JP2016122777A - Holder, object support device and exposure, and device manufacturing method - Google Patents

Holder, object support device and exposure, and device manufacturing method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To receive a wafer from a conveyance device in a less space.SOLUTION: A wafer support part 74b of a wafer support unit 125 is rotated around one axis and thereby a wafer W conveyed to below a chuck unit 153 by a conveyance loader 149 is supported from below. Thereafter, the underside of the wafer W is sucked and held via a suction part 78. After the wafer W is held together with the chuck unit 153, the wafer W is placed on a wafer stage. Therefore, the rotation of the wafer support part 74b around the one axis makes it possible to receive the wafer W in a small space.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、保持装置、物体支持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法に係り、特に板状の物体を保持する保持装置、該保持装置を複数有する物体支持装置、及び該物体支持装置を備える露光装置、並びに該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a holding apparatus, an object support apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method, and in particular, a holding apparatus that holds a plate-like object, an object support apparatus that includes a plurality of the holding apparatuses, and an exposure that includes the object support apparatus. The present invention relates to an apparatus and a device manufacturing method using the exposure apparatus.

従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。   Conventionally, in a lithography process for manufacturing electronic devices (microdevices) such as semiconductor elements (integrated circuits, etc.), liquid crystal display elements, etc., step-and-repeat projection exposure apparatuses (so-called steppers), step-and- A scanning projection exposure apparatus (a so-called scanning stepper (also called a scanner)) or the like is used.

この種の露光装置で用いられる、露光対象となるウエハ又はガラスプレート等の基板は、次第に(例えばウエハの場合、10年おきに)大型化している。現在は、直径300mmの300ミリウエハが主流となっているが、今や直径450mmの450ミリウエハ時代の到来が間近に迫っている。   Substrates such as wafers or glass plates used in this type of exposure apparatus are gradually becoming larger (for example, every 10 years in the case of wafers). Currently, 300 mm wafers with a diameter of 300 mm are the mainstream, but now the era of 450 mm wafers with a diameter of 450 mm is approaching.

また、ウエハの搬送方法としては、ベルヌーイ・チャック等を備えた搬送装置が知られている。(例えば、特許文献1参照)。   As a wafer transfer method, a transfer apparatus including a Bernoulli chuck or the like is known. (For example, refer to Patent Document 1).

ところが、例えば、特許文献1にも開示されているようなベルヌーイ・チャックを用いてウエハの非接触保持を行なう場合、搬入時において、位置ずれが所望の範囲を超えるおそれがある。従って、ベルヌーイ・チャック等を備えた搬送部材においては位置ずれを少なくする保持装置の開発が急務となっていた。   However, for example, when a wafer is held in a non-contact manner using a Bernoulli chuck as disclosed in Patent Document 1, the positional deviation may exceed a desired range during loading. Accordingly, there has been an urgent need to develop a holding device that reduces misalignment in a conveying member including a Bernoulli chuck and the like.

米国特許出願公開第2007/0290517号明細書US Patent Application Publication No. 2007/0290517

本発明の第1の態様によれば、板状の物体を下方から保持する保持装置であって、軸受部材と、一軸方向に延びる軸部と、該軸部に設けられ、吸着部が形成された保持部とを含み、前記吸着部を含む前記保持部の一部が前記物体に下方から接触する第1位置と、前記保持部が前記物体から離間する第2位置とを含む所定の角度範囲内で回転可能となるように、前記軸部を介して前記軸受部材によって支持された保持ユニットと、前記保持ユニットの前記軸部に接続され、前記第1位置と前記第2位置との間で前記保持ユニットを前記一軸回りに回転駆動する駆動装置と、を備える保持装置が、提供される。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a holding device that holds a plate-like object from below, and is provided with a bearing member, a shaft portion that extends in one axial direction, and the suction portion. A predetermined angle range including a first position where a part of the holding part including the suction part comes into contact with the object from below and a second position where the holding part is separated from the object. A holding unit supported by the bearing member via the shaft portion, and connected to the shaft portion of the holding unit so as to be rotatable between the first position and the second position. There is provided a holding device comprising: a driving device that rotationally drives the holding unit around the one axis.

本発明の第2の態様によれば、板状の物体を下方から支持する物体支持装置であって、前記物体の外周部の異なる位置にそれぞれ対応して設けられた、第1の態様に係る保持装置を複数備え、該複数の保持装置の前記保持ユニットがともに前記第1位置にあるとき、前記物体が前記複数の保持装置によって下方から接触支持される物体支持装置が、提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided an object support device for supporting a plate-like object from below, wherein the object support device is provided corresponding to a different position of the outer periphery of the object. Provided is an object support device including a plurality of holding devices, wherein the object is contact-supported from below by the plurality of holding devices when both of the holding units of the plurality of holding devices are in the first position.

本発明の第3の態様によれば、板状の物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、前記物体を下方から支持する第2の態様に係る物体支持装置と、所定平面に沿って移動可能でその上面に前記物体が載置される物体載置面が設けられた移動体と、を備え、露光前の前記物体が、前記物体載置面上に載置されるのに先立って、前記物体支持装置で支持される露光装置が、提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for exposing a plate-shaped object with an energy beam, the object support apparatus according to the second aspect for supporting the object from below, and along a predetermined plane. A movable body provided with an object placement surface on which the object is placed, and the object before exposure is placed on the object placement surface prior to being placed on the object placement surface. An exposure apparatus supported by the object support apparatus is provided.

本発明の第4の態様によれば、第3の態様に係る露光装置を用いて物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing an object using the exposure apparatus according to the third aspect and developing the exposed object. .

第1の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically the structure of the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図2は、図1のウエハステージを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the wafer stage of FIG. 図1の露光装置が備える干渉計システム、アライメント検出系等の配置を示す図である。It is a figure which shows arrangement | positioning of the interferometer system with which the exposure apparatus of FIG. 1 is equipped, an alignment detection system, etc. 図4(A)は、図1の露光装置が備える搬入ユニットの構成を概略的に示す斜視図、図4(B)は、搬入ユニットの一部を構成するチャックユニットをウエハステージに設けられたセンター支持部材とともに示す図である。4A is a perspective view schematically showing a configuration of a carry-in unit provided in the exposure apparatus of FIG. 1, and FIG. 4B is a diagram showing a chuck unit that constitutes a part of the carry-in unit provided on the wafer stage. It is a figure shown with a center support member. 図5(A)は、ウエハ支持ユニットの構成を示す斜視図、図5(B)は、ウエハ支持ユニットが備える保持ユニットの構成を示す斜視図である。FIG. 5A is a perspective view showing the configuration of the wafer support unit, and FIG. 5B is a perspective view showing the configuration of the holding unit provided in the wafer support unit. 図6(A)及び図6(B)は、ウエハ支持ユニットの構成を説明するための図、かつウエハ支持ユニットの動作を説明するための図(その1、その2)である。6A and 6B are diagrams for explaining the configuration of the wafer support unit and for explaining the operation of the wafer support unit (part 1 and part 2). ウエハ支持ユニットの構成を説明するための図であって、ウエハ支持ユニットの一部を断面して示す図である。It is a figure for demonstrating the structure of a wafer support unit, Comprising: It is a figure which shows a part of wafer support unit in cross section. 第1の実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing an input / output relationship of a main controller that mainly constitutes a control system of the exposure apparatus according to the first embodiment. 図9(A)、図9(B)は、ウエハのロード手順を説明するための図(その1、その2)である。FIGS. 9A and 9B are views (No. 1 and No. 2) for explaining the wafer loading procedure. 図10(A)、図10(B)は、ウエハのロード手順を説明するための図(その3、その4)である。FIGS. 10A and 10B are views (No. 3 and No. 4) for explaining the wafer loading procedure. 図11(A)、図11(B)は、ウエハのロード手順を説明するための図(その5、その6)である。FIGS. 11A and 11B are views (No. 5 and No. 6) for explaining the wafer loading procedure. 図12(A)、図12(B)は、ウエハ支持ユニットの動作を説明するための図(その3、その4)である。12A and 12B are views (No. 3 and No. 4) for explaining the operation of the wafer support unit. 第2の実施形態に係るウエハ支持ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the structure of the wafer support unit which concerns on 2nd Embodiment. 図14(A)〜図14(C)は、第2の実施形態に係るウエハ支持ユニットが備えるクリーナユニットの機能及び動作を説明するための図(その1、その2、その3)である。FIGS. 14A to 14C are views (No. 1, No. 2 and No. 3) for explaining the function and operation of the cleaner unit included in the wafer support unit according to the second embodiment. 図15(A)〜図15(C)は、第2の実施形態の変形例に係るウエハ支持ユニットの構成を概略的に示すと共に、クリーナユニットによりウエハ支持ユニットのウエハ支持部を固定する方法を説明するための図(その1〜その3)である。FIGS. 15A to 15C schematically show the configuration of a wafer support unit according to a modification of the second embodiment, and a method of fixing the wafer support portion of the wafer support unit by the cleaner unit. It is the figure for explaining (the 1-the 3). 図16(A)、図16(B)は、第3の実施形態に係るウエハ支持ユニットの概略構成を説明すると共に、第3の実施形態のウエハ支持ユニットの動作を説明するための図(その1、その2)である。FIGS. 16A and 16B are diagrams for explaining the schematic configuration of the wafer support unit according to the third embodiment and for explaining the operation of the wafer support unit of the third embodiment (part 1). 1 and 2). 第3の実施形態に係るウエハ支持ユニットの動作を説明するための図(その3)である。It is FIG. (3) for demonstrating operation | movement of the wafer support unit which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る露光装置が備えるウエハ支持ユニットの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the wafer support unit with which the exposure apparatus which concerns on 4th Embodiment is provided. 図19(A)及び図19(B)は、図18に示されるウエハ支持ユニットの構成を説明するための図、かつウエハ支持ユニットの動作を説明するための図(その1、その2)である。FIGS. 19A and 19B are diagrams for explaining the configuration of the wafer support unit shown in FIG. 18 and for explaining the operation of the wafer support unit (part 1 and part 2). is there. 図18に示されるウエハ支持ユニットの一部を断面して示す図である。FIG. 19 is a cross-sectional view of a part of the wafer support unit shown in FIG. 18. 第4の実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the input / output relationship of the main controller which mainly comprises the control system of the exposure apparatus which concerns on 4th Embodiment.

《第1の実施形態》
以下、第1の実施形態について、図1〜図12(B)に基づいて説明する。
<< First Embodiment >>
Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 12B.

図1には、第1の実施形態に係る露光装置100の構成が概略的に示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、この投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。   FIG. 1 schematically shows a configuration of an exposure apparatus 100 according to the first embodiment. The exposure apparatus 100 is a step-and-scan projection exposure apparatus, a so-called scanner. As will be described later, in the present embodiment, a projection optical system PL is provided, and in the following, the direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction, and the reticle is in a plane perpendicular to the Z-axis direction. The direction in which the wafer and the wafer are relatively scanned is the Y-axis direction, the direction orthogonal to the Z-axis and the Y-axis is the X-axis direction, and the rotation (tilt) directions around the X-axis, Y-axis, and Z-axis are θx and θy, respectively. , And θz direction will be described.

露光装置100は、図1に示されるように、ベース盤12の+Y側端部近傍の上方に配置された露光部200と、露光部200から−Y側に所定距離離れて配置された搬入ユニット121を含む搬送システム120(図8参照)と、ベース盤12上で独立してXY平面内で2次元移動するウエハステージWSTと、これらの制御系等とを備えている。搬送システム120は、搬入ユニット121と搬出ユニット122(図8参照)とで構成される。   As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 100 includes an exposure unit 200 disposed above the vicinity of the + Y side end of the base board 12, and a carry-in unit disposed at a predetermined distance from the exposure unit 200 to the −Y side. A transfer system 120 including 121 (see FIG. 8), a wafer stage WST that moves two-dimensionally independently within the XY plane on the base board 12, and a control system for these. The transport system 120 includes a carry-in unit 121 and a carry-out unit 122 (see FIG. 8).

ベース盤12は、床F上に複数の防振装置(図示省略)によってほぼ水平に(XY平面に平行に)支持されている。ベース盤12は、平板状の外形を有する部材から成る。なお、図1において、ウエハステージWST(より詳細には後述するウエハテーブルWTB)上にウエハWが保持されている。   The base board 12 is supported almost horizontally (parallel to the XY plane) on the floor F by a plurality of vibration isolation devices (not shown). The base board 12 is made of a member having a flat outer shape. In FIG. 1, wafer W is held on wafer stage WST (more specifically, a wafer table WTB described later).

露光部200は、照明系10、レチクルステージRST及び投影ユニットPU等を備えている。   The exposure unit 200 includes an illumination system 10, a reticle stage RST, a projection unit PU, and the like.

照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系と、を含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステムとも呼ばれる)で設定(制限)されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。   The illumination system 10 includes a light source, an illuminance uniformizing optical system including an optical integrator, a reticle blind, and the like (both not shown) as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2003/0025890. And an illumination optical system. The illumination system 10 illuminates a slit-shaped illumination area IAR on the reticle R set (limited) with a reticle blind (also called a masking system) with illumination light (exposure light) IL with substantially uniform illuminance. Here, as an example of the illumination light IL, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used.

レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図8参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。   On reticle stage RST, reticle R having a circuit pattern or the like formed on its pattern surface (lower surface in FIG. 1) is fixed, for example, by vacuum suction. The reticle stage RST can be finely driven in the XY plane by a reticle stage drive system 11 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 8) including a linear motor, for example, and in the scanning direction (left and right direction in FIG. 1). In the Y-axis direction) at a predetermined scanning speed.

レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)13によって、レチクルステージRSTに固定された移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計13の計測値は、主制御装置20(図1では不図示、図8参照)に送られる。   Position information of the reticle stage RST in the XY plane (including rotation information in the θz direction) is transferred by a reticle laser interferometer (hereinafter referred to as “reticle interferometer”) 13 to a movable mirror 15 (actually fixed to the reticle stage RST). Is provided with a Y moving mirror (or a retroreflector) having a reflecting surface orthogonal to the Y-axis direction and an X moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the X-axis direction), for example. It is always detected with a resolution of about 25 nm. The measurement value of reticle interferometer 13 is sent to main controller 20 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 8).

投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、ベース盤12の上方に水平に配置されたメインフレームBDによってその外周部に設けられたフランジ部FLGを介して支持されている。メインフレームBDは図1及び図3に示されるようにY軸方向の寸法がX軸方向の寸法より大きな平面視六角形状(矩形の2つの角を切り落としたような形状)の板部材から成り、床Fに支持された不図示の複数の支持部材によって除振装置をそれぞれ介して支持されている。   Projection unit PU is arranged below reticle stage RST in FIG. The projection unit PU is supported by a main frame BD disposed horizontally above the base board 12 via a flange portion FLG provided on the outer peripheral portion thereof. As shown in FIGS. 1 and 3, the main frame BD is composed of a plate member having a hexagonal shape (a shape obtained by cutting off two corners of a rectangle) in which the dimension in the Y-axis direction is larger than the dimension in the X-axis direction. The plurality of support members (not shown) supported by the floor F are supported by vibration isolation devices, respectively.

投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に保持された投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWST(より正しくは、ウエハWを保持する後述する微動ステージWFS)との同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。   The projection unit PU includes a lens barrel 40 and a projection optical system PL held in the lens barrel 40. As the projection optical system PL, for example, a refractive optical system including a plurality of optical elements (lens elements) arranged along an optical axis AX parallel to the Z axis is used. The projection optical system PL is, for example, both-side telecentric and has a predetermined projection magnification (for example, 1/4 times, 1/5 times, or 1/8 times). For this reason, when the illumination area IAR on the reticle R is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 10, the reticle R in which the first surface (object surface) of the projection optical system PL and the pattern surface are substantially coincided with each other is arranged. With the illumination light IL that has passed through the projection optical system PL (projection unit PU), a reduced image of the circuit pattern of the reticle R in the illumination area IAR (a reduced image of a part of the circuit pattern) is projected through the projection optical system PL (projection unit PU). Is formed in a region (hereinafter also referred to as an exposure region) IA that is conjugated to the illumination region IAR on the wafer W, which is disposed on the second surface (image surface) side of the wafer W, the surface of which is coated with a resist (sensitive agent). . Then, the reticle R is moved in the scanning direction (Y-axis) with respect to the illumination area IAR (illumination light IL) by synchronous driving of the reticle stage RST and the wafer stage WST (more precisely, a fine movement stage WFS which holds the wafer W, which will be described later). And moving the wafer W relative to the exposure area IA (illumination light IL) in the scanning direction (Y-axis direction) to scan one shot area (partition area) on the wafer W. Exposure is performed, and the pattern of the reticle R is transferred to the shot area. That is, in the present embodiment, the pattern of the reticle R is generated on the wafer W by the illumination system 10 and the projection optical system PL, and the sensitive layer (resist layer) on the wafer W is exposed on the wafer W by the illumination light IL. A pattern is formed.

ウエハステージWSTは、図1からわかるように、粗動ステージWCSと、粗動ステージWCSに非接触状態で支持され、粗動ステージWCSに対して相対移動可能な微動ステージWFSとを有している。   As can be seen from FIG. 1, wafer stage WST includes coarse movement stage WCS and fine movement stage WFS supported in a non-contact state with coarse movement stage WCS and relatively movable with respect to coarse movement stage WCS. .

粗動ステージWCSは、電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータ(米国特許第5,196,745号明細書参照)又はリニアモータ等から成る粗動ステージ駆動系51A(図8参照)により、X軸及びY軸方向に所定ストロークで駆動されるとともにθz方向に微小駆動される。   The coarse movement stage WCS is an electromagnetic force (Lorentz force) driving type planar motor (see US Pat. No. 5,196,745) or a coarse movement stage drive system 51A (see FIG. 8) composed of a linear motor or the like. It is driven with a predetermined stroke in the X-axis and Y-axis directions and finely driven in the θz direction.

微動ステージWFSの内部には、図1では不図示であるが、後述するウエハテーブルWTB(及びウエハホルダ(図1では不図示、図2参照))に形成された不図示の孔に挿入され、上下動可能な複数(例えば3本)の上下動ピン140(図4(B)参照)が設けられている。3本の上下動ピン140それぞれの上面には、真空吸引用の吸引口(不図示)が形成されている。また、3本の上下動ピン140は、それぞれの下端面が台座部材141の上面に固定されている。3本の上下動ピン140は、それぞれ台座部材141の上面の平面視でほぼ正三角形の頂点の位置に配置されている。3本の上下動ピン140それぞれに形成された吸引口は、上下動ピン140(及び台座部材141)の内部に形成された管路及び不図示の真空配管を介して真空ポンプ(不図示)に連通されている。台座部材141は、下面の中央部に固定された軸143を介して駆動装置142に接続されている。すなわち、3本の上下動ピン140は、台座部材141と一体で駆動装置142によって上下方向に駆動される。本実施形態では、台座部材141と3本の上下動ピン140と軸143とによって、ウエハ下面の中央部領域の一部を下方から支持可能なウエハセンター支持部材(以下、センター支持部材と略記する)150が構成されている。ここで、3本の上下動ピン140(センター支持部材150)の基準位置からのZ軸方向の変位は、例えば駆動装置142に設けられたエンコーダシステム等の変位センサ145(図4では不図示、図8参照)によって検出されている。主制御装置20は、変位センサ145の計測値に基づいて、駆動装置142を介して3本の上下動ピン140(センター支持部材150)を上下方向に駆動する。   Although not shown in FIG. 1, the fine movement stage WFS is inserted into a hole (not shown) formed in a wafer table WTB (and a wafer holder (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 2)), which will be described later. A plurality of (for example, three) vertical movement pins 140 (see FIG. 4B) that can move are provided. A suction port (not shown) for vacuum suction is formed on the upper surface of each of the three vertical movement pins 140. Further, the lower end surfaces of the three vertical movement pins 140 are fixed to the upper surface of the base member 141. The three vertical movement pins 140 are arranged at the positions of the apexes of a regular triangle in plan view of the upper surface of the base member 141, respectively. The suction port formed in each of the three vertical movement pins 140 is connected to a vacuum pump (not shown) via a pipe line formed in the vertical movement pins 140 (and the base member 141) and a vacuum pipe (not shown). It is communicated. The pedestal member 141 is connected to the driving device 142 via a shaft 143 fixed to the center portion of the lower surface. That is, the three vertical movement pins 140 are driven in the vertical direction by the driving device 142 integrally with the base member 141. In the present embodiment, a wafer center support member (hereinafter abbreviated as a center support member) capable of supporting a part of the central region of the lower surface of the wafer from below by the base member 141, the three vertical movement pins 140, and the shaft 143. ) 150 is configured. Here, the displacement in the Z-axis direction from the reference position of the three vertical movement pins 140 (center support member 150) is, for example, a displacement sensor 145 (not shown in FIG. 4) such as an encoder system provided in the drive device 142. (See FIG. 8). Main controller 20 drives three vertical movement pins 140 (center support member 150) in the vertical direction via drive device 142 based on the measurement value of displacement sensor 145.

また、微動ステージWFSは、微動ステージ駆動系52A(図8参照)によって粗動ステージWCSに対して6自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy及びθzの各方向)に駆動される。微動ステージ駆動系52Aは、例えば、米国特許出願公開第2010/0073652号明細書及び米国特許出願公開第2010/0073653号明細書と同様に、不図示の磁石ユニットと不図示のコイルユニットとによって、微動ステージWFSを粗動ステージWCSに対して非接触状態で支持するとともに、非接触で6自由度方向へ駆動する。   Fine movement stage WFS is driven in directions of six degrees of freedom (X axis, Y axis, Z axis, θx, θy, and θz directions) with respect to coarse movement stage WCS by fine movement stage drive system 52A (see FIG. 8). Is done. Fine movement stage drive system 52A includes, for example, a magnet unit (not shown) and a coil unit (not shown), as in US 2010/0073652 and US 2010/0073653. The fine movement stage WFS is supported in a non-contact state with respect to the coarse movement stage WCS, and is driven in a direction of six degrees of freedom without contact.

