JP2016081933A5

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Filing date: 2015-10-20
Publication date: 2018-11-29
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Description

図２は、ＲＦ伝送線路１１４およびプラズマチャンバ１１２を試験するためのシステム２００の一実施形態の図である。システム２００は、ＦＧＭＤ２０２と、ＲＦ伝送線路１１４と、プラズマチャンバ１１２とを含む。ＦＧＭＤ２０２の例は、ネットワーク分析器、電圧および電流プローブ、電圧センサ、電流センサ、電力センサ、キャパシタンスセンサ、インダクタンスセンサ、インピーダンスセンサ、抵抗計などを含む。ネットワーク分析器はスキャッタリングパラメータ（Ｓパラメータ）を測定し、電圧および電流プローブは複素電流および電圧を測定し、電圧センサは複素電圧を測定し、電流センサは複素電流を測定し、電力センサは複素電力を測定し、キャパシタンスセンサはキャパシタンスを測定し、インダクタンスセンサはインダクタンスを測定し、インピーダンスセンサは複素インピーダンスを測定し、抵抗計は抵抗を測定する。Ｓパラメータの例は、Ｓ１１およびＳ１２パラメータを含む。Ｓパラメータの他の例は、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ２１、およびＳ２２パラメータを含む。幾つかの実施形態では、複素電圧および電流は、電流の大きさ、電圧の大きさ、および電流の大きさと電圧の大きさとの間の位相を含む。

ＦＧＭＤ２０２は、コネクタ２０４および２０６を介して、ＲＦ伝送線路１１４の伝送線路部分１２２に接続される。例えば、コネクタ２０６は、伝送線路部分１２２の入力Ｎ４へのコネクタ２０４の結合を容易にする。コネクタ２０４は、ＲＦケーブル２０８を介してＦＧＭＤ２０２に結合される。コネクタ２０４は、コネクタ２０６のピン（以下でさらに述べる）に結合する。

プラズマがプラズマチャンバ１１２内で発生されないとき、ＦＧＭＤ２０２は、パラメータ、例えば、部分１０６のＳ１１パラメータ、複素インピーダンス、複素電圧、複素電流、複素電圧および電流、複素送達電力、複素供給電力、キャパシタンス、インダクタンス、抵抗などを測定する。パラメータは、部分１０６内に不良構成要素が存在するかどうか判断するために使用される。

プラズマリアクタ４０２は、プラズマチャンバ４０８と、シリンダ部分１２２（図１）の一例であるＲＦシリンダ４１０とを含む。プラズマリアクタ４０２は、さらに、リターンＲＦストラップ４１２および４１４と、接地リング４１６と、底部電極ハウジング４１８とを含む。プラズマチャンバ４０８は、上側電極４２０と、上側電極延長部４２２と、Ｃ字形シュラウド４２４と、接地リング４１６と、チャックアセンブリとを含む。チャックアセンブリは、チャック４２６および設備プレート４２８を含む。基板４３０、例えばウェハなどが、基板４３０を処理するためにチャック４２６の上に配置される。基板４３０の処理の例は、基板４３０の洗浄、または基板４３０のエッチング、または基板４３０の上の酸化物もしくは金属のエッチング、または表面４３０上への材料、例えば酸化物、二酸化物、フォトレジスト材料などの堆積、またはそれらの組合せを含む。上側電極４２０は、上側電極１１６（図１）の一例であり、チャック４２６は、チャック１１８（図１）の一例である。

図５Ｇは、ねじ５１３の一実施形態の図である。ねじ５１３は、頭部５１５およびねじ山付き端部５１７を有する。頭部５１５およびねじ山付き端部５１７は、コネクタ５００のハウジング５０１（図５Ｅ）の空間５０５（図５Ｅ）内に延びる。

