JP2016014541A - SQUID microscope - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a SQUID microscope allowing an operator to adjust the position of a SQUID sensor element and having a simple configuration for the adjustment.SOLUTION: Rotation of a thimble of a depth micrometer (8) in clockwise direction by an operator causes a spindle (8a) to press down a shaft (9), the shaft (9) to press down a relay pin (7e), and the relay pin (7e) to press down a bearing member (2), thereby enabling a SQUID chip (1) to adjust the position of a sapphire window (6). A simple configuration is enabled by such a mechanism for transferring the movement of the spindle (8a) of the depth micrometer (8) directly to the SQUID chip (1).

Description

本発明は、SQUID顕微鏡に関し、さらに詳しくは、操作者がSQUIDセンサ素子の位置を調節でき且つそのための構成が簡単であるSQUID顕微鏡に関する。   The present invention relates to a SQUID microscope, and more particularly, to a SQUID microscope in which an operator can adjust the position of a SQUID sensor element and has a simple configuration.

SQUIDセンサ素子と、SQUIDセンサ素子を支持するための支持部材と、SQUIDセンサ素子を冷却するための冷却装置と、SQUIDセンサ素子や支持部材を真空断熱するための真空容器とを具備し、SQUIDセンサ素子に対向する位置の真空容器部分に設けた磁気検出部から真空容器外の試料の磁気をSQUIDセンサ素子に導いて検出するSQUID顕微鏡が知られている(特許文献1,特許文献2,非特許文献1参照)。   A SQUID sensor element comprising: a SQUID sensor element; a support member for supporting the SQUID sensor element; a cooling device for cooling the SQUID sensor element; and a vacuum vessel for vacuum-insulating the SQUID sensor element and the support member. A SQUID microscope is known in which a magnetism of a sample outside a vacuum container is guided to a SQUID sensor element from a magnetic detection part provided in a vacuum container portion at a position facing the element (Patent Document 1, Patent Document 2, Non-Patent Document). Reference 1).

特開2004−12189号公報JP 2004-12189 A 特開2011−58945号公報JP 2011-58945 A

F.Baudenbacher,L.E.Fong and J.R.Holzer「Monolithic low−transition−temperature superconducting magnetometers for high resolution imaging magnetic fields of room temperature samples」APPLIED PHYSICS LETTERS,VOL.82,No.20,19 MAY 2003F. Baudenbacher, L.M. E. Fong and J.M. R. Holzer "Monolithic low-transition-temperature superconducting magnetometers for high resolution imaging magnetfieldsofroomLET 82, no. 20, 19 MAY 2003

SQUID顕微鏡において磁気検出の空間分解能を上げるためには、SQUIDセンサ素子を試料に近づければよいので、SQUIDセンサ素子を真空容器の外に近い位置に置けばよい。
ところが、SQUIDセンサ素子を真空容器の外に近づけ過ぎると、室温(=試料が置かれている温度)の影響を受けやすくなるため、SQUIDセンサ素子を極低温に維持するのには不都合となる。
従って、観測が必要な空間分解能に応じて操作者がSQUIDセンサ素子の位置を調節できることが望ましい。
しかし、上記従来のSQUID顕微鏡では、操作者がSQUIDセンサ素子の位置を調節できないか、又は、操作者がSQUIDセンサ素子の位置を調節できても、そのための構成が複雑である問題点があった。
そこで、本発明の目的は、操作者がSQUIDセンサ素子の位置を調節でき且つそのための構成が簡単であるSQUID顕微鏡を提供することにある。
In order to increase the spatial resolution of magnetic detection in the SQUID microscope, the SQUID sensor element only needs to be close to the sample. Therefore, the SQUID sensor element may be placed close to the outside of the vacuum vessel.
However, if the SQUID sensor element is brought too close to the outside of the vacuum vessel, it becomes susceptible to the influence of room temperature (= temperature at which the sample is placed), which is inconvenient for maintaining the SQUID sensor element at a very low temperature.
Therefore, it is desirable that the operator can adjust the position of the SQUID sensor element according to the spatial resolution that needs to be observed.
However, the conventional SQUID microscope has a problem that the operator cannot adjust the position of the SQUID sensor element or the operator can adjust the position of the SQUID sensor element, and the configuration for that is complicated. .
Therefore, an object of the present invention is to provide a SQUID microscope in which an operator can adjust the position of a SQUID sensor element and the configuration for that is simple.

