JP2016108602A - 複合化膜の成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜が可能な複数のチャンバー間で成膜条件が異なっても各チャンバー間でのクロスコンタミネーションを抑えることができる複合化膜の成膜装置の提供を目的とする。【解決手段】成膜が可能なチャンバーを複数配置し、前記各チャンバーを横切るように回転又は移動する可動部を有し、前記可動部は前記各チャンバーと所定の隙間を介して連通する共通の空間部(S)内に配置してあり、前記空間部(S)内は前記各チャンバーに共通するガスを用いて前記いずれのチャンバー内のガス圧よりも高く設定してあることを特徴とする。【選択図】 図1
Description
本発明は、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着等のPVD装置に関し、特にコンポジット膜、多層膜等の複合化膜の成膜に適している。
各種機能性薄膜や硬質保護膜に関する分野では、近年、ナノ構造レベルの複合化膜、「ナノコンポジット膜」が重要な位置を占めている。
しかし、複合化する材料の組み合わせについては、熱力学的性質による制限が存在する。
このため、新材料の創製に限界が見え始めており、これをブレイクスルーできる新たな展開が望まれている。
例えば、同一槽内で窒化物と酸化物を複合化し作製する場合、酸化物・窒化物の生成自由エネルギーΔGの差異が大きな元素の組み合わせに限られる。
とくに酸化物相の制御が困難である。
反応スパッタ法で「酸化物+金属」のナノコンポジット膜作製は元素の組み合わせにより困難である。
また、「酸化物+窒化物」のナノコンポジット膜の作製は非常に困難である。
同一チャンバーで酸化物と金属のナノコンポジット膜を作製する場合、同じ雰囲気となるので、金属A,Bの酸化物生成自由エネルギーΔGに大きな差がない場合は両方とも酸化物になる。
複合ターゲットを使用してもΔGに係る制限は基本的に同じであり、膜中の異相間界面の急峻性に劣る。
また、完全に隔離したマルチチャンバー方式を採用した場合には、雰囲気を変えることはできるが、バルブの開閉に時間を要するため、ナノコンポジット膜の作製は事実上不可能である。
そこで、本願発明者らのうちの一部の発明者らにより、各チャンバー間のクロスコンタミネーションを抑える技術を先に提案している(特許文献1,2)。
本発明は、このクロスコンタミネーションを抑える新規な構造にある。
しかし、複合化する材料の組み合わせについては、熱力学的性質による制限が存在する。
このため、新材料の創製に限界が見え始めており、これをブレイクスルーできる新たな展開が望まれている。
例えば、同一槽内で窒化物と酸化物を複合化し作製する場合、酸化物・窒化物の生成自由エネルギーΔGの差異が大きな元素の組み合わせに限られる。
とくに酸化物相の制御が困難である。
反応スパッタ法で「酸化物+金属」のナノコンポジット膜作製は元素の組み合わせにより困難である。
また、「酸化物+窒化物」のナノコンポジット膜の作製は非常に困難である。
同一チャンバーで酸化物と金属のナノコンポジット膜を作製する場合、同じ雰囲気となるので、金属A,Bの酸化物生成自由エネルギーΔGに大きな差がない場合は両方とも酸化物になる。
複合ターゲットを使用してもΔGに係る制限は基本的に同じであり、膜中の異相間界面の急峻性に劣る。
また、完全に隔離したマルチチャンバー方式を採用した場合には、雰囲気を変えることはできるが、バルブの開閉に時間を要するため、ナノコンポジット膜の作製は事実上不可能である。
そこで、本願発明者らのうちの一部の発明者らにより、各チャンバー間のクロスコンタミネーションを抑える技術を先に提案している(特許文献1,2)。
本発明は、このクロスコンタミネーションを抑える新規な構造にある。
本発明は、成膜が可能な複数のチャンバー間で成膜条件が異なっても各チャンバー間でのクロスコンタミネーションを抑えることができる複合化膜の成膜装置の提供を目的とする。
本発明に係る複合化膜の成膜装置は、成膜が可能なチャンバーを複数配置し、前記各チャンバーを横切るように回転又は移動する可動部を有し、前記可動部は前記各チャンバーと所定の隙間を介して連通する共通の空間部(S)内に配置してあり、前記空間部(S)内は前記各チャンバーに共通するガスを用いて前記いずれのチャンバー内のガス圧よりも高く設定してあることを特徴とする。
