JP2016043369A - Laser irradiation system - Google Patents

Laser irradiation system Download PDF

Info

Publication number
JP2016043369A
JP2016043369A JP2014167759A JP2014167759A JP2016043369A JP 2016043369 A JP2016043369 A JP 2016043369A JP 2014167759 A JP2014167759 A JP 2014167759A JP 2014167759 A JP2014167759 A JP 2014167759A JP 2016043369 A JP2016043369 A JP 2016043369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
wavefront
irradiation
processing
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014167759A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
一秀 佐々木
Kazuhide Sasaki
一秀 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2014167759A priority Critical patent/JP2016043369A/en
Publication of JP2016043369A publication Critical patent/JP2016043369A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser irradiation system capable of improving the correction accuracy of a laser beam for processing during the processing of an object to be irradiated with the laser beam for processing.SOLUTION: The laser irradiation system according to the embodiment includes a first irradiation part, a second irradiation part, a wavefront sensor, a wavefront changing part, and a control unit. The first irradiation part radiates a first laser beam in which the shape of a wavefront intensity distribution is annular. The second irradiation part radiates a second laser beam which is coaxial to the first laser beam on the inner peripheral side of the first laser beam. The wavefront sensor detects the wavefront of a reflected beam generated by reflecting a laser beam for controlling on an object to be processed with the combination of the first laser beam and the second laser beam set as the combination of a laser beam for processing and the laser beam for controlling. The wavefront changing part changes the wavefront of the laser beam for processing. The control unit controls the wavefront of the laser beam for processing by driving the wavefront changing part according to the signal of the wavefront of the reflected beam output from the wavefront sensor.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、レーザ照射システムに関する。   Embodiments described herein relate generally to a laser irradiation system.

従来、参照用レーザ光が加工対象物で反射されて成る反射光を検出して、加工対象物を加工する加工用レーザ光の波面および焦点を補正するレーザ照射システムがある。しかしながら補正精度を向上させるために加工用レーザ光と同軸に参照用レーザ光を照射する場合には、加工用レーザ光の照射による加工対象物の表面の変化に伴い、参照レーザ光による補正精度が低下する可能性があった。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is a laser irradiation system that detects reflected light formed by reflecting a reference laser beam on a workpiece and corrects the wavefront and focus of the machining laser beam that processes the workpiece. However, when the reference laser beam is irradiated coaxially with the processing laser beam in order to improve the correction accuracy, the correction accuracy by the reference laser beam is increased due to the change in the surface of the object to be processed due to the irradiation of the processing laser beam. There was a possibility of decline.

特開２０１３−５２４０３号公報JP 2013-52403 A

本発明が解決しようとする課題は、加工用レーザ光の照射による加工対象物の加工時において加工用レーザ光の補正精度を向上させることができるレーザ照射システムを提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a laser irradiation system capable of improving the correction accuracy of a processing laser beam when processing a workpiece by irradiation of the processing laser beam.

実施形態のレーザ照射システムは、第１照射部と、第２照射部と、波面センサと、波面変更部と、制御部とを持つ。第１照射部は、波面強度分布の形状が円環状である第１レーザ光を照射する。第２照射部は、第１レーザ光の内周側で前記第１レーザ光と同軸の第２レーザ光を照射する。波面センサは、第１レーザ光および第２レーザ光の組み合わせを加工用レーザ光および制御用レーザ光の組み合わせとして、制御用レーザ光が加工対象物に反射されて成る反射光の波面を検出する。波面変更部は、加工用レーザ光の波面を変化させる。制御部は、波面センサから出力される反射光の波面の信号に応じて波面変更部を駆動することによって加工用レーザ光の波面を制御する。   The laser irradiation system of the embodiment includes a first irradiation unit, a second irradiation unit, a wavefront sensor, a wavefront changing unit, and a control unit. A 1st irradiation part irradiates the 1st laser beam whose wavefront intensity distribution shape is annular. The second irradiation unit irradiates a second laser beam coaxial with the first laser beam on the inner peripheral side of the first laser beam. The wavefront sensor detects a wavefront of reflected light formed by reflecting the control laser light on the object to be processed, using the combination of the first laser light and the second laser light as a combination of the processing laser light and the control laser light. The wavefront changing unit changes the wavefront of the processing laser beam. The control unit controls the wavefront of the processing laser light by driving the wavefront changing unit in accordance with the wavefront signal of the reflected light output from the wavefront sensor.

