JP2016154235A - Adhesive thermoplastic liquid crystal polymer film, multilayer circuit board, and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルム（以下、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと称する場合がある）から形成され、接着剤を用いることなく熱接着により形成できる多層回路基板およびその製造方法に関する。 The present invention is a multilayer formed from a thermoplastic liquid crystal polymer film (hereinafter sometimes referred to as a thermoplastic liquid crystal polymer film) that forms an optically anisotropic melt phase, and can be formed by thermal bonding without using an adhesive. The present invention relates to a circuit board and a manufacturing method thereof.
電子機器に対する小型化、高機能化が求められている中、これらの要求を満たすために、回路基板を多層化した多層回路基板の需要が増大している。 While miniaturization and high functionality of electronic devices are demanded, the demand for multilayer circuit boards in which circuit boards are multilayered is increasing in order to satisfy these demands.
多層回路基板は、従来、ポリイミドフィルムに導体回路が形成された基板と、ポリイミドフィルムと接着剤層とで構成されたカバーレイフィルムとを貼り合わせて形成されたものが知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a multilayer circuit board is known which is formed by laminating a substrate in which a conductor circuit is formed on a polyimide film and a coverlay film composed of a polyimide film and an adhesive layer.
しかし、このような多層回路基板では、接着剤を用いているため耐熱性、特に耐はんだ性に劣る場合がある。また、このような多層回路基板では、接着剤に由来する溶剤が残存する場合があり、このような残存溶剤は、多層化後の回路基板において不具合を発生させ、回路基板の信頼性を低下させてしまう虞がある。そのため、接着剤を用いることなく多層回路基板を形成する技術が求められている。 However, since such a multilayer circuit board uses an adhesive, it may be inferior in heat resistance, particularly solder resistance. In addition, in such a multilayer circuit board, a solvent derived from the adhesive may remain, and such a residual solvent causes a problem in the circuit board after the multilayering and reduces the reliability of the circuit board. There is a risk that. Therefore, there is a demand for a technique for forming a multilayer circuit board without using an adhesive.
例えば、特許文献１（特開２００６−１７９６０９号公報）には、接着剤を用いることなく多層回路基板を形成するために、熱可塑性液晶ポリマー層の少なくとも一面に導電層が設けられてなる単位基板を重ね合わせて積層配線基板を製造する方法において、前記熱可塑性液晶ポリマー層の各々における少なくとも一方の面に対して、アルカリ混合溶液による薬液粗化処理またはプラズマ粗化処理を施し、前記処理の施された面を他の単位基板の面に重ねて２以上の層を有する積層板を形成し、前記積層板を加熱、加圧処理する積層配線基板の製造法が開示されている。 For example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-179609) discloses a unit substrate in which a conductive layer is provided on at least one surface of a thermoplastic liquid crystal polymer layer in order to form a multilayer circuit substrate without using an adhesive. In the method of manufacturing a laminated wiring board by stacking, a chemical liquid roughening treatment or a plasma roughening treatment with an alkali mixed solution is performed on at least one surface of each of the thermoplastic liquid crystal polymer layers. A method of manufacturing a laminated wiring board is disclosed in which a laminated board having two or more layers is formed by superimposing the prepared surface on the surface of another unit substrate, and the laminated board is heated and pressurized.
特許文献１には、この製造方法によれば、配線基板を構成する各単位基板の表層に形成された回路に影響を与えず、その液晶ポリマー層の表面に緻密な粗化面を形成することができ、液晶ポリマー層同士の接着力に優れた配線基板を得ることができることが記載されている。
According to
しかしながら、特許文献１に記載された配線基板では、接着性を高めることと、導電層を保護することは、いわばトレードオフの関係にあり、接着性を高めるための薬液粗化処理またはプラズマ粗化処理を行うと導電層が破壊してしまう虞がある。
However, in the wiring board described in
さらに、アルカリ混合溶液による薬液処理では、薬液処理された基板を洗浄する工程が必須であり、工程が煩雑になる。そればかりか、薬液に対する安全性を考慮した設備が必要であるとともに、製造に伴って排出された廃液を処理する設備もさらに必要となり、コスト面での負担も大きい。 Furthermore, in the chemical treatment with an alkali mixed solution, a process of cleaning the chemical-treated substrate is essential, and the process becomes complicated. In addition to this, facilities that take into account the safety with respect to chemicals are required, and further facilities for treating the waste liquid discharged during the manufacture are further required, resulting in a large cost burden.
一方、プラズマ粗化処理では、廃液処理などの問題は生じないが、プラズマ処理を行うために多大な設備負担を必要とする。 On the other hand, in the plasma roughening treatment, problems such as waste liquid treatment do not occur, but a large facility burden is required to perform the plasma treatment.
したがって、本発明の目的は、接着剤を用いることなく熱接着により形成できるとともに、導電層（または導体回路）を破壊することなく一体性を向上できる多層回路基板を提供することである。
本発明の別の目的は、耐はんだ性とともに、寸法安定性に優れる多層回路基板を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a multilayer circuit board that can be formed by thermal bonding without using an adhesive and that can improve the integrity without destroying the conductive layer (or conductor circuit).
Another object of the present invention is to provide a multilayer circuit board having excellent dimensional stability as well as solder resistance.
本発明のさらに別の目的は、廃液を無公害化するための設備や、プラズマ処理のための高価な設備を利用しなくとも、多層回路基板を製造できる方法を提供することにある。 Still another object of the present invention is to provide a method capable of producing a multilayer circuit board without using facilities for making the waste liquid pollution-free or expensive equipment for plasma processing.
本発明者らは、このような課題を解決するために鋭意研究したところ、
（ｉ）従来、接着面を形成する場合、接着表面に凹凸形状を形成してアンカー効果により接着性を向上させるのが定法であったが、実は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいては、フィルムの押出成形時に表面には硬いスキン層が発生してしまうため、熱圧着による接着性を向上させるためにフィルム表面の硬度を調整することが重要な役割を果たすこと、
（ｉｉ）成形物全体が有するマクロな硬度（例えば、ビッカース硬度など）を測定することは、フィルムのような薄膜における表層、すなわちスキン層のみの硬度を把握する上で適切ではなく、このような硬度は、ナノインデンテーション法により初めて正確に把握することができること、さらに
（ｉｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムを特定の硬度に軟化処理するには、物理的研磨または紫外線照射が有効であり、このような軟化処理方法では、廃液を無公害化するための設備が不要であるだけでなく、プラズマ処理のようなコスト面の負担も低減できることを見出し、本発明を完成した。
The inventors of the present invention have intensively studied to solve such problems,
(I) Conventionally, in the case of forming an adhesive surface, it has been a usual method to form an uneven shape on the adhesive surface and improve the adhesive property by the anchor effect. Since a hard skin layer is generated on the surface at the time of molding, it is important to adjust the hardness of the film surface in order to improve the adhesion by thermocompression,
(Ii) Measuring the macro hardness (for example, Vickers hardness) of the entire molded product is not appropriate for grasping the hardness of only the surface layer in a thin film such as a film, that is, the skin layer. Hardness can be accurately grasped for the first time by the nanoindentation method. (Iii) Physical polishing or ultraviolet irradiation is effective for softening a thermoplastic liquid crystal polymer film to a specific hardness. In this softening treatment method, the present inventors have found that not only the equipment for making the waste liquid pollution-free is unnecessary, but also the cost burden such as plasma treatment can be reduced.
すなわち、本発明は、多層回路基板の製造方法であって、この製造方法は、
光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して熱可塑性液晶ポリマーフィルムを形成するフィルム形成工程と、
前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に対して、物理的な研磨または紫外線照射を行うことにより、このフィルム表面が、ナノインデンテーション法によって測定された硬度０．０１〜０．１ＧＰａを有するように軟化させて、接着面を形成する軟化工程と、
前記接着面を、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板の回路形成面に対向させ、全体を熱圧着により接着させる熱圧着工程と、
を含む。
That is, the present invention is a method of manufacturing a multilayer circuit board, the manufacturing method,
A film forming step of forming a thermoplastic liquid crystal polymer film by extruding a thermoplastic liquid crystal polymer that forms an optically anisotropic melt phase;
By subjecting at least one surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film to physical polishing or ultraviolet irradiation, the film surface has a hardness of 0.01 to 0.1 GPa measured by a nanoindentation method. Softening step to form an adhesive surface,
The adhesive surface is opposed to the circuit forming surface of the substrate on which the conductor circuit is formed on at least one surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film forming the optically anisotropic molten phase, and the whole is bonded by thermocompression bonding. Crimping process;
including.
前記製造方法では、軟化工程において、フィルム表面から０．０１〜１μｍの厚さを物理的研磨により除去して接着面を形成してもよく、１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの波長の紫外線を同時に照射して接着面を形成してもよい。 In the manufacturing method, in the softening step, a thickness of 0.01 to 1 μm may be removed from the film surface by physical polishing to form an adhesive surface, and adhesion is performed by simultaneously irradiating ultraviolet rays having wavelengths of 185 nm and 254 nm. A surface may be formed.
