JP2016072652A - Crystal oscillator - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crystal oscillator capable of reducing short-circuit between an external terminal and a thermo-sensitive element.SOLUTION: A crystal oscillator includes: a rectangular substrate 110a; a mounting frame body 160 provided on a lower surface of the substrate 110a; a joint terminal 112 provided along an outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110a; a joint pad 161 provided along an outer peripheral edge of an upper surface of the mounting frame body 160; a pair of electrode pads 111 provided on the substrate 110a; a pair of connection pads 115 provided on the lower surface of the substrate 110a in the mounting frame body 160; a crystal element 120 mounted on the electrode pad 111; a thermo-sensitive element 150 mounted on the connection pad 115; a gap portion H provided between the substrate 110a and the mounting frame body 160; a lid 130 for hermetically sealing the crystal element 120; a first insulating resin 180 which covers the thermo-sensitive element 150 and is provided on the gap portion H; and a second insulating resin 190 provided from an upper surface of the mounting frame body 160 to a side surface of the substrate 110a.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子機器等に用いられる水晶振動子に関するものである。   The present invention relates to a crystal resonator used in an electronic device or the like.

水晶振動子は、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と、第一凹部を設けるために基板の上面に設けられた第一枠体と、第二凹部を設けるために基板の下面に設けられた第二枠体とを有しているパッケージと、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に設けられた接続パッドに実装された感温素子と、を備えた水晶振動子が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。   The crystal resonator generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. For example, a package having a substrate, a first frame provided on the upper surface of the substrate for providing the first recess, and a second frame provided on the lower surface of the substrate for providing the second recess. And a crystal resonator that is mounted on an electrode pad provided on the upper surface of the substrate and a temperature sensitive device that is mounted on a connection pad provided on the lower surface of the substrate has been proposed (for example, , See Patent Document 1 below).

特開2011−211340号公報JP 2011-2111340 A

上述した水晶振動子は、小型化が進んでおり、基板に設けられた接続パッドの面積も小さくなってしまう。このように小型化された水晶振動子は、接続パッドに設けられる導電性接合材の量が削減され、接続パッドと感温素子との接合強度が低下しており、落下試験を行うことで、感温素子が接続パッドから剥がれてしまう虞があった。   The above-described quartz resonator has been miniaturized, and the area of the connection pad provided on the substrate is also reduced. The crystal resonator thus miniaturized is reduced in the amount of conductive bonding material provided on the connection pad, the bonding strength between the connection pad and the temperature sensitive element is reduced, and by performing a drop test, There is a possibility that the temperature sensitive element may be peeled off from the connection pad.

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、感温素子が接続パッドから剥がれてしまうことを低減させることが可能な水晶振動子を提供することを課題とする。   This invention is made | formed in view of the said subject, and makes it a subject to provide the crystal oscillator which can reduce that a temperature sensitive element peels from a connection pad.

本発明の一つの態様による水晶振動子は、矩形状の基板と、基板の下面に設けられた実装枠体と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と、実装枠体の上面の外周縁に沿って設けられた接合パッドと、基板の上面に設けられた一対の電極パッドと、実装枠体内で基板の下面に設けられた一対の接続パッドと、電極パッドに実装された水晶素子と、接続パッドに実装された感温素子と、基板と実装枠体との間に設けられた間隙部と、水晶素子を気密封止するための蓋体と、感温素子を被覆し、間隙部に設けられた第一絶縁性樹脂と、実装枠体の上面から基板の側面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂と、を備えていることを特徴とするものである。   A crystal resonator according to one aspect of the present invention includes a rectangular substrate, a mounting frame provided on a lower surface of the substrate, a junction terminal provided along an outer peripheral edge of the lower surface of the substrate, and a mounting frame. A bonding pad provided along the outer peripheral edge of the upper surface, a pair of electrode pads provided on the upper surface of the substrate, a pair of connection pads provided on the lower surface of the substrate in the mounting frame, and mounted on the electrode pads Covers the crystal element, the temperature sensor mounted on the connection pad, the gap provided between the substrate and the mounting frame, a lid for hermetically sealing the crystal element, and the temperature sensor. The first insulating resin provided in the gap portion and the second insulating resin provided from the upper surface of the mounting frame to the side surface of the substrate are provided.

本発明の一つの態様による水晶振動子は、矩形状の基板と、基板の下面に設けられた実装枠体と、基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と、実装枠体の上面の外周縁に沿って設けられた接合パッドと、基板の上面に設けられた一対の電極パッドと、実装枠体内で基板の下面に設けられた一対の接続パッドと、電極パッドに実装された水晶素子と、接続パッドに実装された感温素子と、基板と実装枠体との間に設けられた間隙部と、水晶素子を気密封止するための蓋体と、感温素子を被覆し、間隙部に設けられた第一絶縁性樹脂と、実装枠体の上面から基板の側面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂と、を備えている。このようにすることにより、第二絶縁性樹脂が実装枠体の上面から基板の側面にかけて設けられているので、落下試験により加わった応力を吸収することができると共に、仮に第二絶縁性樹脂により吸収できなかった応力が感温素子に加わったとしても、第一絶縁性樹脂が感温素子を覆うように設けられているため、第一感温素子が接続パッドから外れることを抑えつつ、感温素子と接続パッドの接合強度を向上させることが可能となる。   A crystal resonator according to one aspect of the present invention includes a rectangular substrate, a mounting frame provided on a lower surface of the substrate, a junction terminal provided along an outer peripheral edge of the lower surface of the substrate, and a mounting frame. A bonding pad provided along the outer peripheral edge of the upper surface, a pair of electrode pads provided on the upper surface of the substrate, a pair of connection pads provided on the lower surface of the substrate in the mounting frame, and mounted on the electrode pads Covers the crystal element, the temperature sensor mounted on the connection pad, the gap provided between the substrate and the mounting frame, a lid for hermetically sealing the crystal element, and the temperature sensor. And a first insulating resin provided in the gap portion and a second insulating resin provided from the upper surface of the mounting frame to the side surface of the substrate. By doing in this way, since the second insulating resin is provided from the upper surface of the mounting frame to the side surface of the substrate, the stress applied by the drop test can be absorbed, and the second insulating resin temporarily Even if stress that could not be absorbed is applied to the temperature sensing element, the first insulating resin is provided so as to cover the temperature sensing element. It is possible to improve the bonding strength between the temperature element and the connection pad.

本実施形態に係る水晶振動子を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the crystal resonator which concerns on this embodiment. (a)図1のA−A断面図であり、(b)図1のB−B断面図である。(A) It is AA sectional drawing of FIG. 1, (b) It is BB sectional drawing of FIG. 図1のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. (a)は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージを上面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を上面からみた透視平面図である。(A) is the see-through plan view of the package constituting the crystal resonator according to the present embodiment as viewed from above, and (b) is the substrate of the package constituting the crystal resonator according to the present embodiment as viewed from above. It is a perspective plan view. (a)は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を下面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態に係る水晶振動子を構成するパッケージを下面からみた透視平面図である。(A) is a perspective plan view of the substrate of the package constituting the crystal resonator according to the present embodiment as seen from the lower surface, and (b) is a view of the package constituting the crystal resonator according to the present embodiment from the lower surface. It is a perspective plan view. (a)は、本実施形態に係る水晶振動子を構成する実装枠体を上面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態に係る水晶振動子を構成する実装枠体を下面からみた透視平面図である。FIG. 4A is a perspective plan view of a mounting frame body that constitutes the crystal resonator according to the present embodiment as viewed from above, and FIG. 5B is a bottom view of the mounting frame body that constitutes the crystal resonator according to the present embodiment. It is the perspective top view seen from. (a)は、本実施形態の第一変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージを上面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態の第一変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を上面からみた透視平面図である。(A) is a perspective plan view of a package constituting the crystal resonator according to the first modification of the present embodiment as viewed from above, and (b) is a crystal resonator according to the first modification of the present embodiment. FIG. (a)は、本実施形態の第一変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を下面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態の第一変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージを下面からみた透視平面図である。(A) is a perspective plan view of the substrate of the package constituting the crystal resonator according to the first modification of the present embodiment as viewed from below, and (b) is the crystal according to the first modification of the present embodiment. FIG. 6 is a perspective plan view of a package constituting the vibrator as viewed from the bottom. (a)は、本実施形態の第二変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージを上面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態の第二変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を上面からみた透視平面図である。(A) is a perspective plan view of a package constituting a crystal resonator according to a second modification of the present embodiment as viewed from above, and (b) is a crystal resonator according to the second modification of the present embodiment. FIG. (a)は、本実施形態の第二変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージの基板を下面からみた透視平面図であり、(b)は、本実施形態の第二変形例に係る水晶振動子を構成するパッケージを下面からみた透視平面図である。(A) is a perspective plan view of a substrate of a package constituting a crystal resonator according to a second modification of the present embodiment as viewed from below, and (b) is a crystal according to the second modification of the present embodiment. FIG. 6 is a perspective plan view of a package constituting the vibrator as viewed from the bottom.

本実施形態における水晶振動子は、図1〜図5に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の上面に接合された水晶素子120と、パッケージ110の下面に接合された感温素子150とを含んでいる。パッケージ110は、基板110aの上面と枠体110bの内側面によって囲まれた凹部K1が形成されている。また、基板110aの下面と実装枠体160の内側面によって囲まれた第二凹部K2が形成されている。このような水晶振動子は、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。   As shown in FIGS. 1 to 5, the crystal resonator according to the present embodiment includes a package 110, a crystal element 120 bonded to the upper surface of the package 110, and a temperature sensitive element bonded to the lower surface of the package 110. 150. The package 110 has a recess K1 surrounded by the upper surface of the substrate 110a and the inner surface of the frame 110b. A second recess K2 surrounded by the lower surface of the substrate 110a and the inner surface of the mounting frame 160 is formed. Such a crystal resonator is used to output a reference signal used in an electronic device or the like.

基板110aは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子120及び下面に実装された感温素子150を実装するための実装部材として機能するものである。基板110aは、上面に、水晶素子120を実装するための電極パッド111が設けられており、下面に、感温素子150を実装するための接続パッド115が設けられている。また、基板110aの一辺に沿って、水晶素子120を接合するための第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bが設けられている。また、基板110aの下面の四隅には、接合端子112が設けられている。また、四つの接合端子112の内の二つが、水晶素子120と電気的に接続されており、四つの接合端子112の内の残りの二つが、感温素子150と電気的に接続されている。また、水晶素子120と電気的に接続されている第一接合端子112a及び第三接合端子112cは、図5に示されているように、基板110aの下面の対角に位置するように設けられている。また、感温素子150と電気的に接続されている第二接合端子112b及び第四接合端子112dは、水晶素子120と接続されている第一接合端子112a及び第三接合端子112cが設けられている対角とは異なる基板110aの対角に位置するように設けられている。   The substrate 110a has a rectangular shape and functions as a mounting member for mounting the crystal element 120 mounted on the upper surface and the temperature sensitive element 150 mounted on the lower surface. The substrate 110a is provided with an electrode pad 111 for mounting the crystal element 120 on the upper surface, and a connection pad 115 for mounting the temperature sensitive element 150 on the lower surface. A first electrode pad 111a and a second electrode pad 111b for bonding the crystal element 120 are provided along one side of the substrate 110a. In addition, bonding terminals 112 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110a. Further, two of the four junction terminals 112 are electrically connected to the crystal element 120, and the remaining two of the four junction terminals 112 are electrically connected to the temperature sensing element 150. . Further, as shown in FIG. 5, the first joint terminal 112a and the third joint terminal 112c electrically connected to the crystal element 120 are provided so as to be located diagonally on the lower surface of the substrate 110a. ing. Further, the second joint terminal 112b and the fourth joint terminal 112d electrically connected to the temperature sensitive element 150 are provided with the first joint terminal 112a and the third joint terminal 112c connected to the crystal element 120. It is provided so as to be located at a diagonal of the substrate 110a different from the diagonal.

基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド111と、基板110aの下面に設けられた接合端子112とを電気的に接続するための配線パターン113及びビア導体114が設けられている。また、基板110aの表面には、下面に設けられた接続パッド115と、基板110aの下面に設けられた接合端子112とを電気的に接続するための接続パターン116が設けられている。   The substrate 110a is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110a may be one using an insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. A wiring pattern 113 and a via conductor 114 for electrically connecting the electrode pad 111 provided on the upper surface and the bonding terminal 112 provided on the lower surface of the substrate 110a are provided on and inside the substrate 110a. Yes. Further, a connection pattern 116 for electrically connecting the connection pads 115 provided on the lower surface and the bonding terminals 112 provided on the lower surface of the substrate 110a is provided on the surface of the substrate 110a.

枠体110bは、基板110aの上面の外周縁に沿って配置され、基板110aの上面に第一凹部K1を形成するためのものである。枠体110bは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。   The frame 110b is disposed along the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 110a, and is for forming the first recess K1 on the upper surface of the substrate 110a. The frame 110b is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is formed integrally with the substrate 110a.

電極パッド111は、水晶素子120を実装するためのものである。電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド111は、図4及び図5に示されているように基板110aの上面に設けられた配線パターン113とビア導体114を介して、基板110aの下面に設けられた接合端子112と電気的に接続されている。   The electrode pad 111 is for mounting the crystal element 120. A pair of electrode pads 111 are provided on the upper surface of the substrate 110a, and are provided adjacent to each other along one side of the substrate 110a. As shown in FIGS. 4 and 5, the electrode pad 111 is electrically connected to the bonding terminal 112 provided on the lower surface of the substrate 110a through the wiring pattern 113 and the via conductor 114 provided on the upper surface of the substrate 110a. It is connected to the.

