JP2016021068A - Photosensitive resin composition, material for forming pattern, and pattern forming method - Google Patents

Photosensitive resin composition, material for forming pattern, and pattern forming method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition that can reduce a developing time and can give a good pattern shape.SOLUTION: The photosensitive resin composition comprises a polyimide precursor having a structure represented by formula (1) below and a photobase generator.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、パターン形成材料、パターン形成方法及び当該感光性樹脂組成物又はその硬化物により少なくとも一部が形成されている物品に関する。   The present invention relates to a photosensitive resin composition, a pattern forming material, a pattern forming method, and an article formed at least in part by the photosensitive resin composition or a cured product thereof.

近年、半導体装置の高集積化、高信頼性化等に伴って、回路配線等の層間絶縁膜、表面保護膜、マルチチップモジュール等として用いられる材料として、無機材料に代わり高耐熱性樹脂が脚光を浴びている。高耐熱性樹脂の中でもポリイミド樹脂は、耐熱性、機械特性、低誘電率や高絶縁性等の電気特性、平坦化能、加工性等に優れるため広く使用され、さかんに研究開発が行われている。   In recent years, with the high integration and high reliability of semiconductor devices, high heat-resistant resin has attracted attention as a material used for interlayer insulation films such as circuit wiring, surface protection films, multichip modules, etc. Have been bathed. Among high heat resistance resins, polyimide resin is widely used because of its excellent heat resistance, mechanical properties, electrical properties such as low dielectric constant and high insulation, flattening ability, workability, etc. Yes.

ポリイミドは、ジアミンと酸二無水物から合成される高分子である。ジアミンと酸二無水物を溶液中で反応させることで、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸(ポリアミック酸)となり、その後、脱水閉環反応を経てポリイミドとなる。一般に、ポリイミドは溶媒への溶解性に乏しく加工が困難なため、ポリイミド材料にパターン形成を施す場合には、ポリイミド塗膜上にフォトレジストのパターンを形成し、次いでエッチング処理を行う必要がある。従って、工程の複雑化は避けられない。そこで、ポリイミド材料自身にパターン形成能を備えた感光性ポリイミド組成物が使われている例が多い。   Polyimide is a polymer synthesized from diamine and acid dianhydride. By reacting diamine and acid dianhydride in a solution, it becomes polyamic acid (polyamic acid) which is a precursor of polyimide, and then becomes a polyimide through a dehydration ring closure reaction. In general, since polyimide has poor solubility in a solvent and is difficult to process, when pattern formation is performed on a polyimide material, it is necessary to form a photoresist pattern on the polyimide coating and then perform an etching process. Therefore, complication of the process is inevitable. Therefore, in many cases, a photosensitive polyimide composition having a pattern forming ability is used in the polyimide material itself.

感光性ポリイミド組成物としては、ポリイミド前駆体および重クロム酸塩からなる系が最初に提案された(特許文献1)。しかしながら、この材料は、実用的な光感度を有するとともに膜形成能が高いなどの長所を有する反面、保存安定性に欠け、また硬化後のポリイミド樹脂中にクロムイオンが残存することなどの欠点があり、実用には至らなかった。   As a photosensitive polyimide composition, a system comprising a polyimide precursor and dichromate was first proposed (Patent Document 1). However, this material has advantages such as practical photosensitivity and high film-forming ability, but lacks storage stability and has the disadvantage that chromium ions remain in the cured polyimide resin. There was no practical use.

別の感光性ポリイミド材料としては、ポリアミド酸アルキルエステルと光塩基発生剤を用いて直接パターンを形成する方法(特許文献2)、ポリアミド酸と光塩基発生剤を用いて直接パターンを形成する方法(特許文献3)が提案されている。この手法は、ポリアミド酸アルキルエステルやポリアミド酸などのポリイミド前駆体と光塩基発生剤を混合するだけで簡便に感光性ポリイミドを調製できるという特徴があり、アミンなどの塩基性物質が、ポリアミド酸のイミド化反応を促進する触媒として作用することを利用しており、光塩基発生剤によって潜在化されている塩基性物質を露光により、位置選択的に発生させることによりパターン形成を行うものである。
特許文献2及び特許文献3に開示された技術は、感光性樹脂組成物を基材上に塗布して塗膜を形成し、フォトマスクを介して光塩基発生剤の活性光線を照射する。これによって、露光部のみに塩基を発生させる。次に、塗膜を熱処理(PEB:Post Exposure Bake)すると、塩基の存在する露光部は、未露光部に比べて塩基の触媒作用によりイミド化が促進され、露光部と未露光部のイミド化率の違いが生じる。イミド化率が異なると現像液への溶解速度も異なるため、ここで生じた現像液への溶解速度の差を利用して、絶縁樹脂層のパターンを得るというものである。一般に、イミド化率が大きいほど、有機溶媒や塩基性水溶液などへの溶解性が小さくなるため、これらの手法の場合は、露光部のイミド化率が未露光部に比べ大きくなることから未露光部が現像液に溶解し、露光部がパターンとして残存するネガ型の感光性材料として機能する。
特許文献2の手法の場合、ポリアミド酸アルキルエステルが水溶液に対して不溶であるため有機溶媒を現像液として用いる。またポリアミド酸アルキルエステルは保存安定性に優れるという特徴がある。
一方で、特許文献3の手法の場合、ポリアミド酸が、骨格内にカルボキシル基を有しているためアルカリ水溶液に可溶であり、現像液に塩基性水溶液を利用でき環境負荷が少ないこと、イミド化の過程でカルボキシル基が消失していくため、塩基性水溶液に対する溶解性の低下率が大きく露光部と未露光部との現像液に対する溶解性の差を、より大きく出来るという特徴がある。近年、環境への関心が高まっていることや、廃液処理費用負担を低減できることなどから塩基性水溶液による現像が可能な、ポリアミド酸を利用する手法の検討が盛んである。
As another photosensitive polyimide material, a method of directly forming a pattern using a polyamic acid alkyl ester and a photobase generator (Patent Document 2), a method of directly forming a pattern using a polyamic acid and a photobase generator ( Patent Document 3) has been proposed. This technique is characterized in that a photosensitive polyimide can be prepared simply by mixing a polyimide precursor such as polyamic acid alkyl ester or polyamic acid and a photobase generator. It utilizes the fact that it acts as a catalyst that promotes the imidization reaction, and forms a pattern by generating a basic substance that is latent in the photobase generator by position-selection by exposure.
In the techniques disclosed in Patent Document 2 and Patent Document 3, a photosensitive resin composition is applied onto a substrate to form a coating film, and actinic rays of a photobase generator are irradiated through a photomask. Thereby, a base is generated only in the exposed portion. Next, when the coating film is subjected to heat treatment (PEB: Post Exposure Bake), imidization of the exposed area and the unexposed area of the exposed area is promoted by the catalytic action of the base as compared with the unexposed area. A difference in rate occurs. When the imidization ratio is different, the dissolution rate in the developer is also different, and thus the pattern of the insulating resin layer is obtained using the difference in the dissolution rate in the developer generated here. In general, the higher the imidization rate, the lower the solubility in organic solvents and basic aqueous solutions. In these methods, the imidation rate of the exposed area is larger than that of the unexposed area. The part dissolves in the developer, and the exposed part functions as a negative photosensitive material that remains as a pattern.
In the case of the technique of Patent Document 2, an organic solvent is used as a developer because the polyamic acid alkyl ester is insoluble in an aqueous solution. In addition, polyamic acid alkyl ester is characterized by excellent storage stability.
On the other hand, in the case of the technique of Patent Document 3, the polyamic acid has a carboxyl group in the skeleton, so it is soluble in an alkaline aqueous solution, a basic aqueous solution can be used as a developer, and the environmental load is small. Since the carboxyl group disappears in the course of the conversion, there is a feature that the rate of decrease in solubility in the basic aqueous solution is large, and the difference in solubility in the developer between the exposed portion and the unexposed portion can be further increased. In recent years, a study using a polyamic acid that can be developed with a basic aqueous solution has been actively conducted because of increasing interest in the environment and reducing the cost of waste liquid treatment.

特公昭49−17374号公報Japanese Patent Publication No.49-17374 特開平5−197148号公報JP-A-5-197148 特開平8−227154号公報JP-A-8-227154

上記のようなパターン形成方法において、露光部の残膜率(現像後のパターン膜厚/現像前の塗膜の膜厚:現像液に溶解せずにパターンとして残存した膜厚の初期膜厚に対する割合)を大きくしようとする場合、露光部のイミド化率をより大きくするため、露光後加熱の温度を高くする必要がある。その際に、未露光部のイミド化も同様に進んでしまうため、未露光部の現像液に対する溶解性が低下し、より強力な高濃度の現像液を利用する必要が生じたり、安全性の高い希薄な塩基性水溶液を利用できる場合でも現像時間が長くなってしまうという課題がある。
光塩基発生剤を利用した感光性ポリイミドの場合は、他のメカニズムによりパターン形成を行う感光性ポリイミドと異なり、現像の際には、未露光部が、本発明の感光性樹脂組成物を塗布した直後の状態から変化している(イミド化が進行する)ため、未露光部の現像性改善というのが、特に重要な課題として注目されている。
In the pattern formation method as described above, the remaining film ratio of the exposed portion (pattern film thickness after development / film thickness of the coating film before development: relative to the initial film thickness of the film remaining as a pattern without dissolving in the developer. In order to increase the ratio), it is necessary to increase the temperature of post-exposure heating in order to increase the imidization ratio of the exposed portion. At that time, imidization of the unexposed area proceeds in the same manner, so that the solubility of the unexposed area in the developer is lowered, and it becomes necessary to use a stronger developer with a higher concentration or safety. Even when a highly dilute basic aqueous solution can be used, there is a problem that the development time becomes long.
In the case of a photosensitive polyimide that uses a photobase generator, unlike the photosensitive polyimide that forms a pattern by other mechanisms, the unexposed area was coated with the photosensitive resin composition of the present invention during development. Since it changes from the state immediately after it (imidation progresses), improvement of the developability of an unexposed part attracts attention as an especially important subject.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、パターン形成の際、現像時間を短くすることができ、かつ得られたパターン形状が良好となる、感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and provides a photosensitive resin composition capable of shortening the development time during pattern formation and improving the pattern shape obtained. With the goal.

本発明者らは上記課題を解決するために研究を重ねた結果、末端部分の構造を特定の骨格とすることによって向上させたポリイミド前駆体を用いることにより、感光性樹脂組成物の未露光部の溶解速度を向上させ、現像時間を短くすることができ、かつ、未露光部と露光部の溶解速度の比を大きくすることにより、良好なパターン形状が得られるとの知見を得、本発明を完成させるに至った。   As a result of repeated studies to solve the above problems, the present inventors have used a polyimide precursor that has been improved by making the structure of the terminal portion into a specific skeleton, thereby allowing an unexposed portion of the photosensitive resin composition to be used. The present inventors have obtained the knowledge that a good pattern shape can be obtained by increasing the dissolution rate, reducing the development time, and increasing the ratio of the dissolution rate between the unexposed area and the exposed area. It came to complete.

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物は、少なくとも下記式(1)で表わされる構造を含むポリイミド前駆体と、光塩基発生剤とを含有することを特徴とする。   That is, the photosensitive resin composition of the present invention is characterized by containing a polyimide precursor containing at least a structure represented by the following formula (1) and a photobase generator.

(式(1)中、Rは4価の有機基、Rは2価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基、Rは水素原子又は下記式(2)〜(5)で表わされる有機基よりなる群から選択される少なくとも1種の有機基であり、Rのうち少なくとも一部は有機基である。複数あるR、R、R、Rはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。) (In the formula (1), R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, R 3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 4 is a hydrogen atom or the following formulas (2) to ( 5) is at least one organic group selected from the group consisting of organic groups, and at least a part of R 4 is an organic group, and a plurality of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are Each may be the same or different.)

(式(2)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。) (In Formula (2), R 5 is a tetravalent organic group, and R 6 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

(式(3)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。複数あるRは同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (3), R 7 is a tetravalent organic group, R 8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 8s may be the same or different.)

(式(4)中、Rは4価の有機基、R10及びR11は水素原子又は1価の有機基である。複数あるR10は同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (4), R 9 is a tetravalent organic group, R 10 and R 11 are a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 10s may be the same or different.)

(式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子、Zは−R12又は−OR13であり、R12及びR13は1価の有機基である。) (In formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, Z is —R 12 or —OR 13 , and R 12 and R 13 are monovalent organic groups.)

前記式(5)におけるXが炭素原子であり、かつ、前記式(5)におけるYが酸素原子であることが、このような末端を形成する末端封止剤の入手が容易であり、かつ、取扱いが容易である点から好ましい。   X in the formula (5) is a carbon atom, and Y in the formula (5) is an oxygen atom, it is easy to obtain an end-capping agent that forms such a terminal, and It is preferable because it is easy to handle.

更に前記式(5)が下記式(6)で表わされる有機基であるであることが、当該ポリイミド前駆体のイミド化反応の際、末端部位もイミド化されるためポリイミドとなった際に吸湿性が低く、かつ、耐熱性が高くなるため好ましい。   Furthermore, when the formula (5) is an organic group represented by the following formula (6), when the polyimide precursor is imidized, the terminal site is also imidized, so that moisture is absorbed when it becomes a polyimide. This is preferable because the heat resistance is low and the heat resistance is high.

(式(6)中、R14は下記式(6−1)〜(6−5)で表わされる有機基よりなる群から選択される有機基、R15は水素原子又は1価の有機基である。) (In the formula (6), R 14 is an organic group selected from the group consisting of organic groups represented by the following formulas (6-1) to (6-5), and R 15 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. is there.)

(式(6−1)〜(6−5)中、Aは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Aは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。−COORは式(6)中の−COOR15に対応する。) (In the formulas (6-1) to (6-5), A each independently represents a hydrogen atom or an organic group, which may be the same or different. (It may be bonded to form a cyclic structure and may contain a heteroatom bond. -COOR corresponds to -COOR 15 in formula (6).)

前記式(1)におけるRのうち、50%以上が有機基であることが、現像時間を更に短縮することができる点から好ましく、70%以上が有機基であることがより好ましく、更に90%以上であることがより好ましく、95%以上であることが最も好ましい。 Of R 4 in the formula (1), 50% or more is preferably an organic group from the viewpoint of further shortening the development time, more preferably 70% or more is an organic group, and more preferably 90%. % Or more is more preferable, and 95% or more is most preferable.

更に、上記式(1)におけるRのうち、50%以上が上記式(6)で表わされる有機基を有することにより、より吸湿性が低く、かつ、耐熱性が高くなるため好ましい。 Furthermore, it is preferable that 50% or more of R 4 in the above formula (1) has the organic group represented by the above formula (6) because the hygroscopic property is lower and the heat resistance is higher.

前記光塩基発生剤が、下記式(7)〜(9)で表わされる化合物よりなる群から選択される少なくとも1種であることが、下記(1)、(2)の2つの観点から好ましい。
(1)現像後に行う加熱のプロセスで分解、又は揮発しやすいものであるため、その後のプロセスで、高温雰囲気下や真空雰囲気下に曝された場合であっても、揮発しアウトガスとなる成分の少ないレリーフパターンを製造することができる
(2)電磁波の照射と加熱を組み合わせることにより、少ない電磁波照射量で、効率的に塩基を発生することが可能であり、従来の所謂光塩基発生剤と比べて高い感度を有する。
It is preferable from the two viewpoints (1) and (2) below that the photobase generator is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (7) to (9).
(1) Since it is easily decomposed or volatilized in the heating process performed after development, even if it is exposed to a high temperature atmosphere or vacuum atmosphere in the subsequent process, (2) By combining electromagnetic wave irradiation and heating, it is possible to efficiently generate a base with a small amount of electromagnetic wave irradiation, compared to conventional so-called photobase generators. And high sensitivity.

(式(7)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R41及びR42は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。R43及びR44はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47及びR48は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47及びR48は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R49は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。) (In Formula (7), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different. R 41 and R 42 are bonded to form a ring. It may form a structure and may contain a bond of hetero atoms, provided that at least one of R 41 and R 42 is an organic group, and R 43 and R 44 are each independently a hydrogen atom, A halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, or organic group, may be different even in the same .R 45, R 46, R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, Sulf Group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group or organic group, which are the same. Two or more of R 45 , R 46 , R 47 and R 48 may be bonded to form a cyclic structure, and may contain a hetero atom bond. R 49 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves.)

(式(8)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R41及びR42は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。R50及びR50’はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、又は有機基である。R51、R52、R53、R54及びR55は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R51、R52、R53、R54及びR55は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。) (In Formula (8), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different. R 41 and R 42 are bonded to form a ring. may form a structure, may contain a binding heteroatom. proviso that at least one of R 41 and R 42 is an organic group .R 50 and R 50 'each independently represents a hydrogen atom, A halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or an organic group, R 51 , R 52 , R 53 , R 54, and R 55 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydroxyl group; , Mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group Amino group, an ammonio group or an organic group, may be different even in the same .R 51, R 52, R 53 , R 54 and R 55 are a ring structure bonded to two or more of them It may be formed or may contain a heteroatom bond.)

(式(9)中、R57は、有機基で置換されたアミノ基又は有機基、R58及びR59は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良いが、R58及びR59の少なくとも1つはヘテロ原子を有していても良い芳香族化合物である。R57、R58及びR59は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。) (In the formula (9), R 57 is an amino group or an organic group substituted with an organic group, R 58 and R 59 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, Group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonio group or organic group, which may be the same or different, At least one of 58 and R 59 is an aromatic compound which may have a hetero atom, and two or more of R 57 , R 58 and R 59 are bonded to form a cyclic structure. And may contain heteroatom bonds.)

更に本発明は、上記本発明の感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料を提供する。   Furthermore, the present invention provides a pattern forming material comprising the photosensitive resin composition of the present invention.

また本発明は、上記本発明の感光性樹脂組成物を用いて塗膜又は成形体を形成し、当該塗膜又は成形体を、所定パターン状に電磁波を照射し、照射後又は照射と同時に加熱し、前記照射部位の溶解性を変化させた後、現像することを特徴とするネガ型パターン形成方法を提供する。   Moreover, the present invention forms a coating film or a molded body using the photosensitive resin composition of the present invention, and the coating film or molded body is irradiated with electromagnetic waves in a predetermined pattern, and heated after irradiation or simultaneously with irradiation. And providing a negative pattern forming method, wherein development is performed after changing the solubility of the irradiated portion.

更に、本発明の感光性樹脂組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、塗料、シール剤、接着剤、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光造形物、光学部材又は建築材料等の物品をも提供する。   Furthermore, printed matter, paint, sealant, adhesive, display device, semiconductor device, electronic component, microelectromechanical system, stereolithography product, which is at least partially formed from the photosensitive resin composition of the present invention or a cured product thereof. Articles such as optical members or building materials are also provided.

本発明によれば、現像時間が短く、良好なパターン形状が得られる、感光性樹脂組成物を提供することができる。
更に本発明によれば、良好なパターン形状を有する物品を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive resin composition having a short development time and a good pattern shape.
Furthermore, according to the present invention, an article having a good pattern shape can be provided.

末端がアミンとなっているポリイミド前駆体の模式図である。It is a schematic diagram of the polyimide precursor by which the terminal is an amine. 末端がアミンとなっているポリイミド前駆体の分子間相互作用の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the intermolecular interaction of the polyimide precursor by which the terminal is an amine.

以下、本発明を詳しく説明する。
なお、本発明において、電磁波とは、波長を特定した場合を除き、可視及び非可視領域の波長の電磁波だけでなく、電子線のような粒子線、及び、電磁波と粒子線を総称する放射線又は電離放射線が含まれる。本明細書では、電磁波の照射を露光ともいう。なお、波長365nm、405nm、436nmの電磁波をそれぞれ、i線、h線、g線とも表記することがある。
また、本発明において、有機基とは、少なくとも1つの炭素原子を含む官能基の総称を表す。
The present invention will be described in detail below.
In the present invention, unless otherwise specified, the electromagnetic wave is not only an electromagnetic wave having a wavelength in the visible and invisible regions, but also a particle beam such as an electron beam, and radiation or a general term for the electromagnetic wave and the particle beam. Contains ionizing radiation. In this specification, irradiation with electromagnetic waves is also referred to as exposure. Note that electromagnetic waves with wavelengths of 365 nm, 405 nm, and 436 nm may be referred to as i-line, h-line, and g-line, respectively.
Moreover, in this invention, an organic group represents the general term of the functional group containing at least 1 carbon atom.

1.感光性樹脂組成物
本発明の感光性樹脂組成物は、少なくとも、下記式(1)で表わされる構造を含むポリイミド前駆体と、光塩基発生剤を含有することを特徴とする。
1. Photosensitive resin composition The photosensitive resin composition of this invention contains the polyimide precursor containing the structure represented by following formula (1) at least, and a photobase generator, It is characterized by the above-mentioned.

(式(1)中、Rは4価の有機基、Rは2価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基、Rは水素原子又は下記式(2)〜(5)で表わされる有機基よりなる群から選択される少なくとも1種の有機基であり、Rのうち少なくとも一部は有機基である。複数あるR、R、R、Rはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。) (In the formula (1), R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, R 3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 4 is a hydrogen atom or the following formulas (2) to ( 5) is at least one organic group selected from the group consisting of organic groups, and at least a part of R 4 is an organic group, and a plurality of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are Each may be the same or different.)

(式(2)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。) (In Formula (2), R 5 is a tetravalent organic group, and R 6 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

(式(3)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。複数あるRは同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (3), R 7 is a tetravalent organic group, R 8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 8s may be the same or different.)

(式(4)中、Rは4価の有機基、R10及びR11は水素原子又は1価の有機基である。複数あるR10は同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (4), R 9 is a tetravalent organic group, R 10 and R 11 are a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 10s may be the same or different.)

(式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子、Zは−R12又は−OR13であり、R12及びR13は1価の有機基である。) (In formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, Z is —R 12 or —OR 13 , and R 12 and R 13 are monovalent organic groups.)

本発明の感光性樹脂組成物は、露光後加熱が必要なネガ型感光性樹脂組成物である。このような感光性樹脂組成物は、露光部において、露光により発生する化学種を用いて熱反応により硬化を促進し不溶化するものである。
本発明の感光性樹脂組成物は、露光により触媒として作用する化学種を発生させる光塩基発生剤と、当該化学種の存在下での加熱によってイミド化反応が促進されるポリイミド前駆体が少なくとも含まれている。
The photosensitive resin composition of the present invention is a negative photosensitive resin composition that requires post-exposure heating. Such a photosensitive resin composition promotes curing and insolubilizes by a thermal reaction using chemical species generated by exposure in an exposed portion.
The photosensitive resin composition of the present invention includes at least a photobase generator that generates a chemical species that acts as a catalyst upon exposure, and a polyimide precursor that promotes an imidization reaction by heating in the presence of the chemical species. It is.

本発明のポリイミド前駆体は、イミド化により塩基性水溶液などの現像液への溶解速度が低下する。露光部では、光塩基発生剤から塩基が発生し、これがポリイミド前駆体のイミド化を促進する触媒となり、露光部と未露光部のポリイミド前駆体のイミド化率に差が生じる。
ポリイミド前駆体のイミド化率の差によって、露光部の現像液に対する溶解速度が未露光部の溶解速度よりも小さくなり、現像工程によってパターンが形成される。
The polyimide precursor of the present invention has a lower dissolution rate in a developing solution such as a basic aqueous solution due to imidization. In the exposed area, a base is generated from the photobase generator, which becomes a catalyst for promoting imidization of the polyimide precursor, and a difference occurs in the imidation ratio between the exposed and unexposed areas of the polyimide precursor.
Due to the difference in the imidization ratio of the polyimide precursor, the dissolution rate of the exposed portion with respect to the developer becomes lower than the dissolution rate of the unexposed portion, and a pattern is formed by the developing process.

本発明において、上記式(1)で表される構造を含むポリイミド前駆体として、末端の少なくとも一部が有機基であるものを用いることにより、現像時間が短縮できるという効果を発揮する作用としては、未解明であるが以下のように推測される。
図1に示されたポリイミド前駆体の模式図のように、ポリイミド前駆体分子中には、複数のカルボキシル基が存在する。上記式(1)のRが水素原子である場合、末端はアミノ基となる。乾燥後の塗膜中では、図2において模式的に示されるように、当該カルボキシル基と末端のアミノ基の多くは、互いに相互作用し塩を形成していると考えられる。そのため、ポリイミド前駆体の分子鎖の両末端にアミノ基を有する場合、そのアミノ基が異なる分子鎖のカルボキシル基と相互作用すると、分子鎖を擬似的に架橋するように機能する。その結果、擬似的に分子量が無限大となりポリイミド前駆体がゲル(架橋体)のように振る舞い、現像液への溶解速度が遅くなるものと考えられる。
一方、上記式(1)のRの少なくとも一部が有機基である場合、上記弱い結合状態にあるポリイミド前駆体の数は減少する。その結果、現像液への溶解性が向上するため、現像時間を短縮することができる。ポリイミド前駆体の末端のアミノ基の数が減れば減るほど、見かけの分子量が減少し現像液への溶解速度が速くなる。特に、少なくとも分子鎖の片側の末端が全てアミノ基ではなくなった場合には、2本の異なる分子鎖間を他の分子が架橋することがなくなるので、現像速度が速くなる。
以下、本発明の感光性樹脂組成物を構成する成分について説明する。
In the present invention, as a polyimide precursor including the structure represented by the above formula (1), the use of the one having at least a part of the terminal as an organic group can exhibit an effect of shortening the development time. Although it is unclear, it is presumed as follows.
As shown in the schematic diagram of the polyimide precursor shown in FIG. 1, a plurality of carboxyl groups exist in the polyimide precursor molecule. When R 4 in the above formula (1) is a hydrogen atom, the terminal is an amino group. In the coating film after drying, as schematically shown in FIG. 2, it is considered that most of the carboxyl group and the terminal amino group interact with each other to form a salt. For this reason, when amino groups are present at both ends of the molecular chain of the polyimide precursor, when the amino group interacts with a carboxyl group of a different molecular chain, the molecular chain functions in a pseudo-crosslinking manner. As a result, it is considered that the molecular weight becomes pseudo infinite, the polyimide precursor behaves like a gel (crosslinked body), and the dissolution rate in the developing solution becomes slow.
On the other hand, when at least a part of R 4 in the formula (1) is an organic group, the number of polyimide precursors in the weakly bonded state decreases. As a result, the solubility in the developer is improved, so that the development time can be shortened. As the number of terminal amino groups of the polyimide precursor decreases, the apparent molecular weight decreases and the dissolution rate in the developer increases. In particular, when at least one end of one side of the molecular chain is not an amino group, other molecules do not cross-link between two different molecular chains, so that the development speed is increased.
Hereinafter, the component which comprises the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated.

1−1.ポリイミド前駆体
本発明に用いられるポリイミド前駆体は、下記式(1)で表される構造を有する。
1-1. Polyimide precursor The polyimide precursor used for this invention has a structure represented by following formula (1).

(式(1)中、Rは4価の有機基、Rは2価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基、Rは水素原子又は下記式(2)〜(5)で表わされる有機基よりなる群から選択される少なくとも1種の有機基であり、Rのうち少なくとも一部は有機基である。複数あるR、R、R、Rはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。) (In the formula (1), R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, R 3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 4 is a hydrogen atom or the following formulas (2) to ( 5) is at least one organic group selected from the group consisting of organic groups, and at least a part of R 4 is an organic group, and a plurality of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are Each may be the same or different.)

(式(2)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。) (In Formula (2), R 5 is a tetravalent organic group, and R 6 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

(式(3)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。複数あるRは同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (3), R 7 is a tetravalent organic group, R 8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 8s may be the same or different.)

(式(4)中、Rは4価の有機基、R10及びR11は水素原子又は1価の有機基である。複数あるR10は同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (4), R 9 is a tetravalent organic group, R 10 and R 11 are a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 10s may be the same or different.)

(式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子、Zは−R12又は−OR13であり、R12及びR13は1価の有機基である。) (In formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, Z is —R 12 or —OR 13 , and R 12 and R 13 are monovalent organic groups.)

が1価の有機基である場合としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、及び、これらにエーテル結合を含有したC2nOC2m+1などで表される構造等を挙げることができる。 Examples of the case where R 3 is a monovalent organic group include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, and C n H 2n OC m H 2m + 1 containing an ether bond therein. The structure etc. can be mentioned.

