15a、15b、15c、15d、前フィードロール16a、後フィードロール16b、テンションロール17a、テンションロール17b、巻取ロール18を有する。
FIG. 2 is an example of a roll-to-roll sputtering apparatus used.
The roll-to-roll sputtering apparatus 10 includes a rectangular parallelepiped casing 12 that accommodates most of its components.
The casing 12 may have a cylindrical shape, and the shape is not limited as long as it can maintain a reduced pressure in a range of 10 −4 Pa to 1 Pa.
Inside this housing 12, a polyimide film F, which is a long resin film substrate, is supplied with an unwinding roll 13, a can roll 14, sputtering cathodes 15a, 15b, 15c, 15d, a front feed roll 16a, and a rear feed roll. 16b, a tension roll 17a, a tension roll 17b, and a winding roll 18.

巻出ロール13、キャンロール14、前フィードロール16a、巻取ロール18にはサーボモータによる動力を備える。巻出ロール13、巻取ロール18は、パウダークラッチ等によるトルク制御によってポリイミドフィルムFの張力バランスが保たれるようになっている。
テンションロール17a、17bは、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられている。
スパッタリングカソード15a〜15dは、マグネトロンカソード式でキャンロール14に対向して配置される。スパッタリングカソード15a〜15dのポリイミドフィルムFの巾方向の寸法は、ポリイミドフィルムFの巾より広ければよい。
The unwinding roll 13, the can roll 14, the front feed roll 16a, and the take-up roll 18 are provided with power by a servo motor. The unwinding roll 13 and the winding roll 18 are configured so that the tension balance of the polyimide film F is maintained by torque control using a powder clutch or the like.
The tension rolls 17a and 17b are finished with hard chrome plating and provided with a tension sensor.
The sputtering cathodes 15a to 15d are of a magnetron cathode type and are arranged to face the can roll 14. The width direction dimension of the polyimide film F of the sputtering cathodes 15a to 15d only needs to be wider than the width of the polyimide film F.

ポリイミドフィルムFは、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置10内を搬送されて、キャンロール14に対向するスパッタリングカソード15a〜15dで成膜され、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2に加工される。
キャンロール14は、その表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体12の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整される。
The polyimide film F is transported through a roll-to-roll sputtering apparatus 10 which is a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, and is formed by sputtering cathodes 15 a to 15 d facing the can roll 14, with a copper thin film layer. Processed into a polyimide film F2.
The surface of the can roll 14 is finished with hard chrome plating, and a coolant or a heating medium supplied from the outside of the housing 12 circulates inside the can roll 14 to be adjusted to a substantially constant temperature.

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置10を用いて下地金属層と銅薄膜層を成膜する場合、下地金属層の組成を有するターゲットをスパッタリングカソード15aに、銅ターゲットをスパッタリングカソード15b〜15dにそれぞれ装着し、ポリイミドフィルムを巻出ロール13にセットした装置内を真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを導入して装置内を1.3Pa程度に保持する。
また、下地金属層をスパッタリングで成膜した後に、銅薄膜層を蒸着法で成膜しても良い。
When the base metal layer and the copper thin film layer are formed using the roll-to-roll sputtering apparatus 10, the target having the composition of the base metal layer is attached to the sputtering cathode 15a, and the copper target is attached to the sputtering cathodes 15b to 15d. The inside of the apparatus in which the polyimide film is set on the unwinding roll 13 is evacuated, and then the inside of the apparatus is held at about 1.3 Pa by introducing a sputtering gas such as argon.
Further, after forming the base metal layer by sputtering, the copper thin film layer may be formed by vapor deposition.

(3)銅電気めっき層とその成膜方法
銅電気めっき層は、電気めっき法により成膜される。その銅電気めっき層の膜厚は、6μm〜12μmが望ましい。
(3) Copper electroplating layer and film forming method The copper electroplating layer is formed by electroplating. The thickness of the copper electroplating layer is preferably 6 μm to 12 μm.

図3は、本発明に係る2層フレキシブル配線用基板の製造に用いることができるロール・ツー・ロール連続電気めっき装置(めっき装置20)の一例である。
下地金属層と銅薄膜層を成膜して得られた銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、巻出ロール22から巻き出され、電気めっき槽21内のめっき液28への浸漬を繰り返しながら連続的に搬送される。なお、28aはめっき液の液面を指している。
銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、めっき液28に浸漬されている間に電気めっきにより銅薄膜層の表面に銅電気めっき層が成膜され、所定の膜厚の銅層を形成した後、金属化樹脂フィルム基板である2層フレキシブル配線用基板Sとして、巻取ロール29に巻き取れられる。なお、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2の搬送速度は、数m〜数十m/分の範囲が好ましい。
FIG. 3 is an example of a roll-to-roll continuous electroplating apparatus (plating apparatus 20) that can be used for the production of a two-layer flexible wiring board according to the present invention.
A polyimide film F2 with a copper thin film layer obtained by forming a base metal layer and a copper thin film layer is unwound from the unwinding roll 22 and continuously immersed in the plating solution 28 in the electroplating tank 21. It is conveyed to. Incidentally, 28a indicates the surface of the plating solution.
The polyimide film F2 with a copper thin film layer is formed by depositing a copper electroplated layer on the surface of the copper thin film layer by electroplating while being immersed in the plating solution 28, and forming a copper layer with a predetermined thickness. As a two-layer flexible wiring substrate S that is a plastic resin film substrate, it is wound around a winding roll 29. In addition, the conveyance speed of the polyimide film F2 with a copper thin film layer has the preferable range of several m-several dozen m / min.

