JP2016081957A - Imprint mold substrate, and manufacturing method for imprint mold - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an imprint mold substrate having a concave part with a predetermined accuracy.SOLUTION: An imprint mold substrate comprises: a thin plate part 2 that has a first surface 2A to which a fine uneven pattern is formed and a second surface 2B opposite to the first surface 2A; and a supporting part 3 of a hollow cylindrical that has a supporting surface 3A supporting the second surface 2B of the thin plate part 2. A method for manufacturing the imprint mold substrate 1 in which the thin plate part 2 and the supporting part 3 are connected so as to block an opening one end of the supporting part 3 of hollow cylindrical with the second surface 2B of thin plate part, includes: a surface activation process of activating the surface of the second surface 2B of thin plate part 2 and/or the supporting surface 3A of supporting part 3 supporting surface 3A; and a connecting process of connecting the second surface 2B of thin plate part 2 with the supporting surface 3A of supporting part 3 so as to block the opening one end of supporting part 3 with the second surface 2B of thin plate part 2.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、インプリントモールド用基板及びインプリントモールドを製造する方法に関する。   The present invention relates to an imprint mold substrate and a method for manufacturing the imprint mold.

微細加工技術としてのナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材(インプリントモールド)を用い、当該微細凹凸パターンをインプリント樹脂等の被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である(特許文献1参照)。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化の進行等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。   Nanoimprint technology as a microfabrication technology uses a mold member (imprint mold) in which a fine concavo-convex pattern is formed on the surface of a substrate, and transfers the fine concavo-convex pattern onto a workpiece such as an imprint resin. This is a pattern formation technique for transferring a fine concavo-convex pattern at an equal magnification (see Patent Document 1). In particular, with the progress of further miniaturization of wiring patterns and the like in semiconductor devices, nanoimprint technology is gaining more and more attention in semiconductor device manufacturing processes and the like.

このようなナノインプリント技術において、インプリントモールドと被加工物としてのインプリント樹脂とが密着している状態から、当該インプリントモールドを剥離するためには、強い力を必要とする。そのため、インプリントモールドの剥離時などに、インプリント樹脂に転写された微細凹凸パターンの破壊や、インプリントモールドの破壊等が生じるおそれがある。   In such a nanoimprint technique, a strong force is required to peel off the imprint mold from a state where the imprint mold and the imprint resin as a workpiece are in close contact with each other. Therefore, when the imprint mold is peeled off, the fine uneven pattern transferred to the imprint resin or the imprint mold may be destroyed.

このような問題を解決すべく、従来、微細凹凸パターンが形成されている面と対向する面に、基板外縁部から基板中心部に向けて窪みが深くなるように形成された凹部を有するインプリントモールドが提案されている(特許文献2参照)。   Conventionally, in order to solve such a problem, an imprint having a concave portion formed so that a recess becomes deeper from the outer edge portion of the substrate toward the central portion of the substrate on the surface facing the surface on which the fine unevenness pattern is formed. A mold has been proposed (see Patent Document 2).

米国特許第5,772,905号US Pat. No. 5,772,905 特開2009−170773号公報JP 2009-170773 A

特許文献2に開示されているインプリントモールドにおいては、微細凹凸パターンが形成されている面と対向する面に凹部を有することで、インプリント樹脂からインプリントモールドを剥離する際に、インプリントモールドを湾曲させることができ、より小さな力で離型が可能となる効果が奏される。   In the imprint mold disclosed in Patent Document 2, the imprint mold has a concave portion on the surface facing the surface on which the fine concavo-convex pattern is formed, so that the imprint mold is peeled off from the imprint resin. Can be bent, and an effect that mold release is possible with a smaller force is exhibited.

しかしながら、インプリントモールドを湾曲可能にするための上記凹部を加工・形成する技術は、非常に高度な技術である。というのも、所望とする剥離性能が得られる程度にインプリントモールドを湾曲させ得る凹部を、切削器具等を用いた機械加工により形成する場合、当該凹部の底部の厚みの制御、表面仕上げ等、加工の難易度が非常に高い。そのため、意図した凹部形状を有するインプリントモールドの製造に時間がかかり、歩留まりの問題が生じるおそれがある。また、当該凹部を有するインプリントモールドを製造するための高額な設備投資が必要となる。   However, the technology for processing and forming the concave portion for making the imprint mold bendable is a very advanced technology. Because, when forming a recess that can bend the imprint mold to the extent that the desired release performance can be obtained by machining using a cutting tool or the like, control the thickness of the bottom of the recess, surface finish, etc. The difficulty of processing is very high. Therefore, it takes time to manufacture the imprint mold having the intended concave shape, which may cause a problem of yield. Moreover, expensive capital investment for manufacturing the imprint mold which has the said recessed part is needed.

上記課題に鑑みて、本発明は、所望とする精度の凹部を有するインプリントモールド用基板及びインプリントモールドを製造する方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate for imprint mold having a concave portion with a desired accuracy and a method for manufacturing the imprint mold.

上記課題を解決するために、本発明は、微細凹凸パターンが形成され得る第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールド用基板を製造する方法であって、前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面の表面を活性化する表面活性化工程と、前記支持部の開口一端を前記薄板部の第2面で閉塞するようにして、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接合する接合工程とを含むことを特徴とするインプリントモールド用基板の製造方法を提供する(発明1)。   In order to solve the above problems, the present invention provides a thin plate portion having a first surface on which a fine unevenness pattern can be formed and a second surface facing the first surface, and a support for supporting the second surface of the thin plate portion. A hollow cylindrical support portion having a surface, and the thin plate portion and the support portion are joined so that one end of the opening of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion. A surface activation step of activating the second surface of the thin plate portion and / or the surface of the support surface of the support portion, and one opening end of the support portion. A method of manufacturing an imprint mold substrate, comprising: a bonding step of bonding the second surface of the thin plate portion and the support surface of the support portion so as to be blocked by the second surface of the thin plate portion. (Invention 1).

上記発明(発明1)によれば、薄板部の第2面及び/又は支持部の支持面の表面を活性化することで、中空筒状の支持部の開口一端を薄板部の第2面で閉塞するようにして、薄板部と支持部とが直接接合されるため、高精度の凹部を有するインプリントモールド用基板を製造することができる。   According to the said invention (invention 1), the opening end of a hollow cylindrical support part is made into the 2nd surface of a thin plate part by activating the 2nd surface of a thin plate part, and / or the surface of the support surface of a support part. Since the thin plate portion and the support portion are directly joined so as to be closed, an imprint mold substrate having a highly accurate recess can be manufactured.

また、薄板部と支持部とを直接接合する方法として、陽極接合、フッ酸接合、拡散接合等が考えられるものの、これらの方法によれば、薄板部と支持部とを接触させた状態で高温(700℃程度)に加熱したり、加圧したりする必要があるため、接合後の薄板部に歪み等が生じるおそれがある。特に、加熱時の雰囲気によっては、薄板部の第1面や第2面の表面状態が変化してしまい、薄板部と支持部とを接合してなるインプリントモールド用基板から作製されるインプリントモールドが光インプリント処理に用いられるものである場合、当該インプリントモールドの光学特性が低下してしまうおそれがある。しかしながら、上記発明(発明1)によれば、薄板部の第2面及び/又は支持部の支持面の表面を活性化することによって薄板部と支持部とが直接接合されるため、過度な加熱や加圧が必要なく、薄板部の歪み、光学特性の低下等が生じるのを防止することができる。   Further, as a method of directly joining the thin plate portion and the support portion, anodic bonding, hydrofluoric acid bonding, diffusion bonding, etc. can be considered, but according to these methods, the thin plate portion and the support portion are brought into contact with each other at a high temperature. Since it is necessary to heat to about 700 degreeC or to pressurize, there exists a possibility that distortion etc. may arise in the thin-plate part after joining. In particular, depending on the atmosphere at the time of heating, the surface state of the first surface and the second surface of the thin plate portion changes, and the imprint produced from the imprint mold substrate formed by joining the thin plate portion and the support portion. When the mold is used for optical imprint processing, the optical characteristics of the imprint mold may be deteriorated. However, according to the above invention (Invention 1), since the thin plate portion and the support portion are directly joined by activating the second surface of the thin plate portion and / or the surface of the support surface of the support portion, excessive heating is performed. In addition, it is possible to prevent the thin plate portion from being distorted and the optical characteristics from being lowered.

上記発明(発明1)においては、前記薄板部の第2面のうち、前記支持部を介して露出する部分をエッチングするエッチング工程をさらに含むのが好ましく(発明2)、前記薄板部が、石英ガラス基板、サファイア基板、又はフッ化カルシウム基板であるのが好ましい(発明3)。   In the said invention (invention 1), it is preferable to further include the etching process which etches the part exposed through the said support part among the 2nd surfaces of the said thin-plate part (invention 2), and the said thin-plate part is quartz. It is preferably a glass substrate, a sapphire substrate, or a calcium fluoride substrate (Invention 3).

上記発明(発明1〜3)においては、前記表面活性化工程において、前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面をプラズマ雰囲気下に曝すことで、それらの表面を活性化するのが好ましい(発明4)。   In the said invention (invention 1-3), in the said surface activation process, those surfaces are activated by exposing the 2nd surface of the said thin-plate part and / or the support surface of the said support part to a plasma atmosphere. (Invention 4).

上記発明(発明4)においては、前記接合工程において、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接触させた状態で200〜300℃に加熱することで、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接合するのが好ましい(発明5)。   In the said invention (invention 4), in the said joining process, by heating to 200-300 degreeC in the state which contacted the 2nd surface of the said thin plate part, and the support surface of the said support part, the 2nd surface of the said thin plate part was obtained. It is preferable to join two surfaces and the support surface of the said support part (invention 5).

上記発明(発明1〜3)においては、前記表面活性化工程において、前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面にイオンビームを照射することで、それらの表面を活性化するのが好ましい(発明6)。   In the said invention (invention 1-3), in the said surface activation process, those surfaces are activated by irradiating the 2nd surface of the said thin-plate part, and / or the support surface of the said support part with an ion beam. (Invention 6).