微動ステージWFSは、本体部81と本体部81の上面に固定されたウエハテーブルWTBとを含む。ウエハテーブルWTBの上面の中央には、バキュームチャック(又は静電チャック)などを有するウエハホルダWH(図1では不図示、図2参照)を介して、ウエハWが真空吸着等によって固定されている。ウエハホルダWHはウエハテーブルWTBと一体に形成しても良いが、本実施形態ではウエハホルダWHとウエハテーブルWTBとを別々に構成し、例えば真空吸着などによってウエハホルダWHをウエハテーブルWTB上に固定している。また、ウエハテーブルWTBの上面には、図2に示されるように、+Y側の端部近傍に、計測プレート(基準マーク板とも呼ばれる)30が設けられている。この計測プレート30には、ウエハテーブルWTBのセンターラインCLと一致する中心位置に第1基準マークFMが設けられ、該第1基準マークFMを挟むように一対のレチクルアライメント用の第2基準マークRMが設けられている。   Fine movement stage WFS includes a main body 81 and a wafer table WTB fixed to the upper surface of main body 81. At the center of the upper surface of wafer table WTB, wafer W is fixed by vacuum suction or the like via wafer holder WH (not shown in FIG. 1, see FIG. 2) having a vacuum chuck (or electrostatic chuck) or the like. Although the wafer holder WH may be formed integrally with the wafer table WTB, in this embodiment, the wafer holder WH and the wafer table WTB are separately configured, and the wafer holder WH is fixed on the wafer table WTB by, for example, vacuum suction. . Further, as shown in FIG. 2, a measurement plate (also referred to as a reference mark plate) 30 is provided on the upper surface of wafer table WTB in the vicinity of the + Y side end. The measurement plate 30 is provided with a first reference mark FM at a center position coincident with the center line CL of the wafer table WTB, and a pair of reticle alignment second reference marks RM so as to sandwich the first reference mark FM. Is provided.

本実施形態では、微動ステージWFSが本体部81とウエハテーブルWTBとを有するものとしたが、例えば、本体部81を設けずに、前述の微動ステージ駆動系52AによってウエハテーブルWTBを駆動しても良い。また、微動ステージWFSは、その上面の一部にウエハWの載置領域を有していれば良く、ウエハステージWSTの保持部、あるいはテーブル、可動部などと呼ぶことができる。   In this embodiment, fine movement stage WFS has main body 81 and wafer table WTB. For example, even if main body 81 is not provided, wafer table WTB is driven by fine movement stage drive system 52A. good. Fine movement stage WFS only needs to have a mounting area for wafer W on a part of its upper surface, and can be referred to as a holding part, a table, or a movable part of wafer stage WST.

ウエハテーブルWTB上には、ウエハホルダWHに近接して複数(例えば3つ)の反射鏡86が設けられている。3つの反射鏡86は、ウエハホルダWHの外側に近接してそれぞれ配置されている。3つの反射鏡86のうち1つは、センターラインCL上でウエハホルダWHの−Y側の位置(平面視においてウエハWの中心に対して6時の方向の位置、すなわちウエハWのノッチが対向する位置)に、残りの2つは、平面視においてウエハWの中心に対して2時、10時の方向のセンターラインCLに関して対称な位置に、それぞれ配置されている。なお、図2では、説明の便宜上からウエハホルダWHの外径がウエハWの直径よりも大きく図示されているが、実際には、ウエハホルダWHの外径は、ウエハWの直径と同じ若しくは幾分小さい。   On the wafer table WTB, a plurality of (for example, three) reflecting mirrors 86 are provided close to the wafer holder WH. The three reflecting mirrors 86 are arranged close to the outside of the wafer holder WH. One of the three reflecting mirrors 86 is positioned on the center line CL on the −Y side of the wafer holder WH (the position in the 6 o'clock direction with respect to the center of the wafer W in a plan view, that is, the notch of the wafer W faces. The remaining two are arranged at positions symmetrical with respect to the center line CL in the 2 o'clock and 10 o'clock directions with respect to the center of the wafer W in plan view. In FIG. 2, the outer diameter of the wafer holder WH is shown larger than the diameter of the wafer W for convenience of explanation, but in reality, the outer diameter of the wafer holder WH is the same as or slightly smaller than the diameter of the wafer W. .

ウエハテーブルWTBの−Y端面,−X端面には、それぞれ鏡面加工が施され、図2に示される反射面17a,反射面17bが形成されている。なお、上述の如く、本実施形態では、微動ステージWFSがウエハテーブルWTBを備えているので、以下の説明では、ウエハテーブルWTBを含む微動ステージWFSを、ウエハテーブルWTBとも表記する。   The -Y end surface and -X end surface of wafer table WTB are mirror-finished to form reflecting surface 17a and reflecting surface 17b shown in FIG. As described above, in the present embodiment, fine movement stage WFS includes wafer table WTB. Therefore, in the following description, fine movement stage WFS including wafer table WTB is also referred to as wafer table WTB.

ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)の位置情報は、図1に示されるY干渉計16を含む干渉計システム70(図8参照)によって計測される。   Position information of wafer table WTB (wafer stage WST) is measured by interferometer system 70 (see FIG. 8) including Y interferometer 16 shown in FIG.

干渉計システム70は、ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)の位置情報を計測する複数の干渉計、具体的には、図3に示される、Y干渉計16及び3つのX干渉計136、137、138等を含む。本実施形態では、上記各干渉計としては、一部を除いて、測長軸を複数有する多軸干渉計が用いられている。   The interferometer system 70 includes a plurality of interferometers that measure position information of the wafer table WTB (wafer stage WST), specifically, the Y interferometer 16 and the three X interferometers 136 and 137 shown in FIG. 138 etc. are included. In the present embodiment, as each of the interferometers, a multi-axis interferometer having a plurality of length measuring axes is used except for some of the interferometers.

Y干渉計16は、図1及び図3に示されるように、投影光学系PLの投影中心(光軸AX、本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致)を通るY軸に平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LVから同一距離−X側,+X側に離れたY軸方向の光路にそれぞれ沿って測長ビームB41,B42をウエハテーブルWTBの反射面17aに照射し、それぞれの反射光を受光する。また、Y干渉計16は、測長ビームB41,B42から−Z方向に離間し、かつ基準軸LV上を通るY軸方向の光路に沿って測長ビームB3を反射面17aに向けて照射し、反射面17aで反射した測長ビームB3を受光する。 1 and 3, the Y interferometer 16 is parallel to the Y axis passing through the projection center of the projection optical system PL (the optical axis AX, which also coincides with the center of the exposure area IA in the present embodiment). The measurement beams B4 1 and B4 2 are irradiated onto the reflecting surface 17a of the wafer table WTB along the optical path in the Y-axis direction that is the same distance from the straight line (hereinafter referred to as the reference axis) LV to the −X side and + X side. Each reflected light is received. The Y interferometer 16 is spaced from the measurement beams B4 1 and B4 2 in the −Z direction, and directs the measurement beam B3 toward the reflecting surface 17a along the optical path in the Y-axis direction passing on the reference axis LV. The length measuring beam B3 irradiated and reflected by the reflecting surface 17a is received.

X干渉計136は、投影光学系PLの光軸を通るX軸方向の直線(基準軸)LHから同一距離+Y側,−Y側に離れたX軸方向の光路にそれぞれ沿った測長ビームB51,B52、及び測長ビームB51又はB52から−Z方向に離間したX軸方向の光路に沿った測長ビームを含む3本のX軸方向の測長ビームをウエハテーブルWTBの反射面17bに照射し、それぞれの反射光を受光する。 The X interferometer 136 is a measurement beam B5 along the optical path in the X-axis direction that is separated from the straight line (reference axis) LH in the X-axis direction passing through the optical axis of the projection optical system PL by the same distance + Y side and −Y side. 1, B5 2, and the reflected measurement beams B5 1 or B5 3 present X-axis direction of the measurement beam to wafer table WTB including measurement beam along the 2 to the optical path of spaced X-axis direction in the -Z direction The surface 17b is irradiated and each reflected light is received.

X干渉計137は、後述するアライメント検出系ALGの検出中心を通るX軸に平行な直線LAに沿って測長ビームB6及び該測長ビームB6の−Z側の光路を通る測長ビームをウエハテーブルWTBの反射面17bに照射し、それぞれの反射光を受光する。   The X interferometer 137 receives a length measurement beam B6 and a length measurement beam passing through the optical path on the −Z side of the measurement beam B6 along a straight line LA parallel to the X axis passing through the detection center of an alignment detection system ALG described later. Irradiates the reflecting surface 17b of the table WTB and receives each reflected light.

X干渉計138は、ウエハのロードが行われるローディングポジションLPを通るX軸に平行な直線LULに沿って測長ビームB7をウエハテーブルWTBの反射面17bに照射し、その反射光を受光する。   The X interferometer 138 irradiates the measuring surface Bb on the reflecting surface 17b of the wafer table WTB along the straight line LUL parallel to the X axis passing through the loading position LP where the wafer is loaded, and receives the reflected light.

干渉計システム70の各干渉計の計測値(位置情報の計測結果)は、主制御装置20に供給されている(図8参照)。主制御装置20は、Y干渉計16の計測値に基づいて、ウエハテーブルWTBのY軸方向、θx方向及びθz方向に関する位置情報を求める。また、主制御装置20は、X干渉計136、137及び138のいずれかの計測値に基づいてウエハテーブルWTBのX軸方向に関する位置情報を求める。また、主制御装置20は、X干渉計136の計測値に基づいて、ウエハテーブルWTBのθy方向に関する位置情報を求める。なお、主制御装置20は、X干渉計136の計測値に基づいてウエハテーブルWTBのθz方向に関する位置情報を求めることとしても良い。   The measurement values (position information measurement results) of each interferometer of the interferometer system 70 are supplied to the main controller 20 (see FIG. 8). Main controller 20 obtains position information regarding the Y-axis direction, θx direction, and θz direction of wafer table WTB based on the measurement value of Y interferometer 16. Further, main controller 20 obtains position information regarding the X-axis direction of wafer table WTB based on the measurement value of any of X interferometers 136, 137, and 138. Main controller 20 obtains position information regarding the θy direction of wafer table WTB based on the measurement value of X interferometer 136. Main controller 20 may obtain position information regarding the θz direction of wafer table WTB based on the measurement value of X interferometer 136.

この他、干渉計システム70は、Z軸方向に離間した一対のY軸に平行な測長ビームを、粗動ステージWCSの−Y側の側面に固定された移動鏡(不図示)の上下一対の反射面をそれぞれ介して一対の固定鏡(不図示)に照射し、その一対の固定鏡からの上記反射面を介した戻り光を受光する、基準軸LVから同一距離−X側,+X側に離れて配置された一対のZ干渉計を備えていても良い。この一対のZ干渉計の計測値に基づいて、主制御装置20は、Z軸、θy、θzの各方向を含む少なくとも3自由度方向に関するウエハステージWSTの位置情報求めることができる。   In addition, the interferometer system 70 includes a pair of upper and lower movable mirrors (not shown) fixed on the side surface on the −Y side of the coarse movement stage WCS by measuring a pair of measurement beams parallel to the Y axis that are separated in the Z axis direction. Irradiates a pair of fixed mirrors (not shown) through the respective reflecting surfaces, and receives the return light from the pair of fixed mirrors through the reflecting surfaces, the same distance from the reference axis LV -X side, + X side A pair of Z interferometers arranged apart from each other may be provided. Based on the measurement values of the pair of Z interferometers, main controller 20 can obtain position information of wafer stage WST in at least three degrees of freedom including the directions of the Z axis, θy, and θz.

なお、干渉計システム70の詳細な構成、及び計測方法の詳細の一例については、例えば米国特許出願公開第2008/0106722号明細書などに詳細に開示されている。   Note that a detailed configuration of the interferometer system 70 and an example of the details of the measurement method are disclosed in detail in, for example, US Patent Application Publication No. 2008/0106722.

ウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)の位置情報を計測するために本実施形態では干渉計システムを用いたが、別の手段を用いても良い。例えば、米国特許出願公開第2010/0297562号明細書に記載されているようなエンコーダシステムを使用することも可能である。   In this embodiment, the interferometer system is used to measure the position information of wafer table WTB (wafer stage WST), but other means may be used. For example, it is possible to use an encoder system as described in US 2010/0297562.

露光装置100では、さらに、図1に示されるように、投影ユニットPUの鏡筒40の下端部側面に、第1基準マークFM及びウエハW上のアライメントマークを検出するアライメント検出系ALGが設けられている。アライメント検出系ALGとしては、例えば、ウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標(各アライメント系内に設けられた指標板上の指標パターン)の像とを撮像素子(CCD等)を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。アライメント検出系ALGからの撮像信号は、主制御装置20に供給されるようになっている(図8参照)。   In the exposure apparatus 100, as shown in FIG. 1, an alignment detection system ALG for detecting the first reference mark FM and the alignment mark on the wafer W is provided on the side surface of the lower end of the barrel 40 of the projection unit PU. ing. For example, the alignment detection system ALG irradiates the target mark with a broadband detection light beam that does not sensitize the resist on the wafer, and the target mark image formed on the light receiving surface by the reflected light from the target mark is not shown. An image processing system FIA (Field Image Alignment) that captures an image of an index (an index pattern on an index plate provided in each alignment system) using an imaging device (CCD or the like) and outputs the imaged signals. A system is used. The imaging signal from the alignment detection system ALG is supplied to the main controller 20 (see FIG. 8).

なお、アライメント検出系ALGに代えて、例えば米国特許出願公開第2009/0233234号明細書に開示されている5つのアライメント系を備えたアライメント装置を設けても良い。   In place of the alignment detection system ALG, for example, an alignment apparatus including five alignment systems disclosed in US Patent Application Publication No. 2009/0233234 may be provided.

この他、露光装置100では、投影光学系PLの近傍に、ウエハWの表面に複数の計測ビームを照射する照射系54aと、それぞれの反射ビームを受光する受光系54bとを有する多点焦点位置検出系(以下、多点AF系と称する)54(図8参照)が設けられている。多点AF系54の詳細構成については、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されている。   In addition, in the exposure apparatus 100, a multipoint focal position having an irradiation system 54a that irradiates the surface of the wafer W with a plurality of measurement beams and a light receiving system 54b that receives the respective reflected beams in the vicinity of the projection optical system PL. A detection system (hereinafter referred to as a multi-point AF system) 54 (see FIG. 8) is provided. The detailed configuration of the multipoint AF system 54 is disclosed in, for example, US Pat. No. 5,448,332.

図1では不図示であるが、レチクルRの上方に、レチクルR上の一対のレチクルアライメントマークと、これに対応するウエハテーブルWTB上の計測プレート30上の一対の第2基準マークRMの投影光学系PLを介した像とを同時に観察するための露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)方式の一対のレチクルアライメント検出系14(図8参照)が配置されている。この一対のレチクルアライメント検出系14の検出信号は、主制御装置20に供給されるようになっている。   Although not shown in FIG. 1, above the reticle R, projection optics of a pair of reticle alignment marks on the reticle R and a pair of second reference marks RM on the measurement plate 30 on the wafer table WTB corresponding thereto. A pair of reticle alignment detection systems 14 (see FIG. 8) of a TTR (Through The Reticle) system using light of an exposure wavelength for simultaneously observing an image via the system PL is arranged. The detection signals of the pair of reticle alignment detection systems 14 are supplied to the main controller 20.

次に、搬送システム120(図8参照)について説明する。搬送システム120の一部を構成する搬入ユニット121(図1参照)は、露光前のウエハを、ウエハテーブルWTB上にロードするのに先立ってローディングポジションLPの上方で保持し、ウエハテーブルWTB上にロードするためのものである。また、搬送システム120の一部を構成する搬出ユニット122(図8参照)は、露光後のウエハを、ウエハテーブルWTBからアンロードするためのものである。   Next, the transport system 120 (see FIG. 8) will be described. Prior to loading the wafer before exposure onto the wafer table WTB, the carry-in unit 121 (see FIG. 1) constituting a part of the transfer system 120 holds the wafer on the wafer table WTB. It is for loading. Further, the carry-out unit 122 (see FIG. 8) constituting a part of the transfer system 120 is for unloading the exposed wafer from the wafer table WTB.

搬入ユニット121は、図3及び図4(A)に示されるように、ウエハWを上方から非接触で吸引するチャックユニット153、チャックユニット153を上下方向に駆動する複数、例えば3つのZボイスコイルモータ144、チャックユニット153の自重を支持する複数、例えば一対の重量キャンセル装置131、並びに3つのZボイスコイルモータ144及び一対の重量キャンセル装置131などが搭載されたベース部材22等を備えている。ベース部材22は、長手方向(X軸方向)両端部に接続された不図示の支持部材及び防振装置(いずれも図示せず)を介してメインフレームBD(図1参照)に吊下げ支持されている。   As shown in FIGS. 3 and 4A, the carry-in unit 121 includes a chuck unit 153 that sucks the wafer W from above without contact, and a plurality of, for example, three Z voice coils that drive the chuck unit 153 in the vertical direction. A plurality of, for example, a pair of weight cancellation devices 131 that support the weight of the motor 144 and the chuck unit 153, a base member 22 on which three Z voice coil motors 144, a pair of weight cancellation devices 131, and the like are mounted. The base member 22 is suspended and supported by the main frame BD (see FIG. 1) via a support member (not shown) and a vibration isolator (both not shown) connected to both ends in the longitudinal direction (X-axis direction). ing.

チャックユニット153は、図4(A)及び図4(B)に示されるように、例えば平面視(上方から見て)長手方向(X軸方向)の両端部に一対の張り出し部44a、44bが設けられた略円形の所定厚さの板部材(プレート)44、及び板部材44の下面に所定の配置で埋めこまれた複数のチャック部材124等を備えている。本実施形態に係るチャックユニット153は、さらに、板部材44に120°の間隔で形成された3つの段付き開口25内にそれぞれ収納された後述する3つのウエハ支持ユニット125をも備えている。   As shown in FIGS. 4A and 4B, the chuck unit 153 has, for example, a pair of projecting portions 44a and 44b at both ends in the longitudinal direction (as viewed from above) in the longitudinal direction (X-axis direction). A substantially circular plate member (plate) 44 having a predetermined thickness and a plurality of chuck members 124 embedded in a predetermined arrangement on the lower surface of the plate member 44 are provided. The chuck unit 153 according to the present embodiment further includes three wafer support units 125 (described later) housed in three stepped openings 25 formed in the plate member 44 at intervals of 120 °.

ここで、板部材44は、その内部に配管等が設けられ、その配管内に所定温度に温調された液体が流れることでウエハを所定温度に温調するためのクールプレートを兼ねている。ただし、板部材44は、必ずしもクールプレートを兼ねている必要はない。   Here, the plate member 44 is provided with a pipe or the like therein, and also serves as a cool plate for adjusting the temperature of the wafer to a predetermined temperature by flowing a liquid whose temperature is adjusted to a predetermined temperature in the pipe. However, the plate member 44 does not necessarily have to serve as a cool plate.

前述のベース部材22は、図4(A)に示されるように、板部材44の形状に対応した形状の切欠き部22aが形成された板部材から成る。すなわち、板部材44は、ベース部材22の切欠き部22aに対して所定の隙間(ギャップ、クリアランス)を介して対向する状態で、配置されている。   As shown in FIG. 4A, the base member 22 is composed of a plate member in which a notch 22a having a shape corresponding to the shape of the plate member 44 is formed. That is, the plate member 44 is disposed in a state of facing the notch portion 22a of the base member 22 via a predetermined gap (gap, clearance).

板部材44には、複数のチャック部材124と干渉しない位置に複数の不図示の貫通孔が形成されている。また、板部材44には、図4(A)に示されるように、平面視において基準軸LV上に位置する中心に対して6時の方向の位置、2時の方向の位置、及び10時の方向の位置にそれぞれ段付き開口25が形成されている。それぞれの段付き開口25内には、後述するウエハ支持ユニット125の少なくとも一部が収納されている。なお、開口25(ウエハ支持ユニット125)の配置及び個数は、これに限られるものではない。   A plurality of through holes (not shown) are formed in the plate member 44 at positions that do not interfere with the plurality of chuck members 124. Further, as shown in FIG. 4A, the plate member 44 has a position in the 6 o'clock direction, a position in the 2 o'clock direction, and 10 o'clock with respect to the center located on the reference axis LV in plan view. Stepped openings 25 are respectively formed at positions in the direction of. In each stepped opening 25, at least a part of a wafer support unit 125 described later is accommodated. The arrangement and number of the openings 25 (wafer support units 125) are not limited to this.

各チャック部材124としては、いわゆるベルヌーイ・チャック(ベルヌーイ・カップ)が用いられている。ベルヌーイ・チャックは、周知の如く、ベルヌーイ効果を利用し、噴き出される流体(例えば空気)の流速を局所的に大きくし、対象物を吸引(非接触で保持)するチャックである。ここで、ベルヌーイ効果とは、流体の圧力は流速が増すにつれ減少するというもので、ベルヌーイ・チャックでは、吸引(保持、固定)対象物の重さ、及びチャックから噴き出される流体の流速で吸引状態(保持/浮遊状態)が決まる。すなわち、対象物の大きさが既知の場合、チャックから噴き出される流体の流速に応じて、吸引の際のチャックと保持対象物との隙間の寸法が定まる。本実施形態では、チャック部材124は、ウエハWの周辺に気体の流れ(気体流)を発生させてウエハWを吸引するのに用いられる。吸引の力の度合いは適宜調整可能で、ウエハWを、複数のチャック部材124で吸引することで、Z軸方向,θx及びθy方向の移動を制限することができる。   As each chuck member 124, a so-called Bernoulli chuck (Bernoulli cup) is used. As is well known, the Bernoulli chuck is a chuck that uses the Bernoulli effect to locally increase the flow velocity of a fluid (for example, air) to be ejected and suck (hold non-contact) an object. Here, the Bernoulli effect means that the pressure of the fluid decreases as the flow velocity increases. In the Bernoulli chuck, suction is performed with the weight of the object to be sucked (held and fixed) and the flow velocity of the fluid ejected from the chuck. The state (holding / floating state) is determined. That is, when the size of the object is known, the dimension of the gap between the chuck and the holding object at the time of suction is determined according to the flow rate of the fluid ejected from the chuck. In the present embodiment, the chuck member 124 is used for sucking the wafer W by generating a gas flow (gas flow) around the wafer W. The degree of the suction force can be adjusted as appropriate. By moving the wafer W with the plurality of chuck members 124, movement in the Z-axis direction, θx and θy directions can be limited.

複数のチャック部材124は、主制御装置20により、調整装置115(図8参照)を介して、それぞれのチャック部材124から噴き出される気体流の流速、流量及び噴き出しの向き(気体の噴出方向)等の少なくとも1つが制御されることで、各チャック部材124の吸引力が個別に任意の値に設定される。なお、複数のチャック部材124を、予め定めたグループ毎に、吸引力を設定可能に構成しても良い。なお、主制御装置20は、気体の温度を制御するようにしても良い。   The plurality of chuck members 124 are flown by the main controller 20 via the adjusting device 115 (see FIG. 8), the flow velocity of the gas flow ejected from each chuck member 124, the flow rate, and the ejection direction (gas ejection direction). By controlling at least one of these, the suction force of each chuck member 124 is individually set to an arbitrary value. The plurality of chuck members 124 may be configured to be able to set the suction force for each predetermined group. The main controller 20 may control the temperature of the gas.