ポリイミド前駆体としては、少なくともひとつはカルボキシル基を有することが、アルカリ現像液に対する溶解性が高まる点から好ましい。中でも、式(1)においてRのうち、30モル%以上が水素原子であることが好ましく、50モル%以上であることがより好ましく、90モル%以上であることがさらに好ましく、実質的にRのすべてが水素原子であるようなポリアミック酸が、アルカリ現像性の点からもっとも好適に用いられる。また、Rが有機基の場合、ポリアミド酸に比べ、一般にイミド化に要する温度が高くなる傾向にあることから、露光後加熱の温度を低く出来ることからプロセスへの負荷を低減できることからも好ましい。 As a polyimide precursor, it is preferable that at least one has a carboxyl group from the viewpoint of increasing the solubility in an alkali developer. Among them, in Formula (1), among R 3 , 30 mol% or more is preferably a hydrogen atom, more preferably 50 mol% or more, still more preferably 90 mol% or more, and substantially A polyamic acid in which all of R 3 are hydrogen atoms is most preferably used from the viewpoint of alkali developability. In addition, when R 4 is an organic group, the temperature required for imidization generally tends to be higher than that of polyamic acid, which is preferable because the temperature of post-exposure heating can be lowered and the load on the process can be reduced. .

上記式(1)において、一般に、Rはテトラカルボン酸、またはテトラカルボン酸二無水物由来の構造であり、Rはジアミン由来の構造である。 In the above formula (1), generally, R 1 is a structure derived from tetracarboxylic acid or tetracarboxylic dianhydride, and R 2 is a structure derived from diamine.

本発明に用いられるポリイミド前駆体を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができ、特に限定されず、例えば、酸二無水物とジアミンからポリアミック酸を合成する手法がある。この方法において、酸二無水物とジアミンはおおよそ等モル量で反応するが、分子量や粘度を制御する観点から、酸二無水物又はジアミンのいずれかを過剰に加える。酸二無水物を過剰に加えた場合、末端は酸無水物となる(例えば、上記式(2)の構造)。一方ジアミンを過剰に加えた場合、末端はアミンとなる(例えば−NH)。 As a method for producing the polyimide precursor used in the present invention, a conventionally known method can be applied and is not particularly limited. For example, there is a method of synthesizing a polyamic acid from an acid dianhydride and a diamine. In this method, the acid dianhydride and the diamine react in approximately equimolar amounts, but either the acid dianhydride or the diamine is added in excess from the viewpoint of controlling the molecular weight and viscosity. When acid dianhydride is added excessively, the terminal becomes an acid anhydride (for example, the structure of the above formula (2)). On the other hand, when diamine is added excessively, the terminal becomes an amine (for example, —NH 2 ).

本発明において上記ポリイミド前駆体に適用可能なテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物;ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ビス〔(3,4−ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、1,4−ビス〔(3,4−ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、2,2−ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、2,2−ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、4,4’−ビス〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニル二無水物、4,4’−ビス〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルフィド二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルフィド二無水物、2,2−ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(2,3−又は3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ピリジンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタル酸無水物、m−ターフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、p−ターフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、9,9−ビス−(トリフルオロメチル)キサンテンテトラカルボン酸二無水物、9−フェニル−9−(トリフルオロメチル)キサンテンテトラカルボン酸二無水物、12,14−ジフェニル−12,14−ビス(トリフルオロメチル)−12H,14H−5,7−ジオキサペンタセン−2,3,9,10−テトラカルボン酸二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシトリフルオロフェノキシ)テトラフルオロベンゼン二無水物、1,4−ビス(トリフルオロメチル)−2,3,5,6−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、1−(トリフルオロメチル)−2,3,5,6−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物,p−フェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物、p−ビフェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは2種以上混合して用いられる。   Examples of tetracarboxylic dianhydrides applicable to the polyimide precursor in the present invention include, for example, ethylene tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic dianhydride, methylcyclobutane tetracarboxylic Aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as acid dianhydrides and cyclopentanetetracarboxylic dianhydrides; pyromellitic dianhydrides, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydrides, 2 , 2 ′, 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3 ′, 3,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride Anhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarbonate Boronic acid dianhydride, 2,2 ′, 6,6′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2 , 3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2, 3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 2,2-bis (3,4 -Dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3 3-hexafluoropropane Water, 1,3-bis [(3,4-dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 1,4-bis [(3,4-dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 2,2-bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride, 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride Bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, 4 , 4′-bis [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, 4,4′-bis [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, bis {4 -[4- (1,2-dicarboxy) Phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] Phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} Sulfide dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride, 2,2-bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] Phenyl} -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} -1,1, 1,3,3,3-F Safluoropropane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3- or 3 , 4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3 4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8 -Phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, pyridinetetracarboxylic dianhydride, sulfonyldiphthalic anhydride, m-terphenyl-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, p-terphenyl −3, 3 ′, , 4′-tetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis- (trifluoromethyl) xanthenetetracarboxylic dianhydride, 9-phenyl-9- (trifluoromethyl) xanthenetetracarboxylic dianhydride, 12 , 14-diphenyl-12,14-bis (trifluoromethyl) -12H, 14H-5,7-dioxapentacene-2,3,9,10-tetracarboxylic dianhydride, 1,4-bis (3 , 4-Dicarboxytrifluorophenoxy) tetrafluorobenzene dianhydride, 1,4-bis (trifluoromethyl) -2,3,5,6-benzenetetracarboxylic dianhydride, 1- (trifluoromethyl) -2,3,5,6-benzenetetracarboxylic dianhydride, p-phenylenebistrimellitic acid monoester dianhydride, p-biphenylene vist Aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as limellitic acid monoester dianhydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

一方、上記ポリイミド前駆体に適用可能なジアミン成分も、1種類のジアミン単独で、または2種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,1−ジ(3−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ジ(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1−(3−アミノフェニル)−1−(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾニトリル、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ピリジン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、6,6’−ビス(3−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン、6,6’−ビス(4−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダンのような芳香族アミン;1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノブチル)ポリジメチルシロキサン、ビス(アミノメチル)エーテル、ビス(2−アミノエチル)エーテル、ビス(3−アミノプロピル)エーテル、ビス(2−アミノメトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(2−アミノエトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(3−アミノプロトキシ)エチル]エーテル、1,2−ビス(アミノメトキシ)エタン、1,2−ビス(2−アミノエトキシ)エタン、1,2−ビス[2−(アミノメトキシ)エトキシ]エタン、1,2−ビス[2−(2−アミノエトキシ)エトキシ]エタン、エチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、ジエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカンのような脂肪族アミン;1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,2−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,3−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,4−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロへキシル)メタン、2,6−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2,5−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタンのような脂環式ジアミンなどが挙げられる。グアナミン類としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどを挙げることができ、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。
さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン−4’−イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか1種又は2種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。
On the other hand, a diamine component applicable to the polyimide precursor can be used alone or in combination of two or more diamines. The diamine component used is p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′- Diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3, , 3′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminobenzophenone, 3,4′-diaminobenzophenone, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2 -Di (3-aminophenyl) Propane, 2,2-di (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2,2-di (3-aminophenyl) -1,1, 1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-di (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2- (3-aminophenyl) -2 -(4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,1-di (3-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,1-di (4-amino) Phenyl) -1-phenylethane, 1- (3-aminophenyl) -1- (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis ( 4-aminophenoxy) benzene, 1, -Bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-aminobenzoyl) benzene, , 4-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis ( 4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene 1,3-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4- Bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 2,6-bis (3-aminophenoxy) benzo Nitrile, 2,6-bis (3-aminophenoxy) pyridine, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3- Aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-Aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4 -(4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [ 4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) benzo L] benzene, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] Benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 4,4′-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] diphenyl ether, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-Amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] diphenylsulfone, 4,4′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] diphenylsulfone, 3,3′-dia Mino-4,4′-diphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4,4′-dibiphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-biphenoxy Benzophenone, 6,6′-bis (3-aminophenoxy) -3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindane, 6,6′-bis (4-aminophenoxy) -3, Aromatic amines such as 3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindane; 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminobutyl) ) Tetramethyldisiloxane, α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane, α, ω-bis (3-aminobutyl) polydimethylsiloxane, bis (aminomethyl) A Bis (2-aminoethyl) ether, bis (3-aminopropyl) ether, bis (2-aminomethoxy) ethyl] ether, bis [2- (2-aminoethoxy) ethyl] ether, bis [2- ( 3-aminoprotoxy) ethyl] ether, 1,2-bis (aminomethoxy) ethane, 1,2-bis (2-aminoethoxy) ethane, 1,2-bis [2- (aminomethoxy) ethoxy] ethane, 1,2-bis [2- (2-aminoethoxy) ethoxy] ethane, ethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, diethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, triethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether , Ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diamino Of 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane Such aliphatic amines; 1,2-diaminocyclohexane, 1,3-diaminocyclohexane, 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,3-di (2-aminoethyl) ) Cyclohexane, 1,4-di (2-aminoethyl) cyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, 2,6-bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 2,5- And alicyclic diamines such as bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane. Examples of guanamines include acetoguanamine, benzoguanamine, and the like, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of the diamine are fluoro group, methyl group, methoxy group, trifluoromethyl group, or trifluoromethoxy group. Diamines substituted with substituents selected from the group can also be used.
Furthermore, depending on the purpose, any one or two or more of the ethynyl group, benzocyclobuten-4′-yl group, vinyl group, allyl group, cyano group, isocyanate group, and isopropenyl group serving as a crosslinking point, Even if it introduce | transduces into some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of diamine as a substituent, it can be used.

耐熱性や薄膜での絶縁性に優れ、また、5%重量減少温度が高くなり、アウトガスが低減される点から、ポリイミド前駆体としては、酸二無水物由来の部分もジアミン由来の部分も芳香族構造を含むことが望ましい。特に、酸二無水物由来の部分およびジアミン由来の部分のすべてが芳香族構造を含む全芳香族ポリイミドもしくは全芳香族ポリイミド前駆体であることが好ましい。   The polyimide precursors are both aromatic and diamine-derived because they are excellent in heat resistance and insulation in thin films, and have a 5% weight loss temperature increase and outgas reduction. It is desirable to include a group structure. In particular, it is preferable that all of the part derived from the acid dianhydride and the part derived from the diamine are a wholly aromatic polyimide or a wholly aromatic polyimide precursor containing an aromatic structure.

ここで、全芳香族ポリイミド前駆体とは、芳香族酸成分と芳香族アミン成分の共重合、又は、芳香族酸/アミノ成分の重合により得られるポリイミド前駆体及びその誘導体である。また、芳香族酸成分とは、ポリイミド骨格を形成する4つの酸基が全て芳香族環上に置換している化合物であり、芳香族アミン成分とは、ポリイミド骨格を形成する2つのアミノ基が両方とも芳香族環上に置換している化合物であり、芳香族酸/アミノ成分とはポリイミド骨格を形成する酸基とアミノ基がいずれも芳香族環上に置換している化合物である。ただし、前述した原料の芳香族酸二無水物および芳香族ジアミンの具体例から明らかなように、全ての酸基又はアミノ基が同じ芳香環上に存在する必要はない。
以上の理由から、ポリイミド前駆体は、最終的に得られるポリイミド樹脂に耐熱性及び寸法安定性を求める場合には、芳香族酸成分及び/又は芳香族アミン成分の共重合割合ができるだけ大きいことが好ましい。具体的には、イミド構造の繰り返し単位を構成する酸成分に占める芳香族酸成分の割合が50モル%以上、特に70モル%以上であることが好ましく、イミド構造の繰り返し単位を構成するアミン成分に占める芳香族アミン成分の割合が40モル%以上、特に60モル%以上であることが好ましく、全芳香族ポリイミドもしくは全芳香族ポリイミド前駆体であることが好ましい。
Here, the wholly aromatic polyimide precursor is a polyimide precursor obtained by copolymerization of an aromatic acid component and an aromatic amine component, or polymerization of an aromatic acid / amino component, and a derivative thereof. The aromatic acid component is a compound in which all four acid groups forming the polyimide skeleton are substituted on the aromatic ring, and the aromatic amine component is the two amino groups forming the polyimide skeleton. Both are compounds substituted on the aromatic ring, and the aromatic acid / amino component is a compound in which both the acid group and amino group forming the polyimide skeleton are substituted on the aromatic ring. However, as is clear from the specific examples of the raw material aromatic dianhydride and aromatic diamine, it is not necessary that all acid groups or amino groups exist on the same aromatic ring.
For the above reasons, the polyimide precursor should have a copolymerization ratio of the aromatic acid component and / or aromatic amine component as large as possible when the final polyimide resin is required to have heat resistance and dimensional stability. preferable. Specifically, the proportion of the aromatic acid component in the acid component constituting the repeating unit of the imide structure is preferably 50 mol% or more, particularly preferably 70 mol% or more, and the amine component constituting the repeating unit of the imide structure The proportion of the aromatic amine component in the total is preferably 40 mol% or more, particularly preferably 60 mol% or more, and is preferably a wholly aromatic polyimide or a wholly aromatic polyimide precursor.

本発明においては、上記式(1)で表される構造を有するポリイミド前駆体におけるRのうち33モル%以上が、下記式(10)で表わされるいずれかの構造であることが好ましい。この場合、耐熱性に優れ、低線熱膨張係数を示すポリイミド樹脂となる。下記式で表わされる構造の含有量は上記式(1)中のRのうち100モル%に近ければ近いほど好ましいが、中でも、上記式で表わされる構造の含有量は上記式(1)中のRのうち50モル%以上であることが好ましく、さらに70モル%以上であることが好ましい。 In the present invention, it is preferable that 33 mol% or more of R 1 in the polyimide precursor having the structure represented by the above formula (1) is any structure represented by the following formula (10). In this case, the polyimide resin is excellent in heat resistance and exhibits a low linear thermal expansion coefficient. The content of the structure represented by the following formula is preferably closer to 100 mol% of R 1 in the above formula (1), but among them, the content of the structure represented by the above formula is in the above formula (1). It is preferable that it is 50 mol% or more among R < 1 > of this, and it is more preferable that it is 70 mol% or more.

(式(10)中、aは0または1以上の自然数、Aは単結合(ビフェニル構造)、酸素原子(エーテル結合)、エステル結合のいずれかであり、全てが同じであっても、各々異なっていてもよい。結合基は、芳香環の結合部位から見て、芳香環の2,3位もしくは3,4位に結合する。) (In the formula (10), a is a natural number of 0 or 1 or more, A is a single bond (biphenyl structure), an oxygen atom (ether bond), or an ester bond. The linking group is bonded to the 2, 3 or 3, 4 position of the aromatic ring as viewed from the bonding site of the aromatic ring.)

上記式(1)中のRを上記式(10)で表されるいずれかの構造とするために用いられる酸二無水物としては、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、p−フェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物、p−ビフェニレンビストリメリット酸モノエステル酸二無水物などが挙げられる。これらは、吸湿膨張係数を低減させる観点ならびに、ジアミンの選択性を広げる観点から好ましい。 The acid dianhydride used to make R 1 in the above formula (1) any one of the structures represented by the above formula (10) includes 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid. Dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) Examples include ether dianhydride, p-phenylenebistrimellitic acid monoester dianhydride, p-biphenylenebistrimellitic acid monoester dianhydride, and the like. These are preferable from the viewpoint of reducing the hygroscopic expansion coefficient and from the viewpoint of expanding the selectivity of the diamine.

併用するテトラカルボン酸二無水物として、フッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。フッ素が導入されたテトラカルボン酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の吸湿膨張係数が低下する。少なくとも1つのフッ素原子を有するテトラカルボン酸二無水物としては、中でも、フルオロ基、トリフルオロメチル基、またはトリフルオロメトキシ基を有することが好ましい。具体的には、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物などが挙げられる。しかしながら、ポリイミド前駆体がフッ素を含んだ骨格を有する場合、ポリイミド前駆体が、塩基性水溶液に溶解しづらい傾向にあるため、パターニングを行う際には、アルコール等の有機溶媒と塩基性水溶液との混合溶液によって現像を行う必要がある場合がある。後述のジアミン成分としてフッ素を含んだ骨格を含む場合も同様である。   As the tetracarboxylic dianhydride used in combination, a tetracarboxylic dianhydride having a fluorine atom can be used. When tetracarboxylic dianhydride into which fluorine is introduced is used, the hygroscopic expansion coefficient of the finally obtained polyimide resin is lowered. The tetracarboxylic dianhydride having at least one fluorine atom preferably has a fluoro group, a trifluoromethyl group, or a trifluoromethoxy group. Specific examples include 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride. However, when the polyimide precursor has a skeleton containing fluorine, the polyimide precursor tends to be difficult to dissolve in a basic aqueous solution. Therefore, when performing patterning, an organic solvent such as alcohol and a basic aqueous solution are used. It may be necessary to develop with a mixed solution. The same applies to the case where a skeleton containing fluorine is included as a diamine component described later.

また、上記ポリイミド前駆体において上記式(1)中のRのうち33モル%以上が下記式(11)で表わされるいずれかの構造であることが好ましい。この場合、耐熱性に優れ、低線熱膨張および低吸湿膨張を示すポリイミド樹脂となる。下記式(11)で表わされる構造の含有量は上記式(1)中のRのうち100モル%に近ければ近いほど好ましいが、中でも、上記式で表わされる構造の含有量は上記式(1)中のRのうち50モル%以上であることが好ましく、さらに70モル%以上であることが好ましい。 Moreover, in the said polyimide precursor, it is preferable that 33 mol% or more among R < 2 > in said Formula (1) is one of the structures represented by following formula (11). In this case, the polyimide resin is excellent in heat resistance and exhibits low linear thermal expansion and low hygroscopic expansion. The content of the structure represented by the following formula (11) is preferably as close as possible to 100 mol% of R 2 in the above formula (1), but among them, the content of the structure represented by the above formula is preferably the above formula ( preferably 1) is 50 mol% or more of R 2 a, is preferably more than 70 mol%.

(式(11)中、R27は2価の有機基、酸素原子、硫黄原子、またはスルホン基である。また、芳香環上の水素原子の一部若しくは全てをハロゲン原子、アルキル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、またはトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換されていてもよい。) (In the formula (11), R 27 is a divalent organic group, oxygen atom, sulfur atom, or sulfone group. In addition, a part or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring may be halogen atoms, alkyl groups, or methoxy groups. , May be substituted with a substituent selected from a trifluoromethyl group or a trifluoromethoxy group.)

上記式(1)中のRを上記式(11)で表されるいずれかの構造とするために用いられるジアミンとしては、具体的には、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、1,4−ジアミノナフタレン、1,5−ジアミノナフタレン、2、6−ジアミノナフタレン、2,7−ジアミノナフタレン、1,4−ジアミノアントラセン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル等が挙げられる。
2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニルのように、芳香環の置換基としてフッ素を導入すると、上記ポリイミド樹脂の吸湿膨張係数を低減させることができ、好ましい。
Specific examples of the diamine used to make R 2 in the above formula (1) any one of the structures represented by the above formula (11) include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 1, 4-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,7-diaminonaphthalene, 1,4-diaminoanthracene, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2, 2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dichloro-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3, 3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl and the like can be mentioned.
Introducing fluorine as a substituent of the aromatic ring as in 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl is preferable because the hygroscopic expansion coefficient of the polyimide resin can be reduced.

本発明に用いられるポリイミド前駆体は、上記感光性ポリイミド樹脂組成物とした際の感度を高め、マスクパターンを正確に再現するパターン形状を得るために、1μmの膜厚のときに、露光波長に対して少なくとも5%以上の透過率を示すことが好ましく、15%以上の透過率を示すことが更に好ましい。   The polyimide precursor used in the present invention has an exposure wavelength when the film thickness is 1 μm in order to increase the sensitivity when the photosensitive polyimide resin composition is used and to obtain a pattern shape that accurately reproduces the mask pattern. On the other hand, it is preferable that the transmittance is at least 5% or more, and it is more preferable that the transmittance is 15% or more.

また、一般的な露光光源である高圧水銀灯を用いて露光を行う場合には、少なくとも436nm、405nm、365nmの波長の電磁波のうち1つの波長の電磁波に対する透過率が、厚み1μmのフィルムに成膜した時で好ましくは5%以上、更に好ましくは15%、より更に好ましくは50%以上である。
露光波長に対してポリイミド前駆体の透過率が高いということは、それだけ、光のロスが少ないということであり、高感度の感光性ポリイミド樹脂組成物を得ることができる。
In addition, when exposure is performed using a high-pressure mercury lamp, which is a general exposure light source, a transmittance with respect to an electromagnetic wave having a wavelength of at least 436 nm, 405 nm, and 365 nm is formed on a film having a thickness of 1 μm. Is preferably 5% or more, more preferably 15%, and still more preferably 50% or more.
The high transmittance of the polyimide precursor with respect to the exposure wavelength means that the loss of light is small, and a highly sensitive photosensitive polyimide resin composition can be obtained.

ポリイミド前駆体として、透過率を上げるためには、上述したような、フッ素が導入された酸二無水物やジアミンを用いることが、耐熱性を維持しつつ、吸湿膨張も低減することが可能である点から好ましい。透過率を上げるために脂環骨格を有する酸二無水物やジアミンを用いても良いが、耐熱性が低下する恐れがある。   In order to increase the transmittance as the polyimide precursor, it is possible to reduce hygroscopic expansion while maintaining heat resistance by using an acid dianhydride or diamine introduced with fluorine as described above. It is preferable from a certain point. In order to increase the transmittance, acid dianhydride or diamine having an alicyclic skeleton may be used, but heat resistance may be lowered.

一方、ジアミンや酸二無水物として、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンや酸二無水物を用いると、基板との密着性を改善したり、上記ポリイミド樹脂の弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させたりすることができる。   On the other hand, when a diamine or acid dianhydride having a siloxane skeleton such as 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane is used as the diamine or acid dianhydride, the adhesion to the substrate can be improved. The elastic modulus of the polyimide resin can be lowered, and the glass transition temperature can be lowered.

次に、本発明に用いられるポリイミド前駆体の末端について説明する。
本発明に用いられるポリイミド前駆体の末端のうち少なくとも一部は下記式(2)〜(5)で表わされる有機基である。中でも、下記式(5)で表わされる末端有機基の場合、露光後加熱の際に、アミノ基が生成し未露光部の現像速度が低下するため、150℃より低い温度の加熱によって封止基が分解しアミノ基に変化しないものが好ましい。なお、加熱によって封止基が分解するかどうかは、以下の方法で確認することができる。例えば、封止基が導入された樹脂を、150℃で加熱後、当該樹脂を直接、熱分解ガスクロマトグラフ(PGC)や赤外スペクトルあるいはH−NMRスペクトル、13C−NMRスペクトル測定することによって、封止基が分解しているかどうかを確認することができる。その他に、封止基が導入された樹脂を酸性溶液に溶解し、樹脂の構成単位であるアミン成分と酸無水物成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー(GC)や、NMR測定することによっても、封止基が分解しているかどうかを確認することができる。
Next, the terminal of the polyimide precursor used for this invention is demonstrated.
At least a part of the terminals of the polyimide precursor used in the present invention is an organic group represented by the following formulas (2) to (5). In particular, in the case of a terminal organic group represented by the following formula (5), an amino group is generated during post-exposure heating, and the development rate of the unexposed portion is decreased. Are preferably those that do not decompose into amino groups. Whether the sealing group is decomposed by heating can be confirmed by the following method. For example, after heating a resin having a sealing group introduced at 150 ° C., the resin is directly measured by pyrolysis gas chromatograph (PGC), infrared spectrum, 1 H-NMR spectrum, or 13 C-NMR spectrum. Whether or not the sealing group is decomposed can be confirmed. In addition, by dissolving the resin into which the sealing group is introduced in an acidic solution, it is decomposed into an amine component and an acid anhydride component which are the structural units of the resin, and this is analyzed by gas chromatography (GC) or NMR measurement. Also, it can be confirmed whether or not the sealing group is decomposed.

(式(2)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。) (In Formula (2), R 5 is a tetravalent organic group, and R 6 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

(式(3)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。複数あるRは同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (3), R 7 is a tetravalent organic group, R 8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 8s may be the same or different.)

(式(4)中、Rは4価の有機基、R10及びR11は水素原子又は1価の有機基である。複数あるR10は同一でも異なっていてもよい。) (In Formula (4), R 9 is a tetravalent organic group, R 10 and R 11 are a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 10s may be the same or different.)

(式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子、Zは−R12又は−OR13であり、R12及びR13は1価の有機基である。) (In formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, Z is —R 12 or —OR 13 , and R 12 and R 13 are monovalent organic groups.)

、R及びRは、4価の有機基であり、通常は前記Rと同様のテトラカルボン酸またはテトラカルボン酸二無水物由来の構造である。テトラカルボン酸二無水物としては、上記ポリイミド前駆体に適用可能なテトラカルボン酸二無水物として挙げられたものと同様のものとすることができる。テトラカルボン酸としては、上記ポリイミド前駆体に適用可能なテトラカルボン酸二無水物として挙げられたテトラカルボン酸二無水物の酸無水物基を加水分解しカルボキシル基としたものが挙げられる。 R 5 , R 7 and R 9 are tetravalent organic groups, and usually have a structure derived from the same tetracarboxylic acid or tetracarboxylic dianhydride as R 1 . The tetracarboxylic dianhydride may be the same as those listed as the tetracarboxylic dianhydride applicable to the polyimide precursor. Examples of the tetracarboxylic acid include those obtained by hydrolyzing the acid anhydride group of the tetracarboxylic dianhydride cited as the tetracarboxylic dianhydride applicable to the polyimide precursor to form a carboxyl group.

、R及びR10は、水素原子又は1価の有機基であり、1価の有機基としては、例えば前記Rとして挙げられたものと同様のものとすることができる。
塩基性水溶液に対する溶解性が高まる点から、R、R及びR10は水素原子であることが好ましい。
R 6 , R 8 and R 10 are a hydrogen atom or a monovalent organic group, and the monovalent organic group may be the same as those exemplified as R 3 , for example.
R 6 , R 8 and R 10 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of increasing solubility in a basic aqueous solution.

11は水素原子又は1価の有機基であり、1価の有機基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、及び、これらにエーテル結合を含有したC2nOC2m+1などで表される構造等を挙げることができる。 R 11 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. Examples of the monovalent organic group include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, and C n H 2n OC containing an ether bond therein. A structure represented by m H 2m + 1 and the like can be given.

上記式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子であり、XとYの原子の組み合わせとしては、−C(=O)−、−C(=S)−、−P(=O)−、−S(=O)−等が挙げられる。中でもXを炭素原子、Yを酸素原子とする組み合わせが末端封止剤の入手が容易であり、かつ、取扱いが容易である点から好ましい。 In the above formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, and combinations of X and Y atoms are -C (= O)-, -C (= S)- , -P (= O)-, -S (= O)-, and the like. Among these, a combination in which X is a carbon atom and Y is an oxygen atom is preferable from the viewpoint of easy availability of the end-capping agent and easy handling.

12及びR13は1価の有機基であり、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、及び、これらにエーテル結合を含有したC2nOC2m+1などで表される構造等を挙げることができる。 R 12 and R 13 are monovalent organic groups, and are represented by, for example, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, and C n H 2n OC m H 2m + 1 containing an ether bond therein. The structure etc. can be mentioned.

上記式(5)は、中でも、下記式(6)で表わされる有機基であることが、ポリイミド前駆体のイミド化時に、封止基も同時にイミド化されることから、最終的にポリイミドとなった場合に、耐熱性が高く、吸湿性が低くなる点から好ましい。   The above formula (5) is, among other things, an organic group represented by the following formula (6). When the polyimide precursor is imidized, the sealing group is also imidized at the same time. In the case of high heat resistance and low hygroscopicity.

(式(6)中、R14は下記式(6−1)〜(6−5)で表わされる有機基よりなる群から選択される有機基、R15は水素原子又は1価の有機基である。) (In the formula (6), R 14 is an organic group selected from the group consisting of organic groups represented by the following formulas (6-1) to (6-5), and R 15 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. is there.)

(式(6−1)〜(6−5)中、Aは、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Aは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。−COORは式(6)中の−COOR15に対応する。) (In the formulas (6-1) to (6-5), A each independently represents a hydrogen atom or an organic group, which may be the same or different. (It may be bonded to form a cyclic structure and may contain a heteroatom bond. -COOR corresponds to -COOR 15 in formula (6).)

上記式(6)の末端を形成する化合物としては好ましくは、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物のような隣接した2つの炭素骨格を持つ2価の有機基由来のものが挙げられる。   The compound forming the terminal of the above formula (6) is preferably a divalent having two adjacent carbon skeletons such as phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic anhydride, and cyclohexanedicarboxylic anhydride. The thing derived from an organic group is mentioned.

14及びR15の更に有してもよい置換基としては特に限定されないが、例えば炭素数1〜5の炭化水素基、ハロゲン原子、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられ、2重結合、3重結合を有していてもよい。 It is not particularly restricted but includes further may have a substituent R 14 and R 15, such as a hydrocarbon group of 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group and the like, double bonds You may have a triple bond.