具体的に説明すると、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、巻出ロール22から巻き出され、給電ロール26aを経て、電気めっき槽21内のめっき液28に浸漬される。電気めっき槽21内に入った銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、反転ロール23を経て搬送方向が反転され、給電ロール26bにより電気めっき槽21外へ引き出される。
このように、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2が、めっき液への浸漬を複数回繰り返す間に、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2の金属薄膜上に銅層を形成するものである。
If it demonstrates concretely, the polyimide film F2 with a copper thin film layer will be unwound from the unwinding roll 22, and will be immersed in the plating solution 28 in the electroplating tank 21 through the electric power feeding roll 26a. The copper thin film layer-attached polyimide film F2 that has entered the electroplating tank 21 is reversed in the conveying direction through the reversing roll 23, and is drawn out of the electroplating tank 21 by the power supply roll 26b.
Thus, while the polyimide film F2 with a copper thin film layer repeats immersion in a plating solution a plurality of times, a copper layer is formed on the metal thin film of the polyimide film F2 with a copper thin film layer.

給電ロール26aとアノード24aの間には電源(図示せず)が接続されている。
給電ロール26a、アノード24a、めっき液、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2および電源により、電気めっき回路が構成される。
ここで、使用するまた、アノードは不溶性アノードが好ましい。
不溶性アノードは、特別なものを必要とせず、導電性セラミックで表面をコーティングした公知の不溶性アノードでよい。なお、電気めっき槽21の外部に、めっき液28に銅イオンを供給する機構を備える。
A power source (not shown) is connected between the power supply roll 26a and the anode 24a.
An electroplating circuit is configured by the power supply roll 26a, the anode 24a, the plating solution, the polyimide film F2 with a copper thin film layer, and the power source.
Here, the anode used is preferably an insoluble anode.
The insoluble anode does not require a special one, and may be a known insoluble anode whose surface is coated with a conductive ceramic. A mechanism for supplying copper ions to the plating solution 28 is provided outside the electroplating tank 21.

めっき液28への銅イオンの供給は、酸化銅水溶液、水酸化銅水溶液、炭酸銅水溶液等で供給する。もしくはめっき液中に微量の鉄イオンを添加して、無酸素銅ボールを溶解して銅イオンを供給する方法もある。銅の供給方法は上記のいずれかの方法を用いることができる。   The copper ions are supplied to the plating solution 28 using an aqueous copper oxide solution, an aqueous copper hydroxide solution, an aqueous copper carbonate solution, or the like. Alternatively, there is a method in which a small amount of iron ions is added to the plating solution to dissolve the oxygen-free copper balls and supply the copper ions. Any of the above methods can be used as a method for supplying copper.

めっき中における電流密度は、アノード24aから搬送方向下流に進むにつれて電流密度を段階的に上昇させ、アノード24oから24tで最大の電流密度となるようにする。
このように電流密度を上昇させることで、銅電気めっき層の変色を防ぐことができる。特に銅電気めっき層の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと表面に変色が起こりやすいために、めっき中の電流密度は、後述するPeriodic Reverse電流の反転電流を除き0.1A/dm〜8A/dmが望ましい。電流密度が高くなると銅電気めっき層の外観不良が発生する。
The current density during plating is increased stepwise from the anode 24a toward the downstream in the transport direction so that the maximum current density is reached at 24t from the anode 24o.
By increasing the current density in this way, discoloration of the copper electroplating layer can be prevented. In particular, when the current density is high when the thickness of the copper electroplating layer is thin, discoloration is likely to occur on the surface. Therefore, the current density during plating is 0.1 A / dm 2 except for the reversal current of Periodic Reverse current described later. 8 A / dm 2 is desirable. When the current density is increased, a poor appearance of the copper electroplating layer occurs.

本発明に係る2層フレキシブル配線用基板の製造では、銅電気めっき層の電気めっき条件を制御して破断応力が280Pa〜360Paを実現することができる。
本発明に係る2層フレキシブル配線用基板を製造するための、銅電気めっき層形成におけるめっき条件として、Periodic Reverse電流(以下PR電流とも称す。)を用いることができる。また、銅電気めっき層のめっき条件としては、PR電流とパルス電流を併用してもよい。
In the production of the two-layer flexible wiring board according to the present invention, the breaking stress can be realized at 280 Pa to 360 Pa by controlling the electroplating conditions of the copper electroplating layer.
A periodic reverse current (hereinafter also referred to as a PR current) can be used as a plating condition for forming a copper electroplating layer for producing the two-layer flexible wiring board according to the present invention. Moreover, as a plating condition for the copper electroplating layer, a PR current and a pulse current may be used in combination.