被処理物の表面に例えばスパッタリングを用いて、成膜する場合に減圧チャンバー内(成膜室内)にアルゴンガス等の不活性ガスを注入し、ターゲットと被処理物との間でプラズマ放電させることでターゲットから発生した1〜100nmサイズの微粒子が被処理物の表面に付着し、成膜される。
また、アルゴンガスとともに反応性ガスとして酸素ガスを注入すると、金属酸化物の膜が成膜され、アルゴンガスとともに反応性ガスとして窒素ガスを注入すると、金属窒化物の膜が成膜される。
従って、異なる金属間又はそれらと酸化物,窒化物等との異種材料を1〜100nmレベルにて複合化したナノコンポジット膜を得るには、各チャンバー内をそれぞれ成膜条件に合せて適切な真空度(減圧)と反応性ガスの分圧レベルを制御するだけでなく、被処理物がこれらの異なる条件のチャンバー間を連続的に移動できればならない。
そこで本発明は、可動部側を配置した共通の空間部(S)内に各チャンバーに共通するガスのガス供給手段を設け、この可動部を配置した空間部(S)から各チャンバー内に向けて共通のガスが流れ込むように空間部(S)のガス圧を設定したものである。
従って、空間部(S)のガス圧は各チャンバー内に注入されるいずれのチャンバーのガス圧よりも高く設定する。
本発明において共通のガスは、アルゴンガス,ヘリウムガス等の不活性ガスを主に利用する。
また例えば各チャンバーでアルゴンガスと窒素ガスの混合比率が同じガスを用い、ガス圧が各チャンバーで異なる場合には、共通のガスにはアルゴンガスと窒素ガスの混合比率が同じガスを用い、空間部(S)のガス圧をいずれのチャンバーよりも高いガス圧に設定する。
また、アルゴンガスとともに反応性ガスとして酸素ガスを注入すると、金属酸化物の膜が成膜され、アルゴンガスとともに反応性ガスとして窒素ガスを注入すると、金属窒化物の膜が成膜される。
従って、異なる金属間又はそれらと酸化物,窒化物等との異種材料を1〜100nmレベルにて複合化したナノコンポジット膜を得るには、各チャンバー内をそれぞれ成膜条件に合せて適切な真空度(減圧)と反応性ガスの分圧レベルを制御するだけでなく、被処理物がこれらの異なる条件のチャンバー間を連続的に移動できればならない。
そこで本発明は、可動部側を配置した共通の空間部(S)内に各チャンバーに共通するガスのガス供給手段を設け、この可動部を配置した空間部(S)から各チャンバー内に向けて共通のガスが流れ込むように空間部(S)のガス圧を設定したものである。
従って、空間部(S)のガス圧は各チャンバー内に注入されるいずれのチャンバーのガス圧よりも高く設定する。
本発明において共通のガスは、アルゴンガス,ヘリウムガス等の不活性ガスを主に利用する。
また例えば各チャンバーでアルゴンガスと窒素ガスの混合比率が同じガスを用い、ガス圧が各チャンバーで異なる場合には、共通のガスにはアルゴンガスと窒素ガスの混合比率が同じガスを用い、空間部(S)のガス圧をいずれのチャンバーよりも高いガス圧に設定する。
本発明においては、各チャンバー内でガス圧又は/及びガス混合成分が異なる。
即ち、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有することで各チャンバー間で差動排気同時成膜可能になっているのが好ましい。
より具体的に説明すると、チャンバー毎に真空排気装置を設け、基板ホルダー等を有する可動部と各チャンバーとの隙間を小さくすることにより、各チャンバー(第1,第2,第3・・・)間のガスの相互流入はかなり抑制できる。
しかし、更なるチャンバー間の相互流入を抑制するために、全てのチャンバーに接する空間部(S)の圧力が各チャンバーのガス圧力(P1,P2,P3,・・・)の何れよりも高い圧力となるように空間部(S)にガスを流す。
この際、空間部(S)に流すガスは、各チャンバーに流すガスと共通のガスであることが必要である。
例えば、第1チャンバーにAr,第2チャンバーにAr+N2,第3チャンバーにAr+O2ガスである場合には、(S)に流すガスはArのみとなる。
また、全てのチャンバーに例えばAr+N2ガスが同じ流量比で流され、それぞれの圧力のみがことなる場合は(S)には同じ流量比のAr+N2ガスを流すことができる。
