JP2016106445A - Lc filter elemental body and lc filter - Google Patents

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博志 増田
Hiroshi Masuda
博志 増田
松井 則文
Noribumi Matsui
則文 松井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the design cost of more than one kind of LC filters differing from each other in the property of attenuation by a trap circuit.SOLUTION: An LC filter elemental body 100 of the present invention comprises: a ceramic laminate 10 arranged by laminating ceramic layers 11, 21, 31, 41 and 51; an LC filter circuit formed in the ceramic laminate 10; and an input terminal IN, an output terminal OUT and a ground terminal GND which are formed on the surface of the ceramic laminate 10. In the LC filter elemental body, trap circuits are connected to the LC filter circuit; and mounting electrodes 54a-54d for mounting external surface mount parts 91 and 92 used as at least part of inductors and capacitors included in the trap circuits are formed on the surface of the ceramic laminate 10. An LC filter is formed by mounting the external surface mount parts 91 and 92 on the mounting electrodes 54a-54d.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、トラップ回路が接続されたLCフィルタ回路を実現するための、セラミック積層体を備えたLCフィルタ素体およびLCフィルタに関する。   The present invention relates to an LC filter element body including a ceramic laminate and an LC filter for realizing an LC filter circuit to which a trap circuit is connected.

従来から、移動体通信機器等の電子機器において、LCフィルタが、特定の周波数帯の信号を通過させる電子部品として広く使用されている。電極パターンおよびセラミック層を積層してなるセラミック積層体でLCフィルタ回路を構成することにより、小型のLCフィルタが実現されている。   Conventionally, in electronic devices such as mobile communication devices, LC filters have been widely used as electronic components that allow signals in a specific frequency band to pass. A small LC filter is realized by configuring an LC filter circuit with a ceramic laminate formed by laminating an electrode pattern and a ceramic layer.

上記のセラミック積層体を備えたLCフィルタにおいては、用途に応じて、種々の通過特性や減衰特性を備えることが求められている。特に、似た特性を備えた仕様違いのバリエーションを実現するために、減衰特性を変更することがよくある。   In the LC filter provided with the above ceramic laminate, it is required to have various pass characteristics and attenuation characteristics depending on the application. In particular, the attenuation characteristic is often changed in order to realize a variation of a specification with a similar characteristic.

LCフィルタの減衰特性を設計する1つの方法として、例えば特許文献1(特許第3702767号)に示すようにLCフィルタ回路にトラップ回路を内蔵させ、当該トラップ回路の減衰特性(トラップ周波数、減衰量等)を変更する方法がある。通過特性の変更は周波数変更だけでなくリターンロスの調整も必要で簡単ではないのに対して、トラップ回路の減衰特性は比較的簡単に変更できる。   As one method for designing the attenuation characteristic of the LC filter, for example, as shown in Patent Document 1 (Japanese Patent No. 3702767), a trap circuit is built in the LC filter circuit, and the attenuation characteristic of the trap circuit (trap frequency, attenuation amount, etc.) ) There is a way to change. While changing the pass characteristic requires not only changing the frequency but also adjusting the return loss, it is not easy, but the attenuation characteristic of the trap circuit can be changed relatively easily.

特許第3702767号Japanese Patent No. 3702767

しかしながら、特許文献1に開示されているような従来のLCフィルタにおいて、トラップ回路の減衰特性を変更するためには、個々のLCフィルタごとに、トラップ回路を構成するセラミック積層体の内部の電極パターンの形状等を変更しなければならず、LCフィルタの設計コストが高くなってしまうという問題があった。   However, in the conventional LC filter as disclosed in Patent Document 1, in order to change the attenuation characteristic of the trap circuit, the electrode pattern inside the ceramic laminate constituting the trap circuit is changed for each LC filter. Therefore, there is a problem that the design cost of the LC filter becomes high.

本発明の目的は、トラップ回路による減衰特性が異なる、複数の種類のLCフィルタの設計コストを低減することである。   An object of the present invention is to reduce the design cost of a plurality of types of LC filters having different attenuation characteristics due to a trap circuit.

本発明は、LCフィルタ素体および、当該LCフィルタ素体を使用するLCフィルタに向けられる。   The present invention is directed to an LC filter element body and an LC filter using the LC filter element body.

本発明のLCフィルタ素体は、複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部に形成されたLCフィルタ回路と、前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端子と、を備え、前記LCフィルタ回路にトラップ回路が接続され、前記トラップ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの少なくとも一部として使用される外付けの表面実装部品を実装するための実装用電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されていることを特徴としている。   The LC filter element body of the present invention includes a ceramic laminate in which a plurality of ceramic layers are laminated, an LC filter circuit formed in the ceramic laminate, and an input terminal formed on the surface of the ceramic laminate. A trap circuit connected to the LC filter circuit, and an external surface mount component used as at least a part of an inductor and a capacitor constituting the trap circuit. The mounting electrode is formed on the surface of the ceramic laminate.

本発明のLCフィルタは、前記LCフィルタ素体の前記実装用電極に、前記外付けの表面実装部品が実装されていることを特徴としている。   The LC filter of the present invention is characterized in that the external surface mount component is mounted on the mounting electrode of the LC filter element body.

また、本発明の別のLCフィルタ素体は、複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部に形成されたLCフィルタ回路と、前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端子と、を備え、基板に実装して使用するためのLCフィルタ素体であって、前記LCフィルタ回路にトラップ回路が接続され、前記トラップ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの一部が、前記セラミック積層体の内部に形成され、前記トラップ回路を構成する、前記セラミック積層体の内部に形成されていない残りの、前記基板に実装される外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方と電気的に接続するための中継電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されていることを特徴としている。   Further, another LC filter element body of the present invention is formed on a ceramic laminate in which a plurality of ceramic layers are laminated, an LC filter circuit formed inside the ceramic laminate, and a surface of the ceramic laminate. And an input terminal, an output terminal, and a ground terminal. The LC filter element is mounted on a substrate for use, and a trap circuit is connected to the LC filter circuit to form the trap circuit. A part of the inductor and the capacitor are formed inside the ceramic laminate, and constitute the trap circuit. The remaining external inductor mounted on the substrate and not formed in the ceramic laminate, and A relay electrode for electrically connecting to at least one of the capacitors is formed on the surface of the ceramic laminate. It is a symptom.

本発明の別のLCフィルタは、基板と、前記基板に実装された、前記LCフィルタ素体と、前記基板に実装された前記外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方と、を備え、前記中継電極に、前記外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方が電気的に接続され、前記外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方と、前記セラミック積層体の内部に形成された前記インダクタおよび前記コンデンサの一部とにより、前記トラップ回路を構成していることを特徴としている。   Another LC filter of the present invention includes a substrate, the LC filter element body mounted on the substrate, and at least one of the external inductor and capacitor mounted on the substrate, and the relay electrode And at least one of the external inductor and the capacitor is electrically connected, at least one of the external inductor and the capacitor, and the inductor and a part of the capacitor formed inside the ceramic laminate. Thus, the trap circuit is configured.