図５Ｈは、コネクタ５００の閉端部５０９（図５Ｂ）を通って、ハウジング５０１内部に形成された空間５０５内に延びるピン５１１の斜視図である。ピン５１１は、端部５１４（図５Ｃ）とは逆側に位置する端部５２１を有する。端部５２１は、ねじ５１３（図５Ｆ）のスペーシング５１９（図５Ｆ）内に嵌まる。ポート５０７の一部である絶縁ホルダ５５２、例えばプラスチック絶縁体、ガラス絶縁体、磁器絶縁体などが、ねじ５１３（図５Ｇ）と金属リング５５４との間の絶縁を提供し、金属リング５５４は、コネクタ５００の閉端部５０９（図５Ｂ）に当接する。また、絶縁ホルダ５５２は、絶縁ホルダ５５２を通って延びるピン５１１を支持する。金属リング５５４は、ハウジング５０１内部に形成された空間５０５内に延びる。

プロット１００６および１００８の極小値Ｍ１およびＭ２、例えば周波数範囲Ｐ１ＭＨｚ〜Ｐ２ＭＨｚ内での最小値は、所定の限界値Ｃ１とＣ２の間の範囲内にある。さらに、プロット１００４の極小値Ｍ３、例えば周波数範囲Ｐ１ＭＨｚ〜Ｐ２ＭＨｚ内での最小値は、所定の限界値Ｃ１とＣ２の外に位置する。エラー判断モジュール６０２は、極小値Ｍ３が所定の限界値Ｃ１とＣ２の間の範囲外に位置すると判断するとき、パラメータのエラーが生じていると判断する。他方、エラー判断モジュール６０２は、各極小値Ｍ１とＭ２が所定の限界値Ｃ１とＣ２の間の範囲内に位置すると判断するとき、パラメータのエラーが生じていないと判断する。

別の例として、図１２Ａを参照すると、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号のインピーダンスの大きさが、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号の周波数の所定の限界値Ｃ７とＣ８の間の範囲外にあるかどうかが判断される。図１２Ａは、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号のインピーダンスの大きさを信号の周波数ｆに対してプロットするグラフ１２００の一実施形態である。グラフ１２００にプロットされた周波数ｆは、Ｑ１ＭＨｚ〜Ｑ２ＭＨｚの範囲内であり、ここで、例えば、Ｑ１は、ゼロ以上の実数であり、Ｑ２は、ゼロよりも大きく、かつＱ１よりも大きい実数である。グラフ１２００は、プロット１２０２および１２０４を含む。プロット１２０４に示されるように、プロット１２０４の極大値は、所定の限界値Ｃ７とＣ８の外で生じる。所定の限界値Ｃ７とＣ８は、プロットプラズマツール１００が不良を有さないときにプロットされたプロット１２０２に関する周波数限度を提供する。エラー判断モジュール６０２は、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号のプロット１２０４にプロットされるインピーダンスの大きさの極大値が所定の限界値Ｃ７とＣ８の間の範囲外であると判断するとき、パラメータのエラーが生じていると判断する。他方、エラー判断モジュール６０２は、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号のプロット１２０２にプロットされるインピーダンスの大きさの極大値が、所定の限界値Ｃ７とＣ８の間の範囲内にあるとき、パラメータのエラーが生じていないと判断する。

さらに別の例として、図１２Ｂを参照すると、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号のインピーダンスの位相が、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号の周波数の所定の限界値Ｃ９とＣ１０の間の範囲外にあるかどうかが判断される。図１２Ｂは、センサ３１２によって感知されたＲＦ信号のインピーダンスの位相をＲＦ信号の周波数に対してプロットするグラフ１２１０の一実施形態である。グラフ１２１０にプロットされる周波数ｆは、Ｑ１ＭＨｚ〜Ｑ２ＭＨｚの範囲内である。グラフ１２１０は、プロット１２１２および１２１４を含む。プロット１２１４に示されるように、プロット１２１４の高位相レベル１２１６からプロット１２１４の低位相レベル１２１８への位相遷移は、所定の限界値Ｃ９とＣ１０の外で生じる。さらに、プロット１２１２に示されるように、プロット１２１２の高位相レベル１２１６からプロット１２１２の低位相レベル１２１８への位相遷移は、所定の限界値Ｃ９とＣ１０の間で生じる。所定の限界値Ｃ９とＣ１０は、プラズマツール１００が不良を有さないときにプロットされたプロット１２１２に関する周波数限度を提供する。エラー判断モジュール６０２は、センサ３１２によって感知され、プロット１２１４にプロットされたＲＦ信号の位相の遷移が、所定の限界値Ｃ９とＣ１０の間の範囲外であると判断するとき、パラメータのエラーが生じていると判断する。他方、エラー判断モジュール６０２は、センサ３１２によって感知され、プロット１２１２にプロットされたＲＦ信号の位相の遷移が、所定の限界値Ｃ９とＣ１０の間の範囲内にあると判断するとき、パラメータのエラーが生じていないと判断する。

