JP2016132127A - Laminate, production method of conductive substrate using the same, and production method of electronic device - Google Patents

Laminate, production method of conductive substrate using the same, and production method of electronic device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate capable of transferring a porous conductive layer excellent in foil breakage resistance and transferability, and having excellent conductivity; and to provide a production method of a conductive substrate using the same, and a production method of an electronic device.SOLUTION: There is provided a laminate having a substrate, a porous conductive layer formed on the substrate, and an adhesion layer formed on the porous conductive layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、導電層を有する積層体、ならびにそれを用いた導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a laminate having a conductive layer, a method for manufacturing a conductive substrate using the same, and a method for manufacturing an electronic device.

従来、基材上に導電層や加飾層として金属層を形成する方法としては、例えば転写シートを用いる方法が知られている(特許文献1〜5参照)。   Conventionally, as a method for forming a metal layer as a conductive layer or a decorative layer on a substrate, for example, a method using a transfer sheet is known (see Patent Documents 1 to 5).

特許文献1には、基材上に保護層、金属蒸着層および接着層が積層された金属蒸着層転写シートを用いたアンテナ端子部の形成方法が提案されている。特許文献1のような金属蒸着層の場合、金属蒸着層の下地層には耐熱性が求められる。そのため、基材としてPETフィルムのような安価な汎用プラスチックフィルムを用いる場合、耐熱性が低いため、製膜プロセスや金属種、膜厚等が制限されるという問題があり、基材上に保護層等を形成することで耐熱性を確保している。一方、基材としてポリイミドフィルムやPENフィルム、ガラスフィルムのような耐熱性の高い基材を用いることもできるが、これらの基材は高価であり、剥離除去される転写シートの基材に適しているとはいえない。   Patent Document 1 proposes a method for forming an antenna terminal portion using a metal vapor-deposited layer transfer sheet in which a protective layer, a metal vapor-deposited layer and an adhesive layer are laminated on a substrate. In the case of a metal vapor deposition layer like patent document 1, heat resistance is calculated | required by the base layer of a metal vapor deposition layer. Therefore, when an inexpensive general-purpose plastic film such as a PET film is used as a base material, there is a problem that the film forming process, metal type, film thickness, etc. are limited because of low heat resistance, and a protective layer is formed on the base material. The heat resistance is ensured by forming etc. On the other hand, a substrate having high heat resistance such as a polyimide film, a PEN film, or a glass film can be used as the substrate, but these substrates are expensive and suitable for the substrate of the transfer sheet to be peeled and removed. I can't say.

特許文献2には、基材である剥離シートと、剥離シート上に設けられた絶縁体層と、絶縁体層に接して配置された金属箔とを有し、金属箔が剥離シートに対して絶縁体層との間に生じる静電気の引力によって付着されている転写用金属箔シートが提案されている。特許文献2のような金属箔の場合、基材との密着性が低いという問題があり、基材上に絶縁体層等の樹脂層を形成することで密着性を確保している。   Patent Document 2 includes a release sheet that is a base material, an insulator layer provided on the release sheet, and a metal foil disposed in contact with the insulator layer, and the metal foil is disposed on the release sheet. There has been proposed a metal foil sheet for transfer that is adhered by electrostatic attraction generated between the insulating layer and the insulator layer. In the case of the metal foil as in Patent Document 2, there is a problem that the adhesion to the substrate is low, and the adhesion is ensured by forming a resin layer such as an insulator layer on the substrate.

特許文献3には、樹脂フィルムと、樹脂フィルムの表面に接着剤を介して設けられた金属箔と、金属箔上に塗着された熱硬化性接着剤とを有する熱転写用フィルムを用い、さらに凸状のヒューズ素子のパターンを有する転写用金型を用いて、絶縁基板上に熱硬化性接着剤を介して金属箔を転写用金型のヒューズ素子のパターン形状に転写する金属箔ヒューズの製造法が提案されている。この場合も、樹脂フィルムの表面に接着剤を介して金属箔を設けることで樹脂フィルムおよび金属箔の密着性を確保している。   Patent Document 3 uses a thermal transfer film having a resin film, a metal foil provided on the surface of the resin film via an adhesive, and a thermosetting adhesive coated on the metal foil. Manufacture of a metal foil fuse that uses a transfer mold having a convex fuse element pattern to transfer a metal foil onto an insulating substrate via a thermosetting adhesive to the pattern shape of the fuse element of the transfer mold A law has been proposed. Also in this case, the adhesion of the resin film and the metal foil is ensured by providing the metal foil on the surface of the resin film via an adhesive.

ところで、転写シートには、箔切れ性が要求される。しかしながら、金属蒸着層や金属箔には延性があるため、転写時にバリが発生し、箔切れ性が悪いという問題がある。また、金属蒸着層では、結晶粒が大きく成長する場合があり、その場合には当然に箔切れ性が悪くなる。なお、箔切れ性を良くするために、転写シートを凹凸を有する金型に挟み、ストレスをかけて切断してから転写を行う方法も提案されているが、工程が煩雑になる。   By the way, a transfer sheet is required to have a foil cutting property. However, since the metal vapor-deposited layer and the metal foil are ductile, there is a problem that burrs are generated during transfer and the foil breakability is poor. Moreover, in a metal vapor deposition layer, a crystal grain may grow large, In that case, of course, foil cutting property worsens. In addition, in order to improve the foil cutting property, a method has also been proposed in which a transfer sheet is sandwiched between rugged molds, and the transfer is performed after applying stress, but the process becomes complicated.

また、一般に金属は熱伝導率が高いため、金属蒸着層や金属箔では熱が拡散しやすく、転写に要するエネルギーが大きくなる傾向があり、転写シートの形状が歪むおそれがある。   In general, since metal has a high thermal conductivity, heat tends to diffuse in a metal vapor deposition layer or a metal foil, and energy required for transfer tends to increase, and the shape of the transfer sheet may be distorted.

また、転写シートを被転写体に転写する際には、金属蒸着層や金属箔と被転写体とを接着させるために、例えば接着層として熱可塑性樹脂等のヒートシール剤を用いる場合、熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上に加熱する。この際、被転写体と金属蒸着層または金属箔との密着力が、基材と金属蒸着層または金属箔との密着力よりも大きくなることで、熱転写が実現する。この場合、ヒートシール剤のみで上記の密着力を調整するには限界があるため、被転写体と金属蒸着層または金属箔との密着力を、基材と金属蒸着層または金属箔との密着力よりも大きくするために、例えば金属蒸着層や金属箔の接着層との接触面を荒らす等、微細な凹凸を形成することが提案されているが、工程が煩雑になる。   In addition, when transferring a transfer sheet to a transfer object, for example, when a heat sealant such as a thermoplastic resin is used as an adhesive layer in order to adhere the metal vapor deposition layer or metal foil to the transfer object, thermoplasticity Heat above the glass transition temperature of the resin. At this time, thermal transfer is realized by the fact that the adhesion force between the transfer target and the metal vapor deposition layer or the metal foil is larger than the adhesion force between the substrate and the metal vapor deposition layer or the metal foil. In this case, since there is a limit to adjusting the above adhesion force only with the heat sealant, the adhesion force between the transfer target and the metal vapor deposition layer or the metal foil is determined based on the adhesion between the substrate and the metal vapor deposition layer or the metal foil. In order to make it larger than the force, it has been proposed to form fine irregularities such as roughening the contact surface with the metal vapor deposition layer or the metal foil adhesive layer, but the process becomes complicated.

特許文献4には、基材であるドナー基板上に光吸収層および金属ナノ粒子層が積層されたドナーエレメントを用い、ドナーエレメントおよび受理基板を接触して配置し、ドナーエレメント側からレーザーを照射して金属ナノ粒子層をアニールし、転写することによって、受理基板上に電気導体のパターンを形成する方法が提案されている。しかしながら、この方法では電導材料として金属ナノ粒子を用いるために、粒子間の界面での電気抵抗が問題であり、所望の導電性を達成するためには、金属ナノ粒子を高温でアニールすることが必要である。そのため、基材はレーザーアニールの高熱に耐える必要があり、基材が制限され、安価な汎用プラスチックフィルムを用いることは困難となる。また、剥離除去される基材として耐熱性の高い高価な基材を用いなければならず、コスト高になる。   In Patent Document 4, a donor element in which a light absorption layer and a metal nanoparticle layer are laminated on a donor substrate as a base material is used, the donor element and the receiving substrate are arranged in contact with each other, and laser is irradiated from the donor element side. Then, a method of forming an electric conductor pattern on a receiving substrate by annealing and transferring the metal nanoparticle layer has been proposed. However, in this method, since metal nanoparticles are used as the conductive material, the electrical resistance at the interface between the particles is a problem. To achieve the desired conductivity, it is necessary to anneal the metal nanoparticles at a high temperature. is necessary. Therefore, the base material needs to withstand the high heat of laser annealing, the base material is limited, and it is difficult to use an inexpensive general-purpose plastic film. Moreover, an expensive base material with high heat resistance must be used as the base material to be peeled and removed, resulting in high cost.

一方、特許文献5には、基材上に金属超微粒子相互の焼結体層が形成された転写シートを用いて、表面に接着層が形成された被転写基板上に金属超微粒子相互の焼結体層からなる配線パターンを形成する方法が提案されている。この方法では、金属超微粒子を用いることで、比較的低温であっても焼結することができる。
しかしながら、金属超微粒子は酸化されることで導電性が低下する場合があり、被転写基板に金属超微粒子相互の焼結体層を転写する際に、導電性が低下するおそれがある。
On the other hand, in Patent Document 5, a transfer sheet in which a sintered body layer of metal ultrafine particles is formed on a base material is used, and a metal ultrafine particle is sintered on a transfer substrate having an adhesive layer formed on the surface. There has been proposed a method for forming a wiring pattern made of a binder layer. In this method, by using metal ultrafine particles, sintering can be performed even at a relatively low temperature.
However, the ultrafine metal particles may be oxidized to lower the conductivity, and the conductivity may be lowered when the sintered body of the ultrafine metal particles is transferred to the substrate to be transferred.

特開2007−324641号公報JP 2007-324641 A 特開平7−101198号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-101198 特開平5−314888号公報JP-A-5-314888 特表2008−541481号公報JP-T 2008-554181 特開2004−247572号公報JP 2004-247572 A

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、箔切れ性、転写性に優れ、導電性の良好な多孔性導電層を転写可能な積層体、ならびにこれを用いた導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and is a laminate capable of transferring a porous conductive layer having excellent foil cutting property and transferability and good conductivity, and a conductive substrate using the laminate. It is a main object of the present invention to provide a manufacturing method and an electronic device manufacturing method.

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、上記基材上に形成された多孔性導電層と、上記多孔性導電層上に形成された接着層とを有することを特徴とする積層体を提供する。   In order to achieve the above object, the present invention is characterized by having a base material, a porous conductive layer formed on the base material, and an adhesive layer formed on the porous conductive layer. A laminate is provided.

本発明においては、多孔性導電層の孔の内部に、接着層由来の成分、例えば接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができる。そのため、熱拡散を起こりにくくすることができ、熱転写に有利である。また、多孔性導電層および接着層の密着性を高めることができ、優れた転写性を得ることができる。さらに、多孔性導電層を接着層に含まれる樹脂で保護することができ、転写時の多孔性導電層の酸化を抑制し、導電性の低下を抑制することができる。
また本発明においては、多孔性導電層を有するため、脆性が付与され、良好な箔切れ性、解像性を得ることができる。また、多孔性導電層は金属粒子を低温で焼結して形成することができるため、基材に損傷を与えることが少なく、耐熱性の高い基材を用いる必要はなく、耐熱性の低い基材も使用することができる。
また、本発明の積層体を用いることにより、導電性基材を容易に作製することができる。
In the present invention, a component derived from the adhesive layer, for example, a resin contained in the adhesive layer can be introduced into the pores of the porous conductive layer. Therefore, thermal diffusion can be made difficult to occur, which is advantageous for thermal transfer. In addition, the adhesion between the porous conductive layer and the adhesive layer can be improved, and excellent transferability can be obtained. Furthermore, the porous conductive layer can be protected with the resin contained in the adhesive layer, and the oxidation of the porous conductive layer at the time of transfer can be suppressed, and the decrease in conductivity can be suppressed.
Moreover, in this invention, since it has a porous conductive layer, brittleness is provided and favorable foil tearability and resolution can be obtained. In addition, since the porous conductive layer can be formed by sintering metal particles at a low temperature, the substrate is less likely to be damaged, and it is not necessary to use a substrate having high heat resistance. Materials can also be used.
Moreover, an electroconductive base material can be easily produced by using the laminated body of this invention.

また本発明においては、上記基材が樹脂基材であることが好ましい。上述したように、本発明においては耐熱性の低い基材も使用することができ、安価な汎用プラスチックの樹脂基材を用いることができる点で非常に有用である。   Moreover, in this invention, it is preferable that the said base material is a resin base material. As described above, in the present invention, a substrate having low heat resistance can be used, which is very useful in that an inexpensive general-purpose plastic resin substrate can be used.

また本発明においては、上記基材と上記多孔性導電層との間に保護層が形成されていてもよい。転写後は保護層により多孔性導電層を保護することができる。また、絶縁性を有する保護層とすることにより、多孔性導電層を絶縁することができる。   In the present invention, a protective layer may be formed between the substrate and the porous conductive layer. After the transfer, the porous conductive layer can be protected by the protective layer. Moreover, a porous conductive layer can be insulated by setting it as the protective layer which has insulation.

また本発明は、上述の積層体を準備する準備工程と、被転写基材上に上記積層体の接着層および多孔性導電層を転写する転写工程とを有することを特徴とする導電性基材の製造方法を提供する。   The present invention also includes a preparation step for preparing the above-described laminate, and a transfer step for transferring the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate onto the substrate to be transferred. A manufacturing method is provided.

本発明においては、上述の積層体を用いるため、箔切れ性、解像性、転写性に優れている。また、転写後も導電性の良好な多孔性導電層を得ることができる。さらに、導電性基材を容易に作製することができる。   In this invention, since the above-mentioned laminated body is used, it is excellent in foil cutting property, resolution, and transferability. Moreover, a porous conductive layer having good conductivity can be obtained even after transfer. Furthermore, an electroconductive base material can be produced easily.

上記発明においては、上記転写工程では、上記被転写基材上に上記積層体の接着層および多孔性導電層のパターンを転写してもよい。被転写基材上に多孔性導電層のパターンが形成された導電性基材を得ることができる。   In the said invention, you may transcribe | transfer the pattern of the contact bonding layer and porous conductive layer of the said laminated body on the said to-be-transferred base material at the said transfer process. A conductive substrate in which a pattern of a porous conductive layer is formed on a transfer substrate can be obtained.

また本発明は、上述の積層体を準備する準備工程と、上記積層体を成形型に配置し、上記成形型内に被転写基材用溶融樹脂を射出し、固化させて、被転写基材を成形すると同時に、上記被転写基材に上記積層体を転写する成形および転写工程と、上記積層体の基材を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする導電性基材の製造方法を提供する。   The present invention also provides a preparation step for preparing the above-described laminate, and the laminate is placed in a mold, and a molten resin for a transfer substrate is injected into the mold and solidified to be transferred. A method for producing a conductive substrate, comprising: forming and transferring the laminate to the substrate to be transferred; and a peeling step for peeling the substrate of the laminate. provide.

本発明においては、上述の積層体を用いるため、箔切れ性、転写性に優れている。また、転写後も導電性の良好な多孔性導電層を得ることができる。さらに、立体形状の導電性基材を容易に作製することができる。   In this invention, since the above-mentioned laminated body is used, it is excellent in foil cutting property and transferability. Moreover, a porous conductive layer having good conductivity can be obtained even after transfer. Furthermore, a three-dimensional conductive substrate can be easily produced.

さらに本発明は、上述の導電性基材の製造方法により、導電性基材を作製する導電性基材作製工程を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供する。   Furthermore, this invention provides the manufacturing method of the electronic device characterized by having the electroconductive base material preparation process which produces an electroconductive base material with the manufacturing method of the above-mentioned electroconductive base material.

本発明においては、上述の導電性基材の製造方法により導電性基材を作製するため、導電性の良好な多孔性導電層を形成することができる。また、例えば多孔性導電層のパターンを形成する場合には、高解像度のパターンを形成することができる。   In the present invention, since the conductive substrate is produced by the above-described method for producing a conductive substrate, a porous conductive layer having good conductivity can be formed. For example, when forming a pattern of a porous conductive layer, a high-resolution pattern can be formed.

本発明の積層体は、箔切れ性、転写性に優れており、導電性の良好な多孔性導電層を転写することが可能であるという効果を奏する。   The laminate of the present invention is excellent in foil breakability and transferability, and has the effect of being able to transfer a porous conductive layer having good conductivity.

本発明の積層体の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the laminated body of this invention. 本発明の導電性基材の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the electroconductive base material of this invention. 本発明の導電性基材の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the electroconductive base material of this invention. 本発明の積層体および導電性基材の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the laminated body of this invention, and an electroconductive base material. 本発明の積層体および導電性基材の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the laminated body of this invention, and an electroconductive base material. 本発明の導電性基材の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the electroconductive base material of this invention. 本発明の積層体および導電性基材の他の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the other example of the laminated body of this invention, and an electroconductive base material. 本発明の導電性基材の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the electroconductive base material of this invention. 本発明の導電性基材の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the electroconductive base material of this invention.

