JP2016111016A - Oledの作製方法 - Google Patents

Oledの作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016111016A
JP2016111016A JP2015235490A JP2015235490A JP2016111016A JP 2016111016 A JP2016111016 A JP 2016111016A JP 2015235490 A JP2015235490 A JP 2015235490A JP 2015235490 A JP2015235490 A JP 2015235490A JP 2016111016 A JP2016111016 A JP 2016111016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
oled
substrate carrier
layer
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015235490A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6757563B2 (ja
Inventor
ルイキン・マ
Ruiqing Ma
ジョン・フェルツ
Felts John
ジェフリー・シルバーネイル
Silvernail Jeffrey
ヂャオチュン・チョウ
Zhaoqun Zhoi
エモリー・クラール
Krall Emory
ジュリア・ジェイ・ブラウン
J Brown Julia
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universal Display Corp
Original Assignee
Universal Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universal Display Corp filed Critical Universal Display Corp
Publication of JP2016111016A publication Critical patent/JP2016111016A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6757563B2 publication Critical patent/JP6757563B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)

Abstract

【課題】フレキシブル基板上にOLEDを容易に作製する方法及びシステムを提供する。【解決手段】1つ以上のドラム420、425によって動かされている基板キャリア410上に基板材料440を注ぐことと、基板材料を硬化して基板を形成することと、少なくとも1つのOLEDを基板上に堆積することと、基板キャリアから基板を分離することと、を含むOLEDを作製する方法及びシステム400。【選択図】図4

Description

関連出願の相互参照
特許請求されている発明は、大学・企業の共同研究契約の下記の当事者:University of Michigan、Princeton University、University of Southern California、及びUniversal Display Corporationの理事らの1又は複数によって、その利益になるように、且つ/又は関連して為されたものである。該契約は、特許請求されている発明が為された日付以前に発効したものであり、特許請求されている発明は、該契約の範囲内で行われる活動の結果として為されたものである。
本発明は、可動性の基板キャリアに基板材料を注ぐことによる有機発光ダイオード等のデバイスの作製、及びこのような技術によって作製されたデバイスに関する。
有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつもの理由から、益々望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光デバイス(OLED)、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。OLEDについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。例えば、有機発光層が光を放出する波長は、概して、適切なドーパントで容易に調整され得る。
OLEDはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。OLEDは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。数種のOLED材料及び構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、特許文献1、特許文献2及び特許文献3において記述されている。
リン光性発光分子の1つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和(saturated)」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。色は、当技術分野において周知のCIE座標を使用して測定することができる。
緑色発光分子の一例は、下記の構造:
を有する、Ir(ppy)と表示されるトリス(2−フェニル)イリジウムである。
この図面及び本明細書における後出の図面中で、本発明者らは、窒素から金属(ここではIr)への配位結合を直線として描写する。
本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び小分子有機材料を含む。「小分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「小分子」は実際にはかなり大型であってよい。小分子は、いくつかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「小分子」クラスから分子を排除しない。小分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。小分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又はリン光性小分子発光体であってよい。デンドリマーは「小分子」であってよく、OLEDの分野において現在使用されているデンドリマーはすべて小分子であると考えられている。
本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第一層が第二層「の上に配置されている」と記述される場合、第一層のほうが基板から遠くに配置されている。第一層が第二層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第一層と第二層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。
本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送することができ、且つ/又は該媒質から堆積することができるという意味である。
配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」(HOMO)又は「最低空分子軌道」(LUMO)エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のHOMO又はLUMOエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル(IP)は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いHOMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するIP(あまり負でないIP)に相当する。同様に、より高いLUMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力(EA)(あまり負でないEA)に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のLUMOエネルギー準位は、同じ材料のHOMOエネルギー準位よりも高い。「より高い」HOMO又はLUMOエネルギー準位は、「より低い」HOMO又はLUMOエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第一の仕事関数は第二の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、HOMO及びLUMOエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。