さらに、多層回路基板の製造方法においては、接着性ポリマー層の融点が高くとも接着性を向上することができるため、熱圧着の温度が、接着性ポリマー層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃）より１５℃低い温度以上であり、且つこの融点より１５℃高い温度以下の範囲から選択されるとともに、さらに前記熱圧着の温度は、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃）より２０℃低い温度以上であり、且つこの融点より１０℃高い温度以下の範囲を充足してもよい。
本発明の多層回路基板は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板層と、
前記基板層の回路形成面に対して、接着面を対向させて熱圧着されている接着性フィルム層と、
を少なくとも含む多層回路基板であって、
前記接着性フィルム層が、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、この接着性フィルム層の接着面が、ナノインデンテーション法によって測定された硬度０．０１〜０．１ＧＰａを有する。
Further, in the method for producing a multilayer circuit board, the adhesiveness can be improved even if the melting point of the adhesive polymer layer is high. Therefore, the thermocompression bonding temperature is the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the adhesive polymer layer ( Ta: ° C.) is selected from the range of 15 ° C. or higher and 15 ° C. higher than the melting point, and the thermocompression bonding temperature is the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the substrate layer ( Tb: ° C.) may be satisfied within a range of 20 ° C. lower than the temperature and 10 ° C. higher than the melting point.
The multilayer circuit board of the present invention comprises a substrate layer having a conductor circuit formed on at least one surface of a thermoplastic liquid crystal polymer film forming an optically anisotropic molten phase;
An adhesive film layer that is thermocompression-bonded with the adhesive surface facing the circuit forming surface of the substrate layer;
A multilayer circuit board comprising at least
The adhesive film layer is a thermoplastic liquid crystal polymer film forming an optically anisotropic melt phase, and the adhesive surface of the adhesive film layer has a hardness of 0.01 to 0 measured by a nanoindentation method. .1 GPa.
前記多層回路基板において、接着性フィルム層の接着面は、物理的研磨または紫外線照射により形成されていてもよい。また、接着性フィルム層の厚みは、１０〜１００μｍ程度であってもよい。このような接着性フィルム層は、カバーレイフィルムおよび／またはボンディングフィルムなどとして有効に用いることができる。 In the multilayer circuit board, the adhesive surface of the adhesive film layer may be formed by physical polishing or ultraviolet irradiation. Moreover, about 10-100 micrometers may be sufficient as the thickness of an adhesive film layer. Such an adhesive film layer can be effectively used as a coverlay film and / or a bonding film.
接着性フィルム層の接着面が軟化しているため、接着性フィルム層と基板層の層間混合性が高まり、たとえ、接着性フィルム層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃)と、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃)とは、例えば、Ｔａ≦Ｔｂ＋５を満たしていてもよい。 Since the adhesive surface of the adhesive film layer is softened, the intermixability of the adhesive film layer and the substrate layer is increased. For example, the melting point (Ta: ° C) of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the adhesive film layer, The melting point (Tb: ° C.) of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the substrate layer may satisfy, for example, Ta ≦ Tb + 5.
なお、本明細書において、接着性フィルム層の接着面における、ナノインデンテーション法による硬度とは、回路基板を形成するための熱圧着を行う前に接着性フィルム層表面が示す硬度を意味している。 In this specification, the hardness by the nanoindentation method on the adhesive surface of the adhesive film layer means the hardness exhibited by the surface of the adhesive film layer before performing thermocompression bonding for forming a circuit board. Yes.
本発明によれば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを基材として用い、特定の表面硬度を有する接着性フィルム層と、導体回路が形成された基板層とを組み合わせることにより、接着剤を用いることなく熱圧着により一体化させることができるとともに、導体回路を破壊することなく多層基板回路の一体性を向上することができる。 According to the present invention, a thermoplastic liquid crystal polymer film is used as a base material, and an adhesive film layer having a specific surface hardness and a substrate layer on which a conductor circuit is formed can be combined with each other without using an adhesive. In addition to being integrated by crimping, the integrity of the multilayer substrate circuit can be improved without destroying the conductor circuit.
また、特定の表面硬度を有する接着性フィルム層を用いることにより、接着性フィルム層として用いられる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点を従来より高めることが可能となり、基板層と接着性フィルム層とを形成するそれぞれの熱可塑性液晶ポリマーの融点を近づけることが可能となる。その結果、多層回路基板の一体性および熱管理性を向上することができる。 In addition, by using an adhesive film layer having a specific surface hardness, it becomes possible to increase the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film used as the adhesive film layer, forming a substrate layer and an adhesive film layer. It becomes possible to bring the melting points of the respective thermoplastic liquid crystal polymers close to each other. As a result, the integrity and thermal management of the multilayer circuit board can be improved.
さらに、本発明の多層回路基板の製造方法では、物理的研磨や紫外線照射により接着性フィルム表面を軟化させることができるので、従来接着性を高めるために必要であった薬液粗化処理またはプラズマ粗化処理が不要となり、廃液処理やプラズマ粗化処理のために必要であったコストを低減することができる。 Furthermore, in the method for producing a multilayer circuit board according to the present invention, the surface of the adhesive film can be softened by physical polishing or ultraviolet irradiation. Therefore, the cost required for the waste liquid treatment and the plasma roughening treatment can be reduced.
以下、添付の図面に基づいて、本発明に係る多層配線回路基板の好適な一実施形態を説明する。なお、図面は必ずしも一定の縮尺で示されておらず、本発明の原理を示す上で誇張したものになっている。また、添付図面において、複数の図面における同一の部品番号は、同一部分を示す。 Hereinafter, a preferred embodiment of a multilayer wiring circuit board according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Note that the drawings are not necessarily shown to scale, and are exaggerated for illustrating the principles of the present invention. In the accompanying drawings, the same part number in the plurality of drawings indicates the same part.
図１は、本発明の第１実施形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す。図１（ａ）は、多層回路基板１０を熱圧着によって製造する前の状態を示している。この図では、接着性フィルム層１３，１３の間に、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルム（以下、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと称する場合がある）の両面に導体回路１２，１２が形成された基板層１１が介在している。前記接着性フィルム層１３，１３は、導体回路の形成面に対向する接着面１３ａ，１３ａをそれぞれ有しており、これらの接着面１３ａ，１３ａは、所定の硬度を示すよう、予め軟化処理に付されている。このような積層状態の基板層１１および接着性フィルム層１３，１３を熱圧着させることにより、図１（ｂ）に示す多層回路基板１０を得ることができる。
FIG. 1 shows an example of a manufacturing process of a multilayer circuit board according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a state before the
図１（ｂ）に示す多層回路基板１０では、接着性フィルム層１３，１３の接着面１３ａ，１３ａが熱圧着により溶融し、導体回路を接着性フィルム内部に埋め込むようにして、基板層１１と接着性フィルム層１３，１３とが一体化している。ここで、接着性フィルム層１３では、接着面１３ａのみに軟化処理を行っているため、軟化処理を行っていない他方の表面１３ｂには、依然として高度に配向した表面スキン層が形成されている。そのため、接着性フィルム層１３，１３では、熱圧着により接着面１３ａを易接着性にする一方で、他方の非接着面１３ｂは難接着性を保つことができるため、接着性フィルム層１３，１３は、多層回路基板のカバーレイフィルムとして有用である。
In the
図２は、本発明の第２実施形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を示す。図２（ａ）は多層回路基板２０を熱圧着によって製造する前の状態を示している。この図では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの両面に導体回路２２，２２が形成された基板層２１と、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの両面に導体回路２４，２４が形成された基板層２３との間に、第１の接着性フィルム層２５が介在し、さらに、第２の接着性フィルム層２６，２６の間に、基板層２１と第１の接着性フィルム層２５と基板層２３とが、この順番で介在している。
FIG. 2 shows an example of a manufacturing process of a multilayer circuit board according to the second embodiment of the present invention. FIG. 2A shows a state before the
第１の接着性フィルム層２５は、両方の面が接着面２５ａ，２５ｂであり、これらの接着面２５ａ，２５ｂは、基板層２１と基板層２３のそれぞれに形成された導体回路２２と２４に対して対向する。また、前記接着性フィルム層２６，２６は、その一方に接着面２６ａ，２６ａをそれぞれ有しており、これらの接着面２６ａ，２６ａは、基板層２１と基板層２３のそれぞれに形成された導体回路２２と２４に対して対向する。第１および第２の接着性フィルム層２５，２６に形成された接着面、すなわち接着面２５ａ，２５ｂと接着面２６ａ，２６ａとは、所定の硬度を示すよう、予め軟化処理に付されている。このような積層状態の基板層２１と基板層２３および第１および第２の接着性フィルム層２５，２６とを熱圧着させることにより、図２（ｂ）に示す多層回路基板２０を得ることができる。
Both surfaces of the first
図２（ｂ）に示す多層回路基板２０では、第１の接着性フィルム層２５の接着面２５ａ，２５ｂおよび第２の接着性フィルム層２６，２６の接着面２６ａ，２６ａが熱圧着により溶融し、それぞれの接着面において、導体回路を接着性フィルム内部に埋め込むようにして基板層２１，２３と一体化する。
In the
第１の接着性フィルム層２５では、その両面２５ａ，２５ｂに対して軟化処理を行っているため、第１の接着性フィルム層を形成する液晶ポリマーフィルムには、高度に配向した表面スキン層が形成されておらず、このような接着性フィルム層２５は、多層回路基板のボンディングフィルムとして有用である。
また、第２の接着性フィルム層２６は、第１の実施形態で記載した接着性フィルム層１３と同様に、多層回路基板のカバーレイフィルムとして有用である。
Since the first
Moreover, the 2nd
また、さらに別の実施形態として、接着性フィルム層の非接着面に導体回路が設けられている本発明の第３実施形態に係る多層回路基板の製造工程の一例を図３に示す。図３（ａ）は多層回路基板３０を熱圧着によって製造する前の状態を示している。この図では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面に導体回路３２が形成された基板層３１と、一方の面に接着面３３ａが形成されるとともに、他方の非接着面には導体回路３４が形成されている第３の接着性フィルム層３３と、一方に接着面３５ａを有し、他方の非接着面３５ｂは表面改質も導体回路形成もなされていない第４の接着性フィルム層３５とが、この順番で積層されている。
As still another embodiment, FIG. 3 shows an example of the manufacturing process of the multilayer circuit board according to the third embodiment of the present invention in which the conductor circuit is provided on the non-adhesive surface of the adhesive film layer. FIG. 3A shows a state before the