図６Ａおよび図６Ｂを再び参照すると、エラーが生じていないことをパラメータが示すという判断に応答して、方法６０７が終了する。他方、エラーが生じていることをパラメータが示すという判断に応答して、操作６１４で、周波数限度識別器６０４が、エラーが生じる周波数の限度を識別する。例えば、図１０Ａを参照すると、周波数限度識別器６０４は、センサ３１２によって感知されるＲＦ信号のインピーダンスの大きさのエラーが生じる周波数の限度が、Ｌ１（例えばＰ１ＭＨｚなど）およびＬ２（例えばＰ２ＭＨｚなど）を含むことを識別する。別の例として、図１０Ｂを参照すると、周波数限度識別器６０４は、センサ３１２によって感知されるＲＦ信号のインピーダンスの位相遷移のエラーが生じる周波数の限度が、Ｌ１およびＬ２を含むことを識別する。さらに別の例として、図１１を参照すると、周波数限度識別器６０４は、センサ３１２によって感知されるＲＦ信号のインピーダンスの位相のエラーが生じる周波数の限度が、Ｌ１およびＬ２を含むことを識別する。別の例として、図１２Ａを参照すると、周波数限度識別器６０４は、センサ３１２によって感知されるＲＦ信号のインピーダンスの大きさのエラーが生じる周波数の限度が、Ｌ３（例えばＱ１ＭＨｚなど）およびＬ４（例えばＱ２ＭＨｚ）を含むことを識別する。さらに別の例として、図１２Ｂを参照すると、周波数限度識別器６０４は、センサ３１２によって感知されるＲＦ信号のインピーダンスの位相の遷移のエラーが生じる周波数の限度が、Ｌ３およびＬ４を含むことを識別する。

幾つかの実施形態では、周波数限度識別器６０４は、パラメータのエラーが生じる周波数の値を含み、エラーが生じない周波数の値を除外するように、周波数の限度を識別する。例えば、図１０Ａを再び参照すると、周波数の限度は、Ｖ１とＶ２の間にあり、Ｐ１ＭＨｚとＰ２ＭＨｚの間にはないように識別される。プロット１００４、１００６、および１００８の傾きは、Ｐ１ＭＨｚと周波数値Ｖ１との間、およびＶ２と周波数値Ｐ２ＭＨｚとの間で同様である。Ｐ１ＭＨｚとＶ１の間、および周波数値Ｖ２とＰ２ＭＨｚの間の周波数値は、パラメータのエラーが生じる周波数の限度を決定する際、周波数限度識別器６０４によって除外される。

一実施形態では、Ｏ１とＯ２の間の周波数（図９Ｃ）は、任意の周波数範囲１〜ｎ（図３Ａ）の一例であることに留意すべきである。一実施形態では、Ｐ１とＰ２（図１０Ａ）の間の周波数は、任意の周波数範囲１〜ｎの一例である。一実施形態では、Ｑ１とＱ２（図１２Ａ）の間の周波数は、任意の周波数範囲１〜ｎの一例である。