OLEDについての更なる詳細及び上述した定義は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる特許文献4において見ることができる。
実施形態によれば、OLEDを作製する方法は、基板材料を基板キャリア上に注ぐことと、前記基板材料を硬化して基板を形成することと、少なくとも1つのOLEDを前記基板上に堆積することと、前記基板キャリアから前記基板を分離することと、を含み、前記基板キャリアは、1つ以上のドラムによって回転される。
前記基板材料は、前記基板キャリア上に連続的に注がれることができる。
前記基板材料は、前記基板キャリア上に幾つかの部分に分けて注がれることができる。
前記方法は、前記基板キャリアの表面を洗浄することを更に含むことができる。
前記方法は、前記基板キャリアから前記基板の分離を容易にするために、前記基板キャリアの表面に離型剤を堆積することを更に含むことができる。
前記基板材料は、液体であることができる。
前記基板材料は、例えば、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、ドクターブレードコーティング、押出コーティング、又はインクジェットプリンティング等を用いて注ぐことができる。
前記基板は、例えば、温度焼成、紫外線(UV)硬化、又はこれらの組合せを用いて硬化することができる。
前記方法は、前記基板材料上に前記OLEDを堆積する前に、前記基板上に基板バリアを堆積することを更に含むことができる。
前記基板バリアは、例えば、フラッシュ蒸着、スパッタリング、PECVD、インクジェットプリンティング、又はALDを用いて堆積することができる。
前記基板バリアは、金属、酸化物、有機材料、窒化物、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物、有機材料と無機材料との混合物、及び複合材料等の材料であることができる。
前記方法は、前記OLEDの上にカバーフィルムを堆積することを更に含むことができる。
前記基板キャリアは、金属、ガラス、ポリマー、又は複合材料等の材料であることができる。
前記基板キャリアは、前記基板の表面を成型し前記基板上に表面要素(surface features)を形成する表面要素を含むことができる。
前記表面要素は、前記基板キャリアに直接形成することができる。
前記表面要素は、前記基板キャリアに適用される別の材料で形成されることができる。
成型された表面要素としては、例えば、マイクロレンズ、マイクロプリズム、溝、エアロゲル等の突起形状等を含む、複数の要素を挙げることができる。
OLEDを堆積することは、前記基板バリア上に第1の電極層を堆積することと、前記第1の電極層上に1つ以上のOLED層を堆積することと、前記1つ以上のOLED層上に第2の電極層を堆積することと、を含むことができる。
前記方法は、前記第2の電極層上に薄膜封止層を堆積することを更に含むことができる。
前記第1の電極は、透明導電性酸化物からなることができる。
前記方法は、前記透明導電性酸化物を堆積している間、前記第1の電極層をパターニングすることを更に含むことができる。
前記1つ以上のOLED層は、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び電子注入層を含むことができる。
前記1つ以上のOLED層は、例えば、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び電子注入層等の1つ以上の層を含むことができる。
前記方法は、前記基板キャリアから前記基板及び前記OLEDを分離することを更に含むことができる。
前記方法は、前記基板を前記基板キャリアから分離した後、前記OLEDが堆積される前記基板材料の表面とは反対の前記基板の表面に、材料の1つ以上の層を堆積することを更に含むことができる。
前記基板材料は、前記基板材料が前記基板キャリアから分離されるまで、前記基板キャリアに接して残ることができ、前記基板キャリアは前記ドラムの少なくとも1つと熱的に接触していることができる。
前記方法は、前記基板キャリアに熱的に接触している前記1つ以上のドラムを冷却することを更に含むことができる。
前記方法は、前記基板上に複数のOLEDを堆積することと、前記複数のOLEDを互いに分離することとを更に含むことができる。
前記OLEDを互いに分離する工程は、前記基板キャリアから前記複数のOLEDを分離した後行われることができる。
前記基板は、透明であることができる。
前記基板は、可撓性であることができる。
前記基板は、少なくとも1.6の屈折率を有することができる。
前記基板は、200℃超のガラス転移温度を有することができる。
前記基板キャリアの表面は、連続的であることができる。
実施形態によれば,OLEDを作製するシステムは、基板キャリアと、前記基板キャリア上に基板材料を注ぐ注ぎ装置と、前記基板材料を硬化して基板を形成する硬化装置と、前記基板上にOLEDを堆積する堆積装置と、前記基板キャリアと物理的に連通し、前記注ぎ装置、前記硬化装置、及び前記堆積装置のそれぞれを通り、前記基板キャリアを動かすように構成された1つ以上の回転可能なドラムとを含む。
前記注ぎ装置は、前記基板キャリア上に前記基板材料を連続的に注ぐことができる。
前記注ぎ装置は、前記基板キャリア上に、前記基板材料を幾つかの部分に分けて注ぐことができる。
前記システムは、前記基板キャリアを洗浄する洗浄装置を含むことができる。
前記システムは、カバーフィルムを前記OLED上に適用する積層装置を含むことができる。
前記システムは、前記基板キャリアから堆積されたOLEDを有する前記基板を巻き取るための巻取りドラムを含むことができる。
前記1つ以上の回転可能なドラムは、前記基板キャリアとして機能する第1の表面を有する単一の回転可能なドラムを含むことができる。
前記注ぎ装置、前記硬化装置、及び前記堆積装置は、前記単一の回転可能なドラムの周りに配置されることができる。
前記注ぎ装置、前記硬化装置、及び前記堆積装置は、前記基板キャリアの下に位置することができる。
前記注ぎ装置は、例えば、インクジェットプリンティング装置であることができる。
前記基板キャリアは、前記基板の表面を成型し前記基板上に表面要素を形成する表面要素を含むことができる。
成型された表面要素は、例えば、マイクロレンズ、マイクロプリズム、溝、又は突起の他の形状等の複数の要素を含むことができる。
前記システムは、前記基板が前記基板キャリアから分離された後、前記OLEDが堆積された表面とは反対の基板の表面に、1つ以上の材料層を堆積する第2の注ぎ装置を含むことができる。
前記1つ以上の材料層は、例えば、バリア層、光学層、又はラミネート層のいずれでもあることができる。
前記システムは、前記1つ以上のドラムを冷却する冷却ユニットを更に含むことができる。
実施形態によれば、OLEDを作製するシステムは、回転可能なドラムと、前記回転可能なドラム上に基板材料を注ぐ注ぎ装置と、注がれた基板材料を硬化して基板を形成する硬化装置と、前記基板上にOLEDを堆積する堆積装置と、を含む。
前記回転可能なドラムの表面は、前記基板材料の表面を成型し、前期基板材料上に表面要素を形成する表面要素を含むことができる。
成型された表面要素は、例えば、マイクロレンズ、マイクロプリズム、溝、又は突起の他の形状等、複数の表面要素を含むことができる。
図1は、有機発光デバイスを示す。
図2は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。
図3は、OLEDを作製するシステムのコンベアベルトタイプを示す。
図4は、本開示による基板キャリア上に基板材料をキャストすることでOLEDを作製するシステムを示す。
図5は、OLEDを作製する方法のフローチャートを示す。
図6は、本開示による基板キャリア上に基板材料をキャストすることでOLEDを作製するシステムの他の実施形態を示す。
図7は、本開示による、前記基板キャリアとして働く1つのドラムの上に基板材料をキャストするシステムの実施形態を示す。
