JP2016046436A - Peeling method of pressure-sensitive adhesive tape and peeling device of pressure-sensitive adhesive tape - Google Patents

Peeling method of pressure-sensitive adhesive tape and peeling device of pressure-sensitive adhesive tape Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect abnormal portions, such as cracking and chipping occurring in a semiconductor wafer after back grinding, accurately.SOLUTION: A protective tape PT is peeled from a semiconductor wafer W integrally, by sticking a peeling tape Ts to the protective tape PT, stuck to the semiconductor wafer W by means of a tabular peeling member 20 tapered toward the tip, and then peeling the peeling tape Ts while folding. In the peeling process, abnormal portions such as cracking and chipping occurring on the surface of the semiconductor wafer W, peeled from the protective tape PT, is detected by means of a detector 11 following the rear of the peeling member 20.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、半導体ウエハ(以下、適宜「ウエハ」という)の回路形成面に貼り付けられた保護テープまたは両面粘着テープなどの粘着テープを剥離する粘着テープ剥離方法および粘着テープ剥離装置に関する。   The present invention relates to an adhesive tape peeling method and an adhesive tape peeling apparatus for peeling an adhesive tape such as a protective tape or a double-sided adhesive tape attached to a circuit forming surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer” as appropriate).

パターン形成処理の済んだウエハの表面には保護テープが貼り付けられた後、裏面全体を均一にバックグラインド処理が施される。保護テープ付きのウエハは、チップに細断分離するダイシング工程に搬送される前に、表面から保護テープが剥離される。   After a protective tape is applied to the surface of the wafer that has undergone the pattern formation process, the entire back surface is subjected to a back grinding process. The wafer with the protective tape is peeled off from the surface before being transferred to a dicing process in which the wafer is shredded into chips.

ウエハ表面から保護テープを剥離する方法としては、例えば次のように実施されている。保護テープが貼り付けられた表面を上向きにしてウエハを保持テーブルに吸着保持する。貼付けローラを転動させながら保護テープ上に剥離用の粘着テープを貼り付ける。その後、先細り板状のエッジ部材で粘着テープを反転剥離してゆくことにより、粘着テープに接着された保護テープをウエハ表面から一体にして剥離する(特許文献1を参照)。   For example, the method of peeling the protective tape from the wafer surface is performed as follows. The wafer is sucked and held on the holding table with the surface to which the protective tape is attached facing upward. Adhere the adhesive tape for peeling onto the protective tape while rolling the application roller. Thereafter, the adhesive tape is reversely peeled off with a tapered plate-like edge member, whereby the protective tape adhered to the adhesive tape is peeled off integrally from the wafer surface (see Patent Document 1).

特開2002ー124494号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-124494

しかしながら、上記従来方法では次のような問題が生じている。   However, the above conventional method has the following problems.

近年、アプリケーションの急速な進歩に伴う高密度実装を可能にするために、ウエハの薄型化が求められている。また、当該薄型化と同時にウエハのサイズが大きくなる傾向にある。これら薄型化および大型化に伴ってウエハの剛性が低下するので、ウエハの割れが発生しやすくなっている。   In recent years, there has been a demand for thinner wafers in order to enable high-density mounting accompanying rapid progress in applications. In addition, the wafer size tends to increase simultaneously with the reduction in thickness. As the thickness and size of the wafer are reduced, the rigidity of the wafer is lowered, so that the wafer is easily cracked.

割れが発生した場合、保持テーブルに形成された複数個の吸着孔の吸引力の変化によって検出可能とされていた。しかしながら、割れの発生した部位と吸着孔とのが重なった場合のみにしか吸引力の変化を検出することができない。すなわち、ウエハの全面にわたって割れの発生を検出することができない。   When a crack occurs, it can be detected by a change in suction force of a plurality of suction holes formed in the holding table. However, the change in suction force can be detected only when the cracked portion and the suction hole overlap. That is, the occurrence of cracks cannot be detected over the entire surface of the wafer.

したがって、割れが発生した状態のウエハの処理を継続すると、破片が装置内に巻き込まれて不要に停止させたり、或いは次の処理対象のウエハを汚染させたりするといった問題が発生している。   Therefore, if the processing of the wafer in a state where the crack is generated is continued, there is a problem that the fragments are caught in the apparatus and stopped unnecessarily, or the next processing target wafer is contaminated.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、裏面研削後の半導体ウエハに発生にしている割れなどを精度よく検出するこのとのできる粘着テープ剥離方法および粘着テープ剥離装置を提供することを主たる目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an adhesive tape peeling method and an adhesive tape peeling device capable of accurately detecting cracks and the like occurring in a semiconductor wafer after back grinding. The main purpose is to do.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。   In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.

すなわち、半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープを剥離する粘着テープ剥離方法であって、
剥離部材によって剥離テープを前記粘着テープに貼り付けて折り返しながら当該剥離テープを剥離することによって粘着テープを一体にして半導体ウエハから剥離する剥離過程を含み、
前記剥離過程で、剥離部材の後方から検出器を追従させて半導体ウエハの割れを検査する検査過程と、
を備えたことを特徴とする。
That is, an adhesive tape peeling method for peeling an adhesive tape attached to a semiconductor wafer,
Including a peeling process in which the adhesive tape is peeled off from the semiconductor wafer by peeling off the peeling tape while the peeling tape is attached to the adhesive tape by a peeling member and folded;
In the peeling process, an inspection process for inspecting cracks in the semiconductor wafer by following the detector from the back of the peeling member;
It is provided with.