前述の実施形態は、理解しやすくするために幾分詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲の範囲内で何らかの変更および修正を行うことができることは明らかであろう。したがって、本発明の実施形態は、例示であり、限定ではないとみなされるべきであり、実施形態は、本明細書で提供される詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲の範囲および均等物内で修正することができる。
［適用例１］
ベースラインプラズマシステムの動作状態に関して、周波数帯域にわたる複数の周波数を適用するステップであって、前記周波数帯域が、前記周波数の複数の周波数範囲を含むステップと、
ベースラインプラズマシステムをモデル化して、ベースラインプラズマシステムのモデルパラメータを決定するステップと、
前記モデルパラメータに対応する前記周波数帯域の一部を、前記ベースラインプラズマシステムの１つ以上の不良構成要素に関連付けるステップと、
前記周波数帯域から前記周波数範囲の１つを識別するために、前記周波数帯域の前記周波数範囲それぞれを適用するために、周波数発生器および測定デバイス（ＦＧＭＤ）を用いてターゲットプラズマシステムを繰り返し試験するステップであって、前記ＦＧＭＤ（前記周波数発生器および前記測定デバイス）が、前記ベースラインプラズマシステムの複数の高周波（ＲＦ）発生器に取って代わり、前記ターゲットプラズマシステムの伝送線路に接続するステップと、
前記繰り返しの試験中に識別された前記周波数範囲に基づいて、不良を有する前記構成要素の１つ以上を識別するステップと
を含む方法。
［適用例２］
前記ＦＧＭＤデバイスを用いて前記ターゲットプラズマシステムを繰り返し試験するステップが、前記周波数帯域の前記周波数範囲それぞれに関して、前記ターゲットプラズマシステムを複数回試験して、前記周波数範囲の１つに前記パラメータのエラーがあるかどうか判断する適用例１に記載の方法。
［適用例３］
周波数発生器および測定デバイスから受信されたパラメータの測定結果にアクセスするステップであって、前記測定結果が、複数の高周波（ＲＦ）信号に基づいて生成され、前記信号が、プラズマツールの一部分に提供され、前記ＲＦ信号が、１つ以上の周波数範囲を有するステップと、
前記パラメータがエラーを示すかどうか判断するステップであって、前記エラーが、前記プラズマツールの前記部分での不良を示すステップと、
前記エラーが生じる周波数の限度を識別するステップと、
前記エラーが生じる周波数の前記限度に基づいて、前記エラーを引き起こす前記プラズマツールの前記部分の１つ以上の構成要素を識別するステップと
を含む方法であって、
処理装置によって実行される
方法。
［適用例４］
パラメータが、複素インピーダンス、または複素電圧および電流、またはＳパラメータ、または複素電力を含む適用例３に記載の方法。
［適用例５］
前記周波数発生器および測定デバイスが、ネットワーク分析器を含む適用例３に記載の方法。
［適用例６］
前記プラズマツールの前記部分が、プラズマチャンバ、または前記プラズマチャンバとＲＦ伝送線路の一部との組合せ、または前記プラズマチャンバと前記ＲＦ伝送線路との組合せを含む適用例３に記載の方法。
［適用例７］
前記プラズマツールの前記部分が、前記プラズマチャンバ、前記ＲＦ伝送線路、およびインピーダンス整合回路の組合せを含む適用例３に記載の方法。
［適用例８］
前記ＲＦ信号の前記周波数の各範囲が、前記ＲＦ信号の前記周波数の任意の他の範囲とは排他的である適用例３に記載の方法。
［適用例９］