図8は、本開示による、OLEDデバイスの光の取り出しを向上させるための表面要素を有する基板キャリアの表面を含むシステムの実施形態を示す。
図9は、本開示による、基板キャリア上の表面要素を有する単一のドラム構造を含むシステムの実施形態を示す。
概して、OLEDは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも1つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層(複数可)に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。
初期のOLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第4,769,292号において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子(「蛍光」)を使用していた。蛍光発光は、概して、10ナノ秒未満の時間枠で発生する。
ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料(「リン光」)を有するOLEDが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Baldoら、「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」、395巻、151〜154、1998;(「Baldo−I」)及びBaldoら、「Very high−efficiency green organic light emitting devices based on electrophosphorescence」、Appl.Phys.Lett.、75巻、3号、4〜6(1999)(「Baldo−II」)。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第7,279,704号5〜6段において更に詳細に記述されている。
図1は、有機発光デバイス100を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス100は、基板110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、電子ブロッキング層130、発光層135、正孔ブロッキング層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、カソード160、及びバリア層170を含み得る。カソード160は、第一の導電層162及び第二の導電層164を有する複合カソードである。デバイス100は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるUS7,279,704、6〜10段において更に詳細に記述されている。
これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板−アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5、844、363号において開示されている。p−ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、50:1のモル比でm−MTDATAにF−TCNQをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるThompsonらの米国特許第6,303,238号において開示されている。n−ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、1:1のモル比でBPhenにLiをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5,703,436号及び同第5,707,745号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したITO層を持つMg:Ag等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,097,147号及び米国特許出願公開第2003/0230980号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において見ることができる。
図2は、反転させたOLED200を示す。デバイスは、基板210、カソード215、発光層220、正孔輸送層225、及びアノード230を含む。デバイス200は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なOLED構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス200はアノード230の下に配置されたカソード215を有するため、デバイス200は「反転させた」OLEDと称されることがある。デバイス100に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス200の対応する層において使用してよい。図2は、いくつかの層が如何にしてデバイス100の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。
図1及び2において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なOLEDは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス200において、正孔輸送層225は正孔を輸送し、正孔を発光層220に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、OLEDは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図1及び2に関して記述されている通りの異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。
参照によりその全体が組み込まれるFriendらの米国特許第5,247,190号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるOLED(PLED)等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するOLEDが使用され得る。OLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第5,707,745号において記述されている通り、積み重ねられてよい。OLED構造は、図1及び2において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Forrestらの米国特許第6,091,195号において記述されている通りのメサ構造及び/又はBulovicらの米国特許第5,834,893号において記述されている通りのくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。
別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,013,982号及び同第6,087,196号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第6,337,102号において記述されているもの等の有機気相堆積(OVPD)、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,431,968号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング(OVJP)による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,294,398号及び同第6,468,819号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及びOVJD等の堆積法のいくつかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、且つ好ましくは少なくとも3個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、小分子において使用され得る。20個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、3〜20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を持つ材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける小分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。
