JP2016000498A - 偽造防止構造体、偽造防止媒体、及び、真贋判別装置 - Google Patents

Abstract

【課題】偽造防止効果が高く且つ肉眼判別困難マークを高速に判定できる偽造防止構造体、及びこの偽造防止構造体と組み合わせて使用できる真贋判別装置を提供する。
【解決手段】偽造防止構造体１は、テラヘルツ電磁波が透過可能なベース基材１１と、ベース基材１１の一方の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能な開口部形成層と、開口部形成層のベース基材１１とは逆側の面に配置されテラヘルツ電磁波を遮断する導電性層１５と、を備えている。偽造防止構造体１では、開口部形成層は電気的絶縁層であり、導電性層１５は特定波長のテラヘルツ電磁波が透過可能なＳＲＲパターン１３を形成する開口部を有している。真贋判別装置は、電磁波発生手段から特定波長のテラヘルツ電磁波を、偽造防止構造体１を含む媒体に照射し、所定の基準値との差異を判定する。
【選択図】図１

Description

本発明は、偽造を防止する為の偽造防止構造体、当該偽造防止構造体を備えた偽造防止媒体、及び、偽造防止構造体又は偽造防止媒体と組み合わされて使用される真贋判別装置に関する。

従来、例えば株券、債券、小切手、商品券、宝くじ券、定期券等の証券類には、偽造を防止するための種々の工夫が施されている。そのような工夫の一種として、肉眼ではその存在の判別が難しい肉眼判別困難マークを上記証券類に付して肉眼判別困難マークを機械により読み取ることが行われている。肉眼判別困難マークは、例えば熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインキにより印刷される。そして、そのような肉眼判別困難マークを、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインキで印刷された模様の中に紛れ込ませると肉眼で一見しただけではその存在が判別しがたい。

しかしながら、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインキにより印刷された肉眼判別不能マークは、斜めから仔細に観察すると熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインクで印刷された模様から浮き上がったように見えるので、その存在が肉眼によって判別されてしまうことがある。また、指先の感覚の鋭い人は、肉眼判別不能マークとその周囲の上記模様に触ることにより上記模様の中に肉眼判別不能マークが存在していることを知ることが出来る。

また、赤外線照射装置を使用すれば、このような肉眼判別困難マークが上記模様の中に存在していることを容易に判別することも出来、赤外線照射装置と赤外線カメラを組み合わせることにより、その形状や寸法までも容易に知ることが出来る。赤外線照射装置や赤外線カメラは比較的広く用いられており容易に入手可能である。従って、上述したような肉眼判別困難マークは比較的容易に偽造が可能である。

特許文献１には、赤外線を吸収可能であるが可視光を吸収しない赤外線吸収インキが開示されている。このような赤外線吸収インキと同色のインキで印刷された模様の中に赤外線吸収インキを使用して肉眼判別不能マークを描けば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても赤外線吸収インキと同色のインキで描いた模様から浮き上がったように見えることがなく、その存在が肉眼によって判別されてしまうことがない。また、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても感覚によりその存在が判別されてしまうこともない。

特許文献２には、可視光領域では目視不可能で、可視光以外の一定波長の光、具体的には紫外線により識別可能な蛍光を発する特殊蛍光インキを使用して肉眼判別困難マークを印刷することが開示されている。このような特殊蛍光インキと同色のインキで印刷した模様の上に特殊蛍光インキを使用して肉眼判別不能マークを印刷すれば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても特殊蛍光インキと同色のインキで印刷した模様から浮かび上がったように見えることがなく、その存在が肉眼によって判別されてしまうことがない。また、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても触覚によりその存在が判別されてしまうこともない。

特許文献３には、真贋判別装置としてテラヘルツ電磁波を用いた方法、および、その方法に適用される偽造防止構造体が開示されている。この偽造防止構造体は、所定のパターンに配列された開口部を有する導電性層、導電性層の表裏に配置される絶縁層、及び、絶縁性を持つ隠蔽層を備えている。そして、真贋判別装置では、テラヘルツ電磁波が偽造防止構造体を透過する際の測定値を予め測定してある基準値と比較し、両者の差異の有無を判定している。この偽造防止構造体では、所定のパターンが隠蔽層にて隠蔽されているので、肉眼や触覚でその存在を知ることができない。

特開２０００−３０９７３６号公報 特開平６−２９７８８８号公報 特許第５１１０５６６号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている赤外線吸収インキを使用して肉眼判別困難マークを描いた場合であっても、比較的広く用いられており容易に入手可能である赤外線照射装置を使用すれば、上記模様の中に肉眼判別困難マークが存在していることを容易に判別することができる。また、赤外線照射装置と赤外線カメラとを組み合わせることにより、その形状や寸法までも容易に知ることが出来る。また、特許文献２に記載されている特殊蛍光インキを使用して肉眼判別困難マークを描いた場合であっても、比較的広く用いられており容易に入手可能である紫外線照射装置を使用すれば、上記模様の中に肉眼判別困難マークが存在していることを容易に判別することができる。また、紫外線照射装置とカメラとを組み合わせることにより、その形状や寸法までも容易に知ることが出来る。