電極パッド111は、図4に示すように、第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bによって構成されている。また、接合端子112は、図5に示すように第一接合端子112a、第二接合端子112b、第三接合端子112c及び第四接合端子112dによって構成されている。ビア導体114は、第一ビア導体114a、第二ビア導体114b及び第三ビア導体114cによって構成されている。また、配線パターン113は、第一配線パターン113a及び第二配線パターン113bによって構成されている。第一電極パッド111aは、基板110aに設けられた第一配線パターン113aの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン113aの他端は、第一ビア導体114aを介して、第一接合端子112aと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド111aは、第一接合端子112aと電気的に接続されることになる。第二電極パッド111bは、基板110aに設けられた第二配線パターン113bの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン113bの他端は、第三ビア導体114cを介して、第三接合端子112cと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 4, the electrode pad 111 is composed of a first electrode pad 111a and a second electrode pad 111b. Further, as shown in FIG. 5, the junction terminal 112 includes a first junction terminal 112a, a second junction terminal 112b, a third junction terminal 112c, and a fourth junction terminal 112d. The via conductor 114 includes a first via conductor 114a, a second via conductor 114b, and a third via conductor 114c. The wiring pattern 113 is composed of a first wiring pattern 113a and a second wiring pattern 113b. The first electrode pad 111a is electrically connected to one end of the first wiring pattern 113a provided on the substrate 110a. The other end of the first wiring pattern 113a is electrically connected to the first joint terminal 112a through the first via conductor 114a. Therefore, the first electrode pad 111a is electrically connected to the first joint terminal 112a. The second electrode pad 111b is electrically connected to one end of the second wiring pattern 113b provided on the substrate 110a. The other end of the second wiring pattern 113b is electrically connected to the third junction terminal 112c through the third via conductor 114c.

接合端子112は、実装枠体160の接合パッド161と電気的に接合するために用いられている。接合端子112は、基板110aの下面の四隅に設けられている。接合端子112の内の二つの端子は、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111とそれぞれ電気的に接続されている。また、電極パッド111と電気的に接続されている接合端子112は、基板110aの下面の対角に位置するように設けられている。また、第二接合端子112bは、第二ビア導体114bを介して、封止用導体パターン118と電気的に接続されている。また、導電性接合材170は、接合端子112と実装枠体160の接合パッド161との間に設けられている。   The joint terminal 112 is used for electrical joining with the joint pad 161 of the mounting frame 160. The junction terminals 112 are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110a. Two of the bonding terminals 112 are electrically connected to a pair of electrode pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110a. In addition, the junction terminal 112 that is electrically connected to the electrode pad 111 is provided so as to be located diagonally on the lower surface of the substrate 110a. The second joint terminal 112b is electrically connected to the sealing conductor pattern 118 via the second via conductor 114b. In addition, the conductive bonding material 170 is provided between the bonding terminals 112 and the bonding pads 161 of the mounting frame 160.

配線パターン113は、基板110aの上面に設けられ、電極パッド111から近傍のビア導体114に向けて引き出されている。また、配線パターン113は、図4に示すように、第一配線パターン113a及び第二配線パターン113bによって構成されている。   The wiring pattern 113 is provided on the upper surface of the substrate 110a, and is drawn from the electrode pad 111 toward the neighboring via conductor 114. Moreover, the wiring pattern 113 is comprised by the 1st wiring pattern 113a and the 2nd wiring pattern 113b, as shown in FIG.

ビア導体114は、基板110aの内部に設けられ、その両端は、配線パターン113、接続パターン116又は、封止用導体パターン118と電気的に接続されている。ビア導体114は、基板110aに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体114は、図4及び図5に示すように、第一ビア導体114a、第二ビア導体114b及び第三ビア導体114cによって構成されている。   The via conductor 114 is provided inside the substrate 110a, and both ends thereof are electrically connected to the wiring pattern 113, the connection pattern 116, or the sealing conductor pattern 118. The via conductor 114 is provided by filling a conductor in a through hole provided in the substrate 110a. The via conductor 114 includes a first via conductor 114a, a second via conductor 114b, and a third via conductor 114c, as shown in FIGS.

接続パッド115は、矩形状であり、後述する感温素子150を実装するために用いられている。また、接続パッド115は、図5に示すように、第一接続パッド115a及び第二接続パッド115bによって構成されている。また、導電性接合材170は、接続パッド115の下面と感温素子150の接続端子151との間にも設けられている。   The connection pad 115 has a rectangular shape and is used for mounting a temperature sensing element 150 described later. Further, as shown in FIG. 5, the connection pad 115 includes a first connection pad 115a and a second connection pad 115b. In addition, the conductive bonding material 170 is also provided between the lower surface of the connection pad 115 and the connection terminal 151 of the temperature sensitive element 150.

ここで基板110aを平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、接続パッド115の大きさを説明する。接続パッド115の基板110aの短辺と平行な辺の長さは、0.2〜0.5mmであり、基板110aの長辺と平行な辺の長さは、0.25〜0.55mmとなっている。また、第一接続パッド115aと第二接続パッド115bとの間の長さは、0.1〜0.3mmとなっている。   Here, taking the case where the long side dimension of the substrate 110a as viewed in plan is 1.2 to 2.5 mm and the short side dimension is 1.0 to 2.0 mm, the connection pad 115 is taken as an example. Explain the size of. The length of the side of the connection pad 115 parallel to the short side of the substrate 110a is 0.2 to 0.5 mm, and the length of the side parallel to the long side of the substrate 110a is 0.25 to 0.55 mm. It has become. Further, the length between the first connection pad 115a and the second connection pad 115b is 0.1 to 0.3 mm.

第一接続パッド115aと第二接合端子112bとは、基板110aの下面に設けられた第一接続パターン116aにより接続されている。また、第二接続パッド115bと第四接合端子112dとは、基板110aの下面に設けられた第二接続パターン116bにより接続されている。   The first connection pad 115a and the second bonding terminal 112b are connected by a first connection pattern 116a provided on the lower surface of the substrate 110a. The second connection pad 115b and the fourth joint terminal 112d are connected by a second connection pattern 116b provided on the lower surface of the substrate 110a.

接続パターン116は、基板110aの下面に設けられ、接続パッド115から近傍の接合端子112に向けて引き出されている。また、接続パターン116は、図5に示すように、第一接続パターン116a及び第二接続パターン116bによって構成されている。第一接続パターン116aの長さと第二接続パターン116bの長さは、略等しい長さとなる。ここで、略等しい長さとは、基板110aの下面に設けられた第一接続パターン116aの長さと基板110aの下面に設けられた第二接続パターン116bの長さとの差が0〜200μm異なるものを含むものとする。接続パターン116の長さは、各接続パターン116の中心を通る直線の長さを測定したものとする。つまり、第一接続パターン116aの配線長と、第二接続パターン116bの配線長とが略等しい長さとなることによって、発生する抵抗値が等しくなり、感温素子150に付与される負荷抵抗も均一になるため、安定して電圧を出力することが可能となる。   The connection pattern 116 is provided on the lower surface of the substrate 110a, and is drawn out from the connection pad 115 toward the bonding terminal 112 in the vicinity. Further, as shown in FIG. 5, the connection pattern 116 includes a first connection pattern 116a and a second connection pattern 116b. The length of the first connection pattern 116a and the length of the second connection pattern 116b are substantially equal. Here, the substantially equal length means that the difference between the length of the first connection pattern 116a provided on the lower surface of the substrate 110a and the length of the second connection pattern 116b provided on the lower surface of the substrate 110a is different by 0 to 200 μm. Shall be included. The length of the connection pattern 116 is obtained by measuring the length of a straight line passing through the center of each connection pattern 116. That is, when the wiring length of the first connection pattern 116a and the wiring length of the second connection pattern 116b are substantially equal, the generated resistance values are equal, and the load resistance applied to the temperature sensing element 150 is also uniform. Therefore, it becomes possible to output a voltage stably.

また、第二接続パターン116bは、図4及び図5に示すように、平面視して、一対の電極パッド111の間を位置するようにして設けられている。また、このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、電極パッド111から直下にある基板110aを介して、第二接続パターン116bから第二接続パッド115bに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とが近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。   Further, as shown in FIGS. 4 and 5, the second connection pattern 116 b is provided so as to be positioned between the pair of electrode pads 111 in plan view. Further, by doing so, the heat transferred from the crystal element 120 is transferred from the second connection pattern 116b to the second connection pad 115b through the substrate 110a directly below the electrode pad 111. Therefore, since such a crystal resonator can further shorten the heat conduction path, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the temperature sensing element 150 are approximated and output from the temperature sensing element 150. It becomes possible to further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage and the actual temperature around the quartz crystal element 120.

また、第二接続パターン116bの一部は、図4及び図5に示すように、平面視して、第一電極パッド111aと重なるようにして設けられている。また、このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、第一電極パッド111から直下にある基板110aを介して、第二接続パターン116bから第二接続パッド115bに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすると共に熱伝導経路の数をさらに増やすことにより、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とが近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。   Further, as shown in FIGS. 4 and 5, a part of the second connection pattern 116b is provided so as to overlap the first electrode pad 111a in plan view. Further, by doing so, the heat transferred from the crystal element 120 is transferred from the second connection pattern 116b to the second connection pad 115b via the substrate 110a located immediately below the first electrode pad 111. Therefore, in such a crystal resonator, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the thermosensitive element 150 are approximated by further shortening the heat conduction path and further increasing the number of heat conduction paths. It is possible to further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage output from the temperature element 150 and the temperature around the actual crystal element 120.

封止用導体パターン118は、蓋体130と封止部材131を介して接合する際に、封止部材131の濡れ性をよくする役割を果たしている。封止用導体パターン118は、図3及び図4に示すように、第二ビア導体114bを介して、第二接合端子112bと電気的に接続されている。封止用導体パターン118は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体110bの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば10〜25μmの厚みに形成されている。   The sealing conductor pattern 118 plays a role of improving the wettability of the sealing member 131 when it is joined to the lid 130 via the sealing member 131. As shown in FIGS. 3 and 4, the sealing conductor pattern 118 is electrically connected to the second joint terminal 112b through the second via conductor 114b. The sealing conductor pattern 118 is formed to have a thickness of, for example, 10 to 25 μm by sequentially applying nickel plating and gold plating on the surface of the conductor pattern made of, for example, tungsten or molybdenum so as to surround the upper surface of the frame 110b in an annular shape. Has been.

ここで、基板110aの作製方法について説明する。基板110aがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、電極パッド111、接合端子112、配線パターン113、ビア導体114、接続パッド115、接続パターン116及び封止用導体パターン118となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。   Here, a method for manufacturing the substrate 110a will be described. When the substrate 110a is made of alumina ceramic, first, a plurality of ceramic green sheets obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent or the like to a predetermined ceramic material powder is prepared. In addition, a predetermined conductor paste is applied to the surface of the ceramic green sheet or a through-hole previously punched by punching the ceramic green sheet by screen printing or the like. Further, these green sheets are laminated and press-molded and fired at a high temperature. Finally, nickel plating is applied to a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, the electrode pad 111, the bonding terminal 112, the wiring pattern 113, the via conductor 114, the connection pad 115, the connection pattern 116, and the sealing conductor pattern 118. Moreover, it produces by giving gold plating, silver palladium, etc. Moreover, the conductor paste is comprised from the sintered compact etc. of metal powders, such as tungsten, molybdenum, copper, silver, or silver palladium, for example.

実装枠体160は、基板110aの下面の外周縁に沿って接合され、基板110aの下面に第二凹部K2を形成するためのものである。実装枠体160は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板110aの下面と導電性接合材170を介して接合される。実装枠体160の内部には、図6に示すように、上面に設けられた接合パッド161と、実装枠体160の下面に設けられた外部端子162とを電気的に接続するための導体部163が設けられている。実装枠体160の上面の四隅には、接合パッド161が設けられ、下面の四隅には、外部端子162が設けられている。実装枠体160の上面及び下面の接合パッド161の間及び外部端子162の間には、保護膜164が設けられている。また、四つの外部端子162の内の二つが、水晶素子120と電気的に接続されて、水晶素子120の入出力端子として用いられる。また、四つの外部端子162の内の二つが、感温素子150と電気的に接続されている。また、水晶素子120と電気的に接続されている第一外部端子162a及び第三外部端子162cは、実装枠体160の下面の対角に位置するように設けられている。また、感温素子150と電気的に接続されている第二外部端子162b及び第四外部端子162dは、水晶素子120と接続されている第一外部端子162a及び第三外部端子162cが設けられている対角とは異なる実装枠体160の対角に位置するように設けられている。   The mounting frame 160 is joined along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110a, and is used to form the second recess K2 on the lower surface of the substrate 110a. The mounting frame 160 is made of, for example, an insulating substrate such as a glass epoxy resin, and is bonded to the lower surface of the substrate 110 a via a conductive bonding material 170. Inside the mounting frame 160, as shown in FIG. 6, a conductor portion for electrically connecting a bonding pad 161 provided on the upper surface and an external terminal 162 provided on the lower surface of the mounting frame 160. 163 is provided. Bonding pads 161 are provided at the four corners of the upper surface of the mounting frame 160, and external terminals 162 are provided at the four corners of the lower surface. A protective film 164 is provided between the bonding pads 161 on the upper and lower surfaces of the mounting frame 160 and between the external terminals 162. Two of the four external terminals 162 are electrically connected to the crystal element 120 and used as input / output terminals of the crystal element 120. Also, two of the four external terminals 162 are electrically connected to the temperature sensing element 150. Further, the first external terminal 162 a and the third external terminal 162 c that are electrically connected to the crystal element 120 are provided so as to be located diagonally on the lower surface of the mounting frame 160. The second external terminal 162b and the fourth external terminal 162d that are electrically connected to the temperature sensing element 150 are provided with the first external terminal 162a and the third external terminal 162c that are connected to the crystal element 120. It is provided so that it may be located in the diagonal of the mounting frame 160 different from the diagonal which is.