本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の1つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び/又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第7,968,146号、PCT特許出願第PCT/US2007/023098号及び同第PCT/US2009/042829号において記述されている通りの、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を構成する前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び/又は同時に堆積されるべきである。ポリマー材料対非ポリマー材料の重量比は、95:5から5:95の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作成され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。
本発明の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール(又はユニット)に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス(離散的光源デバイス又は照明パネル等)が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び/又は電源を任意に含むことができる。本発明の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた1つ以上の電子部品モジュール(又はユニット)を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。このような消費者製品は、1つ以上の光源及び/又は1つ以上のある種の表示装置を含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ、3−Dディスプレイ、車、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、或いは看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本発明に従って製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、摂氏18度から摂氏30度、より好ましくは室温(摂氏20〜25度)等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏−40度〜+80度で用いることもできる。
フラットパネルディスプレイは、シートツーシートプロセスを用いて作製されることができ、1つ又は多数のデバイスが1枚のガラス上に作製される。それぞれのガラス基板は、異なるプロセスステーションで止まる。各ステーションで、プロセスが完了すると、ガラス基板は外へ移動し、次のガラス基板がプロセス位置に移動する。OLEDがポリマーフィルム等の可撓性のある基板上に形成されると、頑丈なガラスに基づくシートツーシートプロセスに適合するように、プロセスを発展させることができる。その1つの方法としては、接着層によってプラスチックフィルムをキャリアガラスに付着させることができる。デバイスが作製された後、前記プラスチックフィルムは、前記キャリアガラスから離されることがある。この方法は、プラスチックを固定するのに十分な粘着性があるが、粘着性がありすぎて前記プラスチック基板が離されることができないということのない接着材料を必要とする。このアプローチの主な課題の1つは、良好な熱的特性及び表面品質を有するポリマーフィルムを開発することである。別のアプローチは、シートツーシートプロセスを用いて、ポリマーフィルムを直接キャリアガラスにキャストし、キャストされたフィルム上にOLEDを形成することで、追求されている。
OLEDは、ロールツーロールプロセスを用いてポリマーフィルム上に直接作製することができる。しかしながら、ポリマーフィルムは、ロールツーロールプロセスの間、特にフィルムの位置を合わせること及び一列に並べること等の処理をすることが難しい。また、表面品質は、このアプローチにおいて、依然として難しい問題である。
可撓性のあるOLEDを作製する1つの技術として、平らではない表面を有する型の上に適用されるポリマーコーティング等の塗工材料を用いる。前記ポリマーコーティングは、OLEDが形成される基板として機能する。前記型の隣側は、マイクロレンズの突起を形成し、光の取り出しを向上させる。一定のパターンを有するマイクロレンズが多く使われる場合、これらはマイクロレンズアレイ(MLA)を形成する。前記基板の上面は、OLEDを形成するために使用されることができる。このアプローチは、シートツーシートプロセス及びコンベアベルトプロセスのいずれにおいても用いられることができる。コンベアベルトプロセスにおいては、図3に図示されるように、可撓性のある型がコンベアベルトに取り付けられている。
図3に関して、型(mold)310は、コンベアベルト300と共に移動し、前記型310がステーション320、330、340、及び350を通って移動すると、異なる材料を前記型310の上に堆積することができる。プロセスの終わりには、処理された型360がローラーの周りを曲がり、基板−型の境界面が最も弱い境界面である場合、前記処理された型360から基板及びOLEDのアセンブリが剥がれる。このような実施形態においては、対応する装置は、ベルト300と;従来のベルト駆動ユニットのいずれであってもよい前記ベルト300を動かすための機構370と;及び前記ベルト300の上に配置された可撓性のある型310と、を含むことができ、可撓性のある型310は、表面要素を有する。前記装置は、ベルトの経路に沿って下記の順:基板材料源に取り付けられるディスペンサー320;前記基板材料を処理し、基板を形成するように適合されたエネルギー源330;OLEDの成分を作製する材料を適用するソースに取り付けられる複数のディスペンサー340及び350;及び前記ベルト300の上に配置された処理された型360から、前記基板及びOLEDのアセンブリを除くように構成された機構も含むことができる。
本明細書において、可撓性のある基板上にOLEDデバイスを作製する方法及びシステムが提供される。前記基板材料は、別々のキャリア基板ではなく、連続的な表面を有する基板キャリア上にキャストされることができる。前記基板材料は、硬化されて基板を形成することができる。その後、OLEDデバイスが前記基板の上部に形成される。プロセスの終わりまでに、前記基板は、前記OLEDデバイスと共に前記基板キャリアから分離される。
図4に関して、基板キャリアシステム400が図示される。基板キャリア410は、連続して、異なるプロセスステーションに沿って移動することができる。前記基板キャリア410は、2つの回転するドラム420及び425の周りを回ることができる。前記基板キャリア410は、例えばステンレス鋼箔等、頑丈ではあるが可撓性のある材料からなる。前記ドラム420及び前記ドラム425の少なくとも1つは、例えば、張力下で、前記ステンレス鋼箔に適度な力を当てることで、前記基板キャリア410の動作を駆動することができる。追加の支持ローラー(不図示)は、前記基板キャリア410を支持するために用いられることができる。
注ぎユニット430は、前記基板キャリア410の上に基板材料440を注ぐことができる。図3に図示されるシステムと異なり、システム400においては、前記注ぎユニット430は、基板材料440を前記基板キャリア410の上に、連続した流れで直接注ぐことができる。
前記基板キャリア410によって、硬化ユニット450を通過して注がれた基板材料440が運ばれると、硬化ユニット450は、前記注がれた基板材料440を硬化する。1つ以上のOLED層堆積ユニット460は、硬化された基板材料440の上にOLED層を堆積する。例えば、処理された基板材料440が前記ドラム425に達すると、形成されたOLEDデバイスは、前記基板キャリア410から分離されることができる。前記システム400の作動例の更なる詳細は、下記に示される。
