JP2016139390A - Detection circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接続される負荷のオープンを検出する検出回路に関する。 The present invention relates to a detection circuit that detects opening of a connected load.
図6は、従来の検出回路である。従来の検出回路は、電圧入力端子401と、電圧出力端子402と、出力トランジスタ403と、制御回路404と、電圧出力端子402に接続される負荷のオープンを検出する負荷オープン検出回路405、負荷オープン検出回路の出力端子406と、を備えている。
FIG. 6 shows a conventional detection circuit. A conventional detection circuit includes a
制御回路404は、出力トランジスタ403をオンオフ制御する。負荷オープン検出回路405は、電圧出力端子402に接続される負荷のオープンを検出すると、検出信号を出力端子406に出力する。
The
負荷オープン検出回路405においては、電圧出力端子402に接続される負荷のオープンを検出するために、出力トランジスタ403の電流を監視する方法がよく用いられている。例えば、電圧入力端子401と出力トランジスタ403との間に抵抗410を設け、その両端に生じる電圧で判定する。電圧出力端子402に接続される負荷のオープン状態では、出力トランジスタ403には電流が流れないはずであるから、上述のようにして電圧出力端子402に接続される負荷のオープンを検出している。
In the load
出力トランジスタ403は、電圧出力端子402に接続される負荷に応じて、大きな電流を流せられるようにするため、素子サイズが大きく、入力容量も大きい。出力トランジスタ403の大きな入力容量を充放電してオンオフ制御するには、物理的に時間を要するため、電源起動時に直ちに出力トランジスタ403がオン状態となることは難しい。従って、電源起動直後においては、出力トランジスタ403はオフ状態を示し、実際には負荷のオープン状態とはなっていないにも係わらず、抵抗410には電圧が生じない。
The
従って、図6に示す従来の検出回路では、電源起動直後において、抵抗410に生じる電圧が小さいとして負荷オープン検出回路405によって誤判定されてしまう、といった問題があった。
Therefore, the conventional detection circuit shown in FIG. 6 has a problem that immediately after the power is turned on, the load
本発明は、以上のような問題を解消するために考案されたものであり、電源起動直後における誤検出を回避した検出回路を提供するものである。 The present invention has been devised to solve the above-described problems, and provides a detection circuit that avoids erroneous detection immediately after power-on.
従来の課題を解決するために、本発明の検出回路は以下のような構成とした。
電圧入力端子と電圧出力端子の間に設けられた出力トランジスタと、電圧出力端子に接続された負荷のオープンを検出する負荷オープン検出回路と、を備え、負荷オープン検出回路の出力回路は、出力トランジスタとゲートを共通に接続された第1のトランジスタと、ゲートに負荷オープンを検出した信号が入力される第2のトランジスタとが直列に接続された構成を有して、第1のトランジスタは出力トランジスタがオフしているときにオフする構成とした検出回路。
In order to solve the conventional problems, the detection circuit of the present invention has the following configuration.
An output transistor provided between the voltage input terminal and the voltage output terminal, and a load open detection circuit for detecting an open of a load connected to the voltage output terminal. The output circuit of the load open detection circuit is an output transistor. And a first transistor having a gate connected in common and a second transistor to which a signal indicating a load open is input to the gate is connected in series, and the first transistor is an output transistor. A detection circuit configured to be turned off when is turned off.
本発明の検出回路を備えた半導体装置によれば、電源起動直後における誤検出を回避した検出回路を提供することが可能となる。 According to the semiconductor device including the detection circuit of the present invention, it is possible to provide a detection circuit that avoids erroneous detection immediately after the power is turned on.
以下、本実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態の検出回路を示す説明図である。
本実施形態の検出回路は、電圧入力端子401と、電圧出力端子402と、電圧入力端子401と電圧出力端子402の間に接続された出力トランジスタ403と、制御回路404と、負荷オープン検出回路405と、負荷オープン検出回路の出力端子406と、抵抗410と、を備えている。負荷オープン検出回路405は、電圧出力端子402に接続される負荷のオープンを検出する。抵抗410は、出力トランジスタ403の電流を監視するために、その電流に応じた電圧を発生する。
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a detection circuit according to the present embodiment.