接合パッド161は、基板110aの接合端子112と導電性接合材170を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド161は、図6(a)に示すように、第一接合パッド161a、第二接合パッド161b、第三接合パッド161c及び第四接合パッド161dによって構成されている。この内、第二接合パッド161bは、第二接合端子112b、第一接続パターン116a及び第一接続パッド115aと、導電性接合材170によって接合されている。また、第四接合パッド161dは、第四接合端子112d、第二接続パターン116b及び第二接続パッド115bと、導電性接合材170によって接合されている。   The bonding pad 161 is for electrically bonding to the bonding terminal 112 of the substrate 110a via the conductive bonding material 170. As shown in FIG. 6A, the bonding pad 161 includes a first bonding pad 161a, a second bonding pad 161b, a third bonding pad 161c, and a fourth bonding pad 161d. Among these, the second bonding pad 161b is bonded to the second bonding terminal 112b, the first connection pattern 116a, and the first connection pad 115a by the conductive bonding material 170. The fourth bonding pad 161d is bonded to the fourth bonding terminal 112d, the second connection pattern 116b, and the second connection pad 115b by the conductive bonding material 170.

外部端子162は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子162は、実装枠体160の下面の四隅に設けられている。外部端子162の内の二つの端子は、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111とそれぞれ電気的に接続されている。外部端子162の内の残りの二つの端子は、基板110aの下面に設けられた一対の接続パッド115と電気的に接続されている。また、第二外部端子162bは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン118に接合された蓋体130がグランド電位となっている第二外部端子162bに接続される。よって、蓋体130による第一凹部K1内のシールド性が向上する。   The external terminal 162 is for mounting on a mounting board such as an electronic device. The external terminals 162 are provided at the four corners of the lower surface of the mounting frame 160. Two of the external terminals 162 are electrically connected to a pair of electrode pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110a. The remaining two terminals of the external terminals 162 are electrically connected to a pair of connection pads 115 provided on the lower surface of the substrate 110a. The second external terminal 162b is connected to a mounting pad connected to a ground potential that is a reference potential on a mounting board of an electronic device or the like. As a result, the lid 130 bonded to the sealing conductor pattern 118 is connected to the second external terminal 162b having the ground potential. Therefore, the shielding property in the 1st recessed part K1 by the cover body 130 improves.

また、外部端子162は、図6(b)に示すように、第一外部端子162a、第二外部端子162b、第三外部端子162c及び第四外部端子162dによって構成されている。導体部163は、第一導体部163a、第二導体部163b、第三導体部163c及び第四導体部163dによって構成されている。第一接合パッド161aは、第一導体部163aを介して、第一外部端子162aと電気的に接続され、第二接合パッド161bは、第二導体部163bを介して、第二外部端子162bと電気的に接続されている。第三接合パッド161cは、第三導体部163cを介して、第三外部端子162cと電気的に接続され、第四接合パッド161dは、第四導体部163dを介して、第四外部端子162dと電気的に接続されている。   Further, as shown in FIG. 6B, the external terminal 162 includes a first external terminal 162a, a second external terminal 162b, a third external terminal 162c, and a fourth external terminal 162d. The conductor part 163 includes a first conductor part 163a, a second conductor part 163b, a third conductor part 163c, and a fourth conductor part 163d. The first bonding pad 161a is electrically connected to the first external terminal 162a via the first conductor portion 163a, and the second bonding pad 161b is connected to the second external terminal 162b via the second conductor portion 163b. Electrically connected. The third bonding pad 161c is electrically connected to the third external terminal 162c via the third conductor portion 163c, and the fourth bonding pad 161d is connected to the fourth external terminal 162d via the fourth conductor portion 163d. Electrically connected.

導体部163は、基板110aの上面の接合パッド161と、下面の外部端子162を電気的に接続するためのものである。導体部163は、実装枠体160の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド161で塞ぎ、その下面を外部端子162で塞ぐことにより形成されている。   The conductor portion 163 is for electrically connecting the bonding pad 161 on the upper surface of the substrate 110a and the external terminal 162 on the lower surface. The conductor portion 163 is formed by providing through holes at the four corners of the mounting frame 160, forming a conductive member on the inner wall surface of the through hole, closing the upper surface with the bonding pad 161, and closing the lower surface with the external terminals 162. ing.

保護膜164は、図6に示されているように、実装枠体160の上面又は下面に設けられている。保護膜164は、顔料等を含んだ熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)からなる。保護膜164は、例えば、複数の接合パッド161又は外部端子162を露出させつつ、実装枠体160の上面又は下面を覆うようにして設けられている。保護膜164は、例えば、接合パッド161及び外部端子162よりも厚く形成されている。例えば、接合パッド161及び外部端子162の厚さが15μm以上40μm以下であるのに対して、保護膜164の厚さは、これよりも10μm以上厚く、25μm以上100μm以下である。保護膜164は、図5(b)及び図6に示すように、接合パッド161又は外部端子162を配置領域以外にも、保護膜164の非配置領域が設けられている。非配置領域は、第一非配置領域R1、第二非配置領域R2、第三非配置領域R3及び第四非配置領域R4を有している。第一非配置領域R1は、例えば、第二凹部K2の内周面全体とされている。   As shown in FIG. 6, the protective film 164 is provided on the upper or lower surface of the mounting frame 160. The protective film 164 is made of a thermosetting resin (for example, epoxy resin) containing a pigment or the like. For example, the protective film 164 is provided so as to cover the upper surface or the lower surface of the mounting frame 160 while exposing the plurality of bonding pads 161 or the external terminals 162. For example, the protective film 164 is formed thicker than the bonding pad 161 and the external terminal 162. For example, the thickness of the bonding pad 161 and the external terminal 162 is 15 μm or more and 40 μm or less, while the thickness of the protective film 164 is 10 μm or more and 25 μm or more and 100 μm or less. As shown in FIGS. 5B and 6, the protective film 164 is provided with a non-arrangement region of the protective film 164 in addition to the region where the bonding pads 161 or the external terminals 162 are disposed. The non-arrangement region has a first non-arrangement region R1, a second non-arrangement region R2, a third non-arrangement region R3, and a fourth non-arrangement region R4. The first non-arrangement region R1 is, for example, the entire inner peripheral surface of the second recess K2.

第二非配置領域R2は、図6に示されているように、第二凹部K2の開口部と、接合パッド161及び外部端子162を結ぶ位置に設けられている。第二非配置領域R2は、後述する第三非配置領域R3と第四非配置領域R4との交差している箇所に設けられている。また、第二非配置領域R2は、第三非配置領域R3及び第四非配置領域R4を含有するように設けられている。   As shown in FIG. 6, the second non-arrangement region R <b> 2 is provided at a position connecting the opening of the second recess K <b> 2, the bonding pad 161, and the external terminal 162. The second non-arrangement region R2 is provided at a location where a third non-arrangement region R3 and a fourth non-arrangement region R4, which will be described later, intersect. The second non-arrangement region R2 is provided so as to include a third non-arrangement region R3 and a fourth non-arrangement region R4.

第三非配置領域R3は、図6に示されているように、接合パッド161及び外部端子162に隣接し、接合パッド161を基板110の外周縁と共に囲むようにして設けられている。第三非配置領域R3は、例えば、概略一定の幅で接合パッド161の縁部に沿って延出され、溝状となるように形成されている。なお、ここでいう「囲む」は、例えば、第三非配置領域R3が接合パッド161の縁部の半分以上に亘っていればよいものとする。   As shown in FIG. 6, the third non-arrangement region R <b> 3 is provided adjacent to the bonding pad 161 and the external terminal 162 so as to surround the bonding pad 161 together with the outer peripheral edge of the substrate 110. For example, the third non-arrangement region R3 is formed to have a substantially constant width along the edge of the bonding pad 161 and to have a groove shape. Note that “enclose” here means that, for example, the third non-arrangement region R <b> 3 may extend over half or more of the edge of the bonding pad 161.

第四非配置領域R4は、第二凹部K2の開口部に隣接し、その開口部を囲むようにして設けられている。第四非配置領域R4は、例えば、概略一定の幅で第二凹部K2の開口部の縁部に沿って延出され、溝状となるように形成されている。なお、ここでいう「囲む」は、例えば、一又は複数の第四非配置領域R4が第二凹部K2の開口部の縁部の半分以上に亘っているか、第二凹部K2の開口部の縁部を120°以下の中心角で3等分以上に分割した各区間の少なくとも一部に第四非配置領域R4が位置していればよいものとする。   The fourth non-arrangement region R4 is provided adjacent to the opening of the second recess K2 and surrounding the opening. For example, the fourth non-arrangement region R4 has a substantially constant width and extends along the edge of the opening of the second recess K2, and is formed in a groove shape. Note that “enclose” here means, for example, that one or more fourth non-arranged regions R4 extend over half of the edge of the opening of the second recess K2, or the edge of the opening of the second recess K2. It is only necessary that the fourth non-arrangement region R4 is located in at least a part of each section obtained by dividing the section into three or more equal parts at a central angle of 120 ° or less.

第二非配置領域R2、第三非配置領域R3及び第四非配置領域R4の幅は適宜に設定されてよい。例えば、これらの幅は、30μm以上200μm以下である。これらの幅は、保護膜164の厚みよりも小さくてもよいし、大きくても構わない。   The widths of the second non-arrangement region R2, the third non-arrangement region R3, and the fourth non-arrangement region R4 may be set as appropriate. For example, these widths are 30 μm or more and 200 μm or less. These widths may be smaller or larger than the thickness of the protective film 164.

第二凹部K2の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板110aを平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、第二凹部K2の開口部の大きさを説明する。第二凹部K2の長辺の長さは、0.6〜1.2mmであり、短辺の長さは、0.3〜1.0mmとなっている。   The shape of the opening of the second recess K2 is a rectangular shape in plan view. Here, taking the case where the long side dimension of the substrate 110a in plan view is 1.2 to 2.5 mm and the short side dimension is 1.0 to 2.0 mm, the second concave portion is taken as an example. The size of the opening of K2 will be described. The length of the long side of the second recess K2 is 0.6 to 1.2 mm, and the length of the short side is 0.3 to 1.0 mm.

実装枠体160の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材170は、例えばディスペンサ及びスクリーン印刷によって第一接合パッド161a、第二接合パッド161b、第三接合パッド161c及び第四接合パッド161d上に塗布される。基板110aは、基板110aの接合端子112が実装枠体160の接合パッド161上に塗布された導電性接合材170上に位置するようにして搬送され、導電性接合材170上に載置される。これによって、導電性接合材170を加熱溶融させることによって、基板110aの接合端子112は、接合パッド161に接合される。つまり、基板110aの第一接合端子112aは、第一接合パッド161aと接合され、基板110aの第二接合端子112bは、第二接合パッド161bと接合される。また、基板110aの第三接合端子112cは、第三接合パッド161cと接合され、基板110aの第四接合端子112dは、第四接合パッド161dと接合されることになる。   A method for joining the mounting frame 160 to the substrate 110a will be described. First, the conductive bonding material 170 is applied onto the first bonding pad 161a, the second bonding pad 161b, the third bonding pad 161c, and the fourth bonding pad 161d by, for example, a dispenser and screen printing. The substrate 110 a is transported so that the bonding terminals 112 of the substrate 110 a are positioned on the conductive bonding material 170 applied on the bonding pads 161 of the mounting frame 160, and placed on the conductive bonding material 170. . Thus, the bonding terminal 112 of the substrate 110 a is bonded to the bonding pad 161 by heating and melting the conductive bonding material 170. That is, the first bonding terminal 112a of the substrate 110a is bonded to the first bonding pad 161a, and the second bonding terminal 112b of the substrate 110a is bonded to the second bonding pad 161b. Further, the third bonding terminal 112c of the substrate 110a is bonded to the third bonding pad 161c, and the fourth bonding terminal 112d of the substrate 110a is bonded to the fourth bonding pad 161d.