第３の接着性フィルム層３３の接着面３３ａは、基板層３１に形成された導体回路３２に対して対向する。また、前記第４の接着性フィルム層３５の接着面３５ａは、第３の接着性フィルム層３３に形成された導体回路３４に対して対向する。第３および第４の接着性フィルム層３３，３５に形成された接着面、すなわち接着面３３ａ，３５ａは、所定の硬度を示すよう、予め軟化処理に付されている。このような積層状態の基板層３１と第３および第４の接着性フィルム層３３，３５とを熱圧着させることにより、図３（ｂ）に示す多層回路基板３０を得ることができる。
The adhesive surface 33 a of the third
図３（ｂ）に示す多層回路基板３０では、第３の接着性フィルム層３３の接着面３３ａと第４の接着性フィルム層３５の接着面３５ａが熱圧着により溶融し、それぞれの接着面において、導体回路を接着性フィルム内部に埋め込むようにして一体化する。
In the
すなわち、多層回路基板における基板層と接着性フィルム層とは、導体回路の形成面に応じてさまざまな積層状態であってもよく、基板層（基）と接着性フィルム層（接）との積層状態は、（基）／（接）／（基）、（基）／（接）／（基）／（接）／（基）、（基）／（接）／（接）、（基）／（接）／（接）／（接）などであってもよい。 In other words, the substrate layer and the adhesive film layer in the multilayer circuit board may be in various lamination states depending on the formation surface of the conductor circuit, and the lamination of the substrate layer (base) and the adhesive film layer (contact). The states are (group) / (contact) / (group), (group) / (contact) / (group) / (contact) / (group), (group) / (contact) / (contact), (group) / (Contact) / (contact) / (contact) may be used.
なお、図１〜３には示していないが、これらの多層回路基板では、熱圧着した後、必要に応じてレーザーによる加工、ドリルによる加工、化学エッチングなどの方法によって回路基板全体を貫くスルーホールを形成し、全層に亘る電気的接続を確保してもよい。 Although not shown in FIGS. 1 to 3, in these multilayer circuit boards, through-holes penetrating the entire circuit board by methods such as laser processing, drilling, and chemical etching as necessary after thermocompression bonding. May be formed to ensure electrical connection across all layers.
以下、本発明の多層回路基板の各構成要素について、詳述する。
（基板層）
基板層は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成され、そのフィルムの少なくとも一方の面に、導体回路が形成されている。
光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、以下に記載する溶融成形できる液晶性ポリマーから形成され、このポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、サーモトロピック液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入されたサーモトロピック液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
また溶融液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。
Hereafter, each component of the multilayer circuit board of this invention is explained in full detail.
(Substrate layer)
The substrate layer is formed of a thermoplastic liquid crystal polymer film that forms an optically anisotropic melt phase, and a conductor circuit is formed on at least one surface of the film.
The thermoplastic liquid crystal polymer film that forms the optically anisotropic melt phase is formed from the liquid crystal polymer that can be melt-molded as described below. Although there is no particular limitation, for example, a thermotropic liquid crystal polyester or a thermotropic liquid crystal polyester amide having an amide bond introduced therein may be used.
The molten liquid crystal polymer may be a polymer in which an aromatic polyester or an aromatic polyester amide is further introduced with an isocyanate-derived bond such as an imide bond, a carbonate bond, a carbodiimide bond or an isocyanurate bond.
本発明に用いられる溶融液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知のサーモトロピック液晶ポリエステルおよびサーモトロピック液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、高分子液晶を形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。 Specific examples of the molten liquid crystal polymer used in the present invention include known thermotropic liquid crystal polyesters and thermotropic liquid crystal polyester amides derived from the compounds classified as (1) to (4) and derivatives thereof exemplified below. be able to. However, it goes without saying that there are suitable ranges for combinations of various raw material compounds in order to form a polymer liquid crystal.
（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）
（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）
（３）芳香族または脂肪族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）
これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。 Representative examples of the liquid crystal polymer obtained from these raw material compounds include copolymers having the structural units shown in Tables 5 and 6.
これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体、が最も好ましい実施形態である。 Of these copolymers, a polymer containing at least p-hydroxybenzoic acid and / or 6-hydroxy-2-naphthoic acid as a repeating unit is preferable, and in particular, (i) p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxyoxy- A polymer containing a repeating unit with 2-naphthoic acid, (ii) 6-hydroxy-2-naphthoic acid, at least one aromatic diol selected from the group consisting of 4,4′-dihydroxybiphenyl and hydroquinone, and terephthalate A polymer containing a repeating unit with at least one aromatic dicarboxylic acid selected from the group consisting of acid, isophthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid is the most preferred embodiment.
例えば、溶融液晶ポリマーが、少なくともｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ−ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０〜９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０〜８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０〜８０／２０程度であってもよい。 For example, when the molten liquid crystal polymer contains at least repeating units of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid, the repeating unit (A) of p-hydroxybenzoic acid and the repeating unit (B) of 6 -The molar ratio (A) / (B) with hydroxy-2-naphthoic acid is desirably (A) / (B) = about 10/90 to 90/10 in the liquid crystal polymer, more preferably, (A) / (B) = about 50 / 50-85 / 15 may be sufficient, More preferably, (A) / (B) = about 60 / 40-80 / 20 may be sufficient.
また、溶融液晶ポリマーが、６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む場合、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸の繰り返し単位（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０〜８０：３５〜１０：３５〜１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５〜７５：３２．５〜１２．５：３２．５〜１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０〜７０：３０〜１５：３０〜１５程度であってもよい。
また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００〜１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。
Further, the molten liquid crystal polymer is 6-hydroxy-2-naphthoic acid, at least one aromatic diol selected from the group consisting of 4,4′-dihydroxybiphenyl and hydroquinone, terephthalic acid, isophthalic acid, and 2,6- When a repeating unit with at least one aromatic dicarboxylic acid selected from the group consisting of naphthalenedicarboxylic acid is included, the molar ratio of each repeating unit in the liquid crystal polymer is a repeating unit (C) of 6-hydroxy-2-naphthoic acid: The aromatic diol (D): the aromatic dicarboxylic acid (E) may be about 30 to 80:35 to 10:35 to 10, more preferably (C) :( D) :( E). = 35 to 75: 32.5 to 12.5: 32.5 to 12.5, more preferably (C) :( D) :( E ) = About 40-70: 30-15: 30-15.
Moreover, it is preferable that the molar ratio of the repeating structural unit derived from aromatic dicarboxylic acid and the repeating structural unit derived from aromatic diol is (D) / (E) = 95 / 100-100 / 95. Outside this range, the degree of polymerization does not increase and the mechanical strength tends to decrease.
なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。 The optical anisotropy at the time of melting referred to in the present invention can be recognized by, for example, placing a sample on a hot stage, heating and heating in a nitrogen atmosphere, and observing the transmitted light of the sample.
溶融液晶ポリマーとして好ましいものは、融点（以下、Ｍｐと称す）が２６０〜３６０℃の範囲のものであり、さらに好ましくはＭｐが２７０〜３５０℃のものである。なお、Ｍｐは示差走査熱量計（メトラー社ＤＳＣ）により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。 Preferred as the molten liquid crystal polymer is one having a melting point (hereinafter referred to as Mp) in the range of 260 to 360 ° C, more preferably Mp of 270 to 350 ° C. In addition, Mp is calculated | required by measuring the temperature where a main endothermic peak appears with a differential scanning calorimeter (Mettler DSC).
前記溶融液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマーを添加してもよい。 The molten liquid crystal polymer is added with a thermoplastic polymer such as polyethylene terephthalate, modified polyethylene terephthalate, polyolefin, polycarbonate, polyarylate, polyamide, polyphenylene sulfide, polyester ether ketone, and fluororesin within a range not impairing the effects of the present invention. May be.