(作用・効果) 上記方法によれば、割れの発生しやすいウエハから粘着テープを剥離した直後に、剥離部材に追従する検出器が割れの有無を検出する。したがって、割れの発生したウエハが、次工程に搬送されるのを未然に防止することができる。また、割れを検出した場合、ウエハの破片を速やかに除去または割れに対して処置を施すことができる。したがって、保持テーブルや次の処理対象のウエハの汚染を回避することができる。なお、本発明おいて、「割れ」とは「ひび割れ」および「欠け」を含む異常部位を意味する。   (Operation / Effect) According to the above method, immediately after the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off from a wafer that is easily cracked, the detector that follows the peeling member detects the presence or absence of the crack. Therefore, it is possible to prevent the wafer having cracks from being transferred to the next process. In addition, when a crack is detected, the wafer debris can be quickly removed or a measure can be taken against the crack. Therefore, contamination of the holding table and the next wafer to be processed can be avoided. In the present invention, “crack” means an abnormal part including “crack” and “chip”.

なお、上記方法において、環状の保持テーブルで半導体ウエハの外周を保持し、当該保持テーブルの中空内部に気体を供給して加圧しながら剥離テープを粘着テープに貼り付けて剥離してもよい。   In the above method, the outer periphery of the semiconductor wafer may be held by an annular holding table, and a release tape may be attached to the adhesive tape while peeling by supplying gas to the inside of the hollow of the holding table.

この方法によれば、加圧に伴って薄化されたウエハが、僅かに上向きに湾曲形状に膨出されるので、割れ部分が僅かに開いて気体が流出しやくなる。したがって、ウエハの割れ部分をより精度よく判別することができる。   According to this method, since the wafer thinned with the pressurization is bulged slightly upward in a curved shape, the cracked portion is slightly opened and the gas easily flows out. Therefore, the cracked portion of the wafer can be determined with higher accuracy.

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。   In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.

すなわち、半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープを剥離する粘着テープ剥離装置であって、
前記半導体ウエハを保持する保持テーブルと、
前記半導体ウエハに向けて帯状の剥離テープを供給する剥離テープ供給機構と、
前記保持テーブル上の半導体ウエハに剥離部材によって剥離テープを貼り付けた後に、当該剥離部材で剥離テープを折り返して剥離することによって粘着テープを一体にして半導体ウエハから剥離する剥離機構と、
前記保持テーブルと剥離部材が交差するように相対的に水平移動させる水平駆動機構と、
前記剥離部材の後方から追従して半導体ウエハの割れを検出する検出器と、
前記保護テープと一体化した剥離テープを巻取回収するテープ回収機構と、
を備えたことを特徴とする。
That is, an adhesive tape peeling device for peeling an adhesive tape attached to a semiconductor wafer,
A holding table for holding the semiconductor wafer;
A peeling tape supply mechanism for supplying a strip-shaped peeling tape toward the semiconductor wafer;
A peeling mechanism that peels off the peeling tape with the peeling member and peels it off from the semiconductor wafer as a unit after attaching the peeling tape to the semiconductor wafer on the holding table,
A horizontal drive mechanism that relatively horizontally moves so that the holding table and the peeling member intersect,
A detector for detecting cracks in the semiconductor wafer following from the rear of the peeling member;
A tape recovery mechanism for winding and recovering the release tape integrated with the protective tape;
It is provided with.

(作用・効果) この構成によれば、ウエハ表面から粘着テープを剥離する過程で、剥離部材の後方から追従する検出器によってウエハの割れを検出することができる。すなわち、上記方法を好適に実施することができる。   (Operation / Effect) According to this configuration, in the process of peeling the adhesive tape from the wafer surface, the crack of the wafer can be detected by the detector that follows from behind the peeling member. That is, the above method can be suitably performed.

なお、当該構成において、保持テーブルは、半導体ウエハの外周を保持する環状であり、
保持テーブルに半導体ウエハ保持した状態で、当該保持テーブルの内部空間に気体に供給して加圧する加圧器と、
前記保持テーブルの中空圧力を調整する制御部と、
を備えるよう構成してもよい。
In this configuration, the holding table is an annular shape that holds the outer periphery of the semiconductor wafer,
A pressurizer that supplies gas to the internal space of the holding table and pressurizes the semiconductor wafer on the holding table;
A control unit for adjusting the hollow pressure of the holding table;
You may comprise so that it may be provided.

この構成によれば、保持テーブル内が加圧されるので、ウエハが僅かに上向き湾曲形状に膨出される。すなわち、ウエハの割れ部分から気体が漏れて僅かに開くので、当該割れ部分をより精度よく判別することができる。   According to this configuration, since the inside of the holding table is pressurized, the wafer is slightly bulged upwardly in a curved shape. That is, since gas leaks from the cracked portion of the wafer and opens slightly, the cracked portion can be determined with higher accuracy.

本発明の粘着テープ剥離方法および粘着テープ剥離装置によれば、裏面研削後の半導体ウエハに発生にしている割れを精度よく検出することができる。   According to the pressure-sensitive adhesive tape peeling method and the pressure-sensitive adhesive tape peeling device of the present invention, it is possible to accurately detect cracks occurring in a semiconductor wafer after back grinding.