実施形態のレーザ照射システムの構成を示す図。The figure which shows the structure of the laser irradiation system of embodiment. 実施形態のレーザ照射システムの加工用レーザ光および制御用レーザ光の各々のビームプロファイルを模式的に示す斜視図、並びに加工用レーザ光および制御用レーザ光の各々の照射領域を模式的に示す照射対象の断面図。The perspective view which shows typically each beam profile of the processing laser beam of the laser irradiation system of embodiment, and the laser beam for control, and the irradiation which shows typically each irradiation area | region of the laser beam for processing, and the laser beam for control Sectional drawing of object. 実施形態の変形例に係るレーザ照射システムの加工用レーザ光および制御用レーザ光の各々のビームプロファイルを模式的に示す斜視図、並びに加工用レーザ光および制御用レーザ光の各々の照射領域を模式的に示す照射対象の断面図。The perspective view which shows typically each beam profile of the processing laser beam of the laser irradiation system which concerns on the modification of embodiment, and the laser beam for control, and each irradiation area | region of the laser beam for processing and the laser beam for control typically Sectional drawing of the irradiation object shown in figure.

以下、実施形態のレーザ照射システムを、図面を参照して説明する。   Hereinafter, a laser irradiation system of an embodiment will be described with reference to the drawings.

実施形態のレーザ照射システム１０は、図１に示すように、第１照射部１１と、第２照射部１２と、照射光学系１３と、波面センサ１４と、波面変更部１５と、制御部１６と、を備えている。
実施形態のレーザ照射システム１０は、例えば、レーザ光による照射対象の切断または穴あけなどの各種のレーザ加工に用いることができる。また、実施形態のレーザ照射システム１０は、例えば、地上に設置可能であるとともに、各種のプラットホーム（例えば、航空機、船、および車両など）に搭載可能である。 As shown in FIG. 1, the laser irradiation system 10 according to the embodiment includes a first irradiation unit 11, a second irradiation unit 12, an irradiation optical system 13, a wavefront sensor 14, a wavefront changing unit 15, and a control unit 16. And.
The laser irradiation system 10 of the embodiment can be used, for example, for various laser processing such as cutting or drilling of an irradiation target with laser light. In addition, the laser irradiation system 10 of the embodiment can be installed on the ground, for example, and can be mounted on various platforms (for example, an aircraft, a ship, a vehicle, and the like).

第１照射部１１は、例えば、誘導放出を起こす媒質としてフッ化重水素またはヨウ素などを用いた化学レーザ装置、あるいは、結晶、セラミック、石英ファイバ、フッ化物ファイバなどにイッテリビウムやネオジウムなどの希土類を添加した固体レーザ装置などの各種のレーザ装置である。   The first irradiation unit 11 is, for example, a chemical laser device using deuterium fluoride or iodine as a medium that causes stimulated emission, or a rare earth such as ytterbium or neodymium in a crystal, ceramic, quartz fiber, fluoride fiber, or the like. Various laser devices such as an added solid-state laser device.

第１照射部１１は、例えば、加工用レーザ光出力部２１、およびプロファイル変換部２２を備えている。加工用レーザ光出力部２１は、照射対象Ｐの加工に寄与するレーザ光Ｌ１を出力する。加工用レーザ光出力部２１は、例えば、レーザ発振器（図示略）および変調器（図示略）などを備えている。レーザ発振器は、レーザ光源（図示略）から射出されたレーザ光を、誘導放出を起こす媒質を備える共振器（図示略）に照射することによって、連続波のレーザ光を発振する。変調器は、レーザ発振器から出力された連続波のレーザ光をパルス波のレーザ光に変換可能である。   The first irradiation unit 11 includes, for example, a processing laser beam output unit 21 and a profile conversion unit 22. The processing laser beam output unit 21 outputs a laser beam L1 that contributes to the processing of the irradiation target P. The processing laser beam output unit 21 includes, for example, a laser oscillator (not shown) and a modulator (not shown). The laser oscillator oscillates continuous wave laser light by irradiating a resonator (not shown) including a medium that causes stimulated emission with laser light emitted from a laser light source (not shown). The modulator can convert continuous wave laser light output from the laser oscillator into pulsed laser light.