ウエハWを、後述するように、チャック部材124で吸引する際にチャック部材124から噴き出された流体(例えば空気)は、板部材44に形成された不図示の貫通孔を介して外部(チャックユニット153の上方)に放出される。   As will be described later, fluid (for example, air) ejected from the chuck member 124 when the wafer W is sucked by the chuck member 124 is externally (chucked) through a through hole (not shown) formed in the plate member 44. To the upper part of the unit 153).

ここで、チャック部材124に供給される気体(例えば圧縮空気)として、少なくとも温度が一定に調節され、塵埃、パーティクルなどが取り除かれたクリーンエアが供給される。すなわち、チャック部材124に吸引されたウエハWは、温調された圧縮空気により、所定の温度に保たれる。また、ウエハステージWST等が配置された空間の温度、清浄度等を設定範囲に保つことができる。   Here, as the gas (for example, compressed air) supplied to the chuck member 124, clean air from which dust and particles are removed at least at a constant temperature is supplied. That is, the wafer W sucked by the chuck member 124 is maintained at a predetermined temperature by the temperature-controlled compressed air. In addition, the temperature, cleanliness, etc. of the space where wafer stage WST and the like are arranged can be kept within the set range.

また、板部材44には、L字の棒状部材から成る複数、ここでは3つの支持部材24、24、24それぞれの一端が接続されている。 The plate member 44 is connected to one end of each of a plurality of, in this case, three support members 24 1 , 24 2 , 24 3 made of an L-shaped bar-like member.

3つの支持部材24、24、24のそれぞれは、L字部の短い方の辺の端部である一端が、板部材44の上面に固定されている。2つの支持部材24、24それぞれの一端は、板部材44の張り出し部44a、44bの上面の所定位置、ここでは平面視において基準軸LV上に位置する板部材44の中心に対して3時、9時の方向の位置に固定されている。また、残りの支持部材24の一端は、平面視において板部材44の中心に対して6時の方向の位置(基準軸LV上に一致する位置)であって後述する段付き開口25よりも幾分+Y側の位置に固定されている。 Each of the three support members 24 1 , 24 2 , 24 3 has one end that is an end portion of the shorter side of the L-shaped portion fixed to the upper surface of the plate member 44. One end of each of the two support members 24 1 , 24 2 is 3 with respect to a predetermined position on the upper surface of the projecting portions 44 a, 44 b of the plate member 44, here the center of the plate member 44 located on the reference axis LV in plan view. It is fixed at the 9 o'clock position. Further, the one end and the remaining support members 24 3, than stepped opening 25 to be described later to a position of 6 o'clock with respect to the center of the plate member 44 in plan view (corresponding to the reference axis LV position) Somewhat fixed at the + Y position.

2つの支持部材24、24それぞれの長い方の辺は、X軸方向に沿って配置され、それぞれの辺の他端部が、重量キャンセル装置131によって下方から支持されるとともに、Zボイスコイルモータ144に接続されている。この場合、重量キャンセル装置131の外側にZボイスコイルモータ144が配置されている。残りの支持部材24の長い方の辺はX軸及びY軸に対して所定角度傾斜した方向に沿って配置され、その辺の他端部の下面がZボイスコイルモータ144に接続されている。 The longer side of each of the two support members 24 1 , 24 2 is disposed along the X-axis direction, and the other end of each side is supported from below by the weight canceling device 131, and the Z voice coil The motor 144 is connected. In this case, a Z voice coil motor 144 is disposed outside the weight cancellation device 131. The larger dimension remainder of the support member 24 3 is arranged along a direction inclined at a predetermined angle with respect to the X-axis and Y-axis, the lower surface of the other end portion of the side is connected to the Z voice coil motors 144 .

3つのZボイスコイルモータ144のそれぞれは、チャックユニット153を上下方向(Z軸方向)に所定のストローク(チャックユニット153がウエハWの吸引を開始する第1位置と、チャックユニット153に吸引されたウエハWがウエハホルダWH(ウエハテーブルWTB)上に載置される第2位置とを含む範囲)で駆動する。ここで、3つのZボイスコイルモータ144のうち、支持部材24に接続されたZボイスコイルモータ144は、主にチャックユニット153の姿勢制御(θx方向の姿勢制御)に用いられる。3つのZボイスコイルモータ144のそれぞれは、主制御装置20によって制御される(図8参照)。 Each of the three Z voice coil motors 144 sucks the chuck unit 153 up and down (Z-axis direction) with a predetermined stroke (first position where the chuck unit 153 starts sucking the wafer W and the chuck unit 153. The wafer W is driven in a range including a second position where the wafer W is placed on the wafer holder WH (wafer table WTB). Here, the three Z voice coil motors 144, Z voice coil motor 144 that is connected to the support member 24 3 is mainly used for the attitude control of the chuck unit 153 ([theta] x direction posture control). Each of the three Z voice coil motors 144 is controlled by the main controller 20 (see FIG. 8).

2つの重量キャンセル装置131のそれぞれは、一種の空気ばね装置であり、不図示のピストン部材と、ピストン部材がスライド自在に設けられた不図示のシリンダとを備えている。ピストン部材のピストンとシリンダとで区画されるシリンダ内部の空間の圧力は、チャックユニット153(板部材44、複数のチャック部材124及び後述する3つのウエハ支持ユニット125)、並びに支持部材24〜24の自重に応じた値に設定されている。これにより、2つの重量キャンセル装置131は、支持部材24、24に対して上向き(+Z方向)の力を与え、チャックユニット153の自重(又はその一部)が支持されている。重量キャンセル装置131のシリンダ内部に供給される気体の圧力及び量等は、主制御装置20(図8参照)によって制御されている。ここで、重量キャンセル装置131は、シリンダに沿って、上下方向に移動するピストン部材を備えているので、チャックユニット153の上下動の際のガイドを兼ねている。 Each of the two weight cancellation devices 131 is a kind of air spring device, and includes a piston member (not shown) and a cylinder (not shown) in which the piston member is slidably provided. The pressure in the space inside the cylinder defined by the piston and the cylinder of the piston member includes the chuck unit 153 (the plate member 44, the plurality of chuck members 124, and three wafer support units 125 described later), and the support members 24 1 to 24. The value is set according to the weight of 3 . As a result, the two weight cancellation devices 131 apply an upward force (+ Z direction) to the support members 24 1 , 24 2 , and the own weight (or part thereof) of the chuck unit 153 is supported. The pressure and amount of the gas supplied into the cylinder of the weight canceling device 131 are controlled by the main control device 20 (see FIG. 8). Here, since the weight cancellation device 131 includes a piston member that moves in the vertical direction along the cylinder, it also serves as a guide when the chuck unit 153 moves up and down.

3つのウエハ支持ユニット125は、上述したように、板部材44に形成された3つの段付き開口25内に個別に収納されている(図4(A)及び図4(B)参照)。図4(B)では、ウエハWを支持する後述する保持部の一部が板部材44の下面から露出した状態が示されている。   As described above, the three wafer support units 125 are individually housed in the three stepped openings 25 formed in the plate member 44 (see FIGS. 4A and 4B). FIG. 4B shows a state in which a part of a holding portion, which will be described later, that supports the wafer W is exposed from the lower surface of the plate member 44.

なお、3つのウエハ支持ユニット125は、配置が異なる点を除き同じ構成であるので、以下では、板部材44の中心に対して−Y方向に位置する段付き開口25内に収納されたウエハ支持ユニット125を代表的に取り上げて説明する。   Since the three wafer support units 125 have the same configuration except for different arrangements, the wafer support accommodated in the stepped opening 25 positioned in the −Y direction with respect to the center of the plate member 44 is described below. The unit 125 will be described as a representative example.

ウエハ支持ユニット125は、図5(A)に示されるように、平板部材62と、平板部材62上にその長手方向に所定間隔で配置された2つの軸受部材66、66と、2つの軸受部材66、66によって回転可能に支持された保持ユニット72と、保持ユニット72にカップリング64を介して接続された回転モータ68と、を備えている。 As shown in FIG. 5A, the wafer support unit 125 includes a flat plate member 62, two bearing members 66 1 , 66 2 disposed on the flat plate member 62 at predetermined intervals in the longitudinal direction, A holding unit 72 rotatably supported by bearing members 66 1 and 66 2 , and a rotation motor 68 connected to the holding unit 72 via a coupling 64 are provided.

平板部材62は、薄板状の部材から成り、中央部に矩形の開口63が形成されている。平板部材62は、板部材44の段付き開口25の段部に、XY平面とほぼ平行になる状態で、例えばボルト締結等によって固定されている。   The flat plate member 62 is made of a thin plate-like member, and a rectangular opening 63 is formed at the center. The flat plate member 62 is fixed to the step portion of the stepped opening 25 of the plate member 44 in a state of being substantially parallel to the XY plane by, for example, bolt fastening.

2つの軸受部材66、66は、それぞれ直方体部材から成り、+X側に位置する軸受部材66が、−X側に位置する軸受部材66に比べ、幾分X軸方向に長い。2つの軸受部材66、66は、平板部材62に形成された開口63をX軸方向に挟むようにX軸方向に離間して配置され、平板部材62上面に、例えばボルト締結等で固定されている。図7に示されるように、一方の軸受部材66には、+X側の端面から−X側の端面に至る、円形の貫通孔80が形成されている。同様に、他方の軸受部材66には、+X側の端面から−X側の端面に至る、貫通孔80と同心で同一径の円形の貫通孔80が形成されている。 The two bearing members 66 1 and 66 2 are each composed of a rectangular parallelepiped member, and the bearing member 66 1 located on the + X side is somewhat longer in the X-axis direction than the bearing member 66 2 located on the −X side. The two bearing members 66 1 and 66 2 are spaced apart in the X-axis direction so as to sandwich the opening 63 formed in the flat plate member 62 in the X-axis direction, and fixed to the upper surface of the flat plate member 62 by, for example, bolt fastening or the like. Has been. As shown in FIG. 7, the one bearing member 66 1, leading to the end surface of the -X side from the end surface on the + X side, a circular through-hole 80 1 is formed. Similarly, the other bearing member 66 2, + from X side end surface of the lead to the end surface of the -X side, circular through-hole 80 2 of the same diameter through-hole 80 1 concentrically it is formed.

なお、本実施形態では軸受部材を2つ用意したが、2つに限るものではなく、軸部を支持できるのであれば1つとしても良い。   In the present embodiment, two bearing members are prepared. However, the number of bearing members is not limited to two, and may be one if the shaft portion can be supported.

保持ユニット72は、図5(B)に取り出して示されるように、長手方向(X軸方向)に沿って配置された3つの部分、すなわち軸部73、73及び保持部74を有する。詳述すると、保持部74は、保持ユニット72の長手方向(X軸方向)の中央に設けられ、保持部74の長手方向一端面と他端面に同心かつ同径の2つの軸部(シャフト部)73、73の長手方向の一端面が固定されている。保持ユニット72は、図7に示されるように、軸部73が、軸受部材66の貫通孔80内に挿入され、軸部73が、軸受部材66の貫通孔80内に挿入されている。すなわち、保持ユニット72は、このようにして2つの軸受部材66、66によってX軸方向に平行な回転軸回りに回転可能に支持されている。保持ユニット72については、保持部74の構成を含めて後にさらに詳述する。 As shown in FIG. 5B, the holding unit 72 includes three portions arranged along the longitudinal direction (X-axis direction), that is, shaft portions 73 1 and 73 2 and a holding portion 74. More specifically, the holding portion 74 is provided at the center in the longitudinal direction (X-axis direction) of the holding unit 72, and two shaft portions (shaft portions) that are concentric and have the same diameter on one end surface and the other end surface in the longitudinal direction of the holding portion 74. ) 73 1 and 73 2 are fixed at one end face in the longitudinal direction. Holding unit 72, as shown in FIG. 7, the shaft portion 73 1 is inserted into the bearing member 66 1 of the through-hole 80 1, the shaft portion 73 2, the bearing member 66 and second through-holes 80 in the 2 Has been inserted. That is, the holding unit 72 is supported by the two bearing members 66 1 , 66 2 in such a manner as to be rotatable around a rotation axis parallel to the X-axis direction. The holding unit 72 will be described in detail later including the configuration of the holding unit 74.

一方の軸受部材66には、図7に示されるように、貫通孔80の上側の部分に、軸受部材66の外部と貫通孔80の内部とを連通させる3つの管路81〜81がX軸方向に離間して形成されている。また、他方の軸受部材66には、貫通孔80の上側の部分に、軸受部材66の外部と貫通孔80の内部とを連通させる管路84が形成されている。 On one of the bearing members 66 1, as shown in FIG. 7, the through-holes 80 in the upper part of the 1, three conduits 81 1 for communicating the interior of the outer and the through-hole 80 1 of the bearing member 66 1 to 81 3 are formed spaced apart in the X-axis direction. Further, the other bearing member 66 2, in the upper portion of the through-hole 80 2, line 84 for communicating the interior of the bearing member 66 2 externally of the through-hole 80 2 is formed.

軸受部材66の3つの管路81〜81のうち、最も+X側に位置する管路81は、不図示の気体供給管を介して、所定の気体、例えば圧縮空気を供給する気体供給装置102に接続されている。気体供給装置102から供給される圧縮空気の流量等は、主制御装置20(図8参照)によって制御される。また、軸受部材66の貫通孔80は、+X半部の内径が他の部分より大きい。すなわち、貫通孔80は、段付きの円形開口である。貫通孔80の大径部、すなわち軸受部材66の+X半部の内周面には、円筒状の多孔質部材82が配置され、多孔質部材82の内周面は、貫通孔80の他の部分と同一面となっている。気体供給装置102から供給された圧縮空気は、管路81を通って多孔質部材82内に流入し、その多孔質部材82から、多孔質部材82と軸部73との対向面全域に向かって噴き出され、その噴き出された圧縮空気の静圧により、多孔質部材82と軸部73との間に、所定の隙間(ギャップ、クリアランス)、例えば数μm程度の隙間が形成されている。すなわち、軸受部材66の+X側端部と軸部73との間に静圧空気軸受(エアベアリング)が構成されている。 Of the three conduits 81 1-81 3 bearing member 66 1, pipe 81 1 which is positioned on the most + X side through the gas supply pipe (not shown), a predetermined gas, for example gas supply compressed air It is connected to the supply device 102. The flow rate of the compressed air supplied from the gas supply device 102 is controlled by the main control device 20 (see FIG. 8). The through-hole 80 1 of the bearing member 66 1, the inner diameter of the + X half is larger than the other portions. That is, the through-hole 80 1, a circular opening stepped. The large diameter portion of the through-hole 80 1, i.e. on the inner peripheral surface of the + X half of the bearing member 66 1, the cylindrical porous member 82 is arranged, the inner peripheral surface of the porous member 82, through holes 80 1 It is flush with other parts. Compressed air supplied from the gas supply device 102 via line 811 flows into the porous member 82, from the porous member 82, the facing surfaces throughout the porous member 82 and the shaft portion 73 1 towards being sprayed, the static pressure of the blown compressed air, between the porous member 82 and the shaft portion 73 1, a predetermined clearance (gap clearance), for example, several μm order of gap is formed ing. That is, the static pressure air bearing (air bearing) is arranged between the + X side end portion of the bearing member 66 1 and a shaft portion 73 1.

軸受部材66の3つの管路81〜81のうち、最も−X側に位置する管路81は、軸受部材66の−X側端部(管路81の−X側)に形成されている。管路81は、不図示の真空配管を介して真空ポンプ104に接続されている。真空ポンプ104は、主制御装置20(図8参照)によって制御されている。 Of the three conduits 81 1-81 3 bearing member 66 1, the conduit 81 3 positioned on the most -X side, the -X side end of the bearing member 66 1 (-X side of the pipe 81 2) Is formed. Line 81 3 is connected to a vacuum pump 104 via a vacuum pipe (not shown). The vacuum pump 104 is controlled by the main controller 20 (see FIG. 8).

軸受部材66の3つの管路81〜81のうち、中間に位置する管路81は、軸受部材66の貫通孔80内に配置された多孔質部材82より−X側の位置に形成されている。軸受部材66の軸部73との対向面(内周面)には、管路81が設けられた部分に、全周に渡る凹部83が形成され、これにより、軸受部材66と軸部73との間に円筒状(円環状)の空間(以下では、便宜上凹部83と同一の符号を用いて空間83と表記する)が形成されている。そして、この空間83は、管路81を介して軸受部材66の外部空間に連通している。すなわち、管路81は、大気開放口として機能している。このため、仮に、真空ポンプ104が作動中であっても、上述した気体供給装置102から供給され、多孔質部材82と軸部73との間に噴出され、−X側に流れる圧縮空気は、空間83内に流入し、管路81を通って外部(軸受部材66の外部空間)に排出される。従って、その圧縮空気が、凹部83より−X側に流入することは殆どない。 Of the three conduits 81 1-81 3 bearing member 66 1, pipe 81 2 located in the middle was placed on the bearing member 66 1 of the through hole 80 in the first porous member 82 from the -X side Formed in position. The surface facing the shaft portion 73 1 of the bearing member 66 1 (inner peripheral surface), the portion pipe 81 2 is provided, all the recesses 83 over the circumference are formed, thereby, the bearing member 66 1 shaft portion 73 1 a cylindrical between the (annular) space (hereinafter, referred to as space 83 by using the same reference numerals as convenience recess 83) are formed. Then, the space 83 is communicated with the outer space of the bearing member 66 1 via line 81 2. In other words, conduit 81 2 functions as air opening. Therefore, even if a vacuum pump 104 is in operation, is supplied from the gas supply device 102 described above, is ejected between the porous member 82 and the shaft portion 73 1, the compressed air flowing in the -X side , flows into the space 83 is discharged to the outside (outer space of the bearing member 66 1) through line 81 2. Therefore, the compressed air hardly flows into the −X side from the recess 83.

管路84は、軸受部材66の長手方向(X軸方向)の中央部に形成されている。管路84は、不図示の気体供給管を介して、所定の気体、例えば圧縮空気を供給する気体供給装置106(図8参照)に接続されている。軸受部材66の内周面(軸部73との対向面)には、軸受部材66のX軸方向全域にかけて円筒状の多孔質部材85が配置されている。すなわち、軸受部材66と軸部73との間には、軸受部材66と軸部73との間に構成された静圧空気軸受(エアベアリング)と同様の静圧空気軸受が構成されている。なお、気体供給装置106から供給される圧縮空気の流量等は、主制御装置20(図8参照)によって制御される。 Conduit 84 is formed in a central portion of the bearing member 66 and second longitudinal (X-axis direction). The pipe 84 is connected to a gas supply device 106 (see FIG. 8) for supplying a predetermined gas, for example, compressed air, through a gas supply pipe (not shown). The inner peripheral surface of the bearing member 66 2 (the surface facing the shaft portion 73 2), a cylindrical porous member 85 is disposed over the X-axis direction the entire region of the bearing member 66 2. That is, between the bearing member 66 2 and the shaft portion 73 2, the same hydrostatic air bearing and configured aerostatic bearing (air bearing) between the bearing member 66 1 and the shaft portion 73 1 is configured Has been. The flow rate of compressed air supplied from the gas supply device 106 is controlled by the main controller 20 (see FIG. 8).

保持ユニット72の説明に戻り、保持ユニット72の保持部74は、図5(B)に示されるように、平面視U字形状を有する本体部74aと、図4(B)及び図6(B)等に示されるウエハWを支持する支持位置に位置したときに、平板部材62の開口63から下方に突出するL字状のウエハ支持部74bとを有している。   Returning to the description of the holding unit 72, as shown in FIG. 5B, the holding portion 74 of the holding unit 72 includes a main body portion 74a having a U-shape in plan view, and FIGS. 4B and 6B. And an L-shaped wafer support portion 74b protruding downward from the opening 63 of the flat plate member 62 when positioned at a support position for supporting the wafer W shown in FIG.

保持ユニット72は、少なくとも図6(B)に示される、ウエハWを保持部74のウエハ支持部74bが支持する位置(すなわち、前述の支持位置)と、図6(A)に示される、支持位置から軸部73、73を回転軸として紙面内時計回りに90度回転し、ウエハ支持部74bとウエハWとが離間した位置(以下、離間位置と称する)との間で、回転モータ68によって駆動される。 The holding unit 72 has at least a position shown in FIG. 6B where the wafer support part 74b of the holding part 74 supports the wafer W (that is, the above-mentioned support position) and a support shown in FIG. 6A. shaft portion 73 1 from position 73 2 rotated 90 degrees to the plane in clockwise as a rotation axis, the position of the wafer support portion 74b and the wafer W is spaced (hereinafter, referred to as separated position) between the rotation motor 68.

本体部74aには、図5(B)に示されるように、U字部の底面(保持ユニット72(保持部74)が支持位置に位置したときのXZ平面に平行な面)の中央部に矩形の開口が形成されている。   As shown in FIG. 5B, the main body 74a has a U-shaped bottom surface (a surface parallel to the XZ plane when the holding unit 72 (holding portion 74) is positioned at the support position). A rectangular opening is formed.

ウエハ支持部74bには、図6(B)に示されるように、保持ユニット72(保持部74)が支持位置に位置したときに、ウエハを支持する支持面(ウエハ支持面)が、その+Y側半部に設けられ、そのウエハ支持面の+X側端部にウエハWを吸着する吸着部78が設けられている。吸着部78の中央には、開口78aが形成され、その開口78aにウエハ支持部74b及び本体部74aの内部に形成された管路91の一端が連通している。管路91は、図7に示されるように、他端が軸部73の内部に形成されたX軸方向に延びる管路92に連通している。また、軸部73は、支持位置に位置したとき(ウエハの保持が行われた状態にあるとき)は、ウエハの厚さ方向に沿った第1の方向(図6ではZ方向)と交差する第2の方向(図5及び図6ではX方向)に沿って延びた状態にある。 As shown in FIG. 6B, the wafer support portion 74b has a support surface (wafer support surface) that supports the wafer when the holding unit 72 (holding portion 74) is positioned at the support position. An adsorbing portion 78 that adsorbs the wafer W is provided at the + X side end of the wafer support surface. An opening 78a is formed at the center of the suction portion 78, and one end of a conduit 91 formed inside the wafer support portion 74b and the main body portion 74a communicates with the opening 78a. Conduit 91, as shown in FIG. 7, the other end is in communication with the conduit 92 extending in the X-axis direction, which is formed inside the shaft portion 73 1. The shaft portion 73 1, when located in the supporting position (when in a state where the holding is performed on the wafer) is provided with a first direction along the thickness direction of the wafer (in FIG. 6 Z direction) crossing It extends in the second direction (X direction in FIGS. 5 and 6).

