JP2016081939A - Optical semiconductor device - Google Patents

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Yasushi Inui
靖 乾
秀 中村
Hide Nakamura
秀 中村
貴史 西村
Takashi Nishimura
貴史 西村
千鶴 金
Chizuru Kin
千鶴 金
佑 山田
Yu Yamada
佑 山田
小林　祐輔
Yusuke Kobayashi
祐輔 小林
貴志 渡邉
Takashi Watanabe
貴志 渡邉
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical semiconductor which can increase an intensity of light emitted from an optical semiconductor device to a large degree.SOLUTION: An optical semiconductor device according to the present embodiment comprises: a compact having a frame part and an opening at a top edge; an optical semiconductor element arranged in the frame part of the compact; and an encapsulation part which is arranged in the frame part of the compact and arranged to encapsulate the optical semiconductor element. The encapsulation part includes a fluorescent substance and a filler which has an average grain size of not less than 0.2 μm and not more than 10 μm and a degree of circularity of 0.8 and over, and the whole fluorescent substance exists in the lower 1/2 region or a first number density of fluorescent substances in the lower 1/2 region of the encapsulation part is over one time a second number density of fluorescent substances in an upper 1/2 region of the encapsulation part.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、成形体の枠部内で、光半導体素子が封止剤により封止されている光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element is sealed with a sealing agent within a frame portion of a molded body.

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。   An optical semiconductor device such as a light emitting diode (LED) device has low power consumption and long life. Moreover, the optical semiconductor device can be used even in a harsh environment. Accordingly, optical semiconductor devices are used in a wide range of applications such as mobile phone backlights, liquid crystal television backlights, automobile lamps, lighting fixtures, and signboards.

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。   When an optical semiconductor element (for example, an LED), which is a light emitting element used in an optical semiconductor device, is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is normally sealed with the sealing compound for optical semiconductor devices.

下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が開示されている。この封止剤は、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）と、酸無水物硬化剤（Ｂ）と、硬化促進剤（Ｃ）と、ＳｉＯ２、ＣａＯ及びＡｌ２Ｏ３を含み、かつ平均粒径が５μｍ以上、１００μｍ以下である球状のガラス粒子（Ｄ）と、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤（Ｅ）と、最大粒径が７０μｍ以下である球状溶融シリカ（Ｆ）とを含有する。封止剤中に、上記球状溶融シリカ（Ｆ）は、１重量％以上、５重量％以下で含有されている。封止剤の硬化物において、吸水率は２％以下、波長４００ｎｍでの光透過率は４０％以上、８０％以下、波長５００ｎｍでの光透過率は５０％以上である。 Patent Document 1 below discloses an optical semiconductor device using an encapsulant for optical semiconductor devices. This sealant includes an epoxy resin (A) having two or more epoxy groups in one molecule, an acid anhydride curing agent (B), a curing accelerator (C), SiO 2 , CaO and Al 2. Spherical glass particles (D) containing O 3 and having an average particle size of 5 μm or more and 100 μm or less, a benzophenone ultraviolet absorber (E), and spherical fused silica (F) having a maximum particle size of 70 μm or less Containing. In the sealant, the spherical fused silica (F) is contained in an amount of 1% by weight to 5% by weight. In the cured product of the sealant, the water absorption is 2% or less, the light transmittance at a wavelength of 400 nm is 40% or more, 80% or less, and the light transmittance at a wavelength of 500 nm is 50% or more.

また、エポキシ樹脂を含む光半導体装置用封止剤だけでなく、シリコーン化合物を含む光半導体装置用封止剤も広く用いられている。シリコーン化合物を含む光半導体装置用封止剤は、例えば下記の特許文献２に開示されている。下記の特許文献２に記載の封止剤は、１分子中に１つ以上の反応基を有し、かつ屈折率が１．４２〜１．５１であるシリコーン樹脂と、平均粒径が２００ｎｍ以下である球状の疎水性シリカとを含有する。   Moreover, not only the sealing agent for optical semiconductor devices containing an epoxy resin but the sealing agent for optical semiconductor devices containing a silicone compound is also used widely. The sealing agent for optical semiconductor devices containing a silicone compound is disclosed by the following patent document 2, for example. The sealing agent described in Patent Document 2 below has a silicone resin having one or more reactive groups in one molecule and a refractive index of 1.42 to 1.51, and an average particle size of 200 nm or less. And spherical hydrophobic silica.

また、下記の特許文献３には、平均粒子径が１〜１５μｍの範囲にあり、円形度が０．９以上であり、シリカに対してチタニアを４〜４０モル％の割合で含有する球状シリカ−チタニア複合酸化物粒子が開示されている。この球状シリカ−チタニア複合酸化物粒子では、Ｘ線回折測定においてチタニア結晶による回折ピークが確認されない。特許文献３では、光半導体装置用封止剤に、上記球状シリカ−チタニア複合酸化物粒子を用いることが記載されている。   Further, in Patent Document 3 below, a spherical silica having an average particle diameter in the range of 1 to 15 μm, a circularity of 0.9 or more, and containing titania in a ratio of 4 to 40 mol% with respect to silica. -Titania composite oxide particles are disclosed. In the spherical silica-titania composite oxide particles, diffraction peaks due to titania crystals are not confirmed in the X-ray diffraction measurement. Patent Document 3 describes the use of the spherical silica-titania composite oxide particles as an encapsulant for optical semiconductor devices.

下記の特許文献４には、基板と、上記基板上に形成された正電極及び負電極と、上記正電極及び上記負電極に接続された発光ダイオードと、上記発光ダイオードを覆う封止樹脂と、上記発光ダイオードの発光の少なくとも一部を吸収して長波長に変換する蛍光体と、上記発光ダイオード及び／又は上記蛍光体の発光の配光方向を変化させるレンズとを有する発光素子が開示されている。上記封止樹脂は、上記蛍光体を含有し、かつ、上記レンズを構成するよう一体に成形されている。上記蛍光体は、上記封止樹脂の表面近傍に比べて上記発光ダイオードの表面近傍において高個数密度に分布している。   In the following Patent Document 4, a substrate, a positive electrode and a negative electrode formed on the substrate, a light emitting diode connected to the positive electrode and the negative electrode, a sealing resin covering the light emitting diode, Disclosed is a light emitting device having a phosphor that absorbs at least part of light emitted from the light emitting diode and converts it into a long wavelength, and a lens that changes a light distribution direction of light emitted from the light emitting diode and / or the phosphor. Yes. The sealing resin contains the phosphor and is integrally molded to constitute the lens. The phosphor is distributed with a higher number density in the vicinity of the surface of the light emitting diode than in the vicinity of the surface of the sealing resin.

下記の特許文献５には、発光素子と、蛍光体粒子と光を反射するフィラーとを含む樹脂層とを有する発光装置が開示されている。この発光装置は、上記フィラーよりも上記蛍光体粒子を優先的に沈降させる蛍光体沈降工程を経て得られている。   Patent Document 5 below discloses a light emitting device having a light emitting element and a resin layer including phosphor particles and a filler that reflects light. This light emitting device is obtained through a phosphor sedimentation step in which the phosphor particles are preferentially settled over the filler.

下記の特許文献６には、光源保持部材と、上記光源保持部材の正面側に配置された光源と、上記光源の正面側に配置され、上記光源からの発光により励起されて発光する蛍光体とを備える発光装置が開示されている。特許文献６には、蛍光体が、ＬＥＤチップの近傍で高個数密度になるように、封止樹脂中に分散されていてもよいことが記載されている。   In Patent Document 6 below, a light source holding member, a light source arranged on the front side of the light source holding member, a phosphor arranged on the front side of the light source, and excited and emitted by light emitted from the light source, A light emitting device is disclosed. Patent Document 6 describes that the phosphor may be dispersed in the sealing resin so as to have a high number density in the vicinity of the LED chip.

特開２００５−８９６０７号公報JP 2005-89607 A 特開２０１１−１６２７４１号公報JP 2011-162741 A 特開２０１２−１６２４３８号公報JP 2012-162438 A 特開２００６−２２９０５４号公報JP 2006-229054 A ＷＯ２０１２／０２９６９５Ａ１WO2012 / 029695A1 特開２０１０−１１８６２０号公報JP 2010-118620 A

従来の光半導体装置では、光半導体装置から発せられる光度が不十分であることがある。   In the conventional optical semiconductor device, the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device may be insufficient.

また、特許文献５に記載のように、フィラーよりも蛍光体粒子を優先的に沈降させただけでは、光度が十分に高くならないことがある。   Further, as described in Patent Document 5, the luminous intensity may not be sufficiently high only by precipitating the phosphor particles preferentially over the filler.

本発明の目的は、光半導体装置から発せられる光度をかなり高くすることができる光半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide an optical semiconductor device capable of considerably increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device.

本発明の広い局面によれば、枠部及び上端に開口部を有する成形体と、前記成形体の枠部内に配置された光半導体素子と、前記成形体の枠部内に配置されており、かつ前記光半導体素子を封止するように配置されている封止部とを備え、前記封止部が、蛍光体と、蛍光体を除くフィラーとを含み、前記フィラーの円形度が０．８以上であり、前記フィラーの平均粒径が０．２μｍ以上、１０μｍ以下であり、前記封止部の最も下端の高さ位置から最も上端の高さ位置に向かって１／２の距離の、前記封止部の下側１／２の領域に前記蛍光体の全てが存在するか、又は、前記封止部の最も下端の高さ位置から最も上端の高さ位置に向かって１／２の距離の、前記封止部の下側１／２の領域における前記蛍光体の第１の個数密度が、前記封止部の最も上端の高さ位置から最も下端の高さ位置に向かって１／２の距離の、前記封止部の上側１／２の領域における前記蛍光体の第２の個数密度の１倍を超える、光半導体装置が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a molded body having an opening at the frame portion and the upper end, an optical semiconductor element disposed in the frame portion of the molded body, and disposed in the frame portion of the molded body, and A sealing portion arranged to seal the optical semiconductor element, the sealing portion including a phosphor and a filler excluding the phosphor, and the circularity of the filler is 0.8 or more The filler has an average particle diameter of 0.2 μm or more and 10 μm or less, and the sealing portion has a distance of ½ from the lowest height position to the highest height position of the sealing portion. All of the phosphors are present in the lower half region of the stop portion, or a distance of ½ from the lowermost height position of the sealing portion toward the uppermost height position. The first number density of the phosphor in the lower half region of the sealing portion is the highest density of the sealing portion. Is more than 1 times the second number density of the phosphors in the upper half region of the sealing portion at a distance of 1/2 from the height position of the upper end toward the height position of the lowermost end. An optical semiconductor device is provided.