さらに、電気銅めっき層の表面からポリイミド方向(以下、深さ方向とも称す。)へ銅電気めっき層の膜厚の10%以上の範囲が、PR電流またはPR電流とパルス電流を使用して銅電気めっき層が形成されていれば、積層膜の破断応力は280Pa〜360Paの範囲を実現することができる。また、PR電流またはPR電流とパルス電流で銅電気めっきされる範囲は、銅層の表面から深さ方向に膜厚の70%以下の範囲とすることにより本発明の目的を達成することができる。
なお、PR電流は、正電流と極性が反転した反転電流の組合せであり、反転電流は正電流の1〜9倍の電流を加えると良い。反転電流時間割合としては1〜10%程度が望ましい。また、PR電流の次の反転電流が流れる周期は、10m秒以上が望ましく、より望ましくは20m秒〜300m秒である。
Furthermore, the range of 10% or more of the film thickness of the copper electroplating layer from the surface of the electroplated copper layer to the polyimide direction (hereinafter also referred to as the depth direction) is obtained by using PR current or PR current and pulse current. If the electroplating layer is formed, the breaking stress of the laminated film can realize the range of 280 Pa to 360 Pa. Moreover, the object of the present invention can be achieved by setting the copper electroplating range with PR current or PR current and pulse current to a range of 70% or less of the film thickness in the depth direction from the surface of the copper layer. .
Note that the PR current is a combination of a positive current and an inverted current whose polarity is inverted, and the inverted current is preferably 1 to 9 times the positive current. The reversal current time ratio is preferably about 1 to 10%. Further, the period in which the reversal current next to the PR current flows is desirably 10 milliseconds or more, and more desirably 20 milliseconds to 300 milliseconds.

図4はPR電流の時間と電流密度を模式的に示したものである。
パルス電流は、正電流に対し一定の周期で電流を流さない無電流または電流値を減じた減電流を行う電流である。減電流は、正電流の0アンペアを越え50%以下の値が望ましい。パルス電流で次の無電流と減電流となる周期は、10m秒以上が望ましく、20m秒〜300m秒である。
なお、めっき電圧は、上述の電流密度が実現できるように適宜調整すればよい。
FIG. 4 schematically shows the time and current density of the PR current.
The pulse current is a current that causes no current to flow at a constant cycle with respect to a positive current or performs a current reduction by reducing a current value. The current decrease is desirably a value exceeding 50 amperes of positive current. The period of the next no-current and reduced current in the pulse current is preferably 10 ms or more, and is 20 ms to 300 ms.
In addition, what is necessary is just to adjust a plating voltage suitably so that the above-mentioned current density is realizable.

本発明に係る2層フレキシブル配線用基板を、ロール・ツー・ロール連続電気めっき装置(めっき装置20)で製造するには、搬送経路の下流側から1つ以上のアノードでPR電流を流せばよく、PR電流を流すアノード数は、銅電気めっき層の表面からポリイミドフィルム側にPR電流で成膜する範囲の割合をどのようにするかで決まる。パルス電流を使用しない場合には、少なくともアノード24tはPR電流が流れ、必要に応じてアノード24s、アノード24r、アノード24qにPR電流が流れることとなる。一方、パルス電流を使用しない場合には、少なくともアノード24sとアノード24tのいずれかにパルス電流を加え、パルス電流を加えたアノードの直後に配置される下流側のアノードからPR電流を加える。
なお、全アノードにPR電流を流してもよいが、PR電流用の整流器が高価な為、製造コストが増加する。そこで、本発明に係る2層フレキシブル配線用基板では、銅電気めっき層の表面からポリイミド方向に膜厚の10%をPR電流で成膜すれば、積層膜のほとんどを占める銅層の破断強度を制御できるので積層膜の破断応力が280Pa〜360Paを実現することができるので、結果的に耐折れ性試験(MIT試験)の向上が望める。
In order to manufacture the two-layer flexible wiring board according to the present invention with a roll-to-roll continuous electroplating apparatus (plating apparatus 20), a PR current may be passed through one or more anodes from the downstream side of the transport path. The number of anodes through which the PR current flows is determined by the ratio of the range in which the PR current is formed from the surface of the copper electroplating layer to the polyimide film side. When a pulse current is not used, a PR current flows through at least the anode 24t, and a PR current flows through the anode 24s, the anode 24r, and the anode 24q as necessary. On the other hand, when the pulse current is not used, a pulse current is applied to at least one of the anode 24s and the anode 24t, and a PR current is applied from the downstream anode disposed immediately after the anode to which the pulse current is applied.
Although a PR current may be supplied to all the anodes, a manufacturing cost increases because a rectifier for PR current is expensive. Therefore, in the two-layer flexible wiring board according to the present invention, if 10% of the film thickness is formed with a PR current in the polyimide direction from the surface of the copper electroplating layer, the breaking strength of the copper layer occupying most of the laminated film can be obtained. Since it can be controlled, the rupture stress of the laminated film can be realized at 280 Pa to 360 Pa. As a result, it is possible to improve the folding resistance test (MIT test).

