JP2016122751A - 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022065144A1 (ja) * 2020-09-28 2022-03-31 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
CN114527718A (zh) * 2022-02-25 2022-05-24 江苏鑫亿鼎石英科技股份有限公司 一种石英砂数据化智能生产控制系统

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257824A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Hoya Corp 露光用反射型マスクブランク、その製造方法及び露光用反射型マスク
JP2009523311A (ja) * 2006-01-12 2009-06-18 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP2009212220A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Toshiba Corp 反射型マスク及びその作製方法
WO2010026998A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2011044520A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクおよびその製造方法
JP2011129843A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Toshiba Corp 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、反射型露光用マスクの検査方法、及び反射型露光用マスクの洗浄方法
JP2012209398A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Toppan Printing Co Ltd 反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法
JP2013084886A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Toppan Printing Co Ltd 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法
WO2014021235A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2015141972A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖマスクおよびｅｕｖマスクの製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003257824A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Hoya Corp 露光用反射型マスクブランク、その製造方法及び露光用反射型マスク
JP2009523311A (ja) * 2006-01-12 2009-06-18 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP2009212220A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Toshiba Corp 反射型マスク及びその作製方法
WO2010026998A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2011044520A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクおよびその製造方法
JP2011129843A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Toshiba Corp 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、反射型露光用マスクの検査方法、及び反射型露光用マスクの洗浄方法
JP2012209398A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Toppan Printing Co Ltd 反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法
JP2013084886A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Toppan Printing Co Ltd 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法
WO2014021235A1 (ja) * 2012-07-31 2014-02-06 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2015141972A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 凸版印刷株式会社 Ｅｕｖマスクおよびｅｕｖマスクの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022065144A1 (ja) * 2020-09-28 2022-03-31 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JPWO2022065144A1 (https=) * 2020-09-28 2022-03-31
KR20230073195A (ko) 2020-09-28 2023-05-25 호야 가부시키가이샤 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7793527B2 (ja) 2020-09-28 2026-01-05 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
CN114527718A (zh) * 2022-02-25 2022-05-24 江苏鑫亿鼎石英科技股份有限公司 一种石英砂数据化智能生产控制系统
CN114527718B (zh) * 2022-02-25 2024-01-09 江苏鑫亿鼎石英科技股份有限公司 一种石英砂数据化智能生产控制系统

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