本発明によれば、上述した、トラップ回路の一部となる表面実装部品の種類を選択するだけで、トラップ回路による様々な減衰特性を備えたLCフィルタを得ることができるため、LCフィルタの設計コストを低減することができる。すなわち、所定のLCフィルタ素体を設計することのみで、様々な種類のLCフィルタを設計することができる。   According to the present invention, the LC filter having various attenuation characteristics by the trap circuit can be obtained only by selecting the type of the surface-mounted component that becomes a part of the trap circuit described above. Cost can be reduced. That is, various types of LC filters can be designed only by designing a predetermined LC filter element body.

図1(A)は、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100の分解斜視図である。図1(B)は、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100の外観斜視図である。FIG. 1A is an exploded perspective view of the LC filter element body 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1B is an external perspective view of the LC filter element body 100 according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100の等価回路である。FIG. 2 is an equivalent circuit of the LC filter element body 100 according to the first embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ1100の外観斜視図である。FIG. 3 is an external perspective view of the LC filter 1100 according to the first embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ1100の等価回路である。FIG. 4 is an equivalent circuit of the LC filter 1100 according to the first embodiment of the present invention. 図5は、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ1100の通過特性を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing pass characteristics of the LC filter 1100 according to the first embodiment of the present invention. 図6(A)は、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ素体200の分解斜視図である。図6(B)は、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ素体200の外観斜視図である。FIG. 6A is an exploded perspective view of an LC filter element body 200 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6B is an external perspective view of the LC filter element body 200 according to the second embodiment of the present invention. 図7は、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ素体200の等価回路である。FIG. 7 is an equivalent circuit of an LC filter element body 200 according to the second embodiment of the present invention. 図8は、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ1200の外観斜視図である。FIG. 8 is an external perspective view of an LC filter 1200 according to the second embodiment of the present invention. 図9は、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ1200の等価回路である。FIG. 9 is an equivalent circuit of the LC filter 1200 according to the second embodiment of the present invention. 図10は、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ1200の通過特性を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing pass characteristics of the LC filter 1200 according to the second embodiment of the present invention.

(第1の実施形態)
以下、図面とともに、本発明の第1の実施形態について説明する。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図1(A)、図1(B)、図2に、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100を示す。ただし、図1(A)は、LCフィルタ素体100の分解斜視図を、図1(B)は、LCフィルタ素体100の外観斜視図を、図2は、LCフィルタ素体100の等価回路を示している。   1A, 1B, and 2 show an LC filter element body 100 according to a first embodiment of the present invention. 1A is an exploded perspective view of the LC filter element body 100, FIG. 1B is an external perspective view of the LC filter element body 100, and FIG. 2 is an equivalent circuit of the LC filter element body 100. Is shown.

また、図3、図4に、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ1100を示す。ただし、図3は、LCフィルタ1100の外観斜視図を、図4は、LCフィルタ1100の等価回路を示している。   3 and 4 show an LC filter 1100 according to the first embodiment of the present invention. 3 shows an external perspective view of the LC filter 1100, and FIG. 4 shows an equivalent circuit of the LC filter 1100.

後述するように、LCフィルタ素体100の実装用電極に表面実装部品を実装することにより、LCフィルタ1100が構成される。なお、LCフィルタ1100は、バンドパスフィルタである。   As will be described later, the LC filter 1100 is configured by mounting surface-mounted components on the mounting electrodes of the LC filter element body 100. The LC filter 1100 is a band pass filter.

LCフィルタ素体100は、図1(A)に示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体10を備えている。セラミック積層体10の材質は特に限定されないが、例えば、チタン酸バリウムを用いることができる。   As shown in FIG. 1A, the LC filter element body 100 includes a ceramic laminated body 10 including a plurality of ceramic layers. Although the material of the ceramic laminated body 10 is not specifically limited, For example, barium titanate can be used.

セラミック積層体10は、5つのセラミック層11、21、31、41、51が、下から順に積層された構造からなる。   The ceramic laminate 10 has a structure in which five ceramic layers 11, 21, 31, 41, 51 are laminated in order from the bottom.

セラミック層11の表面には、矩形の内部電極12が形成されている。内部電極12は、セラミック層11の対向する2つの長辺から積層体10の外部に引き出されている。   A rectangular internal electrode 12 is formed on the surface of the ceramic layer 11. The internal electrode 12 is drawn out of the laminated body 10 from two opposing long sides of the ceramic layer 11.

セラミック層21の表面には、2つの矩形の内部電極22a、22bが形成されている。また、セラミック層21を貫通して、2つのビア電極23a、23bが形成されている。ビア電極23a、23bはそれぞれ、内部電極12と導通している。   Two rectangular internal electrodes 22 a and 22 b are formed on the surface of the ceramic layer 21. Further, two via electrodes 23 a and 23 b are formed through the ceramic layer 21. The via electrodes 23a and 23b are electrically connected to the internal electrode 12, respectively.

セラミック層31の表面には、2つの内部電極32a、32bが形成されている。2つの内部電極32a、32bはそれぞれ、セラミック層31の対向する2つの短辺から、積層体10の外部に引き出されている。また、セラミック層31を貫通して、6つのビア電極33a、33b、33c、33d、33e、33fが形成されている。ビア電極33aは、ビア電極23aと導通している。ビア電極33bは、ビア電極23bと導通している。ビア電極33c、33dはそれぞれ、内部電極22bと導通している。ビア電極33e、33fはそれぞれ、内部電極22aと導通している。   Two internal electrodes 32 a and 32 b are formed on the surface of the ceramic layer 31. The two internal electrodes 32 a and 32 b are each drawn out of the laminated body 10 from two opposing short sides of the ceramic layer 31. Further, six via electrodes 33a, 33b, 33c, 33d, 33e, and 33f are formed through the ceramic layer 31. The via electrode 33a is electrically connected to the via electrode 23a. The via electrode 33b is electrically connected to the via electrode 23b. The via electrodes 33c and 33d are electrically connected to the internal electrode 22b. The via electrodes 33e and 33f are electrically connected to the internal electrode 22a.

セラミック層41の表面には、2つの長方形の内部電極42a、42bが形成されている。また、セラミック層41を貫通して、8つのビア電極43a、43b、43c、43d、43e、43f、43g、43hが形成されている。ビア電極43aは、内部電極32aと導通している。ビア電極43bの一端は内部電極42aと導通し、他端はビア電極33aと導通している。ビア電極43cの一端は内部電極42bと導通し、他端はビア電極33bと導通している。ビア電極43dの一端は、内部電極32bと導通している。ビア電極43eの一端は、ビア電極33cと導通している。ビア電極43fの一端は内部電極42bの他端と導通し、他端はビア電極33dと導通している。ビア電極43gの一端は内部電極42aの他端と導通し、他端はビア電極33eと導通している。ビア電極43hは、ビア電極33fと導通している。   Two rectangular internal electrodes 42 a and 42 b are formed on the surface of the ceramic layer 41. Further, eight via electrodes 43a, 43b, 43c, 43d, 43e, 43f, 43g, and 43h are formed through the ceramic layer 41. The via electrode 43a is electrically connected to the internal electrode 32a. One end of the via electrode 43b is electrically connected to the internal electrode 42a, and the other end is electrically connected to the via electrode 33a. One end of the via electrode 43c is electrically connected to the internal electrode 42b, and the other end is electrically connected to the via electrode 33b. One end of the via electrode 43d is electrically connected to the internal electrode 32b. One end of the via electrode 43e is electrically connected to the via electrode 33c. One end of the via electrode 43f is electrically connected to the other end of the internal electrode 42b, and the other end is electrically connected to the via electrode 33d. One end of the via electrode 43g is electrically connected to the other end of the internal electrode 42a, and the other end is electrically connected to the via electrode 33e. The via electrode 43h is electrically connected to the via electrode 33f.