さらに、特許文献３に記載されている偽造防止構造体を用いた場合、肉眼判別困難マークが隠蔽されており偽造防止効果は高いものの、真偽判定を行う装置が複雑で高額になり易い。また、透過する波形を基準波形と比較して判断するため、判断時間が長引いてしまう傾向にあり、大量に真贋判定したい場合に汎用性のある偽造防止構造体および真贋判別装置とは言い難かった。

そこで、本発明は、偽造防止効果が高く、しかも、簡易な手法で肉眼判別困難マークを高速に判定することができる偽造防止構造体、偽造防止媒体、及び、真贋判別装置を提供することを目的とする。

本発明は、その一側面として、偽造防止構造体に関し、この偽造防止構造体は、テラヘルツ電磁波が透過可能なベース基材と、ベース基材の一方の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能な開口部形成層と、開口部形成層のベース基材とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層と、を備えている。この偽造防止構造体では、開口部形成層は電気的絶縁層であり、導電性層は、特定波長のテラヘルツ電磁波が透過可能な所定パターンを形成する開口部を有していることを特徴としている。

上述した偽造防止構造体では、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層に対して特定波長のテラヘルツ電磁波が透過可能な所定パターンを形成する開口部を設けている。この場合、透過するテラヘルツ電磁波の波長を限定し、その波長が媒体を透過する透過率を測定することにより真贋判定するので、簡易な手法により肉眼判別困難マーク（所定パターン）を高速に判定することができる。しかも、使用される際には、肉眼判定困難マークが内側に配置されるので、偽造防止効果も高い。

上記の偽造防止構造体において、開口部形成層は、光の照射により回折を生じさせる光回折層を有していることが好ましい。この場合、光回折層により、ホログラム像を形成することができると共に、ホログラム像により肉眼判定困難マークを隠蔽することができるので、偽造防止効果をより一層高めることが可能となる。

上記の偽造防止構造体は、ベース基材と開口部形成層との間に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つベース基材からそれ以外の各層を剥離可能とする剥離層と、導電性層の開口部形成層とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ接着性を有する接着層と、を備えていてもよい。この場合、ベース基材があることにより、偽造防止構造体の製造・流通等を容易に行うことができると共に、実際に使用する際には、ベース基材を容易に剥離して、接着層により所定の偽造防止媒体に容易に貼り付けることが可能となる。

上記の偽造防止構造体において、所定パターンを形成する開口部を有する導電性層は、特定波長のテラヘルツ電磁波をピークとして選択的にテラヘルツ電磁波を透過させ、透過するテラヘルツ電磁波の波長の透過率の半値幅が０．２ＴＨｚ以下であることが好ましい。この場合、特定波長のテラヘルツ電磁波の幅を抑えることにより、特定波長の前後のテラヘルツ電磁波を測定することで、より正確な真贋判定が可能となる。

上記の偽造防止構造体では、所定パターンは、リング状の一部が開放された形状を呈する開口部から形成されており、同一形状からなる所定パターンが等間隔で複数配置されていることが好ましい。この場合、複数の所定パターンにおいて、リング上における開放された部分の角度が同じであってもよいし、リング上における開放された部分の角度が異なっていてもよい。開放された部分の角度が同じ場合、パターンの作成を容易に行うことができる。一方、開放された部分の角度が異なる場合、角度の違いにより透過率も異なることになるため、真贋判別装置で判定するための透過率パターンをより複雑なものとすることができ、その結果、偽造防止効果をより一層高めることができる。

また、本発明は、別の側面として、紙基材又はプラスチック基材を備えた偽造防止媒体に関し、当該偽造防止媒体は、上述した何れかの偽造防止構造体の少なくとも一部が紙基材又はプラスチック基材中に埋められている、又は、紙基材又はプラスチック基材上に配置されていることが好ましい。

また、本発明は、更に別の側面として、真贋判別装置に関する。この真贋判別装置は、少なくとも一波長のテラヘルツ電磁波を発生可能な電磁波発生手段と、電磁波発生手段によって発生される特定波長のテラヘルツ電磁波を物体に照射する照射手段と、物体を透過した特定波長のテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した透過率に変換する変換手段と、上記偽造防止構造体に特定波長のテラヘルツ電磁波を照射して透過したテラヘルツ電磁波の透過率と、上記偽造防止構造体に対して基準値として予め測定されているテラヘルツ電磁波の透過率との差異を判定する判定手段と、判定手段により差異があると判定された場合又は差異が無いと判定された場合の何れかの場合に判定結果に応じた報知を行う報知手段と、を備えることを特徴としている。

上記の真贋判別装置では、特定波長のテラヘルツ電磁波の透過率を測定し、それを基準として真贋判定を行っているため、テラヘルツ電磁波の波長域全て若しくは多くを測定して判定する場合に比べて、簡易な手法で肉眼判別困難マークを高速に判定することができる。