プロファイル変換部２２は、加工用レーザ光出力部２１から出力されるレーザ光Ｌ１のビームプロファイルを変換する。プロファイル変換部２２は、図２に示すように、波面強度分布の形状が光軸を中心とする円形状であるレーザ光Ｌ１を、波面強度分布の形状が光軸を中心とする円環状である加工用レーザ光Ｌａに変換する。プロファイル変換部２２は、例えばアキシコンレンズおよび球面レンズなどを備えている。プロファイル変換部２２は、例えば、円錐形状のレーザービームを形成する。   The profile conversion unit 22 converts the beam profile of the laser beam L1 output from the processing laser beam output unit 21. As shown in FIG. 2, the profile conversion unit 22 has a laser beam L1 in which the wavefront intensity distribution has a circular shape centered on the optical axis, and the wavefront intensity distribution has an annular shape centered on the optical axis. It converts into the processing laser beam La. The profile conversion unit 22 includes, for example, an axicon lens and a spherical lens. The profile converter 22 forms, for example, a conical laser beam.

第２照射部１２は、例えば、誘導放出を起こす媒質としてフッ化重水素またはヨウ素などを用いた化学レーザ装置、あるいは、結晶、セラミック、石英ファイバ、フッ化物ファイバなどにイッテリビウムやネオジウムなどの希土類を添加した固体レーザ装置などの各種のレーザ装置である。   The second irradiation unit 12 is, for example, a chemical laser device using deuterium fluoride or iodine as a medium that causes stimulated emission, or a rare earth such as ytterbium or neodymium on a crystal, ceramic, quartz fiber, fluoride fiber, or the like. Various laser devices such as an added solid-state laser device.

第２照射部１２は、例えば、制御用レーザ光出力部３１を備えている。制御用レーザ光出力部３１は、加工用レーザ光Ｌａとは干渉しないように加工用レーザ光Ｌａとは異なる波長を有するとともに照射対象Ｐの加工には寄与しない程度の所定強度以下のレーザ光を出力する。制御用レーザ光出力部３１は、例えば、加工用レーザ光出力部２１と同様にレーザ発振器（図示略）および変調器（図示略）などを備えている。第２照射部１２は、波面強度分布の形状が光軸を中心とする円形状であるレーザ光を、制御用レーザ光Ｌｂとして出力する。   The second irradiation unit 12 includes, for example, a control laser beam output unit 31. The control laser beam output unit 31 has a laser beam having a wavelength different from that of the processing laser beam La so as not to interfere with the processing laser beam La and having a predetermined intensity or less so as not to contribute to the processing of the irradiation target P. Output. The control laser light output unit 31 includes, for example, a laser oscillator (not shown), a modulator (not shown), and the like, similar to the processing laser light output unit 21. The second irradiation unit 12 outputs a laser beam having a wavefront intensity distribution having a circular shape centered on the optical axis as the control laser beam Lb.

照射光学系１３は、例えば複数のミラー４１〜４３などの光学素子を備えている。照射光学系１３は、第１照射部１１から出力される加工用レーザ光Ｌａの光軸と、第２照射部１２から出力される制御用レーザ光Ｌｂの光軸とを同軸として、波面変更部１５を介して照射対象Ｐに照射する。照射光学系１３は、例えば、照射対象Ｐの表面上において、加工用レーザ光Ｌａの照射による円環状の照射領域Ａを形成するとともに、制御用レーザ光Ｌｂの照射による円形状の照射領域Ｂを形成する。照射光学系１３は、例えば、加工用レーザ光Ｌａによる円環状の照射領域Ａの内径に比べて、制御用レーザ光Ｌｂによる円形状の照射領域Ｂの外径が相対的に小さくなるように、加工用レーザ光Ｌａおよび制御用レーザ光Ｌｂを照射対象Ｐに照射する。これにより照射光学系１３は、加工用レーザ光Ｌａによる円環状の照射領域Ａに比べて、照射対象Ｐの表面の溶融および酸化が緩やか、または生じない円形状の照射領域Ｂにおいて、制御用レーザ光Ｌｂを反射させる。   The irradiation optical system 13 includes optical elements such as a plurality of mirrors 41 to 43, for example. The irradiation optical system 13 has a wavefront changing unit with the optical axis of the processing laser beam La output from the first irradiation unit 11 and the optical axis of the control laser beam Lb output from the second irradiation unit 12 being coaxial. Irradiate the irradiation target P via 15. For example, the irradiation optical system 13 forms an annular irradiation region A by irradiation with the processing laser beam La on the surface of the irradiation target P, and forms a circular irradiation region B by irradiation with the control laser beam Lb. Form. For example, the irradiation optical system 13 is configured so that the outer diameter of the circular irradiation region B by the control laser light Lb is relatively smaller than the inner diameter of the annular irradiation region A by the processing laser light La. The irradiation target P is irradiated with the processing laser beam La and the control laser beam Lb. As a result, the irradiation optical system 13 can control the control laser in the circular irradiation region B where the surface of the irradiation target P is not melted or oxidized more slowly than in the annular irradiation region A by the processing laser light La. The light Lb is reflected.