セラミック層51の表面には、4つの矩形の実装用電極54a、54b、54c、54dが形成されている。また、セラミック層51を貫通して、4つのビア電極53a、53b、53c、53dが形成されている。ビア電極53aの一端はビア電極43aと導通し、他端は実装用電極54aと導通している。ビア電極53bの一端はビア電極43dと導通し、他端は実装用電極54bと導通している。ビア電極53cの一端はビア電極43eと導通し、他端は実装用電極54cと導通している。ビア電極53dの一端はビア電極43hと導通し、他端は実装用電極54dと導通している。   Four rectangular mounting electrodes 54 a, 54 b, 54 c, 54 d are formed on the surface of the ceramic layer 51. Further, four via electrodes 53a, 53b, 53c, and 53d are formed through the ceramic layer 51. One end of the via electrode 53a is electrically connected to the via electrode 43a, and the other end is electrically connected to the mounting electrode 54a. One end of the via electrode 53b is electrically connected to the via electrode 43d, and the other end is electrically connected to the mounting electrode 54b. One end of the via electrode 53c is electrically connected to the via electrode 43e, and the other end is electrically connected to the mounting electrode 54c. One end of the via electrode 53d is electrically connected to the via electrode 43h, and the other end is electrically connected to the mounting electrode 54d.

セラミック積層体10の対向する短辺側の側面には、図1(B)に示すように、入力端子INおよび出力端子OUTが形成されている。ただし、入力端子INは、セラミック積層体10に隠れており図示されていない。入力端子INは内部電極32aに接続され、出力端子OUTは内部電極32bに接続されている。   As shown in FIG. 1B, an input terminal IN and an output terminal OUT are formed on the opposing short side surface of the ceramic laminate 10. However, the input terminal IN is hidden in the ceramic laminate 10 and is not shown. The input terminal IN is connected to the internal electrode 32a, and the output terminal OUT is connected to the internal electrode 32b.

セラミック積層体10の別の対向する長辺側の側面には、1対のグランド端子GNDが形成されている。ただし、1対のグランド端子GNDの一方は、セラミック積層体10に隠れており図示されていない。1対のグランド端子GNDはそれぞれ、内部電極12に接続されている。   A pair of ground terminals GND is formed on the side surface of the ceramic laminate 10 on the opposite long side. However, one of the pair of ground terminals GND is hidden in the ceramic laminate 10 and is not shown. The pair of ground terminals GND are connected to the internal electrode 12, respectively.

内部電極12、22a、22b、32a、32b、42a、42b、ビア電極23a、23b、33a〜33f、43a〜43h、53a〜53d、実装用電極54a〜54d、入力端子IN、出力端子OUT、グランド端子GNDの材質は特に限定されないが、例えば、Cuを含む導体ペーストなどを用いることができる。   Internal electrodes 12, 22a, 22b, 32a, 32b, 42a, 42b, via electrodes 23a, 23b, 33a-33f, 43a-43h, 53a-53d, mounting electrodes 54a-54d, input terminal IN, output terminal OUT, ground The material of the terminal GND is not particularly limited, but for example, a conductor paste containing Cu can be used.

以上の構造からなるLCフィルタ素体100は、図2に示す等価回路からなる。   The LC filter element body 100 having the above structure includes an equivalent circuit shown in FIG.

LCフィルタ素体100においては、入力端子INとグランド端子GNDとの間に、インダクタL7とコンデンサC3が並列に接続されたLC共振回路Q1が挿入されている。インダクタL7は、主に、内部電極22aから、ビア電極33e、ビア電極43g、内部電極42a、ビア電極43b、ビア電極33a、ビア電極23aを経由して内部電極12に至るループ状の経路により形成されている。コンデンサC3は、主に、セラミック層21を挟んで内部電極22aと内部電極12との間で形成される容量からなる。   In the LC filter element body 100, an LC resonance circuit Q1 in which an inductor L7 and a capacitor C3 are connected in parallel is inserted between an input terminal IN and a ground terminal GND. The inductor L7 is mainly formed by a loop-shaped path from the internal electrode 22a to the internal electrode 12 via the via electrode 33e, the via electrode 43g, the internal electrode 42a, the via electrode 43b, the via electrode 33a, and the via electrode 23a. Has been. The capacitor C3 mainly includes a capacitance formed between the internal electrode 22a and the internal electrode 12 with the ceramic layer 21 interposed therebetween.

出力端子OUTとグランド端子GNDとの間に、インダクタL8とコンデンサC4が並列に接続されたLC共振回路Q2が挿入されている。インダクタL8は、主に、内部電極22bから、ビア電極33d、ビア電極43f、内部電極42b、ビア電極43c、ビア電極33b、ビア電極23bを経由して内部電極12に至る経路により形成されている。コンデンサC4は、主に、セラミック層21を挟んで内部電極22bと内部電極12との間で形成される容量からなる。   An LC resonance circuit Q2 in which an inductor L8 and a capacitor C4 are connected in parallel is inserted between the output terminal OUT and the ground terminal GND. The inductor L8 is mainly formed by a path from the internal electrode 22b to the internal electrode 12 via the via electrode 33d, the via electrode 43f, the internal electrode 42b, the via electrode 43c, the via electrode 33b, and the via electrode 23b. . The capacitor C4 mainly includes a capacitance formed between the internal electrode 22b and the internal electrode 12 with the ceramic layer 21 interposed therebetween.

インダクタL7とインダクタL8との間には、相互インダクタンスMが形成され、LC共振回路Q1およびLC共振回路Q2が電磁気的に結合されている。   A mutual inductance M is formed between the inductor L7 and the inductor L8, and the LC resonance circuit Q1 and the LC resonance circuit Q2 are electromagnetically coupled.

入力端子INとLC共振回路Q1との間には、トラップ回路の一部を構成するコンデンサC1およびインダクタL1、L3が接続されている。コンデンサC1は、主に、セラミック層31を挟んで内部電極22aと内部電極32aとの間で形成される容量からなる。インダクタL1は、主に、内部電極32aから、ビア電極43a、ビア電極53aを経由して実装用電極54aに至る経路により形成されている。インダクタL3は、主に、実装用電極54dから、ビア電極53d、ビア電極43h、ビア電極33fを経由して内部電極22aに至る経路により形成されている。   A capacitor C1 and inductors L1 and L3 constituting a part of the trap circuit are connected between the input terminal IN and the LC resonance circuit Q1. The capacitor C1 is mainly composed of a capacitance formed between the internal electrode 22a and the internal electrode 32a with the ceramic layer 31 interposed therebetween. The inductor L1 is mainly formed by a path from the internal electrode 32a to the mounting electrode 54a via the via electrode 43a and the via electrode 53a. The inductor L3 is mainly formed by a path from the mounting electrode 54d to the internal electrode 22a via the via electrode 53d, the via electrode 43h, and the via electrode 33f.