保護テープ剥離装置の正面図である。It is a front view of a protective tape peeling apparatus. 保護テープ剥離装置の要部の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the principal part of a protective tape peeling apparatus. 検出器の正面図である。It is a front view of a detector. 保護テープの剥離動作を示す図である。It is a figure which shows peeling operation | movement of a protective tape. 保護テープの剥離動作を示す図である。It is a figure which shows peeling operation | movement of a protective tape. 保護テープの剥離動作を示す図である。It is a figure which shows peeling operation | movement of a protective tape. 保護テープの剥離動作を示す図である。It is a figure which shows peeling operation | movement of a protective tape. 変形例装置で用いる半導体ウエハの一部破断斜視図である。It is a partially broken perspective view of the semiconductor wafer used with a modification apparatus. 変形例装置で用いる半導体ウエハの裏面側の斜視図である。It is a perspective view of the back surface side of the semiconductor wafer used with a modification apparatus. 変形例装置で用いる半導体ウエハの部分縦断面図である。It is a fragmentary longitudinal cross-sectional view of the semiconductor wafer used with a modification apparatus. 変形例装置の保持テーブルの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the holding table of a modification apparatus. 変形例装置による保護テープの剥離動作を示す図である。It is a figure which shows peeling operation | movement of the protective tape by a modification apparatus. 変形例装置による保護テープの剥離動作を示す図である。It is a figure which shows peeling operation | movement of the protective tape by a modification apparatus.

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。なお、実施例装置は、裏面全体が均一に研削されて平坦な半導体ウエハ(以下、適宜「ウエハ」という)の表面に貼り付けられている保護テープを剥離する場合について詳述する。なお、保護テープは、本発明の粘着テープに含まれる。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the embodiment, the case where the entire back surface is uniformly ground and the protective tape attached to the surface of a flat semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer” as appropriate) is peeled off will be described in detail. In addition, a protective tape is contained in the adhesive tape of this invention.

図1は、この発明の一実施例に係り、保護テープ剥離装置の全体構成を示した正面図、図2は保護テープ剥離装置の要部の概略構成を示す平面図である。なお、本実施例の保護テープ剥離装置は、粘着テープ剥離装置に相当する。   FIG. 1 is a front view showing an overall configuration of a protective tape peeling apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of the protective tape peeling apparatus. In addition, the protective tape peeling apparatus of a present Example is corresponded to an adhesive tape peeling apparatus.

保護テープ剥離装置は、図1に示すように、保持テーブル1、テープ供給部2、剥離機構3およびテープ回収部4から構成されている。   As shown in FIG. 1, the protective tape peeling device includes a holding table 1, a tape supply unit 2, a peeling mechanism 3, and a tape recovery unit 4.

保持テーブル1は、図2に示すように、表面に複数個の吸着孔5を有する金属製のチャックテーブルである。なお、保持テーブル1は、金属製に限らず多孔質で形成されたものであってもよい。   As shown in FIG. 2, the holding table 1 is a metal chuck table having a plurality of suction holes 5 on the surface. The holding table 1 is not limited to metal and may be formed of a porous material.

また、保持テーブル1は、前後水平に配備された左右一対のレール6に沿って前後にスライド可能に支持された可動台7に支持されている。そして、可動台7は、パルスモータ8で正逆駆動されるネジ軸9によってネジ送り駆動されるようになっている。   The holding table 1 is supported by a movable base 7 supported so as to be slidable back and forth along a pair of left and right rails 6 arranged horizontally in the front and rear. The movable base 7 is screw-driven by a screw shaft 9 that is driven forward and backward by a pulse motor 8.

テープ供給部2は、原反ロールから導出した剥離テープTsを後述する剥離ユニット10に案内する。   The tape supply unit 2 guides the peeling tape Ts derived from the raw roll to the peeling unit 10 described later.

剥離機構3は、剥離ユニット10および検出器11などの主要部であるから構成されている。   The peeling mechanism 3 is constituted by main parts such as the peeling unit 10 and the detector 11.

装置基台に立設された左右一対の縦フレーム12に亘ってアルミ引き抜き材からなる支持フレーム13が固定されている。この支持フレーム13の左右中央部位に箱形の基台14が連結されている。また、基台14に設けられた左右一対の縦レール15を介してスライド昇降可能に支持された昇降台16がモータ17により連結駆動されるボール軸によって昇降される。剥離ユニット10は、昇降台16に装備されている。   A support frame 13 made of an aluminum drawing material is fixed across a pair of left and right vertical frames 12 erected on the apparatus base. A box-shaped base 14 is connected to the left and right central portion of the support frame 13. Further, a lifting platform 16 supported so as to be slidable up and down via a pair of left and right vertical rails 15 provided on the base 14 is moved up and down by a ball shaft connected and driven by a motor 17. The peeling unit 10 is mounted on the lifting platform 16.

昇降台16は、上下に貫通した中抜き枠状に構成されている。剥離ユニット10は、昇降台16の左右に備えられた側板18の内側下部に設けられている。両側板18に亘って支持フレーム19が固定されている。支持フレーム19の中央に剥離部材20が装着されている。   The lifting platform 16 is configured in a hollow frame shape penetrating vertically. The peeling unit 10 is provided at the inner lower portion of the side plate 18 provided on the left and right sides of the lifting platform 16. A support frame 19 is fixed across the side plates 18. A peeling member 20 is attached to the center of the support frame 19.

剥離部材20は、ウエハWの直径よりも短に板状であり、かつ、先端に向かって先細りのテーパ状に形成されている。当該剥離部材20は、斜め下がり傾斜姿勢で固定されている。   The peeling member 20 has a plate shape shorter than the diameter of the wafer W, and is formed in a tapered shape that tapers toward the tip. The peeling member 20 is fixed in a slanted and inclined posture.

検出器11は、図3に示すように、ウエハWの直径以上になるように、複数個の光電センサ26を一列に整列配備して構成している。当該検出器11は、支持フレーム13の下端に固定配備されている。すなわち、剥離部材20と保持テーブル1とが相対的に交差するように水平移動するとき、剥離部材20の後方から追従するように配備されている。   As shown in FIG. 3, the detector 11 includes a plurality of photoelectric sensors 26 arranged in a line so as to be equal to or larger than the diameter of the wafer W. The detector 11 is fixedly arranged at the lower end of the support frame 13. That is, when the peeling member 20 and the holding table 1 are horizontally moved so as to cross relatively, the peeling member 20 and the holding table 1 are arranged so as to follow from the rear of the peeling member 20.