本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。任意の押出成形法がこの目的のために使用されるが、周知のＴダイ法、インフレーション法等が工業的に有利である。特にインフレーション法では、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられるため、ＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムを得ることができるので、より好適である。また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械的および熱的性質が実質的に均一な等方性であることが望ましく、これにより反りがほとんど無い多層回路基板が得られる。 The thermoplastic liquid crystal polymer film used in the present invention is obtained by extrusion molding of a thermoplastic liquid crystal polymer. Any extrusion method can be used for this purpose, but the well-known T-die method, inflation method, etc. are industrially advantageous. In particular, in the inflation method, stress is applied not only in the mechanical axis direction of the film (hereinafter abbreviated as MD direction) but also in the direction orthogonal to this (hereinafter abbreviated as TD direction). Since a film having a balance between mechanical properties and thermal properties can be obtained, it is more preferable. In addition, it is desirable that the thermoplastic liquid crystal polymer film has an isotropic property in which the mechanical and thermal properties between the MD direction and the TD direction are substantially uniform, thereby obtaining a multilayer circuit board having almost no warpage. It is done.
また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、必要に応じて、一旦金属箔と積層した後に加熱することにより、熱膨張係数を所定の範囲に制御してもよい。
例えば、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、１５〜２５（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）程度であってもよく、１６〜２４（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）程度であるのが好ましい。
Moreover, a thermoplastic liquid crystal polymer film may control a thermal expansion coefficient to a predetermined | prescribed range by heating, after laminating | stacking once with metal foil as needed.
For example, the thermal expansion coefficient of the thermoplastic liquid crystal polymer film forming the substrate layer may be about 15 to 25 (× 10 −6 cm / cm / ° C.), or 16 to 24 (× 10 −6 cm / cm). / ° C.).
熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚さは、特に制限はないが、基板層を構成するフィルムとして使用する場合、プリント配線板用途では、５ｍｍ以下であることが好ましく、０．１〜３ｍｍの範囲内であることがより好ましい。また、フレキシブルプリント配線板用途では、５００μｍ以下が好ましく、１０〜２５０μｍの範囲内であることがより好ましい。 Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a thermoplastic liquid crystal polymer film, When using as a film which comprises a board | substrate layer, it is preferable that it is 5 mm or less in a printed wiring board use, and it exists in the range of 0.1-3 mm. More preferably. Moreover, in a flexible printed wiring board use, 500 micrometers or less are preferable and it is more preferable that it exists in the range of 10-250 micrometers.
このようにして得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、少なくとも一方の面に導体回路が形成されている。導体回路の形成は公知の方法に従って実施することができる。具体例を示せば、（ａ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと金属シートとを熱圧着により積層した後、エッチング処理等を施して、導体回路を形成する方法、（ｂ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムの表面にスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの気相法や湿式のメッキ法により導体層を形成し、導体回路とする方法などが挙げられる。（ａ）の方法による導体回路の形成に際して使用することのできる金属シートの材質としては、電気的接続に使用されるような金属が好適であり、銅、金、銀、ニッケル、アルミニウムなどを挙げることができるが、中でも銅が好適である。金属シートの厚さは、１〜５０μｍの範囲内が好ましく、５〜２０μｍの範囲内がより好ましい。 The thermoplastic liquid crystal polymer film thus obtained has a conductor circuit formed on at least one surface. The conductor circuit can be formed according to a known method. Specifically, (a) a method of forming a conductor circuit by laminating a thermoplastic liquid crystal polymer film and a metal sheet by thermocompression bonding and then performing an etching process, etc., (b) the surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film And a method of forming a conductor layer by a vapor phase method such as a sputtering method, an ion plating method, a vacuum deposition method or a wet plating method to form a conductor circuit. As the material of the metal sheet that can be used for forming the conductor circuit by the method (a), a metal that is used for electrical connection is suitable, and examples thereof include copper, gold, silver, nickel, and aluminum. Of these, copper is preferred. The thickness of the metal sheet is preferably in the range of 1 to 50 μm, and more preferably in the range of 5 to 20 μm.
また、（ｂ）の方法による導体回路の形成に際し、導体層を構成する素材としては、上記した金属を例示することができ、その中でも銅が好ましい。また、導体層の厚さは、特に制限されるものではないが、１〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、５〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。
熱可塑性液晶ポリマーフィルムに形成される導体回路の厚さは、上記した金属シートや導体層の厚さに対応しており、１〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、５〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。
Moreover, when forming the conductor circuit by the method (b), examples of the material constituting the conductor layer include the metals described above, and among these, copper is preferable. The thickness of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 50 μm, and more preferably in the range of 5 to 20 μm.
The thickness of the conductor circuit formed on the thermoplastic liquid crystal polymer film corresponds to the thickness of the metal sheet or conductor layer described above and is preferably in the range of 1 to 50 μm, preferably in the range of 5 to 20 μm. It is more preferable that
（接着性フィルム層）
接着性フィルム層は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成され、そのフィルムの少なくとも一方の面が接着面となり、基板層の回路形成面に対して接着する。そして、この接着面は、ナノインデンテーション法によって測定された所定の硬度を示す。なお、前記硬度の測定方法については、以下の実施例に詳細に記載されている。
(Adhesive film layer)
The adhesive film layer is formed from a thermoplastic liquid crystal polymer film that forms an optically anisotropic melt phase, and at least one surface of the film serves as an adhesive surface and adheres to the circuit forming surface of the substrate layer. And this adhesion surface shows the predetermined | prescribed hardness measured by the nanoindentation method. The hardness measurement method is described in detail in the following examples.
接着面の硬度は、基板層と接着性フィルム層とを良好に接着するため、０．０１〜０．１ＧＰａであることが必要であり、好ましくは０．０１５〜０．０９５ＧＰａ程度、より好ましくは０．０２〜０．０９ＧＰａ程度であってもよい。 The hardness of the adhesive surface needs to be 0.01 to 0.1 GPa, preferably about 0.015 to 0.095 GPa, more preferably, in order to adhere the substrate layer and the adhesive film layer well. It may be about 0.02 to 0.09 GPa.
接着性フィルム層は、まず、前記基板層の項において記載したのと同様にして熱可塑性液晶ポリマーフィルムを得る。この場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、必要に応じて、一旦金属箔と積層した後に加熱することにより、熱膨張係数を所定の範囲に制御したものを用いてもよい。 For the adhesive film layer, first, a thermoplastic liquid crystal polymer film is obtained in the same manner as described in the section of the substrate layer. In this case, as the thermoplastic liquid crystal polymer film, a film whose thermal expansion coefficient is controlled within a predetermined range may be used by heating after laminating with a metal foil, if necessary.
例えば、接着性フィルム層を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、１５〜２５（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）程度であってもよく、１６〜２４（×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）程度であるのが好ましい。また、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数（αｂ）と、接着性ポリマー層を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数（αａ）とは、同程度であるのが好ましく、−５≦αｂ−αａ≦５ （×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）であってもよく、好ましくは−３≦αｂ−αａ≦３ （×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）であってもよい。 For example, the thermal expansion coefficient of the thermoplastic liquid crystal polymer film forming the adhesive film layer may be about 15 to 25 (× 10 −6 cm / cm / ° C.), or 16 to 24 (× 10 −6 cm). / Cm / ° C.). Further, the thermal expansion coefficient (α b ) of the thermoplastic liquid crystal polymer film forming the substrate layer and the thermal expansion coefficient (α a ) of the thermoplastic liquid crystal polymer film forming the adhesive polymer layer are approximately the same. -5 ≦ α b −α a ≦ 5 (× 10 −6 cm / cm / ° C.), preferably −3 ≦ α b −α a ≦ 3 (× 10 −6 cm / cm) / ° C).
さらに、得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムの接着面が所定の硬度を示すよう、液晶ポリマーフィルムの表面改質を行う。前記表面改質を行う方法としては、液晶ポリマーフィルムの接着面を所定の硬度にできる限り特に限定されないが、通常は物理的研磨または紫外線照射により表面改質される。本発明では、溶液処理やプラズマ処理を用いることなく、表面改質を行うことが可能である。 Further, the surface modification of the liquid crystal polymer film is performed so that the adhesive surface of the obtained thermoplastic liquid crystal polymer film exhibits a predetermined hardness. The surface modification method is not particularly limited as long as the adhesion surface of the liquid crystal polymer film can have a predetermined hardness, but is usually modified by physical polishing or ultraviolet irradiation. In the present invention, surface modification can be performed without using solution treatment or plasma treatment.
物理的な研磨方法としては、例えば、ブラシ研磨、ブラスト研磨、ベルト研磨、バレル研磨などが例示でき、これらの研磨により、液晶ポリマーフィルムの表層が除去される。 Examples of physical polishing methods include brush polishing, blast polishing, belt polishing, barrel polishing, and the like, and the surface layer of the liquid crystal polymer film is removed by these polishings.