軸部73には、保持ユニット72が、支持位置に位置したとき、管路81と対向する位置に、管路92と軸部73の外部とを連通する管路93が形成されている。このため、保持ユニット72が、支持位置に位置したとき、管路93は、管路81に連通する。すなわち、保持ユニット72が支持位置に位置すると、管路81の外部(すなわち真空ポンプ104)とウエハ支持部74bに形成された開口78aとを連通する通路(流路)が形成される。この状態で、ウエハ支持部74bのウエハ支持面(吸着部78上面)にウエハWが支持され、主制御装置20により真空ポンプ104が作動されると、管路92及び管路91内が負圧(真空)状態となり、ウエハWがウエハ支持部74bの吸着部78に吸着保持される。 The shaft portion 73 1, the holding unit 72, when located in the supporting position, the conduit 81 3 opposite to the position, is conduit 93 which communicates with the outside of the conduit 92 and the shaft portion 73 1 is formed Yes. Therefore, the holding unit 72, when positioned in the support position, conduit 93 communicates with the conduit 81 3. That is, the holding unit 72 when positioned in the support position, passage connecting the opening 78a formed with an external pipe 81 3 (i.e. vacuum pump 104) to the wafer support portion 74b (flow passage) is formed. In this state, when the wafer W is supported on the wafer support surface (upper surface of the suction portion 78) of the wafer support portion 74b and the vacuum pump 104 is operated by the main controller 20, the inside of the pipe line 92 and the pipe line 91 is negative pressure. A (vacuum) state is established, and the wafer W is sucked and held by the suction portion 78 of the wafer support portion 74b.

ここで、保持ユニット72が支持位置以外の位置、例えば離間位置に位置している場合、管路81と管路93とが連通しておらず、主制御装置20により真空ポンプ104が作動されても、吸着部78による吸引は、行われない。 Here, the position of the holding unit 72 is non-support position, for example when located apart position, and a conduit 81 3 and the flow path 93 does not communicate, the vacuum pump 104 is operated by the main controller 20 However, suction by the suction part 78 is not performed.

また、一方(+X側)の軸部73には、図5(A)及び図5(B)に示されるように、+X端に+X方向から見て十字状の十字部材75が固定されている。また、十字部材75の+X側の面の十字部先端それぞれには、磁性体(例えば鉄)76が各1つ、合計4つ固定されている。一方、平板部材62には、図5(A)に示されるように、十字部材75に対向する位置にZ軸方向に延びる棒状の支持部材67が固定されている。支持部材67には、−X側の面の上端と下端部近傍に各1つ(合計2つ)の磁石61(永久磁石)が固定されている。2つの磁石61は、保持ユニット72が前述の支持位置、及び離間位置のそれぞれに位置したときに、4つの磁性体76のうちの2つと対向するよう位置決めされている。 Furthermore, whereas the shaft portion 73 1 of the (+ X side), as shown in FIGS. 5 (A) and FIG. 5 (B), the cross member 75 cross-shaped when viewed from the + X direction + X end is fixed Yes. In addition, a total of four magnetic bodies (for example, iron) 76 are fixed to the tip of the cross section on the + X side surface of the cross member 75, one each. On the other hand, as shown in FIG. 5A, a rod-like support member 67 extending in the Z-axis direction is fixed to the flat plate member 62 at a position facing the cross member 75. In the support member 67, one (total of two) magnets 61 (permanent magnets) are fixed in the vicinity of the upper end and the lower end of the surface on the -X side. The two magnets 61 are positioned so as to face two of the four magnetic bodies 76 when the holding unit 72 is located at each of the above-described support position and the separation position.

回転モータ68は、平板部材62上に固定され、保持ユニット72の軸部73の−X端にカップリング64を介して接続されている。回転モータ68としては、一例としてブラシレスタイプのDCモータが用いられている。回転モータ68には、その回転軸の回転角度(回転方向の位置)を検出する絶対位置検出型のセンサ、一例としてアブソリュートエンコーダ101(図8参照)が設けられている。アブソリュートエンコーダ101は、使用するとき、又はその少し前、すなわち保持ユニット72が離間位置から支持位置に駆動されるとき、及び支持位置から離間位置に駆動されるときに、オフ状態からオン状態に設定される。主制御装置20(図8参照)は、アブソリュートエンコーダ101から供給された計測値(回転モータ68の回転軸の回転角度(回転方向の位置(絶対位置)))に基づいて、保持ユニット72を所定量回転駆動し、ウエハ支持部74bを所定位置に位置決めする。ここで、ウエハ支持部74bが支持位置又は離間位置に位置しているとき(アブソリュートエンコーダ101がオフ状態のとき)には、上述の2つの磁石61と、4つの磁性体76のうちの2つとが対向するので、磁石61と磁性体76との間に働く磁力によって保持ユニット72(ウエハ支持部74b)が固定(位置決め)される。また、保持ユニット72を駆動するときには、上述の磁力に打ち勝つ回転力を回転モータ68が発生することで、保持ユニット72(ウエハ支持部74b)が駆動される。 Rotary motor 68 is fixed on the flat plate member 62, and is connected via a coupling 64 to the shaft portion 73 2 of the -X end of the holding unit 72. As an example of the rotary motor 68, a brushless type DC motor is used. The rotary motor 68 is provided with an absolute position detection type sensor for detecting the rotation angle (position in the rotation direction) of the rotation shaft, for example, an absolute encoder 101 (see FIG. 8). The absolute encoder 101 is set from the off state to the on state when it is used or slightly before, that is, when the holding unit 72 is driven from the separated position to the support position and when it is driven from the support position to the separate position. Is done. The main controller 20 (see FIG. 8) places the holding unit 72 on the basis of the measurement value (the rotation angle of the rotation shaft of the rotation motor 68 (position (absolute position) in the rotation direction)) supplied from the absolute encoder 101. A fixed amount of rotation is driven to position the wafer support 74b at a predetermined position. Here, when the wafer support portion 74b is located at the support position or the separation position (when the absolute encoder 101 is in the OFF state), the two magnets 61 described above and two of the four magnetic bodies 76 are Therefore, the holding unit 72 (wafer support portion 74b) is fixed (positioned) by the magnetic force acting between the magnet 61 and the magnetic body 76. Further, when the holding unit 72 is driven, the rotation unit 68 generates a rotational force that overcomes the above-described magnetic force, thereby driving the holding unit 72 (wafer support portion 74b).

説明は前後するが、図5(B)に示されるように、ウエハ支持部74bには、保持ユニット72が支持位置に位置したときに上面となる面(ウエハ支持面)の中央部に反射鏡79が設けられている。本実施形態では、反射鏡79は、実際には、3つのウエハ支持ユニット125のそれぞれに各1つ設けられており、それら3つの反射鏡79のそれぞれに対して、上方から照明光を照射可能な落射照明方式の3つのエッジ位置検出系を含む計測系123(図8参照)が、設けられている。   Although description will be made before and after, as shown in FIG. 5B, the wafer support portion 74b has a reflecting mirror at the center of the upper surface (wafer support surface) when the holding unit 72 is located at the support position. 79 is provided. In this embodiment, one reflecting mirror 79 is actually provided for each of the three wafer support units 125, and illumination light can be irradiated from above to each of the three reflecting mirrors 79. A measurement system 123 (see FIG. 8) including three edge position detection systems of the epi-illumination system is provided.

計測系123を構成する各エッジ位置検出系としては、例えば照明光源、複数の反射鏡等の光路折り曲げ部材、レンズ等、及びCCD等の撮像素子などを含み、ウエハWのエッジ部の位置情報を検出する画像処理方式のエッジ位置検出系を用いることができる。計測系123により、ウエハWのエッジ検出が行われたとき、それらの撮像信号は、信号処理系116(図8参照)に送られる。   Each edge position detection system constituting the measurement system 123 includes, for example, an illumination light source, an optical path bending member such as a plurality of reflecting mirrors, a lens, and an imaging element such as a CCD, and position information of the edge portion of the wafer W is obtained. An edge position detection system of an image processing method for detection can be used. When the edge detection of the wafer W is performed by the measurement system 123, those image pickup signals are sent to the signal processing system 116 (see FIG. 8).

搬入ユニット121は、さらに、チャックユニット153のZ軸、θx、θyの各方向の位置を検出するチャックユニット位置検出系148(図8参照)を備えている。チャックユニット位置検出系148は、例えばメインフレームBDに固定された複数(例えば、3つ)のZ位置検出系(例えばレーザ変位計その他の光学式変位センサなど)によって構成されている。チャックユニット位置検出系148によって、チャックユニット153上面の複数箇所のZ位置が検出され、その検出結果は、主制御装置20(図8参照)に送られる。   The carry-in unit 121 further includes a chuck unit position detection system 148 (see FIG. 8) that detects the position of the chuck unit 153 in the Z-axis, θx, and θy directions. The chuck unit position detection system 148 includes, for example, a plurality of (for example, three) Z position detection systems (for example, a laser displacement meter and other optical displacement sensors) fixed to the main frame BD. A plurality of Z positions on the upper surface of the chuck unit 153 are detected by the chuck unit position detection system 148, and the detection results are sent to the main controller 20 (see FIG. 8).

この他、搬入ユニット121は、ウエハ平坦度検出系147(図8参照)を備えていても良い。ウエハ平坦度検出系147は、板部材44の複数箇所、例えばウエハWの外周部近傍の上方3箇所、中心部近傍の上方1箇所にそれぞれ配置された複数、例えば4つのウエハW表面(上面)のZ軸方向の位置(Z位置)を検出する不図示のZ位置検出系(例えば静電容量センサなどの変位センサなど)によって構成することができる。主制御装置20は、複数のZ位置検出系の計測値に基づいて、ウエハW上面の複数箇所のZ位置を検出し、その検出結果からウエハWの平坦度を求める。   In addition, the carry-in unit 121 may include a wafer flatness detection system 147 (see FIG. 8). The wafer flatness detection system 147 has a plurality of, for example, four wafer W surfaces (upper surfaces) disposed at a plurality of positions on the plate member 44, for example, three positions above the outer periphery of the wafer W and one position above the center. Can be configured by a Z position detection system (not shown) that detects a position (Z position) in the Z-axis direction (for example, a displacement sensor such as a capacitance sensor). Main controller 20 detects a plurality of Z positions on the upper surface of wafer W based on the measurement values of a plurality of Z position detection systems, and obtains the flatness of wafer W from the detection result.

図8には、露光装置100の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置20の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置20は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)等を含み、露光装置100の構成各部を統括制御する。   FIG. 8 is a block diagram showing the input / output relationship of the main control device 20 that centrally configures the control system of the exposure apparatus 100 and performs overall control of each component. The main controller 20 includes a workstation (or a microcomputer) and the like, and comprehensively controls each part of the exposure apparatus 100.

上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置100では、主制御装置20により、以下のような一連の処理が行われる。   In the exposure apparatus 100 according to the present embodiment configured as described above, the main controller 20 performs the following series of processes.

すなわち、主制御装置20は、まず、レチクル搬送系(不図示)を用いてレチクルRをレチクルステージRST上にロードする。また、主制御装置20は、後述するようにしてウエハWをウエハステージWST(ウエハホルダWH)上にロードする。ロード後、一対のレチクルアライメント検出系14及び計測プレート30、並びにアライメント検出系ALGを用いて、レチクルアライメント、アライメント検出系ALGのベースライン計測、及びウエハアライメント(例えばEGA)等の準備作業を行う。なお、レチクルアライメント、ベースライン計測等については、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに詳細に開示されている。また、EGAについては、例えば米国特許第4,780,617号明細書などに詳細に開示されている。ここで、EGAとは、ショット内の複数のウエハアライメントマークの位置検出データを用いて例えば上記米国特許明細書に開示される最小2乗法を利用した統計演算によりウエハW上の全てのショット領域の配列座標を求めるアライメント手法を意味する。   That is, main controller 20 first loads reticle R onto reticle stage RST using a reticle transport system (not shown). Main controller 20 loads wafer W onto wafer stage WST (wafer holder WH) as described later. After loading, preparation operations such as reticle alignment, baseline measurement of alignment detection system ALG, and wafer alignment (for example, EGA) are performed using a pair of reticle alignment detection system 14 and measurement plate 30 and alignment detection system ALG. Note that reticle alignment, baseline measurement, and the like are disclosed in detail in, for example, US Pat. No. 5,646,413. EGA is disclosed in detail in, for example, US Pat. No. 4,780,617. Here, the EGA means that all shot areas on the wafer W are subjected to statistical calculation using, for example, the least square method disclosed in the above-mentioned U.S. Patent Specification using the position detection data of a plurality of wafer alignment marks in the shot. This means an alignment method for obtaining array coordinates.

そして、主制御装置20は、レチクルアライメント、ベースライン計測、及びウエハアライメントの結果に基づいて、ウエハW上の各ショット領域の露光のための走査開始位置(加速開始位置)へウエハステージWSTを移動させるショット間移動動作と、各ショット領域に対しレチクルRのパターンを走査露光方式で転写する走査露光動作とを繰り返すことで、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハW上の複数のショット領域に対する露光を行う。露光中のウエハWのフォーカス・レベリング制御は、前述の多点AF系54を用いてリアルタイムで行われる。   Then, main controller 20 moves wafer stage WST to a scan start position (acceleration start position) for exposure of each shot area on wafer W based on the results of reticle alignment, baseline measurement, and wafer alignment. By repeating the movement operation between shots to be performed and the scanning exposure operation in which the pattern of the reticle R is transferred to each shot area by a scanning exposure method, exposure to a plurality of shot regions on the wafer W is performed by a step-and-scan method. Do. The focus / leveling control of the wafer W during exposure is performed in real time using the multi-point AF system 54 described above.

次に、ウエハステージWST上へのウエハWの搬入(ロード)手順について、図9(A)〜図11(B)に沿って、かつその他の図面を適宜参照しつつ説明する。   Next, a procedure for loading (loading) wafer W onto wafer stage WST will be described with reference to FIGS. 9A to 11B and other drawings as appropriate.

前提として、例えば、チャックユニット153は、図9(A)に示されるように、3つのZボイスコイルモータ144(図9(A)等では−Y側のZボイスコイルモータ144は不図示(図4(A)参照))により、ストローク範囲内の移動上限位置(+Z側の移動限界位置)近傍、すなわち前述した第1位置に移動され、その位置に維持されているものとする。また、このとき、3つのウエハ支持ユニット125は、それぞれの保持ユニット72が、離間位置に設定されているものとする(図6(A)参照)。   As a premise, for example, as shown in FIG. 9A, the chuck unit 153 includes three Z voice coil motors 144 (in FIG. 9A, etc., the Z voice coil motor 144 on the -Y side is not shown). 4 (A))) is moved to the vicinity of the movement upper limit position (the movement limit position on the + Z side) within the stroke range, that is, the first position described above, and is maintained at that position. At this time, it is assumed that the holding units 72 of the three wafer support units 125 are set at the separated positions (see FIG. 6A).

この状態で、まず、図9(A)に示されるように、ウエハWが搬送アーム149によってその下面が支持された状態で、チャックユニット153の下方(ローディングポジションLPの上方)に搬送される。ここで、ウエハWの搬送アーム149によるチャックユニット153の下方位置への搬送は、その搬送されるウエハWの1つ前に露光対象となるウエハ(以下、前ウエハと称する)に対する露光処理が、ウエハステージWST上で行われているときに行われても良いし、前ウエハに対するアライメント処理等が行われているときに行われても良い。   In this state, first, as shown in FIG. 9A, the wafer W is transferred below the chuck unit 153 (above the loading position LP) with the lower surface supported by the transfer arm 149. Here, the transfer of the wafer W to the lower position of the chuck unit 153 by the transfer arm 149 is performed by performing an exposure process on a wafer to be exposed (hereinafter referred to as a previous wafer) immediately before the transferred wafer W. It may be performed when it is performed on wafer stage WST, or may be performed when alignment processing or the like is being performed on the previous wafer.

次に、主制御装置20は、調整装置115を介して、図9(A)に示されるように、複数のチャック部材124に対する流体(空気)の供給を開始することで、ウエハWが所定の距離(ギャップ)を保って非接触でチャックユニット153(複数のチャック部材124)に吸引される。なお、図9(A)等では、図中に簡略化してドットの塗りつぶしで示される、噴き出された空気の流れによって(より正確には、その流れによって生ずる負圧によって)、ウエハWが、チャックユニット153に吸引されているものとする。ただし、実際に噴き出された空気の状態は、必ずしもこれらに限定されるものではない。   Next, main controller 20 starts supplying fluid (air) to a plurality of chuck members 124 via adjustment device 115, as shown in FIG. The chuck unit 153 (a plurality of chuck members 124) is sucked without contact while maintaining a distance (gap). In FIG. 9A and the like, the wafer W is caused by the flow of the blown air (more precisely, by the negative pressure generated by the flow), which is indicated by the dot filling in the drawing in a simplified manner. It is assumed that the chuck unit 153 is sucked. However, the state of the air actually ejected is not necessarily limited to these.

次に、図6(A)及び図9(A)中にそれぞれ黒矢印で示されるように、主制御装置20は、3つのウエハ支持ユニット125のそれぞれが備える回転モータ68(図5(A)参照)を介してそれぞれの保持ユニット72を回転させ、それぞれ支持位置に位置させる。図9(A)には、X軸方向一側と他側の一対の保持ユニット72の回転駆動動作が、黒矢印で示されている。各保持ユニット72が支持位置まで駆動されると、各ウエハ支持部74bの吸着部78(開口78a)がウエハWの下面(裏面)に対向(接触)する(図9(B)及び図6(B)参照)。また、3つのウエハ支持ユニット125の保持ユニット72がそれぞれ支持位置に位置した状態では、ウエハ支持部74b上の反射鏡79がそれぞれウエハW裏面の外周縁の所定の位置(ノッチの位置を含む)に対向している(図6(B)参照)。   Next, as indicated by black arrows in FIGS. 6A and 9A, the main controller 20 includes a rotation motor 68 provided in each of the three wafer support units 125 (FIG. 5A). Each holding unit 72 is rotated via the reference position and is positioned at the support position. In FIG. 9A, the rotational drive operation of the pair of holding units 72 on one side and the other side in the X-axis direction is indicated by black arrows. When each holding unit 72 is driven to the support position, the suction portion 78 (opening 78a) of each wafer support portion 74b faces (contacts) the lower surface (back surface) of the wafer W (FIG. 9B and FIG. 6). B)). When the holding units 72 of the three wafer support units 125 are respectively positioned at the support positions, the reflecting mirrors 79 on the wafer support portions 74b are respectively predetermined positions (including notch positions) on the outer peripheral edge of the back surface of the wafer W. (See FIG. 6B).

ウエハWの裏面が、各ウエハ支持部74bの吸着部78によって支持されると、主制御装置20は、各ウエハ支持部74bの軸受部材66に接続された真空ポンプ104(図7及び図8参照)を作動させて、真空吸引を行う。このとき、保持ユニット72(保持部74)が支持位置に位置しているので、真空ポンプ104が接続された各管路81からウエハ支持部74bに形成された開口78aまで至る流路が形成されている。このため、真空ポンプ104が作動されると、ウエハWの裏面は、各ウエハ支持部74bの吸着部78に吸着保持される。 The rear surface of the wafer W is, when it is supported by the adsorbing portion 78 of the wafer support portions 74b, the main controller 20, a vacuum pump 104 connected to the bearing member 66 1 of the wafer support portions 74b (FIGS. 7 and 8 ) And vacuum suction is performed. At this time, since the holding unit 72 (holding portion 74) is positioned in the supporting position, the channel from the conduit 81 3 vacuum pump 104 is connected to an opening 78a formed in the wafer support portion 74b is formed Has been. For this reason, when the vacuum pump 104 is operated, the back surface of the wafer W is sucked and held by the sucking portions 78 of the respective wafer support portions 74b.

このとき、ウエハWは、チャックユニット153による上方からの吸引によって、Z、θx、θyの3自由度方向の移動が制限されると共に、3つのウエハ支持ユニット125による下方からの吸着支持によって、X、Y、θzの3自由度方向の移動が制限され、これにより、6自由度方向の移動が制限されている。   At this time, the movement of the wafer W in the three-degree-of-freedom directions of Z, θx, and θy is restricted by suction from above by the chuck unit 153, and X wafer is supported by suction support from below by the three wafer support units 125. , Y, and θz are restricted to move in the three-degree-of-freedom direction, thereby restricting movement in the six-degree-of-freedom direction.

ウエハWが、このときの状態、すなわちチャックユニット153による吸引(非接触保持)及び3つのウエハ支持ユニット125による吸着(支持)が行われた状態で、ローディングポジションLPの上方で待機するように、露光装置100の処理シーケンスが定められている。露光装置100では、ウエハWがローディングポジションLP上方で待機している間に、ウエハテーブルWTB上に保持された前ウエハに対する露光処理(及びそれに先立つアライメント処理)などが行われている。また、このとき搬送アーム149によるウエハWの真空吸着を停止した状態にしておいても良い。なお、上述したチャックユニット153(複数のチャック部材124)によるウエハWの吸引と、3つのウエハ支持ユニット125による下方からのウエハの支持とは、逆の順番に行われても良いし、両者の動作が一部並行して行われても良い。   The wafer W waits above the loading position LP in this state, that is, in a state where suction (non-contact holding) by the chuck unit 153 and suction (support) by the three wafer support units 125 are performed. A processing sequence of the exposure apparatus 100 is determined. In the exposure apparatus 100, while the wafer W stands by above the loading position LP, an exposure process (and an alignment process preceding it) for the previous wafer held on the wafer table WTB is performed. At this time, the vacuum suction of the wafer W by the transfer arm 149 may be stopped. Note that the suction of the wafer W by the above-described chuck unit 153 (the plurality of chuck members 124) and the support of the wafer from below by the three wafer support units 125 may be performed in the reverse order. Some operations may be performed in parallel.