また、基板110aの接合端子112と実装枠体160の接合パッド161とを導電性接合材170を介して接合されることで、図2(b)に示すように、基板110aと実装枠体160との間に導電性接合材170の厚みと、接合端子112と接合パッド161の厚みとを足した分の間隙部Hが設けられ、その間隙部Hに感温素子150を被覆する第一絶縁性樹脂180が設けられている。また、実装枠体160の上面及び基板110の側面には、第二絶縁性樹脂190が設けられている。また、第二絶縁性樹脂190は、図3に示すように、第一絶縁性樹脂180と接合されている。これにより、仮に、本実施形態の水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して第二凹部K2内に伝わったとしても、その熱が第二凹部K2内の第一絶縁性樹脂180から間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180まで伝わることになる。次に、熱は、間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180と接合されている第二絶縁性樹脂190に伝わることになる。最後に、第二絶縁性樹脂190が外部に露出しているため、熱が大気中に放出される。このようにすることで、第二凹部K2内に実装された感温素子150に対して熱の影響を緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異を低減することができる。   Further, the bonding terminal 112 of the substrate 110a and the bonding pad 161 of the mounting frame 160 are bonded via the conductive bonding material 170, so that the substrate 110a and the mounting frame 160 are shown in FIG. 2B. Is provided with a gap H corresponding to the sum of the thickness of the conductive bonding material 170 and the thickness of the bonding terminal 112 and the bonding pad 161, and the gap H is covered with the first insulation 150. Resin 180 is provided. A second insulating resin 190 is provided on the upper surface of the mounting frame 160 and the side surface of the substrate 110. The second insulating resin 190 is joined to the first insulating resin 180 as shown in FIG. As a result, if the crystal resonator of this embodiment is mounted on a mounting board such as an electronic device, other electronic components such as power amplifiers mounted on the mounting board generate heat, and the heat Even if the heat is transferred into the second recess K2 through the mounting substrate, the heat is transferred from the first insulating resin 180 in the second recess K2 to the first insulating resin 180 provided in the gap H. . Next, the heat is transmitted to the second insulating resin 190 joined to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Finally, since the second insulating resin 190 is exposed to the outside, heat is released into the atmosphere. By doing in this way, the influence of a heat | fever can be relieve | moderated with respect to the thermosensitive element 150 mounted in the 2nd recessed part K2. Therefore, such a crystal resonator can reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 150 and the temperature around the actual crystal element 120.

また、このような間隙部Hに第一絶縁性樹脂180が設けられているので、感温素子150が第一絶縁性樹脂180により、確実に固定されることになるので、感温素子150が基板110aから剥がれることを低減することができる。   Further, since the first insulating resin 180 is provided in such a gap H, the temperature sensitive element 150 is surely fixed by the first insulating resin 180. Peeling from the substrate 110a can be reduced.

また、第二絶縁性樹脂190は、蓋体130の側面に被着するようにして設けられていても構わない。このようにすることで、第二絶縁性樹脂190に伝わった熱は、蓋体130にも伝わり、蓋体130及び第二絶縁性樹脂190の両方から放出されることになるので、第二凹部K2内に実装された感温素子150に対して熱の影響をさらに緩和することができる。   The second insulating resin 190 may be provided so as to adhere to the side surface of the lid 130. By doing so, the heat transmitted to the second insulating resin 190 is also transmitted to the lid body 130 and is released from both the lid body 130 and the second insulating resin 190. The influence of heat on the temperature sensitive element 150 mounted in K2 can be further reduced.

ここで、実装枠体160の作製方法について説明する。実装枠体160がガラスエポキシ樹脂である場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。また、導体パターンの所定部位、具体的には、接合パッド161及び外部端子162は、例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に、所定の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、導体部163は、導体ペーストの印刷又はめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に金属を被着形成するか、貫通孔内に金属を充填して形成する。このような導体部163は、例えば金属箔又は金属柱を樹脂成形によって一体化させたり、スパッタリング法,蒸着法等を用いて被着させたりすることで形成される。また、保護膜164は、顔料等を含んだ熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)を、例えば、複数の接合パッド161又は外部端子162を露出させつつ、実装枠体160の上面又は下面を覆うようにして設けられている。   Here, a method for manufacturing the mounting frame 160 will be described. When the mounting frame 160 is made of glass epoxy resin, it is manufactured by impregnating a base material made of glass fiber with an epoxy resin precursor and thermally curing the epoxy resin precursor at a predetermined temperature. In addition, a predetermined portion of the conductor pattern, specifically, the bonding pad 161 and the external terminal 162, for example, transfer a copper foil processed into a predetermined shape onto a resin sheet made of glass epoxy resin, and the copper foil is transferred. The formed resin sheets are laminated and bonded with an adhesive. The conductor portion 163 is formed by depositing a metal on the inner surface of a through hole formed in the resin sheet by a conductive paste printing or plating method, or by filling the through hole with a metal. Such a conductor part 163 is formed by, for example, integrating a metal foil or a metal column by resin molding, or depositing it using a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. Further, the protective film 164 covers a top surface or a bottom surface of the mounting frame 160 with a thermosetting resin (for example, epoxy resin) containing a pigment or the like, for example, while exposing the plurality of bonding pads 161 or the external terminals 162. Is provided.

水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the crystal element 120 is bonded onto the electrode pad 111 via a conductive adhesive 140. The crystal element 120 plays a role of oscillating a reference signal of an electronic device or the like by stable mechanical vibration and a piezoelectric effect.

また、水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122及び引き出し電極123を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極122は、上面に第一励振用電極122aと、下面に第二励振用電極122bを備えている。引き出し電極123は、励振用電極122から水晶素板121の一辺に向かってそれぞれ延出されている。引き出し電極123は、上面に第一引き出し電極123aと、下面に第二引き出し電極123bとを備えている。第一引き出し電極123aは、第一励振用電極122aから引き出されており、水晶素板121の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極123bは、第二励振用電極122bから引き出されており、水晶素板121の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極123は、水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド111a及び第二電極パッド111bと接続されている水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子120が基板110a上に固定されている。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the crystal element 120 has a structure in which an excitation electrode 122 and an extraction electrode 123 are attached to an upper surface and a lower surface of a crystal base plate 121, respectively. . The excitation electrode 122 is formed by depositing and forming a metal in a predetermined pattern on each of the upper surface and the lower surface of the quartz base plate 121. The excitation electrode 122 includes a first excitation electrode 122a on the upper surface and a second excitation electrode 122b on the lower surface. The extraction electrode 123 extends from the excitation electrode 122 toward one side of the crystal base plate 121. The extraction electrode 123 includes a first extraction electrode 123a on the upper surface and a second extraction electrode 123b on the lower surface. The first extraction electrode 123 a is extracted from the first excitation electrode 122 a and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. The second extraction electrode 123 b is extracted from the second excitation electrode 122 b and is provided so as to extend toward one side of the crystal base plate 121. That is, the extraction electrode 123 is provided in a shape along the long side or the short side of the quartz base plate 121. In the present embodiment, one end of the crystal element 120 connected to the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b is a fixed end connected to the upper surface of the substrate 110a, and the other end is between the upper surface of the substrate 110a. The quartz crystal element 120 is fixed on the substrate 110a by a cantilevered support structure with a free end.

ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が引き出し電極123から励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。   Here, the operation of the crystal element 120 will be described. In the crystal element 120, when an alternating voltage from the outside is applied from the extraction electrode 123 to the crystal base plate 121 via the excitation electrode 122, the crystal base plate 121 is excited in a predetermined vibration mode and frequency. ing.

ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122、引き出し電極123を形成することにより作製される。   Here, a manufacturing method of the crystal element 120 will be described. First, the crystal element 120 is cut from the artificial crystalline lens at a predetermined cut angle to reduce the thickness of the outer periphery of the crystal base plate 121, and the central portion of the crystal base plate 121 is thicker than the outer peripheral portion of the crystal base plate 121. The bevel processing provided is performed. The crystal element 120 is manufactured by forming the excitation electrode 122 and the extraction electrode 123 by depositing a metal film on both main surfaces of the crystal base plate 121 by a photolithography technique, a vapor deposition technique, or a sputtering technique. Is done.

水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって第一電極パッド111a及び第二電極パッド111b上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、電極パッド111に接合される。つまり、水晶素子120の第一引き出し電極123aは、第二電極パッド111bと接合され、第二引き出し電極123bは、第一電極パッド111aと接合される。これによって、第一外部端子112aと第三外部端子112cが水晶素子120と電気的に接続されることになる。   A method for bonding the crystal element 120 to the substrate 110a will be described. First, the conductive adhesive 140 is applied onto the first electrode pad 111a and the second electrode pad 111b by a dispenser, for example. The crystal element 120 is transported onto the conductive adhesive 140 and placed on the conductive adhesive 140. The conductive adhesive 140 is cured and contracted by being heated and cured. The crystal element 120 is bonded to the electrode pad 111. That is, the first extraction electrode 123a of the crystal element 120 is bonded to the second electrode pad 111b, and the second extraction electrode 123b is bonded to the first electrode pad 111a. As a result, the first external terminal 112 a and the third external terminal 112 c are electrically connected to the crystal element 120.

導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。   The conductive adhesive 140 contains conductive powder as a conductive filler in a binder such as silicone resin, and the conductive powder includes aluminum, molybdenum, tungsten, platinum, palladium, silver, titanium, One containing either nickel or nickel iron, or a combination thereof is used. Moreover, as a binder, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used, for example.

感温素子150は、サーミスタ、白金測温抵抗体又はダイオード等が用いられている。サーミスタ素子の場合、感温素子150には、直方体形状であり、両端に接続端子151が設けられている。感温素子150は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された電圧から温度情報を得ることができる。感温素子150は、後述する接続端子151間の電圧が、第二外部端子112b及び第四外部端子112dを介して水晶振動子の外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインIC(図示せず)で出力された電圧を温度に換算することで温度情報を得ることができる。このような感温素子150を水晶振動子の近くに配置して、これによって得られた水晶振動子の温度情報に応じて、メインICにより水晶振動子を駆動する電圧を制御し、いわゆる温度補償をすることができる。   As the temperature sensing element 150, a thermistor, a platinum resistance thermometer, a diode, or the like is used. In the case of the thermistor element, the temperature sensing element 150 has a rectangular parallelepiped shape, and is provided with connection terminals 151 at both ends. The temperature sensing element 150 shows a remarkable change in electrical resistance due to a change in temperature. Since the voltage changes due to the change in resistance value, the output depends on the relationship between the resistance value and voltage and the relationship between voltage and temperature. Temperature information can be obtained from the applied voltage. The temperature sensing element 150 outputs a voltage between connection terminals 151, which will be described later, to the outside of the crystal resonator through the second external terminal 112b and the fourth external terminal 112d, for example, a main IC such as an electronic device. Temperature information can be obtained by converting the voltage output at (not shown) into temperature. Such a temperature sensitive element 150 is arranged near the crystal resonator, and the voltage for driving the crystal resonator is controlled by the main IC in accordance with the temperature information of the crystal resonator obtained thereby, so-called temperature compensation. Can do.

また、白金測温抵抗体が用いられている場合、感温素子150は、直方体形状のセラミック板上の中央に白金を蒸着し、白金電極が設けられている。また、セラミック板の両端には接続端子151が設けられている。白金電極と接続端子とは、セラミック板上面に設けられた引き出し電極により接続されている。白金電極の上面を被覆するようにして絶縁性樹脂が設けられている。   In the case where a platinum resistance thermometer is used, the temperature sensing element 150 is provided with a platinum electrode by depositing platinum at the center of a rectangular parallelepiped ceramic plate. Connection terminals 151 are provided at both ends of the ceramic plate. The platinum electrode and the connection terminal are connected by a lead electrode provided on the upper surface of the ceramic plate. An insulating resin is provided so as to cover the upper surface of the platinum electrode.

また、ダイオードが用いられている場合、感温素子150は、半導体素子を半導体素子用基板の上面に実装し、その半導体素子及び半導体素子用基板の上面を絶縁性樹脂で被覆された構造である。半導体素子用基板の下面から側面には、アノード端子及びカソード端子となる接続端子151が設けられている。感温素子150は、アノード端子からカソード端子へは電流を流すが、カソード端子からアノード端子へはほとんど電流を流さない順方向特性を有している。感温素子の順方向特性は、温度によって大きく変化する。感温素子に一定電流を流しておいて順方向電圧を測定することによって、電圧情報を得ることができる。その電圧情報から換算することで水晶素子の温度情報を得ることができる。ダイオードは、電圧と温度との関係が直線を示している。接続端子151のカソード端子及びアノード端子間の電圧が、第二外部端子112b及び第四外部端子112dを介して水晶振動子の外へ出力される。   When a diode is used, the temperature sensing element 150 has a structure in which a semiconductor element is mounted on an upper surface of a semiconductor element substrate and the upper surface of the semiconductor element and the semiconductor element substrate is covered with an insulating resin. . Connection terminals 151 serving as an anode terminal and a cathode terminal are provided from the bottom surface to the side surface of the semiconductor element substrate. The temperature sensing element 150 has a forward characteristic in which current flows from the anode terminal to the cathode terminal, but hardly flows current from the cathode terminal to the anode terminal. The forward characteristics of the temperature sensitive element vary greatly depending on the temperature. Voltage information can be obtained by passing a constant current through the temperature sensing element and measuring the forward voltage. By converting from the voltage information, temperature information of the crystal element can be obtained. In the diode, the relationship between voltage and temperature shows a straight line. The voltage between the cathode terminal and the anode terminal of the connection terminal 151 is output to the outside of the crystal resonator via the second external terminal 112b and the fourth external terminal 112d.