第1の観点では、本発明は、SQUIDセンサ素子(1)と、SQUIDセンサ素子(1)を支持するための支持部材(2)と、SQUIDセンサ素子(1)を冷却するための冷却装置(3a,3b,4)と、SQUIDセンサ素子(1)や支持部材(2)を真空断熱するための真空容器(3c,5)とを具備し、SQUIDセンサ素子(1)に対向する位置の真空容器(5)部分に設けた磁気検出部(6)の近傍の真空容器(5)外に置かれた試料の磁気をSQUIDセンサ素子(1)で検出するSQUID顕微鏡であって、SQUIDセンサ素子(1)を真空容器(5)の外に近づけたり遠ざけたりする方向に支持部材(2)が動きうるように弾性的に支持部材(2)を保持する弾性保持部材(7)と、SQUIDセンサ素子(1)を挟んで磁気検出部(6)と反対側の真空容器(3c)外に且つSQUIDセンサ素子(1)を真空容器(5)の外に近づけたり遠ざけたりする方向にスピンドル(8a)が移動する姿勢で設置したディプスマイクロメータ(8)と、ディプスマイクロメータ(8)のスピンドル(8a)の移動を弾性保持部材(7)を介して支持部材(2)に伝えるためのシャフト(9)とを設けたことを特徴とするSQUID顕微鏡(100)を提供する。
上記第1の観点によるSQUID顕微鏡(100)では、操作者がディプスマイクロメータ(8)のシンブルを反時計方向に回し、ディプスマイクロメータ(8)のスピンドル(8a)およびシャフト(9)で弾性保持部材(7)を押していない状態にすると、弾性保持部材(7)の弾性によってSQUIDセンサ素子(1)が真空容器(5)の外に対して最も遠い位置に保持される。そして、操作者がディプスマイクロメータ(8)のシンブルを時計方向に回し、ディプスマイクロメータ(8)のスピンドル(8a)およびシャフト(9)で弾性保持部材(7)を押すと、SQUIDセンサ素子(1)が真空容器(5)の外に対して近づいた位置に移動する。かくして、操作者がSQUIDセンサ素子(1)の位置を調節できる。
ディプスマイクロメータ(8)のスピンドル(8a)の移動をそのままSQUIDセンサ素子(1)に伝える機構であるため、構成が簡単になる。
In the first aspect, the present invention relates to a SQUID sensor element (1), a support member (2) for supporting the SQUID sensor element (1), and a cooling device for cooling the SQUID sensor element (1) ( 3a, 3b, 4) and a vacuum container (3c, 5) for vacuum-insulating the SQUID sensor element (1) and the support member (2), and a vacuum at a position facing the SQUID sensor element (1). A SQUID microscope in which a SQUID sensor element (1) detects the magnetism of a sample placed outside a vacuum vessel (5) in the vicinity of a magnetic detector (6) provided in the container (5), and includes a SQUID sensor element ( 1) an elastic holding member (7) that elastically holds the support member (2) so that the support member (2) can move in a direction to move the support member (2) closer to or away from the vacuum vessel (5); and a SQUID sensor element (1) between With the posture that the spindle (8a) moves in the direction to move the SQUID sensor element (1) closer to or away from the vacuum container (5), and to the outside of the vacuum container (3c) opposite to the magnetic detection unit (6). An installed depth micrometer (8) and a shaft (9) for transmitting the movement of the spindle (8a) of the depth micrometer (8) to the support member (2) via the elastic holding member (7) are provided. An SQUID microscope (100) is provided.
In the SQUID microscope (100) according to the first aspect, the operator turns the thimble of the depth micrometer (8) counterclockwise and is elastically held by the spindle (8a) and the shaft (9) of the depth micrometer (8). When the member (7) is not pushed, the SQUID sensor element (1) is held at the farthest position from the outside of the vacuum vessel (5) by the elasticity of the elastic holding member (7). When the operator turns the thimble of the depth micrometer (8) clockwise and pushes the elastic holding member (7) with the spindle (8a) and the shaft (9) of the depth micrometer (8), the SQUID sensor element ( 1) moves to a position approaching the outside of the vacuum vessel (5). Thus, the operator can adjust the position of the SQUID sensor element (1).
Since the mechanism directly transmits the movement of the spindle (8a) of the depth micrometer (8) to the SQUID sensor element (1), the configuration is simplified.

第2の観点では、本発明は、前記第1の観点によるSQUID顕微鏡(100)において、支持部材(2)は、サファイアロッド(2a)および銅ロッド(2b)からなり、サファイアロッド(2a)の第1端面および側面に配線パターン(10)として非磁性合金の薄膜が形成され、その配線パターン(10)とSQUIDセンサ素子(1)を接続する導電ペースト(11)によりサファイアロッド(2a)の第1端面にSQUIDセンサ素子(1)が実装されており、サファイアロッド(2a)の第2端面と銅ロッド(2b)の第1端面とが結合され、銅ロッド(2b)の第2端部が弾性保持部材(7)に保持されていることを特徴とするSQUID顕微鏡(100)を提供する。
例えばサファイアロッドの側面に導電ペーストを用いて銀箔や金極細線を貼り付けて配線パターンとする場合、温度変化による応力緩和によって銀箔や金極細線が外れるといった問題点がある。
これに対して、上記第2の観点によるSQUID顕微鏡(100)では、サファイアロッド(2a)の第1端面および側面に非磁性合金の薄膜を例えば蒸着により形成して配線パターン(10)としているので、上記のような問題点がない。また、導電ペースト(11)によりサファイアロッド(2a)の第1端面にSQUIDセンサ素子(1)を実装できるので、SQUIDセンサ素子(1)の実装作業が容易になる利点もある。
In a second aspect, the present invention provides the SQUID microscope (100) according to the first aspect, wherein the support member (2) includes a sapphire rod (2a) and a copper rod (2b). A thin film made of a nonmagnetic alloy is formed on the first end face and the side face as a wiring pattern (10), and the conductive paste (11) connecting the wiring pattern (10) and the SQUID sensor element (1) is used to form the first sapphire rod (2a). The SQUID sensor element (1) is mounted on one end surface, the second end surface of the sapphire rod (2a) and the first end surface of the copper rod (2b) are coupled, and the second end portion of the copper rod (2b) is Provided is a SQUID microscope (100) characterized by being held by an elastic holding member (7).
For example, when a conductive foil is used to attach a silver foil or a gold fine wire to the side surface of the sapphire rod to form a wiring pattern, there is a problem that the silver foil or the gold fine wire is detached due to stress relaxation due to a temperature change.
On the other hand, in the SQUID microscope (100) according to the second aspect, a thin film of a nonmagnetic alloy is formed on the first end face and the side face of the sapphire rod (2a) by, for example, vapor deposition to form a wiring pattern (10). There is no such problem. Moreover, since the SQUID sensor element (1) can be mounted on the first end face of the sapphire rod (2a) by the conductive paste (11), there is an advantage that the mounting work of the SQUID sensor element (1) is facilitated.