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するステップが、前記パラメータが所定の限界値の外にあるかどうか判断するステップを含み、前記パラメータが、前記プラズマツールの前記部分が前記不良を有さないときには前記所定の限界値の外に位置する適用例３に記載の方法。
［適用例１０］
前記エラーが生じる前記周波数の前記限度を識別するステップが、前記パラメータの値が前記所定の限界値の範囲内であるとき、前記パラメータに対応する前記周波数の複数の値を決定するステップを含む適用例９に記載の方法。
［適用例１１］
前記エラーが生じる前記周波数の前記限度に基づいて、前記エラーを引き起こす前記プラズマツールの前記部分の前記１つ以上の構成要素を識別するステップが、
前記限度外の周波数の１つ以上に関連付けられる前記プラズマツールの前記部分の１つ以上の構成要素を除外するステップ
を含む適用例３に記載の方法。
［適用例１２］
前記パラメータがエラーを示すかどうか判断するステップが、
前記パラメータに関連付けられる共鳴周波数が、所定の共鳴周波数の間で生じるかどうか分析するステップと、
前記パラメータに関連付けられる前記共鳴周波数が前記所定の共鳴周波数の間で生じると判断したときに、前記エラーがないことを前記パラメータが示すと判断するステップと、
前記パラメータに関連付けられる前記共鳴周波数が前記所定の共鳴周波数の外で生じると判断したときに、前記パラメータが前記エラーを示すと判断するステップと
を含む適用例３に記載の方法。
［適用例１３］
前記パラメータがエラーを示すかどうか判断するステップが、
前記パラメータの位相の傾きが、前記パラメータの所定の限界値の位相の傾きの間にあるかどうか分析するステップと、
前記パラメータの前記位相の前記傾きが、前記パラメータの前記所定の限界値の前記位相の前記傾きの間にあると判断したときに、前記エラーがないことを前記パラメータが示すと判断するステップと、
前記パラメータの前記位相の前記傾きが、前記パラメータの前記所定の限界値の前記位相の前記傾きの外にあると判断したときに、前記パラメータが前記エラーを示すと判断するステップと
を含む適用例３に記載の方法。
［適用例１４］
前記パラメータがエラーを示すかどうか判断するステップが、
前記パラメータの大きさのシフトがあるかどうか識別するステップと、
シフトが生じたと判断したときに、前記パラメータが前記エラーを示すと判断するステップと、
前記シフトが生じなかったと判断したときに、前記エラーがないことを前記パラメータが示すと判断するステップと
を含む適用例３に記載の方法。
［適用例１５］
プラズマツールを備えるプラズマシステムであって、前記プラズマツールが、
幾つかの構成要素を含むプラズマチャンバであって、前記構成要素が、複数の電極を含み、前記電極の１つが、複数の高周波（ＲＦ）信号を受信するためのものであり、前記ＲＦ信号が、１つ以上の周波数範囲を有するプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバへの前記ＲＦ信号の転送を容易にするための前記プラズマチャンバに接続された高周波（ＲＦ）伝送線路であって、前記ＲＦ伝送線路の少なくとも一部が周波数発生器および測定デバイスに接続される高周波（ＲＦ）伝送線路と
を含み、
プラズマシステムがさらに、
前記周波数発生器および測定デバイスに接続されたホストシステムを備え、前記ホストシステムが、
前記ＲＦ信号に基づいて生成されるパラメータの測定結果を前記周波数発生器および測定デバイスから受信し、
前記パラメータが、前記プラズマチャンバまたはＲＦ伝送線路でのエラーを示すかどうか判断し、