この際に,チャンバー間のガスの相互流入に対する(S)に流すガスの抑制効果をさらに高めるためには、空間部(S)から各チャンバー(第1,第2,第3・・・)との隙間を通して各チャンバーに流れるガスの流れが粘性流または中間流となるように圧力を高めることが望ましい。
さらに望ましくは、完全に粘性流となることである。
ただし、粘性流か中間流かは必要とする相互流入の抑制の度合いに依存するので、全ての場合に粘性流であることが必須ではない。
空間部(S)から各チャンバーに流入するガスの流れが粘性流になるということは、ガス分子同士の衝突が支配的であることを意味する。
この場合、(S)から各チャンバーへのガスの流れのみが発生し,逆向きの流れやチャンバー間のガスの流れが抑制され、条件によってはそのような流れがほとんど生じないことになる。
もし空間部(S)から各チャンバーに流入するガスの流れが分子流である場合には、ガス分子は分子同士の衝突がほとんどなく、真空容器の内壁への衝突が支配的になるため、空間部(S)からチャンバー間へのガスの流れだけでなく、逆の流れ、すなわち各チャンバーから空間部(S)への流れ及びチャンバー間の流れも同時に発生することになる。
したがって空間部(S)から各チャンバー間の隙間を通って各チャンバーに流入するガスの流れに分子同士の衝突が関与している必要が生じる。
そのためにはこのガスの流れが少なくとも中間流となるようにガス圧力を高める必要が生じ、望ましくは粘性流となるようにガス圧力を設定することがよい。
中間流となる条件は、空間部(S)と各チャンバーとの間の隙間の断面積から換算した直径Dと、空間部(S)と各チャンバー内のガス圧力の最小値との平均値をPとしたとき、このP[Pa]とD[m]の積,すなわちPD値が,0.007[Pa・m]以上、好ましくは0.02[Pa・m]以上となるように空間部(S)内のガス圧力を高めれば中間流が発生する。
また、この効果をより確実なものにするために、PD値を0.07[Pa・m]以上、より好ましくは0.7[Pa・m]以上に高めることが望ましい。
この成膜法に用いる装置は、通常、元来空間部(S)と各チャンバーとの隙間は各チャンバー間のガスの相互流入を抑制するために隙間断面積が可能な限り小さくなるように設計されている。
したがって、この隙間を成膜ごとに調節することは実用上困難である。
これに対して、空間部(S)の圧力を大きくすることは実用上容易に実施できる。
即ち、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有することで各チャンバー間で差動排気同時成膜可能になっているのが好ましい。
より具体的に説明すると、チャンバー毎に真空排気装置を設け、基板ホルダー等を有する可動部と各チャンバーとの隙間を小さくすることにより、各チャンバー(第1,第2,第3・・・)間のガスの相互流入はかなり抑制できる。
しかし、更なるチャンバー間の相互流入を抑制するために、全てのチャンバーに接する空間部(S)の圧力が各チャンバーのガス圧力(P1,P2,P3,・・・)の何れよりも高い圧力となるように空間部(S)にガスを流す。
この際、空間部(S)に流すガスは、各チャンバーに流すガスと共通のガスであることが必要である。
例えば、第1チャンバーにAr,第2チャンバーにAr+N2,第3チャンバーにAr+O2ガスである場合には、(S)に流すガスはArのみとなる。
また、全てのチャンバーに例えばAr+N2ガスが同じ流量比で流され、それぞれの圧力のみがことなる場合は(S)には同じ流量比のAr+N2ガスを流すことができる。
この際に,チャンバー間のガスの相互流入に対する(S)に流すガスの抑制効果をさらに高めるためには、空間部(S)から各チャンバー(第1,第2,第3・・・)との隙間を通して各チャンバーに流れるガスの流れが粘性流または中間流となるように圧力を高めることが望ましい。
さらに望ましくは、完全に粘性流となることである。
ただし、粘性流か中間流かは必要とする相互流入の抑制の度合いに依存するので、全ての場合に粘性流であることが必須ではない。
空間部(S)から各チャンバーに流入するガスの流れが粘性流になるということは、ガス分子同士の衝突が支配的であることを意味する。
この場合、(S)から各チャンバーへのガスの流れのみが発生し,逆向きの流れやチャンバー間のガスの流れが抑制され、条件によってはそのような流れがほとんど生じないことになる。