波面センサ１４は、照射対象Ｐに照射された制御用レーザ光Ｌｂが照射対象Ｐの表面で反射されることによって得られる反射光を検出して、大気ゆらぎなどに起因する反射光の波面の歪みを検知する。   The wavefront sensor 14 detects reflected light obtained by the control laser light Lb irradiated to the irradiation target P being reflected by the surface of the irradiation target P, and distortion of the wavefront of the reflected light due to atmospheric fluctuations or the like. Is detected.

波面変更部１５は、例えば制御部１６により駆動制御される可変鏡などを備えている。波面変更部１５は、制御部１６による制御に応じて、照射対象Ｐに向かい反射する加工用レーザ光Ｌａの波面を変更する。
制御部１６は、波面センサ１４によって検知される制御用レーザ光Ｌｂの反射光における波面の歪みに基づき、大気ゆらぎなどに起因する加工用レーザ光Ｌａの波面の歪みを光学的に補償（波面補正）するために波面変更部１５を駆動制御する。 The wavefront changing unit 15 includes, for example, a variable mirror that is driven and controlled by the control unit 16. The wavefront changing unit 15 changes the wavefront of the processing laser beam La reflected toward the irradiation target P in accordance with the control by the control unit 16.
Based on the wavefront distortion in the reflected light of the control laser beam Lb detected by the wavefront sensor 14, the control unit 16 optically compensates for the distortion of the wavefront of the processing laser beam La caused by atmospheric fluctuations (wavefront correction). The wavefront changing unit 15 is driven and controlled.