上記の真贋判別装置において、偽造防止媒体を所定の測定方向に移動する際、一定間隔毎にテラヘルツ電磁波の透過率を測定し、判定手段は、それぞれの測定した位置に応じた透過率の変動を、予め測定した基準値と比較してその差異を判定し、報知手段は、判定結果に応じて報知を行うようにしてもよい。

本発明によれば、テラヘルツ電磁波の少なくとも１波長を特定し、その特定波長が媒体を透過する透過率を測定して判定を行うため、簡易な手段で高速に真贋判定することが可能となる。

図１は、本発明の第１実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図である。 図２は、図１の（ａ）に示す偽造防止構造体のＩＩ―ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、図１の（ａ）に示す偽造防止構造体を商品券等の媒体中に埋め込んだ状態の一例を示す図であり、（ａ）はその平面図を示し、（ｂ）は、ｂ−ｂ線に沿った断面図を示す。 図４は、図１の（ａ）に示す偽造防止構造体のＳＲＲ（Ｓｐｌｉｔ Ｒｉｎｇ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）アレイ部にテラヘルツ電磁波を照射した場合の透過率Ｔを示すグラフである。 図５は、図３に示す偽造防止媒体に対して図４に示す特定波長λ１のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Ｔの変化を示すグラフである。 図６は、本発明に係る偽造防止構造体の透過率を測定するための真贋判別装置の概略を示す図である。 図７は、本発明の第２実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図である。 図８は、図７の（ａ）に示す偽造防止構造体のＶＩＩＩ―ＶＩＩＩ線に沿った断面図である。 図９は、図７の（ａ）に示す偽造防止構造体に対して特定波長λ１のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Ｔの変化を示すグラフである。 図１０は、本発明の第３実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図である。 図１１は、図１０に示す偽造防止構造体のＳＲＲアレイ部のそれぞれの形状にテラヘルツ電磁波を照射した場合の透過率Ｔを示すグラフであり、（ａ）は０．１０ＴＨｚ〜０．８０ＴＨｚでの透過率の変位を示し、（ｂ）はその一部を拡大して示す。 図１２は、図１０に示す偽造防止構造体に対して図１１に示す特定波長λ１のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Ｔの変化を示すグラフである。 図１３は、本発明の第３実施形態に係る偽造防止構造体の変形例を示す平面図及びその拡大図である。 図１４は、図７や図１０等に示す偽造防止構造体を商品券等に転写した状態の一例を示す平面図である。

以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係る偽造防止構造体、当該偽造防止構造体を備える偽造防止媒体、及び、偽造防止構造体又は偽造防止媒体と組み合わされて使用される真贋判別装置の実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いる場合があり、重複する説明は省略する。
［第１実施形態］

図１は、第１実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその部分拡大図であり、図２は、その偽造防止構造体の断面図である。図３は、偽造防止構造体を商品券等の偽造防止媒体中に埋め込んだ状態の一例を示す図である。偽造防止構造体１は、例えば証券類等における偽造を防止するための肉眼判別困難マークを形成するための構造体であり、例えば図３に示すような商品券中に埋め込まれたりすることで、商品券等の偽造防止媒体の偽造防止に利用されるものである。

偽造防止構造体１は、図１の（ａ）に示すように、ベース基材１１上に複数のＳＲＲアレイ部１２（ＳＲＲ：Ｓｐｌｉｔ Ｒｉｎｇ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）が形成された偽造防止構造体であり、ＳＲＲアレイ部１２は、複数のＳＲＲパターン１３が行方向及び列方向において等間隔に配置されることにより形成されている。各ＳＲＲパターン１３は、一部１３ａが開放されている（欠けている）リング形状を呈しており、略Ｃ字状となっている。

このようなＳＲＲアレイ部１２を有する偽造防止構造体１は、図２に示すように、ベース基材１１と、ベース基材１１上に形成される開口部形成層１４と、開口部形成層１４上に形成される導電性層１５とを備えている。ＳＲＲアレイ部１２を構成するＳＲＲパターン１３は、この導電性層１５に対しＳＲＲパターン１３の形状に対応する開口部１６を設けることによって形成されている。つまり、ＳＲＲパターン１３のリング形状に対応する部分は空隙となっており開口部形成層１４の表層が露出する。逆にＳＲＲパターン１３の開放部１３ａは導電性層１５が残存する領域となっている。偽造防止構造体１は、導電性層１５の表面側の面が外部に露出しているが、証券類等の偽造防止媒体において使用される際には、導電性層１５側に絶縁性の層が配置されることになる。