以下、本発明の積層体、導電性基材の製造方法および電子デバイスの製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the laminate of the present invention, the method for producing a conductive substrate, and the method for producing an electronic device will be described in detail.

A.積層体
本発明の積層体は、基材と、上記基材上に形成された多孔性導電層と、上記多孔性導電層上に形成された接着層とを有することを特徴とするものである。
A. Laminated body The laminated body of this invention has a base material, the porous conductive layer formed on the said base material, and the contact bonding layer formed on the said porous conductive layer, It is characterized by the above-mentioned. .

本発明の積層体について図面を参照して説明する。
図1は本発明の積層体の一例を示す概略断面図である。図1に示すように、積層体1は、基材2と、基材2上に形成された多孔性導電層3と、多孔性導電層3上に形成された接着層4とを有している。
The laminated body of this invention is demonstrated with reference to drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the laminate of the present invention. As shown in FIG. 1, the laminate 1 includes a base material 2, a porous conductive layer 3 formed on the base material 2, and an adhesive layer 4 formed on the porous conductive layer 3. Yes.

図2(a)〜(c)は本発明の積層体を用いた導電性基材の製造方法の一例を示す工程図であり、図1に示す積層体を用いた例である。まず、図2(a)に示すように、積層体1および被転写基材11を準備する。次いで、図2(b)に示すように、積層体1の接着層4と被転写基材11とが接するように配置し、積層体1側から熱圧着する。その後、図2(c)に示すように、基材2を剥離する。これにより、熱圧着された領域では接着層4および多孔性導電層3が被転写基材11に転写され、導電性基材10が得られる。   2A to 2C are process diagrams showing an example of a method for producing a conductive substrate using the laminate of the present invention, and an example using the laminate shown in FIG. First, as shown in FIG. 2A, the laminate 1 and the substrate to be transferred 11 are prepared. Next, as shown in FIG. 2B, the laminate 1 is disposed so that the adhesive layer 4 of the laminate 1 and the transfer substrate 11 are in contact with each other, and thermocompression bonding is performed from the laminate 1 side. Then, as shown in FIG.2 (c), the base material 2 is peeled. As a result, the adhesive layer 4 and the porous conductive layer 3 are transferred to the transfer substrate 11 in the thermocompression-bonded region, and the conductive substrate 10 is obtained.

図3(a)〜(c)は本発明の積層体を用いた導電性基材の製造方法の他の例を示す工程図であり、図1に示す積層体を用いた例である。まず、図3(a)に示すように、積層体1および被転写基材11を準備する。次いで、図3(b)に示すように、積層体1の接着層4と被転写基材11とが接するように配置し、積層体1側から熱圧着する。この際、サーマルヘッドプリンタのサーマルヘッド12等により部分的に熱圧着する。その後、図3(c)に示すように、基材2側を剥離する。これにより、熱圧着された領域では接着層4および多孔性導電層3が被転写基材11に転写され、接着層4および多孔性導電層3のパターンを有する導電性基材10が得られる。   3A to 3C are process diagrams showing another example of a method for producing a conductive substrate using the laminate of the present invention, and an example using the laminate shown in FIG. First, as shown in FIG. 3A, the laminate 1 and the substrate to be transferred 11 are prepared. Next, as shown in FIG. 3B, the laminate 1 is disposed so that the adhesive layer 4 of the laminate 1 and the substrate 11 to be transferred are in contact with each other, and thermocompression bonding is performed from the laminate 1 side. At this time, partial thermal compression bonding is performed by the thermal head 12 of the thermal head printer. Then, as shown in FIG.3 (c), the base material 2 side is peeled. As a result, the adhesive layer 4 and the porous conductive layer 3 are transferred to the transfer substrate 11 in the thermocompression-bonded region, and the conductive substrate 10 having the pattern of the adhesive layer 4 and the porous conductive layer 3 is obtained.

本発明においては、多孔性導電層の孔の内部に、接着層由来の成分、例えば接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができ、見かけ上、多孔性導電層および接着層由来の成分の混合物となることで、熱拡散を起こりにくくすることができる。したがって、本発明の積層体を被転写基材に転写する際には、熱が逃げにくいため、過剰に加熱する必要がなく、熱転写に有利である。   In the present invention, a component derived from the adhesive layer, for example, a resin contained in the adhesive layer can be introduced into the pores of the porous conductive layer, and apparently a mixture of the component derived from the porous conductive layer and the adhesive layer. As a result, thermal diffusion can be made difficult to occur. Therefore, when transferring the laminate of the present invention to a substrate to be transferred, heat does not easily escape, so there is no need to heat excessively, which is advantageous for thermal transfer.

また本発明においては、上述したように、多孔性導電層の孔の内部に接着層由来の成分を入り込ませることができるので、多孔性導電層および接着層が接触する表面積が大きくなるのみならず、アンカー効果により多孔性導電層および接着層の密着性を高めることができる。したがって、本発明の積層体を被転写基材に転写する際には、被転写基材に接着層および多孔性導電層を良好に転写することができ、優れた転写性を得ることができる。   Further, in the present invention, as described above, since the component derived from the adhesive layer can be introduced into the pores of the porous conductive layer, not only the surface area in contact with the porous conductive layer and the adhesive layer is increased. The adhesion between the porous conductive layer and the adhesive layer can be enhanced by the anchor effect. Therefore, when the laminate of the present invention is transferred to the substrate to be transferred, the adhesive layer and the porous conductive layer can be satisfactorily transferred to the substrate to be transferred, and excellent transferability can be obtained.

また、後述するように、多孔性導電層では、金属粒子同士が焼結し、融着しているため、多孔性導電層の孔の内部に接着層由来の成分が入り込んでいる領域も導電性に寄与する。そのため、導電性を低下させることなく、接着層との密着性を高めることができる。   As will be described later, in the porous conductive layer, the metal particles are sintered and fused together, so that the region where the component derived from the adhesive layer enters the pores of the porous conductive layer is also conductive. Contribute to. Therefore, the adhesiveness with the adhesive layer can be improved without reducing the conductivity.

また、金属や金属酸化物等の導電性材料は、酸化されることで導電性が低下する場合があり、本発明の積層体を被転写基材に転写する際に、多孔性導電層の導電性が低下するおそれがある。これに対し、本発明においては、上述したように、多孔性導電層の孔の内部に接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができるため、本発明の積層体を被転写基材に転写する際には、多孔性導電層を接着層に含まれる樹脂で保護することができ、多孔性導電層の酸化を抑制することができる。したがって、転写時の多孔性導電層の導電性の低下を抑制することができる。   In addition, the conductivity of conductive materials such as metals and metal oxides may decrease due to oxidation, and when transferring the laminate of the present invention to a substrate to be transferred, the conductivity of the porous conductive layer may be reduced. May decrease. On the other hand, in the present invention, as described above, since the resin contained in the adhesive layer can enter the pores of the porous conductive layer, the laminate of the present invention is transferred to the substrate to be transferred. In this case, the porous conductive layer can be protected with the resin contained in the adhesive layer, and oxidation of the porous conductive layer can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in conductivity of the porous conductive layer during transfer.

また本発明において、多孔性導電層は多孔質であるため、脆性が付与されるので、従来の蒸着層とは異なり、転写時にバリの発生が少なく、また大きな結晶粒が含まれることもない。したがって、良好な箔切れ性を得ることができる。さらに、図3(a)〜(c)に例示するように、本発明の積層体の接着層および多孔性導電層のパターンを被転写基材に転写する場合には、解像度良く転写することができる。   In the present invention, since the porous conductive layer is porous, brittleness is imparted. Therefore, unlike conventional vapor deposition layers, burrs are hardly generated during transfer, and large crystal grains are not included. Therefore, good foil breakability can be obtained. Furthermore, as illustrated in FIGS. 3A to 3C, when the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate of the present invention is transferred to a substrate to be transferred, it can be transferred with high resolution. it can.

ここで、金属粒子はその粒子径を小さくすると、低温で焼結することが知られている。本発明においては、このような金属粒子がナノ粒子化するとその金属粒子の融点よりも格段に低い温度で焼結する性質を利用して、金属粒子を低温で焼結して多孔性導電層を形成することができる。したがって、基材に損傷を与えることが少なく、耐熱性の高い基材を用いる必要はなく、耐熱性の低い基材も使用することができる。特に、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材を用いることができる点で非常に有用である。   Here, it is known that metal particles are sintered at a low temperature when the particle diameter is reduced. In the present invention, when such metal particles become nanoparticles, the porous conductive layer is formed by sintering the metal particles at a low temperature by utilizing the property of sintering at a temperature much lower than the melting point of the metal particles. Can be formed. Therefore, there is little damage to the substrate, and it is not necessary to use a substrate having high heat resistance, and a substrate having low heat resistance can also be used. In particular, it is very useful in that an inexpensive general-purpose plastic resin substrate such as polyethylene terephthalate can be used.

また本発明において、多孔性導電層は、例えば基材上に金属粒子を含有する金属粒子分散液を塗布し、焼成することで形成することができ、基材との密着性が良好な多孔性導電層を得ることができる。したがって、密着性向上のために、基材上に別の層を形成したり表面処理を施したりする必要がない。   In the present invention, the porous conductive layer can be formed by, for example, applying a metal particle dispersion containing metal particles on a base material and baking the porous conductive layer, and has good adhesion to the base material. A conductive layer can be obtained. Therefore, it is not necessary to form another layer on the base material or to perform surface treatment in order to improve adhesion.

また、本発明の積層体を被転写基材に転写することにより、被転写基材上に多孔性導電層を形成することができるため、被転写基材として、従来では多孔性導電層を形成することが困難であった基材も用いることができる。そのため、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材や、紙基材等の上に多孔性導電層が形成された導電性基材を得ることができる。さらには、立体物である被転写基材への多孔性導電層の形成も可能である。   Moreover, since the porous conductive layer can be formed on the substrate to be transferred by transferring the laminate of the present invention to the substrate to be transferred, a porous conductive layer has conventionally been formed as the substrate to be transferred. Substrates that have been difficult to do can also be used. Therefore, an inexpensive general-purpose plastic resin substrate such as polyethylene terephthalate or a conductive substrate having a porous conductive layer formed on a paper substrate or the like can be obtained. Furthermore, it is also possible to form a porous conductive layer on a substrate to be transferred that is a three-dimensional object.

以下、本発明の積層体における各構成について説明する。   Hereinafter, each structure in the laminated body of this invention is demonstrated.

1.多孔性導電層
本発明における多孔性導電層は、基材上に形成されるものである。
1. Porous conductive layer The porous conductive layer in the present invention is formed on a substrate.

ここで、多孔性導電層とは、多数の孔を有する導電層をいい、同じ体積を持つ孔の無い導電層よりも表面積が拡大されている。   Here, the porous conductive layer refers to a conductive layer having a large number of holes, and has a surface area larger than that of a conductive layer having the same volume and having no holes.

多孔性導電層を構成する導電性材料としては、例えば金属、金属酸化物を挙げることができる。多孔性導電層を構成する導電性材料は1種でもよく2種以上であってもよい。
中でも、金属が好ましい。金属の粒子は、より低温で焼結して多孔性導電層を形成することができるからである。
Examples of the conductive material constituting the porous conductive layer include metals and metal oxides. The conductive material constituting the porous conductive layer may be one type or two or more types.
Of these, metals are preferred. This is because the metal particles can be sintered at a lower temperature to form a porous conductive layer.

金属としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、モリブデン、アルミニウム、アンチモン、スズ、クロム、インジウム、ガリウム、ゲルマニウム、亜鉛、チタン、鉛等が挙げられる。中でも、導電性やコスト等の観点から、銀、銅が好ましい。金属は1種であってもよく2種以上であってもよい。
金属酸化物としては、例えば酸化インジウム錫、アンチモンドープ酸化錫等が挙げられる。
Examples of the metal include gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium, molybdenum, aluminum, antimony, tin, chromium, indium, gallium, germanium, zinc, titanium, and lead. Among these, silver and copper are preferable from the viewpoint of conductivity and cost. 1 type may be sufficient as a metal and 2 or more types may be sufficient as it.
Examples of the metal oxide include indium tin oxide and antimony-doped tin oxide.

多孔性導電層中の孔の形状は、少なくとも一部の孔に接着層由来の成分が入り込める形状であればよく、特に限定されない。少なくとも多孔性導電層の接着層側の面には、多数の孔が互いに連結した連通孔を有することが好ましい。   The shape of the hole in the porous conductive layer is not particularly limited as long as the component derived from the adhesive layer can enter at least a part of the holes. It is preferable that at least the surface on the adhesive layer side of the porous conductive layer has communication holes in which a large number of holes are connected to each other.

多孔性導電層の空孔率としては、導電性および密着性を両立可能な範囲に適宜調整すればよく、特に限定されない。具体的には、多孔性導電層の空孔率は5%〜50%の範囲内であることが好ましく、中でも10%〜45%の範囲であることが好ましく、特に15%〜40%の範囲内であることが好ましい。空孔率が大きすぎると、多孔性導電層と基材との密着性が低下するおそれがある。また、空孔率が小さすぎると、多孔性導電層の孔の内部に接着層由来の成分が入り込むことによる上述の効果が十分に得られない場合がある。
なお、多孔性導電層の空孔率は、多孔性導電層を構成する材料が存在していない部分を表すものであり、接着層由来の成分が混在している部分も含まれる。
The porosity of the porous conductive layer is not particularly limited as long as the conductivity and adhesiveness can be adjusted as appropriate. Specifically, the porosity of the porous conductive layer is preferably in the range of 5% to 50%, more preferably in the range of 10% to 45%, and particularly in the range of 15% to 40%. It is preferable to be within. If the porosity is too large, the adhesion between the porous conductive layer and the substrate may be reduced. On the other hand, if the porosity is too small, the above-described effects due to the components derived from the adhesive layer entering the pores of the porous conductive layer may not be sufficiently obtained.
In addition, the porosity of a porous conductive layer represents the part in which the material which comprises a porous conductive layer does not exist, and the part in which the component derived from a contact bonding layer is mixed is also contained.

空孔率は、接着層形成前の多孔性導電層の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像から確認することができる。具体的には、得られたSEM像から孔の面積と多孔性導電層の面積とをそれぞれ算出し、孔の面積を多孔性導電層の面積で除することにより上記断面における空孔率を求めることができる。また、空孔率は、基材を除く多孔性導電層から算出し、基材と多孔性導電層と界面の孔は、多孔性導電層の方に含める。
また、空孔率は、積層体の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像から確認することもできる。具体的には、得られたSEM像から孔の面積と、接着層由来の成分の面積と、多孔性導電層の面積とをそれぞれ算出し、孔の面積と接着層由来の成分の面積との合計を、多孔性導電層の面積で除することにより上記断面における空孔率を求めることができる。
積層体の大きさに応じて適宜複数の断面について同様に空孔率を求め、その平均値を多孔性導電層の空孔率とする。
空孔率は、後述する多孔性導電層の形成方法において、金属粒子分散液に用いられる金属粒子の粒子径や、分散剤の種類、焼成条件等により適宜調整することができる。
The porosity can be confirmed from a scanning electron microscope (SEM) image of a cross section of the porous conductive layer before forming the adhesive layer. Specifically, the area of the pores and the area of the porous conductive layer are calculated from the obtained SEM images, and the porosity in the cross section is obtained by dividing the area of the holes by the area of the porous conductive layer. be able to. The porosity is calculated from the porous conductive layer excluding the substrate, and the pores at the interface between the substrate and the porous conductive layer are included in the porous conductive layer.
The porosity can also be confirmed from a scanning electron microscope (SEM) image of the cross section of the laminate. Specifically, the area of the hole, the area of the component derived from the adhesive layer, and the area of the porous conductive layer are calculated from the obtained SEM image, respectively, and the area of the hole and the area of the component derived from the adhesive layer are calculated. The porosity in the cross section can be obtained by dividing the total by the area of the porous conductive layer.
Similarly, the porosity is similarly determined for a plurality of cross sections in accordance with the size of the laminate, and the average value is taken as the porosity of the porous conductive layer.
The porosity can be appropriately adjusted according to the particle diameter of the metal particles used in the metal particle dispersion, the type of the dispersant, the firing conditions, and the like in the method for forming the porous conductive layer described later.

多孔性導電層3は、図1に例示するように基材2上の全面に形成されていてもよく、図4(a)に例示するように基材2上にパターン状に形成されていてもよい。図4(a)に示すように多孔性導電層3が基材2上にパターン状に形成されている場合には、積層体1を部分的に転写しなくとも、図4(b)に示すように被転写基材11上に多孔性導電層3のパターンを転写することができる。   The porous conductive layer 3 may be formed on the entire surface of the substrate 2 as illustrated in FIG. 1, and is formed in a pattern on the substrate 2 as illustrated in FIG. Also good. When the porous conductive layer 3 is formed in a pattern on the substrate 2 as shown in FIG. 4A, the laminated body 1 is shown in FIG. As described above, the pattern of the porous conductive layer 3 can be transferred onto the transfer substrate 11.

多孔性導電層の厚みは、0.01μm〜50μm程度であり、好ましくは0.05μm〜10μmの範囲内、特に好ましくは0.1μm〜5μmの範囲内である。   The thickness of the porous conductive layer is about 0.01 μm to 50 μm, preferably within the range of 0.05 μm to 10 μm, and particularly preferably within the range of 0.1 μm to 5 μm.