前記システム400は、本質的に、プラスチック層のロールを用いて操作を開始し、プラスチックのロールを広げ、OLED層を塗布し、処理されたプラスチックを再度丸めるように構成された従来のロールツーロールシステムとは異なる。対照的に、システムシステム400は、材料の最初のロールを用いないが、代わりに基板材料440が基板キャリア410の上に直接注がれるように構成される。前記システム400は、ロールツーロール技術に固有の幾つかの問題を防止する。
例えば、ロールツーロール方式において、最初のロール内に収められている材料は、ロール内にそれぞれ巻き重なって圧縮されることがある。表面の接触により、材料は互いに損傷を与えることがある。実際、ロールツーロールプロセスによる典型的な膜の表面品質は、作製プロセス及び処理により非常に悪くなる。更に、一般に材料を広げるときに、洗浄されなくてはならないので、更なる工程と時間を要する。加えて、材料が巻かれるとき、ずれることがあり、基板又は前記基板に堆積された材料に更に損傷を引き起こすことがある。システム400が基板キャリア410及び基板材料440に関する改善された位置及び環境的制御を提供する。前記基板キャリア410は、清潔な環境で維持され、前記基板440は、ロール内に収められることなく直接注がれて処理されるため、損傷されない表面品質を有することができる。
図4及び図5に関して、フローチャート500は、システム400の操作のプロセス例を図示する。操作510では、前記注ぎユニット430が前記基板キャリア410の上に基板材料440を注ぐ。前記注ぎユニット430は、前記基板キャリア410の上に基板材料440をキャストし、均一な塗布を形成するように構成される。前記注ぎユニット430は、例えば、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、インクジェットプリンティング、ドクターブレードコーティング、押出コーティング、又は他の印刷技術等様々な技術のいずれかを用いて基板材料440をキャストするように構成されることができる。
操作520では、前記硬化ユニット450は、前記基板材料440を硬化し、基板を形成する。基板材料440の塗布物は、前記硬化ユニット450によって処理され、1つ以上の望ましい特性を達成することができる。前記硬化ユニット450は、例えば、高温焼成、UV硬化、又は他の技術等を含む様々な硬化技術のいずれも適用するように構成されることができる。
操作530では、OLEDは、少なくとも1つのOLEDを前記基板上に堆積するように構成された1つ以上のOLED層堆積ユニット460によって作製される。OLEDの作製は、基板バリアの堆積、下部電極の堆積、様々なOLED層の堆積、上部電極の堆積、及び薄膜層の封止等、多数の工程を含むことができる。これらの工程のそれぞれは、下記に記載されるが、OLED作製の操作530の工程及び工程の順番が異なることがあることを当業者には理解されるであろう。前記1つ以上のOLED層堆積ユニット460は、本開示の範囲外にならなければ、追加の工程を適用する及び/又は記載された工程の幾つかを省略又は置き換えるように構成されることができる。
実施形態においては、OLED作製は、例えば、スパッタリング、プラズマ化学気相堆積法(PECVD)、原子層堆積(ALD)、及び他の技術等を含む技術を用いて、基板バリア層が堆積されることができる基板バリアの堆積工程から始めることができる。水分及び酸素がOLEDデバイスに到達して、汚染したり攻撃したりすることから防止するために、前記基板バリア層は、機能することができる。バリア材料は、金属、酸化物、有機材料、窒化物、複合材料、又はバリア性能を有する他の材料から選択されることができる。
下部電極は、下部電極の堆積工程において、前記基板バリア層の上に堆積されることができる。前記下部電極の材料は、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)又は酸化インジウム亜鉛(IZO)等の透明性導電性酸化物(TCO)であることができる。多くの場合、この下部電極層は、パターニングされる必要がある。パターニングは、電極材料が堆積されている間、例えば、フォトリソグラフィー法を通じて又はシャドーマスクを用いて行われることができる。前記下部電極は、適した印刷技術のいずれかを用いて、望ましいパターンで印刷されることもできる。
OLED層の堆積工程は、多数の層を堆積し、OLEDを形成することを含むことができる。層の例としては、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、電子ブロッキング層(EBL)、発光層(EML)、正孔ブロッキング層(EBL)、電子輸送層(ETL),電子注入層(EIL)、及びOLED中の使用に知られている又は好適な他の層のいずれも含むことができる。前記層は、例えば、真空熱蒸着(VTE)、インクジェットプリンティング、又は他の印刷技術を用いて堆積されることができる。
上部電極は、前記OLED層の上に堆積されることができる。前記上部電極は、金属を用いて形成されることができる。
薄膜封止層は、前記上部電極の上に堆積され、水分及び酸素がOLEDデバイスに到達して攻撃することから防止するバリア層として機能することができる。前記薄膜封止層は、その後の処理工程の間、機械的保護を提供することもできる。
図5に戻ると、操作540では、キャストされた基板440は、前記基板キャリア410から分離される。このプロセスは、図4に図示されるように、前記第2のドラム425の周りを前記基板キャリア410が移動するとき又はその前に行われる。
フローチャート500に記載されている操作に加えて、システム400は、他の操作を実行するように構成されている。このような他の操作は、制限はなく、洗浄操作、前処理操作、追加の塗布操作、積層操作、スリット操作、巻きつけ操作、及び検査操作等が挙げられる。
図6は、他の操作と共にシステム400の操作を実行するように構成された実施形態例のシステム600を図示する。基板キャリア610、注ぎユニット630、硬化ユニット650、及びドラム620及びドラム625は、システム400において対応する要素と同じであり、ここでは更に説明はしない。これらの要素に加えて、システム600の実施形態は、洗浄ユニット670、積層ユニット675、スリットユニット680、巻きつけローラー685、及び検査ユニット690を含む。
前記基板材料640が堆積される前に、洗浄ユニット670は、前記基板キャリア610の表面を洗浄することができる。OLED堆積ユニット660は、例えば、離型剤を前記基板材料640に適用して前記基板キャリア610から前記基板の分離を容易にする前処理ユニットを含むことができる。例えば、前記基板キャリア610の表面は、物理的プロセス又は化学プロセスのいずれかで処理し、接着又は剥離の目的に適応することができる。表面修飾は、基板/型の付着及び剥離の必要条件に応じて専用の場所でパターニングされることができる。更に、OLED堆積ユニット660は、例えば、平坦コーティング、アウトカップリングコーティング、及び/又は誘電体ミラーコーティング等で、他の機能的な塗布層を適用するように構成されることができる。様々な層の適用を容易にするために、前記OLED堆積ユニット660を含むユニットは、必要に応じて、更に上流又は下流に位置されることができる。
更に、前記基板が前記基板キャリア610から分離された後、追加の注ぎ装置(不図示)は、OLEDが堆積される表面とは反対の基板の表面に1つ以上の材料層を堆積することができる。前記1つ以上の材料層は、例えば、バリア層、光学層、及び/又はラミネート層等を含むことができる。
積層ユニット675は、OLEDデバイスが前記基板上に作製された後であるが、基板キャリア610から分離される前に、積層物を塗布することができる。例えば、カバーフィルムは、機械的保護のため前記OLEDデバイスに接着させることができる。前記カバーフィルムは、例えば、金属箔、ポリマーフィルム、又はバリア塗布されたポリマーフィルムを用いて形成されることができる。他の積層(不図示)は、基板キャリアから分離された後、前記基板の他面に応用されることができる。
スリットユニット680は、処理された基板を切断することができる。例えば、幅広いウェブを用いて、横方向に沿って多数のデバイスを作製する場合、前記基板キャリア610から分離された後に、前記デバイスは、前記基板をスリットすることで、互いに分離されることができる。