本発明に係る光半導体装置のある特定の局面では、前記封止部の前記下側１／２の領域に前記蛍光体の全てが存在するか、又は、前記封止部の前記下側１／２の領域における前記蛍光体の前記第１の個数密度が、前記封止部の前記上側１／２の領域における前記蛍光体の前記第２の個数密度の１．５倍以上である。   In a specific aspect of the optical semiconductor device according to the present invention, all of the phosphors exist in a region of the lower half of the sealing portion, or the lower side 1 / of the sealing portion. The first number density of the phosphor in the region 2 is 1.5 times or more of the second number density of the phosphor in the upper half region of the sealing portion.

本発明に係る光半導体装置のある特定の局面では、前記封止部の前記下側１／２の領域における前記蛍光体の前記第１の個数密度が、２×１０４個／ｍｍ３以上、４×１０６個／ｍｍ３以下である。 In a specific aspect of the optical semiconductor device according to the present invention, the first number density of the phosphor in the lower half region of the sealing portion is 2 × 10 4 pieces / mm 3 or more, 4 × 10 6 pieces / mm 3 or less.

本発明に係る光半導体装置のある特定の局面では、前記封止部の前記下側１／２の領域における前記フィラーの第１の個数密度が、１×１０５個／ｍｍ３以下である。 In a specific aspect of the optical semiconductor device according to the present invention, a first number density of the filler in the lower half region of the sealing portion is 1 × 10 5 pieces / mm 3 or less.

本発明に係る光半導体装置のある特定の局面では、前記封止部の前記上側１／２の領域における前記フィラーの第２の個数密度が、１×１０５個／ｍｍ３以上、１×１０１１個／ｍｍ３以下である。 In a specific aspect of the optical semiconductor device according to the present invention, a second number density of the filler in the upper half region of the sealing portion is 1 × 10 5 pieces / mm 3 or more, and 1 × 10. 11 pieces / mm 3 or less.

前記蛍光体の平均粒径が７.５μｍ以上、２５μｍ以下であることが好ましい。前記フィラーがシリカであることが好ましい。前記封止部を構成する樹脂が、シリコーン樹脂であることが好ましい。前記封止部を構成する樹脂が、ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンをヒドロシリル化反応させたシリコーン樹脂であることが好ましい。   It is preferable that the average particle diameter of the phosphor is 7.5 μm or more and 25 μm or less. It is preferable that the filler is silica. The resin constituting the sealing part is preferably a silicone resin. The resin constituting the sealing portion is preferably a silicone resin obtained by hydrosilylation reaction of an organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction.

本発明に係る光半導体装置は、枠部及び上端に開口部を有する成形体と、上記成形体の枠部内に配置された光半導体素子と、上記成形体の枠部内に配置されており、かつ上記光半導体素子を封止するように配置されている封止部とを備えており、上記封止部が、蛍光体と、平均粒径が０．２μｍ以上、１０μｍ以下でありかつ円形度が０．８以上であるフィラーとを含み、上記封止部の下側１／２の領域に蛍光体の全てが存在するか、又は、上記封止部の下側１／２の領域における上記蛍光体の第１の個数密度が、上記封止部の上側１／２の領域における上記蛍光体の第２の個数密度の１倍を超えるので、光半導体装置から発せられる光度を高くすることができる。   The optical semiconductor device according to the present invention is a molded body having an opening at the frame portion and the upper end, an optical semiconductor element disposed in the frame portion of the molded body, and disposed in the frame portion of the molded body, and A sealing portion disposed so as to seal the optical semiconductor element. The sealing portion has a phosphor, an average particle size of 0.2 μm or more and 10 μm or less, and a circularity. 0.8% or more of the filler, and all of the phosphor is present in the lower half region of the sealing portion or the fluorescent light in the lower half region of the sealing portion. Since the first number density of the body exceeds one time of the second number density of the phosphor in the upper half region of the sealing part, the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device can be increased. .

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を模式的に示す断面図及び斜視図である。1A and 1B are a cross-sectional view and a perspective view schematically showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 図２は、図１に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the optical semiconductor device shown in FIG. 図３は、図２に示す光半導体装置の変形例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the optical semiconductor device shown in FIG. 図４は、図１に示す光半導体装置における蛍光体及びフィラーの存在状態と、封止部の下側１／２の領域及び上側１／２の領域とを説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the presence state of the phosphor and filler in the optical semiconductor device shown in FIG. 1, and the lower half region and the upper half region of the sealing portion.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

先ず、本発明の具体的な実施形態の一例を説明する。   First, an example of a specific embodiment of the present invention will be described.

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を模式的に断面図及び斜視図である。   1A and 1B are a cross-sectional view and a perspective view schematically showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

本実施形態の光半導体装置１は、リードフレーム２と光半導体素子３と第１の成形体４と第２の成形体５とを備える。光半導体素子３は発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。光半導体装置１は、成形体として、第１の成形体４と第２の成形体５とを備える。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されておらず、別の２つの部材である。第１の成形体４と第２の成形体５とは一体的に形成されていてもよい。光半導体装置１において、第１の成形体４は、上端に開口部４ａを有し、更に枠部４ｂを有する。光半導体装置１において、第２の成形体５は、下端に底部５ａを有する。第１の成形体４の枠部４ｂは、外壁部である。第１の成形体４の枠部４ｂは、環状である。   The optical semiconductor device 1 of this embodiment includes a lead frame 2, an optical semiconductor element 3, a first molded body 4, and a second molded body 5. The optical semiconductor element 3 is preferably a light emitting diode (LED). The optical semiconductor device 1 includes a first molded body 4 and a second molded body 5 as molded bodies. The first molded body 4 and the second molded body 5 are not formed integrally, but are two other members. The first molded body 4 and the second molded body 5 may be integrally formed. In the optical semiconductor device 1, the first molded body 4 has an opening 4a at the upper end and further has a frame 4b. In the optical semiconductor device 1, the second molded body 5 has a bottom 5a at the lower end. The frame part 4b of the first molded body 4 is an outer wall part. The frame portion 4b of the first molded body 4 is annular.

光半導体装置１では、全体の成形体は、上端に開口部４ａ（第１の成形体４）と、枠部４ｂ（第１の成形体４）と、底部５ａ（第２の成形体５）とを有する。光半導体素子３は、成形体の底部５ａ上及び枠部４ｂ内に配置されている。   In the optical semiconductor device 1, the entire molded body has an opening 4 a (first molded body 4), a frame 4 b (first molded body 4), and a bottom 5 a (second molded body 5) at the upper end. And have. The optical semiconductor element 3 is arrange | positioned on the bottom part 5a and the frame part 4b of a molded object.

リードフレーム２上に、光半導体素子３が搭載され、配置されている。また、リードフレーム２上に、第１の成形体４（枠部４ｂ）が配置されている。また、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とには、第２の成形体５（底部５ａ）が配置されている。なお、リードフレームの下方に、成形体又は底部材が配置されておらず、リードフレームが露出していてもよい。第１の成形体４の枠部４ｂ内に光半導体素子３が配置されている。光半導体素子３の側方に第１の成形体４が配置されており、光半導体素子３を取り囲むように第１の成形体４が配置されている。第１の成形体４は、光反射性を有し、内面４ｃに光反射部を有する。すなわち、第１の成形体４の内面４ｃは光反射部である。従って、光半導体素子３の周囲は、第１の成形体４の光反射性を有する内面により囲まれている。   An optical semiconductor element 3 is mounted and arranged on the lead frame 2. A first molded body 4 (frame portion 4b) is disposed on the lead frame 2. A second molded body 5 (bottom portion 5 a) is disposed between the plurality of lead frames 2 and below the lead frame 2. Note that the molded body or the bottom member may not be disposed below the lead frame, and the lead frame may be exposed. The optical semiconductor element 3 is disposed in the frame portion 4 b of the first molded body 4. A first molded body 4 is disposed on the side of the optical semiconductor element 3, and the first molded body 4 is disposed so as to surround the optical semiconductor element 3. The 1st molded object 4 has light reflectivity, and has a light reflection part in the inner surface 4c. That is, the inner surface 4c of the first molded body 4 is a light reflecting portion. Accordingly, the periphery of the optical semiconductor element 3 is surrounded by the inner surface of the first molded body 4 having light reflectivity.

図１では、光半導体装置１は、光半導体素子３が下側、開口部４ａが上側となるように配置されている。   In FIG. 1, the optical semiconductor device 1 is disposed so that the optical semiconductor element 3 is on the lower side and the opening 4a is on the upper side.

第１の成形体４（枠部）は、光半導体素子３から発せられた光が外部に取り出される開口部４ａを有する。第１，第２の成形体４，５は、白色である。第１の成形体４の内面４ｃは、内面４ｃの径が開口部４ａに向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面４ｃに到達した矢印Ｂで示す光が内面４ｃにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。   The 1st molded object 4 (frame part) has the opening part 4a from which the light emitted from the optical semiconductor element 3 is taken out outside. The first and second molded bodies 4 and 5 are white. The inner surface 4c of the 1st molded object 4 is formed so that the diameter of the inner surface 4c may become large as it goes to the opening part 4a. Therefore, of the light emitted from the optical semiconductor element 3, the light indicated by the arrow B reaching the inner surface 4 c is reflected by the inner surface 4 c and travels forward of the optical semiconductor element 3.

光半導体素子３は、リードフレーム２上に、ダイボンド材６を用いて接続されている。ダイボンド材６は、導電性を有する。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー７を封止するように、第１の成形体４の枠部４ｂ内及び内面４ｃで囲まれた領域内には、封止部８が配置されている。封止部８は、例えば、封止剤の硬化物である。   The optical semiconductor element 3 is connected to the lead frame 2 using a die bond material 6. The die bond material 6 has conductivity. A bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead frame 2 are electrically connected by a bonding wire 7. In order to seal the optical semiconductor element 3 and the bonding wire 7, a sealing portion 8 is disposed in the region surrounded by the frame portion 4 b and the inner surface 4 c of the first molded body 4. The sealing part 8 is, for example, a cured product of a sealing agent.