感温素子150は、図2に示すように、基板110aの下面に設けられた接続パッド115に半田等の導電性接合材170を介して実装されている。また、感温素子150の第一接続端子151aは、第一接続パッド115aに接続され、第二接続端子151bは、第二接続パッド115bに接続されている。第一接続パッド115aは、基板110aの下面に設けられた第一接続パターン116aを介して第二外部端子112bと接続されている。また、第二外部端子112bは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、感温素子150の第一接続端子151aは、基準電位であるグランドに接続されることになる。   As shown in FIG. 2, the temperature sensing element 150 is mounted on a connection pad 115 provided on the lower surface of the substrate 110a via a conductive bonding material 170 such as solder. The first connection terminal 151a of the temperature sensitive element 150 is connected to the first connection pad 115a, and the second connection terminal 151b is connected to the second connection pad 115b. The first connection pad 115a is connected to the second external terminal 112b via a first connection pattern 116a provided on the lower surface of the substrate 110a. The second external terminal 112b serves as a ground terminal by being connected to a mounting pad that is connected to a ground that is a reference potential on a mounting substrate of an electronic device or the like. Therefore, the first connection terminal 151a of the temperature sensitive element 150 is connected to the ground that is the reference potential.

また、感温素子150は、平面視して、水晶素子120に設けられる励振用電極122の平面内に位置させていることにより、励振用電極122の金属膜によるシールド効果によって感温素子150を、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズから保護する。よって、励振用電極122のシールド効果により、感温素子150にノイズが重畳することを低減し、感温素子150の正確な電圧を出力することができる。また、感温素子150から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子120の周囲の温度情報との差異をさらに低減することが可能となる。   Further, the temperature sensing element 150 is positioned in the plane of the excitation electrode 122 provided on the crystal element 120 in plan view, so that the temperature sensing element 150 is shielded by the metal film of the excitation electrode 122. Protects against noise from other semiconductor components and electronic components such as power amplifiers constituting electronic devices. Therefore, due to the shielding effect of the excitation electrode 122, it is possible to reduce the superimposition of noise on the temperature sensing element 150 and to output an accurate voltage of the temperature sensing element 150. In addition, since an accurate voltage value can be output from the temperature sensing element 150, temperature information obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 150 and temperature information around the actual crystal element 120 are obtained. It is possible to further reduce the difference.

感温素子150の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材170は、例えばディスペンサによって接続パッド115に塗布される。感温素子150は、導電性接合材170上に載置される。そして導電性接合材170は、加熱させることによって溶融接合される。よって、感温素子150は、一対の接続パッド115に接合される。   A method for bonding the temperature sensitive element 150 to the substrate 110a will be described. First, the conductive bonding material 170 is applied to the connection pad 115 by a dispenser, for example. The temperature sensitive element 150 is placed on the conductive bonding material 170. The conductive bonding material 170 is melt bonded by heating. Therefore, the temperature sensitive element 150 is bonded to the pair of connection pads 115.

また、感温素子150がサーミスタ素子の場合には、図1及び図2に示すように、直方体形状の両端にそれぞれ一つずつ接続端子151が設けられている。第一接続端子151aは、感温素子150の右側面及び上下面に設けられている。第二接続端子151bは、感温素子150の左側面と上下面に設けられている。感温素子150の長辺の長さは、0.4〜0.6mmであり、短辺の長さは、0.2〜0.3mmとなっている。感温素子150の厚み方向の長さは、0.1〜0.3mmとなっている。   When the temperature sensitive element 150 is a thermistor element, as shown in FIGS. 1 and 2, one connection terminal 151 is provided at each end of the rectangular parallelepiped shape. The first connection terminal 151 a is provided on the right side surface and the top and bottom surfaces of the temperature sensing element 150. The second connection terminals 151b are provided on the left side surface and the top and bottom surfaces of the temperature sensitive element 150. The length of the long side of the temperature sensitive element 150 is 0.4 to 0.6 mm, and the length of the short side is 0.2 to 0.3 mm. The length of the thermosensitive element 150 in the thickness direction is 0.1 to 0.3 mm.

導電性接合材170は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が95〜97.5%、銀が2〜4%、銅が0.5〜1.0%のものが使用されている。   The conductive bonding material 170 is made of, for example, silver paste or lead-free solder. The conductive bonding material contains an added solvent for adjusting the viscosity to be easily applied. The component ratio of the lead-free solder is 95 to 97.5% for tin, 2 to 4% for silver, and 0.5 to 1.0% for copper.

第一絶縁性樹脂180は、電子機器等の実装基板上に実装する際に用いる半田等が、感温素子150に被着することを抑えつつ、感温素子150の接続端子151と実装枠体110cの外部端子112との間で短絡することを低減するためのものである。第一絶縁性樹脂180は、感温素子150を被覆すると共に、感温素子150と基板110aとの間及び実装枠体160と基板110aとの間の間隙部Hに設けられている。   The first insulating resin 180 prevents the solder or the like used when mounting on a mounting substrate such as an electronic device from adhering to the temperature sensing element 150, and the connection terminal 151 of the temperature sensing element 150 and the mounting frame. This is to reduce a short circuit with the external terminal 112 of 110c. The first insulating resin 180 covers the temperature sensing element 150 and is provided in the gap H between the temperature sensing element 150 and the substrate 110a and between the mounting frame 160 and the substrate 110a.

次に、第一絶縁性樹脂180の塗布方法は、未硬化状態の第一絶縁性樹脂180が第二凹部K2の開口部を介して、感温素子150と基板110aとの間及び実装枠体160と基板との間に充填される。充填は、例えば、ディスペンサによって行われる。この際、未硬化状態の第一絶縁性樹脂180は、実装枠体160に対する濡れ性が保護膜164に対する濡れ性よりも高い。又は、保護膜164の非配置領域において、実装枠体180の上面及び下面と保護膜164の側面とがなす角部、若しくは、実装枠体160の上面及び下面と、保護膜164の側面とが構成する溝においては、保護膜164を引き込む毛管現象が生じる。その結果、第一絶縁性樹脂180は、保護膜164上よりも第二非配置領域R2、第三非配置領域R3及び第四非配置領域R4上に優先的に広がる。その後、常温の雰囲気によって、又は、リフロー炉等による加熱によって、第一絶縁性樹脂180は硬化される。   Next, the first insulating resin 180 is applied by applying the uncured first insulating resin 180 between the temperature-sensitive element 150 and the substrate 110a and the mounting frame through the opening of the second recess K2. Filled between 160 and the substrate. Filling is performed by, for example, a dispenser. At this time, the uncured first insulating resin 180 has higher wettability to the mounting frame 160 than wettability to the protective film 164. Alternatively, in the non-arrangement region of the protective film 164, corners formed by the upper and lower surfaces of the mounting frame 180 and the side surfaces of the protective film 164, or the upper and lower surfaces of the mounting frame 160 and the side surfaces of the protective film 164 are formed. Capillary phenomenon that pulls in the protective film 164 occurs in the groove to be formed. As a result, the first insulating resin 180 preferentially spreads on the second non-arranged region R2, the third non-arranged region R3, and the fourth non-arranged region R4 rather than on the protective film 164. Thereafter, the first insulating resin 180 is cured by an atmosphere at room temperature or by heating with a reflow furnace or the like.

また、第一絶縁性樹脂180は、第二凹部K2から第二非配置領域R2を介して接合パッド162に到達するようにして設けられている。このように、感温素子150の短絡を保護するための第一絶縁性樹脂180によって、実装枠体160と基板110aとを接合し、両者の接合強度を向上させることができる。接合強度の向上が接合パッド161へ延びる第二非配置領域R2においてなされることから、接合パッド161と接合端子112との電気的接続の信頼性を向上させることができる。   Further, the first insulating resin 180 is provided so as to reach the bonding pad 162 from the second recess K2 via the second non-arrangement region R2. Thus, the mounting frame body 160 and the board | substrate 110a can be joined by the 1st insulating resin 180 for protecting the short circuit of the temperature sensing element 150, and both joint strength can be improved. Since the bonding strength is improved in the second non-arrangement region R2 extending to the bonding pad 161, the reliability of the electrical connection between the bonding pad 161 and the bonding terminal 112 can be improved.

また、第一絶縁性樹脂180は、第二非配置領域R2から第三非配置領域R3上に広がるようにして設けられている。よって、第一絶縁性樹脂180による実装枠体160と基板110aとの接合強度の向上が接合パッド162の周囲においてなされる。その結果、接合パッド62と接合端子112との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。また、接合パッド162の周囲に第一絶縁性樹脂180が設けられることによって、接合パッド161と接合端子112との間に設けられた導電性接合材170の周囲にも第一絶縁性樹脂180が設けられているので、半田の付着等により電子機器等に実装されている他の電子部品との短絡を低減することができる。   The first insulating resin 180 is provided so as to spread from the second non-arrangement region R2 to the third non-arrangement region R3. Therefore, the bonding strength between the mounting frame 160 and the substrate 110 a by the first insulating resin 180 is improved around the bonding pad 162. As a result, the reliability of the electrical connection between the bonding pad 62 and the bonding terminal 112 can be further improved. Further, since the first insulating resin 180 is provided around the bonding pad 162, the first insulating resin 180 is also provided around the conductive bonding material 170 provided between the bonding pad 161 and the bonding terminal 112. Since it is provided, a short circuit with other electronic components mounted on the electronic device or the like due to adhesion of solder or the like can be reduced.

第一絶縁性樹脂180は、第二凹部K2から第四非配置領域R4上に広がるようにして設けられている。従って、例えば、感温素子150に覆うように設けられた絶縁性樹脂180が実装枠体160に対して上面側から下面側へ係合する。その結果、例えば、感温素子150の接続端子151を接続パッド115から引き離すような力を感温素子150に加えられることが抑制することができる。   The first insulating resin 180 is provided so as to spread from the second recess K2 onto the fourth non-arrangement region R4. Therefore, for example, the insulating resin 180 provided so as to cover the temperature sensing element 150 engages the mounting frame 160 from the upper surface side to the lower surface side. As a result, for example, a force that pulls the connection terminal 151 of the temperature sensing element 150 away from the connection pad 115 can be suppressed from being applied to the temperature sensing element 150.

第二絶縁性樹脂190は、実装枠体160の上面及び基板110aの側面を保護するためのものである。第二絶縁性樹脂190は、間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180と接合すると共に、実装枠体160の上面及び基板110aの側面を覆うようにして設けられている。第一絶縁性樹脂180及び第二絶縁性樹脂190は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。第一絶縁性樹脂180及び第二絶縁性樹脂190の弾性率は、例えば、エポキシ樹脂の場合には、1〜3GPaである。   The second insulating resin 190 is for protecting the upper surface of the mounting frame 160 and the side surface of the substrate 110a. The second insulating resin 190 is provided so as to be bonded to the first insulating resin 180 provided in the gap H and to cover the upper surface of the mounting frame 160 and the side surface of the substrate 110a. For the first insulating resin 180 and the second insulating resin 190, for example, a silicone resin, an epoxy resin, a polyimide resin, or a bismaleimide resin is used. The elastic modulus of the first insulating resin 180 and the second insulating resin 190 is, for example, 1 to 3 GPa in the case of an epoxy resin.

また、第二絶縁性樹脂190は、蓋体130の側面に被着するようにして設けられていても構わない。このようなすることで、仮に水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して第二凹部K2内に伝わったとしても、その熱が第二凹部K2内の第一絶縁性樹脂180から間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180まで伝わることになる。次に、熱は、間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180と接合されている第二絶縁性樹脂190に伝わることになる。最後に、熱が第二絶縁性樹脂190から大気中に放出されると共に、第二絶縁性樹脂190から蓋体130に熱の一部が伝わり、蓋体130からも熱が大気中に放出される。このようにすることで、第二凹部K2内に実装された感温素子150に対して熱の影響をさらに緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することができる。   The second insulating resin 190 may be provided so as to adhere to the side surface of the lid 130. By doing this, if the crystal unit is mounted on a mounting board such as an electronic device, electronic components such as other power amplifiers mounted on this mounting board generate heat, and the heat is mounted. Even if the heat is transferred into the second recess K2 through the substrate, the heat is transferred from the first insulating resin 180 in the second recess K2 to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Next, the heat is transmitted to the second insulating resin 190 joined to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Finally, heat is released from the second insulating resin 190 into the atmosphere, part of the heat is transferred from the second insulating resin 190 to the lid 130, and heat is also released from the lid 130 into the atmosphere. The By doing in this way, the influence of a heat | fever can be further relieve | moderated with respect to the temperature sensing element 150 mounted in the 2nd recessed part K2. Therefore, such a crystal resonator can further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 150 and the temperature around the actual crystal element 120.

また、第二絶縁性樹脂190が、蓋体130を覆うようにして設けられていても構わない。このようにすることで、仮に水晶振動子に衝撃が加わったとしても、絶縁性樹脂190が水晶振動子を覆うように形成されているため、衝撃を吸収し、水晶素子120に衝撃が加わることを抑えるため、電極パッド111から水晶素子120が剥がれてしまうことを抑えることができる。   Further, the second insulating resin 190 may be provided so as to cover the lid 130. By doing so, even if an impact is applied to the crystal unit, the insulating resin 190 is formed so as to cover the crystal unit, so that the impact is absorbed and the crystal element 120 is applied with an impact. Therefore, the crystal element 120 can be prevented from peeling off from the electrode pad 111.