検査ユニット690は、品質管理が必要であるデバイスの動作の経路に沿って配置される。巻きつけローラー685は、完成したデバイスを有する基板を巻きつけることができる。
図7は、本明細書で開示される、単一のドラムが用いられるシステム例を示す。システム700においては、システム400及びシステム600の構成のコンベアベルトタイプは、単一の回転するドラム720によって置き換えられることができる。ドラム720の表面は、基板キャリアとして機能することができる。システム400及びシステム600に関して上記で記載され、それと対応しているユニットと同様である注ぎユニット730、硬化ユニット750、及びOLED堆積ユニット760は、前記ドラム720の周りに配置されることができる。この構造の1つの利点として、装置床面積(footprint)が比較的小さいことである。
前記ドラム720は、単一の材料又は多数の材料から作製されることができる。例えば、前記ドラム720は、ベースドラム、その後前記ベースドラムの周りに積層された最上層を有するように作製される。例えば、図9に関して記載されているように、この最上層は、前記基板の上にアウトカップリング要素又は他の構造を形成する等、表面要素を含むことができる、又は平らであることができる。更に、堆積された基板で形成された表面要素を変える損傷又は摩耗が生じた場合場合、この最上層は、容易に取り替えられることができる。
図8は、コンベアベルト構成を有するシステム800の実施形態を図示する。上記で記載されるシステム400及びシステム600と同じであるシステム800の態様は、ここでは更に説明はされない。図8に図示されているように、システム800においては、基板キャリア810は、表面要素(型)を有することができる。その結果、前記基板材料840の表面は、例えば、マイクロレンズ、マイクロプリズム、溝、エアロゲル、又は突起の他の形状等、デバイスから光を取り出すことを助ける表面要素を形成する。前記表面要素は、前記基板キャリア810の上に直接作製されることができる、又は別の材料で作製され、ベース材料の一番上に適用されることができる。後者の場合、前記基板キャリア810は、材料(支持するベース材料及び表面要素を提供する最上層)の2つの層を有することができる。
同様に、図9は、前記基板キャリア910の上に表面要素を有する単一のドラムの実施形態システム900を図示する。
開示された実施形態のいずれにおいても、キャストされた基板材料は、キャストされることができるポリマー、ガラス等の無機材料、複合材料、又は他の材料から選択されることができる。例えば、ポリマーが溶媒中に溶解されて、その後前記基板キャリア上にキャストされることができる。溶媒が蒸発した後、前記ポリマーは、均一なフィルムを形成する。他の例としては、モノマーを液体で塗布し、熱エネルギー又はUVを用いて前記モノマーを重合し、フィルムを形成する。無機材料は、ゾルゲル法によってキャストされることができる。形成された基板は、例えば、150℃、200℃、250℃、300℃、又はそれ以上の処理温度に耐えるための高いガラス転移温度を有することができる。前記基板は、少なくとも1.6の屈折率を有することができる。
作製プロセスの間、前記基板キャリアの動作は、一定であることができる、又は前記基板キャリアは、時々又は定期的に止まることができる。後者の場合、前記基板は、処理や堆積のためにそれぞれのユニット又はステーションで止まる。プロセスが終わった後、前記基板は、次のユニット又はステーションへ移動する。この構造は、注ぎプロセスにおいて、より正確な制御を必要とすることがある。
開示された実施形態において記載される、直接堆積された基板材料は、幾つかの利点を提供する。分離プロセスは、ロールツーロールプロセス又はシートツーシートプロセスよりもより簡単に行われることができる。完了したデバイスは、より低いコストプロセスで比較的早い速度でローラーに巻きつけられることができる。更に、システム700及びシステム900の実施形態においては、前記基板キャリアは、ドラムと熱的接触を保つことができる。或いは、前記基板キャリアは、ロールツーロールシステム又はシートツーシートシステムよりも良好にシステムの冷却を容易にすることができる。冷却ユニット又は1つ以上のファン等の追加の冷却ユニットは、ドラムを積極的に冷却するために用いられることができる。
説明を簡便にするために、記載されたユニット又はプロセスステーションは、基板の表面の上に図示されるが、基板の表面の上、基板の表面の下、又は基板の表面の側面に、前記ユニット及び/又は前記プロセスステーションを配置することができる。例えば、基板上の粒子の堆積を低減するために、前記プロセスステーションは、基板材料の下に配置されることができる。
本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。
米国特許第5,844,363号明細書 米国特許第6,303,238号明細書 米国特許第5,707,745号明細書 米国特許第7,279,704号明細書
100 有機発光デバイス
110 基板
115 アノード
120 正孔注入層
125 正孔輸送層
130 電子ブロッキング層
135 発光層
140 正孔ブロッキング層
145 電子輸送層
150 電子注入層
155 保護層
160 カソード
162 第一の導電層
164 第二の導電層
170 バリア層
200 反転させたOLED、デバイス
210 基板
215 カソード
220 発光層
225 正孔輸送層
230 アノード
300 ベルト
310 型
320 ディスペンサー
330 エネルギー源
340 ディスペンサー
350 ディスペンサー
360 処理された型
370 装置
400 システム
410 基板キャリア
420 ドラム
425 ドラム
430 注ぎユニット
440 基板材料
450 硬化ユニット
460 堆積ユニット
500 フローチャート
600 システム
610 基板キャリア
620 ドラム
625 ドラム
630 注ぎユニット
640 基板材料
650 硬化ユニット
660 堆積ユニット
670 積層ユニット
675 積層ユニット
680 スリットユニット
685 巻きつけローラー
690 検査ユニット
700 システム
720 ドラム
730 注ぎユニット
740 基板材料
750 硬化ユニット
760 堆積ユニット
800 システム
810 基板キャリア
820 ドラム
825 ドラム
830 注ぎユニット
840 基板材料
850 硬化ユニット
860 堆積ユニット
900 システム
920 ドラム
930 注ぎユニット
940 基板材料
950 硬化ユニット
960 堆積ユニット

Claims (9)

  1. 有機発光ダイオード(OLED)を作製する方法であって、
    1つ以上のドラムによって動かされている基板キャリア上に基板材料を注ぐことと;
    前記基板材料を硬化して基板を形成することと;
    少なくとも1つのOLEDを前記基板上に堆積することと;
    前記基板キャリアから前記基板を分離することと、を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記基板材料が前記基板キャリア上に連続的に注がれる請求項1に記載の方法。
  3. 前記基板キャリアの表面に離型剤を堆積し、前記基板キャリアからの前記基板の分離を容易にすることを更に含む請求項1に記載の方法。
  4. 前記基板上に前記OLEDを堆積する前に、前記基板上に基板バリアを堆積することを更に含む請求項1に記載の方法。
  5. 前記基板バリアが金属、酸化物、有機材料、窒化物、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物、有機材料と無機材料との混合物、及び複合材料からなる群から選択される材料を含む請求項4に記載の方法。
  6. 前記基板キャリアが、前記基板の表面を成型し前記基板上に表面要素(surface features)を形成する表面要素を含む請求項1に記載の方法。
  7. OLEDを作製するシステムであって、
    基板キャリアと;
    前記基板キャリア上に基板材料を注ぐ注ぎ装置と;
    前記基板材料を硬化して基板を形成する硬化装置と;
    前記基板上にOLEDを堆積する堆積装置と;
    前記基板キャリアと物理的に連通し、前記注ぎ装置、前記硬化装置、及び前記堆積装置のそれぞれを通り、前記基板キャリアを動かすように構成された1つ以上の回転可能なドラムと、を含むことを特徴とするシステム。
  8. 前記1つ以上の回転可能なドラムが前記基板キャリアとして機能する第1の表面を有する単一の回転可能なドラムからなる請求項7に記載のシステム。