封止部８は、成形体の底部５ａ上及び枠部４ｂ内に配置されている。封止部８は、光半導体素子３を封止するように配置されている。   The sealing part 8 is arrange | positioned on the bottom part 5a and the frame part 4b of a molded object. The sealing portion 8 is disposed so as to seal the optical semiconductor element 3.

光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。光半導体装置１では、光半導体素子３からリードフレーム２の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、第１の成形体４の内面４ｃに到達した光が矢印Ｂで示すように反射される光も存在する。従って、光半導体装置１から取り出される光の明るさは明るい。   In the optical semiconductor device 1, when the optical semiconductor element 3 is driven, light is emitted as indicated by a broken line A. In the optical semiconductor device 1, the light reaching the inner surface 4 c of the first molded body 4 as well as the light irradiated from the optical semiconductor element 3 to the side opposite to the upper surface of the lead frame 2, that is, the upper side, is indicated by an arrow B. There is also light that is reflected by the light. Therefore, the brightness of the light extracted from the optical semiconductor device 1 is bright.

図２に、図１に示す光半導体装置１の変形例を示す。図１に示す光半導体装置１と図２に示す光半導体装置２１とでは、ダイボンド材６，２２及びボンディングワイヤー７，２３による電気的な接続構造のみが異なる。光半導体装置１におけるダイボンド材６は導電性を有する。これに対し、光半導体装置２１はダイボンド材２２を有し、ダイボンド材２２は導電性を有さない。光半導体装置１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図１（ａ）において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されている。光半導体装置２１は、ボンディングワイヤー７に加えて、ボンディングワイヤー２３を有する。光半導体装置２１では、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において右側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー７により電気的に接続されており、更に、光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリードフレーム２（図２において左側に位置するリードフレーム）とが、ボンディングワイヤー２３により電気的に接続されている。   FIG. 2 shows a modification of the optical semiconductor device 1 shown in FIG. The optical semiconductor device 1 shown in FIG. 1 differs from the optical semiconductor device 21 shown in FIG. 2 only in the electrical connection structure using the die bonding materials 6 and 22 and the bonding wires 7 and 23. The die bond material 6 in the optical semiconductor device 1 has conductivity. On the other hand, the optical semiconductor device 21 has a die bond material 22, and the die bond material 22 does not have conductivity. In the optical semiconductor device 1, a bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and a lead frame 2 (lead frame located on the right side in FIG. 1A) are electrically connected by a bonding wire 7. Has been. The optical semiconductor device 21 has a bonding wire 23 in addition to the bonding wire 7. In the optical semiconductor device 21, a bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and a lead frame 2 (a lead frame located on the right side in FIG. 2) are electrically connected by a bonding wire 7. Further, a bonding pad (not shown) provided on the optical semiconductor element 3 and the lead frame 2 (lead frame located on the left side in FIG. 2) are electrically connected by a bonding wire 23.

図３に、図２に示す光半導体装置２１の変形例を示す。図３に示す光半導体装置３１は、図１に示す光半導体装置１の変形例でもある。図２に示す光半導体装置２１と、図３に示す光半導体装置３１とでは、第１，第２の成形体４，５及び成形体３２の構造のみが異なる。光半導体装置２１では、第１，第２の成形体４，５が用いられており、第１の成形体４は、リードフレーム２上に配置されており、第２の成形体５は、複数のリードフレーム２間とリードフレーム２の下方とに配置されている。これに対し、光半導体装置３１では、１つの成形体３２が用いられている。成形体３２は、上端に開口部３２ａを有する。成形体３２は、リードフレーム２上に配置された枠部３２ｂと、複数のリードフレーム２間に配置された底部（充填部）３２ｃとを有する。枠部３２ｂと底部３２ｃとは一体的に形成されている。このように、光半導体装置は、光半導体装置において光半導体素子の側方に配置される枠部４ｂ，３２ｂを有していればよい。リードフレームの下方に、成形体は配置されていなくてもよい。成形体は、リードフレームの下方に配置された底部を有していなくてもよい。リードフレームの裏面は、露出していてもよい。   FIG. 3 shows a modification of the optical semiconductor device 21 shown in FIG. The optical semiconductor device 31 shown in FIG. 3 is also a modification of the optical semiconductor device 1 shown in FIG. The optical semiconductor device 21 shown in FIG. 2 and the optical semiconductor device 31 shown in FIG. 3 differ only in the structures of the first and second molded bodies 4 and 5 and the molded body 32. In the optical semiconductor device 21, the first and second molded bodies 4 and 5 are used. The first molded body 4 is disposed on the lead frame 2, and the second molded body 5 includes a plurality of second molded bodies 5. Between the lead frames 2 and below the lead frame 2. On the other hand, in the optical semiconductor device 31, one molded body 32 is used. The molded body 32 has an opening 32a at the upper end. The molded body 32 includes a frame portion 32 b disposed on the lead frame 2 and a bottom portion (filling portion) 32 c disposed between the plurality of lead frames 2. The frame part 32b and the bottom part 32c are integrally formed. Thus, the optical semiconductor device only needs to have the frame portions 4b and 32b arranged on the side of the optical semiconductor element in the optical semiconductor device. The molded body may not be disposed below the lead frame. The molded body may not have a bottom portion disposed below the lead frame. The back surface of the lead frame may be exposed.

なお、図１〜３に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、成形体の構造及び光半導体素子の実装構造等には適宜変形され得る。   The structures shown in FIGS. 1 to 3 are merely examples of the optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to a structure of a molded body, a mounting structure of an optical semiconductor element, and the like.

図１〜３に示す光半導体装置１，２１，３１では、封止部８が、蛍光体と、平均粒径が０．２μｍ以上、１０μｍ以下でありかつ円形度が０．８以上であるフィラーとを含む。   In the optical semiconductor devices 1, 21, and 31 shown in FIGS. 1 to 3, the sealing portion 8 is a phosphor and a filler having an average particle diameter of 0.2 μm or more and 10 μm or less and a circularity of 0.8 or more. Including.

なお、蛍光体及びフィラーは微粒子であるため、図１〜３では図示を省略した。図１に示す半導体装置１を図４に、簡略化した模式図として示す。   Since the phosphor and filler are fine particles, they are not shown in FIGS. The semiconductor device 1 shown in FIG. 1 is shown in FIG. 4 as a simplified schematic diagram.

図４では、封止部８の最も下端の高さ位置から封止部８の最も上端の高さ位置に向かって１／２の距離の、封止部８の下側１／２の領域を、領域Ｒ１として示した。領域Ｒ１は、破線Ｌ１と破線Ｌ２との間に位置する封止部８部分の領域である。また、図４では、封止部８の最も上端の高さ位置から封止部８の最も下端の高さ位置に向かって１／２の距離の、封止部８の上側１／２の領域を、領域Ｒ２として示した。領域Ｒ２は、破線Ｌ２と破線Ｌ３との間に位置する封止部８部分の領域である。また、図４では、黒く塗り潰して、蛍光体８Ａを示した。また、図４では、白く塗り潰して、フィラー８Ｂを示した。   In FIG. 4, the lower half region of the sealing portion 8, which is a distance of 1/2 from the height position of the lowermost end of the sealing portion 8 toward the height position of the uppermost end of the sealing portion 8, is shown. , Indicated as region R1. The region R1 is a region of the sealing portion 8 portion located between the broken line L1 and the broken line L2. Further, in FIG. 4, a region on the upper half of the sealing portion 8 that is a distance of 1/2 from the height position of the uppermost end of the sealing portion 8 toward the height position of the lowermost end of the sealing portion 8. Is shown as region R2. The region R2 is a region of the sealing portion 8 portion located between the broken line L2 and the broken line L3. In FIG. 4, the phosphor 8A is shown in black. Moreover, in FIG. 4, the filler 8B was shown painted white.

図４に示すように、光半導体装置１では、封止部８の下側１／２の領域Ｒ１における蛍光体８Ａの第１の個数密度が、封止部８の上側１／２の領域Ｒ２における蛍光体８Ａの第２の個数密度の１倍を超える。封止部８の下側１／２の領域Ｒ１に蛍光体の全てが存在していてもよい。   As shown in FIG. 4, in the optical semiconductor device 1, the first number density of the phosphor 8 </ b> A in the lower half region R <b> 1 of the sealing portion 8 is the upper half region R <b> 2 of the sealing portion 8. More than 1 times the second number density of the phosphor 8A. All of the phosphors may be present in the lower half region R1 of the sealing portion 8.

なお、封止部８の下側１／２の領域Ｒ１におけるフィラー８Ｂの第１の個数密度は、封止部８の上側１／２の領域Ｒ２におけるフィラー８Ｂの第２の個数密度よりも、大きくてもよく、同じでもよく、小さくてもよい。   In addition, the first number density of the filler 8B in the lower half region R1 of the sealing portion 8 is higher than the second number density of the filler 8B in the upper half region R2 of the sealing portion 8. It may be large, the same, or small.

本発明に係る光半導体装置では、封止部が蛍光体と、蛍光体を除くフィラーとを含む。本発明に係る光半導体装置では特に、上記フィラーの円形度が０．８以上であり、上記フィラーの平均粒径が０．２μｍ以上、１０μｍ以下である。このように、本発明では、特定のフィラーを用いている。さらに、本発明に係る光半導体装置では特に、１）封止部の下側１／２の領域に蛍光体の全てが存在するか、又は、２）封止部の下側１／２の領域における蛍光体の第１の個数密度が、封止部の上側１／２の領域における蛍光体の第２の個数密度の１倍を超える。従って、光半導体装置から上方に向けて発せられる光度を高くすることができる。なお、光半導体装置の使用時には、成形体の開口部が横方向又は下方向に向けられてもよい。   In the optical semiconductor device according to the present invention, the sealing portion includes a phosphor and a filler excluding the phosphor. Particularly in the optical semiconductor device according to the present invention, the circularity of the filler is 0.8 or more, and the average particle size of the filler is 0.2 μm or more and 10 μm or less. Thus, in the present invention, a specific filler is used. Further, in the optical semiconductor device according to the present invention, in particular, 1) the whole phosphor is present in the lower half region of the sealing portion, or 2) the lower half region of the sealing portion. The first number density of the phosphors in FIG. 1 exceeds the second number density of the phosphors in the upper half region of the sealing portion. Therefore, the luminous intensity emitted upward from the optical semiconductor device can be increased. When the optical semiconductor device is used, the opening of the molded body may be directed in the lateral direction or the downward direction.