また、第二絶縁性樹脂190は、例えばトランスファーモールド法もしくは印刷法によって実装枠体160の上面、基板110aの側面及び蓋体130の側面に被着するようにして供給される。また、第二絶縁性樹脂190を供給する際に、複数の実装枠体160が隣接するようにして設けられたシート基板(図示せず)を用いる方が生産性を向上させることができる。また、このシート基板を用いた際に、実装枠体160から第二絶縁性樹脂190の方向に向かってダイサーで切断することにより、実装枠体160の下面側で、外部端子162の近傍にバリが発生することを低減しつつ、水晶振動子を個片化することができるため、生産性を向上させることができる。   The second insulating resin 190 is supplied so as to adhere to the upper surface of the mounting frame 160, the side surface of the substrate 110a, and the side surface of the lid 130 by, for example, a transfer molding method or a printing method. Further, when the second insulating resin 190 is supplied, productivity can be improved by using a sheet substrate (not shown) provided with a plurality of mounting frame bodies 160 adjacent to each other. In addition, when this sheet substrate is used, the mounting frame body 160 is cut with a dicer in the direction of the second insulating resin 190, so that there is a variability near the external terminal 162 on the lower surface side of the mounting frame body 160. Since the crystal resonator can be separated into individual pieces while reducing the occurrence of the above, productivity can be improved.

蓋体130は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体130は、真空状態にある第一凹部K1又は窒素ガスなどが充填された第一凹部K1を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、パッケージ110の枠体110b上に載置され、枠体110bの封止用導体パターン118と蓋体130の封止部材131とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体110bに接合される。また、蓋体130は、封止用導体パターン118、第二ビア導体114b及び第二導体部163bを介して実装枠体160の下面の第二外部端子162bに電気的に接続されている。第二外部端子162bは、導電性接合材170を介して第二接続パッド115bと電気的に接続されている。よって、蓋体130は、パッケージ110の第二外部端子112bと電気的に接続されている。   The lid 130 is made of an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, for example. Such a lid 130 is for hermetically sealing the first recess K1 in a vacuum state or the first recess K1 filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the lid body 130 is placed on the frame body 110b of the package 110 in a predetermined atmosphere, and the sealing conductor pattern 118 of the frame body 110b and the sealing member 131 of the lid body 130 are welded. As described above, by applying a predetermined current and performing seam welding, the frame body 110b is joined. The lid 130 is electrically connected to the second external terminal 162b on the lower surface of the mounting frame 160 via the sealing conductor pattern 118, the second via conductor 114b, and the second conductor portion 163b. The second external terminal 162b is electrically connected to the second connection pad 115b through the conductive bonding material 170. Therefore, the lid 130 is electrically connected to the second external terminal 112b of the package 110.

封止部材131は、パッケージ110の枠体110b上面に設けられた封止用導体パターン118に相対する蓋体130の箇所に設けられている。封止部材131は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、10〜20μmである。例えば、成分比率は、銀が72〜85%、銅が15〜28%のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、10〜40μmである。例えば、成分比率が、金が78〜82%、錫が18〜22%のものが使用されている。   The sealing member 131 is provided at a position of the lid body 130 facing the sealing conductor pattern 118 provided on the upper surface of the frame 110 b of the package 110. The sealing member 131 is provided by, for example, silver solder or gold tin. In the case of silver wax, the thickness is 10 to 20 μm. For example, the component ratio is 72 to 85% for silver and 15 to 28% for copper. In the case of gold tin, the thickness is 10 to 40 μm. For example, the component ratio is 78 to 82% for gold and 18 to 22% for tin.

本実施形態における水晶振動子は、矩形状の基板110aと、基板110aの下面に設けられた実装枠体160と、基板110aの下面の外周縁に沿って設けられた接合端子112と、実装枠体160の上面の外周縁に沿って設けられた接合パッド161と、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111と、実装枠体160内で基板110aの下面に設けられた一対の接続パッド115と、電極パッド111に実装された水晶素子120と、接続パッド115に実装された感温素子150と、基板110aと実装枠体160との間に設けられた間隙部Hと、水晶素子を気密封止するための蓋体130と、感温素子150を被覆し、間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180と、実装枠体160の上面から基板110aの側面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂190とを備えている。このようにすることにより、第二絶縁性樹脂190が実装枠体160の上面から基板110aの側面にかけて設けられているので、落下試験により加わった応力を吸収することができると共に、仮に第二絶縁性樹脂190により吸収できなかった応力が感温素子150に加わったとしても、第一絶縁性樹脂180が感温素子150を覆うように設けられているため、感温素子150が接続パッド115から外れることを抑えつつ、感温素子150と接続パッドの接合強度を向上させることが可能となる。   The crystal resonator according to this embodiment includes a rectangular substrate 110a, a mounting frame 160 provided on the lower surface of the substrate 110a, a bonding terminal 112 provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate 110a, and a mounting frame. A bonding pad 161 provided along the outer peripheral edge of the upper surface of the body 160, a pair of electrode pads 111 provided on the upper surface of the substrate 110a, and a pair of connections provided on the lower surface of the substrate 110a in the mounting frame 160 A pad 115, a crystal element 120 mounted on the electrode pad 111, a temperature sensing element 150 mounted on the connection pad 115, a gap H provided between the substrate 110a and the mounting frame 160, and a crystal element A lid 130 for hermetically sealing, a temperature-sensitive element 150, a first insulating resin 180 provided in the gap H, and an upper surface of the mounting frame 160 on the side surface of the substrate 110a. Only in and a second insulating resin 190 provided. By doing so, since the second insulating resin 190 is provided from the upper surface of the mounting frame 160 to the side surface of the substrate 110a, the stress applied by the drop test can be absorbed and the second insulation is temporarily provided. Even if stress that could not be absorbed by the heat-sensitive resin 190 is applied to the temperature-sensitive element 150, the temperature-sensitive element 150 is connected to the connection pad 115 because the first insulating resin 180 is provided to cover the temperature-sensitive element 150. It is possible to improve the bonding strength between the temperature sensitive element 150 and the connection pad while suppressing the disconnection.

また、本実施形態における水晶振動子は、実装枠体160がガラエポ基板によって形成されている。このようにすることにより、実装枠体160の基材と電子機器等を構成する実装基板(図示せず)の基材は同じ樹脂材料からなるようにすることにより、熱膨張係数の差をより小さくすることができる。このため、加熱で実装基板が変形した場合でも、その変形による応力が実装枠体160の存在により緩和され、その結果として、半田にかかる応力も緩和される。このような水晶振動子は、電子機器等の実装基板から剥がれの発生を低減することができる。   In the crystal resonator according to the present embodiment, the mounting frame 160 is formed of a glass epoxy substrate. By doing in this way, the base material of the mounting frame 160 and the base material of the mounting substrate (not shown) constituting the electronic device or the like are made of the same resin material, so that the difference in thermal expansion coefficient is further increased. Can be small. For this reason, even when the mounting substrate is deformed by heating, the stress due to the deformation is relieved by the presence of the mounting frame 160, and as a result, the stress applied to the solder is also relieved. Such a crystal resonator can reduce the occurrence of peeling from a mounting substrate such as an electronic device.

また、本実施形態の水晶振動子は、第一絶縁性樹脂180と第二絶縁性樹脂190とが接合されている。このような水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して第二凹部K2内に伝わったとしても、その熱が第二凹部K2内の第一絶縁性樹脂180から間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180まで伝わることになる。次に、熱は、間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180と接合されている第二絶縁性樹脂190に伝わることになる。最後に、第二絶縁性樹脂190が外部に露出しているため、熱が大気中に放出される。このようにすることで、第二凹部K2内に実装された感温素子150に対して熱の影響を緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異を低減することができる。   In the crystal resonator of this embodiment, the first insulating resin 180 and the second insulating resin 190 are joined. When such a crystal unit is mounted on a mounting board such as an electronic device, other electronic components such as power amplifiers mounted on the mounting board generate heat, and the heat is transmitted through the mounting board. Even if the heat is transferred into the second recess K2, the heat is transferred from the first insulating resin 180 in the second recess K2 to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Next, the heat is transmitted to the second insulating resin 190 joined to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Finally, since the second insulating resin 190 is exposed to the outside, heat is released into the atmosphere. By doing in this way, the influence of a heat | fever can be relieve | moderated with respect to the thermosensitive element 150 mounted in the 2nd recessed part K2. Therefore, such a crystal resonator can reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 150 and the temperature around the actual crystal element 120.

また、本実施形態の水晶振動子は、第二絶縁性樹脂190と蓋体130とが接合されている。このような水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して第二凹部K2内に伝わったとしても、その熱が第二凹部K2内の第一絶縁性樹脂180から間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180まで伝わることになる。次に、熱は、間隙部Hに設けられた第一絶縁性樹脂180と接合されている第二絶縁性樹脂190に伝わることになる。最後に、熱が第二絶縁性樹脂190から大気中に放出されると共に、第二絶縁性樹脂190から蓋体130に熱の一部が伝わり、蓋体130からも熱が大気中に放出される。このようにすることで、第二凹部K2内に実装された感温素子150に対して熱の影響をさらに緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することができる。   Further, in the crystal resonator of this embodiment, the second insulating resin 190 and the lid body 130 are joined. When such a crystal unit is mounted on a mounting board such as an electronic device, other electronic components such as power amplifiers mounted on the mounting board generate heat, and the heat is transmitted through the mounting board. Even if the heat is transferred into the second recess K2, the heat is transferred from the first insulating resin 180 in the second recess K2 to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Next, the heat is transmitted to the second insulating resin 190 joined to the first insulating resin 180 provided in the gap H. Finally, heat is released from the second insulating resin 190 into the atmosphere, part of the heat is transferred from the second insulating resin 190 to the lid 130, and heat is also released from the lid 130 into the atmosphere. The By doing in this way, the influence of a heat | fever can be further relieve | moderated with respect to the temperature sensing element 150 mounted in the 2nd recessed part K2. Therefore, such a crystal resonator can further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 150 and the temperature around the actual crystal element 120.

また、本実施形態における水晶振動子は、基板110aに水晶素子120と感温素子150とを実装した状態で、平面視して、水晶素子120に設けられた励振用電極122の平面内に感温素子150を位置させていることによって、励振用電極122の金属膜によるシールド効果によって感温素子150を、電子機器を構成するパワーアンプ等の他の半導体部品や電子部品からのノイズから保護する。よって、励振用電極122のシールド効果により、感温素子150にノイズが重畳することを低減し、感温素子150の正確な電圧を出力することができる。また、感温素子150から正確な電圧値を出力することができるので、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の水晶素子120の周囲の温度情報との差異をさらに低減することが可能となる。   In addition, the crystal resonator according to the present embodiment is sensitive to the plane of the excitation electrode 122 provided on the crystal element 120 in plan view with the crystal element 120 and the temperature sensitive element 150 mounted on the substrate 110a. By positioning the temperature element 150, the temperature-sensitive element 150 is protected from noise from other semiconductor components such as a power amplifier constituting the electronic apparatus and electronic components by the shielding effect by the metal film of the excitation electrode 122. . Therefore, due to the shielding effect of the excitation electrode 122, it is possible to reduce the superimposition of noise on the temperature sensing element 150 and to output an accurate voltage of the temperature sensing element 150. In addition, since an accurate voltage value can be output from the temperature sensing element 150, temperature information obtained by converting the voltage output from the temperature sensing element 150 and temperature information around the actual crystal element 120 are obtained. It is possible to further reduce the difference.

また、本実施形態における水晶振動子は、電極パッド111が第一枠体110bの内周縁の一辺に沿って隣接するようにして設けられており、第二接続パターン116bが、平面視して、一対の電極パッド111の間に位置するように設けられている。このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、電極パッド111から直下にある基板110aを介して、第二接続パターン116bを介して第二接続パッド115bに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とが近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。   Further, the crystal resonator in the present embodiment is provided such that the electrode pad 111 is adjacent along one side of the inner peripheral edge of the first frame 110b, and the second connection pattern 116b is viewed in plan view. It is provided so as to be positioned between the pair of electrode pads 111. By doing so, the heat transferred from the crystal element 120 is transferred to the second connection pad 115b via the second connection pattern 116b via the substrate 110a directly below the electrode pad 111. Therefore, since such a crystal resonator can further shorten the heat conduction path, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the temperature sensing element 150 are approximated and output from the temperature sensing element 150. It becomes possible to further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage and the actual temperature around the quartz crystal element 120.

また、本実施形態における水晶振動子は、第二接続パターン116bの一部が、平面視して、第一電極パッド111aと重なるようにして設けられている。このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、第一電極パッド111aから直下にある基板110aを介して、第二接続パターン116bから第二接続パッド115bに伝わることになる。このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすると共に熱伝導経路の数をさらに増やすことで、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とがさらに近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。   Further, the crystal resonator in the present embodiment is provided so that a part of the second connection pattern 116b overlaps the first electrode pad 111a in plan view. By doing so, the heat transferred from the crystal element 120 is transferred from the second connection pattern 116b to the second connection pad 115b through the substrate 110a directly below the first electrode pad 111a. In such a crystal resonator, by further shortening the heat conduction path and further increasing the number of heat conduction paths, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the temperature-sensitive element 150 are further approximated, and the temperature sensitivity is increased. It is possible to further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage output from the element 150 and the temperature around the actual crystal element 120.