本発明に用いられるポリイミド前駆体の末端の形成方法は特に限定されず公知の方法を用いることができる。例えば前記酸二無水物とジアミンから合成する手法において、酸二無水物をジアミンに対して過剰に加えた場合、すなわちジアミン100モルに対し酸二無水物を100〜125モル、好ましくは100.01〜120モル、より好ましくは100.1〜115モル加えた場合、本発明に好適な特性を示す酸無水物末端ポリイミド前駆体となる。そのポリイミド前駆体の末端は、70%以上が上記式(2)又は上記式(3)で表わされる基となれば好ましいが、90%以上であればより好ましい。さらに、当該末端を公知の方法によりモノアミンで封止することにより末端は上記式(4)で表わされる基となる。ポリイミドとした際の耐熱性向上、及び吸湿性低減の観点から末端は上記式(4)で表わされる基であることが好ましい。   The formation method of the terminal of the polyimide precursor used for this invention is not specifically limited, A well-known method can be used. For example, in the method of synthesizing from the acid dianhydride and the diamine, when the acid dianhydride is excessively added to the diamine, that is, the acid dianhydride is 100 to 125 mol, preferably 100.01 mol per 100 mol of the diamine. When added to ˜120 mol, more preferably 100.1 to 115 mol, an acid anhydride-terminated polyimide precursor exhibiting properties suitable for the present invention is obtained. The end of the polyimide precursor is preferably 70% or more if it is a group represented by the above formula (2) or (3), but more preferably 90% or more. Furthermore, the terminal becomes a group represented by the above formula (4) by sealing the terminal with monoamine by a known method. From the viewpoint of improving heat resistance and reducing hygroscopicity when polyimide is used, the terminal is preferably a group represented by the above formula (4).

末端封止剤として用いられるモノアミンとしては、5−アミノ−8−ヒドロキシキノリン、1−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−ヒドロキシ−4−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−7−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−6−アミノナフタレン、2−ヒドロキシ−5−アミノナフタレン、1−カルボキシ−7−アミノナフタレン、1−カルボキシ−6−アミノナフタレン、1−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−カルボキシ−7−アミノナフタレン、2−カルボキシ−6−アミノナフタレン、2−カルボキシ−5−アミノナフタレン、2−アミノ安息香酸、3−アミノ安息香酸、4−アミノ安息香酸、4−アミノサリチル酸、5−アミノサリチル酸、6−アミノサリチル酸、2−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノベンゼンスルホン酸、4−アミノベンゼンスルホン酸、3−アミノ−4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、4−アミノフェノール、2−アミノチオフェノール、3−アミノチオフェノール、4−アミノチオフェノールなどが好ましい。これらを2種以上混合し用いてもよい。 Monoamines used as end capping agents include 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy. -4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4 -Aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5-amino Salicylic acid, 6-aminosalicylic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4,6-dihydroxypyrimidine, 2-aminophenol, 3-aminophenol, 4 -Aminophenol, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol and the like are preferable. Two or more of these may be mixed and used.

一方、前記酸二無水物とジアミンから合成する手法において、ジアミンを酸二無水物に対して過剰に加えた場合、すなわち酸二無水物100モルに対しジアミンを100〜125モル、好ましくは100.01〜120モル、より好ましくは100.1〜115モル加えた場合、本発明に好適な特性を示すアミン末端ポリイミド前駆体となる。そのポリイミド前駆体の末端は、70%以上がアミノ基となれば好ましいが、90%以上であればより好ましい。
当該アミン末端を末端封止剤で封止することにより、末端は上記式(5)で表わされる基となる。
On the other hand, in the method of synthesizing from the acid dianhydride and the diamine, when diamine is added excessively with respect to the acid dianhydride, that is, 100 to 125 mol, preferably 100. When added in an amount of 01 to 120 mol, more preferably 100.1 to 115 mol, an amine-terminated polyimide precursor exhibiting properties suitable for the present invention is obtained. The end of the polyimide precursor is preferably 70% or more amino groups, but more preferably 90% or more.
By sealing the amine terminal with a terminal blocking agent, the terminal becomes a group represented by the above formula (5).

前記末端封止剤としては例えば、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物が挙げられる。特に酸無水物とした場合、末端は上記式(6)で表わされる基となる点で好ましい。   Examples of the terminal blocking agent include acid anhydrides, monocarboxylic acids, monoacid chloride compounds, and monoactive ester compounds. In particular, when an acid anhydride is used, the terminal is preferable in that it becomes a group represented by the above formula (6).

末端封止剤として好適に用いられる酸無水物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。   Although the specific example of the acid anhydride used suitably as a terminal blocker is shown below, it is not limited to these.

前記アミン末端は少なくとも一部が封止されていればよく、すなわち前記式(1)中のRの少なくとも一部が有機基であれば疑似的な架橋が減少し現像液への溶解性が向上する。中でもRのうち、50%以上が、有機基であることが、現像時間をさらに短縮できる点から好ましく、70%以上であることがより好ましい。さらにRのうち、50%以上が前記式(6)で表わされる有機基であることが、露光部と未露光部の溶解速度比をさらに大きくできる点からより好ましく、70%以上であることがより好ましい。Rのうち、50%以上が有機基である場合には、ポリイミド前駆体の2つの末端が共にアミノ基であるものの割合が著しく減少するものと考えられる。その結果、図2に示されるような、2つのポリイミド前駆体を架橋するようにカルボキシル基と相互作用するポリイミド前駆体分子が減少するため、現像液への溶解性が向上し、現像速度が速くなるものと推測される。 It is sufficient that at least a part of the amine terminal is sealed, that is, if at least a part of R 4 in the formula (1) is an organic group, pseudo-crosslinking is reduced and the solubility in a developer is reduced. improves. Among them, 50% or more of R 4 is preferably an organic group from the viewpoint of further shortening the development time, and more preferably 70% or more. Further, it is more preferable that 50% or more of the R 4 is an organic group represented by the formula (6) from the viewpoint that the dissolution rate ratio between the exposed area and the unexposed area can be further increased, and it is 70% or more. Is more preferable. In the case where 50% or more of R 4 is an organic group, it is considered that the ratio of those in which both ends of the polyimide precursor are both amino groups is remarkably reduced. As a result, as shown in FIG. 2, the number of polyimide precursor molecules that interact with the carboxyl group decreases so as to crosslink two polyimide precursors, so that the solubility in a developer is improved and the development speed is high. Presumed to be.

末端封止の方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、特開昭60−215024号公報に記載の方法が挙げられる。この方法は、まずジアミンの一部を末端封止剤であるモノアミンに置き換えて、または、酸二無水物の一部を末端封止剤である酸無水物などに置き換えて、末端が封止されたポリイミド前駆体を作ることができる。前者の場合末端は式(4)のようになり、後者の場合末端は式(5)のようになる。   The method of terminal sealing is not specifically limited, A well-known method can be used. For example, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-212504 can be mentioned. In this method, first, a part of the diamine is replaced with a monoamine which is a terminal blocking agent, or a part of the acid dianhydride is replaced with an acid anhydride which is a terminal blocking agent, and the terminal is blocked. Polyimide precursors can be made. In the former case, the end is as shown in formula (4), and in the latter case, the end is as shown in formula (5).

また、酸二無水物をジアミンに対して過剰に加えて反応させた後、末端封止剤(モノアミン)を反応液中に直接添加、または酸二無水物とジアミンの共重合体を一旦反応液から精製や、乾燥した後、再び有機溶媒に溶解して末端封止剤(モノアミン)を添加することにより、酸無水物末端を封止することができる。この場合末端は式(4)のようになる。   Moreover, after adding acid dianhydride excessively with respect to diamine and making it react, terminal blocker (monoamine) is added directly in a reaction liquid, or the copolymer of acid dianhydride and diamine is once reaction liquid. Then, after being purified or dried, the acid anhydride terminal can be sealed by dissolving in an organic solvent again and adding a terminal blocking agent (monoamine). In this case, the end is as shown in Formula (4).

このほか、ジアミンを酸二無水物に対して過剰に加えて反応させ、末端封止剤(酸無水物など)を反応液中に直接添加、または酸二無水物とジアミンの共重合体を一旦反応液から精製、乾燥した後、再び有機溶媒に溶解して末端封止剤(酸無水物など)を添加することにより、アミン末端を封止することができる。この場合末端は式(5)のようになる。   In addition, the diamine is added in excess to the acid dianhydride to cause the reaction, and a terminal blocking agent (an acid anhydride or the like) is directly added to the reaction solution, or the copolymer of the acid dianhydride and the diamine is temporarily added. After purification from the reaction solution and drying, the amine terminal can be blocked by dissolving in an organic solvent again and adding a terminal blocking agent (such as an acid anhydride). In this case, the end is as shown in Formula (5).

末端封止剤に用いられるモノアミンの導入割合は、全アミン成分に対して、0.01〜25モル%の範囲が好ましく、特に好ましくは0.1〜20モル%であり、0.1〜15モル%が更に好ましい。末端封止剤として用いられる酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物およびモノ活性エステル化合物から選ばれた化合物の導入割合は、ジアミン成分に対して、0.1〜100モル%の範囲が好ましく、特に好ましくは50モル%〜100モル%であり、より好ましくは70モル%〜100モル%である。複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入しても良い。   The introduction ratio of the monoamine used for the terminal blocking agent is preferably in the range of 0.01 to 25 mol%, particularly preferably 0.1 to 20 mol%, and more preferably 0.1 to 15 mol based on the total amine component. More preferred is mol%. The introduction ratio of the compound selected from the acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound and monoactive ester compound used as the end-capping agent ranges from 0.1 to 100 mol% with respect to the diamine component. Preferably, it is 50 mol%-100 mol%, More preferably, it is 70 mol%-100 mol%. A plurality of different terminal groups may be introduced by reacting a plurality of terminal blocking agents.

樹脂中に導入された末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、末端封止剤が導入された樹脂を直接、熱分解ガスクロマトグラフ(PGC)や赤外スペクトルあるいはH−NMRスペクトル、13C−NMRスペクトル測定することによって検出可能である。その他に、末端封止剤が導入された樹脂を酸性溶液に溶解し、樹脂の構成単位であるアミン成分と酸無水物成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー(GC)や、NMR測定することによっても、末端封止剤を検出できる。 The end-capping agent introduced into the resin can be easily detected by the following method. For example, the resin into which the end-capping agent has been introduced can be detected by directly measuring a pyrolysis gas chromatograph (PGC), infrared spectrum, 1 H-NMR spectrum, or 13 C-NMR spectrum. In addition, the resin in which the end-capping agent is introduced is dissolved in an acidic solution and decomposed into an amine component and an acid anhydride component, which are constituent units of the resin, and this is measured by gas chromatography (GC) or NMR. The end-capping agent can also be detected.

本発明に用いられるポリイミド前駆体の重量平均分子量は、その用途にもよるが、3,000〜1,000,000の範囲であることが好ましく、5,000〜500,000の範囲であることがさらに好ましく、6,000〜250,000の範囲であることがさらに好ましい。重量平均分子量が3,000未満であると、塗膜又はフィルムとした場合に十分な強度が得られにくい。また、加熱処理等を施しポリイミド樹脂などの高分子とした際の膜の強度も低くなる。一方、重量平均分子量が1,000,000を超えると粘度が上昇し、溶解性も落ちてくるため、表面が平滑で膜厚が均一な塗膜又はフィルムが得られにくい。
ここで用いている重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の値のことをいい、ポリイミド前駆体そのものを測定した分子量でも良いし、無水酢酸等で化学的イミド化処理を行った後測定したものでも良い。
また、重量平均分子量の測定が困難な場合は、数平均分子量を代用することも可能である。この場合の数平均分子量は、末端封止剤が導入された樹脂を直接H−NMRスペクトル、13C−NMRスペクトルなどを測定し、分子鎖の末端を定量することなどの手法によって算出可能である。また、ポリイミド前駆体を合成する際の、酸二無水物由来成分とジアミン由来成分の添加量や末端封止成分の添加量などから、概算値として得ることもできる。
本発明においては、重量平均分子量と数平均分子量のいずれかが、上記の範囲に入っていれば、感光性ポリイミド樹脂組成物として良好な特性を得ることが出来る。
The weight average molecular weight of the polyimide precursor used in the present invention is preferably in the range of 3,000 to 1,000,000, and preferably in the range of 5,000 to 500,000, although it depends on the application. Is more preferable, and the range of 6,000 to 250,000 is more preferable. When the weight average molecular weight is less than 3,000, it is difficult to obtain sufficient strength when a coating film or film is used. In addition, the strength of the film is reduced when a heat treatment or the like is performed to obtain a polymer such as a polyimide resin. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 1,000,000, the viscosity increases and the solubility decreases, so that it is difficult to obtain a coating film or film having a smooth surface and a uniform film thickness.
The weight average molecular weight used here refers to a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC), may be a molecular weight obtained by measuring the polyimide precursor itself, or may be chemically imidized with acetic anhydride or the like. What was measured after performing may be sufficient.
Further, when it is difficult to measure the weight average molecular weight, the number average molecular weight can be substituted. The number average molecular weight in this case can be calculated by a technique such as directly measuring the 1 H-NMR spectrum, 13 C-NMR spectrum, etc. of the resin into which the end-capping agent is introduced, and quantifying the end of the molecular chain. is there. Moreover, it can also obtain as an approximate value from the addition amount of the acid dianhydride-derived component and the diamine-derived component, the addition amount of the end-capping component, etc. when synthesizing the polyimide precursor.
In the present invention, if either the weight average molecular weight or the number average molecular weight is within the above range, good characteristics can be obtained as the photosensitive polyimide resin composition.

本発明に用いられるポリイミド前駆体の含有量としては、得られるパターンの膜物性、
特に膜強度や耐熱性の点から、上記ネガ型感光性ポリイミド樹脂組成物の固形分全体に対し、50重量%以上であることが好ましく、なかでも、70重量%以上であることが好ましい。
なお、固形分とは溶剤以外の全成分であり、液状のモノマー成分も固形分に含まれる。
As the content of the polyimide precursor used in the present invention, film physical properties of the resulting pattern,
In particular, from the viewpoint of film strength and heat resistance, it is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, based on the entire solid content of the negative photosensitive polyimide resin composition.
In addition, solid content is all components other than a solvent, and a liquid monomer component is also contained in solid content.

1−2.光塩基発生剤
本発明における光塩基発生剤とは、露光により塩基を発生するものであり、該塩基は上記ポリイミド前駆体を加熱により硬化させる際の触媒としてはたらく。
ネガ型感光性ポリイミド樹脂組成物に含まれる感光性成分は、上記ポリイミド前駆体を露光後、露光部のみ硬化させるために含まれるものであり、本発明においては光塩基発生剤が用いられる。
1-2. Photobase generator The photobase generator in the present invention generates a base by exposure, and the base serves as a catalyst for curing the polyimide precursor by heating.
The photosensitive component contained in the negative photosensitive polyimide resin composition is contained in order to cure only the exposed portion after exposure of the polyimide precursor. In the present invention, a photobase generator is used.

本発明に用いられる感光性成分の含有量としては、所望のパターンを形成できるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な含有量とすることができる。
本発明においては、上記感光性成分が、上記ポリイミド前駆体100重量部に対して、0.1重量部以上30重量部未満の範囲内であることが好ましく、なかでも、0.5重量部〜25重量部の範囲内であることが好ましく、特に、0.5重量部〜20重量部の範囲内であることが好ましい。
As content of the photosensitive component used for this invention, if a desired pattern can be formed, it will not specifically limit, It can be set as general content.
In the present invention, the photosensitive component is preferably in the range of 0.1 part by weight or more and less than 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor. It is preferably within the range of 25 parts by weight, and particularly preferably within the range of 0.5 to 20 parts by weight.

本発明にかかる、ポリイミド前駆体に光塩基発生剤を添加し光照射において発生する塩基によりイミド化反応を触媒的に促進し、露光部を選択的に不溶化する系では、光塩基発生剤のみの添加でパターニングが可能であり、架橋成分や分解性の置換基を導入する必要がないため、添加剤量をさらに削減することが可能である。一般的な感光性ポリイミド樹脂組成物に含まれる感光性成分の含有量が、上記ポリイミド前駆体100重量部に対して30重量部以上のものが多いのに対して、光塩基発生剤は、上述のように発生化学種が触媒的に働くため、含有量を上述した範囲内とした場合であっても十分に硬化可能な露光感度を有する。また、光塩基発生剤は、ポリイミド前駆体に比べて耐熱性が低く、硬化膜となった後のアウトガスの主成分となり得ることから、上記含有量を上述した範囲内のように低減することにより、硬化膜となった後のアウトガス発生量が十分に少ないものとすることができる。   In the system according to the present invention, a photobase generator is added to a polyimide precursor and the imidization reaction is catalytically accelerated by a base generated by light irradiation, and the exposed portion is selectively insolubilized. Patterning is possible by addition, and it is not necessary to introduce a crosslinking component or a degradable substituent, so that the amount of additive can be further reduced. The content of the photosensitive component contained in a general photosensitive polyimide resin composition is more than 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyimide precursor, whereas the photobase generator is the above-mentioned. Thus, the generated chemical species act catalytically, so that the exposure sensitivity can be sufficiently cured even when the content is within the above-described range. In addition, the photobase generator has lower heat resistance than the polyimide precursor and can be the main component of outgas after becoming a cured film. Therefore, by reducing the content as described above, The amount of outgas generation after the cured film can be made sufficiently small.

本発明において、感光性成分は光塩基発生剤を主成分とするものである。発生化学種である塩基は、イミド化の触媒作用がほとんどなく金属を腐食しやすい酸と比べて、酸発生剤を用いるよりも好ましいからである。
なお、主成分とするとは、感光性成分中の光塩基発生剤の含有量が、50質量%以上であることをいうものである。
本発明に用いられる光塩基発生剤としては、常温常圧の通常の条件下では活性を示さないが、外部刺激として電磁波の照射と加熱が行なわれると、塩基(塩基性物質)を発生するものであれば特に限定されるものではない。
In the present invention, the photosensitive component is mainly composed of a photobase generator. This is because a base which is a generated chemical species is preferable to using an acid generator as compared with an acid which has almost no imidation catalytic action and easily corrodes a metal.
In addition, the main component means that the content of the photobase generator in the photosensitive component is 50% by mass or more.
The photobase generator used in the present invention is not active under normal conditions of normal temperature and pressure, but generates a base (basic substance) when subjected to electromagnetic wave irradiation and heating as an external stimulus. If it is, it will not specifically limit.

本発明においては、光塩基発生剤として公知のものを用いることが出来る。例えば、M.Shirai, and M.Tsunooka, Prog.Polym.Sci.,21,1(1996);角岡正弘,高分子加工,46,2(1997);C.Kutal,Coord.Chem.Rev.,211,353(2001);Y.Kaneko,A.Sarker, and D.Neckers,Chem.Mater.,11,170(1999);H.Tachi,M.Shirai, and M.Tsunooka,J.Photopolym.Sci.Technol.,13,153(2000);M.Winkle, and K.Graziano,J.Photopolym.Sci.Technol.,3,419(1990);M.Tsunooka,H.Tachi, and S.Yoshitaka,J.Photopolym.Sci.Technol.,9,13(1996);K.Suyama,H.Araki,M.Shirai,J.Photopolym.Sci.Technol.,19,81(2006)に記載されているように、遷移金属化合物錯体や、アンモニウム塩などの構造を有するものや、アミジン部分がカルボン酸と塩形成することで潜在化されたもののように、塩基成分が塩を形成することにより中和されたイオン性の化合物や、カルバマート誘導体、オキシムエステル誘導体、アシル化合物などのウレタン結合やオキシム結合などにより塩基成分が潜在化された非イオン性の化合物を挙げることができる。
本発明に用いられる光塩基発生剤は、特に限定されず公知のものを用いることができ、例えば、カルバメート誘導体、アミド誘導体、イミド誘導体、αコバルト錯体類、イミダゾール誘導体、桂皮酸アミド誘導体、オキシム誘導体等が挙げられる。
In the present invention, known photobase generators can be used. For example, M.M. Shirai, and M.M. Tsunooka, Prog. Polym. Sci. , 21, 1 (1996); Masahiro Kadooka, polymer processing, 46, 2 (1997); Kutal, Coord. Chem. Rev. , 211, 353 (2001); Kaneko, A .; Sarker, and D.C. Neckers, Chem. Mater. 11, 170 (1999); Tachi, M .; Shirai, and M.M. Tsunooka, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 13, 153 (2000); Winkle, and K.K. Graziano, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. 3,419 (1990); Tsunooka, H .; Tachi, and S.M. Yoshitaka, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 9, 13 (1996); Suyama, H .; Araki, M .; Shirai, J. et al. Photopolym. Sci. Technol. , 19, 81 (2006), as described in transition metal compound complexes, those having a structure such as an ammonium salt, and those formed by salt formation of an amidine moiety with a carboxylic acid, An ionic compound neutralized by forming a salt with a base component, or a nonionic compound in which the base component is made latent by a urethane bond or an oxime bond such as a carbamate derivative, an oxime ester derivative, or an acyl compound. Can be mentioned.
The photobase generator used in the present invention is not particularly limited and known ones can be used. For example, carbamate derivatives, amide derivatives, imide derivatives, α-cobalt complexes, imidazole derivatives, cinnamic acid amide derivatives, oxime derivatives. Etc.

本発明に用いられる光塩基発生剤から発生される塩基性物質としては特に限定されないが、アミノ基を有する化合物、特にモノアミンや、ジアミンなどのポリアミン、また、アミジンなどが挙げられる。
発生される塩基性物質は、より塩基性度の高いアミノ基を有する化合物が好ましい。ポリイミド前駆体のイミド化における脱水縮合反応等に対する触媒作用が強く、より少量の添加で、より低い温度での脱水縮合反応等における触媒効果の発現が可能となるからである。つまりは、発生した塩基性物質の触媒効果が大きい為、感光性樹脂組成物としての見た目の感度は向上する。
上記触媒効果の観点からアミジン、脂肪族アミンであることが好ましい。
Although it does not specifically limit as a basic substance generate | occur | produced from the photobase generator used for this invention, The compound which has an amino group, especially polyamines, such as a monoamine and diamine, Amidine, etc. are mentioned.
The generated basic substance is preferably a compound having an amino group having a higher basicity. This is because the catalytic action for the dehydration condensation reaction or the like in the imidization of the polyimide precursor is strong, and the catalytic effect in the dehydration condensation reaction or the like at a lower temperature can be expressed with a smaller amount of addition. That is, since the catalytic effect of the generated basic substance is great, the apparent sensitivity as the photosensitive resin composition is improved.
From the viewpoint of the catalytic effect, an amidine and an aliphatic amine are preferable.

本発明に係る光塩基発生剤としては、構造中に塩を含まない光塩基発生剤であることが好ましく、光塩基発生剤において発生する塩基部分の窒素原子上に電荷がないことが好ましい。本発明に係る光塩基発生剤としては、発生する塩基が共有結合を用いて潜在化されていることが好ましく、塩基の発生機構が、発生する塩基部分の窒素原子と隣接する原子との間の共有結合が切断されて塩基が発生するものであることが好ましい。構造中に塩を含まない塩基発生剤であると、塩基発生剤を中性にすることができるため、溶剤溶解性が良好であり、ポットライフが向上する。このような理由から、本発明で用いられる光塩基発生剤から発生するアミンは、1級アミン又は2級アミンが好ましい。   The photobase generator according to the present invention is preferably a photobase generator that does not contain a salt in the structure, and preferably has no charge on the nitrogen atom of the base moiety generated in the photobase generator. As the photobase generator according to the present invention, it is preferable that the generated base is latentized using a covalent bond, and the base generation mechanism is between a nitrogen atom of the generated base portion and an adjacent atom. It is preferable that the covalent bond is cleaved to generate a base. When the base generator does not contain a salt in the structure, the base generator can be neutralized, so that the solvent solubility is good and the pot life is improved. For these reasons, the amine generated from the photobase generator used in the present invention is preferably a primary amine or a secondary amine.

また、前記のような理由から光塩基発生剤としては、前述のように発生する塩基が共有結合を用いて潜在化されていることが好ましく、発生する塩基がアミド結合、カルバメート結合、オキシム結合を用いて潜在化されていることが好ましい。
本発明に係る塩基発生剤としては、例えば、特開2009−80452号公報及び国際公開第2009/123122号パンフレットで開示されたような桂皮酸アミド構造を有する塩基発生剤、特開2006−189591号公報及び特開2008−247747号公報で開示されたようなカルバメート構造を有する塩基発生剤、特開2007−249013号公報及び特開2008−003581号公報で開示されたようなオキシム構造、カルバモイルオキシム構造を有する塩基発生剤等が挙げられるが、これらに限定されず、その他にも公知の塩基発生剤の構造を用いることができる。
For the above reasons, as the photobase generator, it is preferable that the generated base is latentized using a covalent bond as described above, and the generated base has an amide bond, carbamate bond, or oxime bond. It is preferably latentized by using.
Examples of the base generator according to the present invention include a base generator having a cinnamic amide structure as disclosed in JP2009-80452A and WO2009 / 123122, and JP2006-189591A. Base generators having a carbamate structure as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-247747, and oxime structures and carbamoyloxime structures as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2007-249013 and 2008-003581 However, it is not limited thereto, and other known base generator structures can be used.

以下、本発明に用いられる光塩基発生剤について具体例を挙げて説明する。
イオン性化合物としては、例えば下記構造式のものが挙げられる。
Hereinafter, the photobase generator used in the present invention will be described with specific examples.
Examples of the ionic compound include those having the following structural formula.

アシル化合物としては、例えば下記式に示すような化合物が挙げられる。   Examples of the acyl compound include compounds represented by the following formula.

また、本発明で用いられる光塩基発生剤としては、例えば、下記一般式(7)に示す化合物が挙げられる。   Moreover, as a photobase generator used by this invention, the compound shown to following General formula (7) is mentioned, for example.

(式(7)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R41及びR42は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。R43及びR44はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47及びR48は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47及びR48は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R49は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。) (In Formula (7), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different. R 41 and R 42 are bonded to form a ring. It may form a structure and may contain a bond of hetero atoms, provided that at least one of R 41 and R 42 is an organic group, and R 43 and R 44 are each independently a hydrogen atom, A halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, or organic group, may be different even in the same .R 45, R 46, R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, Sulf Group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group or organic group, which are the same. Two or more of R 45 , R 46 , R 47 and R 48 may be bonded to form a cyclic structure, and may contain a hetero atom bond. R 49 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves.)

上記化学式(7)で表される塩基発生剤は、電磁波が照射されることにより、下記式で示されるように、式(7)で中の(−CR44=CR43−C(=O)−)部分がトランス体からシス体へと異性化する。さらに加熱及び/又は電磁波の照射によって、R49が保護基である場合は保護基R49が脱保護されると共に環化し、塩基(NHR4142)を生成する。上記化学式(7)で表される塩基発生剤においては、炭素−炭素二重結合のオルト位の水酸基は塩基発生のための分子内環化に用いられる。そのため、当該オルト位の水酸基が保護基により保護された構造以外に、本発明のブロック化共有結合形成基を有するようにする。 When the base generator represented by the chemical formula (7) is irradiated with electromagnetic waves, as shown by the following formula, (-CR 44 = CR 43 -C (= O) in the formula (7) The-) moiety isomerizes from the trans form to the cis form. Furthermore, when R 49 is a protecting group by heating and / or irradiation with electromagnetic waves, the protecting group R 49 is deprotected and cyclized to produce a base (NHR 41 R 42 ). In the base generator represented by the chemical formula (7), the hydroxyl group at the ortho position of the carbon-carbon double bond is used for intramolecular cyclization for base generation. Therefore, in addition to the structure in which the hydroxyl group at the ortho position is protected by a protecting group, the group having the blocked covalent bond-forming group of the present invention is provided.

上記化学式(7)において、R41及びR42は、それぞれ、独立に水素原子又は有機基であるが、R及びRのうち少なくとも1つは有機基である。また、NHR4142は、塩基であるが、R41及びR42は、それぞれ、アミノ基を含まない有機基であることが好ましい。R41及びR42に、アミノ基が含まれてしまうと、塩基発生剤自体が塩基性物質となり、高分子前駆体の反応を促進してしまい、露光部と未露光部での溶解性コントラストの差が小さくなってしまう恐れがある。但し、例えば、R41及びR42の有機基中に存在する芳香環にアミノ基が結合している場合のように、電磁波の照射と加熱後に発生する塩基との塩基性と差が生じる場合には、R41及びR42の有機基にアミノ基を含まれていても用いることができる場合もある。
有機基としては、例えば、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも環状でも良い。
有機基としては、置換基を含んで良く、不飽和結合を含んで良く、ヘテロ原子の結合を含んで良い、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基が好ましい。
41及びR42における有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合や、生成するNHR4142がジアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性物質の場合等には、2価以上の有機基となり得る。
In the chemical formula (7), R 41 and R 42 are each independently a hydrogen atom or an organic group, but at least one of R 1 and R 2 is an organic group. Further, NHR 41 R 42 is a base, R 41 and R 42, respectively, is preferably an organic group containing no amino group. If an amino group is contained in R 41 and R 42 , the base generator itself becomes a basic substance, which accelerates the reaction of the polymer precursor, and the solubility contrast between the exposed and unexposed areas is increased. There is a risk of the difference becoming smaller. However, when there is a difference in basicity between the irradiation with electromagnetic waves and the base generated after heating, such as when an amino group is bonded to the aromatic ring present in the organic group of R 41 and R 42. May be used even if the organic group of R 41 and R 42 contains an amino group.
Examples of the organic group include a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. These organic groups may contain a bond or substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group, and these may be linear, branched or cyclic.
The organic group is preferably a linear, branched or cyclic hydrocarbon group which may contain a substituent, may contain an unsaturated bond, and may contain a heteroatom bond.
The organic group in R 41 and R 42 is usually a monovalent organic group. However, in the case of forming a cyclic structure to be described later, the generated NHR 41 R 42 is an NH group capable of forming an amide bond such as diamine. In the case of a basic substance having two or more, it can be a divalent or higher organic group.