出力端子OUTとLC共振回路Q2との間には、トラップ回路の一部を構成するコンデンサC2およびインダクタL4、L6が接続されている。コンデンサC2は、主に、セラミック層31を挟んで内部電極22bと内部電極32bとの間で形成される容量からなる。インダクタL4は、主に、実装用電極54cから、ビア電極53c、ビア電極43e、ビア電極33cを経由して内部電極22bに至る経路により形成されている。インダクタL6は、主に、内部電極32bから、ビア電極43d、ビア電極53bを経由して実装用電極54bに至る経路により形成されている。   A capacitor C2 and inductors L4 and L6 constituting a part of the trap circuit are connected between the output terminal OUT and the LC resonance circuit Q2. The capacitor C2 is mainly composed of a capacitance formed between the internal electrode 22b and the internal electrode 32b with the ceramic layer 31 interposed therebetween. The inductor L4 is mainly formed by a path from the mounting electrode 54c to the internal electrode 22b via the via electrode 53c, the via electrode 43e, and the via electrode 33c. The inductor L6 is mainly formed by a path from the internal electrode 32b to the mounting electrode 54b via the via electrode 43d and the via electrode 53b.

インダクタL1の一端である実装用電極54aとインダクタL3の一端である実装用電極54dとは、それぞれ開放端となっている。また、インダクタL4の一端である実装用電極54cと、インダクタL6の一端である実装用電極54bも同様に、開放端となっている。   The mounting electrode 54a that is one end of the inductor L1 and the mounting electrode 54d that is one end of the inductor L3 are open ends. Similarly, the mounting electrode 54c which is one end of the inductor L4 and the mounting electrode 54b which is one end of the inductor L6 are open ends.

次に、上述したLCフィルタ素体100の実装用電極に、外付けの表面実装部品を実装することにより、LCフィルタ1100を構成する方法について説明する。   Next, a method for configuring the LC filter 1100 by mounting an external surface mount component on the mounting electrode of the LC filter element body 100 described above will be described.

外付けの表面実装部品91は、両端に端子電極91a、91bが形成されたチップインダクタである。また、外付けの表面実装部品92は、両端に端子電極91c、91dが形成されたチップインダクタである。   The external surface mount component 91 is a chip inductor in which terminal electrodes 91a and 91b are formed at both ends. The external surface mount component 92 is a chip inductor having terminal electrodes 91c and 91d formed at both ends.

LCフィルタ素体100の実装用電極54a、54dに、図3に示すように、外付けの表面実装部品91を実装する。また、実装用電極54b、54cに、図3に示すように、外付けの表面実装部品92を実装する。なお、表面実装部品91の両端の端子電極91a、91bは、実装用電極54a、54dに、それぞれはんだ付けされている。また、表面実装部品92の両端の端子電極92c、92dは、実装用電極54b、54cに、それぞれはんだ付けされている。ただし、図3においては、接合部分の詳細図示を省略している。   As shown in FIG. 3, an external surface mounting component 91 is mounted on the mounting electrodes 54 a and 54 d of the LC filter element body 100. Further, as shown in FIG. 3, an external surface mounting component 92 is mounted on the mounting electrodes 54b and 54c. The terminal electrodes 91a and 91b at both ends of the surface mount component 91 are soldered to the mounting electrodes 54a and 54d, respectively. Further, the terminal electrodes 92c and 92d at both ends of the surface mounting component 92 are soldered to the mounting electrodes 54b and 54c, respectively. However, in FIG. 3, detailed illustration of the joint portion is omitted.

以上の実装の結果、図4に示すように、LCフィルタ回路には、インダクタL1、L2、L3およびコンデンサC1からなるトラップ回路T1と、インダクタL4、L5、L6およびコンデンサC2からなるトラップ回路T2が接続されていることになる。異なるインダクタンスを有するチップインダクタ91,92を選択することでトラップ回路T1,T2の減衰特性を調整できる。   As a result of the above mounting, as shown in FIG. 4, the LC filter circuit includes a trap circuit T1 including inductors L1, L2, L3 and a capacitor C1, and a trap circuit T2 including inductors L4, L5, L6 and a capacitor C2. Will be connected. By selecting the chip inductors 91 and 92 having different inductances, the attenuation characteristics of the trap circuits T1 and T2 can be adjusted.

本発明によれば、上述した、トラップ回路の一部となる表面実装部品の種類を選択するだけで、トラップ回路による様々な減衰特性を備えたLCフィルタを得ることができるため、LCフィルタの設計コストを低減することができる。すなわち、所定のLCフィルタ素体を設計することのみで、様々な種類のLCフィルタを設計することができる。   According to the present invention, the LC filter having various attenuation characteristics by the trap circuit can be obtained only by selecting the type of the surface-mounted component that becomes a part of the trap circuit described above. Cost can be reduced. That is, various types of LC filters can be designed only by designing a predetermined LC filter element body.

なお、本実施形態では表面実装部品91、92にチップインダクタを用いたが、表面実装部品91、92にチップコンデンサを用いて、トラップ回路T1、T2の減衰特性を調整するようにしてもよい。   In this embodiment, chip inductors are used for the surface mount components 91 and 92. However, the attenuation characteristics of the trap circuits T1 and T2 may be adjusted using chip capacitors for the surface mount components 91 and 92.

次に、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100の製造方法の一例について説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the LC filter element body 100 according to the first embodiment of the present invention will be described.

まず、セラミック層11、21、31、41、51を形成するためのセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートは、従来からセラミック積層電子部品の製造工程において広く用いられている公知の方法により製造することができる。   First, a ceramic green sheet for forming the ceramic layers 11, 21, 31, 41, 51 is prepared. The ceramic green sheet can be produced by a known method that has been widely used in the production process of ceramic multilayer electronic components.

次に、セラミックグリーンシートに、ビア電極23a、23b、33a〜33f、43a〜43h、53a〜53dを形成するための孔を形成する。孔は、パンチングや、レーザ光の照射等により形成することができる。   Next, holes for forming the via electrodes 23a, 23b, 33a to 33f, 43a to 43h, and 53a to 53d are formed in the ceramic green sheet. The holes can be formed by punching, laser light irradiation, or the like.

次に、セラミックグリーンシートの表面にそれぞれ、所望の形状に導電性ペーストを塗布して、内部電極12、22a、22b、32a、32b、42a、42bおよび実装用電極54a〜54dを形成する。このとき、同時に、ビア電極を形成するための孔にも導電性ペーストを充填し、ビア電極23a、23b、33a〜33f、43a〜43h、53a〜53dを形成する。   Next, a conductive paste is applied to the surface of the ceramic green sheet in a desired shape to form the internal electrodes 12, 22a, 22b, 32a, 32b, 42a, 42b and the mounting electrodes 54a to 54d. At the same time, the holes for forming the via electrodes are filled with the conductive paste to form the via electrodes 23a, 23b, 33a to 33f, 43a to 43h, and 53a to 53d.

次に、下から順番に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着して、未焼成のセラミック積層体10を作製する。   Next, in order from the bottom, ceramic green sheets are laminated and pressure-bonded to produce an unfired ceramic laminate 10.