より詳細には、ブラシ研磨では、研磨材入りの真鍮線、ナイロン線、鋼線などの線材のブラシを高速回転させ、液晶ポリマーフィルムの加工面に擦り付けて、液晶ポリマー表面を研磨することができる。
ブラスト研磨では、固体金属、鉱物性、植物性などの研磨剤を、液晶ポリマーフィルムの加工面に対して、圧縮空気と共に高速で吹き付けることにより液晶ポリマー表面を研磨することができる。
ベルト研磨では、研磨材のついたベルト（エンドレスベルトのサンドペーパー）を、液晶ポリマーフィルムの加工面に対して擦り付けることにより、液晶ポリマー表面を研磨することができる。
バレル研磨では、目的物と研磨材と水など研磨槽に混合して充填し、研磨槽に運動（回転、振動）を与え、槽内の目的物と研磨材とが擦れ合うことで液晶ポリマー表面を研磨することができる。
More specifically, in brush polishing, the surface of a liquid crystal polymer can be polished by rotating a brush of a wire rod such as a brass wire, nylon wire, or steel wire containing an abrasive at high speed and rubbing the processed surface of the liquid crystal polymer film. .
In blast polishing, the surface of the liquid crystal polymer can be polished by spraying a solid metal, mineral or vegetable abrasive on the processed surface of the liquid crystal polymer film at high speed together with compressed air.
In belt polishing, the surface of the liquid crystal polymer can be polished by rubbing a belt with an abrasive (endless belt sandpaper) against the processed surface of the liquid crystal polymer film.
In barrel polishing, the target object, abrasive and water are mixed and filled in the polishing tank, and the polishing tank is moved (rotated and vibrated). Can be polished.
このような研磨方法により液晶ポリマーフィルム表面に存在する硬いスキン層（特に表面スキン層）を除去するとともに、液晶ポリマーフィルム内部の比較的柔らかいコア層をむき出しにすることができ、熱圧着による接着性を向上することができる。
なお、物理的研磨では、フィルム表面から厚さ０．０１〜１μｍ程度を除去するのが好ましく、より好ましくは０．１〜０．９μｍ程度の厚さで表層を除去してもよい。
By this polishing method, the hard skin layer (especially the surface skin layer) present on the surface of the liquid crystal polymer film can be removed, and the relatively soft core layer inside the liquid crystal polymer film can be exposed. Can be improved.
In physical polishing, it is preferable to remove a thickness of about 0.01 to 1 μm from the film surface, and more preferably, a surface layer may be removed with a thickness of about 0.1 to 0.9 μm.
一方、紫外線照射によっても、液晶ポリマーフィルムに存在するスキン層が破壊されてフィルム表面の硬度を軟化することができるため、熱圧着による接着性を向上することができる。紫外線照射は、液晶ポリマーフィルム表面に対して所定の硬度を付与できる限り特に限定されないが、１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの波長の紫外線を同時に照射することが好ましい。 On the other hand, since the skin layer existing in the liquid crystal polymer film can be broken and the hardness of the film surface can be softened even by ultraviolet irradiation, the adhesiveness by thermocompression bonding can be improved. The ultraviolet irradiation is not particularly limited as long as a predetermined hardness can be imparted to the liquid crystal polymer film surface, but it is preferable to simultaneously irradiate ultraviolet rays having wavelengths of 185 nm and 254 nm.
また、表層のみを速やかに破壊する観点から、照射面と光源との距離を縮め、高い照射エネルギーを短時間照射するのが好ましい。例えば、照射面と光源との距離は、０．３ｃｍ〜５ｃｍ程度、好ましくは０．４〜２ｃｍ程度であってもよい。また、照射面と光源との距離に応じて、処理時間は適宜設定できるが、例えば２０秒〜５分程度、好ましくは３０秒〜３分程度であってもよい。 Further, from the viewpoint of promptly destroying only the surface layer, it is preferable to reduce the distance between the irradiation surface and the light source and to irradiate with high irradiation energy for a short time. For example, the distance between the irradiation surface and the light source may be about 0.3 cm to 5 cm, preferably about 0.4 to 2 cm. Moreover, although processing time can be suitably set according to the distance of an irradiation surface and a light source, it may be about 20 seconds-5 minutes, for example, Preferably it may be about 30 seconds-3 minutes.
また、本発明で用いられる接着性フィルム層は、特定の硬度を有するように表面が軟化されているため、接着面が緻密に粗面化されている必要はなく、接着面の表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．１μｍ未満であってもよいし、０．３５μｍを超えてもよい。具体的には、接着面の表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、０．０１μｍ以上０．１μｍ未満、好ましくは０．０３μｍ以上０．０８μｍ未満であってもよい。また、接着面の表面粗さ（Ｒａ）は０．３５μｍを超えて１．０μｍ以下、好ましくは０．４μｍを超えて０．９μｍ以下、さらに好ましくは０．４１以上０．９μｍ以下）であってもよい。 Moreover, since the surface of the adhesive film layer used in the present invention is softened so as to have a specific hardness, it is not necessary that the adhesive surface is roughened precisely, and the surface roughness of the adhesive surface ( Ra) may be, for example, less than 0.1 μm or may exceed 0.35 μm. Specifically, the surface roughness (Ra) of the adhesive surface may be, for example, 0.01 μm or more and less than 0.1 μm, preferably 0.03 μm or more and less than 0.08 μm. Further, the surface roughness (Ra) of the bonding surface is more than 0.35 μm and 1.0 μm or less, preferably more than 0.4 μm and 0.9 μm or less, more preferably 0.41 or more and 0.9 μm or less. May be.
接着性フィルム層の厚みは、多層回路基板で用いられる積層位置に応じて適宜設定することができるが、例えば、１０〜１００μｍ程度であってもよく、好ましくは１５〜９０μｍ程度、さらに好ましくは２０〜８０μｍ程度であってもよい。 The thickness of the adhesive film layer can be appropriately set according to the lamination position used in the multilayer circuit board, but may be, for example, about 10 to 100 μm, preferably about 15 to 90 μm, and more preferably 20 It may be about ˜80 μm.
また、接着性フィルム層の片面が回路基板と接着する場合（例えば、カバーレイフィルムなどとして用いられる場合）、接着性フィルム層の厚みは、導体回路の厚みの１．５倍〜５倍程度であってもよく、好ましくは導体回路の厚みの２倍〜４倍程度であってもよい。
また、接着性フィルム層の両面が回路基板と接着する場合（例えば、ボンディングフィルムなどとして用いられる場合）、接着性フィルム層の厚みは、導体回路の厚みの２．５倍〜５倍程度であってもよく、好ましくは導体回路の厚みの３倍〜４倍程度であってもよい。
Moreover, when one side of the adhesive film layer adheres to the circuit board (for example, when used as a coverlay film or the like), the thickness of the adhesive film layer is about 1.5 to 5 times the thickness of the conductor circuit. It may be, and preferably about 2 to 4 times the thickness of the conductor circuit.
Further, when both surfaces of the adhesive film layer adhere to the circuit board (for example, when used as a bonding film), the thickness of the adhesive film layer is about 2.5 to 5 times the thickness of the conductor circuit. Preferably, it may be about 3 to 4 times the thickness of the conductor circuit.
また、本発明では、接着性フィルム層の接着面が軟化しているため、熱圧着による接着性が向上している。そのため、接着性フィルム層の融点を高めても、基板層と良好に接着することが可能である。 Moreover, in this invention, since the adhesive surface of the adhesive film layer is softened, the adhesiveness by thermocompression-bonding has improved. Therefore, even if the melting point of the adhesive film layer is increased, it is possible to adhere well to the substrate layer.
例えば、多層回路基板において、接着性フィルム層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃)と、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃）とは、
Ｔａ≦Ｔｂ＋５ （例えば、Ｔｂ−５０≦Ｔａ≦Ｔｂ＋５）であってもよく、好ましくはＴａ≦Ｔｂ （例えば、Ｔｂ−１５≦Ｔａ≦Ｔｂ＋３）であってもよく、さらに好ましくはＴｂ−１０≦Ｔａ≦Ｔｂ＋１であってもよい。
For example, in the multilayer circuit board, the melting point (Ta: ° C.) of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the adhesive film layer and the melting point (Tb: ° C.) of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the substrate layer are:
Ta ≦ Tb + 5 (for example, Tb−50 ≦ Ta ≦ Tb + 5) may be satisfied, preferably Ta ≦ Tb (for example, Tb−15 ≦ Ta ≦ Tb + 3), and more preferably Tb−10 ≦ Ta. ≦ Tb + 1 may be satisfied.
接着性フィルム層を形成する熱可塑性液晶ポリマーと基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーとが、上記のような特定の融点を有する場合、多層回路基板としての一体性を向上できるだけでなく、多層回路基板が高温下に曝された場合であっても、低融点のポリマーフィルムの熱変形を防止することができる。 When the thermoplastic liquid crystal polymer that forms the adhesive film layer and the thermoplastic liquid crystal polymer that forms the substrate layer have a specific melting point as described above, not only can the integrity as a multilayer circuit board be improved, but also the multilayer circuit Even when the substrate is exposed to a high temperature, thermal deformation of the low melting point polymer film can be prevented.