  9. 前記基板キャリアが、前記基板の表面を成型し前記基板上に表面要素を形成する表面要素を含む請求項7に記載のシステム。
JP2015235490A 2014-12-03 2015-12-02 Oledの作製方法 Active JP6757563B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/559,516 2014-12-03
US14/559,516 US9843024B2 (en) 2014-12-03 2014-12-03 Methods for fabricating OLEDs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016111016A true JP2016111016A (ja) 2016-06-20
JP6757563B2 JP6757563B2 (ja) 2020-09-23

Family

ID=56095126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015235490A Active JP6757563B2 (ja) 2014-12-03 2015-12-02 Oledの作製方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9843024B2 (ja)
JP (1) JP6757563B2 (ja)
CN (1) CN105679968B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190096524A (ko) * 2018-02-09 2019-08-20 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10096202B2 (en) 2015-06-10 2018-10-09 Bally Gaming, Inc. Casino machine having emotive lighting structures
WO2018106784A2 (en) * 2016-12-07 2018-06-14 Djg Holdings, Llc Preparation of large area signage stack
JP6836908B2 (ja) * 2017-01-10 2021-03-03 住友化学株式会社 有機デバイスの製造方法
CN107275515B (zh) * 2017-06-20 2019-12-03 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004004175A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Nitto Denko Corp 反射防止樹脂シート、画像表示装置用基板、画像表示装置
JP2004004176A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Nitto Denko Corp 反射防止樹脂シート、画像表示装置用基板、画像表示装置
JP2008016444A (ja) * 2006-06-09 2008-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2008123948A (ja) * 2006-11-15 2008-05-29 Fujifilm Corp 可撓性基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光パネルの製造方法、それにより製造された有機エレクトロルミネッセンス発光パネル、及びその製造に使用する支持基板
WO2008139370A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for the manufacturing of an optoelectronic device
WO2008139788A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-20 Silver Seiko Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置
US20080304287A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Lentics Corporation Microstructure transfer medium and application thereof
JP2010129544A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Commissariat A L'energie Atomique Oledのためのナノ構造化基板の製造方法及びoledの製造方法
JP2010137358A (ja) * 2007-04-12 2010-06-24 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
KR20100078354A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2014054678A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 フィルム状モールドを用いた光学基板の製造方法、製造装置及び得られた光学基板
JP2014090210A (ja) * 2014-01-22 2014-05-15 Nikon Corp パターン形成装置、及びパターン形成方法
CN104518176A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 环球展览公司 在衬底上制造oled的方法及其相关结构和装置
US20150179987A1 (en) * 2013-09-30 2015-06-25 Universal Display Corporation Novel substrate and process for high efficiency oled devices

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US7906229B2 (en) * 2007-03-08 2011-03-15 Amit Goyal Semiconductor-based, large-area, flexible, electronic devices
US6984934B2 (en) 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
US7071615B2 (en) 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US20050051763A1 (en) * 2003-09-05 2005-03-10 Helicon Research, L.L.C. Nanophase multilayer barrier and process
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US20080102223A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US7968146B2 (en) 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US20090042825A1 (en) 2007-08-06 2009-02-12 Majed Matar Composition, method of preparation & application of concentrated formulations of condensed nucleic acids with a cationic lipopolymer
KR20150038544A (ko) 2008-05-07 2015-04-08 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전자 장치들 또는 다른 물품들 위의 코팅들에 사용하기 위한 혼성 층들