また、本発明は、上記発明(発明1〜6)に係るインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記薄板部の第1面側に微細凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する(発明7)。   Moreover, this invention forms a fine uneven | corrugated pattern in the 1st surface side of the said thin-plate part of the said substrate for imprint molds manufactured by the manufacturing method of the substrate for imprint molds which concerns on the said invention (invention 1-6). The manufacturing method of the imprint mold characterized by including a process is provided (invention 7).

さらに、本発明は、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有し、当該第1面側に微細凹凸パターンが形成されている薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールドを製造する方法であって、前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面の表面を活性化する表面活性化工程と、前記支持部の開口一端を前記薄板部の第2面で閉塞するようにして、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接合する接合工程とを含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する(発明8)。   Furthermore, the present invention includes a thin plate portion having a first surface and a second surface facing the first surface, and a fine uneven pattern formed on the first surface side, and a second surface of the thin plate portion. A hollow cylindrical support portion having a support surface to be supported, and the opening portion of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion, and the thin plate portion and the support portion A surface activation step of activating the second surface of the thin plate portion and / or the surface of the support surface of the support portion, and one open end of the support portion. A method of manufacturing an imprint mold, comprising: a joining step of joining the second surface of the thin plate portion and the support surface of the support portion so as to be closed by the second surface of the thin plate portion. Provided (Invention 8)

さらにまた、本発明は、微細凹凸パターンが形成され得る第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールド用基板であって、前記インプリントモールド用基板は、前記薄板部の厚み方向における波長400nm以下の光の透過率が高い高透過率部と、前記光の透過率が前記高透過率部よりも低い低透過率部とを含み、前記高透過率部は、前記支持部の中空筒状の部分により露出する前記薄板部の部分により構成され、前記低透過率部は、前記薄板部と前記支持部との接合界面を含む部分により構成され、前記インプリントモールド用基板の全体として、前記薄板部の厚み方向における波長400nm超の光の透過率が実質的に一定であることを特徴とするインプリントモールド用基板を提供する(発明9)。   Furthermore, the present invention is a hollow having a thin plate portion having a first surface on which a fine concavo-convex pattern can be formed and a second surface facing the first surface, and a support surface supporting the second surface of the thin plate portion. An imprint mold comprising: a cylindrical support portion, wherein the thin plate portion and the support portion are joined so that one end of the opening of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion A substrate for imprint molding, wherein the substrate for imprint mold has a high transmittance portion with a high transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less in the thickness direction of the thin plate portion, and the transmittance of the light is higher than that of the high transmittance portion. A low low transmittance portion, and the high transmittance portion is constituted by a portion of the thin plate portion exposed by a hollow cylindrical portion of the support portion, and the low transmittance portion is configured by the thin plate portion and the support. Consists of a part including a bonding interface with the part, Serial Overall substrate imprint mold, providing a substrate for imprint mold, wherein the transmittance of the light having the wavelength of 400nm exceeds the thickness direction of the thin portion is substantially constant (invention 9).

また、本発明は、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有し、当該第1面側に微細凹凸パターンが形成されている薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールドであって、前記インプリントモールドは、前記薄板部の厚み方向における波長400nm以下の光の透過率が高い高透過率部と、前記光の透過率が前記高透過率部よりも低い低透過率部とを含み、前記高透過率部は、前記支持部の中空筒状の部分により露出する前記薄板部の部分により構成され、前記低透過率部は、前記薄板部と前記支持部との接合界面を含む部分により構成され、前記薄板部の第1面のうち、前記低透過率部に相当する部分に補助マークが形成され、前記インプリントモールドの全体として、前記薄板部の厚み方向における波長400nm超の光の透過率が実質的に一定であることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明10)。   The present invention also includes a thin plate portion having a first surface and a second surface facing the first surface, and a fine uneven pattern formed on the first surface side, and a second surface of the thin plate portion. A hollow cylindrical support portion having a support surface to be supported, and the opening portion of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion, and the thin plate portion and the support portion The imprint mold comprises a high transmittance portion having a high transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less in the thickness direction of the thin plate portion, and the light transmittance being the high transmittance. A low transmittance part lower than the rate part, and the high transmittance part is constituted by a part of the thin plate part exposed by a hollow cylindrical part of the support part, and the low transmittance part is formed by the thin plate And a portion including a bonding interface between the support portion and the support portion. An auxiliary mark is formed in a portion corresponding to the low transmittance portion of the first surface of the thin plate portion, and the entire imprint mold has a substantial transmittance of light having a wavelength of more than 400 nm in the thickness direction of the thin plate portion. The imprint mold is characterized by being constant (Invention 10).

本発明によれば、所望とする精度の凹部を有するインプリントモールド用基板及びインプリントモールドを製造する方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the method of manufacturing the board | substrate for imprint molds and the imprint mold which have a recessed part with the desired precision can be provided.

図1(A)は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図1(B)は、当該インプリントモールド用基板の概略構成を示す分解斜視図である。FIG. 1A is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold substrate in one embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an exploded perspective view showing a schematic configuration of the imprint mold substrate. FIG. 図2は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。FIG. 2 is a process flow diagram showing each step of the method for manufacturing an imprint mold substrate according to the embodiment of the present invention in a cut end view. 図3は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。FIG. 3 is a process flow chart showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the embodiment of the present invention in a cut end view. 図4(A)及び(B)は、本発明の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の他の構成例を概略的に示す切断端面図である。FIGS. 4A and 4B are cut end views schematically showing another configuration example of an imprint mold substrate in one embodiment of the present invention. 図5は、試験例1における透過率測定結果を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the transmittance measurement results in Test Example 1.

本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
<インプリントモールド用基板>
図1(A)及び(B)は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法により製造されるインプリントモールド用基板1の概略構成を示す切断端面図(図1(A))及び分解斜視図(図1(B))である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<Imprint mold substrate>
1A and 1B are a cut end view (FIG. 1A) showing a schematic configuration of an imprint mold substrate 1 manufactured by the method for manufacturing an imprint mold substrate according to the present embodiment; It is a disassembled perspective view (FIG. 1 (B)).

図1(A)及び(B)に示すように、インプリントモールド用基板1は、インプリントモールドの微細凹凸パターンが形成され得る第1面2A及び第1面2Aに対向する第2面2Bを有する薄板部2と、薄板部2の第2面2Bを支持する中空筒状の支持部3とを備え、中空筒状の支持部3の開口一端31を閉塞するように薄板部2と支持部3とが接合されることで、支持部3の中空部30と、開口一端31を閉塞する薄板部2の第2面2Bとにより構成される凹部4を有する。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the imprint mold substrate 1 has a first surface 2A on which a fine uneven pattern of the imprint mold can be formed and a second surface 2B facing the first surface 2A. The thin plate portion 2 and the hollow cylindrical support portion 3 that supports the second surface 2B of the thin plate portion 2, and the thin plate portion 2 and the support portion so as to close the opening end 31 of the hollow cylindrical support portion 3. 3 is joined, and it has the recessed part 4 comprised by the 2nd surface 2B of the thin-plate part 2 which obstruct | occludes the opening end 31 and the hollow part 30 of the support part 3. As shown in FIG.

本実施形態におけるインプリントモールド用基板1は、波長400nm以下の光の透過率(薄板部2の厚み方向に進行する光の透過率)の高い(透過率:93%以上)高透過率部1Aと、当該高透過率部1Aよりも波長400nm以下の光の透過率の低い(透過率:93%未満)低透過率部1Bとを有する。その一方、上記インプリントモールド用基板1は、全体として波長400nm超の光の透過率(薄板部2の厚み方向に進行する光の透過率)が実質的に同一であって、93%以上の透過率を有する。   The imprint mold substrate 1 in the present embodiment has a high transmittance part 1A having a high transmittance (transmittance: 93% or more) of light having a wavelength of 400 nm or less (transmittance of light traveling in the thickness direction of the thin plate portion 2). And a low transmittance portion 1B having a lower transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less than that of the high transmittance portion 1A (transmittance: less than 93%). On the other hand, the imprint mold substrate 1 as a whole has substantially the same transmittance of light having a wavelength of more than 400 nm (transmittance of light traveling in the thickness direction of the thin plate portion 2), and is 93% or more. It has transmittance.

後述するように、本実施形態におけるインプリントモールド用基板1は、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3A(図1(B)参照)に表面活性化処理を施し、両者を接合することにより作製される(図2(A),(B)参照)。この表面活性化処理により、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aに不純物等が付着してしまい、薄板部2及び支持部3の光(波長400nm以下の光であって、薄板部2の厚み方向に進行する光)の透過率が低下する。本実施形態におけるインプリントモールド用基板1は、薄板部2及び支持部3の接合後にエッチング処理を施すことで作製されるため、薄板部2の第2面2Bのうち、支持部3の中空部30を介して露出する部分に付着する不純物等が除去され、当該部分における光(波長400nm以下の光であって、薄板部2の厚み方向に進行する光)の透過率が向上する。一方、当該不純物等の付着の有無にかかわらず、波長400nm超の光の透過率はほとんど変動しない。そのため、本実施形態におけるインプリントモールド用基板1においては、薄板部2のうち、凹部4に相当する部分(中空部30により露出する部分)が高透過率部1Aとして構成され、高透過率部1Aの外側の部分(支持部3と、薄板部2のうち支持部3と接合している部分)が低透過率部1Bとして構成される。   As will be described later, the imprint mold substrate 1 in the present embodiment performs surface activation treatment on the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 (see FIG. 1B). (See FIGS. 2A and 2B). By this surface activation treatment, impurities or the like adhere to the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, and light of the thin plate portion 2 and the support portion 3 (light having a wavelength of 400 nm or less). The transmittance of light traveling in the thickness direction of the thin plate portion 2 is reduced. Since the imprint mold substrate 1 in the present embodiment is manufactured by performing an etching process after the thin plate portion 2 and the support portion 3 are joined, the hollow portion of the support portion 3 in the second surface 2B of the thin plate portion 2. Impurities and the like attached to the portion exposed through 30 are removed, and the transmittance of light (light having a wavelength of 400 nm or less and traveling in the thickness direction of the thin plate portion 2) in the portion is improved. On the other hand, the transmittance of light having a wavelength of more than 400 nm hardly fluctuates regardless of the presence or absence of such impurities. Therefore, in the imprint mold substrate 1 in the present embodiment, the portion corresponding to the recess 4 (the portion exposed by the hollow portion 30) of the thin plate portion 2 is configured as the high transmittance portion 1A, and the high transmittance portion A portion outside 1A (the support portion 3 and a portion of the thin plate portion 2 joined to the support portion 3) is configured as the low transmittance portion 1B.