第3の観点では、本発明は、前記第2の観点によるSQUID顕微鏡(100)において、冷却装置(3a,3b,4)は、液体ヘリウム(3a)と、液体ヘリウム(3a)を貯留する液体ヘリウム槽(3b)と、銅ロッド(2b)に第1端部が接続され且つ液体ヘリウム(3a)に第2端部が浸漬された熱伝導用銅線(4)とからなることを特徴とするSQUID顕微鏡(100)を提供する。
上記第3の観点によるSQUID顕微鏡(100)では、柔軟性のある熱伝導用銅線(4)を介して銅ロッド(2b)を冷却するので、操作者がSQUIDセンサ素子(1)の位置を調節する時に銅ロッド(2b)が同時に移動しても支障なくSQUIDセンサ素子(1)を冷却することが出来る。
In a third aspect, the present invention is the SQUID microscope (100) according to the second aspect, wherein the cooling devices (3a, 3b, 4) are liquid helium (3a) and liquid that stores liquid helium (3a). It consists of a helium tank (3b) and a copper wire (4) for heat conduction having a first end connected to a copper rod (2b) and a second end immersed in liquid helium (3a). A SQUID microscope (100) is provided.
In the SQUID microscope (100) according to the third aspect, the copper rod (2b) is cooled via the flexible heat conducting copper wire (4), so that the operator can locate the SQUID sensor element (1). The SQUID sensor element (1) can be cooled without any trouble even if the copper rod (2b) moves simultaneously during adjustment.

本発明のSQUID顕微鏡によれば、操作者がSQUIDセンサ素子の位置を高精度に調節できる。また、その位置調整のための構成が簡単になる。   According to the SQUID microscope of the present invention, the operator can adjust the position of the SQUID sensor element with high accuracy. Further, the configuration for adjusting the position is simplified.

実施例1に係るSQUID顕微鏡を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a SQUID microscope according to Example 1. FIG. SQUIDチップ(=SQUIDセンサ素子)の実装状態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the mounting state of a SQUID chip (= SQUID sensor element). SQUIDチップの実装状態を示す底面図である。It is a bottom view which shows the mounting state of a SQUID chip. フレクシャー機構(=弾性保持部材)の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of a flexure mechanism (= elastic holding member).

以下、図に示す実施の形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments shown in the drawings. Note that the present invention is not limited thereby.

−実施例1−
図1は、実施例1に係るSQUID顕微鏡100を示す断面図である。
このSQUID顕微鏡100において、SQUIDチップ(=SQUIDセンサ素子)1は、上部分が円柱形状で下端部分(=第1端部分)が円錐台形状のサファイアロッド2aの下端面(=第1端面)に実装されている。
Example 1
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a SQUID microscope 100 according to the first embodiment.
In this SQUID microscope 100, the SQUID chip (= SQUID sensor element) 1 has an upper portion formed in a columnar shape and a lower end portion (= first end portion) on a lower end surface (= first end surface) of a truncated sapphire rod 2a. Has been implemented.

すなわち、図2および図3に示すように、配線パターン10として銀ベースの非磁性合金の薄膜が蒸着によりサファイアロッド2aの側面に形成され、さらに下端面にオーバーハングしている。SQUIDチップ1は、その配線パッドと配線パターン10を導電ペースト11で接続することにより、サファイアロッド2aの下端面に支持されている。   That is, as shown in FIGS. 2 and 3, a silver-based nonmagnetic alloy thin film is formed on the side surface of the sapphire rod 2a by vapor deposition as the wiring pattern 10, and further overhangs at the lower end surface. The SQUID chip 1 is supported on the lower end surface of the sapphire rod 2 a by connecting the wiring pad and the wiring pattern 10 with the conductive paste 11.

図1に戻り、サファイアロッド2aの上端面(=第2端面)は、円柱形状の銅ロッド2bの穴の開いた下端面(=第1端面)に差し込まれ、カシメられている。   Returning to FIG. 1, the upper end surface (= second end surface) of the sapphire rod 2a is inserted into the lower end surface (= first end surface) of the cylindrical copper rod 2b with a hole, and is crimped.