ローディングポジションLP上方でのウエハWの待機中に、主制御装置20は、計測系123(図8参照)を用いてウエハWのエッジ検出を行う。計測系123の3つのエッジ位置検出系の検出信号(撮像信号)は、信号処理系116(図8参照)に送られる。信号処理系116は、例えば米国特許第6,624,433号明細書などに開示されている手法により、ウエハのノッチを含む周縁部の3箇所の位置情報を検出して、ウエハWのX軸方向、Y軸方向の位置ずれと回転(θz回転)誤差とを求める。そして、それらの位置ずれと回転誤差との情報は、主制御装置20に供給される(図8参照)。   While waiting for wafer W above loading position LP, main controller 20 performs edge detection of wafer W using measurement system 123 (see FIG. 8). Detection signals (imaging signals) from the three edge position detection systems of the measurement system 123 are sent to the signal processing system 116 (see FIG. 8). The signal processing system 116 detects the position information of three positions of the peripheral portion including the notch of the wafer by a method disclosed in, for example, US Pat. No. 6,624,433, and the X axis of the wafer W Direction, a displacement in the Y-axis direction, and a rotation (θz rotation) error are obtained. Then, the information on the positional deviation and the rotation error is supplied to the main controller 20 (see FIG. 8).

上述のウエハWのエッジ検出の開始と前後して、主制御装置20は、図9(B)中に黒矢印で示されるように、搬送アーム149を下方に駆動し、搬送アーム149とウエハWとを離間させた後、搬送アーム149をローディングポジションLPの上方から退避させる。   Before and after the start of the edge detection of the wafer W described above, the main controller 20 drives the transfer arm 149 downward as indicated by a black arrow in FIG. , The transfer arm 149 is retracted from above the loading position LP.

前ウエハの露光処理が完了し、搬出ユニット122(図8参照)により前ウエハがウエハテーブルWTB上からアンロードされると、図10(A)に示されるように、主制御装置20により、粗動ステージ駆動系51A(図8参照)を介してウエハステージWSTがチャックユニット153の下方(ローディングポジションLP)に移動される。そして、図10(A)中に白抜き矢印で示されるように、主制御装置20は、3本の上下動ピン140を有するセンター支持部材150(図10(A)等では不図示、図4(B)参照)を、駆動装置142を介して上方に駆動する。この時点でも、計測系123によるウエハWのエッジ検出は続行されており、主制御装置20は、ウエハWがウエハステージWSTの所定位置に搭載されるよう、ウエハWの位置ずれ及び回転誤差情報に基づいて、ウエハステージWSTをウエハWのずれ量(誤差)と同じ量だけ同じ方向に微小駆動する。   When the exposure processing of the previous wafer is completed and the previous wafer is unloaded from the wafer table WTB by the carry-out unit 122 (see FIG. 8), the main controller 20 performs rough processing as shown in FIG. Wafer stage WST is moved below chuck unit 153 (loading position LP) via moving stage drive system 51A (see FIG. 8). 10A, the main controller 20 includes a center support member 150 having three vertical movement pins 140 (not shown in FIG. 10A, etc.). (See (B)) is driven upward via the driving device 142. Even at this time, the edge detection of the wafer W by the measurement system 123 is continued, and the main controller 20 uses the positional deviation and rotation error information of the wafer W so that the wafer W is mounted at a predetermined position of the wafer stage WST. Based on this, wafer stage WST is finely driven in the same direction by the same amount as the deviation amount (error) of wafer W.

そして、図10(B)に示されるように、3本の上下動ピン140の上面がチャックユニット153に吸引されたウエハWの下面に当接すると、主制御装置20は、センター支持部材150の上昇を停止する。これにより、ウエハWは、位置ずれ及び回転誤差が補正された状態で、3本の上下動ピン140によって支持される。   Then, as shown in FIG. 10B, when the upper surfaces of the three vertical movement pins 140 come into contact with the lower surface of the wafer W sucked by the chuck unit 153, the main controller 20 controls the center support member 150. Stop climbing. Thus, the wafer W is supported by the three vertical movement pins 140 in a state where the positional deviation and the rotation error are corrected.

ここで、待機位置にあるチャックユニット153に吸引されたウエハWのZ位置は、ある程度正確にわかる。従って、主制御装置20は、変位センサ145の計測結果に基づいて、センター支持部材150を基準位置から所定量駆動することで、3本の上下動ピン140をチャックユニット153に吸引されたウエハWの下面に当接させることができる。しかし、これに限らず、センター支持部材150(3本の上下動ピン140)の上限移動位置で、3本の上下動ピン140がチャックユニット153に吸引されたウエハWの下面に当接するように、予め、設定しておいても良い。   Here, the Z position of the wafer W sucked by the chuck unit 153 in the standby position can be accurately known to some extent. Therefore, the main controller 20 drives the center support member 150 from the reference position by a predetermined amount based on the measurement result of the displacement sensor 145, whereby the wafer W in which the three vertical movement pins 140 are sucked by the chuck unit 153. Can be brought into contact with the lower surface of the plate. However, the present invention is not limited to this, and the three vertical movement pins 140 are in contact with the lower surface of the wafer W sucked by the chuck unit 153 at the upper limit movement position of the center support member 150 (three vertical movement pins 140). Alternatively, it may be set in advance.

その後、主制御装置20は、不図示のバキュームポンプを作動し、3本の上下動ピン140によるウエハW下面に対する真空吸着を開始する。なお、複数のチャック部材124によるウエハWの吸引は、この状態でも続行されている。すなわち、複数のチャック部材124による吸引と、3本の上下動ピン140の下方からの支持による摩擦力によりウエハWは、6自由度方向の移動が制限されている。従って、この状態では、ウエハ支持ユニット125のウエハ支持部74bによるウエハWの吸着(接触保持)を解除しても何ら問題は生じない。   Thereafter, main controller 20 operates a vacuum pump (not shown) and starts vacuum suction on the lower surface of wafer W by three vertical movement pins 140. Note that the suction of the wafer W by the plurality of chuck members 124 is continued even in this state. That is, the movement of the wafer W in the direction of 6 degrees of freedom is limited by the suction force by the plurality of chuck members 124 and the frictional force generated by the support from below the three vertical movement pins 140. Therefore, in this state, no problem occurs even if the adsorption (contact holding) of the wafer W by the wafer support portion 74b of the wafer support unit 125 is released.

そこで、ウエハWが3本の上下動ピン140に支持(吸着保持)されると、主制御装置20は、真空ポンプ104(図8参照)の作動を停止した後、図10(B)及び図12(A)中に黒矢印で示されるように、保持ユニット72を回転させ、3つのウエハ支持ユニット125が備える保持ユニット72を、支持位置から離間位置まで駆動する。これにより、図12(B)に示されるように、各保持ユニット72が離間位置に位置決めされ、各ウエハ支持部74bによるウエハWの支持が解除される。   Therefore, when the wafer W is supported (adsorbed and held) by the three vertical movement pins 140, the main controller 20 stops the operation of the vacuum pump 104 (see FIG. 8), and then the FIG. 12 (A), the holding unit 72 is rotated to drive the holding units 72 included in the three wafer support units 125 from the support position to the separated position. As a result, as shown in FIG. 12B, the holding units 72 are positioned at the separated positions, and the support of the wafer W by the wafer support portions 74b is released.

次に、主制御装置20は、図11(A)中に黒矢印及び白矢印でそれぞれ示されるように、ウエハWを吸引及び支持しているチャックユニット153及び3本の上下動ピン140(センター支持部材150)を、それぞれ3つのZボイスコイルモータ144及び駆動装置142を介して、下方へ駆動する。これにより、ウエハWに対するチャックユニット153(複数のチャック部材124)による吸引状態と3本の上下動ピン140による支持状態とを維持して、チャックユニット153と3本の上下動ピン140(センター支持部材150)とが下方へ駆動される。チャックユニット153と3本の上下動ピン140(センター支持部材150)とは同期して駆動されても良いし、異なる速度で駆動されても良い。後者の場合、ウエハWの変形が抑制されるように、両者の速度が調整されることが望ましい。この場合のチャックユニット153の駆動は、主制御装置20が、チャックユニット位置検出系148の検出結果に基づいて、3つのZボイスコイルモータ144を駆動することで行われる。   Next, as indicated by a black arrow and a white arrow in FIG. 11A, the main control unit 20 sucks and supports the wafer W and the three vertical movement pins 140 (center). The supporting member 150) is driven downward via the three Z voice coil motors 144 and the driving device 142, respectively. Thus, the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (center support) are maintained while maintaining the suction state by the chuck unit 153 (the plurality of chuck members 124) and the support state by the three vertical movement pins 140 with respect to the wafer W. Member 150) is driven downward. The chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (center support member 150) may be driven synchronously or may be driven at different speeds. In the latter case, it is desirable to adjust the speeds of both so that the deformation of the wafer W is suppressed. In this case, the chuck unit 153 is driven by the main controller 20 driving the three Z voice coil motors 144 based on the detection result of the chuck unit position detection system 148.

上述のチャックユニット153と3本の上下動ピン140(センター支持部材150)との駆動は、図11(B)に示されるように、ウエハWの下面がウエハテーブルWTB上のウエハホルダWHの上面(ウエハ支持面)に当接するまで行われる。   As shown in FIG. 11B, the chuck unit 153 and the three vertical movement pins 140 (center support member 150) are driven such that the lower surface of the wafer W is the upper surface of the wafer holder WH on the wafer table WTB (see FIG. 11B). This is performed until the wafer abuts on the wafer support surface.

そして、ウエハWの下面がウエハホルダWHに当接すると、主制御装置20は、調整装置115を介して全てのチャック部材124からの高圧空気流の流出を停止して、チャックユニット153によるウエハWの吸引を解除し、ウエハホルダWHによるウエハWの吸着を開始する。   When the lower surface of the wafer W comes into contact with the wafer holder WH, the main controller 20 stops the flow of the high-pressure air flow from all the chuck members 124 via the adjustment device 115, and the wafer W is moved by the chuck unit 153. The suction is released, and the suction of the wafer W by the wafer holder WH is started.

次いで、主制御装置20は、図11(B)中に黒矢印で示されるように、3つのZボイスコイルモータ144を介してチャックユニット153を所定の待機位置(第1位置又はその近傍の位置)まで上昇させる。これにより、ウエハWのウエハテーブルWTB上へのロード(搬入)が終了する。   Next, main controller 20 moves chuck unit 153 to a predetermined standby position (first position or a position in the vicinity thereof) via three Z voice coil motors 144 as indicated by black arrows in FIG. ). Thereby, loading (carrying in) of wafer W onto wafer table WTB is completed.

ここで、チャックユニット153が上方に駆動され、停止されると(又は上昇中に)、主制御装置20は、前述した計測系123を用いて、ウエハWのエッジ位置の検出を行う。この場合、ウエハWのエッジ検出は、ウエハテーブルWTB上の3つの反射鏡86に、計測系123の3つのエッジ位置検出系からの計測ビームがそれぞれ照射され、各反射鏡86からの反射ビームを3つのエッジ位置検出系の撮像素子が受光することで行われる。計測系123の3つのエッジ位置検出系の検出信号は、信号処理系116(図8参照)に送られ、ウエハWの位置ずれと回転誤差との情報が、主制御装置20に供給される。主制御装置20は、その位置ずれと回転誤差との情報とをオフセット量としてメモリに記憶しておき、後のウエハアライメント時、又は、露光の際などに、上記オフセット量を考慮してウエハテーブルWTBの位置を制御する。なお、前述の待機中にウエハWのエッジ検出が行われ、その結果得られた位置ずれと回転誤差が補正された状態で、ウエハWは、3本の上下動ピン140に支持された後、ウエハテーブルWTB上に搭載されているので、ウエハWのウエハテーブルWTB上へのロード後のウエハWのエッジ検出は必ずしも行わなくても良い。   Here, when the chuck unit 153 is driven upward and stopped (or during ascending), the main controller 20 detects the edge position of the wafer W using the measurement system 123 described above. In this case, the edge detection of the wafer W is performed by irradiating the three reflection mirrors 86 on the wafer table WTB with the measurement beams from the three edge position detection systems of the measurement system 123, respectively. This is performed by receiving light from the image pickup elements of the three edge position detection systems. The detection signals of the three edge position detection systems of the measurement system 123 are sent to the signal processing system 116 (see FIG. 8), and information on the positional deviation and rotation error of the wafer W is supplied to the main controller 20. The main controller 20 stores the information of the positional deviation and the rotation error in the memory as an offset amount, and considers the offset amount at the time of subsequent wafer alignment or exposure, and the wafer table. Control the position of WTB. The wafer W is supported by the three vertical movement pins 140 in a state where the edge detection of the wafer W is performed during the above-described standby, and the positional deviation and the rotation error obtained as a result are corrected. Since the wafer W is mounted on the wafer table WTB, the edge detection of the wafer W after loading the wafer W onto the wafer table WTB may not necessarily be performed.

以上説明したように、本実施形態に係る搬入ユニット121及びこれを備えた露光装置100によると、主制御装置20は、ウエハWをウエハテーブルWTB上にロードする際に、ウエハWをチャックユニット153を介して上方から吸引保持すると同時に、回転(例えば、起伏回動(水平面内の一軸回りの往復回転)ともいう)が可能な3つのウエハ支持ユニット125によって、ウエハW周縁部を下方から支持させる。これにより、ウエハWが、チャックユニット153を介して上方から吸引保持されているとき、3本の上下動ピン140(センター支持部材150)に渡されるまでの間に、鉛直方向は勿論、水平面内でも位置ずれすることがない。また、チャックユニット153が駆動装置によって、一軸回りに回転駆動され、第1位置に位置したとき、吸着部を含む保持部の一部がウエハWに下方から接触する。従って、このチャックユニット153を複数(例えば3組)用い、それぞれの吸着部によってウエハWの異なる位置を下方から保持することにより、ウエハWを小さいスペースで保持することが可能になる。   As described above, according to the carry-in unit 121 and the exposure apparatus 100 including the carry-in unit 121 according to the present embodiment, the main controller 20 loads the wafer W onto the chuck unit 153 when loading the wafer W onto the wafer table WTB. The peripheral edge of the wafer W is supported from below by the three wafer support units 125 that can be sucked and held from above through at the same time and can be rotated (for example, also referred to as undulation rotation (reciprocal rotation around one axis in a horizontal plane)). . Thus, when the wafer W is sucked and held from above via the chuck unit 153, the wafer W is not only in the vertical direction but also in the horizontal plane until it is transferred to the three vertical movement pins 140 (center support member 150). But there is no misalignment. Further, when the chuck unit 153 is driven to rotate about one axis by the driving device and is positioned at the first position, a part of the holding unit including the suction unit comes into contact with the wafer W from below. Therefore, by using a plurality (for example, three sets) of the chuck units 153 and holding different positions of the wafer W from below by the respective suction portions, the wafer W can be held in a small space.

また、主制御装置20は、ウエハWをウエハステージWST上にロードする途中、具体的にはウエハWをチャックユニット153と3つのウエハ支持ユニット125とで支持している際に、計測系123を介してウエハWの位置ずれ及び回転ずれを計測し、その計測結果に基づいて、ウエハWの位置ずれ及び回転ずれが補正されるように、ウエハステージWSTを駆動する。従って、ウエハWを位置再現性良く、ウエハテーブルWTB上にロードすることができる。   Further, main controller 20 sets measurement system 123 during loading of wafer W onto wafer stage WST, specifically, when wafer W is supported by chuck unit 153 and three wafer support units 125. The wafer stage WST is driven so that the positional deviation and rotational deviation of the wafer W are measured, and the positional deviation and rotational deviation of the wafer W are corrected based on the measurement result. Therefore, the wafer W can be loaded on the wafer table WTB with good position reproducibility.

また、回転が可能な3つのウエハ支持ユニット125を備えた上下動可能なチャックユニット153を用いるので、水平面内で回転するウエハ支持部材を用いる場合と異なり、狭い空間内であってもウエハWのウエハホルダWH上への搬入が可能となる。   Further, since the chuck unit 153 that can move up and down and includes three wafer support units 125 that can rotate is used, unlike the case of using a wafer support member that rotates in a horizontal plane, the wafer W can be moved even in a narrow space. Loading onto the wafer holder WH becomes possible.

また、主制御装置20は、ウエハWをウエハテーブルWTB上にロードする際に、ウエハWに対するチャックユニット153(複数のチャック部材124)による吸引状態と3本の上下動ピン140による支持状態とを維持して、チャックユニット153と上下動ピン140(センター支持部材150)とを、上下動させることができる。これにより、ウエハWの平坦度を所望の範囲内の値に維持した状態でウエハステージWST上にロードすることができる。   Further, when loading the wafer W onto the wafer table WTB, the main controller 20 determines the suction state of the wafer W by the chuck unit 153 (the plurality of chuck members 124) and the support state by the three vertical movement pins 140. The chuck unit 153 and the vertical movement pin 140 (center support member 150) can be moved up and down while maintaining. As a result, the wafer W can be loaded on the wafer stage WST while maintaining the flatness of the wafer W within a desired range.

また、チャックユニット153とウエハ支持ユニット125とを共通のZボイスコイルモータ144を介してZ軸方向に駆動しているので、部品点数を減らすこともできる。   Further, since the chuck unit 153 and the wafer support unit 125 are driven in the Z-axis direction via the common Z voice coil motor 144, the number of parts can be reduced.

また、チャックユニット153の自重を一対の重量キャンセル装置131によって支持しているので、チャックユニット153を上下方向に駆動する際の力を小さくすることができ、各Zボイスコイルモータ144のサイズを小さくすることができる。   Further, since the own weight of the chuck unit 153 is supported by the pair of weight cancellation devices 131, the force when driving the chuck unit 153 in the vertical direction can be reduced, and the size of each Z voice coil motor 144 can be reduced. can do.

また、本実施形態に係る露光装置100によると、ウエハテーブルWTB上に平坦度が高い状態で、かつ位置再現性良くロードされたウエハWに対して、ステッピング・アンド・スキャン方式で露光が行われるので、ウエハW上の複数のショット領域のそれぞれに対し、重ね合わせ精度が良好で、かつデフォーカスのない露光が可能となり、複数のショット領域に対してレチクルRのパターンを良好に転写することができる。   Further, according to the exposure apparatus 100 according to the present embodiment, the wafer W loaded with high flatness and good position reproducibility on the wafer table WTB is exposed by the stepping and scanning method. Therefore, it is possible to perform exposure with good overlay accuracy and no defocus for each of the plurality of shot areas on the wafer W, and the pattern of the reticle R can be transferred to the plurality of shot areas. it can.

なお、ウエハWをチャックユニット153で吸引保持している間に、3つのウエハ支持ユニット125によってXY平面内でのウエハWの位置ずれを効果的に抑制できるので、計測系123は、必ずしも設けなくても良い。   It should be noted that while the wafer W is sucked and held by the chuck unit 153, the positional deviation of the wafer W in the XY plane can be effectively suppressed by the three wafer support units 125, so the measurement system 123 is not necessarily provided. May be.

《第2の実施形態》
次に、第2の実施形態に係る露光装置について、図13及び図14(A)〜図14(C)に基づいて説明する。本第2の実施形態に係る露光装置では、搬入ユニット121のチャックユニット153が備える3つのウエハ支持ユニット125のそれぞれに代えて、図13に示されるウエハ支持ユニット125aが設けられている。チャックユニット153のその他の部分の構成、及び搬入ユニット121のその他の構成、搬入ユニット121以外の部分の構成などは、前述した第1の実施形態に係る露光装置100と同様である。従って、以下では、上記のウエハ支持ユニット125aを中心として、露光装置100との相違点について説明する。
<< Second Embodiment >>
Next, an exposure apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 13 and 14A to 14C. In the exposure apparatus according to the second embodiment, a wafer support unit 125a shown in FIG. 13 is provided in place of each of the three wafer support units 125 included in the chuck unit 153 of the carry-in unit 121. The configuration of other parts of the chuck unit 153, the other configuration of the carry-in unit 121, the configuration of parts other than the carry-in unit 121, and the like are the same as those of the exposure apparatus 100 according to the first embodiment described above. Therefore, hereinafter, differences from the exposure apparatus 100 will be described with the wafer support unit 125a as a center.

図13と図5(A)とを比較するとわかるように、ウエハ支持ユニット125aは、前述のウエハ支持ユニット125と同様の構成部分に加えて、図13に示されるクリーナユニット152を備えている。クリーナユニット152は、吸着部78に付着したレジスト等を清掃するためのものである。なお、クリーナユニット152をそれぞれ有する3つのウエハ支持ユニット125aは、配置が異なる点を除き同じ構成であるので、以下では、板部材44の中心に対して−Y方向に位置する段付き開口25内に収納されたウエハ支持ユニット125aを代表的に取り上げて、クリーナユニット152を中心として説明する。   As can be seen by comparing FIG. 13 and FIG. 5A, the wafer support unit 125a includes a cleaner unit 152 shown in FIG. 13 in addition to the same components as the wafer support unit 125 described above. The cleaner unit 152 is for cleaning the resist and the like adhering to the suction portion 78. Since the three wafer support units 125a each having the cleaner unit 152 have the same configuration except for the different arrangement, in the following, in the stepped opening 25 positioned in the −Y direction with respect to the center of the plate member 44. The wafer support unit 125a housed in the above will be taken up as a representative, and the cleaner unit 152 will be mainly described.

クリーナユニット152は、図13に示されるように、平板部材62上面の−Y側端部(前述の保持ユニット72等の−Y側)に配置されている。クリーナユニット152は、図13及び図14(A)等に示されるように、平板部材62の+X端から軸受部材66に対向する位置の近傍までX軸方向に延設されたガイド部材31、ガイド部材31上面に固定されたエアシリンダ32、エアシリンダ32のピストンロッド(不図示)の先端(+X側端)に固定され、ガイド部材31に沿ってエアシリンダ32によりX軸方向に駆動される平板部材33、及び平板部材33の−X側面に固定され、先端に砥石35が固定された棒状部材34等を備えている。 As shown in FIG. 13, the cleaner unit 152 is disposed at the −Y side end portion (−Y side of the above-described holding unit 72 and the like) of the upper surface of the flat plate member 62. Cleaner unit 152, FIGS. 13 and 14 as shown in (A) or the like, the guide member 31 extended in the X axis direction to the vicinity of a position opposite from the + X end of the plate member 62 to the bearing member 66 2, The air cylinder 32 fixed to the upper surface of the guide member 31, fixed to the tip (+ X side end) of a piston rod (not shown) of the air cylinder 32, and driven in the X axis direction by the air cylinder 32 along the guide member 31. A flat plate member 33 and a rod-shaped member 34 fixed to the −X side surface of the flat plate member 33 and having a grindstone 35 fixed to the tip are provided.