本実施形態におけるインプリントモールド用基板1からインプリントモールドを作製する場合、インプリントモールド用基板1の薄板部2の第1面2A上であって、凹部4に対応する領域内に微細凹凸パターン11を形成する必要がある。薄板部2のうち、凹部4に対応する領域が外力によって撓む領域であるためである。ここで、本実施形態におけるインプリントモールド用基板1は、全体として波長400nm超の光の透過率が実質的に同一であるものの、波長400nm以下の光の透過率が互いに異なる高透過率部1Aと低透過率部1Bとを有する。そのため、インプリントモールド用基板1の光(波長400nm以下の光)の透過率を測定することで、薄板部2の第1面2A側からであっても凹部4に対応する領域、すなわち微細凹凸パターン11が形成されるべき領域を確実に把握することができる。   When an imprint mold is produced from the imprint mold substrate 1 in the present embodiment, the fine uneven pattern is formed on the first surface 2A of the thin plate portion 2 of the imprint mold substrate 1 and in the region corresponding to the recess 4. 11 need to be formed. This is because, in the thin plate portion 2, the region corresponding to the recess 4 is a region bent by an external force. Here, the imprint mold substrate 1 in the present embodiment has substantially the same transmittance for light having a wavelength of more than 400 nm as a whole, but has a high transmittance portion 1A having different transmittances for light having a wavelength of 400 nm or less. And a low transmittance part 1B. Therefore, by measuring the transmittance of light (light having a wavelength of 400 nm or less) of the substrate 1 for imprint mold, a region corresponding to the concave portion 4 even from the first surface 2A side of the thin plate portion 2, that is, fine unevenness The region where the pattern 11 is to be formed can be reliably grasped.

<インプリントモールド用基板の製造方法>
上述のような構成を有するインプリントモールド用基板1の製造方法を、以下に説明する。図2は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法を切断端面図にて概略的に示す工程フロー図である。
<Method for manufacturing substrate for imprint mold>
A method for manufacturing the imprint mold substrate 1 having the above-described configuration will be described below. FIG. 2 is a process flow diagram schematically showing a method for manufacturing an imprint mold substrate according to the present embodiment in a cut end view.

[表面活性化工程]
本実施形態においては、まず、薄板部2及び支持部3を準備し、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3A(薄板部2の第2面2Bに当接する面)に表面活性化処理を施す(図2(A)参照)。
[Surface activation process]
In the present embodiment, first, the thin plate portion 2 and the support portion 3 are prepared, and the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 (the surface contacting the second surface 2B of the thin plate portion 2). A surface activation treatment is performed (see FIG. 2A).

薄板部2としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板等のガラス基板;ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、その他ポリオレフィン基板等の樹脂基板;サファイア基板等からなる単層基板や、上記基板のうちから任意に選択された2以上を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。   Examples of the thin plate portion 2 include a glass substrate such as a quartz glass substrate, a soda glass substrate, a fluorite substrate, a calcium fluoride substrate, a magnesium fluoride substrate, an acrylic glass substrate, and a borosilicate glass substrate; a polycarbonate substrate, a polypropylene substrate, and polyethylene. Substrates, other resin substrates such as polyolefin substrates, single layer substrates made of sapphire substrates, transparent substrates such as laminated substrates formed by laminating two or more arbitrarily selected from the above substrates, and the like can be used.

なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂としての光硬化性樹脂を硬化させることが可能な波長の光、例えば波長200〜400nmの光線を対象物(第1の実施形態においては薄板部2)の片側から照射した際、照射された側とは反対側へ光が到達することを意味する。透明であるのは光硬化性樹脂を硬化させることが目的であるのだから、好適な基準を透過率で示すならば60%以上、好ましくは90%以上、特に好ましくは96%以上である。   In this embodiment, “transparent” means light having a wavelength capable of curing a photocurable resin as an imprint resin, for example, light having a wavelength of 200 to 400 nm. When irradiated from one side of the thin plate portion 2), this means that the light reaches the side opposite to the irradiated side. Since the purpose is to cure the photo-curing resin, it is 60% or more, preferably 90% or more, particularly preferably 96% or more if a suitable standard is shown by transmittance.

薄板部2の厚さT2は、薄板部2の材質、インプリントモールド用基板1から作製されるインプリントモールドの用途等に応じて適宜設定され得るが、当該薄板部2が石英ガラスにより構成される場合、0.3〜1.5mm程度に設定され得る。第1の実施形態におけるインプリントモールド用基板1から作製されるインプリントモールド10(図3(D)参照)は、支持部3の中空部30の開口一端31が薄板部2により閉塞されることで形成される凹部4を有することで、インプリント処理時、特に上記インプリントモールド10の剥離時において、薄板部2のうちの微細凹凸パターンが形成されている領域を少なくとも湾曲させることができ、上記インプリントモールド10の剥離を容易にするという効果を奏する。そのため、薄板部2の厚さT2が薄すぎたり、厚すぎたりすると、上記インプリントモールド10の剥離時に意図したとおりに湾曲させるのが困難となるおそれがある。また、薄板部2の厚さT2が薄すぎると、上記インプリントモールド10の強度が低下するおそれもある。   The thickness T2 of the thin plate portion 2 can be appropriately set according to the material of the thin plate portion 2, the use of the imprint mold produced from the imprint mold substrate 1, and the thin plate portion 2 is made of quartz glass. In this case, it can be set to about 0.3 to 1.5 mm. In the imprint mold 10 (see FIG. 3D) manufactured from the imprint mold substrate 1 in the first embodiment, the opening end 31 of the hollow portion 30 of the support portion 3 is closed by the thin plate portion 2. In the imprint process, particularly when the imprint mold 10 is peeled off, at least the region where the fine concavo-convex pattern is formed in the thin plate portion 2 can be curved. There exists an effect of making peeling of the said imprint mold 10 easy. Therefore, if the thickness T2 of the thin plate portion 2 is too thin or too thick, it may be difficult to bend as intended when the imprint mold 10 is peeled off. Moreover, when thickness T2 of the thin plate part 2 is too thin, there exists a possibility that the intensity | strength of the said imprint mold 10 may fall.

支持部3は、外形が平面視略方形状の中空角筒状を有しており、平面視において略中心に略円形の中空部30が形成されてなる。中空部30の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、切削器具等を用いて機械的に加工してもよいし、中空部30に相当する開口部を有するレジストパターン等を形成してエッチングしてもよい。   The support portion 3 has a hollow rectangular tube shape whose outer shape is substantially rectangular in plan view, and a substantially circular hollow portion 30 is formed at a substantially center in plan view. The method for forming the hollow portion 30 is not particularly limited, and for example, the hollow portion 30 may be mechanically processed using a cutting tool or the like, or a resist pattern having an opening corresponding to the hollow portion 30 is formed. Etching may be performed.

支持部3を構成する材料は、特に限定されるものではなく、薄板部2を構成する材料と同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。支持部3が、薄板部2を構成する材料と異なる材料により構成される場合、当該支持部3を構成する材料としては、例えば、シリコン系材料;金属材料;石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料;ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、その他ポリオレフィン類等の樹脂材料のほか、低膨張セラミックス等のセラミックス材料等が挙げられる。   The material which comprises the support part 3 is not specifically limited, The same material as the material which comprises the thin plate part 2 may be sufficient, and a different material may be sufficient as it. When the support part 3 is comprised with a material different from the material which comprises the thin-plate part 2, as a material which comprises the said support part 3, silicon system material; metal material; quartz glass, soda glass, fluorite, Examples include glass materials such as calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, and borosilicate glass; resin materials such as polycarbonate, polypropylene, polyethylene, and other polyolefins, and ceramic materials such as low expansion ceramics.

平面視における支持部3の外形の大きさは、薄板部2の大きさと略同一であってもよいし、薄板部2よりも大きくてもよい。それらの大きさが略同一である場合には、製造されるインプリントモールド用基板1において薄板部2側から見たときに段差を有しないため、例えば、薄板部2と支持部3とを接合した後に端面部分の面取り等が必要な場合には容易に実施可能である。一方で、支持部3が薄板部2よりも大きい場合、後述する工程において、薄板部2と支持部3との接合時の位置ずれも許容される。   The size of the outer shape of the support portion 3 in plan view may be substantially the same as the size of the thin plate portion 2 or may be larger than the thin plate portion 2. When the sizes are substantially the same, since there is no step when viewed from the thin plate portion 2 side in the imprint mold substrate 1 to be manufactured, for example, the thin plate portion 2 and the support portion 3 are joined. If chamfering or the like of the end face portion is necessary after that, it can be easily performed. On the other hand, when the support part 3 is larger than the thin plate part 2, the position shift at the time of joining of the thin plate part 2 and the support part 3 is also permitted in the process mentioned later.

また、平面視における中空部30(薄板部2により閉塞される開口一端31)の大きさは、少なくとも、薄板部2の主面2A上に微細凹凸パターンが形成される領域を包含し得る大きさである。平面視において、中空部30が微細凹凸パターンを内包可能な大きさであることで、本実施形態におけるインプリントモールド用基板1から作製されたインプリントモールドを用いたインプリント処理時、特にインプリントモールドの剥離時に、微細凹凸パターンが形成されている領域を少なくとも湾曲させ、インプリント樹脂からの剥離を容易にするという効果が発揮され得る。   Further, the size of the hollow portion 30 (opening end 31 closed by the thin plate portion 2) in plan view is a size that can include at least a region where a fine uneven pattern is formed on the main surface 2A of the thin plate portion 2. It is. In the plan view, the hollow portion 30 has a size capable of including a fine uneven pattern, so that the imprint process using the imprint mold produced from the imprint mold substrate 1 in the present embodiment, particularly imprint. At the time of peeling of the mold, the effect that at least the region where the fine unevenness pattern is formed is curved to facilitate peeling from the imprint resin can be exhibited.