前記エラーが生じる前記周波数の限度を識別し、
前記エラーが生じる前記周波数の前記限度に基づいて、前記エラーを引き起こす前記プラズマチャンバまたはＲＦ伝送線路の１つ以上の構成要素を識別する
ためのものである
プラズマシステム。
［適用例１６］
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するために、前記ホストシステムが、前記パラメータが所定の限界値の外にあるかどうか判断し、前記パラメータが、前記プラズマツールが前記不良を有さないときには前記所定の限界値の外に位置する適用例１５に記載のプラズマシステム。
［適用例１７］
開端部を有するハウジングであって、前記開端部が前記ハウジングの空間内部への進入を容易にするハウジングと、
前記開端部に対して対向して位置する前記ハウジングの閉端部を形成するために前記ハウジングに取り付けられたポートであって、ＲＦ信号を転送するためのピンを有するポートと、
頭部およびねじ山付き部分を有するねじであって、前記頭部が、前記頭部の空間内に前記ピンを嵌めるために前記ピンの端部を受け取るための空間を有し、前記ねじ山付き部分が、ＲＦロッドに取着するためのものであり、前記ピンが、周波数発生器および測定デバイスのコネクタを受け取るためのものである、ねじと
を備えるコネクタ。
［適用例１８］
前記ピンが、前記ハウジングの前記閉端部を通って前記ハウジング内に延びる適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例１９］
前記ハウジングが、第１の部分と第２の部分とを含み、前記第１の部分が、前記第２の部分よりも小さい直径を有し、前記第１の部分が、外面と内面を有し、前記第１の部分の前記外面が、ＲＦ伝送線路のＲＦシースに嵌めるためのものである適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例２０］
前記ポートが、前記ポートの一部が前記ねじ内部に延び、別の部分が前記ハウジングの外に延びることができるように前記ハウジングにねじ留めされる適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例２１］
前記ポートが、前記ハウジングから取外し可能である適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例２２］
前記ピンと前記頭部の前記空間とが、同じ断面形状を有して、前記ピンが前記頭部内に嵌まることを可能にする適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例２３］
前記ねじの前記ねじ山付き部分が、ＲＦロッドのねじ山付き部分にねじ留めされる適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例２４］
前記ＲＦロッドが、インピーダンス整合回路からプラズマチャンバにＲＦ信号を転送するためのものであり、前記ねじが前記ＲＦロッド内に延びる適用例１７に記載のコネクタ。
［適用例２５］
前記ハウジングが、第１の直径を有する第１の部分と、第２の直径を有する第２の部分とを有し、前記第２の直径が前記第１の直径よりも小さく、前記ＲＦロッドが、インピーダンス整合回路からプラズマチャンバにＲＦ信号を転送するためのものであり、前記ＲＦロッドが、ねじ山付きスペーシングおよびＲＦシースを有し、前記ねじが、前記ＲＦロッド内部で前記ねじ山付きスペーシング内に延び、前記ハウジングの前記第２の部分が、前記ＲＦシースに嵌まる適用例１７に記載のコネクタ。