また、剥離機構3は、側板18の後方に供給用のガイドローラ21が遊転自在に軸支されている。また、剥離ユニット10の上方には複数本の回収用のガイドローラ22、ニップローラ23およびテンションローラ24が配備されている。   In the peeling mechanism 3, a supply guide roller 21 is pivotally supported behind the side plate 18 so as to be freely rotatable. A plurality of collecting guide rollers 22, nip rollers 23, and tension rollers 24 are disposed above the peeling unit 10.

回収用のガイドローラ22は、遊転自在に軸支されている。テンションローラ24は遊転自在に支持アーム25に設けられており、当該支持アーム25を介して揺動可能に配備されている。したがって、テンションローラ24は、案内巻回された剥離テープTsに適度の張力を与える。   The collection guide roller 22 is pivotally supported so as to be freely rotatable. The tension roller 24 is provided on the support arm 25 so as to be freely rotatable, and is provided so as to be swingable via the support arm 25. Therefore, the tension roller 24 gives an appropriate tension to the peeling tape Ts wound around the guide.

これら回収用のガイドローラ22およびテンションローラ24は、ウエハWの直径より大きい長さの幅広ローラに構成されるとともに、その外周面がフッ素樹脂コーティングされた難接着面になっている。   The collection guide roller 22 and the tension roller 24 are configured as wide rollers having a length larger than the diameter of the wafer W, and the outer peripheral surfaces thereof are hard-to-bond surfaces coated with fluororesin.

供給用のガイドローラ21は、剥離テープTsの幅よりも長く、かつ、ウエハWの直径よりも短い幅狭ローラに構成されている。   The supply guide roller 21 is configured as a narrow roller that is longer than the width of the peeling tape Ts and shorter than the diameter of the wafer W.

テープ回収部4は、剥離ユニット10から送り出された剥離テープTsを巻取り回収する。   The tape recovery unit 4 winds and recovers the release tape Ts sent from the release unit 10.

次に、上述の実施例装置の一巡の動作について、図4から図7に基づいて説明する。   Next, one-round operation of the above-described embodiment apparatus will be described with reference to FIGS.

図示しない搬送ロボットによって、裏面研削後の保護テープPTの貼り付けられたウエハWが保持テーブル1に載置される。保持テーブル1は、ウエハWを吸着保持する。   The wafer W to which the protective tape PT after the back surface grinding is attached is placed on the holding table 1 by a transfer robot (not shown). The holding table 1 holds the wafer W by suction.

ウエハWを吸着保持した保持テーブル1は、図4に示すように、待機位置から剥離テープTsの貼付け開始位置へと移動する。すなわち、剥離部材20の先端が、ウエハWの端部に接触する位置に移動する。次に、図5に示すように、モータ17が作動して剥離ユニット10を所定高さまで下降させる。すなわち、剥離部材20に巻き掛けられている剥離テープTsが、ウエハW上の保護テープPTの端部に押圧されて貼り付けられる。   As shown in FIG. 4, the holding table 1 that holds the wafer W by suction moves from the standby position to the application start position of the peeling tape Ts. That is, the tip of the peeling member 20 moves to a position where it contacts the end of the wafer W. Next, as shown in FIG. 5, the motor 17 operates to lower the peeling unit 10 to a predetermined height. That is, the peeling tape Ts wound around the peeling member 20 is pressed and attached to the end of the protective tape PT on the wafer W.

その後、保持テーブル1は、図6に示すように、前進移動する。このとき、剥離部材20によって保護テープPTに剥離テープTsが貼り付けられる。同時に、剥離部材20によって剥離テープTsを折り返しながら保護テープPTを一体にしてウエハWの表面から剥離してゆく。なお、当該剥離動作に同期して、剥離テープTsがテープ供給部2から繰り出されるとともに、テープ回収部4によって使用後の保護テープPTの貼り付いている剥離テープTsが巻き取り回収されてゆく。   Thereafter, the holding table 1 moves forward as shown in FIG. At this time, the peeling tape Ts is attached to the protective tape PT by the peeling member 20. At the same time, the protective tape PT is integrally peeled off from the surface of the wafer W while the peeling tape Ts is folded back by the peeling member 20. In synchronism with the peeling operation, the peeling tape Ts is fed out from the tape supply unit 2, and the peeling tape Ts to which the used protective tape PT is attached is taken up and collected by the tape collecting unit 4.

さらに、当該保護テープPTの剥離過程で、図7に示すように、剥離部材20による保護テープPTの剥離動作に追従して、当該保護テープPTの剥離されたウエハWの表面に検出器11からの光が照射される。検出器11は、ウエハWの表面からの反射光を受光し、当該光強度を信号変換して制御部26に送信する。   Further, in the process of peeling off the protective tape PT, as shown in FIG. 7, the detector 11 follows the peeling operation of the protective tape PT by the peeling member 20 from the detector 11 on the surface of the wafer W from which the protective tape PT has been peeled off. Of light. The detector 11 receives the reflected light from the surface of the wafer W, converts the light intensity into a signal, and transmits the signal to the control unit 26.