エアシリンダ32の制御(エアシリンダを構成するシリンダとその内部を摺動するピストンとで区画されるシリンダ内部の空間の圧力の制御)は、主制御装置20によって行われ、これにより、砥石35がX軸方向に関して保持部74の+X側に位置する待機位置(図14(A)及び図14(B)参照)と吸着部78の−X側に位置する研磨終了位置(図14(C)参照)とを含む所定ストローク範囲で駆動される。砥石35は、例えば、炭化ケイ素等から成る。   The control of the air cylinder 32 (control of the pressure in the space inside the cylinder defined by the cylinder constituting the air cylinder and the piston sliding inside the air cylinder) is performed by the main controller 20, whereby the grindstone 35 is A standby position (see FIGS. 14A and 14B) located on the + X side of the holding portion 74 in the X-axis direction and a polishing end position located on the −X side of the suction portion 78 (see FIG. 14C). ). The grindstone 35 is made of, for example, silicon carbide.

次に、本第2の実施形態に係る露光装置における搬入ユニット121による、特にローディングポジションLPの上方でウエハを保持して待機しているときの動作を、クリーナユニット152の動作を中心に、その待機中の前後の動作を含めて、図14(A)〜図14(C)に基づいて説明する。前提として、例えば、ウエハ支持ユニット125aは、図14(A)に示されるように、保持ユニット72が支持位置に位置し、ウエハW(図14(A)では不図示、図6(B)等参照)を下方から吸着支持しているものとする。このとき、主制御装置20は、エアシリンダ32を介して、砥石35を待機位置に位置させている。   Next, the operation of the carry-in unit 121 in the exposure apparatus according to the second embodiment, particularly when holding and holding the wafer above the loading position LP, is centered on the operation of the cleaner unit 152. The operation before and after waiting will be described with reference to FIGS. 14 (A) to 14 (C). As a premise, for example, in the wafer support unit 125a, as shown in FIG. 14A, the holding unit 72 is positioned at the support position, and the wafer W (not shown in FIG. 14A, FIG. 6B), etc. Reference) is supported from below. At this time, main controller 20 positions grindstone 35 at the standby position via air cylinder 32.

上述の実施形態で説明したように、ウエハWが3本の上下動ピン140(図12(A)参照)により、下方から支持されると、ウエハ支持部74b(吸着部78)によるウエハWの吸着を解除し、図14(A)中に白抜き矢印で示されるように、主制御装置20は、回転モータ68を介して保持ユニット72を支持位置から離間位置まで駆動する。   As described in the above embodiment, when the wafer W is supported from below by the three vertical movement pins 140 (see FIG. 12A), the wafer W is supported by the wafer support portion 74b (the suction portion 78). The suction is released, and the main controller 20 drives the holding unit 72 from the support position to the separation position via the rotation motor 68, as indicated by a white arrow in FIG.

そして、前述した手順で、ウエハWがウエハテーブルWTB上にロードされた後、ウエハステージWSTがローディングポジションLPから遠ざかると、主制御装置20は、図14(B)中に白抜き矢印で示されるように、エアシリンダ32を介して、砥石35を待機位置から研磨終了位置に向けて−X方向に駆動する。この移動の途中で、砥石35は、ウエハ支持部74bの吸着部78に接触し、その接触状態を維持しながら−X方向に駆動される。すなわち、砥石35は、吸着部78を含むウエハ支持部74bのウエハ支持面に沿って摺動しながら−Y方向に駆動される。この砥石35の摺動によりウエハ支持面が研磨される。従って、このとき、吸着部78にレジスト等が付着している場合には、砥石35によりレジスト等が吸着部78から剥がされる。なお、この砥石35による研磨作業は、上述したように、ローディングポジションLPにウエハステージWSTが位置していないとき、例えば、ウエハWに対するアライメント中又は露光中等に行われる。   Then, after wafer W is loaded on wafer table WTB in the above-described procedure, when wafer stage WST moves away from loading position LP, main controller 20 is indicated by a white arrow in FIG. In this manner, the grindstone 35 is driven in the −X direction from the standby position toward the polishing end position via the air cylinder 32. In the middle of this movement, the grindstone 35 contacts the suction part 78 of the wafer support part 74b, and is driven in the −X direction while maintaining the contact state. That is, the grindstone 35 is driven in the −Y direction while sliding along the wafer support surface of the wafer support portion 74 b including the suction portion 78. The wafer support surface is polished by the sliding of the grindstone 35. Accordingly, at this time, if a resist or the like is attached to the suction portion 78, the resist or the like is peeled off from the suction portion 78 by the grindstone 35. As described above, the polishing operation by the grindstone 35 is performed when the wafer stage WST is not positioned at the loading position LP, for example, during alignment or exposure with respect to the wafer W.

そして、砥石35による吸着部78の研磨が終了すると、図14(C)中に白抜き矢印で示されるように、主制御装置20は、エアシリンダ32を介して砥石35を研磨終了位置から待機位置まで+X方向に駆動する。その後、新たなウエハが搬送アーム149によってローディングポジションLPの上方に搬送され、チャックユニット153によって上方から吸引されるとともに3つのウエハ支持ユニット125によって下方から吸着保持される。そして、この状態で、前ウエハWに対する露光(レチクルRのパターンの転写)が終了し、搬出ユニット122(図8参照)によって外部に搬出されて、ウエハテーブルWTB上へのその新たなウエハのロードが可能となるまで待機されることとなる。   Then, when the polishing of the suction portion 78 by the grindstone 35 is completed, the main controller 20 waits for the grindstone 35 from the polishing end position via the air cylinder 32 as indicated by the white arrow in FIG. Drive in the + X direction to the position. Thereafter, a new wafer is transferred above the loading position LP by the transfer arm 149, sucked from above by the chuck unit 153, and sucked and held by the three wafer support units 125 from below. In this state, the exposure (transfer of the pattern of the reticle R) to the previous wafer W is completed, and the wafer is unloaded by the unloading unit 122 (see FIG. 8), and the new wafer is loaded onto the wafer table WTB. It will wait until it becomes possible.

本第2の実施形態に係る露光装置によると、前述した第1の実施形態と同等の効果を得られる他、ウエハWに塗布されたレジストがウエハWの下面にまで垂れ、そのレジストが3つのウエハ支持ユニット125aのウエハ支持部74bの吸着部78に付着した場合であっても、吸着部78は砥石35により研磨されるので、新たなウエハに吸着部78に付着したレジストを付着させるおそれがなく、露光精度を良好に保つことができる。また、砥石35による研磨作業は、ローディングポジションLP(チャックユニット153の下方)にウエハステージWSTが配置されていないときに行われるので、剥がれ落されたレジストがウエハホルダWH等に付着し、ウエハホルダWH上に新たに載置されるウエハWの平面度が悪化する等により、露光結果に悪影響を及ぼすおそれがない。   According to the exposure apparatus of the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained. In addition, the resist applied to the wafer W hangs down to the lower surface of the wafer W, and the resist has three Even if it adheres to the suction part 78 of the wafer support part 74b of the wafer support unit 125a, the suction part 78 is polished by the grindstone 35, so there is a risk that the resist attached to the suction part 78 will adhere to a new wafer. Therefore, the exposure accuracy can be kept good. Further, since the polishing operation by the grindstone 35 is performed when the wafer stage WST is not arranged at the loading position LP (below the chuck unit 153), the resist that has been peeled off adheres to the wafer holder WH and the like, and is on the wafer holder WH. There is no possibility of adversely affecting the exposure result due to the deterioration of the flatness of the newly placed wafer W.

《第2の実施形態の変形例》
上記第2の実施形態に係る露光装置において、3つのウエハ支持ユニット125aのそれぞれに代えて、図15(A)〜図15(C)に示される変形例に係るウエハ支持ユニット125bを設けても良い。本変形例に係るウエハ支持ユニット125bでは、クリーナユニット152に代えてクリーナユニット152aが用いられている。クリーナユニット152aは、前述のクリーナユニット152の構成に加え、平板部材33を、−X方向に常時付勢する弾性体(弾性部材)、例えば圧縮ばね(圧縮コイルばね)36が設けられている。
<< Modification of Second Embodiment >>
In the exposure apparatus according to the second embodiment, a wafer support unit 125b according to the modification shown in FIGS. 15A to 15C may be provided in place of each of the three wafer support units 125a. good. In the wafer support unit 125 b according to this modification, a cleaner unit 152 a is used instead of the cleaner unit 152. In addition to the configuration of the cleaner unit 152 described above, the cleaner unit 152a is provided with an elastic body (elastic member) that constantly urges the flat plate member 33 in the -X direction, for example, a compression spring (compression coil spring) 36.

圧縮ばね36は、平板部材33と、平板部材62上面の+X側端部に固定された支持部材37との間に設けられている。本変形例では、3つのウエハ支持ユニット125bの保持ユニット72がウエハ支持位置にあるとき、主制御装置20(図8参照)によりエアシリンダ32が制御され、圧縮ばね36の弾性力による−X方向の付勢力に抗して平板部材33が+X方向に駆動され、砥石35が前述した待機位置で待機する(図15(A)参照)。   The compression spring 36 is provided between the flat plate member 33 and a support member 37 fixed to the + X side end of the upper surface of the flat plate member 62. In the present modification, when the holding unit 72 of the three wafer support units 125b is in the wafer support position, the air cylinder 32 is controlled by the main controller 20 (see FIG. 8), and the −X direction is generated by the elastic force of the compression spring 36. The flat plate member 33 is driven in the + X direction against the urging force, and the grindstone 35 waits at the standby position described above (see FIG. 15A).

3つのウエハ支持ユニット125bの保持ユニット72がウエハ支持位置にあり、かつ砥石35が待機位置にあるとき、何らかの原因で、エアシリンダ32内への圧縮空気の供給等を含み、ウエハ支持ユニット125bに対する用力の供給が停止した場合、図15(B)に示されるように、圧縮ばね36の付勢力により、平板部材33、棒状部材34及び砥石35が−X方向に駆動され、砥石35の−X側の面が本体部74aの+X側の面に圧接する。これにより、仮に、用力の供給停止の要因が、地震等であり、磁石61と磁性体76との間に働く磁力のみでは、ウエハの支持状態を維持することが困難な事態になっても、その磁力と、砥石35と本体部74aとの間の摩擦力とによって、3つのウエハ支持ユニット125bによるウエハWの支持状態を維持することができる。   When the holding unit 72 of the three wafer support units 125b is in the wafer support position and the grindstone 35 is in the standby position, for some reason, including the supply of compressed air into the air cylinder 32, the wafer support unit 125b When the supply of utility force is stopped, the flat plate member 33, the rod-shaped member 34 and the grindstone 35 are driven in the -X direction by the biasing force of the compression spring 36 as shown in FIG. The side surface is in pressure contact with the + X side surface of the main body 74a. As a result, even if the cause of the supply stop of the utility force is an earthquake or the like, and it becomes difficult to maintain the wafer support state with only the magnetic force acting between the magnet 61 and the magnetic body 76, The support state of the wafer W by the three wafer support units 125b can be maintained by the magnetic force and the frictional force between the grindstone 35 and the main body 74a.

一方、3つのウエハ支持ユニット125bの保持ユニット72が離間位置にあり、かつ砥石35が待機位置にあるとき、何らかの原因で、エアシリンダ32内への圧縮空気の供給等を含み、ウエハ支持ユニット125bに対する用力の供給が停止した場合、圧縮ばね36の付勢力により、平板部材33、棒状部材34及び砥石35が−X方向に駆動され、図15(C)に示されるように、棒状部材34及び砥石35が、ウエハ支持部74bと本体部74aとの間に挿入され、砥石35が研磨終了位置に位置する。すなわち、図15(C)の状態では、棒状部材34及び砥石35が、ウエハ支持部74bの吸着部78が設けられた面(ウエハ支持面)に接している。これにより、仮に、用力の供給停止の要因が、地震等であり、磁石61と磁性体76との間に働く磁力のみでは、保持ユニット72を離間位置に維持することが困難な事態になっても、圧縮ばね36の弾性力により砥石35が研磨終了位置にあり、棒状部材34及び砥石35が、ウエハ支持部74bのウエハ支持面に接した状態を維持することができ、保持ユニット72の不用意な回転を防止することができる。   On the other hand, when the holding unit 72 of the three wafer support units 125b is in the separated position and the grindstone 35 is in the standby position, the wafer support unit 125b includes supply of compressed air into the air cylinder 32 for some reason. When the supply of the working force to is stopped, the flat plate member 33, the rod-shaped member 34, and the grindstone 35 are driven in the -X direction by the biasing force of the compression spring 36, and as shown in FIG. The grindstone 35 is inserted between the wafer support portion 74b and the main body portion 74a, and the grindstone 35 is located at the polishing end position. That is, in the state of FIG. 15C, the rod-shaped member 34 and the grindstone 35 are in contact with the surface (wafer support surface) on which the suction portion 78 of the wafer support portion 74b is provided. As a result, the factor for stopping the supply of utility power is, for example, an earthquake, and it is difficult to maintain the holding unit 72 in the separated position with only the magnetic force acting between the magnet 61 and the magnetic body 76. However, the grindstone 35 is in the polishing end position by the elastic force of the compression spring 36, and the rod-shaped member 34 and the grindstone 35 can be kept in contact with the wafer support surface of the wafer support portion 74b. Prepared rotation can be prevented.

上述のように、本変形例に係るウエハ支持ユニット125bでは、地震等その他の要因により用力の供給が停止し、エアシリンダ32内への圧縮空気の供給が停止された場合であっても、保持ユニット72を、その用力供給停止時の状態に維持することができる。従って、3つのウエハ支持ユニット125bの保持ユニット72がウエハ支持位置にあり、ウエハ支持部74bがウエハWを吸着支持しているときに、地震その他の要因により用力の供給が停止した場合であっても、ウエハWの落下を防止することができる。また、3つのウエハ支持ユニット125bの保持ユニット72が離間位置にあるとき、地震等なんらかの要因により用力の供給が停止した場合であっても、ウエハ支持部74b等がウエハステージWSTに接触し、損傷するおそれがない。   As described above, in the wafer support unit 125b according to this modification, even if the supply of utility force is stopped due to other factors such as an earthquake and the supply of compressed air into the air cylinder 32 is stopped, the holding is maintained. The unit 72 can be maintained in the state at the time when the utility power supply is stopped. Therefore, when the holding unit 72 of the three wafer support units 125b is at the wafer support position and the wafer support part 74b sucks and supports the wafer W, the supply of utility force is stopped due to an earthquake or other factors. In addition, the wafer W can be prevented from falling. In addition, when the holding unit 72 of the three wafer support units 125b is in the separated position, even if the supply of utility force is stopped due to some factor such as an earthquake, the wafer support unit 74b or the like comes into contact with the wafer stage WST and is damaged. There is no fear.

なお、本変形例では、研磨時の砥石35の駆動は、主制御装置20が、エアシリンダ32内の気室の内圧が、圧縮ばね36の不勢力より幾分小さくなるように、エアシリンダ32を制御することで行われる。   In this modification, the driving of the grindstone 35 during polishing is performed so that the main controller 20 causes the air cylinder 32 to have a somewhat lower internal pressure in the air chamber 32 than the inability of the compression spring 36. It is done by controlling.

なお、上記変形例では、砥石35を圧縮ばね36の付勢力によって砥石35を本体部74aに圧接させることにより、砥石35と本体部74aとの摩擦力より、保持ユニット72の回転を防止していたが、砥石35とは異なる別の部材を用いて、その別の部材と本体部74aとの間の摩擦力により保持ユニット72の回転を防止することとしても良い。保持ユニット72が離間位置にあるとき、保持ユニット72の回転を防止するためには、棒状部材34のみであっても良く、砥石35を特に用いる必要はない。   In the above modification, the holding unit 72 is prevented from rotating by the frictional force between the grindstone 35 and the main body 74a by pressing the grindstone 35 against the main body 74a by the urging force of the compression spring 36. However, another member different from the grindstone 35 may be used to prevent the holding unit 72 from rotating by the frictional force between the other member and the main body 74a. When the holding unit 72 is in the separated position, only the rod-like member 34 may be used to prevent the holding unit 72 from rotating, and it is not necessary to use the grindstone 35 in particular.

また、上記変形例では、圧縮ばね36と本体部74aと間の摩擦力、又は砥石35がウエハ支持部74bと本体部74aとの間に挿入されることで、保持ユニット72の回転が防止されるものとしたが、これに限らず、例えば、地震等によりエアシリンダ32内への圧縮空気の供給が停止された場合に、磁石61と磁性体76との間の磁力によって、ウエハ支持部74bが回転しないのであれば、圧縮ばね36等を設けなくても良い。   In the modification, the holding unit 72 is prevented from rotating by the frictional force between the compression spring 36 and the main body 74a or the grindstone 35 being inserted between the wafer support 74b and the main body 74a. However, the present invention is not limited to this. For example, when the supply of compressed air into the air cylinder 32 is stopped due to an earthquake or the like, the wafer support portion 74b is generated by the magnetic force between the magnet 61 and the magnetic body 76. If it does not rotate, the compression spring 36 and the like need not be provided.

《第3の実施形態》
次に、第3の実施形態について図16(A)〜図17に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態に係る露光装置と同一又は同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を省略する。本第3の実施形態に係る露光装置は、搬入ユニット121の構成が、前述した第1の実施形態に係る露光装置100と一部相違するが、その他の部分の構成は、同様になっている。以下では、相違点を中心として説明する。
<< Third Embodiment >>
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. Here, the same reference numerals are used for the same or equivalent components as those in the exposure apparatus according to the first embodiment described above, and the description thereof is omitted. In the exposure apparatus according to the third embodiment, the configuration of the carry-in unit 121 is partially different from the exposure apparatus 100 according to the first embodiment described above, but the configuration of other parts is the same. . Below, it demonstrates centering around difference.

前述した第1の実施形態では、3つのウエハ支持ユニット125は、チャックユニット153の一部を構成する板部材44に固定され、チャックユニット153の一部を構成していた。しかし、本第3の実施形態では、3つのウエハ支持ユニット125cは、チャックユニットの一部を構成せず、図16(A)等に示されるように、チャックユニット153’の外部の支持部材26に、軸部材21を介して回転可能に支持された側面視S字状の回転部27に取付けられている。支持部材26は、メインフレームBDに不図示の支持部材を介して吊下げ支持されている。ウエハ支持ユニット125cは、基本的には、前述のウエハ支持ユニット125と同様に構成されているが、平板部材62は取り除かれている。チャックユニット153’は、前述のチャックユニット153から、3つのウエハ支持ユニット125が取り除かれたような構造となっている。チャックユニット153’の一部を構成する板部材44’には、ウエハ支持ユニットを収納するための3つの段付き開口は設けられていない。   In the first embodiment described above, the three wafer support units 125 are fixed to the plate member 44 constituting a part of the chuck unit 153 and constitute a part of the chuck unit 153. However, in the third embodiment, the three wafer support units 125c do not constitute a part of the chuck unit, and as shown in FIG. 16A and the like, the support member 26 outside the chuck unit 153 ′. Further, it is attached to a rotating portion 27 having an S-shape in a side view, which is rotatably supported via a shaft member 21. The support member 26 is suspended and supported by the main frame BD via a support member (not shown). The wafer support unit 125c is basically configured in the same manner as the wafer support unit 125 described above, but the flat plate member 62 is removed. The chuck unit 153 'has a structure in which the three wafer support units 125 are removed from the chuck unit 153 described above. The plate member 44 ′ constituting a part of the chuck unit 153 ′ is not provided with three stepped openings for accommodating the wafer support unit.

3つのウエハ支持ユニット125cは、前述した第1実施形態と同様に、板部材44の中心に対して2時、6時、10時の方向の板部材44の外周縁から僅かに外側に離れた位置に配置されている。3つのウエハ支持ユニット125cは、配置が異なる点を除き、同じ構成であるので、以下では、板部材44の−Y側(中心に対して6時の方向)に位置するウエハ支持ユニット125cを代表的に取り上げて説明する。   The three wafer support units 125c are slightly separated from the outer periphery of the plate member 44 in the direction of 2 o'clock, 6 o'clock, and 10 o'clock with respect to the center of the plate member 44, as in the first embodiment. Placed in position. Since the three wafer support units 125c have the same configuration except for different arrangements, the following is representative of the wafer support unit 125c positioned on the −Y side (6 o'clock direction with respect to the center) of the plate member 44. Take it up and explain.

ウエハ支持ユニット125cは、図16(A)に示されるように、回転部27の回転軸(軸部材21)の−Z側かつ+Y側の位置に取付けられている。また、軸部材21は、X軸方向を長手方向として支持部材26に固定されている。ここで、回転部27は、軸部材21に対し、その軸部材21回りに回転可能に取付けられている。   As shown in FIG. 16A, the wafer support unit 125 c is attached to the −Z side and + Y side positions of the rotation shaft (shaft member 21) of the rotation unit 27. The shaft member 21 is fixed to the support member 26 with the X-axis direction as the longitudinal direction. Here, the rotating portion 27 is attached to the shaft member 21 so as to be rotatable around the shaft member 21.

ウエハ支持ユニット125cは、前述のウエハ支持ユニット125と同様、2つの軸受部材66、66(図16(A)〜図17では不図示、図5(A)参照)と、該2つの軸受部材66、66によってX軸に平行な軸回りに回転可能に支持された保持ユニット72と、保持ユニット72にカップリング64(図16(A)〜図17では不図示、図5(A)参照)を介して接続された回転モータ68と、を備えている。 Similar to the wafer support unit 125 described above, the wafer support unit 125c includes two bearing members 66 1 and 66 2 (not shown in FIGS. 16A to 17, see FIG. 5A), and the two bearings. A holding unit 72 supported by members 66 1 and 66 2 so as to be rotatable about an axis parallel to the X axis, and a coupling 64 (not shown in FIGS. 16A to 17, FIG. 5A ), And a rotary motor 68 connected via

回転部27は、軸部材21に対して回転可能に取付けられ、それぞれの一端部にX軸方向に伸びる板部材から成る連結部材28が固定され、これにより一体化された3枚の側面視S字状の板部材27、27、27(図16(A)等では、板部材27、27は、板部材27の奥側に隠れている。)を有している。板部材27の−X側の面に回転モータ68の筐体の+X側の面が固定され、回転モータ68の回転軸は、板部材27に形成された開口を介して板部材27の+X側に先端部が露出している。この回転軸にカップリング64を介して保持ユニット72の一端(軸部73)が接続されている。そして、保持ユニット72を回転可能に支持する2つの軸受部材66、66が、それぞれ板部材27、27に形成された矩形開口内に挿入され、板部材27、27に個別に固定されている。すなわち、ウエハ支持ユニット125cでは、このようにして2つの軸受部材66、66及び回転モータ68が回転部27に対して固定されており、保持ユニット72が、回転モータ68の駆動力により、回転部27に対して回転モータ68の回転軸と同軸の軸回りに回転可能に構成されている。 The rotating portion 27 is rotatably attached to the shaft member 21, and a connecting member 28 made of a plate member extending in the X-axis direction is fixed to one end portion of the rotating portion 27. (in FIG. 16 (a) or the like, the plate member 27 2, 27 3, are hidden on the far side of the plate member 27 1.) shaped plate member 27 1, 27 2, 27 3 and a. Is + X side surface of the casing of the rotary motor 68 is fixed to a surface of the plate member 27 1 of the -X side, the rotation shaft of the rotary motor 68, the plate member 27 1 through the opening formed in the plate member 27 1 The tip is exposed on the + X side. One end (shaft portion 73 1 ) of the holding unit 72 is connected to the rotating shaft via a coupling 64. The two bearing members 66 rotatably supporting the holding unit 72 1, 66 2 is inserted into the respective plate member 27 2, 27 rectangular opening formed in the 3, individually to the plate member 27 2, 27 3 It is fixed to. That is, in the wafer support unit 125 c, the two bearing members 66 1 and 66 2 and the rotation motor 68 are fixed to the rotating unit 27 in this way, and the holding unit 72 is driven by the driving force of the rotation motor 68. The rotating portion 27 is configured to be rotatable about an axis coaxial with the rotating shaft of the rotating motor 68.