また、R41及びR42は、それらが結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。
R 41 and R 42 may be bonded to form a cyclic structure.
The cyclic structure is a combination of two or more selected from the group consisting of saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings, and the alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings. The structure which becomes may be sufficient.

前記R41及びR42の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。 The bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 41 and R 42 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond. Amide bond, urethane bond, imino bond (-N = C (-R)-, -C (= NR)-, where R is a hydrogen atom or an organic group), carbonate bond, sulfonyl bond, sulfinyl bond, azo bond Etc. From the viewpoint of heat resistance, the bond other than the hydrocarbon group in the organic group includes an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and an imino bond (—N═C (— R)-, -C (= NR)-: where R is a hydrogen atom or an organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, and a sulfinyl bond.

前記R41及びR42の有機基中の炭化水素基以外の置換基、すなわち、有機基に包含される置換基において炭化水素基とは異なる置換基、及び炭化水素基に置換されていても良い置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
前記R41及びR42の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。
Substituents other than the hydrocarbon group in the organic group of R 41 and R 42 , that is, a substituent included in the organic group, which is different from the hydrocarbon group, and may be substituted with a hydrocarbon group. The substituent is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is not limited to a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, an isothiocyanato group, a silyl group. Group, silanol group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, Phosphono group, phosphonato group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl A ruether group, a saturated or unsaturated alkylthioether group, an arylether group, an arylthioether group, an amino group (—NH2, —NHR, —NRR ′: where R and R ′ are each independently a hydrocarbon group), etc. Can be mentioned. The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted with a hydrocarbon group. Further, the hydrocarbon group contained in the substituent may be any of linear, branched, and cyclic.
Examples of the substituent other than the hydrocarbon group in the organic group of R 41 and R 42 include a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, an isothiocyanato group, Silyl group, silanol group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group A phosphono group, a phosphonato group, a hydroxyimino group, a saturated or unsaturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, and an aryl thioether group.

生成する塩基性物質はNHR4142であるため、1級アミン、2級アミン、又は複素環式化合物が挙げられる。またアミンには、それぞれ、脂肪族アミン及び芳香族アミンがある。なお、ここでの複素環式化合物は、NHR4142が環状構造を有し且つ芳香族性を有しているものをいう。芳香族複素環式化合物ではない、非芳香族複素環式化合物は、ここでは脂環式アミンとして脂肪族アミンに含まれる。 Since the basic substance to be generated is NHR 41 R 42 , examples thereof include primary amines, secondary amines, and heterocyclic compounds. The amine includes an aliphatic amine and an aromatic amine, respectively. In addition, the heterocyclic compound here means that NHR 41 R 42 has a cyclic structure and has aromaticity. Non-aromatic heterocyclic compounds that are not aromatic heterocyclic compounds are included here in aliphatic amines as alicyclic amines.

更に、生成するNHR4142は、アミド結合を形成可能なNH基を1つだけ有するモノアミン等の塩基性物質だけでなく、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性物質であってもよい。生成するNHR4142がNH基を2つ以上有する塩基性物質の場合、前記式(8)又は式(9)のR41及び/又はR42の1つ以上の末端に、アミド結合を形成可能なNH基を有する塩基を電磁波の照射と加熱により発生するような光潜在性部位が更に結合している構造が挙げられる。上記光潜在性部位としては、前記式(8)又は式(9)のR41及び/又はR42の1つ以上の末端に、前記式(8)又は式(9)のR41及び/又はR42を除いた残基が更に結合している構造が挙げられる。 Furthermore, the NHR 41 R 42 to be produced is not only a basic substance such as a monoamine having only one NH group capable of forming an amide bond, but also 2 NH groups capable of forming an amide bond such as diamine, triamine and tetraamine. It may be a basic substance having two or more. In the case where the generated NHR 41 R 42 is a basic substance having two or more NH groups, an amide bond is formed at one or more terminals of R 41 and / or R 42 in the formula (8) or formula (9). Examples include a structure in which a photolatent moiety that generates a base having a possible NH group by irradiation with electromagnetic waves and heating is further bonded. As the photolatent site, to one or more ends of the R 41 and / or R 42 of said formula (8) or (9), the formula (8) or R 41 and / or the formula (9) residue obtained by removing the R 42 can be mentioned a structure is further bonded.

脂肪族1級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、ペンチルアミン、イソアミルアミン、tert−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘプタンアミン、オクチルアミン、2−オクタンアミン、2,4,4−トリメチルペンタン−2−アミン、シクロオクチルアミン等が挙げられる。   Aliphatic primary amines include methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, n-butylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentylamine, isoamylamine, tert-pentylamine, cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine , Heptylamine, cycloheptaneamine, octylamine, 2-octaneamine, 2,4,4-trimethylpentan-2-amine, cyclooctylamine and the like.

芳香族1級アミンとしては、アニリン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、及び4−アミノフェノール等が挙げられる。   Examples of the aromatic primary amine include aniline, 2-aminophenol, 3-aminophenol, and 4-aminophenol.

脂肪族2級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルメチルアミン、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカン、メチルアジリジン、ジメチルアジリジン、メチルアゼチジン、ジメチルアゼチジン、トリメチルアゼチジン、メチルピロリジン、ジメチルピロリジン、トリメチルピロリジン、テトラメチルピロリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチルピペリジン等が挙げられ、中でも脂環式アミンが好ましい。   Aliphatic secondary amines include dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, dibutylamine, ethylmethylamine, aziridine, azetidine, pyrrolidine, piperidine, azepan, azocan, methylaziridine, dimethylaziridine, methylazetidine, dimethyl Examples thereof include azetidine, trimethylazetidine, methylpyrrolidine, dimethylpyrrolidine, trimethylpyrrolidine, tetramethylpyrrolidine, methylpiperidine, dimethylpiperidine, trimethylpiperidine, tetramethylpiperidine, pentamethylpiperidine and the like, among which alicyclic amine is preferable.

芳香族2級アミンとしては、メチルアニリン、ジフェニルアミン、及びN−フェニル−1−ナフチルアミンが挙げられる。また、アミド結合を形成可能なNH基を有する芳香族複素環式化合物としては、塩基性の点から分子内にイミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は有機基)を有することが好ましく、イミダゾール、プリン、トリアゾール、及びこれらの誘導体等が挙げられる。   Aromatic secondary amines include methylaniline, diphenylamine, and N-phenyl-1-naphthylamine. In addition, as an aromatic heterocyclic compound having an NH group capable of forming an amide bond, an imino bond (—N═C (—R) —, —C (═NR) —, Here, R preferably has a hydrogen atom or an organic group), and examples thereof include imidazole, purine, triazole, and derivatives thereof.

ジアミン以上のアミンとしてはエチレンジアミン、1,3−プロパンジアミン、1,4−ブタンジアミン、1,5−ペンタンジアミン、1,6−ヘキサンジアミン、1,7−ヘプタンジアミン、1,8−オクタンジアミン、1,9−ノナンジアミン、1,10−デカンジアミン等の直鎖状脂肪族アルキレンジアミン;1−ブチル−1,2−エタンジアミン、1,1−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1−エチル−1,4−ブタンジアミン、1,2−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,3−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,4−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、2,3−ジメチル−1,4−ブタンジアミン等の分岐状脂肪族アルキレンジアミン;ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等の一般式NH(CHCHNH)Hで示されるポリエチレンアミン類;シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジメチルアミン、トリシクロデカンジメチルアミン、メンセンジアミン等の脂環式ジアミン;p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン;ベンゼントリアミン、メラミン、2,4,6−トリアミノピリミジン等のトリアミン;2,4,5,6−テトラアミノピリミジン等のテトラアミンを挙げることができる。 As amines higher than diamine, ethylenediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, 1,5-pentanediamine, 1,6-hexanediamine, 1,7-heptanediamine, 1,8-octanediamine, Linear aliphatic alkylenediamines such as 1,9-nonanediamine and 1,10-decanediamine; 1-butyl-1,2-ethanediamine, 1,1-dimethyl-1,4-butanediamine, 1-ethyl- 1,4-butanediamine, 1,2-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,3-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,4-dimethyl-1,4-butanediamine, 2,3- Branched aliphatic alkylenediamines such as dimethyl-1,4-butanediamine; diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepenta Formula NH 2 (CH 2 CH 2 NH ) polyethylene amines represented by n H such emissions; cyclohexane diamine, methylcyclohexane diamine, isophorone diamine, norbornane dimethylamine, tricyclodecane dimethylamine, alicyclic such as menthenediamine Formula diamines; aromatic diamines such as p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone; benzenetriamine, melamine, 2,4 And triamines such as 2,6-triaminopyrimidine; and tetraamines such as 2,4,5,6-tetraaminopyrimidine.

41及びR42の位置に導入される置換基によって、生成する塩基性物質の熱物性や塩基性度が異なる。
高分子前駆体から最終生成物への反応に対する反応開始温度を低下させる等の触媒作用は、塩基性の大きい塩基性物質の方が触媒としての効果が大きく、より少量の添加で、より低い温度での最終生成物への反応が可能となる。一般に1級アミンよりは2級アミンの方が塩基性は高く、その触媒効果が大きい。
また、芳香族アミンよりも脂肪族アミンの方が、塩基性が強いため好ましい。
Depending on the substituents introduced at the positions of R 41 and R 42 , the thermophysical properties and basicity of the basic substance to be generated are different.
Catalytic action, such as lowering the reaction start temperature for the reaction from the polymer precursor to the final product, is more effective as a catalyst with a basic substance having a higher basicity, and a lower temperature with a smaller amount of addition. Reaction to the final product is possible. In general, secondary amines have higher basicity than primary amines, and their catalytic effect is greater.
In addition, aliphatic amines are preferred over aromatic amines because they are more basic.

また、本発明で発生する塩基が、2級アミン及び/又は複素環式化合物である場合には、塩基発生剤としての感度が高くなる点から好ましい。これは、2級アミンや複素環式化合物を用いることで、アミド結合部位の活性水素がなくなり、このことにより、電子密度が変化し、異性化の感度が向上するからではないかと推定される。   Further, when the base generated in the present invention is a secondary amine and / or a heterocyclic compound, it is preferable from the viewpoint of increasing the sensitivity as a base generator. It is presumed that this is because the use of a secondary amine or a heterocyclic compound eliminates active hydrogen at the amide bond site, thereby changing the electron density and improving the sensitivity of isomerization.

また、脱離する塩基の熱物性、及び塩基性度の点から、R41及びR42の有機基は、それぞれ独立に炭素数1〜20が好ましく、更に炭素数1〜12が好ましく、特に炭素数1〜8であることが好ましい。 Further, from the viewpoint of the thermophysical properties of the base to be eliminated and the basicity, the organic groups of R 41 and R 42 each independently preferably have 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and particularly preferably carbon. It is preferable that it is number 1-8.

また、化学式(7)において、R43及びR44は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R43及びR44は、ブロック化共有結合形成基を有していても良い。
43及びR44としては、高感度を達成しやすい点から、いずれも水素原子であることが好ましい。
In the chemical formula (7), R 43 and R 44 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group. , Sulfonate groups, phosphino groups, phosphinyl groups, phosphono groups, phosphonate groups, or organic groups, which may be the same or different. R 43 and R 44 may have a blocked covalent bond forming group.
R 43 and R 44 are each preferably a hydrogen atom from the viewpoint of easily achieving high sensitivity.

本発明において、特に化学式(8)中のR43及びR44のうち少なくとも1つが、水素原子ではなく、上記特定の官能基である場合には、R43及びR44の両方共が水素原子の場合と比べて、本発明の塩基発生剤は、有機溶剤に対する溶解性を更に向上させたり、高分子前駆体との親和性を向上させることが可能である。例えば、R43及びR44のうち少なくとも1つが、アルキル基やアリール基等の有機基である場合、有機溶剤に対する溶解性が向上する。また、例えばR43及びR44のうち少なくとも1つがフッ素等のハロゲン原子である場合、フッ素等のハロゲン原子を含有する高分子前駆体との親和性が向上する。また、例えばR43及びR44のうち少なくとも1つがシリル基やシラノール基を有する場合、ポリシロキサン前駆体との親和性が向上する。このように、R43及び/又はR44を所望の有機溶剤や高分子前駆体に合わせて適宜置換基を導入することにより、所望の有機溶剤に対する溶解性や、所望の高分子前駆体との親和性を向上することが可能である。 In the present invention, in particular, when at least one of R 43 and R 44 in the chemical formula (8) is not a hydrogen atom but the specific functional group, both of R 43 and R 44 are hydrogen atoms. Compared to the case, the base generator of the present invention can further improve the solubility in an organic solvent or improve the affinity with a polymer precursor. For example, when at least one of R 43 and R 44 is an organic group such as an alkyl group or an aryl group, the solubility in an organic solvent is improved. For example, when at least one of R 43 and R 44 is a halogen atom such as fluorine, the affinity with a polymer precursor containing a halogen atom such as fluorine is improved. For example, when at least one of R 43 and R 44 has a silyl group or a silanol group, the affinity with the polysiloxane precursor is improved. Thus, R 43 and / or R 44 is combined with a desired organic solvent or polymer precursor, and a substituent is appropriately introduced, so that the solubility in the desired organic solvent and the desired polymer precursor can be reduced. It is possible to improve the affinity.

ハロゲン原子、有機基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に制限がなく、後述するR45〜R48に挙げたものと同様のものを用いることができる。
43及びR44における有機基は、通常、1価の有機基である。
The halogen atom, organic group, as long as the effects of the present invention are not impaired, it is not particularly limited, and may be the same as those listed R 45 to R 48, which will be described later.
The organic group in R 43 and R 44 is usually a monovalent organic group.

43及びR44が、置換基を有する場合には少なくとも一方が、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1〜20のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数4〜23のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数4〜23のシクロアルケニル基;フェノキシメチル基、2−フェノキシエチル基、4−フェノキシブチル基等の炭素数7〜26のアリールオキシアルキル基(−ROAr基);ベンジル基、3−フェニルプロピル基等の炭素数7〜20のアラルキル基;シアノメチル基、β−シアノエチル基等のシアノ基をもつ炭素数2〜21のアルキル基;ヒドロキシメチル基等の水酸基をもつ炭素数1〜20のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜20のアルコキシ基、アセトアミド基、ベンゼンスルホナミド基(CSONH−)等の炭素数2〜21のアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数1〜20のアルキルチオ基(−SR基)、アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数1〜20のアシル基、メトキシカルボニル基、アセトキシ基等の炭素数2〜21のエステル基(−COOR基及び−OCOR基)、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、トリル基等の炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基(−SCH)であることが好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。 When R 43 and R 44 have a substituent, at least one of them is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, or a propyl group; and having 4 to 23 carbon atoms such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group. A cycloalkyl group; a cycloalkenyl group having 4 to 23 carbon atoms such as a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group; an aryloxyalkyl group having 7 to 26 carbon atoms such as a phenoxymethyl group, a 2-phenoxyethyl group and a 4-phenoxybutyl group (-ROAr group); Aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms such as benzyl group and 3-phenylpropyl group; Alkyl group having 2 to 21 carbon atoms having cyano group such as cyanomethyl group and β-cyanoethyl group; Hydroxymethyl group An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms having a hydroxyl group such as, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, Acetamide group, benzenesulfonyl cyanamide group (C 6 H 5 SO 2 NH 2 -) amide group having a carbon number of 2 to 21, such as a methylthio group, an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms such as an ethylthio group (-SR group) , An acyl group having 1 to 20 carbon atoms such as acetyl group and benzoyl group, an ester group having 2 to 21 carbon atoms such as methoxycarbonyl group and acetoxy group (-COOR group and -OCOR group), phenyl group, naphthyl group, biphenyl An aryl group having 6 to 20 carbon atoms such as a group or tolyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted by an electron donating group and / or an electron withdrawing group, an electron donating group and / or an electron withdrawing group. A substituted benzyl group, a cyano group, and a methylthio group (—SCH 3 ) are preferred. The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.

また、上記化学式(7)のR45〜R48は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45〜R48は、それぞれ、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。 R 45 to R 48 in the chemical formula (7) are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group. , Sulfonate groups, phosphino groups, phosphinyl groups, phosphono groups, phosphonate groups, amino groups, ammonio groups or organic groups, which may be the same or different. Two or more of R 45 to R 48 may be bonded to each other to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond.

上記化学式(7)のR45〜R48には、置換基を1つ以上導入することが好ましい。特に上記化学式(7)で表される塩基発生剤の場合、カルボニル結合のα位およびβ位に位置するα炭素−β炭素間の二重結合がトランス体からシス体への異性化反応を効率よく進める要因としてはいくつかあり、例えば上記炭素−炭素二重結合周囲の立体障害の大きさ、上記炭素−炭素二重結合周囲に広がる共役鎖の電子状態等が挙げられるが、置換基R45〜R48に、上記のような置換基を少なくとも1つ導入することにより、上記炭素−炭素二重結合周囲の共役鎖が拡張し、塩基発生の感度を向上することができる。また、R45〜R48において、上記のような置換基を少なくとも1つ導入することにより、吸収する光の波長を調整することが可能であり、置換基を導入することで所望の波長を吸収させるようにすることもできる。芳香族環の共役鎖を伸ばすような置換基を導入することにより、吸収波長を長波長にシフトすることができる。また、溶解性や組み合わせる高分子前駆体との相溶性が向上するようにすることもできる。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。 It is preferable to introduce one or more substituents into R 45 to R 48 in the chemical formula (7). In particular, in the case of the base generator represented by the chemical formula (7), the double bond between the α-carbon and β-carbon located at the α-position and β-position of the carbonyl bond makes the isomerization reaction from the trans isomer to the cis isomer more efficient. There are several factors that may proceed, for example, the carbon - size carbon double bonds around the steric hindrance, the carbon - the electron state of the conjugated chain extending carbon double bond surrounding the like, the substituent R 45 a to R 48, by at least one introducing such substituents as described above, the carbon - can conjugated chain of carbon-carbon double bonds around expands and improves the sensitivity of the base generator. In addition, in R 45 to R 48 , the wavelength of light to be absorbed can be adjusted by introducing at least one substituent as described above, and a desired wavelength can be absorbed by introducing a substituent. It can also be made to do. The absorption wavelength can be shifted to a longer wavelength by introducing a substituent that extends the conjugated chain of the aromatic ring. It is also possible to improve the solubility and compatibility with the polymer precursor to be combined. Thereby, it is possible to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition in consideration of the absorption wavelength of the polymer precursor to be combined.

所望の波長に対して吸収波長をシフトさせる為に、どのような置換基を導入したら良いかという指針として、Interpretation of the Ultraviolet Spectra of Natural Products(A.I.Scott 1964)や、有機化合物のスペクトルによる同定法第5版(R.M.Silverstein 1993)に記載の表を参考にすることができる。これらを参考とすることで、化合物の極大吸収波長がどの程度長波長化するかの目安を知ることができる。   As a guideline of what substituents should be introduced to shift the absorption wavelength with respect to a desired wavelength, the Interspection of the Ultraviolet Products (AI Scott 1964) and the spectrum of organic compounds The table described in the identification method 5th edition (RM Silverstein 1993) can be referred to. By referring to these, it is possible to know a measure of how long the maximum absorption wavelength of the compound is increased.

45〜R48において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。
45〜R48において、有機基としては、例えば、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも環状でも良い。R45〜R48の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、前記R41及びR42の炭化水素基以外の結合と同様のものを用いることができる。また、R45〜R48の有機基は、炭化水素基以外の結合を介してベンゼン環に結合してもよい。また、R45〜R48の有機基において炭化水素基以外の置換基(有機基に包含される置換基において炭化水素基とは異なる置換基、及び炭化水素基に置換されていても良い置換基)としては、前記R41及びR42の炭化水素基以外の置換基と同様のものを用いることができる。
有機基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基等が挙げられる。
45〜R48における有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合等には、2価以上の有機基となり得る。
In R 45 to R 48 , examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and the like.
In R 45 to R 48 , examples of the organic group include a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. These organic groups may contain a bond or substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group, and these may be linear, branched or cyclic. As the bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 45 to R 48 , the same bond as the bond other than the hydrocarbon group of R 41 and R 42 can be used. The organic group of R 45 to R 48 may be bonded to the benzene ring via a bond other than a hydrocarbon group. In addition, in the organic group of R 45 to R 48 , a substituent other than a hydrocarbon group (a substituent included in the organic group, a substituent different from the hydrocarbon group, and a substituent that may be substituted with a hydrocarbon group) ) May be the same as the substituents other than the hydrocarbon groups of R 41 and R 42 .
The organic group is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. , Cyano group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated Examples thereof include a saturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, and an aryl thioether group.
The organic group in R 45 to R 48 is usually a monovalent organic group, but may form a divalent or higher organic group in the case of forming a cyclic structure to be described later.

また、R45〜R48は、それらのうち2つ以上が結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、R45〜R48のそれぞれは、それらの2つ以上が結合して、R45〜R48のそれぞれが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成していても良い。
Moreover, two or more of R 45 to R 48 may be bonded to form a cyclic structure.
The cyclic structure is a combination of two or more selected from the group consisting of saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings, and the alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings. The structure which becomes may be sufficient. For example, each of R 45 to R 48 may be a combination of two or more of them, and share a benzene ring atom to which each of R 45 to R 48 is bonded, such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, indene, etc. A condensed ring may be formed.

45〜R48としては、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1〜20のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数4〜23のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数4〜23のシクロアルケニル基;フェノキシメチル基、2−フェノキシエチル基、4−フェノキシブチル基等の炭素数7〜26のアリールオキシアルキル基(−ROAr基);ベンジル基、3−フェニルプロピル基等の炭素数7〜20のアラルキル基;シアノメチル基、β−シアノエチル基等のシアノ基をもつ炭素数2〜21のアルキル基;ヒドロキシメチル基等の水酸基をもつ炭素数1〜20のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基等の炭素数1〜20のアリール基で置換されていても良いアルキルエーテル基;フェノキシ基、ナフチルオキシ基等のアリールエーテル基、;メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数1〜20のアルキルチオ基(−SR基);ベンジルチオ基、ナフチルチオ基等のアリールチオエーテル基;アセトアミド基、ベンゼンスルホナミド基(CSONH−)等の炭素数2〜21のアミド基;アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数1〜20のアシル基;チオアシル基;アセチルチオ基、ベンゾイルチオ基等のアシルチオ基;メトキシカルボニル基、アセトキシ基、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数2〜21のエステル基(−COOR基及び−OCOR基)、及び、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基;カルバモイル基;カルバモイルオキシ基;シアノオキシ基(シアナト基);シアノチオ基(チオシアナト基);ホルミル基であることが好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。
また、R45〜R48としては、それらの2つ以上が結合して、R45〜R48が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。
R 45 to R 48 include hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group. Group, phosphonato group, amino group, ammonio group, methyl group, ethyl group, propyl group and other alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms; cyclopentyl group, cyclohexyl group and other cycloalkyl groups having 4 to 23 carbon atoms; cyclopentenyl group A cycloalkenyl group having 4 to 23 carbon atoms such as cyclohexenyl group; an aryloxyalkyl group having 7 to 26 carbon atoms such as phenoxymethyl group, 2-phenoxyethyl group and 4-phenoxybutyl group (-ROAr group); benzyl An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms such as a 3-phenylpropyl group; An alkyl group having 2 to 21 carbon atoms having a cyano group such as a ruthenium group or β-cyanoethyl group; an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms having a hydroxyl group such as a hydroxymethyl group, a methoxy group, an ethoxy group, or a benzyloxy group An alkyl ether group optionally substituted by an aryl group having 1 to 20 carbon atoms; an aryl ether group such as a phenoxy group or a naphthyloxy group; an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms such as a methylthio group or an ethylthio group (-SR Group); arylthioether groups such as benzylthio group and naphthylthio group; amide groups having 2 to 21 carbon atoms such as acetamido group and benzenesulfonamide group (C 6 H 5 SO 2 NH 2 —); acetyl group, benzoyl group and the like An acyl group having 1 to 20 carbon atoms; a thioacyl group; an acylthio group such as an acetylthio group or a benzoylthio group; Group, acetoxy group, benzyloxycarbonyl group, etc., C2-C21 ester group (-COOR group and -OCOR group), and C6-C20 substituted by electron-donating group and / or electron-withdrawing group Benzyl group, cyano group; carbamoyl group; carbamoyloxy group; cyanooxy group (cyanato group); cyanothio group (thiocyanato group); formyl group Is preferred. The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.
In addition, as R 45 to R 48 , two or more of them are bonded to each other and a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, and indene is shared by sharing the atoms of the benzene ring to which R 45 to R 48 are bonded. Even if it forms, it is preferable from the point which absorption wavelength becomes long.

また、式(7)においてR49は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。ここで、“脱保護可能な”とは、−OR49から−OHに変化する可能性があることを表す。R49が水素原子の場合には、本発明に係る塩基発生剤は、環化することで、フェノール性水酸基を消失し、溶解性が変化し、塩基性水溶液等の場合には溶解性が低下する。これにより、後述する本発明に係る感光性樹脂組成物に含まれる高分子前駆体がポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体である場合、当該前駆体の最終生成物への反応による溶解性の低下を更に補助する機能を有し、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となる。 In formula (7), R 49 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. Here, “deprotectable” means that there is a possibility of changing from —OR 49 to —OH. When R 49 is a hydrogen atom, the base generator according to the present invention loses the phenolic hydroxyl group by cyclization to change the solubility, and in the case of a basic aqueous solution, the solubility decreases. To do. Thereby, when the polymer precursor contained in the photosensitive resin composition according to the present invention, which will be described later, is a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, the solubility decreases due to the reaction of the precursor to the final product. It is possible to increase the solubility contrast between the exposed area and the unexposed area.

また、R49が加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である場合、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護されて、水酸基を生成する。加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基でフェノール性水酸基を保護することにより、当該保護基を適宜選択することによって、組み合わせる化合物、例えば高分子前駆体との相溶性が向上し、組み合わせ可能な化合物の範囲が増える。例えば、フェノール性水酸基と共存することが好ましくない高分子前駆体に対しても、樹脂組成物中に共存させて用いることが可能になる。R49は、本発明で用いられる塩基発生剤において式(7)中に存在するアミド基が分解しない条件下で、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能なフェノール性水酸基の保護基であれば、特に限定されず用いることができる。例えば、アミド結合は、三臭化ホウ素や三塩化アルミニウム等の強ルイス酸や硫酸、塩酸、硝酸等の強酸等が存在する強酸性下における加熱や、水酸化ナトリウム等の強塩基が存在する強塩基性下における加熱により分解する。従って、このような強酸性又は強塩基性条件下での加熱でしか脱保護されない保護基は、本発明の塩基発生剤に用いられる保護基としては不適切である。R49は、溶解性や相溶性の向上或いは合成時の反応性の変化などを目的として、当該塩基発生剤と組み合わせて用いられる化合物の種類や、塩基発生剤の適用方法や合成方法により適宜選択されるものである。 Further, when R 49 is a protective group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves, it is deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves to generate a hydroxyl group. By protecting the phenolic hydroxyl group with a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves, the compatibility with the compound to be combined, for example, the polymer precursor is improved by appropriately selecting the protecting group, The range of compounds that can be combined is increased. For example, a polymer precursor that is not preferably coexisting with a phenolic hydroxyl group can be used in the resin composition. R 49 may be a protecting group for a phenolic hydroxyl group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves under conditions where the amide group present in formula (7) does not decompose in the base generator used in the present invention. As long as it is not particularly limited, it can be used. For example, an amide bond is a strong acid such as boron tribromide or aluminum trichloride, a strong Lewis acid such as sulfuric acid, hydrochloric acid or nitric acid, or a strong base such as sodium hydroxide. Decomposes on heating under basic conditions. Accordingly, such a protecting group that can be deprotected only by heating under strongly acidic or strongly basic conditions is inappropriate as a protecting group used in the base generator of the present invention. R 49 is selected as appropriate depending on the type of compound used in combination with the base generator, the application method of the base generator, and the synthesis method for the purpose of improving solubility and compatibility or changing the reactivity during synthesis. It is what is done.