サファイアロッド2aおよび銅ロッド2bが、支持部材2を構成している。   The sapphire rod 2a and the copper rod 2b constitute the support member 2.

銅ロッド2bの上端面(=第2端面)は、フレクシャー機構(=弾性保持部材)7の板バネ7dの下面にボルト/ナットにより固定されている。
フレクシャー機構7は、クライオスタット3の内槽3bの下面に固定されている。
The upper end surface (= second end surface) of the copper rod 2b is fixed to the lower surface of the leaf spring 7d of the flexure mechanism (= elastic holding member) 7 with bolts / nuts.
The flexure mechanism 7 is fixed to the lower surface of the inner tank 3 b of the cryostat 3.

図4に示すように、フレクシャー機構7の支柱7aの上端部が、クライオスタット3の内槽3bの下面に固定されている。
支柱7aはプレート7bを支持し、そのプレート7bはバネ支持柱7cを支持し、そのバネ支持柱7cは板バネ7dを支持している。
エポキシ樹脂製の中継ピン7eは、ボルト形状をしており、プレート7bの貫通孔を貫通して、板バネ7dの上面に載っている。
リミッタ7fは、中継ピン7eの頭部であり、プレート7bの貫通孔よりも径が大きくなっている。エポキシ樹脂製のシャフト9を介して中継ピン7eに押下力が加えられると、板バネ7dを撓ませて中継ピン7eが下がる。リミッタ7fがプレート7bに当たるまで下がると、それよりは下げられなくなる。
As shown in FIG. 4, the upper end portion of the column 7 a of the flexure mechanism 7 is fixed to the lower surface of the inner tank 3 b of the cryostat 3.
The column 7a supports the plate 7b, the plate 7b supports the spring support column 7c, and the spring support column 7c supports the plate spring 7d.
The relay pin 7e made of epoxy resin has a bolt shape, passes through the through hole of the plate 7b, and rests on the upper surface of the plate spring 7d.
The limiter 7f is the head of the relay pin 7e and has a diameter larger than that of the through hole of the plate 7b. When a pressing force is applied to the relay pin 7e via the epoxy resin shaft 9, the leaf spring 7d is bent to lower the relay pin 7e. When the limiter 7f is lowered until it hits the plate 7b, it cannot be lowered further.

図1に戻り、シャフト9は、クライオスタット3の内槽3bの貫通孔3dを貫通してフレクシャー機構7の中継ピン7eに載っている。
シャフト9の上端部は、クライオスタット3の外槽3cの天壁を貫通して上方へ延び、ディプスマイクロメータ8のスピンドル8aの先端面に当接している。
Returning to FIG. 1, the shaft 9 passes through the through hole 3 d of the inner tank 3 b of the cryostat 3 and is mounted on the relay pin 7 e of the flexure mechanism 7.
The upper end portion of the shaft 9 extends upward through the top wall of the outer tub 3 c of the cryostat 3 and is in contact with the tip surface of the spindle 8 a of the depth micrometer 8.

クライオスタット3は、液体ヘリウム3aと、液体ヘリウム3aを貯留する内槽3bと、内槽3bを真空断熱する外槽3cとからなる。
外槽3cの底壁下面には、検出部真空容器5が取り付けられている。
銅ロッド2bは、外槽3c内から検出部真空容器5内へと外槽3cの底壁を貫通している。
熱伝導用銅線4は、その下端部(=第1端部)が外槽3c内にあり、その上端部(=第2端部)が内槽3b内にあるように、その中間部の一部が内槽3bの底壁に埋め込まれ、内槽3bの底壁を貫通している。そして、熱伝導用銅線4の下端部は、銅ロッド2bに接続されている。
なお、熱伝導用銅線4は、1本でもよいが、冷却性能を上げるため複数本(例えば4本)にするのが好ましい。
The cryostat 3 includes a liquid helium 3a, an inner tank 3b that stores the liquid helium 3a, and an outer tank 3c that thermally insulates the inner tank 3b.
The detector vacuum container 5 is attached to the bottom wall lower surface of the outer tub 3c.
The copper rod 2b penetrates the bottom wall of the outer tub 3c from the outer tub 3c into the detection unit vacuum vessel 5.
The copper wire 4 for heat conduction has a lower end portion (= first end portion) in the outer tub 3c and an upper end portion (= second end portion) in the inner tub 3b. A part is embedded in the bottom wall of the inner tank 3b and penetrates the bottom wall of the inner tank 3b. And the lower end part of the copper wire 4 for heat conduction is connected to the copper rod 2b.
In addition, although the number of the heat conductive copper wires 4 may be one, it is preferable to use multiple (for example, four) in order to improve cooling performance.

検出部真空容器5の底部は、サファイア窓(=磁気検出部)6になっている。
サファイア窓6は、その位置を上下方向および水平方向に微調整できるように、サファイア窓位置調整機構6aにより支持されている。
The bottom of the detector vacuum container 5 is a sapphire window (= magnetic detector) 6.
The sapphire window 6 is supported by a sapphire window position adjusting mechanism 6a so that the position can be finely adjusted in the vertical direction and the horizontal direction.