また、ここで、使用する電気めっき法は、鉄イオンを含む硫酸銅のめっき液中にて、不溶性アノードを用いて電気めっきを行う銅電気めっきで、使用する銅めっき液の組成は、通常用いられるプリント配線板用のハイスロー硫酸銅めっき浴でも良く、さらに鉄イオンを添加して用いる。   The electroplating method used here is copper electroplating using an insoluble anode in a copper sulfate plating solution containing iron ions, and the composition of the copper plating solution used is usually used. A high-throw copper sulfate plating bath for printed wiring boards may be used, and iron ions are added and used.

積層膜の破断応力を280Pa〜360Paにするには、電気めっき液の添加物でも制御できる。電気めっき液には、公知のレべラーやブライトナー等の添加物を加えることができる。これら、添加物の多くは、有機硫黄化合物である。これら添加剤は銅電気めっきの際に銅電気めっき層に取り込まれる。
銅電気めっき層の硫黄濃度が30ppmを超えると、積層膜の破断応力が360Paを越える。そのため、フレキシブル配線用基板やフレキシブル配線板の耐折れ性が劣化することがある。電気めっき浴に加えるレべラーやブライトナーの量は、銅電気めっき層の硫黄含有率から適宜選択すればよい。
In order to set the breaking stress of the laminated film to 280 Pa to 360 Pa, it can also be controlled by an additive of an electroplating solution. Additives such as known levelers and brighteners can be added to the electroplating solution. Many of these additives are organic sulfur compounds. These additives are incorporated into the copper electroplating layer during copper electroplating.
When the sulfur concentration of the copper electroplating layer exceeds 30 ppm, the breaking stress of the laminated film exceeds 360 Pa. Therefore, the folding resistance of the flexible wiring board or the flexible wiring board may be deteriorated. The amount of the leveler or brightener added to the electroplating bath may be appropriately selected from the sulfur content of the copper electroplating layer.

(4)フレキシブル配線板
本発明に係るフレキシブル配線板の配線幅は、最も細い箇所で50μm以下である。ここで配線幅とは、配線がポプリイミドフィルムに接する底面の幅である。
フレキシブル配線基板のMIT耐折れ性試験の結果は、配線幅が細くなると悪化する。
(4) Flexible wiring board The wiring width of the flexible wiring board according to the present invention is 50 μm or less at the narrowest portion. Here, the wiring width is the width of the bottom surface where the wiring is in contact with the popriimide film.
The result of the MIT fold resistance test of the flexible wiring board becomes worse as the wiring width becomes thinner.

即ち、「JIS C−5016−1994」に従った耐折れ性試験では、その配線幅が1mmであるが、液晶ディスプレイ内の屈曲配線に用いられるフレキシブル配線板では、配線幅が50μm以下であり、さらに高精細な25μm以下の配線幅に移行している。試験用として配線幅1mmのフレキシブル配線板に加工され、十分な耐折れ性を実現できるフレキシブル配線用基板であっても、実際に用いられる配線幅50μm以下のフレキシブル配線板に加工されたものでは、十分な耐折れ性を実現できないことがある。
もちろん、配線幅1mmのフレキシブル配線板で不十分な耐折れ性となるフレキシブル配線用基板では、配線幅50μm以下のフレキシブル配線板に加工されたものでも不十分な耐折れ性の結果となる。
That is, in the bending resistance test according to “JIS C-5016-1994”, the wiring width is 1 mm, but in the flexible wiring board used for the bent wiring in the liquid crystal display, the wiring width is 50 μm or less, Furthermore, it has shifted to a high-definition wiring width of 25 μm or less. Even if it is a flexible wiring board that is processed into a flexible wiring board with a wiring width of 1 mm for testing and can realize sufficient folding resistance, it is processed into a flexible wiring board with a wiring width of 50 μm or less that is actually used. Sufficient folding resistance may not be achieved.
Of course, with a flexible wiring board having insufficient folding resistance with a flexible wiring board having a wiring width of 1 mm, even a substrate processed into a flexible wiring board having a wiring width of 50 μm or less results in insufficient folding resistance.

本発明に係るフレキシブル配線板は、配線となる積層膜を、その破断応力が280Pa〜360Paであるような積層膜とすることで、配線幅が50μm以下であっても、このような破断応力を備えない従来からのフレキシブル配線板に比べてMIT耐折れ性が改善される。   In the flexible wiring board according to the present invention, the laminated film to be the wiring is a laminated film having a breaking stress of 280 Pa to 360 Pa, so that even if the wiring width is 50 μm or less, such a breaking stress is exerted. The MIT folding resistance is improved as compared with a conventional flexible wiring board that is not provided.