制御部26は、メモリなどの記憶装置に予め記憶されている光強度レベルの基準値と検出された実測値を判別部27で比較して判別する。すなわち、実測値が基準値未満であれば、欠けや亀裂などの割れ等の異常箇所がウエハWに発生していると判断する。当該異常箇所は、保持テーブル1の移動距離を検出するエンコーダやパルスモータ8のパルス数および検出器11の受光位置などから特定され、当該異常箇所の位置座標が記録される。位置座標は、記憶装置から読み出してモニタなどに表示して確認することができる。   The control unit 26 makes a determination by comparing the reference value of the light intensity level stored in advance in a storage device such as a memory with the actually measured value detected by the determination unit 27. That is, if the measured value is less than the reference value, it is determined that an abnormal portion such as a crack or a crack has occurred on the wafer W. The abnormal location is identified from the encoder that detects the moving distance of the holding table 1, the number of pulses of the pulse motor 8, the light receiving position of the detector 11, and the like, and the position coordinates of the abnormal location are recorded. The position coordinates can be read from the storage device and displayed on a monitor or the like for confirmation.

保護テープPTがウエハWの表面から完全に剥離されると、剥離ユニット10は上昇して初期位置に復帰して次の処理に備えられる。   When the protective tape PT is completely peeled from the surface of the wafer W, the peeling unit 10 is raised and returned to the initial position to be ready for the next process.

保護テープPTの剥離されたウエハWは、保持テーブル1によって受け渡し位置まで移動する。   The wafer W from which the protective tape PT has been peeled moves to the delivery position by the holding table 1.

以上で実施例装置の一巡の動作が完了し、以後、所定枚数に達するまで同じ動作が繰り返される。   This completes one round of the operation of the embodiment device, and thereafter, the same operation is repeated until the predetermined number is reached.

上記実施例装置によれば、保持テーブル1によってウエハWが部分的に吸着保持されている場合であっても、割れや欠けなどの異常部位を精度よく検出することができる。すなわち、異常部位を検出した場合、検出した位置座標から異常部位を特定できるので、速やかな処置を施すことができる。例えば、破片などを速やかに除去することが可能である。さらに、不良品のウエハWを製造ラインから除去することもできる。したがって、装置および製造ラインが不要に停止されるのを回避することができる。   According to the above-described embodiment apparatus, even when the wafer W is partially sucked and held by the holding table 1, it is possible to accurately detect an abnormal portion such as a crack or a chip. That is, when an abnormal part is detected, the abnormal part can be identified from the detected position coordinates, so that a prompt treatment can be performed. For example, it is possible to quickly remove debris and the like. Further, defective wafers W can be removed from the production line. Therefore, it is possible to prevent the apparatus and the production line from being stopped unnecessarily.

なお、本発明は以下のような形態で実施することも可能である。   The present invention can also be implemented in the following forms.

(1)上記実施例では、裏面全体が均一に研削されて平坦なウエハWを例にとって説明したが、図8から図10に示すように、裏面外周に環状凸部の形成されたウエハを利用してもよい。   (1) In the above embodiment, the description has been given by taking as an example a flat wafer W whose entire back surface is uniformly ground, but as shown in FIGS. 8 to 10, a wafer having an annular convex portion formed on the back surface outer periphery is used. May be.

すなわち、ウエハWは、パターンが形成された表面に保護テープPTが貼付けられて表面が保護された状態でバックグラインド処理されたものである。その裏面は、外周部を径方向に約2mmを残して研削(バックグラインド)されている。すなわち、裏面に扁平凹部bが形成されるとともに、その外周に沿って環状凸部rが残存された形状に加工されたものが使用される。例えば、扁平凹部bの深さdが数百μm、研削域のウエハ厚さtが数十μmになるよう加工されている。したがって、裏面外周に形成された環状凸部rは、ウエハWの剛性を高める環状リブとして機能し、ハンドリングやその他の処理工程におけるウエハWの撓み変形を抑止する。   That is, the wafer W is back-grinded in a state where the protective tape PT is applied to the surface on which the pattern is formed and the surface is protected. The back surface is ground (back grind) leaving an outer peripheral portion of about 2 mm in the radial direction. In other words, a flat recess b is formed on the back surface and processed into a shape in which the annular protrusion r remains along the outer periphery thereof. For example, the processing is performed such that the depth d of the flat recess b is several hundred μm and the wafer thickness t in the grinding region is several tens μm. Accordingly, the annular protrusion r formed on the outer periphery of the back surface functions as an annular rib that increases the rigidity of the wafer W, and suppresses bending deformation of the wafer W during handling and other processing steps.

当該ウエハWを利用する場合、上記装置において、以下のような保持テーブルを利用することが好ましい。なお、上記実施例装置と比較して保持テーブルの構成のみが相違するので、同一構成については同一符号を付すに止め、異なる構成のみについて詳述する。   When the wafer W is used, it is preferable to use the following holding table in the apparatus. Since only the configuration of the holding table is different from that of the above-described embodiment apparatus, the same components are only given the same reference numerals, and only different components are described in detail.

保持テーブル1Aは、図11に示すように、ウエハWの裏面の研削域の直径に近い直径に形成された凹部30が設けられている。当該凹部30の外周部の環状凸部31の表面には、ウエハWの環状凸部rに作用する複数個の吸着溝32が形成されている。当該吸着溝32は、外部の真空源33と連通接続されている。   As shown in FIG. 11, the holding table 1 </ b> A is provided with a recess 30 formed with a diameter close to the diameter of the grinding area on the back surface of the wafer W. A plurality of suction grooves 32 that act on the annular convex portion r of the wafer W are formed on the surface of the annular convex portion 31 on the outer peripheral portion of the concave portion 30. The suction groove 32 is connected in communication with an external vacuum source 33.