SQUID信号線12の下端(=第1端)はサファイアロッド2aの側面の配線パターン(図2の10)に半田接続され、SQUID信号線12の上端(=第2端)は高周波フィルタ13の第1端に半田接続されている。
高抵抗配線14の下端(=第1端)は高周波フィルタ13の第2端に半田接続され、高抵抗配線14の上端(=第2端)は外槽3cの天壁上面に設置された信号コネクタ15に半田接続されている。高抵抗配線14は、熱伝導を抑制するために、高抵抗線になっている。
The lower end (= first end) of the SQUID signal line 12 is solder-connected to the wiring pattern (10 in FIG. 2) on the side surface of the sapphire rod 2a, and the upper end (= second end) of the SQUID signal line 12 is the first end of the high-frequency filter 13. Soldered to one end.
The lower end (= first end) of the high resistance wiring 14 is solder-connected to the second end of the high frequency filter 13, and the upper end (= second end) of the high resistance wiring 14 is a signal installed on the top surface of the top wall of the outer tub 3c. The connector 15 is soldered. The high resistance wiring 14 is a high resistance wire in order to suppress heat conduction.

ディプスマイクロメータ8は、固定部材20により外槽3cの天壁上面に取り付けられている。
ガイド21は、シャフト9が上下移動しうるが横には位置ずれしないように、外槽3cの天壁から突出したシャフト部分を囲んでいる。
The depth micrometer 8 is attached to the upper surface of the top wall of the outer tub 3 c by a fixing member 20.
The guide 21 surrounds the shaft portion that protrudes from the top wall of the outer tub 3c so that the shaft 9 can move up and down but is not displaced laterally.

冷媒ポート3eは、内槽3bに液体ヘリウム3aを補充するためのポートである。ヘリウムガスを廃棄するための排気ポート3e’が、冷媒ポート3eから分岐し、ヘリウムガスの蒸発量を計測するフローメータ(図示せず)に接続されている。
なお、冷媒ポート3eは、内槽3bの中心線に対称な2カ所に設置されている。この配置により、液体ヘリウム3aの注入時の内槽3bの応力歪みを抑制することが出来る。
The refrigerant port 3e is a port for replenishing the inner tank 3b with liquid helium 3a. An exhaust port 3e ′ for discarding the helium gas branches from the refrigerant port 3e and is connected to a flow meter (not shown) that measures the evaporation amount of the helium gas.
In addition, the refrigerant | coolant port 3e is installed in two places symmetrical with respect to the centerline of the inner tank 3b. With this arrangement, it is possible to suppress the stress distortion of the inner tank 3b when the liquid helium 3a is injected.

真空引きポート3fは、外槽3cの内部を真空にするためのポートである。   The evacuation port 3f is a port for evacuating the inside of the outer tub 3c.

XYZステージ30は、XYZ方向に移動可能に試料Sを保持する機構である。   The XYZ stage 30 is a mechanism that holds the sample S so as to be movable in the XYZ directions.

試料Sは、例えば岩石片,培養細胞,構造物材料などであり、XYZステージ30に保持されて、サファイア窓6の直下に置かれる。   The sample S is, for example, a rock piece, a cultured cell, a structural material or the like, and is held by the XYZ stage 30 and placed immediately below the sapphire window 6.

SQUID顕微鏡100の操作は次の通りである。
(1)ディプスマイクロメータ8のシンブルを反時計方向に回し、スピンドル8aがシャフト9を押していない状態にしておく。
(2)冷媒ポート3eから液体ヘリウム3aを内槽3bに允填する。
(3)サファイア窓位置調整機構6aによりサファイア窓6とSQUIDチップ1の距離を例えば500μm程度に調整する。
(4)ヘリウムガスの蒸発量をフローメータで監視しながら、ディプスマイクロメータ8のシンブルを時計方向に回し、スピンドル8aでシャフト9を押し下げる。シャフト9が中継ピン7eを押し下げ、中継ピン7eが支持部材2を押し下げるので、SQUIDチップ1がサファイア窓6に近づく。SQUIDチップ1がサファイア窓6に接触すると、熱侵入が贈加するので、ヘリウムガスの蒸発量が急増する。
(5)ヘリウムガスの蒸発量が急増するのを確認したら、ディプスマイクロメータ8の目盛りを読みながらシンブルを反時計方向に回し、所望距離だけSQUIDチップ1をサファイア窓6から遠ざける。これにより、SQUIDチップ1と試料S間の距離を例えば100μm〜200μmに微調整する。
(6)SQUIDチップ1による磁気計測を行いながら、XYZステージ30で試料Sを水平面内で走査する。
The operation of the SQUID microscope 100 is as follows.
(1) Turn the thimble of the depth micrometer 8 counterclockwise so that the spindle 8a does not push the shaft 9.
(2) Fill the inner tank 3b with liquid helium 3a from the refrigerant port 3e.
(3) The distance between the sapphire window 6 and the SQUID chip 1 is adjusted to, for example, about 500 μm by the sapphire window position adjusting mechanism 6a.
(4) While monitoring the evaporation amount of helium gas with a flow meter, the thimble of the depth micrometer 8 is turned clockwise, and the shaft 9 is pushed down by the spindle 8a. Since the shaft 9 pushes down the relay pin 7 e and the relay pin 7 e pushes down the support member 2, the SQUID chip 1 approaches the sapphire window 6. When the SQUID chip 1 comes into contact with the sapphire window 6, heat penetration is given, so that the amount of evaporation of helium gas increases rapidly.
(5) When it is confirmed that the evaporation amount of helium gas increases rapidly, the thimble is turned counterclockwise while reading the scale of the depth micrometer 8, and the SQUID chip 1 is moved away from the sapphire window 6 by a desired distance. Thereby, the distance between the SQUID chip 1 and the sample S is finely adjusted to, for example, 100 μm to 200 μm.
(6) The sample S is scanned in the horizontal plane by the XYZ stage 30 while performing the magnetic measurement by the SQUID chip 1.