ベース基材１１及び開口部形成層１４は、テラヘルツ電磁波が透過可能な材料によって構成されおり、ベース基材１１は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から構成されており、開口部形成層１４は、例えばポリウレタン樹脂から構成されている。このような材料から構成されることにより、テラヘルツ電磁波は、ベース基材１１及び開口部形成層１４を透過する。一方、導電性層１５は、その層のみではテラヘルツ電磁波を遮断する材料から構成されており、例えば、Ａｌ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ等の金属薄膜層から構成されている。このような材料から構成されることにより、テラヘルツ電磁波は、導電性層１５により遮断される。なお、開口部形成層１４は、絶縁性の層でもある。また、偽造防止構造体１が偽造防止媒体２において使用される際、ベース基材１１は取り外されることもあるが、導電性層１５及び開口部１６によるＳＲＲパターン１３は外部に露出しないように開口部形成層１４が外側に配置されることが多い。このような配置にすることにより、肉眼識別マークを隠すことができる。なお、ベース基材１１は媒体を形成する主たる部材のことである。

ここで、「テラヘルツ電磁波が透過する」とは、その層を通過する前後で、テラヘルツ電磁波のどの波長域においても１００％出力が変わらないことを意味するのではなく、５％以上透過していれば、ここでいう「テラヘルツ電磁波が透過する」ことを意味する。逆に、「テラヘルツ電磁波が遮断される」とは、テラヘルツ電磁波の透過率が５％未満の透過を意味しており、テラヘルツ電磁波を１００％遮断する場合（透過率が０％）に限られない。

上述したように導電性層１５の一部が削られて各ＳＲＲパターン１３が設けられ複数のＳＲＲパターン１３からＳＲＲアレイ部１２が形成された場合に、このＳＲＲアレイ部１２にテラヘルツ電磁波を照射すると、共鳴により、例えば図４に示すようなテラヘルツ波形（透過率パターン）３３を観察することができる。上述したような構成のＳＲＲアレイ部１２により、テラヘルツ電磁波の一部の波長域（図中では特定波長λ１を中心とした波長域）にて透過が起こる。なお、透過するテラヘルツ電磁波の波長の透過率の半値幅Ｗ１は０．２ＴＨｚ以下となっている。このように、ピークの幅が小さければ、特性は波長の小さな違い（±０．２ＴＨｚ程度）により透過率が大きく異なる特異なものとなるので、波長の異なる複数の電磁波（例えば、±０．２ＴＨｚ偏移した電磁波）を用いてこの特性を測定することで、より正確な真贋判定が可能となる。

このような透過は、導電性層１５の一部を所定のパターンに削り取り、各ＳＲＲパターン１３を等間隔に配置することで、特定波長λ１に対する共鳴が起こり、特定のテラヘルツ電磁波（特定波長λ１）の波長域のみが透過するといったものである。ＳＲＲパターン１３のパターンの形状及び配列により、透過するピーク波長、及び透過量が異なる構造体を作ることが可能であり、ＳＲＲパターン１３の形状等に対応する透過ピーク波長は、所定のシミュレーション装置を用いることにより、当業者であれば容易に算出することが可能である。使用するテラヘルツ電磁波の周波数範囲はリングの大きさで決まるが、本実施形態では、例えばテラヘルツ電磁波とは０．１ＴＨｚ〜３ＴＨｚの範囲のものを意味している（Ｔ：テラ、１０^１２）が、本発明はこれに限定される訳ではない。

ＳＲＲパターン１３の形成方法としては、種々の方法を用いることができるが、その一方法が特許第５１６９０８３号公報に開示されている。この特許文献に記載されている形成方法は、回折格子パターンを利用した形成方法であり、回折格子形成層のうち導電性層を削りたい部分を撥水性構造とすることで、全面に設けられた導電性層において撥水性構造となっているＳＲＲパターン上の導電性層を除去している。このような形成方法を使用すれば、本実施形態においても、導電性層１５上にも回折格子を設けることができ、かつ他のエッチング方式と比較して、より精度良く、より安価に偽造防止構造体１を製造することが出来る。

このような偽造防止構造体１は、例えば図３に示すような偽造防止媒体２に設けることが出来る。図３に示す例では、基材２１中に偽造防止構造体１を埋め込むことで、偽造防止媒体２を構成している。偽造防止媒体２を構成する基材２１としては、テラヘルツ電磁波を透過する材質であればよく、例えば紙基材又はプラスチック基材等から構成される。偽造防止媒体２としては、偽造防止構造体１を基材２１中に埋め込む形態とする必要は必ずしもなく、基材２１の表面や裏面に偽造防止構造体１を貼り付けるようにしてもよい。

図３に示すような構成の偽造防止媒体２に対し、図５の（ａ）に示すように、ある特定のテラヘルツ電磁波（特定波長λ１）を図示矢印方向に沿って照射すると、図５の（ｂ）に示すように、特定テラヘルツ波長における透過率Ｔのスキャン結果である透過率パターン４を得ることができる。この特定波長λ１における透過率パターン４では、偽造防止構造体１が存在しない基材２１の基材部では、透過率Ｔが高い透過率パターン４１となり、ＳＲＲパターン１３が無く導電性層１５が存在する部分では、導電性層１５の存在により透過率Ｔが低い（若しくは透過率が無い）透過率パターン４４となり、さらにＳＲＲアレイ部１２においては、ＳＲＲパターンアレイの透過率Ｔが透過率パターン４３となる。ＳＲＲアレイ部１２における透過率パターン４３は、ＳＲＲアレイ部１２が存在しない基材２１での透過率パターン４１よりもその透過率Ｔは低いものの、所定の透過率となっている。そして、これらの透過率Ｔの波形の特徴を予めデータとして取り込んでおき、後述する真贋判別装置（図６参照）により真贋判定する際に、取り込んだ透過率Ｔの波形データ（透過率パターン４）と、実際に読み込んだ透過率Ｔの波形データとを比較し、両者の透過率の変化を比較することで、真贋判別することができる。