本第3の実施形態に係る露光装置では、ウエハ支持ユニット125c及びチャックユニット153’以外の搬入ユニット121の他の部分の構成、及び搬入ユニット121以外の部分の構成は、前述した第1の実施形態に係る露光装置100と同様になっている。   In the exposure apparatus according to the third embodiment, the configuration of other parts of the carry-in unit 121 other than the wafer support unit 125c and the chuck unit 153 ′ and the configuration of parts other than the carry-in unit 121 are the same as those in the first embodiment. It is the same as the exposure apparatus 100 according to the embodiment.

本第3の実施形態に係る露光装置では、上述した構成の相違に対応して、ウエハステージWST上へのウエハWの搬入(ロード)手順の一部が、前述の第1の実施形態に係る露光装置100と相違する。以下、その相違部分について、図16(A)〜図17に基づいて説明する。前提として、チャックユニット153’は、ストローク範囲内の移動上限位置(+Z側の移動限界位置)近傍、すなわち前述した第1位置に移動され、その位置に維持されているものとする。また、このとき、3つのウエハ支持ユニット125cは、それぞれのウエハ支持部74bが離間位置に位置し、搬送アーム149によって、ウエハWがチャックユニット153’の下方に搬送されているものとする(図16(A)参照)。   In the exposure apparatus according to the third embodiment, in response to the difference in configuration described above, a part of the procedure for loading (loading) the wafer W onto the wafer stage WST is related to the first embodiment. Different from the exposure apparatus 100. Hereinafter, the difference will be described with reference to FIGS. As a premise, it is assumed that the chuck unit 153 ′ is moved to the vicinity of the movement upper limit position (+ Z side movement limit position) within the stroke range, that is, the first position described above, and is maintained at that position. At this time, in the three wafer support units 125c, the respective wafer support portions 74b are located at the separated positions, and the wafer W is transferred below the chuck unit 153 ′ by the transfer arm 149 (FIG. 16 (A)).

この状態で、主制御装置20は、図16(A)中に黒矢印で示されるように、3つのウエハ支持ユニット125cのそれぞれが備える回転モータ68を介してそれぞれの保持ユニット72を、離間位置から、支持位置まで駆動する。本第3の実施形態では、各ウエハ支持ユニット125cを支持する回転部27が、軸部材21回りに回転可能であるため、各保持ユニット72が回転した際の慣性力によって、各ウエハ支持ユニット125c及び該ウエハ支持ユニット125cが取付けられた各回転部27(以下、単に各回転部27等という)は、図16(A)中に白抜き矢印で示されるように、軸部材21を中心として紙面内、反時計回りに僅かに回転する。   In this state, main controller 20 moves each holding unit 72 to the separated position via rotation motor 68 provided in each of three wafer support units 125c, as indicated by black arrows in FIG. To the support position. In the third embodiment, since the rotating unit 27 that supports each wafer support unit 125c can rotate around the shaft member 21, each wafer support unit 125c is caused by the inertial force when each holding unit 72 rotates. Each rotating portion 27 (hereinafter simply referred to as each rotating portion 27, etc.) to which the wafer support unit 125c is attached is formed on the surface of the shaft member 21 as indicated by a white arrow in FIG. Inside, it turns slightly counterclockwise.

そして、各ウエハ支持ユニット125cの回転モータ68による回転駆動が停止すると、各回転部27等は、自重によるモーメント作用により、図16(B)中に白抜き矢印で示されるように、軸部材21を中心として紙面内時計回りに回転する。そして、図17に示されるように、ウエハ支持ユニット125c(吸着部78)と、ウエハW下面とが当接すると、主制御装置20は、上述の第1実施形態と同様に、吸着部78によるウエハWの吸着保持を開始する。以降、主制御装置20により、前述した第1の実施形態と同様のシーケンスが実行される。   Then, when the rotational drive by the rotary motor 68 of each wafer support unit 125c is stopped, each rotary unit 27 and the like is caused by the moment action due to its own weight, as shown by the white arrow in FIG. Rotate clockwise around the paper. Then, as shown in FIG. 17, when the wafer support unit 125c (suction unit 78) and the lower surface of the wafer W come into contact with each other, the main controller 20 uses the suction unit 78 in the same manner as in the first embodiment. The suction holding of the wafer W is started. Thereafter, the main controller 20 executes the same sequence as in the first embodiment described above.

以上説明した本第3の実施形態に係る露光装置によると、前述した第1の実施形態に係る露光装置100と同等の効果を得られる他、搬送アーム149によってチャックユニット153の下方に搬送されたウエハWの外縁部が、自重等の影響により下に反っているような場合でも、3つのウエハ支持ユニット125cによって、確実に安定的に、ウエハWを下方から支持することができる。   According to the exposure apparatus according to the third embodiment described above, the same effects as those of the exposure apparatus 100 according to the first embodiment described above can be obtained, and the wafer can be transported below the chuck unit 153 by the transport arm 149. Even when the outer edge portion of the wafer W is warped downward due to its own weight or the like, the three wafer support units 125c can reliably and stably support the wafer W from below.

なお、上記第3の実施形態では、回転部27が、軸部材21に対して回転可能に支持されていたが、これに限らず、軸部材21は回転部27に固定され、その軸部材21がエアベアリング等を介して回転可能な状態で、支持部材26に支持されていても良い。かかる場合にも、3つのウエハ支持ユニット125cのそれぞれが備える回転モータ68を介してそれぞれの保持ユニット72を、離間位置から、支持位置まで駆動する際の、ウエハ支持ユニット125c及び回転部27の動作は、上記第3の実施形態と同様になる。   In the third embodiment, the rotating portion 27 is rotatably supported with respect to the shaft member 21. However, the present invention is not limited to this, and the shaft member 21 is fixed to the rotating portion 27, and the shaft member 21. May be supported by the support member 26 in a rotatable state via an air bearing or the like. Even in such a case, the operations of the wafer support unit 125c and the rotating unit 27 when the holding units 72 are driven from the separated position to the support position via the rotation motor 68 provided in each of the three wafer support units 125c. Is the same as in the third embodiment.

《第4の実施形態》
次に、第4の実施形態に係る露光装置について、図18〜図21に基づいて説明する。本第4の実施形態に係る露光装置では、搬入ユニット121のチャックユニット153が備える3つのウエハ支持ユニット125のそれぞれに代えて、図18〜図20に示されるウエハ支持ユニット125dが設けられている。チャックユニット153のその他の部分の構成、及び搬入ユニット121のその他の構成、搬入ユニット121以外の部分の構成などは、前述した第1の実施形態に係る露光装置100と同様である。したがって、以下では、上記のウエハ支持ユニット125dを中心として、露光装置100との相違点について説明する。なお、3つのウエハ支持ユニット125dは、配置が異なる点を除き同じ構成であるので、以下では、板部材44の中心に対して−Y方向に位置する段付き開口25内に収納されたウエハ支持ユニット125dを代表的に取り上げて説明する。
<< Fourth Embodiment >>
Next, an exposure apparatus according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. In the exposure apparatus according to the fourth embodiment, a wafer support unit 125d shown in FIGS. 18 to 20 is provided in place of each of the three wafer support units 125 provided in the chuck unit 153 of the carry-in unit 121. . The configuration of other parts of the chuck unit 153, the other configuration of the carry-in unit 121, the configuration of parts other than the carry-in unit 121, and the like are the same as those of the exposure apparatus 100 according to the first embodiment described above. Therefore, hereinafter, differences from the exposure apparatus 100 will be described with the wafer support unit 125d as a center. Since the three wafer support units 125d have the same configuration except for different arrangements, the wafer support accommodated in the stepped opening 25 positioned in the −Y direction with respect to the center of the plate member 44 is described below. The unit 125d will be described as a representative example.

図18と図5(A)とを比較するとわかるように、ウエハ支持ユニット125dでは、ウエハ支持ユニット125dが備える保持ユニット72を回転駆動する駆動源として、前述の回転モータ68に代えて、エアシリンダ168が設けられている。また、保持ユニット72の軸部73の一端が、平板部材62上に設けられた運動変換部164に接続されている。 As can be seen from a comparison between FIG. 18 and FIG. 5A, in the wafer support unit 125d, instead of the rotary motor 68 described above, an air cylinder is used as a drive source for rotationally driving the holding unit 72 provided in the wafer support unit 125d. 168 is provided. One end of the shaft portion 73 2 of the holding unit 72 is connected to the motion converter 164 provided on the flat plate member 62.

エアシリンダ168は、シリンダ部と、シリンダ部の長手方向に沿ってスライド移動するピストン部とを有し、平板部材62の−Y側端部の−X側端部近傍の位置に、Y軸方向を長手方向として、土台169を介して固定されている。ピストン部は、シリンダ部の内周面にその外周面がほぼ接する円形の板部材から成るピストンと、ピストンの一面の中心部に一端(−Y側端)が固定され、シリンダ部の長手方向(Y軸方向)に延びるピストンロッド168a(図18、図19(A)及び図19(B)参照)とを有する。   The air cylinder 168 has a cylinder part and a piston part that slides along the longitudinal direction of the cylinder part, and is in the Y-axis direction at a position near the −X side end of the −Y side end of the flat plate member 62. Is fixed through a base 169. The piston part is composed of a circular plate member whose outer peripheral surface is substantially in contact with the inner peripheral surface of the cylinder part, and one end (−Y side end) is fixed to the center part of one surface of the piston, and the longitudinal direction of the cylinder part ( And a piston rod 168a (see FIGS. 18, 19A, and 19B) extending in the Y-axis direction.

エアシリンダ168のシリンダ部の底部(−Y端部)には、チューブ180の一端が接続され、該チューブ180の他端は、ソレノイドバルブ201を介してコンプレッサ202(いずれも図18、図19(A)及び図19(B)では不図示、図21参照)に接続されている。ソレノイドバルブ201は、3つの出入口を有し、そのうちの2つの出入口(便宜上、第1の出入口、第2の出入口と呼ぶ)がソレノイドバルブ201が備える弁によって択一的に開閉される。残りの1つの出入口(以下、第3の出入口と呼ぶ)には、弁は設けられていないため、常時開放されている。   One end of a tube 180 is connected to the bottom (−Y end) of the cylinder portion of the air cylinder 168, and the other end of the tube 180 is connected to a compressor 202 via a solenoid valve 201 (both in FIGS. 18 and 19). A) and FIG. 19B (not shown, see FIG. 21). The solenoid valve 201 has three ports, and two of the ports (for convenience, referred to as a first port and a second port) are alternatively opened and closed by a valve included in the solenoid valve 201. Since the remaining one doorway (hereinafter referred to as the third doorway) is not provided with a valve, it is always open.

201が備えるソレノイドに電圧が印加されていない状態(以下、オフ状態と呼ぶ)では、弁は、ばね等の付勢部材の付勢力によって第1の出入口を閉鎖している。したがって、第2の出入口は、通常開放されている。一方、ソレノイドバルブ201が備えるソレノイドに電圧が印加されると、弁は、ばね等の付勢部材の付勢力に抗して駆動され、第2の出入口を閉鎖するとともに第1の出入口を開放する。以下では、ソレノイドに電圧が印加された状態を、オン状態と呼ぶ。   In a state where voltage is not applied to the solenoid included in 201 (hereinafter referred to as an off state), the valve closes the first doorway by the biasing force of a biasing member such as a spring. Therefore, the second doorway is normally open. On the other hand, when a voltage is applied to the solenoid included in the solenoid valve 201, the valve is driven against the urging force of a urging member such as a spring to close the second entrance and open the first entrance. . Hereinafter, a state in which a voltage is applied to the solenoid is referred to as an on state.

ソレノイドバルブ201の第1の出入口にコンプレッサ202が空気供給用のチューブ(不図示)を介して接続され、第3の出入口はチューブ180(図18等参照)を介してエアシリンダ168に接続されている。残りの第2の出入口は、大気に開放されている。以下では、この第2の出入口を大気開放口と呼ぶ。   The compressor 202 is connected to the first inlet / outlet of the solenoid valve 201 via an air supply tube (not shown), and the third inlet / outlet is connected to the air cylinder 168 via a tube 180 (see FIG. 18 etc.). Yes. The remaining second doorway is open to the atmosphere. Below, this 2nd entrance / exit is called an air release port.

したがって、ソレノイドバルブ201がオン状態で、コンプレッサ202が作動されると、コンプレッサ202が生成する圧縮空気が空気供給用のチューブ、ソレノイドバルブの内部空間及びチューブ180を介してエアシリンダ168のシリンダ部の内部に供給される。一方、ソレノイドバルブ201がオフ状態では、エアシリンダ168のシリンダ部の内部空間とソレノイドバルブ201の外部空間とが大気開放口を介して連通される。したがって、この状態で、後述するように、エアシリンダ168のピストン部が圧縮ばねの弾性力により−Y側に押圧されると、シリンダ部内部の空気が大気開放口から外部に排出される。   Therefore, when the compressor 202 is operated with the solenoid valve 201 turned on, the compressed air generated by the compressor 202 flows into the air supply tube, the internal space of the solenoid valve, and the cylinder portion of the air cylinder 168 via the tube 180. Supplied inside. On the other hand, when the solenoid valve 201 is in the OFF state, the internal space of the cylinder portion of the air cylinder 168 and the external space of the solenoid valve 201 are communicated with each other through the atmosphere opening. Therefore, in this state, as will be described later, when the piston portion of the air cylinder 168 is pressed to the −Y side by the elastic force of the compression spring, the air inside the cylinder portion is discharged to the outside from the atmosphere opening port.

なお、3つのウエハ支持ユニット125dは、同じ構成であるので、3つのウエハ支持ユニット125dのそれぞれがエアシリンダ168を備えており、各エアシリンダ168に個別に接続された3つのソレノイドバルブ201が設けられている(図21参照)が、これら3つのソレノイドバルブ201は、空気供給用のチューブ(不図示)をそれぞれ介して同一のコンプレッサ202に接続されている。   Since the three wafer support units 125d have the same configuration, each of the three wafer support units 125d includes an air cylinder 168, and three solenoid valves 201 individually connected to the air cylinders 168 are provided. However, these three solenoid valves 201 are connected to the same compressor 202 via air supply tubes (not shown), respectively.

運動変換部164は、エアシリンダ168のピストン部の直線運動を、保持ユニット72の回転運動に変換する。運動変換部164は、図19(A)に簡略化して示されるように、軸部73の外周部に一体的に固定されたカム165と、カム165に係合するスライド部材166とを有するカム機構を含む。カム165は、一端部に軸部73の外径より僅かに小さい(例えば数ミクロン程度小さい)直径の開口部が形成され、その開口部内に軸部73が挿入された状態で、軸部73と一体化されている。軸部73とカム165には、対向する面にそれぞれキー溝(不図示)が形成され、これらのキー溝に嵌合するキー(不図示)を介して軸部73にカム165が取付けられている。カム165の他端には、U字状の凹部165aが形成されている。 The motion conversion unit 164 converts the linear motion of the piston portion of the air cylinder 168 into the rotational motion of the holding unit 72. The motion converting unit 164, as shown in simplified form in FIG. 19 (A), having a cam 165 which is integrally fixed to the outer peripheral portion of the shaft portion 73 2, and a slide member 166 that engages the cam 165 Includes cam mechanism. Cam 165 has one end portion slightly smaller than the outer diameter of the shaft portion 73 2 (for example, about several microns smaller) diameter opening is formed in a state where the shaft portion 73 2 is inserted into the opening, the shaft portion 73 2 is integrated with. The shaft portion 73 2 and the cam 165, respectively keyway (not shown) are formed on opposite sides, the cam 165 to the shaft portion 73 2 via a key (not shown) to be fitted in these keyways attached It has been. At the other end of the cam 165, a U-shaped recess 165a is formed.

ウエハ支持ユニット125dでは、スライド部材166が、エアシリンダ168のピストンロッド168aの先端に一体的に設けられている。スライド部材166には、一面にカム165のU字状凹部165aに係合する円柱状の凸部166aが設けられている。このため、スライド部材166が、ピストン部と一体でエアシリンダ168の長手方向(Y軸方向)に駆動されると、カム165が、軸部73と一体で軸部73の中心軸回りに、回転する。これにより、保持ユニット72が、軸部73及び軸部73の中心軸回りに回転する。 In the wafer support unit 125d, the slide member 166 is integrally provided at the tip of the piston rod 168a of the air cylinder 168. The slide member 166 is provided with a columnar convex portion 166a that engages with the U-shaped concave portion 165a of the cam 165 on one surface. Therefore, the sliding member 166, when driven in the longitudinal direction of the air cylinder 168 (Y-axis direction) in the piston portion integral with the cam 165, the central axis of the shaft portion 73 2 and the shaft portion 73 2 integrally ,Rotate. Thus, the holding unit 72 is rotated about the central axis of the shaft portion 73 2 and the shaft portion 73 1.

カム165及びスライド部材166を含むカム機構が、運動変換部164の筐体164a(図18参照)の内部に収納されている。   A cam mechanism including a cam 165 and a slide member 166 is housed in the housing 164a (see FIG. 18) of the motion conversion unit 164.

ウエハ支持ユニット125dでは、図19(A)及び図19(B)に示されるように、平板部材62上面の運動変換部164を挟んでエアシリンダ168と反対側の位置には、支持ブロック190が固定されている。支持ブロック190とスライド部材166との間には、Y軸方向を伸縮方向とする圧縮コイルばね(圧縮ばね)192が、配置されている。圧縮ばね192は、一端が支持ブロック190の−Y側の面に接続され、他端がスライド部材166の+Y側端面に設けられた円筒状の凸部の内部に挿入されている。   In the wafer support unit 125d, as shown in FIGS. 19A and 19B, a support block 190 is provided at a position opposite to the air cylinder 168 across the motion conversion portion 164 on the upper surface of the flat plate member 62. It is fixed. Between the support block 190 and the slide member 166, the compression coil spring (compression spring) 192 which makes an expansion-contraction direction the Y-axis direction is arrange | positioned. One end of the compression spring 192 is connected to the surface on the −Y side of the support block 190, and the other end is inserted into a cylindrical convex portion provided on the + Y side end surface of the slide member 166.

ウエハ支持ユニット125dでは、ソレノイドバルブ201がオン状態に設定され、コンプレッサ202が作動すると、コンプレッサ202から空気供給用のチューブ、ソレノイドバルブ201及びチューブ180を介してエアシリンダ168のシリンダ部の内部に加圧空気が供給され、シリンダ部内の圧力が上昇するとスライド部材166が圧縮ばね192の付勢力に抗して、+Y方向に駆動される。シリンダ部内に加圧空気が供給され続け、その圧力が上昇する間は、スライド部材166は、+Y方向に駆動されるが、運動変換部164の筐体164aの内部に設けられたストッパ部材(不図示)にスライド部材166が当接する第1の移動限界位置で停止する。その後、加圧空気が供給される間は、スライド部材166はその第1の移動限界位置に位置決めされた状態が維持される。図19(A)には、上記の第1の移動限界位置にスライド部材166が位置決めされた状態が示されている。この図19(A)の状態では、保持ユニット72は、ウエハ支持部74bとウエハWとが離間した前述の離間位置にある。   In the wafer support unit 125d, when the solenoid valve 201 is set to the on state and the compressor 202 is operated, the compressor 202 is added to the inside of the cylinder portion of the air cylinder 168 via the air supply tube, the solenoid valve 201, and the tube 180. When pressurized air is supplied and the pressure in the cylinder portion increases, the slide member 166 is driven in the + Y direction against the urging force of the compression spring 192. While the pressurized air continues to be supplied into the cylinder portion and the pressure rises, the slide member 166 is driven in the + Y direction, but a stopper member (not fixed) provided inside the housing 164a of the motion conversion portion 164 is used. It stops at the first movement limit position where the slide member 166 contacts (shown). After that, while the pressurized air is supplied, the slide member 166 is maintained in the state of being positioned at the first movement limit position. FIG. 19A shows a state in which the slide member 166 is positioned at the first movement limit position. In the state shown in FIG. 19A, the holding unit 72 is in the above-described separation position where the wafer support portion 74b and the wafer W are separated from each other.

