JP2016050769A - 飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 claims description 11
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 36
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 26
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000840 electrochemical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】二つの電極と試料を固定する固定部材10A、10Bとを少なくとも有する試料ホルダと、電流電圧印加試験を行うための電流電圧測定機器2とを備え、該試料ホルダは試料を保持可能に構成され、TOF−SIMSによるTOF−SIMS計測と、電流電圧測定機器による試料に対する電流電圧の印加と試料の印加に伴う電気的特性の測定とを一括して行うように構成されたTOF−SIMS内電流電圧印加測定機構。
【選択図】図2
Description
Claims (22)
- 飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構であって、
二つの電極と、試料を固定する固定部材と、を少なくとも有する試料ホルダと、電流電圧印加試験を行うための電流電圧測定機器とを備え、
前記試料ホルダは、前記試料を保持可能に構成され、
前記TOF−SIMSによるTOF−SIMS計測と、前記電流電圧測定機器による前記試料に対する電流電圧の印加と前記試料の前記印加に伴う電気的特性の測定と、を一括して行うように構成される、前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。 - 前記電流電圧印加試験は、LIBの充放電特性測定である、請求項1に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧印加試験は、インピーダンス測定である、請求項1または請求項2に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧印加試験は、電気化学測定である、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、質量分析である、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、元素マッピングの測定である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、二次イオン顕微鏡観察である、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記TOF−SIMS計測は、三次元マッピングを用いた深さ方向の測定である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料ホルダは、参照極を更に有する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、ステンレス材である、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、前記試料との界面で化学反応し電池動作する電池電極材料で作成されている、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、圧電材料材である、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記固定部材の材料は、磁性材料材である、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料ホルダは、LIBの断面構造を測定可能な保持機構を有する、請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料ホルダは、前記試料を90度回転して固定することで、三次元マッピングを用いた積層構造を測定可能な保持機構を有する、請求項1から請求項14のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料は、全固体型LIBである、請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料は、一部イオン液体を用いた電池材料である、請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記試料は、一部イオン液体を用いた半電池である、請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記対向する電極は、作用極と対極である、請求項1から請求項18のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧測定機器は、LIBの充放電特性の測定を行い、前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)はLi元素マッピングを測定し、前記試料ホルダの材料はステンレスであり、前記試料ホルダは、LIBの断面構造を測定するように構成され、前記試料は、全固体型LIBである、請求項1に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記一括して行われる前記TOF−SIMSによるTOF−SIMS計測のための電圧の印加と、前記電流電圧測定機器による前記試料に対する電流電圧の印加と、は、スイッチによって切り替えられる、請求項1に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
- 前記電流電圧測定機器は、ポテンショ・ガルバノスタットである、請求項1から請求項21のいずれか一項に記載の前記飛行時間型二次イオン質量分析装置(TOF−SIMS)内電流電圧印加測定機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014174138A JP6472014B2 (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014174138A JP6472014B2 (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016050769A true JP2016050769A (ja) | 2016-04-11 |
JP6472014B2 JP6472014B2 (ja) | 2019-02-20 |
Family
ID=55658393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014174138A Active JP6472014B2 (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6472014B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11312473A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hitachi Ltd | 荷電粒子源および荷電粒子ビーム装置並びに不良解析方法および半導体デバイスの製造方法 |
US6326792B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-12-04 | Matsushita Electronics Corporation | Method and apparatus for lifetime prediction of dielectric breakdown |
JP2007279070A (ja) * | 2007-07-23 | 2007-10-25 | Hitachi Ltd | 試料分析方法 |
JP2009054583A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Sony Corp | 正極活物質、並びにそれを用いた正極、および非水電解質二次電池 |
JP2012074467A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Asahi Kasei Corp | 正極材料及びその製造方法並びに蓄電素子 |
JP2012212924A (ja) * | 2003-02-18 | 2012-11-01 | Corning Inc | ガラスベースsoi構造 |
-
2014
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6326792B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-12-04 | Matsushita Electronics Corporation | Method and apparatus for lifetime prediction of dielectric breakdown |
JPH11312473A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hitachi Ltd | 荷電粒子源および荷電粒子ビーム装置並びに不良解析方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP2012212924A (ja) * | 2003-02-18 | 2012-11-01 | Corning Inc | ガラスベースsoi構造 |
JP2007279070A (ja) * | 2007-07-23 | 2007-10-25 | Hitachi Ltd | 試料分析方法 |
JP2009054583A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-03-12 | Sony Corp | 正極活物質、並びにそれを用いた正極、および非水電解質二次電池 |
JP2012074467A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Asahi Kasei Corp | 正極材料及びその製造方法並びに蓄電素子 |
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