フレキシブル配線板の銅薄膜層と銅電気めっき層とからなる銅層の膜厚は、5μm〜12μmが望ましい。
この銅層の膜厚が5μm未満では、配線の導電性が不十分となる。一方、銅層が12μmを超えると導電性は十分でも配線幅50μm以下の配線の形成が困難となる。特にサブトラクティブ法では配線の膜厚が厚くなるほど、精細な配線の加工が難しくなる。
なお、2層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層の両者の合計の膜厚(フレキシブル配線板の銅層の膜厚に相当)が12μmを超えることもある。2層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層の膜厚の合計が12μmを超える場合は、2層フレキシブル配線用基板の銅電気めっき層等を化学研磨などで所定の膜厚にすればよい。
As for the film thickness of the copper layer which consists of a copper thin film layer and a copper electroplating layer of a flexible wiring board, 5 micrometers-12 micrometers are desirable.
If the thickness of the copper layer is less than 5 μm, the conductivity of the wiring becomes insufficient. On the other hand, when the copper layer exceeds 12 μm, it is difficult to form a wiring having a wiring width of 50 μm or less even if the conductivity is sufficient. In particular, in the subtractive method, as the wiring film thickness increases, it becomes difficult to process fine wiring.
The total film thickness of both the copper thin film layer and the copper electroplating layer of the two-layer flexible wiring board (corresponding to the film thickness of the copper layer of the flexible wiring board) may exceed 12 μm. When the total thickness of the copper thin film layer and the copper electroplating layer of the two-layer flexible wiring board exceeds 12 μm, the copper electroplating layer or the like of the two-layer flexible wiring board is made to a predetermined film thickness by chemical polishing or the like. That's fine.

本発明に係るフレキシブル配線板は、上記に詳述した本発明に係る2層フレキシブル配線用基板を、サブトラクティブ法を用いて配線加工を施して製造したメタライジング基板である。
銅電気めっき層などを配線に加工するエッチング加工に用いるエッチング液は、特別な配合の塩化第二鉄と塩化第二銅と硫酸銅とを含む水溶液や特殊な薬液には限定されず、一般的な比重1.30〜1.45の塩化第二鉄水溶液や比重1.30〜1.45の塩化第二銅水溶液を含む市販のエッチング液を用いることができる。
The flexible wiring board according to the present invention is a metallizing substrate manufactured by subjecting the two-layer flexible wiring substrate according to the present invention described above in detail to wiring processing using a subtractive method.
Etching solution used for etching process to process copper electroplating layer etc. into wiring is not limited to aqueous solution or special chemical solution containing ferric chloride, cupric chloride and copper sulfate with special blending, general A commercially available etching solution containing a ferric chloride aqueous solution having a specific gravity of 1.30 to 1.45 or a cupric chloride aqueous solution having a specific gravity of 1.30 to 1.45 can be used.

本発明に係るフレキシブル配線板をセミアディティブ法で得るには、2層フレキシブル配線用基板に銅電気めっきする際に、用いる上述の2層フレキシブル配線用基板と同様の銅めっき手順を取ることもできる。
用いる2層フレキシブル配線用基板の銅層の厚みは、セミアディティブ法の銅めっきの膜厚を考慮して適宜定めればよい。
In order to obtain the flexible wiring board according to the present invention by the semi-additive method, the same copper plating procedure as that of the above-mentioned two-layer flexible wiring board can be used when copper electroplating is performed on the two-layer flexible wiring board. .
The thickness of the copper layer of the two-layer flexible wiring board to be used may be appropriately determined in consideration of the film thickness of the semi-additive copper plating.

配線加工が施されたフレキシブル配線板は、錫めっきが施され、その後、公知のソルダーレジストの被覆、金バンプを介したIC等の素子の実装が行われ、ICパッケージ部品に加工される。
ところで、錫めっきは、温度50℃〜90℃の公知の無電解錫めっき液に、フレキシブル配線板を1分間〜5分間浸漬して行われる。また、ソルダーレジストの被覆では、ソルダーレジストを硬化させるため温度100℃〜150℃にフレキシブル配線板を曝し、金バンプを介した素子の実装でもフレキシブル配線板には熱が負荷される。これらの化学的な負荷や熱負荷は、フレキシブル配線板の耐折れ性に悪影響を与える恐れがあるが、本発明に係るフレキシブル配線板は、これらの負荷に曝された後に前記配線を構成する積層膜の破断応力が280Pa〜360Paとすることで、これらの負荷に曝された後においても従来品に比べて、錫めっきが施されていても、耐折れ性の向上を示している。
The flexible wiring board subjected to the wiring processing is subjected to tin plating, and thereafter, a known solder resist coating, an IC or the like is mounted via a gold bump, and processed into an IC package component.
By the way, tin plating is performed by immersing a flexible wiring board in a known electroless tin plating solution having a temperature of 50 ° C. to 90 ° C. for 1 minute to 5 minutes. In the solder resist coating, the flexible wiring board is exposed to a temperature of 100 ° C. to 150 ° C. in order to cure the solder resist, and heat is applied to the flexible wiring board even when the element is mounted via the gold bump. Although these chemical loads and thermal loads may adversely affect the bending resistance of the flexible wiring board, the flexible wiring board according to the present invention is a laminate that constitutes the wiring after being exposed to these loads. By setting the rupture stress of the film to 280 Pa to 360 Pa, even after being exposed to these loads, even when tin plating is applied, the folding resistance is improved.