多孔性導電層の形成方法としては、基材上に金属粒子を含有する金属粒子分散液を塗布し、焼成する方法が用いられる。
なお、本願明細書において、金属粒子とは、金属状態の粒子に加えて、合金状態の粒子や、金属化合物の粒子等も含まれるものである。
As a method for forming the porous conductive layer, a method in which a metal particle dispersion containing metal particles is applied on a substrate and fired is used.
In the present specification, the metal particles include alloy particles, metal compound particles, and the like in addition to metal particles.

金属粒子としては、焼成後に導電性を生じる金属粒子の中から適宜選択して用いることができる。
金属粒子を構成する金属としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム、モリブデン、アルミニウム、アンチモン、スズ、クロム、インジウム、ガリウム、ゲルマニウム、亜鉛、チタン、鉛等が挙げられる。中でも、導電性やコスト等の観点から、銀、銅が好ましい。金属粒子を構成する金属は1種であってもよく2種以上であってもよい。また、2種以上の金属がコアシェル構造を形成しているものや、金属状態の粒子の表面が酸化または窒化されているもの等を用いてもよい。金属粒子は、表面が酸化されていてもよく、また内部まで酸化されていてもよい。
また、金属化合物の粒子を構成する金属化合物としては、例えば金属酸化物、金属窒化物、金属水素化物、金属水酸化物、有機金属化合物等が挙げられる。これらの金属化合物は、焼成時に分解されて金属状態となるものであることが好ましい。例えば、還元して導電性を発現する金属化合物の粒子、具体的には酸化第一銅、酸化第二銅、酸化銀、窒化銅、水素化銅等の金属化合物の粒子を挙げることができる。また、金属酸化物としては、例えば酸化インジウム錫、アンチモンドープ酸化錫等も挙げられる。
金属粒子は1種単独で用いてもよく2種以上を組み合わせて用いてもよい。
中でも、金属状態の粒子が好ましい。金属状態の粒子は、より低温で焼結して多孔性導電層を形成することができるからである。
As a metal particle, it can select from the metal particle which produces electroconductivity after baking suitably, and can be used.
Examples of the metal constituting the metal particles include gold, silver, copper, nickel, platinum, palladium, molybdenum, aluminum, antimony, tin, chromium, indium, gallium, germanium, zinc, titanium, lead, and the like. Among these, silver and copper are preferable from the viewpoint of conductivity and cost. The metal constituting the metal particles may be one kind or two or more kinds. Further, a metal in which two or more kinds of metals form a core-shell structure, a metal in which the surface of particles in a metal state is oxidized or nitrided, or the like may be used. The surface of the metal particles may be oxidized or may be oxidized to the inside.
Examples of the metal compound constituting the metal compound particles include metal oxides, metal nitrides, metal hydrides, metal hydroxides, and organometallic compounds. These metal compounds are preferably those which are decomposed into a metal state upon firing. For example, particles of a metal compound that exhibits conductivity by reduction, specifically, particles of a metal compound such as cuprous oxide, cupric oxide, silver oxide, copper nitride, copper hydride, and the like can be given. Examples of the metal oxide include indium tin oxide and antimony-doped tin oxide.
A metal particle may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
Among these, particles in a metal state are preferable. This is because the metal particles can be sintered at a lower temperature to form a porous conductive layer.

金属粒子は金属ナノ粒子であることが好ましい。すなわち、多孔性導電層は、金属ナノ粒子の焼結体であることが好ましい。金属ナノ粒子を含有する金属粒子分散液を塗布し、焼成して多孔性導電層を形成する場合には、孔径や結晶粒径を箔切れ性に好適な範囲に制御することができるからである。   The metal particles are preferably metal nanoparticles. That is, the porous conductive layer is preferably a sintered body of metal nanoparticles. This is because when a metal particle dispersion containing metal nanoparticles is applied and baked to form a porous conductive layer, the pore size and crystal grain size can be controlled within a range suitable for foil breakability. .

金属粒子の平均粒子径は、1nm〜200nmの範囲であることが好ましく、中でも2nm〜150nmの範囲内、特に2nm〜100nmの範囲内が好ましい。平均粒子径が上記範囲内であると、多孔性導電層を形成する際に用いられる金属粒子分散液の分散安定性が良好であり、多孔性導電層を形成した際の導電性が良好となり、また融点が低く維持され、十分な焼結が可能であり、高い導電性が得られる。
ここで、金属粒子の平均粒子径は、金属粒子分散液中の金属粒子の平均1次粒子径であり、透過型電子顕微鏡による観察像から測定することができる。
The average particle diameter of the metal particles is preferably in the range of 1 nm to 200 nm, more preferably in the range of 2 nm to 150 nm, and particularly preferably in the range of 2 nm to 100 nm. When the average particle diameter is within the above range, the dispersion stability of the metal particle dispersion used when forming the porous conductive layer is good, and the conductivity when forming the porous conductive layer is good, In addition, the melting point is kept low, sufficient sintering is possible, and high conductivity is obtained.
Here, the average particle diameter of the metal particles is the average primary particle diameter of the metal particles in the metal particle dispersion, and can be measured from an observation image obtained by a transmission electron microscope.

金属粒子の調製方法としては、例えば、メカノケミカル法等による金属粉または金属酸化物粉を粉砕して得る物理的な方法;CVD法や蒸着法、スパッタ法、熱プラズマ法、レーザー法のような化学的な乾式法;熱分解法、化学還元法、電気分解法、超音波法、レーザーアブレーション法、超臨界流体法、マイクロ波合成法等による化学的な湿式法と呼ばれる方法が挙げられる。   As a method for preparing metal particles, for example, a physical method obtained by pulverizing metal powder or metal oxide powder by a mechanochemical method or the like; CVD method, vapor deposition method, sputtering method, thermal plasma method, laser method, etc. A chemical dry method; a method called a chemical wet method using a thermal decomposition method, a chemical reduction method, an electrolysis method, an ultrasonic method, a laser ablation method, a supercritical fluid method, a microwave synthesis method, or the like can be given.

得られた金属粒子は、金属粒子分散液とするために、金属粒子を、ポリビニルピロリドン等の水溶性高分子化合物やグラフト共重合高分子化合物のような保護剤、界面活性剤、金属または金属酸化物と相互作用するようなチオール基やアミノ基、水酸基、カルボキシル基を有する化合物で被覆することが好ましい。また、金属粒子の合成法によっては、原料の熱分解物や酸化物が粒子表面を保護し、分散性に寄与する場合もある。熱分解法や化学還元法等の湿式法の場合は、還元剤等がそのまま金属粒子の保護剤として作用することがある。また、金属粒子分散液の分散安定性を高めるために、金属粒子の表面処理を行ったり、金属粒子分散液に高分子化合物、イオン性化合物、界面活性剤等からなる分散剤を添加したりしてもよい。   In order to obtain a metal particle dispersion, the obtained metal particles are obtained by using a protective agent such as a water-soluble polymer compound such as polyvinylpyrrolidone or a graft copolymer polymer compound, a surfactant, a metal or a metal oxide. It is preferable to coat with a compound having a thiol group, amino group, hydroxyl group, or carboxyl group that interacts with the product. Depending on the method of synthesizing the metal particles, the pyrolyzate or oxide of the raw material may protect the particle surface and contribute to dispersibility. In the case of a wet method such as a thermal decomposition method or a chemical reduction method, the reducing agent or the like may act as a protective agent for the metal particles as it is. In addition, in order to improve the dispersion stability of the metal particle dispersion liquid, surface treatment of the metal particles is performed, or a dispersant composed of a polymer compound, an ionic compound, a surfactant or the like is added to the metal particle dispersion liquid. May be.

金属粒子分散液に用いられる分散媒としては、金属粒子を分散させるものであれば特に限定されるものではなく、例えば水、有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えばアルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。   The dispersion medium used in the metal particle dispersion is not particularly limited as long as it can disperse metal particles. For example, water or an organic solvent can be used. Examples of the organic solvent include alcohols, ketones, esters, ethers, aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, and the like.

また、金属粒子分散液には、必要に応じて、粘度調整剤、表面張力調整剤、あるいは安定剤等を添加してもよい。   Moreover, you may add a viscosity modifier, a surface tension modifier, a stabilizer, etc. to a metal particle dispersion liquid as needed.

金属粒子分散液は、固形分濃度が5質量%〜95質量%の範囲内であることが好ましく、中でも10質量%〜90質量%の範囲内、特に15質量%〜85質量%の範囲内であることが好ましい。固形分濃度が上記範囲内であると、十分な導電性が得られ、また粘度が十分に低く、基材への金属粒子分散液の塗布が容易である。   The metal particle dispersion preferably has a solid content concentration in the range of 5% by mass to 95% by mass, particularly in the range of 10% by mass to 90% by mass, particularly in the range of 15% by mass to 85% by mass. Preferably there is. When the solid content concentration is within the above range, sufficient conductivity is obtained, the viscosity is sufficiently low, and the metal particle dispersion can be easily applied to the substrate.

基材上に金属粒子分散液を塗布する際には、基材上の全面に金属粒子分散液を塗布してもよく、基材上にパターン状に金属粒子分散液を塗布してもよい。
基材上に金属粒子分散液を塗布する方法としては、例えば、グラビア印刷、スクリーン印刷、スプレーコート、スピンコート、コンマコート、バーコート、ナイフコート、ダイコート、オフセット印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷、ディスペンサ印刷等を挙げることができる。基材上にパターン状に金属粒子分散液を塗布する場合には、微細なパターニングを行うことができるという観点から、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷が好ましい。
When applying the metal particle dispersion on the substrate, the metal particle dispersion may be applied over the entire surface of the substrate, or the metal particle dispersion may be applied in a pattern on the substrate.
Examples of the method for applying the metal particle dispersion on the substrate include gravure printing, screen printing, spray coating, spin coating, comma coating, bar coating, knife coating, die coating, offset printing, flexographic printing, inkjet printing, and dispenser. Printing etc. can be mentioned. When applying a metal particle dispersion in a pattern on a substrate, gravure printing, flexographic printing, screen printing, and inkjet printing are preferred from the viewpoint that fine patterning can be performed.

金属粒子分散液の塗布後は、通常の方法で乾燥を行ってもよい。例えば、一般的なオーブン等を用いて、80℃〜140℃程度の温度で0.1分〜20分程度加熱する乾燥方法が挙げられる。乾燥後の塗膜の厚みは、塗布量や金属粒子の平均粒子径等を調整することで制御することができるが、通常、0.01μm〜100μm程度であり、好ましくは0.1μm〜50μmの範囲内である。   After application of the metal particle dispersion, drying may be performed by a normal method. For example, the drying method which heats for about 0.1 minute-20 minutes at the temperature of about 80 degreeC-140 degreeC using a general oven etc. is mentioned. Although the thickness of the coating film after drying can be controlled by adjusting the coating amount, the average particle diameter of the metal particles, and the like, it is usually about 0.01 μm to 100 μm, preferably 0.1 μm to 50 μm. Within range.

金属粒子分散液の塗膜を焼成する方法としては、金属粒子を焼結できる方法であればよく、一般的な焼成方法を適用することができる。例えば、加熱処理、光処理、プラズマ処理による方法等が挙げられる。塗膜を焼成することにより、金属粒子の焼結体からなる多孔性導電層が得られる。
加熱処理としては、例えばホットプレート加熱、熱風加熱、熱板や熱ロールによるホットプレス法が挙げられる。
光処理としては、例えばレーザー処理、紫外線ランプ処理、赤外線ランプ処理、遠赤外線ランプ処理、フラッシュ光ランプ処理等が挙げられる。
プラズマ処理は、還元性を示す水素、一酸化炭素、アンモニア、アルコール等のガスを電離してプラズマ状態とし、反応性の高い活性種を生成させる処理であり、例えば、電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ、容量結合プラズマ、誘導結合プラズマ、大気圧プラズマ、マイクロ波プラズマ、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマ等が挙げられる。中でも、表面波プラズマ処理が好ましい。
なお、上記の焼成方法は、2種以上を組み合わせて用いることができる。
The method for firing the coating film of the metal particle dispersion may be any method that can sinter the metal particles, and a general firing method can be applied. For example, a heat treatment method, a light treatment method, a plasma treatment method, or the like can be given. By baking the coating film, a porous conductive layer made of a sintered body of metal particles is obtained.
Examples of the heat treatment include hot plate heating, hot air heating, hot pressing using a hot plate or a hot roll.
Examples of the light treatment include laser treatment, ultraviolet lamp treatment, infrared lamp treatment, far-infrared lamp treatment, and flash light lamp treatment.
The plasma treatment is a treatment that ionizes gases such as hydrogen, carbon monoxide, ammonia, alcohol, etc. that exhibit reducibility into a plasma state and generates highly reactive active species, for example, electron cyclotron resonance (ECR) plasma. , Capacitively coupled plasma, inductively coupled plasma, atmospheric pressure plasma, microwave plasma, surface wave plasma generated by application of microwave energy, and the like. Among these, surface wave plasma treatment is preferable.
In addition, said baking method can be used in combination of 2 or more type.

マイクロ波表面波プラズマは、プラズマ密度が高く、電子温度が低い特性を有し、塗膜を低温かつ短時間で焼成処理することが可能であり、緻密かつ平滑な多孔性導電層を形成することができる。表面波プラズマは、処理面に対して、面内で均一の密度のプラズマが照射される。その結果、他の焼成方式と比べて、面内で部分的に金属粒子の焼結が進行する等、不均一な膜が形成されることが少なく、また粒成長を防ぐことができるため、非常に緻密で、平滑な膜が得られる。また、面内処理室内に電極を設ける必要がないので、電極由来の不純物のコンタミネーションを防ぐことができ、また処理材料に対して異常な放電によるダメージを防ぐことができる。さらに、樹脂基材を用いる場合には、樹脂基材のダメージが少なく、またその他の層へのダメージも少ない。   Microwave surface wave plasma has the characteristics of high plasma density and low electron temperature, and the coating film can be fired at a low temperature in a short time to form a dense and smooth porous conductive layer. Can do. The surface wave plasma is irradiated with plasma having a uniform density within the surface with respect to the processing surface. As a result, compared to other firing methods, it is less likely to form a non-uniform film such as partial sintering of metal particles in the plane, and grain growth can be prevented. A dense and smooth film can be obtained. In addition, since it is not necessary to provide an electrode in the in-plane processing chamber, contamination of impurities derived from the electrode can be prevented, and damage to the processing material due to abnormal discharge can be prevented. Furthermore, when using a resin base material, there is little damage to a resin base material, and there is also little damage to another layer.

また、マイクロ波表面波プラズマは、樹脂基材に対する多孔性導電層の密着性を高めるのに好適である。この理由としては、マイクロ波表面波プラズマは、基材と多孔性導電層との界面で水酸基やカルボキシル基等の極性官能基を発生させやすいためと推測される。特にポリエステル基材に対して、還元性ガス雰囲気下で発生するプラズマを用いた場合には、基材のエステル結合に、還元性ガスを有するガスのプラズマが反応し、基材の界面側に改質が起こり、極性の高い反応基が多く発生するために、多孔性導電層と基材との界面での密着性が向上するものと推察している。したがって、マイクロ波表面波プラズマは、従来のように基材表面を予めプラズマ処理等により粗化して、多孔性導電層との密着性を向上させる方法に比較しても、基材と多孔性導電層との密着性が高い点で優れている。   Moreover, the microwave surface wave plasma is suitable for enhancing the adhesion of the porous conductive layer to the resin substrate. This is presumably because microwave surface wave plasma is likely to generate a polar functional group such as a hydroxyl group or a carboxyl group at the interface between the substrate and the porous conductive layer. In particular, when a plasma generated in a reducing gas atmosphere is used for a polyester base material, the plasma of the gas containing the reducing gas reacts with the ester bond of the base material, and is modified to the interface side of the base material. It is presumed that the adhesiveness at the interface between the porous conductive layer and the base material is improved because the quality is increased and many reactive groups with high polarity are generated. Therefore, the microwave surface wave plasma is different from the conventional method in which the substrate surface is roughened by plasma treatment or the like in advance and the adhesion to the porous conductive layer is improved. It is excellent in that the adhesion to the layer is high.

なお、マイクロ波表面波プラズマの条件については、例えば特開2010−86825号公報に記載の条件を適用することができる。   In addition, about the conditions of microwave surface wave plasma, the conditions as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-86825 are applicable, for example.

焼成時の雰囲気としては、多孔性導電層を構成する導電性材料の種類に応じて適宜選択される。
金属を含有する多孔性導電層を形成する場合には、不活性ガスまたは還元性ガスの雰囲気とすることが好ましく、中でも還元性ガスとすることが好ましい。還元性ガス雰囲気の場合、金属粒子表面に存在する酸化物が還元除去され、導電性の良好な多孔性導電層を形成することができる。そのため、金属を含有する多孔性導電層を形成する場合には、金属粒子として、表面が酸化されている金属粒子や、内部まで酸化されている金属粒子を用いることができる。
The atmosphere at the time of firing is appropriately selected according to the type of conductive material constituting the porous conductive layer.
In the case of forming a porous conductive layer containing a metal, an atmosphere of an inert gas or a reducing gas is preferable, and a reducing gas is particularly preferable. In the case of a reducing gas atmosphere, the oxide present on the surface of the metal particles is reduced and removed, and a porous conductive layer having good conductivity can be formed. Therefore, when forming a porous conductive layer containing a metal, metal particles whose surface is oxidized or metal particles whose surface is oxidized can be used as the metal particles.