Claims

プラズマツール内の不良構成要素を識別するための方法であって、
ベースラインプラズマシステムの動作状態に関して、周波数帯域にわたる複数の周波数を適用するステップであって、前記周波数帯域が、前記周波数の複数の周波数範囲を含むステップと、
ベースラインプラズマシステムをモデル化して、ベースラインプラズマシステムのモデルパラメータを決定するステップと、
前記モデルパラメータに対応する前記周波数帯域の一部を、前記ベースラインプラズマシステムの１つ以上の不良構成要素に関連付けるステップと、
前記周波数帯域から前記周波数範囲の１つを識別するために、前記周波数帯域の前記周波数範囲それぞれを適用するために、周波数発生器および測定デバイス（ＦＧＭＤ）を用いてターゲットプラズマシステムを繰り返し試験するステップであって、前記ＦＧＭＤ（前記周波数発生器および前記測定デバイス）が、前記ベースラインプラズマシステムの複数の高周波（ＲＦ）発生器に取って代わり、前記ターゲットプラズマシステムの伝送線路に接続するステップと、
前記繰り返しの試験中に識別された前記周波数範囲に基づいて、不良を有する前記構成要素の１つ以上を識別するステップと
を含む方法。
前記ＦＧＭＤデバイスを用いて前記ターゲットプラズマシステムを繰り返し試験するステップが、前記周波数帯域の前記周波数範囲それぞれに関して、前記ターゲットプラズマシステムを複数回試験して、前記周波数範囲のいずれか１つに前記パラメータのエラーがあるかどうか判断する請求項１に記載の方法。
周波数発生器および測定デバイスから受信されたパラメータの測定結果にアクセスするステップであって、前記測定結果が、複数の高周波（ＲＦ）信号に基づいて生成され、前記信号が、プラズマツールの一部分に提供され、前記ＲＦ信号が、１つ以上の周波数範囲を有するステップと、
前記パラメータがエラーを示すかどうか判断するステップであって、前記エラーが、前記プラズマツールの前記部分での不良を示すステップと、
前記エラーが生じる周波数の限度を識別するステップと、
前記エラーが生じる周波数の前記限度に基づいて、前記エラーを引き起こす前記プラズマツールの前記部分の１つ以上の構成要素を識別するステップと
を含む方法であって、
処理装置によって実行される
方法。
前記パラメータが、複素インピーダンス、または複素電圧および電流、またはＳパラメータ、または複素電力を含む請求項３に記載の方法。
前記周波数発生器および測定デバイスが、ネットワーク分析器を含む請求項３に記載の方法。
前記プラズマツールの前記部分が、プラズマチャンバ、または前記プラズマチャンバとＲＦ伝送線路の一部との組合せ、または前記プラズマチャンバと前記ＲＦ伝送線路との組合せを含む請求項３に記載の方法。
前記プラズマツールの前記部分が、プラズマチャンバ、ＲＦ伝送線路、およびインピーダンス整合回路の組合せを含む請求項３に記載の方法。
前記ＲＦ信号の前記周波数の各範囲が、前記ＲＦ信号の前記周波数の任意の他の範囲とは排他的である請求項３に記載の方法。
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するステップが、前記パラメータが所定の限界値の外にあるかどうか判断するステップを含み、前記パラメータが、前記プラズマツールの前記部分が前記不良を有さないときには前記所定の限界値の外に位置する請求項３に記載の方法。
前記エラーが生じる前記周波数の前記限度を識別するステップが、前記パラメータの値が前記所定の限界値の範囲内であるとき、前記パラメータに対応する前記周波数の複数の値を決定するステップを含む請求項９に記載の方法。
前記エラーが生じる前記周波数の前記限度に基づいて、前記エラーを引き起こす前記プラズマツールの前記部分の前記１つ以上の構成要素を識別するステップが、
前記限度外の周波数の１つ以上に関連付けられる前記プラズマツールの前記部分の１つ以上の構成要素を除外するステップ
を含む請求項３に記載の方法。
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するステップが、
前記パラメータに関連付けられる共鳴周波数が、所定の共鳴周波数の間で生じるかどうか分析するステップと、
前記パラメータに関連付けられる前記共鳴周波数が前記所定の共鳴周波数の間で生じると判断したときに、前記エラーがないことを前記パラメータが示すと判断するステップと、
前記パラメータに関連付けられる前記共鳴周波数が前記所定の共鳴周波数の外で生じると判断したときに、前記パラメータが前記エラーを示すと判断するステップと
を含む請求項３に記載の方法。
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するステップが、
前記パラメータの位相の傾きが、前記パラメータの所定の限界値の位相の傾きの間にあるかどうか分析するステップと、