もし空間部(S)から各チャンバーに流入するガスの流れが分子流である場合には、ガス分子は分子同士の衝突がほとんどなく、真空容器の内壁への衝突が支配的になるため、空間部(S)からチャンバー間へのガスの流れだけでなく、逆の流れ、すなわち各チャンバーから空間部(S)への流れ及びチャンバー間の流れも同時に発生することになる。
したがって空間部(S)から各チャンバー間の隙間を通って各チャンバーに流入するガスの流れに分子同士の衝突が関与している必要が生じる。
そのためにはこのガスの流れが少なくとも中間流となるようにガス圧力を高める必要が生じ、望ましくは粘性流となるようにガス圧力を設定することがよい。
中間流となる条件は、空間部(S)と各チャンバーとの間の隙間の断面積から換算した直径Dと、空間部(S)と各チャンバー内のガス圧力の最小値との平均値をPとしたとき、このP[Pa]とD[m]の積,すなわちPD値が,0.007[Pa・m]以上、好ましくは0.02[Pa・m]以上となるように空間部(S)内のガス圧力を高めれば中間流が発生する。
また、この効果をより確実なものにするために、PD値を0.07[Pa・m]以上、より好ましくは0.7[Pa・m]以上に高めることが望ましい。
この成膜法に用いる装置は、通常、元来空間部(S)と各チャンバーとの隙間は各チャンバー間のガスの相互流入を抑制するために隙間断面積が可能な限り小さくなるように設計されている。
したがって、この隙間を成膜ごとに調節することは実用上困難である。
これに対して、空間部(S)の圧力を大きくすることは実用上容易に実施できる。
本発明においては、被処理物が保持された、例えば基板ホルダーからなる可動部が設けられた室の共通の空間部(S)と、成膜するチャンバーとの間の隙間から各チャンバーに向けてアルゴンガス等の共通の不活性ガスが流れ込むようにガス供給手段を備えたので、異なる反応性ガスをあるいは圧の使用しているチャンバーから他のチャンバー内にこのガスが混入するのを抑制する。
本発明に係る成膜装置の構造例を図1に示す。
図1は、装置の断面模式図を示したものであり、略円筒形の成膜室を隔壁16にて第1チャンバー11と第2チャンバー12の2つに仕切った例を示す。
仕切るチャンバーの数に制限はない。
成膜室の上部には、モーターMにて回転制御された円盤状の可動部14を有し、この可動部は外部から密閉された可動部配置室13に設けられている。
本発明においては、この可動部配置室13が共通の空間部(S)となる。
共通の空間部(S)には、排気装置を設けることが望ましい。
これにより、予備排気にかかる時間を短縮したり圧力調整をすることができる。
可動部14の下面には、被処理物W1,W2,・・・・を保持するための凹部を形成し、基板等の被処理物(ワーク)が保持されている。
隔壁16の上端部と可動部の下面との隙間d0は、1〜3mmレベルが好ましい。
また、可動部14と第1チャンバー11との隙間d1、及び可動部14と第2チャンバー12との隙間d2も1〜3mmレベルが良い。
これらの隙間d0〜d2は小さい程良いが、可動部14の回転バラツキを考慮すると、1〜3mm程度となる。
例えばスパッタリングにおいては、アルゴンガス,酸素ガス,窒素ガス等の平均自由行程は、上記隙間の距離も大きいからである。
図1は、装置の断面模式図を示したものであり、略円筒形の成膜室を隔壁16にて第1チャンバー11と第2チャンバー12の2つに仕切った例を示す。
仕切るチャンバーの数に制限はない。
成膜室の上部には、モーターMにて回転制御された円盤状の可動部14を有し、この可動部は外部から密閉された可動部配置室13に設けられている。
本発明においては、この可動部配置室13が共通の空間部(S)となる。
共通の空間部(S)には、排気装置を設けることが望ましい。
これにより、予備排気にかかる時間を短縮したり圧力調整をすることができる。
可動部14の下面には、被処理物W1,W2,・・・・を保持するための凹部を形成し、基板等の被処理物(ワーク)が保持されている。
隔壁16の上端部と可動部の下面との隙間d0は、1〜3mmレベルが好ましい。
また、可動部14と第1チャンバー11との隙間d1、及び可動部14と第2チャンバー12との隙間d2も1〜3mmレベルが良い。
これらの隙間d0〜d2は小さい程良いが、可動部14の回転バラツキを考慮すると、1〜3mm程度となる。