次に、セラミック積層体10の表面に、導電性ペーストを所定の形状に塗布して、入力端子IN、出力端子OUT、グランド端子GNDを形成する。   Next, a conductive paste is applied in a predetermined shape on the surface of the ceramic laminate 10 to form the input terminal IN, the output terminal OUT, and the ground terminal GND.

次に、未焼成のセラミック積層体10を、所定のプロファイルで焼成して、セラミック積層体10を作製する。   Next, the unfired ceramic laminate 10 is fired with a predetermined profile to produce the ceramic laminate 10.

このような方法で本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100を完成させる。   With this method, the LC filter element body 100 according to the first embodiment of the present invention is completed.

第1実験例First experimental example

本発明の有効性を確認するために、次のシミュレーションによる実験を行った。   In order to confirm the effectiveness of the present invention, the following simulation experiment was performed.

まず、上述した本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ1100を想定し、実験例1として通過特性をシミュレーションした。次に、実験例1における表面実装部品91(チップインダクタ)および表面実装部品92(チップインダクタ)それぞれのインダクタンスの値のみを変化させたLCフィルタ1100を想定し、実験例2として通過特性をシミュレーションした。   First, assuming the LC filter 1100 according to the first embodiment of the present invention described above, the pass characteristic was simulated as Experimental Example 1. Next, assuming the LC filter 1100 in which only the inductance values of the surface-mounted component 91 (chip inductor) and the surface-mounted component 92 (chip inductor) in Experimental Example 1 are changed, passing characteristics are simulated as Experimental Example 2. .

図5に、上記のシミュレーションにより得られたLCフィルタ1100の通過特性を示す。実線は実験例1の通過特性に、破線は実験例2の通過特性に対応している。   FIG. 5 shows the pass characteristics of the LC filter 1100 obtained by the above simulation. The solid line corresponds to the pass characteristic of Experimental Example 1, and the broken line corresponds to the pass characteristic of Experimental Example 2.

図5から分かるように、実験例1および実験例2はそれぞれ、通過帯域より高周波側である5GHz付近において、トラップ回路T1、T2による2つの減衰極ができている。また、実験例1と実験例2を比較すると、インダクタンス成分の値が異なる表面実装部品91、92を実装することにより、トラップ回路T1、T2による2つの減衰極の周波数を変化させることができていることが分かる。   As can be seen from FIG. 5, Experimental Example 1 and Experimental Example 2 each have two attenuation poles due to the trap circuits T <b> 1 and T <b> 2 in the vicinity of 5 GHz, which is on the higher frequency side than the passband. Further, comparing Experimental Example 1 and Experimental Example 2, it is possible to change the frequencies of the two attenuation poles by the trap circuits T1 and T2 by mounting the surface mounting components 91 and 92 having different inductance components. I understand that.

実験例では、2種類のLCフィルタを作製したが、実装する表面実装部品の種類をさらに増やすことによって、より多くの種類のLCフィルタを、設計コストの負担を少なく、得ることができる。   In the experimental example, two types of LC filters were produced, but by further increasing the types of surface-mounted components to be mounted, more types of LC filters can be obtained with less design cost burden.

以上、本発明の第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100およびLCフィルタ1100の構造、その製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明のLCフィルタ素体およびLCフィルタがこれらの内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。   The structure of the LC filter element body 100 and the LC filter 1100 according to the first embodiment of the present invention and an example of the manufacturing method thereof have been described above. However, the LC filter element body and the LC filter of the present invention are not limited to these contents, and various modifications can be made in accordance with the spirit of the invention.

例えば、LCフィルタ素体100では、トラップ回路T1を構成するインダクタの一部を表面実装部品91で構成し、トラップ回路T2を構成するインダクタの一部を表面実装部品92で構成しているが、トラップ回路を構成するインダクタ全てを表面実装部品で構成しても良い。すなわち、セラミック積層体の内部には、トラップ回路本体が形成されていなくても良い。   For example, in the LC filter element body 100, a part of the inductor constituting the trap circuit T1 is constituted by the surface mount component 91, and a part of the inductor constituting the trap circuit T2 is constituted by the surface mount component 92. All the inductors constituting the trap circuit may be constituted by surface mount components. That is, the trap circuit main body does not have to be formed inside the ceramic laminate.

また、表面実装部品91、92の種類、構造等も任意であり、積層型のチップインダクタであっても良いし、あるいは、巻線型のチップインダクタであっても良い。
(第2の実施形態)
以下、図面とともに、本発明の第2の実施形態について説明する。
Further, the type and structure of the surface mount components 91 and 92 are arbitrary, and may be a multilayer chip inductor or a wound chip inductor.
(Second Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図6(A)、図6(B)、図7に、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ素体200を示す。ただし、図6(A)は、LCフィルタ素体200の分解斜視図を、図6(B)は、LCフィルタ素体200の外観斜視図を、図7は、LCフィルタ素体200の等価回路を示している。   FIGS. 6A, 6B, and 7 show an LC filter element body 200 according to the second embodiment of the present invention. 6A is an exploded perspective view of the LC filter element body 200, FIG. 6B is an external perspective view of the LC filter element body 200, and FIG. 7 is an equivalent circuit of the LC filter element body 200. Is shown.

また、図8、図9に、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ1200を示す。ただし、図8は、LCフィルタ1200の外観斜視図を、図9は、LCフィルタ1200の等価回路を示している。   8 and 9 show an LC filter 1200 according to the second embodiment of the present invention. 8 is an external perspective view of the LC filter 1200, and FIG. 9 is an equivalent circuit of the LC filter 1200.

後述するように、LCフィルタ素体200を基板上に実装することにより、LCフィルタ1200が構成される。なお、LCフィルタ1200は、ハイパスフィルタである。   As will be described later, the LC filter 1200 is configured by mounting the LC filter element body 200 on a substrate. The LC filter 1200 is a high pass filter.

LCフィルタ素体200は、図6(A)に示すように、複数のセラミック層からなるセラミック積層体10を備えている。セラミック積層体10は、8つのセラミック層11、21、31、41、51、61、71、81が、下から順に積層された構造からなる。   As shown in FIG. 6A, the LC filter element body 200 includes a ceramic laminate 10 composed of a plurality of ceramic layers. The ceramic laminate 10 has a structure in which eight ceramic layers 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81 are laminated in order from the bottom.

セラミック層11の表面には、矩形の内部電極12が形成されている。内部電極12は、セラミック層11の対向する2つの長辺から積層体10の外部に引き出されている。   A rectangular internal electrode 12 is formed on the surface of the ceramic layer 11. The internal electrode 12 is drawn out of the laminated body 10 from two opposing long sides of the ceramic layer 11.

セラミック層21の表面には、2つの矩形の内部電極22a、22bが形成されている。内部電極22a、22bはそれぞれ、セラミック層21の1つの長辺からセラミック積層体10の外部に引き出されている。   Two rectangular internal electrodes 22 a and 22 b are formed on the surface of the ceramic layer 21. Each of the internal electrodes 22 a and 22 b is led out of the ceramic laminate 10 from one long side of the ceramic layer 21.