また、ウエハWの扁平凹部bと保持テーブル1Aの凹部30とによって形成される空間34を加圧するためのエアー供給孔35が形成されている。当該エアー供給孔35は、外部に設置されたエアー供給装置36と連通接続されている。さらに、環状凸部31の側壁には、空間34と外部を連通する圧力制御用のニードルバルブが設けられている。なお、エアー供給装置36は、本発明の加圧器に相当する。   In addition, an air supply hole 35 for pressurizing a space 34 formed by the flat recess b of the wafer W and the recess 30 of the holding table 1A is formed. The air supply hole 35 is connected in communication with an air supply device 36 installed outside. Furthermore, a needle valve for pressure control that communicates the space 34 with the outside is provided on the side wall of the annular protrusion 31. The air supply device 36 corresponds to the pressurizer of the present invention.

また、保持テーブル1Aは、上記実施例と同様に、前後水平に配備された左右一対のレール6に沿って前後にスライド可能に支持された可動台7に支持されている。そして、可動台7は、パルスモータ8正逆駆動されるネジ軸9によってネジ送り駆動されるようになっている。   Further, the holding table 1A is supported by a movable base 7 supported so as to be slidable back and forth along a pair of left and right rails 6 arranged horizontally in the front and rear direction, as in the above embodiment. The movable base 7 is screw-driven by a screw shaft 9 that is driven forward and backward by a pulse motor 8.

次に、当該実施例装置の一巡の動作について、図12および図13を参照しながら説明する。   Next, a circuit operation of the embodiment apparatus will be described with reference to FIGS.

図示しない搬送ロボットによって、裏面研削後の保護テープPTの貼り付けられたウエハWが、保持テーブル1Aの環状凸部31の上にウエハ裏面の環状凸部rとが重なり合うよう載置される。   The wafer W to which the protective tape PT after the back surface grinding is attached is placed on the annular convex portion 31 of the holding table 1A so that the annular convex portion r on the back surface of the wafer overlaps by a transfer robot (not shown).

保持テーブル1Aは、ウエハWが載置されると、環状凸部31に形成された吸着溝32によってウエハWの環状凸部rを吸着保持する。その後、エアー供給装置36を作動させてウエハWによって密閉された保持テーブル1Aの空間34にエアーの供給を開始する。このとき、図12に示すように、ウエハWの表面が上向きに僅かに膨出する程度まで空間34を加圧する。   When the wafer W is placed, the holding table 1A sucks and holds the annular convex portion r of the wafer W by the suction groove 32 formed in the annular convex portion 31. Thereafter, the air supply device 36 is operated to start supplying air to the space 34 of the holding table 1A sealed by the wafer W. At this time, as shown in FIG. 12, the space 34 is pressurized until the surface of the wafer W slightly bulges upward.

空間34内が所定圧力に達すると、ウエハWを吸着保持した保持テーブル1Aは、待機位置から剥離テープTsの貼付け開始位置へと移動する。次に、モータ17が作動して剥離ユニット10を所定高さまで下降させる。すなわち、剥離部材20に巻き掛けられている剥離テープTsが、ウエハW上の保護テープPTの端部に押圧されて貼り付けられる。   When the inside of the space 34 reaches a predetermined pressure, the holding table 1A holding the wafer W by suction moves from the standby position to the application start position of the peeling tape Ts. Next, the motor 17 is operated to lower the peeling unit 10 to a predetermined height. That is, the peeling tape Ts wound around the peeling member 20 is pressed and attached to the end of the protective tape PT on the wafer W.

その後、保持テーブル1Aは、図13に示すように、前進移動する。このとき、剥離部材20によってウエハWの上向きの湾曲を平坦に戻すように押圧しながら保護テープPTに剥離テープTsが貼り付けられる。同時に、剥離部材20によって剥離テープTsを折り返しながら保護テープPTを一体にしてウエハWの表面から剥離してゆく。なお、当該剥離動作に同期して、剥離テープTsがテープ供給部2から繰り出されるとともに、テープ回収部4によって使用後の保護テープPTの貼り付いている剥離テープTsが巻き取り回収されてゆく。   Thereafter, the holding table 1A moves forward as shown in FIG. At this time, the peeling tape Ts is affixed to the protective tape PT while being pressed by the peeling member 20 so as to return the upward curve of the wafer W to a flat state. At the same time, the protective tape PT is integrally peeled off from the surface of the wafer W while the peeling tape Ts is folded back by the peeling member 20. In synchronism with the peeling operation, the peeling tape Ts is fed out from the tape supply unit 2, and the peeling tape Ts to which the used protective tape PT is attached is taken up and collected by the tape collecting unit 4.

さらに、当該保護テープPTの剥離過程で、剥離部材20による保護テープPTの剥離動作に追従して、当該保護テープPTの剥離されたウエハWの表面に検出器11からの光が照射される。検出器11は、ウエハWの表面からの反射光を受光し、当該光強度を信号変換して制御部26に送信する。   Further, in the process of peeling off the protective tape PT, the light from the detector 11 is irradiated on the surface of the wafer W from which the protective tape PT has been peeled off, following the peeling operation of the protective tape PT by the peeling member 20. The detector 11 receives the reflected light from the surface of the wafer W, converts the light intensity into a signal, and transmits the signal to the control unit 26.