一般に、フィラーを添加すると、フィラーが光を遮ることで光度を低下させると予想される。本発明者らは、フィラーの円形度と平均粒径とを上記のように制御することによって、本発明に係る光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置から発せられる光度を、むしろ高くすることができることを見出した。また、本発明者らは、光半導体装置から発せられる光度を高くするためには、フィラーの円形度と平均粒径との双方を制御する必要があることを見出した。   In general, when a filler is added, it is expected that the light intensity is lowered by the filler blocking light. By controlling the circularity and the average particle diameter of the filler as described above, the present inventors rather increase the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device using the optical semiconductor device sealing agent according to the present invention. Found that you can. In addition, the present inventors have found that in order to increase the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, it is necessary to control both the circularity and the average particle diameter of the filler.

さらに、本発明者らは、封止部内において蛍光体を偏在させ、フィラーの円形度と平均粒径との双方を制御することで、光半導体装置から上方に向けて発せられる光度がかなり高くなることを見出した。   Furthermore, the present inventors make phosphors unevenly distributed in the sealing portion, and control both the circularity and the average particle diameter of the filler, so that the light intensity emitted upward from the optical semiconductor device becomes considerably high. I found out.

光半導体装置から発せられる光度を高くするために、フィラーの円形度と平均粒径との双方を制御することには大きな意味がある。   In order to increase the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, it is significant to control both the circularity and the average particle diameter of the filler.

光半導体装置から発せられる光度をより一層効果的に高める観点からは、封止部の下側１／２の領域に上記蛍光体の全てが存在するか、又は、封止部の下側１／２の領域における蛍光体の第１の個数密度が、封止部の上側１／２の領域における蛍光体の第２の個数密度の好ましくは１．５倍以上である。比（第１の個数密度／第２の個数密度）が１倍を超えると、比（第１の個数密度／第２の個数密度）が１倍以下である場合と比べて、光半導体装置から発せられる光度が高くなる。比（第１の個数密度／第２の個数密度）が大きいほど、光半導体装置から発せられる光度が効果的に高くなる。封止部の下側１／２の領域に蛍光体の全てが存在すると、光半導体装置から発せられる光度がより一層効果的に高くなる。   From the viewpoint of further effectively increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, all of the phosphors are present in the lower half region of the sealed portion, or the lower 1 / second portion of the sealed portion. The first number density of the phosphor in the region 2 is preferably 1.5 times or more of the second number density of the phosphor in the upper half region of the sealing portion. When the ratio (first number density / second number density) exceeds 1 time, the optical semiconductor device has a higher ratio than the case where the ratio (first number density / second number density) is 1 time or less. Increased luminous intensity. The greater the ratio (first number density / second number density), the higher the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device. When all of the phosphor is present in the lower half region of the sealing portion, the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device is further effectively increased.

光半導体装置から発せられる光度をより一層効果的に高める観点からは、封止部の下側１／２の領域における蛍光体の第１の個数密度は、好ましくは２×１０４個／ｍｍ３以上、より好ましくは５×１０４／ｍｍ３以上、更に好ましくは１×１０５個／ｍｍ３以上、好ましくは、４×１０６個／ｍｍ３以下、より好ましくは１×１０６個／ｍｍ３以下、更に好ましくは５×１０５個／ｍｍ３以下である。 From the viewpoint of further effectively increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the first number density of the phosphor in the lower half region of the sealing portion is preferably 2 × 10 4 pieces / mm 3. Or more, more preferably 5 × 10 4 / mm 3 or more, further preferably 1 × 10 5 pieces / mm 3 or more, preferably 4 × 10 6 pieces / mm 3 or less, more preferably 1 × 10 6 pieces / mm 3 or more. 3 or less, more preferably 5 × 10 5 pieces / mm 3 or less.

封止部の下側１／２の領域におけるフィラーの第１の個数密度は、封止部の上側１／２の領域におけるフィラーの第２の個数密度よりも大きくてもよく、同じであってもよく、小さくてもよい。光半導体装置から発せられる光度をより一層効果的に高める観点からは、封止部の下側１／２の領域におけるフィラーの第１の個数密度は、封止部の上側１／２の領域におけるフィラーの第２の個数密度と同等以下であることが好ましく、封止部の下側１／２の領域におけるフィラーの第１の個数密度は、封止部の上側１／２の領域におけるフィラーの第２の個数密度よりも小さいことが好ましい。なお、封止部の上側１／２の領域に、フィラーの全てが存在していてもよい。   The first number density of the filler in the lower ½ region of the sealing portion may be greater than or equal to the second number density of the filler in the upper ½ region of the sealing portion. May be small. From the viewpoint of more effectively increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the first number density of the filler in the lower half region of the sealing portion is the upper half region of the sealing portion. It is preferable that it is equal to or less than the second number density of the filler, and the first number density of the filler in the lower half region of the sealing portion is the filler number in the upper half region of the sealing portion. It is preferable that it is smaller than the second number density. Note that all of the filler may be present in the upper half region of the sealing portion.

光半導体装置から発せられる光度をより一層効果的に高める観点からは、封止部の下側１／２の領域におけるフィラーの第１の個数密度は、好ましくは１×１０５個／ｍｍ３以下、より好ましくは１×１０４個／ｍｍ３以下である。 From the viewpoint of further effectively increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the first number density of the filler in the lower half region of the sealing portion is preferably 1 × 10 5 pieces / mm 3 or less. More preferably, it is 1 × 10 4 pieces / mm 3 or less.

封止部の上側１／２の領域に、全てのフィラーが含まれていてもよい。封止部の下側１／２の領域におけるフィラーの第１の個数密度は、１×１０５個／ｍｍ３以上であってもよく、１×１０６個／ｍｍ３以上であってもよい。 All fillers may be contained in the upper half region of the sealing portion. The first number density of the filler in the lower half region of the sealing portion may be 1 × 10 5 pieces / mm 3 or more, or may be 1 × 10 6 pieces / mm 3 or more. .

光半導体装置から発せられる光度をより一層効果的に高める観点からは、封止部の上側１／２の領域におけるフィラーの第２の個数密度は、好ましくは１×１０５個／ｍｍ３以上、より好ましくは１×１０６個／ｍｍ３以上、更に好ましくは１×１０７個／ｍｍ３以上、好ましくは１×１０１１個／ｍｍ３以下、より好ましくは１×１０１０個／ｍｍ３以下である。 From the viewpoint of more effectively increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the second number density of the filler in the upper half region of the sealing portion is preferably 1 × 10 5 pieces / mm 3 or more, More preferably 1 × 10 6 pieces / mm 3 or more, further preferably 1 × 10 7 pieces / mm 3 or more, preferably 1 × 10 11 pieces / mm 3 or less, more preferably 1 × 10 10 pieces / mm 3 or less. It is.

なお、蛍光体及びフィラーの第１，第２の個数密度は、下側１／２の領域全体又は上側１／２の領域全体での平均個数密度を表す。   The first and second number densities of the phosphor and the filler represent the average number density in the entire lower half region or the entire upper half region.

なお、蛍光体及びフィラーの第１，第２の個数密度は、フィラーの円形度及び平均粒径、蛍光体の平均粒径、封止剤の溶融粘度及び溶融時間によって調整することができる。また、蛍光体及びフィラーの第１，第２の個数密度は、成形体の枠部内に、２種以上の封止剤を多段階で充填することによっても調整することができる。   The first and second number densities of the phosphor and filler can be adjusted by the circularity and average particle diameter of the filler, the average particle diameter of the phosphor, the melt viscosity of the sealant, and the melt time. Moreover, the 1st, 2nd number density of fluorescent substance and a filler can also be adjusted by filling 2 or more types of sealing agents in multiple steps in the frame part of a molded object.

上記封止部を構成する樹脂は、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂であることが好ましく、シリコーン樹脂であることがより好ましい。シリコーン化合物を含む封止剤を硬化させることで、シリコーン樹脂を含む封止部を形成することができる。上記封止部を構成する樹脂は、ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンをヒドロシリル化反応させたシリコーン樹脂であることが特に好ましい。シリコーン樹脂を用いた封止部では、高温に晒されたときに、クラックが生じ難くなり、封止部がハウジング材等から剥離し難くなる。   The resin constituting the sealing portion is preferably an epoxy resin or a silicone resin, and more preferably a silicone resin. The sealing part containing a silicone resin can be formed by curing a sealing agent containing a silicone compound. The resin constituting the sealing portion is particularly preferably a silicone resin obtained by hydrosilylation reaction of an organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction. In a sealing part using a silicone resin, cracks are less likely to occur when exposed to high temperatures, and the sealing part is difficult to peel from the housing material or the like.

以下、封止部に含まれている各成分の詳細を説明する。   Hereinafter, the detail of each component contained in the sealing part is demonstrated.

（シリコーン化合物）
上記シリコーン化合物は特に限定されない。上記シリコーン化合物としては、熱硬化可能なシリコーン化合物、光硬化可能なシリコーン化合物、及びヒドロシリル化反応可能なシリコーン化合物等が挙げられる。上記熱硬化可能なシリコーン化合物は、例えば熱硬化剤と併用される。上記光硬化可能なシリコーン化合物は、例えば光硬化開始剤と併用される。上記ヒドロシリル化反応可能なシリコーン化合物は、ヒドロシリル化反応用触媒と併用される。上記シリコーン化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Silicone compound)
The silicone compound is not particularly limited. Examples of the silicone compound include a thermosetting silicone compound, a photocurable silicone compound, and a hydrosilylation reactive silicone compound. The thermosetting silicone compound is used in combination with, for example, a thermosetting agent. The photocurable silicone compound is used in combination with, for example, a photocuring initiator. The silicone compound capable of hydrosilylation reaction is used in combination with a hydrosilylation reaction catalyst. As for the said silicone compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

封止部におけるクラックの発生及び封止部の剥離をより抑制する観点からは、上記シリコーン化合物は、ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンであることが好ましい。この場合に、上記封止剤は、後述するヒドロシリル化反応用触媒を含むことが好ましい。   From the viewpoint of further suppressing generation of cracks in the sealing portion and peeling of the sealing portion, the silicone compound is preferably an organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction. In this case, it is preferable that the sealing agent contains a hydrosilylation reaction catalyst described later.

