JP2016111400A - 高周波電力増幅装置及び無線通信装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施の形態について詳細に説明する前に、まず本発明の実施の形態の背景について説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る高周波電力増幅器100の回路構成例を示す説明図である。
以上説明したように本発明の一実施形態によれば、所定の位置のTSVのトップ面を、集積回路のメタルで接続した高周波電力増幅器100が提供される。上記実施形態では、所定の位置は、送信信号入力端子101に最も近い点、初段のトランジスタのエミッタ端子側の点、初段のトランジスタと2段目のトランジスタとの間に設けられる整合回路におけるインダクタの低電位側の点、および2段目のトランジスタのエミッタ端子側の点である。
101 :送信信号入力端子
102 :送信信号出力端子
110 :メタル
1000 :無線通信装置
1010 :シンセサイザ
1020 :変調回路
1030 :高周波増幅器
1040 :フィルタ
1050 :アイソレータ
1060 :送信受信切り替えスイッチ
1070 :高周波増幅器
1080 :フィルタ
1090 :復調回路
1100 :アンテナ
Claims (4)
- トランジスタを用いた増幅器を複数個直列に接続した高周波電力増幅装置であって、
前記高周波電力増幅装置で増幅される送信信号の入力端子に最も近い第1所定位置、初段の前記増幅器に用いられるトランジスタのエミッタ端子側の第2所定位置、初段の前記増幅器と2段目の前記増幅器との間に設けられる整合回路における第3所定位置、および2段目の前記増幅器に用いられるトランジスタのエミッタ端子側の第4所定位置のシリコン貫通電極のトップ面を集積回路の金属で接続したことを特徴とする、高周波電力増幅装置。 - 前記トランジスタは、シリコンゲルマニウムベースのプロセスで製造されたヘテロ接合バイポーラトランジスタであることを特徴とする、請求項1に記載の高周波電力増幅装置。
- 前記送信信号の周波数は4.9GHz〜5.9GHzの範囲にあることを特徴とする、請求項1に記載の高周波電力増幅装置。
- 請求項1に記載の高周波電力増幅装置を備えることを特徴とする、無線通信装置。
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JP2014244245A JP2016111400A (ja) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | 高周波電力増幅装置及び無線通信装置 |
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JP2014244245A JP2016111400A (ja) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | 高周波電力増幅装置及び無線通信装置 |
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-
2014
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