実施例1のSQUID顕微鏡100によれば次の効果が得られる。
(a)操作者がディプスマイクロメータ8のシンブルを回すことにより、SQUIDチップ1の位置を容易に且つ高精度に調節できる。
なお、SQUID顕微鏡100を用いた実験が終了した後、液体ヘリウム3aの補充を止めると、SQUID顕微鏡100の内部温度が室温まで上昇する。そのため、実験終了時のSQUIDチップ1とサファイア窓6の距離(=100μm〜200μm)のまま放置していると、温度上昇に伴う銅ロッド2bの伸びによって、SQUIDチップ1(=サファイアロッド2aの先端)がサファイア窓6を突き破ってしまう危険性がある。そこで、実験終了時には、必ずSQUIDチップ1の位置をサファイア窓6から例えば1mm程度離すように調節しておく必要がある。そして、次の実験を始めるときに液体ヘリウム3aを補充しSQUID顕微鏡100の内部温度が極低温まで下降したら、SQUIDチップ1とサファイア窓6の距離を100μm〜200μmに再び調節し直す必要がある。このように、SQUIDチップ1の位置をたびたび調節する必要があるので、この調節の作業を容易に行えることは装置としては非常に重要である。
(b)ディプスマイクロメータ8のスピンドル8aの移動をそのままSQUIDチップ1に伝える機構であるため、構成が簡単である。
(c)エポキシ樹脂製のシャフト9を内槽3bの貫通孔3dに通すことで、シャフト9を介した熱侵入を防止できる.
(d)サファイアロッド2aの第1端面および側面に薄膜を形成して配線パターン10としているので、機械的な耐久性を向上できる。
(e)サファイアロッド2aの第1端面の配線パターン10上に導電ペースト11を介してSQUIDチップ1を載せるだけでSQUIDチップの実装が済むので、SQUIDチップ1の実装作業が容易になる。
(f)柔軟性のある熱伝導用銅線4を介して銅ロッド2bを冷却するので、操作者がSQUIDチップ1の位置を調節する時に銅ロッド2bが同時に移動しても支障なくSQUIDチップ1を冷却することが出来る。
(g)SQUIDチップ1がサファイア窓6に軽く接触した位置で中継ピン7eのリミッタ7fがプレート7bに当たるようにリミッタ7fの位置を決めておくことにより、操作者がSQUIDチップ1を下げ過ぎてしまうことを防止できる。
According to the SQUID microscope 100 of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(A) When the operator turns the thimble of the depth micrometer 8, the position of the SQUID chip 1 can be adjusted easily and with high accuracy.
Note that when the replenishment of the liquid helium 3a is stopped after the experiment using the SQUID microscope 100 is completed, the internal temperature of the SQUID microscope 100 rises to room temperature. Therefore, if the distance between the SQUID chip 1 and the sapphire window 6 at the end of the experiment is left as it is (= 100 μm to 200 μm), the SQUID chip 1 (= the tip of the sapphire rod 2a) is caused by the elongation of the copper rod 2b as the temperature rises. ) May break through the sapphire window 6. Therefore, at the end of the experiment, it is necessary to adjust the position of the SQUID chip 1 so as to be separated from the sapphire window 6 by, for example, about 1 mm. When the next experiment is started, when the liquid helium 3a is replenished and the internal temperature of the SQUID microscope 100 is lowered to a very low temperature, the distance between the SQUID chip 1 and the sapphire window 6 needs to be adjusted again to 100 μm to 200 μm. As described above, since it is necessary to frequently adjust the position of the SQUID chip 1, it is very important as an apparatus that the adjustment work can be easily performed.
(B) Since the mechanism transmits the movement of the spindle 8a of the depth micrometer 8 to the SQUID chip 1 as it is, the configuration is simple.
(C) Heat penetration through the shaft 9 can be prevented by passing the epoxy resin shaft 9 through the through hole 3d of the inner tank 3b.
(D) Since the thin film is formed on the first end face and the side face of the sapphire rod 2a to form the wiring pattern 10, the mechanical durability can be improved.
(E) Since the SQUID chip 1 can be mounted only by placing the SQUID chip 1 on the wiring pattern 10 on the first end face of the sapphire rod 2a via the conductive paste 11, the mounting work of the SQUID chip 1 is facilitated.
(F) Since the copper rod 2b is cooled via the flexible copper wire 4 for heat conduction, even if the operator moves the copper rod 2b at the same time when adjusting the position of the SQUID chip 1, the SQUID chip 1 is not affected. Can be cooled.
(G) When the position of the limiter 7f is determined so that the limiter 7f of the relay pin 7e contacts the plate 7b at a position where the SQUID chip 1 is in light contact with the sapphire window 6, the operator lowers the SQUID chip 1 too much. Can be prevented.