例えばスパッタリングにおいては、アルゴンガス,酸素ガス,窒素ガス等の平均自由行程は、上記隙間の距離も大きいからである。
各チャンバー内には、ターゲット保持部11a,12aを有し、蒸気源となる各種ターゲット11b,12bを取り付けることができる。
また、ガス注入口及び発光分光分析器OESを備えている。
各チャンバーに排気口を介して、ゲートバルブGV,可変オリフィスVO,ターボ分子ポンプ,ロータリーポンプRP,クライオポンプ等からなる減圧(真空)手段を備え、各チャンバー間で差動排気制御可能になっている。
図1に示した実施例では、ターゲットと被処理物の間に高周波電圧が印加される例になっている。
また、ガス注入口及び発光分光分析器OESを備えている。
各チャンバーに排気口を介して、ゲートバルブGV,可変オリフィスVO,ターボ分子ポンプ,ロータリーポンプRP,クライオポンプ等からなる減圧(真空)手段を備え、各チャンバー間で差動排気制御可能になっている。
図1に示した実施例では、ターゲットと被処理物の間に高周波電圧が印加される例になっている。
本発明は、各チャンバー内に可動部14と第1及び第2チャンバー11,12との隙間d1,d2から不活性ガスが中間流、もしくは粘性流として各チャンバー内に流れ込むように制御することで、反応性ガスが他のチャンバーに混入するのを抑制したものである。
よって、可動部が配置された可動部配置室13から不活性ガスが流れ込む際に、この不活性ガスの平均自由行程λが上記隙間d1,d2の距離同等以下になるように、この不活性ガス圧を高くするのが良い。
その効果を実験で確認したので、以下説明する。
よって、可動部が配置された可動部配置室13から不活性ガスが流れ込む際に、この不活性ガスの平均自由行程λが上記隙間d1,d2の距離同等以下になるように、この不活性ガス圧を高くするのが良い。
その効果を実験で確認したので、以下説明する。
図2に実験評価に用いた装置を模式的に示す。
(a)は断面図で、(b)は可動部14を取り外した状態の模式的な斜視図である。
被処理物が成膜室に臨む開口部11c,12c以外は、仕切板17にて塞がれ、この仕切板と可動部14の間にMiddle Chamberを経由してアルゴンガスが注入される。
第2チャンバー12となるLeft Chamberと、第1チャンバー11となるRight Chamberのガス注入条件を制御する。
可動部配置室13に対応する空間部(S)からなるMiddle Chamberを設け、上からこの可動部配置室13にアルゴンガスを注入できるようにした。
(a)は断面図で、(b)は可動部14を取り外した状態の模式的な斜視図である。
被処理物が成膜室に臨む開口部11c,12c以外は、仕切板17にて塞がれ、この仕切板と可動部14の間にMiddle Chamberを経由してアルゴンガスが注入される。
第2チャンバー12となるLeft Chamberと、第1チャンバー11となるRight Chamberのガス注入条件を制御する。
可動部配置室13に対応する空間部(S)からなるMiddle Chamberを設け、上からこの可動部配置室13にアルゴンガスを注入できるようにした。
右チャンバーにアルゴンを30sccm流し、0.8Paとなるように制御しながら、左チャンバーにアルゴン+酸素を30sccm流しオリフィス制御で同じく0.8Paに制御した。
左チャンバーに流すアルゴンを減らしつつ酸素を増やした。
グラフ中にno rotationと示したのは、可動部を回さなかったことを意味する。
その結果を図3のグラフに示す。
ミドルチャンバーにアルゴンを流さない場合、左チャンバーに流す酸素流量が増えると、すなわち左チャンバーの酸素分圧が増加するにつれて、右チャンバーに流れる酸素分圧が増加している。
左チャンバーに流すアルゴンを減らしつつ酸素を増やした。
グラフ中にno rotationと示したのは、可動部を回さなかったことを意味する。
その結果を図3のグラフに示す。
ミドルチャンバーにアルゴンを流さない場合、左チャンバーに流す酸素流量が増えると、すなわち左チャンバーの酸素分圧が増加するにつれて、右チャンバーに流れる酸素分圧が増加している。
左チャンバーに流すガスを酸素100%−30sccm一定とし、右チャンバーに流すガスをアルゴン100%30sccm一定とする何れも0.8Paの条件から実験を開始した。