還元性ガスとしては、例えば、水素、一酸化炭素、アンモニア、およびこれらの混合ガス等が挙げられる。中でも、水素ガスが好ましい。金属粒子表面に付着した有機物の除去には水素ガスが好適である。
還元性ガスには、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の不活性ガスを混合してもよい。この場合、プラズマが発生し易くなる等の効果がある。
Examples of the reducing gas include hydrogen, carbon monoxide, ammonia, and a mixed gas thereof. Of these, hydrogen gas is preferred. Hydrogen gas is suitable for removing organic substances adhering to the surface of the metal particles.
The reducing gas may be mixed with an inert gas such as nitrogen, helium, argon, neon, krypton, or xenon. In this case, there is an effect that plasma is easily generated.

一方、金属酸化物を含有する多孔性導電層を形成する場合には、窒素やアルゴン等の不活性ガスと、必要に応じて酸素とを含んだ雰囲気とすればよい。   On the other hand, in the case of forming a porous conductive layer containing a metal oxide, an atmosphere containing an inert gas such as nitrogen or argon and oxygen as necessary may be used.

さらに、銅を含有する多孔性導電層を形成する場合には、水素プラズマや窒素プラズマによる方法が好ましい。特に水素プラズマで行うことで、3×10−6Ω・cm〜3×10−5Ω・cm程度の比抵抗が得られ、また基材との密着性が良好な多孔性導電層を形成することができるからである。 Furthermore, when a porous conductive layer containing copper is formed, a method using hydrogen plasma or nitrogen plasma is preferable. In particular, by using hydrogen plasma, a specific resistance of about 3 × 10 −6 Ω · cm to 3 × 10 −5 Ω · cm is obtained, and a porous conductive layer having good adhesion to the substrate is formed. Because it can.

焼成温度としては、金属粒子を焼結できる温度であればよく、金属粒子の種類や粒子径、焼成方法等に応じて適宜選択される。中でも、焼成温度は、基材の耐熱温度以下であることが好ましく、銀粒子を例とすれば、100℃〜150℃の範囲内が好ましい。
焼成時間としては、金属粒子の種類、焼成方法等に応じて適宜選択される。例えば銀粒子を加熱処理により焼成する場合、焼成時間は10分〜120分の範囲内、中でも15分〜40分の範囲内であることが好ましい。また、例えば銅粒子を水素プラズマにより焼成する場合、焼成時間は1分〜10分の範囲内、中でも2分〜5分の範囲内であることが好ましい。
The firing temperature may be any temperature that allows the metal particles to be sintered, and is appropriately selected according to the type, particle diameter, firing method, and the like of the metal particles. Especially, it is preferable that a calcination temperature is below the heat-resistant temperature of a base material, and the inside of the range of 100 to 150 degreeC is preferable if silver particle is made into an example.
The firing time is appropriately selected according to the type of metal particles, the firing method, and the like. For example, when silver particles are fired by heat treatment, the firing time is preferably within a range of 10 minutes to 120 minutes, and more preferably within a range of 15 minutes to 40 minutes. For example, when copper particles are fired by hydrogen plasma, the firing time is preferably within a range of 1 minute to 10 minutes, and more preferably within a range of 2 minutes to 5 minutes.

2.接着層
本発明における接着層は、上記多孔性導電層上に形成されるものである。接着層は、本発明の積層体を被転写基材に転写する際に、多孔性導電層と被転写基材とを接着させる機能を有するものである。
2. Adhesive layer The adhesive layer in the present invention is formed on the porous conductive layer. The adhesive layer has a function of adhering the porous conductive layer and the transferred substrate when transferring the laminate of the present invention to the transferred substrate.

接着層の材料としては、例えば熱可塑性樹脂や、光照射により粘着性または接着性が低下する感光性樹脂が挙げられる。   Examples of the material for the adhesive layer include a thermoplastic resin and a photosensitive resin whose adhesiveness or adhesiveness is reduced by light irradiation.

熱可塑性樹脂としては、多孔性導電層と被転写基材とを接着できるものであれば特に限定されるものではなく、積層体が転写される被転写基材の種類に応じて適宜選択される。例えば、転写箔に用いられる一般的な熱可塑性樹脂を用いることができる。また、熱可塑性樹脂は、加熱し、溶融または軟化して、粘着性または接着性を発現するものであればよく、一部が硬化する硬化性樹脂を用いてもよい。具体的には、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、エポキシ樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、天然ゴム、カゼイン、ゼラチン、ロジン樹脂、テルペン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、スチロール樹脂、ポリオレフィン、ウレタン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂等の従来の接着剤として既知のものが広く使用できる。熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   The thermoplastic resin is not particularly limited as long as it can adhere the porous conductive layer and the substrate to be transferred, and is appropriately selected according to the type of the substrate to be transferred onto which the laminate is transferred. . For example, a general thermoplastic resin used for the transfer foil can be used. Moreover, the thermoplastic resin should just be heated, fuse | melted or softened, and should just express adhesiveness or adhesiveness, and curable resin which a part hardens | cures may be used. Specifically, acrylic resin, urethane resin, amide resin, epoxy resin, styrene-butadiene copolymer, natural rubber, casein, gelatin, rosin resin, terpene resin, phenol resin, styrene resin, silicone resin, styrene resin, polyolefin Conventional adhesives such as urethane resins, ionomer resins, vinyl chloride resins, vinyl acetate resins, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resins, polyester resins, and polyamide resins can be widely used. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

光照射により粘着性または接着性が低下する感光性樹脂としては、例えば紫外線、可視光線、赤外線等の特定波長の光の照射によって硬化し、粘着性または接着性が低下するものであり、かつ、光未照射部では多孔性導電層と被転写基材とを接着できるものを用いることができる。具体的には、多官能(メタ)アクリル樹脂に光重合開始剤を処方したもの、あるいはエポキシ樹脂に光酸発生剤または光塩基発生剤を処方した光硬化性ワニス等、既知のものが広く使用できる。また、溶剤希釈型、W/Oエマルジョン型、溶剤を含まないノンソル型を用いてもよい。このような感光性樹脂は1種単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   As the photosensitive resin whose tackiness or adhesiveness is reduced by light irradiation, for example, it is cured by irradiation with light of a specific wavelength such as ultraviolet ray, visible light, infrared ray, etc., and the tackiness or adhesiveness is lowered, and In the non-light-irradiated portion, a material capable of bonding the porous conductive layer and the substrate to be transferred can be used. Specifically, known materials such as polyfunctional (meth) acrylic resins formulated with photopolymerization initiators or photocurable varnishes formulated with epoxy resins with photoacid generators or photobase generators are widely used. it can. Also, a solvent dilution type, a W / O emulsion type, or a non-sol type that does not contain a solvent may be used. Such photosensitive resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

また、接着層には、熱可塑性樹脂または感光性樹脂以外に添加剤が含まれていてもよい。熱可塑性樹脂の場合、添加剤としては、例えば分散剤、充填剤、可塑剤、帯電防止剤等を挙げることができる。   Further, the adhesive layer may contain an additive other than the thermoplastic resin or the photosensitive resin. In the case of a thermoplastic resin, examples of the additive include a dispersant, a filler, a plasticizer, and an antistatic agent.

熱可塑性樹脂を用いる場合、接着層4は、図1に例示するように基材2上の全面に形成されていてもよく、図5(a)に例示するように基材2上にパターン状に形成されていてもよい。図5(a)に示すように接着層4が基材2上にパターン状に形成されている場合には、積層体1を部分的に転写しなくとも、図5(c)に示すように被転写基材11上に多孔性導電層3のパターンを転写することができる。   When a thermoplastic resin is used, the adhesive layer 4 may be formed on the entire surface of the base material 2 as illustrated in FIG. 1, and a pattern is formed on the base material 2 as illustrated in FIG. It may be formed. When the adhesive layer 4 is formed in a pattern on the substrate 2 as shown in FIG. 5A, as shown in FIG. 5C, even if the laminate 1 is not partially transferred. The pattern of the porous conductive layer 3 can be transferred onto the transfer substrate 11.

また、光照射により粘着性または接着性が低下する感光性樹脂を用いる場合、接着層4は、通常、図6(a)に例示するように基材2上の全面に形成される。
図6(a)〜(d)は本発明の積層体を用いた導電性基材の製造方法の他の例を示す工程図であり、接着層4に光照射により粘着性または接着性が低下する感光性樹脂を用いた例である。まず、図6(a)に示すように、基材2上に多孔性導電層3および接着層4が順に積層された積層体1を準備し、接着層4にフォトマスク15を介して光16をパターン状に照射し、接着層4の光照射部での粘着性または接着性を低下させ、低接着部4bを形成する。次に、図6(b)〜(c)に示すように、積層体1の接着層4と被転写基材11とが接するように配置し、密着させる。その後、図6(d)に示すように、基材2側を剥離する。接着層4は、光未照射部である接着部4aと、光照射部であり粘着性または接着性が低下した低接着部4bとを有するため、接着部4aでは被転写基材11との接着性が高くなるが、低接着部4bでは被転写基材11との接着性が低くなる。そのため、基材2側を剥離する際に、低接着部4bでは基材2とともに多孔性導電層3および接着層4が剥離し、接着部4aでは被転写基材11と接着して多孔性導電層3が転写される。これにより、接着層4および多孔性導電層3のパターンを有する導電性基材10が得られる。この場合にも、積層体1を部分的に転写しなくとも、被転写基材11上に多孔性導電層3のパターンを転写することができる。
Moreover, when using the photosensitive resin which adhesiveness or adhesiveness falls by light irradiation, the contact bonding layer 4 is normally formed in the whole surface on the base material 2 so that it may illustrate in Fig.6 (a).
FIGS. 6A to 6D are process diagrams showing another example of a method for producing a conductive substrate using the laminate of the present invention, and the adhesive layer 4 is reduced in adhesiveness or adhesiveness by light irradiation. This is an example using a photosensitive resin. First, as shown in FIG. 6A, a laminate 1 in which a porous conductive layer 3 and an adhesive layer 4 are sequentially laminated on a substrate 2 is prepared, and light 16 is passed through the photomask 15 to the adhesive layer 4. Is irradiated in a pattern to reduce the adhesiveness or adhesiveness of the light-irradiated portion of the adhesive layer 4 to form the low adhesive portion 4b. Next, as shown in FIGS. 6 (b) to 6 (c), the adhesive layer 4 of the laminate 1 and the transferred substrate 11 are arranged so as to be in contact with each other, and are brought into close contact with each other. Then, as shown in FIG.6 (d), the base material 2 side is peeled. Since the adhesive layer 4 includes an adhesive portion 4a that is a non-light-irradiated portion and a low-adhesion portion 4b that is a light-irradiated portion and has reduced adhesiveness or adhesiveness, the adhesive portion 4a adheres to the substrate 11 to be transferred. However, in the low adhesion part 4b, the adhesion to the transfer substrate 11 is lowered. Therefore, when the base material 2 side is peeled off, the porous conductive layer 3 and the adhesive layer 4 are peeled off together with the base material 2 at the low adhesion portion 4b, and the porous conductive material is adhered to the transferred substrate 11 at the adhesion portion 4a. Layer 3 is transferred. Thereby, the electroconductive base material 10 which has the pattern of the contact bonding layer 4 and the porous conductive layer 3 is obtained. Also in this case, the pattern of the porous conductive layer 3 can be transferred onto the transfer substrate 11 without partially transferring the laminate 1.

接着層の厚みとしては、本発明の積層体を被転写基材に転写する際に箔切れが可能な厚みであれば特に限定されるものではなく、転写方法や、被転写基材の種類等によって適宜選択される。具体的には、接着層の厚みは、0.1μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、1μm〜25μmの範囲内であることがより好ましい。接着層の厚みが薄すぎると、被転写基材との接着性が不十分になってしまう可能性がある。また、厚すぎると、本発明の積層体を転写する際に、接着層を加熱する温度が高くなりすぎてしまい、被転写基材等に損傷が生じてしまう可能性がある。また、例えば被転写基材が紙基材である場合、紙基材には種類によって転写しにくいものがあるが、その場合には転写性の観点から、接着層の厚みは上記範囲の中でも比較的厚いことが好ましい。また、例えば射出成形等の一体成形により本発明の積層体を被転写基材に転写する場合には、接着層の厚みは上記範囲の中でも比較的厚いことが好ましい。   The thickness of the adhesive layer is not particularly limited as long as the foil of the present invention can be cut when transferring the laminate of the present invention to the substrate to be transferred. The transfer method, the type of substrate to be transferred, etc. Is appropriately selected. Specifically, the thickness of the adhesive layer is preferably in the range of 0.1 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 1 μm to 25 μm. If the thickness of the adhesive layer is too thin, there is a possibility that the adhesion to the substrate to be transferred will be insufficient. On the other hand, if the thickness is too large, the temperature at which the adhesive layer is heated becomes too high when the laminate of the present invention is transferred, which may cause damage to the substrate to be transferred. For example, when the substrate to be transferred is a paper substrate, some paper substrates are difficult to transfer depending on the type. In that case, the thickness of the adhesive layer is compared in the above range from the viewpoint of transferability. It is preferable to be thick. Moreover, when transferring the laminated body of this invention to a to-be-transferred base material by integral molding, such as injection molding, it is preferable that the thickness of an contact bonding layer is comparatively thick also in the said range.

接着層の形成方法としては、例えば多孔性導電層上に樹脂組成物を塗布し、乾燥する方法が挙げられる。樹脂組成物の塗布方法としては、一般的な塗布方法から適宜選択して適用することができる。   Examples of the method for forming the adhesive layer include a method in which a resin composition is applied on a porous conductive layer and dried. As a coating method of the resin composition, it can be applied by appropriately selecting from general coating methods.

また、図5(b)に例示するように、接着層4上に非接着層5がパターン状に形成されていてもよい。この場合にも、積層体1を部分的に転写しなくとも、図5(c)に示すように被転写基材11上に多孔性導電層3のパターンを転写することができる。
非接着層の材料としては、例えば接着層が溶融する温度に対して溶融しない熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。
非接着層の厚みとしては、本発明の積層体を被転写基材に転写する際に、接着層と被転写基材とを接着させることが可能な厚みであればよく、転写方法や、被転写基材の種類等によって適宜選択される。具体的には、非接着層の厚みは、100nm〜3μmの範囲内であることが好ましい。
非接着層の形成方法としては、例えば接着層上に樹脂組成物をパターン状に塗布し、乾燥し、必要に応じて硬化する方法が挙げられる。樹脂組成物の塗布方法としては、一般的な塗布方法から適宜選択して適用することができる。
Further, as illustrated in FIG. 5B, the non-adhesive layer 5 may be formed in a pattern on the adhesive layer 4. Also in this case, the pattern of the porous conductive layer 3 can be transferred onto the transfer substrate 11 as shown in FIG.
Examples of the material for the non-adhesive layer include a thermoplastic resin that does not melt at a temperature at which the adhesive layer melts, a thermosetting resin, and a photocurable resin.
The thickness of the non-adhesive layer may be any thickness that allows the adhesive layer and the substrate to be transferred to be bonded when the laminate of the present invention is transferred to the substrate to be transferred. It is appropriately selected depending on the type of transfer substrate. Specifically, the thickness of the non-adhesive layer is preferably in the range of 100 nm to 3 μm.
Examples of the method for forming the non-adhesive layer include a method in which the resin composition is applied in a pattern on the adhesive layer, dried, and cured as necessary. As a coating method of the resin composition, it can be applied by appropriately selecting from general coating methods.

3.基材
本発明に用いられる基材は、上記の多孔性導電層および接着層を支持するものである。
基材としては、上記多孔性導電層を形成可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ガラス基板、セラミックス基板等の無機基材や、金属基材、樹脂基材、紙基材等を用いることができる。
中でも、基材は樹脂基材であることが好ましい。本発明においては、金属粒子を低温で焼結して多孔性導電層を形成することができるため、基材に損傷を与えることが少なく、耐熱性の高い基材を用いる必要はなく、耐熱性の低い基材も使用することができる。特に、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材を用いることができる点で非常に有用である。
3. Base material The base material used for this invention supports said porous conductive layer and contact bonding layer.
The substrate is not particularly limited as long as the porous conductive layer can be formed. Examples thereof include inorganic substrates such as glass substrates and ceramic substrates, metal substrates, resin substrates, and paper substrates. A material etc. can be used.
Especially, it is preferable that a base material is a resin base material. In the present invention, since the porous conductive layer can be formed by sintering metal particles at a low temperature, it is less likely to damage the substrate, and it is not necessary to use a highly heat-resistant substrate. A low substrate can also be used. In particular, it is very useful in that an inexpensive general-purpose plastic resin substrate such as polyethylene terephthalate can be used.