本発明のSQUID顕微鏡は、例えば岩石の表面磁化イメージング装置、細胞の電磁気的特性の非侵襲計測装置、材料の不純物検査装置などに利用できる。   The SQUID microscope of the present invention can be used in, for example, a rock surface magnetization imaging apparatus, a non-invasive measurement apparatus for electromagnetic characteristics of cells, and an impurity inspection apparatus for materials.

1 SQUIDチップ
2 支持部材
2a サファイアロッド
2b 銅ロッド
3 クライオスタット
3a 液体ヘリウム
3b 内槽
3c 外槽
4 熱伝導用銅線
5 検出部真空容器
6 サファイア窓
6a サファイア窓位置調整機構
7 フレクシャー機構
8 ディプスマイクロメータ
9 シャフト
10 配線パターン
11 導電ペースト
100 SQUID顕微鏡
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SQUID chip 2 Support member 2a Sapphire rod 2b Copper rod 3 Cryostat 3a Liquid helium 3b Inner tank 3c Outer tank 4 Heat conduction copper wire 5 Detector vacuum container 6 Sapphire window 6a Sapphire window position adjustment mechanism 7 Flexure mechanism 8 Depth micrometer 9 Shaft 10 Wiring pattern 11 Conductive paste 100 SQUID microscope

Claims (3)

SQUIDセンサ素子(1)と、SQUIDセンサ素子(1)を支持するための支持部材(2)と、SQUIDセンサ素子(1)を冷却するための冷却装置(3a,3b,4)と、SQUIDセンサ素子(1)や支持部材(2)を真空断熱するための真空容器(3c,4)とを具備し、SQUIDセンサ素子(1)に対向する位置の真空容器(5)部分に設けた磁気検出部(6)の近傍の真空容器(5)外に置かれた試料の磁気をSQUIDセンサ素子(1)で検出するSQUID顕微鏡であって、SQUIDセンサ素子(1)を真空容器(5)の外に近づけたり遠ざけたりする方向に支持部材(2)が動きうるように弾性的に支持部材(2)を保持する弾性保持部材(7)と、SQUIDセンサ素子(1)を挟んで磁気検出部(6)と反対側の真空容器(3c)外に且つSQUIDセンサ素子(1)を真空容器(5)の外に近づけたり遠ざけたりする方向にスピンドル(8a)が移動する姿勢で設置したディプスマイクロメータ(8)と、ディプスマイクロメータ(8)のスピンドル(8a)の移動を弾性保持部材(7)を介して支持部材(2)に伝えるためのシャフト(9)とを設けたことを特徴とするSQUID顕微鏡(100)。   SQUID sensor element (1), support member (2) for supporting SQUID sensor element (1), cooling device (3a, 3b, 4) for cooling SQUID sensor element (1), and SQUID sensor Magnetic detection provided in a vacuum container (5) portion at a position facing the SQUID sensor element (1), comprising a vacuum container (3c, 4) for vacuum insulation of the element (1) and the support member (2) A SQUID microscope for detecting the magnetism of a sample placed outside a vacuum vessel (5) in the vicinity of the unit (6) with a SQUID sensor element (1), wherein the SQUID sensor element (1) is placed outside the vacuum vessel (5). An elastic holding member (7) that elastically holds the support member (2) so that the support member (2) can move in a direction toward or away from the magnetic sensor, and a magnetic detection unit (S) with the SQUID sensor element (1) interposed therebetween Opposite to 6) A depth micrometer (8) installed in a posture in which the spindle (8a) moves outside the vacuum vessel (3c) and in a direction in which the SQUID sensor element (1) is moved closer to or away from the vacuum vessel (5); A SQUID microscope (100) comprising a shaft (9) for transmitting the movement of the spindle (8a) of the depth micrometer (8) to the support member (2) via the elastic holding member (7) . 請求項1に記載のSQUID顕微鏡(100)において、支持部材(2)は、サファイアロッド(2a)および銅ロッド(2b)からなり、サファイアロッド(2a)の第1端面および側面に配線パターン(10)として非磁性合金の薄膜が形成され、その配線パターン(10)とSQUIDセンサ素子(1)を接続する導電ペースト(11)によりサファイアロッド(2a)の第1端面にSQUIDセンサ素子(1)が実装されており、サファイアロッド(2a)の第2端面と銅ロッド(2b)の第1端面とが結合され、銅ロッド(2b)の第2端部が弾性保持部材(7)に保持されていることを特徴とするSQUID顕微鏡(100)。   The SQUID microscope (100) according to claim 1, wherein the support member (2) includes a sapphire rod (2a) and a copper rod (2b), and a wiring pattern (10) is formed on a first end face and a side face of the sapphire rod (2a). ) And a SQUID sensor element (1) is formed on the first end face of the sapphire rod (2a) by a conductive paste (11) connecting the wiring pattern (10) and the SQUID sensor element (1). The second end face of the sapphire rod (2a) and the first end face of the copper rod (2b) are coupled, and the second end of the copper rod (2b) is held by the elastic holding member (7). A SQUID microscope (100). 請求項2に記載のSQUID顕微鏡(100)において、冷却装置(3a,3b,4)は、液体ヘリウム(3a)と、液体ヘリウム(3a)を貯留する液体ヘリウム槽(3b)と、銅ロッド(2b)に第1端部が接続され且つ液体ヘリウム(3a)に第2端部が浸漬された熱伝導用銅線(4)とからなることを特徴とするSQUID顕微鏡(100)。   The SQUID microscope (100) according to claim 2, wherein the cooling device (3a, 3b, 4) includes liquid helium (3a), a liquid helium tank (3b) for storing liquid helium (3a), a copper rod ( A SQUID microscope (100) comprising a heat conducting copper wire (4) having a first end connected to 2b) and a second end immersed in liquid helium (3a).
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111007423A (en) * 2019-12-22 2020-04-14 苏州浪潮智能科技有限公司 Communication test fixture of server power front and back level
WO2022249995A1 (en) 2021-05-25 2022-12-01 京セラ株式会社 Detection substrate, detector, and detecting device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6451881U (en) * 1987-09-29 1989-03-30
JP2000504831A (en) * 1996-02-12 2000-04-18 ユニバーシティー・オブ・マリーランド・アット・カレッジパーク Microscope and inspection method
JP2000180008A (en) * 1998-12-11 2000-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Cooling apparartus for superconductor
JP2001255358A (en) * 2000-03-10 2001-09-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Magnetic sensor
KR20020078787A (en) * 2001-04-10 2002-10-19 엘지전자 주식회사 Scanning superconducting quantum interference device(squid) microscope
US20030042898A1 (en) * 2001-08-27 2003-03-06 Tristan Technologies, Inc. Self-adjusting assembly and method for close tolerance spacing
US20040145366A1 (en) * 2002-08-28 2004-07-29 Baudenbacher Franz J Superconducting quantum interference apparatus and method for high resolution imaging of samples
JP2005503564A (en) * 2001-09-14 2005-02-03 ユニヴァーシティー オブ メリーランド, カレッジ パーク Scanning SQUID microscope with improved spatial resolution
US7268542B1 (en) * 2004-02-20 2007-09-11 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Scanning SQUID microscope having position noise compensation