次に、上述した偽造防止媒体２（又は偽造防止構造体１）の真贋判定をテラヘルツ電磁波を利用して行う真贋判別装置１００について説明する。図６は、偽造防止媒体２（又は偽造防止構造体１）を真贋判定するために使用される真贋判別装置を示す概略図である。偽造防止媒体２に特定波長λ１のテラヘルツ電磁波が照射されるように、集光凸レンズ１２６を中央に配置し、矢印の方向（図示上下方向）に偽造防止媒体２を移動させる。この移動の際、照射した特定波長λ１のテラヘルツ電磁波の透過率Ｔを読み取り、事前に読み取った透過率Ｔの基準値（透過率パターン４）と比較することで、その相違から偽造防止媒体２の真贋判定を行う。なお、詳細な判定処理については、従来技術を適宜用いることができるため、ここではその詳細な説明は省略する。

真贋判別装置１００の具体的な測定装置例を以下に示す。真贋判別装置１００は、レーザ発振器１２１（電磁波発生手段）、分配器１２２、ＰＣ（フォトコンダクター）アンテナ（送信側）１２３（電磁波発生手段）、ＰＣアンテナ（受信側）１２４（変換手段）、凸レンズ１２５、凸レンズ１２６、時間遅延装置１２７、分析装置１２８（判定手段）、報知装置１２９（報知手段）、受信出力１３１、及び、参照出力１３２を備えている。この真贋判別装置１００では、レーザ発振器１２１よりパルス波のレーザ光を例えば８０ｆｓ（ｆ：フェムト、１０^−１５）だけ、ＰＣアンテナ（送信側）１２３に向けて照射する。ＰＣアンテナ（送信側）１２３にバイアス電圧をかけておくと、照射されたフェムト秒パルス光にてアンテナにて非常に短い間だけ電流が流れテラヘルツ（ＴＨｚ）帯の電磁波が発生する。ここで、発生するテラヘルツ電磁波は、特定波長λ１となるように調整されている。

このテラヘルツ電磁波は、送信側の凸レンズ１２５にて平行波になり、さらに凸レンズ１２６により収束される。送信側の凸レンズ１２５，１２６は照射手段を構成しており、一番収束された部分に、測定物である偽造防止媒体２を配置して図示矢印方向に移動させることにより、目標とするターゲットに特定波長λ１のテラヘルツ電磁波を連続して照射させる。ターゲットである偽造防止媒体２を透過したテラヘルツ波長を受信側の凸レンズ（平行光）１２６および凸レンズ（集光）１２５にて集め、ＰＣアンテナ（受信側）１２４に照射させる。受信側のＰＣアンテナ１２４から受信データを取り出すタイミングは、レーザ光の分配器１２２及び時間遅延装置１２７を通して、ある一定の時間ΔＴ毎にレーザ光を受信アンテナに照射する事により行える。この原理によってある一定の時間ΔＴ毎の時間領域の波形が得られる。その得られたデータをフーリエ変換することにより、周波数領域のデータに変換できる。なお、マイクロ波、テラヘルツ波帯で検出する方法は上記以外にも多くあり、検出方法として何れを用いてもよい。

そして、分析装置１２８により、偽造防止媒体２に特定波長のテラヘルツ電磁波を照射して透過したテラヘルツ電磁波の透過率Ｔと、偽造防止媒体２（若しくはその同等物）に対して予め測定されているテラヘルツ電磁波の透過率Ｔとの差異を判定する。分析装置１２８での判定により、両者の差異があると判定された場合、報知装置１２９はその旨を報知する。報知装置１２９は、両者の差異がないと判定された場合にその旨を報知してもよい。なお、偽造防止媒体２を所定の測定方向に移動する際に、一定間隔毎にテラヘルツ電磁波の透過率Ｔを測定し、それぞれの測定した位置に応じた透過率Ｔの変動を予め測定した基準値と比較してその差異を判定し、報知装置１２９は、その判定結果に応じて報知を行うようにしてもよい。なお、以下で説明する他の実施形態に係る偽造防止構造体を用いた偽造防止媒体の真贋判定にも同様に上記真贋判別装置１００を用いることが可能である。