セラミック層31の表面には、2つの矩形の内部電極32a、32bおよび、飛び結合用電極35が形成されている。内部電極32a、32bはそれぞれ、セラミック層31の対向する2つの短辺から、セラミック積層体10の外部に引き出されている。また、セラミック層31を貫通して、2つのビア電極33a、33bが形成されている。ビア電極33aは、内部電極22aと導通している。ビア電極33bは、内部電極22bと導通している。   Two rectangular internal electrodes 32 a and 32 b and a jump coupling electrode 35 are formed on the surface of the ceramic layer 31. Each of the internal electrodes 32 a and 32 b is led out of the ceramic laminated body 10 from two opposing short sides of the ceramic layer 31. Further, two via electrodes 33a and 33b are formed through the ceramic layer 31. The via electrode 33a is electrically connected to the internal electrode 22a. The via electrode 33b is electrically connected to the internal electrode 22b.

セラミック層41の表面には、2つのH字状の内部電極42a、42bが形成されている。また、セラミック層41を貫通して、2つのビア電極43c、43dが形成されている。ビア電極43cは、ビア電極33bと導通している。ビア電極43dは、ビア電極33aと導通している。   On the surface of the ceramic layer 41, two H-shaped internal electrodes 42a and 42b are formed. Further, two via electrodes 43c and 43d are formed through the ceramic layer 41. The via electrode 43c is electrically connected to the via electrode 33b. The via electrode 43d is electrically connected to the via electrode 33a.

セラミック層51の表面には、2つのコ字状の内部電極52a、52bが形成されている。また、セラミック層51を貫通して、4つのビア電極53a、53b、53c、53dが形成されている。ビア電極53aの一端は内部電極42aの一端と導通し、他端は内部電極52aの一端と導通している。ビア電極53bの一端は内部電極42bの一端と導通し、他端は内部電極52bの一端と導通している。ビア電極53cは、ビア電極43cと導通している。ビア電極53dは、ビア電極43dと導通している。   Two U-shaped internal electrodes 52 a and 52 b are formed on the surface of the ceramic layer 51. Further, four via electrodes 53a, 53b, 53c, and 53d are formed through the ceramic layer 51. One end of the via electrode 53a is electrically connected to one end of the internal electrode 42a, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 52a. One end of the via electrode 53b is electrically connected to one end of the internal electrode 42b, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 52b. The via electrode 53c is electrically connected to the via electrode 43c. The via electrode 53d is electrically connected to the via electrode 43d.

セラミック層61の表面には、2つのコ字状の内部電極62a、62bが形成されている。また、セラミック層61を貫通して、4つのビア電極63a、63b、63c、63dが形成されている。ビア電極63aの一端は内部電極52aの一端と導通し、他端は内部電極62aの一端と導通している。ビア電極63bの一端は内部電極52bの一端と導通し、他端は内部電極62bの一端と導通している。ビア電極63cは、ビア電極53cと導通している。ビア電極63dは、ビア電極53dと導通している。   Two U-shaped internal electrodes 62 a and 62 b are formed on the surface of the ceramic layer 61. Further, four via electrodes 63a, 63b, 63c, and 63d are formed through the ceramic layer 61. One end of the via electrode 63a is electrically connected to one end of the internal electrode 52a, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 62a. One end of the via electrode 63b is electrically connected to one end of the internal electrode 52b, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 62b. The via electrode 63c is electrically connected to the via electrode 53c. The via electrode 63d is electrically connected to the via electrode 53d.

セラミック層71の表面には、2つのコ字状の内部電極72a、72bが形成されている。また、セラミック層71を貫通して、4つのビア電極73a、73b、73c、73dが形成されている。ビア電極73aの一端は内部電極62aの一端と導通し、他端は内部電極72aの一端と導通している。ビア電極73bの一端はビア電極63dの一端と導通し、他端は内部電極72aの一端と導通している。ビア電極73cの一端はビア電極63cと導通し、他端は内部電極72bの一端と導通している。ビア電極73dの一端は内部電極62bの一端と導通し、他端は内部電極72bの一端と導通している。   Two U-shaped internal electrodes 72 a and 72 b are formed on the surface of the ceramic layer 71. Further, four via electrodes 73a, 73b, 73c, and 73d are formed through the ceramic layer 71. One end of the via electrode 73a is electrically connected to one end of the internal electrode 62a, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 72a. One end of the via electrode 73b is electrically connected to one end of the via electrode 63d, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 72a. One end of the via electrode 73c is electrically connected to the via electrode 63c, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 72b. One end of the via electrode 73d is electrically connected to one end of the internal electrode 62b, and the other end is electrically connected to one end of the internal electrode 72b.

セラミック層81の表面には、1つの矩形の識別マークDが形成されている。   A rectangular identification mark D is formed on the surface of the ceramic layer 81.

セラミック積層体10の対向する側面には、図6(B)に示すように、入力端子INおよび出力端子OUTが形成されている。ただし、入力端子INは、セラミック積層体10に隠れており図示されていない。入力端子INは、内部電極32aに接続されている。出力端子OUTは、内部電極32bに接続されている。   As shown in FIG. 6B, an input terminal IN and an output terminal OUT are formed on the opposing side surfaces of the ceramic laminate 10. However, the input terminal IN is hidden in the ceramic laminate 10 and is not shown. The input terminal IN is connected to the internal electrode 32a. The output terminal OUT is connected to the internal electrode 32b.

セラミック積層体10の別の対向する側面には、1対のグランド端子GNDが形成されている。ただし、1対のグランド端子GNDの一方は、セラミック積層体10に隠れており図示されていない。1対のグランド端子GNDはそれぞれ、内部電極12に接続されている。   A pair of ground terminals GND is formed on another opposing side surface of the ceramic laminate 10. However, one of the pair of ground terminals GND is hidden in the ceramic laminate 10 and is not shown. The pair of ground terminals GND are connected to the internal electrode 12, respectively.

セラミック積層体10の別の対向する側面の一方には、2つの中継電極N1、N2が形成されている。中継電極N1は、内部電極22aに接続されている。中継電極N2は、内部電極22bに接続されている。   Two relay electrodes N1 and N2 are formed on one of the opposing side surfaces of the ceramic laminate 10. The relay electrode N1 is connected to the internal electrode 22a. The relay electrode N2 is connected to the internal electrode 22b.

以上の構造からなるLCフィルタ素体200は、図7に示す等価回路からなる。   The LC filter element body 200 having the above structure includes an equivalent circuit shown in FIG.

LCフィルタ素体200においては、入力端子INと出力端子OUTとの間に、3つのコンデンサC1、C2、C3が直列に挿入されている。コンデンサC1は、主に、セラミック層41を挟んで内部電極32aと内部電極42aの一端との間で形成される容量からなる。コンデンサC2は、主に、内部電極42aの一端から飛び結合用電極35を経由して内部電極42bの一端に至る経路で形成される容量からなる。コンデンサC3は、主に、セラミック層41を挟んで内部電極42bの一端と内部電極32bとの間で形成される容量からなる。   In the LC filter element body 200, three capacitors C1, C2, and C3 are inserted in series between the input terminal IN and the output terminal OUT. The capacitor C1 mainly includes a capacitance formed between the internal electrode 32a and one end of the internal electrode 42a with the ceramic layer 41 interposed therebetween. The capacitor C2 mainly includes a capacitance formed by a path from one end of the internal electrode 42a to the one end of the internal electrode 42b via the jump coupling electrode 35. The capacitor C3 mainly includes a capacitance formed between one end of the internal electrode 42b and the internal electrode 32b with the ceramic layer 41 interposed therebetween.