49としては、シリル基、シラノール基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、又は有機基から選択することができる。R49における有機基は、通常、1価の有機基である。 R 49 can be selected from a silyl group, a silanol group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, or an organic group. The organic group for R 49 is usually a monovalent organic group.

式(7)の具体例を以下に挙げるが、これに限定されるものではない。   Although the specific example of Formula (7) is given below, it is not limited to this.

また、本発明で用いられる光塩基発生剤としては、例えば、下記一般式(8)に示す化合物が挙げられる。   Moreover, as a photobase generator used by this invention, the compound shown to following General formula (8) is mentioned, for example.

(式(8)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R41及びR42は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。R50及びR50’はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、又は有機基である。R51、R52、R53、R54及びR55は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R51、R52、R53、R54及びR55は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。) (In Formula (8), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different. R 41 and R 42 are bonded to form a ring. may form a structure, may contain a binding heteroatom. proviso that at least one of R 41 and R 42 is an organic group .R 50 and R 50 'each independently represents a hydrogen atom, A halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or an organic group, R 51 , R 52 , R 53 , R 54, and R 55 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydroxyl group; , Mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group Amino group, an ammonio group or an organic group, may be different even in the same .R 51, R 52, R 53 , R 54 and R 55 are a ring structure bonded to two or more of them It may be formed or may contain a heteroatom bond.)

上記化学式(8)で表される塩基発生剤は、電磁波を照射するとカルバメート結合の光脱炭酸反応によって結合が開裂し、塩基(NHR)を発生させる。 When the base generator represented by the chemical formula (8) is irradiated with electromagnetic waves, the bond is cleaved by the photodecarboxylation reaction of the carbamate bond to generate a base (NHR 1 R 2 ).

化学式(8)において、R41及びR42は、前記化学式(7)において説明したものと同様のものとすることができる。 In the chemical formula (8), R 41 and R 42 may be the same as those described in the chemical formula (7).

また、化学式(8)において、R50及びR50’はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、又は有機基であるが、当該有機基としては、後述するR51〜R55に挙げたものと同様のものを用いることができる。 In the chemical formula (8), R 50 and R 50 ′ are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or an organic group. The same as those mentioned in R 51 to R 55 described later can be used.

上記化学式(8)のR51〜R55は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R51〜R55は、それぞれ、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。 R 51 to R 55 in the chemical formula (8) are each independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate. Group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group or organic group, which may be the same or different. Two or more of R 51 to R 55 may be bonded to each other to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond.

上記化学式(8)のR51〜R55には、置換基を1つ以上導入することが好ましい。R51〜R55において、上記のような置換基を少なくとも1つ導入することにより、吸収する光の波長を調整することが可能であり、置換基を導入することで所望の波長を吸収させるようにすることもできる。芳香族環の共役鎖を伸ばすような置換基を導入することにより、吸収波長を長波長にシフトすることができる。また、溶解性や組み合わせる高分子前駆体との相溶性が向上するようにすることもできる。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。 It is preferable to introduce one or more substituents into R 51 to R 55 in the chemical formula (8). In R 51 to R 55 , the wavelength of light to be absorbed can be adjusted by introducing at least one substituent as described above, and a desired wavelength can be absorbed by introducing a substituent. It can also be. The absorption wavelength can be shifted to a longer wavelength by introducing a substituent that extends the conjugated chain of the aromatic ring. It is also possible to improve the solubility and compatibility with the polymer precursor to be combined. Thereby, it is possible to improve the sensitivity of the photosensitive resin composition in consideration of the absorption wavelength of the polymer precursor to be combined.

上記化学式(8)のR51は、ニトロ基であることが、上記化学式(8)で表される塩基発生剤の感度が向上する点から好ましい。 R 51 in the chemical formula (8) is preferably a nitro group from the viewpoint of improving the sensitivity of the base generator represented by the chemical formula (8).

51〜R55において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。
51〜R55において、有機基としては、例えば、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも環状でも良い。R51〜R55の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、前記R41及びR42の炭化水素基以外の結合と同様のものを用いることができる。また、R51〜R55の有機基は、炭化水素基以外の結合を介してベンゼン環に結合してもよい。また、R51〜R55の有機基において炭化水素基以外の置換基(有機基に包含される置換基において炭化水素基とは異なる置換基、及び炭化水素基に置換されていても良い置換基)としては、前記R41及びR42の炭化水素基以外の置換基と同様のものを用いることができる。
有機基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基等が挙げられる。
51〜R55における有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合等には、2価以上の有機基となり得る。
In R 51 to R 55 , examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and the like.
In R 51 to R 55 , examples of the organic group include a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. These organic groups may contain a bond or substituent other than a hydrocarbon group such as a hetero atom in the organic group, and these may be linear, branched or cyclic. As the bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 51 to R 55 , the same bond as the bond other than the hydrocarbon group of R 41 and R 42 can be used. The organic group of R 51 to R 55 may be bonded to the benzene ring via a bond other than a hydrocarbon group. In addition, in the organic groups of R 51 to R 55 , substituents other than hydrocarbon groups (substituents included in the organic groups, substituents different from hydrocarbon groups, and substituents that may be substituted with hydrocarbon groups) ) May be the same as the substituents other than the hydrocarbon groups of R 41 and R 42 .
The organic group is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. , Cyano group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated Examples thereof include a saturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, and an aryl thioether group.
The organic group in R 51 to R 55 is usually a monovalent organic group, but may form a divalent or higher organic group in the case of forming a cyclic structure to be described later.

また、R51〜R55は、それらのうち2つ以上が結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、R51〜R55のそれぞれは、それらの2つ以上が結合して、R51〜R55のそれぞれが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成していても良い。
Moreover, two or more of R 51 to R 55 may be bonded to form a cyclic structure.
The cyclic structure is a combination of two or more selected from the group consisting of saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings, and the alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings. The structure which becomes may be sufficient. For example, each of R 51 to R 55 may be a combination of two or more of them, and share a benzene ring atom to which each of R 51 to R 55 is bonded, such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, indene, etc. A condensed ring may be formed.

51〜R55としては、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1〜20のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数4〜23のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数4〜23のシクロアルケニル基;フェノキシメチル基、2−フェノキシエチル基、4−フェノキシブチル基等の炭素数7〜26のアリールオキシアルキル基(−ROAr基);ベンジル基、3−フェニルプロピル基等の炭素数7〜20のアラルキル基;シアノメチル基、β−シアノエチル基等のシアノ基をもつ炭素数2〜21のアルキル基;ヒドロキシメチル基等の水酸基をもつ炭素数1〜20のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、等の炭素数1〜20のアリール基で置換されていても良いアルキルエーテル基;フェノキシ基、ナフチルオキシ基等のアリールエーテル基、;メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数1〜20のアルキルチオ基(−SR基);ベンジルチオ基、ナフチルチオ基等のアリールチオエーテル基;アセトアミド基、ベンゼンスルホナミド基(CSONH−)等の炭素数2〜21のアミド基;アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数1〜20のアシル基;チオアシル基;アセチルチオ基、ベンゾイルチオ基等のアシルチオ基;メトキシカルボニル基、アセトキシ基、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数2〜21のエステル基(−COOR基及び−OCOR基)、及び、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基;カルバモイル基;カルバモイルオキシ基;シアノオキシ基(シアナト基);シアノチオ基(チオシアナト基);ホルミル基であることが好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。
また、R51〜R55としては、それらの2つ以上が結合して、R51〜R55が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。
R 51 to R 55 include hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group. Group, phosphonato group, amino group, ammonio group, methyl group, ethyl group, propyl group and other alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms; cyclopentyl group, cyclohexyl group and other cycloalkyl groups having 4 to 23 carbon atoms; cyclopentenyl group A cycloalkenyl group having 4 to 23 carbon atoms such as cyclohexenyl group; an aryloxyalkyl group having 7 to 26 carbon atoms such as phenoxymethyl group, 2-phenoxyethyl group and 4-phenoxybutyl group (-ROAr group); benzyl An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms such as a 3-phenylpropyl group; An alkyl group having 2 to 21 carbon atoms having a cyano group such as a ruthenium group or β-cyanoethyl group; an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms having a hydroxyl group such as a hydroxymethyl group, a methoxy group, an ethoxy group, a benzyloxy group, etc. An alkyl ether group which may be substituted with an aryl group having 1 to 20 carbon atoms; an aryl ether group such as a phenoxy group or a naphthyloxy group; an alkylthio group having 1 to 20 carbon atoms such as a methylthio group or an ethylthio group (- SR group); arylthioether groups such as benzylthio group and naphthylthio group; amide groups having 2 to 21 carbon atoms such as acetamido group and benzenesulfonamide group (C 6 H 5 SO 2 NH 2 —); acetyl group and benzoyl group An acyl group having 1 to 20 carbon atoms such as thioacyl group; an acylthio group such as acetylthio group and benzoylthio group; An ester group having 2 to 21 carbon atoms (-COOR group and -OCOR group), such as a ruthenium group, an acetoxy group, and a benzyloxycarbonyl group, and 6 to 6 carbon atoms substituted by an electron-donating group and / or an electron-withdrawing group Benzyl group, cyano group; carbamoyl group; carbamoyloxy group; cyanooxy group (cyanato group); cyanothio group (thiocyanato group); formyl group substituted by 20 aryl groups, electron donating group and / or electron withdrawing group It is preferable. The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.
In addition, as R 51 to R 55 , two or more of them are bonded to each other and a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, and indene is shared by sharing the atoms of the benzene ring to which R 51 to R 55 are bonded. Even if it forms, it is preferable from the point which absorption wavelength becomes long.

式(8)の具体例を以下に挙げるが、これに限定されるものではない。   Although the specific example of Formula (8) is given below, it is not limited to this.

また、本発明で用いられる光塩基発生剤としては、例えば、下記一般式(9)に示す化合物が挙げられる。   Moreover, as a photobase generator used by this invention, the compound shown in following General formula (9) is mentioned, for example.

(式(9)中、R57は、有機基で置換されたアミノ基又は有機基、R58及びR59は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良いが、R58及びR59の少なくとも1つはヘテロ原子を有していても良い芳香族化合物である。R57、R58及びR59は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。) (In the formula (9), R 57 is an amino group or an organic group substituted with an organic group, R 58 and R 59 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, Group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonio group or organic group, which may be the same or different, At least one of 58 and R 59 is an aromatic compound which may have a hetero atom, and two or more of R 57 , R 58 and R 59 are bonded to form a cyclic structure. And may contain heteroatom bonds.)

上記化学式(9)で表される塩基発生剤は、オキシムエステル誘導体であって、下記反応式に従って、電磁波の吸収により分子内解裂反応を起こし、アミンまたはヒドラジンを発生させる。   The base generator represented by the chemical formula (9) is an oxime ester derivative, which undergoes an intramolecular cleavage reaction by absorption of electromagnetic waves according to the following reaction formula to generate amine or hydrazine.

上記化学式(9)中、R57は、有機基で置換されたアミノ基又は有機基である。上記化学式(9)のR57が、有機基で置換されたアミノ基である場合、下記式(9’)で表されるカルバモイルオキシム構造を有し、上述のように、アミン及びヒドラジンを発生し得る。 In the chemical formula (9), R 57 is an amino group or an organic group substituted with an organic group. When R 57 in the chemical formula (9) is an amino group substituted with an organic group, it has a carbamoyloxime structure represented by the following formula (9 ′), and generates an amine and hydrazine as described above. obtain.

(式(9’)中、R58及びR59は、化学式(9)と同じであり、R71及びR72は、上記化学式(7)のR41及びR42と同じである。R58、R59、R71及びR72は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。) (Wherein (9 '), R 58 and and R 59 is the same as the chemical formula (9), R 71 and R 72 are the same as R 41 and R 42 of Formula (7) .R 58, R 59 , R 71, and R 72 may be bonded to each other to form a cyclic structure, or may include a hetero atom bond.)

上記化学式(9)及び式(9’)中、R58及びR59の少なくとも1つはヘテロ原子を有していても良い芳香族化合物であることが特徴的である。R58及びR59の少なくとも1つに芳香族化合物が置換している状態とは、R58及びR59が結合している炭素に芳香族化合物が直接共有結合で結合している状態のことを言う。なお、ここでの芳香族化合物は、環状不飽和有機化合物いい、芳香族炭化水素と芳香族複素環式化合物が含まれる。芳香族化合物としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレン基、アントラニル基、フェナントレニル基、ピレニル基等の芳香族炭化水素基の他、フラニル基、チオフェニル基、ピロリル基、(チオ)キサンテニル基、(チオ)キサントニル基、クマリル基、アントラキノリル基等の複素芳香族化合物等が挙げられるが特に限定されない。これらが有していても良い置換基としては、上述したR45〜R48と同様であって良い。R58及びR59の一方が、芳香族化合物以外の有機基である場合も、上述したR45〜R48と同様であって良い。 In the above chemical formulas (9) and (9 ′), at least one of R 58 and R 59 is an aromatic compound which may have a hetero atom. The state in which at least one of R 58 and R 59 is substituted with an aromatic compound refers to a state in which the aromatic compound is directly covalently bonded to the carbon to which R 58 and R 59 are bonded. say. Here, the aromatic compound is a cyclic unsaturated organic compound, and includes aromatic hydrocarbons and aromatic heterocyclic compounds. Examples of the aromatic compound include a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a naphthyl group, a fluorene group, an anthranyl group, a phenanthrenyl group, and a pyrenyl group, as well as a furanyl group, a thiophenyl group, and a pyrrolyl group. And heteroaromatic compounds such as (thio) xanthenyl group, (thio) xanthonyl group, coumaryl group, anthraquinolyl group, and the like. The substituent that they may have may be the same as R 45 to R 48 described above. When one of R 58 and R 59 is an organic group other than an aromatic compound, it may be the same as R 45 to R 48 described above.

上記化学式(9)及び式(9’)中、R58、R59、R71及びR72は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R58及びR59が結合して環状構造を形成している場合としては、例えば、R58及びR59が結合している炭素と共に、フルオレン環を形成している態様が挙げられる。また、R58及びR57やR58及びR71が結合して環状構造を形成している場合としては、例えば、R58及びR57やR58及びR71が脂肪族炭化水素基で連結されている態様が挙げられる。 In the above chemical formulas (9) and (9 ′), R 58 , R 59 , R 71, and R 72 may be bonded to form a cyclic structure by combining two or more of them. It may be included. Examples of the case where R 58 and R 59 are bonded to form a cyclic structure include an embodiment in which a fluorene ring is formed together with the carbon to which R 58 and R 59 are bonded. In addition, when R 58 and R 57 or R 58 and R 71 are combined to form a cyclic structure, for example, R 58 and R 57 or R 58 and R 71 are connected by an aliphatic hydrocarbon group. The aspect which is mentioned is mentioned.

式(9)の具体例としては、例えば、下記式で示される化合物を挙げることができる。   As a specific example of Formula (9), the compound shown by a following formula can be mentioned, for example.

式(9’)の具体例としては、例えば、下記式で示される化合物を挙げることができる。   Specific examples of the formula (9 ′) include compounds represented by the following formulas.

本発明に用いられる光塩基発生剤としては、式7、式8、式9、に記載の光塩基発生剤が、耐熱性、感度の点から好ましく、特に感度の観点から式7に記載の光塩基発生剤が好ましい。
次に、光塩基発生剤から発生するアミンについて説明する。
As the photobase generator used in the present invention, photobase generators represented by Formula 7, Formula 8, and Formula 9 are preferable from the viewpoint of heat resistance and sensitivity, and the light described in Formula 7 is particularly preferable from the viewpoint of sensitivity. Base generators are preferred.
Next, the amine generated from the photobase generator will be described.

本発明に用いられる光塩基発生剤は、前述のポリイミド前駆体と組み合わせて用いられる。ポリイミド前駆体は、350nm未満の波長領域に強い吸収を有するため、光塩基発生剤は、350nm以上の波長領域に感度を有することが望ましい。上記ポリイミド成分が最終生成物となるための塩基発生の機能を十分に発揮させるために、露光波長の少なくとも一部に対して吸収を有する必要がある。一般的な露光光源である高圧水銀灯の波長としては、365nm、405nm、436nmがある。このため、本発明における塩基発生剤は、少なくとも365nm、405nm、436nmの波長の電磁波のうち少なくとも1つの波長の電磁波に対して吸収を有することが好ましい。このような場合、適用可能なポリイミド成分の種類がさらに増える点から好ましい。   The photobase generator used in the present invention is used in combination with the aforementioned polyimide precursor. Since the polyimide precursor has strong absorption in a wavelength region of less than 350 nm, it is desirable that the photobase generator has sensitivity in a wavelength region of 350 nm or more. In order to sufficiently exhibit the function of generating a base for the polyimide component to become a final product, it is necessary to have absorption for at least a part of the exposure wavelength. The wavelength of a high-pressure mercury lamp that is a general exposure light source includes 365 nm, 405 nm, and 436 nm. For this reason, it is preferable that the base generator in the present invention absorbs electromagnetic waves having at least one wavelength among electromagnetic waves having wavelengths of at least 365 nm, 405 nm, and 436 nm. In such a case, it is preferable because the number of applicable polyimide components is further increased.

本発明に用いられる光塩基発生剤において発生する塩基性物質としては、下記式(A)で表されるアミンや下記式(B)で表されるアミジンが挙げられる。   Examples of the basic substance generated in the photobase generator used in the present invention include amines represented by the following formula (A) and amidines represented by the following formula (B).

(Rは、それぞれ独立に、水素原子又は1価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Rは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Rの少なくとも1つは1価の有機基である。また、Rは、それぞれ独立に、水素原子又は1価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Rは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。) (R C each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and may be the same or different. R C may combine to form a cyclic structure, It may contain a heteroatom bond, provided that at least one of R C is a monovalent organic group, and each R d is independently a hydrogen atom or a monovalent organic group, and the same R d may be bonded to each other to form a cyclic structure or may contain a hetero atom bond.)

なお、上記式(A)のRにおいて、式(B)に含まれるようなアミジン構造を有していている場合は、発生塩基としては上記式(A)のアミンではなく、上記式(B)のアミジンに属することとする。 In addition, when R C of the formula (A) has an amidine structure as contained in the formula (B), the generated base is not the amine of the formula (A) but the formula (B ) Belonging to amidine.

上記のような触媒効果等の、発生した塩基性物質が与える効果が大きい点から、発生する塩基性物質が脂肪族アミンもしくはアミジンであることが、塩基性の高いアミンである点から好ましい。その中でも、塩基性の観点からは、2級や3級の脂肪族アミンもしくはアミジンが好ましい。しかしながら脂肪族1級アミンを用いた場合でも、芳香族アミンを用いた場合に比べて、十分な触媒効果を得ることができる。そのため、脂肪族アミンの中でも、更に、5%重量減少温度や50%重量減少温度、熱分解温度といった熱物性や、溶解性といった他の物性面や、合成の簡便性やコストといった観点から、アミンやアミジンを適宜選択することが望ましい。   In view of the large effect of the generated basic substance such as the catalytic effect as described above, it is preferable that the generated basic substance is an aliphatic amine or amidine because it is a highly basic amine. Among these, from the viewpoint of basicity, secondary or tertiary aliphatic amines or amidines are preferable. However, even when an aliphatic primary amine is used, a sufficient catalytic effect can be obtained as compared with the case where an aromatic amine is used. Therefore, among aliphatic amines, from the viewpoints of thermal properties such as 5% weight loss temperature, 50% weight loss temperature, thermal decomposition temperature, other physical properties such as solubility, ease of synthesis and cost, etc. It is desirable to appropriately select amidine.

本発明においては、上記脂肪族アミンを発生させ、高感度を達成し、さらには、露光部未露光部の溶解性コントラストを大きくする観点から、式(A)中のRの窒素原子と直接結合している全ての原子が、水素原子もしくはSP3軌道を有する炭素原子である(但し、Rの全てが水素原子である場合を除く。)ことが好ましい。
このような窒素原子と直接結合している原子がSP3軌道を有する炭素原子となるような置換基としては、直鎖脂肪族炭化水素基、分岐脂肪族炭化水素基、及び、環状脂肪族炭化水素基、又はこれらの組み合わせからなる脂肪族炭化水素基が挙げられる。なお、当該脂肪族炭化水素基は、芳香族基等の置換基を有していても良く、或いは、炭化水素鎖中にヘテロ原子等の炭化水素以外の結合を含んでいても良い。好適なものとして、炭素数1〜20の直鎖又は分岐の飽和又は不飽和アルキル基、炭素数4〜13のシクロアルキル基、炭素数7〜26のフェノキシアルキル基、炭素数7〜26のアリールアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基が挙げられる。
ここでRが上記環状脂肪族炭化水素基又は上記シクロアルキル基を有する場合には、Rの2つが連結して環状になって、Rが結合している窒素原子を含む複素環構造を形成している場合を含む。
In the present invention, the aliphatic amine is generated to achieve high sensitivity, and further, from the viewpoint of increasing the solubility contrast of the unexposed area of the exposed portion, directly with the nitrogen atom of R c in the formula (A). It is preferable that all bonded atoms are hydrogen atoms or carbon atoms having SP3 orbital (except when all of R c are hydrogen atoms).
Examples of the substituent in which the atom directly bonded to the nitrogen atom is a carbon atom having an SP3 orbital include a linear aliphatic hydrocarbon group, a branched aliphatic hydrocarbon group, and a cyclic aliphatic hydrocarbon. An aliphatic hydrocarbon group composed of a group or a combination thereof. In addition, the said aliphatic hydrocarbon group may have substituents, such as an aromatic group, or may contain bonds other than hydrocarbons, such as a hetero atom, in a hydrocarbon chain. Preferable examples include a linear or branched saturated or unsaturated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a phenoxyalkyl group having 7 to 26 carbon atoms, and an aryl having 7 to 26 carbon atoms. An alkyl group and a C1-C20 hydroxyalkyl group are mentioned.
Here, when R c has the above cyclic aliphatic hydrocarbon group or the above cycloalkyl group, a heterocyclic structure containing a nitrogen atom to which two of R c are linked to form a ring and R c is bonded Including the case of forming.

上記脂肪族炭化水素基としては、具体的には、メチル基、エチル基、エチニル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、シクロヘキシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ベンジル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、Rの2つが連結して環状になって、Rが結合している窒素原子を含む複素環構造を形成している場合の複素環構造としては、例えば、アジリジン(3員環)、アゼチジン(4員環)、ピロリジン(5員環)、ピペリジン(6員環)、アゼパン(7員環)、アゾカン(8員環)等が挙げられる。これら複素環構造には直鎖又は分岐のアルキル基等の置換基を有していても良く、例えば、アルキル置換体として、メチルアジリジンなどのモノアルキルアジリジン、ジメチルアジリジンなどのジアルキルアジリジン、メチルアゼチジンなどのモノアルキルアゼチジン、ジメチルアゼチジンなどのジアルキルアゼチジン、トリメチルアゼチジンなどのトリアルキルアゼチジン、メチルピロリジンなどのモノアルキルピロリジン、ジメチルピロリジンなどのジアルキルピロリジン、トリメチルピロリジンなどのトリアルキルピロリジン、テトラメチルピロリジンなどのテトラアルキルピロリジン、メチルピペリジンなどのモノアルキルピペリジン、ジメチルピペリジンなどのジアルキルピペリジン、トリメチルピペリジンなどのトリアルキルピペリジン、テトラメチルピペリジンなどのテトラアルキルピペリジン、ペンタメチルピペリジンなどのペンタアルキルピペリジン等が挙げられる。
Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, an ethynyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, a cyclohexyl group, an isobornyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group. , A benzyl group and the like, but are not limited thereto.
Further, it becomes annularly two of R c linked, the heterocyclic structure when forming a heterocyclic structure containing a nitrogen atom to which R c is attached, for example, aziridine (three-membered ring) Azetidine (4-membered ring), pyrrolidine (5-membered ring), piperidine (6-membered ring), azepane (7-membered ring), azocane (8-membered ring) and the like. These heterocyclic structures may have a substituent such as a linear or branched alkyl group. For example, as an alkyl substituent, a monoalkylaziridine such as methylaziridine, a dialkylaziridine such as dimethylaziridine, and methylazetidine Monoalkyl azetidine such as dialkyl azetidine such as dimethyl azetidine, trialkyl azetidine such as trimethyl azetidine, monoalkyl pyrrolidine such as methyl pyrrolidine, dialkyl pyrrolidine such as dimethyl pyrrolidine, trialkyl pyrrolidine such as trimethyl pyrrolidine, tetra Tetraalkylpyrrolidines such as methylpyrrolidine, monoalkylpiperidines such as methylpiperidine, dialkylpiperidines such as dimethylpiperidine, and trialkylpiperidines such as trimethylpiperidine Lysine, a tetraalkyl piperidine, such as tetramethylpiperidine, penta-alkyl piperidines such as such as pentamethyl piperidine.

本発明において、上記Rの有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は1価の有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素原子基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は1価の有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。 In the present invention, the bond other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R c is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, Ester bond, amide bond, urethane bond, imino bond (-N = C (-R)-, -C (= NR)-, where R is a hydrogen atom or a monovalent organic group), carbonate bond, sulfonyl bond, Examples thereof include a sulfinyl bond and an azo bond. From the viewpoint of heat resistance, the bond other than the hydrocarbon atom group in the organic group includes an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and an imino bond (—N═C ( -R)-, -C (= NR)-: where R is a hydrogen atom or a monovalent organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, or a sulfinyl bond.

本発明において、上記Rの有機基中の炭化水素原子基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素原子基)等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素原子は、炭化水素原子基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素原子基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。 In the present invention, the substituent other than the hydrocarbon atom group in the organic group of R c is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group. Group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, Acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group And arylthioates Ter group, amino group (-NH2, -NHR, -NRR ': where R and R' are each independently a hydrocarbon atom group). The hydrogen atom contained in the substituent may be substituted with a hydrocarbon atom group. Moreover, the hydrocarbon atom group contained in the substituent may be linear, branched, or cyclic.

本発明に係る光塩基発生剤の分解時に発生するアミンとしては、具体的には、n−ブチルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、オクチルアミン、ベンジルアミンなどの第1級アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、などの直鎖状2級アミン類、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカンなどの環状2級アミンおよびこれらのアルキル置換体のような第2級アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリエチレンジアミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、キヌクリジンおよび、3−キヌクリジノールのような脂肪族第3級アミン、ジメチルアニリンなどの芳香族第3級アミン、およびイソキノリン、ピリジン、コリジン、ベータピコリンなどの複素環第3級アミンなどが挙げられる。   Specific examples of amines generated during the decomposition of the photobase generator according to the present invention include primary amines such as n-butylamine, amylamine, hexylamine, cyclohexylamine, octylamine, and benzylamine, diethylamine, and diamine. Linear secondary amines such as propylamine, diisopropylamine and dibutylamine, secondary amines such as aziridine, azetidine, pyrrolidine, piperidine, azepane and azocan and secondary amines such as these alkyl substituents , Aromatic tertiary amines such as dimethylaniline, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, triethylenediamine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, quinuclidine and 3-quinuclidinol Tribe Tertiary amines, and isoquinoline, pyridine, collidine, and heterocyclic tertiary amines such as beta-picoline and the like.

本発明に用いられる光塩基発生剤の分解時に発生するアミジンとしては、具体的には、イミダゾール、プリン、トリアゾール、グアニジンなどの2級アミジン及びこれらの誘導体、ピリミジン、トリアジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン(DBU)及び1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン(DBN)などの3級アミジンおよびこれらの誘導体などが挙げられる。   Specific examples of the amidine generated upon decomposition of the photobase generator used in the present invention include secondary amidines such as imidazole, purine, triazole, guanidine, and derivatives thereof, pyrimidine, triazine, 1,8-diazabicyclo [ Tertiary amidine such as 5.4.0] undec-7-ene (DBU) and 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene (DBN), and derivatives thereof.

本発明においては、上述の光塩基発生剤のなかでも、上記式(7)で表わされるものであることが好ましい。   In the present invention, among the above-mentioned photobase generators, those represented by the above formula (7) are preferable.

本発明の塩基発生剤は、複数の従来公知の合成ルートで合成することができる。上記化学式(7)で表される塩基発生剤は、例えば、特願2010−176384号公報を参考に合成することができる。上記化学式(7)で表される塩基発生剤において、フェノール性水酸基における保護基(R49)の導入は、合成途中で導入していても良いし、合成の最後に導入しても良い。また、上記化学式(8)で表される塩基発生剤は、例えば、特開2006−189591号公報及び特開2008−247747号公報を参考に合成することができる。また、上記化学式(9)で表される塩基発生剤は、例えば、特開2007−249013号公報及び特開2008−003581号公報を参考に合成することができる。 The base generator of the present invention can be synthesized by a plurality of conventionally known synthesis routes. The base generator represented by the chemical formula (7) can be synthesized with reference to Japanese Patent Application No. 2010-176384, for example. In the base generator represented by the chemical formula (7), the protecting group (R 49 ) in the phenolic hydroxyl group may be introduced during the synthesis or may be introduced at the end of the synthesis. The base generator represented by the chemical formula (8) can be synthesized with reference to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2006-189591 and 2008-247747. The base generator represented by the chemical formula (9) can be synthesized with reference to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2007-249013 and 2008-003581.