The detection circuit of this embodiment includes a
負荷オープン検出回路405は、電圧回路101と、電圧源102と、比較器103と、トランジスタ104と、トランジスタ105と、電流源106と、を備えている。電圧回路101は、抵抗410の両端に生じる電圧に基づいたVSS基準の電圧VSIGを発生する。電圧源102は、基準電圧VREFを発生する。比較器103は、電圧VSIGと基準電圧VREFを比較し、トランジスタ104のオンオフを制御する。トランジスタ105は、出力トランジスタ403とゲートが共通に接続され、トランジスタ104と直列接続される。電流源106は、直列接続されたトランジスタ104及び105と直列接続され、その接続点は出力端子406と接続される。トランジスタ104及び105と電流源106は、負荷オープン検出回路405の出力回路を構成する。
The load
図5は、電圧回路101の一例を示す回路図である。図5に示す電圧回路101は、入力端子300及び301と、増幅器302と、抵抗304及び305と、トランジスタ303と、出力端子306と、を備えている。入力端子300は、抵抗410の電圧入力端子401側の端子が接続される。入力端子301は、抵抗410の他方の端子が接続される。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of the
電圧回路101は、電圧入力端子401を基準とした抵抗410の両端の電圧を抵抗比倍した電圧を、VSS基準の電圧VSIGとして端子306に出力する。
なお、電圧回路101は、抵抗410の両端に生じる電圧に基づいたVSS基準の電圧VSIGを発生する構成であれば良く、この回路に限定されるものではない。
The
Note that the
次に、本実施形態の検出回路の動作について説明をする。制御回路404は、出力トランジスタ403をオンオフ制御する。負荷オープン検出回路405は、電圧出力端子402に接続される負荷のオープンを検出すると、検出信号(Hレベル)を出力端子406に出力する。抵抗410に生じる電圧は出力トランジスタ403の電流に基づくため、電圧出力端子402に接続される負荷のオープン状態では、出力トランジスタ403には電流が流れないはずであるから、抵抗410に生じる電圧がある値以下であることを判定することにより負荷のオープンを検出する。
Next, the operation of the detection circuit of this embodiment will be described. The
電圧VSIGは、抵抗410に生じる電圧に基づくため、抵抗410に生じる電圧が小さいときに小さくなる。従って、電圧出力端子402に接続される負荷のオープン状態では、電圧VSIGは小さくなる。比較器103は、VSIG<VREFを判定するとトランジスタ104をオン制御する。
Since the voltage VSIG is based on the voltage generated in the
出力トランジスタ403は、大きな電流を流せられるようにするため素子サイズが大きく入力容量も大きいため、電源起動時にすぐにはオンしない。ここで、トランジスタ105は、出力トランジスタ403と同様に電源起動時にオフ状態となるように設定する。即ち、電源起動時であって出力トランジスタ403がオフ状態であるときは、トランジスタ105もオフしているので、比較器103の出力によってトランジスタ104がオンしても、負荷オープン検出回路の出力端子406には検出信号は出力されない。
以上説明したように、本実施形態の検出回路によれば、電源起動直後における誤検出を回避した検出回路を提供することが可能となる。
Since the
As described above, according to the detection circuit of the present embodiment, it is possible to provide a detection circuit that avoids erroneous detection immediately after the power is turned on.