以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明する。
錫めっき無のフレキシブル配線用基板の破断応力は、ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で溶解除去し、下地金属層と銅層の積層膜を13mm×100mmに裁断した試料を、オリエンテック社製「RTC−1150A」にて測定した。
また、錫めっき後の破断応力は、錫めっきと所定の熱処理を行った以外は、錫めっき無のフレキシブル配線用基板の破断応力と同様に測定した。
伸び率は、破断応力の測定の際に積層膜が破断するまでの試料の伸び率である。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
The breaking stress of the flexible wiring board without tin plating was obtained by dissolving and removing the polyimide film with an alkaline solution, and cutting a laminated film of the base metal layer and the copper layer into 13 mm × 100 mm, “RTC-1150A” manufactured by Orientec Co., Ltd. ”.
Further, the breaking stress after tin plating was measured in the same manner as the breaking stress of the flexible wiring board without tin plating, except that tin plating and predetermined heat treatment were performed.
The elongation percentage is the elongation percentage of the sample until the laminated film breaks when measuring the breaking stress.

銅薄膜層付ポリイミドフィルムは、図2に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置10を用いて製造した。
下地金属層を成膜する為のニッケル−20重量%クロム合金ターゲットをスパッタリングカソード15aに、銅ターゲットをスパッタリングカソード15b〜15dにそれぞれ装着し、厚み38μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン(登録商標)」)をセットした装置内を真空排気した後、アルゴンガスを導入して装置内を1.3Paに保持して銅薄膜層付ポリイミドフィルムを製造した。
下地金属層(ニッケル−クロム合金)の膜厚は20nm、銅薄膜層の膜厚は200nmであった。
The polyimide film with a copper thin film layer was manufactured using the roll-to-roll sputtering apparatus 10 shown in FIG.
A nickel-20 wt% chromium alloy target for forming a base metal layer was mounted on the sputtering cathode 15a, and a copper target was mounted on the sputtering cathodes 15b-15d, respectively, and a polyimide film (“Kapton” manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.). (Registered Trademark) ”) was evacuated and the inside of the apparatus was maintained at 1.3 Pa by introducing argon gas to produce a polyimide film with a copper thin film layer.
The film thickness of the base metal layer (nickel-chromium alloy) was 20 nm, and the film thickness of the copper thin film layer was 200 nm.

得られた銅薄膜層付ポリイミドフィルムに、めっき装置20を用いて銅電気めっきを行い、銅電気めっき層を成膜した。
めっき液は硫酸銅浴を用い、アノード24oから24tは特に断らない限り最大の電流密度(PR電流の反転電流を除く)となるようにし、最終的に銅電気めっき層の膜厚が8.5μmとなるように電流密度を調整した。
The obtained polyimide film with a copper thin film layer was subjected to copper electroplating using a plating apparatus 20 to form a copper electroplating layer.
The plating solution uses a copper sulfate bath, and the anodes 24o to 24t have the maximum current density (excluding the reversal current of the PR current) unless otherwise specified, and finally the thickness of the copper electroplating layer is 8.5 μm. The current density was adjusted so that

耐折れ性試験は、塩化銅をエッチング液に用いてサブトラクティブ法で、「JIS−C−5016−1994」に準拠する配線幅25μmの試験片と配線幅50μmの試験片を形成し、同規格に従い評価した。   The bending resistance test is a subtractive method using copper chloride as an etching solution, and a test piece with a wiring width of 25 μm and a test piece with a wiring width of 50 μm conforming to “JIS-C-5016-1994” are formed. It evaluated according to.

銅電気めっき層の表面から1.3μmの膜厚範囲までパルスめっきを行い、めっき層の表面から1.3〜4.5μmの膜厚範囲をPR電流で銅電気めっきを行うために、図3のアノード24o〜24t(最終Rはパルス電流、残りの3RはPR電流としている)、実施例1で用いる2層フレキシブル配線用基板を作製した。なお、めっき液に鉄イオンを添加し、鉄イオン濃度を2g/リットルとした。   In order to perform pulse plating from the surface of the copper electroplating layer to a film thickness range of 1.3 μm, and to perform copper electroplating with a PR current over a film thickness range of 1.3 to 4.5 μm from the surface of the plating layer, FIG. Anodes 24o to 24t (final R is a pulse current and the remaining 3R is a PR current), and a two-layer flexible wiring board used in Example 1 was fabricated. In addition, iron ion was added to the plating solution so that the iron ion concentration was 2 g / liter.