以上説明した実施形態によれば、波面強度分布の形状が円環状の加工用レーザ光Ｌａの内周側で加工用レーザ光Ｌａと同軸の制御用レーザ光Ｌｂによって加工用レーザ光Ｌａの波面を制御する制御部１６を持つことにより、波面制御の精度を向上させることができる。さらに、加工用レーザ光Ｌａの内周側に制御用レーザ光Ｌｂを照射する照射光学系１３を持つことにより、制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂを、加工用レーザ光Ｌａの照射領域Ａに比べて照射対象Ｐの表面の溶融および酸化が緩やかな領域とすることができる。これにより制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂにおいて、照射面の乱れを抑制し、制御用レーザ光Ｌｂの反射率を向上させることができ、制御用レーザ光Ｌｂの照射対象Ｐによる反射光を検出する際における反射光の波面の検知精度を向上させることができる。さらに、制御用レーザ光Ｌｂの反射光による波面の検知および加工用レーザ光Ｌａの波面補正に所望の精度を確保することができる時間を長くすることができ、加工用レーザ光Ｌａによる照射対象Ｐの加工効率を向上させることができる。
さらに、加工用レーザ光Ｌａに対して円錐形状のレーザービームを形成するプロファイル変換部２２を持つことにより、加工用レーザ光Ｌａの照射領域Ａが照射対象Ｐの内部に向かうことに伴い縮小傾向に変化するので、加工効率を向上させることができる。さらに、加工用レーザ光Ｌａによる照射対象Ｐの加工中であっても、照射対象Ｐの表面において制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂの大きさをほぼ不変に確保する状態を維持することができ、加工用レーザ光Ｌａの波面補正を精度良く行なうことができる。 According to the embodiment described above, the wavefront of the processing laser beam La is controlled by the control laser beam Lb coaxial with the processing laser beam La on the inner peripheral side of the processing laser beam La having an annular wavefront intensity distribution. By having the control unit 16 to control, the accuracy of wavefront control can be improved. Further, by having the irradiation optical system 13 that irradiates the control laser beam Lb on the inner peripheral side of the processing laser beam La, the irradiation region B of the control laser beam Lb is changed to the irradiation region A of the processing laser beam La. In comparison, the surface of the irradiation target P can be a region where the melting and oxidation are gentle. Thereby, in the irradiation region B of the control laser beam Lb, the disturbance of the irradiation surface can be suppressed, the reflectance of the control laser beam Lb can be improved, and the reflected light from the irradiation target P of the control laser beam Lb is detected. It is possible to improve the accuracy of detecting the wavefront of the reflected light. Furthermore, it is possible to lengthen the time during which a desired accuracy can be ensured in the detection of the wavefront by the reflected light of the control laser beam Lb and the wavefront correction of the processing laser beam La, and the irradiation target P by the processing laser beam La can be increased. The processing efficiency can be improved.
Further, by having the profile conversion unit 22 that forms a conical laser beam with respect to the processing laser beam La, the irradiation region A of the processing laser beam La tends to decrease as it goes inside the irradiation target P. Since it changes, processing efficiency can be improved. Furthermore, even during the processing of the irradiation target P by the processing laser light La, it is possible to maintain a state in which the size of the irradiation region B of the control laser light Lb is almost unchanged on the surface of the irradiation target P. The wavefront correction of the processing laser beam La can be performed with high accuracy.

以下、変形例について説明する。
上述した実施形態では、プロファイル変換部２２は、例えばアキシコンレンズおよび球面レンズなどを備え、加工用レーザ光Ｌａに対して円錐形状のレーザービームを形成するとしたが、これに限定されない。プロファイル変換部２２は、加工用レーザ光Ｌａに対して波面強度分布の形状が円環状となる他の形状のレーザービームを形成してもよい。
変形例のレーザ照射システム１０において、プロファイル変換部２２は、例えば２つのアキシコンレンズなどを備え、図３に示すように、加工用レーザ光Ｌａに対して円筒形状のレーザービームを形成する。
以上説明した変形例によれば、照射対象Ｐの表面において制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂを容易に確保することができる。 Hereinafter, modified examples will be described.
In the above-described embodiment, the profile conversion unit 22 includes, for example, an axicon lens and a spherical lens and forms a conical laser beam with respect to the processing laser light La, but is not limited thereto. The profile conversion unit 22 may form a laser beam having another shape in which the wavefront intensity distribution has an annular shape with respect to the processing laser beam La.
In the laser irradiation system 10 of the modification, the profile conversion unit 22 includes, for example, two axicon lenses and the like, and forms a cylindrical laser beam with respect to the processing laser light La as shown in FIG.
According to the modified example described above, the irradiation region B of the control laser beam Lb can be easily secured on the surface of the irradiation target P.

以下、他の変形例について説明する。
上述した実施形態では、波面強度分布の形状が光軸を中心とする円環状である加工用レーザ光Ｌａの内周側に同軸に制御用レーザ光Ｌｂを照射するとしたが、これに限定されない。波面強度分布の形状が光軸を中心とする円環状である制御用レーザ光Ｌｂの内周側に同軸に加工用レーザ光Ｌａを照射してもよい。この場合、プロファイル変換部２２は、第１照射部１１の代わりに第２照射部１２に備えられる。
上述した実施形態では、加工用レーザ光Ｌａの照射領域Ａにおいて所定の程度以上に溶融および酸化が進行した後に、制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂにおいて溶融および酸化が始まるので、制御用レーザ光Ｌｂの反射光の変化に基づいて照射領域Ａの加工の進行状態を推定してもよい。
上述した実施形態では、レーザ照射システム１０は、各種のプラットホーム（例えば、航空機、船、および車両など）に搭載可能であることに限定されず、移動可能に構成されてもよい。 Hereinafter, other modified examples will be described.
In the above-described embodiment, the control laser beam Lb is coaxially irradiated on the inner peripheral side of the processing laser beam La whose shape of the wavefront intensity distribution is an annular shape centering on the optical axis. However, the present invention is not limited to this. The processing laser beam La may be coaxially irradiated on the inner peripheral side of the control laser beam Lb whose wavefront intensity distribution has an annular shape centered on the optical axis. In this case, the profile conversion unit 22 is provided in the second irradiation unit 12 instead of the first irradiation unit 11.
In the above-described embodiment, the melting and oxidation start in the irradiation region B of the control laser light Lb after the melting and oxidation proceeds to a predetermined degree or more in the irradiation region A of the processing laser light La. The processing progress state of the irradiation area A may be estimated based on the change in the reflected light of Lb.
In the above-described embodiment, the laser irradiation system 10 is not limited to being mountable on various platforms (for example, an aircraft, a ship, and a vehicle), and may be configured to be movable.