このように、本実施形態における偽造防止構造体１及び偽造防止構造体１を備える偽造防止媒体２では、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層１５に、特定波長λ１のテラヘルツ電磁場が透過可能な所定のＳＲＲパターン１３を形成する開口部１６を設けている。このため、透過するテラヘルツ電磁波を特定波長λ１に限定し、その特定波長λ１が偽造防止媒体２等を透過する透過率Ｔを測定することにより真贋判定することができるので、テラヘルツ電磁波の波長域全てを測定し且つスキャンする従来の手法よりも、簡易な手法により肉眼判別困難マークを高速で判定することができる。しかも、肉眼判定困難マークが層の内側に配置されることになるので、偽造防止効果も高い。

なお、偽造防止構造体１の導電性層１５に設けられた開口部１６のパターンは、１つの大きさをマイクロ文字以下とすることより（マイクロ文字は一辺０．２５ｍｍとする）、目視ではこの開口部１６を見ることが困難となるため、偽造防止媒体を見かけ上変えずにセキュリティ向上を図ることが出来る。また、偽造防止構造体１の開口部形成層１４には、ホログラム等の光の照射により回折を生じさせる回折格子形成層（光回折層）を設けてもよい。この場合、ホログラム等によりＳＲＲパターン１３がより一層隠されることになり、偽造防止効果をより一層高めることができる。
［第２実施形態］

次に、本発明の第２実施形態に係る偽造防止構造体について図７〜図９を参照して説明する。図７は、第２実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図であり、図８は、偽造防止構造体の断面図である。なお、以下では、第１実施形態に係る偽造防止構造体１と同様の部分については説明を省略し、相違する点を中心として説明する。

偽造防止構造体５は、ベース基材５１上にＳＲＲアレイ部５２が形成された偽造防止構造体である。ＳＲＲアレイ部５２は、第１実施形態と同様に、導電性層５５に開口部５６を設けることにより形成されている。ＳＲＲアレイ部５２は、複数のＳＲＲパターン５３が行方向及び列方向において等間隔に配置されることにより形成されている。各ＳＲＲパターン５３は、一部５３ａが開放されているリング形状を呈しており、略Ｃ字状となっている。

偽造防止構造体５は、第１実施形態と同様に、ベース基材５１、開口部形成層５４及び導電性層５５を備えており、更に、剥離層５７、絶縁層５８及び接着層５９を備えている。剥離層５７は、ベース基材５１と開口部形成層５４との間に配置されており、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つベース基材５１からそれ以外の層５４，５５，５８，５９等を剥離可能としている。絶縁層５８は、電気的絶縁性を有する電気的絶縁層であり、同様に絶縁性を有する開口部形成層５４と共に導電性層５５を挟み込む。接着層５９は、導電性層５５の開口部形成層５４とは逆側の面に絶縁層５８を介して配置されており、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ接着性を有している。偽造防止構造体５では、剥離層５７及び接着層５９を備えた構成であることから、偽造防止構造体５に転写箔としての機能を付与することができる。このため、例えば図１４に示すように、基材１５１上に熱転写により接着層５９を貼付けすることにより、偽造防止媒体１５０のような構成とすることができる。

なお、導電性層５５は、回折格子形成部５０も有しており、見た目には回折格子の絵柄が見えるようになっている。ここで、偽造防止構造体５におけるＳＲＲアレイ部５２のＳＲＲパターン５３が十分小さく、導電性層５５の面積比率が５０％以上であるとき、目視では回折格子のみが認識され、回折格子媒体とテラヘルツ電磁波による真贋判別可能な回折格子媒体とを交換しても目視では解らない。これにより、偽造防止媒体のデザインを変えることなく、高偽造防止耐性が備わった偽造防止媒体に変更することが出来る。

このような偽造防止構造体５に対し、図９の（ａ）に示すように矢印の方向にある特定のテラヘルツ電磁波（特定波長λ１）を照射することで、第１実施形態と同様に、特定波長λ１における透過率Ｔのスキャンパターン６（導電性層５５におけるパターン６４及びＳＲＲアレイ部５２におけるパターン６３）を得ることができる。第１実施形態と同様に、この波形の特徴を予め基準値データとして真贋判別装置１００によって取り込み、比較することで真贋判別が可能となる。このように、偽造防止構造体５によれば、第１実施形態と同様の作用効果を奏することが可能となる。

また、偽造防止構造体５は、剥離層５７と接着層５９とを備えている。このため、ベース基材５１によって偽造防止構造体５の製造・流通等を容易に行うことができると共に、実際に使用する際には、ベース基材５１を剥離層５７から容易に剥離し、接着層５９により所定の偽造防止媒体に容易に貼り付けることが可能となる。
［第３実施形態］

次に、本発明の第３実施形態に係る偽造防止構造体について図１０〜図１２を参照して説明する。図１０は、第３実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図であり、図１１は、図１０に示す偽造防止構造体のＳＲＲアレイ部のそれぞれの形状にテラヘルツ電磁波を照射した場合の透過率Ｔを示すグラフである。図１２は、図１０に示す偽造防止構造体に対して特定波長λ１のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Ｔの変化を示すグラフである。なお、第３実施形態に係る偽造防止構造体７は、基本的な層構成は第２実施形態に係る偽造防止構造体５と同様であり、以下、相違する点を中心に説明する。