上記封止剤及び上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンはそれぞれ、アルケニル基を２個以上有する第１のオルガノポシリロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を２個以上有する第２のオルガノポシリロキサンとを含むことが好ましい。上記第１のオルガノポシリロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さないことが好ましい。なお、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。上記第１のオルガノポリシロキサンにおいて、アルケニル基は、珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記第１，２のオルガノポリシロキサンはそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Each of the sealing agent and the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction includes a first organopolysiloxane having two or more alkenyl groups and a second organopolysiloxane having two or more hydrogen atoms bonded to silicon atoms. It is preferable to contain posilyloxane. The first organopolysiloxane preferably does not have a hydrogen atom bonded to a silicon atom. The carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group may be bonded to the silicon atom, and the carbon atom different from the carbon atom in the carbon-carbon double bond of the alkenyl group is in the silicon atom. It may be bonded. In the first organopolysiloxane, the alkenyl group is preferably directly bonded to a silicon atom. Each of the first and second organopolysiloxanes may be used alone or in combination of two or more.

封止部におけるクラックの発生及び封止部の剥離をより抑制する観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、アリール基を有することが好ましい。上記第１のオルガノポリシロキサンにおいて、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。封止部におけるクラックの発生及び封止部の剥離をより抑制する観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、アリール基を有することが好ましい。上記第２のオルガノポリシロキサンにおいて、アリール基は珪素原子に直接結合していることが好ましい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。   From the viewpoint of further suppressing generation of cracks in the sealing portion and peeling of the sealing portion, the first organopolysiloxane preferably has an aryl group. In the first organopolysiloxane, the aryl group is preferably directly bonded to a silicon atom. From the viewpoint of further suppressing generation of cracks in the sealing portion and peeling of the sealing portion, the second organopolysiloxane preferably has an aryl group. In the second organopolysiloxane, the aryl group is preferably directly bonded to the silicon atom. As said aryl group, an unsubstituted phenyl group and a substituted phenyl group are mentioned.

上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン、及び上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの各数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは５００以上、より好ましくは８００以上、更に好ましくは１０００以上、好ましくは５００００以下、より好ましくは１５０００以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時などに揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止部の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。   Each of the number average molecular weights (Mn) of the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction and the first and second organopolysiloxanes is preferably 500 or more, more preferably 800 or more, still more preferably 1000 or more, preferably 50000 or less, more preferably 15000 or less. When the number average molecular weight is not less than the above lower limit, volatile components are reduced during thermosetting, and the thickness of the sealing portion is hardly reduced under a high temperature environment. When the number average molecular weight is not more than the above upper limit, viscosity adjustment is easy.

上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。   The number average molecular weight (Mn) is a value obtained by using polystyrene as a standard substance using gel permeation chromatography (GPC). The number average molecular weight (Mn) was measured using two measuring devices manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: Tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene) means a value measured.

上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン、及び上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。反応の制御が容易であることから、アルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。   The method for synthesizing the organopolysiloxane capable of hydrosilylation and the first and second organopolysiloxanes is not particularly limited, and is a method in which an alkoxysilane compound is hydrolyzed and subjected to a condensation reaction, and a chlorosilane compound is hydrolyzed. The method of condensing is mentioned. A method of hydrolyzing the alkoxysilane compound is preferable because the reaction can be easily controlled.

アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。   Examples of the method for hydrolyzing and condensing the alkoxysilane compound include a method of reacting the alkoxysilane compound in the presence of water and an acidic catalyst or a basic catalyst. Further, the disiloxane compound may be hydrolyzed and used.

上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンにアリール基を導入するための有機珪素化合物、及び上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing an aryl group into the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction and the organosilicon compound for introducing an aryl group into the first and second organopolysiloxanes include triphenylmethoxysilane. , Triphenylethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, methyl (phenyl) dimethoxysilane, and phenyltrimethoxysilane.

上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物、及び上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Examples of the organosilicon compound for introducing an alkenyl group into the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction and the organosilicon compound for introducing an alkenyl group into the first organopolysiloxane include vinyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane. Examples include ethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, methoxydimethylvinylsilane, vinyldimethylethoxysilane, and 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane.

上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物、及び上記第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。   Organosilicon compound for introducing hydrogen atoms bonded to silicon atoms into the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction, and organosilicon compound for introducing hydrogen atoms bonded to silicon atoms into the second organopolysiloxane Examples thereof include trimethoxysilane, triethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, and 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane.

上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン、及び上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。   Examples of other organosilicon compounds that can be used to obtain the above hydrosilylation-responsive organopolysiloxane and the first and second organopolysiloxanes include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, and dimethyldimethoxysilane. , Dimethyldiethoxysilane, isopropyl (methyl) dimethoxysilane, cyclohexyl (methyl) dimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octyltrimethoxysilane, etc. Is mentioned.

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。   Examples of the acidic catalyst include inorganic acids, organic acids, acid anhydrides of inorganic acids and derivatives thereof, and acid anhydrides of organic acids and derivatives thereof. Examples of the basic catalyst include alkali metal hydroxides, alkali metal alkoxides, and alkali metal silanol compounds.

封止剤１００重量％中、上記シリコーン化合物及び上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンの各含有量は好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、更に好ましくは８５重量％以上、好ましくは９８重量％以下、より好ましくは９７重量％以下、更に好ましくは９６重量％以下である。上記シリコーン化合物及び上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンの各含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、光半導体装置から発せられる光度がより一層高くなる。   The content of the silicone compound and the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction is preferably 70% by weight or more, more preferably 80% by weight or more, and still more preferably 85% by weight or more, in 100% by weight of the sealant. Is 98% by weight or less, more preferably 97% by weight or less, and still more preferably 96% by weight or less. When the contents of the silicone compound and the organopolysiloxane capable of hydrosilylation are not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the light intensity emitted from the optical semiconductor device is further increased.

上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は好ましくは１０重量部以上、より好ましくは３０重量部以上、更に好ましくは５０重量部以上、好ましくは４００重量部以下、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下である。上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対する上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、封止剤の硬化性及び保存安定性がより一層高くなり、更に封止部の耐熱性もより一層高くなる。   The content of the second organopolysiloxane is preferably 10 parts by weight or more, more preferably 30 parts by weight or more, still more preferably 50 parts by weight or more, preferably 100 parts by weight of the first organopolysiloxane. 400 parts by weight or less, more preferably 300 parts by weight or less, still more preferably 200 parts by weight or less. When the content of the second organopolysiloxane with respect to 100 parts by weight of the first organopolysiloxane is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability and storage stability of the sealant are further enhanced, and The heat resistance of the sealing portion is further increased.

（ヒドロシリル化反応用触媒）
上記封止剤は、ヒドロシリル化反応用触媒を含んでいてもよい。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、上記ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンをヒドロシリル化反応させる触媒である。また、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のオルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、上記第２のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。 (Catalyst for hydrosilylation reaction)
The sealing agent may contain a hydrosilylation reaction catalyst. The catalyst for hydrosilylation reaction is a catalyst for hydrosilylation reaction of the organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction. The hydrosilylation reaction catalyst is a catalyst that causes a hydrosilylation reaction between an alkenyl group in the first organopolysiloxane and a hydrogen atom bonded to a silicon atom in the second organopolysiloxane.

上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止部の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   As the hydrosilylation reaction catalyst, various catalysts that cause the hydrosilylation reaction to proceed can be used. Examples of the hydrosilylation reaction catalyst include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. Since the transparency of the sealing part can be increased, a platinum-based catalyst is preferable. As for the said catalyst for hydrosilylation reaction, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。   Examples of the platinum-based catalyst include platinum powder, chloroplatinic acid, a platinum-alkenylsiloxane complex, a platinum-olefin complex, and a platinum-carbonyl complex. In particular, a platinum-alkenylsiloxane complex or a platinum-olefin complex is preferable.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。   Examples of the alkenylsiloxane in the platinum-alkenylsiloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5. , 7-tetravinylcyclotetrasiloxane and the like. Examples of the olefin in the platinum-olefin complex include allyl ether and 1,6-heptadiene.

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。   Since stability of the platinum-alkenylsiloxane complex and platinum-olefin complex can be improved, alkenylsiloxane, organosiloxane oligomer, allyl ether or olefin is added to the platinum-alkenylsiloxane complex or platinum-olefin complex. Is preferred. The alkenylsiloxane is preferably 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane. The organosiloxane oligomer is preferably a dimethylsiloxane oligomer. The olefin is preferably 1,6-heptadiene.

高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をより一層抑制し、かつ封止部の変色をより一層抑制する観点からは、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金のアルケニル錯体であることが好ましい。高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をさらに一層抑制し、かつ封止部の変色をさらに一層抑制する観点からは、上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合に、白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、封止部の透明性を高くすることもできる。上記白金のアルケニル錯体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of further suppressing the decrease in light intensity when used in a state of being energized in a harsh environment under high temperature or high humidity, and further suppressing discoloration of the sealing portion, the hydrosilylation reaction The catalyst is preferably an alkenyl complex of platinum. From the viewpoint of further suppressing the decrease in luminous intensity when used in a harsh environment under high temperature or high humidity, and further suppressing discoloration of the sealing portion, the above platinum alkenyl complex Is preferably a platinum alkenyl complex obtained by reacting chloroplatinic acid hexahydrate with 6 equivalents or more of a bifunctional or higher alkenyl compound. In this case, the platinum alkenyl complex is a reaction product of chloroplatinic acid hexahydrate and 6 equivalents or more of a bifunctional or higher alkenyl compound. Moreover, the transparency of the sealing part can be increased by using the platinum alkenyl complex. As for the said platinum alkenyl complex, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸６水和物（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）を用いることが好ましい。 It is preferable to use the chloroplatinic acid hexahydrate (H 2 PtCl 6 .6H 2 O) as a platinum raw material for obtaining the platinum alkenyl complex.