支持部3の厚さT3は、第1の実施形態におけるインプリントモールド用基板1から作製されるインプリントモールド10の凹部4の深さの設計値に応じて適宜設定され得るが、例えば、3〜10mm程度に設定され得る。   The thickness T3 of the support portion 3 can be appropriately set according to the design value of the depth of the concave portion 4 of the imprint mold 10 manufactured from the imprint mold substrate 1 in the first embodiment. It can be set to about 10 mm.

薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aの表面を活性化する方法としては、例えば、薄板部2及び支持部3をプラズマ雰囲気に曝すことにより、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aの表面を活性化する方法;薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aのそれぞれに、イオンガン(例えば、アルバック社製,製品名:LX−1400,CGIB−001A等)を有するイオンビーム照射装置等を用いてAr等のイオンビームを照射することにより、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aの表面を活性化する方法等が挙げられる。なお、イオンビームの照射により生じる薄板部2の第2面2B等の表面の損傷等が問題となるならば、例えば、表面の損傷ダメージの比較的少ないガスクラスターイオンビーム(GCIB)を薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aに照射して表面を活性化するとともに、GCIBでは除去し難い表面汚染についてはGCIBの照射前に薬品洗浄により除去する等、二つ以上の表面処理を組み合わせてもよい。同様に、例えばArを用いるのであれば、イオンビームに替えて中性化した原子ビームを照射してもよい。   As a method of activating the surfaces of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, for example, the second surface of the thin plate portion 2 is exposed by exposing the thin plate portion 2 and the support portion 3 to a plasma atmosphere. 2B and a method of activating the surface of the support surface 3A of the support portion 3; an ion gun (for example, product name: LX-, manufactured by ULVAC, Inc.) on each of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3; The surface of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the surface of the support surface 3A of the support portion 3 are activated by irradiating an ion beam of Ar or the like using an ion beam irradiation apparatus having 1400, CGIB-001A, etc. Methods and the like. If damage to the surface such as the second surface 2B of the thin plate portion 2 caused by ion beam irradiation becomes a problem, for example, a gas cluster ion beam (GCIB) with relatively little damage to the surface is applied to the thin plate portion 2. Two or more surfaces, such as irradiating the second surface 2B and the support surface 3A of the support portion 3 to activate the surface and removing surface contamination that is difficult to remove by GCIB by chemical cleaning before GCIB irradiation, etc. Processing may be combined. Similarly, if Ar is used, for example, a neutralized atomic beam may be irradiated instead of the ion beam.

上記プラズマ雰囲気としては、例えば、He、H2、O2、N2等のガスを含むプラズマ雰囲気が挙げられる。
薄板部2及び支持部3をプラズマ雰囲気に曝すことにより、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aの表面を、反応活性の高い官能基(OH基等)で終端化させることができる。これにより、後述する工程にて、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとを直接接合することができる。
Examples of the plasma atmosphere include a plasma atmosphere containing a gas such as He, H 2 , O 2 , and N 2 .
By exposing the thin plate portion 2 and the support portion 3 to a plasma atmosphere, the surfaces of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 are terminated with a functional group (OH group or the like) having high reaction activity. be able to. Thereby, the 2nd surface 2B of the thin plate part 2 and the support surface 3A of the support part 3 can be directly joined in the process mentioned later.

また、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aのそれぞれにイオンビームを照射すると、それらの表面に表面原子の未結合手であるダングリングボンドが露出した状態が形成される。このような状態の薄板部2の第2面及び支持部3の支持面3Aを接触させることによって、両者(薄板部2及び支持部3)の非常に強固な接合状態を実現することができる。   Further, when each of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 is irradiated with an ion beam, a state in which dangling bonds, which are dangling bonds of surface atoms, are exposed on those surfaces is formed. . By bringing the second surface of the thin plate portion 2 in such a state and the support surface 3A of the support portion 3 into contact with each other, a very strong bonding state between the two (thin plate portion 2 and the support portion 3) can be realized.

[接合工程]
次に、図2(B)に示すように、薄板部2と支持部3とを位置決めした上で、支持部3の開口一端31を薄板部2の第2面2Bにて閉塞するようにして、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとを接触させる。
[Jointing process]
Next, as shown in FIG. 2B, after positioning the thin plate portion 2 and the support portion 3, the opening end 31 of the support portion 3 is closed by the second surface 2 </ b> B of the thin plate portion 2. The second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 are brought into contact with each other.

上記表面活性化処理として、プラズマ雰囲気に薄板部2及び支持部3を曝した場合、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとを接触させた状態で加熱する。その結果、薄板部2の第2面2Bの表面の官能基(OH基等)と、支持部3の支持面3Aの表面の官能基(OH基等)との反応により、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとを酸素(−O−)を介して直接接合することができる。   As the surface activation treatment, when the thin plate portion 2 and the support portion 3 are exposed to a plasma atmosphere, the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 are heated in contact with each other. As a result, the reaction of the functional group (OH group or the like) on the surface of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the functional group (OH group or the like) on the surface of the support surface 3A of the support portion 3 causes The two surfaces 2B and the support surface 3A of the support portion 3 can be directly joined via oxygen (-O-).

上記加熱処理における加熱温度は、200〜300℃であるのが好ましい。加熱温度が300℃を超えると、薄板部2に歪み等が生じるおそれがある。一方、加熱温度が200℃未満であると、薄板部2の第2面2Bの表面の官能基(OH基等)と、支持部3の支持面3Aの表面の官能基(OH基等)との間の反応が進行し難くなり、十分な接合強度が得られなくなるおそれがある。   The heating temperature in the heat treatment is preferably 200 to 300 ° C. If the heating temperature exceeds 300 ° C., the thin plate portion 2 may be distorted. On the other hand, when the heating temperature is less than 200 ° C., the functional group (OH group or the like) on the surface of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the functional group (OH group or the like) on the surface of the support surface 3A of the support portion 3 It is difficult for the reaction between the two to proceed, and sufficient bonding strength may not be obtained.

上記加熱処理は、好ましくは、0.1気圧以下の減圧雰囲気下、乾燥窒素のような不活性な気体の気流を制御可能な雰囲気の下で行われる。このような雰囲気中で上記加熱処理が行われることで、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとの接合界面にて生じた余剰なガスが速やかに排出され、かつ当該接合界面への余分なガスを入り込ませ難くなり、接合界面におけるガスの挟み込みにより接合強度が低下するのを抑制することができる。   The heat treatment is preferably performed under a reduced pressure atmosphere of 0.1 atm or less and an atmosphere in which an air flow of an inert gas such as dry nitrogen can be controlled. By performing the heat treatment in such an atmosphere, excess gas generated at the bonding interface between the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 is quickly discharged, and the It is difficult to allow excess gas to enter the bonding interface, and it is possible to suppress a decrease in bonding strength due to gas trapping at the bonding interface.

一方、上記表面活性化処理として、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aのそれぞれにイオンビームを照射した場合、それらの表面には、表面原子の未結合手であるダングリングボンドが露出した状態が形成されているため、両者を接触させることで、直接に、又は微量(X線光電子分光(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)、グロー放電質量分析(Glow Discharge Mass Spectrometry,GDMS)により得られる構成元素比率が数ppb〜数ppm程度)の不純物(例えば、Fe、Cr、Ni、Ti、Mo、Mn、P、Al、Cu等)を介してダングリングボンド同士が接合する。これにより、薄板部2と支持部3とが原子レベルで接合されるため、非常に強固な接合状態を実現することができる。   On the other hand, as the surface activation treatment, when each of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 is irradiated with an ion beam, the surface is dangling that is a dangling bond of surface atoms. Since the ring bond is exposed, it can be directly or minutely (X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), Glow Discharge Mass Spectrometry, Dangling bonds are bonded to each other through impurities (for example, Fe, Cr, Ni, Ti, Mo, Mn, P, Al, Cu, etc.) in which the constituent element ratio obtained by GDMS is about several ppb to several ppm. . Thereby, since the thin plate part 2 and the support part 3 are joined at an atomic level, a very strong joined state can be realized.

[エッチング工程]
続いて、薄板部2の第2面2Bのうち、支持部3の中空部30から露出する部分にエッチング処理を施す。上記表面活性化処理により、薄板部2の第2面2Bの表面が活性化され、当該表面が反応活性の高い官能基(OH基等)で終端化されたり、ダングリングボンドが露出した状態が形成されたりする。そして、薄板部2の第2面2Bのうち、支持部3との接合に関与しない領域(支持部3との接合後において支持部3の中空部30から露出する部分)の表面には、Fe、Cr、Ni、Ti、Mo、Mn、P、Al、Cu等の不純物、SiO2、Al23等の酸化物が付着してしまう場合がある。特に、イオンビームの照射により薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aにダングリングボンドが露出した状態が形成されている場合、当該ダングリングボンドと不純物等とが結合してしまう。その結果、薄板部2(支持部3の中空部30から露出する部分)の光学特性(特に、波長400nm以下の光の透過率)が低下する。特に、薄板部2として、石英ガラス基板、サファイア基板、フッ化カルシウム基板等を用いる場合、上記不純物や酸化物が付着しやすく、光学特性が顕著に低下する。その一方で、インプリントモールド用基板1の全体として、波長400nm超の光の透過率にほとんど違いはない。
[Etching process]
Subsequently, an etching process is performed on a portion of the second surface 2 </ b> B of the thin plate portion 2 exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3. By the surface activation treatment, the surface of the second surface 2B of the thin plate portion 2 is activated, and the surface is terminated with a highly reactive functional group (OH group or the like) or dangling bonds are exposed. Or formed. And the surface of the area | region (part exposed from the hollow part 30 of the support part 3 after joining with the support part 3) of the 2nd surface 2B of the thin plate part 2 which is not concerned with joining with the support part 3 is Fe on the surface. In some cases, impurities such as Cr, Ni, Ti, Mo, Mn, P, Al, and Cu, and oxides such as SiO 2 and Al 2 O 3 may adhere. In particular, when a dangling bond is exposed on the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 by irradiation with an ion beam, the dangling bond and impurities are bonded to each other. End up. As a result, the optical properties (particularly, the transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less) of the thin plate portion 2 (the portion exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3) are deteriorated. In particular, when a quartz glass substrate, a sapphire substrate, a calcium fluoride substrate, or the like is used as the thin plate portion 2, the impurities and oxides are likely to adhere, and the optical characteristics are remarkably deteriorated. On the other hand, there is almost no difference in the transmittance of light having a wavelength exceeding 400 nm as the whole imprint mold substrate 1.