樹脂基材としては、一般的な樹脂基材を用いることができる。樹脂基材の好適な具体例としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ガラス−エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリノルボルネン等のポリシクロオレフィン、液晶性高分子化合物等の樹脂フィルムが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材が好適である。   A general resin substrate can be used as the resin substrate. Preferred examples of the resin substrate include polyimide, polyamide, polyamideimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether sulfone, polycarbonate, polyether imide, epoxy resin, phenol resin, and glass. -Resin films such as epoxy resins, polyphenylene ethers, acrylic resins, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polycycloolefins such as polynorbornene, and liquid crystalline polymer compounds. Among them, an inexpensive general-purpose plastic resin base material such as polyethylene terephthalate is preferable.

基材は可撓性を有していてもよく剛性を有していてもよく、本発明の積層体を被転写基材に転写する方法等に応じて適宜選択される。中でも、基材は可撓性を有することが好ましく、上述の理由から、可撓性を有する樹脂基材であることがより好ましい。   The substrate may be flexible or rigid, and is appropriately selected according to the method for transferring the laminate of the present invention to the substrate to be transferred. Especially, it is preferable that a base material has flexibility, and it is more preferable that it is a resin base material which has flexibility from the reason mentioned above.

また、基材の表面には、離型層が形成されていてもよく、離型処理が施されていてもよい。基材と多孔性導電層または保護層との剥離が容易となるからである。
離型層の材料としては、例えばフッ素系離型剤、シリコーン系離型剤、ワックス系離型剤等が挙げられる。離型層の形成方法としては、例えば離型剤をディップコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法により塗布する方法が挙げられる。
また、離型処理としては、例えばフッ素処理、シリコーン処理等の表面処理が挙げられる。
Further, a release layer may be formed on the surface of the substrate, or a release treatment may be performed. This is because peeling between the substrate and the porous conductive layer or the protective layer becomes easy.
Examples of the material for the release layer include a fluorine release agent, a silicone release agent, and a wax release agent. Examples of the method for forming the release layer include a method in which a release agent is applied by a coating method such as dip coating, spray coating, or roll coating.
Examples of the mold release treatment include surface treatment such as fluorine treatment and silicone treatment.

基材の厚みとしては、特に限定されるものではないが、無機基材の場合には、通常0.1mm〜10mm程度であり、好ましくは0.5mm〜5mmの範囲内である。一方、樹脂基材の場合には、基材の厚みは、通常1.0μm〜1000μm程度である。樹脂基材の厚みが上記範囲内であると、多孔性導電層を形成する際に基材の変形が抑制され、形成される多孔性導電層の形状安定性の点で好適であり、また巻き取り加工を連続して行う場合に柔軟性の点で好適である。   Although it does not specifically limit as thickness of a base material, In the case of an inorganic base material, it is about 0.1 mm-10 mm normally, Preferably it exists in the range of 0.5 mm-5 mm. On the other hand, in the case of a resin base material, the thickness of the base material is usually about 1.0 μm to 1000 μm. When the thickness of the resin base material is within the above range, deformation of the base material is suppressed when forming the porous conductive layer, which is preferable in terms of shape stability of the formed porous conductive layer. This is preferable in terms of flexibility when the machining is performed continuously.

4.その他の構成
本発明の積層体は、上記の基材、多孔性導電層および接着層以外に、必要に応じて他の構成を有していてもよい。例えば、基材の多孔性導電層の形成面とは反対側の面に帯電防止層、耐熱保護層、耐擦層、滑性層等が設けられていてもよい。また、基材と多孔性導電層との間に保護層が形成されていてもよい。以下、保護層について説明する。
4). Other Configurations The laminate of the present invention may have other configurations as necessary in addition to the above-described base material, porous conductive layer, and adhesive layer. For example, an antistatic layer, a heat-resistant protective layer, a friction-resistant layer, a slipping layer, or the like may be provided on the surface of the substrate opposite to the surface on which the porous conductive layer is formed. Moreover, the protective layer may be formed between the base material and the porous conductive layer. Hereinafter, the protective layer will be described.

(保護層)
本発明においては、図7(a)に例示するように、基材2と多孔性導電層3との間に保護層6が形成されていてもよい。保護層6は、図7(b)に示すように、多孔性導電層3が積層体1から被転写基材11へと転写された後は、導電性基材10の最外層となるため、摩耗や光、薬品等から多孔性導電層3を保護することができる。また、絶縁性を有する保護層とすることにより、多孔性導電層を絶縁することができる。
(Protective layer)
In the present invention, as illustrated in FIG. 7A, a protective layer 6 may be formed between the base material 2 and the porous conductive layer 3. As shown in FIG. 7B, the protective layer 6 is the outermost layer of the conductive substrate 10 after the porous conductive layer 3 is transferred from the laminate 1 to the transfer substrate 11, The porous conductive layer 3 can be protected from abrasion, light, chemicals, and the like. Moreover, a porous conductive layer can be insulated by setting it as the protective layer which has insulation.

保護層の材料としては、多孔性導電層を保護することができ、絶縁性を有するものであればよく、例えば紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等が挙げられる。また、保護層は、フィラーをさらに含有していてもよい。
また、保護層として、保護フィルムを用いてもよい。
The material of the protective layer may be any material that can protect the porous conductive layer and has an insulating property, and examples thereof include an ultraviolet curable resin and an electron beam curable resin. The protective layer may further contain a filler.
Moreover, you may use a protective film as a protective layer.

保護層の形成方法としては、例えば基材上に硬化性樹脂組成物を塗布し、乾燥する方法が挙げられる。硬化性樹脂組成物の塗布方法としては、例えばグラビアコート法、ロールコート法、コンマコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、グラビアリバースロールコーティング法等が挙げられる。
保護層として保護フィルムを用いる場合には、基材と保護フィルムとを弱粘着層を介して貼り合わせることができる。弱粘着層は、基材を剥離する際に、基材とともに弱粘着層も剥離可能なものであることが好ましい。
As a formation method of a protective layer, the method of apply | coating curable resin composition on a base material, and drying is mentioned, for example. Examples of the method for applying the curable resin composition include a gravure coating method, a roll coating method, a comma coating method, a gravure printing method, a screen printing method, and a gravure reverse roll coating method.
When a protective film is used as the protective layer, the substrate and the protective film can be bonded together via a weak adhesive layer. When the weak adhesive layer is peeled off, the weak adhesive layer is preferably peelable together with the base material.

保護層の厚みは、0.5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、3μm〜15μmの範囲内であることがより好ましい。保護層の厚みが上記範囲内であると、優れた高硬度性、耐スクラッチ性、耐薬品性および耐汚染性等の表面物性が得られ、さらに優れた成形性および形状追従性を得ることができる。   The thickness of the protective layer is preferably in the range of 0.5 μm to 30 μm, and more preferably in the range of 3 μm to 15 μm. When the thickness of the protective layer is within the above range, surface properties such as excellent high hardness, scratch resistance, chemical resistance and stain resistance can be obtained, and further excellent moldability and shape followability can be obtained. it can.

5.用途
本発明の積層体は、後述するように導電性基材の作製に用いることができ、例えば、プリント配線基板、電磁波シールド材、アンテナ、パワー半導体、ノイズフィルタ、コンデンサ電極、各種センサー用電極(タッチセンサー、バイオセンサー、温度センサー、ガスセンサー、光センサー、圧力センサー、フローセンサー)、ディスプレイ用電極、太陽電池用電極、ICカード、RFID等の作製、および接合材、コネクタ材に利用することができる。
また、本発明の積層体は、非接触型ICカードに記録された情報の不正読み取りを防止するための電磁波シールド層、共振周波数を変調させるための導電層として使用することができる。例えば、カードの一部に多孔性導電層を付与して読み取りができない状態として輸送し、使用時に接着層ごとスクラッチして取り除くことが可能である。本発明の積層体は、多孔性導電層を有するので、接着層の粘着力を制御することで、スクラッチで容易に剥離させることが可能である。
また、本発明の積層体は、多孔性導電層の色や光沢を活かした意匠、デザイン、文字等の形成にも利用できる。
5. Applications The laminate of the present invention can be used for the production of conductive substrates as described later. For example, printed wiring boards, electromagnetic shielding materials, antennas, power semiconductors, noise filters, capacitor electrodes, various sensor electrodes ( Touch sensors, biosensors, temperature sensors, gas sensors, optical sensors, pressure sensors, flow sensors), display electrodes, solar cell electrodes, IC cards, RFID, etc., as well as bonding materials and connector materials it can.
The laminate of the present invention can be used as an electromagnetic wave shielding layer for preventing unauthorized reading of information recorded on a non-contact type IC card and a conductive layer for modulating the resonance frequency. For example, a porous conductive layer can be applied to a part of the card and transported in a state where reading cannot be performed, and the adhesive layer can be scratched and removed at the time of use. Since the laminate of the present invention has a porous conductive layer, it can be easily peeled off by scratching by controlling the adhesive force of the adhesive layer.
The laminate of the present invention can also be used to form designs, designs, characters, etc. that take advantage of the color and gloss of the porous conductive layer.

B.導電性基材の製造方法
本発明の導電性基材の製造方法は、2つの実施態様を有する。以下、各実施態様に分けて説明する。
B. The manufacturing method of an electroconductive base material The manufacturing method of the electroconductive base material of this invention has two embodiments. In the following, each embodiment will be described separately.

1.第1実施態様
本実施態様の導電性基材の製造方法は、上述の積層体を準備する準備工程と、被転写基材上に上記積層体の接着層および多孔性導電層を転写する転写工程とを有することを特徴とする製造方法である。
1. 1st embodiment The manufacturing method of the electroconductive base material of this embodiment is the preparation process which prepares the above-mentioned laminated body, and the transcription | transfer process which transfers the contact bonding layer and porous conductive layer of the said laminated body on a to-be-transferred base material. It is a manufacturing method characterized by having.

図2(a)〜(c)および図3(a)〜(c)は本実施態様の導電性基材の製造方法の一例を示す工程図である。なお、図2(a)〜(c)および図3(a)〜(c)については、上記「A.積層体」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。   2 (a) to 2 (c) and FIGS. 3 (a) to 3 (c) are process diagrams showing an example of a method for producing a conductive substrate according to the present embodiment. 2 (a) to 2 (c) and FIGS. 3 (a) to 3 (c) have been described in detail in the above “A. Laminate”, description thereof is omitted here.

本実施態様においては、多孔性導電層の孔の内部に、接着層由来の成分、例えば接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができ、見かけ上、多孔性導電層および接着層由来の成分の混合物となることで、熱拡散を起こりにくくすることができる。したがって、転写工程では、熱が逃げにくいため、過剰に加熱する必要がなく、熱転写に有利である。   In this embodiment, the component derived from the adhesive layer, for example, the resin contained in the adhesive layer can be introduced into the pores of the porous conductive layer, and apparently the component derived from the porous conductive layer and the adhesive layer By becoming a mixture, thermal diffusion can be made difficult to occur. Therefore, in the transfer step, heat is difficult to escape, so there is no need to heat excessively, which is advantageous for thermal transfer.

また本実施態様においては、上述したように、多孔性導電層の孔の内部に接着層由来の成分を入り込ませることができ、多孔性導電層および接着層の密着性を高めることができる。したがって、転写工程では、被転写基材上に接着層および多孔性導電層を良好に転写することができ、優れた転写性を得ることができる。   Moreover, in this embodiment, as above-mentioned, the component derived from an contact bonding layer can be made into the inside of the hole of a porous conductive layer, and the adhesiveness of a porous conductive layer and an contact bonding layer can be improved. Therefore, in the transfer step, the adhesive layer and the porous conductive layer can be satisfactorily transferred onto the transfer substrate, and excellent transferability can be obtained.

また本実施態様においては、上述したように、多孔性導電層の孔の内部に接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができるため、転写工程では、多孔性導電層を接着層に含まれる樹脂で保護することができ、多孔性導電層の酸化を抑制することができる。したがって、転写工程における多孔性導電層の導電性の低下を抑制することができる。   In this embodiment, as described above, since the resin contained in the adhesive layer can enter the pores of the porous conductive layer, in the transfer step, the resin contained in the adhesive layer is the porous conductive layer. And the oxidation of the porous conductive layer can be suppressed. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in conductivity of the porous conductive layer in the transfer process.

また本実施態様においては、積層体が多孔性導電層を有するため、箔切れ性が良好であり、被転写基材上に積層体の接着層および多孔性導電層を良好に転写することができる。さらに、図3(a)〜(c)に例示するように、積層体の接着層および多孔性導電層のパターンを被転写基材上に転写する場合には、解像度良く転写することができる。   Moreover, in this embodiment, since the laminate has a porous conductive layer, the foil cutting property is good, and the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate can be satisfactorily transferred onto the substrate to be transferred. . Furthermore, as illustrated in FIGS. 3A to 3C, when the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate is transferred onto the transfer substrate, it can be transferred with high resolution.

また、被転写基材上に接着層および多孔性導電層を転写するため、被転写基材として、従来では多孔性導電層を形成することが困難であった基材も用いることができる。そのため、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材や、紙基材等の被転写基材上に多孔性導電層が形成された導電性基材を得ることができる。さらには、立体物である被転写基材への多孔性導電層の形成も可能である。また、被転写基材上に接着層および多孔性導電層を転写するだけで、容易に導電性基材を作製することができる。   In addition, since the adhesive layer and the porous conductive layer are transferred onto the substrate to be transferred, a substrate that has conventionally been difficult to form a porous conductive layer can also be used as the substrate to be transferred. Therefore, an inexpensive general-purpose plastic resin base material such as polyethylene terephthalate or a conductive base material in which a porous conductive layer is formed on a transfer base material such as a paper base material can be obtained. Furthermore, it is also possible to form a porous conductive layer on a substrate to be transferred that is a three-dimensional object. Moreover, a conductive base material can be easily produced only by transferring an adhesive layer and a porous conductive layer onto a transfer target base material.

また本実施態様においては、金属粒子を低温で焼結して多孔性導電層を形成することができるため、積層体の基材として、耐熱性の高い基材を用いる必要はなく、耐熱性の低い基材も使用することができる。特に、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材を用いることができる。したがって、製造コストを削減することができる。   In this embodiment, since the porous conductive layer can be formed by sintering metal particles at a low temperature, it is not necessary to use a highly heat-resistant substrate as the substrate of the laminate. Low substrates can also be used. In particular, an inexpensive general-purpose plastic resin substrate such as polyethylene terephthalate can be used. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.

以下、本実施態様の導電性基材の製造方法における各工程について説明する。   Hereinafter, each process in the manufacturing method of the electroconductive base material of this embodiment is demonstrated.

(1)準備工程
本実施態様における準備工程は、上述の積層体を準備する工程である。
なお、積層体については、上記「A.積層体」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
(1) Preparation process The preparation process in this embodiment is a process of preparing the above-mentioned laminated body.
In addition, since it described in detail in said "A. laminated body" about the laminated body, description here is abbreviate | omitted.

(2)転写工程
本実施態様における転写工程は、被転写基材上に上記積層体の接着層および多孔性導電層を転写する工程である。
(2) Transfer process The transfer process in this embodiment is a process of transferring the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate onto the transfer substrate.

被転写基材としては、接着層を介して多孔性導電層を転写することができるものであれば特に限定されるものではなく、導電性基材の用途等に応じて適宜選択される。例えば、樹脂基材、紙基材、ガラス基材、金属基材等が挙げられる。   The substrate to be transferred is not particularly limited as long as the porous conductive layer can be transferred through the adhesive layer, and is appropriately selected depending on the use of the conductive substrate. For example, a resin base material, a paper base material, a glass base material, a metal base material, etc. are mentioned.

被転写基材上に積層体の接着層および多孔性導電層を転写する方法としては、被転写基材上の所定の位置に接着層を接着させることができる方法であれば特に限定されるものではなく、接着層の材料に応じて適宜選択される。   The method for transferring the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate onto the substrate to be transferred is particularly limited as long as the method can adhere the adhesive layer to a predetermined position on the substrate to be transferred. Instead, it is appropriately selected according to the material of the adhesive layer.

熱可塑性樹脂を用いる場合、熱転写方法としては、例えば加熱ローラーまたはホットスタンプを用いる方法、熱プレスする方法等が挙げられる。
また、熱転写方法としては、図8(a)〜(d)に例示するような成形型を用いる方法も挙げられる。図8(a)〜(d)に示す導電性基材の製造方法においては、まず、図8(a)に示すような積層体1を準備する。なお、積層体1は、図1に示す積層体1と同様である。次に、図8(a)に示すように、積層体1の接着層4と被転写基材11とが接するように積層し、積層体1および被転写基材11を、積層体1の基材2が上型23と対向し、被転写基材11が下型24と対向するように上型23および下型24を有する成形型に配置する。続いて、図8(b)に示すように、成形型を加熱しながら型締めして、積層体1および被転写基材11を成形すると同時に、被転写基材11に積層体1を熱転写する。これにより、被転写基材11と積層体1とを一体化させる。次いで、図8(c)に示すように、一体化した積層体1と被転写基材11とを成形型から取り出し、図8(d)に示すように、積層体1から基材2を剥離する。これにより、被転写基材11上に接着層4および多孔性導電層3が順に積層された導電性基材10が得られる。
In the case of using a thermoplastic resin, examples of the thermal transfer method include a method using a heating roller or a hot stamp, a hot pressing method, and the like.
Examples of the thermal transfer method include a method using a mold as illustrated in FIGS. In the manufacturing method of the electroconductive base material shown to Fig.8 (a)-(d), the laminated body 1 as shown to Fig.8 (a) is prepared first. In addition, the laminated body 1 is the same as the laminated body 1 shown in FIG. Next, as shown in FIG. 8A, the laminated body 1 is laminated so that the adhesive layer 4 and the transferred substrate 11 are in contact with each other, and the laminated body 1 and the transferred substrate 11 are bonded to the base of the laminated body 1. The material 2 is arranged in a molding die having the upper die 23 and the lower die 24 so that the material 2 faces the upper die 23 and the transferred substrate 11 faces the lower die 24. Subsequently, as shown in FIG. 8B, the mold 1 is heated and clamped to mold the laminate 1 and the transfer substrate 11, and at the same time, the laminate 1 is thermally transferred to the transfer substrate 11. . Thereby, the to-be-transferred base material 11 and the laminated body 1 are integrated. Next, as shown in FIG. 8 (c), the integrated laminate 1 and the substrate 11 to be transferred are taken out from the mold, and the substrate 2 is peeled from the laminate 1 as shown in FIG. 8 (d). To do. As a result, the conductive base material 10 in which the adhesive layer 4 and the porous conductive layer 3 are sequentially laminated on the transfer base material 11 is obtained.