また、本実施形態における水晶振動子は、接合パッド161を露出させつつ、実装枠体160を覆う保護膜164を備え、基板110aと実装枠体160との間で設けられた第二凹部K2の内周面には、保護膜164が非配置とされた第一非配置領域R1を有している。このようにすることで、第二凹部K2の開口部の内周面において保護膜164が非配置とされていることから、第一絶縁性樹脂180が、毛細管現象により第二凹部K2内に入り込むことを抑えつつ、保護膜164の二倍の厚み分だけ第二凹部K2の開口部の開口面積を大きくすることができる。その結果、大きな感温素子150の実装が可能となる。また、感温素子150を接続パッド115に実装する際に、感温素子150が第二凹部K2の内壁に接触することを抑えることができる。   In addition, the crystal resonator according to the present embodiment includes a protective film 164 that covers the mounting frame 160 while exposing the bonding pad 161, and includes a second recess K <b> 2 provided between the substrate 110 a and the mounting frame 160. The inner peripheral surface has a first non-arrangement region R1 in which the protective film 164 is not disposed. By doing in this way, since the protective film 164 is not disposed on the inner peripheral surface of the opening of the second recess K2, the first insulating resin 180 enters the second recess K2 by capillary action. While suppressing this, the opening area of the opening of the second recess K2 can be increased by a thickness twice that of the protective film 164. As a result, the large temperature sensitive element 150 can be mounted. Further, when the temperature sensitive element 150 is mounted on the connection pad 115, the temperature sensitive element 150 can be prevented from coming into contact with the inner wall of the second recess K2.

また、本実施形態における水晶振動子は、実装枠体160の上面に、保護膜164が非配置とされ、第二凹部K2の開口部と接合パッド161とを結ぶ、第二非配置領域R2を有し、第一絶縁性樹脂180が第二凹部K2の開口部から第二非配置領域R2を介して接合パッド162に到達するように設けられている。このように、感温素子150の短絡を保護するための第一絶縁性樹脂180によって、実装枠体160と基板110aとを接合し、両者の接合強度を向上させることができる。接合強度の向上が接合パッド161へ延びる第二非配置領域R2においてなされることから、接合パッド161と接合端子112との電気的接続の信頼性を向上させることができる。   Further, in the crystal resonator according to the present embodiment, the second non-arrangement region R2 in which the protective film 164 is not disposed on the upper surface of the mounting frame 160 and connects the opening of the second recess K2 and the bonding pad 161 is provided. The first insulating resin 180 is provided so as to reach the bonding pad 162 from the opening of the second recess K2 via the second non-arrangement region R2. Thus, the mounting frame body 160 and the board | substrate 110a can be joined by the 1st insulating resin 180 for protecting the short circuit of the temperature sensing element 150, and both joint strength can be improved. Since the bonding strength is improved in the second non-arrangement region R2 extending to the bonding pad 161, the reliability of the electrical connection between the bonding pad 161 and the bonding terminal 112 can be improved.

また、本実施形態における水晶振動子は、実装枠体160の上面には、保護膜164が非配置とされ、接合パッド161に隣接するとともに接合パッド161を囲む第三非配置領域R3を有し、第一絶縁性樹脂180が第二非配置領域R2から第三非配置領域R3上に広がるようにして設けられている。よって、第一絶縁性樹脂180による実装枠体160と基板110aとの接合強度の向上が接合パッド162の周囲においてなされる。その結果、接合パッド162と接合端子112との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。また、接合パッド162の周囲に第一絶縁性樹脂180が設けられることによって、接合パッド161と接合端子112との間に設けられた導電性接合材170の周囲にも第一絶縁性樹脂180が設けられているので、半田の付着等により電子機器等に実装されている他の電子部品との短絡を低減することができる。   Further, the crystal resonator according to the present embodiment has a third non-arrangement region R3 that is not disposed with the protective film 164 on the upper surface of the mounting frame 160, is adjacent to the bonding pad 161, and surrounds the bonding pad 161. The first insulating resin 180 is provided so as to spread from the second non-arrangement region R2 to the third non-arrangement region R3. Therefore, the bonding strength between the mounting frame 160 and the substrate 110 a by the first insulating resin 180 is improved around the bonding pad 162. As a result, the reliability of electrical connection between the bonding pad 162 and the bonding terminal 112 can be further improved. Further, since the first insulating resin 180 is provided around the bonding pad 162, the first insulating resin 180 is also provided around the conductive bonding material 170 provided between the bonding pad 161 and the bonding terminal 112. Since it is provided, a short circuit with other electronic components mounted on the electronic device or the like due to adhesion of solder or the like can be reduced.

また、本実施形態における水晶振動子は、実装枠体160の上面には、保護膜164が非配置とされ、第二凹部K2の開口部に隣接するとともに第二凹部K2の開口部を囲む第四非配置領域R4を有し、保護膜164が第二凹部K2から第四非配置領域R4上に広がるようにして設けられている。よって、感温素子150に覆うように設けられた第一絶縁性樹脂180が実装枠体160に対して上面側から下面側へ係合する。その結果、例えば、感温素子150の接続端子151を接続パッド115から引き離すような力を感温素子150に加えられることが抑制することができる。   Further, in the crystal resonator according to the present embodiment, the protective film 164 is not disposed on the upper surface of the mounting frame 160, is adjacent to the opening of the second recess K2, and surrounds the opening of the second recess K2. The non-arrangement region R4 is provided, and the protective film 164 is provided so as to spread from the second recess K2 to the fourth non-arrangement region R4. Therefore, the first insulating resin 180 provided so as to cover the temperature sensing element 150 is engaged with the mounting frame 160 from the upper surface side to the lower surface side. As a result, for example, a force that pulls the connection terminal 151 of the temperature sensing element 150 away from the connection pad 115 can be suppressed from being applied to the temperature sensing element 150.

(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶振動子について説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶振動子のうち、上述した水晶振動子と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶振動子は、図7及び図8に示されているように、電極パッド211と接続端子212とを電気的に接続するための配線パターン213とを備え、配線パターン213の一つが、接続パッド215と同一平面上に設けられ、実装枠体160と重なる位置に設けられている。
(First modification)
Hereinafter, the crystal resonator according to the first modification of the present embodiment will be described. Note that, in the crystal resonator according to the first modification of the present embodiment, the same portions as those of the above-described crystal resonator are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. As shown in FIGS. 7 and 8, the crystal resonator in the first modification of the present embodiment includes a wiring pattern 213 for electrically connecting the electrode pad 211 and the connection terminal 212. One of the wiring patterns 213 is provided on the same plane as the connection pads 215 and is provided at a position overlapping the mounting frame 160.

電極パッド211は、図7に示すように、第一電極パッド211a及び第二電極パッド211bによって構成されている。また、接合端子212は、図7に示すように、第一接合端子212a、第二接合端子212b、第三接合端子212c及び第四接合端子212dによって構成されている。ビア導体214は、第一ビア導体214a及び第二ビア導体214bによって構成されている。また、配線パターン213は、第一配線パターン213a、第二配線パターン213b及び第三配線パターン213cによって構成されている。第一電極パッド211aは、基板210aに設けられた第一配線パターン213aの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン213aの他端は、第一ビア導体214aを介して、第三配線パターン213cの一端と電気的に接続されている。第三配線パターン213cの他端は、第一接合端子212aと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド211aは、第一接合端子212aと電気的に接続されることになる。第二電極パッド211bは、基板210aに設けられた第二配線パターン213bの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン213bの他端は、第二ビア導体214bを介して、第三接合端子212cと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 7, the electrode pad 211 includes a first electrode pad 211a and a second electrode pad 211b. Further, as shown in FIG. 7, the joining terminal 212 includes a first joining terminal 212a, a second joining terminal 212b, a third joining terminal 212c, and a fourth joining terminal 212d. The via conductor 214 includes a first via conductor 214a and a second via conductor 214b. The wiring pattern 213 includes a first wiring pattern 213a, a second wiring pattern 213b, and a third wiring pattern 213c. The first electrode pad 211a is electrically connected to one end of the first wiring pattern 213a provided on the substrate 210a. The other end of the first wiring pattern 213a is electrically connected to one end of the third wiring pattern 213c via the first via conductor 214a. The other end of the third wiring pattern 213c is electrically connected to the first joint terminal 212a. Therefore, the first electrode pad 211a is electrically connected to the first bonding terminal 212a. The second electrode pad 211b is electrically connected to one end of the second wiring pattern 213b provided on the substrate 210a. The other end of the second wiring pattern 213b is electrically connected to the third junction terminal 212c through the second via conductor 214b.

また、配線パターン213は、図7及び図8に示すように、第一配線パターン213a、第二配線パターン213b及び第三配線パターン213cによって構成されている。第一配線パターン213a及び第二配線パターン213bは、基板210aの上面に設けられ、電極パッド211から近傍の基板210aのビア導体214に向けて引き出されている。第三配線パターン213cは、基板210aの下面に設けられ、基板210aの接続パッド215と近接するようにして設けられている。つまり、第三配線パターン213cと接続パッド215bの間隔は、50〜100μmである。このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、電極パッド211から第一配線パターン213a及び第一ビア導体214aを介して、第三配線パターン213cに伝わることになる。次に、水晶素子120から伝わる熱が、第三配線パターン213cから基板210aの下面を介して接続パッド215に伝わる。よって、水晶振動子は、熱伝導経路を短くすることができるので、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とが近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異を低減することが可能となる。   Further, the wiring pattern 213 includes a first wiring pattern 213a, a second wiring pattern 213b, and a third wiring pattern 213c, as shown in FIGS. The first wiring pattern 213a and the second wiring pattern 213b are provided on the upper surface of the substrate 210a, and are drawn from the electrode pad 211 toward the via conductor 214 of the nearby substrate 210a. The third wiring pattern 213c is provided on the lower surface of the substrate 210a and is provided so as to be close to the connection pad 215 of the substrate 210a. That is, the distance between the third wiring pattern 213c and the connection pad 215b is 50 to 100 μm. By doing so, heat transferred from the crystal element 120 is transferred from the electrode pad 211 to the third wiring pattern 213c via the first wiring pattern 213a and the first via conductor 214a. Next, the heat transmitted from the crystal element 120 is transmitted from the third wiring pattern 213c to the connection pad 215 via the lower surface of the substrate 210a. Therefore, since the crystal resonator can shorten the heat conduction path, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the temperature sensitive element 150 are approximated, and the voltage output from the temperature sensitive element 150 is converted. Thus, the difference between the obtained temperature and the actual temperature around the quartz crystal element 120 can be reduced.

また、第三配線パターン213cは、実装枠体160と重なる位置に設けられている。このようにすることによって、本実施形態の第一変形例における水晶振動子を電子機器等の実装基板上に実装した際に、その実装基板上に設けられた配線導体と、第三配線パターン213cとの間で発生する浮遊容量を低減することができる。よって、水晶素子120に浮遊容量が付加されることを抑えつつ、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。   Further, the third wiring pattern 213 c is provided at a position overlapping the mounting frame body 160. In this way, when the crystal resonator according to the first modification of the present embodiment is mounted on a mounting board such as an electronic device, the wiring conductor provided on the mounting board and the third wiring pattern 213c. The stray capacitance generated between the two can be reduced. Therefore, fluctuation of the oscillation frequency of the crystal element 120 can be reduced while suppressing the stray capacitance from being added to the crystal element 120.

本実施形態の第一変形例における水晶振動子は、電極パッド211と接続端子212とを電気的に接続するための配線パターン213とを備え、第三配線パターン213cが、接続パッド215と同一平面上に設けられ、実装枠体160と重なる位置に設けられている。このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、電極パッド211から第一配線パターン213a及び第一ビア導体214aを介して、第三配線パターン213cに伝わることになる。次に、水晶素子120から伝わる熱が、第三配線パターン213cから基板210aの下面を介して接続パッド215に伝わる。よって、水晶振動子は、熱伝導経路を短くすることができるので、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とが近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異を低減することが可能となる。   The crystal resonator in the first modification of the present embodiment includes a wiring pattern 213 for electrically connecting the electrode pad 211 and the connection terminal 212, and the third wiring pattern 213 c is flush with the connection pad 215. It is provided on a position that overlaps with the mounting frame 160. By doing so, heat transferred from the crystal element 120 is transferred from the electrode pad 211 to the third wiring pattern 213c via the first wiring pattern 213a and the first via conductor 214a. Next, the heat transmitted from the crystal element 120 is transmitted from the third wiring pattern 213c to the connection pad 215 via the lower surface of the substrate 210a. Therefore, since the crystal resonator can shorten the heat conduction path, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the temperature sensitive element 150 are approximated, and the voltage output from the temperature sensitive element 150 is converted. Thus, the difference between the obtained temperature and the actual temperature around the quartz crystal element 120 can be reduced.

また、本実施形態の第一変形例における水晶振動子は、第三配線パターン213cが、実装枠体160と重なる位置に設けられている。このようにすることによって、本実施形態の第一変形例における水晶振動子を電子機器等の実装基板上に実装した際に、その実装基板上に設けられた配線導体と、第三配線パターン213cとの間で発生する浮遊容量を低減することができる。よって、水晶素子120に浮遊容量が付加されることを抑えつつ、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することができる。   Further, in the crystal resonator according to the first modified example of the present embodiment, the third wiring pattern 213 c is provided at a position where it overlaps with the mounting frame body 160. In this way, when the crystal resonator according to the first modification of the present embodiment is mounted on a mounting board such as an electronic device, the wiring conductor provided on the mounting board and the third wiring pattern 213c. The stray capacitance generated between the two can be reduced. Therefore, fluctuation of the oscillation frequency of the crystal element 120 can be reduced while suppressing the stray capacitance from being added to the crystal element 120.

(第二変形例)
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図9〜図10に示されているように、感温素子150の長辺が、基板310aの短辺と平行になるように基板310aの接続パッド315に実装されている点において本実施形態と異なる。
(Second modification)
Hereinafter, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment will be described. Of the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment, the same portions as those of the quartz crystal device described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate. As shown in FIGS. 9 to 10, the quartz crystal device according to the second modification of the present embodiment is connected to the substrate 310a so that the long side of the temperature sensitive element 150 is parallel to the short side of the substrate 310a. It differs from the present embodiment in that it is mounted on the pad 315.