制御部26は、メモリなどの記憶装置に予め記憶されている光強度レベルの基準値の反内に実測値が収まっているかどうかを判別部27で判別する。実測値が予め決めた設定範囲を超える、または当該範囲未満であれば、欠け、割れ等の異常箇所がウエハWに発生していると判断する。例えば、図13に示す割れの発生している異常部位40では、光が反射されないので、設定した所定範囲の光強度に満たない。当該異常箇所は、保持テーブル1Aの移動距離を検出するエンコーダやパルスモータ8のパル数および検出器11の受光位置などから特定され、当該異常箇所の位置座標が記録される。   The control unit 26 determines whether or not the actual measurement value is within the reference value of the light intensity level stored in advance in a storage device such as a memory. If the measured value exceeds or falls below a predetermined set range, it is determined that an abnormal portion such as a chip or a crack has occurred on the wafer W. For example, in the abnormal part 40 where the crack has occurred as shown in FIG. The abnormal location is specified from the encoder that detects the moving distance of the holding table 1A, the number of pulses of the pulse motor 8, the light receiving position of the detector 11, and the like, and the position coordinates of the abnormal location are recorded.

なお、本実施例において、検出対象であるウエハWは、僅かであるが上向きに膨出しているので、ウエハWの湾曲率によって検出器11によって検出される反射光の受光強度が変化する。したがって、実験やシミュレーションによって光の照射位置と反射光の光強度のレベル変化との相関関係に基づきマッピングデータを予め作成して制御部26の記憶装置に記憶している。   In this embodiment, since the wafer W to be detected is slightly bulged upward, the received light intensity of the reflected light detected by the detector 11 varies depending on the curvature of the wafer W. Therefore, mapping data is created in advance and stored in the storage device of the control unit 26 based on the correlation between the irradiation position of the light and the level change of the light intensity of the reflected light through experiments and simulations.

保護テープPTがウエハWの表面から完全に剥離されると、剥離ユニット10は上昇して初期位置に復帰して次の処理に備える。   When the protective tape PT is completely peeled from the surface of the wafer W, the peeling unit 10 is raised and returned to the initial position to prepare for the next processing.

以上で実施例装置の一巡の動作が完了し、以後、所定枚数に達するまで同じ動作が繰り返される。   This completes one round of the operation of the embodiment device, and thereafter, the same operation is repeated until the predetermined number is reached.

上記実施例装置によれば、裏面に補強用の環状凸部rの形成されてウエハWの裏面全体を平坦なチャックテーブルで吸着保持できない場合であっても、吸着保持することができる。また、ウエハWの偏平凹部rの回路形成面は薄化されて剛性が低下されているが、保持テーブル1AとウエハWとによって形成される空間34に気体を供給して加圧することにより、貼り付け時に押圧によって回路形成面が凹入変形するのを回避することができる。すなわち、剥離テープTsを保護テープPTに密着させることができる。   According to the above-described embodiment apparatus, even when the reinforcing annular convex portion r is formed on the back surface and the entire back surface of the wafer W cannot be sucked and held by the flat chuck table, it can be sucked and held. In addition, the circuit formation surface of the flat recess r of the wafer W is thinned and the rigidity is lowered. However, by attaching a gas to the space 34 formed by the holding table 1A and the wafer W and applying pressure, the bonding is performed. It is possible to avoid the circuit forming surface from being recessed and deformed by pressing during attachment. That is, the release tape Ts can be adhered to the protective tape PT.

さらに、空間34に気体を供給して加圧することにより、割れや欠けなどの異常部位が発生している場合。当該異常部位から気体が僅かに漏れている。すなわち、割れ部分が僅かに拡張されて検出しやすくなる。したがって、異常部位を検出した場合、位置座標に基づいて破片などを速やかに除去することが可能である。さらに、不良品のウエハWを製造ラインから除去することもできる。したがって、装置および製造ラインが不要に停止されるのを回避することができる。   Furthermore, when an abnormal part such as a crack or a chip is generated by supplying gas to the space 34 and pressurizing it. Gas is slightly leaking from the abnormal part. That is, the cracked portion is slightly expanded to facilitate detection. Therefore, when an abnormal part is detected, it is possible to quickly remove debris and the like based on the position coordinates. Further, defective wafers W can be removed from the production line. Therefore, it is possible to prevent the apparatus and the production line from being stopped unnecessarily.

なお、当該実施例装置は、裏面に環状凸部rの形成されたウエハWに限定されず、上記主たる実施例に記載の裏面全体が均一に研削されて平坦なウエハWにも利用することが可能である。   In addition, the said Example apparatus is not limited to the wafer W in which the cyclic | annular convex part r was formed in the back surface, The whole back surface as described in the said main Example can be utilized also for the flat wafer W ground uniformly. Is possible.

(2)上記両実施例において、検出器11の光の照射する位置は、剥離部材20によって保護テープPTを剥離する間際であってもよい。この場合、保護テープPTの剥離時に剥離部材20に沿った隔離境界線に引張力が集中して割れ部分に作用する。すなわち、割れ部分が僅かであるが開いて検出しやすくなる。   (2) In both the above embodiments, the position of the detector 11 where the light is irradiated may be just before the protective tape PT is peeled off by the peeling member 20. In this case, when the protective tape PT is peeled off, the tensile force concentrates on the separation boundary line along the peeling member 20 and acts on the cracked portion. That is, the cracked portion is slightly opened but easily opened.

(3)上記実施例では、剥離ユニット10の下降を制御して剥離テープTsを保護テープPTに貼付けているが、昇降作動しない剥離ユニット10に対して保持テーブル1を昇降作動させる形態でも実施することもできる。また、保持テーブル1、1Aを固定し、剥離ユニット10を移動させるよう構成してもよい。   (3) In the above embodiment, the lowering of the peeling unit 10 is controlled and the peeling tape Ts is attached to the protective tape PT. However, the holding table 1 is moved up and down with respect to the peeling unit 10 that does not move up and down. You can also. Alternatively, the holding tables 1 and 1A may be fixed and the peeling unit 10 may be moved.