コンデンサC1とコンデンサC2との間の接続点と、グランド端子GNDとの間に、インダクタL1とコンデンサC5が直列に接続されたトラップ回路の一部が挿入されている。インダクタL1は、主に、内部電極42aから、ビア電極53a、内部電極52a、ビア電極63a、内部電極62a、ビア電極73a、内部電極72a、ビア電極73b、ビア電極63d、ビア電極53d、ビア電極43d、ビア電極33aを経由して内部電極22aに至る経路により形成されている。コンデンサC5は、主に、セラミック層21を挟んで内部電極22aと内部電極12との間で形成される容量からなる。   A part of the trap circuit in which the inductor L1 and the capacitor C5 are connected in series is inserted between the connection point between the capacitor C1 and the capacitor C2 and the ground terminal GND. The inductor L1 mainly includes the internal electrode 42a, the via electrode 53a, the internal electrode 52a, the via electrode 63a, the internal electrode 62a, the via electrode 73a, the internal electrode 72a, the via electrode 73b, the via electrode 63d, the via electrode 53d, and the via electrode. 43d and a path reaching the internal electrode 22a via the via electrode 33a. The capacitor C5 mainly includes a capacitance formed between the internal electrode 22a and the internal electrode 12 with the ceramic layer 21 interposed therebetween.

コンデンサC2とコンデンサC3との間の接続点と、グランド端子GNDとの間にも同様に、インダクタL2とコンデンサC6が直列に接続されたトラップ回路の一部が挿入されている。   Similarly, a part of the trap circuit in which the inductor L2 and the capacitor C6 are connected in series is inserted between the connection point between the capacitor C2 and the capacitor C3 and the ground terminal GND.

インダクタL1とグランド端子GNDとの間は、中継電極N1と内部電極12により、開放端となっている。また、インダクタL2とグランド端子GNDとの間は、中継電極N2と内部電極12により、開放端となっている。   A gap between the inductor L1 and the ground terminal GND is an open end due to the relay electrode N1 and the internal electrode 12. Further, the relay electrode N2 and the internal electrode 12 form an open end between the inductor L2 and the ground terminal GND.

以上の構造からなるLCフィルタ素体200は、例えば、以下の方法でLCフィルタとして使用する。まず、LCフィルタ素体200を、表面に電極パターン2が形成された基板1に、はんだ付けにより実装する。次に、2つの外付けの表面実装部品91、92(チップコンデンサ)を、図8に示すように、基板1にはんだ付けにより実装する。この実装により、表面実装部品91の端子電極の一方91aは中継電極N1と接続され、端子電極の他方91bはグランド端子GNDと接続される。また、表面実装部品92の端子電極の一方92aは中継電極N2と接続され、端子電極の他方92bはグランド端子GNDと接続され、LCフィルタ1200が完成する。ただし、図8においては、はんだの図示を省略している。なお、基板1としては一般的なプリント基板を用いても良いし、セラミック層を積層してなる基板を用いても良い。   The LC filter element body 200 having the above structure is used as an LC filter by the following method, for example. First, the LC filter element 200 is mounted on the substrate 1 having the electrode pattern 2 formed on the surface thereof by soldering. Next, two external surface mount components 91 and 92 (chip capacitors) are mounted on the substrate 1 by soldering as shown in FIG. By this mounting, one of the terminal electrodes 91a of the surface mount component 91 is connected to the relay electrode N1, and the other terminal electrode 91b is connected to the ground terminal GND. One terminal electrode 92a of the surface mount component 92 is connected to the relay electrode N2, and the other terminal electrode 92b is connected to the ground terminal GND, whereby the LC filter 1200 is completed. However, illustration of solder is omitted in FIG. In addition, as the board | substrate 1, a general printed circuit board may be used and the board | substrate formed by laminating | stacking a ceramic layer may be used.

以上の実装の結果、図9に示すように、LCフィルタ回路には、インダクタL1およびコンデンサC4、C5からなるトラップ回路T1と、インダクタL3およびコンデンサC6、C7からなるトラップ回路T2が接続されていることになる。   As a result of the above mounting, as shown in FIG. 9, the LC filter circuit is connected to a trap circuit T1 including an inductor L1 and capacitors C4 and C5, and a trap circuit T2 including an inductor L3 and capacitors C6 and C7. It will be.

以上の場合においても、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、トラップ回路の一部として接続する表面実装部品の種類を選択するだけで、トラップ回路による様々な減衰特性のLCフィルタを得ることができるため、LCフィルタの設計コストを低減することができる。
また、LCフィルタ素体を基板に実装した際はんだ量のばらつきや基板表面に形成された電極パターンの影響によりLCフィルタ素体内のトラップ回路の減衰特性が変動してしまう場合がある。しかしながら、第2の実施形態のLCフィルタ1200によれば、基板1にLCフィルタ素体200を実装した状態で、減衰特性の変動を確認しながら、トラップ回路T1、T2の一部となる外付けの表面実装部品の種類を選択することができる。その結果、トラップ回路の特性を、適切なものに容易に調整することができる。
Even in the above case, according to the second embodiment, various attenuation characteristics by the trap circuit can be selected just by selecting the type of the surface-mounted component to be connected as a part of the trap circuit, as in the first embodiment. Therefore, the LC filter design cost can be reduced.
In addition, when the LC filter element body is mounted on the substrate, the attenuation characteristics of the trap circuit in the LC filter element body may fluctuate due to the variation in the amount of solder and the influence of the electrode pattern formed on the substrate surface. However, according to the LC filter 1200 of the second embodiment, with the LC filter element body 200 mounted on the substrate 1, an external connection that becomes a part of the trap circuits T1 and T2 while checking the variation of the attenuation characteristic is confirmed. The type of surface mount component can be selected. As a result, the characteristics of the trap circuit can be easily adjusted to an appropriate one.

LCフィルタ素体200の製造方法は、第1の実施形態にかかるLCフィルタ素体100の製造方法と同様であるため、説明は省略する。   Since the manufacturing method of the LC filter element body 200 is the same as the manufacturing method of the LC filter element body 100 according to the first embodiment, the description thereof is omitted.

第2実験例Second experiment example

本発明の有効性を確認するために、第2の実施形態のLCフィルタ1200に対して、第1の実施形態と同様に、通過特性についてのシミュレーションによる実験を行った。   In order to confirm the effectiveness of the present invention, an experiment by simulation of the pass characteristics was performed on the LC filter 1200 of the second embodiment, as in the first embodiment.

まず、上述した本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ1200を想定し、実験例3として通過特性をシミュレーションした。次に、実験例3における表面実装部品91(チップコンデンサ)および表面実装部品92(チップコンデンサ)それぞれの容量の値のみを変化させたLCフィルタ1200を想定し、実験例4として通過特性をシミュレーションした。   First, assuming the LC filter 1200 according to the second embodiment of the present invention described above, the pass characteristic was simulated as Experimental Example 3. Next, assuming the LC filter 1200 in which only the capacitance values of the surface-mounted component 91 (chip capacitor) and the surface-mounted component 92 (chip capacitor) in Experimental Example 3 were changed, the passing characteristics were simulated as Experimental Example 4. .