以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、波面強度分布の形状が加工用レーザ光Ｌａとは異なるとともに加工用レーザ光Ｌａと同軸の制御用レーザ光Ｌｂによって加工用レーザ光Ｌａの波面を制御する制御部１６を持つことにより、波面制御の精度を向上させることができる。さらに、加工用レーザ光Ｌａに対して径方向で異なる領域に制御用レーザ光Ｌｂを照射する照射光学系１３を持つことにより、制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂを、加工用レーザ光Ｌａの照射領域Ａに比べて照射対象Ｐの表面の溶融および酸化が緩やかな領域とすることができる。これにより制御用レーザ光Ｌｂの照射領域Ｂにおいて、照射面の乱れを抑制し、制御用レーザ光Ｌｂの反射率を向上させることができ、制御用レーザ光Ｌｂの照射対象Ｐによる反射光を検出する際における反射光の波面の検知精度を向上させることができる。さらに、制御用レーザ光Ｌｂの反射光による波面の検知および加工用レーザ光Ｌａの波面補正に所望の精度を確保することができる時間を長くすることができ、加工用レーザ光Ｌａによる照射対象Ｐの加工効率を向上させることができる。   According to at least one embodiment described above, the wavefront intensity distribution is different from the processing laser beam La, and the wavefront of the processing laser beam La is controlled by the control laser beam Lb coaxial with the processing laser beam La. By having the control unit 16 to perform, the accuracy of wavefront control can be improved. Furthermore, by having the irradiation optical system 13 that irradiates the control laser beam Lb in a region different in the radial direction with respect to the processing laser beam La, the irradiation region B of the control laser beam Lb is changed to the processing laser beam La. Compared with the irradiation region A, the surface of the irradiation target P can be a region where melting and oxidation are gentle. Thereby, in the irradiation region B of the control laser beam Lb, the disturbance of the irradiation surface can be suppressed, the reflectance of the control laser beam Lb can be improved, and the reflected light from the irradiation target P of the control laser beam Lb is detected. It is possible to improve the accuracy of detecting the wavefront of the reflected light. Furthermore, it is possible to lengthen the time during which a desired accuracy can be ensured in the detection of the wavefront by the reflected light of the control laser beam Lb and the wavefront correction of the processing laser beam La, and the irradiation target P by the processing laser beam La The processing efficiency can be improved.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１０…レーザ照射システム、１１…第１照射部、１１ａ…第１貫通孔、１２…第２照射部、１３…照射光学系、１４…波面センサ、１５…波面変更部、１６…制御部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Laser irradiation system, 11 ... 1st irradiation part, 11a ... 1st through-hole, 12 ... 2nd irradiation part, 13 ... Irradiation optical system, 14 ... Wavefront sensor, 15 ... Wavefront change part, 16 ... Control part

Claims (2)