US20110065282A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 General Electric Company Apparatus and methods to form a patterned coating on an oled substrate
US9209019B2 (en) * 2013-09-05 2015-12-08 Diftek Lasers, Inc. Method and system for manufacturing a semi-conducting backplane
CN104768957B (zh) * 2012-08-08 2019-01-22 3M创新有限公司 脲(多)-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯-硅烷组合物及包含所述组合物的制品
US20140166989A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US8912018B2 (en) * 2012-12-17 2014-12-16 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004004176A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Nitto Denko Corp 反射防止樹脂シート、画像表示装置用基板、画像表示装置
JP2004004175A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Nitto Denko Corp 反射防止樹脂シート、画像表示装置用基板、画像表示装置
JP2008016444A (ja) * 2006-06-09 2008-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2008123948A (ja) * 2006-11-15 2008-05-29 Fujifilm Corp 可撓性基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光パネルの製造方法、それにより製造された有機エレクトロルミネッセンス発光パネル、及びその製造に使用する支持基板
JP2010137358A (ja) * 2007-04-12 2010-06-24 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
WO2008139370A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for the manufacturing of an optoelectronic device
WO2008139788A1 (ja) * 2007-05-16 2008-11-20 Silver Seiko Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置
JP2008287996A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Soken:Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置
US20080304287A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Lentics Corporation Microstructure transfer medium and application thereof
JP2010129544A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Commissariat A L'energie Atomique Oledのためのナノ構造化基板の製造方法及びoledの製造方法
KR20100078354A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
WO2014054678A1 (ja) * 2012-10-05 2014-04-10 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 フィルム状モールドを用いた光学基板の製造方法、製造装置及び得られた光学基板
CN104518176A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 环球展览公司 在衬底上制造oled的方法及其相关结构和装置
JP2015072906A (ja) * 2013-09-30 2015-04-16 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 可撓性oled照明装置の組立方法
US20150179987A1 (en) * 2013-09-30 2015-06-25 Universal Display Corporation Novel substrate and process for high efficiency oled devices
JP2014090210A (ja) * 2014-01-22 2014-05-15 Nikon Corp パターン形成装置、及びパターン形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190096524A (ko) * 2018-02-09 2019-08-20 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
KR102517489B1 (ko) * 2018-02-09 2023-04-05 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US9843024B2 (en) 2017-12-12
JP6757563B2 (ja) 2020-09-23
US20160164043A1 (en) 2016-06-09
CN105679968B (zh) 2019-03-15
CN105679968A (zh) 2016-06-15
US20170288175A1 (en) 2017-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6479738B2 (ja) 有機デバイス上の非共通キャッピング層
KR102470927B1 (ko) 가요성 oled 조명 디바이스의 제조 방법
US20170288175A1 (en) METHODS FOR FABRICATING OLEDs
KR102096970B1 (ko) 가요성 유기 전자 디바이스의 제조
US9871229B2 (en) OVJP for printing graded/stepped organic layers
US20140049923A1 (en) Thin film disposition
TW201803183A (zh) 用於製造oled照明面板之方法
US11832475B2 (en) Flexible electronic display device
JP5056682B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造装置
US11637271B2 (en) Manufacturing flexible organic electronic devices
US9825243B2 (en) Methods for fabricating OLEDs on non-uniform substrates and devices made therefrom
US11832504B2 (en) System and method for organic electronic device patterning
KR102077345B1 (ko) 레이저 전사를 사용한 oled 제작
US9484546B2 (en) OLED with compact contact design and self-aligned insulators

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180601

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6757563

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250