1−3.溶媒
本発明に用いられる溶媒としては、上記ポリイミド成分や感光性成分を均一に分散または溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類(いわゆるセロソルブ類);メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル(例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート)、メトキシプロピルアセテート、エトキシプロピルアセテート、蓚酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類;エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類;塩化メチレン、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエチレン、1−クロロプロパン、1−クロロブタン、1−クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類;N−メチルピロリドンなどのピロリドン類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、その他の有機極性溶媒類等が挙げられ、更には、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及び、その他の有機非極性溶媒類等も挙げられる。これらの溶媒は単独若しくは2種以上組み合わせて用いられる。
中でも、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、N−アセチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等の極性溶媒が好適なものとして挙げられる。
1-3. Solvent The solvent used in the present invention is not particularly limited as long as it can uniformly disperse or dissolve the polyimide component and the photosensitive component. For example, diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol Ethers such as dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether Glycol monoethers (so-called cellosolves); methyl ethyl ketone Of ketones such as ethyl acetate, butyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, and glycol monoethers. Esters such as acetates (eg methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate), methoxypropyl acetate, ethoxypropyl acetate, dimethyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate; ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, diethylene glycol Alcohols such as glycerin; methylene chloride, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethylene, 1-chloropropane, 1-chlorobutane, 1-chloropentane, Halogenated hydrocarbons such as lobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene; N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, etc. Amides; pyrrolidones such as N-methylpyrrolidone; lactones such as γ-butyrolactone; sulfoxides such as dimethyl sulfoxide; other organic polar solvents; and further aromatics such as benzene, toluene and xylene. Group hydrocarbons and other organic nonpolar solvents are also included. These solvents are used alone or in combination of two or more.
Among them, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylformamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethyl sulfoxide, hexa Polar solvents such as methylphosphoamide, N-acetyl-2-pyrrolidone, pyridine, dimethyl sulfone, tetramethylene sulfone, dimethyltetramethylene sulfone, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone It is mentioned as a suitable thing.

1−4.その他の成分
本発明における感光性樹脂組成物は、少なくとも上記ポリイミド前駆体と、光塩基発生剤を含むものであるが、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
このような他の成分としては、熱硬化性成分、ポリイミド前駆体以外の非重合性バインダー樹脂、その他の添加剤を配合して、低アウトガス感光性ポリイミド樹脂組成物を調製してもよい。
1-4. Other components Although the photosensitive resin composition in this invention contains the said polyimide precursor and a photobase generator at least, it may contain the other component as needed.
As such other components, a thermosetting component, a non-polymerizable binder resin other than the polyimide precursor, and other additives may be blended to prepare a low outgas photosensitive polyimide resin composition.

本発明においては、感光性樹脂組成物に加工特性や各種機能性を付与するために、その他に様々な有機又は無機の低分子又は高分子化合物を配合してもよい。例えば、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子等を用いることができる。微粒子には、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン等の有機微粒子、コロイダルシリカ、カーボン、層状珪酸塩等の無機微粒子等が含まれ、それらは多孔質や中空構造であってもよい。また、その機能又は形態としては顔料、フィラー、繊維等がある。   In the present invention, various organic or inorganic low-molecular or high-molecular compounds may be blended in addition to impart processing characteristics and various functionalities to the photosensitive resin composition. For example, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, fine particles and the like can be used. The fine particles include organic fine particles such as polystyrene and polytetrafluoroethylene, inorganic fine particles such as colloidal silica, carbon, and layered silicate, and these may have a porous or hollow structure. The function or form includes pigments, fillers, fibers, and the like.

また、本発明における他の任意成分の配合割合は、上記感光性樹脂組成物の固形分全体に対し、0.1重量%〜20重量%の範囲が好ましい。0.1重量%未満だと、添加物を添加した効果が発揮されにくく、20重量%を超えると、最終的に得られる樹脂硬化物の特性が最終生成物に反映されにくいからである。   Moreover, the blending ratio of the other optional components in the present invention is preferably in the range of 0.1 wt% to 20 wt% with respect to the entire solid content of the photosensitive resin composition. If it is less than 0.1% by weight, the effect of adding the additive is difficult to be exhibited, and if it exceeds 20% by weight, the properties of the finally obtained resin cured product are hardly reflected in the final product.

2.レリーフパターンの形成方法
本発明に係る感光性樹脂組成物はパターン形成用材料として好適に用いられる。
本発明のレリーフパターンの形成方法は、少なくとも、
(1)ネガ型感光性樹脂組成物を用いて塗膜又は成形体を形成する工程、
(2)当該塗膜又は成形体に所定パターン状に電磁波を照射する工程、
(3)電磁波を照射後又は照射と同時に、当該塗膜又は成形体を加熱する工程、及び
(4)現像する工程
とを有し、必要に応じて更に別の工程を有していても良いものである。
以下各工程を順に説明する。
2. Method for Forming Relief Pattern The photosensitive resin composition according to the present invention is suitably used as a pattern forming material.
The method for forming a relief pattern of the present invention includes at least
(1) A step of forming a coating film or a molded body using a negative photosensitive resin composition,
(2) A step of irradiating the coating film or molded body with electromagnetic waves in a predetermined pattern,
(3) It has the process of heating the said coating film or a molded object after irradiation with electromagnetic waves or simultaneously with irradiation, and (4) the process of developing, and may have another process as needed. Is.
Hereinafter, each process will be described in order.

(1)感光性樹脂組成物を用いて塗膜又は成形体を形成する工程
本発明に係るネガ型感光性樹脂組成物を何らかの基材上に塗布するなどして塗膜を形成したり、適した成形方法で成形体を形成する。
塗布する方法としては特に限定されず、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、バーコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷、インクジェット法など公知の印刷技術を用いた方法を用いることができる。
成形方法としては、射出成形(インジェクション成形)、ブロー成形、シート成形(真空成形・圧空成型)、チューブ成形(押出成形)等が挙げられるが、特に限定されるものではない。
(1) The process of forming a coating film or a molded object using a photosensitive resin composition Forming a coating film by applying the negative photosensitive resin composition according to the present invention on a certain substrate, etc. A molded body is formed by a different molding method.
The method for applying is not particularly limited. For example, a method using a known printing technique such as a spin coating method, a die coating method, a dip coating method, a bar coating method, a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing, or an inkjet method. Can be used.
Examples of the molding method include injection molding (injection molding), blow molding, sheet molding (vacuum molding / pneumatic molding), tube molding (extrusion molding), and the like, but are not particularly limited.

また、塗膜を形成する際の基材としては、特に限定されないが、シリコンウエハ、金属基板、セラミック基板、ガラス基板、樹脂製基板等を挙げることができる。   Moreover, as a base material at the time of forming a coating film, although it does not specifically limit, a silicon wafer, a metal substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, a resin-made board | substrate etc. can be mentioned.

ネガ型感光性樹脂組成物を塗布又は成形した後は、乾燥、すなわち加熱して溶剤の大部分を除くことにより、基材表面に粘着性のない塗膜ないし、成形体を与えることができる。塗膜の厚みには特に制限はないが、乾燥後の膜厚が0.5〜50μmであることが好ましく、感度および現像速度面から1.0〜20μmであることがより望ましい。塗布した塗膜の乾燥条件としては、当該組成物の成分、使用割合、有機溶剤の種類等により適宜決めればよく、通常、30〜250℃、好ましくは50〜200℃、さらに好ましくは70〜150℃である。また、プリベーク時間は、通常、30秒〜60分程度である。加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、赤外線加熱炉、搬送式熱風炉などが挙げられるが、特に限定されない。   After the negative photosensitive resin composition is applied or molded, it can be dried, that is, heated to remove most of the solvent, thereby giving a non-adhesive coating or molded product on the substrate surface. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a coating film, It is preferable that the film thickness after drying is 0.5-50 micrometers, and it is more desirable that it is 1.0-20 micrometers from a sensitivity and a development speed surface. What is necessary is just to determine suitably as drying conditions of the apply | coated coating film according to the component of the said composition, a use ratio, the kind of organic solvent, etc. Usually, 30-250 degreeC, Preferably it is 50-200 degreeC, More preferably, it is 70-150. ° C. The pre-bake time is usually about 30 seconds to 60 minutes. Examples of the heating method include, but are not limited to, a hot plate, an oven, an infrared heating furnace, and a conveying hot air furnace.

(2)当該塗膜又は成形体に所定パターン状に電磁波を照射する工程
得られた塗膜又は成形体に、所定のパターンを有するマスクを通して、電磁波を照射しパターン状に電磁波を照射する。
(2) The process of irradiating the said coating film or a molded object with electromagnetic waves in a predetermined pattern shape The obtained coating film or molded object is irradiated with electromagnetic waves through a mask having a predetermined pattern to irradiate the electromagnetic waves in a pattern shape.

電磁波を照射する露光工程に用いられる露光方法や露光装置は特に限定されることなく、密着露光でも間接露光でも良く、g線ステッパ、i線ステッパ、超高圧水銀灯を用いるコンタクト/プロキシミティ露光機、ミラープロジェクション露光機、又はその他の紫外線、可視光線、X線、電子線などを照射可能な投影機や線源を使用することができる。   The exposure method and exposure apparatus used in the exposure process of irradiating electromagnetic waves are not particularly limited, and may be contact exposure or indirect exposure, and a contact / proximity exposure machine using a g-line stepper, i-line stepper, or ultrahigh pressure mercury lamp, A mirror projection exposure machine or other projectors or radiation sources that can irradiate ultraviolet rays, visible rays, X-rays, electron beams, or the like can be used.

(3)電磁波を照射後又は照射と同時に、当該塗膜又は成形体を加熱する工程
電磁波を照射後又は勝者と同時に前記塗膜又は成形体を加熱すると、露光部には、塩基性物質が発生し、その部分の熱硬化温度が選択的に低下する。露光後又は露光と同時に、露光部は熱硬化するが未露光部は熱硬化しない処理温度で加熱し、露光部のみ硬化させる。塩基性物質を発生させる加熱工程と、露光部のみ硬化させる反応を行うための加熱工程(露光後ベイク)は、同一の工程としても良いし、別の工程にしても良い。加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、赤外線加熱炉、搬送式熱風炉などが上げられるが、特に限定されない。
(3) Step of heating the coating film or molded body after irradiation with electromagnetic waves or simultaneously with irradiation When the coating film or molded body is heated after irradiation with electromagnetic waves or simultaneously with the winner, a basic substance is generated in the exposed area. And the thermosetting temperature of the part selectively falls. After the exposure or simultaneously with the exposure, the exposed portion is heat-cured but the unexposed portion is heated at a processing temperature that is not heat-cured to cure only the exposed portion. The heating step for generating the basic substance and the heating step (post-exposure bake) for performing the reaction for curing only the exposed portion may be the same step or different steps. As a heating method, a hot plate, an oven, an infrared heating furnace, a transporting hot air furnace, and the like can be raised, but not particularly limited.

加熱温度としては、ネガ型感光性樹脂組成物中の硬化性成分により適宜選択されればよいが、80℃〜300℃、好ましくは120℃〜250℃であり、より好ましくは135℃〜200℃である。熱処理温度が80℃より低いと、硬化反応の効率が悪く、露光部、未露光部の硬化反応率の差を生ずることが難しくなる。一方、熱処理温度が350℃を超えると、未露光部でも硬化反応が進行する恐れがあり、露光部と未露光部の溶解性の差を生じ難い恐れがある。   The heating temperature may be appropriately selected depending on the curable component in the negative photosensitive resin composition, but is 80 ° C to 300 ° C, preferably 120 ° C to 250 ° C, more preferably 135 ° C to 200 ° C. It is. When the heat treatment temperature is lower than 80 ° C., the efficiency of the curing reaction is poor, and it becomes difficult to cause a difference in the curing reaction rate between the exposed and unexposed areas. On the other hand, when the heat treatment temperature exceeds 350 ° C., the curing reaction may proceed even in the unexposed area, and it may be difficult to cause a difference in solubility between the exposed area and the unexposed area.

加熱時間としては、膜厚やネガ型感光性樹脂組成物中の硬化性成分により適宜選択されればよいが、通常、30秒〜1時間、好ましくは1分〜30分である。   The heating time may be appropriately selected depending on the film thickness and the curable component in the negative photosensitive resin composition, but is usually 30 seconds to 1 hour, preferably 1 minute to 30 minutes.

(4)現像する工程
現像工程に用いられる現像液としては、前記電磁波照射部位の溶解性が変化する溶剤を現像液として用いれば、特に限定されず、塩基性水溶液、有機溶剤など、用いられる高分子前駆体に合わせて適宜選択することが可能である。
(4) Developing Step The developing solution used in the developing step is not particularly limited as long as the solvent that changes the solubility of the electromagnetic wave irradiation site is used as the developing solution, and a basic aqueous solution, an organic solvent, or the like is used. It is possible to select appropriately according to the molecular precursor.

塩基性水溶液としては、特に限定されないが、例えば、濃度が、0.01重量%〜10重量%、好ましくは、0.05重量%〜5重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液の他、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、テトラメチルアンモニウムなどの水溶液等が挙げられ、中でも、0.05重量%〜5重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が、安定してパターンを形成できるため特に好ましい。
溶質は、1種類でも2種類以上でも良く、全体の重量の50%以上、さらに好ましくは70%以上、水が含まれていれば有機溶媒等を含んでいても良い。
Although it does not specifically limit as basic aqueous solution, For example, other than tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution whose density | concentration is 0.01 weight%-10 weight%, Preferably, 0.05 weight%-5 weight%. , Diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl Examples include aqueous solutions such as methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine, and tetramethylammonium, among which 0.05% to 5% by weight of tetramethylammonium hydroxy. (TMAH) aqueous solution, especially preferred because it can form a pattern stably.
The solute may be one type or two or more types, and may contain 50% or more of the total weight, more preferably 70% or more, and an organic solvent or the like as long as water is contained.

また、有機溶剤としては、特に限定されないが、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクロン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、その他テトラヒドロフラン、クロロホルム、アセトニトリルなどを、単独であるいは2種類以上を組み合わせて添加してもよい。現像後は水または貧溶媒にて洗浄を行う。この場合においてもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えても良い。   The organic solvent is not particularly limited, but polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolaclone, dimethylacrylamide, methanol, Alcohols such as ethanol and isopropanol, esters such as ethyl acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, isobutyl ketone and methyl isobutyl ketone, other tetrahydrofuran, chloroform, acetonitrile and the like alone or Two or more types may be added in combination. After development, washing is performed with water or a poor solvent. Also in this case, alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate may be added to water.

現像方法としては、スプレー法、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等が挙げられる。   Examples of the developing method include a spray method, a liquid piling method, a dipping method, and a rocking dipping method.

(5)その他の工程
現像後は必要に応じて水または貧溶媒でリンスを行い、80〜100℃で乾燥しパターンを安定なものとしてよい。
また、パターンを、更に必要に応じ加熱して熱硬化を完結させることが好ましい。本発明の感光性樹脂組成物の場合には、レリーフパターンを、耐熱性のあるものとするために180〜500℃、好ましくは200〜350℃の温度で数十分から数時間加熱することが好ましい。
(5) Other steps After development, if necessary, rinse with water or a poor solvent and dry at 80 to 100 ° C. to stabilize the pattern.
Further, it is preferable to complete the thermosetting by further heating the pattern as necessary. In the case of the photosensitive resin composition of the present invention, the relief pattern may be heated at a temperature of 180 to 500 ° C., preferably 200 to 350 ° C. for several tens of minutes to several hours in order to make it heat resistant. preferable.

本発明に係る感光性樹脂組成物又はその硬化物は、印刷インキ、塗料、シール剤、接着剤、電子材料、光回路部品、成形材料、レジスト材料、建築材料、光造形、光学部材等、樹脂材料が用いられる公知の全ての分野、製品に利用できる。塗料、シール剤、接着剤のように、全面露光して用いる用途にも、永久膜や剥離膜などパターンを形成する用途にも、いずれにも好適に用いることができる。   The photosensitive resin composition or the cured product thereof according to the present invention is a resin such as printing ink, paint, sealant, adhesive, electronic material, optical circuit component, molding material, resist material, building material, stereolithography, optical member, etc. It can be used in all known fields and products where the material is used. It can be suitably used both for applications that are used by exposing the entire surface, such as paints, sealants, and adhesives, and for applications that form patterns such as permanent films and release films.

本発明に係る感光性樹脂組成物は、耐熱性、寸法安定性、絶縁性等の特性が有効とされる広範な分野、製品、例えば、塗料、印刷インキ、シール剤、又は接着剤、或いは、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム(Micro Electro Mechanical System(MEMS))、光学部材又は建築材料の形成材料として好適に用いられる。例えば具体的には、電子部品の形成材料としては、封止材料、層形成材料として、プリント配線基板、層間絶縁膜、配線被覆膜等に用いることができる。また、表示装置の形成材料としては、層形成材料や画像形成材料として、カラーフィルター、フレキシブルディスプレイ用フィルム、レジスト材料、配向膜等に用いることができる。また、半導体装置の形成材料としては、レジスト材料、バッファーコート膜のような層形成材料等に用いることができる。また、光学部品の形成材料としては、光学材料や層形成材料として、ホログラム、光導波路、光回路、光回路部品、反射防止膜等に用いることができる。また、建築材料としては、塗料、コーティング剤等に用いることができる。また、光造形物の材料としても用いることができる。印刷物、塗料、シール剤、接着剤、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光造形物、光学部材又は建築材料、いずれかの物品が提供される。   The photosensitive resin composition according to the present invention can be used in a wide range of fields, products such as heat resistance, dimensional stability, and insulation, such as paints, printing inks, sealants, or adhesives, or It is suitably used as a forming material for a display device, a semiconductor device, an electronic component, a micro electro mechanical system (MEMS), an optical member, or a building material. For example, specifically, as a forming material for an electronic component, a sealing material and a layer forming material can be used for a printed wiring board, an interlayer insulating film, a wiring covering film, and the like. Moreover, as a forming material of a display device, a layer forming material or an image forming material can be used for a color filter, a film for flexible display, a resist material, an alignment film, and the like. Further, as a material for forming a semiconductor device, a resist material, a layer forming material such as a buffer coat film, or the like can be used. Further, as a material for forming an optical component, it can be used as an optical material or a layer forming material for a hologram, an optical waveguide, an optical circuit, an optical circuit component, an antireflection film, or the like. Moreover, as a building material, it can use for a coating material, a coating agent, etc. It can also be used as a material for an optically shaped object. A printed matter, a paint, a sealant, an adhesive, a display device, a semiconductor device, an electronic component, a microelectromechanical system, an optically shaped article, an optical member, or a building material is provided.

上記の様な特徴を有することから、本発明に係る感光性樹脂組成物は、パターン形成用材料としても用いることが可能である。本発明に係る感光性樹脂組成物をパターン形成用材料(レジスト)として用いた場合、それによって形成されたパターンは、ポリイミドからなる永久膜として耐熱性や絶縁性を付与する成分として機能し、例えば、カラーフィルター、フレキシブルディスプレイ用フィルム、電子部品、半導体装置、層間絶縁膜、配線被覆膜、光回路、光回路部品、反射防止膜、その他の光学部材又は電子部材を形成するのに適している。   Since it has the above characteristics, the photosensitive resin composition according to the present invention can also be used as a pattern forming material. When the photosensitive resin composition according to the present invention is used as a pattern forming material (resist), the pattern formed thereby functions as a component that imparts heat resistance and insulation as a permanent film made of polyimide, for example, Suitable for forming color filters, flexible display films, electronic components, semiconductor devices, interlayer insulation films, wiring coating films, optical circuits, optical circuit components, antireflection films, and other optical or electronic members .

以下、本発明について実施例を示して具体的に説明する。これらの記載により本発明を制限するものではない。
[製造例1]
ポリイミド前駆体1溶液の調製(フタル酸末端封止ポリイミド前駆体合成)
窒素気流下2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル(TFMB)181.73g(0.568mol)と2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(mTBHG)120.47g(0.568mol)とを5000mlのセパラブルフラスコに投入し、2999gの脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に溶解させ、窒素気流下、マントルヒーターによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。それらが完全に溶解したことを確認した後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)324.15g(全ジアミンに対して97mol%)を添加し50℃で5時間撹拌しポリイミド前駆体Aを得た。この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥してポリイミド前駆体Aを溶液から取り出した。このポリイミド前駆体Aの末端基量をH−NMRスペクトルの積分比より重合度を求めて算出した。末端基量とは添加した全ジアミン中の末端基に存在するジアミンの割合(mol%)である。結果、末端基量は、反応に用いたジアミンの量に対して6.07mol%(0.069mol)であった。その後、フタル酸無水物を10.22g(0.069mol)添加し、50℃で1時間撹拌し末端封止した。その後室温まで冷却し、末端がフタル酸無水物から誘導される置換基で封止されたポリイミド前駆体1溶液を得た。H−NMRから求めたポリイミド前駆体1の数平均分子量は18500であり、末端封止率[フタル酸無水物と反応した末端のアミノ基の数×100/(フタル酸無水物と反応した末端のアミノ基の数+未反応の末端のアミノ基の数)]は、95%以上であった。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. These descriptions do not limit the present invention.
[Production Example 1]
Preparation of polyimide precursor 1 solution (Synthesis of phthalic acid end-capped polyimide precursor)
Under a nitrogen stream, 2,1.7 '(0.568 mol) of 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (TFMB) and 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (mTBHG) ) 120.47 g (0.568 mol) was put into a 5000 ml separable flask, dissolved in 2999 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and the liquid temperature was 50 by a mantle heater under a nitrogen stream. The mixture was stirred with heating while monitoring with a thermocouple so that the temperature became 0 ° C. After confirming that they were completely dissolved, 324.15 g (97 mol% with respect to the total diamine) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added at 50 ° C. The mixture was stirred for 5 hours to obtain a polyimide precursor A. A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, and dried under reduced pressure to take out polyimide precursor A from the solution. The amount of terminal groups of this polyimide precursor A was calculated by obtaining the degree of polymerization from the integral ratio of 1 H-NMR spectrum. The amount of terminal groups is the ratio (mol%) of diamines present in the terminal groups in the total diamine added. As a result, the amount of terminal groups was 6.07 mol% (0.069 mol) based on the amount of diamine used in the reaction. Thereafter, 10.22 g (0.069 mol) of phthalic anhydride was added, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 1 hour and end-capped. Thereafter, it was cooled to room temperature to obtain a polyimide precursor 1 solution whose ends were sealed with a substituent derived from phthalic anhydride. The number average molecular weight of the polyimide precursor 1 obtained from 1 H-NMR is 18500, and the end capping ratio [number of terminal amino groups reacted with phthalic anhydride × 100 / (terminal reacted with phthalic anhydride] The number of amino groups in the above group + the number of unreacted terminal amino groups)] was 95% or more.

[製造例2]
ポリイミド前駆体2溶液の調製(酸無水物末端ポリイミド前駆体合成)
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)334.23g(1.136mol)と2999gの脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を5000mlのセパラブルフラスコに投入し窒素気流下、マントルヒーターによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。その後、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル(TFMB)176.29g(0.551mol)と2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(mTBHG)116.86g(0.551mol)とを混合した粉末を徐々に添加し50℃で5時間撹拌した。その後室温まで冷却し、酸無水物末端のポリイミド前駆体2溶液を得た。この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥してポリイミド前駆体2を溶液から取り出し、H−NMRスペクトルの積分比より重合度を求めて数平均分子量を算出した。H−NMRから求めた数平均分子量は18800であった。
[Production Example 2]
Preparation of polyimide precursor 2 solution (synthesis of acid anhydride-terminated polyimide precursor)
A 5000 ml separable flask containing 334.23 g (1.136 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 2999 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) Then, the mixture was stirred with heating while monitoring with a thermocouple so that the liquid temperature became 50 ° C. with a mantle heater under a nitrogen stream. Then, 2,2′-bis (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl (TFMB) 176.29 g (0.551 mol) and 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl (mTBHG) A powder mixed with 116.86 g (0.551 mol) was gradually added and stirred at 50 ° C. for 5 hours. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature to obtain an acid anhydride-terminated polyimide precursor 2 solution. A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, dried under reduced pressure, polyimide precursor 2 was taken out from the solution, the degree of polymerization was determined from the integral ratio of the 1 H-NMR spectrum, and the number average molecular weight was calculated. The number average molecular weight determined from 1 H-NMR was 18,800.

[製造例3]
ポリイミド前駆体3溶液の調製(フタル酸末端封止ポリイミド前駆体合成)
窒素気流下2000mlのセパラブルフラスコに脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を1238g投入し、オイルバスによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)106.327g(0.5310mol)を投入した。それらが完全に溶解したことを確認した後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)152.679g(全ジアミンに対して98mol%)を添加し50℃で5時間撹拌しポリイミド前駆体Bを得た。この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥してポリイミド前駆体Bを溶液から取り出した。このポリイミド前駆体Bの末端基量をH−NMRスペクトルの積分比より前記製造例1と同様に算出した。結果、末端基量は、反応に用いたジアミンの量に対して3.43mol%(0.0182mol)であった。その後、フタル酸無水物を2.664g(0.0182mol)添加し、50℃で1時間撹拌し末端封止した。その後室温まで冷却し、末端がフタル酸無水物から誘導される置換基で封止されたポリイミド前駆体3溶液を得た。H−NMRから求めたポリイミド前駆体3の数平均分子量は27900であり、末端封止率は、85.3%であった。
[Production Example 3]
Preparation of polyimide precursor 3 solution (phthalate end-capped polyimide precursor synthesis)
Under a nitrogen stream, 1238 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was put into a 2000 ml separable flask, and the mixture was stirred while heating by monitoring with a thermocouple so that the liquid temperature became 50 ° C. with an oil bath. 106.327 g (0.5310 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether (ODA) was added. After confirming that they were completely dissolved, 152.679 g (98 mol% based on the total diamine) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added at 50 ° C. The mixture was stirred for 5 hours to obtain a polyimide precursor B. A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, and dried under reduced pressure to take out polyimide precursor B from the solution. The terminal group amount of the polyimide precursor B was calculated in the same manner as in Production Example 1 from the integral ratio of 1 H-NMR spectrum. As a result, the amount of terminal groups was 3.43 mol% (0.0182 mol) based on the amount of diamine used in the reaction. Thereafter, 2.664 g (0.0182 mol) of phthalic anhydride was added, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 1 hour, and end-capped. Thereafter, the solution was cooled to room temperature to obtain a polyimide precursor 3 solution whose ends were sealed with a substituent derived from phthalic anhydride. The number average molecular weight of the polyimide precursor 3 determined from 1 H-NMR was 27900, and the end capping rate was 85.3%.

[製造例4]
ポリイミド前駆体4溶液の調製(フタル酸末端封止ポリイミド前駆体合成)
窒素気流下1000mlのセパラブルフラスコに投入に脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)85.54gを投入し、オイルバスによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)13.000g(0.0435mol)を投入し、その後、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン5.144g(0.0207mol)を投入。60分後に溶解を確認後、脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)401.68gを投入し、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)37.305g(0.1863mol)を溶解させた。
それらが完全に溶解したことを確認した後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)46.660g(先に投入したBPDAと合わせて全ジアミンに対して98mol%)を添加し50℃で5時間撹拌しポリイミド前駆体Cを得た。この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥してポリイミド前駆体Cを溶液から取り出した。このポリイミド前駆体Cの末端基量をH−NMRスペクトルの積分比より前記製造例1と同様に算出した。結果、末端基量は、反応に用いたジアミンの量に対して3.27mol%(0.00609mol)であった。その後、フタル酸無水物を0.9938g(0.0182mol)添加し、50℃で1時間撹拌し末端封止した。その後室温まで冷却し、末端がフタル酸無水物から誘導される置換基で封止されたポリイミド前駆体4溶液を得た。H−NMRから求めたポリイミド前駆体3の数平均分子量は29100であり、末端封止率は、85.5%であった。
[Production Example 4]
Preparation of polyimide precursor 4 solution (phthalic acid end-capped polyimide precursor synthesis)
85.54 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) is charged into a 1000 ml separable flask under nitrogen flow, and is monitored and heated with a thermocouple so that the liquid temperature becomes 50 ° C. by an oil bath. While stirring. Charged 13.000 g (0.0435 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and then 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 5 .144 g (0.0207 mol) was charged. After confirming dissolution after 60 minutes, 401.68 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added, and 37.305 g (0.1863 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether (ODA) was dissolved. .
After confirming that they were completely dissolved, 46.660 g of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (98 mol with respect to the total diamine in combination with BPDA charged earlier) %) Was added and stirred at 50 ° C. for 5 hours to obtain a polyimide precursor C. A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, and dried under reduced pressure to take out the polyimide precursor C from the solution. The terminal group amount of the polyimide precursor C was calculated in the same manner as in Production Example 1 from the integral ratio of the 1 H-NMR spectrum. As a result, the amount of terminal groups was 3.27 mol% (0.00609 mol) based on the amount of diamine used in the reaction. Thereafter, 0.9938 g (0.0182 mol) of phthalic anhydride was added, and the mixture was stirred at 50 ° C. for 1 hour, and end-capped. Thereafter, the solution was cooled to room temperature to obtain a polyimide precursor 4 solution whose ends were sealed with a substituent derived from phthalic anhydride. The number average molecular weight of the polyimide precursor 3 calculated | required from < 1 > H-NMR was 29100, and the terminal blocking rate was 85.5%.