上記白金のアルケニルを得るための上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。   Examples of the bifunctional or higher alkenyl compound of 6 equivalents or more for obtaining the platinum alkenyl include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethyl- Examples include 1,3-diphenyl-1,3-divinyldisiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane.

上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物における「当量」に関しては、上記塩化白金酸６水和物１モルに対して上記２官能以上のアルケニル化合物が１モルである重量を１当量とする。上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物は、５０当量以下であることが好ましい。   Regarding the “equivalent” in the bifunctional or higher alkenyl compound of 6 equivalents or more, the equivalent weight of 1 mol of the bifunctional or higher alkenyl compound is 1 equivalent to 1 mol of the chloroplatinic acid hexahydrate. . It is preferable that the bifunctional or higher alkenyl compound having 6 equivalents or more is 50 equivalents or less.

上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール及び１−ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Examples of the solvent used to obtain the platinum alkenyl complex include alcohol solvents such as methanol, ethanol, 2-propanol, and 1-butanol. Aromatic solvents such as toluene and xylene may be used. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。   In order to obtain the platinum alkenyl complex, a monofunctional vinyl compound may be used in addition to the above components. Examples of the monofunctional vinyl compound include trimethoxyvinylsilane, triethoxyvinylsilane, and vinylmethyldimethoxysilane.

塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。   Regarding the reaction product of chloroplatinic acid hexahydrate and 6 equivalents or more of bifunctional or higher alkenyl compound, platinum element and 6 equivalents or more of bifunctional or higher alkenyl compound are covalently bonded or distributed. Or are covalently bonded and coordinated.

封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子（白金のアルケニル錯体の場合には白金原子）の重量単位で好ましくは０．０１ｐｐｍ以上、より好ましくは１ｐｐｍ以上、好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記下限以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記上限以下であると、封止部の着色の問題が生じ難い。   In the sealant, the content of the hydrosilylation reaction catalyst is preferably 0.01 ppm or more, more preferably 1 ppm or more, preferably by weight unit of metal atom (in the case of platinum alkenyl complex, platinum atom). 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less. When the content of the hydrosilylation catalyst is equal to or higher than the lower limit, it is easy to sufficiently cure the sealant. When the content of the hydrosilylation reaction catalyst is not more than the above upper limit, the problem of coloring of the sealing portion hardly occurs.

（蛍光体以外のフィラー）
上記蛍光体を除くフィラーは、円形度が０．８以上であり、平均粒径が０．２μｍ以上、１０μｍ以下であれば特に限定されない。上記フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 (Fillers other than phosphor)
The filler excluding the phosphor is not particularly limited as long as the circularity is 0.8 or more and the average particle size is 0.2 μm or more and 10 μm or less. As for the said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記フィラーとしては、シリカ、マイカ、ベリリア、チタン酸カリウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化アンチモン、ホウ酸アルミニウム、水酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、窒化珪素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、炭化珪素、架橋アクリルの樹脂粒子及びシリコーン粒子等が挙げられる。   As the filler, silica, mica, beryllia, potassium titanate, barium titanate, strontium titanate, calcium titanate, antimony oxide, aluminum borate, aluminum hydroxide, magnesium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, aluminum carbonate, Examples include calcium silicate, aluminum silicate, magnesium silicate, calcium phosphate, calcium sulfate, barium sulfate, silicon nitride, boron nitride, clay such as baked clay, talc, silicon carbide, crosslinked acrylic resin particles and silicone particles.

光半導体装置から発せられる光度を効果的に高め、封止剤の耐熱性及び耐光性をより一層高める観点からは、上記フィラーは、無機フィラーであることが好ましく、シリカであることがより好ましい。   From the viewpoint of effectively increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device and further increasing the heat resistance and light resistance of the encapsulant, the filler is preferably an inorganic filler, more preferably silica.

上記フィラーは、チタニア（二酸化チタン）を含まないことが好ましく、シリカ−チタニア複合酸化物ではないことが好ましい。チタニアは紫外光（３８０ｎｍ以下）を吸収する性質があるために、封止剤を用いた光半導体装置の光度の性質を低下させる傾向がある。また、上記フィラーはガラス粒子ではないことが好ましい。   The filler preferably does not contain titania (titanium dioxide), and is preferably not a silica-titania composite oxide. Since titania has the property of absorbing ultraviolet light (380 nm or less), there is a tendency to reduce the luminosity property of an optical semiconductor device using a sealant. The filler is preferably not glass particles.

上記フィラーの円形度は０．８以上である。従って、上記フィラーは球状に近い形状を有する。光半導体装置から発せられる光度をより一層高める観点からは、上記フィラーの形状は真球状に近いほどよい。従って、光半導体装置から発せられる光度をより一層高める観点からは、上記フィラーの円形度は好ましくは０．９以上、より好ましくは０．９６以上、更に好ましくは０．９７以上、特に好ましくは０．９８以上、最も好ましくは０．９９以上である。上記円形度は、フィラーの投影像から求められる。   The circularity of the filler is 0.8 or more. Therefore, the filler has a shape close to a sphere. From the viewpoint of further increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the shape of the filler is preferably closer to a true sphere. Therefore, from the viewpoint of further increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the circularity of the filler is preferably 0.9 or more, more preferably 0.96 or more, still more preferably 0.97 or more, and particularly preferably 0. .98 or more, most preferably 0.99 or more. The circularity is determined from the projected image of the filler.

上記フィラーの平均粒径は、０．２μｍ以上、１０μｍ以下である。上記フィラーは、封止剤の粘度低下を主目的として配合されているのではなく、光半導体装置から発せされる光度をより一層高めるために配合されている。従って、上記フィラーの平均粒径は上記下限以上及び上記上限以下に限定される。   The average particle size of the filler is 0.2 μm or more and 10 μm or less. The filler is not blended mainly for the purpose of reducing the viscosity of the sealant, but is blended to further increase the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device. Therefore, the average particle size of the filler is limited to the above lower limit and below the upper limit.

光半導体装置から発せられる光度をより一層高める観点からは、上記フィラーの平均粒径は好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ未満、更に好ましくは４．９μｍ以下である。   From the viewpoint of further increasing the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device, the average particle size of the filler is preferably 7 μm or less, more preferably less than 5 μm, and even more preferably 4.9 μm or less.

上記フィラーの平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ １３ ３２０」等が挙げられる。   The average particle size of the filler is a particle size value when the integrated value is 50% in the volume-based particle size distribution curve. The average particle size can be measured using, for example, a laser beam type particle size distribution meter. As a commercial product of the laser beam type particle size distribution analyzer, “LS 13 320” manufactured by Beckman Coulter, Inc. can be cited.

（蛍光体）
上記封止部は、蛍光体を含む。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。 (Phosphor)
The sealing portion includes a phosphor. The above phosphor acts to absorb light emitted from a light emitting element that is sealed using a sealant for an optical semiconductor device and generate fluorescence to finally obtain light of a desired color. To do. The phosphor is excited by light emitted from the light emitting element to emit fluorescence, and light of a desired color can be obtained by a combination of light emitted from the light emitting element and fluorescence emitted from the phosphor.

例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   For example, when it is intended to finally obtain white light using an ultraviolet LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a blue phosphor, a red phosphor and a green phosphor. When it is intended to finally obtain white light using a blue LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a green phosphor and a red phosphor, or a yellow phosphor. As for the said fluorescent substance, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ等が挙げられる。 The blue phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, (Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 : Eu and the like.

上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）８Ｃｌ２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。 It is not particularly restricted but includes the red phosphor, for example, (Sr, Ca) S: Eu, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu, CaSiN 2: Eu, CaAlSiN 3: Eu, Y 2 O 2 S : Eu, La 2 O 2 S: Eu, LiW 2 O 8 : (Eu, Sm), (Sr, Ca, Bs, Mg) 10 (PO 4 ) 8 Cl 2 : (Eu, Mn), Ba 3 MgSi 2 And O 8 : (Eu, Mn).

上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ等が挙げられる。 The green phosphor is not particularly limited, and for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, SrSiON: Eu, ZnS: (Cu, Al), BaMgAl 10 O 17 (Eu, Mn), SrAl 2 O 4 : Eu, and the like.

上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ等が挙げられる。 Is not particularly restricted but includes the yellow phosphor, for example, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, CaGa 2 S 4: Eu , Sr 2 SiO 4 : Eu, and the like.

さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。   Furthermore, examples of the phosphor include perylene compounds that are organic phosphors.

上記蛍光体の平均粒径は、好ましくは９μｍ以上、より好ましくは１２μｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１８μｍ以下である。上記蛍光体の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、光半導体装置から発せられる光度が効果的に高くなる。   The average particle diameter of the phosphor is preferably 9 μm or more, more preferably 12 μm or more, preferably 20 μm or less, more preferably 18 μm or less. When the average particle diameter of the phosphor is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the luminous intensity emitted from the optical semiconductor device is effectively increased.

上記蛍光体の平均粒径は、体積基準粒度分布曲線において積算値が５０％のときの粒径値である。該平均粒径は、例えばレーザ光式粒度分布計を用いて測定可能である。該レーザ光式粒度分布計の市販品としては、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ社製「ＬＳ １３ ３２０」等が挙げられる。   The average particle size of the phosphor is a particle size value when the integrated value is 50% in the volume-based particle size distribution curve. The average particle size can be measured using, for example, a laser beam type particle size distribution meter. As a commercial product of the laser beam type particle size distribution analyzer, “LS 13 320” manufactured by Beckman Coulter, Inc. can be cited.

（カップリング剤）
上記封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。 (Coupling agent)
The sealing agent may further contain a coupling agent in order to impart adhesiveness.