接続パッド315は、矩形状であり、基板310aの下面の中央付近に設けられている。接続パッド315は、図10に示されているように、接続パッド315の長辺と基板310aの短辺が平行となるように、隣接して設けられている。接続パッド315は、第一接続パッド315aと第二接続パッド315bによって構成されている。   The connection pad 315 has a rectangular shape and is provided near the center of the lower surface of the substrate 310a. As shown in FIG. 10, the connection pads 315 are provided adjacent to each other so that the long sides of the connection pads 315 and the short sides of the substrate 310a are parallel to each other. The connection pad 315 includes a first connection pad 315a and a second connection pad 315b.

接続パターン316は、図10(b)に示すように、基板310aの下面に設けられ、接続パッド315から近傍のビア導体314に向けて引き出されている。また、第二接続パターン316bは、第一配線パターン313aと重なるようにして設けられている。このようにすることによって、水晶素子120から伝わる熱が、第一電極パッド311aから第一配線パターン313aに伝わり、第一配線パターン313aの直下にある基板310aを介して、第二接続パターン316bから第二接続パッド315bに伝わることになる。よって、このような水晶振動子は、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子120の温度と感温素子150の温度とが近似することになり、感温素子150から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子120の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。   As shown in FIG. 10B, the connection pattern 316 is provided on the lower surface of the substrate 310a, and is drawn from the connection pad 315 toward the neighboring via conductor 314. The second connection pattern 316b is provided so as to overlap the first wiring pattern 313a. By doing so, heat transmitted from the crystal element 120 is transmitted from the first electrode pad 311a to the first wiring pattern 313a, and from the second connection pattern 316b via the substrate 310a immediately below the first wiring pattern 313a. It is transmitted to the second connection pad 315b. Therefore, since such a crystal resonator can further shorten the heat conduction path, the temperature of the crystal element 120 and the temperature of the temperature sensing element 150 are approximated and output from the temperature sensing element 150. It becomes possible to further reduce the difference between the temperature obtained by converting the voltage and the actual temperature around the quartz crystal element 120.

ここで基板310aを平面視したときの長辺の寸法が、1.2〜2.5mmであり、短辺の寸法が、1.0〜2.0mmである場合を例にして、接続パッド315の大きさを説明する。接続パッド315の基板310aの長辺と平行な辺の長さは、0.2〜0.5mmであり、基板310aの短辺と平行な辺の長さは、0.25〜0.55mmとなっている。また、第一接続パッド315aと第二接続パッド315bとの間の長さは、0.1〜0.3mmとなっている。   Here, when the board 310a is viewed in plan, the long side dimension is 1.2 to 2.5 mm, and the short side dimension is 1.0 to 2.0 mm as an example. Explain the size of. The length of the side of the connection pad 315 parallel to the long side of the substrate 310a is 0.2 to 0.5 mm, and the length of the side parallel to the short side of the substrate 310a is 0.25 to 0.55 mm. It has become. Further, the length between the first connection pad 315a and the second connection pad 315b is 0.1 to 0.3 mm.

感温素子150は、感温素子150の長辺と基板310aの短辺とが平行となるように、基板310aの下面に実装されている。このようにすることにより、水晶素子120と電気的に接続されている第一接合端子312aは、第一接続パッド315aとの間隔を長くすることができ、水晶素子120と電気的に接続されている第三接合端子312cは、第二接続パッド315bとの間隔を長くすることができるので、感温素子150を接合している導電性接合材170が溢れ出たとしても、導電性接合材170が付着することを抑えることができる。よって、感温素子150と水晶素子120と電気的に接続されている接合端子312との短絡を低減することができる。   The temperature sensing element 150 is mounted on the lower surface of the substrate 310a so that the long side of the temperature sensing element 150 and the short side of the substrate 310a are parallel to each other. By doing in this way, the 1st junction terminal 312a electrically connected with the crystal element 120 can lengthen the space | interval with the 1st connection pad 315a, and is electrically connected with the crystal element 120. Since the third joint terminal 312c can have a longer distance from the second connection pad 315b, even if the conductive joint material 170 joining the temperature sensitive element 150 overflows, the conductive joint material 170 Can be suppressed. Therefore, a short circuit between the temperature sensitive element 150 and the junction terminal 312 electrically connected to the crystal element 120 can be reduced.

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。   In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the above embodiment, the case where an AT crystal element is used as the crystal element has been described. However, a tuning fork-type bent crystal having a base and two flat plate-shaped vibrating arms extending in the same direction from the side surface of the base. An element may be used.

また、水晶素子120のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板121とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板121とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板121とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板121が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。   A bevel processing method for the crystal element 120 will be described. A polishing material provided with media and abrasive grains having a predetermined particle size and a quartz base plate 121 having a predetermined size are prepared. The abrasive prepared in the cylindrical body and the quartz base plate 121 are placed, and the open end of the cylindrical body is closed with a cover. The quartz base plate 121 that rotates the cylindrical body containing the abrasive and the quartz base plate 121 with the central axis of the cylindrical body as the rotation axis is polished with the abrasive and beveled.

上記実施形態では、枠体110bが基板110aと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体110bが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。   In the above embodiment, the case where the frame 110b is integrally formed of a ceramic material in the same manner as the substrate 110a has been described. However, the frame 110b may be made of metal. In this case, the frame is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper.

上記実施形態では、基板110aの上面に枠体110bが設けられた場合を説明したが、枠体110bを設けなくても構わない。この場合、蓋体は、矩形状の封止基部と、封止基部の下面の外周縁に沿って設けられている封止枠部とで構成されているものを用いても構わない。このような蓋体は、封止基部の下面と封止枠部の内側側面とで収容空間が形成されている。封止枠部は、封止基部の下面の外縁に沿って設けられている。封止基部及び封止枠部は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、一体的に形成されている。このような封止蓋体は、真空状態にある収容空間又は窒素ガスなどが充填された収容空間を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体は、所定雰囲気で、平板状の基板の上面に載置され、基板の上面と封止枠部の下面との間に設けられた接合部材とが熱が印加されることで、溶融接合される。   In the above embodiment, the case where the frame 110b is provided on the upper surface of the substrate 110a has been described, but the frame 110b may not be provided. In this case, the lid may be configured by a rectangular sealing base and a sealing frame provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the sealing base. In such a lid, an accommodation space is formed by the lower surface of the sealing base and the inner side surface of the sealing frame. The sealing frame part is provided along the outer edge of the lower surface of the sealing base. The sealing base portion and the sealing frame portion are made of, for example, an alloy containing at least one of iron, nickel, and cobalt, and are integrally formed. Such a sealing lid is for hermetically sealing a housing space in a vacuum state or a housing space filled with nitrogen gas or the like. Specifically, the lid is placed on the upper surface of the flat substrate in a predetermined atmosphere, and heat is applied to the bonding member provided between the upper surface of the substrate and the lower surface of the sealing frame portion. In this way, fusion bonding is performed.

また、上記実施形態では、導体部163が基板内に設けられた場合を説明したが、実装枠体160の角部に設けられた切れ込みの内部に設けられていても構わない。この際に、導電部は、切り込み内に導体ペーストを印刷するようにして設けられている。   Moreover, although the case where the conductor part 163 was provided in the board | substrate was demonstrated in the said embodiment, you may provide in the inside of the notch provided in the corner | angular part of the mounting frame 160. FIG. At this time, the conductive portion is provided so as to print the conductor paste in the cut.

110、210、310・・・パッケージ
110a、210a、310a・・・基板
110b、210b、310b・・・枠体
111、211、311・・・電極パッド
112、212、312・・・接合端子
113、213、313・・・配線パターン
114、214、314・・・ビア導体
115、215、315・・・接続パッド
116、216、316・・・実装パッド
117、217、317・・・接続パターン
118、218、318・・・封止用導体パターン
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・引き出し電極
130・・・蓋体
131・・・封止部材
140・・・導電性接着剤
150・・・感温素子
151・・・接続端子
160・・・実装枠体
161・・・接合パッド
161・・・外部端子
163・・・導体部
164・・・保護膜
180・・・第一絶縁性樹脂
190・・・第二絶縁性樹脂
K1・・・第一凹部
K2・・・第二凹部
H・・・間隙部
R1・・・第一非配置領域
R2・・・第二非配置領域
R3・・・第三非配置領域
R4・・・第四非配置領域
110, 210, 310 ... Package 110a, 210a, 310a ... Substrate 110b, 210b, 310b ... Frame body 111, 211, 311 ... Electrode pad 112, 212, 312 ... Joint terminal 113, 213, 313 ... wiring pattern 114, 214, 314 ... via conductor 115, 215, 315 ... connection pad 116, 216, 316 ... mounting pad 117, 217, 317 ... connection pattern 118, 218, 318 ... Conductive pattern for sealing 120 ... Crystal element 121 ... Crystal base plate 122 ... Electrode for excitation 123 ... Extraction electrode 130 ... Lid 131 ... Sealing member 140: conductive adhesive 150 ... temperature sensitive element 151 ... connection terminal 160 ... mounting frame 161 ... bonding pad 161 ... external terminal 163 ... conductor part 164 ... protective film 180 ... first insulating resin 190 ... second insulating resin K1 ... first recess K2 ... second recess H: Gap R1 ... First non-arrangement region R2 ... Second non-arrangement region R3 ... Third non-arrangement region R4 ... Fourth non-arrangement region

Claims (7)

矩形状の基板と、
前記基板の下面に設けられた実装枠体と、
前記基板の下面の外周縁に沿って設けられた接合端子と、
前記実装枠体の上面の外周縁に沿って設けられた接合パッドと、
前記基板の上面に設けられた一対の電極パッドと、
前記実装枠体内で前記基板の下面に設けられた一対の接続パッドと、
前記電極パッドに実装された水晶素子と、
前記接続パッドに実装された感温素子と、
前記基板と前記実装枠体との間に設けられた間隙部と、
前記水晶素子を気密封止するための蓋体と、
前記感温素子を被覆し、前記間隙部に設けられた第一絶縁性樹脂と、
前記実装枠体の上面から前記基板の側面にかけて設けられた第二絶縁性樹脂と、を備えていることを特徴とする水晶振動子。
A rectangular substrate;
A mounting frame provided on the lower surface of the substrate;
Bonding terminals provided along the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate;
A bonding pad provided along the outer peripheral edge of the upper surface of the mounting frame;
A pair of electrode pads provided on the upper surface of the substrate;
A pair of connection pads provided on the lower surface of the substrate in the mounting frame;
A crystal element mounted on the electrode pad;
A temperature sensitive element mounted on the connection pad;
A gap provided between the substrate and the mounting frame;
A lid for hermetically sealing the crystal element;
A first insulating resin that covers the temperature sensitive element and is provided in the gap;
And a second insulating resin provided from the upper surface of the mounting frame to the side surface of the substrate.
請求項1記載の水晶振動子であって、
前記実装枠体がガラエポ基板によって形成されていることを特徴と水晶振動子。
The crystal resonator according to claim 1,
A crystal resonator, wherein the mounting frame is formed of a glass epoxy substrate.
請求項1又は請求項2記載の水晶振動子であって、
前記第一絶縁性樹脂と前記第二絶縁性樹脂とが接合されていることを特徴とする水晶振動子。
The crystal resonator according to claim 1 or 2,
The crystal unit, wherein the first insulating resin and the second insulating resin are bonded.
請求項1乃至請求項3に記載の水晶振動子であって、
前記第二絶縁性樹脂が、前記蓋体と接合されるようにして設けられていることを特徴とする水晶振動子。
The crystal resonator according to claim 1, wherein
The quartz resonator, wherein the second insulating resin is provided so as to be joined to the lid.
請求項1乃至請求項4記載の水晶振動子であって、
前記感温素子が、前記基板に前記水晶素子と前記感温素子とを実装した状態で、平面視して前記水晶素子に設けられた励振用電極の平面内に位置させていることを特徴とする水晶振動子。
The crystal resonator according to any one of claims 1 to 4,
The temperature sensing element is positioned in a plane of an excitation electrode provided on the crystal element in plan view in a state where the crystal element and the temperature sensing element are mounted on the substrate. Crystal resonator.
請求項1乃至請求項5記載の水晶振動子であって、
前記電極パッドが前記枠体の内周縁の一辺に沿って隣接するようにして設けられており、
前記接続パターンの一つが平面視して前記一対の電極パッドの間に位置するように設けられていることを特徴とする水晶振動子。
The crystal resonator according to any one of claims 1 to 5,
The electrode pad is provided so as to be adjacent along one side of the inner peripheral edge of the frame,
One of the connection patterns is provided so as to be positioned between the pair of electrode pads in plan view.
請求項1乃至請求項6記載の水晶振動子であって、
前記電極パッドと前記接合端子とを電気的に接続するための配線パターンとを備え、
前記配線パターンのうちの一つが、前記接続パッドと同一平面上に設けられ、前記実装枠体と重なる位置に設けられていることを特徴とする水晶振動子。
The crystal resonator according to any one of claims 1 to 6,
A wiring pattern for electrically connecting the electrode pad and the junction terminal;
One of the wiring patterns is provided on the same plane as the connection pad, and is provided at a position overlapping the mounting frame.
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