得られた実施例1に係る2層フレキシブル配線用基板を、配線幅25μm(以下配線幅25μm試験片ということがある)のMIT試験用の配線にサブトラクティブ法で加工し、温度50℃の市販のアルキルスルホン酸系無電解錫めっき液に浸漬して錫めっき厚み0.4μm付けた後、ソルダーレジスト硬化や素子の実装を想定した150℃、3時間保持の熱処理を行った。   The obtained two-layer flexible wiring board according to Example 1 was processed into a MIT test wiring having a wiring width of 25 μm (hereinafter also referred to as a wiring width of 25 μm test piece) by a subtractive method, and was commercially available at a temperature of 50 ° C. After being immersed in an alkylsulfonic acid-based electroless tin plating solution and having a tin plating thickness of 0.4 μm, heat treatment was performed at 150 ° C. for 3 hours assuming solder resist curing and device mounting.

25μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では47回で、従来品に対し、18%の向上を示す良好な結果を得た。
一方、50μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では48回であった。また、50μm試験片に錫めっきと150℃、3時間保持の熱処理を施さなかった試験片のMIT耐折れ性試験結果では95回であった。
測定した各特性を表1に纏めて示す。
The MIT fold resistance test result of the 25 μm test piece was 47 times, and a good result showing an 18% improvement over the conventional product was obtained.
On the other hand, the MIT folding resistance test result of the 50 μm test piece was 48 times. Further, the MIT fold resistance test result of the test piece that was not subjected to tin plating and heat treatment at 150 ° C. for 3 hours on the 50 μm test piece was 95 times.
The measured characteristics are summarized in Table 1.

銅電気めっき層の表面から4μmの膜厚範囲までパルスめっきを行い、めっき層の表面から4〜5μmの膜厚範囲をPR電流で銅電気めっきを行った。
その25μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では43回で、従来品に対して13%の向上を示す結果を得た。
一方50μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では45回であった。
その測定した各特性を表1に纏めて示す。
Pulse plating was performed from the surface of the copper electroplating layer to a film thickness range of 4 μm, and copper electroplating was performed at a film thickness range of 4 to 5 μm from the surface of the plating layer with a PR current.
The MIT fold resistance test result of the 25 μm test piece was 43 times, and a result showing a 13% improvement over the conventional product was obtained.
On the other hand, the MIT folding resistance test result of the 50 μm test piece was 45 times.
The measured characteristics are summarized in Table 1.

めっき槽のいずれのアノードでもPR電流を流さずに直流電流で銅電気めっきした以外は、実施例1と同様に、実施例3の試験片を作製した。
25μm試験片のMIT耐折れ性試験の結果は、38回で、50μm試験片のMIT耐折れ性試験の結果は、37回であった。
また、50μm試験片に錫めっきと150℃、3時間保持の熱処理を施さなかった試験片その測定した各特性を表1に纏めて示す。
(比較例1)
A test piece of Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except that copper electroplating was performed with a direct current without flowing a PR current at any anode of the plating tank.
The result of the MIT folding resistance test of the 25 μm test piece was 38 times, and the result of the MIT folding resistance test of the 50 μm test piece was 37 times.
Table 1 shows the measured characteristics of the 50 μm test piece that was not subjected to tin plating and heat treatment at 150 ° C. for 3 hours.
(Comparative Example 1)

銅電気めっき条件を変動させて抗張力が380Paとした以外は実施例3と同様にして、比較例1に係る試験片を作製した。その結果、錫めっきと150℃、3時間保持の熱処理を施さない50μmのMIT耐折れ性試験の結果が40回と大きく劣ったので、以後の試験を中止した。
その測定した各特性を表1に纏めて示す。
A test piece according to Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 3 except that the tensile strength was 380 Pa by changing the copper electroplating conditions. As a result, the results of the 50 μm MIT fold resistance test without tin plating and heat treatment held at 150 ° C. for 3 hours were greatly inferior to 40 times, and the subsequent tests were stopped.
The measured characteristics are summarized in Table 1.

実施例1と比較例1の錫めっきを施さず150℃、3時間保持の熱処理の有無を50μm試験片のMIT耐折れ性試験結果で検討すると、錫めっき及び熱処理を施さない場合は、実施例1は、比較例1に対し3%の向上を示しているが、錫めっき及び熱処理を施すと、実施例1は、比較例1に対しては、30%の向上を示していることがわかる。本発明に係るフレキシブル配線板の配線の銅層における結晶構造がプリント配線板の耐折れ性に対して優れた効果を示し有益であることがわかる。   Example 1 and Comparative Example 1 were not subjected to tin plating, and the presence or absence of heat treatment held at 150 ° C. for 3 hours was examined based on the MIT fold resistance test results of 50 μm test pieces. 1 shows a 3% improvement over Comparative Example 1, but when tin plating and heat treatment are applied, Example 1 shows a 30% improvement over Comparative Example 1. . It can be seen that the crystal structure in the copper layer of the wiring of the flexible wiring board according to the present invention is beneficial because it has an excellent effect on the folding resistance of the printed wiring board.