なお、トランジスタ105は、電源起動直後に制御回路404の制御信号によって出力トランジスタ403と同じ動作をすればよく、その構造や特性は限定されるものではないことは明らかである。例えば、トランジスタ105は、出力トランジスタ403と同じ種類で、同じ閾値を有する。
Note that the
また、トランジスタ105は、単一のトランジスタとしたが、トランジスタ105のソースにダイオード接続をしたトランジスタを挿入することや、ダーリントン接続の構成をすることにより、トランジスタ105の閾値を出力トランジスタ403より高くしても良い。
Although the
また、トランジスタ105は、出力トランジスタ403と必ずしもゲートが共通に接続される必要はなく、両者の間に電圧レベルシフト段を介しても良い。電圧レベルシフト段は、例えばソースフォロワ増幅段で構成すればよい。この場合、出力トランジスタ403よりもトランジスタ105の方が、ゲート・ソース間電圧の大きさが小さくなるので、より確実な誤検出の回避が可能となることは明らかである。
Further, the gate of the
ここで、図1の検出回路は、制御回路404が出力トランジスタ403をオフしているときに、負荷のオープン状態を示す信号を出力出来ない。例えば、負荷オープン検出回路405が負荷のオープンを検出しているときに、周囲温度が高まり制御回路404が出力トランジスタ403をオフ制御することがある。
Here, the detection circuit of FIG. 1 cannot output a signal indicating the open state of the load when the
図2は、本実施形態の検出回路の他の例を示す説明図である。図1との違いは、制御回路404によって制御されるトランジスタ110を、トランジスタ105と並列に新たに備えた、点にある。制御回路404は、例えば上記したような状態に基づいてトランジスタ110をオンすることによりトランジスタ105を無効化できるため、出力トランジスタ403がオフ状態であっても負荷オープン検出回路の出力端子406に検出信号を出力することが可能となる。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating another example of the detection circuit of the present embodiment. The difference from FIG. 1 is that a
図3は、本実施形態の検出回路の他の例を示す説明図である。図1の検出回路との違いは、負荷オープン検出回路405の出力回路を、直列接続したトランジスタ104及び電流源106と直列接続したトランジスタ105及び電流源107とアンド回路201で構成したことである。このように構成しても、図1の検出回路と同様の効果を得られる。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating another example of the detection circuit of the present embodiment. The difference from the detection circuit of FIG. 1 is that the output circuit of the load
なお、出力が強制的に固定される論理ゲートまたはその組み合わせで回路を構成する条件に関する限り、例えばオア回路を用いた適当な回路で構成しても、同様の効果があることは明らかである。 It should be noted that, as far as the conditions for configuring a circuit with logic gates whose outputs are forcibly fixed or combinations thereof are concerned, it is clear that the same effect can be obtained even when configured with an appropriate circuit using an OR circuit, for example.
図4は、本実施形態の検出回路の他の例を示す説明図である。図2の回路と同様に、トランジスタ202をトランジスタ105と並列に備えた回路であり、図2の回路と同様の効果を得ることが可能である。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating another example of the detection circuit of the present embodiment. Similar to the circuit in FIG. 2, the transistor 202 is provided in parallel with the
なお、負荷オープン検出回路405は図1から図4で示した回路で説明したが、これは一例であり、同様の効果が得られる限り、実施の形態は限定されない。
以上の説明では、便宜上、各出力のレベルをHレベルやLレベルで規定したが、特に限定される必要はない。
Although the load
In the above description, for convenience, the level of each output is defined as H level or L level, but it is not necessary to be limited in particular.
101、102、301 電圧源
103 比較器
106、107 電流源
302 増幅器
404 制御回路
405 負荷オープン検出回路
101, 102, 301
Claims (5)
前記負荷オープン検出回路の出力回路は、前記出力トランジスタとゲートを共通に接続された第1のトランジスタと、ゲートに負荷オープンを検出した信号が入力される第2のトランジスタとが直列に接続された構成を有して、
前記第1のトランジスタは、前記出力トランジスタがオフしているときにオフする、
ことを特徴とする検出回路。 A voltage input terminal; a voltage output terminal; an output transistor provided between the voltage input terminal and the voltage output terminal; a control circuit for controlling the output transistor; and an open load connected to the voltage output terminal. A detection circuit comprising a load open detection circuit for detecting
In the output circuit of the load open detection circuit, a first transistor having a gate connected in common to the output transistor and a second transistor having a gate input of a signal that detects a load open is connected in series. Having the configuration,
The first transistor is turned off when the output transistor is turned off;
A detection circuit characterized by that.
ことを特徴とする請求項1に記載の検出回路。 The first transistor is a transistor of the same type and the same threshold as the output transistor or a higher threshold.
The detection circuit according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1に記載の検出回路。 The gate of the output transistor and the gate of the first transistor are connected via a voltage level shift stage,
The detection circuit according to claim 1.
ことを特徴とする請求項3に記載の検出回路。 The voltage level shift stage is a source follower amplification stage;
The detection circuit according to claim 3.
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の検出回路。 A third transistor controlled by the control circuit in parallel with the first transistor;
The detection circuit according to claim 1, wherein
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