本実施形態において製造されるインプリントモールド用基板1は、薄板部2が透明基板により構成され、当該インプリントモールド用基板1から作製されるインプリントモールド10(図3(D)参照)が、光インプリント処理に用いられるものであるため、上記表面活性化処理の結果として薄板部2(支持部3の中空部30から露出する部分)の光学特性が低下することで、インプリントモールド10として十分な光学特性が得られなくなるおそれがある。すなわち、薄板部2を透過する光(UV等)によりインプリントレジストを硬化させ難くなるおそれがある。   In the imprint mold substrate 1 manufactured in the present embodiment, the thin plate portion 2 is formed of a transparent substrate, and the imprint mold 10 (see FIG. 3D) manufactured from the imprint mold substrate 1 is Since it is used for the optical imprint process, the optical characteristics of the thin plate part 2 (the part exposed from the hollow part 30 of the support part 3) are deteriorated as a result of the surface activation process. There is a possibility that sufficient optical characteristics cannot be obtained. That is, the imprint resist may be hard to be cured by light (UV or the like) transmitted through the thin plate portion 2.

そこで、本実施形態においては、薄板部2と支持部3との接合後、薄板部2の第2面2Bのうち、支持部3の中空部30から露出する部分にエッチング処理を施す。これにより、薄板部2の第2面2Bのうち、支持部3の中空部30から露出する部分に付着する不純物等を除去することができ、薄板部2の光学特性(特に、波長400nm以下の光の透過率)を向上させることができる。   Therefore, in the present embodiment, after the thin plate portion 2 and the support portion 3 are joined, the portion of the second surface 2B of the thin plate portion 2 that is exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3 is subjected to an etching process. Thereby, impurities etc. adhering to the part exposed from the hollow part 30 of the support part 3 among the 2nd surface 2B of the thin plate part 2 can be removed, and the optical characteristic (especially wavelength 400nm or less) of the thin plate part 2 is removable. Light transmittance) can be improved.

かかるエッチング処理としては、薄板部2の第2面2Bへの付着物の種類に応じた方法を採用することができ、例えば、酸性エッチング液、アルカリ性エッチング液等にインプリントモールド用基板1の薄板部2の第2面2Bを接触させるウェットエッチング処理;CF4、CHF3等のCF系ガスを含むプラズマ雰囲気にインプリントモールド用基板1を曝すドライエッチング処理等が挙げられる。 As such an etching process, a method according to the type of deposits on the second surface 2B of the thin plate portion 2 can be employed. For example, the thin plate of the imprint mold substrate 1 in an acidic etching solution, an alkaline etching solution, or the like. Examples include a wet etching process in which the second surface 2B of the part 2 is brought into contact; a dry etching process in which the imprint mold substrate 1 is exposed to a plasma atmosphere containing a CF-based gas such as CF 4 or CHF 3 .

なお、上記表面活性化工程において、薄板部2の第2面2Bにイオンビームを照射した場合、薄板部2の第2面2Bに対するイオンビームの照射方向に応じて、薄板部2の透過率に分布が生じる。具体的には、薄板部2の第2面2Bのうち、イオンビーム照射源に近接する領域の方が、イオンビーム照射源から遠位の領域に比べて透過率が低下する。この透過率の分布は、エッチング処理後の薄板部2(支持部3の中空部30から露出する部分)の透過率にも踏襲される。したがって、薄板部2(支持部3の中空部30から露出する部分)の透過率を実質的に均一にするためには、上記表面活性化工程において、透過率の分布が薄板部の第2面2B内において実質的に均一になるようにイオンビームの照射方向を変動させればよい。   In the surface activation step, when the second surface 2B of the thin plate portion 2 is irradiated with an ion beam, the transmittance of the thin plate portion 2 is changed according to the irradiation direction of the ion beam to the second surface 2B of the thin plate portion 2. Distribution occurs. Specifically, the transmittance of the second surface 2B of the thin plate portion 2 is lower in the region closer to the ion beam irradiation source than in the region far from the ion beam irradiation source. This distribution of transmittance follows the transmittance of the thin plate portion 2 (the portion exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3) after the etching process. Therefore, in order to make the transmittance of the thin plate portion 2 (the portion exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3) substantially uniform, in the surface activation step, the transmittance distribution is the second surface of the thin plate portion. What is necessary is just to change the irradiation direction of an ion beam so that it may become substantially uniform within 2B.

一方で、インプリントモールド用基板(及びそれから作製されるインプリントモールド)は、方位を示すノッチやパターンを有するのが一般的である。本実施形態において製造されるインプリントモールド用基板1は、イオンビームの照射方向に応じて薄板部2の透過率に分布を生じさせることができるため、当該透過率分布を光学的に検査することによって、インプリントモールド用基板の方位を把握することも可能である。   On the other hand, the substrate for imprint mold (and the imprint mold produced therefrom) generally has notches and patterns indicating the orientation. Since the imprint mold substrate 1 manufactured in the present embodiment can generate a distribution in the transmittance of the thin plate portion 2 according to the irradiation direction of the ion beam, the transmittance distribution is optically inspected. Thus, the orientation of the imprint mold substrate can be grasped.

上述したエッチング処理を経て、インプリントモールド用基板1が製造される。このようにして製造されたインプリントモールド用基板1は、薄板部2と中空部30を有する支持部3とが接合されてなるため、薄板部2の第2面2Bと支持部3の中空部30とにより所望とする精度の凹部が形成されてなる。   Through the etching process described above, the imprint mold substrate 1 is manufactured. Since the imprint mold substrate 1 manufactured in this manner is formed by joining the thin plate portion 2 and the support portion 3 having the hollow portion 30, the second surface 2 </ b> B of the thin plate portion 2 and the hollow portion of the support portion 3. 30, a recess having a desired accuracy is formed.

また、上記エッチング処理により、薄板部2の第2面(支持部3の中空部30から露出する部分)がエッチングされるため、薄板部2と支持部3との接合界面の透過率(特に、波長400nm以下の光の透過率)が、薄板部2の第2面(支持部3の中空部30から露出する部分)の透過率よりも2〜10%程度低いものとなる。   In addition, since the second surface of the thin plate portion 2 (the portion exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3) is etched by the etching process, the transmittance of the bonding interface between the thin plate portion 2 and the support portion 3 (particularly, The transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less is about 2 to 10% lower than the transmittance of the second surface of the thin plate portion 2 (the portion exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3).

本実施形態に係るインプリントモールド用基板1の製造方法によれば、薄板部2と中空部30を有する支持部3とを接合することで、薄板部2の第2面2Bと中空部30とにより凹部が形成されるため、所望とする精度の凹部を有するインプリントモールド用基板1を製造することができる。また、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとのそれぞれに表面活性化処理を施すことで、両者(薄板部2及び支持部3)を直接接合するため、両者の接合のために過度な加熱や加圧を必要とせず、薄板部2の歪み、光学特性の低下等が生じるのを防止することができる。   According to the method for manufacturing the imprint mold substrate 1 according to the present embodiment, the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the hollow portion 30 are joined by joining the thin plate portion 2 and the support portion 3 having the hollow portion 30. Therefore, the imprint mold substrate 1 having the desired accuracy of the recess can be manufactured. In addition, since the surface activation process is performed on each of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, both of them (the thin plate portion 2 and the support portion 3) are directly joined. Therefore, excessive heating and pressurization are not required, and it is possible to prevent the thin plate portion 2 from being distorted, the optical characteristics are lowered, and the like.

<インプリントモールドの製造方法>
本実施形態により製造されるインプリントモールド用基板1を用いることで、例えば、下記のようにしてインプリントモールドを製造することができる。図3は、本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
<Method for producing imprint mold>
By using the imprint mold substrate 1 manufactured according to the present embodiment, for example, an imprint mold can be manufactured as follows. FIG. 3 is a process flow diagram showing the respective steps of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment in cross-sectional views.

本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法においては、まず、金属クロム膜等のハードマスク層5が薄板部2の第1面2Aに設けられているインプリントモールド用基板1を用意し、インプリントモールド10の微細凹凸パターン11に対応するレジストパターン61を当該第1面2Aのパターン形成領域PA上に形成する(図3(A)参照)。   In the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment, first, an imprint mold substrate 1 in which a hard mask layer 5 such as a metal chromium film is provided on the first surface 2A of the thin plate portion 2 is prepared. A resist pattern 61 corresponding to the fine concavo-convex pattern 11 of the mold 10 is formed on the pattern formation region PA of the first surface 2A (see FIG. 3A).

本実施形態におけるインプリントモールド用基板1は、波長400nm以下の光の透過率が互いに異なる高透過率部1Aと低透過率部1Bとを有する。そのため、インプリントモールド用基板1の光(波長400nm以下の光)の透過率を測定することで、薄板部2の第1面2A側からであっても凹部4に対応する領域、すなわち微細凹凸パターン11が形成されるべきパターン形成領域PAを確実に把握することができる。よって、パターン形成領域PA上の正確な位置にレジストパターン61を形成することができる。   The imprint mold substrate 1 in the present embodiment includes a high transmittance portion 1A and a low transmittance portion 1B that have different transmittances for light having a wavelength of 400 nm or less. Therefore, by measuring the transmittance of light (light having a wavelength of 400 nm or less) of the substrate 1 for imprint mold, a region corresponding to the concave portion 4 even from the first surface 2A side of the thin plate portion 2, that is, fine unevenness The pattern formation area PA where the pattern 11 is to be formed can be reliably grasped. Therefore, the resist pattern 61 can be formed at an accurate position on the pattern formation area PA.