偽造防止構造体７では、図１０に示すように、導電性層５５の開口部によって形成されるＳＲＲパターン７３〜７５がその配置箇所（エリア）に応じて異なっており、ＳＲＲパターン７３では、リング状の図示上方に開放部７３ａが設けられている。一方、ＳＲＲパターン７４では、ＳＲＲパターン７３と異なり、開放部７４ａがやや斜め上方となるように設けられ、ＳＲＲパターン７５では、更に横方向（図示左方向）になるように開放部７５ａが設けられている。第３実施形態に係る偽造防止構造体７では、このように、ＳＲＲアレイ部７２において、ＳＲＲパターン７３〜７５の形状を開放部７３ａ〜７５ａの角度を変えることで変化させ、透過されるテラヘルツ電磁波の透過率ＴをＳＲＲパターン７３〜７５毎に変化させている。このようにリング状の一部が開放している形状で等間隔に配置することで、第２実施形態等と同様に特定波長に共鳴を起こすようにして特定のテラヘルツ電磁波の波長を透過させると共に、さらに、本実施形態では、照射するテラヘルツ電磁波が指向性を有し、いわゆる偏光された電磁波が照射されることより、開放された（欠けている）部分の角度を照射するテラヘルツ電磁波の偏光角度からずらすことにより、ずらした角度の分だけ透過率を低くさせるようにしている。

図１１には、このようにして透過率をずらした、特定テラヘルツ波長における透過率Ｔのスキャンした透過率パターン８２〜８５を示している。図１１に示すグラフでは、照射するテラヘルツ電磁波の偏光角度から略ずれていないＳＲＲパターン７３の透過率パターン８３、偏光角度から３５°ずらしたＳＲＲパターン７４の透過率パターン８４、偏光角度から６０°ずらしたＳＲＲパターン７５の透過率パターン８５を示している。なお、図１１では、偏光角度から９０°ずらした場合の透過率パターン８２も示しており、この場合、特定波長λ１における透過率が一番低くなっている。

このように本実施形態に係る偽造防止構造体７では、ＳＲＲパターン７３〜７５の偏向角度に対する欠け部の角度を何種類かに分けてずらすことにより、例えば、図１２の（ａ）の矢印方向にスキャンした場合、特定波長λ１における透過率のスキャンパターン９を、異なるパターン９１，９４，９３，９５，９１を含むように、より複雑なものすることができる。真贋判別装置１００では、このような複雑な透過率変化のスキャンパターン９を基準値と比較判定することにより、一層複雑な真贋判定が可能になる。しかも、透過率変化のパターンを並び替えることも可能となり、様々な券種に対応した真贋判定が可能になる。つまり、偽造防止構造体７は、より複雑な偽造防止媒体を形成することが可能となる。なお、偽造防止構造体７でも回折格子形成部７０を設けてもよい。

なお、図１０等に示す偽造防止構造体７では、偏光角度に対するずれ角度が異なるＳＲＲパターン７３〜７５を一方のスキャン方向に沿って配置するようにしていたが、図１３に示すように、ＳＲＲアレイ部１１２において、ＳＲＲパターン７３〜７５を同心状となるようにエリア配置した偽造防止構造体１０としてもよい。この場合、偽造防止構造体１０を含む媒体を真贋判定する際のスキャン方向を水平方向および垂直方向のいずれにも取っても同様の透過率波形を得ることが出来るので、現場でのスキャン作業を容易に行うことができる。

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

まず、ベース基材として厚さ２５μｍの透明ＰＥＴ上に下記［剥離保護層の組成］からなる剥離保護層を厚さ１．０μｍで設け、その上に下記［回折格子形成層の組成］からなる回折格子形成層（開口部形成層）を厚さ２．０μｍで設けた。その後、回折格子形成層上に、１６０℃、線厚４０ｋｇ／ｃｍにて、所定の回折格子版（ロール状）を押し当て、回折格子エンボスを得た。

その後、回折格子エンボスを得た回折格子形成層上に真空蒸着法にてアルミニウムを厚さ６０ｎｍで設けた。さらにその上に絶縁性層としてフッ化マグネシウムを１００ｎｍ真空蒸着法にて設けた。このようにして得られたフィルムに対し、１．５Ｎ（ノルマル）の水酸化ナトリウム溶液にてエッチングを行い、水洗後、０．１Ｎ（ノルマル）の塩酸で中和し、所定のＳＲＲパターンを得た。その上に下記［接着層の組成］からなる接着層を２．０μｍで設け、偽造防止転写箔の実施例１を得た。

［剥離保護層の組成］
実施例１に係る偽造防止転写箔に用いる剥離保護層の組成は以下の通りである。
アクリル系樹脂（ＢＲ−１１６：三菱レーヨン社製） ２０部
溶剤（トルエン／ＭＥＫ／酢酸エチル） ４０部／３５部／５部