また、熱可塑性樹脂を用いる場合において、図3(a)〜(c)に例示するように、被転写基材上に接着層および多孔性導電層のパターンを熱転写する場合には、熱転写方法としては、例えばレーザー光線またはサーマルヘッドを用いる方法が挙げられる。   In the case of using a thermoplastic resin, as illustrated in FIGS. 3A to 3C, when the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer is thermally transferred onto the substrate to be transferred, a thermal transfer method is used. Examples of the method include a method using a laser beam or a thermal head.

また、光照射により粘着性または接着性が低下する感光性樹脂を用いる場合、例えば積層体の接着層に光をパターン状に照射し、積層体および被転写基材を密着させ、基材側を剥離する方法が挙げられる。例えば図6(a)〜(d)に示すような転写方法を適用することができる。この場合、被転写基材上に接着層および多孔性導電層のパターンを転写することができる。なお、図6(a)〜(d)に示す導電性基材の製造方法については、上記「A.積層体」に記載したので、ここでの説明は省略する。
接着層に光をパターン状に照射する方法としては、例えばフォトマスクを用いる方法、レーザー等を用いて光を描画する方法等が挙げられる。
接着層に照射する光としては、接着層の粘着性または接着性を低下させることができる光であれば特に限定されるものではなく、感光性樹脂の種類に応じて適宜選択される。例えば紫外線、可視光線、赤外線等を用いることができる。
積層体および被転写基材を密着させる方法としては、例えば圧力をかける方法、加熱しながら圧力をかける方法等が挙げられる。
In addition, when using a photosensitive resin whose adhesiveness or adhesiveness is reduced by light irradiation, for example, light is applied in a pattern to the adhesive layer of the laminate, and the laminate and the substrate to be transferred are brought into close contact with each other. The method of peeling is mentioned. For example, a transfer method as shown in FIGS. 6A to 6D can be applied. In this case, the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer can be transferred onto the transfer substrate. In addition, since it described in the said "A. laminated body" about the manufacturing method of the electroconductive base material shown to Fig.6 (a)-(d), description here is abbreviate | omitted.
Examples of the method of irradiating the adhesive layer with light in a pattern include a method using a photomask, a method of drawing light using a laser, and the like.
The light applied to the adhesive layer is not particularly limited as long as it can reduce the tackiness or adhesiveness of the adhesive layer, and is appropriately selected according to the type of the photosensitive resin. For example, ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, etc. can be used.
Examples of the method for bringing the laminate and the substrate to be transferred into close contact include a method of applying pressure and a method of applying pressure while heating.

被転写基材上に接着層および多孔性導電層を転写する際には、被転写基材上に接着層および多孔性導電層のパターンを転写してもよい。被転写基材上に多孔性導電層のパターンが形成された導電性基材を得ることができる。   When the adhesive layer and the porous conductive layer are transferred onto the transfer substrate, the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer may be transferred onto the transfer substrate. A conductive substrate in which a pattern of a porous conductive layer is formed on a transfer substrate can be obtained.

熱可塑性樹脂を用いる場合において、被転写基材上に接着層および多孔性導電層のパターンを熱転写する場合には、上述のようにレーザー光線またはサーマルヘッドを用いる方法を適用してもよく、また図5(a)に例示するような接着層4が予めパターン状に形成された積層体1を用いてもよく、図5(b)に例示するような接着層4上に非接着層5がパターン状に形成された積層体1を用いてもよい。
また、被転写基材上に多孔性導電層のパターンを熱転写する場合には、上記の他にも、図4(a)に例示するような多孔性導電層3が予めパターン状に形成された積層体1を用いてもよい。
In the case of using a thermoplastic resin, when the adhesive layer and the porous conductive layer pattern are thermally transferred onto the substrate to be transferred, the method using a laser beam or a thermal head as described above may be applied. The laminate 1 in which the adhesive layer 4 exemplified in 5 (a) is previously formed in a pattern may be used, and the non-adhesive layer 5 is patterned on the adhesive layer 4 exemplified in FIG. 5 (b). You may use the laminated body 1 formed in the shape.
In addition, in the case where the pattern of the porous conductive layer is thermally transferred onto the substrate to be transferred, in addition to the above, the porous conductive layer 3 as illustrated in FIG. The laminate 1 may be used.

また、図8(a)〜(d)に例示するような成形型を用いる方法の場合、積層体および被転写基材を成形型に配置する際には、成形型に積層体および被転写基材を真空吸引して、積層体および被転写基材が成形型の形状に沿うようにしてもよく、また積層体および被転写基材を積層させた後、加熱して、軟化した状態で成形型で挟み込んでもよい。   Further, in the case of a method using a mold as illustrated in FIGS. 8A to 8D, when the laminate and the substrate to be transferred are arranged in the mold, the laminate and the transferred group are placed on the mold. The material may be vacuum-sucked so that the laminate and the substrate to be transferred conform to the shape of the mold, or the laminate and the substrate to be transferred are laminated and then heated and molded in a softened state. It may be sandwiched between molds.

被転写基材上に積層体の接着層を接着させた後は、通常、積層体を基材側から物理的に引き離すことにより、被転写基材上に接着層が接着された領域では多孔性導電層から基材を剥離することができる。
また、図8(a)〜(d)に例示するような成形型を用いる方法の場合において、枚葉の積層体の場合には、積層体と被転写基材とが一体化した成形品を成形型から取り出した後に、成形品から積層体の基材を剥離する。また、長尺の積層体の場合には、積層体と被転写基材とが一体化した成形品を成形型から取り出す際に、積層体から基材が剥離する。
After adhering the adhesive layer of the laminate on the substrate to be transferred, it is usually porous in the area where the adhesive layer is adhered on the substrate to be transferred by physically separating the laminate from the substrate side. The substrate can be peeled from the conductive layer.
Further, in the case of a method using a mold as illustrated in FIGS. 8A to 8D, in the case of a single-wafer laminate, a molded product in which the laminate and the substrate to be transferred are integrated. After taking out from a shaping | molding die, the base material of a laminated body is peeled from a molded article. In the case of a long laminate, the substrate is peeled from the laminate when a molded product in which the laminate and the transferred substrate are integrated is taken out of the mold.

2.第2実施態様
本実施態様の導電性基材の製造方法は、上述の積層体を準備する準備工程と、上記積層体を成形型に配置し、上記成形型内に被転写基材用溶融樹脂を射出し、固化させて、被転写基材を成形すると同時に、上記被転写基材に上記積層体を転写する成形および転写工程と、上記積層体の基材を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする製造方法である。
2. Second Embodiment A method for producing a conductive substrate according to the present embodiment includes a preparation step for preparing the above-described laminate, and arranging the laminate in a molding die, and a molten resin for a substrate to be transferred in the molding die. Injection and solidification to form a substrate to be transferred, and at the same time, a molding and transfer step for transferring the laminate to the substrate to be transferred, and a peeling step for peeling the substrate of the laminate Is a manufacturing method characterized by

本実施態様の導電性基材の製造方法について図面を参照して説明する。
図9(a)〜(d)は本実施態様の導電性基材の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図9(a)に示すような積層体1を準備する。なお、積層体1は、図1に示す積層体1と同様である。次に、図9(a)に示すように、積層体1を、基材2が固定型21と対向するように固定型21および可動型22を有する成形型に配置する。続いて、図9(b)に示すように、成形型を型締めし、成形型内に被転写基材用溶融樹脂11aを射出し、冷却、固化して、被転写基材を成形すると同時に、被転写基材に積層体1を転写する。これにより、樹脂成形体である被転写基材と積層体1とを積層し、一体化させる。次いで、図9(c)に示すように、一体化した積層体1と被転写基材11とを成形型から取り出し、図9(d)に示すように、積層体1から基材2を剥離する。これにより、被転写基材11上に接着層4および多孔性導電層3が順に積層された導電性基材10が得られる。
The manufacturing method of the electroconductive base material of this embodiment is demonstrated with reference to drawings.
9A to 9D are process diagrams showing an example of a method for producing a conductive substrate according to this embodiment. First, the laminated body 1 as shown to Fig.9 (a) is prepared. In addition, the laminated body 1 is the same as the laminated body 1 shown in FIG. Next, as shown in FIG. 9A, the laminate 1 is placed in a forming die having a fixed die 21 and a movable die 22 so that the base material 2 faces the fixed die 21. Subsequently, as shown in FIG. 9 (b), the mold is clamped, the transfer substrate molten resin 11a is injected into the mold, cooled and solidified, and simultaneously with the molding of the transfer substrate. Then, the laminate 1 is transferred to the substrate to be transferred. Thereby, the to-be-transferred base material which is a resin molding, and the laminated body 1 are laminated | stacked and integrated. Next, as shown in FIG. 9 (c), the integrated laminate 1 and the substrate to be transferred 11 are taken out of the mold, and the substrate 2 is peeled from the laminate 1 as shown in FIG. 9 (d). To do. As a result, the conductive base material 10 in which the adhesive layer 4 and the porous conductive layer 3 are sequentially laminated on the transfer base material 11 is obtained.

本実施態様においては、多孔性導電層の孔の内部に、接着層由来の成分、例えば接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができ、見かけ上、多孔性導電層および接着層由来の成分の混合物となることで、熱拡散を起こりにくくすることができる。したがって、成形および転写工程では、熱が逃げにくいため、過剰に加熱する必要がなく、転写に有利である。   In this embodiment, the component derived from the adhesive layer, for example, the resin contained in the adhesive layer can be introduced into the pores of the porous conductive layer, and apparently the component derived from the porous conductive layer and the adhesive layer By becoming a mixture, thermal diffusion can be made difficult to occur. Therefore, in the molding and transfer process, heat does not easily escape, so it is not necessary to heat excessively, which is advantageous for transfer.

また本実施態様においては、上述したように、多孔性導電層の孔の内部に接着層由来の成分を入り込ませることができ、多孔性導電層および接着層の密着性を高めることができる。したがって、成形および転写工程では、被転写基材上に接着層および多孔性導電層を良好に転写することができ、優れた転写性を得ることができる。   Moreover, in this embodiment, as above-mentioned, the component derived from an contact bonding layer can be made into the inside of the hole of a porous conductive layer, and the adhesiveness of a porous conductive layer and an contact bonding layer can be improved. Therefore, in the molding and transfer process, the adhesive layer and the porous conductive layer can be satisfactorily transferred onto the transfer substrate, and excellent transferability can be obtained.

また本実施態様においては、上述したように、多孔性導電層の孔の内部に接着層に含まれる樹脂を入り込ませることができるため、成形および転写工程では、多孔性導電層を接着層に含まれる樹脂で保護することができ、多孔性導電層の酸化を抑制することができる。したがって、成形および転写工程における多孔性導電層の導電性の低下を抑制することができる。   In this embodiment, as described above, since the resin contained in the adhesive layer can enter the pores of the porous conductive layer, the porous conductive layer is included in the adhesive layer in the molding and transfer process. It is possible to protect the porous conductive layer from being oxidized. Therefore, it is possible to suppress a decrease in conductivity of the porous conductive layer in the molding and transfer process.

また本実施態様においては、樹脂成形体である被転写基材と積層体とを積層し、一体化させるため、立体物である被転写基材への多孔性導電層の形成が可能である。   Moreover, in this embodiment, since the to-be-transferred base material and laminated body which are resin moldings are laminated | stacked and integrated, formation of the porous conductive layer to the to-be-transferred base material which is a three-dimensional object is possible.

また本実施態様においては、積層体が多孔性導電層を有するため、箔切れ性および解像度が良好である。そのため、例えば図5(a)、(b)に示すような積層体1を用いる場合には、箔切れ性良く、また解像度良く転写することができる。   Moreover, in this embodiment, since a laminated body has a porous conductive layer, foil cutting property and resolution are favorable. Therefore, for example, when the laminate 1 as shown in FIGS. 5A and 5B is used, the transfer can be performed with good foil breakage and with high resolution.

また本実施態様においては、金属粒子を低温で焼結して多孔性導電層を形成することができるため、積層体の基材として、耐熱性の高い基材を用いる必要はなく、耐熱性の低い基材も使用することができる。特に、ポリエチレンテレフタレート等の安価な汎用プラスチックの樹脂基材を用いることができる。したがって、製造コストを削減することができる。   In this embodiment, since the porous conductive layer can be formed by sintering metal particles at a low temperature, it is not necessary to use a highly heat-resistant substrate as the substrate of the laminate. Low substrates can also be used. In particular, an inexpensive general-purpose plastic resin substrate such as polyethylene terephthalate can be used. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.

以下、本実施態様の導電性基材の製造方法における各工程について説明する。   Hereinafter, each process in the manufacturing method of the electroconductive base material of this embodiment is demonstrated.

(1)準備工程
本実施態様における準備工程は、上述の積層体を準備する工程である。
なお、積層体については、上記「A.積層体」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
本実施態様においては、接着層の材料には熱可塑性樹脂が用いられる。
(1) Preparation process The preparation process in this embodiment is a process of preparing the above-mentioned laminated body.
In addition, since it described in detail in said "A. laminated body" about the laminated body, description here is abbreviate | omitted.
In this embodiment, a thermoplastic resin is used as the material for the adhesive layer.

(2)成形および転写工程
本実施態様における成形および転写工程は、上記積層体を成形型に配置し、上記成形型内に被転写基材用溶融樹脂を射出し、固化させて、被転写基材を成形すると同時に、上記被転写基材に上記積層体を転写する工程である。
(2) Molding and transfer step In the molding and transfer step in this embodiment, the laminate is placed in a molding die, a molten resin for a substrate to be transferred is injected into the molding die, solidified, and a transferred group. At the same time as molding the material, the laminate is transferred to the substrate to be transferred.

積層体を成形型に配置する際には、成形型内に被転写基材用溶融樹脂を射出したときに接着層が被転写基材用溶融樹脂と接するように、積層体を配置する。この際、成形型には、枚葉の積層体を配置してもよく、長尺の積層体の所定の領域を間欠的に挿入してもよい。   When the laminated body is arranged in the mold, the laminated body is arranged so that the adhesive layer contacts the molten resin for the transferred substrate when the molten resin for the transferred substrate is injected into the mold. At this time, a sheet stack may be disposed in the mold, and a predetermined region of the long stack may be inserted intermittently.

積層体を成形型に配置する際には、加熱して積層体を成形型に密着させてもよい。この際、成形型を加熱し、成形型に積層体を真空吸引して密着させてもよく、また積層体を加熱して、積層体が成形型の形状に沿うように予備成形し、成形型に積層体を密着させてもよい。
後者の場合、加熱温度は、積層体の基材のガラス転移温度以上、かつ、溶融温度または融点未満であることが好ましく、基材のガラス転移温度近傍の温度とすることがより好ましい。なお、ガラス転移温度近傍とは、ガラス転移温度±5℃の範囲をいう。
When placing the laminate on the mold, it may be heated to bring the laminate into close contact with the mold. At this time, the mold may be heated and the laminate may be vacuum-adhered to the mold, and the laminate may be heated and preformed so that the laminate conforms to the shape of the mold. You may make a laminated body closely_contact | adhere.
In the latter case, the heating temperature is preferably equal to or higher than the glass transition temperature of the substrate of the laminate and less than the melting temperature or the melting point, and more preferably a temperature near the glass transition temperature of the substrate. The vicinity of the glass transition temperature means a range of glass transition temperature ± 5 ° C.

被転写基材用溶融樹脂としては、射出成形可能な熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いることができる。なお、熱硬化性樹脂は、2液硬化性樹脂を含む。被転写基材用溶融樹脂は1種単独で用いてもよく2種以上を用いてもよい。   As the molten resin for the substrate to be transferred, a thermoplastic resin and a thermosetting resin that can be injection-molded can be used. The thermosetting resin includes a two-component curable resin. As the molten resin for a substrate to be transferred, one kind may be used alone, or two or more kinds may be used.