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6451881U (en) * 1987-09-29 1989-03-30
JP2000504831A (en) * 1996-02-12 2000-04-18 ユニバーシティー・オブ・マリーランド・アット・カレッジパーク Microscope and inspection method
JP2000180008A (en) * 1998-12-11 2000-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd Cooling apparartus for superconductor
JP2001255358A (en) * 2000-03-10 2001-09-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Magnetic sensor
KR20020078787A (en) * 2001-04-10 2002-10-19 엘지전자 주식회사 Scanning superconducting quantum interference device(squid) microscope
US20030042898A1 (en) * 2001-08-27 2003-03-06 Tristan Technologies, Inc. Self-adjusting assembly and method for close tolerance spacing
JP2005503564A (en) * 2001-09-14 2005-02-03 ユニヴァーシティー オブ メリーランド, カレッジ パーク Scanning SQUID microscope with improved spatial resolution
US20040145366A1 (en) * 2002-08-28 2004-07-29 Baudenbacher Franz J Superconducting quantum interference apparatus and method for high resolution imaging of samples
US7268542B1 (en) * 2004-02-20 2007-09-11 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Scanning SQUID microscope having position noise compensation

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
F. BAUDENBACHER, L. E. FONG, J. R. HOLZER, M.RADPARVAR: ""Monolithic low-transition-temperature superconducting magnetometers for high resolution imaging ma", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 82, no. 20, JPN7018000242, 19 May 2003 (2003-05-19), pages 3487 - 3489, XP012034135, ISSN: 0003727621, DOI: 10.1063/1.1572968 *
L. E. FONG, J. R. HOLZER, K. K. MCBRIDE, E. A. LIMA, F. BAUDENBACHER, M. RADPARVAR: ""High-resolution room-temperature sample scanning superconducting quantum interference device micro", REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, vol. 76, JPN7018000243, 15 April 2005 (2005-04-15), pages 1 - 053703, ISSN: 0003727622 *
河合淳、小田啓邦、藤平潤一、河端美樹、宮本政和、尾形久直: "19a-A22-12「中空クライオスタットを用いたSQUID顕微鏡の開発」", 第75回応用物理学会秋期学術講演会講演予稿集, JPN6018002628, 1 September 2014 (2014-09-01), pages 11 - 123, ISSN: 0003727623 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111007423A (en) * 2019-12-22 2020-04-14 苏州浪潮智能科技有限公司 Communication test fixture of server power front and back level
CN111007423B (en) * 2019-12-22 2022-04-22 苏州浪潮智能科技有限公司 Communication test fixture of server power front and back level
WO2022249995A1 (en) 2021-05-25 2022-12-01 京セラ株式会社 Detection substrate, detector, and detecting device

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