［回折格子形成層の組成］
実施例１に係る偽造防止転写箔に用いる回折格子形成層の組成は以下の通りである。
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 ２５部
（ソルバインCH：日信化学工業社製）
ウレタン樹脂 １０部
（コロネートＴ−１００：日本ポリウレタン工業社製）
ＭＥＫ ７０部
トルエン ３０部

［接着層の組成］
実施例１に係る偽造防止転写箔に用いる接着剤の組成は以下の通りである。
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 ３０部
（ソルバインC：日信化学工業社製）
ポリエステル樹脂 ２０部
（バイロン２００：東洋紡社製）
ＭＥＫ ２５部
トルエン ２５部

比較例１として、上記構成のうち、ＳＲＲパターンが無い構成の偽造サンプルを作製した。

上記２種類の転写媒体をそれぞれ紙基材の商品券サンプル上に、ホットスタンプにて数ポット状に熱転写を行い、偽造防止媒体（実施例１）および偽造防止媒体の比較品（比較例１）を作製した。

上記２種類の偽造防止媒体（実施例１）および偽造防止媒体の比較品（比較例１）は、見た目上は全く同じに出来ており、区別が付かないが、図６に示す真贋判別装置１００にて上記２種類の転写箔部分の透過波形を測定したところ、真性品（実施例１）では、図５に示すような波形を示したが、偽造品（比較例１）は転写箔部分にテラヘルツ電磁波の透過が見られなかったことより、容易に区別が付いた。

１，５，７，１０…偽造防止構造体、２…偽造防止媒体、１１，５１…ベース基材、１２，５２…ＳＲＲアレイ部、１３，５３…ＳＲＲパターン、１３ａ，５３ａ，７３ａ，７４ａ，７５ａ…開放部、１４，５４…開口部形成層、１５，５５…導電性層、１６，５６…開口部、２１…基材、５７…剥離層、５８…絶縁層、５９…接着層、１００…真贋判別装置。

Claims (10)

1. テラヘルツ電磁波が透過可能なベース基材と、
   前記ベース基材の一方の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能な開口部形成層と、
   前記開口部形成層の前記ベース基材とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層と、を備え、
   前記開口部形成層は、電気的絶縁層であり、
   前記導電性層は、特定波長のテラヘルツ電磁波が透過可能な所定パターンを形成する開口部を有していることを特徴とする偽造防止構造体。
2. 前記開口部形成層は、光の照射により回折を生じさせる光回折層を有していることを特徴とする請求項１に記載の偽造防止構造体。
3. 前記ベース基材と前記開口部形成層との間に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ前記ベース基材からそれ以外の前記各層を剥離可能とする剥離層と、
   前記導電性層の前記開口部形成層とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ接着性を有する接着層と、を更に備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の偽造防止構造体。
4. 前記所定パターンを形成する前記開口部を有する前記導電性層は、前記特定波長のテラヘルツ電磁波をピークとして選択的にテラヘルツ電磁波を透過させ、前記透過するテラヘルツ電磁波の波長の透過率の半値幅が０．２ＴＨｚ以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の偽造防止構造体。
5. 前記所定パターンは、リング状の一部が開放された形状を呈する前記開口部から形成されており、同一形状からなる前記所定パターンが等間隔で複数配置されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の偽造防止構造体。
6. 複数の前記所定パターンにおいて、前記リング上における前記開放された部分の角度が同じである、請求項５に記載の偽造防止構造体。
7. 複数の前記所定パターンにおいて、前記リング上における前記開放された部分の角度が異なる、請求項５に記載の偽造防止構造体。
8. 紙基材又はプラスチック基材を備えた偽造防止媒体であって、
   請求項１〜７の何れか一項に記載の偽造防止構造体は、少なくともその一部が前記紙基材又は前記プラスチック基材中に埋められている、又は、前記紙基材又は前記プラスチック基材上に配置されていることを特徴とする偽造防止媒体。
9. 少なくとも一波長のテラヘルツ電磁波を発生可能な電磁波発生手段と、
   前記電磁波発生手段によって発生される特定波長のテラヘルツ電磁波を物体に照射する照射手段と、
   前記物体を透過した前記特定波長のテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した透過率に変換する変換手段と、
   請求項１〜７の何れか一項に記載の偽造防止構造体に前記特定波長のテラヘルツ電磁波を照射して透過したテラヘルツ電磁波の透過率と、前記偽造防止構造体に対して基準値として予め測定されているテラヘルツ電磁波の透過率との差異を判定する判定手段と、
   前記判定手段により前記差異があると判定された場合又は前記差異が無いと判定された場合の何れかの場合に判定結果に応じた報知を行う報知手段と、
   を備えていることを特徴とする真贋判別装置。
10. 請求項８に記載の偽造防止媒体を所定の測定方向に移動する際、一定間隔毎に前記テラヘルツ電磁波の透過率を測定し、前記判定手段は、それぞれの測定した位置に応じた透過率の変動を、予め測定した前記基準値と比較してその差異を判定し、
    前記報知手段は、前記判定結果に応じて報知を行うことを特徴とする請求項９に記載の真贋判別装置。
    

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