被転写基材用溶融樹脂が熱可塑性樹脂の場合は、熱可塑性樹脂を加熱溶融によって流動状態で射出し、冷却して固化させる。また、被転写基材用溶融樹脂が熱硬化性樹脂の場合は、未硬化の樹脂組成物を適宜加熱して流動状態で射出し、加熱して固化させる。これにより、積層体が成形された被転写基材と一体化する。
被転写基材用溶融樹脂の加熱温度は、被転写基材用溶融樹脂の種類に応じて異なるが、例えば80℃〜280℃程度である。
In the case where the molten resin for the substrate to be transferred is a thermoplastic resin, the thermoplastic resin is injected in a fluid state by heating and melting, and is cooled and solidified. Further, when the molten resin for a substrate to be transferred is a thermosetting resin, the uncured resin composition is appropriately heated, injected in a fluid state, and heated to be solidified. Thereby, the laminated body is integrated with the molded substrate.
The heating temperature of the transferred resin for the transfer substrate is different depending on the type of the transfer resin for the transfer substrate, but is, for example, about 80 ° C. to 280 ° C.

被転写基材に積層体を転写する際には、被転写基材に接着層および多孔性導電層のパターンを転写してもよい。被転写基材上に多孔性導電層のパターンが形成された導電性基材を得ることができる。   When the laminate is transferred to the transfer substrate, the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer may be transferred to the transfer substrate. A conductive substrate in which a pattern of a porous conductive layer is formed on a transfer substrate can be obtained.

被転写基材に接着層および多孔性導電層のパターンを転写する場合には、図5(a)に例示するような接着層4が予めパターン状に形成された積層体1を用いてもよく、図5(b)に例示するような接着層4上に非接着層5がパターン状に形成された積層体1を用いてもよい。
また、被転写基材に多孔性導電層のパターンを転写する場合には、上記の他にも、図4(a)に例示するような多孔性導電層3が予めパターン状に形成された積層体1を用いてもよい。
When the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer is transferred to the substrate to be transferred, the laminate 1 in which the adhesive layer 4 as illustrated in FIG. 5A is previously formed in a pattern may be used. Alternatively, the laminate 1 in which the non-adhesive layer 5 is formed in a pattern on the adhesive layer 4 as illustrated in FIG. 5B may be used.
In addition, when transferring the pattern of the porous conductive layer to the substrate to be transferred, in addition to the above, a laminate in which the porous conductive layer 3 as illustrated in FIG. Body 1 may be used.

被転写基材用溶融樹脂を固化させた後は、積層体と成形された被転写基材とが一体化した成形品を成形型から取り出す。   After the molten resin for the substrate to be transferred is solidified, a molded product in which the laminate and the molded substrate to be transferred are integrated is taken out from the mold.

(3)剥離工程
本実施態様における剥離工程は、上記積層体の基材を剥離する工程である。
枚葉の積層体の場合には、積層体と成形された被転写基材とが一体化した成形品を成形型から取り出した後に、成形品から積層体の基材を剥離する。また、長尺の積層体の場合には、積層体と成形された被転写基材とが一体化した成形品を成形型から取り出す際に、積層体から基材が剥離する。
これにより、樹脂成形体である被転写基材上に接着層および多孔性導電層が順に積層された導電性基材が得られる。
(3) Peeling process The peeling process in this embodiment is a process of peeling the base material of the said laminated body.
In the case of a single wafer laminate, after removing a molded product in which the laminate and the molded substrate to be transferred are integrated from the mold, the substrate of the laminate is peeled from the molded product. In the case of a long laminate, the substrate is peeled from the laminate when a molded product in which the laminate and the molded substrate to be transferred are integrated is taken out of the mold.
Thereby, the electroconductive base material by which the contact bonding layer and the porous electroconductive layer were laminated | stacked in order on the to-be-transferred base material which is a resin molding is obtained.

C.電子デバイスの製造方法
本発明の電子デバイスの製造方法は、上述の導電性基材の製造方法により、導電性基材を作製する導電性基材作製工程を有することを特徴とする製造方法である。
C. Electronic Device Manufacturing Method The electronic device manufacturing method of the present invention is a manufacturing method characterized by having a conductive base material manufacturing step of manufacturing a conductive base material by the above-described conductive base material manufacturing method. .

本発明においては、上述の導電性基材の製造方法により導電性基材を作製するため、導電性の良好な多孔性導電層を形成することができる。また、例えば多孔性導電層のパターンを形成する場合には、高解像度のパターンを形成することができる。
また本発明においては、上述の導電性基材の製造方法により導電性基材を作製するため、製造コストを削減することができる。
In the present invention, since the conductive substrate is produced by the above-described method for producing a conductive substrate, a porous conductive layer having good conductivity can be formed. For example, when forming a pattern of a porous conductive layer, a high-resolution pattern can be formed.
Moreover, in this invention, since a conductive base material is produced with the manufacturing method of the above-mentioned conductive base material, manufacturing cost can be reduced.

以下、本実施態様の電子デバイスの製造方法における工程について説明する。   Hereinafter, the process in the manufacturing method of the electronic device of this embodiment will be described.

1.導電性基材作製工程
本発明における導電性基材作製工程は、上述の導電性基材の製造方法により、導電性基材を作製する工程である。
なお、導電性基材の製造方法については、上記「B.導電性基材の製造方法」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
1. Conductive base material preparation process The conductive base material preparation process in this invention is a process of producing a conductive base material with the manufacturing method of the above-mentioned conductive base material.
In addition, since it described in detail in the said "B. manufacturing method of an electroconductive base material" about the manufacturing method of an electroconductive base material, description here is abbreviate | omitted.

2.電子デバイス
本発明における電子デバイスとしては、例えば、プリント配線基板、電磁波シールド材、アンテナ、パワー半導体、ノイズフィルタ、コンデンサ電極、各種センサー用電極(タッチセンサー、バイオセンサー、温度センサー、ガスセンサー、光センサー、圧力センサー、フローセンサー)、ディスプレイ用電極、太陽電池用電極、ICカード、RFID、接合材、コネクタ材等が挙げられる。
また、本発明の電子デバイスが例えば非接触型ICカードである場合、多孔性導電層は、非接触型ICカードに記録された情報の不正読み取りを防止するための電磁波シールド層、共振周波数を変調させるための導電層として使用することができる。この場合、例えばカードに一時的に多孔性導電層を付与し、後で接着層ごとスクラッチして取り除くことが可能である。本発明の電子デバイスは、多孔性導電層を有するので、接着層の粘着力を制御することで、スクラッチで容易に剥離させることが可能である。
2. Electronic device Examples of the electronic device in the present invention include a printed wiring board, an electromagnetic wave shielding material, an antenna, a power semiconductor, a noise filter, a capacitor electrode, and various sensor electrodes (touch sensor, biosensor, temperature sensor, gas sensor, optical sensor). , Pressure sensor, flow sensor), display electrode, solar cell electrode, IC card, RFID, bonding material, connector material, and the like.
When the electronic device of the present invention is, for example, a non-contact type IC card, the porous conductive layer is an electromagnetic wave shielding layer for preventing unauthorized reading of information recorded on the non-contact type IC card, and modulates the resonance frequency. It can be used as a conductive layer. In this case, for example, it is possible to temporarily apply a porous conductive layer to the card, and then scratch and remove the adhesive layer together. Since the electronic device of the present invention has a porous conductive layer, it can be easily peeled off by scratching by controlling the adhesive force of the adhesive layer.

本発明の電子デバイスの製造方法は、導電性基材作製工程以外に、必要に応じて他の工程を有していてもよい。他の工程は、電子デバイスに応じて適宜選択される。   The method for producing an electronic device of the present invention may have other steps as needed in addition to the conductive substrate manufacturing step. Other steps are appropriately selected depending on the electronic device.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

[合成例1:銅粒子の合成]
200ml三ッ口フラスコ中に、水酸化銅 10.0g(和光純薬工業製)、デカン酸 34.5g(花王製ルナック10−98)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)18.5gを量り取った。この混合液を撹拌しながら100℃まで加熱し、その温度を20分維持した。その後、3−エトキシプロピルアミン 41.3g(広栄化学工業製)を添加し、100℃で10分加熱、撹拌した。この混合液を、氷浴を用いて10℃まで冷却した後、氷浴中でヒドラジン一水和物 10.0gをPGME 18.5g(関東化学製)に溶解させた溶液を添加し、10分撹拌した。その後、反応溶液を100℃まで加熱し、その温度を10分維持した。30℃まで冷却後、ヘキサン66gを添加した。遠心分離後、上澄み液を除去した。沈殿物をヘキサンで洗浄し、銅粒子を得た。
得られた銅粒子を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察したところ、平均一次粒径は65nmであった。
[Synthesis Example 1: Synthesis of copper particles]
In a 200 ml three-necked flask, 10.0 g of copper hydroxide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries), 34.5 g of decanoic acid (Lunac 10-98 manufactured by Kao), and 18.5 g of propylene glycol monomethyl ether (PGME) were weighed. . The mixture was heated to 100 ° C. with stirring and the temperature was maintained for 20 minutes. Thereafter, 41.3 g (manufactured by Guangei Chemical Industry Co., Ltd.) of 3-ethoxypropylamine was added, and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 10 minutes. After cooling this mixed liquid to 10 ° C. using an ice bath, a solution prepared by dissolving 10.0 g of hydrazine monohydrate in 18.5 g of PGME (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) was added for 10 minutes. Stir. Thereafter, the reaction solution was heated to 100 ° C., and the temperature was maintained for 10 minutes. After cooling to 30 ° C., 66 g of hexane was added. After centrifugation, the supernatant was removed. The precipitate was washed with hexane to obtain copper particles.
When the obtained copper particles were observed with a transmission electron microscope (TEM), the average primary particle size was 65 nm.

[調製例1:銅粒子分散体1の調製]
合成例1で得られた銅粒子40質量部、高分子分散剤としてソルスパース 41000(ルーブリゾール製)4質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)56質量部を混合し、ペイントシェーカー(浅田鉄工製)にて予備分散として2mmジルコニアビーズで1時間、さらに本分散として0.1mmジルコニアビーズで2時間分散し、銅粒子分散体1を得た。
[Preparation Example 1: Preparation of copper particle dispersion 1]
40 parts by mass of the copper particles obtained in Synthesis Example 1, 4 parts by mass of Solsperse 41000 (manufactured by Lubrizol) and 56 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether (PGME) are mixed as a polymer dispersant, and a paint shaker (manufactured by Asada Tekko) As a preliminary dispersion, 2 mm zirconia beads were used for 1 hour, and as a main dispersion, 0.1 mm zirconia beads were used for 2 hours to obtain a copper particle dispersion 1.

[製造例1:導電フィルムAの作製]
PETフィルム(商品名 コスモシャイン A4100、東洋紡製、膜厚100μm)に銅粒子分散体1をミヤバー#4を使って塗布し、温風乾燥機で80℃、3分乾燥させ、赤銅光沢を持つフィルムを得た。その後、水素ガスを導入圧力20Paで導入しながら、マイクロ波表面波プラズマ処理装置(MSP−1500、ミクロ電子株式会社製)を用いて、マイクロ波出力450Wで240秒間焼成し、多孔性導電層を有する導電フィルム導電フィルムAを得た。
[Production Example 1: Production of conductive film A]
Copper film dispersion 1 is applied to PET film (trade name Cosmo Shine A4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., film thickness 100 μm) using Miyabar # 4, dried at 80 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer, and a film having a bronze gloss Got. Thereafter, while introducing hydrogen gas at an introduction pressure of 20 Pa, using a microwave surface wave plasma processing apparatus (MSP-1500, manufactured by Micro Electronics Co., Ltd.), firing was performed at a microwave output of 450 W for 240 seconds to form a porous conductive layer. A conductive film A was obtained.

[製造例2:導電フィルムBの作製]
PETフィルム(膜厚5μm)に変更したこと以外は、導電フィルムAと同様の作製方法で、マイクロ波出力450Wで120秒間焼成し、多孔性導電層を有する導電フィルムBを得た。
[Production Example 2: Production of conductive film B]
A conductive film B having a porous conductive layer was obtained by baking for 120 seconds at a microwave output of 450 W by the same production method as that for the conductive film A, except that the PET film was changed to a film thickness of 5 μm.

[製造例3:導電フィルムCの作製]
PETフィルム(商品名 コスモシャイン A4100、東洋紡製、膜厚100μm)に銅をスパッタ法により製膜し、導電層を有する導電フィルムCを得た。
[Production Example 3: Production of conductive film C]
Copper was formed into a film on a PET film (trade name: Cosmo Shine A4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., film thickness: 100 μm) by a sputtering method to obtain a conductive film C having a conductive layer.

[評価]
(導電層のシート抵抗値の測定)
導電層の導電性評価は、表面抵抗計(ダイアインスツルメンツ社製「ロレスタGP」、PSPタイププローブ)を用いて、4探針法によりシート抵抗値を測定することにより行った。導電フィルムA、Bの多孔性導電層のシート抵抗値は、共に0.20Ω/□、導電フィルムCの導電層のシート抵抗値は0.075Ω/□であった。
[Evaluation]
(Measurement of sheet resistance of conductive layer)
The conductivity of the conductive layer was evaluated by measuring the sheet resistance value by a four-probe method using a surface resistance meter (“Loresta GP” manufactured by Dia Instruments, PSP type probe). The sheet resistance values of the porous conductive layers of the conductive films A and B were both 0.20 Ω / □, and the sheet resistance value of the conductive layer of the conductive film C was 0.075 Ω / □.

(導電層の膜厚の測定)
導電層の膜厚評価は下記の通り行った。作製した導電フィルムについて保護層として導電層上部に真空蒸着法にてカーボンを、スパッタ法にて白金を順次積層し、次いでFIB(集束イオンビーム、日立ハイテク製 FB−2100)を用いてタングステンを積層後、導電層の断面を作製した。その後、SEM(日立ハイテク製 S−4800)を用いて基板を45°傾斜させた状態にて導電層断面を観察し、SEM像より膜厚を測定した。膜厚は30k〜40kの倍率で測定したSEM像内で10箇所測長し、傾斜分を補正した後、その平均値を膜厚とした。導電フィルムA、B、C全てで導電層の膜厚は400nmであった。この結果から導電フィルムA、Bの体積抵抗値は8μΩ・cm、導電フィルムCの体積抵抗値は3μΩ・cmであることがわかった。
(Measurement of film thickness of conductive layer)
The film thickness of the conductive layer was evaluated as follows. For the produced conductive film, carbon is deposited on the conductive layer as a protective layer by vacuum vapor deposition and platinum by sputtering, and then tungsten is laminated using FIB (focused ion beam, FB-2100 made by Hitachi High-Tech). Then, the cross section of the conductive layer was produced. Then, the cross section of the conductive layer was observed using a SEM (Hitachi High-Tech S-4800) with the substrate inclined 45 °, and the film thickness was measured from the SEM image. The film thickness was measured at 10 locations in the SEM image measured at a magnification of 30 k to 40 k, the inclination was corrected, and the average value was taken as the film thickness. In all of the conductive films A, B, and C, the film thickness of the conductive layer was 400 nm. From this result, it was found that the volume resistance value of the conductive films A and B was 8 μΩ · cm, and the volume resistance value of the conductive film C was 3 μΩ · cm.

(導電層の空孔率の測定)
導電層の空孔率測定は下記の通り行った。上記膜厚測定において得られたSEM像における、孔の面積と導電層の面積とをそれぞれ算出し、孔の面積を導電層の面積で除することにより当該断面における空孔率を求めた。導電フィルムAの多孔性導電層の空孔率は35%、導電フィルムBの多孔性導電層の空孔率は25%であった。導電フィルムCの導電層には空孔がなかった。
(Measurement of porosity of conductive layer)
The porosity of the conductive layer was measured as follows. In the SEM image obtained in the above film thickness measurement, the area of the hole and the area of the conductive layer were calculated, and the area of the hole was divided by the area of the conductive layer to determine the porosity in the cross section. The porosity of the porous conductive layer of the conductive film A was 35%, and the porosity of the porous conductive layer of the conductive film B was 25%. There were no pores in the conductive layer of the conductive film C.

[実施例1]
(接着層の形成)
接着剤である大日精化製 TM−R850(LV−NT)K3にメチルイソブチルケトン(MIBK)30質量%相当を追加し、十分撹拌することで塗布液を調製した。この塗布液を導電フィルムAの多孔性導電層上にアプリケーター 10milで塗布し、温風乾燥機で90℃、1分乾燥させた。
[Example 1]
(Formation of adhesive layer)
A coating solution was prepared by adding 30% by mass of methyl isobutyl ketone (MIBK) to TM-R850 (LV-NT) K3 manufactured by Dainichi Seika, which is an adhesive, and stirring sufficiently. This coating solution was applied on the porous conductive layer of the conductive film A with 10 mils of applicator and dried at 90 ° C. for 1 minute with a hot air dryer.

(転写)
次に、被転写基材としてポリカーボネート(以下、PCと略す)およびポリメチルメタクリレート(以下、PMMAと略す)の積層フィルム C001(住友化学製 膜厚125μm)を用い、被転写基材のPC面に上述の導電フィルムAの接着剤塗布面を重ね、日本GBC製マルチラミネーター GL835PROを使って、温度130℃、GAP1mm以下、搬送速度0.3m/minで加熱ラミネート処理を行った。その後、PETフィルムを剥離した。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.22Ω/□であった。
(Transcription)
Next, a laminated film C001 (Sumitomo Chemical film thickness 125 μm) of polycarbonate (hereinafter abbreviated as PC) and polymethyl methacrylate (hereinafter abbreviated as PMMA) is used as the substrate to be transferred on the PC surface of the substrate to be transferred. The adhesive coating surface of the conductive film A described above was stacked, and a heat laminating process was performed using a multi-laminator GL835PRO manufactured by Japan GBC at a temperature of 130 ° C., a GAP of 1 mm or less, and a conveyance speed of 0.3 m / min. Thereafter, the PET film was peeled off.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance value after transfer was 0.22Ω / □.