さらに、熱圧着の温度は、接着性ポリマー層の融点に応じて、適宜設定することができ、例えば、熱圧着の際の温度は、接着性ポリマー層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃）より１５℃低い温度以上であり、且つこの融点より１５℃高い温度以下の範囲から選択されてもよい。 Furthermore, the temperature for thermocompression bonding can be appropriately set according to the melting point of the adhesive polymer layer. For example, the temperature for thermocompression bonding is the melting point (Ta of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the adhesive polymer layer). The temperature may be selected from the range of 15 ° C. lower than the temperature and 15 ° C. higher than the melting point.
しかも、本発明では、接着性ポリマー層の表層を軟化させて接着性を向上させているため、接着性ポリマー層と基板層とを形成する熱可塑性液晶ポリマー間の融点が近くとも、両方を熱圧着により一体化することが可能である。例えば、このような場合、熱圧着の温度は、接着性ポリマー層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃）より１５℃低い温度以上であり、且つこの融点より１５℃高い温度以下の範囲から選択されるとともに、さらに熱圧着の温度は、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃）より２０℃低い温度以上であり、且つこの融点より１０℃高い温度以下の範囲を充足してもよい。 In addition, in the present invention, the surface layer of the adhesive polymer layer is softened to improve the adhesiveness. Therefore, even if the melting point between the thermoplastic liquid crystal polymers forming the adhesive polymer layer and the substrate layer is close, both are heated. It can be integrated by pressure bonding. For example, in such a case, the temperature of the thermocompression bonding is not less than 15 ° C. lower than the melting point (Ta: ° C.) of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the adhesive polymer layer and not more than 15 ° C. higher than this melting point. Further, the temperature of the thermocompression bonding is selected from the range, and the temperature is 20 ° C. or more lower than the melting point (Tb: ° C.) of the thermoplastic liquid crystal polymer forming the substrate layer, and 10 ° C. or higher. May be satisfied.
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited at all by this Example. In the following examples and comparative examples, various physical properties were measured by the following methods.
（熱膨張係数）
熱膨張係数αとは、室温からフィルムの熱変形温度付近まで一定昇温速度で加熱したときの膨張率を温度差で割った係数であり、以下のように算出される。
まず、周知の熱機械分析装置を用い、短冊状に切断したフィルムの一端を固定し、もう一端に引張の荷重を付与し、一定昇温速度で加熱した時の膨張量を計測する。フィルムの引張の荷重方向の長さＬ０（ｍｍ）、加熱時のフィルムの長さをＬ１（ｍｍ）、温度をＴ２（℃）とし、室温をＴ１（℃）とすると、熱膨張係数αは以下の式で算出できる。
α＝［（Ｌ１−Ｌ０）／（Ｔ２−Ｔ１）／Ｌ０ （×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）
なお、本発明ではＬ０＝２０ｍｍ、Ｔ２＝１５０℃、Ｔ１＝２５℃、引張荷重を１ｇとして採用した。
(Coefficient of thermal expansion)
The thermal expansion coefficient α is a coefficient obtained by dividing the expansion coefficient when heated at a constant heating rate from room temperature to near the heat distortion temperature of the film by the temperature difference, and is calculated as follows.
First, using a known thermomechanical analyzer, one end of a strip cut film is fixed, a tensile load is applied to the other end, and the amount of expansion when heated at a constant temperature increase rate is measured. Thermal expansion, assuming that the length L 0 (mm) of the film in the load direction of the film is L 1 (mm), the temperature is T 2 (° C.), and the room temperature is T 1 (° C.). The coefficient α can be calculated by the following formula.
α = [(L 1 −L 0 ) / (T 2 −T 1 ) / L 0 (× 10 −6 cm / cm / ° C.)
In the present invention, L 0 = 20 mm, T 2 = 150 ° C., T 1 = 25 ° C., and the tensile load is 1 g.
（融点）
示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得た。つまり、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを１０℃／分の速度で昇温して完全に溶融させた後、溶融物を１０℃／分の速度で５０℃まで急冷し、再び１０℃／分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置を、融点として記録した。
(Melting point)
The film was obtained by observing the thermal behavior of the film using a differential scanning calorimeter. That is, after the thermoplastic liquid crystal polymer film is heated at a rate of 10 ° C./min to be completely melted, the melt is rapidly cooled to 50 ° C. at a rate of 10 ° C./min, and again at a rate of 10 ° C./min. The position of the endothermic peak that appears when the temperature was raised was recorded as the melting point.
（ナノインデンテーション法による硬度）
後述する実施例で接着性フィルム層として用いられる軟化工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムから、試料断片（縦１ｃｍ×横１ｃｍ）を採取し、ナノインデンテーション法を用いて硬度を測定した。ナノインデンテーション法とは、原子間顕微鏡のダイヤモンド圧子を直接試料表面に押し込み、ナノメートルの精度で押し込み深さを測定し、荷重−変位曲線を求める方法である。原子間力顕微鏡として、日本電子製ＪＳＰＭ４２００、ナノインデンテーション装置として、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製ＴｒｉｂｏＳｃｏｐｅ、ダイヤモンド圧子として、Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製 正三角錐（バーコビッチ型）圧子（１４２．３°）を用いて、設定最大負荷を４００μＮとして負荷速度８０μＮ／ｓ、荷重変位曲線を測定した。その際の、最大負荷を、圧子により押し込まれた窪みの接触投影面積で除したものを硬さ［ＧＰａ］とする。一つの試料につき、ランダムに１８回測定を行ない、その平均値を用いてフィルム表面の硬度とした。
(Hardness by nanoindentation method)
Sample fragments (1 cm in length × 1 cm in width) were collected from a thermoplastic liquid crystal polymer film that had undergone a softening step used as an adhesive film layer in Examples described later, and the hardness was measured using a nanoindentation method. The nanoindentation method is a method of obtaining a load-displacement curve by pushing a diamond indenter of an atomic microscope directly onto a sample surface, measuring an indentation depth with nanometer accuracy. Using JSPM 4200 manufactured by JEOL as an atomic force microscope, TriboScope manufactured by Hystron as a nanoindentation device, and a regular triangular pyramid (Birkovic type) indenter manufactured by Hystron as a diamond indenter (142.3 °), the maximum set load is set. A load speed of 80 μN / s and a load displacement curve were measured at 400 μN. The hardness [GPa] is obtained by dividing the maximum load by the contact projected area of the depression pushed in by the indenter. A sample was randomly measured 18 times, and the average value was used as the hardness of the film surface.
（厚さ）
接着性ポリマー層を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムについて、軟化工程に付される前後のフィルムの厚さを、（株）ミツトヨ製デジマチックインジケータを用いて測定した。測定は、軟化工程に付される前後のフィルムから試料断片（縦５０ｃｍ×横５０ｃｍ）を採取し、各試料について、ランダムに１００点を測定し、その平均値を用いて、フィルムの厚さとした。
(thickness)
For the thermoplastic liquid crystal polymer film forming the adhesive polymer layer, the thickness of the film before and after being subjected to the softening process was measured using a Digimatic indicator manufactured by Mitutoyo Corporation. Measurement was performed by collecting sample pieces (length 50 cm × width 50 cm) from the film before and after being subjected to the softening process, measuring 100 points at random for each sample, and using the average value as the film thickness. .
（接着面の表面粗さ（Ｒａ）の測定）
軟化工程後の液晶ポリマー表面の粗さＲａ（平均線から絶対値偏差の平均値）を、サーフテストＳＪ−４００（（株）ミツトヨ製）で５回測定し、その平均値を用いて、接着面の表面粗さとした。
(Measurement of surface roughness (Ra) of adhesive surface)
The roughness Ra of the liquid crystal polymer surface after the softening step (average value of absolute value deviation from the average line) was measured five times with Surf Test SJ-400 (manufactured by Mitutoyo Corporation), and the average value was used for adhesion. The surface roughness.
（層間接着力）
配線基板を１０ｍｍの短冊状に打ち抜き試験片とした。この試験片の接着界面を出したのち、常温にて９０°方向に速度５ｃｍ／分で引き剥がし、日本電産シンポ（株）製、デジタルフォースゲージを用いて引き剥がし荷重を測定し、５ｃｍ分引き剥がした際の荷重の平均値を取った。ただし、測定開始時と終了時の測定値のブレに関しては、平均値を出す際に用いなかった。
(Interlayer adhesion)
The wiring board was punched into a 10 mm strip and used as a test piece. After the adhesion interface of this test piece was brought out, it was peeled off at a speed of 5 cm / min in the 90 ° direction at room temperature, and the peeling load was measured using a digital force gauge manufactured by Nidec Sympo Co., Ltd. The average value of the load at the time of peeling was taken. However, the blurring of the measured values at the start and end of the measurement was not used when calculating the average value.
（耐ハンダ性）
配線基板を３０×３０ｍｍにカットし試験片とした。この試験片を２６０℃のはんだ浴に１分間浸漬し、試験片の変形、発泡、ふくれについて目視で観察を行った。
(Solder resistance)
The wiring board was cut into 30 × 30 mm to obtain a test piece. This test piece was immersed in a solder bath at 260 ° C. for 1 minute, and the deformation, foaming, and blistering of the test piece were visually observed.