図10に、上記のシミュレーションにより得られたLCフィルタ1200の通過特性を示す。実線は実験例3の通過特性に、破線は実験例4の通過特性に対応している。   FIG. 10 shows the pass characteristics of the LC filter 1200 obtained by the above simulation. The solid line corresponds to the pass characteristic of Experimental Example 3, and the broken line corresponds to the pass characteristic of Experimental Example 4.

図10から分かるように、実験例3および実験例4はそれぞれ、通過帯域より低周波側の1GHz付近において、トラップ回路T1、T2による2つの減衰極ができている。また、実験例3および実験例4を比較すると、容量の値の異なる表面実装部品を実装することにより、トラップ回路T1、T2による2つの減衰極の周波数を変化させることができていることが分かる。   As can be seen from FIG. 10, Experimental Example 3 and Experimental Example 4 each have two attenuation poles formed by trap circuits T <b> 1 and T <b> 2 in the vicinity of 1 GHz on the lower frequency side than the passband. Further, comparing Experimental Example 3 and Experimental Example 4, it can be seen that the frequency of the two attenuation poles by the trap circuits T1 and T2 can be changed by mounting surface-mounted components having different capacitance values. .

以上、本発明の第2の実施形態にかかるLCフィルタ素体200およびLCフィルタ1200の構造、その製造方法の一例について説明した。しかしながら、本発明のLCフィルタ素体およびLCフィルタがこれらの内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。   The structure of the LC filter element body 200 and the LC filter 1200 according to the second embodiment of the present invention and the example of the manufacturing method thereof have been described above. However, the LC filter element body and the LC filter of the present invention are not limited to these contents, and various modifications can be made in accordance with the spirit of the invention.

例えば、LCフィルタ素体200では、外付けのコンデンサとして、表面実装部品を使用しているが、リード型コンデンサを使用しても良い。   For example, in the LC filter element body 200, surface mounted components are used as external capacitors, but lead type capacitors may be used.

1 基板
2 電極パターン
10 セラミック積層体
11、21、31、41、51、61、71、81 セラミック層
12、22a、22b、32a、32b、42 内部電極
23a、23b、33a〜33f、43a〜43h、53a〜53d、63a〜63d、73a〜73d ビア電極
35 飛び結合用電極
54a〜54d 実装用電極
91、92 表面実装部品(チップインダクタ又はチップコンデンサ)
91a、91b、92a、92b 端子電極
IN 入力端子
OUT 出力端子
GND グランド端子
D 識別マーク
N1、N2 中継電極
100、200 LCフィルタ素体
1100、1200 LCフィルタ
M 相互インダクタンス
L1、L2、L3、L4、L5、L6 インダクタ
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7 コンデンサ
T1、T2 トラップ回路
Q1、Q2 LC共振回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Electrode pattern 10 Ceramic laminated body 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81 Ceramic layers 12, 22a, 22b, 32a, 32b, 42 Internal electrodes 23a, 23b, 33a-33f, 43a-43h , 53a to 53d, 63a to 63d, 73a to 73d Via electrode 35 Jump coupling electrodes 54a to 54d Mounting electrodes 91 and 92 Surface mount component (chip inductor or chip capacitor)
91a, 91b, 92a, 92b Terminal electrode IN Input terminal OUT Output terminal GND Ground terminal D Identification mark N1, N2 Relay electrode 100, 200 LC filter element body 1100, 1200 LC filter M Mutual inductance L1, L2, L3, L4, L5 , L6 Inductors C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7 Capacitors T1, T2 Trap circuit Q1, Q2 LC resonance circuit

Claims (5)

複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、
前記セラミック積層体の内部に形成されたLCフィルタ回路と、
前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端子と、を備え、
前記LCフィルタ回路にトラップ回路が接続され、
前記トラップ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの少なくとも一部として使用される外付けの表面実装部品を実装するための実装用電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されていることを特徴とするLCフィルタ素体。
A ceramic laminate in which a plurality of ceramic layers are laminated;
An LC filter circuit formed inside the ceramic laminate;
An input terminal formed on the surface of the ceramic laminate, an output terminal, and a ground terminal;
A trap circuit is connected to the LC filter circuit;
A mounting electrode for mounting an external surface mounting component used as at least part of an inductor and a capacitor constituting the trap circuit is formed on the surface of the ceramic laminate. Filter body.
前記トラップ回路を構成する、前記外付けの表面実装部品以外のインダクタまたはコンデンサが、前記セラミック積層体の内部に形成されていることを特徴とする請求項1に記載されたLCフィルタ素体。   2. The LC filter element body according to claim 1, wherein an inductor or a capacitor other than the external surface mount component that constitutes the trap circuit is formed in the ceramic multilayer body. 請求項1または2に記載された前記LCフィルタ素体の前記実装用電極に、前記外付けの表面実装部品が実装されていることを特徴とするLCフィルタ。   3. The LC filter, wherein the external surface mount component is mounted on the mounting electrode of the LC filter element body according to claim 1 or 2. 複数のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、
前記セラミック積層体の内部に形成されたLCフィルタ回路と、
前記セラミック積層体の表面に形成された入力端子と、出力端子と、グランド端子と、を備え、
基板に実装して使用するためのLCフィルタ素体であって、
前記LCフィルタ回路にトラップ回路が接続され、
前記トラップ回路を構成するインダクタおよびコンデンサの一部が、前記セラミック積層体の内部に形成され、
前記トラップ回路を構成する、前記セラミック積層体の内部に形成されていない残りの、前記基板に実装される外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方と電気的に接続するための中継電極が、前記セラミック積層体の表面に形成されていることを特徴とするLCフィルタ素体。
A ceramic laminate in which a plurality of ceramic layers are laminated;
An LC filter circuit formed inside the ceramic laminate;
An input terminal formed on the surface of the ceramic laminate, an output terminal, and a ground terminal;
An LC filter element for mounting on a substrate for use,
A trap circuit is connected to the LC filter circuit;
A part of the inductor and the capacitor constituting the trap circuit is formed inside the ceramic laminate,
A relay electrode for electrically connecting to at least one of an external inductor and a capacitor mounted on the substrate, which is not formed in the ceramic laminate, and constitutes the trap circuit, An LC filter element body formed on the surface of a laminate.
基板と、
前記基板に実装された、請求項4に記載された前記LCフィルタ素体と、
前記基板に実装された前記外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方と、を備え、
前記中継電極に、前記外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方が電気的に接続され、
前記外付けのインダクタおよびコンデンサの少なくとも一方と、前記セラミック積層体の内部に形成された前記インダクタおよび前記コンデンサの一部とにより、前記トラップ回路を構成していることを特徴とするLCフィルタ。
A substrate,
The LC filter element body according to claim 4, mounted on the substrate,
And at least one of the external inductor and capacitor mounted on the substrate,
At least one of the external inductor and capacitor is electrically connected to the relay electrode,
The LC filter, wherein the trap circuit is constituted by at least one of the external inductor and capacitor and a part of the inductor and capacitor formed in the ceramic laminate.
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