なお、ハードマスク層5の厚さは、インプリントモールド用基板1の薄板部2を構成する材料に応じたエッチング選択比、インプリントモールド10における微細凹凸パターン11のアスペクト比等を考慮して適宜設定され得る。   The thickness of the hard mask layer 5 is appropriately determined in consideration of the etching selection ratio according to the material constituting the thin plate portion 2 of the imprint mold substrate 1, the aspect ratio of the fine uneven pattern 11 in the imprint mold 10, and the like. Can be set.

レジストパターン61を構成するレジスト材料としては、特に限定されるものではなく、従来公知のエネルギー線感応型レジスト材料(例えば、電子線感応型レジスト材料、紫外線感応型レジスト材料等)等を用いることができる。   The resist material constituting the resist pattern 61 is not particularly limited, and a conventionally known energy beam sensitive resist material (for example, electron beam sensitive resist material, ultraviolet ray sensitive resist material, etc.) or the like may be used. it can.

レジストパターン61を形成する方法としては、特に限定されるものではない。例えば、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法等によりレジストパターン61を形成することができる。   The method for forming the resist pattern 61 is not particularly limited. For example, the resist pattern 61 can be formed by an electron beam lithography method, a photolithography method, or the like.

続いて、レジストパターン61をマスクとして用いてハードマスク層5をドライエッチング法によりエッチングし、ハードマスクパターン51を形成する(図3(B)参照)。そして、当該ハードマスクパターン51をマスクとして用いてインプリントモールド用基板1の薄板部2の第1面2Aをエッチングし、微細凹凸パターン11を形成する(図3(C)参照)。   Subsequently, the hard mask layer 5 is etched by a dry etching method using the resist pattern 61 as a mask to form a hard mask pattern 51 (see FIG. 3B). Then, using the hard mask pattern 51 as a mask, the first surface 2A of the thin plate portion 2 of the imprint mold substrate 1 is etched to form a fine uneven pattern 11 (see FIG. 3C).

最後に、ハードマスクパターン51を除去する(図3(D)参照)。これにより、薄板部2の第1面2Aに微細凹凸パターン11が形成されてなり、高精度の凹部4を有するインプリントモールド10を製造することができる。   Finally, the hard mask pattern 51 is removed (see FIG. 3D). Thereby, the fine concavo-convex pattern 11 is formed on the first surface 2 </ b> A of the thin plate portion 2, and the imprint mold 10 having the highly accurate concave portion 4 can be manufactured.

なお、レジストパターン61を形成する際に電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法を用いる場合には、露光光源側から見たときに、薄板部2はたわみを持たず一様に平坦であることがより好ましい。そのため、薄板部2は、その大きさに応じた厚みを有するか、あるいは張力を有するように支持部3に接合されているのが好ましい。   In the case where an electron beam lithography method or a photolithography method is used when forming the resist pattern 61, the thin plate portion 2 is more uniform and flat when viewed from the exposure light source side. preferable. Therefore, it is preferable that the thin plate portion 2 has a thickness corresponding to the size or is joined to the support portion 3 so as to have a tension.

本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法において用いられるインプリントモールド用基板1は、薄板部2と中空部30を有する支持部3とを接合することで、薄板部2の第2面2Bと中空部30とにより凹部が形成されるため、所望とする精度の凹部を有する。そのため、本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法によれば、所望とする精度の凹部4を有するインプリントモールド10を容易に製造することができる。   The imprint mold substrate 1 used in the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment joins the thin plate portion 2 and the support portion 3 having the hollow portion 30, so that the second surface 2 </ b> B of the thin plate portion 2 is hollow. Since the concave portion is formed by the portion 30, the concave portion has a desired accuracy. Therefore, according to the imprint mold manufacturing method of the present embodiment, it is possible to easily manufacture the imprint mold 10 having the concave portions 4 with desired accuracy.

なお、上記の方法ではレジストパターン61を電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法等により形成しているが、当該レジストパターン61に対応する微細凹凸パターンを有するインプリントモールドを用いたナノインプリントリソグラフィー法により、当該レジストパターン61を形成してもよい。   In the above method, the resist pattern 61 is formed by an electron beam lithography method, a photolithography method, or the like. However, the nanoimprint lithography method using an imprint mold having a fine uneven pattern corresponding to the resist pattern 61 A resist pattern 61 may be formed.

<インプリントモールド>
上述のようにして製造されるインプリントモールド10は、第1面2A及び第1面2Aに対向する第2面2Bを有し、第1面2A側に微細凹凸パターン11が形成されている薄板部2と、薄板部2の第2面2Bを支持する中空筒状の支持部3とを備え、中空筒状の支持部3の開口一端31を閉塞するように薄板部2と支持部3とが接合されることで、支持部3の中空部30と、開口一端31を閉塞する薄板部2の第2面2Bとにより構成される凹部4を有する。
<Imprint mold>
The imprint mold 10 manufactured as described above has a first surface 2A and a second surface 2B opposite to the first surface 2A, and a thin plate on which the fine uneven pattern 11 is formed on the first surface 2A side. Portion 2 and a hollow cylindrical support portion 3 that supports the second surface 2B of the thin plate portion 2, and the thin plate portion 2 and the support portion 3 so as to close the opening end 31 of the hollow cylindrical support portion 3. Are joined to each other so that the hollow portion 30 of the support portion 3 and the second surface 2B of the thin plate portion 2 that closes the opening end 31 are provided.

上述したように、本実施形態におけるインプリントモールド10は、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aに表面活性化処理を施し、両者を接合することにより作製されたインプリントモールド用基板1から製造される。この表面活性化処理により、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aに不純物等が付着し、薄板部2及び支持部3の光(波長400nm以下の光)の透過率が低下するが、薄板部2及び支持部3の接合後にエッチング処理が施されているため、薄板部2の第2面2Bのうち、支持部3を介して露出する部分に付着する不純物等が除去され、当該部分における光(波長400nm以下の光)の透過率が向上している。一方、当該不純物等の付着の有無にかかわらず、波長400nm超の光の透過率はほとんど変動しない。そのため、本実施形態におけるインプリントモールド10においては、薄板部2のうち、凹部4に相当する部分(中空部30により露出する部分)が高透過率部1Aとして構成され、高透過率部1Aの外側の部分(支持部3と、薄板部2のうち支持部3と接合している部分)が低透過率部1Bとして構成される。本実施形態においては、薄板部2の第1面2Aのうちの高透過率部1Aに微細凹凸パターン11が形成され、低透過率部1Bに識別マーク(個々のインプリントモールドを識別するための凹凸パターン)やアライメントマーク等の補助マークが形成されている。   As described above, the imprint mold 10 according to the present embodiment is an imprint produced by subjecting the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 to surface activation treatment and bonding them together. Manufactured from the mold substrate 1. By this surface activation treatment, impurities or the like adhere to the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, and the transmittance of light (light having a wavelength of 400 nm or less) of the thin plate portion 2 and the support portion 3 is increased. Although it is reduced, since the etching process is performed after the thin plate portion 2 and the support portion 3 are joined, impurities and the like attached to the portion exposed through the support portion 3 in the second surface 2B of the thin plate portion 2 are removed. Thus, the transmittance of light (light having a wavelength of 400 nm or less) in the portion is improved. On the other hand, the transmittance of light having a wavelength of more than 400 nm hardly fluctuates regardless of the presence or absence of such impurities. Therefore, in the imprint mold 10 according to the present embodiment, the portion corresponding to the concave portion 4 (the portion exposed by the hollow portion 30) of the thin plate portion 2 is configured as the high transmittance portion 1A, and the high transmittance portion 1A The outer part (the support part 3 and the part joined to the support part 3 in the thin plate part 2) is configured as the low transmittance part 1B. In the present embodiment, a fine uneven pattern 11 is formed on the high transmittance portion 1A of the first surface 2A of the thin plate portion 2, and an identification mark (for identifying individual imprint molds) is formed on the low transmittance portion 1B. An auxiliary mark such as an uneven pattern) or an alignment mark is formed.

一般に、インプリントモールドの表面(本実施形態におけるインプリントモールドで言えば、薄板部2の第1面2Aに相当する面)側であって、相対的に肉厚の部分(薄板部2と支持部3との接合界面の上方に相当する部分)に識別マークが形成されている。この識別マークは、当該識別マークの表面に光(例えば、短波長(400nm以下程度の光)を入射させ、当該識別マークの表面からの反射光を検出することにより認識される。一方、インプリントモールドの製造工程や搬送過程、インプリント処理時において、インプリントモールドの裏面(支持部3の支持面3Aの対向面に相当する面)に傷がつくことがある。インプリントモールドの表面側に存在する識別マークとの関係で、インプリントモールドの厚み方向の同軸上に上記傷が存在する場合、識別マークを認識するために当該厚み方向に光を入射させると、インプリントモールドの裏面側において反射する反射光が上記傷の影響により乱れる。その結果、識別マークの表面からの反射光の検出が困難になり、識別マークを認識するのが困難となる。このような場合に当該識別マークを確実に認識するためには、識別マークに対して光を斜めから入射させる等、検出装置の機械的調整をすることにより、識別マークの表面からの反射光のみを検出する必要がある。しかしながら、本実施形態におけるインプリントモールド10においては、識別マークが薄板部2の第1面2Aのうちの低透過率部1Bに形成されていることで、支持部3の支持面3Aの対向面からの反射光が減衰(4〜20%程度減衰)するため、検出装置の機械的調整をすることなく、識別マークの表面からの反射光の検出精度を調整するだけで確実に識別マークを検出することができる。   Generally, on the surface of the imprint mold (the surface corresponding to the first surface 2A of the thin plate portion 2 in the case of the imprint mold in the present embodiment), a relatively thick portion (the thin plate portion 2 and the support) An identification mark is formed on a portion corresponding to the upper part of the bonding interface with the portion 3. The identification mark is recognized by making light (for example, light having a short wavelength (about 400 nm or less)) incident on the surface of the identification mark and detecting reflected light from the surface of the identification mark. During the mold manufacturing process, conveyance process, and imprint process, the back surface of the imprint mold (the surface corresponding to the opposite surface of the support surface 3A of the support portion 3) may be damaged. When the scratch exists on the same axis in the thickness direction of the imprint mold in relation to the existing identification mark, when light is incident in the thickness direction in order to recognize the identification mark, on the back side of the imprint mold Reflected reflected light is disturbed by the effect of the scratch, and as a result, it becomes difficult to detect reflected light from the surface of the identification mark, and the identification mark is recognized. In such a case, in order to reliably recognize the identification mark, the detection device is mechanically adjusted by, for example, making light incident obliquely on the identification mark from the surface of the identification mark. However, in the imprint mold 10 according to this embodiment, the identification mark is formed on the low transmittance portion 1B of the first surface 2A of the thin plate portion 2 in the present embodiment. Since the reflected light from the surface facing the support surface 3A of the support unit 3 is attenuated (attenuated by about 4 to 20%), the detection accuracy of the reflected light from the surface of the identification mark is not required without mechanical adjustment of the detection device. It is possible to reliably detect the identification mark simply by adjusting.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