波面強度分布の形状が円環状である第１レーザ光を照射する第１照射部と、
前記第１レーザ光の内周側で前記第１レーザ光と同軸の第２レーザ光を照射する第２照射部と、
前記第１レーザ光および前記第２レーザ光の組み合わせを加工用レーザ光および制御用レーザ光の組み合わせとして、前記制御用レーザ光が加工対象物に反射されて成る反射光の波面を検出する波面センサと、
前記加工用レーザ光の波面を変化させる波面変更部と、
前記波面センサから出力される前記反射光の波面の信号に応じて前記波面変更部を駆動することによって前記加工用レーザ光の波面を制御する制御部と、
を備える、
レーザ照射システム。 A first irradiating unit that irradiates a first laser beam whose wavefront intensity distribution has an annular shape;
A second irradiation unit configured to irradiate a second laser beam coaxial with the first laser beam on an inner peripheral side of the first laser beam;
A wavefront sensor for detecting a wavefront of reflected light obtained by reflecting the control laser beam on a workpiece by using a combination of the first laser beam and the second laser beam as a combination of a processing laser beam and a control laser beam. When,
A wavefront changing unit for changing the wavefront of the processing laser beam;
A control unit for controlling the wavefront of the processing laser light by driving the wavefront changing unit in accordance with a signal of the wavefront of the reflected light output from the wavefront sensor;
Comprising
Laser irradiation system. 前記第１レーザ光を前記加工用レーザ光とし、
前記第２レーザ光を前記制御用レーザ光とする、
請求項１に記載のレーザ照射システム。 The first laser light is the processing laser light,
The second laser light is the control laser light,
The laser irradiation system according to claim 1.
JP2014167759A 2014-08-20 2014-08-20 Laser irradiation system Pending JP2016043369A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014167759A JP2016043369A (en) 2014-08-20 2014-08-20 Laser irradiation system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014167759A JP2016043369A (en) 2014-08-20 2014-08-20 Laser irradiation system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016043369A true JP2016043369A (en) 2016-04-04

Family

ID=55634476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014167759A Pending JP2016043369A (en) 2014-08-20 2014-08-20 Laser irradiation system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016043369A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107617819A (en) * 2016-07-13 2018-01-23 发那科株式会社 Laser processing device and laser-processing system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107617819A (en) * 2016-07-13 2018-01-23 发那科株式会社 Laser processing device and laser-processing system
CN107617819B (en) * 2016-07-13 2019-03-26 发那科株式会社 Laser processing device and laser-processing system
US10451738B2 (en) 2016-07-13 2019-10-22 Fanuc Corporation Laser processing device and laser processing system
US10473783B2 (en) 2016-07-13 2019-11-12 Fanuc Corporation Laser processing device and laser processing system
US10481264B2 (en) 2016-07-13 2019-11-19 Fanuc Corporation Laser processing device and laser processing system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5832412B2 (en) Optical system and laser processing apparatus
JP6654009B2 (en) Laser surveying equipment
CN105163897A (en) Coordination of beam angle and workpiece movement for taper control
JP2021191591A (en) Multiple beam laser system and welding method
US10898970B2 (en) Laser processing machine
RU2012112398A (en) LASER FOCUSING HEAD WITH ZnS LENSES THAT HAVE THICKNESS AT THE EDGES, AT LEAST 5 mm, AND INSTALLATION AND METHOD OF LASER CUTTING USING ONE SUCH FOCUS USING
RU2015141109A (en) DEVICE FOR CONTROL OF WELDED SEAM AND METHOD OF CONTROL WITH CONTROL OF VARIOUS ZONE OF BATHES OF FUSIONED METAL
JP2009178725A (en) Laser beam machining apparatus and method
JP6104489B1 (en) Laser apparatus and laser processing machine
JP2009178720A (en) Laser beam machining apparatus
JP2007222902A (en) Laser machining apparatus and laser machining method
JP6393555B2 (en) Laser processing machine and laser cutting processing method
JP2016043369A (en) Laser irradiation system
WO2021036155A8 (en) Bessel beam with axicon for cutting transparent material
KR20170048969A (en) Laser processing method and laser processing apparatus using multi focusing
US9623513B2 (en) Laser welding inspection apparatus and laser welding inspection method
JP2019104046A5 (en)
JP6780544B2 (en) Laser welding equipment
CN105393415A8 (en) Radial polarization thin-plate laser
JP2020082139A (en) Laser processing device and method for processing work-piece
JP2019193944A (en) Laser processing device
US20230080667A1 (en) Laser welding monitoring device and laser welding monitoring method
US20220152731A1 (en) Laser processing apparatus
JP4395110B2 (en) Marking method for transparent material and apparatus using the same
JP2016052674A (en) Laser irradiation system