（寸法変化率）
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．２．４に準じて測定した。
(Dimensional change rate)
It was measured according to IPC-TM-650 2.2.4.
（参考例１）
ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃である熱可塑性液晶ポリマーを溶融押出して、縦と横の延伸比を制御しながらインフレーションフィルム成形法により膜厚５０μｍ、融点が２８０℃のフィルムを得た。このフィルムに対し、金属箔として、厚さ１８μｍの銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を用いて、２９０℃で加熱圧着して金属箔／フィルム／金属箔の組合わせからなる積層体を同時に２０枚得た。
(Reference Example 1)
A thermoplastic liquid crystal polymer having a melting point of 280 ° C. is melt-extruded with a copolymer of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid (molar ratio: 73/27). A film having a film thickness of 50 μm and a melting point of 280 ° C. was obtained by an inflation film forming method while controlling. A laminate of a metal foil / film / metal foil combination is applied to this film using a 18 μm thick copper foil (1/2 ounce copper foil by electrolysis) as a metal foil and thermocompression bonding at 290 ° C. 20 bodies were obtained at the same time.
この積層体より銅箔を塩化第二鉄溶液で除去したフィルムをフィルムＡとする。熱膨張係数を測定した結果、１８×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃であった。また、上記積層体について、１００μｍ幅の回路を１００本、２００μｍピッチを露光して、塩化第二鉄溶液中で露光部分以外の銅箔を除去し配線パターンを形成したものを回路基板Ｂとする。 A film obtained by removing the copper foil from the laminate with a ferric chloride solution is referred to as film A. As a result of measuring the thermal expansion coefficient, it was 18 × 10 −6 cm / cm / ° C. Moreover, about the said laminated body, what exposed 100 lines of 100 micrometers width circuits and 200 micrometers pitch, removed copper foil other than an exposed part in a ferric chloride solution, and formed the wiring pattern is used as the circuit board B. .
（参考例２）
６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸とヒドロキノンと２、６−ナフタレンジカルボン酸（モル比：６０／２０／２０）の共重合物で、融点が３２５℃である熱可塑性液晶ポリマーを溶融押出して、縦と横の延伸比を制御しながらインフレーションフィルム成形法により膜厚５０μｍ、融点が３２５℃のフィルムを得た。このフィルムに対し、金属箔として、厚さ１８μｍの銅箔（電解法による１／２オンス銅箔）を用いて、３３０℃で加熱圧着して金属箔／フィルム／金属箔の組合わせからなる積層体を同時に２０枚得た。
(Reference Example 2)
A thermoplastic liquid crystal polymer having a melting point of 325 ° C., which is a copolymer of 6-hydroxy-2-naphthoic acid, hydroquinone, and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid (molar ratio: 60/20/20) is melt extruded. A film having a film thickness of 50 μm and a melting point of 325 ° C. was obtained by an inflation film molding method while controlling the horizontal stretching ratio. A laminate of a metal foil / film / metal foil combination is applied to this film using a 18 μm-thick copper foil (1/2 ounce copper foil by electrolysis) as a metal foil by thermocompression bonding at 330 ° C. 20 bodies were obtained at the same time.
この積層体より銅箔を塩化第二鉄溶液で除去したフィルムをフィルムＣとする。熱膨張係数を測定した結果、１８×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃であった。また、上記積層体について、１００μｍ幅の回路を１００本、２００μｍピッチを露光して、塩化第二鉄溶液中で露光部分以外の銅箔を除去し配線パターンを形成したものを回路基板Ｄとする。 A film obtained by removing the copper foil from the laminate with a ferric chloride solution is referred to as film C. As a result of measuring the thermal expansion coefficient, it was 18 × 10 −6 cm / cm / ° C. Moreover, about the said laminated body, what exposed 100 lines of 100 micrometers circuits and 200 micrometers pitch, removed copper foil other than an exposed part in a ferric chloride solution, and formed the wiring pattern is used as the circuit board D. .
（実施例１）
フィルムＡについて、ナイロン繊維にシリコンカーバイドの研磨材が付着した１０００メッシュのバフロールを用いて、一方の表面を、回転数２０００ｒｐｍ、フィルムの搬送速度を１ｍ／ｍｉｎで高速回転研磨を行なった。研磨前に４９．７μｍの膜厚であったフィルムＡの表面が除去され、研磨後のフィルムの膜厚は４９．２μｍであった。また、研磨したフィルム表面のナノインデンテーション法による硬さは０．０８Ｇｐａであった。
研磨されたフィルム２枚を用い、それぞれの研磨面を回路基板Ｂの導体回路に接触させて、研磨フィルム／回路基板Ｂ／研磨フィルムの順で積層し、全体を精密プレスにて２７０℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
Example 1
The film A was subjected to high-speed rotational polishing on one surface at a rotational speed of 2000 rpm and a film conveyance speed of 1 m / min, using 1000 mesh buffalo in which silicon carbide abrasive material was adhered to nylon fibers. The surface of film A, which had a film thickness of 49.7 μm before polishing, was removed, and the film thickness of the film after polishing was 49.2 μm. Further, the hardness of the polished film surface by a nanoindentation method was 0.08 Gpa.
Using two polished films, each polished surface is brought into contact with the conductor circuit of the circuit board B, and laminated in the order of polishing film / circuit board B / polishing film. A multilayer wiring board was obtained by pressing at a pressure of 0.0 MPa. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
（実施例２）
フィルムＡについて、実施例１と同一のバフロールおよび研磨条件を行なって高速回転研磨を行なった。５０．１μｍの膜厚のフィルムＡの表面が除去され、膜厚が４９．５μｍになった。また、フィルム表面の硬さを測定したところ０．０６Ｇｐａであった。
研磨されたフィルム２枚を用い、それぞれの研磨面を回路基板Ｄの導体回路に接触させて、研磨フィルム／回路基板Ｄ／研磨フィルムの順で積層し、全体を精密プレスにて２７０℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Example 2)
The film A was subjected to high-speed rotary polishing under the same baffle and polishing conditions as in Example 1. The surface of the film A having a film thickness of 50.1 μm was removed, and the film thickness became 49.5 μm. Moreover, it was 0.06 Gpa when the hardness of the film surface was measured.
Using two polished films, each polished surface is brought into contact with the conductor circuit of the circuit board D and laminated in the order of polishing film / circuit board D / polishing film. A multilayer wiring board was obtained by pressing at a pressure of 0.0 MPa. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
（実施例３）
フィルムＣについて、実施例１と同一のバフロールおよび研磨条件を行なって高速回転研磨を行なった。４９．８μｍの膜厚のフィルムＣの表面が除去され、膜厚が４９．０μｍになった。また、フィルム表面の硬さを測定したところ０．０９Ｇｐａであった。
研磨されたフィルム２枚を用い、それぞれの研磨面を回路基板Ｄの導体回路に接触させて、研磨フィルム／回路基板Ｄ／研磨フィルムの順で積層し、精密プレスにて３１５℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Example 3)
The film C was subjected to high-speed rotary polishing under the same baffle and polishing conditions as in Example 1. The surface of the film C having a film thickness of 49.8 μm was removed, and the film thickness became 49.0 μm. Moreover, it was 0.09 Gpa when the hardness of the film surface was measured.
Using two polished films, each polished surface is brought into contact with the conductor circuit of the circuit board D and laminated in the order of polishing film / circuit board D / polishing film, and 315 ° C., 4.0 MPa by precision press. A multilayer wiring board was obtained by pressing at a pressure of Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
（参考例４）
フィルムＡについて、センエンジニアリング株式会社 光表面処理装置を用いて、１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線を照射する合成石英製ランプから、光源と照射面との間１ｃｍの距離で１分間照射した。照射したフィルムの表面硬さは０．０５Ｇｐａであった。
照射されたフィルム２枚を用い、それぞれの照射面を回路基板Ｂの導体回路に接触させて、照射フィルム／回路基板Ｂ／照射フィルムの順で積層し、全体を精密プレスにて２７０℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Reference Example 4)
Film A was irradiated for 1 minute at a distance of 1 cm between the light source and the irradiated surface from a synthetic quartz lamp that irradiates ultraviolet rays of 185 nm and 254 nm using Sen Engineering Co., Ltd. optical surface treatment apparatus. The surface hardness of the irradiated film was 0.05 Gpa.
Using two irradiated films, each irradiated surface is brought into contact with the conductor circuit of the circuit board B and laminated in the order of irradiated film / circuit board B / irradiated film. A multilayer wiring board was obtained by pressing at a pressure of 0.0 MPa. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
（比較例１）
フィルムＡについて、ナイロン繊維にシリコンカーバイドの研磨材が付着した２５００メッシュのバフロールを用いて、回転数１０００ｒｐｍ、フィルムの搬送速度を１ｍ／ｍｉｎで高速回転研磨を行なった。膜厚４９．８μｍのフィルムＡの表面を光学顕微鏡で観察したところ研磨痕は見られたが、膜厚は４９．８μｍと変わらなかった。また、研磨を行なったフィルム表面の硬さを測定したところ０．５３Ｇｐａであった。
研磨されたフィルム２枚を用い、それぞれの研磨面を回路基板Ｂの導体回路に接触させて、研磨フィルム／回路基板Ｂ／研磨フィルムの順で積層し、全体を精密プレスにて２７０℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Comparative Example 1)
The film A was subjected to high-speed rotational polishing using a 2500 mesh buffalo with silicon carbide abrasive adhered to nylon fibers at a rotation speed of 1000 rpm and a film conveyance speed of 1 m / min. When the surface of film A having a film thickness of 49.8 μm was observed with an optical microscope, polishing marks were observed, but the film thickness was not changed from 49.8 μm. Moreover, it was 0.53 Gpa when the hardness of the film surface which grind | polished was measured.