上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   It does not specifically limit as said coupling agent, For example, a silane coupling agent etc. are mentioned. Examples of the silane coupling agent include vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxy. Examples include silane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, and N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane. As for a coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

（他の成分）
上記封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤又は難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。 (Other ingredients)
The sealing agent may further contain additives such as a dispersant, an antioxidant, an antifoaming agent, a colorant, a modifier, a leveling agent, a light diffusing agent, or a flame retardant, as necessary.

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。本発明は以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be clarified by giving specific examples and comparative examples of the present invention. The present invention is not limited to the following examples.

封止部を形成する封止剤に以下の成分を用いた。   The following components were used for the sealing agent which forms a sealing part.

（シリコーン化合物）
第１のオルガノポリシロキサンＡ（（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．１９（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２５（ＶｉＳｉＯ３／２）０．３１、２３℃で液状）
第１のオルガノポリシロキサンＢ（（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．３３（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．４２（ＶｉＳｉＯ３／２）０．２５、２３℃で液状）
第１のオルガノポリシロキサンＣ（（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．４５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．３０（ＶｉＳｉＯ３／２）０．２５、２３℃で液状）
第２のオルガノポリシロキサンＡ（（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０５（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．１９（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．２６（ＰｈＳｉＯ３／２）０．２７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２３、２３℃で液状）
第２のオルガノポリシロキサンＢ（（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０９（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２７（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４１（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２３、２３℃で液状）
第２のオルガノポリシロキサンＣ（（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．１９（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．１６（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４６（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１９、２３℃で液状）
上記の組成式でＭｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。 (Silicone compound)
First organopolysiloxane A ((Me 3 SiO 1/2 ) 0.19 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.25 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.25 (ViSiO 3/2 ) 0.31 Liquid at 23 ° C)
First organopolysiloxane B ((Me 2 SiO 2/2 ) 0.33 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.42 (ViSiO 3/2 ) 0.25 , liquid at 23 ° C.)
First organopolysiloxane C ((Me 2 SiO 2/2 ) 0.45 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.30 (ViSiO 3/2 ) 0.25 , liquid at 23 ° C.)
Second organopolysiloxane A ((Me 3 SiO 1/2 ) 0.05 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.19 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.26 (PhSiO 3/2 ) 0.27 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.23 , liquid at 23 ° C.)
Second organopolysiloxane B ((Me 3 SiO 1/2 ) 0.09 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.27 (PhSiO 3/2 ) 0.41 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.23 Liquid at 23 ° C)
Second organopolysiloxane C ((Me 3 SiO 1/2 ) 0.19 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.16 (PhSiO 3/2 ) 0.46 (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.19 Liquid at 23 ° C)
In the above composition formula, Me represents a methyl group, Ph represents a phenyl group, and Vi represents a vinyl group.

（エポキシ樹脂）
エポキシ化合物Ａ（ダイセル・オルネクス社製「セロキサイド ２０２１Ｐ」） (Epoxy resin)
Epoxy compound A ("Celoxide 2021P" manufactured by Daicel Ornex)

（蛍光体を除くフィラー）
シリカＡ（円形度０．９８、平均粒径１．０μｍ）
シリカＢ（円形度０．９７、平均粒径６．０μｍ）
シリカＣ（円形度０．９７、平均粒径０．２５μｍ）
シリカＤ（円形度０．９８、平均粒径２．０μｍ）
シリカＸ（円形度０．７２、平均粒径１．０μｍ）
シリカＹ（円形度０．９６、平均粒径１５．０μｍ） (Fillers excluding phosphors)
Silica A (roundness 0.98, average particle size 1.0 μm)
Silica B (circularity 0.97, average particle size 6.0 μm)
Silica C (roundness 0.97, average particle size 0.25 μm)
Silica D (roundness 0.98, average particle size 2.0 μm)
Silica X (circularity 0.72, average particle size 1.0 μm)
Silica Y (circularity 0.96, average particle size 15.0 μm)

（ヒドロシリル化反応用触媒）
ヒドロシリル化反応用触媒Ａ（白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体） (Catalyst for hydrosilylation reaction)
Hydrosilylation catalyst A (platinum 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex)

（熱硬化剤）
熱硬化剤Ａ（新日本理化社製「リカシッド ＭＨ−７００Ｇ」） (Thermosetting agent)
Thermosetting agent A (“Rikacid MH-700G” manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.)

（蛍光体）
蛍光体Ａ（Ｎ−ＹＡＧ−２、平均粒径１３．５μｍ）
蛍光体Ｂ（ＥＹ４４５３、平均粒径１５．０μｍ）
蛍光体Ｃ（ＹＡＧ−２、平均粒径７．０μｍ） (Phosphor)
Phosphor A (N-YAG-2, average particle size 13.5 μm)
Phosphor B (EY4453, average particle size 15.0 μm)
Phosphor C (YAG-2, average particle size 7.0 μm)

（実施例１〜１５及び比較例１〜５）
下記の表１に示す配合成分を配合した。ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン組成物（シリコーン化合物の組み合わせ）及びヒドロシリル化反応用触媒、又は、エポキシ化合物Ａ及び熱硬化剤Ａと、シリカ（第１，第２の個数密度が下記の表１に示す値となる量）と、蛍光体（第１，第２の個数密度が下記の表１に示す値となる量）とを配合して、封止剤を得た。 (Examples 1-15 and Comparative Examples 1-5)
The blending components shown in Table 1 below were blended. Organopolysiloxane composition capable of hydrosilylation reaction (combination of silicone compounds) and catalyst for hydrosilylation reaction, or epoxy compound A and thermosetting agent A and silica (first and second number densities are shown in Table 1 below) And a phosphor (amount in which the first and second number densities are the values shown in Table 1 below) were blended to obtain a sealant.

なお、シリコーン化合物を用いる場合に、ヒドロシリル化反応用触媒Ａを、封止剤全体に対して白金金属が重量単位で５０ｐｐｍとなる量で用いた。エポキシ化合物Ａを用いる場合に、エポキシ化合物Ａ１００重量部に対して、熱硬化剤Ａを１００重量部用いた。   In addition, when using a silicone compound, the catalyst A for hydrosilylation reaction was used in the quantity from which platinum metal will be 50 ppm by weight with respect to the whole sealing agent. When using the epoxy compound A, 100 parts by weight of the thermosetting agent A was used with respect to 100 parts by weight of the epoxy compound A.

銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させて、蛍光体及びシリカの第１，第２の個数密度が下記の表１に示す値である光半導体装置を作製した。   In a structure in which a light emitting element having a main emission peak of 460 nm is mounted on a silver-plated polyphthalamide housing material with a lead electrode by a die bond material, and the light emitting element and the lead electrode are connected by a gold wire. The obtained sealing agent was injected, and heated and cured at 150 ° C. for 2 hours to produce an optical semiconductor device in which the first and second number densities of the phosphor and silica are the values shown in Table 1 below. .

また、蛍光体及びシリカの第１，第２の個数密度は、シリカの円形度及び平均粒径、蛍光体の平均粒径と、封止剤の溶融粘度と、硬化時間によって調整した。   The first and second number densities of the phosphor and silica were adjusted by the circularity and average particle diameter of silica, the average particle diameter of the phosphor, the melt viscosity of the sealant, and the curing time.

（実施例１６）
ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン組成物（シリコーン化合物Ａ，Ａの組み合わせ）及びヒドロシリル化反応用触媒Ａと、シリカＡ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量）と、蛍光体Ａ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量とを配合して、第１の封止剤を得た。 (Example 16)
Organopolysiloxane composition capable of hydrosilylation reaction (combination of silicone compounds A and A) and catalyst A for hydrosilylation reaction, and silica A (amount at which the first and second number densities are the values shown in Table 2 below) ) And phosphor A (the first and second number densities are values shown in Table 2 below) to obtain a first sealant.

ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン組成物（シリコーン化合物Ａ，Ａの組み合わせ）及びヒドロシリル化反応用触媒Ａと、シリカＡ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量）と、蛍光体Ａ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量）とを配合して、第２の封止剤を得た。   Organopolysiloxane composition capable of hydrosilylation reaction (combination of silicone compounds A and A) and catalyst A for hydrosilylation reaction, and silica A (amount at which the first and second number densities are the values shown in Table 2 below) ) And phosphor A (amount in which the first and second number densities are values shown in Table 2 below) were blended to obtain a second sealant.

なお、ヒドロシリル化反応用触媒Ａを、第１の封止剤全体及び第２の封止剤全体に対して白金金属が重量単位で５０ｐｐｍとなる量で用いた。   In addition, the catalyst A for hydrosilylation reaction was used in such an amount that the platinum metal was 50 ppm by weight with respect to the entire first sealing agent and the entire second sealing agent.

銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られる封止部の下側１／２の領域に、得られた第１の封止剤を注入し、８０℃で１時間予備加熱した。次に、得られる封止部の上側１／２の領域に、得られた第２の封止剤を注入した。第１，第２の封止剤を１５０℃で２時間加熱して硬化させて、蛍光体及びシリカの第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値である光半導体装置を作製した。   In a structure in which a light emitting element having a main emission peak of 460 nm is mounted on a silver-plated polyphthalamide housing material with a lead electrode by a die bond material, and the light emitting element and the lead electrode are connected by a gold wire. The obtained 1st sealing agent was inject | poured into the area | region of lower side 1/2 of the sealing part obtained, and it pre-heated at 80 degreeC for 1 hour. Next, the obtained 2nd sealing agent was inject | poured into the area | region of the upper half of the obtained sealing part. The first and second sealing agents are cured by heating at 150 ° C. for 2 hours to produce an optical semiconductor device in which the first and second number densities of the phosphor and silica are the values shown in Table 2 below. did.

（実施例１７）
ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン組成物（シリコーン化合物Ａ，Ａの組み合わせ）及びヒドロシリル化反応用触媒Ａと、シリカＡ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量）と、蛍光体Ａ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量とを配合して、第１の封止剤を得た。 (Example 17)
Organopolysiloxane composition capable of hydrosilylation reaction (combination of silicone compounds A and A) and catalyst A for hydrosilylation reaction, and silica A (amount at which the first and second number densities are the values shown in Table 2 below) ) And phosphor A (the first and second number densities are values shown in Table 2 below) to obtain a first sealant.

ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサン組成物（シリコーン化合物Ａ，Ａの組み合わせ）及びヒドロシリル化反応用触媒Ａと、シリカＡ（第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値となる量）とを配合して、第２の封止剤を得た。第２の封止剤には蛍光体を配合しなかった。   Organopolysiloxane composition capable of hydrosilylation reaction (combination of silicone compounds A and A) and catalyst A for hydrosilylation reaction, and silica A (amount at which the first and second number densities are the values shown in Table 2 below) ) To obtain a second sealant. No phosphor was blended in the second sealant.

なお、ヒドロシリル化反応用触媒Ａを、第１の封止剤全体及び第２の封止剤全体に対して白金金属が重量単位で５０ｐｐｍとなる量で用いた。   In addition, the catalyst A for hydrosilylation reaction was used in such an amount that the platinum metal was 50 ppm by weight with respect to the entire first sealing agent and the entire second sealing agent.

銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られる封止部の下側１／２の領域に、得られた第１の封止剤を注入し、８０℃で１時間予備加熱した。次に、得られる封止部の上側１／２の領域に、得られた第２の封止剤を注入した。第１，第２の封止剤を１５０℃で２時間加熱して硬化させて、蛍光体及びシリカの第１，第２の個数密度が下記の表２に示す値である光半導体装置を作製した。   In a structure in which a light emitting element having a main emission peak of 460 nm is mounted on a silver-plated polyphthalamide housing material with a lead electrode by a die bond material, and the light emitting element and the lead electrode are connected by a gold wire. The obtained 1st sealing agent was inject | poured into the area | region of lower side 1/2 of the sealing part obtained, and it pre-heated at 80 degreeC for 1 hour. Next, the obtained 2nd sealing agent was inject | poured into the area | region of the upper half of the obtained sealing part. The first and second sealing agents are cured by heating at 150 ° C. for 2 hours to produce an optical semiconductor device in which the first and second number densities of the phosphor and silica are the values shown in Table 2 below. did.

（評価）
得られた光半導体装置について、２３℃の温度下、光度測定装置（オプトロニックラボラトリーズ社製「ＯＬ７７０」）を用いて発光素子に６０ｍＡの電流を流した時の光度（初期光度）を測定した。シリカを入れていない時の光度を基準として、下記の基準で初期光度を判定した。なお、比較例３では、シリカを配合していないため、光度が低かった。 (Evaluation)
With respect to the obtained optical semiconductor device, the light intensity (initial light intensity) when a current of 60 mA was passed through the light emitting element was measured at a temperature of 23 ° C. using a light intensity measuring device (“OL770” manufactured by Optronic Laboratories). The initial luminous intensity was determined according to the following criteria based on the luminous intensity when no silica was added. In Comparative Example 3, the luminous intensity was low because silica was not blended.

［初期光度の判定基準］
〇○：初期光度が３％以上向上
○：初期光度が２％以上、３％未満向上
△：初期光度が１％以上、２％未満向上
×：初期光度が１％未満向上 [Initial Luminance Criteria]
○ ○: Initial luminous intensity improved by 3% or more ○: Initial luminous intensity improved by 2% or more and less than 3% Δ: Initial luminous intensity improved by 1% or more but less than 2% ×: Initial luminous intensity improved by less than 1%

（高温高湿通電試験）
発光素子に１００ｍＡの電流を流した状態で光半導体装置を８５℃及び相対湿度８５ＲＨ％雰囲気下のチャンバー内に入れて、１０００時間放置した。１０００時間後、２３℃の温度下、光度測定装置（オプトロニックラボラトリーズ社製「ＯＬ７７０」）を用いて発光素子に６０ｍＡの電流を流した時の光度を測定した。初期光度に対する光度の低下率を算出した。高温高湿通電試験を下記の基準で判定した。 (High temperature and high humidity energization test)
In a state where a current of 100 mA was passed through the light emitting element, the optical semiconductor device was placed in a chamber under an atmosphere of 85 ° C. and a relative humidity of 85 RH% and left for 1000 hours. After 1000 hours, the light intensity when a current of 60 mA was passed through the light emitting element was measured at a temperature of 23 ° C. using a light intensity measuring device (“OL770” manufactured by Optronic Laboratories). The rate of decrease in luminous intensity relative to the initial luminous intensity was calculated. The high temperature and high humidity energization test was judged according to the following criteria.

［高温高湿通電試験の判定基準］
○：光度の低下率が１０％未満
△：光度の低下率が１０％以上、１５％未満
×：光度の低下率が１５％以上 [Criteria for high-temperature and high-humidity current test]
○: The luminous intensity decrease rate is less than 10%. Δ: The luminous intensity decrease rate is 10% or more and less than 15%. X: The luminous intensity decrease rate is 15% or more.

詳細及び結果を下記の表１，２に示す。   Details and results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 2016081939
Figure 2016081939

Figure 2016081939
Figure 2016081939

１…光半導体装置
２…リードフレーム
３…光半導体素子
４…第１の成形体
４ａ…開口部
４ｂ…枠部
４ｃ…内面
５…第２の成形体
５ａ…底部
６…ダイボンド材
７…ボンディングワイヤー
８…封止部（封止剤の硬化物）
８Ａ…蛍光体
８Ｂ…フィラー
２１…光半導体装置
２２…ダイボンド材
２３…ボンディングワイヤー
３１…光半導体装置
３２…成形体
３２ａ…開口部
３２ｂ…枠部
３２ｃ…底部
Ｒ１…下側１／２の領域
Ｒ２…上側１／２の領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical semiconductor device 2 ... Lead frame 3 ... Optical semiconductor element 4 ... 1st molded object 4a ... Opening part 4b ... Frame part 4c ... Inner surface 5 ... 2nd molded object 5a ... Bottom part 6 ... Die bond material 7 ... Bonding wire 8 ... Sealing part (cured product of sealant)
8A ... phosphor 8B ... filler 21 ... optical semiconductor device 22 ... die bonding material 23 ... bonding wire 31 ... optical semiconductor device 32 ... molded body 32a ... opening 32b ... frame portion 32c ... bottom R1 ... lower half region R2 ... Upper half area

Claims (9)

枠部及び上端に開口部を有する成形体と、
前記成形体の枠部内に配置された光半導体素子と、
前記成形体の枠部内に配置されており、かつ前記光半導体素子を封止するように配置されている封止部とを備え、
前記封止部が、蛍光体と、蛍光体を除くフィラーとを含み、
前記フィラーの円形度が０．８以上であり、前記フィラーの平均粒径が０．２μｍ以上、１０μｍ以下であり、
前記封止部の最も下端の高さ位置から最も上端の高さ位置に向かって１／２の距離の、前記封止部の下側１／２の領域に前記蛍光体の全てが存在するか、又は、前記封止部の最も下端の高さ位置から最も上端の高さ位置に向かって１／２の距離の、前記封止部の下側１／２の領域における前記蛍光体の第１の個数密度が、前記封止部の最も上端の高さ位置から最も下端の高さ位置に向かって１／２の距離の、前記封止部の上側１／２の領域における前記蛍光体の第２の個数密度の１倍を超える、光半導体装置。 A molded body having an opening at the frame portion and the upper end; and
An optical semiconductor element disposed in the frame of the molded body;
A sealing portion that is disposed in a frame portion of the molded body and that is disposed so as to seal the optical semiconductor element;
The sealing portion includes a phosphor and a filler excluding the phosphor,
The circularity of the filler is 0.8 or more, the average particle size of the filler is 0.2 μm or more and 10 μm or less,
Whether all of the phosphors are present in the lower half region of the sealing portion at a distance of 1/2 from the lowest height position of the sealing portion to the highest height position. Alternatively, the first phosphor of the phosphor in the lower half region of the sealing portion at a distance of ½ from the lowermost height position of the sealing portion to the uppermost height position. The number density of the phosphors in the upper half region of the sealing portion is a distance of ½ from the uppermost height position of the sealing portion toward the lowermost height position. 2 is an optical semiconductor device exceeding 1 times the number density of 2; 前記封止部の前記下側１／２の領域に前記蛍光体の全てが存在するか、又は、前記封止部の前記下側１／２の領域における前記蛍光体の前記第１の個数密度が、前記封止部の前記上側１／２の領域における前記蛍光体の前記第２の個数密度の１．５倍以上である、請求項１に記載の光半導体装置。   All of the phosphors exist in the lower half region of the sealing part, or the first number density of the phosphors in the lower half region of the sealing part 2. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein is 1.5 times or more of the second number density of the phosphor in the upper half region of the sealing portion. 前記封止部の前記下側１／２の領域における前記蛍光体の前記第１の個数密度が、２×１０４個／ｍｍ３以上、４×１０６個／ｍｍ３以下である、請求項１又は２に記載の光半導体装置。 The first number density of the phosphor in the lower half region of the sealing portion is 2 × 10 4 pieces / mm 3 or more and 4 × 10 6 pieces / mm 3 or less. 3. The optical semiconductor device according to 1 or 2. 前記封止部の前記下側１／２の領域における前記フィラーの第１の個数密度が、１×１０５個／ｍｍ３以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置。 The light according to any one of claims 1 to 3, wherein a first number density of the filler in the lower half region of the sealing portion is 1 × 10 5 pieces / mm 3 or less. Semiconductor device. 前記封止部の前記上側１／２の領域における前記フィラーの第２の個数密度が、１×１０５個／ｍｍ３以上、１×１０１１個／ｍｍ３以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置。 5. The second number density of the filler in the upper half region of the sealing portion is 1 × 10 5 pieces / mm 3 or more and 1 × 10 11 pieces / mm 3 or less. The optical semiconductor device according to any one of the above. 前記蛍光体の平均粒径が７．５μｍ以上、２５μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein an average particle diameter of the phosphor is 7.5 μm or more and 25 μm or less. 前記フィラーがシリカである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the filler is silica. 前記封止部を構成する樹脂が、シリコーン樹脂である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the resin constituting the sealing portion is a silicone resin. 前記封止部を構成する樹脂が、ヒドロシリル化反応可能なオルガノポリシロキサンをヒドロシリル化反応させたシリコーン樹脂である、請求項８に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 8, wherein the resin constituting the sealing portion is a silicone resin obtained by hydrosilylation reaction of an organopolysiloxane capable of hydrosilylation reaction.
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