[実施例2]
接着層の形成において、接着剤として和信化学製 プラスコートPGC10を導電フィルムAの多孔性導電層上にアプリケーター 10milで塗布し、温風乾燥機で90℃、1分乾燥させたこと、および、転写において、温度を130℃としたこと以外は、実施例1と同様に接着層の形成および転写を行った。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.20Ω/□であった。
[Example 2]
In the formation of the adhesive layer, plus coat PGC10 manufactured by Washin Chemical Co., Ltd. was applied as an adhesive on the porous conductive layer of the conductive film A with 10 mil of applicator, dried at 90 ° C. for 1 minute with a hot air dryer, and transfer The adhesive layer was formed and transferred in the same manner as in Example 1 except that the temperature was 130 ° C.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance value after transfer was 0.20Ω / □.

[実施例3]
接着層の形成において、接着剤として三井化学製 ケミパールS300を導電フィルムAの多孔性導電層上にミヤバー#8で塗布し、温風乾燥機で70℃、3分乾燥させたこと、および、転写において、被転写基材として市販のコピー紙を用い、温度を100℃としたこと以外は、実施例1と同様に接着層の形成および転写を行った。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.20Ω/□であった。
[Example 3]
In the formation of the adhesive layer, Chemipearl S300 manufactured by Mitsui Chemicals as an adhesive was applied on the porous conductive layer of the conductive film A with Miyabar # 8, dried at 70 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer, and transfer In Example 1, an adhesive layer was formed and transferred in the same manner as in Example 1 except that a commercially available copy paper was used as the substrate to be transferred and the temperature was 100 ° C.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance value after transfer was 0.20Ω / □.

[実施例4]
接着層の形成において、接着剤として三井化学製 ケミパールEV210を導電フィルムAの多孔性導電層上にミヤバー#16で塗布し、温風乾燥機で90℃、3分乾燥させたこと、および、転写において、温度を150℃としたこと以外は、実施例1と同様に接着層の形成および転写を行った。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.20Ω/□であった。
[Example 4]
In the formation of the adhesive layer, Chemipearl EV210 manufactured by Mitsui Chemicals as an adhesive was applied onto the porous conductive layer of the conductive film A with Miyabar # 16, dried at 90 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer, and transfer The adhesive layer was formed and transferred in the same manner as in Example 1 except that the temperature was 150 ° C.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance value after transfer was 0.20Ω / □.

[実施例5]
接着層の形成において、接着剤として三井化学製 ボンロンXPS−001を導電フィルムAの多孔性導電層上にミヤバー#16で塗布し、温風乾燥機で90℃、3分乾燥させたこと、および、転写において、被転写基材として光沢紙を使い、温度を130℃としたこと以外は、実施例1と同様に接着層の形成および転写を行った。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.21Ω/□であった。
[Example 5]
In the formation of the adhesive layer, Mitsui Chemicals' Bonron XPS-001 as an adhesive was applied on the porous conductive layer of the conductive film A with a Miyabar # 16 and dried at 90 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer, and In the transfer, the adhesive layer was formed and transferred in the same manner as in Example 1 except that glossy paper was used as the substrate to be transferred and the temperature was 130 ° C.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance after transfer was 0.21 Ω / □.

[実施例6]
接着層の形成において、接着剤として三井化学製 ボンロンXPS−003を導電フィルムAの多孔性導電層上にミヤバー#16で塗布し、温風乾燥機で90℃、3分乾燥させたこと、および、転写において、被転写基材として光沢紙を使い、温度を150℃としたこと以外は、実施例1と同様に接着層の形成および転写を行った。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.20Ω/□であった。
[Example 6]
In the formation of the adhesive layer, Bonron XPS-003 made by Mitsui Chemicals as an adhesive was applied on the porous conductive layer of the conductive film A with a Miyabar # 16 and dried at 90 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer, and In the transfer, the adhesive layer was formed and transferred in the same manner as in Example 1 except that glossy paper was used as the substrate to be transferred and the temperature was 150 ° C.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance value after transfer was 0.20Ω / □.

[実施例7]
(接着層の形成)
接着剤としてDNPファインケミカル製 BCD#700クリヤーを導電フィルムBの多孔性導電層上にミヤバー#4で塗布し、温風乾燥機で90℃、3分乾燥させた。
[Example 7]
(Formation of adhesive layer)
BCD # 700 clear made by DNP Fine Chemical was applied as an adhesive on the porous conductive layer of the conductive film B with a Miyabar # 4, and dried at 90 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer.

(転写)
接着層が形成された導電フィルムBを転写リボンとしてサーマルヘッドプリンタ(Zebra140Xi4)にセットし、被転写基材としてグロスコート紙を用いて印字テストを行ったところ、線幅127μm×全長10cmの配線が形成され、テスターにより導通も確認できた。
(Transcription)
When the conductive film B on which the adhesive layer was formed was set as a transfer ribbon on a thermal head printer (Zebra140Xi4) and a print test was performed using gloss-coated paper as a substrate to be transferred, a wiring with a line width of 127 μm and a total length of 10 cm was found. It was formed and continuity was confirmed by a tester.

[比較例1]
導電フィルムAに代わり導電フィルムCとした以外は、実施例1と同様に転写を行ったところ、全く転写できなかった。
[Comparative Example 1]
When transfer was performed in the same manner as in Example 1 except that the conductive film C was used instead of the conductive film A, no transfer was possible.

[比較例2]
導電フィルムAに代わり導電フィルムCとした以外は、実施例2と同様に転写を行ったところ、全く転写できなかった。
[Comparative Example 2]
Except that the conductive film C was used instead of the conductive film A, transfer was performed in the same manner as in Example 2, and transfer was not possible at all.

[比較例3]
導電フィルムAに代わり導電フィルムCとした以外は、実施例3と同様に転写を行ったところ、全く転写できなかった。
[Comparative Example 3]
Except that the conductive film C was used instead of the conductive film A, transfer was performed in the same manner as in Example 3, and transfer was not possible at all.

[比較例4]
導電フィルムAに代わり導電フィルムCとした以外は、実施例4と同様に転写を行ったところ、全く転写できなかった。
[Comparative Example 4]
When transfer was performed in the same manner as in Example 4 except that the conductive film C was used instead of the conductive film A, transfer was not possible at all.

[比較例5]
導電フィルムAに代わり導電フィルムCとした以外は、実施例5と同様に転写を行ったところ、全く転写できなかった。
[Comparative Example 5]
A transfer was performed in the same manner as in Example 5 except that the conductive film C was used instead of the conductive film A, and no transfer was possible.

[比較例6]
導電フィルムAに代わり導電フィルムCとした以外は、実施例6と同様に転写を行ったところ、全く転写できなかった。
[Comparative Example 6]
When transfer was performed in the same manner as in Example 6 except that the conductive film C was used instead of the conductive film A, transfer was not possible at all.

[製造例4:導電フィルムDの作製]
ナノAgインク(三ツ星ベルト製 商品名MDot CF107)をペンタンジオールで40%希釈した後、PETフィルム(商品名 コスモシャイン A4100、東洋紡製、膜厚100μm)にミヤバー#4を使って塗布し、温風乾燥機で120℃、30分間乾燥かつ焼成して、銀光沢を持ち、多孔性導電層を有する導電フィルムDを得た。
導電フィルムDの多孔性導電層の膜厚は380nm、シート抵抗値は0.20Ω/□、空孔率は30%であった。
[Production Example 4: Production of conductive film D]
Nano Ag ink (trade name MDot CF107, manufactured by Mitsuboshi Belting) was diluted 40% with pentanediol, and then applied to PET film (trade name: Cosmo Shine A4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., film thickness 100 μm) using Miyabar # 4 and warm air It dried and baked for 30 minutes at 120 degreeC with the dryer, and obtained the conductive film D which has silver luster and has a porous conductive layer.
The film thickness of the porous conductive layer of the conductive film D was 380 nm, the sheet resistance value was 0.20 Ω / □, and the porosity was 30%.

[実施例8]
接着層の形成において、接着剤として三井化学製 ケミパールS300を導電フィルムDの多孔性導電層上にミヤバー#4で塗布し、温風乾燥機で90℃、3分乾燥させたこと、および、転写において、被転写基材としてグロスコート紙を用い、温度を130℃としたこと以外は、実施例1と同様に接着層の形成および転写を行った。
多孔性導電層は被転写基材へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.20Ω/□であった。
[Example 8]
In the formation of the adhesive layer, Chemipearl S300 manufactured by Mitsui Chemicals as an adhesive was applied on the porous conductive layer of the conductive film D with a Miya bar # 4, dried at 90 ° C. for 3 minutes with a hot air dryer, and transfer In Example 1, an adhesive layer was formed and transferred in the same manner as in Example 1 except that gloss coated paper was used as the substrate to be transferred and the temperature was 130 ° C.
The porous conductive layer was 100% transferred to the transfer substrate, and the sheet resistance value after transfer was 0.20Ω / □.

[実施例9]
(接着層の形成)
接着剤である大日精化製 TM−R850(LV−NT)K3にメチルイソブチルケトン(MIBK)で30%質量相当を追加希釈した塗布液を調製した。この塗布液を導電フィルムAの多孔性導電層上にアプリケーター 10milで塗布、温風乾燥機で90℃、1分乾燥させた。
[Example 9]
(Formation of adhesive layer)
A coating solution was prepared by additionally diluting 30% by mass of methyl isobutyl ketone (MIBK) with TM-R850 (LV-NT) K3 manufactured by Dainichi Seika, which is an adhesive. This coating solution was applied onto the porous conductive layer of the conductive film A with an applicator 10 mil, and dried at 90 ° C. for 1 minute with a hot air dryer.

(転写)
接着層が形成された導電フィルムAをインモールド成形機の金型にセットした後、接着剤塗布面にPCとABSからなる混合樹脂を溶融させて流しこんだ。冷却後、成形物を取り出し、PETフィルムを剥離した。
多孔性導電層はPCとABSの混合樹脂からなる樹脂層へ100%転写し、転写後のシート抵抗値は0.22Ω/□であった。
(Transcription)
After the conductive film A on which the adhesive layer was formed was set in a mold of an in-mold molding machine, a mixed resin composed of PC and ABS was melted and poured onto the adhesive application surface. After cooling, the molded product was taken out and the PET film was peeled off.
The porous conductive layer was 100% transferred to a resin layer made of a mixed resin of PC and ABS, and the sheet resistance value after transfer was 0.22Ω / □.

1 … 積層体
2 … 基材
3 … 多孔性導電層
4 … 接着層
6 … 保護層
10 … 導電性基材
11 … 被転写基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated body 2 ... Base material 3 ... Porous conductive layer 4 ... Adhesive layer 6 ... Protective layer 10 ... Conductive base material 11 ... Transferred base material

Claims (7)

基材と、
前記基材上に形成された多孔性導電層と、
前記多孔性導電層上に形成された接着層と
を有することを特徴とする積層体。
A substrate;
A porous conductive layer formed on the substrate;
And a bonding layer formed on the porous conductive layer.
前記基材が樹脂基材であることを特徴とする請求項1に記載の積層体。   The laminate according to claim 1, wherein the substrate is a resin substrate. 前記基材と前記多孔性導電層との間に保護層が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層体。   The laminate according to claim 1 or 2, wherein a protective layer is formed between the substrate and the porous conductive layer. 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の積層体を準備する準備工程と、
被転写基材上に前記積層体の接着層および多孔性導電層を転写する転写工程と
を有することを特徴とする導電性基材の製造方法。
A preparation step of preparing the laminate according to any one of claims 1 to 3,
And a transfer step of transferring the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate onto the substrate to be transferred.
前記転写工程では、前記被転写基材上に前記積層体の接着層および多孔性導電層のパターンを転写することを特徴とする請求項4に記載の導電性基材の製造方法。   The method for producing a conductive substrate according to claim 4, wherein in the transfer step, the pattern of the adhesive layer and the porous conductive layer of the laminate is transferred onto the transfer substrate. 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の積層体を準備する準備工程と、
前記積層体を成形型に配置し、前記成形型内に被転写基材用溶融樹脂を射出し、固化させて、被転写基材を成形すると同時に、前記被転写基材に前記積層体を転写する成形および転写工程と、
前記積層体の基材を剥離する剥離工程と
を有することを特徴とする導電性基材の製造方法。
A preparation step of preparing the laminate according to any one of claims 1 to 3,
The laminate is placed in a mold, and a molten resin for a transfer substrate is injected into the mold and solidified to form the transfer substrate, and at the same time, the laminate is transferred to the transfer substrate. Molding and transfer processes,
A method for producing a conductive substrate, comprising: a peeling step of peeling the substrate of the laminate.
請求項4から請求項6までのいずれかに記載の導電性基材の製造方法により、導電性基材を作製する導電性基材作製工程を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。   A method for producing an electronic device, comprising a step of producing a conductive substrate by producing a conductive substrate by the method for producing a conductive substrate according to claim 4.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018061011A (en) * 2016-01-21 2018-04-12 東洋インキScホールディングス株式会社 Electromagnetic wave shielding sheet and printed wiring board
JP2018092967A (en) * 2016-11-30 2018-06-14 日立化成株式会社 Conductor and forming method thereof, structure and manufacturing method thereof
JP2019529195A (en) * 2016-09-27 2019-10-17 レオンハード クルツ シュティフトゥング ウント コー. カーゲー Film manufacturing method, conveying apparatus, injection mold, and system
JP2019207853A (en) * 2018-05-25 2019-12-05 三菱製紙株式会社 Method for producing conductive material
JP2020061529A (en) * 2018-10-12 2020-04-16 三井化学株式会社 Manufacturing method of electronic device and adhesive film

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003015286A (en) * 2001-06-28 2003-01-15 Tdk Corp Substrate where functional layer pattern is formed and method for forming functional layer pattern
JP2009009859A (en) * 2007-06-28 2009-01-15 Tdk Corp Conductive film for in-mold molding and method of manufacturing plastic molded body with transparent conductive layer
JP2009038278A (en) * 2007-08-03 2009-02-19 Tatsuta System Electronics Kk Shielding film for printed wiring board and printed wiring board
JP2010179642A (en) * 2009-02-09 2010-08-19 Toda Kogyo Corp Transparent conductive substrate, transparent conductive substrate for dye-sensitized solar cell, and method of manufacturing transparent conductive substrate
JP2012104710A (en) * 2010-11-11 2012-05-31 Fujimori Kogyo Co Ltd Electromagnetic wave shield material for fpc
JP2013105888A (en) * 2011-11-14 2013-05-30 Fujimori Kogyo Co Ltd Electromagnetic wave shield material for fpc
JP2014167956A (en) * 2013-02-28 2014-09-11 Fujimori Kogyo Co Ltd Electromagnetic wave shield material for fpc

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003015286A (en) * 2001-06-28 2003-01-15 Tdk Corp Substrate where functional layer pattern is formed and method for forming functional layer pattern
JP2009009859A (en) * 2007-06-28 2009-01-15 Tdk Corp Conductive film for in-mold molding and method of manufacturing plastic molded body with transparent conductive layer
JP2009038278A (en) * 2007-08-03 2009-02-19 Tatsuta System Electronics Kk Shielding film for printed wiring board and printed wiring board
JP2010179642A (en) * 2009-02-09 2010-08-19 Toda Kogyo Corp Transparent conductive substrate, transparent conductive substrate for dye-sensitized solar cell, and method of manufacturing transparent conductive substrate
JP2012104710A (en) * 2010-11-11 2012-05-31 Fujimori Kogyo Co Ltd Electromagnetic wave shield material for fpc
JP2013105888A (en) * 2011-11-14 2013-05-30 Fujimori Kogyo Co Ltd Electromagnetic wave shield material for fpc
JP2014167956A (en) * 2013-02-28 2014-09-11 Fujimori Kogyo Co Ltd Electromagnetic wave shield material for fpc

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018061011A (en) * 2016-01-21 2018-04-12 東洋インキScホールディングス株式会社 Electromagnetic wave shielding sheet and printed wiring board
JP2019529195A (en) * 2016-09-27 2019-10-17 レオンハード クルツ シュティフトゥング ウント コー. カーゲー Film manufacturing method, conveying apparatus, injection mold, and system
JP2018092967A (en) * 2016-11-30 2018-06-14 日立化成株式会社 Conductor and forming method thereof, structure and manufacturing method thereof
JP2019207853A (en) * 2018-05-25 2019-12-05 三菱製紙株式会社 Method for producing conductive material
JP7232595B2 (en) 2018-05-25 2023-03-03 三菱製紙株式会社 Method for manufacturing conductive material
JP2020061529A (en) * 2018-10-12 2020-04-16 三井化学株式会社 Manufacturing method of electronic device and adhesive film
JP7250468B2 (en) 2018-10-12 2023-04-03 三井化学株式会社 Electronic device manufacturing method and adhesive film
JP7250468B6 (en) 2018-10-12 2023-04-25 三井化学株式会社 Electronic device manufacturing method and adhesive film

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