これは、図3のグラフで酸素30sccmの条件と同じ条件で、実験を開始したことになる。
その後ミドルチャンバーに流すアルゴンガス流量を増加させ、ミドルチャンバーの圧力を0.8Paから2.5Paに増加させるに従い、図4に示すように左チャンバーからの右チャンバーへの流入が減り、アルゴンガスの圧力が2Pa以上でこの流入が1/10以下に大幅に抑止できていることが明らかになった。
これは、図3のグラフで酸素30sccmの条件と同じ条件で、実験を開始したことになる。
その後ミドルチャンバーに流すアルゴンガス流量を増加させ、ミドルチャンバーの圧力を0.8Paから2.5Paに増加させるに従い、図4に示すように左チャンバーからの右チャンバーへの流入が減り、アルゴンガスの圧力が2Pa以上でこの流入が1/10以下に大幅に抑止できていることが明らかになった。
左チャンバーに酸素を30sccm流しオリフィス制御で2Paとする、右チャンバーにアルゴンを30sccm流し、0.8Paとなるように制御しながら、ミドルチャンバーに1.5から4.5Paとなるようにアルゴンを流した場合の、右チャンバーの酸素分圧を調べた結果を図5に示す。
可動部の回転の有無にかかわらず、ミドルチャンバーのアルゴン圧力を高めることにより、左チャンバーからの右チャンバーへの流入を大幅に抑止できていることが明らかになった。
可動部の回転の有無にかかわらず、ミドルチャンバーのアルゴン圧力を高めることにより、左チャンバーからの右チャンバーへの流入を大幅に抑止できていることが明らかになった。
本装置を用いると、従来の膜では実現できなかった組み合わせでナノコンポジット膜が製造可能であるため、たとえば1000℃を超える超耐熱性を有する耐酸化性硬質保護膜や700℃以下で動作する高性能固体電解質膜を実現できる可能性がある。
また、磁性膜や半導体膜の分野でも研究対象となりうる材料の組み合わせが拡大できる。
また、磁性膜や半導体膜の分野でも研究対象となりうる材料の組み合わせが拡大できる。
11 第1チャンバー(Right Chamber)
11a ターゲット保持部
11b ターゲット
12 第2チャンバー(Left Chamber)
12a ターゲット保持部
12b ターゲット
13 可動部配置室[空間部(S)]
14 可動部
16 隔壁
11a ターゲット保持部
11b ターゲット
12 第2チャンバー(Left Chamber)
12a ターゲット保持部
12b ターゲット
13 可動部配置室[空間部(S)]
14 可動部
16 隔壁
Claims (2)
- 成膜が可能なチャンバーを複数配置し、
前記各チャンバーを横切るように回転又は移動する可動部を有し、
前記可動部は前記各チャンバーと所定の隙間を介して連通する共通の空間部(S)内に配置してあり、
前記空間部(S)内は前記各チャンバーに共通するガスを用いて前記いずれのチャンバー内のガス圧よりも高く設定してあることを特徴とする複合化膜の成膜装置。 - 前記各チャンバー内でガス圧又は/及びガス混合成分が異なることを特徴とする請求項1記載の複合化膜の成膜装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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JP (1) | JP2016108602A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190128976A (ko) | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 전자 부품의 제조 방법 |
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2014
- 2014-12-05 JP JP2014246372A patent/JP2016108602A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20190128976A (ko) | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 전자 부품의 제조 방법 |
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