上記実施形態においては、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aのそれぞれに表面活性化処理を施しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。単に両者を接合するだけであれば、いずれか一方にのみ表面活性化処理を施してもよい。この場合において、支持部3の支持面3Aにのみ表面活性化処理を施すことで、薄板部2及び支持部3を接合すれば、薄板部2の第2面2Bに不純物等が付着することもなく、薄板部2の光学特性(特に、波長400nm以下の光の透過率)が低下するのを防止することができる。その結果、上記エッチング工程を省略することが可能となる。なお、上記実施形態のように、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aのそれぞれに表面活性化処理を施した上で両者を接合した方が、非常に強固な接合状態を実現することができるため望ましい。   In the above embodiment, the surface activation treatment is performed on each of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, but the present invention is not limited to such an embodiment. If both are simply joined, the surface activation treatment may be performed on only one of them. In this case, by applying a surface activation process only to the support surface 3A of the support portion 3, if the thin plate portion 2 and the support portion 3 are joined, impurities or the like may adhere to the second surface 2B of the thin plate portion 2. In addition, it is possible to prevent the optical characteristics of the thin plate portion 2 (particularly, the transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less) from being deteriorated. As a result, the etching process can be omitted. Note that, as in the above-described embodiment, the surface activation treatment is performed on each of the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, and then the two are bonded together to form a very strong bonded state. Is desirable because it can be realized.

上記実施形態においては、平板状の薄板部2と中空筒状の支持部とを接合してなるインプリントモールド用基板1を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、薄板部2の第1面2Aの略中央に凸構造部21を有するものであってもよいし(図4(A)参照)、薄板部2の第1面2Aには、Cr、Crの窒化物等のクロム系材料;シリコン、シリコンを含む合金、シリコン酸化物、シリコン窒化物等のシリコン系材料等により構成されるハードマスク層5が形成されていてもよい(図4(B)参照)。図4(A)に示すインプリントモールド用基板1においては、凸構造部21の上面21Aが、微細凹凸パターン11の形成されるパターン領域PAを構成する。   In the said embodiment, although demonstrated taking the case of the board | substrate 1 for imprint mold formed by joining the flat thin plate part 2 and the hollow cylindrical support part as an example, this invention is limited to such an aspect. It is not something. For example, you may have the convex structure part 21 in the approximate center of the 1st surface 2A of the thin plate part 2 (refer FIG. 4 (A)), and Cr, Cr may be provided in the 1st surface 2A of the thin plate part 2. The hard mask layer 5 may be formed of a chromium-based material such as nitride of silicon; a silicon-based material such as silicon, an alloy containing silicon, silicon oxide, or silicon nitride (FIG. 4B). reference). In the imprint mold substrate 1 shown in FIG. 4A, the upper surface 21 </ b> A of the convex structure portion 21 constitutes a pattern area PA where the fine uneven pattern 11 is formed.

上記実施形態においては、薄板部2と支持部3とが接合されてなるインプリントモールド用基板1を準備し、薄板部2の第1面2Aに微細凹凸パターン11を形成することによりインプリントモールド10を製造しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、第1面2Aに微細凹凸パターン11が形成されてなる薄板部2を準備し、当該薄板部2と支持部3とを接合することにより、インプリントモールド10を製造してもよい。   In the above embodiment, the imprint mold substrate 1 is prepared by bonding the thin plate portion 2 and the support portion 3, and the fine uneven pattern 11 is formed on the first surface 2 </ b> A of the thin plate portion 2. However, the present invention is not limited to such an embodiment. For example, the imprint mold 10 may be manufactured by preparing the thin plate portion 2 in which the fine unevenness pattern 11 is formed on the first surface 2A and joining the thin plate portion 2 and the support portion 3.

以下、実施例等を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example etc. are given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to the following Example etc. at all.

〔実施例1〕
薄板部2としての石英ガラス基板(152mm×152mm,厚さT2=1.00mm)と、石英ガラスにより構成される支持部3(152mm×152mm,厚さT3=5.35mm,中空部30の径=60mm)とを準備した。そして、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aのそれぞれに、イオンガン(アルバック社製,LX1400)を有するイオンビーム照射装置を用いてArイオンビームを照射した。なお、薄板部2として、その平面視中心に、25mm×35mmの長方形状の凸構造部21高さ:30μm)が設けられているものを用いた。
[Example 1]
A quartz glass substrate (152 mm × 152 mm, thickness T2 = 1.00 mm) as the thin plate portion 2 and a support portion 3 (152 mm × 152 mm, thickness T3 = 5.35 mm, diameter of the hollow portion 30 made of quartz glass = 60 mm). The second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 were each irradiated with an Ar ion beam using an ion beam irradiation apparatus having an ion gun (manufactured by ULVAC, LX1400). As the thin plate portion 2, a thin plate portion having a 25 mm × 35 mm rectangular convex structure portion 21 height (30 μm) at the center in plan view was used.

次に、薄板部2の第2面2Bと支持部3の支持面3Aとを接触させることで、薄板部2と支持部3とを接合した。最後に、薄板部2の第2面2B(支持部3の中空部30から露出する部分)に対してエッチング処理(硫酸過水への浸漬処理)を施すことで、インプリントモールド用基板1が作製された。   Next, the thin plate portion 2 and the support portion 3 were joined by bringing the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3 into contact with each other. Finally, the imprint mold substrate 1 is obtained by performing an etching process (immersion process in sulfuric acid / hydrogen peroxide) on the second surface 2B of the thin plate part 2 (the part exposed from the hollow part 30 of the support part 3). It was made.

〔実施例2〕
薄板部2と支持部3とを接合した後にエッチング処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
[Example 2]
An imprint mold substrate 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the etching process was not performed after the thin plate portion 2 and the support portion 3 were joined.

〔実施例3〕
支持部3をシリコンとした以外は、実施例1と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
Example 3
An imprint mold substrate 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the support portion 3 was made of silicon.

〔実施例4〕
薄板部2と支持部3とを接合した後、エッチング処理を行う前に900℃の加熱処理を行った以外は、実施例3と同様にしてインプリントモールド用基板1を作製した。
Example 4
After the thin plate portion 2 and the support portion 3 were joined, an imprint mold substrate 1 was produced in the same manner as in Example 3 except that a heat treatment at 900 ° C. was performed before the etching treatment.

〔試験例1〕
実施例1及び実施例2のインプリントモールド用基板1の薄板部2(支持部3の中空部30から露出する部分;試料1,2)及び実施例1で準備した薄板部2(試料3)の透過率(波長250〜650nmの光の透過率)を、透過率測定装置(大塚電子社製,製品名:MCPD−7700)を用いて測定した。結果を図5に示す。
[Test Example 1]
The thin plate portion 2 of the imprint mold substrate 1 of Examples 1 and 2 (the portion exposed from the hollow portion 30 of the support portion 3; Samples 1 and 2) and the thin plate portion 2 prepared in Example 1 (Sample 3) The transmittance (transmittance of light having a wavelength of 250 to 650 nm) was measured using a transmittance measuring device (product name: MCPD-7700, manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). The results are shown in FIG.

図5は、試料1〜3の透過率(%)と光の波長との関係を示すグラフである。図5に示すグラフから明らかなように、薄板部2と支持部3との接合後にエッチング処理を行わなかったインプリントモールド用基板1(試料2)においては、波長400nm以下の光の透過率が2〜8%程度低下していた。一方、薄板部2と支持部3との接合後にエッチング処理を行ったインプリントモールド用基板1(試料1)においては、薄板部2(試料3)と同等の透過率を示した。   FIG. 5 is a graph showing the relationship between the transmittance (%) of samples 1 to 3 and the wavelength of light. As is clear from the graph shown in FIG. 5, the imprint mold substrate 1 (sample 2) that was not subjected to the etching process after joining the thin plate portion 2 and the support portion 3 has a light transmittance of a wavelength of 400 nm or less. It was about 2-8% lower. On the other hand, the imprint mold substrate 1 (sample 1) subjected to the etching treatment after the joining of the thin plate portion 2 and the support portion 3 showed the same transmittance as the thin plate portion 2 (sample 3).

この結果から、薄板部2の第2面2B及び支持部3の支持面3Aに表面活性化処理を施し、両者を接合した後、薄板部2の第2面2B(支持部3の中空部30から露出する部分)に対してエッチング処理を施すことにより、特に短波長(波長400nm以下程度)の光の透過率を向上させ得ることが確認された。   From this result, the surface activation process is performed on the second surface 2B of the thin plate portion 2 and the support surface 3A of the support portion 3, and after both are joined, the second surface 2B of the thin plate portion 2 (the hollow portion 30 of the support portion 3). It was confirmed that the transmittance of light having a short wavelength (wavelength of about 400 nm or less) can be improved by performing an etching process on a portion exposed from the above.