(4)上記実施例では、光電センサを一列に配列した検出器11を利用したが当該検出器に限定されない。例えば、剥離部材20の後方から光学カメラを追従させてウエハWの表面を撮像し、当該画像データから割れなどの判別するよう構成してもよい。あるいは、ラインセンサを利用してもよい。   (4) In the above embodiment, the detector 11 in which the photoelectric sensors are arranged in a line is used, but the present invention is not limited to this detector. For example, the optical camera may be tracked from behind the peeling member 20 to image the surface of the wafer W, and a crack or the like may be determined from the image data. Alternatively, a line sensor may be used.

(5)上記各実施例では、異常部位を検出しても保護テープPTをウエハWから完全に剥離していたが、異常部位を検出した時点で剥離動作を停止して破片などを除去してもよい。   (5) In each of the above embodiments, the protective tape PT is completely peeled from the wafer W even if an abnormal part is detected. However, when the abnormal part is detected, the peeling operation is stopped to remove debris and the like. Also good.

(6)上記各実施例では、例えばウエハWと略同形状のステンレス鋼またはガラス基板などの補強用の支持板を貼り合わせていた両面粘着テープをウエハWから剥離する場合にも適用することができる。   (6) In each of the above embodiments, the present invention can also be applied to the case where a double-sided adhesive tape having a reinforcing support plate such as stainless steel or glass substrate having substantially the same shape as the wafer W is peeled off from the wafer W. it can.

1 … 保持テーブル
2 … テープ供給部
3 … 剥離機構
4 … テープ回収部
10 … 剥離ユニット
11 … 検出器
20 … 剥離部材
26 … 制御部
27 … 判別部
PT … 保護テープ
Ts … 剥離テープ
W … 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Holding table 2 ... Tape supply part 3 ... Peeling mechanism 4 ... Tape collection | recovery part 10 ... Peeling unit 11 ... Detector 20 ... Peeling member 26 ... Control part 27 ... Discrimination part PT ... Protection tape Ts ... Peeling tape W ... Semiconductor wafer

Claims (4)

半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープを剥離する粘着テープ剥離方法であって、
剥離部材によって剥離テープを前記粘着テープに貼り付けて折り返しながら当該剥離テープを剥離することによって粘着テープを一体にして半導体ウエハから剥離する剥離過程を含み、
前記剥離過程で、剥離部材の後方から検出器を追従させて半導体ウエハの割れを検査する検査過程と、
を備えたことを特徴とする粘着テープ剥離方法。
An adhesive tape peeling method for peeling an adhesive tape affixed to a semiconductor wafer,
Including a peeling process in which the adhesive tape is peeled off from the semiconductor wafer by peeling off the peeling tape while the peeling tape is attached to the adhesive tape by a peeling member and folded;
In the peeling process, an inspection process for inspecting cracks in the semiconductor wafer by following the detector from the back of the peeling member;
An adhesive tape peeling method comprising:
請求項1に記載の粘着テープ剥離方法において、
前記剥離過程で、環状の保持テーブルで半導体ウエハの外周を保持し、当該保持テーブルの中空内部に気体を供給して加圧しながら前記剥離テープを粘着テープに貼り付ける
ことを特徴とする粘着テープ剥離方法。
In the adhesive tape peeling method of Claim 1,
In the peeling process, the outer periphery of the semiconductor wafer is held by an annular holding table, and the peeling tape is attached to the pressure-sensitive adhesive tape while supplying gas to the hollow interior of the holding table and applying pressure. Method.
半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープを剥離する粘着テープ剥離装置であって、
前記半導体ウエハを保持する保持テーブルと、
前記半導体ウエハに向けて帯状の剥離テープを供給する剥離テープ供給機構と、
前記保持テーブル上の半導体ウエハに剥離部材によって剥離テープを貼り付けた後に、当該剥離部材で剥離テープを折り返して剥離することによって粘着テープを一体にして半導体ウエハから剥離する剥離機構と、
前記保持テーブルと剥離部材が交差するように相対的に水平移動させる水平駆動機構と、
前記剥離部材の後方から追従して半導体ウエハの割れを検出する検出器と、
前記保護テープと一体化した剥離テープを巻取回収するテープ回収機構と、
を備えたことを特徴とする粘着テープ剥離装置。
An adhesive tape peeling apparatus for peeling an adhesive tape attached to a semiconductor wafer,
A holding table for holding the semiconductor wafer;
A peeling tape supply mechanism for supplying a strip-shaped peeling tape toward the semiconductor wafer;
A peeling mechanism that peels off the peeling tape with the peeling member and peels it off from the semiconductor wafer as a unit after attaching the peeling tape to the semiconductor wafer on the holding table,
A horizontal drive mechanism that relatively horizontally moves so that the holding table and the peeling member intersect,
A detector for detecting cracks in the semiconductor wafer following from the rear of the peeling member;
A tape recovery mechanism for winding and recovering the release tape integrated with the protective tape;
An adhesive tape peeling apparatus comprising:
請求項3に記載の粘着テープ剥離装置において、
前記保持テーブルは、半導体ウエハの外周を保持する環状であり、
前記保持テーブルに半導体ウエハ保持した状態で、当該保持テーブルの内部空間に気体に供給して加圧する加圧器と、
前記保持テーブルの中空内部の圧力を調整する制御部と、
を備えたことを特徴とする粘着テープ剥離装置。
In the adhesive tape peeling apparatus according to claim 3,
The holding table is an annular shape that holds the outer periphery of the semiconductor wafer;
A pressurizer that supplies gas to the internal space of the holding table and pressurizes the semiconductor wafer on the holding table;
A control unit for adjusting the pressure inside the hollow of the holding table;
An adhesive tape peeling apparatus comprising:
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