一方、ウエハ支持ユニット125dでは、スライド部材166が、第1の移動限界位置に位置決めされた状態にあるとき、ソレノイドバルブ201がオン状態からオフ状態に切り換えられ、コンプレッサ202が停止されると、コンプレッサ202からのシリンダ部への加圧空気の供給が停止されるとともに、エアシリンダ168のシリンダ部の内部空間とソレノイドバルブ201の外部空間とが大気開放口を介して連通される。これにより、図19(A)中に白抜き矢印で示されるように、スライド部材166及びエアシリンダ168のピストン部が、圧縮ばね192の弾性力により−Y側に押圧され、シリンダ部内部の空気がソレノイドバルブ201の大気開放口から外部に排出される。スライド部材166は、運動変換部164の筐体164aの内部に設けられたストッパ部材(不図示)にスライド部材166が当接する第2の移動限界位置で停止する。スライド部材166及びエアシリンダ168のピストン部の−Y側への移動により、保持ユニット72は、図19(A)に示される、前述の離間位置から軸部73、73を回転軸として図19(A)中の黒矢印で示されるように紙面内時計回りに90度回転し、図19(B)に示される、ウエハWを保持部74のウエハ支持部74bが支持する位置(すなわち、前述の支持位置)に位置決めされる。すなわち、スライド部材166の第2の移動限界位置は、保持ユニット72の支持位置に対応する。 On the other hand, in the wafer support unit 125d, when the slide member 166 is positioned at the first movement limit position, the solenoid valve 201 is switched from the on state to the off state, and the compressor 202 is stopped. The supply of pressurized air from 202 to the cylinder part is stopped, and the internal space of the cylinder part of the air cylinder 168 and the external space of the solenoid valve 201 are communicated with each other through the atmosphere opening port. As a result, as indicated by the white arrow in FIG. 19A, the slide member 166 and the piston portion of the air cylinder 168 are pressed to the −Y side by the elastic force of the compression spring 192, and the air inside the cylinder portion is Is discharged to the outside from the air opening of the solenoid valve 201. The slide member 166 stops at a second movement limit position where the slide member 166 abuts against a stopper member (not shown) provided inside the housing 164a of the motion conversion unit 164. By movement in the -Y side of the piston portion of the slide member 166 and the air cylinder 168, the holding unit 72, FIG illustrated in FIG. 19 (A), the shaft portion 73 1, 73 2 from the spaced position of the above as a rotary shaft As shown by a black arrow in FIG. 19A, the wafer rotates 90 degrees clockwise in the drawing, and the wafer W shown in FIG. It is positioned at the aforementioned support position. That is, the second movement limit position of the slide member 166 corresponds to the support position of the holding unit 72.

このように、ウエハ支持ユニット125dでは、エアシリンダ168、運動変換部164、及び圧縮ばね192によって、保持ユニット72が、図19(A)に示される離間位置と、図19(B)に示される支持位置との間で、回転駆動される。   As described above, in the wafer support unit 125d, the holding unit 72 is shown in FIG. 19A by the air cylinder 168, the motion conversion unit 164, and the compression spring 192, and in FIG. 19B. It is rotationally driven between the support positions.

さらに、ウエハ支持ユニット125dでは、図20に示されるように、軸受部材66、66には、ヒータ300が設けられている。軸受部材66と軸部73との間、及び軸受部材66と軸部73との間には、それぞれ静圧空気軸受(エアベアリング)が形成されるため、気体供給装置102及び気体供給装置106からそれぞれ供給され、多孔質部材82、85から軸部73、73に向かってそれぞれ噴き出された圧縮空気が、断熱膨張することで軸部73、73及び軸部73、73に接続された保持部74(すなわち保持ユニット72)の温度を低下させる場合がある。本実施形態では、ヒータ300によって、軸部73、73をそれぞれ加熱することで温度を調節し、保持部74の温度が、例えば、所定の許容値を超えて低下するのを防止することができる。なお、保持部74の温度を調整する機構は、ヒータに限定されるものではない。また、本実施形態では保持部74の温度低下に対してヒータで加熱するように構成したが、保持部74の温度が上昇してしまう場合には、ペルチェ素子などの冷却装置で保持部を冷却するようにしてもよい。 Further, in the wafer support unit 125d, as shown in FIG. 20, the bearing members 66 1 and 66 2 are provided with heaters 300. Since between the bearing member 66 1 and the shaft portion 73 1, and between the bearing member 66 2 and the shaft portion 73 2, respectively hydrostatic air bearings (air bearings) are formed, the gas supply device 102 and the gas The compressed air supplied from the supply device 106 and ejected from the porous members 82 and 85 toward the shaft portions 73 1 and 73 2 , respectively, adiabatically expands and thereby the shaft portions 73 1 and 73 2 and the shaft portion 73. 1, in some cases 73 to lower the temperature of the 2 connected to the holding portion 74 (that is, the holding unit 72). In the present embodiment, the temperature is adjusted by heating the shaft portions 73 1 and 73 2 with the heater 300, and the temperature of the holding portion 74 is prevented from decreasing beyond a predetermined allowable value, for example. Can do. Note that the mechanism for adjusting the temperature of the holding portion 74 is not limited to the heater. In the present embodiment, the heater is heated to reduce the temperature of the holding unit 74. However, when the temperature of the holding unit 74 rises, the holding unit is cooled by a cooling device such as a Peltier element. You may make it do.

なお、ウエハ支持ユニット125dでは、保持ユニット72の回転駆動部を、上述のようにして構成した関係から、前述したウエハ支持ユニット125とは異なり、磁石61及び磁性体76は、設けられていない。   In the wafer support unit 125d, the magnet 61 and the magnetic body 76 are not provided, unlike the wafer support unit 125 described above, because the rotational drive unit of the holding unit 72 is configured as described above.

なお、ウエハ支持ユニット125dのその他の構成は、ウエハ支持ユニット125と同様になっている。   The other configuration of the wafer support unit 125d is the same as that of the wafer support unit 125.

上述したコンプレッサ202の作動及び停止、並びに3つのソレノイドバルブ201のオン状態とオフ状態との切り換え設定は、主制御装置50によって行われる(図21参照)。   The above-described operation and stop of the compressor 202 and switching setting of the three solenoid valves 201 between the on state and the off state are performed by the main controller 50 (see FIG. 21).

このようにして構成された本第4の実施形態に係る露光装置では、前述した第1の実施形態と同等の効果を得ることができる他、3つのウエハ支持ユニット125dでは、エアシリンダ168が力を発生しない状態でウエハの支持状態を維持することができる。また、保持ユニット72の温度が許容値を超えて低下するのを防止することができる。   In the exposure apparatus according to the fourth embodiment configured as described above, an effect equivalent to that of the first embodiment described above can be obtained. In addition, in the three wafer support units 125d, the air cylinder 168 has a force. The wafer support state can be maintained in a state in which no occurs. In addition, it is possible to prevent the temperature of the holding unit 72 from falling beyond an allowable value.

なお、構成が相互に矛盾しない限りにおいて、上で説明した第1、第2、第3及び第4の各実施形態、第2実施形態の変形例(以下、上記各実施形態という)を任意に組み合わせて採用しても良い。   The first, second, third, and fourth embodiments described above and modifications of the second embodiment (hereinafter referred to as the above-described embodiments) are arbitrarily selected as long as the configurations do not contradict each other. You may employ in combination.

また、上記各実施形態では、ウエハ支持部74bに反射鏡79を設けたが、これに限らず、導光板を設けても良い。この場合、落射照明方式の計測系123に替えて、例えば水平面に平行な方向に測定光を照射する計測系を採用することができる。また、ウエハ支持部74bは、真空吸着に限らず、静電吸着によってウエハを保持しても良いし、摩擦力を利用してウエハを保持しても良い。   In each of the above embodiments, the reflecting mirror 79 is provided on the wafer support 74b. However, the present invention is not limited to this, and a light guide plate may be provided. In this case, instead of the epi-illumination measurement system 123, for example, a measurement system that irradiates measurement light in a direction parallel to a horizontal plane can be employed. Further, the wafer support 74b is not limited to vacuum chucking, and may hold the wafer by electrostatic chucking or may hold the wafer using frictional force.

また、上記各実施形態では、露光装置が、液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプの露光装置である場合について説明したが、これに限らず、光学系と液体とを介してウエハの露光を行う液浸型の露光装置に上記各実施形態を適用しても勿論良い。   In each of the above embodiments, the case where the exposure apparatus is a dry type exposure apparatus that exposes the wafer W without using liquid (water) is described. However, the present invention is not limited thereto, and the optical system and the liquid are used. Of course, the above-described embodiments may be applied to an immersion type exposure apparatus that exposes a wafer via the above.

また、上記各実施形態では、投影光学系の近傍にアライメント検出系ALG及び多点AF系が設けられる場合について説明したが、これに限らず、例えば投影光学系が設けられる露光ステーションとアライメント検出系ALG及び多点AF系が設けられる計測ステーションとを離間させて、計測ステーション内又はその近傍に上記各実施形態に係る搬入ユニットを設けても良い。この場合、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示されるように、ウエハステージの他に、各種計測部材が設けられた計測ステージを備え、ウエハステージと計測ステージとの間で液浸領域の受け渡しを行うことしても良い。この場合において、計測ステージに代えて、ウエハステージをもう1つ設けても良い。このようにすると、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光処理と、他方のウエハステージを用いたアライメント計測等の所定の計測処理との並行処理が可能となる。ウエハステージと計測ステージ、又は2つのウエハステージを備える露光装置は、ドライタイプの露光装置であっても良い。   In each of the above embodiments, the case where the alignment detection system ALG and the multipoint AF system are provided in the vicinity of the projection optical system has been described. However, the present invention is not limited to this, and for example, the exposure station provided with the projection optical system and the alignment detection system The carry-in unit according to each of the above embodiments may be provided in or near the measurement station where the ALG and the multipoint AF system are provided. In this case, as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2008/0088843, a measurement stage provided with various measurement members in addition to the wafer stage is provided, and between the wafer stage and the measurement stage. The immersion area may be transferred. In this case, another wafer stage may be provided instead of the measurement stage. In this way, it is possible to perform parallel processing of exposure processing on a wafer on one wafer stage and predetermined measurement processing such as alignment measurement using the other wafer stage. The exposure apparatus including a wafer stage and a measurement stage or two wafer stages may be a dry type exposure apparatus.

なお、上記各実施形態では、露光装置が、スキャニング・ステッパである場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置にも上記各実施形態は適用することができる。   In each of the above embodiments, the case where the exposure apparatus is a scanning stepper has been described. However, the present invention is not limited to this, and the above embodiment may be applied to a stationary exposure apparatus such as a stepper. Each of the above embodiments can also be applied to a step-and-stitch reduction projection exposure apparatus that synthesizes a shot area and a shot area.

また、上記各実施形態の投影露光装置の投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系は屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、この投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。   In addition, the projection optical system of the projection exposure apparatus of each of the above embodiments may be not only a reduction system but also an equal magnification and an enlargement system, and the projection optical system is not only a refraction system but also a reflection system or a catadioptric system. The projected image may be either an inverted image or an erect image.

また、照明光ILは、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)に限らず、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。 The illumination light IL is not limited to ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), but may be ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) or vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (wavelength 157 nm). good. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610, single-wavelength laser light in the infrared region or visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser is used as vacuum ultraviolet light, for example, erbium. A harmonic which is amplified by a fiber amplifier doped with (or both erbium and ytterbium) and wavelength-converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.

また、上記各実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を用いるEUV露光装置にも上記実施形態を適用することができる。その他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記各実施形態は適用できる。   In each of the above embodiments, the illumination light IL of the exposure apparatus is not limited to light with a wavelength of 100 nm or more, and it is needless to say that light with a wavelength of less than 100 nm may be used. For example, the above embodiment can be applied to an EUV exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light in a soft X-ray region (for example, a wavelength region of 5 to 15 nm). In addition, the above embodiments can also be applied to an exposure apparatus that uses charged particle beams such as an electron beam or an ion beam.

また、上記各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。   In each of the above embodiments, a light transmissive mask (reticle) in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate is used. Instead of this reticle, For example, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257, an electronic mask (variable shaping mask, which forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed, as disclosed in US Pat. No. 6,778,257. For example, a non-light emitting image display element (spatial light modulator) including a DMD (Digital Micro-mirror Device) may be used.

また、例えば国際公開第2001/035168号に開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも上記各実施形態を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that forms a line-and-space pattern on a wafer W by forming interference fringes on the wafer W. Also, the above embodiments can be applied.

さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記各実施形態を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two reticle patterns are synthesized on a wafer via a projection optical system, and 1 on the wafer by one scan exposure. The above embodiments can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of two shot areas almost simultaneously.

なお、上記各実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。   Note that the object on which a pattern is to be formed (the object to be exposed to the energy beam) in each of the above embodiments is not limited to the wafer, but other objects such as a glass plate, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. But it ’s okay.

露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記各実施形態を適用できる。   The use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing, but for example, an exposure apparatus for liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, an organic EL, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD, etc.), micromachines, DNA chips and the like can also be widely applied to exposure apparatuses. Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. The embodiments described above can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.

半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した各実施形態に係る露光装置(パターン形成装置)及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記各実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。   An electronic device such as a semiconductor element includes a step of designing a function / performance of a device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and an exposure apparatus (pattern) according to each of the above-described embodiments. Forming apparatus) and a lithography step for transferring a mask (reticle) pattern to the wafer by the exposure method, a developing step for developing the exposed wafer, and etching for removing exposed members other than the portions where the resist remains by etching. It is manufactured through a step, a resist removal step that removes a resist that has become unnecessary after etching, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process), an inspection step, and the like. In this case, in the lithography step, the exposure method described above is executed using the exposure apparatus of each of the above embodiments, and a device pattern is formed on the wafer. Therefore, a highly integrated device can be manufactured with high productivity. .

以上説明したように、本発明の保持装置及び物体支持装置は、板状の物体を移動体上にロードする前に一時的に支持するのに適している。また、本発明の露光装置は、板状の物体をエネルギビームで露光するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスを製造するのに適している。   As described above, the holding device and the object support device of the present invention are suitable for temporarily supporting a plate-shaped object before loading it on a moving body. The exposure apparatus of the present invention is suitable for exposing a plate-like object with an energy beam. The device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing a micro device.

20…主制御装置、21…軸部材、27…回転部、32…エアシリンダ、35…砥石、36…圧縮ばね、61…磁石、66、66…軸受部材、68…回転モータ、72…保持ユニット、73、73…軸部、78…吸着部、74…保持部、81…管路、81…管路、81…管路、84…管路、91、92、93…管路、100…露光装置、101…アブソリュートエンコーダ、102…気体供給装置、104…真空ポンプ、106…気体供給装置、125…ウエハ支持ユニット、76…磁性体、121…搬入ユニット、IL…照明光、W…ウエハ、WST…ウエハステージ。 20 ... main control unit, 21 ... shaft member, 27 ... rotary unit, 32 ... air cylinder, 35 ... grinding wheel, 36 ... compression spring, 61 ... magnet, 66 1, 66 2 ... bearing member, 68 ... rotary motor, 72 ... Holding unit, 73 1 , 73 2 ... Shaft portion, 78... Adsorbing portion, 74... Holding portion, 81 1 .. Pipe line, 81 2 ... Pipe line, 81 3 ... Pipe line, 84. DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Pipe line, 100 ... Exposure apparatus, 101 ... Absolute encoder, 102 ... Gas supply apparatus, 104 ... Vacuum pump, 106 ... Gas supply apparatus, 125 ... Wafer support unit, 76 ... Magnetic body, 121 ... Loading unit, IL ... Illumination Light, W ... wafer, WST ... wafer stage.

Claims (15)

板状の物体を下方から保持する保持装置であって、
軸受部材と、
一軸方向に延びる軸部と、該軸部に設けられ、吸着部が形成された保持部とを含み、前記吸着部を含む前記保持部の一部が前記物体に下方から接触する第1位置と、前記保持部が前記物体から離間する第2位置とを含む所定の角度範囲内で回転可能となるように、前記軸部を介して前記軸受部材によって支持された保持ユニットと、
前記保持ユニットの前記軸部に接続され、前記第1位置と前記第2位置との間で前記保持ユニットを前記一軸回りに回転駆動する駆動装置と、
を備える保持装置。
A holding device for holding a plate-like object from below,
A bearing member;
A first position including a shaft portion extending in one axial direction and a holding portion provided on the shaft portion and having a suction portion formed thereon, wherein a part of the holding portion including the suction portion comes into contact with the object from below; A holding unit supported by the bearing member via the shaft so that the holding portion can rotate within a predetermined angular range including a second position separated from the object;
A driving device that is connected to the shaft portion of the holding unit and that rotates the holding unit around the one axis between the first position and the second position;
A holding device.
前記軸部は、前記保持が行われた状態にある前記物体の厚さ方向に沿った第1の方向と交差する第2の方向に沿って延びている請求項1に記載の保持装置。   2. The holding device according to claim 1, wherein the shaft portion extends in a second direction intersecting a first direction along a thickness direction of the object in the state where the holding is performed. 前記保持ユニットは、前記保持ユニットが前記第1位置にあるときには前記吸着部に設けられた開口と連通し、前記保持ユニットが前記第2位置にあるときには前記開口と連通しない、負圧空間が形成される請求項2に記載の保持装置。   The holding unit communicates with an opening provided in the suction portion when the holding unit is in the first position, and forms a negative pressure space that does not communicate with the opening when the holding unit is in the second position. The holding device according to claim 2. 前記開口は、前記軸部に形成され、前記保持ユニットが前記第1位置にあるときに前記軸受部材を介して真空排気装置に接続される管路に導通している請求項3に記載の保持装置。   The said opening is formed in the said axial part, The holding | maintenance of Claim 3 electrically connected to the pipe line connected to an evacuation apparatus via the said bearing member when the said holding unit exists in the said 1st position. apparatus. 前記軸受部材には、一端が前記軸部に対向して開口し、他端が加圧気体供給装置に接続された気体供給管路が設けられている請求項1〜4のいずれか一項に記載の保持装置。   5. The gas supply pipe according to claim 1, wherein the bearing member is provided with a gas supply pipe having one end opened to face the shaft portion and the other end connected to a pressurized gas supply device. The holding device as described. 前記保持ユニットの温度を調整する調整機構をさらに備える請求項5に記載の保持装置。   The holding device according to claim 5, further comprising an adjustment mechanism for adjusting a temperature of the holding unit. 前記保持部の回転状態を計測する計測系と、
前記計測系の計測結果を用いて前記駆動装置を制御する制御装置と、をさらに備える請求項1〜6のいずれか一項に記載の保持装置。
A measurement system for measuring the rotation state of the holding unit;
The holding device according to any one of claims 1 to 6, further comprising a control device that controls the driving device using a measurement result of the measurement system.
板状の物体を下方から支持する物体支持装置であって、
前記物体の外周部の異なる位置にそれぞれ対応して設けられた、請求項1〜6のいずれか一項に記載の保持装置を複数備え、該複数の保持装置の前記保持ユニットがともに前記第1位置にあるとき、前記物体が前記複数の保持装置によって下方から接触支持される物体支持装置。
An object support device for supporting a plate-like object from below,
A plurality of holding devices according to any one of claims 1 to 6 are provided corresponding to different positions of the outer peripheral portion of the object, and both of the holding units of the plurality of holding devices are the first. An object support device in which the object is contact-supported from below by the plurality of holding devices when in position.
前記複数の保持装置のそれぞれは、前記保持ユニットが前記第2位置に位置した際に、前記吸着部と接触しつつ前記一軸方向に移動可能な清掃部材と、該清掃部材を前記一軸方向に駆動する清掃部材駆動装置とを更に備える請求項8に記載の物体支持装置。   Each of the plurality of holding devices includes a cleaning member that is movable in the uniaxial direction while being in contact with the suction portion when the holding unit is located at the second position, and driving the cleaning member in the uniaxial direction. The object support device according to claim 8, further comprising a cleaning member driving device. 前記複数の保持装置のそれぞれは、前記一軸方向に所定ストロークで駆動可能な固定部材と、前記固定部材を前記一軸方向の一側に付勢する付勢部材と、前記保持部から離間した位置まで前記付勢部材の付勢力に抗して前記一軸方向の他側に前記固定部材を駆動する固定部材駆動装置とを更に備え、
前記保持ユニットが前記第1位置に位置した際に、前記固定部材駆動装置への用力の供給が停止すると、前記固定部材が前記保持部から離間した位置から前記保持部に当接する位置まで前記付勢部材の付勢力によって駆動される請求項8に記載の物体支持装置。
Each of the plurality of holding devices includes a fixing member that can be driven in a predetermined stroke in the uniaxial direction, an urging member that urges the fixing member to one side in the uniaxial direction, and a position that is separated from the holding portion. A fixing member driving device that drives the fixing member to the other side in the uniaxial direction against the urging force of the urging member;
When the supply of utility force to the fixing member driving device stops when the holding unit is located at the first position, the attachment unit moves from a position away from the holding portion to a position where the fixing member contacts the holding portion. The object support device according to claim 8, which is driven by the urging force of the urging member.
前記複数の保持装置のそれぞれが備える前記保持ユニットが前記第2位置に位置した際に、前記固定部材駆動装置への用力の供給が停止すると、前記固定部材が前記保持部の前記一軸方向の他側に位置する位置から前記吸着部を通り越す位置まで前記一軸方向の一側に前記付勢部材の付勢力によって駆動される請求項10に記載の物体支持装置。   When the holding unit included in each of the plurality of holding devices is located at the second position, when the supply of the working force to the fixing member driving device stops, the fixing member moves in the other direction of the holding portion in the uniaxial direction. The object support device according to claim 10, wherein the object support device is driven by an urging force of the urging member on one side in the uniaxial direction from a position positioned on the side to a position passing through the suction portion. 前記固定部材は、清掃部材から成り、該清掃部材は、前記保持部の前記一軸方向の他側に位置する位置から前記吸着部を通り越す位置まで前記一軸方向の一側に前記付勢部材の付勢力によって駆動される請求項11に記載の物体支持装置。   The fixing member includes a cleaning member, and the cleaning member attaches the biasing member to one side in the uniaxial direction from a position located on the other side in the uniaxial direction of the holding portion to a position passing through the suction portion. The object support device according to claim 11, which is driven by a force. 前記複数の保持装置のそれぞれに対応して設けられ、前記各保持ユニットの回転軸と平行な他の軸回りに回転可能な回転部を更に備え、
前記各保持ユニットは、前記軸受部材を介して対応する前記回転部に支持されている請求項8に記載の物体支持装置。
A rotation unit provided corresponding to each of the plurality of holding devices, and further rotatable around another axis parallel to the rotation axis of each holding unit;
The object holding device according to claim 8, wherein each holding unit is supported by the corresponding rotating portion via the bearing member.
板状の物体をエネルギビームで露光する露光装置であって、
前記物体を下方から支持する請求項8〜13のいずれか一項に記載の物体支持装置と、
所定平面に沿って移動可能でその上面に前記物体が載置される物体載置面が設けられた移動体と、を備え、
露光前の前記物体が、前記物体載置面上に載置されるのに先立って、前記物体支持装置で支持される露光装置。
An exposure apparatus that exposes a plate-like object with an energy beam,
The object support device according to any one of claims 8 to 13, which supports the object from below.
A movable body that is movable along a predetermined plane and provided with an object placement surface on which the object is placed;
An exposure apparatus that is supported by the object support device before the object before exposure is placed on the object placement surface.
請求項14に記載の露光装置を用いて物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing an object using the exposure apparatus of claim 14;
Developing the exposed object.
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