〔試験例2〕
実施例3及び実施例4のインプリントモールド用基板1につき、平坦度測定器(コーニング社製,製品名:FLATMASTER)を用いて薄板部2の歪み量を測定した。その結果、実施例3のインプリントモールド用基板1については、歪みが生じていなかったが、実施例4のインプリントモールド用基板1については、薄板部2のうち、支持部3の中空部30により露出する部分において30μm以上のたわみ(歪み)が生じていることが確認された。
[Test Example 2]
For the imprint mold substrate 1 of Example 3 and Example 4, the amount of strain of the thin plate portion 2 was measured using a flatness measuring device (product name: FLATMASTER) manufactured by Corning. As a result, no distortion occurred in the imprint mold substrate 1 of Example 3, but in the imprint mold substrate 1 of Example 4, the hollow portion 30 of the support portion 3 in the thin plate portion 2. It was confirmed that deflection (distortion) of 30 μm or more occurred in the exposed portion.

薄板部2と支持部3とを接合する際の過度の加熱による歪みは、特に薄板部2と支持部3とが異なる材料により構成される場合に顕著に生じる。薄板部2と支持部3とが異なる材料により構成される場合、薄板部2と支持部3との熱膨張係数の差があるため、接合の際に加熱することで薄板部2に歪みが生じると考えられる。上記試験例2の結果から、薄板部2と支持部3とが異なる材料により構成される実施例3及び実施例4のうち、実施例4に歪みが生じていたのは、薄板部2と支持部3との接合の際に過度に加熱したことが原因であると推察される。   Distortion due to excessive heating when the thin plate portion 2 and the support portion 3 are joined particularly occurs when the thin plate portion 2 and the support portion 3 are made of different materials. When the thin plate portion 2 and the support portion 3 are made of different materials, there is a difference in thermal expansion coefficient between the thin plate portion 2 and the support portion 3, so that the thin plate portion 2 is distorted by heating at the time of joining. it is conceivable that. From the results of the test example 2 described above, among the examples 3 and 4 in which the thin plate portion 2 and the support portion 3 are made of different materials, the distortion occurred in the example 4 because the thin plate portion 2 and the support portion 3 were supported. It is inferred that this is caused by excessive heating during the joining with the part 3.

本発明は、半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためにインプリントモールドを用いてナノインプリント工程を実施するような微細加工技術分野において有用である。   The present invention is useful in the field of microfabrication technology in which a nanoimprint process is performed using an imprint mold in order to form a fine uneven pattern on a semiconductor substrate or the like.

1…インプリントモールド用基板
1A…高透過率部
1B…低透過率部
2…薄板部
2A…第1面
2B…第2面
3…支持部
3A…支持面
31…開口一端
4…凹部
10…インプリントモールド
11…微細凹凸パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Imprint mold substrate 1A ... High transmittance part 1B ... Low transmittance part 2 ... Thin plate part 2A ... 1st surface 2B ... 2nd surface 3 ... Support part 3A ... Support surface 31 ... Opening end 4 ... Concave 10 ... Imprint mold 11 ... fine uneven pattern

Claims (10)

微細凹凸パターンが形成され得る第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールド用基板を製造する方法であって、
前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面の表面を活性化する表面活性化工程と、
前記支持部の開口一端を前記薄板部の第2面で閉塞するようにして、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接合する接合工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールド用基板の製造方法。
A thin plate portion having a first surface on which a fine concavo-convex pattern can be formed and a second surface facing the first surface, and a hollow cylindrical support portion having a support surface for supporting the second surface of the thin plate portion. And a method for manufacturing an imprint mold substrate in which the opening end of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion and the thin plate portion and the support portion are joined. There,
A surface activation step of activating the second surface of the thin plate portion and / or the surface of the support surface of the support portion;
And a joining step of joining the second surface of the thin plate portion and the support surface of the support portion so as to close one end of the opening of the support portion with the second surface of the thin plate portion. A method for producing a printed mold substrate.
前記薄板部の第2面のうち、前記支持部を介して露出する部分をエッチングするエッチング工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。   2. The method of manufacturing an imprint mold substrate according to claim 1, further comprising an etching step of etching a portion exposed through the support portion of the second surface of the thin plate portion. 前記薄板部が、石英ガラス基板、サファイア基板、又はフッ化カルシウム基板であることを特徴とする請求項2に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。   The method for producing an imprint mold substrate according to claim 2, wherein the thin plate portion is a quartz glass substrate, a sapphire substrate, or a calcium fluoride substrate. 前記表面活性化工程において、前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面をプラズマ雰囲気下に曝すことで、それらの表面を活性化することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。   In the surface activation step, the second surface of the thin plate portion and / or the support surface of the support portion is exposed to a plasma atmosphere to activate the surfaces thereof. The manufacturing method of the board | substrate for imprint molds in any one. 前記接合工程において、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接触させた状態で200〜300℃に加熱することで、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接合することを特徴とする請求項4に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。   In the joining step, the second surface of the thin plate portion and the support surface of the support portion are heated at 200 to 300 ° C. in a state where the second surface of the thin plate portion and the support surface of the support portion are in contact with each other. The method for manufacturing an imprint mold substrate according to claim 4, wherein: 前記表面活性化工程において、前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面にイオンビームを照射することで、それらの表面を活性化することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法。   In the surface activation step, the surface of the thin plate portion is activated by irradiating the second surface of the thin plate portion and / or the support surface of the support portion with an ion beam. The manufacturing method of the board | substrate for imprint molds in any one. 請求項1〜6のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の製造方法により製造された前記インプリントモールド用基板の前記薄板部の第1面側に微細凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。   It includes the process of forming a fine unevenness | corrugation pattern in the 1st surface side of the said thin-plate part of the said substrate for imprint molds manufactured by the manufacturing method of the substrate for imprint molds in any one of Claims 1-6. A method for manufacturing an imprint mold. 第1面及び当該第1面に対向する第2面を有し、当該第1面側に微細凹凸パターンが形成されている薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールドを製造する方法であって、
前記薄板部の第2面及び/又は前記支持部の支持面の表面を活性化する表面活性化工程と、
前記支持部の開口一端を前記薄板部の第2面で閉塞するようにして、前記薄板部の第2面と前記支持部の支持面とを接合する接合工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
A thin plate portion having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the fine uneven pattern being formed on the first surface side, and a support surface for supporting the second surface of the thin plate portion. A hollow cylindrical support portion, and the thin plate portion and the support portion are joined so that one end of the opening of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion. A method for producing a print mold comprising:
A surface activation step of activating the second surface of the thin plate portion and / or the surface of the support surface of the support portion;
And a joining step of joining the second surface of the thin plate portion and the support surface of the support portion so as to close one end of the opening of the support portion with the second surface of the thin plate portion. A method for producing a print mold.
微細凹凸パターンが形成され得る第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールド用基板であって、
前記インプリントモールド用基板は、前記薄板部の厚み方向における波長400nm以下の光の透過率が高い高透過率部と、前記光の透過率が前記高透過率部よりも低い低透過率部とを含み、
前記高透過率部は、前記支持部の中空筒状の部分により露出する前記薄板部の部分により構成され、
前記低透過率部は、前記薄板部と前記支持部との接合界面を含む部分により構成され、
前記インプリントモールド用基板の全体として、前記薄板部の厚み方向における波長400nm超の光の透過率が実質的に一定であることを特徴とするインプリントモールド用基板。
A thin plate portion having a first surface on which a fine concavo-convex pattern can be formed and a second surface facing the first surface, and a hollow cylindrical support portion having a support surface for supporting the second surface of the thin plate portion. An imprint mold substrate in which the thin plate portion and the support portion are joined so that one end of the opening of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion,
The imprint mold substrate includes a high transmittance portion having a high transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less in the thickness direction of the thin plate portion, and a low transmittance portion having a light transmittance lower than that of the high transmittance portion. Including
The high transmittance part is constituted by a part of the thin plate part exposed by a hollow cylindrical part of the support part,
The low transmittance portion is constituted by a portion including a bonding interface between the thin plate portion and the support portion,
The imprint mold substrate according to claim 1, wherein the transmittance of light having a wavelength of more than 400 nm in the thickness direction of the thin plate portion is substantially constant as the entire imprint mold substrate.
第1面及び当該第1面に対向する第2面を有し、当該第1面側に微細凹凸パターンが形成されている薄板部と、前記薄板部の第2面を支持する支持面を有する、中空筒状の支持部とを備え、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記薄板部の前記第2面で閉塞するようにして前記薄板部と前記支持部とが接合されてなるインプリントモールドであって、
前記インプリントモールドは、前記薄板部の厚み方向における波長400nm以下の光の透過率が高い高透過率部と、前記光の透過率が前記高透過率部よりも低い低透過率部とを含み、
前記高透過率部は、前記支持部の中空筒状の部分により露出する前記薄板部の部分により構成され、
前記低透過率部は、前記薄板部と前記支持部との接合界面を含む部分により構成され、
前記薄板部の第1面のうち、前記低透過率部に相当する部分に補助マークが形成され、
前記インプリントモールドの全体として、前記薄板部の厚み方向における波長400nm超の光の透過率が実質的に一定であることを特徴とするインプリントモールド。
A thin plate portion having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the fine uneven pattern being formed on the first surface side, and a support surface for supporting the second surface of the thin plate portion. A hollow cylindrical support portion, and the thin plate portion and the support portion are joined so that one end of the opening of the hollow cylindrical support portion is closed by the second surface of the thin plate portion. A print mold,
The imprint mold includes a high transmittance portion having a high transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less in the thickness direction of the thin plate portion, and a low transmittance portion having a light transmittance lower than that of the high transmittance portion. ,
The high transmittance part is constituted by a part of the thin plate part exposed by a hollow cylindrical part of the support part,
The low transmittance portion is constituted by a portion including a bonding interface between the thin plate portion and the support portion,
An auxiliary mark is formed in a portion corresponding to the low transmittance portion of the first surface of the thin plate portion,
The imprint mold characterized in that, as a whole of the imprint mold, the transmittance of light having a wavelength of more than 400 nm in the thickness direction of the thin plate portion is substantially constant.
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