[比較製造例1]
比較ポリイミド前駆体1溶液の調製(アミン末端ポリイミド前駆体合成)
窒素気流下2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル(TFMB)181.73g(0.568mol)と2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(mTBHG)120.47g(0.568mol)とを5000mlのセパラブルフラスコに投入し、2999gの脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に溶解させ、窒素気流下、マントルヒーターによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。それらが完全に溶解したことを確認した後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)324.15g(全ジアミンに対して97mol%)を添加し50℃で5時間撹拌した。その後室温まで冷却し、アミノ基末端の比較ポリイミド前駆体1溶液を得た。この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥して比較ポリイミド前駆体1を溶液から取り出し、H−NMRスペクトルの積分比より重合度を求めて数平均分子量を算出した。H−NMRから求めた比較ポリイミド前駆体1の数平均分子量は18100であった。
[Comparative Production Example 1]
Preparation of comparative polyimide precursor 1 solution (amine-terminated polyimide precursor synthesis)
Under a nitrogen stream, 2,1.7 '(0.568 mol) of 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (TFMB) and 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (mTBHG) ) 120.47 g (0.568 mol) was put into a 5000 ml separable flask, dissolved in 2999 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and the liquid temperature was 50 by a mantle heater under a nitrogen stream. The mixture was stirred with heating while monitoring with a thermocouple so that the temperature became 0 ° C. After confirming that they were completely dissolved, 324.15 g (97 mol% with respect to the total diamine) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added at 50 ° C. Stir for 5 hours. Thereafter, it was cooled to room temperature to obtain a comparative polyimide precursor 1 solution having an amino group terminal. A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, dried under reduced pressure, the comparative polyimide precursor 1 was taken out of the solution, the degree of polymerization was determined from the integral ratio of the 1 H-NMR spectrum, and the number average molecular weight was calculated. The number average molecular weight of the comparative polyimide precursor 1 obtained from 1 H-NMR was 18100.

[比較製造例2]
比較ポリイミド前駆体2溶液の調製(アミン末端ポリイミド前駆体合成)
窒素気流下2000mlのセパラブルフラスコに脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を1238g投入し、オイルバスによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)106.327g(0.5310mol)を投入した。それらが完全に溶解したことを確認した後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)152.679g(全ジアミンに対して98mol%)を添加し50℃で5時間撹拌した。その後室温まで冷却し、アミノ基末端の比較ポリイミド前駆体2溶液を得た。
この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥してポリイミド前駆体を溶液から取り出し、H−NMRスペクトルの積分比より重合度を求めて数平均分子量を算出した。H−NMRから求めた比較ポリイミド前駆体2の数平均分子量は27900であった。
[Comparative Production Example 2]
Preparation of comparative polyimide precursor 2 solution (amine-terminated polyimide precursor synthesis)
Under a nitrogen stream, 1238 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was put into a 2000 ml separable flask, and the mixture was stirred while heating by monitoring with a thermocouple so that the liquid temperature became 50 ° C. with an oil bath. 106.327 g (0.5310 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether (ODA) was added. After confirming that they were completely dissolved, 152.679 g (98 mol% based on the total diamine) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added at 50 ° C. Stir for 5 hours. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature to obtain a comparative polyimide precursor 2 solution having an amino group terminal.
A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, dried under reduced pressure, the polyimide precursor was taken out of the solution, the degree of polymerization was determined from the integral ratio of the 1 H-NMR spectrum, and the number average molecular weight was calculated. The number average molecular weight of the comparative polyimide precursor 2 obtained from 1 H-NMR was 27900.

[比較製造例3]
比較ポリイミド前駆体3溶液の調製(アミン末端ポリイミド前駆体合成)
窒素気流下1000mlのセパラブルフラスコに投入に脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)85.54gを投入し、オイルバスによって液温が50℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら撹拌した。3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)13.000g(0.0435mol)を投入し、その後、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン5.144g(0.0207mol)を投入。60分後に溶解を確認後、脱水されたN−メチル−2−ピロリドン(NMP)401.68gを投入し、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)37.305g(0.1863mol)を溶解させた。
それらが完全に溶解したことを確認した後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)46.660g(先に投入したBPDAと合わせて全ジアミンに対して98mol%)を添加し50℃で5時間撹拌した。その後室温まで冷却し、アミノ基末端の比較ポリイミド前駆体3溶液を得た。
この溶液から少量サンプリングしアセトンにて再沈殿し、減圧乾燥してポリイミド前駆体を溶液から取り出し、H−NMRスペクトルの積分比より重合度を求めて数平均分子量を算出した。H−NMRから求めた比較ポリイミド前駆体3の数平均分子量は29100であった。
[Comparative Production Example 3]
Preparation of comparative polyimide precursor 3 solution (synthesis of amine-terminated polyimide precursor)
85.54 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) is charged into a 1000 ml separable flask under nitrogen flow, and is monitored and heated with a thermocouple so that the liquid temperature becomes 50 ° C. by an oil bath. While stirring. Charged 13.000 g (0.0435 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and then 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane 5 .144 g (0.0207 mol) was charged. After confirming dissolution after 60 minutes, 401.68 g of dehydrated N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added, and 37.305 g (0.1863 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether (ODA) was dissolved. .
After confirming that they were completely dissolved, 46.660 g of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (98 mol with respect to the total diamine in combination with BPDA charged earlier) %) Was added and stirred at 50 ° C. for 5 hours. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature to obtain a comparative polyimide precursor 3 solution having an amino group terminal.
A small amount was sampled from this solution, reprecipitated with acetone, dried under reduced pressure, the polyimide precursor was taken out of the solution, the degree of polymerization was determined from the integral ratio of the 1 H-NMR spectrum, and the number average molecular weight was calculated. The number average molecular weight of the comparative polyimide precursor 3 obtained from 1 H-NMR was 29100.

<溶解速度評価1>
製造例1、2で得られたポリイミド前駆体1、2の各溶液、及び比較製造例1で得られた比較ポリイミド前駆体1溶液をそれぞれ、クロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に乾燥後膜厚14μmになるようにスピンコートし、100℃のホットプレート上で15分間乾燥させて、試験例1、2及び比較試験例1の塗膜を作製した。その後各塗膜を170℃のホットプレート上で10分加熱し、溶解速度評価サンプルを得た。
得られた溶解速度評価サンプルについてそれぞれ、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.5重量%、イソプロパノール20重量%を混合した水溶液を用いて現像処理を行った際の、塗膜の溶解速度を測定した。その結果を下記に示す。
なお、溶解速度とは、膜減り量を現像処理した時間で割った値である。膜減り量とは、上記のように現像液を用いて一定時間現像処理し、蒸留水でリンスした後、乾燥させてから測定した膜厚と、現像性評価サンプルの初期膜厚との差である。
<Dissolution rate evaluation 1>
Each of the polyimide precursors 1 and 2 obtained in Production Examples 1 and 2 and the comparative polyimide precursor 1 solution obtained in Comparative Production Example 1 were each dried on chrome-plated glass (50 mm × 50 mm). It spin-coated so that it might become a post-film thickness of 14 micrometers, and it was made to dry for 15 minutes on a 100 degreeC hotplate, and the coating film of Test example 1, 2 and the comparative test example 1 was produced. Then, each coating film was heated for 10 minutes on a 170 degreeC hotplate, and the dissolution rate evaluation sample was obtained.
About the obtained dissolution rate evaluation sample, the dissolution rate of the coating film at the time of developing using the aqueous solution which mixed 2.5 weight% of tetramethylammonium hydroxide and 20 weight% of isopropanol was measured. The results are shown below.
The dissolution rate is a value obtained by dividing the amount of film loss by the time of development processing. The amount of film reduction is the difference between the film thickness measured after developing with a developer for a certain period of time as described above, rinsing with distilled water and drying, and the initial film thickness of the developability evaluation sample. is there.

各サンプルの溶解速度
ポリイミド前駆体1(試験例1):61.6nm/sec
ポリイミド前駆体2(試験例2):67.2nm/sec
比較ポリイミド前駆体1(比較試験例1):18.7nm/sec
Dissolution rate of each sample Polyimide precursor 1 (Test Example 1): 61.6 nm / sec
Polyimide precursor 2 (Test Example 2): 67.2 nm / sec
Comparative polyimide precursor 1 (Comparative Test Example 1): 18.7 nm / sec

試験例1及び2のポリイミド前駆体1及び2は比較試験例1の比較ポリイミド前駆体1に比べてアルカリ現像液に対する溶解速度が約3倍向上した。   Compared with the comparative polyimide precursor 1 of Comparative Test Example 1, the polyimide precursors 1 and 2 of Test Examples 1 and 2 improved the dissolution rate in an alkaline developer by about 3 times.

<溶解速度評価2>
製造例3で得られたポリイミド前駆体溶液3溶液、及び比較製造例2で得られた比較ポリイミド前駆体溶液2溶液をそれぞれ、クロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に乾燥後膜厚2μmになるようにスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分間乾燥させて、それぞれ試験例3、及び比較試験例2の塗膜を作製した。その後各塗膜を150℃のホットプレート上で10分加熱し、溶解速度評価サンプルを得た。
得られた溶解速度評価サンプルについてそれぞれ、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量%水溶液を用いて現像処理を行った際の、塗膜の溶解速度を測定した。その結果を下記に示す。
なお、溶解速度とは、膜減り量を現像処理した時間で割った値である。膜減り量とは、上記のように現像液を用いて一定時間現像処理し、蒸留水でリンスした後、乾燥させてから測定した膜厚と、現像性評価サンプルの初期膜厚との差である。
<Dissolution rate evaluation 2>
The polyimide precursor solution 3 solution obtained in Production Example 3 and the comparative polyimide precursor solution 2 solution obtained in Comparative Production Example 2 were dried on chrome-plated glass (50 mm × 50 mm), respectively, and the film thickness was 2 μm. And then dried on a hot plate at 120 ° C. for 15 minutes to prepare coating films of Test Example 3 and Comparative Test Example 2, respectively. Thereafter, each coating film was heated on a hot plate at 150 ° C. for 10 minutes to obtain a dissolution rate evaluation sample.
About the obtained dissolution rate evaluation sample, the dissolution rate of the coating film at the time of developing using the 2.38 weight% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was measured. The results are shown below.
The dissolution rate is a value obtained by dividing the amount of film loss by the time of development processing. The amount of film reduction is the difference between the film thickness measured after developing with a developer for a certain period of time as described above, rinsing with distilled water and drying, and the initial film thickness of the developability evaluation sample. is there.

各サンプルの溶解速度
ポリイミド前駆体3(試験例3):200nm/sec以上
比較ポリイミド前駆体2(比較試験例2):55.2nm/sec
Dissolution rate of each sample Polyimide precursor 3 (Test Example 3): 200 nm / sec or more Comparative polyimide precursor 2 (Comparative Test Example 2): 55.2 nm / sec

試験例3のポリイミド前駆体3は溶解速度が速すぎて正確な値を算出することができなかったが、少なくとも10秒以内に2μmの塗膜が溶解したので、溶解速度を200nm/sec以上と表記した。
試験例3のポリイミド前駆体3は比較試験例2の比較ポリイミド前駆体2に比べてアルカリ現像液に対する溶解速度が向上した。
The polyimide precursor 3 of Test Example 3 was too fast to calculate an accurate value. However, since the 2 μm coating film dissolved within at least 10 seconds, the dissolution rate was 200 nm / sec or more. Indicated.
Compared to the comparative polyimide precursor 2 of Comparative Test Example 2, the polyimide precursor 3 of Test Example 3 has an improved dissolution rate in an alkaline developer.

<溶解速度評価3>
製造例4で得られたポリイミド前駆体溶液4溶液、及び比較製造例3で得られた比較ポリイミド前駆体溶液3溶液をそれぞれ、クロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に乾燥後膜厚2μmになるようにスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分間乾燥させて、それぞれ試験例3、及び比較試験例2の塗膜を作製した。その後各塗膜を160℃のホットプレート上で2分加熱し、溶解速度評価サンプルを得た。
得られた溶解速度評価サンプルについてそれぞれ、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量%水溶液を用いて現像処理を行った際の、塗膜の溶解速度を測定した。その結果を下記に示す。
<Dissolution rate evaluation 3>
The polyimide precursor solution 4 solution obtained in Production Example 4 and the comparative polyimide precursor solution 3 solution obtained in Comparative Production Example 3 were dried on chrome-plated glass (50 mm × 50 mm), respectively, and the film thickness was 2 μm. And then dried on a hot plate at 120 ° C. for 15 minutes to prepare coating films of Test Example 3 and Comparative Test Example 2, respectively. Thereafter, each coating film was heated on a hot plate at 160 ° C. for 2 minutes to obtain a dissolution rate evaluation sample.
About the obtained dissolution rate evaluation sample, the dissolution rate of the coating film at the time of developing using the 2.38 weight% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was measured. The results are shown below.

各サンプルの溶解速度
ポリイミド前駆体4(試験例4):200nm/sec以上
比較ポリイミド前駆体3(比較試験例3):111nm/sec
Dissolution rate of each sample Polyimide precursor 4 (Test Example 4): 200 nm / sec or more Comparative polyimide precursor 3 (Comparative Test Example 3): 111 nm / sec

試験例4のポリイミド前駆体4は溶解速度が速すぎて正確な値を算出することができなかったが、少なくとも10秒以内に2μmの塗膜が溶解したので、溶解速度を200nm/sec以上と表記した。
試験例4のポリイミド前駆体4は比較試験例3の比較ポリイミド前駆体3に比べてアルカリ現像液に対する溶解速度が向上した。
The polyimide precursor 4 of Test Example 4 was too fast to calculate an accurate value, but since the 2 μm coating film dissolved within at least 10 seconds, the dissolution rate was 200 nm / sec or more. Indicated.
Compared with the comparative polyimide precursor 3 of the comparative test example 3, the polyimide precursor 4 of the test example 4 improved the dissolution rate with respect to the alkaline developer.

[合成例1:光塩基発生剤1の合成]
100mLフラスコ中、炭酸カリウム2.00gをメタノール15mLに加えた。50mLフラスコ中、エトキシカルボニルメチル(トリフェニル)ホスホニウムブロミド2.67g(6.2mmol)、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンズアルデヒド945mg(6.2mmol)をメタノール10mLに溶解し、よく撹拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。3時間撹拌した後、TLCにより反応の終了を確認したうえでろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を50mL加え1時間撹拌した。反応終了後、ろ過によりトリフェニルホスフィンオキシドを除いた後、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで2−ヒドロキシ−4−メトキシ桂皮酸を1.00g得た。続いて、100mL三口フラスコ中、2−ヒドロキシ−4−メトキシ桂皮酸500mg(3.0mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン40mLに溶解し、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩0.586g(3.0mmol)を加えた。30分後、ピペリジン0.3ml(3.0mmol)を加えた。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。ジエチルエーテルで抽出した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、1N塩酸、飽和食塩水で洗浄した。その後、シリカゲルカラムクマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール100/1〜10/1)により精製することにより、下記式で表される光塩基発生剤1を64mg得た。
[Synthesis Example 1: Synthesis of photobase generator 1]
In a 100 mL flask, 2.00 g of potassium carbonate was added to 15 mL of methanol. In a 50 mL flask, 2.67 g (6.2 mmol) of ethoxycarbonylmethyl (triphenyl) phosphonium bromide and 945 mg (6.2 mmol) of 2-hydroxy-4-methoxybenzaldehyde are dissolved in 10 mL of methanol and added to a well-stirred potassium carbonate solution. Slowly dripped. After stirring for 3 hours, the completion of the reaction was confirmed by TLC, followed by filtration to remove potassium carbonate and concentration under reduced pressure. After concentration, 50 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred for 1 hour. After completion of the reaction, triphenylphosphine oxide was removed by filtration, and then concentrated hydrochloric acid was added dropwise to acidify the reaction solution. The precipitate was collected by filtration and washed with a small amount of chloroform to obtain 1.00 g of 2-hydroxy-4-methoxycinnamic acid. Subsequently, in a 100 mL three-necked flask, 500 mg (3.0 mmol) of 2-hydroxy-4-methoxycinnamic acid was dissolved in 40 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran, and 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride 0 .586 g (3.0 mmol) was added. After 30 minutes, 0.3 ml (3.0 mmol) of piperidine was added. After completion of the reaction, the reaction solution was concentrated and dissolved in water. After extraction with diethyl ether, the mixture was washed with saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution, 1N hydrochloric acid and saturated brine. Thereafter, 64 mg of a photobase generator 1 represented by the following formula was obtained by purification by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol 100/1 to 10/1).

[合成例2:光塩基発生剤2の合成]
窒素雰囲気下、ディーン・スターク装置を装着した200mL三口フラスコ中、4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンズアルデヒド8.2g(39mmol)を脱水2−プロパノール100mLに溶解し、アルミニウムイソプロポキシド2.0g(10mmol,0.25eq.)を加え105℃で7時間加熱攪拌を行った。途中溶媒の蒸発減少に伴い、2−プロパノール40mLを4回追加した。0.2N塩酸150mLにて反応を停止した後、クロロホルムにより抽出を行い、溶媒を減圧留去することにより6−ニトロベラトリルアルコール7.2gを得た。
窒素雰囲気下、200mL三口フラスコ中、6−ニトロベラトリルアルコール5.3g(25mmol)を脱水ジメチルアセトアミド100mLに溶解しトリエチルアミン7.0mL(50mmol,2.0eq)を加えた。氷浴下で、p−ニトロフェニルクロロフォルメイト5.5g(27mmol,1.1eq)を加えた後、室温で16時間攪拌した。反応液を水2Lに注ぎ込み、生じた沈殿をろ過した後、シリカゲルカラムクマトグラフィーにより精製することにより、4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル−p−ニトロフェニルカルボネートを6.4gを得た。
窒素雰囲気下、100mL三口フラスコ中、4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル−p−ニトロフェニルカルボネート3.6g(9.5mmol)を脱水ジメチルアセトアミド50mLに溶解し、2,6−ジメチルピペリジン5 mL(37mmol,3.9eq)、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール0.36g(0.3eq)を加え90℃で18時間加熱攪拌した。反応溶液を1%炭酸水素ナトリウム水溶液1Lに注ぎ込み、生じた沈殿をろ過した後、水にて洗浄することにより、下記式で表される光塩基発生剤1N−{[(4,5−ジメトキシ−2−ニトロベンジル)オキシ]カルボニル}−2,6−ジメチルピペリジン2.7gを得た。
[Synthesis Example 2: Synthesis of photobase generator 2]
Under a nitrogen atmosphere, 8.2 g (39 mmol) of 4,5-dimethoxy-2-nitrobenzaldehyde was dissolved in 100 mL of dehydrated 2-propanol in a 200 mL three-necked flask equipped with a Dean-Stark apparatus, and 2.0 g of aluminum isopropoxide ( 10 mmol, 0.25 eq.) Was added, and the mixture was heated and stirred at 105 ° C. for 7 hours. Along with the decrease in solvent evaporation, 40 mL of 2-propanol was added four times. After stopping the reaction with 150 mL of 0.2N hydrochloric acid, extraction was performed with chloroform, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain 7.2 g of 6-nitroveratryl alcohol.
Under a nitrogen atmosphere, 5.3 g (25 mmol) of 6-nitroveratryl alcohol was dissolved in 100 mL of dehydrated dimethylacetamide in a 200 mL three-necked flask, and 7.0 mL (50 mmol, 2.0 eq) of triethylamine was added. In an ice bath, 5.5 g (27 mmol, 1.1 eq) of p-nitrophenyl chloroformate was added, and the mixture was stirred at room temperature for 16 hours. The reaction solution was poured into 2 L of water, the resulting precipitate was filtered, and purified by silica gel column chromatography to obtain 6.4 g of 4,5-dimethoxy-2-nitrobenzyl-p-nitrophenyl carbonate. .
Under a nitrogen atmosphere, 3.6 g (9.5 mmol) of 4,5-dimethoxy-2-nitrobenzyl-p-nitrophenyl carbonate was dissolved in 50 mL of dehydrated dimethylacetamide in a 100 mL three-necked flask, and 2,6-dimethylpiperidine 5 mL (37 mmol, 3.9 eq) and 1-hydroxybenzotriazole 0.36 g (0.3 eq) were added, and the mixture was heated and stirred at 90 ° C. for 18 hours. The reaction solution was poured into 1 L of 1% aqueous sodium hydrogen carbonate solution, and the resulting precipitate was filtered and washed with water to give a photobase generator 1N-{[(4,5-dimethoxy- There were obtained 2.7 g of 2-nitrobenzyl) oxy] carbonyl} -2,6-dimethylpiperidine.

[実施例1:感光性樹脂組成物Aの調製]
製造例1で得られたポリイミド前駆体1溶液に対し、光塩基発生剤1を溶液の固形分の15重量%添加し、実施例1の感光性樹脂組成物Aとした。
[Example 1: Preparation of photosensitive resin composition A]
To the polyimide precursor 1 solution obtained in Production Example 1, 15% by weight of the photobase generator 1 was added to obtain a photosensitive resin composition A of Example 1.

[実施例2:感光性樹脂組成物Bの調製]
製造例1で得られたポリイミド前駆体1溶液に対し、光塩基発生剤2を溶液の固形分の15重量%添加し、実施例2の感光性樹脂組成物Bとした。
[Example 2: Preparation of photosensitive resin composition B]
To the polyimide precursor 1 solution obtained in Production Example 1, 15% by weight of the photobase generator 2 was added to obtain a photosensitive resin composition B of Example 2.

[実施例3:感光性樹脂組成物Cの調製]
製造例3で得られたポリイミド前駆体3溶液に対し、光塩基発生剤1を溶液の固形分の15重量%添加し、実施例3の感光性樹脂組成物Cとした。
[Example 3: Preparation of photosensitive resin composition C]
To the polyimide precursor 3 solution obtained in Production Example 3, 15% by weight of the photobase generator 1 was added to obtain a photosensitive resin composition C of Example 3.

[実施例4:感光性樹脂組成物Dの調製]
製造例4で得られたポリイミド前駆体4溶液に対し、光塩基発生剤1を溶液の固形分の15重量%添加し、実施例4の感光性樹脂組成物Dとした。
[Example 4: Preparation of photosensitive resin composition D]
To the polyimide precursor 4 solution obtained in Production Example 4, 15% by weight of the photobase generator 1 was added to obtain a photosensitive resin composition D of Example 4.

[比較例1:比較感光性樹脂組成物Aの調製]
比較製造例1で得られた比較ポリイミド前駆体1溶液に対し、光塩基発生剤1を溶液の固形分の15重量%添加し、比較例1の比較感光性樹脂組成物Aとした。
[Comparative Example 1: Preparation of comparative photosensitive resin composition A]
To the comparative polyimide precursor 1 solution obtained in Comparative Production Example 1, 15% by weight of the photobase generator 1 was added to obtain a comparative photosensitive resin composition A of Comparative Example 1.

[比較例2:比較感光性樹脂組成物Bの調製]
比較製造例1で得られた比較ポリイミド前駆体1溶液に対し、光塩基発生剤2を溶液の固形分の15重量%添加し、比較例2の比較感光性樹脂組成物Bとした。
[Comparative Example 2: Preparation of comparative photosensitive resin composition B]
To the comparative polyimide precursor 1 solution obtained in Comparative Production Example 1, 15% by weight of the photobase generator 2 was added to obtain a comparative photosensitive resin composition B of Comparative Example 2.

[比較例3:比較感光性樹脂組成物Cの調製]
比較製造例2で得られた比較ポリイミド前駆体2溶液に対し、光塩基発生剤1を溶液の固形分の15重量%添加し、比較例3の比較感光性樹脂組成物Cとした。
[Comparative Example 3: Preparation of Comparative Photosensitive Resin Composition C]
To the comparative polyimide precursor 2 solution obtained in Comparative Production Example 2, 15% by weight of the photobase generator 1 was added to obtain a comparative photosensitive resin composition C of Comparative Example 3.

[比較例4:比較感光性樹脂組成物Dの調製]
比較製造例3で得られた比較ポリイミド前駆体3溶液に対し、光塩基発生剤1を溶液の固形分の15重量%添加し、比較例3の比較感光性樹脂組成物Dとした。
[Comparative Example 4: Preparation of Comparative Photosensitive Resin Composition D]
To the comparative polyimide precursor 3 solution obtained in Comparative Production Example 3, 15% by weight of the photobase generator 1 was added to obtain a comparative photosensitive resin composition D of Comparative Example 3.

<現像性評価1>
実施例1〜2で得られた感光性樹脂組成物A〜B、及び比較例1〜2で得られた比較感光性樹脂組成物A〜Bをそれぞれクロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に、乾燥後14μmとなるようそれぞれスピンコートし、100℃のホットプレート上で15分乾燥させて感光性樹脂組成物の塗膜をそれぞれ2つずつ作製した。この塗膜のうち1つを、露光部の評価を行う塗膜とし、手動露光機を用いて高圧水銀灯により、5J/cm露光を行った。残りの一つは未露光部の評価を行う塗膜として、露光を行わなかった。その後、各塗膜を搬送型加熱炉を用い170℃のゾーンに入っている時間が5分になるように加熱し、現像性評価サンプルを得た。各現像性評価サンプルは、露光部の評価を行う塗膜1枚と未露光部の評価を行う塗膜1枚の2枚をセットにして評価に用いた。
実施例1〜2、及び比較例1〜2の塗膜の上記セットについて、それぞれ50℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.5重量%、イソプロパノール20重量%を混合した水溶液を用いて現像処理を行い、塗膜の溶解速度を測定した。
各塗膜の露光部と未露光部の膜減り量から溶解速度を算出し、比較を行った。未露光部の塗膜の溶解速度に対する露光部の塗膜の溶解速度の比(溶解性コントラスト)の値が大きいほど、残膜率が高くなると評価できる。
なお、膜減り量は、上記のように現像液を用いて一定時間現像処理し、蒸留水でリンスした後、乾燥させてから測定した膜厚と、現像性評価サンプルの初期膜厚との差であり、溶解速度とは、当該膜減り量を、現像処理した時間で割った値である。
各溶解速度の測定結果を表1及び表2に示す。
<Developability evaluation 1>
Each of the photosensitive resin compositions A and B obtained in Examples 1 and 2 and the comparative photosensitive resin compositions A and B obtained in Comparative Examples 1 and 2 were each chromium-plated glass (50 mm × 50 mm). Then, each was spin-coated so as to have a thickness of 14 μm after drying, and dried on a hot plate at 100 ° C. for 15 minutes to prepare two coating films of the photosensitive resin composition. One of the coating films was used as a coating film for evaluating the exposed portion, and 5 J / cm 2 exposure was performed with a high-pressure mercury lamp using a manual exposure machine. The remaining one was not exposed as a coating for evaluating the unexposed areas. Then, each coating film was heated using a conveyance type heating furnace so that the time in the zone of 170 ° C. was 5 minutes to obtain a developability evaluation sample. Each developability evaluation sample was used for evaluation as a set consisting of one coating film for evaluating the exposed area and one coating film for evaluating the unexposed area.
About the said set of the coating film of Examples 1-2 and Comparative Examples 1-2, it develops using the aqueous solution which mixed 2.5 weight% of tetramethylammonium hydroxide of 50 degreeC, and 20 weight% of isopropanol, respectively. The dissolution rate of the coating film was measured.
The dissolution rate was calculated from the amount of film reduction in the exposed and unexposed areas of each coating film, and a comparison was made. It can be evaluated that the higher the ratio of the dissolution rate of the coating film in the exposed area to the dissolution rate of the coating film in the unexposed area (solubility contrast), the higher the remaining film ratio.
The amount of film reduction is the difference between the film thickness measured after developing for a certain period of time using a developer as described above, rinsing with distilled water and drying, and the initial film thickness of the developability evaluation sample. The dissolution rate is a value obtained by dividing the film reduction amount by the development processing time.
The measurement results of each dissolution rate are shown in Tables 1 and 2.