Figure 2016157752
Figure 2016157752

1 ポリイミドフィルム(樹脂フィルム基板)
2 下地金属層
3 銅薄膜層
4 銅電気めっき層
5 銅層
6 2層フレキシブル配線用基板
7 積層膜
10 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
12 筐体
13 巻出ロール
14 キャンロール
15a、15b、15c、15d スパッタリングカソード
16a 前フィードロール
16b 後フィードロール
17a、17b テンションロール
18 巻取ロール
20 (ロール・ツー・ロール方式の連続電気)めっき装置
21 電気めっき槽
22 巻出ロール
23 反転ロール
24a〜24t アノード
26a〜26k 給電ロール
28 めっき液
28a めっき液の液面
29 巻取ロール
F 樹脂フィルム基板(ポリイミドフィルム)
F2 銅薄膜層付ポリイミドフィルム(銅薄膜層付樹脂フィルム基板)
S 2層フレキシブル配線用基板
1 Polyimide film (resin film substrate)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Underlying metal layer 3 Copper thin film layer 4 Copper electroplating layer 5 Copper layer 6 Two-layer flexible wiring board 7 Laminated film 10 Roll-to-roll sputtering device 12 Case 13 Unwinding roll 14 Can rolls 15a, 15b, 15c, 15d Sputtering cathode 16a Front feed roll 16b Rear feed roll 17a, 17b Tension roll 18 Winding roll 20 (Roll-to-roll type continuous electricity) Plating apparatus 21 Electroplating tank 22 Unwinding roll 23 Reversing rolls 24a-24t Anode 26a ~ 26k Feed roll 28 Plating solution 28a Liquid level of plating solution 29 Winding roll F Resin film substrate (polyimide film)
F2 Polyimide film with copper thin film layer (resin film substrate with copper thin film layer)
S 2 layer flexible wiring board

Claims (10)

樹脂フィルム基板の表面に接着剤を介することなく下地金属層と前記下地金属層の表面に設ける銅層で構成される積層膜からなるフレキシブル配線用基板において、
前記積層膜の破断応力が280MPa〜360MPaであることを特徴とするフレキシブル配線用基板。
In a flexible wiring substrate comprising a laminated film composed of a base metal layer and a copper layer provided on the surface of the base metal layer without using an adhesive on the surface of the resin film substrate,
A flexible wiring board, wherein the laminated film has a breaking stress of 280 MPa to 360 MPa.
前記積層膜の伸び率が、5%以上であることを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル配線用基板。   The substrate for flexible wiring according to claim 1, wherein an elongation percentage of the laminated film is 5% or more. 前記銅層が、前記下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜された銅薄膜層と前記銅薄膜層の表面に湿式めっき法で成膜された銅めっき層からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル配線用基板。   The copper layer includes a copper thin film layer formed by a dry plating method on the surface of the base metal layer and a copper plating layer formed by a wet plating method on the surface of the copper thin film layer. Item 3. The flexible wiring board according to Item 1 or 2. 前記銅めっき層の膜厚が、6μm〜12μmであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のフレキシブル配線用基板。   The board | substrate for flexible wiring of any one of Claim 1 to 3 whose film thickness of the said copper plating layer is 6 micrometers-12 micrometers. 前記下地金属層の膜厚が、3〜50nmであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のフレキシブル配線用基板。   The substrate for flexible wiring according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of the base metal layer is 3 to 50 nm. 前記下地金属層が、ニッケル、クロム又はこれらの合金であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のフレキシブル配線用基板。   The substrate for flexible wiring according to any one of claims 1 to 5, wherein the base metal layer is nickel, chromium, or an alloy thereof. 樹脂フィルム基板の表面に接着剤を介することなく下地金属層と、前記下地金属層の表面に設けられる銅層で構成される積層膜からなる幅50μm以下の配線が設けられるフレキシブル配線板であって、
前記積層膜の破断応力が280MPa〜360MPaであることを特徴とするフレキシブル配線板。
A flexible wiring board in which a wiring having a width of 50 μm or less comprising a base metal layer and a copper layer provided on the surface of the base metal layer is provided on the surface of the resin film substrate without using an adhesive. ,
A flexible wiring board, wherein the laminated film has a breaking stress of 280 MPa to 360 MPa.
前記銅層が、前記下地金属層の表面に乾式めっき法で成膜された銅薄膜層と前記銅薄膜層の表面に湿式めっき法で製膜された銅めっき層からなることを特徴とする請求項7に記載のフレキシブル配線板。   The copper layer is composed of a copper thin film layer formed by a dry plating method on the surface of the base metal layer and a copper plating layer formed by a wet plating method on the surface of the copper thin film layer. Item 8. The flexible wiring board according to Item 7. 前記下地金属層の膜厚が、3〜50nmであることを特徴とする請求項7又は8に記載のフレキシブル配線板。   The flexible wiring board according to claim 7 or 8, wherein the thickness of the base metal layer is 3 to 50 nm. 前記配線の表面に錫めっきが施されていることを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載のフレキシブル配線板。   The flexible wiring board according to claim 7, wherein the surface of the wiring is tin-plated.
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