Using two polished films, each polished surface is brought into contact with the conductor circuit of the circuit board B, and laminated in the order of polishing film / circuit board B / polishing film. A multilayer wiring board was obtained by pressing at a pressure of 0.0 MPa. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
（比較例２）
フィルムＡをそのまま用い、フィルムＡ２枚の中間に回路基板Ｂを積層し、全体を精密プレスにて２７０℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。なお、フィルムＡのプレス前の表面の硬さを測定したところ０．６０Ｇｐａであった。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Comparative Example 2)
Using the film A as it is, the circuit board B was laminated between two films A, and the whole was pressed with a precision press at 270 ° C. and a pressure of 4.0 MPa to obtain a multilayer wiring board. In addition, when the hardness of the surface before the press of the film A was measured, it was 0.60 Gpa. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
（比較例３）
フィルムＣを２枚の中間に回路基板Ｄを積層し、精密プレスにて３１５℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。また、フィルムＣのプレス前の表面の硬さを測定したところ０．４６Ｇｐａであった。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Comparative Example 3)
A circuit board D was laminated between two films C, and pressed with a precision press at 315 ° C. and a pressure of 4.0 MPa to obtain a multilayer wiring board. Moreover, it was 0.46 Gpa when the hardness of the surface before the press of the film C was measured. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
表７に示すように、実施例１〜３では、物理的な研磨でフィルム表面が除去されたため、フィルム表面の硬度が軟化した。また、参考例４では、紫外線照射によりフィルム表面が軟化した。その結果、実施例１〜３および参考例４では、多層回路基板内の層間接着力が高い値を示すだけでなく、熱圧着による接着をしても耐ハンダ性を向上することができた。さらに、これらの多層回路基板は、寸法安定性にも優れていた。特に、実施例１，３および参考例４では、接着性フィルム層と基板層とを形成するフィルムの融点が同一であるにもかかわらず、高い層間接着力を示すとともに、耐ハンダ性および寸法安定性も優れていた。また、実施例１〜３および参考例４では、フィルムの接着面は必ずしも緻密な凹凸を有していなかったが、多層回路基板内の層間接着力が高かった。 As shown in Table 7, in Examples 1 to 3, since the film surface was removed by physical polishing, the hardness of the film surface was softened. In Reference Example 4, the film surface was softened by ultraviolet irradiation. As a result, in Examples 1 to 3 and Reference Example 4, not only the interlayer adhesive strength in the multilayer circuit board showed a high value, but also the solder resistance could be improved by bonding by thermocompression bonding. Furthermore, these multilayer circuit boards were also excellent in dimensional stability. In particular, in Examples 1 and 3 and Reference Example 4, although the films forming the adhesive film layer and the substrate layer have the same melting point, they exhibit high interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability. The property was also excellent. In Examples 1 to 3 and Reference Example 4, the adhesive surface of the film did not necessarily have dense irregularities, but the interlayer adhesion in the multilayer circuit board was high.
一方、比較例１では、物理的な研磨をわずかしか行わなかったため、フィルム表面を軟化させることができなかった。また、フィルムをそのまま用いた比較例２および３においても、フィルム表面の硬度は高い値を示した。そして、得られた多層回路基板では、多層回路基板内の層間接着性に劣るだけでなく、耐ハンダ性および寸法安定性も十分ではなかった。 On the other hand, in Comparative Example 1, since the physical polishing was performed only slightly, the film surface could not be softened. Moreover, also in Comparative Examples 2 and 3 using the film as it was, the hardness of the film surface showed a high value. The obtained multilayer circuit board is not only inferior in interlayer adhesion in the multilayer circuit board, but also has insufficient solder resistance and dimensional stability.
以上のとおり、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。 As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings. However, various additions, modifications, or deletions can be made without departing from the spirit of the present invention, and these are also included in the present invention. It is included in the range.
１０，２０，３０…多層回路基板
１１，２１，２３…基板層
１２，２２，２４，３２，３４…導体回路
１３…接着性フィルム層
１３ａ，２５ａ，２５ｂ，２６ａ，３３ａ，３５ａ…接着面
２５…第１の接着性フィルム層（またはボンディングフィルム）
２６…第２の接着性フィルム層（またはカバーレイフィルム）
３３…第３の接着性フィルム層
３５…第４の接着性フィルム層
３５ｂ…非接着面
10, 20, 30 ...
26 ... Second adhesive film layer (or coverlay film)
33 ... third
（実施例４）
フィルムＡについて、センエンジニアリング株式会社 光表面処理装置を用いて、１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線を照射する合成石英製ランプから、光源と照射面との間１ｃｍの距離で１分間照射した。照射したフィルムの表面硬さは０．０５Ｇｐａであった。
照射されたフィルム２枚を用い、それぞれの照射面を回路基板Ｂの導体回路に接触させて、照射フィルム／回路基板Ｂ／照射フィルムの順で積層し、全体を精密プレスにて２７０℃、４．０ＭＰａの圧力でプレスを行い多層配線基板を得た。得られた多層配線基板の層間接着性、耐ハンダ性、寸法安定性を表７に示す。
(Example 4)
Film A was irradiated for 1 minute at a distance of 1 cm between the light source and the irradiated surface from a synthetic quartz lamp that irradiates ultraviolet rays of 185 nm and 254 nm using Sen Engineering Co., Ltd. optical surface treatment apparatus. The surface hardness of the irradiated film was 0.05 Gpa.
Using two irradiated films, each irradiated surface is brought into contact with the conductor circuit of the circuit board B and laminated in the order of irradiated film / circuit board B / irradiated film. A multilayer wiring board was obtained by pressing at a pressure of 0.0 MPa. Table 7 shows the interlayer adhesion, solder resistance and dimensional stability of the obtained multilayer wiring board.
表７に示すように、実施例１〜３では、物理的な研磨でフィルム表面が除去されたため、フィルム表面の硬度が軟化した。また、実施例４では、紫外線照射によりフィルム表面が軟化した。その結果、実施例１〜４では、多層回路基板内の層間接着力が高い値を示すだけでなく、熱圧着による接着をしても耐ハンダ性を向上することができた。さらに、これらの多層回路基板は、寸法安定性にも優れていた。特に、実施例１，３および４では、接着性フィルム層と基板層とを形成するフィルムの融点が同一であるにもかかわらず、高い層間接着力を示すとともに、耐ハンダ性および寸法安定性も優れていた。また、実施例１〜４では、フィルムの接着面は必ずしも緻密な凹凸を有していなかったが、多層回路基板内の層間接着力が高かった。 As shown in Table 7, in Examples 1 to 3, since the film surface was removed by physical polishing, the hardness of the film surface was softened. In Example 4, the film surface is softened by UV irradiation. As a result, in Examples 1 to 4 , not only the interlayer adhesion in the multilayer circuit board showed a high value, but also the solder resistance could be improved by bonding by thermocompression bonding. Furthermore, these multilayer circuit boards were also excellent in dimensional stability. In particular, in Examples 1, 3 and 4, even though the melting point of the film to form the adhesive film layer and the substrate layer are the same, with exhibits high interlayer adhesion strength, solder resistance and dimensional stability The property was also excellent. Moreover, in Examples 1-4 , although the adhesive surface of the film did not necessarily have dense irregularities, the interlayer adhesive force in the multilayer circuit board was high.
Claims (9)
前記基板層の回路形成面に対して、接着面を対向させて熱圧着されている接着性フィルム層と、
を少なくとも含む多層回路基板であって、
前記接着性フィルム層が、請求項１〜３のいずれか一項に記載された接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムである多層回路基板。 A substrate layer having a conductor circuit formed on at least one surface of a thermoplastic liquid crystal polymer film forming an optically anisotropic molten phase;
An adhesive film layer that is thermocompression-bonded with the adhesive surface facing the circuit forming surface of the substrate layer;
A multilayer circuit board comprising at least
The multilayer circuit board whose said adhesive film layer is the adhesive thermoplastic liquid crystal polymer film as described in any one of Claims 1-3.
Ｔａ≦Ｔｂ＋５
を満たす多層回路基板の製造方法。 7. The method for producing a multilayer circuit board according to claim 6, wherein the thermoplastic liquid crystal polymer forming the adhesive film layer has a melting point (Ta: ° C.) and the thermoplastic liquid crystal polymer forming the substrate layer has a melting point (Tb: ° C.). Ta ≦ Tb + 5
The manufacturing method of the multilayer circuit board which satisfy | fills.
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