評価の結果、アミン末端を封止した感光性ポリイミド樹脂組成物(実施例1)はアミン末端を封止してないもの(比較例1)に比べて、光塩基発生剤1を用いたときは未露光部の溶解速度が約5.5倍向上し、現像に要する時間を短縮できた。また、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約3倍向上した。
また、実施例2と比較例2の結果から、光塩基発生剤2を用いたときは未露光部の溶解速度が約1.3倍向上し、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約2倍向上することがわかった。
As a result of the evaluation, when the photobase generator 1 was used, the photosensitive polyimide resin composition with the amine terminal sealed (Example 1) was compared with that without the amine terminal sealed (Comparative Example 1). The dissolution rate of the unexposed area was improved by about 5.5 times, and the time required for development could be shortened. Further, the solubility contrast between the exposed area and the unexposed area was improved about 3 times.
Further, from the results of Example 2 and Comparative Example 2, when the photobase generator 2 was used, the dissolution rate of the unexposed part was improved by about 1.3 times, and the solubility contrast of the exposed part and the unexposed part was about It was found to improve 2 times.

<現像性評価2>
実施例3で得られた感光性樹脂組成物C、及び比較例3で得られた比較感光性樹脂組成物Cをそれぞれクロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に、乾燥後2μmとなるようそれぞれスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分乾燥させて感光性ポリイミド樹脂組成物の塗膜をそれぞれ2つずつ作製した。この塗膜のうち1つを、露光部の評価を行う塗膜とし、手動露光機を用いて高圧水銀灯により、500mJ/cm露光を行った。残りの1つは未露光部の評価を行う塗膜として、露光を行わなかった。その後、各塗膜を150℃のホットプレート上で10分加熱し、現像性評価サンプルを得た。各現像性評価サンプルにおいては、露光部の評価を行う塗膜1枚と未露光部の評価を行う塗膜1枚を1セットとして評価に用いた。
実施例3及び比較例3の塗膜の上記セットについて、それぞれテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量%水溶液を用いて現像処理を行い、塗膜の溶解速度を測定した。
各塗膜の露光部と未露光部の膜減り量から溶解速度を算出し、比較を行った。未露光部の塗膜の溶解速度に対する露光部の塗膜の溶解速度の比(溶解性コントラスト)の値が大きいほど、残膜率が高くなると評価できる。
各溶解速度の測定結果を表3に示す。
<Developability evaluation 2>
The photosensitive resin composition C obtained in Example 3 and the comparative photosensitive resin composition C obtained in Comparative Example 3 were each dried on chromium-plated glass (50 mm × 50 mm) so as to be 2 μm after drying. Each was spin-coated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 15 minutes to prepare two coating films of the photosensitive polyimide resin composition. One of the coating films was used as a coating film for evaluating the exposed portion, and was exposed to 500 mJ / cm 2 with a high-pressure mercury lamp using a manual exposure machine. The remaining one was not exposed as a coating for evaluating the unexposed area. Then, each coating film was heated for 10 minutes on a 150 degreeC hotplate, and the developability evaluation sample was obtained. In each developability evaluation sample, one coating film for evaluating the exposed portion and one coating film for evaluating the unexposed portion were used for evaluation as one set.
About the said set of the coating film of Example 3 and the comparative example 3, it developed by using the tetramethylammonium hydroxide 2.38 weight% aqueous solution, respectively, and measured the dissolution rate of the coating film.
The dissolution rate was calculated from the amount of film reduction in the exposed and unexposed areas of each coating film, and a comparison was made. It can be evaluated that the higher the ratio of the dissolution rate of the coating film in the exposed area to the dissolution rate of the coating film in the unexposed area (solubility contrast), the higher the remaining film ratio.
Table 3 shows the measurement results of the dissolution rates.

評価の結果、アミン末端を封止した感光性ポリイミド樹脂組成物(実施例3)は封止してないもの(比較例3)に比べて、光塩基発生剤1を用いたときは未露光部の溶解速度が約2倍向上し、現像に要する時間を短縮できた。また、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約2倍向上した。   As a result of the evaluation, the photosensitive polyimide resin composition (Example 3) in which the amine terminal is sealed is compared with the case where the photobase generator 1 is used as compared with the case where the photosensitive base resin agent 1 is not sealed (Comparative Example 3). The dissolution rate was improved about twice, and the time required for development could be shortened. In addition, the solubility contrast between the exposed area and the unexposed area was improved about twice.

<現像性評価3>
実施例3で得られた感光性樹脂組成物C、及び比較例3で得られた比較感光性樹脂組成物Cをそれぞれクロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に、乾燥後2μmとなるようそれぞれスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分乾燥させて感光性ポリイミド樹脂組成物の塗膜をそれぞれ2つずつ作製した。この塗膜のうち1つを、露光部の評価を行う塗膜とし、手動露光機を用いて高圧水銀灯により、500mJ/cm露光を行った。残りの1つは未露光部の評価を行う塗膜として、露光を行わなかった。その後、各塗膜を160℃のホットプレート上で2分加熱し、現像性評価サンプルを得た。各現像性評価サンプルにおいては、露光部の評価を行う塗膜1枚と未露光部の評価を行う塗膜1枚を1セットとして評価に用いた。
実施例3及び比較例3の塗膜の上記セットについて、それぞれテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量%水溶液を用いて現像処理を行い、塗膜の溶解速度を測定した。
各塗膜の露光部と未露光部の膜減り量から溶解速度を算出し、比較を行った。未露光部の塗膜の溶解速度に対する露光部の塗膜の溶解速度の比(溶解性コントラスト)の値が大きいほど、残膜率が高くなると評価できる。
各溶解速度の測定結果を表4に示す。
<Developability evaluation 3>
The photosensitive resin composition C obtained in Example 3 and the comparative photosensitive resin composition C obtained in Comparative Example 3 were each dried on chromium-plated glass (50 mm × 50 mm) so as to be 2 μm after drying. Each was spin-coated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 15 minutes to prepare two coating films of the photosensitive polyimide resin composition. One of the coating films was used as a coating film for evaluating the exposed portion, and was exposed to 500 mJ / cm 2 with a high-pressure mercury lamp using a manual exposure machine. The remaining one was not exposed as a coating for evaluating the unexposed area. Then, each coating film was heated for 2 minutes on a 160 degreeC hotplate, and the developability evaluation sample was obtained. In each developability evaluation sample, one coating film for evaluating the exposed portion and one coating film for evaluating the unexposed portion were used for evaluation as one set.
About the said set of the coating film of Example 3 and the comparative example 3, it developed by using the tetramethylammonium hydroxide 2.38 weight% aqueous solution, respectively, and measured the dissolution rate of the coating film.
The dissolution rate was calculated from the amount of film reduction in the exposed and unexposed areas of each coating, and the comparison was made. It can be evaluated that the higher the ratio of the dissolution rate of the coating film in the exposed area to the dissolution rate of the coating film in the unexposed area (solubility contrast), the higher the remaining film ratio.
Table 4 shows the measurement results of the dissolution rates.

評価の結果、露光後加熱処理(PEB)の条件を変えても、アミン末端を封止した感光性ポリイミド樹脂組成物(実施例3)は封止してないもの(比較例3)に比べて、光塩基発生剤1を用いたときは未露光部の溶解速度が約2倍向上し、現像に要する時間を短縮できた。また、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約2倍向上した。   As a result of the evaluation, the photosensitive polyimide resin composition (Example 3) in which the amine terminal is sealed is compared with the case where the end of the heat treatment (PEB) after exposure (PEB) is not sealed (Comparative Example 3). When the photobase generator 1 was used, the dissolution rate of the unexposed area was improved about twice, and the time required for development could be shortened. In addition, the solubility contrast between the exposed area and the unexposed area was improved about twice.

<現像性評価4>
実施例4で得られた感光性樹脂組成物D、及び比較例4で得られた比較感光性樹脂組成物Dをそれぞれクロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に、乾燥後2μmとなるようそれぞれスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分乾燥させて感光性ポリイミド樹脂組成物の塗膜をそれぞれ2つずつ作製した。この塗膜のうち1つを、露光部の評価を行う塗膜とし、手動露光機を用いて高圧水銀灯により、500mJ/cm露光を行った。残りの1つは未露光部の評価を行う塗膜として、露光を行わなかった。その後、各塗膜を160℃のホットプレート上で2分加熱し、現像性評価サンプルを得た。各現像性評価サンプルにおいては、露光部の評価を行う塗膜1枚と未露光部の評価を行う塗膜1枚を1セットとして評価に用いた。
実施例4及び比較例4の塗膜の上記セットについて、それぞれテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量%水溶液を用いて現像処理を行い、塗膜の溶解速度を測定した。
各塗膜の露光部と未露光部の膜減り量から溶解速度を算出し、比較を行った。未露光部の塗膜の溶解速度に対する露光部の塗膜の溶解速度の比(溶解性コントラスト)の値が大きいほど、残膜率が高くなると評価できる。
各溶解速度の測定結果を表5に示す。
<Developability evaluation 4>
The photosensitive resin composition D obtained in Example 4 and the comparative photosensitive resin composition D obtained in Comparative Example 4 were each dried on chromium-plated glass (50 mm × 50 mm) so as to be 2 μm after drying. Each was spin-coated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 15 minutes to prepare two coating films of the photosensitive polyimide resin composition. One of the coating films was used as a coating film for evaluating the exposed portion, and was exposed to 500 mJ / cm 2 with a high-pressure mercury lamp using a manual exposure machine. The remaining one was not exposed as a coating for evaluating the unexposed area. Then, each coating film was heated for 2 minutes on a 160 degreeC hotplate, and the developability evaluation sample was obtained. In each developability evaluation sample, one coating film for evaluating the exposed portion and one coating film for evaluating the unexposed portion were used for evaluation as one set.
About the said set of the coating film of Example 4 and the comparative example 4, it developed, using the tetramethylammonium hydroxide 2.38 weight% aqueous solution, respectively, and measured the dissolution rate of the coating film.
The dissolution rate was calculated from the amount of film reduction in the exposed and unexposed areas of each coating film, and a comparison was made. It can be evaluated that the higher the ratio of the dissolution rate of the coating film in the exposed area to the dissolution rate of the coating film in the unexposed area (solubility contrast), the higher the remaining film ratio.
Table 5 shows the measurement results of each dissolution rate.

評価の結果、アミン末端を封止した感光性ポリイミド樹脂組成物(実施例4)は封止してないもの(比較例4)に比べて、未露光部の溶解速度が約4倍向上し、現像に要する時間を短縮できた。また、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約3倍向上した。   As a result of the evaluation, the photosensitive polyimide resin composition (Example 4) in which the amine terminal is sealed is improved by about 4 times as much as the dissolution rate of the unexposed area compared to the case where the photosensitive polyimide resin composition (Example 4) is not sealed (Comparative Example 4). The time required for development could be shortened. Further, the solubility contrast between the exposed area and the unexposed area was improved about 3 times.

溶解性コントラスト評価の結果、アミン末端を封止したポリイミド前駆体を用いた実施例1〜4は、アミン末端を有する比較ポリイミド前駆体を用いた比較例1〜4に比べて、溶解性コントラストが高く、パターン形成材料として好適であることが明らかとなった。   As a result of the solubility contrast evaluation, Examples 1 to 4 using the polyimide precursor with the amine terminal sealed had a solubility contrast as compared with Comparative Examples 1 to 4 using the comparative polyimide precursor having an amine terminal. It was clear that it was suitable as a pattern forming material.

<パターン形成評価1>
実施例1の感光性樹脂組成物A、及び比較例1の比較感光性樹脂組成物Aをそれぞれ、クロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に、乾燥後19μmとなるようスピンコートし、100℃のホットプレート上で15分乾燥させて感光性樹脂組成物の塗膜を作製した。この塗膜に対し、手動露光機を用いて高圧水銀灯により細線評価用フォトマスクを介して、200mJ/cm露光を行った。その後、塗膜を搬送型加熱炉を用い170℃のゾーンに入っている時間が2.5分になるように加熱した。その際の膜厚は、実施例1、比較例1ともに、13.9μmであった。続いて50℃に加熱したテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.5重量%、イソプロパノール20重量%を混合した水溶液を用いて現像処理を行い、ラインアンドスペース(L/S)パターンを得た。
パターンを得るために要した現像時間と、解像度(形成可能なL/Sパターンの最小値)、現像後膜厚、及び残膜率を表6に示す。
<Pattern formation evaluation 1>
The photosensitive resin composition A of Example 1 and the comparative photosensitive resin composition A of Comparative Example 1 were each spin-coated on chrome-plated glass (50 mm × 50 mm) so as to be 19 μm after drying, and 100 The coating was dried for 15 minutes on a hot plate at 0 ° C. to prepare a coating film of the photosensitive resin composition. This coating film was exposed to 200 mJ / cm 2 through a photomask for thin line evaluation with a high-pressure mercury lamp using a manual exposure machine. Thereafter, the coating film was heated using a transport heating furnace so that the time in the zone of 170 ° C. was 2.5 minutes. The film thickness at that time was 13.9 μm in both Example 1 and Comparative Example 1. Subsequently, development processing was performed using an aqueous solution in which 2.5% by weight of tetramethylammonium hydroxide heated to 50 ° C. and 20% by weight of isopropanol were mixed to obtain a line and space (L / S) pattern.
Table 6 shows the development time, resolution (minimum L / S pattern that can be formed), post-development film thickness, and residual film ratio required to obtain the pattern.

<パターン形成評価2>
実施例3で得られた感光性樹脂組成物C、及び比較例3で得られた比較感光性樹脂組成物Cをそれぞれクロムめっきされたガラス(50mm×50mm)上に、乾燥後2μmとなるようそれぞれスピンコートし、120℃のホットプレート上で15分乾燥させて感光性樹脂組成物の塗膜をそれぞれ作製した。この塗膜に対し、手動露光機を用いて高圧水銀灯により細線評価用フォトマスクを介して、125mJ/cm露光を行った。その後、塗膜を160℃のホットプレート上で2分加熱した。その際の膜厚は実施例3、比較例3ともに1.7μmであった。続いてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド2.38重量%水溶液を用いて現像処理を行った。
<Pattern formation evaluation 2>
The photosensitive resin composition C obtained in Example 3 and the comparative photosensitive resin composition C obtained in Comparative Example 3 were each dried on chromium-plated glass (50 mm × 50 mm) so as to be 2 μm after drying. Each was spin-coated and dried on a hot plate at 120 ° C. for 15 minutes to prepare a coating film of the photosensitive resin composition. This coating film was exposed to 125 mJ / cm 2 using a manual exposure machine with a high-pressure mercury lamp through a photomask for thin line evaluation. Thereafter, the coating film was heated on a hot plate at 160 ° C. for 2 minutes. The film thickness at that time was 1.7 μm in both Example 3 and Comparative Example 3. Subsequently, development processing was performed using a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide.

その結果、実施例3の感光性樹脂組成物は現像時間120秒で解像度(形成可能なL/Sパターンの最小値)6μm/6μm、現像後膜厚1.28μm、残膜率75%のパターンが得られた。
一方、比較例3の感光性樹脂組成物は現像時間120秒では未露光部の残膜が0.18μm残っており、所望のパターンを得られなかった。
As a result, the photosensitive resin composition of Example 3 had a development time of 120 seconds and a resolution (minimum value of L / S pattern that could be formed) of 6 μm / 6 μm, a post-development film thickness of 1.28 μm, and a residual film ratio of 75%. was gotten.
On the other hand, the photosensitive resin composition of Comparative Example 3 had a residual film of 0.18 μm remaining in the unexposed portion at a development time of 120 seconds, and a desired pattern could not be obtained.

以上のことから、本発明の感光性樹脂組成物は、現像時間が短縮できることからプロセスコストの削減が可能であり、しかも、残膜率が高く、良好なパターンを得ることができる。   From the above, since the photosensitive resin composition of the present invention can shorten the development time, the process cost can be reduced, and the remaining film rate is high and a good pattern can be obtained.

すなわち、本発明の感光性樹脂組成物は、少なくとも下記式(1)で表わされる構造を含むポリイミド前駆体と、下記式(7)で表わされる光塩基発生剤光塩基発生剤とを含有することを特徴とする。
That is, the photosensitive resin composition of the present invention contains at least a polyimide precursor containing a structure represented by the following formula (1) and a photobase generator photobase generator represented by the following formula (7). It is characterized by.

(式(1)中、Rは4価の有機基、Rは2価の有機基、Rは水素原子又はアミノ基を有しない1価の有機基、Rは水素原子又は下記式(2)〜(5)で表わされる有機基よりなる群から選択される少なくとも1種の有機基であり、Rうち50%以上が前記式(2)〜(5)で表される有機基である。複数あるR、R、R、Rはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)
(In Formula (1), R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, R 3 is a monovalent organic group having no hydrogen atom or amino group, R 4 is a hydrogen atom or the following formula: It is at least one organic group selected from the group consisting of organic groups represented by (2) to (5), and 50% or more of R 4 is represented by the formulas (2) to (5). A plurality of R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may be the same or different.)

(式(2)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又はアミノ基を有しない1価の有機基である。)
(In formula (2), R 5 is a tetravalent organic group, and R 6 is a monovalent organic group having no hydrogen atom or amino group .)

(式(3)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又はアミノ基を有しない1価の有機基である。複数あるRは同一でも異なっていてもよい。)
(In Formula (3), R 7 is a tetravalent organic group, R 8 is a monovalent organic group having no hydrogen atom or amino group . Plural R 8 may be the same or different.)

(式(4)中、Rは4価の有機基、R10 水素原子又はアミノ基を有しない1価の有機基、R 11 は水素原子又はアミノ基を有しない1価の有機基である。複数あるR10は同一でも異なっていてもよい。)
(In formula (4), R 9 is a tetravalent organic group, R 10 is a monovalent organic group having no hydrogen atom or amino group , and R 11 is a monovalent organic group having no hydrogen atom or amino group. A plurality of R 10 may be the same or different.)

(式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子、Zは−R12又は−OR13であり、R12及びR13アミノ基を有しない1価の有機基である。)
(In the formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, Z is —R 12 or —OR 13 , and R 12 and R 13 are monovalent organic compounds having no amino group. Group.)

(式(7)中、R(In formula (7), R 4141 及びRAnd R 4242 は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。RAre each independently a hydrogen atom or an organic group, which may be the same or different. R 4141 及びRAnd R 4242 は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、RMay be bonded to each other to form a cyclic structure, or may contain a heteroatom bond. However, R 4141 及びRAnd R 4242 の少なくとも1つは有機基である。RAt least one of these is an organic group. R 4343 及びRAnd R 4444 はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。RAre independently a hydrogen atom, halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group Group or organic group, which may be the same or different. R 4545 、R, R 4646 、R, R 4747 及びRAnd R 4848 は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。REach independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, A phosphonate group, an amino group, an ammonio group, or an organic group, which may be the same or different. R 4545 、R, R 4646 、R, R 4747 及びRAnd R 4848 は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。RIn these, two or more of them may be bonded to form a cyclic structure, and may contain a bond of a heteroatom. R 4949 は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。)Is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves. )

前記式(5)におけるXが炭素原子であり、かつ、前記式(5)におけるYが酸素原子であることが、このような末端を形成する末端封止剤の入手が容易であり、かつ、取扱いが容易である点から好ましい。
更に前記式(5)が下記式(6)で表わされる有機基であるであることが、当該ポリイミド前駆体のイミド化反応の際、末端部位もイミド化されるためポリイミドとなった際に吸湿性が低く、かつ、耐熱性が高くなるため好ましい。
X in the formula (5) is a carbon atom, and Y in the formula (5) is an oxygen atom, it is easy to obtain an end-capping agent that forms such a terminal, and It is preferable because it is easy to handle.
Furthermore, when the formula (5) is an organic group represented by the following formula (6), when the polyimide precursor is imidized, the terminal site is also imidized, so that moisture is absorbed when it becomes a polyimide. This is preferable because the heat resistance is low and the heat resistance is high.

(式(6)中、R14は下記式(6−1)〜(6−5)で表わされる有機基よりなる群から選択される有機基、R15は水素原子又はアミノ基を有しない1価の有機基である。)
(In the formula (6), R 14 is an organic group selected from the group consisting of organic groups represented by the following formulas (6-1) to (6-5), and R 15 does not have a hydrogen atom or an amino group. Valent organic group.)

(式(6−1)〜(6−5)中、Aは、それぞれ独立に、水素原子又はアミノ基を有しない有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Aは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。−COORは式(6)中の−COOR15に対応する。)
(In the formulas (6-1) to (6-5), A each independently represents an organic group having no hydrogen atom or amino group, and may be the same or different. Two or more of these may be bonded to form a cyclic structure, and may include a heteroatom bond.-COOR corresponds to -COOR 15 in formula (6).

参考例2:感光性樹脂組成物Bの調製]
製造例1で得られたポリイミド前駆体1溶液に対し、光塩基発生剤2を溶液の固形分の15重量%添加し、参考例2の感光性樹脂組成物Bとした。
[ Reference Example 2: Preparation of photosensitive resin composition B]
To the polyimide precursor 1 solution obtained in Production Example 1, 15% by weight of the photobase generator 2 was added to obtain a photosensitive resin composition B of Reference Example 2.

評価の結果、アミン末端を封止した感光性ポリイミド樹脂組成物(実施例1)はアミン末端を封止してないもの(比較例1)に比べて、光塩基発生剤1を用いたときは未露光部の溶解速度が約5.5倍向上し、現像に要する時間を短縮できた。また、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約3倍向上した。
また、参考例2と比較例2の結果から、光塩基発生剤2を用いたときは未露光部の溶解速度が約1.3倍向上し、露光部と未露光部の溶解性コントラストは約2倍向上することがわかった。
As a result of the evaluation, when the photobase generator 1 was used, the photosensitive polyimide resin composition with the amine terminal sealed (Example 1) was compared with that without the amine terminal sealed (Comparative Example 1). The dissolution rate of the unexposed area was improved by about 5.5 times, and the time required for development could be shortened. Further, the solubility contrast between the exposed area and the unexposed area was improved about 3 times.
Further, from the results of Reference Example 2 and Comparative Example 2, when the photobase generator 2 was used, the dissolution rate of the unexposed part was improved by about 1.3 times, and the solubility contrast of the exposed part and the unexposed part was about It was found to improve 2 times.

Claims (10)

少なくとも、下記式(1)で表わされる構造を含むポリイミド前駆体と、光塩基発生剤を含有する感光性樹脂組成物。
(式(1)中、Rは4価の有機基、Rは2価の有機基、Rは水素原子又は1価の有
機基、Rは水素原子又は下記式(2)〜(5)で表わされる有機基よりなる群から選択される少なくとも1種の有機基であり、Rのうち少なくとも一部は有機基である。複数あるR、R、R、Rはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。)
(式(2)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。)
(式(3)中、Rは4価の有機基、Rは水素原子又は1価の有機基である。複数あるRは同一でも異なっていてもよい。)
(式(4)中、Rは4価の有機基、R10及びR11は水素原子又は1価の有機基である。複数あるR10は同一でも異なっていてもよい。)
(式(5)中、XはC、P又はS原子、YはS又はO原子、Zは−R12又は−OR13であり、R12及びR13は1価の有機基である。)
A photosensitive resin composition containing at least a polyimide precursor having a structure represented by the following formula (1) and a photobase generator.
(In the formula (1), R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, R 3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 4 is a hydrogen atom or the following formulas (2) to ( 5) is at least one organic group selected from the group consisting of organic groups, and at least a part of R 4 is an organic group, and a plurality of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are Each may be the same or different.)
(In Formula (2), R 5 is a tetravalent organic group, and R 6 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.)
(In Formula (3), R 7 is a tetravalent organic group, R 8 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 8s may be the same or different.)
(In Formula (4), R 9 is a tetravalent organic group, R 10 and R 11 are a hydrogen atom or a monovalent organic group. Plural R 10s may be the same or different.)
(In formula (5), X is a C, P or S atom, Y is an S or O atom, Z is —R 12 or —OR 13 , and R 12 and R 13 are monovalent organic groups.)
前記式(5)におけるXが炭素原子であり、かつ、前記式(5)におけるYが酸素原子である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein X in the formula (5) is a carbon atom, and Y in the formula (5) is an oxygen atom. 更に前記式(5)が下記式(6)で表わされる有機基である、請求項2に記載の感光性樹脂組成物。
(式(6)中、R14は下記式(6−1)〜(6−5)で表わされる有機基よりなる群から選択される有機基、R15は水素原子又は1価の有機基である。)
(式(6−1)〜(6−5)中、Aは、それぞれ独立に、水素又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Aは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。−COORは式(6)中の−COOR15に対応する。)
Furthermore, the photosensitive resin composition of Claim 2 whose said Formula (5) is an organic group represented by following formula (6).
(In the formula (6), R 14 is an organic group selected from the group consisting of organic groups represented by the following formulas (6-1) to (6-5), and R 15 is a hydrogen atom or a monovalent organic group. is there.)
(In formulas (6-1) to (6-5), each A is independently hydrogen or an organic group, and may be the same or different. A is a combination of two or more of them. (It may form a cyclic structure and may contain a bond of a hetero atom. -COOR corresponds to -COOR 15 in the formula (6).)
前記式(1)におけるRのうち、50%以上が有機基である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein 50% or more of R 4 in the formula (1) is an organic group. 前記式(1)におけるRのうち、50%以上が前記式(6)で表わされる有機基である請求項1乃至4に記載の感光性樹脂組成物。 5. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein 50% or more of R 4 in the formula (1) is an organic group represented by the formula (6). 前記光塩基発生剤が、塩基として脂肪族アミンもしくはアミジンを発生する、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。   The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the photobase generator generates an aliphatic amine or amidine as a base. 前記光塩基発生剤が、下記式(7)〜(9)で表わされる化合物よりなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
(式(7)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R41及びR42は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。R43及びR44はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47及びR48は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R45、R46、R47及びR48は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R49は、水素原子、或いは、加熱及び/又は電磁波の照射により脱保護可能な保護基である。)
(式(8)中、R41及びR42は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R41及びR42は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R41及びR42の少なくとも1つは有機基である。R50及びR50’はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、ニトロ基、シリル基、シラノール基、又は有機基である。R51、R52、R53、R54及びR55は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R51、R52、R53、R54及びR55は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
(式(9)中、R57は、有機基で置換されたアミノ基又は有機基、R58及びR59は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良いが、R58及びR59の少なくとも1つはヘテロ原子を有していても良い芳香族化合物である。R57、R58及びR59は、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photobase generator is at least one selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (7) to (9). object.
(In Formula (7), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different. R 41 and R 42 are bonded to form a ring. It may form a structure and may contain a bond of hetero atoms, provided that at least one of R 41 and R 42 is an organic group, and R 43 and R 44 are each independently a hydrogen atom, A halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, or organic group, may be different even in the same .R 45, R 46, R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, Sulf Group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonato group, amino group, ammonio group or organic group, which are the same. Two or more of R 45 , R 46 , R 47 and R 48 may be bonded to form a cyclic structure, and may contain a hetero atom bond. R 49 is a hydrogen atom or a protecting group that can be deprotected by heating and / or irradiation with electromagnetic waves.)
(In Formula (8), R 41 and R 42 each independently represent a hydrogen atom or an organic group, and may be the same or different. R 41 and R 42 are bonded to form a ring. may form a structure, may contain a binding heteroatom. proviso that at least one of R 41 and R 42 is an organic group .R 50 and R 50 'each independently represents a hydrogen atom, A halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a nitro group, a silyl group, a silanol group, or an organic group, R 51 , R 52 , R 53 , R 54, and R 55 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a hydroxyl group; , Mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group Amino group, an ammonio group or an organic group, may be different even in the same .R 51, R 52, R 53 , R 54 and R 55 are a ring structure bonded to two or more of them It may be formed or may contain a heteroatom bond.)
(In the formula (9), R 57 is an amino group or an organic group substituted with an organic group, R 58 and R 59 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a sulfide group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, Group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonio group or organic group, which may be the same or different, At least one of 58 and R 59 is an aromatic compound which may have a hetero atom, and two or more of R 57 , R 58 and R 59 are bonded to form a cyclic structure. And may contain heteroatom bonds.)
前記請求項1乃至7のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料。   The pattern formation material which consists of the photosensitive resin composition of any one of the said Claims 1 thru | or 7. 前記請求項1乃至7のいずれかに1項に記載の感光性樹脂組成物を用いて塗膜又は成形体を形成し、当該塗膜又は成形体を、所定パターン状に電磁波を照射し、照射後又は照射と同時に加熱し、前記照射部位の溶解性を変化させた後、現像することを特徴とするネガ型パターン形成方法。   A coating film or a molded body is formed using the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, and the coating film or the molded body is irradiated with an electromagnetic wave in a predetermined pattern. A negative pattern forming method characterized by heating after or simultaneously with irradiation to change the solubility of the irradiated portion and then developing. 前記請求項1乃至7のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、塗料、シール剤、接着剤、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光造形物、光学部材又は建築材料のいずれかの物品。   Printed matter, paint, sealant, adhesive, display device, semiconductor device, electronic component, at least part of which is formed from the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7 or a cured product thereof. An article of any one of a micro electro mechanical system, an optically shaped object, an optical member, and a building material.
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