前記パラメータの前記位相の前記傾きが、前記パラメータの前記所定の限界値の前記位相の前記傾きの間にあると判断したときに、前記エラーがないことを前記パラメータが示すと判断するステップと、
前記パラメータの前記位相の前記傾きが、前記パラメータの前記所定の限界値の前記位相の前記傾きの外にあると判断したときに、前記パラメータが前記エラーを示すと判断するステップと
を含む請求項３に記載の方法。
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するステップが、
前記パラメータの大きさのシフトがあるかどうか識別するステップと、
シフトが生じたと判断したときに、前記パラメータが前記エラーを示すと判断するステップと、
前記シフトが生じなかったと判断したときに、前記エラーがないことを前記パラメータが示すと判断するステップと
を含む請求項３に記載の方法。
プラズマツール内の不良構成要素を識別するためのプラズマシステムであって、
プラズマツールを備え、前記プラズマツールが、
幾つかの構成要素を含むプラズマチャンバであって、前記構成要素が、複数の電極を含み、前記電極の１つが、複数の高周波（ＲＦ）信号を受信するためのものであり、前記ＲＦ信号が、１つ以上の周波数範囲を有するプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバへの前記ＲＦ信号の転送を容易にするための前記プラズマチャンバに接続された高周波（ＲＦ）伝送線路であって、前記ＲＦ伝送線路の少なくとも一部が周波数発生器および測定デバイスに接続される高周波（ＲＦ）伝送線路と
を含み、
プラズマシステムがさらに、
前記周波数発生器および測定デバイスに接続されたホストシステムを備え、前記ホストシステムが、
前記ＲＦ信号に基づいて生成されるパラメータの測定結果を前記周波数発生器および測定デバイスから受信し、
前記パラメータが、前記プラズマチャンバまたはＲＦ伝送線路でのエラーを示すかどうか判断し、
前記エラーが生じる前記周波数の限度を識別し、
前記エラーが生じる前記周波数の前記限度に基づいて、前記エラーを引き起こす前記プラズマチャンバまたはＲＦ伝送線路の１つ以上の構成要素を識別する
ためのものである
プラズマシステム。
前記パラメータが前記エラーを示すかどうか判断するために、前記ホストシステムが、前記パラメータが所定の限界値の外にあるかどうか判断し、前記パラメータが、前記プラズマツールが前記不良を有さないときには前記所定の限界値の外に位置する請求項１５に記載のプラズマシステム。
開端部を有するハウジングであって、前記開端部が前記ハウジングの空間内部への進入を容易にするハウジングと、
前記開端部に対して対向して位置する前記ハウジングの閉端部を形成するために前記ハウジングに取り付けられたポートであって、ＲＦ信号を転送するためのピンを有するポートと、
頭部およびねじ山付き部分を有するねじであって、前記頭部が、前記頭部の空間内に前記ピンを嵌めるために前記ピンの端部を受け取るための空間を有し、前記ねじ山付き部分が、ＲＦロッドに取着するためのものであり、前記ピンが、周波数発生器および測定デバイスのコネクタを受け取るためのものである、ねじと
を備えるコネクタ。
前記ピンが、前記ハウジングの前記閉端部を通って前記ハウジング内に延びる請求項１７に記載のコネクタ。
前記ハウジングが、第１の部分と第２の部分とを含み、前記第１の部分が、前記第２の部分よりも小さい直径を有し、前記第１の部分が、外面と内面を有し、前記第１の部分の前記外面が、ＲＦ伝送線路のＲＦシースに嵌めるためのものである請求項１７に記載のコネクタ。
前記ポートが、前記ポートの一部が前記ねじ内部に延び、別の部分が前記ハウジングの外に延びることができるように前記ハウジングにねじ留めされる請求項１７に記載のコネクタ。
前記ポートが、前記ハウジングから取外し可能である請求項１７に記載のコネクタ。
前記ピンと前記頭部の前記空間とが、同じ断面形状を有して、前記ピンが前記頭部内に嵌まることを可能にする請求項１７に記載のコネクタ。
前記ねじの前記ねじ山付き部分が、前記ＲＦロッドのねじ山付き部分にねじ留めされる請求項１７に記載のコネクタ。
前記ＲＦロッドが、インピーダンス整合回路からプラズマチャンバにＲＦ信号を転送するためのものであり、前記ねじが前記ＲＦロッド内に延びる請求項１７に記載のコネクタ。
前記ハウジングが、第１の直径を有する第１の部分と、第２の直径を有する第２の部分とを有し、前記第２の直径が前記第１の直径よりも小さく、前記ＲＦロッドが、インピーダンス整合回路からプラズマチャンバにＲＦ信号を転送するためのものであり、前記ＲＦロッドが、ねじ山付きスペーシングおよびＲＦシースを有し、前記ねじが、前記ＲＦロッド内部で前記ねじ山付きスペーシング内に延び、前記ハウジングの前記第２の部分が、前記ＲＦシースに嵌まる請求項１７に記載のコネクタ。